JP4582457B2 - スパッタリングターゲット及び光記録媒体 - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 48
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title claims description 20
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910001215 Te alloy Inorganic materials 0.000 claims description 19
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 19
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 17
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 14
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 13
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 9
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 26
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007088 Archimedes method Methods 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003708 ampul Substances 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018575 Al—Ti Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000927 Ge alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018321 SbTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005280 amorphization Methods 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
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- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
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- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/2431—Metals or metalloids group 13 elements (B, Al, Ga, In)
-
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- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24312—Metals or metalloids group 14 elements (e.g. Si, Ge, Sn)
-
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- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24314—Metals or metalloids group 15 elements (e.g. Sb, Bi)
-
- G—PHYSICS
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- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
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Description
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スパッタリングターゲット及び同ターゲットの製造方法並びに光記録媒体に関し、特にスパッタリングの際にパーティクルの発生が少なく、安定して高品質の薄膜の作製が可能であり、記録ビットのエラー発生のない光記録媒体を得ることができるＧｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金スパッタリングターゲット及び同合金からなる光記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気ヘッドを必要とせずに記録・再生ができる高密度記録光ディスク技術が開発され、急速に関心が高まっている。この光ディスクは再生専用型、追記型、書き換え型の３種類に分けられるが、特に追記型又は書き換え型で使用されている相変化方式が注目されている。
【０００２】
