JP4521054B2 - 書き換え型光記録媒体 - Google Patents

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Description

本発明は、従来のＣＤ−ＲＯＭ又はＤＶＤ（−ＲＯＭ）規格で規定される再生専用媒体と再生互換性を有する書換え可能な光記録媒体（本発明においては書き換え可能な光記録媒体を単に光記録媒体、媒体、光ディスク、又はディスクという場合がある。）とその記録方法に関する。特に、２０ｍ／ｓ以上の高倍速の線速度における１ビームオーバーライト可能な書き換え型光記録媒体を提供する。さらに、広範囲の記録線速度で良好な記録を行うことができる記録方法を提供する。
一般にコンパクトディスク（ＣＤ）又はディジタルバーサタイルディスク（ＤＶＤ）は、凹ピットの底部及び鏡面部からの反射光の干渉により生じる反射率変化を利用して２値信号の記録及びトラッキング信号の検出が行われている。
近年、ＣＤ又はＤＶＤと互換性のある光記録媒体として、相変化型の書換え型コンパクトディスク（ＣＤ−ＲＷ、ＣＤ−Ｒｅｗｒｉｔａｂｌｅ）又は、相変化型の書き換え型ＤＶＤ（商品名：ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷ、本明細書では書き換え型ＤＶＤをＲＷ−ＤＶＤという場合がある。）が使用されている。
相変化型のＣＤ−ＲＷ又はＲＷ−ＤＶＤは、非晶質と結晶状態の屈折率差によって生じる反射率差および位相差変化を利用して記録情報信号の検出を行う。通常の相変化型のＣＤ−ＲＷ又はＲＷ−ＤＶＤは、基板上に下部保護層、相変化型記録層、上部保護層、反射層を設けた構造を有し、これら層の多重干渉を利用して反射率差および位相差を制御しＣＤ又はＤＶＤと互換性を持たせることができる。なお、ＣＤ−ＲＷ又はＲＷ−ＤＶＤにおける記録とは、記録と消去を同時に行うオーバーライト記録をいう。
この結果、反射率７０％以上という高反射率まで含めた互換性は困難であるものの、反射率をＣＤ−ＲＷでは１５〜２５％、ＲＷ−ＤＶＤでは１８〜３０％に落とした範囲内では記録信号及び溝信号の互換性が確保でき、反射率の低いことをカバーするための増幅系を再生系に付加すれば現行の再生専用ＣＤドライブ又はＤＶＤドライブで再生が可能である。
しかし、ＣＤ−ＲＷ、ＲＷ−ＤＶＤを利用する場合の問題点のひとつに記録速度と転送レートの遅さがある。
ＣＤの記録再生時の基準速度（以下、１倍速とも称する）は、線速度（本明細書においては、「線速度」を単に「線速」という場合がある。）１．２〜１．４ｍ／ｓであるが、ＣＤ−ＲＯＭではすでに最大４０倍速程度の高速再生が実現されており、１倍速という低速で利用されるのは音楽や画像の再生程度に限られる。一般に、１６倍速再生まではＣＤ本来の一定線速度モード（ＣＬＶ、Ｃｏｎｓｔａｎｔ Ｌｉｎｅａｒ Ｖｅｌｏｃｉｔｙ）であるが、２４〜４０倍速再生は、一定回転速度モード（ＣＡＶ、Ｃｏｎｓｔａｎｔ Ａｎｇｕｌａｒ Ｖｅｌｏｃｉｔｙ）を適用することで外周部データの転送レート、アクセス及びシーク時間が飛躍的に高速化されている。
ＣＤ−ＲＷにおいても記録の高速化は進んでいるがＣＬＶモードで高々１２倍速程度までにとどまっている。通常、ＣＤ−ＲＷは１倍速で全面に記録すると７４分（又は６３分）もの時間を要し、１２倍速であっても６分程度かかってしまう。しかし２０倍速であれば５分以内で記録ができ、音楽・映像などの大量データ記録にＣＤ−ＲＷの用途を大きく
広げることができる。
また、現在コンピュータの外部記憶装置としては、すでにＣＤ−Ｒが記録時２４倍速を達成しており、ＣＤ−ＲＷにおいても記録時転送レートを上げることが望まれている。
一方、ＤＶＤの再生時の基準速度（以下、１倍速とも称する）は、線速度３．４９ｍ／ｓであるが、ＤＶＤ−ＲＯＭではすでに最大１６倍速程度の高速再生が実現されており、１倍速という低速で利用されるのは音楽や画像の再生程度に限られる。
ＲＷ−ＤＶＤにおいても記録の高速化は進んでいるがＣＬＶモードで高々２．４倍速程度までにとどまっている。通常、ＲＷ−ＤＶＤは１倍速で全面に記録すると約６０分もの時間を要し、２．４倍速であっても２５分程度かかってしまう。しかし６倍速であれば１０分以内で記録ができ、音楽・映像などの大量データ記録にＲＷ−ＤＶＤの用途を大きく広げることができる。
このため、より高速で記録できる相変化媒体と記録方法が求められていた。
しかし、ＣＤの２０倍速以上、ＲＷ−ＤＶＤの６倍速以上の高線速まで記録可能な書き換え型相変化媒体は、未だ実現されていない。これは、線速度２０ｍ／ｓを越えるような高線速度でのオーバーライト可能な書き換え型ＣＤ，ＤＶＤ媒体が未だ実現されていないことを意味する。
このような書き換え型相変化媒体が実現できない第一の理由は、非晶質マークの高速結晶化による短時間の消去と、非晶質マークの経時安定性とを両立させるのが困難だからである。
例えば、１〜４倍速でオーバーライト記録可能なＣＤ−ＲＷや２．４倍速程度までオーバーライト記録可能なＲＷ−ＤＶＤの記録層材料として用いられるＳｂＴｅ合金を主成分とする記録材料は、Ｓｂ含有量を相対的に増やすことで高速結晶化でき線速度２０ｍ／ｓ以上でのオーバーライト記録が可能である。しかし、本発明者らの検討によれば、Ｓｂ量の増大は一方で、非晶質マークの経時安定性を著しく損ねてしまい、室温なら１〜２年以内で、記録装置内部の５０〜８０℃という高温環境であれば数日で、再生不可能なまでに非晶質マークが再結晶化により消えてしまう。あるいは、１ｍＷ以下のレーザー光ビームによる数百回〜数千回程度の再生によって非晶質マークが消え始めるという深刻な問題もあり、記録媒体としての信頼性を維持できないことがわかった。
この問題を解決する必要があるのに加え、ＣＤ−ＲＷ又はＲＷ−ＤＶＤは、広く普及している再生専用ＣＤ−ＲＯＭドライブ又はＤＶＤ−ＲＯＭドライブと再生互換性をとる制約もある。
例えば、再生互換をとるためには、ＣＤ−ＲＷの場合、変調度５５〜７０％という高変調度を始めとして反射率１５〜２５％、その他のサーボ信号特性を満足する必要がある。一方、ＲＷ−ＤＶＤの場合には、再生互換をとるためには変調度５５〜７０％という高変調度を始めとして反射率１８〜３０％、その他のサーボ信号特性を満足する必要がある。
また、２４ｍ／ｓ以上の高線速におけるオーバーライト可能なＣＤ−ＲＷ、ＲＷ−ＤＶＤが未だ実現できない第二の理由は、ＣＤ−ＲＷ規格又はＲＷ−ＤＶＤ規格ではかなり厳密な記録パルスストラテジー（パルス分割方法）が規定されているためである。
すなわち、ＣＤ−ＲＷ規格オレンジブック・パート３には、図１に示す記録パルスストラテジーが規定されている。従って現在実用化されている記録装置では、上記記録パルスストラテジー発生用ＩＣ回路を用いているのが実情である。従って、現在実用化されている記録装置では、上記記録パルスストラテジー又はこれを若干変更した記録パルスストラテジーをもって、１倍速から８〜１０倍速までの広範囲な線速度の記録を行わなければならない。
書き換え型ＤＶＤの規格である、ＤＶＤ−ＲＷやＤＶＤ＋ＲＷでも、同様の記録ストラテジーが規定されている。これら記録ストラテジーの特徴は、ｎＴマーク長の非晶質マークをｎ−１個の記録パルスと冷却パルス（オフパルス）に分割して記録することである。このため、これら記録ストラテジーでは、一対の記録パルスと冷却パルスの繰り返し平均周期が約１Ｔとなっている。
図１（ａ）はＥＦＭ変調された３Ｔ〜１１Ｔの時間的長さを有するデータ信号であり、図１（ｂ）は、該データ信号に基づいて発生される実際の記録光のレーザーパワーである。Ｐｗは記録層を溶融させ急冷によって非晶質マークを形成するための記録パワー、Ｐｅは非晶質マークを結晶化によって消去するための消去パワーであり、通常、バイアスパワーＰｂは再生光の再生パワーＰｒとほぼ同じである。記録パワーＰｗ照射区間を記録パルス、バイアスパワー照射区間をオフパルスと称する。
ＥＦＭ＋変調の場合においては、上記３〜１１Ｔの時間的長さを有するデータ信号に１４Ｔの時間的長さを有するデータ信号が加わる。
ここで、上記記録ストラテジーでは、記録パルスとオフパルスの繰り返しの周期が基本的に、基準クロック周期Ｔで一定である。基準クロック周期Ｔは、高線速記録では、線速度に比例して高周波数化される。
ＣＤの１倍速基準速度では、Ｔ＝２３１ｎｓｅｃであるが、２４倍速ではＴ＝９．６ｎｓｅｃ、３２倍速ではＴ＝７．２ｎｓｅｃである。従って、２４倍速以上の高線速度記録において図１に示す記録パルスストラテジーを用いる場合、図１における分割された記録パルス及びオフパルスの時間幅は、上記高速記録に伴う高周波数化により、５ｎｓｅｃ未満となる。
一方、ＤＶＤの１倍速基準速度では、Ｔ＝３８．２ｎｓｅｃであるが、６倍速では、Ｔ＝６．４ｎｓｅｃ、８倍速ではＴ＝４．８ｎｓｅｃである。従って、６倍速以上の高線速度記録においては、図１における分割された記録パルス及びオフパルスの時間幅は、このような高速記録に伴う高周波数化により、３ｎｓｅｃ以下となる。
ところで、通常記録パワーのレーザー光照射では、立ち上がり立下りに１−３ｎｓｅｃは要する。このため、このような高周波においては、上記立ち上がり立下り時間が無視できなくなり、記録パルス区間の長さ及びオフパルス区間の長さは、実質的にはさらに短くなり、５ｎｓｅｃ（ＣＤ−ＲＷの場合）又は３ｎｓｅｃ（ＲＷ−ＤＶＤの場合）を大幅に下回ることとなる。この際、記録パルスにおける加熱は不十分となり、必要とされる記録パワーが急激に高くなる。一方、オフパルス区間の冷却も不十分となるために、非晶質化に必要な冷却速度が得られなくなる。また、高線速記録のために、ＣＤ−ＲＷ又はＲＷ−ＤＶＤの記録層には、一般に消去速度すなわち結晶化速度の速い材料を用いる。従って、上記オフパルス区間における冷却速度の不足は、いったん溶融された領域の再結晶化を招く。
従って、図１に示す記録パルスストラテジーでは、ＣＤ−ＲＷにおける２４倍速以上の高速記録、又はＲＷ−ＤＶＤにおける６倍速以上の高速記録を行うことは非常に困難となる。
本発明者らの一部は、すでに、このような問題を解決するために、記録パルスとオフパルスとの繰り返しの周期を２Ｔベースとする分割方法により、ＣＤの１６倍速、ＤＶＤの５倍速でのオーバーライト記録を実現した（特開２００１−３３１９３６号公報）。しかしながら、このような２Ｔベースの分割方法を用いてもなお、ＣＤの２４倍速以上又はＤＶＤの６倍速以上では、上記した通り、高線速記録のための高い結晶化速度を有する材料
を用いる必要がある一方で、このような材料を用いると、冷却速度が不足することによる再結晶化現象がよりいっそう深刻となるのである。
本発明の目的は、概ね２０ｍ／ｓ以上の高速記録に用いる書き換え型光記録媒体及びその記録方法を提供することにある。
本発明の具体的な目的は、２４倍速以上の高線速記録に用いるＣＤ−ＲＷ及びその記録方法を提供することにある。より具体的には、ＣＤ−ＲＷでは、記録層が非晶質の状態を記録マークとし、ＥＦＭ変調による（即ちデータの基準クロック周期Ｔに対して３Ｔから１１Ｔまでの時間的長さのマーク長及びマーク間長さの組み合わせによる）マーク長記録を行うことにより、記録信号フォーマットについてはＣＤと再生互換を有する書換え型媒体とその記録方法を提供することにある。
本発明の具体的な目的は、６倍速以上の高線速記録に用いる書き換え型ＤＶＤ記録媒体及びその記録方法を提供することにある。より具体的には、記録層が非晶質の状態を記録マークとし、ＥＦＭ＋変調による、即ちデータの基準クロック周期Ｔに対して３Ｔから１４Ｔまでの時間的長さのマーク長及びマーク間長さの組み合わせによるマーク長記録を行うことにより、記録信号フォーマットについてはＤＶＤと再生互換を有する書換え型媒体とその記録方法を提供することにある。
本発明の要旨は、案内溝が形成された基板と相変化型記録層とを有してなり、該相変化型記録層の結晶状態の部分を未記録・消去状態に対応させ、該相変化型記録層の非晶質状態の部分を記録状態に対応させて、記録光を照射することにより該記録状態に対応する非晶質マークを形成させる書き換え型光記録媒体において、
前記相変化型記録層が、Ｇｅ ｙ （Ｓｂ ｘ Ｔｅ １−ｘ ） １−ｙ （ただし、０．０１≦ｙ≦０．０６、０．８５≦ｘ≦０．９）で表される組成を主成分とすることを特徴とする書き換え型光記録媒体に存する（請求項１）。
また、本発明の別の要旨は、案内溝が形成された基板と相変化型記録層とを有してなり、該相変化型記録層の結晶状態の部分を未記録・消去状態に対応させ、該相変化型記録層の非晶質状態の部分を記録状態に対応させて、記録光を照射することにより該記録状態に対応する非晶質マークを形成させる書き換え型光記録媒体において、
前記相変化型記録層が、ＭｚＧｅｙ（ＳｂｘＴｅ１−ｘ）１−ｙ−ｚ（ただし、０．０１≦ｚ≦０．１、０．０１≦ｙ≦０．０６、０．８５≦ｘ≦０．９であり、ＭはＧａ及びＩｎからなる群から選ばれた少なくとも一種の元素を表す。）で表される組成を主成分とする合金であることを特徴とする書き換え型光記録媒体に存する（請求項２）。
さらに、前記相変化型記録層の膜厚が１０〜３０ｎｍであることが好ましい（請求項３）。
さらに、前記書き換え型光記録媒体がさらに反射層を有し、反射層の面積抵抗率が０．０５Ω／□以上０．２Ω／□以下であることが好ましい（請求項４）。
変調度ｍ１１及び、結晶状態の反射率Ｒｔｏｐのいずれもが、温度１０５℃の加速試験環境下で３時間後保持した後においても、その初期値の９０％以上を維持することが好ましい（請求項５）。
本発明の別の要旨は、案内溝が形成された基板と相変化型記録層とを有してなり、該相変化型記録層の結晶状態の部分を未記録・消去状態に対応させ、該相変化型記録層の非晶質状態の部分を記録状態に対応させて、記録光を照射することにより該記録状態に対応する非晶質マークを形成させる書き換え型光記録媒体において、
前記相変化型記録層がＳｂを主成分とする組成であり、
前記相変化型記録層中におけるＧｅの含有量が１原子％以上３０原子％以下であり、Ｔｅの含有量が１０原子％未満であり、
前記相変化型記録層が、ＴｅγＭ１β（ＧｅαＳｂ１−α）１−βーγ（ただし、０．０１≦α≦０．３、０≦β≦０．３、０．０１≦γ＜０．１、２≦β／γ、０＜β＋γ≦０．４であり、Ｍ１はＩｎ、Ｇａ、及びＳｎからなる群から選ばれる一つである。）で表される組成を主成分とする合金であることを特徴とする書き換え型光記録媒体に存する（請求項６）。
このとき、前記相変化型記録層の膜厚が１０〜３０ｎｍであることが好ましい（請求項７）。
また、前記書き換え型光記録媒体がさらに反射層を有し、反射層の面積抵抗率が０．０５Ω／□以上０．２Ω／□以下であることが好ましい（請求項８）。
さらに、変調度ｍ１１及び、結晶状態の反射率Ｒｔｏｐのいずれもが、温度１０５℃の加速試験環境下で３時間後保持した後においても、その初期値の９０％以上を維持することが好ましい（請求項９）。
尚、本発明において、「□が○〜△の範囲」と記載する場合、これは「○≦□≦△」を意味する。
本発明によれば、２４倍速又は３２倍速の高倍速での１ビームオーバーライト可能なＣＤ−ＲＷを得ることができる。さらには、２４倍速、３２倍速で１ビームオーバーライト可能なだけでなく、２４倍速よりも低倍速の線速度においてもオーバーライト可能なＣＤ−ＲＷを得ることができる。
また、本発明によれば、６倍速、８倍速、１０倍速、又は１２倍速の高倍速での１ビームオーバーライト可能なＲＷ−ＤＶＤを得ることができる。さらには、６倍速、８倍速、１０倍速、又は１２倍速で１ビームオーバーライト可能なだけでなく、６倍速よりも低倍速の線速度においてもオーバーライト可能なＲＷ−ＤＶＤを得ることができる。
さらに、本発明によれば、低線速から高線速度までの広い範囲で書き換え型光記録媒体に良好に記録を行うことができる記録方法を得ることができる。
本発明を特定の態様を用いて詳細に説明したが、本発明の意図と範囲を離れることなく様々な変更及び変形が可能であることは、当業者にとって明らかである。
１．媒体の特性について１−１．ＣＤ−ＲＷの場合
本発明をＣＤ−ＲＷに適用する場合においては、記録光による光スポットの媒体に対する速度である線速度として１．２ｍ／ｓ〜１．４ｍ／ｓ、特には１．２ｍ／ｓを基準速度：Ｖ１、即ち１倍速とする。
まず、本発明の第１及び第２の要旨に係るディスクについて説明する。
本発明の書換え型光記録媒体は、通常円盤状である。そして相変化型記録層の結晶状態の部分を未記録状態・消去状態とし、非晶質状態の部分を記録状態とする。記録される情報は、レーザー光などの記録光を照射し非晶質マークを形成することにより、ＥＦＭ変調された信号からなる。媒体の基板には通常螺旋状の溝が形成される。また、非晶質マークは通常溝内に形成される。ここで、溝とは、基板面上に形成された光ビーム案内用の凹形状の底部であり、記録再生光入射側から見て近い方の面を言う。該溝は、好ましくは１倍速に換算したときに２２．０５ｋＨｚとなる搬送周波数を基準とする周波数で半径方向に蛇行（ウォブル）しており、このような溝をウォブル溝と呼ぶ。そして、上記搬送周波数が±１ｋＨｚの周波数で周波数変調され、この微妙な周波数変化により、ディスク上のアドレス情報が絶対時間情報として組み込まれている。このような絶対時間情報はＡＴＩＰ（Ａｂｓｏｌｕｔｅ Ｔｉｍｅ Ｉｎ Ｐｒｅ−ｇｒｏｏｖｅ）信号と呼ばれる。
このウォブル溝は、ＣＬＶモードで、ＣＤの１倍速の線速でスタンパー上に形成したのち、このスタンパーをもとに基板を射出成形することで形成することができる。記録容量を高めるため、通常搬送周波数が線速１．２ｍ／ｓ（±０．１ｍ／ｓの範囲で許容）において２２．０５ｋＨｚとなるようにウォブル溝は形成される。
データを記録する際には、基準クロック周期Ｔが基準となり、この整数倍の長さを有する様々な時間的長さのマーク及びスペース（マーク間）を形成することでデータを記録する。ＥＦＭ変調においては通常時間的長さ３Ｔ〜１１Ｔのマークが形成される。また、基準クロック周期Ｔは記録線速に反比例して変化させるのが通常である。
基準クロック周期Ｔの逆数は基準クロック周波数と呼ばれ、ＣＤの１倍速（線速度１．２ｍ／ｓ〜１．４ｍ／ｓ）における基準クロック周波数は、データの１チャネルビットに相当し、通常４．３２１８ＭＨｚである。この基準クロック周波数は、上記ウォブルの基準周波数２２．０５ｋＨｚのちょうど１９６倍となっている。
１倍速における基準クロック周期Ｔは通常１／（４．３２１８×１０６ ）＝２３１×１０−９（秒）＝２３１（ナノ秒）となる。
以下の説明では、特に断わりのない限り基準クロック周期Ｔと線速Ｖとの積ＶＴは線速によらず一定とする。
図２（ａ）に、ＣＤ−ＲＷをはじめとするＣＤファミリーで用いられるＥＦＭ変調信号の再生波形（アイパターン）の模式図を示す。アイパターンには、３Ｔから１１Ｔのすべての非晶質マーク及び結晶状態のスペースの再生波形が実質的にランダムに含まれている。再生波形は、反射光強度を電圧信号として取り出しオシロスコープ上で観察した波形である。この際、再生信号は直流成分を含んでいる。
アイパターンの上端Ｉｔｏｐを入射光に対する反射率に換算したものがスペースに対応する反射率の上端値Ｒｔｏｐであり、アイパターンの振幅（実際上は、１１Ｔマークの振幅）Ｉ１１をＩｔｏｐで規格化したものが下記式（１）で表される記録信号のアイパターンの変調度ｍ１１（本明細書においては、ｍ１１を単に変調度という場合がある。）である。
ｍ１１＝Ｉ１１／Ｉｔｏｐ×１００（％） （１）
本発明においては、変調度ｍ１１は６０％以上８０％以下とする。変調度は光学的分解
能に依存するのでＮＡが大きな光学系では大きく見える傾向があるため、本発明においては波長約７８０ｎｍのレーザー光を、開口数ＮＡ＝０．５の光学系を通して照射し記録する際の変調度ｍ１１とする。ただし波長は厳密に７８０ｎｍである必要はなく、７７５〜７９５ｎｍ程度の範囲にあれば良い。
信号振幅Ｉ１１は大きいほうが好ましいが、大きすぎると信号再生系のアンプのゲインが極端に飽和してしまうためｍ１１の上限は８０％、好ましくは７８％、さらに好ましくは７５％程度である。一方、小さすぎると信号体雑音比（ＳＮ比）が低下してしまうため、下限は６０％、好ましくは６２％、さらに好ましくは６５％程度である。また、Ｒｔｏｐは１５〜２５％、好ましくは１５〜２０％、さらに好ましくは１６〜１９％の範囲とする。さらに、下記式（２）
Ａｓｙｍ ＝（Ｉｓｌｉｃｅ／Ｉ１１−１／２）（％） （２）で定義されるアシンメトリー値Ａｓｙｍは、できるだけ０付近にあることが望ましいが、通常は±１０％の範囲である。ここで、Ｉｓｌｉｃｅは、図２（ａ）におけるＩの中心線２００１と包絡線の底辺２００２との間の電圧差であり、Ｉ１１は包絡線（ｅｎｖｅｌｏｐ）の上辺２００３と底辺２００２との間の電圧値である。
ＥＦＭ変調に用いられる３Ｔ〜１１Ｔの各マーク長及びスペース長のジッタ（ｊｉｔｔｅｒ）、及びデビエーション（ｄｅｖｉａｔｉｏｎ）は、以下のように決められる。すなわち、３Ｔ〜１１Ｔの各マーク長及びスペース長のデビエーション（ｄｅｖｉａｔｉｏｎ）は、図２（ａ）における再生信号を高域通過フィルタを通過させてＲＦ成分を取り出した後に、信号振幅の実質的な中心値となるゼロレベルを閾値としてＤＣスライスして得られる、マーク長あるいはスペース長の平均値の所定値（ｎＴ：ｎ＝３〜１１）からのずれ（デビエーション）であり、ジッタ（ｊｉｔｔｅｒ）は、その標準偏差（ジッター）である。詳細な測定方法は、ＣＤ規格であるレッドブック、ＣＤ−ＲＷ規格であるオレンジブックや、「ＣＤファミリー」（オーム社発行、平成８年４月２５日）で規定されている。本発明においては、ジッタについては、１倍速（基準クロック周期２３１ナノ秒）で再生したときのジッタ値が３５ナノ秒以下、好ましくは３０ナノ秒以下、さらに好ましくは２５ナノ秒以下とする。
なお、通常３Ｔのマーク長もしくはスペース長のジッタが３Ｔ〜１１Ｔの中で最も悪い値となることが多い。さらに、３Ｔスペース長ジッタが３Ｔマーク長ジッタより悪い値となることが多い。
本発明においては、デビエーションは通常３Ｔで±４０ナノ秒以下、１１Ｔで±６０ナノ秒以下とする。なお、４Ｔ〜１０Ｔに対しては、通常３及び１１Ｔに対する規定である±４０ナノ秒以下及び±６０ナノ秒以下を補完して得られる値となる。いずれにせよ、デビエーションは、概ね基準クロック周期Ｔの±２０％程度以内であればよい。
なお、記録後の信号の品質に関しては、基本的に現行の規格と同様の特性を満たすのが好ましい。詳細には、オレンジブック・パート３に記載された内容を満足するのが好ましい。
変調度ｍ１１、反射率の上端値Ｒｔｏｐ及びジッターを上記の値とすることにより、従来のＣＤ−ＲＷ規格と互換性を維持しつつ、２４倍速以上のような高速記録された媒体を、既存のＣＤ−ＲＷ対応の再生系で再生することができる。
本発明の書き換え型光記録媒体において好ましいのは、２４倍速の線速度での記録において、３Ｔマーク（時間的長さ３Ｔを有するマーク。ただしＴはデータ基準クロック周期）と３Ｔスペース（時間的長さ３Ｔを有するマーク間部）とからなる単一周期信号を記録後、１１Ｔマーク（時間的長さ１１Ｔを有するマーク）と１１Ｔスペース（時間的長さ１１Ｔを有するマーク間部）とからなる単一周期信号をオーバーライトしたときの３Ｔマー
