JPH06280009A - スパッタリング用ターゲット及びその製造方法 - Google Patents
スパッタリング用ターゲット及びその製造方法Info
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- JPH06280009A JPH06280009A JP7257393A JP7257393A JPH06280009A JP H06280009 A JPH06280009 A JP H06280009A JP 7257393 A JP7257393 A JP 7257393A JP 7257393 A JP7257393 A JP 7257393A JP H06280009 A JPH06280009 A JP H06280009A
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- Japan
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 スパッタリング時に発生するパーティクル数
を大幅に減少させることができ、したがって、半導体素
子の歩留まりを大幅に向上させることができるスパッタ
リング用ターゲット及びその製造方法を提供する。 【構成】 ターゲットは、Ｎａ，Ｃａ，Ｍｇ，Ｃｕ，Ａ
ｌ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｎｉの合計を重量比で５０ｐｐ
ｍ以下含み、残部がＴｉと不可避不純物からなり、か
つ、これらの合計１００重量部に対して重量比でＯ2を
２０〜１０００ｐｐｍ含み、さらに、最大結晶粒径が３
０μｍ以下である。また、製法は、Ｎａ，Ｃａ，Ｍｇ，
Ｃｕ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｎｉの合計が重量比で
５０ｐｐｍ以下、残部がＴｉと不可避不純物、かつ、重
量比でＯ2を２０〜１０００ｐｐｍ含む原料を加熱溶融
し、得られた溶融物を鋳造してインゴットとし、該イン
ゴットを圧下率５０％以上で冷間圧延し、その後６００
℃未満の温度で熱処理する。
を大幅に減少させることができ、したがって、半導体素
子の歩留まりを大幅に向上させることができるスパッタ
リング用ターゲット及びその製造方法を提供する。 【構成】 ターゲットは、Ｎａ，Ｃａ，Ｍｇ，Ｃｕ，Ａ
ｌ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｎｉの合計を重量比で５０ｐｐ
ｍ以下含み、残部がＴｉと不可避不純物からなり、か
つ、これらの合計１００重量部に対して重量比でＯ2を
２０〜１０００ｐｐｍ含み、さらに、最大結晶粒径が３
０μｍ以下である。また、製法は、Ｎａ，Ｃａ，Ｍｇ，
Ｃｕ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｎｉの合計が重量比で
５０ｐｐｍ以下、残部がＴｉと不可避不純物、かつ、重
量比でＯ2を２０〜１０００ｐｐｍ含む原料を加熱溶融
し、得られた溶融物を鋳造してインゴットとし、該イン
ゴットを圧下率５０％以上で冷間圧延し、その後６００
℃未満の温度で熱処理する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ＬＳＩやＶＬＳＩ等
の半導体素子の製造に用いて好適なスパッタリング用タ
ーゲット及びその製造方法に関するものである。
の半導体素子の製造に用いて好適なスパッタリング用タ
ーゲット及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＶＬＳＩに代表される半導体工業
は依然として急速に進歩しつつあり、例えば、１６Ｍビ
ットＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）等のＳ
ｉ ＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）メモリー等
の半導体素子（チップ）においては、高集積化、高信頼
度化、高機能化が進むにつれて微細加工技術に要求され
る精度も益々高まる一方であり、用いられる様々な種類
のスパッタリング用ターゲット（以下、単にターゲット
と略称する）についてもより均一な金属相のものが求め
られている。これらのターゲットの一種に高純度のチタ
ンからなるターゲットがある。このターゲットは、例え