相変化光ディスクは、基板上の記録薄膜をレーザー光の照射によって加熱昇温させ、その記録薄膜の構造に結晶学的な相変化（アモルファス⇔結晶）を起こさせて情報の記録・再生を行うものであり、より具体的にはその相間の光学定数の変化に起因する反射率の変化を検出して情報の再生を行うものである。
【０００３】
上記の相変化は１〜数μｍ程度の径に絞ったレーザー光の照射によって行なわれる。この場合、例えば１μｍのレーザービームが１０ｍ／ｓの線速度で通過するとき、光ディスクのある点に光が照射される時間は１００ｎｓであり、この時間内で上記相変化と反射率の検出を行う必要がある。
【０００４】
また、上記結晶学的な相変化すなわちアモルファスと結晶との相変化を実現する上で、これに適合する光記録媒体が求められている。一般に、ＤＶＤ−ＲＡＭ等の相変化光ディスクは、書き換え回数が１０５〜１０６回を保証している。
【０００５】
一方、基板への光記録媒体用薄膜を形成する場合、スパッタリングが使用されているが、ターゲットの材料によってパーティクルの発生が多くなり、品質を低下させる場合がある。特に高記録密度媒体ではパーティクルなどのよる記録ビットのエラー発生が深刻な問題となる。これが原因で、不良品となって歩留まりが低下するという問題が発生する。
【０００６】
従来、提案されている光記録媒体としては、Ｇｅ（α）−Ｉｎ（β）−Ｓｂ（γ）−Ｔｅ（δ）合金からなるターゲットで、各成分組成比α＋β＋γ＋δ（原子％）＝１００としたとき、０．１≦α≦７、１≦β≦９、６１≦γ≦７５、２２≦δ≦３０であり、ＣＬＶ記録及びＣＡＶ記録が可能とする光記録媒体が提案されている（特開２００２−２６４５１５号公報参照）。
【０００７】
また、ＧｅａＸｂＳｂｙＴｅ（１−ａ−ｂ−ｙ）と表したとき、ＸがＩｎ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｇａ、Ｐｂ、Ｔｉ、Ｓｎから選択される少なくとも一種の元素であり、０．００１≦ａ≦０．２０，０．０１≦ｂ≦０．２０，０．４０≦ｙ≦０．９０の範囲であると共に、記録層に窒素を含む光記録媒体が提案されている（特許文献１特開２００２−２６４５１４号公報参照）。
【０００８】
また、Ｓｂ、Ｔｅを必須元素とし、このＳｂＴｅに対して少なくとも一種以上のＸ元素を添加した相変化光記録層であり、ＸがＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｎ、Ｐ、Ｂｉ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｃｄ、Ｔｂから選ばれるとする光記録媒体が提案されている（特開２００２−２４５６６３号公報参照）。
【０００９】
また、高純度Ｇｅ、もしくはＡｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｏ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｒｕ、ＢおよびＣから選ばれる少なくとも１種の元素を０．１〜５０ａｔ原子％の範囲で含むＧｅ合金であって、ＡｇおよびＡｕ含有量がそれぞれ５ｐｐｍ以下である相変化光ディスク用スパッタリングターゲットが提案されている（特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】
特開２００２−２６４５１４号公報
【特許文献２】
特開２００２−６９６２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、スパッタリングの際にパーティクルの発生が少なく、安定して高品質の薄膜の作製が可能であり、記録ビットのエラー発生のない、そして高記録密度が達成できる光記録媒体用Ｇｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金スパッタリングターゲット及び同合金ターゲットの製造方法並びに同合金からなる光記録媒体を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の課題を解決するために、本発明者らは鋭意研究を行った結果、適切な組成のＧｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金を選択して高記録密度が達成すると共に、酸素含有量を厳しく制限し、かつ結晶粒度を厳密に調整することにより、スパッタリングの際にパーティクルの発生を効果的に抑制することができるとのとの知見を得た。
【００１３】
本発明はこの知見に基づき、
１．Ｇｅ（α）−Ｉｎ（β）−Ｓｂ（γ）−Ｔｅ（δ）合金からなるターゲットであって、各成分組成比α、β、γ、δ（原子％）の合計を１００としたとき、０．１≦α≦１０、０．１≦β≦１０、６０≦γ≦９０、１０≦δ＜２２の範囲にあることを特徴とする光記録媒体用Ｇｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金スパッタリングターゲット及び同合金からなる光記録媒体
２．酸素含有量が１５００ｐｐｍ以下であることを特徴とする上記１記載の光記録媒体用Ｇｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金スパッタリングターゲット及び同合金からなる光記録媒体
３．酸素含有量が８００ｐｐｍ以下であることを特徴とする上記１記載の光記録媒体用Ｇｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金スパッタリングターゲット及び同合金からなる光記録媒体
