JP6133357B2 - タンタルスパッタリングターゲット及びその製造方法 - Google Patents
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- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 65
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 title claims description 64
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title claims description 60
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 23
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims description 99
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 73
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 33
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 31
- 238000005242 forging Methods 0.000 claims description 17
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 claims description 13
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 11
- 238000005097 cold rolling Methods 0.000 claims description 10
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 34
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 13
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 12
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010273 cold forging Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000009721 upset forging Methods 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
- C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
- C01B21/0615—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with transition metals other than titanium, zirconium or hafnium
- C01B21/0617—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with transition metals other than titanium, zirconium or hafnium with vanadium, niobium or tantalum
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0641—Nitrides
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/18—Metallic material, boron or silicon on other inorganic substrates
- C23C14/185—Metallic material, boron or silicon on other inorganic substrates by cathodic sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02266—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by physical ablation of a target, e.g. sputtering, reactive sputtering, physical vapour deposition or pulsed laser deposition
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31678—Of metal
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
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Description
1)タンタルスパッタリングターゲットのスパッタ面において、(200)面の配向率が70%以下、かつ、(222)面の配向率が10%以上であることを特徴とするタンタルスパッタリングターゲット、
2)タンタルスパッタリングターゲットのスパッタ面において、(200)面の配向率が60%以下、かつ、(222)面の配向率が20%以上であることを特徴とする上記1)記載のタンタルスパッタリングターゲット、