クの消去比が２０ｄＢ以上とすることである。上記消去比は、より好ましくは２５ｄＢ以上とする。また、好ましくは、３２倍速においても、上記消去比を２０ｄＢ以上、好ましくは２５ｄＢ以上とする。高線速での消去比が高い媒体ほど非晶質マーク消去時の再結晶化速度が速く、より高線速でＥＦＭ信号のオーバーライトが可能である。例えば、３２倍速における上記消去比を２０ｄＢ以上としておけば、２４倍速で使用した際に良好な特性が得られるのは勿論、２４倍速以下で使用した際にも良好な特性が得られる。ここで、３Ｔマークと３Ｔスペース（マーク間）からなる単一周期信号を記録、及び１１Ｔマークと１１Ｔスペースからなる単一周期信号をオーバーライトするにおいては、後述の記録方式ＣＤ１−１、１−２の記録方式を用いる。すなわち、３Ｔマークと３Ｔスペース（マーク間）からなる単一周期信号を記録するにあたっては、３Ｔマークを１個の記録パルスＰｗと後続のオフパルスＰｂ（０＜Ｐｂ＜１ｍＷ）からなる記録パワーで記録し、他の区間では消去パワーＰｅを照射する。Ｐｗは記録層を溶融するためのパワーであり、ＰｂはＰｗ照射後、溶融領域を急冷して非晶質化させるための冷却パワーである。１１Ｔマークと１１Ｔスペースからなる単一周期信号をオーバーライトするにあたっては、１１Ｔマークを５個の記録パルスＰｗと個々のＰｗに付随するオフパルスＰｂ（０＜Ｐｂ＜１ｍＷ）からなる記録パワーの繰り返しで記録し、他の区間では消去パワーＰｅを照射する。３Ｔデータ及び１１Ｔデータのオーバーライトにおいては、同一のＰｅ及びＰｗを使用し、Ｐｅ／Ｐｗを０．２〜０．６の範囲で一定としながら、Ｐｅを変化させて消去比のＰｅ依存性を測定し、いずれかのＰｅにおいて、消去比が２０ｄＢ以上、好ましくは２５ｄＢ以上となることを確認する。消去比は、１１Ｔデータのオーバーライトの前後における３Ｔデータのキャリアレベルの低下率をｄＢ単位で測定したものである。
いずれの場合にも、同一溝内への記録を行い、通常は、１周分の溝に記録を行う。
オーバーライトを行う線速度範囲の上限における消去比が十分な値であれば、消去比が低線速側で不足することはない。線速Ｖで移動する開口数ＮＡの対物レンズで集光された波長λの光ビームで記録層が照射される時間は、λ／（ＮＡ・Ｖ）で規格化されるから、低線速ほど照射時間は長くなり再結晶化に要する時間を十分確保できるからである。
なお、３Ｔマーク及び１１Ｔマークをオーバーライトしてオーバーライト消去比を測定する場合の記録方式は、後述の記録方式ＣＤ１−１、１−２、及び１−３のいずれかを用いることができるが、特に記録方式ＣＤ１−３を用いることが好ましい。記録方式ＣＤ１−３を用いる場合、消去比の測定においては、特にジッタの低い記録条件を用いる必要はないから、１１Ｔマークの記録に際しては、βｍ’＝０．５の暫定値を使用してかまわない
なお、消去比の測定方法において、消去パワーＰｅを直流（ｄｉｒｅｃｔ ｃｕｒｒｅｎｔ、ＤＣ）的に照射しながら、記録済みのマークのキャリアレベルの低減率をデシベル値にて測定する場合があり、これをＤＣ消去率という。ＤＣ消去率の測定では、Ｐｅを可変として最大の消去比が得られる場合の消去比を用いる。前述のオーバーライト消去比に比べて、１−２ｄＢ程度高い値となる場合があるが、このような補正値を考慮すれば、オーバーライト消去率測定をＤＣ消去率測定によって代替することも可能である。
また、あらかじめ記録された記録信号のジッタが１倍速再生において３５ｎｓｅｃ（ナノ秒）に達するまでの時間を該記録媒体のアーカイバル寿命とするとき、温度８０℃、相対湿度８５％におけるアーカイバル寿命が２００時間以上であること、より好ましくは５００時間以上が望ましい。
さらに、本発明においては、上記特性を満足するために、より短時間で評価可能な条件として１０５℃以上での加速試験を適用し、変調度ｍ１１及び、結晶状態の反射率の上端値Ｒｔｏｐ（本明細書においては、単にＲｔｏｐという場合がある。）のいずれもが、温度１０５℃の加速試験環境下で３時間後もその初期値の好ましくは８０％以上を維持し、より好ましくは９０％以上を維持する。これは、現在市販されている１−４倍速対応のＣ
Ｄ−ＲＷがこの要件を満足するからである。特に上記加速試験後のｍ１１を、初期値の好ましくは８０％以上を維持し、より好ましくは９０％以上を維持するようにすれば、後述の記録層の結晶化温度を概ね１５０℃以上とすることができるようになる。
本発明における、線速又は線速度Ｖ（この段落ではＶは２４倍速又は３２倍速の線速度を示す。）における変調度ｍ１１、Ｒｔｏｐ、各マーク及びマーク間のジッター、デビエーション、アシンメトリー値、消去比等の規定は、線速１．２ｍ／ｓを基準速度（１倍速）Ｖ１としたとき、線速Ｖにおいて、データ基準クロック周期ＴがＶＴ＝Ｖ１Ｔ１（ただし、Ｔ１は２３１ｎｓｅｃである）であるように保ちながらＥＦＭ変調された信号を下記記録方式ＣＤ１−１又は記録方式ＣＤ１−２いずれかの条件内のある１つの記録方式で１０回オーバーライト記録した後に、１倍速での再生によって得られる記録信号から与えられる。
記録方式ＣＤ１−１；
波長７８０ｎｍの光を、開口数ＮＡが０．５の光学系を介して照射する。
この際、１つの非晶質マークの時間的長さをｎＴ（ｎは３から１１までの整数）としたとき、
記録マーク間に対しては、非晶質を結晶化し得る消去パワーＰｅを照射し、
ｎ＝２ｍ（ｍは３以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｊ）Ｔ、（ｊは−２．０〜２．０なる実数）を、
α１Ｔ、β１Ｔ、α２Ｔ、β２Ｔ、・・・・、αｍＴ、βｍＴ、
からなるｍ個のαｉＴとβｉＴとからなる区間に分割し、かつ、各区間がα１＝０．７〜１．４、αｉ＝０．７〜１．２（ｉは２〜ｍ−１の整数であり、αｉはかかるｉによらず０．７〜１．２の間の一定値αｃをとる）、β１＋α２＝１．７〜２．３、βｉ−１＋αｉ＝２（ｉは３〜ｍ−１の整数）、βｍ−１＋αｍ＝１．７〜２．３、αｍ＝０．７〜１．２、βｍ＝０〜２、の順に、Σｉ（αｉ＋βｉ）＝ｎ−ｊとなるように分割し、
ｎ＝２ｍ＋１（ｍは３以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｋ）Ｔ、（ｋは−２．０〜２．０なる実数）を、
α１’Ｔ、β１’Ｔ、α２’Ｔ、β２’Ｔ、・・・・、αｍ’Ｔ、βｍ’Ｔ、
からなるｍ個のαｉ’Ｔとβｉ’Ｔとからなる区間に分割し、かつ、各区間がα１’＝α１、β１’＝β１＋Δ１（Δ１＝０．３〜０．６）、αｉ’＝αｃ（ｉ＝２〜ｍ−１の整数）、βｉ−１’＋αｉ’＝２（ｉは３〜ｍ−１の整数）、βｍ−１’＝βｍ−１＋Δｍ−１（Δｍ−１＝０〜０．６）、αｍ’＝αｍ＋Δｍ（０＜Δｍ≦０．６）、Δｍｍ＝Δｍ−１＋Δｍ＝０．３〜０．６、βｍ’＝βｍの順に、Σｉ（αｉ’＋βｉ’）＝ｎ−ｋとなるように分割し、
αｉＴおよびαｉ’Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、記録層を溶融するに足る一定の記録パワーＰｗの記録光（ただし、Ｐｗは２０〜４０ｍＷであり、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．２〜０．６とする）を照射し、
βｉＴおよびβｉ’Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、１ｍＷ未満のバイアスパワーＰｂの記録光を照射する。
さらに、ｍが３以上の場合には、α１（＝α１’）、αｃ、βｍ（＝βｍ’）、β１、Δ１、βｍ−１、Δｍ−１、αｍ、Δｍはｍによらず一定である。
また、ｍ＝２（ｎ＝４、５）の場合には、α１、α１’、α２、α２’、β２、β２’をそれぞれｍが３の場合のα１、α１’、α３、α３’、β３、β３’と等しくするとともに、β１をｍが３の場合のβ１又はβ２のいずれかと等しくし、β１’をｍが３の場合のβ１’又はβ２’のいずれかと等しくする（但し、±１０％程度のずれは許容するものとする）。
ｍ＝１（ｎ＝３）の場合には、一対の記録パワー照射区間α１’Ｔとバイアスパワー照
射区間β１’Ｔからなる記録光の照射を行う。
記録方式ＣＤ１−２；
波長７８０ｎｍの光を、開口数ＮＡが０．５の光学系を介して照射する。
この際、１つの非晶質マークの時間的長さをｎＴ（ｎは３から１１までの整数）としたとき、
記録マーク間に対しては、非晶質を結晶化し得る消去パワーＰｅを照射し、
ｎ＝２ｍ（ｍは３以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｊ）Ｔ、（ｊは−２．０〜２．０なる実数）を、
α１Ｔ、β１Ｔ、α２Ｔ、β２Ｔ、・・・・、αｍＴ、βｍＴ、
からなるｍ個のαｉＴとβｉＴとからなる区間に分割し、かつ、各区間がα１＝０．７〜１．４、αｉ＝０．７〜１．２（ｉは２〜ｍ−１の整数であり、αｉはかかるｉによらず０．７〜１．２の間の一定値αｃをとる）、β１＋α２＝１．７〜２．３、βｉ−１＋αｉ＝２（ｉは３〜ｍ−１の整数）、βｍ−１＋αｍ＝１．７〜２．３、αｍ＝０．７〜１．２、βｍ＝０〜２、の順に、Σｉ（αｉ＋βｉ）＝ｎ−ｊとなるように分割し、
ｎ＝２ｍ＋１（ｍは３以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｋ）Ｔ、（ｋは−２．０〜２．０なる実数）を、
α１’Ｔ、β１’Ｔ、α２’Ｔ、β２’Ｔ、・・・・、αｍ’Ｔ、βｍ’Ｔ、
からなるｍ個のαｉ’Ｔとβｉ’Ｔとからなる区間に分割し、かつ、各区間がα１’＝α１、β１’＝β１、αｉ’＝αｃ（ｉ＝２〜ｍ−１の整数）、βｉ−１’＋αｉ’＝２（ｉは３〜ｍ−１の整数）、βｍ−１’＝βｍ−１＋Δｍ−１（Δｍ−１＝０〜０．６）、αｍ’＝αｍ＋Δｍ（０＜Δｍ≦０．６）、Δｍｍ＝Δｍ−１＋Δｍ＝０．５〜１．２、βｍ’＝βｍの順に、Σｉ（αｉ’＋βｉ’）＝ｎ−ｋとなるように分割し、
αｉＴおよびαｉ’Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、記録層を溶融するに足る一定の記録パワーＰｗの記録光（ただし、Ｐｗは２０〜４０ｍＷであり、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．２〜０．６とする）を照射し、
βｉＴおよびβｉ’Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、１ｍＷ未満のバイアスパワーＰｂの記録光を照射する。
さらに、ｍが３以上の場合には、α１（＝α１’）、β１（＝β１’）、αｃ、βｍ−１、Δｍ−１、αｍ、βｍ、Δｍ’はｍによらず一定である。また、ｍ＝２（ｎ＝４、５）の場合には、α１、α１’、β１、β１’、α２、α２’、β２、β２’をそれぞれｍ＝３の場合のα１、α１’、β２、β２’、α３、α３’、β３、β３’と等しくする（但し、±１０％程度のずれは許容するものとする）。
ｍ＝１（ｎ＝３）の場合には、一対の記録パワー照射区間α１’Ｔとバイアスパワー照射区間β１’Ｔからなる記録光の照射を行う。
なお、Σｉ（αｉ＋βｉ）等は、ｉに関して１〜ｍまでの和をとることを意味する。
本発明においては、上記基準線速の２４倍速又は３２倍速で書き換え可能なＣＤ−ＲＷディスクにおいては、基準線速の８倍速、１０倍速、１２倍速、１６倍速又は２０倍速の少なくともいずれか一つの線速においても、変調度ｍ１１、Ｒｔｏｐ、各マーク及びマーク間のジッター、デビエーション、アシンメトリー値、消去比の値が上記数値範囲となるようにするのが好ましい。
さらに、上記基準速度の８倍速、１０倍速、１２倍速、１６倍速、及び２０倍速のいずれか少なくとも一つの線速度をＶｍｉｎとし、基準速度の２４倍速又は３２倍速をＶｍａｘとした場合に、ＶｍｉｎとＶｍａｘとの間の全ての線速度Ｖにおいても、変調度ｍ１１、Ｒｔｏｐ、ジッター、デビエーション、アシンメトリー値、消去比の値が前記数値範囲となるようにするのが好ましい。これにより、後述のＰ−ＣＡＶ又はＣＡＶ方式での記録が可能となる。
ここで、８倍速、１０倍速、１２倍速、１６倍速又は２０倍速における変調度ｍ１１、Ｒｔｏｐ、ジッター、デビエーション、アシンメトリー値、消去比等の規定は、以下のようにして測定される。すなわち、線速１．２ｍ／ｓを基準速度（１倍速）Ｖ１としたとき、基準速度の８倍速（８Ｖ１）、１０倍速（１０Ｖ１）、１２倍速（１２Ｖ１）、１６倍速（１６Ｖ１）、又は２０倍速（２０Ｖ１）のいずれか一つにおいて、データ基準クロック周期ＴがＶＴ＝Ｖ１Ｔ１（ただし、Ｔ１は２３１ｎｓｅｃであり、Ｖは、１０Ｖ１、１２Ｖ１、１６Ｖ１、及び２０Ｖ１のいずれかである。）であるように保ちながらＥＦＭ変調された信号を下記記録方式ＣＤ２−１乃至は２−２のいずれかの条件内の一つの記録方式で１０回オーバーライト記録した後に、１倍速での再生によって得られる記録信号から与えられる。
記録方式ＣＤ２−１；
波長７８０ｎｍの光を、開口数ＮＡが０．５の光学系を介して照射する。
この際、１つの非晶質マークの時間的長さをｎＴ（ｎは３から１１までの整数）としたとき、
記録マーク間に対しては、非晶質を結晶化し得る消去パワーＰｅを照射し、
ｎ＝２ｍ（ｍは３以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｊ）Ｔ、（ｊは−２．０〜２．０までの実数）を、
α１Ｔ、β１Ｔ、α２Ｔ、β２Ｔ、・・・・、αｍＴ、βｍＴ、
からなるｍ個のαｉＴとβｉＴとからなる区間に分割し、かつ、各区間がα１＝０．１〜１、αｉ＝０．１〜１（ｉは２〜ｍ−１の整数であり、αｉはかかるｉによらず０．１〜１の間の一定値αｃをとる）、β１＋α２＝１．７〜２．３、βｉ−１＋αｉ＝２（ｉは３〜ｍ−１の整数）、βｍ−１＋αｍ＝１．７〜２．３、αｍ＝０．１〜１、βｍ＝０〜２、の順に、Σｉ（αｉ＋βｉ）＝ｎ−ｊとなるように分割し、
ｎ＝２ｍ＋１（ｍは３以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｋ）Ｔ、（ｋは−２．０〜２．０までの実数）を、
α１’Ｔ、β１’Ｔ、α２’Ｔ、β２’Ｔ、・・・・、αｍ’Ｔ、βｍ’Ｔ、
からなるｍ個のαｉ’Ｔとβｉ’Ｔとからなる区間に分割し、かつ、各区間がα１’＝α１、β１’＝β１＋Δ１（Δ１＝０．３〜０．６）、αｉ’＝αｃ（ｉは２〜ｍ−１の整数）、βｉ−１’＋αｉ’＝２（ｉは３〜ｍ−１の整数）、βｍ−１’＝βｍ−１＋Δｍ−１（Δｍ−１＝０〜０．６）、αｍ’＝αｍ＋Δｍ（０＜Δｍ≦０．６）、Δｍｍ＝Δｍ−１＋Δｍ＝０．３〜０．６、βｍ’＝βｍの順に、Σｉ（αｉ’＋βｉ’）＝ｎ−ｋとなるように分割し、
αｉＴおよびαｉ’Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、記録層を溶融するに足る一定の記録パワーＰｗの記録光（ただし、Ｐｗは２０〜４０ｍＷであり、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．２〜０．６とする）を照射し、
βｉＴおよびβｉ’Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、１ｍＷ未満のバイアスパワーＰｂの記録光を照射する。
さらに、ｍが３以上の場合には、α１（＝α１’）、αｃ、βｍ（＝βｍ’）、β１、Δ１、βｍ−１、Δｍ−１、αｍ、Δｍはｍによらず一定である。
また、ｍ＝２（ｎ＝４、５）の場合には、α１、α１’、α２、α２’、β２、β２’をそれぞれｍが３の場合のα１、α１’、α３、α３’、β３、β３’と等しくするとともに、β１をｍが３の場合のβ１又はβ２のいずれかと等しくし、β１’をｍが３の場合のβ１’又はβ２’のいずれかと等しくする（但し、±１０％程度のずれは許容するものとする）。但し、ｍ＝２におけるβ２’に関しては、さらに±０．５の範囲において値を変更しうるものとする。
ｍ＝１（ｎ＝３）の場合には、一対の記録パワー照射区間α１’Ｔとバイアスパワー照射区間β１’Ｔからなる記録光の照射を行う。
記録方式ＣＤ２−２；
波長７８０ｎｍの光を、開口数ＮＡが０．５の光学系を介して照射する。
この際、１つの非晶質マークの時間的長さをｎＴ（ｎは３から１１までの整数）としたとき、
記録マーク間に対しては、非晶質を結晶化し得る消去パワーＰｅを照射し、
ｎ＝２ｍ（ｍは３以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｊ）Ｔ、（ｊは−２．０〜２．０までの実数）を、
α１Ｔ、β１Ｔ、α２Ｔ、β２Ｔ、・・・・、αｍＴ、βｍＴ、
からなるｍ個のαｉＴとβｉＴとからなる区間に分割し、かつ、各区間がα１＝０．１〜１、αｉ＝０．１〜１（ｉは２〜ｍ−１の整数であり、αｉはかかるｉによらず０．１〜１の間の一定値αｃをとる）、β１＋α２＝１．７〜２．３、βｉ−１＋αｉ＝２（ｉは３〜ｍ−１の整数）、βｍ−１＋αｍ＝１．７〜２．３、αｍ＝０．１〜１、βｍ＝０〜２、の順に、Σｉ（αｉ＋βｉ）＝ｎ−ｊとなるように分割し、
ｎ＝２ｍ＋１（ｍは３以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｋ）Ｔ、（ｋは−２．０〜２．０までの実数）を、
α１’Ｔ、β１’Ｔ、α２’Ｔ、β２’Ｔ、・・・・、αｍ’Ｔ、βｍ’Ｔ、
からなるｍ個のαｉ’Ｔとβｉ’Ｔとからなる区間に分割し、かつ、各区間がα１＝α１、β１’＝β１、αｉ’＝αｃ（ｉは２〜ｍ−１の整数）、βｉ−１’＋α ｉ ’＝２（ｉは３〜ｍ−１の整数）、βｍ−１’＝βｍ−１＋Δｍ−１（Δｍ−１＝０〜０．６）、αｍ’＝αｍ＋Δｍ（０＜Δｍ≦０．６）、Δｍｍ＝Δｍ−１＋Δｍ＝０．５〜１．２、βｍ’＝βｍ＋Δｍ’（Δｍ’＝０〜１）の順に、
Σｉ（αｉ’＋βｉ’）＝ｎ−ｋとなるように分割し、
αｉＴおよびαｉ’Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、記録層を溶融するに足る一定の記録パワーＰｗの記録光（ただし、Ｐｗは２０〜４０ｍＷであり、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．２〜０．６とする）を照射し、
βｉＴおよびβｉ’Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、１ｍＷ未満のバイアスパワーＰｂの記録光を照射する。
さらに、ｍが３以上の場合には、α１（＝α１’）、β１（＝β１’）、αｃ、βｍ−１、Δｍ−１、αｍ、βｍ、Δｍ’はｍによらず一定である。
また、ｍ＝２（ｎ＝４、５）の場合には、α１、α１’、β１、β１’、α２、α２’、β２、β２’をそれぞれｍ＝３の場合のα１、α１’、β２、β２’、α３、α３’、β３、β３’と等しくする（但し、±１０％程度のずれは許容するものとする）。
ｍ＝１（ｎ＝３）の場合には、一対の記録パワー照射区間α１’Ｔとバイアスパワー照射区間β１’Ｔからなる記録光の照射を行う。
ここに、記録方式ＣＤ１−１、１−２、２−１及び２−２において、ｊ，ｋはｎごとに異なる値をとっても良い。また、Ｐｗ、Ｐｂ、Ｐｅは一定のパワ−レベルであり、Ｐｂ≦Ｐｅ≦Ｐｗとしている。そして、記録方式ＣＤ１−１、１−２又は記録方式ＣＤ２−１、２−２をもちいて、ＥＦＭランダムパターンの記録を行うのであるが、Ｐｅ／Ｐｗ比は０．２〜０．６の間のいずれかの値で一定にして、Ｐｗを２０〜４０ｍＷの間で変化させ、最も良好な特性が得られるＰｗにおいて、各マーク長及びマーク間のジッタ、ｍ１１、及びＲｔｏｐがそれぞれ、上記の値を満足すればよい。ここで、パワー値Ｐｗ，Ｐｅ，Ｐｂ等は、記録光ビームのうちの主ビームのみのパワーをいい、いわゆる３ビーム法におけるサーボ用のサブビームのように記録に直接関係のないビームに配分されるパワーは除いて考える。Ｐｅ／Ｐｗ比に関しては、まず、０．３〜０．４の間の値を採用し、その結果、上記のｍ１１、Ｒｔｏｐ、アシンメトリー、デビエーション等の要件が満足されなければ、０．２〜０．３あるいは、０．３〜０．６の間の値を用いる。
また、記録パルス区間αｉＴ、αｉ’Ｔ、オフパルス区間βｉＴ及びβｉ’Ｔのそれぞ
れにおける光のパワーレベルは、記録パルス区間ではＰｗでオフパルス区間ではＰｂで一定とする。ただし、高周波重畳を印可する場合は、Ｐｗ及びＰｂはその区間における平均パワーで定義する。さらに、レーザーダイオードの応答上やむを得ないオーバーシュート、アンダーシュートは許容する。記録パルスαｉＴ及びαｉ’Ｔの立ち上がり立ち下がりは、約３ｎｓｅｃ以下とするが、１ｎｓｅｃ以上２ｎｓｅｃ以下とすることが好ましい。
記録方式ＣＤ１−１及び１−２は、特開２００１−３３１９３６号公報に示されたような、記録パルス（Ｐｗ照射区間）とオフパルス（Ｐｂ照射区間）とを周期２Ｔを基本とする繰り返し周期で交互に発生させる記録パルス分割方法にさらに検討を加えたものである。すなわち、本発明においては、上記２Ｔ周期をベースとする記録ストラテジーのうち、特に、２４乃至は３２倍速でオーバーライト可能なＣＤ−ＲＷに適し、かつ、特に産業上有用な低コストかつ簡便な記録パルス分割方法を見出した。本発明の記録パルスストラテジーを用いることにより、複数のドライブで記録しても記録品位が保ちやすく互換性が確保しやすい記録媒体とその記録方法が提供されるようになる。
そのために、本発明においては、周期２Ｔを基本とする記録パルス分割方法における可変とすべきパラメータとその範囲を限定する。そして本発明においては、上記周期２Ｔを基本とする記録パルス分割方法における数あるパラメータのうち、２４倍速又は３２倍速における記録品位を良好に保つために必要な最低限のパラメータを見出してこれを変化させている。可変とするパラメータの数を多くすれば２４倍速又は３２倍速での良好な記録の達成は比較的容易とある。しかし、数多くのパラメータを可変とすることは、光記録媒体に記録を行う記録装置におけるパルス発生の電子回路（集積回路）の設計をいたずらに複雑にするだけである。このため、本発明においては上記電子回路（集積回路）の設計を容易にしつつ、かつ２４倍速記録又は３２倍速記録を良好に行うことができるＣＤ−ＲＷを実現できるような最低限のパラメータを見出したのである。
２４倍速又は３２倍速で良好な記録を行うために可変とすべき最低限のパラメータは、２４倍速乃至は３２倍速でオーバーライト可能な記録媒体の検討とパルス分割記録方法とを相互にフィードバックをかけながら検討を行うことにより実現できるものである。従って、本発明は、記録媒体と記録方法とを同時に実現するという高度な創作により実現されたものである。
このような検討により、本発明においては、未だ実現されていない８あるいは１０倍速から２４あるいは３２倍速という極めて広範囲の線速度で、記録及び再生の互換性の高いＣＤ−ＲＷ記録媒体と記録方法を提供することができるようになるのである。
ＣＤ−ＲＷにおけるＥＦＭ変調の場合、マーク長ｎＴは、ｎ＝３，４，５，６，７，８，９，１０，１１の場合があるが、それぞれを、ｍ＝１，２，２，３，３，４，４，５，５個の２Ｔを基本とする周期に分割し、ｍ個の記録パルスとオフパルスの組に分割した記録パルスで記録を行う。本発明では、２４倍速又は３２倍速でオーバーライト可能なＣＤ−ＲＷ記媒体を明確に規定するために、特に記録方式ＣＤ１−１、及び１−２に示したような限定を行っている。
図３は、上記記録方式ＣＤ１−１、及び２−１におけるパルス分割方法を実施する場合の、各記録パルスの関係の一例を示した図である。尚、図３（ｂ）におけるマーク長２ｍＴを形成するための記録パルス及びオフパルスの時間幅は、本来は、α１Ｔ、β１Ｔ、αｃＴ、…、αｍＴ、βｍＴと表されるが、図を見やすくする観点から、図３（ｂ）においては、単にα１、β１、αｃ、…、αｍ、βｍと記載し、基準クロック周期Ｔの表示を省略してある。これは図３（ｃ）においても同様である。
図３に示すように、本発明の光記録方法においては、ｎＴマークのｎのとり得る値が奇
数であるか偶数であるかに分けて考える。分割数ｍが同じ偶数長マークと奇数長マークのマーク長差１Ｔの補正を、先頭の記録パルスの次のオフパルス区間β１Ｔ及び最後尾から２番目の記録パルス周期の区間（βｍ−１＋αｍ）Ｔに分散して割り当てる。つまり、マーク長１Ｔの補正をオフパルス長β１Ｔ及びβｍ−１Ｔ、さらには最後尾の記録パルス区間パルスαｍＴの調整にて行う。
図３において、３００は周期Ｔの基準クロックをあらわす。