４．ターゲットの結晶平均粒度が１００μｍ以下であることを特徴とする上記１〜３のいずれかに記載の光記録媒体用Ｇｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金スパッタリングターゲット
５．ターゲットの結晶平均粒度が５０μｍ以下であることを特徴とする上記１〜３のいずれかに記載の光記録媒体用Ｇｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金スパッタリングターゲット
６．鉄の含有量が１〜１００ｐｐｍであることを特徴とする上記１〜５のいずれかに記載の光記録媒体用Ｇｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金スパッタリングターゲット、を提供する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の光記録媒体用Ｇｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金スパッタリングターゲット及び同合金からなる光記録媒体は、スパッタリングの際にパーティクルの発生が少なく、安定して高品質の薄膜の作製が可能であり、記録ビットのエラー発生のない高記録密度が達成できるという優れた効果を有する。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明の光記録媒体用Ｇｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金スパッタリングターゲット及び同合金からなる光記録媒体は、Ｇｅ（α）−Ｉｎ（β）−Ｓｂ（γ）−Ｔｅ（δ）合金からなり、各成分組成比α、β、γ、δ（原子％）の合計を１００としたとき、０．１≦α≦１０、０．１≦β≦１０、６０≦γ≦９０、１０≦δ＜２２の範囲にある。この合金組成は、高記録密度化が達成できる好適な組成であり、結晶学的な相変化すなわちアモルファスと結晶との相変化を実現し、書き換え回数の大幅な向上が可能となる。
【００１６】
さらに、本発明の光記録媒体用Ｇｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金スパッタリングターゲットは、酸素含有量が１５００ｐｐｍ以下に、より好ましくは８００ｐｐｍ以下に厳しく制限される。これによって、スパッタリングの際のパーティクル発生が著しく減少し、安定した高品質の薄膜の作製が可能であり、記録ビットのエラー発生のない、そして高記録密度が達成できる光記録媒体の製造が可能となる。
【００１７】
また、光記録媒体中の酸素はＧｅと選択的に結合するため、アモルファス化と結晶化の相互変態の安定性を劣化させ、繰り返し記録回数の低下をもたらす。したがって、光記録媒体中の酸素量の制限（極力減少させること）は高品質の膜が得る上でも重要である。
【００１８】
また、スパッタリングの際のパーティクル発生防止には、ターゲットの結晶平均粒度を１００μｍ以下とすることも極めて有効である。これによって、同様に記録ビットのエラー発生のない良好な薄膜の作製が可能となる。特に、ターゲットの結晶平均粒度が５０μｍ以下であることが望ましい。
【００１９】
さらに、本発明の光記録媒体用Ｇｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金スパッタリングターゲット（記録媒体）中に鉄の含有量を１〜１００ｐｐｍとすることが有効である。１ｐｐｍ未満では添加の効果がなく、１００ｐｐｍを超えるとＣＮＲとＤＯＷが悪くなるので、鉄を添加する場合には、Ｆｅの含有量を１〜１００ｐｐｍとするのが望ましい。
【００２０】
本発明の光記録媒体用Ｇｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金スパッタリングターゲットは、Ｇｅ粉、Ｉｎ粉、Ｓｂ粉、Ｔｅ粉をアンプル内で合成し、得られたインゴットを所定の粒度まで粉砕した後、均一に分散混合させた後、ホットプレスを使用して、焼結温度４００〜６００°Ｃ、面圧７５〜２５０ｋｇ／ｃｍ２の条件で焼結することによって製造することができる。
【実施例】
【００２１】
以下、実施例および比較例に基づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例によって何ら制限されるものではない。すなわち、本発明は特許請求の範囲によってのみ制限されるものであり、本発明に含まれる実施例以外の種々の変形を包含するものである。
【００２２】
（実施例１−７）
純度５Ｎ（９９．９９９％）のＧｅ粉、Ｉｎ粉、Ｓｂ粉、Ｔｅ粉を準備し、これらの粉をＧｅ（α）−Ｉｎ（β）−Ｓｂ（γ）−Ｔｅ（δ）となるように調合した後アンプル内で合成し、得られたインゴットを所定の粒度まで粉砕した後、カーボン製ダイスに充填し、温度６００°Ｃ、圧力１５０ｋｇ／ｃｍ２の条件でホットプレスを行った。
【００２３】
この焼結体を仕上げ加工してターゲットとした。ターゲットの相対密度は９９％（１００％密度で５．５４ｇ／ｃｍ３）であった。このターゲットの３箇所から任意に採取したサンプルの密度をアルキメデス法により測定した。
また、同組成におけるＴｅ含有量δ（ａｔ％）、酸素量（ｗｔｐｐｍ）、粒径（μｍ）、Ｆｅ含有量、ＣＮＲ（ carrier to noise ratio ）、ＤＯＷ( direct over write )、スパッタリング時のパーティクル発生の結果を表１に示す。
【００２４】