3)タンタルスパッタリングターゲットのスパッタ面において、(200)面の配向率が50%以下、かつ、(222)面の配向率が30%以上であることを特徴とする上記1)記載のタンタルスパッタリングターゲット、
4)上記1)〜3)のいずれかに記載のスパッタリングターゲットを用いて形成した拡散バリア層用薄膜、
5)上記4)記載の拡散バリア層用薄膜を用いられた半導体デバイス、を提供する。
6)溶解鋳造したタンタルインゴットを鍛造及び再結晶焼鈍した後、圧延及び熱処理し、ターゲットのスパッタ面において、(200)面の配向率が70%以下、かつ、(222)面の配向率が10%以上である結晶組織を形成することを特徴とするタンタルスパッタリングターゲットの製造方法、
7)溶解鋳造したタンタルインゴットを鍛造及び再結晶焼鈍した後、圧延及び熱処理し、ターゲットのスパッタ面において、(200)面の配向率が60%以下、かつ、(222)面の配向率が20%以上である結晶組織を形成することを特徴とする上記6)記載のタンタルスパッタリングターゲットの製造方法、
8)溶解鋳造したタンタルインゴットを鍛造及び再結晶焼鈍した後、圧延及び熱処理し、ターゲットのスパッタ面において、(200)面の配向率が50%以下、かつ、(222)面の配向率が30%以上である結晶組織を形成することを特徴とする上記6)記載のタンタルスパッタリングターゲットの製造方法、
9)圧延ロール径500mm以上の圧延ロールを用いて、圧延速度10m/分以上、圧延率80%超で冷間圧延することを特徴とする上記6)〜8)のいずれかに記載のタンタルスパッタリングターゲットの製造方法、
10)圧延及び熱処理を2回以上繰り返し、圧延ロール径500mm以上の圧延ロールを用いて、圧延速度10m/分以上、圧延率60%以上で冷間圧延することを特徴とする上記6)〜8)のいずれかに記載のタンタルスパッタリングターゲットの製造方法、
11)温度900℃〜1400℃で熱処理することを特徴とする上記6)〜10)のいずれかに記載のタンタルスパッタリングターゲットの製造方法、
12)鍛造及び再結晶焼鈍を2回以上繰り返すことを特徴とする上記6)〜11)のいずれかに記載のタンタルスパッタリングターゲットの製造方法、
13)圧延及び熱処理後、切削、研磨により表面仕上げを行うことを特徴とする上記6)〜12)のいずれかに記載のタンタルスパッタリングターゲットの製造方法、を提供する。
タンタルの結晶構造は体心立方格子構造(略称、BCC)であるため、(222)面の方が(200)面よりも隣接する原子間距離が短く、(222)面の方が(200)面よりも原子が密に詰まっている状態にある。このため、スパッタリングの際、(222)面の方が(200)面よりもタンタル原子をより多く放出して、スパッタレート(成膜速度)が早くなると考えられる。
なお、安定な結晶構造を得るために(200)面の配向率は50%以上、(222)面の配向率は30%以下であることが好ましい。(200)面の配向率の下限値は30%、(222)面の配向率の上限値は40%とすることが望ましい。(200)面の配向率の下限値及び(222)面の配向率の上限値は、特に制限はないが、(200)面の配向率が30%より小さい場合、また(222)面の配向率が40%より大きい場合は、スパッタレートが10Å/secを超えるので、薄いTaバリア膜を成膜する際には、成膜時間が短くなりすぎ、均一なバリア膜を得るのが難しくなるためである。しかしながら、必要に応じて上記(200)面の配向率の下限値30%、(222)面の配向率の上限値40%を超えて実施することも可能である。
例えば、(200)面の配向率(%)は、{[(200)の測定強度/(200)のJCPDS強度]/Σ(各面の測定強度/各面のJCPDS強度)}×100となる。
配向の制御に大きくかかわるのは、主として圧延工程である。圧延工程においては、圧延ロールの径、圧延速度、圧延率等のパラメータを制御することにより、圧延時に導入される歪みの量や分布を変えることが可能となり、(200)面配向率及び(222)面配向率の制御が可能となる。
面配向率の調整を効果的に行うには、ある程度の繰り返しの条件設定が必要であるが、一旦(200)面配向率及び(222)面配向率の調整ができると、その製造条件を設定することにより、恒常的特性の(一定レベルの特性を持つ)ターゲットの製造が可能となる。
通常、ターゲットを製造する場合には、圧延ロール径500mm以上の圧延ロールを使用し、圧延速度を10m/min以上、1パスの圧延率を8〜12%とすることが有効である。しかし、本発明の結晶配向が達成できる製造工程であれば、必ずしも、この製造工程のみに限定する必要はない。一連の加工において、鍛造・圧延で鋳造組織を破壊するとともに、再結晶化を十分に行うという条件設定が有効である。
さらに、溶解鋳造したタンタルインゴット又はビレットに鍛造し、圧延等の加工を加えた後は、再結晶焼鈍し、組織を微細かつ均一化するのが望ましい。
実施例1では、得られたターゲット素材を、圧延ロール径650mmの圧延ロールを用いて、圧延速度20m/min、圧延率92%で冷間圧延して厚さ8mm、直径520mmφとし、これを1000℃の温度で熱処理した。その後、表面を切削、研磨してターゲットとした。以上の工程により、(200)配向率が38.6%、(222)配向率が37.8%の結晶組織を有するタンタルスパッタリングターゲットを得ることができた。このスパッタリングターゲットを使用して、スパッタリングを実施したところ、スパッタレートが9.52Å/secと良好であり、スパッタ効率を向上させることができた。この結果を表1に示す。
なお、スパッタリングの条件は以下のとおりである。
電源:直流方式
電力:15kW
到達真空度:5×10-8Torr
雰囲気ガス組成:Ar
スパッタガス圧:5×10-3Torr
スパッタ時間:15秒