図３（ａ）は、長さｎＴ＝２ｍＴ、もしくはｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔの記録マークに対応したパルス波形であり、符号３０１が長さ２ｍＴの記録マークの長さに、符号３０２が長さ（２ｍ＋１）Ｔの記録マークの長さに対応する。図３（ａ）においては、ｍ＝５の場合が示してある。
図３（ｂ）の３０３は、ｎ＝２ｍ（＝１０）の場合の分割記録パルスの波形であり、図３（ｃ）の３０７は、ｎ＝２ｍ＋１（＝１１）の場合の分割記録パルスの波形である。
Ｔｄ１にＴをかけた値は、α１Ｔ及びα１’ＴのｎＴマークの前端Ｔ０に対する遅延時間であり、通常はｎによらず一定とし、さらに通常は、記録パルス発生回路の同期の取り易さから、（Ｔｄ１＋α１）Ｔ＝（Ｔｄ１＋α１’）Ｔ＝２Ｔとするが、さらに±０．５Ｔ程度の微調整は許容する。特に、３Ｔ，４Ｔ，５Ｔマークにおいては、そのような遅延時間の微調整を行うことが好ましい。記録パルス区間αｉＴ（ｉ＝１〜ｍ）における記録パワーレベルはＰｗで一定であり、オフパルス区間βｉＴ（ｉ＝１〜ｍ）におけるバイアスパワーレベルはＰｂで一定であり、マークとマークの間、すなわちαｉＴ（ｉ＝１〜ｍ）及びβｉＴ（ｉ＝１〜ｍ）以外の区間における光照射のパワーは消去パワーＰｅで一定とする。ｎが偶数の場合は、先頭の記録パルスと最後尾のオフパルスを除く区間３０４（つまり図３の３０５、３０６を除く区間）では、（βｉ−１＋αｉ）Ｔ＝２Ｔ（ｉ＝２〜ｍ）で一定とする。ただし、（β１＋α２）Ｔ、及び（βｍ−１＋αｍ）Ｔについてのみ、±０．３Ｔの範囲で微調整可能とする。一方、ｎが奇数の場合は、図３の区間３０８、（βｉ−１’＋αｉ’）Ｔ＝２Ｔ（ｉ＝３〜ｍ−１）で一定とする。
そして、同一分割数でｎ＝２ｍ及び２ｍ＋１の２種類のマーク長を記録するために、区間（β１＋α２）Ｔ、及び区間（βｍ−１＋αｍ）Ｔをそれぞれ約０．５Ｔずつ増減して長さを調整する。なお、熱干渉等の影響で、この値は正確に０．５Ｔとなるとは限らないが、概ね０．３Ｔ〜０．６Ｔの範囲にある。βｍ及びβｍ’は、０〜２の範囲にあってほぼ同じ値をとるが、βｍ＝βｍ’とすることが好ましい。
図３において、偶数長マークｎＴ＝１０Ｔと奇数長マークｎＴ＝１１Ｔのマーク長の差１Ｔ分の記録は、以下の操作１、２によって行われる。
操作１： 図３の区間３０９のように、区間（β１’＋α２’）Ｔの、β１’のみにΔ１を付加し、β１’＝β１＋Δ１、α２’＝αｃとする。
操作２： 図３の区間３１０のように、区間（βｍ−１’＋αｍ’）ＴにΔｍｍＴを付加する。ここで、Δｍｍ＝Δｍ−１＋Δｍとして、ΔｍｍをΔｍ−１とΔｍとに分けて、βｍ−１にはΔｍ−１を付加し、αｍにはΔｍを付加する。尚、Δｍ−１はゼロであってもよい。
本発明においては、Δｍは０よりも大きく（Δｍ＞０とする）して、αｍ≠αｍ’とする。Δｍを０よりも大きくすることにより、同一分割数ｍのうちのｎが奇数である記録マーク後端部の形状が安定してジッタ特性が飛躍的に改善される。さらに好ましいのは、Δｍ−１とΔｍとをほぼ等しい値とすることである。Δｍ−１とΔｍとをほぼ等しくすれば、ジッタ特性を良好に保ちつつも、記録パルスストラテジーの記録パルス及びオフパルスにおけるレーザー光（パルス光）の発生を制御する電子回路（集積回路）の設計を簡便にすることができるようになる。
以上の操作は３以上のｍにおいて行われ、Δ１、Δｍｍは、０．３〜０．６の値をとるものとする。Δｍ−１、及びΔｍは、Δｍｍをどのように配分するかによって値が決まり、Δｍ−１は０〜０．６の値をとり得、Δｍは０より大きく０．６以下の値を取り得る。
前述したように、区間（β１＋α２）Ｔ、及び区間（βｍ−１＋αｍ）Ｔをそれぞれ約０．５Ｔずつ増減して長さを調整するためには、Δ１及びΔｍｍを０．６としてもよいが、Δｍ−１、Δｍは、０．５以下の値とすることが好ましい。
以下、記録方式ＣＤ１−１におけるｍが３以上、ｍ＝２、及びｍ＝１の場合についてそれぞれ説明する。記録方式ＣＤ２−１については後述する。
記録方式ＣＤ１−１においては、ｍが３以上では、α１’＝α１、βｍ’＝βｍとし、αｉ及びαｉ’は、ｉ＝２〜ｍ−１に対しては、αｃでｉによらず一定とする。また、αｍ及びαｍ’もｍによらず一定値とする。さらにα１（α１’）は、０．７〜１．４、αｃは０．７〜１．２、αｍは０．７〜１．２とする。
さらに、ｍが３以上の場合には、α１（＝α１’）、αｃ、βｍ（＝βｍ’）、β１、Δ１、βｍ−１、Δｍ−１、Δｍはｍによらず一定とする。２４倍速又は３２倍速においては、αｃ＝αｉ（ｉ＝２〜ｍ−１）は、まず、０．９〜１の範囲の値とし、その後±０．２の範囲（０．７〜１．２の範囲）で微調整を行う。α１及びαｍは、まずαｃと同じ値を採用し、そしてαｃより最大０．３程度大きい範囲で微調整を行うものとする。
ここで、ｍ＝２（ｎ＝４，５）の場合に、ｍ−１＝１であるから、区間（β１＋α２）Ｔは、区間（βｍ−１＋αｍ）Ｔとも解される。この場合、（β１’＋α２’）Ｔを（β１＋α２）Ｔより約１Ｔ長くするのであるが、より具体的には、α１、α１’、α２、α２’、β２、β２’をそれぞれｍが３の場合のα１、α１’、αｍ、αｍ’、βｍ、βｍ’と等しくするとともに、β１をｍが３の場合のβ１又はβｍ−１のいずれかと等しくし、β１’をｍが３の場合のβ１’又はβｍ−１’のいずれかと等しくする。尚、「等しくする」とはいっても、±１０％程度のずれは許容されるものとする。
このようにして、偶数長マークに対して、図３（ｂ）の点線で示される記録パルス列３０３が得られ、奇数長マークに対して、図３（ｃ）の点線で示される記録パルス列３０７が得られる。
なお、ｍ＝１（ｎ＝３）の場合には、一対の記録パワー照射区間α１’Ｔとバイアスパワー照射区間β１’Ｔからなる記録光の照射を行う。この場合、α１’は、２以上のｍにおけるα１’より０．１から１．５程度大きくし、β１’は２以上のｍにおけるβ１’より小さく、かつ、βｍ、βｍ’と同じか、それらより大きくするのが好ましい。また、β１’の範囲は０以上２以下とすることが好ましい。
図１６は、上記記録方式ＣＤ１−２及び２−２におけるパルス分割方法を実施する場合の、各記録パルスの関係の一例を示した図である。尚、図１６（ｂ）におけるマーク長２ｍＴを形成するための記録パルス及びオフパルスの時間幅は、本来は、α１Ｔ、β１Ｔ、αｃＴ、…、αｍＴ、βｍＴと表されるが、図を見やすくする観点から、図１６（ｂ）においては、単にα１、β１、αｃ、…、αｍ、βｍと記載し、基準クロック周期Ｔの表示を省略してある。これは図１６（ｃ）においても同様である。
図１６に示すように、ｎＴマークのｎのとり得る値が奇数であるか偶数であるかに分けて考える。分割数ｍが同じ偶数長マークと奇数長マークのマーク長差１Ｔの補正を、記録パルス周期（βｍ−１＋αｍ）Ｔ及び最後尾のオフパルスβｍＴに分散して割り当てる。つまり、マーク長１Ｔの補正をオフパルス長βｍ−１Ｔ及びβｍＴ、さらには最後尾の記録パルス区間パルスαｍＴの調整にて行う。
この記録方式は、図３に示した記録方式（記録方式ＣＤ１−１、２−１）と比較して、偶数、奇数マークで変化させる記録パルス及びオフパルスが、マークの後端部付近に集中しているので、記録マークの後端ジッタがより制御しやすくなる利点を有するのみならず、記録パルスストラテジーの記録パルス及びオフパルスにおけるレーザー光（パルス光）の発生を制御する電子回路（集積回路）の設計が簡便となる利点がある。さらに、可変とすべきパラメータ数が少ないという利点がある。
図１６において、４００は周期Ｔの基準クロックをあらわす。
図１６（ａ）は、長さｎＴ＝２ｍＴ、もしくはｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔの記録マークに対応したパルス波形であり、符号４０１が長さ２ｍＴの記録マークの長さに、符号４０２が長さ（２ｍ＋１）Ｔの記録マークの長さに対応する。図１６（ａ）においては、ｍ＝５の場合が示してある。
図１６（ｂ）の４０３は、ｎ＝２ｍ（＝１０）の場合の分割記録パルスの波形であり、図１６（ｃ）の４０６は、ｎ＝２ｍ＋１（＝１１）の場合の分割記録パルスの波形である。
Ｔｄ１にＴをかけた値は、α１Ｔ及びα１’ＴのｎＴマークの前端Ｔ０に対する遅延時間であり、通常はｎによらず一定とし、さらに通常は、記録パルス発生回路の同期の取り易さから、（Ｔｄ１＋α１）Ｔ＝（Ｔｄ１＋α１’）Ｔ＝２Ｔとするが、さらに±０．５Ｔ程度の微調整は許容する。特に、３Ｔ，４Ｔ，５Ｔマークにおいては、そのような遅延時間の微調整を行うことが好ましい。記録パルス区間αｉＴ（ｉ＝１〜ｍ）における記録パワーレベルはＰｗで一定であり、オフパルス区間βｉＴ（ｉ＝１〜ｍ）におけるバイアスパワーレベルはＰｂで一定であり、マークとマークの間、すなわちαｉＴ（ｉ＝１〜ｍ）及びβｉＴ（ｉ＝１〜ｍ）以外の区間における光照射のパワーは消去パワーＰｅで一定とする。ｎが偶数である場合には、区間４０４では、（βｉ−１＋αｉ）Ｔ＝２Ｔ（ｉ＝２〜ｍ）で一定とする。ただし、（β１＋α２）Ｔ、及び（βｍ−１＋αｍ）Ｔについてのみ、±０．３Ｔの範囲で微調整可能とする。一方、ｎが奇数の場合は、図１６の区間４０７では、（βｉ−１’＋αｉ’）Ｔ＝２Ｔ（ｉ＝２〜ｍ−１）で一定とする。ただし、（β１’＋α２’）Ｔは（β１＋α２）Ｔと等しくする。
そして、同一分割数でｎ＝２ｍ及び２ｍ＋１の２種類のマーク長を記録するために、区間（βｍ−１＋αｍ）Ｔをそれぞれ約１Ｔ増減して長さを調整する。なお、熱干渉等の影響で、この値は正確に１Ｔとなるとは限らないが、概ね０．５〜１．２Ｔの範囲とする。βｍとβｍ’とは、０〜２の範囲（記録方式ＣＤ２−２では、βｍ’＝０〜３の範囲）でほぼ同じ値をとるが、マーク後端ジッタへの影響を補正するために、βｍ、βｍ’も個別に微調整する。特に、記録方式ＣＤ２−２ではβｍ’＝βｍ＋Δｍ’とし、βｍにΔｍ’（＝０〜１）を付加する。
図１６において、偶数長マークｎＴ＝１０Ｔと奇数長マークｎＴ＝１１Ｔのマーク長の差１Ｔ分の記録は、以下の操作３によって行われる。
操作３： 図１６の区間４０８のように、区間（βｍ−１＋αｍ）ＴにΔｍｍＴを付加して、（βｍ−１’＋αｍ’）Ｔとする。ここで、Δｍｍ＝Δｍ−１＋Δｍとして、ΔｍｍをΔｍ−１とΔｍとに分けて、βｍ−１にはΔｍ−１を付加し、αｍにはΔｍを付加する。また、マーク後端のジッタへの影響を補正するため、βｍにΔｍ’を付加して、βｍ’とする。
以上の操作は３以上のｍにおいて行われ、Δｍｍは、０．５〜１．２の値をとるものとする。Δｍ−１、及びΔｍは、Δｍｍをどどのように配分するかによって、それぞれ０〜０．６の値をとり得る。Δｍ−１はゼロであってもよいが、Δｍは０よりも大きくして、
αｍ≠αｍ’とする。Δｍを０よりも大きくすることにより、同一分割数ｍのうちのｎが奇数である記録マーク後端部の形状が安定してジッタ特性が飛躍的に改善される。さらに好ましいのは、Δｍ−１とΔｍとをほぼ等しい値とすることである。Δｍ−１とΔｍとをほぼ等しくすれば、ジッタ特性を良好に保ちつつも、パルス光の発生を制御する電子回路（集積回路）の設計を簡便にすることができるようになる。
Δｍ’は０〜１の値をとり、より好ましくは０〜０．６の値をとる。特に１６倍速程度より低線速度では、２４あるいは３２倍速における場合より、Δｍ’は大きくするのが好ましい。一方、２４あるいは３２倍速では、Δｍ’＝０とするのが好ましい。
以下、記録方式ＣＤ１−２におけるｍが３以上、ｍ＝２、及びｍ＝１の場合についてそれぞれ説明する。記録方式ＣＤ２−２については後述する。
記録方式ＣＤ１−２においては、ｍが３以上では、α１’＝α１、β１’＝β１とし、αｉ及びαｉ’は、ｉ＝２〜ｍ−１に対しては、αｃでｉによらず一定とする。また、α１（＝α１’）は、０．７〜１．４の範囲の値をとり、αｃ及びαｍは０．７〜１．２の範囲の値とする。より好ましくは、α１（＝α１’）、αｃ、及びαｍは０．７〜１の範囲とする。
さらに、ｍが３以上の場合には、α１（＝α１’）、β１、αｃ、βｍ−１、Δｍ−１、αｍ、Δｍ、βｍ、Δｍ’はｍによらず一定とする。２４倍速又は３２倍速においては、αｃ＝αｉ（ｉ＝２〜ｍ）は、まず、１とし、その後さらに±０．２の範囲で微調整を行うのが好ましい。α１及びαｍは、まずαｃと同じ値を採用し、そしてαｃより最大０．３程度大きい範囲で微調整を行う。Δｍ、Δｍ−１は約０．４を初期値とし、所定のマーク長が得られるように微調整を行う。また、区間４１０のβｍ’はまず、区間４０５のβｍと等しくし、その後、微調整を行う。
ここで、ｍ＝２の場合に、（β１’＋α２’）Ｔを（β１＋α２）Ｔより約１Ｔ長くするのであるが、ｍ−１＝１であるから、それぞれを、（βｍ−１’＋αｍ’）Ｔ及び（βｍ−１＋αｍ）Ｔとみなすことができる。そして、α１、α１’、β１、β１’、α２、α２’、β２、β２’をそれぞれｍ＝３の場合のα１、α１’、β２、β２’、α３、α３’、β３、β３’と等しくする。ただしｍ＝２のα１、α１’、β１、β１’、α２、α２’、β２、及びβ２’は、±１０％程度の微調整をさらに行っても良い。
このようにして、偶数長マークに対して、図１６（ｂ）の点線で示される記録パルス列４０３が得られ、奇数長マークに対して、図１６（ｃ）の点線で示される記録パルス列４０６が得られる。
なお、ｍ＝１（ｎ＝３）の場合には、一対の記録パワー照射区間α１’Ｔとバイアスパワー照射区間β１’Ｔからなる記録光の照射を行う。この場合、α１’は、２以上のｍにおけるα１’より０．１から１．５程度大きくするのが好ましい。また、β１’の範囲は０以上２以下とすることが好ましい。
記録方式ＣＤ２−１においては、記録方式ＣＤ１−１と同様のルールで偶数長マークと奇数長マークを記録し、記録方式ＣＤ２−２においては、記録方式ＣＤ１−２と同様のルールで偶数長マークと奇数長マークを記録するのであるが、αｉ、αｉ’（ｉ＝１〜ｍ）は、２４又は３２倍速の線速で記録する場合より小さな値とし０．１〜１の範囲とする。これに伴い、βｉ、βｉ’（ｉ＝１〜ｍ）は、２４倍速又は３２倍速の線速で記録する場合より大きい値とする。さらに、記録方式ＣＤ２−２の場合には、特にΔ’ｍを０以上１以下の範囲で可変とする。また、Δｍ−１＋Δｍ＋Δｍ’を０．５以上１．５以下の範囲とするのが好ましい。
記録方式ＣＤ１−１あるいは記録方式ＣＤ１−２において最大線速度Ｖｍａｘを２４倍速又は３２倍速とした場合のαｉ、αｉ’をαｉ０、αｉ０’とするとき、同一媒体を８倍速、１０倍速、１２倍速、１６倍速、２０倍速（すなわち、線速Ｖを８Ｖ１、１０Ｖ１、１２Ｖ１、１６Ｖ１、及び２０Ｖ１のいずれかとして）で記録方式ＣＤ２−１あるいは記録方式ＣＤ２−２において記録する場合には、概ね、αｉ＝η（Ｖ／Ｖｍａｘ）αｉ０、αｉ’＝η（Ｖ／Ｖｍａｘ）αｉ０’と設定し、その後微調整±０．１程度の範囲で微調整を行う。
ここで、ηは０．８〜１．５の範囲の実数である。特に、１．０から１．３の範囲の値をまず採用し、その後、０．８〜１．５の範囲に拡大して測定を行う。
なお、記録方式ＣＤ２−１、２−２においては、ｎ＝５おいて例外的なルールを適用しうるものとする。
つまり、記録方式ＣＤ２−１においては、ｍ＝２（ｎ＝４、５）の場合には、α１、α１’、α２、α２’、β２、β２’をそれぞれｍが３の場合のα１、α１’、α３（αｍ）、α３’（αｍ’）、β３（βｍ）、β３’（βｍ’）と等しくするとともに、β１をｍが３の場合のβ１又はβ２（βｍ−１）のいずれかと等しくし、β１’をｍが３の場合のβ１’又はβ２’（βｍ−１’）のいずれかと等しくする。但し、「等しくする」とはいっても、±１０％程度のずれは許容されるものとする。また、ｍ＝２におけるβ２’に関しては、さらに±０．５の範囲において値を変更しうるものとする。
また、記録方式ＣＤ２−２においては、ｍ＝２（ｎ＝４、５）の場合には、α１、α１’、β１、β１’、α２、α２’、β２、β２’をそれぞれｍ＝３の場合のα１、α１’、β２（βｍ−１）、β２’（βｍ−１’）、α３（αｍ）、α３’（αｍ’）、β３（βｍ）、β３’（βｍ’）と等しくする。ただし、「等しくする」とはいっても、±１０％程度のずれは許容されるものとする。さらに、ｎ＝３の場合のβ１’は０以上３以下の範囲とするのが好ましい。
２４倍速までの使用を想定するＣＤ−ＲＷにおいては、例えば、１０倍速と２４倍速あるいは、１２倍速と２４倍速とでの記録特性を規定し、３２倍速までの使用を想定するＣＤ−ＲＷにおいては、１０倍速と３２倍速とでの記録特性又は、１２倍速と３２倍速とでの記録特性又は、１６倍速と３２倍速とでの記録特性をそれぞれ規定すること等で、後述のＣＡＶ記録方式やＰ−ＣＡＶ記録方式、ＺＣＬＶ記録方式に適した媒体を、ドライブでの記録再生互換性の観点から見てほぼ一義的に規定できる。この場合には、低線速側の測定における記録方式ＣＤ２−１又は２−２において、αｉ、αｉ’、βｉ、βｉ’の値を上記のように線速に概ね比例するように定めておく（αｉ＝η（Ｖ／Ｖｍａｘ）αｉ０、αｉ’＝η（Ｖ／Ｖｍａｘ）αｉ０’）ことが、媒体特性をより良好に規定できるので好ましい。
このようにして、最小線速と最大線速との比が２倍以上となる異なる記録速度範囲における、複数の記録線速度における書き換え型光記録媒体の特性を定義することは、記録ドライブからみた媒体の記録再生互換性を確保する点からも好ましい方法である。特に、記録方式ＣＤ１−１は記録方式ＣＤ２−１と組み合わせて用い、記録方式ＣＤ１−２は記録方式ＣＤ２−２と組み合わせて用いることがより好ましい。
このように特定範囲の媒体を規定する場合には、記録方式ＣＤ１−２と記録方式ＣＤ２−２を組み合わせて、最高線速度Ｖｍａｘが２４倍速又は３２倍速である書き換え型ＣＤ−ＲＷを規定することが特に好ましい。
さらに、このような３２倍速又は２４倍速対応の媒体特性の規定方法において、記録方式ＣＤ１−２において、特に以下のように限定した記録方式ＣＤ１−３とすることで、より具体的に媒体特性を限定できる。従って、そのような媒体を複数の記録装置で記録する場合の互換性が確保できて好ましい。すなわち、
（記録方式ＣＤ１−３）
ｍ＝２以上のマーク長においては、Ｔｄ１’＝Ｔｄ１＝２−αｃ、αｉ’＝αｉ＝αｃ（ｉ＝１〜ｍ−１）、βｉ’＝βｉ＝２−αｃ（ｉ＝１〜ｍ−２）、αｍ＝αｃ、βｍ−１＝２−αｃで一定、かつ、βｍ−１’＝１＋Δｍ０（０＜Δｍ０≦０．６）、αｍ’＝１＋Δｍ０（０＜Δｍ０≦０．６）、βｍ’＝βｍ＋Δｍ’とし、Δ ｍ０ 、Δ ｍ ’、をｍによらず一定とする。ここで、ｍ＝２の場合、β１、β１’、α２、α２’、β２、β２’は、それぞれ、ｍ＝３の場合のβ２（βｍ−１）、β２’（βｍ−１’）、α３（αｍ）、α３’（αｍ’）、β３（βｍ）、β３’（βｍ’）とみなす。αｃは０．７〜１．２、より好ましくは０．７〜１、特に好ましくは０．９〜１とする。
ここで、記録方式ＣＤ１−３と、以下の記録方式ＣＤ２−３を組み合わせて、使用する最高線速度Ｖｍａｘが２４倍速又は３２倍速である書き換え型ＣＤ−ＲＷを規定することが特に好ましい。
すなわち、（記録方式ＣＤ２−３）
ｍ＝２（ｎ＝４）以上のマーク長においては、Ｔｄ１’＋α１’＝Ｔｄ１＋α１＝２、αｉ＝αｃ（ｉ＝１〜ｍ）、αｉ’＝αｃ（ｉ＝１〜ｍ−１）、ただし、αｃ＝０．１〜１、βｉ−１＋αｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ）、βｉ−１’＋αｉ’＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）、かつ、βｍ−１’＝βｍ−１＋Δｍ０（０＜Δｍ０≦０．６）、αｍ’＝αｍ＋Δｍ０（０＜Δｍ０≦０．６）、βｍ’＝βｍ＋Δｍ’（Δｍ’＝０〜１）とし、さらにΔｍ０、βｍ、Δｍ’をｍによらず一定とする。ここで、ｍ＝２の場合、β１、α２、β２は、それぞれ、ｍ＝３の場合のβ２（βｍ−１）、β３（βｍ）、α３’（αｍ’）とみなす。
記録方式ＣＤ１−３及び２−３においては、分割数ｍが同一である偶数の記録マーク及び奇数の記録マークにおいて、奇数の記録マークを形成する際に、最後の一つ前のオフパルス区間（βｍ−１’）と、最後の記録パルス区間（αｍ’）とに等しいΔｍ（記録方式ＣＤ１−３、２−３ではΔｍ０と表している。）を付与する点に特徴がある。等しいΔｍ（記録方式ＣＤ１−３、２−３ではΔｍ０と表している。）を付与することによって、記録マークの形成を行う記録パルスストラテジーの記録パルス及びオフパルスのレーザー光（パルス光）の発生を制御する電子回路（集積回路）の設計が簡便になり、電子回路（集積回路）コストダウンを図ることができるようになる。
特に、記録マーク後端部の形状を安定させてジッタ特性を改良する観点からは、Δｍを０より大きくすることが好ましい。具体的には、記録方式１−３、２−３においてΔｍ０とし、Δｍ０を０＜Δｍ０≦０．６の範囲とすることが好ましい。記録マーク後端部の形状を安定化するためにさらに好ましいのは、Δｍ０を０＜Δｍ０≦０．５の範囲とすることである。
また、ｎが奇数である記録マークの後端部の形状を安定化してジッタ特性を改良する観点から、Δｍ’を０≦Δｍ’≦１の範囲とするのが好ましく、０≦Δｍ’≦０．６の範囲とするのがより好ましく、０≦Δｍ’≦０．５の範囲とするのが特に好ましい。
そして、各線速度において、図１７の手順に従って、最小限のパラメータの最適値を見出していく。すなわち、
１）Ｐｗ、Ｐｅ及びＰｂの暫定値Ｐｗａ、Ｐｅａ 、Ｐｂ ａ を決める。
２）偶数マーク及びスペース長（ｎ＝４，６，８，１０をすべて含む）だけからなるＥＦＭ信号をＰｗａ，Ｐｅａ、Ｐｂａを照射して記録する。αｃ、βｍを可変として、ｍ１１＝０．６〜０．８となる範囲内で、１倍速再生時に各マーク長及びスペース長が所定の長さとして再生され、ジッター値が３５ｎｓｅｃとなるようなαｃ、βｍを決める。
３）続いて、上記偶数長マーク及びスペース長だけからなるＥＦＭ信号に、ｎ＝３以外の奇数マーク長およびスペース長（ｎ＝５，７，９，１１をすべて含む）を加えてなるＥＦＭ信号をＰｗａ，Ｐｅａ、Ｐｂａを照射して記録する。αｃ、βｍは、上記値を用い、Δｍ０＝Δｍ−１＝Δｍ、Δｍ’を可変として、１倍速再生時に各マーク長、及びスペース長が所定の長さとして再生され、ジッター値が３５ｎｓｅｃとなるような値を見出す。
４）最後に、３Ｔマーク及びスペースを加えた、完全なＥＦＭ信号をＰｗａ，Ｐｅａ、Ｐｂａを照射して記録する。ｎ＝２以上のマーク長に関しては、上記、αｃ、βｍ、Δｍ０＝Δｍ−１＝Δｍ、Δｍ’値を用いる。ｎ＝３に関する、Ｔｄ１’、α１’、β１’のみ可変として、１倍速再生時に３Ｔマーク長およびスペース長が所定の長さとして再生され、ジッター値が３５ｎｓｅｃとなるような値を見出す。
５）Ｐｗａ，Ｐｅａを可変として、ｍ１１＝０．６〜０．８の範囲で、主としてジッタ又はエラーレートが最小となるようＰｗ，Ｐｅの微調整を行う。
という手順である。各ステップにおいて、ｍ１１＝０．６〜０．８、ジッタ３５ｎｓｅｃが得られなければ、その媒体は本発明要件を満足しないといえる。
なお、図１７において、Ｐｅ／Ｐｗ比及びＰｗの初期値は以下のようにして求める。
１１Ｔのマーク長とスペース長のみからなる繰り返しパターン（１１Ｔデータと呼ぶ）をＰｅ＝０としてＰｗのみ可変としながら、未記録状態の溝内に記録を行う。この状態でｍ１１が０．６〜０．８の範囲となるＰｗを求めて初期値Ｐｗａを求める。もし、Ｐｗを増加させたときに、ｍ１１が０．６〜０．８の範囲を超えてさらに増加するようならば、ｍ１１が０．７程度となるＰｗ値を初期値Ｐｗａとする。次に、該Ｐｗａで記録された１１Ｔデータ信号にＰｅを直流的に照射して、１１Ｔデータ信号のキャリアレベルの低下率をｄＢ（デシベル値）でを測定する。Ｐｅ／Ｐｗａ＝０．２〜０．６の範囲でＰｅを増加させながら、この操作を繰り返し、キャリアレベルの低下率が２５ｄＢを超える最初のＰｅをＰｅの初期値Ｐｅａとする。Ｐｂの初期値Ｐｂａとしては、０＜Ｐｂａ＜１ｍＷなるパワーで再生時にサーボが安定する程度の再生光パワーと等しいパワーを選ぶ。