なお、ＣＮＲ（ｄＢ）は３０ｍ／ｓにおける測定値、ＤＯＷは１００回上書き記録を実施した時点でのジッターによる評価結果を示す。ジッターとは最小ピット長信号（３Ｔ）の最大ピット長信号（１１Ｔ）に対する再信号のずれの値で、今回は２０％を下回るものをＯＫ、２０％以上をＮＧと判定した。
また、評価サンプルは、ＤＶＤブランクメディア上に、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（４５ｎｍ）、記録層（１５ｎｍ）、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（２０ｎｍ）、Ａｌ−Ｔｉ（１５０ｎｍ）を連続成膜して作製した。
【００２５】
（比較例１−６）
純度５Ｎ（９９．９９９％）のＧｅ粉、Ｉｎ粉、Ｓｂ粉、Ｔｅ粉を準備し、これらの粉をＧｅ（α）−Ｉｎ（β）−Ｓｂ（γ）−Ｔｅ（δ）となるように調合し、これを乾式混合した後アンプル内で合成し、得られたインゴットを所定の粒度まで粉砕した後、カーボン製ダイスに充填し、温度６００°Ｃ、圧力１５０ｋｇ／ｃｍ２の条件でホットプレスを行った。
【００２６】
この焼結体を仕上げ加工してターゲットとした。ターゲットの相対密度は９９％（１００％密度で５．５４ｇ／ｃｍ３）であった。このターゲットの３箇所から任意に採取したサンプルの密度をアルキメデス法により測定した。
また、同組成におけるＴｅ含有量δ（ａｔ％）、酸素量（ｗｔｐｐｍ）、粒径（μｍ）、Ｆｅ含有量、ＣＮＲ（ｄＢ）、ＤＯＷ、スパッタリング時のパーティクル発生の結果を、実施例と対比し表１に示す。なお、ＣＮＲ（ｄＢ）測定値、ＤＯＷ測定値、評価サンプルのスパッタリング条件は、実施例と同様に行った。
【００２７】
【表１】
【００２８】
実施例１−６は、酸素含有量が７００−１３００ｐｐｍの範囲、粒径３０−８９μｍ、ＣＮＲ（ｄＢ）が４５−５５の範囲にあり、ＤＯＷ、パーティクル発生量は良好であった。
なお、実施例７については、Ｆｅ含有量が＜１ｗｔｐｐｍであるが、原料に含まれる酸素含有量が５００ｐｐｍ以下（４５０ｗｔｐｐｍ）と低いので、上記と同様にＣＮＲ（ｄＢ）、ＤＯＷ、パーティクル発生量はいずれも良好であった。
【００２９】
これに対し、比較例１は酸素量が２０００ｐｐｍと多いためＤＯＷ、パーティクル発生量は不良であった。比較例２は、粒径が２００μｍと大きいためパーティクル発生量は不良であった。比較例３は、Ｆｅ含有量が１２０ｐｐｍと多過ぎるため、ＤＯＷが悪化した。比較例４は、酸素含有量が２５００ｐｐｍと多く、またＦｅ＜１ｐｐｍのため、ＤＯＷ、パーティクル発生量は不良であった。
【００３０】
Ｆｅがない場合には酸素が高くなる。比較例５は、δ２２．０ａｔ％と組成ずれを生じている（過量の）ため、ＤＯＷが不良であった。比較例６はδ５．０ａｔ％と組成ずれを生じている（過少）のため、ＤＯＷが不良であった。
【００３１】
以上に示すように、Ｇｅ（α）−Ｉｎ（β）−Ｓｂ（γ）−Ｔｅ（δ）合金からなるターゲットにおいて、Ｔｅ（δ）組成のずれは、光記録媒体の特性に大きく影響を与えることが分かる。
【００３２】
また、ターゲットの酸素量、粒径は、本発明の範囲において、良好なＣＮＲ（ｄＢ）とＤＯＷ及びパーティクル発生の抑制効果を有する。また、Ｆｅ含有量は酸素量に影響を与え、適量のＦｅの存在はスパッタリング時のパーティクル発生の抑制効果を有する。また、酸素量が十分に低い場合には、Ｆｅ含有量に関係なく、同様の良好な結果を示すことが分かる。
【産業上の利用可能性】
【００３３】
本発明は、スパッタリングの際にパーティクルの発生が少なく、安定して高品質の薄膜の作製が可能であり、記録ビットのエラー発生のない、そして高記録密度が達成できる光記録媒体用Ｇｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金スパッタリングターゲット及び同合金ターゲットの製造方法並びに同合金からなる光記録媒体に適用できる。
【０００１】
本発明は、スパッタリングターゲット及び同ターゲットの製造方法並びに光記録媒体に関し、特にスパッタリングの際にパーティクルの発生が少なく、安定して高品質の薄膜の作製が可能であり、記録ビットのエラー発生のない光記録媒体を得ることができるＧｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金スパッタリングターゲット及び同合金からなる光記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気ヘッドを必要とせずに記録・再生ができる高密度記録光ディスク技術が開発され、急速に関心が高まっている。この光ディスクは再生専用型、追記型、書き換え型の３種類に分けられるが、特に追記型又は書き換え型で使用されている相変化方式が注目されている。
【０００２】
相変化光ディスクは、基板上の記録薄膜をレーザー光の照射によって加熱昇温させ、その記録薄膜の構造に結晶学的な相変化（アモルファス⇔結晶）を起こさせて情報の記録・再生を行うものであり、より具体的にはその相間の光学定数の変化に起因する反射率の変化を検出して情報の再生を行うものである。
【０００３】
上記の相変化は１〜数μｍ程度の径に絞ったレーザー光の照射によって行なわれる。この場合、例えば１μｍのレーザービームが１０ｍ／ｓの線速度で通過するとき、光ディスクのある点に光が照射される時間は１００ｎｓであり、この時間内で上記相変化と反射率の検出を行う必要がある。
【０００４】