ば、純度が９９．９９５重量％（４Ｎ５：但し、水素、
炭素、窒素、酸素、塩素等の揮発成分を除く）のチタン
板を、例えば９００℃で１時間加熱した後、熱間圧延に
て所定寸法まで圧延し、前記加熱と同一温度（ここでは
９００℃）で３０分焼鈍し、削り出し法により所定の寸
法のターゲットとするもので、該ターゲットの最大結晶
粒径は２００μｍ程度である。
は依然として急速に進歩しつつあり、例えば、１６Ｍビ
ットＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）等のＳ
ｉ ＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）メモリー等
の半導体素子（チップ）においては、高集積化、高信頼
度化、高機能化が進むにつれて微細加工技術に要求され
る精度も益々高まる一方であり、用いられる様々な種類
のスパッタリング用ターゲット（以下、単にターゲット
と略称する）についてもより均一な金属相のものが求め
られている。これらのターゲットの一種に高純度のチタ
ンからなるターゲットがある。このターゲットは、例え
ば、純度が９９．９９５重量％（４Ｎ５：但し、水素、
炭素、窒素、酸素、塩素等の揮発成分を除く）のチタン
板を、例えば９００℃で１時間加熱した後、熱間圧延に
て所定寸法まで圧延し、前記加熱と同一温度（ここでは
９００℃）で３０分焼鈍し、削り出し法により所定の寸
法のターゲットとするもので、該ターゲットの最大結晶
粒径は２００μｍ程度である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のター
ゲットを用いてスパッタリングを行った場合、このター
ゲットの結晶粒径がほぼ２００μｍ程度と極めて大き
く、スパッタリングする際に粗大なチタン粒子が基にな
ってパーティクル（微粒子）が発生し易くなる。したが
って、できた半導体素子にパーティクルが多数発生し、
歩留まりが大幅に低下するという問題点があった。例え
ば、４インチのシリコンウェーハ上に上記ターゲットを
用いて膜厚３００ｎｍの薄膜を成膜した場合、発生する
パーティクルは平均で５００個／枚と多く、スパッタリ
ング後の歩留まりが大幅に低下する一因になっている。
ゲットを用いてスパッタリングを行った場合、このター
ゲットの結晶粒径がほぼ２００μｍ程度と極めて大き
く、スパッタリングする際に粗大なチタン粒子が基にな
ってパーティクル（微粒子）が発生し易くなる。したが
って、できた半導体素子にパーティクルが多数発生し、
歩留まりが大幅に低下するという問題点があった。例え
ば、４インチのシリコンウェーハ上に上記ターゲットを
用いて膜厚３００ｎｍの薄膜を成膜した場合、発生する
パーティクルは平均で５００個／枚と多く、スパッタリ
ング後の歩留まりが大幅に低下する一因になっている。
【０００４】この発明は、上記の事情に鑑みてなされた
ものであって、スパッタリング時に発生するパーティク
ル数を大幅に減少させることができ、したがって、半導
体素子の歩留まりを大幅に向上させることができるスパ
ッタリング用ターゲット及びその製造方法を提供するこ
とにある。
ものであって、スパッタリング時に発生するパーティク
ル数を大幅に減少させることができ、したがって、半導
体素子の歩留まりを大幅に向上させることができるスパ
ッタリング用ターゲット及びその製造方法を提供するこ
とにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明は次の様なターゲット及びその製造方法を
採用した。すなわち、請求項１記載のターゲットは、ナ
トリウム、カルシウム、マグネシウム、銅、アルミニウ
ム、クロム、マンガン、鉄、ニッケルの合計を重量比で
５０ｐｐｍ以下含み、残部がチタンと不可避不純物から
なり、かつ、これらの合計１００重量部に対して重量比
で酸素を２０〜１０００ｐｐｍ含み、さらに、最大結晶
粒径が３０μｍ以下であることを特徴としている。
に、この発明は次の様なターゲット及びその製造方法を
採用した。すなわち、請求項１記載のターゲットは、ナ
トリウム、カルシウム、マグネシウム、銅、アルミニウ
ム、クロム、マンガン、鉄、ニッケルの合計を重量比で
５０ｐｐｍ以下含み、残部がチタンと不可避不純物から
なり、かつ、これらの合計１００重量部に対して重量比
で酸素を２０〜１０００ｐｐｍ含み、さらに、最大結晶
粒径が３０μｍ以下であることを特徴としている。