なお、本明細書において「オーバーライト」とは、一般に、一旦記録したデータを、特定の処理により、均一な未記録・消去状態に戻すことなく新たなデータを上書きすることを示す。ただし、本発明においては、初期の均一な未記録・消去状態に記録を行う場合もオーバーライトと把える。例えば、上記記録方式ＣＤ１−１、１−２、２−１、又は２−２を用いて光記録媒体の特性を評価する場合の「１０回オーバーライト」とは、初期の結晶状態に最初の記録（１回オーバーライト）を行ない、次いで９回オーバーライトを行なうことを意味する。これは、以下の説明においても同様の意味に用いる。
また、記録方式ＣＤ１−１、１−２、２−１、及び２−２における「αｉ＋βｉ−１＝２」との規定は、（αｉ＋βｉ−１）が基準クロック周期Ｔとの２倍の時間的長さであることを意味しており、回路設計上不可避的に生じるゆらぎ程度の誤差は含みうるものであり、具体的には、０．１Ｔ程度の差は、実質的に等しいとみなされる。同様に、上記において、例えば特定のαｉを他のαｉ乃至はαｉ’と「等しくする」又は「一定にする」というような場合においても、電子回路で実現する上で不可避のばらつききは許容されるものとする。
さらにまた、記録方式ＣＤ１−１、１−２、２−１、及び２−２における記録光の波長は７７５〜７９５ｎｍ程度の範囲でばらついていても大きな問題とはならない。相変化媒体では、このような波長範囲における波長依存性は極めて小さいからである。
１−２．ＲＷ−ＤＶＤの場合
本発明をＲＷ−ＤＶＤに適用する場合においては、記録光による光スポットの媒体に対する速度である線速（度）として３．４９ｍ／ｓを基準速度：Ｖ１、即ち１倍速とする。
まず、本発明の第１及び第２の要旨に係るディスクについて説明する。
本発明の書換え型光記録媒体は、通常円盤状である。そして相変化型記録層の結晶状態の部分を未記録状態・消去状態とし、非晶質状態の部分を記録状態とする。記録される情
報は、レーザー光などの記録光を照射し非晶質マークを形成することにより、ＥＦＭ＋変調された信号からなる。媒体の基板には通常螺旋状の溝が形成される。また、非晶質マークは通常溝内に形成される。ここで、溝とは、基板面上に形成された光ビーム案内用の凹形状の底部であり、記録再生光入射側から見て近い方の面を言う。
データを記録する際には、基準クロック周期Ｔが基準となり、この整数倍の長さを有する様々な時間的長さのマーク及びスペース（マーク間）を形成することでデータを記録する。ＥＦＭ＋変調においては通常時間的長さ３Ｔ〜１４Ｔのマークが形成される。また、基準クロック周期Ｔは記録線速に反比例して変化させるのが通常である。
基準クロック周期Ｔの逆数は基準クロック周波数と呼ばれ、ＤＶＤの１倍速（線速度３．４９ｍ／ｓ）における基準クロック周波数はデータの１チャネルビットに相当し、通常２６．１５６２５ＭＨｚである。
１倍速における基準クロック周期Ｔは通常１／（２６．１５６２５×１０6）＝３８．
２×１０-9（秒）＝３８．２（ナノ秒）となる。
以下の説明では、特に断わりのない限り基準クロック周期Ｔと線速Ｖとの積ＶＴは線速によらず一定とする。
図２（ｂ）に、ＤＶＤ−ＲＷをはじめとするＤＶＤファミリーで用いられるＥＦＭ＋変調信号の再生波形（アイパターン）の模式図を示す。アイパターンには３Ｔから１１Ｔ及び１４Ｔの非晶質マーク及び結晶状態のスペースの再生波形が実質的にランダムに含まれている。再生波形は、反射光強度を電圧信号として取り出しオシロスコープ上で観察した波形である。この際、再生信号は直流成分を含んでいる。
アイパターンの上端Ｉ１４Ｈを入射光に対する反射率に換算したものがスペースに対応する反射率の上端値Ｒtopであり、アイパターンの振幅（実際上は、１４Ｔマークの振幅
）Ｉ1４をＩ１４Ｈで規格化したものが下記式（ＤＶＤ１）で表される記録信号の変調度
ｍ1４である。
ｍ1４＝Ｉ1４／Ｉ１４Ｈ×１００（％） （ＤＶＤ１）
本発明においては、変調度ｍ1４は５５％以上８０％以下とする。変調度は光学的分解
能に依存するのでＮＡが大きな光学系では大きく見える傾向があるため、本発明においては波長約６５０ｎｍのレーザー光を、開口数ＮＡ＝０．６０又はＮＡ＝０．６５の光学系を通して照射し記録する際の変調度ｍ1４とする。ただし波長は厳密に６５０ｎｍである
必要はなく、６３０〜６６５ｎｍ程度の範囲にあれば良い。
信号振幅Ｉ1４は大きいほうが好ましいが、大きすぎると信号再生系のアンプのゲイン
が極端に飽和してしまうためｍ1４の上限は８０％、好ましくは７８％、さらに好ましく
は７５％程度である。一方、小さすぎると信号体雑音比（ＳＮ比）が低下してしまうため、下限は５５％、好ましくは６０％、さらに好ましくは６５％程度である。また、Ｒtop
は１８〜３０％、好ましくは１８〜２５％、さらに好ましくは１９〜２３％の範囲とする。さらに、下記式（ＤＶＤ２）Ａsym＝（（（Ｉ１４Ｈ＋Ｉ１４Ｌ）／２−（Ｉ３Ｈ＋Ｉ
３Ｌ）／２）／Ｉ1４）×１００（％） （ＤＶＤ２）で定義されるアシンメトリー値Ａsymは、できるだけ０付近にあることが望ましいが、通常は＋１０％〜−５％の範囲で
ある。
再生信号のクロックジッタ（ｊｉｔｔｅｒ）は、図２（ｂ）における再生信号をイコライザとＬＰＦを通過させた後に、スライサにより２値化信号とし、該２値化信号のリーディングエッジとトレーリングエッジのＰＬＬクロックに対する時間のずれの標準偏差（ジッタ）を基準クロック周期Ｔで規格化したものである。詳細な測定方法は、ＤＶＤ−ＲＯＭ規格書やＤＶＤ＋ＲＷ規格書に規定されている。本発明においては、クロックジッタに
ついては、１倍速（基準クロック周期３８．２ナノ秒）で再生したときのクロックジッタ値が１５％以下とする。ここで、現行のＲＷ−ＤＶＤ規格では、このクロックジッタの許容値を９％以下としているが、本発明では、近年のＤＶＤ再生回路の性能向上を考慮して、１５％までを許容値とした。このクロックジッタ値は、１２％以下であればより好ましく、１０％以下であることが更に好ましい。
変調度ｍ1４、反射率の上端値Ｒtop及びクロックジッタを上記の値とすることにより、従来の相変化型ＤＶＤ規格と互換性を維持しつつ、６倍速以上のような高速記録された媒体を、既存の相変化型ＤＶＤ対応の再生系で再生することができる。
なお、以下において、ＲＷ−ＤＶＤにおけるクロックジッタを単にジッタと呼ぶ場合がある。
本発明の書き換え型光記録媒体において好ましいのは、６倍速、８倍速、１０倍速、及び１２倍速のいずれかにおいて３Ｔマークと３Ｔスペース（マーク間）からなる単一周期信号（３Ｔデータと称する）を記録後、１４Ｔマークと１４Ｔスペースからなる単一周期信号（１４Ｔデータと称する）をオーバーライトしたときの３Ｔマークの消去比が２０ｄＢ以上、好ましくは２５ｄＢ以上とすることである。また、好ましくは、１２倍速においても上記消去比が２０ｄＢ以上、好ましくは２５ｄＢ以上とすることである。高線速での消去比が高い媒体ほど非晶質マーク消去時の再結晶化速度が速く、より高線速でＥＦＭ＋信号のオーバーライトが可能である。例えば、１０倍速や１２倍速における上記消去比を２０ｄＢ以上としておけば、６倍速で使用した際に良好な特性が得られるのは勿論、６倍速以下で使用した際にも良好な特性が得られる。ここで、３Ｔマークと３Ｔスペース（マーク間）からなる単一周期信号を記録、及び１４Ｔマークと１４Ｔスペースからなる単一周期信号をオーバーライトするにおいては、後述の記録方式ＤＶＤ１−１又は１−２の記録方式を用いる。すなわち、３Ｔマークと３Ｔスペース（マーク間）からなる単一周期信号を記録するにあたっては、３Ｔマークを１個の記録パルスＰｗと後続のオフパルスＰｂ（０＜Ｐｂ＜１ｍＷ）からなる記録パワーで記録し、他の区間では消去パワーＰｅを照射する。Ｐｗは記録層を溶融するためのパワーであり、ＰｂはＰｗ照射後、溶融領域を急冷して非晶質化させるための冷却区間である。１４Ｔマークと１４Ｔスペースからなる単一周期信号をオーバーライトするにあたっては、１４Ｔマークを７個の記録パルスPwと個々のＰｗに付随するオフパルスＰｂ（０＜Ｐｂ＜１ｍＷ）からなる記録パワーの繰り返しで記録し、他の区間では消去パワーＰｅを照射する。３Ｔデータ及び１４Ｔデータのオーバーライトにおいては、同一のＰｅ及びＰｗを使用し、Ｐｅ／Ｐｗを０．２〜０．６の範囲で一定としながら、Ｐｅを変化させて消去比のＰｅ依存性を測定し、いずれかのＰｅにおいて、消去比が２０ｄＢ以上、好ましくは２５ｄＢ以上となることを確認する。消去比は、１４Ｔデータのオーバーライトの前後における３Ｔデータのキャリアレベルの低下率をｄＢ単位で測定したものである。
いずれの場合にも、同一溝内への記録を行い、通常は、１周分の溝に記録を行う。
消去比は、オーバーライトを行う線速度範囲の上限における消去比が十分な値であれば、通常より低線速側で消去比が不足することはない。線速Ｖで移動する開口数ＮＡの対物レンズで集光された波長λの光ビームで記録層が照射される時間は、λ／（ＮＡ・Ｖ）で規格化されるから、低線速ほど照射時間は長くなり再結晶化に要する時間を十分確保できるからである。
また、あらかじめ記録された記録信号のジッタが１倍速再生において１２％に達するまでの時間を該記録媒体のアーカイバル寿命とするとき、温度、８０℃、相対湿度８５％におけるアーカイバル寿命が２００時間以上であること、より好ましくは５００時間以上が望ましい。
さらに、本発明においては、上記特性を満足するために、より短時間で評価可能な条件
として１０５℃以上での加速試験を適用し、変調度ｍ1４及び、結晶状態の反射率Ｒｔｏ
ｐのいずれもが、温度１０５℃の加速試験環境下で３時間後もその初期値の９０％以上を維持するのが好ましい。現行市販されている１−２．４倍速対応のＤＶＤ＋ＲＷがちょうどこの要件を満足するからである。
本発明における、線速Ｖ（この段落ではＶは６倍速、８倍速、１０倍速、及び１２倍速のいずれかの線速度を示す。）における変調度ｍ１４、Ｒｔｏｐ、ジッター、アシンメトリー値、消去比等の規定は、線速３．４９ｍ／ｓを基準速度（１倍速）Ｖ１としたとき、線速Ｖにおいて、データ基準クロック周期ＴがＶＴ＝Ｖ１Ｔ１（ただし、Ｔ１は３８．２ｎｓｅｃである）であるように保ちながらＥＦＭ＋変調された信号を下記記録方式ＤＶＤ１−１又は記録方式ＤＶＤ１−２いずれかの条件内のある１つの記録方式で１０回オーバーライト記録した後に、１倍速での再生によって得られる記録信号から与えられる。
記録方式ＤＶＤ１−１；
波長６５０ｎｍの光を、開口数ＮＡが０．６５の光学系を介して照射する。
この際、１つの非晶質マークの時間的長さをｎＴ（ｎは３〜１１の整数と１４）としたとき、
記録マーク間に対しては、非晶質を結晶化し得る消去パワーＰｅを照射し、
ｎ＝２ｍ（ｍは３以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｊ）Ｔ、（ｊは−２．０〜２．０なる実数）を、
α１Ｔ、β１Ｔ、α２Ｔ、β２Ｔ、・・・・、αｍＴ、βｍＴ、
からなるｍ個のαｉＴとβｉＴとからなる区間に分割し、かつ、各区間がα１＝０．７〜１．４、αｉ＝０．７〜１．２（ｉは２〜ｍ−１の整数であり、αｉはかかるｉによらず０．７〜１．２の間の一定値αｃをとる）、β１＋α２＝１．７〜２．３、βｉ−１＋αｉ＝２（ｉは３〜ｍ−１の整数）、βｍ−１＋αｍ＝１．７〜２．３、αｍ＝０．７〜１．２、βｍ＝０〜２、の順に、Σｉ（αｉ＋βｉ）＝ｎ−ｊとなるように分割し、
ｎ＝２ｍ＋１（ｍは３以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｋ）Ｔ、（ｋは−２．０〜２．０なる実数）を、
α１’Ｔ、β１’Ｔ、α２’Ｔ、β２’Ｔ、・・・・、αｍ’Ｔ、βｍ’Ｔ、
からなるｍ個のαｉ’Ｔとβｉ’Ｔとからなる区間に分割し、かつ、各区間がα１’＝α１、β１’＝β１＋Δ１（Δ１＝０．３〜０．６）、αｉ’＝αｃ（ｉ＝２〜ｍ−１の整数）、βｉ−１’＋αｉ’＝２（ｉは３〜ｍ−１の整数）、βｍ−１’＝βｍ−１＋Δｍ−１（Δｍ−１＝０〜０．６）、αｍ’＝αｍ＋Δｍ（０＜Δｍ≦０．６）、Δｍｍ＝Δｍ−１＋Δｍ＝０．３〜０．６、βｍ’＝βｍの順に、Σｉ（αｉ’＋βｉ’）＝ｎ−ｋとなるように分割し、
αｉＴおよびαｉ’Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、記録層を溶融するに足る一定の記録パワーＰｗの記録光（ただし、Ｐｗは１０〜４０ｍＷであり、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．２〜０．６とする）を照射し、
βｉＴおよびβｉ’Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、１ｍＷ未満のバイアスパワーＰｂの記録光を照射する。
さらに、ｍが３以上の場合には、α１（＝α１’）、αｃ、βｍ（＝βｍ’）、β１、Δ１、βｍ−１、Δｍ−１、αｍ、Δｍはｍによらず一定である。
また、ｍ＝２（ｎ＝４、５）の場合には、α１、α１’、α２、α２’、β２、β２’をそれぞれｍが３の場合のα１、α１’、α３、α３’、β３、β３’と等しくするとともに、β１をｍが３の場合のβ１又はβ２のいずれかと等しくし、β１’をｍが３の場合のβ１’又はβ２’のいずれかと等しくする（但し、±１０％程度のずれは許容されるものとする）。
ｍ＝１（ｎ＝３）の場合には、一対の記録パワー照射区間α１’Ｔとバイアスパワー照
射区間β１’Ｔからなる記録光の照射を行う。
記録方式ＤＶＤ１−２；
波長６５０ｎｍの光を、開口数ＮＡが０．６５の光学系を介して照射する。
この際、１つの非晶質マークの時間的長さをｎＴ（ｎは３〜１１の整数と１４）としたとき、
記録マーク間に対しては、非晶質を結晶化し得る消去パワーＰｅを照射し、
ｎ＝２ｍ（ｍは３以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｊ）Ｔ、（ｊは−２．０〜２．０なる実数）を、
α１Ｔ、β１Ｔ、α２Ｔ、β２Ｔ、・・・・、αｍＴ、βｍＴ、
からなるｍ個のαｉＴとβｉＴとからなる区間に分割し、かつ、各区間がα１＝０．７〜１．４、αｉ＝０．７〜１．２（ｉは２〜ｍ−１の整数であり、αｉはかかるｉによらず０．７〜１．４の間の一定値αｃをとる）、β１＋α２＝１．７〜２．３、βｉ−１＋αｉ＝２（ｉは３〜ｍ−１の整数）、βｍ−１＋αｍ＝１．７〜２．３、αｍ＝０．７〜１．２、βｍ＝０〜２、の順に、Σｉ（αｉ＋βｉ）＝ｎ−ｊとなるように分割し、
ｎ＝２ｍ＋１（ｍは３以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｋ）Ｔ、（ｋは−２．０〜２．０なる実数）を、
α１’Ｔ、β１’Ｔ、α２’Ｔ、β２’Ｔ、・・・・、αｍ’Ｔ、βｍ’Ｔ、
からなるｍ個のαｉ’Ｔとβｉ’Ｔとからなる区間に分割し、かつ、各区間がα１’＝α１、β１’＝β１、αｉ’＝αｃ（ｉ＝２〜ｍ−１の整数）、βｉ−１’＋αｉ’＝２（ｉは３〜ｍ−１の整数）、βｍ−１’＝βｍ−１＋Δｍ−１（Δｍ−１＝０〜０．６）、αｍ’＝αｍ＋Δｍ（０＜Δｍ≦０．６）、Δｍｍ＝Δｍ−１＋Δｍ＝０．５〜１．２、βｍ’＝βｍの順に、Σｉ（αｉ’＋βｉ’）＝ｎ−ｋとなるように分割し、
αｉＴおよびαｉ’Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、記録層を溶融するに足る一定の記録パワーＰｗの記録光（ただし、Ｐｗは１０〜４０ｍＷであり、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．２〜０．６とする）を照射し、
βｉＴおよびβｉ’Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、１ｍＷ未満のバイアスパワーＰｂの記録光を照射する。
さらに、ｍが３以上の場合には、α１（＝α１’）、β１（＝β１’）、αｃ、βｍ−１、Δｍ−１、αｍ、βｍ、Δｍ’はｍによらず一定である。また、ｍ＝２（ｎ＝４、５）の場合には、α１、α１’、β１、β１’、α２、α２’、β２、β２’をそれぞれｍ＝３の場合のα１、α１’、β２、β２’、α３、α３’、β３、β３’と等しくする。但し、「等しくする」とはいっても、±１０％程度のずれは許容されるものとする。
ｍ＝１（ｎ＝３）の場合には、一対の記録パワー照射区間α１’Ｔとバイアスパワー照射区間β１’Ｔからなる記録光の照射を行う。
なお、Σｉ（αｉ＋βｉ）等は、ｉに関して１〜ｍまでの和をとることを意味する。
本発明においては、上記基準線速の６倍速、８倍速、１０倍速、又は１２倍速で書き換え可能なＲＷ−ＤＶＤにおいては、基準線速の２倍速、２．５倍速、３倍速、４倍速、及び５倍速の少なくともいずれか一つの線速においても、変調度ｍ１４、Ｒｔｏｐ、ジッター、アシンメトリー値、消去比の値が上記数値範囲となるようにするのが好ましい。
さらに、上記基準速度の２倍速、２．５倍速、３倍速、４倍速、及び５倍速のいずれか少なくとも一つの線速度をＶｍｉｎとし、基準速度の６倍速、８倍速、１０倍速、又は１２倍速をＶｍａｘとした場合に、ＶｍｉｎとＶｍａｘとの間の全ての線速度Ｖにおいても、変調度ｍ１４、Ｒｔｏｐ、ジッター、アシンメトリー値、消去比の値が前記数値範囲となるようにするのが好ましい。これにより、後述のＰ−ＣＡＶ又はＣＡＶ方式での記録が可能となる。
ここで、２倍速、２．５倍速、３倍速、４倍速又は５倍速における変調度ｍ１４、Ｒｔ
ｏｐ、ジッター、アシンメトリー値、消去比等の規定は、以下のようにして測定される。すなわち、線速３．４９ｍ／ｓを基準速度（１倍速）Ｖ１としたとき、基準速度の２倍速（２Ｖ１）、２．５倍速（２．５Ｖ１）、３倍速（３Ｖ１）、４倍速（４Ｖ１）、又は５倍速（５Ｖ１）のいずれか一つにおいて、データ基準クロック周期ＴがＶＴ＝Ｖ１Ｔ１（ただし、Ｔ１は３８．２ｎｓｅｃであり、Ｖは、２．５Ｖ１、３Ｖ１、４Ｖ１、及び５Ｖ１のいずれかである。）であるように保ちながらＥＦＭ＋変調された信号を下記記録方式ＤＶＤ２−１乃至は２−２のいずれかの条件内の一つの記録方式で１０回オーバーライト記録した後に、１倍速での再生によって得られる記録信号から与えられる。
記録方式ＤＶＤ２−１；
波長６５０ｎｍの光を、開口数ＮＡが０．６５の光学系を介して照射する。
この際、１つの非晶質マークの時間的長さをｎＴ（ｎは３〜１１の整数と１４）としたとき、
記録マーク間に対しては、非晶質を結晶化し得る消去パワーＰｅを照射し、
ｎ＝２ｍ（ｍは３以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｊ）Ｔ、（ｊは−２．０〜２．０までの実数）を、
α１Ｔ、β１Ｔ、α２Ｔ、β２Ｔ、・・・・、αｍＴ、βｍＴ、
からなるｍ個のαｉＴとβｉＴとからなる区間に分割し、かつ、各区間がα１＝０．１〜１、αｉ＝０．１〜１（ｉは２〜ｍ−１の整数であり、αｉはかかるｉによらず０．１〜１の間の一定値αｃをとる）、β１＋α２＝１．７〜２．３、βｉ−１＋αｉ＝２（ｉは３〜ｍ−１の整数）、βｍ−１＋αｍ＝１．７〜２．３、αｍ＝０．１〜１、βｍ＝０〜２、の順に、Σｉ（αｉ＋βｉ）＝ｎ−ｊとなるように分割し、
ｎ＝２ｍ＋１（ｍは３以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｋ）Ｔ、（ｋは−２．０〜２．０までの実数）を、
α１’Ｔ、β１’Ｔ、α２’Ｔ、β２’Ｔ、・・・・、αｍ’Ｔ、βｍ’Ｔ、
からなるｍ個のαｉ’Ｔとβｉ’Ｔとからなる区間に分割し、かつ、各区間がα１’＝α１、β１’＝β１＋Δ１（Δ１＝０．３〜０．６）、αｉ’＝αｃ（ｉは２〜ｍ−１の整数）、βｉ−１’＋αｉ’＝２（ｉは３〜ｍ−１の整数）、βｍ−１’＝βｍ−１＋Δｍ−１（Δｍ−１＝０〜０．６）、αｍ’＝αｍ＋Δｍ（０＜Δｍ≦０．６）、Δｍｍ＝Δｍ−１＋Δｍ＝０．３〜０．６、βｍ’＝βｍの順に、Σｉ（αｉ’＋βｉ’）＝ｎ−ｋとなるように分割し、
αｉＴおよびαｉ’Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、記録層を溶融するに足る一定の記録パワーＰｗの記録光（ただし、Ｐｗは１０〜４０ｍＷであり、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．２〜０．６とする）を照射し、
βｉＴおよびβｉ’Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、１ｍＷ未満のバイアスパワーＰｂの記録光を照射する。
さらに、ｍが３以上の場合には、α１（＝α１’）、αｃ、βｍ（＝βｍ’）、β１、Δ１、βｍ−１、Δｍ−１、αｍ、Δｍはｍによらず一定である。
また、ｍ＝２（ｎ＝４、５）の場合には、α１、α１’、α２、α２’、β２、β２’をそれぞれｍが３の場合のα１、α１’、α３、α３’、β３、β３’と等しくするとともに、β１をｍが３の場合のβ１又はβ２のいずれかと等しくし、β１’をｍが３の場合のβ１’又はβ２’のいずれかと等しくする。ここで、±１０％程度のずれは許容されるものとする。但し、ｍ＝２におけるβ２’に関しては、さらに±０．５の範囲において値を変更しうるものとする。
ｍ＝１（ｎ＝３）の場合には、一対の記録パワー照射区間α１’Ｔとバイアスパワー照射区間β１’Ｔからなる記録光の照射を行う。
記録方式ＤＶＤ２−２；
波長６５０ｎｍの光を、開口数ＮＡが０．６５の光学系を介して照射する。
この際、１つの非晶質マークの時間的長さをｎＴ（ｎは３〜１１の整数と１４）としたとき、
記録マーク間に対しては、非晶質を結晶化し得る消去パワーＰｅを照射し、
ｎ＝２ｍ（ｍは３以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｊ）Ｔ、（ｊは−２．０〜２．０までの実数）を、
α１Ｔ、β１Ｔ、α２Ｔ、β２Ｔ、・・・・、αｍＴ、βｍＴ、
からなるｍ個のαｉＴとβｉＴとからなる区間に分割し、かつ、各区間がα１＝０．１〜１、αｉ＝０．１〜１（ｉは２〜ｍ−１の整数であり、αｉはかかるｉによらず０．１〜１の間の一定値αｃをとる）、β１＋α２＝１．７〜２．３、βｉ−１＋αｉ＝２（ｉは３〜ｍ−１の整数）、βｍ−１＋αｍ＝１．７〜２．３、αｍ＝０．１〜１、βｍ＝０〜２、の順に、Σｉ（αｉ＋βｉ）＝ｎ−ｊとなるように分割し、
ｎ＝２ｍ＋１（ｍは３以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｋ）Ｔ、（ｋは−２．０〜２．０までの実数）を、
α１’Ｔ、β１’Ｔ、α２’Ｔ、β２’Ｔ、・・・・、αｍ’Ｔ、βｍ’Ｔ、
からなるｍ個のαｉ’Ｔとβｉ’Ｔとからなる区間に分割し、かつ、各区間がα１＝α１、β１’＝β１、αｉ’＝αｃ（ｉは２〜ｍ−１の整数）、βｉ−１’＋αｉ＝２（ｉは３〜ｍ−１の整数）、βｍ−１’＝βｍ−１＋Δｍ−１（Δｍ−１＝０〜０．７）、αｍ’＝αｍ＋Δｍ（０＜Δｍ≦０．６）、Δｍｍ＝Δｍ−１＋Δｍ＝０．５〜１．２、βｍ’＝βｍ＋Δｍ’（Δｍ’＝０〜１）の順に、Σｉ（αｉ’＋βｉ’）＝ｎ−ｋとなるように分割し、
αｉＴおよびαｉ’Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、記録層を溶融するに足る一定の記録パワーＰｗの記録光（ただし、Ｐｗは１０〜４０ｍＷであり、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．２〜０．６とする）を照射し、
βｉＴおよびβｉ’Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、１ｍＷ未満のバイアスパワーＰｂの記録光を照射する。