また、上記結晶学的な相変化すなわちアモルファスと結晶との相変化を実現する上で、これに適合する光記録媒体が求められている。一般に、ＤＶＤ−ＲＡＭ等の相変化光ディスクは、書き換え回数が１０５〜１０６回を保証している。
【０００５】
一方、基板への光記録媒体用薄膜を形成する場合、スパッタリングが使用されているが、ターゲットの材料によってパーティクルの発生が多くなり、品質を低下させる場合がある。特に高記録密度媒体ではパーティクルなどのよる記録ビットのエラー発生が深刻な問題となる。これが原因で、不良品となって歩留まりが低下するという問題が発生する。
【０００６】
従来、提案されている光記録媒体としては、Ｇｅ（α）−Ｉｎ（β）−Ｓｂ（γ）−Ｔｅ（δ）合金からなるターゲットで、各成分組成比α＋β＋γ＋δ（原子％）＝１００としたとき、０．１≦α≦７、１≦β≦９、６１≦γ≦７５、２２≦δ≦３０であり、ＣＬＶ記録及びＣＡＶ記録が可能とする光記録媒体が提案されている（特開２００２−２６４５１５号公報参照）。
【０００７】
また、ＧｅａＸｂＳｂｙＴｅ（１−ａ−ｂ−ｙ）と表したとき、ＸがＩｎ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｇａ、Ｐｂ、Ｔｉ、Ｓｎから選択される少なくとも一種の元素であり、０．００１≦ａ≦０．２０，０．０１≦ｂ≦０．２０，０．４０≦ｙ≦０．９０の範囲であると共に、記録層に窒素を含む光記録媒体が提案されている（特許文献１特開２００２−２６４５１４号公報参照）。
【０００８】
また、Ｓｂ、Ｔｅを必須元素とし、このＳｂＴｅに対して少なくとも一種以上のＸ元素を添加した相変化光記録層であり、ＸがＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｎ、Ｐ、Ｂｉ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｃｄ、Ｔｂから選ばれるとする光記録媒体が提案されている（特開２００２−２４５６６３号公報参照）。
【０００９】
また、高純度Ｇｅ、もしくはＡｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｏ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｒｕ、ＢおよびＣから選ばれる少なくとも１種の元素を０．１〜５０ａｔ原子％の範囲で含むＧｅ合金であって、ＡｇおよびＡｕ含有量がそれぞれ５ｐｐｍ以下である相変化光ディスク用スパッタリングターゲットが提案されている（特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】
特開２００２−２６４５１４号公報
【特許文献２】
特開２００２−６９６２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、スパッタリングの際にパーティクルの発生が少なく、安定して高品質の薄膜の作製が可能であり、記録ビットのエラー発生のない、そして高記録密度が達成できる光記録媒体用Ｇｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金スパッタリングターゲット及び同合金ターゲットの製造方法並びに同合金からなる光記録媒体を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の課題を解決するために、本発明者らは鋭意研究を行った結果、適切な組成のＧｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金を選択して高記録密度が達成すると共に、酸素含有量を厳しく制限し、かつ結晶粒度を厳密に調整することにより、スパッタリングの際にパーティクルの発生を効果的に抑制することができるとのとの知見を得た。
【００１３】
本発明はこの知見に基づき、
１．Ｇｅ（α）−Ｉｎ（β）−Ｓｂ（γ）−Ｔｅ（δ）合金からなるターゲットであって、各成分組成比α、β、γ、δ（原子％）の合計を１００としたとき、０．１≦α≦１０、０．１≦β≦１０、６０≦γ≦９０、１０≦δ＜２２の範囲にあることを特徴とする光記録媒体用Ｇｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金スパッタリングターゲット及び同合金からなる光記録媒体
２．酸素含有量が１５００ｐｐｍ以下であることを特徴とする上記１記載の光記録媒体用Ｇｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金スパッタリングターゲット及び同合金からなる光記録媒体
３．酸素含有量が８００ｐｐｍ以下であることを特徴とする上記１記載の光記録媒体用Ｇｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金スパッタリングターゲット及び同合金からなる光記録媒体
４．ターゲットの結晶平均粒度が１００μｍ以下であることを特徴とする上記１〜３のいずれかに記載の光記録媒体用Ｇｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金スパッタリングターゲット
５．ターゲットの結晶平均粒度が５０μｍ以下であることを特徴とする上記１〜３のいずれかに記載の光記録媒体用Ｇｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金スパッタリングターゲット