実施例2では、得られたターゲット素材を、圧延ロール径650mmの圧延ロールを用いて、圧延速度20m/min、圧延率66%で冷間圧延して厚さ24mm、直径300mmφとし、これを1100℃の温度で熱処理した。再度、これを圧延率67%で冷間圧延して厚さ8mm、直径520mmφとし、これを900℃の温度で熱処理した。その後、表面を切削、研磨してターゲットとした。以上の工程により、(200)配向率が39.6%、(222)配向率が34.5%の結晶組織を有するタンタルスパッタリングターゲットを得ることができた。このスパッタリングターゲットを使用して、スパッタリングを実施したところ、スパッタレートが9.23Å/secと良好であり、スパッタ効率を向上させることができた。この結果を表1に示す。
実施例3では、得られたターゲット素材を、圧延ロール径500mmの圧延ロールを用いて、圧延速度20m/min、圧延率91%で冷間圧延して厚さ8mm、直径520mmφとし、これを1000℃の温度で熱処理した。その後、表面を切削、研磨してターゲットとした。以上の工程により、(200)配向率が40.8%、(222)配向率が35.7%の結晶組織を有するタンタルスパッタリングターゲットを得ることができた。このスパッタリングターゲットを使用して、スパッタリングを実施したところ、スパッタレートが9.19Å/secと良好であり、スパッタ効率を向上させることができた。この結果を表1に示す。
実施例4では、得られたターゲット素材を、圧延ロール径650mmの圧延ロールを用いて、圧延速度15m/min、圧延率65%で冷間圧延して厚さ24mm、直径300mmφとし、これを1100℃の温度で熱処理した。再度、これを圧延率67%で冷間圧延して厚さ8mm、直径520mmφとし、これを900℃の温度で熱処理した。その後、表面を切削、研磨してターゲットとした。以上の工程により、(200)配向率が45.2%、(222)配向率が32.7%の結晶組織を有するタンタルスパッタリングターゲットを得ることができた。このスパッタリングターゲットを使用して、スパッタリングを実施したところ、スパッタレートが9.18Å/secと良好であり、スパッタ効率を向上させることができた。この結果を表1に示す。
実施例5では、得られたターゲット素材を、圧延ロール径650mmの圧延ロールを用いて、圧延速度15m/min、圧延率90%で冷間圧延して厚さ8mm、直径520mmφとし、これを1200℃の温度で熱処理した。その後、表面を切削、研磨してターゲットとした。以上の工程により、(200)配向率が53.4%、(222)配向率が21.2%の結晶組織を有するタンタルスパッタリングターゲットを得ることができた。このスパッタリングターゲットを使用して、スパッタリングを実施したところ、スパッタレートが8.96Å/secと良好であり、スパッタ効率を向上させることができた。この結果を表1に示す。
実施例6では、得られたターゲット素材を、圧延ロール径500mmの圧延ロールを用いて、圧延速度20m/min、圧延率92%で冷間圧延して厚さ8mm、直径520mmφとし、これを900℃の温度で熱処理した。その後、表面を切削、研磨してターゲットとした。以上の工程により、(200)配向率が55.4%、(222)配向率が20.4%の結晶組織を有するタンタルスパッタリングターゲットを得ることができた。このスパッタリングターゲットを使用して、スパッタリングを実施したところ、スパッタレートが8.91Å/secと良好であり、スパッタ効率を向上させることができた。この結果を表1に示す。
実施例7では、得られたターゲット素材を、圧延ロール径500mmの圧延ロールを用いて、圧延速度10m/min、圧延率90%で冷間圧延して厚さ8mm、直径520mmφとし、これを1400℃の温度で熱処理した。その後、表面を切削、研磨してターゲットとした。以上の工程により、(200)配向率が63.9%、(222)配向率が16.8%の結晶組織を有するタンタルスパッタリングターゲットを得ることができた。このスパッタリングターゲットを使用して、スパッタリングを実施したところ、スパッタレートが8.86Å/secと良好であり、スパッタ効率を向上させることができた。この結果を表1に示す。
実施例8では、得られたターゲット素材を、圧延ロール径500mmの圧延ロールを用いて、圧延速度20m/min、圧延率82%で冷間圧延して厚さ8mm、直径520mmφとし、これを900℃の温度で熱処理した。その後、表面を切削、研磨してターゲットとした。以上の工程により、(200)配向率が69.8%、(222)配向率が12.1%の結晶組織を有するタンタルスパッタリングターゲットを得ることができた。このスパッタリングターゲットを使用して、スパッタリングを実施したところ、スパッタレートが8.66Å/secと良好であり、スパッタ効率を向上させることができた。この結果を表1に示す。
比較例1では、得られたターゲット素材を、圧延ロール径650mmの圧延ロールを用いて、圧延速度20m/min、圧延率80%で冷間圧延して厚さ8mm、直径520mmφとし、これを800℃の温度で熱処理した。その後、表面を切削、研磨してターゲットとした。以上の工程により、(200)配向率が77.2%、(222)配向率が9.6%の結晶組織を有するタンタルスパッタリングターゲットを得ることができた。このスパッタリングターゲットを使用して、スパッタリングを実施したところ、スパッタレートが8.27Å/secと悪く、スループットを低下させる原因となった。この結果を同様に表1に示す。
比較例2では、得られたターゲット素材を、圧延ロール径500mmの圧延ロールを用いて、圧延速度15m/min、圧延率80%で冷間圧延して厚さ8mm、直径520mmφとし、これを800℃の温度で熱処理した。その後、表面を切削、研磨してターゲットとした。以上の工程により、(200)配向率が78.7%、(222)配向率が8.3%の結晶組織を有するタンタルスパッタリングターゲットを得ることができた。このスパッタリングターゲットを使用して、スパッタリングを実施したところ、スパッタレートが8.21Å/secと悪く、スループットを低下させる原因となった。この結果を同様に表1に示す。