【０００６】ここで、酸素濃度を２０〜１０００ｐｐｍ
としたのは、チタンは高純度であればある程、低温で再
結晶し易くなり結晶粒が粗大化するので、２０ｐｐｍ以
上の酸素を添加することにより再結晶を抑制し、結晶粒
を微細化させるからであり、また、１０００ｐｐｍを越
えると酸素が過剰になりターゲットの純度が低下し得ら
れる膜の特性が低下するからである。また、ナトリウ
ム、カルシウム、マグネシウム、銅、アルミニウム、ク
ロム、マンガン、鉄、ニッケルの合計を５０ｐｐｍ以下
含むこととしたのは、これら不純物の合計の濃度が５０
ｐｐｍを越えると、１６ＭビットＤＲＡＭ用の回路形成
用には使用できないからである。なお、ここでは、チタ
ンの純度を、水素、炭素、窒素、酸素、塩素等の揮発成
分を除いた成分中の重量比で表わす。例えば、４Ｎ５と
は、チタンが９９．９９５重量％、残部がナトリウム、
カルシウム、マグネシウム、銅、アルミニウム、クロ
ム、マンガン、鉄、ニッケル、及び不可避不純物の不揮
発成分である。
としたのは、チタンは高純度であればある程、低温で再
結晶し易くなり結晶粒が粗大化するので、２０ｐｐｍ以
上の酸素を添加することにより再結晶を抑制し、結晶粒
を微細化させるからであり、また、１０００ｐｐｍを越
えると酸素が過剰になりターゲットの純度が低下し得ら
れる膜の特性が低下するからである。また、ナトリウ
ム、カルシウム、マグネシウム、銅、アルミニウム、ク
ロム、マンガン、鉄、ニッケルの合計を５０ｐｐｍ以下
含むこととしたのは、これら不純物の合計の濃度が５０
ｐｐｍを越えると、１６ＭビットＤＲＡＭ用の回路形成
用には使用できないからである。なお、ここでは、チタ
ンの純度を、水素、炭素、窒素、酸素、塩素等の揮発成
分を除いた成分中の重量比で表わす。例えば、４Ｎ５と
は、チタンが９９．９９５重量％、残部がナトリウム、
カルシウム、マグネシウム、銅、アルミニウム、クロ
ム、マンガン、鉄、ニッケル、及び不可避不純物の不揮
発成分である。
【０００７】このターゲットでは微視的な均一性が大幅
に向上するために、該ターゲットの表面からスパッタさ
れる原子の流れが極めて均一かつ等方的な流れとなり、
成膜されたスパッタ膜のパーティクル数が減少する。
に向上するために、該ターゲットの表面からスパッタさ
れる原子の流れが極めて均一かつ等方的な流れとなり、
成膜されたスパッタ膜のパーティクル数が減少する。
【０００８】また、請求項２記載のターゲットの製造方
法は、ナトリウム、カルシウム、マグネシウム、銅、ア
ルミニウム、クロム、マンガン、鉄、ニッケルの合計が
重量比で５０ｐｐｍ以下、残部がチタンと不可避不純物
からなり、かつ、これらの合計１００重量部に対して重
量比で酸素を２０〜１０００ｐｐｍ含む原料を加熱溶融
し、得られた溶融物を鋳造してインゴットとし、該イン
ゴットを圧下率５０％以上で冷間圧延し、その後６００
℃未満の温度で熱処理することにより、請求項１に記載
するターゲット特性のものを製造することを特徴とする
製造方法である。
法は、ナトリウム、カルシウム、マグネシウム、銅、ア
ルミニウム、クロム、マンガン、鉄、ニッケルの合計が
重量比で５０ｐｐｍ以下、残部がチタンと不可避不純物
からなり、かつ、これらの合計１００重量部に対して重
量比で酸素を２０〜１０００ｐｐｍ含む原料を加熱溶融
し、得られた溶融物を鋳造してインゴットとし、該イン
ゴットを圧下率５０％以上で冷間圧延し、その後６００
℃未満の温度で熱処理することにより、請求項１に記載
するターゲット特性のものを製造することを特徴とする
製造方法である。
【０００９】ここで、冷間圧延後熱処理することとした
のは、金属の結晶組織は冷間圧延により破壊されて結晶
の配向性が高まった層状組織になり、その後の熱処理に
より結晶の配向性を除去するためである。また、熱処理
温度は、結晶の配向性を除去することができ、かつチタ
ンが酸化し難い温度であればよい。
のは、金属の結晶組織は冷間圧延により破壊されて結晶
の配向性が高まった層状組織になり、その後の熱処理に
より結晶の配向性を除去するためである。また、熱処理
温度は、結晶の配向性を除去することができ、かつチタ
ンが酸化し難い温度であればよい。
【００１０】
【実施例】以下、この発明の一実施例のターゲット及び
その製造方法について説明する。このターゲットは、ナ
トリウム、カルシウム、マグネシウム、銅、アルミニウ
ム、クロム、マンガン、鉄、ニッケルの合計が重量比で