６．鉄の含有量が１〜１００ｐｐｍであることを特徴とする上記１〜５のいずれかに記載の光記録媒体用Ｇｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金スパッタリングターゲット、を提供する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の光記録媒体用Ｇｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金スパッタリングターゲット及び同合金からなる光記録媒体は、スパッタリングの際にパーティクルの発生が少なく、安定して高品質の薄膜の作製が可能であり、記録ビットのエラー発生のない高記録密度が達成できるという優れた効果を有する。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明の光記録媒体用Ｇｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金スパッタリングターゲット及び同合金からなる光記録媒体は、Ｇｅ（α）−Ｉｎ（β）−Ｓｂ（γ）−Ｔｅ（δ）合金からなり、各成分組成比α、β、γ、δ（原子％）の合計を１００としたとき、０．１≦α≦１０、０．１≦β≦１０、６０≦γ≦９０、１０≦δ＜２２の範囲にある。この合金組成は、高記録密度化が達成できる好適な組成であり、結晶学的な相変化すなわちアモルファスと結晶との相変化を実現し、書き換え回数の大幅な向上が可能となる。
【００１６】
さらに、本発明の光記録媒体用Ｇｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金スパッタリングターゲットは、酸素含有量が１５００ｐｐｍ以下に、より好ましくは８００ｐｐｍ以下に厳しく制限される。これによって、スパッタリングの際のパーティクル発生が著しく減少し、安定した高品質の薄膜の作製が可能であり、記録ビットのエラー発生のない、そして高記録密度が達成できる光記録媒体の製造が可能となる。
【００１７】
また、光記録媒体中の酸素はＧｅと選択的に結合するため、アモルファス化と結晶化の相互変態の安定性を劣化させ、繰り返し記録回数の低下をもたらす。したがって、光記録媒体中の酸素量の制限（極力減少させること）は高品質の膜が得る上でも重要である。
【００１８】
また、スパッタリングの際のパーティクル発生防止には、ターゲットの結晶平均粒度を１００μｍ以下とすることも極めて有効である。これによって、同様に記録ビットのエラー発生のない良好な薄膜の作製が可能となる。特に、ターゲットの結晶平均粒度が５０μｍ以下であることが望ましい。
【００１９】
さらに、本発明の光記録媒体用Ｇｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金スパッタリングターゲット（記録媒体）中に鉄の含有量を１〜１００ｐｐｍとすることが有効である。１ｐｐｍ未満では添加の効果がなく、１００ｐｐｍを超えるとＣＮＲとＤＯＷが悪くなるので、鉄を添加する場合には、Ｆｅの含有量を１〜１００ｐｐｍとするのが望ましい。
【００２０】
本発明の光記録媒体用Ｇｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金スパッタリングターゲットは、Ｇｅ粉、Ｉｎ粉、Ｓｂ粉、Ｔｅ粉をアンプル内で合成し、得られたインゴットを所定の粒度まで粉砕した後、均一に分散混合させた後、ホットプレスを使用して、焼結温度４００〜６００°Ｃ、面圧７５〜２５０ｋｇ／ｃｍ２の条件で焼結することによって製造することができる。
【実施例】
【００２１】
以下、実施例および比較例に基づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例によって何ら制限されるものではない。すなわち、本発明は特許請求の範囲によってのみ制限されるものであり、本発明に含まれる実施例以外の種々の変形を包含するものである。
【００２２】
（実施例１−７）
純度５Ｎ（９９．９９９％）のＧｅ粉、Ｉｎ粉、Ｓｂ粉、Ｔｅ粉を準備し、これらの粉をＧｅ（α）−Ｉｎ（β）−Ｓｂ（γ）−Ｔｅ（δ）となるように調合した後アンプル内で合成し、得られたインゴットを所定の粒度まで粉砕した後、カーボン製ダイスに充填し、温度６００°Ｃ、圧力１５０ｋｇ／ｃｍ２の条件でホットプレスを行った。
【００２３】
この焼結体を仕上げ加工してターゲットとした。ターゲットの相対密度は９９％（１００％密度で５．５４ｇ／ｃｍ３）であった。このターゲットの３箇所から任意に採取したサンプルの密度をアルキメデス法により測定した。
また、同組成におけるＴｅ含有量δ（ａｔ％）、酸素量（ｗｔｐｐｍ）、粒径（μｍ）、Ｆｅ含有量、ＣＮＲ（ carrier to noise ratio ）、ＤＯＷ( direct over write )、スパッタリング時のパーティクル発生の結果を表１に示す。
【００２４】
なお、ＣＮＲ（ｄＢ）は３０ｍ／ｓにおける測定値、ＤＯＷは１００回上書き記録を実施した時点でのジッターによる評価結果を示す。ジッターとは最小ピット長信号（３Ｔ）の最大ピット長信号（１１Ｔ）に対する再信号のずれの値で、今回は２０％を下回るものをＯＫ、２０％以上をＮＧと判定した。
また、評価サンプルは、ＤＶＤブランクメディア上に、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（４５ｎｍ）、記録層（１５ｎｍ）、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（２０ｎｍ）、Ａｌ−Ｔｉ（１５０ｎｍ）を連続成膜して作製した。