さらに、ｍが３以上の場合には、α１（＝α１’）、β１（＝β１’）、αｃ、βｍ−１、Δｍ−１、αｍ、βｍ、Δｍ’はｍによらず一定である。
また、ｍ＝２（ｎ＝４、５）の場合には、α１、α１’、β１、β１’、α２、α２’、β２、β２’をそれぞれｍ＝３の場合のα１、α１’、β２、β２’、α３、α３’、β３、β３’と等しくする。但し、±１０％程度のずれは許容されるものとする。
ｍ＝１（ｎ＝３）の場合には、一対の記録パワー照射区間α１’Ｔとバイアスパワー照射区間β１’Ｔからなる記録光の照射を行う。
ここに、記録方式ＤＶＤ１−１、１−２、２−１及び２−２において、ｊ，ｋはｎごとに異なる値をとっても良い。また、Ｐｗ、Ｐｂ、Ｐｅは一定のパワ−レベルであり、Ｐｂ≦Ｐｅ≦Ｐｗとしている。そして、記録方式ＤＶＤ１−１、１−２、又は記録方式ＤＶＤ２−１、２−２をもちいて、ＥＦＭ＋ランダムパターンの記録を行うのであるが、Ｐｅ／Ｐｗ比は０．２〜０．６の間のいずれかの値で一定にして、Ｐｗを１０〜４０ｍＷの間で変化させ、最も良好な特性が得られるＰｗにおいて、ジッタ、ｍ１４、及びＲｔｏｐがそれぞれ、上記の値を満足すればよい。ここで、パワー値Ｐｗ，Ｐｅ，Ｐｂ等は、記録光ビームのうちの主ビームのみのパワーをいい、いわゆる３ビーム法におけるサーボ用のサブビームのように記録に直接関係のないビームに配分されるパワーは除いて考える。Ｐｅ／Ｐｗ比に関しては、まず、０．３〜０．４の間の値を採用し、その結果、上記のｍ１４、Ｒｔｏｐ、アシンメトリー等の要件が満足されなければ、０．２〜０．３あるいは、０．３〜０．６の間の値を用いる。
また、記録パルス区間αｉＴ、αｉ’Ｔ、オフパルス区間βｉＴ及びβｉ’Ｔのそれぞれにおける光のパワーレベルは、記録パルス区間ではＰｗでオフパルス区間ではＰｂで一定とする。ただし、高周波重畳を印可する場合は、Ｐｗ及びＰｂはその区間における平均
パワーで定義する。さらに、レーザーダイオードの応答上やむを得ないオーバーシュート、アンダーシュートは許容する。記録パルスαｉＴ及びαｉ’Ｔの立ち上がり立ち下がりは、約２ｎｓｅｃ以下とするが、１ｎｓｅｃ以上２ｎｓｅｃ以下とするのが好ましい。
記録方式ＤＶＤ１−１、及び１−２は、特開２００１−３３１９３６号公報に示されたような、記録パルス（Ｐｗ照射区間）とオフパルス（Ｐｂ照射区間）とを周期２Ｔを基本とする繰り返し周期で交互に発生させる記録パルス分割方法にさらに検討を加えたものである。すなわち、本発明においては、上記２Ｔ周期をベースとする記録ストラテジーのうち、特に、６乃至１２倍速でオーバーライト可能な相変化型リライタブルＤＶＤに適し、かつ、特に産業上有用な低コストかつ簡便な記録パルス分割方法を見出した。本発明の記録パルスストラテジーを用いることにより、複数のドライブで記録しても記録品位が保ちやすく互換性が確保しやすい記録媒体とその記録方法が提供されるようになる。
そのために、本発明においては、周期２Ｔを基本とする記録パルス分割方法における可変とすべきパラメータとその範囲を限定する。そして本発明においては、上記周期２Ｔを基本とする記録パルス分割方法における数あるパラメータのうち、６倍速乃至１２倍速における記録品位を良好に保つために必要な最低限のパラメータを見出してこれを変化させている。可変とするパラメータの数を多くすれば６倍速乃至１２倍速での良好な記録の達成は比較的容易とある。しかし、数多くのパラメータを可変とすることは、光記録媒体に記録を行う記録装置におけるパルス発生の電子回路（集積回路）の設計をいたずらに複雑にするだけである。このため、本発明においては上記電子回路（集積回路）の設計を容易にしつつ、かつ６倍速乃至１２倍速での良好な記録を達成できるような最低限のパラメータを見出したのである。
６倍速乃至１２倍速で良好な記録を行うために可変とすべき最低限のパラメータは、６倍速乃至１２倍速でオーバーライト可能な記録媒体の検討とパルス分割記録方法とを相互にフィードバックをかけながら検討を行うことにより実現できるものである。従って、本発明は、記録媒体と記録方法とを同時に実現するという高度な創作により実現されたものである。
このような検討により、本発明においては、未だ実現されていない２あるいは２．５倍速から６あるいは１２倍速という極めて広範囲の線速度で、記録及び再生の互換性の高い記録媒体と記録方法を提供することができるようになるのである。
ＲＷ−ＤＶＤにおけるＥＦＭ＋変調においては、マーク長ｎＴは、ｎ＝３，４，５，６，７，８，９，１０，１１、１４の場合があるが、それぞれを、ｍ＝１，２，２，３，３，４，４，５，５、７個の２Ｔを基本とする周期に分割し、ｍ個の記録パルスとオフパルスの組に分割した記録パルスで記録を行う。本発明では、６倍速、８倍速、１０倍速、又は１２倍速でオーバーライト可能なＲＷ−ＤＶＤを明確に規定するために、特に記録方式ＤＶＤ１−１、及び１−２に示したような限定を行っている。
図３は、上記記録方式ＤＶＤ１−１、及び２−１におけるパルス分割方法を実施する場合の、各記録パルスの関係の一例を示した図である。尚、図３（ｂ）におけるマーク長２ｍＴを形成するための記録パルス及びオフパルスの時間幅は、本来は、α１Ｔ、β１Ｔ、αｃＴ、…、αｍＴ、βｍＴと表されるが、図を見やすくする観点から、図３（ｂ）においては、単にα１、β１、αｃ、…、αｍ、βｍと記載し、基準クロック周期Ｔの表示を省略してある。これは図３（ｃ）においても同様である。
図３に示すように、本発明の光記録方法においては、ｎＴマークのｎのとり得る値が奇数であるか偶数であるかに分けて考える。分割数ｍが同じ偶数長マークと奇数長マークのマーク長差１Ｔの補正を、先頭の記録パルスの次のオフパルス区間β１Ｔ及び最後尾から
２番目の記録パルス周期（βｍ−１＋αｍ）Ｔに分散して割り当てる。つまり、マーク長１Ｔの補正をオフパルス長β１Ｔ及びβｍ−１Ｔ、さらには最後尾の記録パルス区間パルスαｍＴの調整にて行う。
図３において、３００は周期Ｔの基準クロックをあらわす。
図３（ａ）は、長さｎＴ＝２ｍＴ、もしくはｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔの記録マークに対応したパルス波形であり、符号３０１が長さ２ｍＴの記録マークの長さに、符号３０２が長さ（２ｍ＋１）Ｔの記録マークの長さに対応する。図３（ａ）においては、ｍ＝５の場合が示してある。
図３（ｂ）の３０３は、ｎ＝２ｍ（＝１０）の場合の分割記録パルスの波形であり、図３（ｃ）の３０７は、ｎ＝２ｍ＋１（＝１１）の場合の分割記録パルスの波形である。
Ｔｄ１にＴをかけた値は、α１Ｔ及びα１’ＴのｎＴマークの前端Ｔ０に対する遅延時間であり、通常はｎによらず一定とし、さらに通常は、記録パルス発生回路の同期の取り易さから、（Ｔｄ１＋α１）Ｔ＝（Ｔｄ１＋α１’）Ｔ＝２Ｔとするが、さらに±０．５Ｔ程度の微調整は許容する。特に、３Ｔ，４Ｔ，５Ｔマークにおいては、そのような遅延時間の微調整を行うことが好ましい。記録パルス区間αｉＴ（ｉ＝１〜ｍ）における記録パワーレベルはＰｗで一定であり、オフパルス区間βｉＴ（ｉ＝１〜ｍ）におけるバイアスパワーレベルはＰｂで一定であり、マークとマークの間、すなわちαｉＴ（ｉ＝１〜ｍ）及びβｉＴ（ｉ＝１〜ｍ）以外の区間における光照射のパワーは消去パワーＰｅで一定とする。ｎが偶数の場合は、先頭の記録パルスと最後尾のオフパルスを除く区間３０４（つまり図３の３０５、３０６を除く区間）では、（βｉ−１＋αｉ）Ｔ＝２Ｔ（ｉ＝２〜ｍ）で一定とする。ただし、（β１＋α２）Ｔ、及び（βｍ−１＋αｍ）Ｔについてのみ、±０．３Ｔの範囲で微調整可能とする。一方、ｎが奇数の場合は、図３の区間３０８、（βｉ−１’＋αｉ’）Ｔ＝２Ｔ（ｉ＝３〜ｍ−１）で一定とする。
そして、同一分割数でｎ＝２ｍ及び２ｍ＋１の２種類のマーク長を記録するために、区間（β１＋α２）Ｔ、及び区間（βｍ−１＋αｍ）Ｔをそれぞれ約０．５Ｔずつ増減して長さを調整する。なお、熱干渉等の影響で、この値は正確に０．５Ｔとなるとは限らないが、概ね０．３Ｔ〜０．６Ｔの範囲にある。βｍ及びβｍ’は、０〜２の範囲にあってほぼ同じ値をとるが、βｍ＝βｍ’とすることが好ましい。
図３において、偶数長マークｎＴ＝１０Ｔと奇数長マークｎＴ＝１１Ｔのマーク長の差１Ｔ分の記録は、以下の操作１、２によって行われる。
操作１： 図３の区間３０９のように、区間（β１’＋α２’）Ｔの、β１’のみにΔ１を付加し、β１’＝β１＋Δ１、α２’＝αｃとする。
操作２： 図３の区間３１０のように、区間（βｍ−１’＋αｍ’）ＴにΔｍｍＴを付加する。ここで、Δｍｍ＝Δｍ−１＋Δｍとして、ΔｍｍをΔｍ−１とΔｍとに分けて、βｍ−１にはΔｍ−１を付加し、αｍにはΔｍを付加する。尚、Δｍ−１はゼロであってもよい。
本発明においては、Δｍを０よりも大きくする（Δｍ＞０とする）して、αｍ≠αｍ’とする。Δｍを０よりも大きくすることにより、同一分割数ｍのうちのｎが奇数である記録マーク後端部の形状が安定してジッタ特性が飛躍的に改善される。さらに好ましいのは、Δｍ−１とΔｍとをほぼ等しい値とすることである。Δｍ−１とΔｍとをほぼ等しくすれば、ジッタ特性を良好に保ちつつも、記録パルスストラテジーの記録パルス及びオフパルスにおけるレーザー光（パルス光）の発生を制御する電子回路（集積回路）の設計を簡便にすることができるようになる。
以上の操作は３以上のｍにおいて行われ、Δ１、Δｍｍは、０．３〜０．６の値をとる
ものとする。Δｍ−１、及びΔｍは、Δｍｍをどのように配分するかによって値が決まり、Δｍ−１は０〜０．６の値をとり得、Δｍは０より大きく、０．６以下の値を取り得る。
前述したように、区間（β１＋α２）Ｔ、及び区間（βｍ−１＋αｍ）Ｔをそれぞれ約０．５Ｔずつ増減して長さを調整するためには、Δ１、Δｍ−１、Δｍ、及びΔｍｍを０．６としてもよいが、Δ１、Δｍ−１、Δｍは、０．５以下の値とすることが好ましい。
以下、記録方式ＤＶＤ１−１におけるｍが３以上、ｍ＝２、及びｍ＝１の場合についてそれぞれ説明する。記録方式ＤＶＤ２−１については後述する。
記録方式ＤＶＤ１−１においては、ｍが３以上では、α１’＝α１、βｍ’＝βｍとし、αｉ及びαｉ’は、ｉ＝２〜ｍ−１に対しては、αｃでｉによらず一定とする。また、αｍ及びαｍ’もｍによらず一定値とする。さらにα１（α１’）は、０．７〜１．４、αｃは０．７〜１．２、αｍは０．７〜１．２とする。
さらに、ｍが３以上の場合には、α１（＝α１’）、αｃ、βｍ（＝βｍ’）、β１、Δ１、βｍ−１、Δｍ−１、Δｍはｍによらず一定とする。６倍速又は８倍速においては、αｃ＝αｉ（ｉ＝２〜ｍ−１）は、まず、０．９〜１の範囲の値とし、その後±０．２の範囲（０．７〜１．２の範囲）で微調整を行う。α１及びαｍは、まずαｃと同じ値を採用し、そしてαｃより最大０．３程度大きい範囲で微調整を行うものとする。
ここで、ｍ＝２（ｎ＝４，５）の場合に、ｍ−１＝１であるから、区間（β１＋α２）Ｔは、区間（βｍ−１＋αｍ）Ｔとも解される。この場合、（β１’＋α２’）Ｔを（β１＋α２）Ｔより約１Ｔ長くするのであるが、より具体的には、α１、α１’、α２、α２’、β２、β２’をそれぞれｍが３の場合のα１、α１’、αｍ、αｍ’、βｍ、βｍ’と等しくするとともに、β１をｍが３の場合のβ１又はβｍ−１のいずれかと等しくし、β１’をｍが３の場合のβ１’又はβｍ−１’のいずれかと等しくする。尚、「等しくする」とはいっても、±１０％程度のずれは許容されるものとする。
このようにして、偶数長マークに対して、図３（ｂ）の点線で示される記録パルス列３０３が得られ、奇数長マークに対して、図３（ｃ）の点線で示される記録パルス列３０７が得られる。
なお、ｍ＝１（ｎ＝３）の場合には、一対の記録パワー照射区間α１’Ｔとバイアスパワー照射区間β１’Ｔからなる記録光の照射を行う。この場合、α１’は、２以上のｍにおけるα１’より０．１から１．５程度大きくし、β１’は２以上のｍにおけるβ１’より小さく、かつ、βｍ、βｍ’と同じか、それらより大きくするのが好ましい。また、β１’の範囲は０以上２以下とすることが好ましい。
図１６は、上記記録方式ＤＶＤ１−２、及び２−２におけるパルス分割方法を実施する場合の、各記録パルスの関係の一例を示した図である。尚、図１６（ｂ）におけるマーク長２ｍＴを形成するための記録パルス及びオフパルスの時間幅は、本来は、α１Ｔ、β１Ｔ、αｃＴ、…、αｍＴ、βｍＴと表されるが、図を見やすくする観点から、図１６（ｂ）においては、単にα１、β１、αｃ、…、αｍ、βｍと記載し、基準クロック周期Ｔの表示を省略してある。これは図１６（ｃ）においても同様である。
図１６に示すように、ｎＴマークのｎのとり得る値が奇数であるか偶数であるかに分けて考える。分割数ｍが同じ偶数長マークと奇数長マークのマーク長差１Ｔの補正を、最後尾から２番目の記録パルス周期（βｍ−１＋αｍ）Ｔ及び最後尾のオフパルスβｍＴに分散して割り当てる。つまり、マーク長１Ｔの補正をオフパルス長βｍ−１Ｔ及びβｍＴ、さらには最後尾の記録パルス区間パルスαｍＴの調整にて行う。
この記録方式は、図３に示した記録方式（記録方式ＤＶＤ１−１、２−１）と比較して、偶数、奇数マークで変化させる記録パルス及びオフパルスが、マークの後端部付近に集中しているので、記録マークの後端ジッタがより制御しやすくなる利点を有するのみならず、記録パルスストラテジーの記録パルス及びオフパルスにおけるレーザー光（パルス光）の発生を制御する電子回路（集積回路）の設計が簡便となる利点がある。また、可変とするパラメータ数が少ないという利点がある。
図１６において、４００は周期Ｔの基準クロックをあらわす。
図１６（ａ）は、長さｎＴ＝２ｍＴ、もしくはｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔの記録マークに対応したパルス波形であり、符号４０１が長さ２ｍＴの記録マークの長さに、符号４０２が長さ（２ｍ＋１）Ｔの記録マークの長さに対応する。図１６（ａ）においては、ｍ＝５の場合が示してある。
図１６（ｂ）の４０３は、ｎ＝２ｍ（＝１０）の場合の分割記録パルスの波形であり、図１６（ｃ）の４０６は、ｎ＝２ｍ＋１（＝１１）の場合の分割記録パルスの波形である。
Ｔｄ１にＴをかけた値は、α１Ｔ及びα１’ＴのｎＴマークの前端Ｔ０に対する遅延時間であり、通常はｎによらず一定とし、さらに通常は、記録パルス発生回路の同期の取り易さから、（Ｔｄ１＋α１）Ｔ＝（Ｔｄ１＋α１’）Ｔ＝２Ｔとするが、さらに±０．５Ｔ程度の微調整は許容する。特に、３Ｔ，４Ｔ，５Ｔマークにおいては、そのような遅延時間の微調整を行うことが好ましい。記録パルス区間αｉＴ（ｉ＝１〜ｍ）における記録パワーレベルはＰｗで一定であり、オフパルス区間βｉＴ（ｉ＝１〜ｍ）におけるバイアスパワーレベルはＰｂで一定であり、マークとマークの間、すなわちαｉＴ（ｉ＝１〜ｍ）及びβｉＴ（ｉ＝１〜ｍ）以外の区間における光照射のパワーは消去パワーＰｅで一定とする。ｎが偶数である場合には、区間４０４では、（βｉ−１＋αｉ）Ｔ＝２Ｔ（ｉ＝２〜ｍ）で一定とする。ただし、（β１＋α２）Ｔ、及び（βｍ−１＋αｍ）Ｔについてのみ、±０．３Ｔの範囲で微調整可能とする。一方、ｎが奇数の場合は、図１６の区間４０７では、（βｉ−１’＋αｉ’）Ｔ＝２Ｔ（ｉ＝２〜ｍ−１）で一定とする。ただし、（β１’＋α２’）Ｔは（β１＋α２）Ｔと等しくする。
そして、同一分割数でｎ＝２ｍ及び２ｍ＋１の２種類のマーク長を記録するために、区間（βｍ−１＋αｍ）Ｔをそれぞれ約１Ｔ増減して長さを調整する。なお、熱干渉等の影響で、この値は正確に１Ｔとなるとは限らないが、概ね０．５〜１．２Ｔの範囲とする。βｍとβｍ’とは、０〜２の範囲（記録方式ＤＶＤ２−２では、βｍ’＝０〜３の範囲）でほぼ同じ値をとるが、マーク後端ジッタへの影響を補正するために、βｍ、βｍ’も個別に微調整する。特に、記録方式ＤＶＤ２−２ではβｍ’＝βｍ＋Δｍ’とし、βｍにΔｍ’（＝０〜１）を付加する。
図１６において、偶数長マークｎＴ＝１０Ｔと奇数長マークｎＴ＝１１Ｔのマーク長の差１Ｔ分の記録は、以下の操作３によって行われる。
操作３： 図１６の区間４０８のように、区間（βｍ−１＋αｍ）ＴにΔｍｍＴを付加して、（βｍ−１’＋αｍ’）Ｔとする。ここで、Δｍｍ＝Δｍ−１＋Δｍとして、ΔｍｍをΔｍ−１とΔｍとに分けて、βｍ−１にはΔｍ−１を付加し、αｍにはΔｍを付加する。また、マーク後端のジッタへの影響を補正するため、βｍにΔｍ’を付加して、βｍ’とする。
以上の操作は３以上のｍにおいて行われ、Δｍｍは、０．５〜１．２の値をとるものとする。Δｍ−１、及びΔｍは、Δｍｍをどのように配分するかによって、Δｍ−１は０〜０．６（記録方式ＤＶＤ２−２では、０〜０．７）、Δｍは０より大きく０．６以下の値をとり得る。Δｍ−１はゼロであってもよいが、Δｍは０よりも大きくして、αｍ≠αｍ
’とする。Δｍを０よりも大きくすることにより、同一分割数ｍのうちのｎが奇数である記録マーク後端部の形状が安定してジッタ特性が飛躍的に改善される。さらに好ましいのは、Δｍ−１とΔｍとをほぼ等しい値とすることである。Δｍ−１とΔｍとをほぼ等しくすれば、ジッタ特性を良好に保ちつつも、パルス光の発生を制御する電子回路（集積回路）の設計を簡便にすることができるようになる。
Δｍ’は０〜１の値をとり、より好ましくは０〜０．６の値をとる。特に４倍速程度より低線速度では、６、８、１０、又は１２倍速における場合より、Δｍ’は大きくするのが好ましい。一方、６、８、１０、又は１２倍速では、Δｍ’＝０とするのが好ましい。
以下、記録方式ＤＶＤ１−２におけるｍが３以上、ｍ＝２、及びｍ＝１の場合についてそれぞれ説明する。記録方式ＤＶＤ２−２については後述する。
記録方式ＤＶＤ１−２においては、ｍが３以上では、α１’＝α１、β１’＝β１とし、αｉ及びαｉ’は、ｉ＝２〜ｍ−１に対しては、αｃでｉによらず一定とする。また、α１（＝α１’）は、０．７〜１．４の範囲の値をとり、αｃ及びαｍは０．７〜１．２の範囲の値とする。より好ましくは、α１（＝α１’）、αｃ、及びαｍは０．７〜１の範囲とする。
さらに、ｍが３以上の場合には、α１（＝α１’）、β１、αｃ、βｍ−１、Δｍ−１、αｍ、Δｍ、βｍ、Δｍ’はｍによらず一定とする。６倍速又は８倍速においては、αｃ＝αｉ（ｉ＝２〜ｍ）は、まず、１とし、その後さらに±０．２の範囲で微調整を行うのが好ましい。α１及びαｍは、まずαｃと同じ値を採用し、そしてαｃより最大０．３程度大きい範囲で微調整を行う。Δｍ、Δｍ−１は約０．４を初期値とし、所定のマーク長が得られるように微調整を行う。また、区間４１０のβｍ’はまず、区間４０５のβｍと等しくし、その後、微調整を行う。
ここで、ｍ＝２の場合に、（β１’＋α２’）Ｔを（β１＋α２）Ｔより約１Ｔ長くするのであるが、ｍ−１＝１であるから、それぞれを、（βｍ−１’＋αｍ’）Ｔ及び（βｍ−１＋αｍ）Ｔとみなすことができる。そして、α１、α１’、β１、β１’、α２、α２’、β２、β２’をそれぞれｍ＝３の場合のα１、α１’、β２、β２’、α３、α３’、β３、β３’と等しくする。ただし、ｍ＝２のα１、α１’、β１、β１’、α２、α２’、β２、及びβ２’は、±１０％程度の微調整をさらに行っても良い。
このようにして、偶数長マークに対して、図１６（ｂ）の点線で示される記録パルス列４０３が得られ、奇数長マークに対して、図１６（ｃ）の点線で示される記録パルス列４０６が得られる。
なお、ｍ＝１（ｎ＝３）の場合には、一対の記録パワー照射区間α１’Ｔとバイアスパワー照射区間β１’Ｔからなる記録光の照射を行う。この場合、α１’は、２以上のｍにおけるα１’より０．１から１．５程度大きくするのが好ましい。また、β１’の範囲は０以上２以下とすることが好ましい。
記録方式ＤＶＤ２−１においては、記録方式ＤＶＤ１−１と同様のルールで偶数長マークと奇数長マークを記録し、記録方式ＤＶＤ２−２においては、記録方式ＤＶＤ１−２と同様のルールで偶数長マークと奇数長マークを記録するのであるが、αｉ、αｉ’（ｉ＝１〜ｍ）は、６から１２倍速の線速で記録する場合より小さな値とし０．１〜１の範囲とする。これに伴い、βｉ、βｉ’（ｉ＝１〜ｍ）は、６倍速、８倍速、１０倍速、又は１２倍速の線速で記録する場合より大きい値とする。さらに、記録方式ＤＶＤ２−２の場合には、特にΔ’ｍを０以上１以下の範囲で可変とする。また、Δｍ−１＋Δｍ＋Δｍ’を０．５以上１．５以下の範囲とするのが好ましい。
記録方式ＤＶＤ１−１あるいは記録方式ＤＶＤ１−２において最大線速度Ｖｍａｘを６、８、１０、又は１２倍速とした場合のαｉ、αｉ’をαｉ０、αｉ０’とするとき、同一媒体を２倍速、２．５倍速、３倍速、４倍速（すなわち、線速Ｖを２Ｖ１、２．５Ｖ１、３Ｖ１、及び４Ｖ１のいずれかとして）で記録方式ＤＶＤ２−１あるいは記録方式ＤＶＤ２−２において記録する場合には、概ね、αｉ＝η（Ｖ／Ｖｍａｘ）αｉ０、αｉ’＝η（Ｖ／Ｖｍａｘ）αｉ０’と設定し、その後微調整±０．１程度の範囲で微調整を行う。
ここで、ηは０．８〜１．５の範囲の実数である。特に、１．０から１．３の範囲の値をまず採用し、その後、０．８〜１．５の範囲に拡大して測定を行う。
なお、記録方式ＤＶＤ２−１、２−２においては、ｎ＝５おいて例外的なルールを適用しうるものとする。
つまり、記録方式ＤＶＤ２−１においては、ｍ＝２（ｎ＝４、５）の場合には、α１、α１’、α２、α２’、β２、β２’をそれぞれｍが３の場合のα１、α１’、α３（αｍ）、α３’（αｍ’）、β３（βｍ）、β３’（βｍ’）と等しくするとともに、β１をｍが３の場合のβ１又はβ２（βｍ−１）のいずれかと等しくし、β１’をｍが３の場合のβ１’又はβ２’（βｍ−１’）のいずれかと等しくする。但し、「等しくする」とはいっても、±１０％程度のずれは許容されるものとする。また、ｍ＝２におけるα２’及びβ２’に関しては、さらに±０．５の範囲において値を変更しうるものとする。
また、記録方式ＤＶＤ２−２においては、ｍ＝２（ｎ＝４、５）の場合には、α１、α１’、β１、β１’、α２、α２’、β２、β２’をそれぞれｍ＝３の場合のα１、α１’、β２（βｍ−１）、β２’（βｍ−１’）、α３（αｍ）、α３’（αｍ’）、β３（βｍ）、β３’（βｍ’）と等しくする。但し、「等しくする」とはいっても、±１０％程度のずれは許容されるものとする。さらに、ｎ＝３の場合には、β１’は０以上３以下の範囲とすることが好ましい。
６倍速までの使用を想定するＲＷ−ＤＶＤにおいては、２倍速と６倍速あるいは、３倍速と６倍速とでの記録特性を規定し、８倍速までの使用を想定するＲＷ−ＤＶＤにおいては、２．５倍速と８倍速とでの記録特性又は、３倍速と８倍速とでの記録特性又は、４倍速と８倍速とでの記録特性をそれぞれ規定し、１０倍速までの使用を想定するＲＷ−ＤＶＤにおいては、４倍速と１０倍速での記録特性を規定し、同様に、１２倍速までの使用を想定するＲＷ−ＤＶＤにおいては、４倍速と１２倍速とでの記録特性又は、６倍速と１２倍速とでの記録特性又は、４倍速と８倍速とでの記録特性をそれぞれ規定することで、後述のＣＡＶ記録方式やＰ−ＣＡＶ記録方式、ＺＣＬＶ記録方式に適した媒体を、ドライブでの記録再生互換性の観点から見てほぼ一義的に規定できる。この場合には、低線速側の測定における記録方式ＤＶＤ２−１又は２−２において、αｉ、αｉ’、βｉ、βｉ’の値を上記のように線速に概ね比例するように定めておく（αｉ＝η（Ｖ／Ｖｍａｘ）αｉ０、αｉ’＝η（Ｖ／Ｖｍａｘ）αｉ０’）ことが、媒体特性をより良好に規定できるので好ましい。
このようにして、最小線速と最大線速との比が２倍以上となる異なる記録速度範囲における、複数の記録線速度における書き換え型光記録媒体の特性を定義することは、記録ドライブからみた媒体の記録再生互換性を確保する点からも好ましい方法である。特に、記録方式ＤＶＤ１−１は記録方式ＤＶＤ２−１と組み合わせて用い、記録方式ＤＶＤ１−２は記録方式ＤＶＤ２−２と組み合わせて用いることがより好ましい。