比較例3では、得られたターゲット素材を、圧延ロール径400mmの圧延ロールを用いて、圧延速度10m/min、圧延率78%で冷間圧延して厚さ8mm、直径520mmφとし、これを1100℃の温度で熱処理した。その後、表面を切削、研磨してターゲットとした。以上の工程により、(200)配向率が85.3%、(222)配向率が8.0%の結晶組織を有するタンタルスパッタリングターゲットを得ることができた。このスパッタリングターゲットを使用して、スパッタリングを実施したところ、スパッタレートが8.05Å/secと悪く、スループットを低下させる原因となった。この結果を同様に表1に示す。
比較例4では、得られたターゲット素材を、圧延ロール径400mmの圧延ロールを用いて、圧延速度10m/min、圧延率75%で冷間圧延して厚さ8mm、直径520mmφとし、これを1200℃の温度で熱処理した。その後、表面を切削、研磨してターゲットとした。以上の工程により、(200)配向率が87.5%、(222)配向率が6.8%の結晶組織を有するタンタルスパッタリングターゲットを得ることができた。このスパッタリングターゲットを使用して、スパッタリングを実施したところ、スパッタレートが7.83Å/secと悪く、スループットを低下させる原因となった。この結果を同様に表1に示す。
本発明のタンタルスパッタリングターゲットは特に、活発なCuの拡散による配線周囲の汚染を効果的に防止することができるTa膜又はTaN膜などからなる拡散バリア層の形成に有用である。
Claims (5)
- タンタルスパッタリングターゲットのスパッタ面において、(200)面の配向率が38.6%以上69.8%以下、かつ、(222)面の配向率が12.1%以上37.8%以下であることを特徴とするタンタルスパッタリングターゲット。
- 溶解鋳造したタンタルインゴットを鍛造及び再結晶焼鈍した後、圧延及び熱処理し、圧延は、圧延ロール径500mm以上の圧延ロールを用いて、圧延速度10m/分以上、圧延率80%超で冷間圧延を行い、熱処理は、温度900℃〜1400℃で行って、ターゲットのスパッタ面において、(200)面の配向率が36.8%以上69.8%以下、かつ、(222)面の配向率が12.1%以上37.8%以下である結晶組織を形成することを特徴とするタンタルスパッタリングターゲットの製造方法。
- 溶解鋳造したタンタルインゴットを鍛造及び再結晶焼鈍した後、圧延及び熱処理し、圧延及び熱処理を2回以上繰り返し、圧延は、圧延ロール径500mm以上の圧延ロールを用いて、圧延速度10m/分以上、圧延率65%以上92%以下で冷間圧延を行い、熱処理は、温度900℃〜1400℃で行って、ターゲットのスパッタ面において、(200)面の配向率が36.8%以上69.8%以下、かつ、(222)面の配向率が12.1%以上37.8%以下である結晶組織を形成することを特徴とするタンタルスパッタリングターゲットの製造方法。
- 鍛造及び再結晶焼鈍を2回以上繰り返すことを特徴とする請求項2又は3に記載のタンタルスパッタリングターゲットの製造方法。
- 圧延及び熱処理後、切削、研磨による表面仕上げを行うことを特徴とする請求項2〜4のいずれか一項に記載のタンタルスパッタリングターゲットの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015100654A JP6133357B2 (ja) | 2011-11-30 | 2015-05-18 | タンタルスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011261550 | 2011-11-30 | ||
JP2011261550 | 2011-11-30 | ||
JP2015100654A JP6133357B2 (ja) | 2011-11-30 | 2015-05-18 | タンタルスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013547089A Division JP6124219B2 (ja) | 2011-11-30 | 2012-11-15 | タンタルスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015206120A JP2015206120A (ja) | 2015-11-19 |
JP6133357B2 true JP6133357B2 (ja) | 2017-05-24 |
Family
ID=48535267
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013547089A Active JP6124219B2 (ja) | 2011-11-30 | 2012-11-15 | タンタルスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
JP2015100654A Active JP6133357B2 (ja) | 2011-11-30 | 2015-05-18 | タンタルスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013547089A Active JP6124219B2 (ja) | 2011-11-30 | 2012-11-15 | タンタルスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20140242401A1 (ja) |
EP (1) | EP2728038B1 (ja) |