【００２５】
（比較例１−６）
純度５Ｎ（９９．９９９％）のＧｅ粉、Ｉｎ粉、Ｓｂ粉、Ｔｅ粉を準備し、これらの粉をＧｅ（α）−Ｉｎ（β）−Ｓｂ（γ）−Ｔｅ（δ）となるように調合し、これを乾式混合した後アンプル内で合成し、得られたインゴットを所定の粒度まで粉砕した後、カーボン製ダイスに充填し、温度６００°Ｃ、圧力１５０ｋｇ／ｃｍ２の条件でホットプレスを行った。
【００２６】
この焼結体を仕上げ加工してターゲットとした。ターゲットの相対密度は９９％（１００％密度で５．５４ｇ／ｃｍ３）であった。このターゲットの３箇所から任意に採取したサンプルの密度をアルキメデス法により測定した。
また、同組成におけるＴｅ含有量δ（ａｔ％）、酸素量（ｗｔｐｐｍ）、粒径（μｍ）、Ｆｅ含有量、ＣＮＲ（ｄＢ）、ＤＯＷ、スパッタリング時のパーティクル発生の結果を、実施例と対比し表１に示す。なお、ＣＮＲ（ｄＢ）測定値、ＤＯＷ測定値、評価サンプルのスパッタリング条件は、実施例と同様に行った。
【００２７】
【表１】
実施例１−６は、酸素含有量が７００−１３００ｐｐｍの範囲、粒径３０−８９μｍ、ＣＮＲ（ｄＢ）が４５−５５の範囲にあり、ＤＯＷ、パーティクル発生量は良好であった。
なお、実施例７については、Ｆｅ含有量が＜１ｗｔｐｐｍであるが、原料に含まれる酸素含有量が５００ｐｐｍ以下（４５０ｗｔｐｐｍ）と低いので、上記と同様にＣＮＲ（ｄＢ）、ＤＯＷ、パーティクル発生量はいずれも良好であった。
【００２９】
これに対し、比較例１は酸素量が２０００ｐｐｍと多いためＤＯＷ、パーティクル発生量は不良であった。比較例２は、粒径が２００μｍと大きいためパーティクル発生量は不良であった。比較例３は、Ｆｅ含有量が１２０ｐｐｍと多過ぎるため、ＤＯＷが悪化した。比較例４は、酸素含有量が２５００ｐｐｍと多く、またＦｅ＜１ｐｐｍのため、ＤＯＷ、パーティクル発生量は不良であった。
【００３０】
Ｆｅがない場合には酸素が高くなる。比較例５は、δ２２．０ａｔ％と組成ずれを生じている（過量の）ため、ＤＯＷが不良であった。比較例６はδ５．０ａｔ％と組成ずれを生じている（過少）のため、ＤＯＷが不良であった。
【００３１】
以上に示すように、Ｇｅ（α）−Ｉｎ（β）−Ｓｂ（γ）−Ｔｅ（δ）合金からなるターゲットにおいて、Ｔｅ（δ）組成のずれは、光記録媒体の特性に大きく影響を与えることが分かる。
【００３２】
また、ターゲットの酸素量、粒径は、本発明の範囲において、良好なＣＮＲ（ｄＢ）とＤＯＷ及びパーティクル発生の抑制効果を有する。また、Ｆｅ含有量は酸素量に影響を与え、適量のＦｅの存在はスパッタリング時のパーティクル発生の抑制効果を有する。また、酸素量が十分に低い場合には、Ｆｅ含有量に関係なく、同様の良好な結果を示すことが分かる。
【産業上の利用可能性】
【００３３】
本発明は、スパッタリングの際にパーティクルの発生が少なく、安定して高品質の薄膜の作製が可能であり、記録ビットのエラー発生のない、そして高記録密度が達成できる光記録媒体用Ｇｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金スパッタリングターゲット及び同合金ターゲットの製造方法並びに同合金からなる光記録媒体に適用できる。
Claims (5)
- Ｇｅ（α）−Ｉｎ（β）−Ｓｂ（γ）−Ｔｅ（δ）合金からなるターゲットであって、各成分組成比α、β、γ、δ（原子％）の合計を１００としたとき、０．１≦α≦１０、０．１≦β≦１０、６０≦γ≦９０、１０≦δ＜２２の範囲にあり、鉄の含有量が１〜１００ｐｐｍ、酸素含有量が１５００ｐｐｍ以下、ターゲットの結晶平均粒度が１００μｍ以下であることを特徴とする光記録媒体用Ｇｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金スパッタリングターゲット。
- 酸素含有量が８００ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体用Ｇｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金スパッタリングターゲット。
- ターゲットの結晶平均粒度が５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２記載の光記録媒体用Ｇｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金スパッタリングターゲット。
- 請求項１〜３のいずれかに記載のターゲットを用いてスパッタリングタすることにより成膜した光記録媒体。
- Ｇｅ（α）−Ｉｎ（β）−Ｓｂ（γ）−Ｔｅ（δ）合金からなる光記録媒体であって、各成分組成比α、β、γ、δ（原子％）の合計を１００としたとき、０．１≦α≦１０、０．１≦β≦１０、６０≦γ≦９０、１０≦δ＜２２の範囲にあり、鉄の含有量が１〜１００ｐｐｍ、酸素含有量が１５００ｐｐｍ以下であることを特徴とするＧｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金からなる光記録媒体。
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003274651 | 2003-07-15 | ||
| JP2003274651 | 2003-07-15 | ||
| JP2003287247 | 2003-08-06 | ||
| JP2003287247 | 2003-08-06 | ||