このように特定範囲の媒体を規定する場合には、記録方式ＤＶＤ１−２と記録方式ＤＶＤ２−２を組み合わせて、最高線速度Ｖｍａｘが６倍速、８倍速、１０倍速、又は１２倍速であるＲＷ−ＤＶＤを規定することが特に好ましい。
さらに、このような６倍速、８倍速、１０倍速、又は１２倍速対応の媒体特性の規定方法において、記録方式ＤＶＤ１−２において、特に以下のように限定した記録方式ＤＶＤ１−３とすることで、より具体的に媒体特性を限定できる。従って、そのような媒体を複数の記録装置で記録する場合の互換性が確保できて好ましい。すなわち、
（記録方式ＤＶＤ１−３）
ｍ＝２以上のマーク長においては、Ｔｄ１’＝Ｔｄ１＝２−αｃ、αｉ’＝αｉ＝αｃ（ｉ＝１〜ｍ−１）、βｉ’＝βｉ＝２−αｃ（ｉ＝１〜ｍ−２）、αｍ＝αｃ、βｍ−１＝２−αｃで一定、かつ、βｍ−１’＝１＋Δｍ０（０＜Δｍ０≦０．７）、αｍ’＝１＋Δｍ０（０＜Δｍ０≦０．７）、βｍ’＝βｍ＋Δｍ’とし、Δ ｍ０ 、Δｍ’、βｍ、をｍによらず一定とする。ここで、ｍ＝２の場合、β１、β１’、α２、α２’、β２、β２’は、それぞれ、ｍ＝３の場合のβ２（βｍ−１）、β２’（βｍ−１’）、α３（αｍ）、α３’（αｍ’）、β３（βｍ）、β３’（βｍ’）とみなす。αｃは０．７〜１．２、より好ましくは０．７〜１、特に好ましくは０．９〜１とする。
ここで、記録方式ＤＶＤ１−３（６、８、１０、又は１２倍速いずれか一つで適用）と、以下の記録方式ＤＶＤ２−３（２，２．５、３、４、又は５倍速のいずれか一つで適用）を組み合わせて、使用する最高線速度Ｖｍａｘが６倍速、８倍速、１０倍速、又は１２倍速である相変化型リライタブルＤＶＤを規定することが特に好ましい。
すなわち、（記録方式ＤＶＤ２−３）
ｍ＝２（ｎ＝４）以上のマーク長においては、Ｔｄ１’＋α１’＝Ｔｄ１＋α１＝２、αｉ＝αｃ（ｉ＝１〜ｍ）、αｉ’＝αｃ（ｉ＝１〜ｍ−１）、ただし、αｃ＝０．１〜１、βｉ−１＋αｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ）、βｉ−１’＋αｉ’＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）、かつ、βｍ−１’＝βｍ−１＋Δｍ０（０＜Δｍ０≦０．７）、αｍ’＝αｍ＋Δｍ０（０＜Δｍ０≦０．７）、βｍ’＝βｍ＋Δｍ’（Δｍ’＝０〜１）とし、さらにΔｍ０、βｍ、Δｍ’をｍによらず一定とする。ここで、ｍ＝２の場合、β１、α２、β２は、それぞれ、ｍ＝３の場合のβ２（βｍ−１）、β３（βｍ）、α３’（αｍ’）とみなす。
記録方式ＤＶＤ１−３及び２−３においては、分割数ｍが同一である偶数の記録マーク及び奇数の記録マークにおいて、奇数の記録マークを形成する際に、最後の一つ前のオフパルス区間（βｍ−１’）と、最後の記録パルス区間（αｍ’）とに等しいΔｍ（記録方式ＤＶＤ１−３、２−３ではΔｍ０と表している。）を付与する点に特徴がある。等しいΔｍ（記録方式ＤＶＤ１−３、２−３ではΔｍ０と表している。）を付与することによって、記録マークの形成を行う記録パルスストラテジーの記録パルス及びオフパルスのレーザー光（パルス光）の発生を制御する電子回路（集積回路）の設計が簡便になり、電子回路（集積回路）コストダウンを図ることができるようになる。
特に、記録マーク後端部の形状を安定させてジッタ特性を改良する観点からは、Δｍを０より大きくすることが好ましい。具体的には、記録方式１−３、２−３においてΔｍ０を０より大きいΔｍ０とし、Δｍ０を０＜Δｍ０≦０．７の範囲とすることが好ましい。記録マーク後端部の形状を安定化するためにさらに好ましいのは、Δｍ０を０＜Δｍ０≦０．６の範囲とすることである。
また、ｎが奇数である記録マークの後端部の形状を安定化してジッタ特性を改良する観点から、Δｍ’を０≦Δｍ’≦１の範囲とするのが好ましく、０≦Δｍ’≦０．６の範囲とするのがより好ましく、０≦Δｍ’≦０．５の範囲とするのが特に好ましい。
そして、各線速度において、図１７の手順に従って、最小限のパラメータの最適値を見出していく。すなわち、
１）Ｐｗ、Ｐｅ、及びＰｂの暫定値Ｐｗａ、Ｐｅａ 、Ｐｂ ａ を決める。
２）偶数マーク及びスペース長（ｎ＝４，６，８，１０、１４をすべて含む）だけからなるＥＦＭ＋信号をＰｗａ，Ｐｅａ、Ｐｂａを照射して記録する。αｃ、βｍを可変として、ｍ１４＝０．５５〜０．８となる範囲内で、１倍速再生時に各マーク長及びスペース長が所定の長さとして再生され、ジッター値が１５％以下となるようなαｃ、βｍを決める。
３）続いて、上記偶数長マーク及びスペース長だけからなるＥＦＭ＋信号に、ｎ＝３以外の奇数マーク長およびスペース長（ｎ＝５，７，９，１１をすべて含む）を加えてなるＥＦＭ＋信号をＰｗａ，Ｐｅａ、Ｐｂａを照射して記録する。αｃ、βｍは、上記値を用い、Δｍ０＝Δｍ−１＝Δｍ、Δｍ’を可変として、１倍速再生時にジッター値が１５％以下となるような値を見出す。
４）最後に、３Ｔマーク及びスペースを加えた、完全なＥＦＭ＋信号をＰｗａ，Ｐｅａ、Ｐｂａを照射して記録する。ｎ＝２以上のマーク長に関しては、上記、αｃ、βｍ、Δｍ０＝Δｍ−１＝Δｍ、Δｍ’値を用いる。ｎ＝３に関する、Ｔｄ１’、α１’、β１’のみ可変として、１倍速再生時にジッター値が１５％以下となるような値を見出す。
５）Ｐｗａ，Ｐｅａを可変として、ｍ１４＝０．５５〜０．８の範囲で、主としてジッタ又はエラーレートが最小となるようＰｗ，Ｐｅの微調整を行う。
という手順である。各ステップにおいて、ｍ１４＝０．５５〜０．８、ジッタ１５％以下が得られなければ、その媒体は本発明要件を満足しないといえる。
なお、図１７において、Ｐｅ／Ｐｗ比及びＰｗの初期値は以下のようにして求める。
１４Ｔのマーク長とスペース長のみからなる繰り返しパターン（１４Ｔデータと呼ぶ）をＰｅ＝０としてＰｗのみ可変としながら、未記録状態の溝内に記録を行う。この状態でｍ１４が０．５５〜０．８の範囲となるＰｗを求めて初期値Ｐｗａを求める。もし、Ｐｗを増加させたときに、ｍ１４が０．５５〜０．８の範囲を超えてさらに増加するようならば、ｍ１４が０．７程度となるＰｗ値を初期値Ｐｗａとする。次に、該Ｐｗａで記録された１４Ｔデータ信号にＰｅを直流的に照射して、１４Ｔデータ信号のキャリアレベルの低下率をｄＢ（デシベル値）でを測定する。Ｐｅ／Ｐｗａ＝０．２〜０．６の範囲でＰｅを増加させながら、この操作を繰り返し、キャリアレベルの低下率が２５ｄＢを超える最初のＰｅをＰｅの初期値Ｐｅａとする。Ｐｂの初期値Ｐｂａとしては、０＜Ｐｂａ＜１ｍＷなるパワーで再生時にサーボが安定する程度の再生光パワーと等しいパワーを選ぶ。
なお、本明細書において「オーバーライト」とは、一般に、一旦記録したデータを、特定の処理により、均一な未記録・消去状態に戻すことなく新たなデータを上書きすることを示す。ただし、本発明においては、初期の均一な未記録・消去状態に記録を行う場合もオーバーライトと把える。例えば、上記記録方式ＤＶＤ１−１、１−２、２−１、又は２−２を用いて光記録媒体の特性を評価する場合の「１０回オーバーライト」とは、初期の結晶状態に最初の記録（１回オーバーライト）を行ない、次いで９回オーバーライトを行なうことを意味する。これは、以下の説明においても同様の意味に用いる。
また、記録方式ＤＶＤ１−１、１−２、２−１、及び２−２における「αｉ＋βｉ−１＝２」との規定は、（αｉ＋βｉ−１）が基準クロック周期Ｔとの２倍の時間的長さであることを意味しており、回路設計上不可避的に生じるゆらぎ程度の誤差は含みうるものであり、具体的には、０．１Ｔ程度の差は、実質的に等しいとみなされる。同様に、上記において、例えば特定のαｉを他のαｉ乃至はαｉ’と「等しくする」又は「一定にする」というような場合においても、電子回路で実現する上で不可避のばらつききは許容されるものとする。
さらにまた、記録方式ＤＶＤ１−１、１−２、２−１、又は２−２における記録光の波長は６３０〜６６０ｎｍ程度の範囲でばらついていても大きな問題とはならない。相変化媒体では、このような波長範囲における波長依存性は極めて小さいからである。
２．媒体の記録層について
本発明の書換え型光記録媒体においては、非晶質マークの高速結晶化による短時間の消
去と、非晶質マークの経時安定性とを両立させることが重要である。なおかつ、再生専用ＣＤ−ＲＯＭドライブ又はＤＶＤ−ＲＯＭドライブと再生互換をとるために、基準となる光学系において、高変調度を満足すると共に、反射率その他のサーボ信号特性等を満足させるのが好ましい。
高速結晶化と経時安定性とを両立するには、基板上に設けられる相変化型記録層の材料の選択がまず重要となる。本発明では該記録層の結晶化速度を速めることが重要であり、これは記録層の組成を調整することにより達成される。
本発明においては、結晶化速度を高めるために、前記相変化型記録層にＳｂを主成分とする組成を用いることが好ましい。なお、本発明において、「所定組成又は所定元素を主成分とする」とは、所定組成又は所定元素が含まれる層全体のうち、前記所定組成又は前記所定元素の含有量が５０原子％以上であることを意味する。Ｓｂを主成分とする理由は、Ｓｂの非晶質は、非常に高速で結晶化できるため、非晶質マークを短時間で結晶化することが可能となる。このため、非晶質状態の記録マークの消去が容易となる。この点から、Ｓｂの含有量は６０原子％以上であることが好ましく、７０原子％以上であることがより好ましい。しかし、一方で、Ｓｂ単独で用いるよりも、非晶質形成を促進させ、かつ非晶質状態の経時安定性を高めるための添加元素をＳｂと共に併用することが好ましい。相変化型記録層の非晶質形成を促進させ、かつ非晶質状態の経時安定性を高めるためには、上記添加元素の含有量を、通常１原子％以上、好ましくは５原子％以上、より好ましくは１０原子％以上とし、一方、通常３０原子％以下とする。
非晶質形成を促進させ、かつ非晶質状態の経時安定性を高める上記添加元素は、結晶化温度を高める効果もある。このような添加元素としては、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｉ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、希土類元素、Ｔａ、Ｎｂ、Ｖ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｃｏ、窒素、酸素、及びＳｅ等を用いることができる。これら添加元素のうち、非晶質形成の促進、非晶質状態の経時安定性の向上、及び結晶化温度を高める観点から、好ましいのはＧｅ、Ｔｅ、Ｉｎ、Ｇａ、及びＳｎからなる群から選ばれる少なくとも１つとすることであり、特に好ましいのは、Ｇｅ及び／又はＴｅを用いることである。
上述の通り、本発明においては、相変化型記録層の材料として、ＳｂとＧｅ及び／又はＴｅを併用することが特に好ましい。Ｇｅ及び／又はＴｅをＳｂに添加する際には、相変化型記録層中におけるＧｅの含有量は、１原子％以上３０原子％以下とすることが好ましく、Ｔｅの含有量は０原子％以上３０原子％以下とすることが好ましい。但し、相変化型記録層の主成分をＳｂとした場合にＳｂの含有量は５０原子％以上となるため、Ｓｂと共にＧｅ及びＴｅを相変化型記録層に含有させる場合、Ｇｅ及びＴｅの合計量は５０原子％よりは少なくなるのが好ましい。さらに、ＴｅとＧｅとを比較すると、Ｇｅを含有させる方が好ましい。
相変化型記録層中におけるＧｅ又はＴｅのそれぞれの含有量は、より好ましくは３原子％以上、さらに好ましくは５原子％以上とする。この範囲とすれば、非晶質マークを安定化する効果が十分に発揮されるようになる。一方、相変化型記録層中におけるＧｅ又はＴｅのそれぞれの含有量は、より好ましくは２５原子％以下、さらに好ましくは２０原子％以下とする。この範囲とすれば、非晶質が安定になりすぎて逆に結晶化が遅くなるという傾向を良好に抑制することができるようになり、結晶粒界での光散乱によるノイズを抑制することができるようになる。また、Ｇｅ及びＴｅの合計含有量は、３０原子％以下が好ましく、２５原子％以下とすることがより好ましい。この範囲とすれば、非晶質が安定になりすぎて逆に結晶化が遅くなるという傾向を良好に抑制することができるようになり、結晶粒界での光散乱によるノイズを抑制することができるようになる。
本発明の光記録媒体における相変化型記録層に用いる好適な記録層材料の組成は、相変
化型記録層中に含有されるＴｅの量によって、２種類に分類することができる。一つは、Ｔｅを１０原子％以上含有する組成であり、もう一つはＴｅを１０原子％未満含有する組成（Ｔｅを含有しない場合を含む）である。
そのひとつは、記録層材料を、Ｔｅを概ね１０原子％以上含みつつ、Ｓｂ７０Ｔｅ３０共晶組成よりも過剰のＳｂを含有する合金が主成分である組成範囲とすることである。具体的には、Ｓｂ／Ｔｅを４．５以上、好ましくは５．５以上、一方７．３以下とすることである。
上記記録材料の組成の具体例としては、ＳｂとＴｅとにＧｅをさらに含んだ組成を挙げることができる。すなわち、Ｓｂ７０Ｔｅ３０共晶点組成を基本として大幅に過剰のＳｂを含むＳｂ７０Ｔｅ３０合金を母体とし、さらにＧｅを含む、Ｇｅｙ（ＳｂｘＴｅ１−ｘ）１−ｙ（ただし、０．０１≦ｙ≦０．０６、０．８２≦ｘ≦０．９）である組成を主成分とする合金を、上記記録層材料の好ましい組成として挙げることができる。なお、本発明では、組成を原子数比で表す。従って、例えばｙ＝０．０６は、６原子％を意味する。
Ｓｂ７０Ｔｅ３０より過剰のＳｂを含む２元合金をベースとし、さらにＧｅを含んだＧｅＳｂＴｅ組成の合金（以下ＧｅＳｂＴｅ共晶系と呼ぶ）を相変化型記録層に用いると、１０から１２倍速でオーバーライト可能なＣＤ−ＲＷを得ることができる（特開２００１−２２９５３７号公報）。この場合、母体となるＳｂＴｅ合金の組成ＳｂｘＴｅ１−ｘは、０．７＜ｘ≦０．８の範囲内に限られる。この材料組成においてさらにＳｂ／Ｔｅ比を高めると、結晶化速度をさらに速めることができる。従って、Ｓｂ／Ｔｅ＝４．５以上（０．８２≦ｘ）とすることで、２４倍速における消去比だけに着目すれば、その値を２０ｄＢ以上と高くすることはできる。しかし、本発明者らの検討によれば、単純にＳｂ／Ｔｅ比を高めるだけでは、光記録媒体製造後の初期結晶状態（未記録状態）でのノイズが下がらず、ジッタが高くなり、１倍速再生でマーク及びスペースジッタが３５ｎｓｅｃ以下というＣＤ−ＲＷ信号品質の要件を満足できる光記録媒体を得ることができないことが判明した。
すなわち、Ｔｅを１０原子%以上含みＳｂ／Ｔｅ比が４．５以上と高い組成では、Ｇｅ
含有量が６原子％を超えると結晶粒界での光散乱によるノイズが非常に高くなる。Ｇｅ含有量が６原子％を越えると、ＧｅＴｅ相が生成して結晶粒界における不整合が顕著な多結晶構造が形成されやすくなるために上記光散乱によるノイズが非常に高くなると推定される。つまり、Ｔｅを１０原子%以上含みＳｂ／Ｔｅ比が４．５以上と高い組成では、Ｇｅ
含有量が６原子％を超えると、未記録の結晶状態ですでにノイズが高くなるため、ジッタが高くなってＣＤ−ＲＷとして良好な記録特性を得ることが困難になる。さらに、ＧｅとＴｅとの原子比が近い場合、ＧｅＴｅ相の析出によるものと考えられるノイズの上昇が発生する傾向にあるため、ＧｅとＴｅとの原子比は、１：３以上とすることが好ましく、１：４以上とするのがより好ましい。一方、ＴｅがＧｅに対して過度に含有されると非晶質マークの経時安定性が低下する傾向があるため、ＧｅとＴｅとの原子比は、１：２０以下とすることが好ましく、１：１５以下とすることがより好ましい。
また、単純にＳｂ／Ｔｅ比を高めた組成では、結晶化速度が速くなりすぎるあまり、非晶質マークが室温近傍でも短時間で再結晶化する傾向があり、信頼性も高く良好なオーバーライト記録特性を有するＣＤ−ＲＷを実現するのは困難であることも判明した。
そこで、本発明者らはさらに検討を進めた結果、Ｓｂ／Ｔｅ比を高めるとともにＧｅ含有量を６原子％以下とし、光記録媒体製造後の初期結晶状態を更に制御することで、高品質な記録信号品質を維持しながら２４倍速でのオーバーライトが可能な書き換え型光記録媒体を得ることができることを見出した。
上記ＧｅＳｂＴｅ共晶系組成における、媒体製造後の初期結晶状態を制御するために重
要となる、記録層成膜後の初期化条件についての詳細は後述し、まずＧｅＳｂＴｅ共晶系組成について述べる。
ＧｅＳｂＴｅ共晶系組成における好ましい組成は、ＳｂＴｅ共晶点組成より過剰のＳｂを含む２元合金に非晶質マークの経時安定性及びジッタの改善のためにＧｅを添加した３元合金をベースとするものと考えることができる。この際、Ｇｅの添加により、ＧｅＳｂＴｅ共晶系組成における過剰Ｓｂによる高速結晶化機能を損ねることなく、非晶質マークの経時安定性を高めることができると考えられる。Ｇｅは、同属のＳｉ，Ｓｎ，Ｐｂに比べて特異的に、非晶質マークの安定性を改善する効果がある。また、Ｇｅは、結晶化温度を高めるとともに、結晶化の活性化エネルギーを高めるのに最も有効な元素であると考えられる。
Ｇｅ量は、Ｇｅｙ（ＳｂｘＴｅ１−ｘ）１−ｙにおけるｙの値として０．０１以上、特に、０．０２以上であることが好ましい。一方このようにＳｂ含有量が多いＳｂＴｅ共晶組成では、Ｇｅ量が多すぎると、ＧｅＴｅやＧｅＳｂＴｅ系の金属間化合物が析出するとともに、ＳｂＧｅ合金も析出しうるために、相変化型記録層中に光学定数の異なる結晶粒が混在すると推定される。そして、この結晶粒の混在により、記録層のノイズが上昇しジッタが増加することがある。また、Ｇｅをあまりに多く添加しても非晶質マークの経時安定性の効果が飽和するため、通常Ｇｅ量は、上記式（Ｇｅｙ（ＳｂｘＴｅ１−ｘ）１−ｙ）におけるｙの値として、０．０６以下、好ましくは０．０５以下、より好ましくは０．０４以下である。
一方、過剰Ｓｂが少なすぎると、再結晶化速度が低すぎて２０倍速以上といった高線速で良好なオーバーライトができない場合があるので、特に、２４倍速でオーバーライト可能な媒体では、Ｓｂ／Ｔｅを５．５以上（Ｇｅｙ（ＳｂｘＴｅ１−ｘ）１−ｙにおけるｘの値として、０．８５≦ｘ）、一方６．５以下（Ｇｅｙ（ＳｂｘＴｅ１−ｘ）１−ｙにおけるｘの値として、ｘ≦０．８７）とすることが好ましい。
ＧｅＳｂＴｅ共晶系の組成を用いる場合、更に好ましいのは、上記ＧｅＳｂＴｅ共晶系組成にさらにＩｎ、Ｇａを含有させる系である。すなわち、ＭｚＧｅｙ（ＳｂｘＴｅ１−ｘ）１−ｙ−ｚ（０．０１≦ｚ≦０．１、０．０１≦ｙ≦０．０６、０．８２≦ｘ≦０．９であり、ＭはＧａ及びＩｎからなる群から選ばれた少なくとも一種の元素を表す。）で表される組成を主成分とする前記相変化型記録層を用いることである。
上記Ｍ＝Ｇａ，Ｉｎで示される一群の元素のうち少なくとも１種を添加することによりさらに特性が改善される。Ｉｎ、Ｇａはジッタの低減に効果がある。ただし、元素Ｍの量が多すぎると特定の物質の経時的偏析や繰返しオーバーライトによる偏析が起こりやすくなるため、元素Ｍの添加量は、ＭｚＧｅｙ（ＳｂｘＴｅ１−ｘ）１−ｙ−ｚ式におけるｚの量として、好ましくは０．１以下、より好ましくは０．０９以下とする。一方、Ｉｎ、Ｇａの添加によるジッタの低減の効果を発現させるためには、上記ｚの値は、好ましくは０．０１以上、より好ましくは０．０３以上、さらに好ましくは０．０５以上とする。
ＧｅＳｂＴｅ共晶系の組成において、Ｉｎ、Ｇａ以外に含みうる元素としては窒素、酸素及び硫黄を挙げることができる。これら元素は、繰返しオーバーライトにおける偏析の防止や光学特性の微調整ができるという効果がある。窒素、酸素及び硫黄の含有量は、Ｓｂ、Ｔｅ及びＧｅの合計量に対して５原子％以下であることがより好ましい。
また、Ｓｎ，Ｃｕ，Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、ＣｏをＧｅＳｂＴｅ共晶系の組成に含有させることもできる。これら元素は、ごく微量の添加により、結晶成長速度を低下させることなく、結晶化温度を上昇させ、さらなる経時安定性の改善に効果がある。ただし、これら元素の量が多すぎると特定の物質の経時的偏析や繰返しオーバーライトに
よる偏析が起こりやすくなるため、添加量は、通常１原子％以上とし、通常５原子％以下、好ましくは３原子％以下とする。偏析が生じると、記録層が初期に有する非晶質の安定性や再結晶化速度等が変化して、オーバーライト特性が悪化することがある。
ここで、上述の記録層組成が他の組成に比して特に好ましいことを説明する。
ＩｎＧｅＳｂＴｅ合金については特開平１−６３１９５号公報、特開平１−１４０８３号公報、特開平５−１６５２８号公報、特開平９−２９３２６９号公報にも記載があるが、いずれもＧｅＴｅ−Ｓｂ２Ｔｅ３擬似２元合金近傍組成を好ましいとしている。
本発明の前記組成はこれらとは異なり、ＳｂＴｅ共晶組成を主成分とし、大幅に過剰のＳｂを含む組成である。
本発明においては、相変化記録層の結晶状態において、前記記録層が同一の結晶相を主体として形成されていることが好ましい。その結果、ノイズが減少し、保存安定性が向上し、高速での結晶化が容易となる等の特性を得ることができる。
Ｓｂ２Ｔｅ３等の六方晶構造を有する結晶相やＳｂ等の立方晶ではあるが格子定数が大きく異なる結晶相、さらにはＳｂ７Ｔｅ、Ｓｂ２Ｔｅ３等のその他の空間群に属する他の結晶相が同時に存在する場合、格子不整合の大きな結晶粒界が形成される結果、マークの周辺形状が乱れたり、光学的なノイズが発生したりすると考えられるのに対し、同一の結晶相からなる場合には、このような結晶粒界が生じず、ノイズの減少、保存安定性の向上、及び高速結晶化等が可能となる。
ここで、記録層を同一の結晶相とするためには、媒体製造後の結晶状態を制御することが重要となる。これは、記録層を基板上に成膜した後の初期結晶化操作を行う際の初期結晶化条件の制御が重要であることを意味する。ＧｅＳｂＴｅ共晶系の組成における上記初期結晶化操作の詳細については後述する
本発明に用いるＳｂを主成分とする記録層は、結晶成長が主体の結晶化過程を示す。すなわち、通常、結晶化過程は、結晶化温度以上の相対的に低温領域で起きる結晶核生成と、むしろ融点直下の相対的に高温領域で進行する結晶核の成長という２つの過程を経るが、本発明に用いるＳｂを主成分とする記録層は、結晶核生成が少なく、結晶成長速度が極めて速いという特徴を有する。
本発明に用いる光記録媒体は、該光記録媒体を構成する記録層等の各層を成膜した後に、該記録層を初期結晶化して記録層を高反射率の未記録・消去状態とて製品とされる。そして、記録層への情報の記録は、記録層に局所的に集束光ビームを照射して該記録層を溶融せしめ、急冷することで非晶質マークを形成することにより行う。一方、記録層からの情報の消去は、形成された前記非晶質マークを再結晶化することによって再び記録層を結晶状態に戻すことによって行う。
ここで、上記消去（再結晶化）は、その周辺の結晶相を結晶核として、非晶質マーク周辺部からの結晶成長で非晶質部を埋め尽くすことにより達成される。したがって、非晶質マーク内部での結晶核生成の寄与は少なく、融点直下に近い高温で進行する、周辺結晶部からの結晶成長の寄与が支配的である。
このような、周辺結晶部からの結晶成長が主体の光記録媒体における消去は、当然、非晶質マークのサイズに依存する（例えば、Ｇ．Ｆ．Ｚｈｏｕ ｅｔ．ａｌ．， Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ、Ｖｏｌ．４０９０（２０００）、１０８ページを参照）。特に、ＣＤやＤＶＤのようなマーク長変調記録においては記録再生用の集束光ビーム進行方向に沿って細長いマークが形成されるので、上記消去は進行方向に対して横断方向のマーク幅に依存する。つまり、マーク幅が広いほど、消去に時間がかかる。