５０ｐｐｍ以下含まれ、残部がチタンと不可避不純物と
され、これらの合計１００重量部に対し重量比で２０〜
１０００ｐｐｍの酸素が含まれたもので、その最大結晶
粒径が３０μｍ以下とされたものである。
その製造方法について説明する。このターゲットは、ナ
トリウム、カルシウム、マグネシウム、銅、アルミニウ
ム、クロム、マンガン、鉄、ニッケルの合計が重量比で
５０ｐｐｍ以下含まれ、残部がチタンと不可避不純物と
され、これらの合計１００重量部に対し重量比で２０〜
１０００ｐｐｍの酸素が含まれたもので、その最大結晶
粒径が３０μｍ以下とされたものである。
【００１１】次に、前記ターゲットの製造方法について
図１に基づき説明する。まず、ナトリウム、カルシウ
ム、マグネシウム、銅、アルミニウム、クロム、マンガ
ン、鉄、ニッケルの各濃度の合計が重量比で５０ｐｐｍ
以下、残部がチタンと微量成分（不可避不純物）からな
り、かつ、これらの合計１００重量部に対して重量比で
酸素を２０〜１０００ｐｐｍ含む塊状のチタン原料を水
冷銅ハース（銅容器）中に充填し、このチタン原料に高
エネルギーの電子ビームを照射し加熱溶融した。該電子
ビームとしては、例えば、電子線加熱型が好適に用いら
れ、この場合の加速電圧は２０ｋＶ、電子流は１．０Ａ
程度であった。また、このときの溶融温度は１６６０℃
以上であった。なお、前記電子ビームの替わりにプラズ
マビームまたはプラズマアーク等を用いても全く同様の
効果を得ることができた。この加熱溶融の際に、溶融チ
タン中のナトリウム、カルシウム、マグネシウム、銅、
アルミニウム、マンガン、ニッケル及び酸化チタン等の
不純物が揮発し除去されるために、溶融チタンはさらに
純化され、純度が９９．９９５重量％（４Ｎ５）を越え
る高純度となった。
図１に基づき説明する。まず、ナトリウム、カルシウ
ム、マグネシウム、銅、アルミニウム、クロム、マンガ
ン、鉄、ニッケルの各濃度の合計が重量比で５０ｐｐｍ
以下、残部がチタンと微量成分（不可避不純物）からな
り、かつ、これらの合計１００重量部に対して重量比で
酸素を２０〜１０００ｐｐｍ含む塊状のチタン原料を水
冷銅ハース（銅容器）中に充填し、このチタン原料に高
エネルギーの電子ビームを照射し加熱溶融した。該電子
ビームとしては、例えば、電子線加熱型が好適に用いら
れ、この場合の加速電圧は２０ｋＶ、電子流は１．０Ａ
程度であった。また、このときの溶融温度は１６６０℃
以上であった。なお、前記電子ビームの替わりにプラズ
マビームまたはプラズマアーク等を用いても全く同様の
効果を得ることができた。この加熱溶融の際に、溶融チ
タン中のナトリウム、カルシウム、マグネシウム、銅、
アルミニウム、マンガン、ニッケル及び酸化チタン等の
不純物が揮発し除去されるために、溶融チタンはさらに
純化され、純度が９９．９９５重量％（４Ｎ５）を越え
る高純度となった。
【００１２】次いで、得られた溶融チタンを冷却、鋳造
し均一な金属相のインゴットとした。次いで、該インゴ
ットを冷間圧延しチタン板とした。ここでは、冷間圧延
の圧延回数を３〜５回とし、全体の圧下率を５０％以上
とした。例えば、圧延回数を４回、各回の圧下率を各々
１６％とした場合では、全体の圧下率は５０．２％とな
った。次いで、この冷間圧延したチタン板を熱処理し
た。ここでの熱処理条件は、温度５００℃、１時間とし
た。冷間圧延したチタン板を比較的低温で熱処理するこ
とにより、結晶の配向性が除去された均一な厚みの高純
度チタン板となった。次いで、この高純度チタン板を削
り出し法により所定寸法のターゲットに加工した後、ボ
ンディング等の仕上加工を行い製品（ターゲット）とし
た。
し均一な金属相のインゴットとした。次いで、該インゴ
ットを冷間圧延しチタン板とした。ここでは、冷間圧延
の圧延回数を３〜５回とし、全体の圧下率を５０％以上
とした。例えば、圧延回数を４回、各回の圧下率を各々
１６％とした場合では、全体の圧下率は５０．２％とな
った。次いで、この冷間圧延したチタン板を熱処理し
た。ここでの熱処理条件は、温度５００℃、１時間とし
た。冷間圧延したチタン板を比較的低温で熱処理するこ
とにより、結晶の配向性が除去された均一な厚みの高純
度チタン板となった。次いで、この高純度チタン板を削
り出し法により所定寸法のターゲットに加工した後、ボ
ンディング等の仕上加工を行い製品（ターゲット）とし
た。
【００１３】表１及び表２は、上記実施例のターゲット
と、酸素濃度が本発明の範囲から外れたターゲット（比