JP (2) | JP6124219B2 (ja) |
KR (2) | KR20140054203A (ja) |
CN (1) | CN103827348B (ja) |
IL (1) | IL230843A (ja) |
SG (1) | SG2014009997A (ja) |
TW (1) | TWI553135B (ja) |
WO (1) | WO2013080801A1 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5144760B2 (ja) | 2009-05-22 | 2013-02-13 | Jx日鉱日石金属株式会社 | タンタルスパッタリングターゲット |
JP4913261B2 (ja) | 2009-08-11 | 2012-04-11 | Jx日鉱日石金属株式会社 | タンタルスパッタリングターゲット |
US9085819B2 (en) | 2010-08-09 | 2015-07-21 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Tantalum sputtering target |
SG11201501175TA (en) | 2012-12-19 | 2015-05-28 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Tantalum sputtering target and method for producing same |
KR101927574B1 (ko) | 2012-12-19 | 2018-12-10 | 제이엑스금속주식회사 | 탄탈 스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법 |
KR20170092706A (ko) | 2013-03-04 | 2017-08-11 | 제이엑스금속주식회사 | 탄탈 스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법 |
KR20160052664A (ko) | 2013-10-01 | 2016-05-12 | 제이엑스 킨조쿠 가부시키가이샤 | 탄탈 스퍼터링 타깃 |
WO2015068625A1 (ja) | 2013-11-06 | 2015-05-14 | Jx日鉱日石金属株式会社 | スパッタリングターゲット/バッキングプレート組立体 |
KR102112937B1 (ko) * | 2014-03-27 | 2020-05-19 | 제이엑스금속주식회사 | 탄탈 스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법 |
SG11201704463VA (en) * | 2015-05-22 | 2017-07-28 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Tantalum sputtering target, and production method therefor |
KR102074047B1 (ko) | 2015-05-22 | 2020-02-05 | 제이엑스금속주식회사 | 탄탈 스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법 |
CN115427232A (zh) * | 2020-04-10 | 2022-12-02 | 罗姆股份有限公司 | 热敏打印头及其制造方法以及热敏打印机 |
CN114986106B (zh) * | 2022-07-06 | 2023-09-08 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种钽溅射靶材端面密封槽的加工方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1180942A (ja) | 1997-09-10 | 1999-03-26 | Japan Energy Corp | Taスパッタターゲットとその製造方法及び組立体 |
JP4817536B2 (ja) | 2001-06-06 | 2011-11-16 | 株式会社東芝 | スパッタターゲット |
US6770154B2 (en) * | 2001-09-18 | 2004-08-03 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Textured-grain-powder metallurgy tantalum sputter target |
US7081148B2 (en) * | 2001-09-18 | 2006-07-25 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Textured-grain-powder metallurgy tantalum sputter target |
JP4883546B2 (ja) | 2002-09-20 | 2012-02-22 | Jx日鉱日石金属株式会社 | タンタルスパッタリングターゲットの製造方法 |
KR100698745B1 (ko) | 2003-04-01 | 2007-03-23 | 닛코킨조쿠 가부시키가이샤 | 탄탈륨 스퍼터링 타겟트 및 그 제조방법 |
US7892367B2 (en) * | 2003-11-06 | 2011-02-22 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Tantalum sputtering target |