したがって、最近開発が行われ始めた、波長λ＝４００ｎｍ程度、集束光ビームの集束用対物レンズのＮＡ＝０．８５程度の光学系（以下、青色記録系と称する）での高密度マーク長変調記録よりも、相対的に低記録密度であるＣＤ−ＲＷ、ＲＷ−ＤＶＤの方が、非晶質マークの大きさが大きくなる分、高速消去が困難で、高速オーバーライト記録が難しいという事情がある。
本発明者らの検討によれば、特にＳｂ／Ｔｅ比が同じ記録層組成ならば、概ねλ／ＮＡで決まる集束光ビームの径の平方根とオーバーライト可能な線速度の上限とは反比例することがわかった。例えば、上記、青色記録系では、Ｇｅを添加したＳｂＴｅ共晶系記録層を用いて、すでに２０ｍ／ｓ程度でオーバーライト可能な記録層が本発明者らによって報告されている（Ｈｏｒｉｅ ｅｔ．ａｌ．，
Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ、 Ｖｏｌ．４３４２（２００１）、 ７６ページ）。青色記録系では、概ねＳｂ／Ｔｅ比が４程度であっても２０ｍ／ｓでのオーバーライトが達成できる。しかしながら、ＲＷ−ＤＶＤ系（λ＝６６０ｎｍ、ＮＡ＝０．６５）では、約１４ｍ／ｓ程度までしかオーバーライトができない。また、ＣＤ−ＲＷ系（λ＝７８０ｎｍ、ＮＡ＝０．５）では、１１ｍ／ｓ程度でしかオーバーライトができない。つまり、青色記録系で、２０ｍ／ｓ程度より高線速でオーバーライト可能な記録層を単純に適用しても、ＣＤ−ＲＷでの１８〜２０倍速やＲＷ−ＤＶＤでの５倍速程度では良好なオーバーライトはできない。さらに、青色記録系では、結晶粒によるノイズの影響が低くて、Ｓｂ／Ｔｅ比が高く比較的結晶粒界ノイズの大きな記録層でも適用可能であるが、ＣＤ−ＲＷやＲＷ−ＤＶＤに適用する場合は、Ｓｂ／Ｔｅ比が高くなることによる結晶粒界のノイズの影響は無視できなくなる。
このため、ＳｂＴｅ共晶系材料をＲＷ−ＤＶＤ、ＣＤ−ＲＷに適用するためには、Ｓｂ／Ｔｅをより高くして、少なくとも４．５以上とせねばならない。一方、単純にＳｂ／Ｔｅ比を高めれば良いのではなく、前述のような組成範囲及び後述のような初期化方法に工夫して、より結晶粒界によるノイズを低くするための対策を行う必要がある。また、室温近傍における非晶質マークの安定性にも一層注意を払わねばならない。もちろん、本発明に用いる光記録媒体の他の構成要素である保護層等の膜厚等に関しても、変調度、Ｒｔｏｐを考慮した大幅な見直しが必要であることはいうまでもない。
相変化型記録層中に含有されるＴｅの量によって分類することができる、本発明の光記録媒体に用いるもう一つの好適な記録層材料の組成としては以下のものをあげることができる。すなわち、相変化型記録層の組成を、Ｓｂを主成分としつつ、Ｔｅを１０原子％未満とし、さらにＧｅを必須成分として含有するようにするのである。このような組成とすることにより、ＣＤ−ＲＷの３２倍速でのオーバーライトが可能となる。
上記相変化型記録層の組成の具体例としては、Ｇｅ１０Ｓｂ９０近傍組成の共晶合金を主成分とし、Ｔｅを１０原子％未満含有する合金（本明細書においては、これをＧｅＳｂ系共晶合金と呼ぶ場合がある。）を好ましく挙げることができる。
Ｔｅ添加量が１０原子％未満の組成は、ＳｂＴｅ共晶ではなく、ＧｅＳｂ共晶を基本とするＧｅＳｂ系共晶合金としての性質を有するようになる。このＧｅＳｂ系共晶合金は、Ｇｅ含有量が１０原子％程度と高くても、初期結晶化後の多結晶状態の結晶粒径は比較的微細なために結晶状態が単一相となりやすく、ノイズが低い。ＧｅＳｂ系共晶合金においては、Ｔｅは、付加的に添加されるにすぎず必須元素とはならない。
ＧｅＳｂ系共晶合金では、Ｓｂ／Ｇｅ比を相対的に高くすることで、結晶化速度を速めることができ、再結晶化による非晶質マークの再結晶化が可能である。
本発明者等の検討によれば、このＧｅＳｂ系共晶合金を相変化記録材料として用いた光記録媒体は、ＣＤ−ＲＷにおいて３２倍速で消去比２５ｄＢを達成しうるほど、高速結晶
化が可能でありながら、非晶質マークは、上記ＧｅＳｂＴｅ共晶系よりさらに安定であることがわかった。また、このＧｅＳｂ系共晶合金を相変化記録材料として用いた光記録媒体は、上記ＧｅＳｂＴｅ共晶系で、２４倍速、さらには、３２倍速での消去を可能にするためにＳｂ／Ｔｅ比を高めた場合に見られるノイズの増加がなく、低ノイズでの記録が可能になるなどの特徴があることも見出した。
実際に、透過電子顕微鏡により、未記録又は消去状態の結晶状態にある記録層を剥離して観察したところ、これらＧｅＳｂ共晶をベースとする合金記録層では、ＳｂＴｅ共晶をベースとする合金記録層よりも、結晶粒径が小さくなっており、これが結晶粒界や結晶の異方性による光の散乱に由来するノイズの低下に有効であることがわかった。
ここで、このＧｅＳｂ系共晶合金を主成分とする場合には、Ｇｅの含有量は１原子％以上、３０原子％以下とするのが好ましい。
このようなＧｅＳｂ系共晶合金の好ましい組成としては、ＴｅγＭ１β（ＧｅαＳｂ１−α）１−βーγ（ただし、０．０１≦α≦０．３、０≦β≦０．３、０≦γ＜０．１、２≦β／γ、０＜β＋γ≦０．４であり、Ｍ１はＩｎ、Ｇａ、及びＳｎからなる群から選ばれる一つである。）を挙げることができる。ＧｅＳｂ２元共晶合金に、Ｉｎ、Ｇａ、又はＳｎを添加することにより、結晶状態と非晶質状態の光学的特性差を大きくする効果を顕著とすることができ、ＣＤ−ＲＷ及びＲＷ−ＤＶＤの互換媒体において高い変調度を得ることができるようになる。
上記ＴｅＭ１ＧｅＳｂ系の組成においては、Ｇｅは、非晶質の形成を容易にし、非晶質の記録マークの保存安定性を高める働きがある。このため、Ｇｅの含有量を示すαは、通常０．０１以上とするが、好ましくは０．０３以上、より好ましくは０．０５以上とする。一方で、Ｇｅの含有量が多くなると結晶化速度が低下するので、２０ｍ／ｓ以上の高速記録でのオーバーライトにおける消去性能を確保するためには、αは、通常０．３以下とするが、０．２以下とするのが好ましい。
また、上記ＴｅＭ１ＧｅＳｂ系の組成においては、元素Ｍ１はＩｎ、Ｇａ、及びＳｎからなる群から選ばれる一つとする。
元素Ｍ１としてＩｎ、Ｇａを用いることで、超高速記録におけるジッタが改善され、光学的なコントラストも大きくすることができるようになる。このため、Ｉｎ及び／又はＧａの含有量を示すβは、通常０以上、好ましくは０．０１以上、より好ましくは０．０５以上とする。ただし、Ｉｎ又はＧａが過度に多いと、消去状態として使用する結晶相とは別に、非常に低反射率のＩｎ−Ｓｂ系、又はＧａ−Ｓｂ系の他の結晶相が形成されてしまう。特に、長時間保存した場合に、この結晶相が析出し、Ｒｔｏｐが低下する。従って、βは、通常０．３以下、好ましくは、０．２以下、より好ましくは、０．１５以下とする。尚、ＩｎとＧａとを比較すると、Ｉｎの方がより低ジッタを実現できるため、上記Ｍ１はＩｎとすることが好ましい。
一方、元素Ｍ１としてＳｎを用いることで、超高速記録におけるジッタが改善され、光学的なコントラスト（結晶状態と非晶質状態の反射率差）が大きくとれるようになる。このため、Ｓｎの含有量を示すβは、通常０以上、好ましくは０．０１以上、より好ましくは０．０５以上とする。ただし、Ｓｎが過度多いと、記録直後の非晶質相が、低反射率の他の非晶質相に変化してしまう。特に、長時間保存した場合に、この安定化非晶質相が析出し、消去性能が低下する。従って、βは、通常０．３以下、好ましくは０．２５以下、より好ましくは０．２以下、更に好ましくは０．１５以下、特に好ましくは０．１２以下とする。
元素Ｍ１として、Ｉｎ、Ｇａ、及びＳｎのうち複数の元素を用いることもできる。元素
Ｍ１に複数の元素を用いる場合は、変調度を大きくする点から、Ｉｎ及びＳｎを含有させることが好ましい。Ｉｎ及びＳｎを含有させる場合、これら元素の合計含有量は、通常１原子％以上、好ましくは５原子％以上とし、通常４０原子％以下、好ましくは３０原子％以下、より好ましくは２５原子％以下とする。
上記ＴｅＭ１ＧｅＳｂ系の組成においては、Ｔｅを含有することで超高速記録における消去比の経時的変化を改善することができるようになる。このため、Ｔｅの含有量を示すγは、通常０以上とするが、好ましくは０．０１以上、より好ましくは０．０２以上、さらに好ましくは０．０３以上、特に好ましくは０．０５以上とする。ただし、Ｔｅが過度に多いと、ノイズが高くなる場合があるため、γは、通常０．１より小とするが、０．０９以下とするのが好ましく、０．０８以下とするのがより好ましく、０．０７以下とするのがさらに好ましい。
尚、上記ＴｅＭ１ＧｅＳｂ系の組成において、Ｔｅと元素Ｍ１とを含有させる場合は、これらの合計含有量を制御することが有効である。従って、Ｔｅ及び元素Ｍ１の含有量を示すβ＋γは、通常０より大きくするが、好ましくは０．０１以上、より好ましくは０．０５以上とすることである。β＋γを上記範囲とすることで、Ｔｅ及び元素Ｍ１を同時に含有させる効果が良好に発揮されるようになる。一方、ＧｅＳｂ系共晶合金を主成分とする効果を良好に発揮されるために、β＋γは、通常０．４以下、好ましくは０．３５以下、より好ましくは０．３以下とする。一方、元素Ｍ１とＴｅとの原子数比を表すβ／γは２以上とするのが好ましい。Ｔｅを含有させることによって光学的コントラストが低下する傾向にあるため、Ｔｅを含有させた場合には、元素Ｍ１の含有量を若干多くする（βを若干大きくする）ことが好ましい。
上記ＴｅＭ１ＧｅＳｂ系の組成に添加しうる元素としては、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓｉ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｖ、Ｍｏ、希土類元素、Ｎ、Ｏ等があり、光学特性や結晶化速度の微調整等に使われるが、その添加量は、最大で１０原子％程度である。
以上において最も好ましい組成の一つは、ＩｎｐＳｎｑＴｅｒＧｅｓＳｂｔ（０≦ｐ≦０．３、０≦ｑ≦０．３、０＜ｐ＋ｑ≦０．３、０≦ｒ＜０．１、０＜ｓ≦０．２、０．５≦ｔ≦０．９，ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ＋ｔ＝１）なる合金系を主成分とする組成である。ＴｅとＩＮ及び／又はＳｎとを併用する場合は、（ｐ＋ｑ）／ｒ≧２とするのが好ましい。
上記組成を用いることにより、ＧｅＳｂ共晶系において、Ｉｎ，Ｓｎを含有させることよる変調度の増大が達成されるとともに、ジッタの低減も達成される。そして、Ｔｅを含有させることによって、消去能力の経時安定性も改善される。さらに、上記組成においては、いずれかの添加元素に由来する結晶相の出現が抑制され、実質的にＳｂの六方晶を基本とする単一相多結晶が安定的に形成される利点もある。
上記ＧｅＳｂＴｅ共晶系組成及びＧｅＳｂ系共晶組成のいずれを記録層に用いる場合においても、記録層の結晶相は同一の結晶相を主体として形成されることが好ましい。このような結晶相の形態は、記録層の初期化方法に大きく依存する。即ち、本発明において好ましい上記結晶相を形成させるためには、記録層の初期化方法を下記のように工夫するのが好ましい。
記録層は通常スパッタ法等の真空中の物理蒸着法で成膜されるが、成膜直後のａｓ−ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ状態では、通常非晶質であるため、通常はこれを結晶化させて未記録消去状態とする。この操作を初期化と称する（本明細書においては、初期化を「初期結晶化操作」又は「初期結晶化」という場合がある。）。初期化操作としては、例えば、結晶化温度（通常１５０〜３００℃）以上融点以下での固相でのオーブンアニールや、レーザー光やフラッシュランプ光などの光エネルギー照射でのアニール、溶融初期化などの方法が
挙げられるが、上記好ましい結晶状態の記録層を得るためには、溶融初期化を用いるのが好ましい。固相でのアニールの場合は、熱平衡を達成するための時間的余裕があるために、他の結晶相が形成されやすい一方で、溶融初期化を用いた場合は、固層よりも結晶核を生成しやすく、かつ熱平衡を達成するための時間が短くなり、単一の結晶相が形成されやすくなる利点がある。
溶融初期化においては、記録層を溶融させて再凝固時に直接再結晶化させてもよく、また、再凝固時にいったん非晶質状態とした後、融点近傍で固相再結晶化させてもよい。この際、結晶化の速度が遅すぎると熱平衡を達成するための時間的余裕があるために他の結晶相が形成されることがあるので、ある程度冷却速度を速めるのが好ましい。
溶融初期化においては、融点以上に保持する時間は、通常２μｓ以下、好ましくは１μｓ以下とすることが好ましい。また、溶融初期化には、レーザ光を用いるのが好ましく、特に、走査方向にほぼ平行に短軸を有する楕円型のレーザ光を用いて初期化を行う（以下この初期化方法を「バルクイレーズ」と称することがある）のが好ましい。この場合、長軸の長さは、通常１０〜１０００μｍであり、短軸の長さは、通常０．１〜１０μｍである。なお、ここでいうビームの長軸及び短軸の長さは、ビーム内の光エネルギー強度分布を測定した場合の半値幅から定義される。使用する相変化媒体のオーバーライト記録可能な最高使用線速度より高い速度で走査した場合、初期化操作で一旦溶融した領域が非晶質化してしまうことがある。従って、オーバーライト記録可能な最高使用線速度以下の線速度で操作することが好ましい。なお、最高使用線速度そのものは、その線速度でオーバーライトして消去比を測定したときに、消去比が２０ｄＢを超えるような記録線速度の上限として定まる。レーザ光源としては、半導体レーザ、ガスレーザ等各種のものが使用できる。レーザ光のパワーは通常１００ｍＷから５Ｗ程度である。
ＧｅＳｂＴｅ共晶系組成を用いる記録層における好ましい走査速度について説明する。
特開２００１−２２９５３７号公報で開示されたような１０から１２倍速をオーバーライト可能な最高使用線速の上限とするＳｂ／Ｔｅ比が４以下のＧｅＳｂＴｅ共晶系組成においては、好ましい走査速度は、３〜１０ｍ／ｓ程度となる。また、特開２００１−３３１９３６号公報に開示されたような１６倍速程度のオーバーライトを想定したＧｅＳｂＴｅ共晶系組成においても、好ましい走査速度は、３〜１０ｍ／ｓ程度となる。このように、使用するオーバーライト線速度が高まるにつれ、初期化時の走査速度は速まる傾向があった。
これに対し、本発明のように、Ｓｂ／Ｔｅ比を４．５以上と非常に高くしたＧｅＳｂＴｅ共晶系組成においては、むしろ０．１〜３ｍ／ｓの低線速、特に好ましくは、２ｍ／ｓ程度の低線速とする方が、良好な初期結晶化を行うことができることが判明した。
一方で、、ＧｅＳｂ系共晶組成（ＧｅＳｂ系共晶合金）の記録層においては、高線速度で走査しながら初期化することが望ましく、概ね１０〜２０ｍ／ｓで初期化すればよい。
バルクイレーズによる初期化の際、例えば円盤状の記録媒体を使用した際、楕円ビームの短軸方向をほぼ円周方向と一致させ、円盤を回転させて短軸方向に走査するとともに、１周（１回転）ごとに長軸（半径）方向に移動させて、全面の初期化を行うことができる。１回転あたりの半径方向の移動距離は、ビーム長軸より短くし、同一半径領域がレーザー光ビームで複数回照射されるようにするのが好ましい。その結果、確実な初期化が可能となると共に、ビーム半径方向のエネルギー分布（通常１０〜２０％）に由来する初期結晶化状態の不均一を回避することができる。一方、移動量が小さすぎると、かえって前記他の好ましくない結晶相が形成されやすいので、上記１回あたりの半径方向の移動距離は、通常ビーム長軸の１／２以上とする。
良好に溶融再結晶化が行われたかどうかは、実際の１μｍ程度の記録光で非晶質マークを複数回オーバーライトした後の消去状態（結晶状態）の反射率Ｒ１と、初期結晶化後の未記録状態の反射率Ｒ２とが実質的に等しいかどうかで判断できる。ここで、非晶質マークが断続的に記録されるような信号パターンを用いた場合には、Ｒ１の測定は、通常は５から１００回程度の複数回のオーバーライト後に行う。このようにすることにより、一回の記録だけでは未記録状態のまま残りうるマーク間の反射率の影響を除去する。
反射率Ｒ１を測定するための上記消去状態は、必ずしも記録用集束レーザー光を実際の記録パルス発生方法に従って変調しなくても、記録パワーを直流的に照射して記録層を溶融せしめ、再凝固させることによっても得られる。
本発明には、Ｒ１とＲ２とで定義される下記式（Ｆ１）の値が１０（％）以下、特には５（％）以下となるようにするのが好ましい。
Figure 0004521054
 ２｜Ｒ１−Ｒ２｜／（Ｒ１＋Ｒ２）×１００（％） …（Ｆ１）
例えば、Ｒ１が１７％程度の相変化媒体では、概ねＲ２が１６〜１８％の範囲にあればよい。
そして、上記（Ｆ１）を満たすようにするためには、概ね実際の記録条件と等しい熱履歴を初期結晶化によって与えるのが好ましいのである。
また、このような初期化を施した未記録状態、又はこれに複数回オーバーライトを行った後の消去状態にあるＳｂを主成分とする合金記録層（結晶状態）を剥離して、透過電子顕微鏡により記録層を観察したところ、純粋なＳｂの六方晶に近い結晶相のみが見られる単一相を形成し、その結晶粒が記録面内方向に関して特定方向に配向していることもわかった。
３．媒体の層構成について
次に、本発明に用いられる媒体の層構成及び記録層以外の層について説明する。層構成及び記録層以外の層の組成を制御することは、記録層の高速結晶化及び記録マークの経時安定性を両立させつつ、媒体の光学特性を特定範囲としＣＤ又はＤＶＤとの再生互換性を保つために重要である。
本発明の媒体の基板には、ポリカーボネート、アクリル、ポリオレフィンなどの樹脂、あるいはガラスを用いることができる。なかでもポリカーボネート樹脂が最も好ましい。これは、ポリカーボーネートがＣＤ又はＤＶＤにおいて最も広く用いられている実績もあり安価でもあるためである。尚、基板側から収束光ビームが入射するような場合には、基板は透明であることが好ましい。基板の厚さは通常０．１ｍｍ以上、好ましくは０．３ｍｍ以上、一方、通常２０ｍｍ以下、好ましくは１５ｍｍ以下である。一般的には、ＣＤの場合は１．２ｍｍ程度とされ、ＤＶＤの場合は０．６ｍｍ程度とされる。
ＤＶＤの場合、このような基板の上に反射層や保護層等の所定の層を介して相変化型記録層を設け、さらにこの相変化型記層上に保護層等の所定の層を介して再度基板が設けられる。すなわち、ＤＶＤにおいては、相変化型記録層の上下を２枚の基板で挟むような構造を採用する。
記録層は、記録時の高温による変形を防止するためその上下を保護層で被覆されていることが望ましい（説明の便宜上、記録層に対して入射される光の側にある保護層を下部保護層、反対側にある保護層を上部保護層と称することがある。）。
現行ＣＤ又はＤＶＤシステムとの互換性を維持するために、望ましい媒体の層構成は、基板上に、下部保護層、記録層、上部保護層及び反射層を設けるようにすることである。この場合、基板と反対側の表面を紫外線もしくは熱に対して硬化性の樹脂で被覆（保護コート）することができる。
記録層、保護層及び反射層は、スパッタリング法によって形成することができる。この場合、記録膜用ターゲット、保護膜用ターゲット及び必要な場合には反射層材料用ターゲットを同一真空チャンバー内に設置したインライン装置でスパッタリングによる膜形成を行うことが、記録層、保護層、及び反射層の各層間における酸化や汚染を防ぐ点で望ましい。
保護層に用いられる材料としては、屈折率、熱伝導率、化学的安定性、機械的強度、密着性等に留意して決定される。一般的には透明性が高く高融点である金属や半導体の酸化物、硫化物、窒化物、炭化物やＣａ、Ｍｇ、Ｌｉ等のフッ化物を用いることができる。これらの酸化物、硫化物、窒化物、フッ化物は必ずしも化学量論的組成をとる必要はなく、屈折率等の制御のために組成を制御したり、混合して用いることも有効である。
繰返し記録特性を考慮すると誘電体の混合物が好ましい。より具体的には、ＺｎＳやＺｎＯ、希土類硫化物と酸化物、窒化物、炭化物等の耐熱化合物との混合物が挙げられる。これらの保護層の膜密度はバルク状態の８０％以上であることが機械的強度の面から望ましい。
本発明においては、保護層、特に上部保護層の熱伝導率をできるだけ小さくするのが好ましい。具体的には、熱伝導率が１Ｊ／（ｍ・ｋ・ｓ）以下のものを使用するのが好ましい。このような材料としては、ＺｎＳやこれを５０ｍｏｌ％以上含む混合物を挙げることができる。
下部保護層膜厚は通常３０ｎｍ以上であるが、５０ｎｍ以上とすることが好ましく、６０ｎｍ以上とすることがより好ましく、８０ｎｍ以上とすることが特に好ましい。繰返しオーバーライト時の熱ダメージによる基板変形を抑制するためには、ある程度の膜厚が必要であり、下部保護層の膜厚が薄すぎると、繰返しオーバーライト耐久性が急激に悪化する傾向にある。特に、繰返し回数が数百回未満の初期に急激にジッタが増加する傾向にある。ＣＤ−ＲＷにおいては、下部保護層膜厚を８０ｎｍ以上とすることが特に好ましい。
繰返し初期のジッタの悪化は、下部保護層膜厚に著しく依存する。本発明者等の原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）による観察によれば、この初期劣化は基板表面が２〜３ｎｍ程度へこむ変形によるものであることがわかった。基板変形を抑制するためには、記録層の発熱を基板に伝えないために熱絶縁効果があり、かつ、機械的に変形を押さえ込むような保護層膜厚が必要であり、そのために上記の膜厚が好ましい。
また、下部保護層の膜厚を制御することにより、反射率Ｒｔｏｐを所定範囲とすることができるようになる。
すなわち、波長７８０ｎｍ付近のレーザを用いるＣＤ−ＲＷにおいて通常用いられる屈折率２．０〜２．３程度の誘電体からなる保護層では、下部保護層の膜厚を６０〜８０ｎｍとすると反射率Ｒｔｏｐが最小となり、下部保護層の膜厚が０及び１５０ｎｍ程度で反射率Ｒｔｏｐが最大となるのが通常である。該下部保護層膜厚の変化に伴って、反射率は最大と最小を取る周期的な変化を示す。従って、あまり厚くすることは光学的には意味がなく、また材料コストの増大、厚膜成膜による基板上に形成された溝が埋まってしまう現象（溝カバレッジ現象）等が発生することもある。よって、Ｒｔｏｐを１５〜２５％とするには、通常下部保護層を１２０ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下、より好ましくは９０ｎｍ以下とする。
一方、波長６６０ｎｍ付近のレーザを用いるＲＷ−ＤＶＤにおいて通常用いられる屈折率２．０〜２．３程度の誘電体からなる保護層では、下部保護層の膜厚を５０〜７０ｎｍとすると反射率Ｒｔｏｐが最小となり、下部保護層の膜厚が０及び１３０ｎｍ程度で反射率Ｒｔｏｐが最大となるのが通常である。従って、ＣＤ−ＲＷと同様の考え方から、下部保護層は通常１００ｎｍ以下、好ましくは９０ｎｍ以下とする。
一方、上部保護層の膜厚は、通常１０ｎｍ以上とする。ＣＤ−ＲＷでは、上部保護層の膜厚は、好ましくは２０ｎｍ以上、より好ましくは２５ｎｍ以上である。ＲＷ−ＤＶＤでは、上部保護層の膜厚は、好ましくは１５ｎｍ以上、より好ましくは１８ｎｍ以上である。
上部保護層は、主に記録層と反射層の相互拡散を防止する。上部保護層が薄すぎると、記録層溶融時の変形等によって上部保護層が破壊されやすくなり、また記録層での放熱が大きくなりすぎて、記録に要するパワーが不必要に大きくなる（記録感度が低下する）傾向にある。特に本発明のように高倍速で記録を行おうとする場合、記録感度の低下は好ましいことではない。