較例）各々の不純物濃度を比較したものである。
と、酸素濃度が本発明の範囲から外れたターゲット（比
較例）各々の不純物濃度を比較したものである。
【表１】
【００１４】
【表２】
【００１５】表中のＮａ，Ｃａ，Ｍｇ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｃ
ｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｎｉの各元素については原子吸光分析
により各々分析した。また、ガス成分（揮発成分）であ
るＨ2については熱伝導度法、Ｃについては非分散赤外
線吸収法、Ｎ2については熱伝導度法、Ｃｌ2については
グローディスチャージ式質量分析法、Ｏ2については非
分散赤外線吸収法により各々分析した。 ここで、前記
ガス成分とは、加熱時に単体で気体になったり、または
他の元素と反応して気体を発生させることにより、ター
ゲット中にボイドを発生させるものである。
ｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｎｉの各元素については原子吸光分析
により各々分析した。また、ガス成分（揮発成分）であ
るＨ2については熱伝導度法、Ｃについては非分散赤外
線吸収法、Ｎ2については熱伝導度法、Ｃｌ2については
グローディスチャージ式質量分析法、Ｏ2については非
分散赤外線吸収法により各々分析した。 ここで、前記
ガス成分とは、加熱時に単体で気体になったり、または
他の元素と反応して気体を発生させることにより、ター
ゲット中にボイドを発生させるものである。
【００１６】また、表３は、上記実施例のターゲット
と、比較例のターゲット各々の最大結晶粒径、圧下率、
熱処理温度及びパーティクル密度を比較したものであ
る。ここでは、最大結晶粒径は、走査電子顕微鏡（ＳＥ
Ｍ）を用いて計測した。また、パーティクル密度は、４
インチのシリコンウェーハ上に膜厚３００ｎｍの薄膜を
成膜し、これらの薄膜のパーティクルの発生数を計測し
た。
と、比較例のターゲット各々の最大結晶粒径、圧下率、
熱処理温度及びパーティクル密度を比較したものであ
る。ここでは、最大結晶粒径は、走査電子顕微鏡（ＳＥ
Ｍ）を用いて計測した。また、パーティクル密度は、４
インチのシリコンウェーハ上に膜厚３００ｎｍの薄膜を
成膜し、これらの薄膜のパーティクルの発生数を計測し
た。
【表３】
【００１７】表３から明らかな様に、上記実施例のター
ゲットは最大結晶粒径が３０μｍ以下であり、比較例が
１００μｍ以上であるのと比べて微視的な均一性が大幅
に向上していることがわかる。また、パーティクル密度
が０．４個／ｃｍ2以下であり、比較例の４個／ｃｍ2以
上と比べて大幅に減少していることもわかる。これよ
り、上記実施例のターゲットは比較例のターゲットと比
べてパーティクルの発生数が大幅に減少していることが
確認された。
ゲットは最大結晶粒径が３０μｍ以下であり、比較例が
１００μｍ以上であるのと比べて微視的な均一性が大幅
に向上していることがわかる。また、パーティクル密度
が０．４個／ｃｍ2以下であり、比較例の４個／ｃｍ2以
上と比べて大幅に減少していることもわかる。これよ
り、上記実施例のターゲットは比較例のターゲットと比
べてパーティクルの発生数が大幅に減少していることが
確認された。
【００１８】
【発明の効果】以上説明した様に、この発明の請求項１
記載のターゲットによれば、ナトリウム、カルシウム、
マグネシウム、銅、アルミニウム、クロム、マンガン、
鉄、ニッケルの合計を重量比で５０ｐｐｍ以下含み、残
部がチタンと不可避不純物からなり、かつ、これらの合
計１００重量部に対して重量比で酸素を２０〜１０００
ｐｐｍ含み、さらに、最大結晶粒径が３０μｍ以下であ
るとしたので、ターゲットの微視的な均一性を大幅に向
上させることができ、該ターゲットの表面からスパッタ
される原子の流れを極めて均一かつ等方的な流れとする
ことができ、スパッタリング時のパーティクルの発生を
大幅に減少させることができる。したがって、このター
ゲットを用いてスパッタリングされる半導体の歩留まり
を大幅に向上させることができる。
記載のターゲットによれば、ナトリウム、カルシウム、
マグネシウム、銅、アルミニウム、クロム、マンガン、
鉄、ニッケルの合計を重量比で５０ｐｐｍ以下含み、残
部がチタンと不可避不純物からなり、かつ、これらの合