WO2005071135A2 (en) * | 2004-01-08 | 2005-08-04 | Cabot Corporation | Tantalum and other metals with (110) orientation |
US8252126B2 (en) * | 2004-05-06 | 2012-08-28 | Global Advanced Metals, Usa, Inc. | Sputter targets and methods of forming same by rotary axial forging |
US7998287B2 (en) * | 2005-02-10 | 2011-08-16 | Cabot Corporation | Tantalum sputtering target and method of fabrication |
JP2005336617A (ja) * | 2005-05-30 | 2005-12-08 | Hitachi Metals Ltd | スパッタリング用ターゲット及びその製造方法ならびに高融点金属粉末材料 |
JP4714123B2 (ja) | 2006-10-30 | 2011-06-29 | 株式会社東芝 | スパッタリングターゲット用高純度Ta材の製造方法 |
CN101960042B (zh) * | 2008-02-29 | 2013-05-08 | 新日铁高新材料股份有限公司 | 金属系溅射靶材 |
JP5069201B2 (ja) * | 2008-11-10 | 2012-11-07 | Jx日鉱日石金属株式会社 | ターゲット |
KR20120082943A (ko) | 2009-11-17 | 2012-07-24 | 도시바 마테리알 가부시키가이샤 | 탄탈 스퍼터링 타겟 및 탄탈 스퍼터링 타겟의 제조 방법 및 반도체 소자의 제조 방법 |
-
2012
- 2012-11-15 US US14/348,696 patent/US20140242401A1/en not_active Abandoned
- 2012-11-15 KR KR20147006096A patent/KR20140054203A/ko active Search and Examination
- 2012-11-15 WO PCT/JP2012/079598 patent/WO2013080801A1/ja active Application Filing
- 2012-11-15 JP JP2013547089A patent/JP6124219B2/ja active Active
- 2012-11-15 EP EP12852962.5A patent/EP2728038B1/en active Active
- 2012-11-15 KR KR1020167024110A patent/KR20160108570A/ko not_active Application Discontinuation
- 2012-11-15 SG SG2014009997A patent/SG2014009997A/en unknown
- 2012-11-15 CN CN201280046954.5A patent/CN103827348B/zh active Active
- 2012-11-20 TW TW101143224A patent/TWI553135B/zh active
-
2014
- 2014-02-06 IL IL230843A patent/IL230843A/en active IP Right Grant
-
2015
- 2015-05-18 JP JP2015100654A patent/JP6133357B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2728038B1 (en) | 2016-11-02 |
JPWO2013080801A1 (ja) | 2015-04-27 |
TWI553135B (zh) | 2016-10-11 |
WO2013080801A1 (ja) | 2013-06-06 |
IL230843A (en) | 2017-07-31 |
CN103827348A (zh) | 2014-05-28 |
JP2015206120A (ja) | 2015-11-19 |
KR20160108570A (ko) | 2016-09-19 |
EP2728038A1 (en) | 2014-05-07 |
TW201335401A (zh) | 2013-09-01 |
JP6124219B2 (ja) | 2017-05-10 |
KR20140054203A (ko) | 2014-05-08 |
IL230843A0 (en) | 2014-03-31 |
EP2728038A4 (en) | 2015-03-25 |
US20140242401A1 (en) | 2014-08-28 |
CN103827348B (zh) | 2015-11-25 |
SG2014009997A (en) | 2014-04-28 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160530 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160628 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
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R250 | Receipt of annual fees |
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