| PCT/JP2004/005395 WO2005005683A1 (ja) | 2003-07-15 | 2004-04-15 | スパッタリングターゲット及び光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2005005683A1 JPWO2005005683A1 (ja) | 2006-10-19 |
| JP4582457B2 true JP4582457B2 (ja) | 2010-11-17 |
Family
ID=34067388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005511456A Expired - Lifetime JP4582457B2 (ja) | 2003-07-15 | 2004-04-15 | スパッタリングターゲット及び光記録媒体 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4582457B2 (ja) |
| TW (1) | TWI288180B (ja) |
| WO (1) | WO2005005683A1 (ja) |
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-
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- 2004-04-15 WO PCT/JP2004/005395 patent/WO2005005683A1/ja active Application Filing
- 2004-04-15 JP JP2005511456A patent/JP4582457B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2004-04-19 TW TW093110820A patent/TWI288180B/zh not_active IP Right Cessation
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| JP2002256422A (ja) * | 2001-03-02 | 2002-09-11 | Vacuum Metallurgical Co Ltd | Ｗ−Ｔｉターゲット及びその製造方法 |
| JP2002269806A (ja) * | 2001-03-09 | 2002-09-20 | Ricoh Co Ltd | 光情報記録媒体 |
| JP2002264515A (ja) * | 2001-03-12 | 2002-09-18 | Ricoh Co Ltd | 光記録媒体および情報記録再生方法 |
| JP2002327264A (ja) * | 2001-04-26 | 2002-11-15 | Hitachi Metals Ltd | 薄膜形成用スパッタリングターゲット |
| JP2003173585A (ja) * | 2001-12-04 | 2003-06-20 | Ricoh Co Ltd | 相変化型光ディスクとその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI288180B (en) | 2007-10-11 |
| JPWO2005005683A1 (ja) | 2006-10-19 |
| TW200502412A (en) | 2005-01-16 |
| WO2005005683A1 (ja) | 2005-01-20 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A521 | Request for written amendment filed |
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| A711 | Notification of change in applicant |
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|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130910 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| S531 | Written request for registration of change of domicile |
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|
| S533 | Written request for registration of change of name |
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|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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| S531 | Written request for registration of change of domicile |
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