計１００重量部に対して重量比で酸素を２０〜１０００
ｐｐｍ含み、さらに、最大結晶粒径が３０μｍ以下であ
るとしたので、ターゲットの微視的な均一性を大幅に向
上させることができ、該ターゲットの表面からスパッタ
される原子の流れを極めて均一かつ等方的な流れとする
ことができ、スパッタリング時のパーティクルの発生を
大幅に減少させることができる。したがって、このター
ゲットを用いてスパッタリングされる半導体の歩留まり
を大幅に向上させることができる。
【００１９】また、請求項２記載のターゲットの製造方
法によれば、ナトリウム、カルシウム、マグネシウム、
銅、アルミニウム、クロム、マンガン、鉄、ニッケルの
合計が重量比で５０ｐｐｍ以下、残部がチタンと不可避
不純物からなり、かつ、これらの合計１００重量部に対
して重量比で酸素を２０〜１０００ｐｐｍ含む原料を加
熱溶融し、得られた溶融物を鋳造してインゴットとする
ので、均一な金属相からなるインゴットを得ることがで
きる。また、該インゴットを圧下率５０％以上で冷間圧
延し、その後６００℃未満の温度で熱処理するので、タ
ーゲットの最大結晶粒径を３０μｍ以下に抑えることが
でき、得られたターゲットの微視的な均一性を大幅に向
上させることができる。
法によれば、ナトリウム、カルシウム、マグネシウム、
銅、アルミニウム、クロム、マンガン、鉄、ニッケルの
合計が重量比で５０ｐｐｍ以下、残部がチタンと不可避
不純物からなり、かつ、これらの合計１００重量部に対
して重量比で酸素を２０〜１０００ｐｐｍ含む原料を加
熱溶融し、得られた溶融物を鋳造してインゴットとする
ので、均一な金属相からなるインゴットを得ることがで
きる。また、該インゴットを圧下率５０％以上で冷間圧
延し、その後６００℃未満の温度で熱処理するので、タ
ーゲットの最大結晶粒径を３０μｍ以下に抑えることが
でき、得られたターゲットの微視的な均一性を大幅に向
上させることができる。
【図１】本発明のターゲットの製造方法を示す工程図で
ある。
ある。
Claims (2)
- 【請求項１】 ナトリウム、カルシウム、マグネシウ
ム、銅、アルミニウム、クロム、マンガン、鉄、ニッケ
ルの合計を重量比で５０ｐｐｍ以下含み、残部がチタン
と不可避不純物からなり、かつ、これらの合計１００重
量部に対して重量比で酸素を２０〜１０００ｐｐｍ含
み、さらに、最大結晶粒径が３０μｍ以下であることを
特徴とするスパッタリング用ターゲット。 - 【請求項２】 ナトリウム、カルシウム、マグネシウ
ム、銅、アルミニウム、クロム、マンガン、鉄、ニッケ
ルの合計が重量比で５０ｐｐｍ以下、残部がチタンと不
可避不純物からなり、かつ、これらの合計１００重量部
に対して重量比で酸素を２０〜１０００ｐｐｍ含む原料
を加熱溶融し、得られた溶融物を鋳造してインゴットと
し、該インゴットを圧下率５０％以上で冷間圧延し、そ
の後６００℃未満の温度で熱処理することを特徴とする
請求項１記載のスパッタリング用ターゲットの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7257393A JPH06280009A (ja) | 1993-03-30 | 1993-03-30 | スパッタリング用ターゲット及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7257393A JPH06280009A (ja) | 1993-03-30 | 1993-03-30 | スパッタリング用ターゲット及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06280009A true JPH06280009A (ja) | 1994-10-04 |
Family
ID=13493262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7257393A Withdrawn JPH06280009A (ja) | 1993-03-30 | 1993-03-30 | スパッタリング用ターゲット及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06280009A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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