一方、上部保護層が厚すぎると、保護層内部の温度分布が急峻になり、保護層自体の変形が大きくなり、この変形がオーバーライトにより蓄積されて媒体の変形を招くことがある。このような点から、ＣＤ−ＲＷにおいては、上部保護層の膜厚は、通常６０ｎｍ以下、好ましくは５５ｎｍ以下、より好ましくは３５ｎｍ以下とする。一方、ＲＷ−ＤＶＤにおいては、上部保護層の膜厚は、通常３５ｎｍ以下、好ましくは３０ｎｍ以下とする。
次に記録層について説明する。
ＣＤ−ＲＷにおいては、記録層の膜厚は、通常１０ｎｍ以上とするが、１５ｎｍ以上とするのが好ましい。一方、ＲＷ−ＤＶＤにおいては、記録層の膜厚は、通常８ｎｍ以上とするが、１５ｎｍ上とするのが好ましい。記録層の厚みが薄すぎると、十分な光学的なコントラストが得られにくく、また結晶化速度が遅くなる傾向がある。また短時間での記録消去も困難となりやすい。
一方、記録層の膜厚は、通常４０ｎｍ以下とする。ＣＤ−ＲＷにおいては、記録層の膜厚は、３０ｎｍ以下とするのが好ましく、２５ｎｍ以下とするのがさらに好ましい。一方、ＲＷ−ＤＶＤにおいては、記録層の膜厚は、２５ｎｍ以下とするのが好ましく、２０ｎｍ以下とするのがさらに好ましい。記録層の膜厚が過度に厚いと、膜厚を薄くする場合と同様に光学的なコントラストが得にくくなり、また、記録層の熱容量が大きくなるために記録感度が悪くなることがある。さらにまた、相変化に伴う記録層の体積変化は、記録層が厚くなるほど大きくなるため、記録層が厚すぎると、繰返しオーバーライト時に保護層及び基板表面等に微視的な変形が蓄積され、ノイズの上昇につながることもある。
記録層及び保護層の厚みは、機械的強度や信頼性の面（特に繰返しオーバーライト耐久性）からの制限の他に、多層構成に伴う干渉効果も考慮して、レーザー光の吸収効率が良く、記録信号の振幅、すなわち記録状態と未記録状態のコントラストが大きくなるように選ばれる。
これらすべてのバランスを取りうる層構成としては、まず、上下の保護層の屈折率を２．０〜２．３とする。そして、下部保護層膜厚ｄＬ、記録層膜厚ｄＲ、上部保護層膜厚ｄＵとするとき、ＣＤ−ＲＷにおいては、１５≦ｄＲ≦２５ｎｍ、１０≦ｄＵ≦６０ｎｍとする。さらに、ｄＬの値は、再生時の結晶状態に対する反射光ＲｔｏｐのｄＬ依存性において、ｄＬが６０〜１２０ｎｍの範囲内でＲｔｏｐの極小値から厚膜方向への次の極小値迄の間で∂Ｒｔｏｐ／∂ｄＬ≧０となるように制御することが望ましい。
一方、ＲＷ−ＤＶＤでは、下部保護層膜厚ｄＬ、記録層膜厚ｄＲ、上部保護層膜厚ｄＵ
とするとき、１０≦ｄＲ≦２０ｎｍ、１５≦ｄＵ≦３０ｎｍとする。さらに、ｄＬの値は、再生時の結晶状態に対する反射光ＲｔｏｐのｄＬ依存性において、ｄＬが５０〜１００ｎｍの範囲内でＲｔｏｐの極小値から厚膜方向への次の極小値迄の間で∂Ｒｔｏｐ／∂ｄＬ≧０となるように制御することが望ましい。
本発明の光記録媒体は、従来の最高使用線速が４倍速又は１０倍速であるＣＤ−ＲＷ媒体、又は２．４倍速程度までのＲＷ−ＤＶＤ媒体に比較して、反射層の放熱効果をさらに高めることが重要である。反射層の特性を調整し、さらに前記記録層と組合せることによって、より容易に高線速及び低線速の両方での記録が可能となる。また、上記保護層として低い熱伝導率の材料を用いることを併用することによってより大きな効果を得ることができる。
非晶質の形成及び再結晶化過程と、反射層の放熱効果及び記録時線速度の関係を図４により説明する。
図４において横軸は記録線速度であり、左の縦軸は記録層を溶融し再凝固させたときの冷却速度を示したもので、この冷却速度Ｒが記録層材料で決まる臨界冷却速度Ｒｃより大きければ記録層は非晶質となり、非晶質マークが形成される。図４の左の縦軸において、記録層の結晶化速度を高めることは、Ｒｃが大きくなって上方に移動することを意味する。
前記記録方式ＣＤ１−１、１−２、１−３のいずれかと、前記記録方式ＣＤ２−１、２−２、２−３のいずれかとを併用して、光記録媒体に情報を記録する際の最小線速度と最大線速度とが２倍以上異なるような光記録媒体（例えば、最小線速度を基準線速度の８倍速、１０倍速又は１２倍速とし、最大線速度を基準線速度の２４倍速として用いる光記録媒体や、最小線速度を基準線速度の８倍速、１０倍速、１２倍速、又は１６倍速とし、最大線速度を基準線速度の３２倍速として用いる光記録媒体）を実現する場合の非晶質の形成と記録線速度との関係について、図４を用いて説明する。例えば、最小線速度が基準線速度の８倍速であり最大線速度が基準線速度の３２倍速である場合、本発明の光記録媒体の記録層組成や層構成及び／又は本発明の記録方法を用いることによって、図４の曲線ｄのように全ての線速度において光記録媒体の冷却速度をＲｃ以上とすることができるようになり、記録線速度が最小線速度と最大線速度とで２倍以上異なるような場合においても、光記録媒体へ非晶質の記録マークを良好に形成することができるようになる。
同様に、前記記録方式ＤＶＤ１−１、１−２、１−３のいずれかと、前記記録方式ＤＶＤ２−１、２−２、２−３のいずれかとを併用して、光記録媒体に情報を記録する際の最小線速度と最大線速度とが２倍以上異なるような光記録媒体（例えば、最小線速度を基準線速度の２倍速、２．５倍速又は３倍速とし、最大線速度を基準線速度の６倍速として用いる光記録媒体や、最小線速度を基準線速度の２倍速、２．５倍速、３倍速、又は４倍速とし、最大線速度を基準線速度の８倍速として用いる光記録媒体）を実現する場合の非晶質の形成と記録線速度との関係について、図４を用いて説明する。例えば、最小線速度が基準線速度の２倍速であり最大線速度が基準線速度の８倍速である場合、本発明の光記録媒体の記録層組成や層構成及び／又は本発明の記録方法を用いることによって、図４の曲線ｄのように全ての線速度において光記録媒体の冷却速度をＲｃ以上とすることができるようになり、記録線速度が最小線速度と最大線速度とで２倍以上異なるような場合においても、光記録媒体へ非晶質の記録マークを良好に形成することができるようになる。
図４中の曲線ａは、反射層の面積抵抗率が０．６Ω／□より大きい従来構成のディスクに、図１の固定パルスストラテジーを適用した場合における記録層の冷却速度の記録線速度依存性の一例を表している。この光記録媒体と記録方法では、全ての線速度で冷却速度がＲｃより小さいため、非晶質の記録マークを記録層に形成することはできない。
図４中の曲線ｂは、本発明の光記録媒体を実現するために、反射層を後述の放熱効果の高い組成のものに変えて放熱効果を高めた光記録媒体において、図１の固定パルスストラテジーを適用した場合における記録層の冷却速度の記録線速度依存性の一例を表している。曲線ｂは曲線ａの上方にあり、曲線ｂを有する光記録媒体は、曲線ａで示される記録層の冷却速度の記録線速度依存性を有する光記録媒体と比較して、全ての記録線速度において非晶質マークが形成されやすくなることがわかる。
また、図４中の曲線ｃは、上記従来層構成のディスクに後述の２Ｔベースの記録パルスストラテジー（記録パルス分割方式（Ｉ）〜（ＩＩＩ））を適用した場合の記録層の冷却速度の記録時線速度依存性を表している。
さらに、図４中の曲線ｄは、上記ＧｅＳｂＴｅ共晶系合金又はＧｅＳｂ共晶系合金を記録層に用いたディスクにおいて、後述の記録パルス分割方式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）を適用した場合における記録層の冷却速度の記録線速度依存性の一例を表している。曲線ｄは曲線ｃの上方にあり、曲線ｄを有する光記録媒体は、全ての記録線速度において非晶質マークが形成されやすくなることがわかる。
高線速度では、冷却速度が記録層非晶質化の臨界冷却速度Ｒｃより十分大きいために、非晶質形成に及ぼす反射層の放熱効果は顕著に影響しないが、低線速度では、全体として記録層冷却速度が低下する結果、冷却速度がＲｃ近傍より低くなるために、非晶質形成に及ぼす反射層の放熱効果が顕著にあらわれるようになる。
一方、これら曲線は、記録層が消去パワーＰｅの記録光によって非晶質状態のマークを再結晶化される場合の、記録層が結晶化温度以上に保持される時間τの逆数１／τの線速度依存性ともみなせる（図４中右側の縦軸）。この保持時間τが記録層材料で決まる臨界結晶化時間τｃより大きければ、つまり１／τ＜１／τｃであれば、非晶質マークは十分に再結晶化されて消去されることになる。本発明では、特に結晶化速度の速い前述のような記録層材料を用いているので、τｃは小さく、Ｒｃは大きくなる。
なお、ＣＤ−ＲＷにおいては、３Ｔマークと３Ｔスペースからなる単一周期信号を記録後、１１Ｔマークと１１Ｔスペースからなる単一周期信号をオーバーライトしたときの３Ｔマークの消去比が２０ｄＢ以上となるようにすれば、通常、１／τ＜１／τｃとなり、非晶質マークは十分に再結晶化されて記録マークの消去が良好に行われるようになる。
同様に、ＲＷ−ＤＶＤにおいては、３Ｔマークと３Ｔスペースからなる単一周期信号を記録後、１４Ｔマークと１４Ｔスペースからなる単一周期信号をオーバーライトしたときの３Ｔマークの消去比が２０ｄＢ以上となるようにすれば、通常、１／τ＜１／τｃとなり、非晶質マークは十分に再結晶化されて記録マークの消去が良好に行われるようになる。
高い結晶化速度を有する前述のＧｅＳｂＴｅ共晶系合金又はＧｅＳｂ共晶系合金の記録層材料を用いることは、τｃを小さくして、高速、短時間消去を可能にすると一方で、Ｒｃも極めて高くなり、非晶質マークが形成しにくいという状態も生じ得る。
従って、本発明の光記録媒体においては、高線速でのオーバーライトで十分な消去ができるよう１／τ＜１／τｃを満足させると同時に、低線速での冷却速度をＲｃより大きくするという相反する要求を満足させる曲線ｄのような特性を有することが重要である。このような媒体を得るために、各層の組成や厚さを選択し、後述の２Ｔベースのパルスストラテジーを用いる必要があるのである。
上記のような観点から、反射層の材料としては、熱伝導率が高く放熱効果が大きいＡｌ
あるいはＡｇを主成分とする合金を用いるのが好ましい。反射層の比熱はＡｌやＡｇを主成分とする合金では純Ａｌ及び純Ａｇに準じており、微量元素添加や薄膜化でほとんど変化しないと考えられる。従って放熱効果は反射層の熱伝導率と厚みに依存する。
一般には薄膜の熱伝導率はバルク状態の熱伝導率と大きく異なり、小さくなっているのが普通であり、薄膜を成膜する際の成膜初期の島状構造の影響で熱伝導率が１桁以上小さくなる場合もある。さらに、成膜条件によって結晶性や不純物量が異なるようになるため、例えばスパッタリングによる成膜に用いるターゲットを同じ組成としても、成膜状件により成膜される薄膜の熱伝導率は大きく異なる場合がある。
ここで、熱伝導の良否は電気抵抗を利用することによって見積もることができる。これは、金属膜のように、熱伝導もしくは電気伝導が主として電子移動によって行われる材料においては、熱伝導率と電気伝導率は良好な比例関係があるからである。薄膜の電気抵抗は、その膜厚や測定領域の面積で規格化された抵抗率値で表す。電気抵抗率のうち、体積抵抗率と面積抵抗率（比抵抗）は通常の４探針法で測定でき、ＪＩＳ Ｋ ７１９４によって規定されている。この４探針法を用い、体積抵抗率及び面積抵抗率を測定することにより、薄膜の熱伝導率そのものを実測するよりもはるかに簡便かつ再現性の良く、薄膜の熱伝導率を見積もることができる。
反射層の放熱効果は熱伝導率と膜厚の積で示されるから、結局、放熱効果は面積抵抗率で規定できることとなる。
本発明においては、８倍速から２４倍速程度や１０倍速から３２倍速程度の幅広い線速度でオーバーライト可能なＣＤ−ＲＷ媒体を得るため、又は、４倍速から１０倍速程度や４倍速から１２倍速程度の幅広い線速度でオーバーライト可能なＲＷ−ＤＶＤ媒体を得るため、面積抵抗率を、通常０．５５Ω／□以下、好ましくは０．４Ω／□以下、より好ましくは０．３Ω／□以下、特に好ましくは０．２Ω／□以下、最も好ましくは０．１８Ω／□とする。一方、反射層の放熱を良好とする観点から面積抵抗率は小さければ小さいほど好ましいが、面積抵抗率は、通常０．０５Ω／□以上、好ましくは０．１Ω／□以上とする。
また、好ましい反射層は、体積抵抗率１５０ｎΩ・ｍ以下、特に１００ｎΩ・ｍ以下を有する。一方、体積抵抗率の極端に小さい材料は薄膜状態では実質的に得にくいので、通常２０ｎΩ・ｍ以上である。上記面積抵抗率を０．０５〜０．２Ω／□の範囲にするためには、体積抵抗率を２０〜４０ｎΩ・ｍと低くすることが望ましい。
反射層の厚さは、通常４０ｎｍ以上、好ましくは５０ｎｍ以上であり、一方、通常３００ｎｍ以下、好ましくは２００ｎｍ以下である。厚すぎると面積抵抗率を下げることはできても十分な放熱効果は得られないのみならず、記録感度が悪化しやすい。これは、膜厚が厚いと単位面積当たりの熱容量が増大することによって、放熱に時間がかかってしまうため、放熱効果がかえって小さくなるためと考えられる。また、このような厚膜では成膜に時間がかかり、材料費も増える傾向にある。また、膜厚が過度に薄いと、膜成長初期の島状構造の影響が出やすく、反射率や熱伝導率が低下することがある。
反射層の材料としてはＡｌ合金やＡｇ合金を挙げることができる。
本発明に適した反射層の材料をより具体的に述べると、ＡｌにＴａ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｓｃ、Ｈｆ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｍｏ及びＭｎからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素を含むＡｌ合金を挙げることができる。これらの合金を用いることにより、耐ヒロック性を改善することができるので、これら合金は、耐久性、体積抵抗率、成膜速度等考慮して用いることができる。上記元素の含有量は、通常０．１原子％以上、好ましくは０．２原子％以上、一方、通常２原子％以下、好ましくは１原子％以下である
。Ａｌ合金に関しては、添加不純物量が少なすぎると、成膜条件にもよるが、耐ヒロック性は不十分であることが多い。また、添加不純物量が多すぎると低い抵抗率が得られにくい。
Ａｌ合金として、Ｓｉを０〜２重量％、Ｍｇを０．５〜２重量％、Ｔｉを０〜０．２重量％含有するＡｌ合金を使用することもできる。Ｓｉは微細剥離欠陥を抑制するのに効果があるが、含有量が多すぎると経時的に熱伝導率が変化することがあるので、通常２重量％以下、好ましくは１．５重量％以下とする。またＭｇは、反射層の耐食性を向上させるが、含有量が多すぎて経時的に熱伝導率が変化することがあるので、通常２重量％以下、好ましくは１．５重量％以下とする。Ｔｉは、スパッタリングレートの変動を防ぐという効果があるが、含有量が多すぎると、熱伝導率を低下させるとともに、Ｔｉがミクロレベルで均一に固溶したバルクの鋳造が困難となりターゲットコストを上昇させるので、通常０．２重量％以下とする。
また、反射層材料の他の好ましい例としては、ＡｇにＴｉ、Ｖ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｗ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｃ、Ｈｆ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｍｏ及びＭｎからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素を含むＡｇ合金を挙げることができる。経時安定性をより重視する場合には添加成分としてはＴｉ、Ｍｇ又はＰｄが好ましい。上記元素の含有量は、通常０．１原子％以上、好ましくは０．２原子％以上、一方、通常２原子％以下、好ましくは１原子％以下である。
本発明においては、このような高熱伝導率な反射層材料を用いることにより、３００ｎｍ以下の比較的薄い反射層であって、面積抵抗率が０．２〜０．５５Ω／□と適切に小さい範囲の反射層とすることができる。さらに、少なくとも、添加元素を２原子％以下とし、下記のように成膜レート及び真空度に留意して、成膜時に不可避的に混入する酸素等の不純物原子を概ね１原子％以下として、体積抵抗率を２０〜４０ｎΩ・ｍとし、膜厚を１００ｎｍ以上、好ましくは１５０ｎｍ以上、とすることで、０．０５〜０．２Ω／□の低面積抵抗率が得られる。
Ａｌ及びＡｇへ他の元素を添加することによって、その添加濃度に比例して体積抵抗率が増加するのが通常である。上記他の元素の添加は、一般的に結晶粒径を小さくし、粒界の電子散乱を増加させて熱伝導率を低下させると考えられる。従って、上記添加元素の含有量を調節することにより、結晶粒径を大きくすることができるようになり、材料本来の高熱伝導率を得ることができるようになる。
なお、反射層は通常スパッタ法や真空蒸着法で形成されるが、ターゲットや蒸着材料そのものの不純物量や、成膜時に混入する水分や酸素量も含めて全不純物量を２原子％未満とするのが好ましい。このために反射層をスパッタリングによって形成する際、プロセスチャンバの到達真空度は１×１０−３Ｐａ未満とすることが望ましい。
また、１０−４Ｐａより悪い到達真空度で成膜するなら、成膜レートを１ｎｍ／秒以上、好ましくは１０ｎｍ／秒以上として不純物が取り込まれるのを防ぐことが望ましい。あるいは、意図的な添加元素を１原子％より多く含む場合は、成膜レートを１０ｎｍ／秒以上として付加的な不純物混入を極力防ぐことが望ましい。
さらなる高熱伝導と高信頼性を得るために反射層を多層化することも有効である。この場合、少なくとも１層は全反射層膜厚の５０％以上の膜厚を有する上記低い体積抵抗率の材料とするのが好ましい。この層は実質的に放熱効果を司り、他の層は、耐食性、保護層との密着性、及び耐ヒロック性の改善に寄与する。特に、Ａｇを主成分とする１層めの反射層を、硫黄を含むＺｎＳ等を含む保護層と接して設ける場合には、Ａｇの硫黄との反応
による腐食を防ぐために、硫黄を含まない２層めの反射層（本明細書においては、これを界面層と呼ぶ場合がある。）を設ける。界面層に用いる材料としては、誘電体材料や金属材料を挙げることができる。具体的な材料としてはＳｉＯ２、ＧｅＣｒＮ、Ｔａ、Ｎｂ、Ａｌ等が挙げられる。界面層には、当然反射層として機能するような金属を用いてもよい。界面層の膜厚は、通常１ｎｍ以上、好ましくは２ｎｍ以上、一方、通常１０ｎｍ以下、好ましくは７ｎｍ以下である。金属材料を用いる場合には界面層の膜厚を２ｎｍ以上７ｎｍ以下とすることが特に好ましい。
本発明においてはさらに、ＣＤ又はＤＶＤとの再生互換性を確保するよう基板に設けられた溝の構成に配慮する必要がある。
３−１．ＣＤ−ＲＷの場合
溝のトラックピッチは通常１．６μｍ±０．１μｍ程度である。また溝の深さは通常３０〜４５ｎｍであるが、特に３０〜４０ｎｍ程度が好ましい。
溝深さが大きすぎると、記録後のプッシュプル値が大きくなりすぎる傾向がある。また、記録後のラジアルコントラスト値が記録前の値に比べて大きくなりすぎ、サーボの安定性に問題が生じることもある。
一方、溝深さが小さすぎると、ラジアルコントラスト値やプッシュプル値がオレンジブック・パート３のようなＣＤ−ＲＷ規格の下限値を下回ってしまうことがある。また、溝壁による記録層閉じ込め効果が薄れ、繰返しオーバーライトによる劣化が促進される傾向にもある。さらに、溝深さを浅くしすぎるとスタンパ製造や基板の成形が困難にもなる。
上記の範囲とすることによって、溝内反射率が十分に高くなり、ＣＤ−ＲＷ規格の下限値である１５％を満たしやすく、また、記録後のプッシュプルの振幅ＰＰａが大きくなりすぎず、既存の凹凸ピット再生回路でもプッシュプル検出回路のゲインが飽和してしまうことを少なくすることができる。
溝幅は、通常０．５μｍ以上、好ましくは０．５５μｍ以上であり、また通常０．７μｍ以下、好ましくは０．６５μｍ以下である。溝幅が小さすぎると記録後のラジアルコントラストの絶対値が０．６未満という規格値を満たしにくくなる。また、溝幅が大きすぎると、ウォブルの存在によって生じるオーバーライト耐久性の劣化が顕著になる傾向にある。溝幅については、従来の１０倍速程度でオーバーライトするＣＤ−ＲＷに比べ広くすることが望ましい。
なお、ウォブルの存在による耐久性劣化促進のメカニズムは、必ずしも明らかではないが、記録用光ビームの一部が溝の側壁に照射されやすくなるためではないかと考えられる。すなわち、トラッキングサーボがかかった集束光ビームは、ウォブルの蛇行には追従せず溝中心部を直進して走査されるため、溝壁の蛇行があれば、光ビームが、わずかではあるが溝壁に照射されやすくなる。薄膜の密着性が悪い溝壁部や溝角部では、応力集中が起きやすい等の理由により繰返しオーバーライト時の熱ダメージによる劣化が起きやすいと考えられるので、ここに光ビームの一部でも照射されれば、劣化は促進されると考えられる。一般に、相変化媒体の溝内記録では溝深さを深くし、かつ溝幅を細くするほど耐久性が良いという傾向があるが、ウォブルが存在する場合には、溝幅が狭すぎるとかえって上述の溝壁部の劣化現象が顕著になると考えられる。
なお、溝幅や溝深さは、例えば波長６３３ｎｍのＨｅ−Ｎｅレーザー光等によるＵ溝近似による光学回折法で求めることができる。また、走査型電子顕微鏡や走査型プローブ顕微鏡で溝形状を実測することができる。この場合の溝幅は通常溝深さの半分の位置における値を用いるのがよい。
本発明の光記録媒体は、後述するようなＣＡＶ方式による記録が可能である。即ち、本発明の媒体は、データの記録を記録の行なわれる半径位置に関わらず回転速度一定のまま
行うことができる。この場合、再生も一定の回転速度で行なうことができるが、好ましくは記録と再生とを同一の回転速度で行うことである。３−２．ＲＷ−ＤＶＤの場合
溝のトラックピッチは通常０．７４μｍ±０．０１μｍ程度である。また溝の深さは通常２０〜４０ｎｍであるが、特に２５〜３５ｎｍ程度が好ましい。
溝深さが過度に大きすぎると、記録信号のジッタが高くなる。
一方、溝深さが小さすぎると、ラジアルコントラスト値やプッシュプル値がＲＷ−ＤＶＤ規格の下限値を下回ってしまうことがある。また、溝壁による記録層閉じ込め効果が薄れ、繰返しオーバーライトによる劣化が促進される傾向にもある。さらに、溝深さを浅くしすぎるとスタンパ製造や基板の成形が困難にもなる。
上記の範囲とすることによって、溝内反射率が十分に高くなり、ＲＷ−ＤＶＤ規格の下限値である１８％を満たしやすく、また、安定したサーボに十分なプッシュプル信号が確保できる。
溝幅は、通常０．２５μｍ以上、好ましくは０．２８μｍ以上であり、また通常０．３６μｍ以下、好ましくは０．３４μｍ以下である。溝幅が小さすぎると記録信号のジッタが悪化してしまうとともに反射率を１８％以上にすることが困難になる。また、溝幅が大きすぎると、記録後のトラッククロスシグナル値が相変化型リライタブルＤＶＤ規格の下限を下回ってしまうことがあったり、隣接トラック間でウォブルの干渉が大きくなり記録信号のジッタを悪化させてしまうことがある。
なお、ウォブルの存在による耐久性劣化促進のメカニズムは、必ずしも明らかではないが、記録用光ビームの一部が溝の側壁に照射されやすくなるためではないかと考えられる。すなわち、トラッキングサーボがかかった集束光ビームは、ウォブルの蛇行には追従せず溝中心部を直進して走査されるため、溝壁の蛇行があれば、光ビームが、わずかではあるが溝壁に照射されやすくなる。薄膜の密着性が悪い溝壁部や溝角部では、応力集中が起きやすい等の理由により繰返しオーバーライト時の熱ダメージによる劣化が起きやすいと考えられるので、ここに光ビームの一部でも照射されれば、劣化は促進されると考えられる。一般に、相変化媒体の溝内記録では溝深さを深くし、かつ溝幅を細くするほど耐久性が良いという傾向があるが、ウォブルが存在する場合には、溝幅が狭すぎるとかえって上述の溝壁部の劣化現象が顕著になると考えられる。
なお、溝幅や溝深さは、例えば波長４４１．６ｎｍのＨｅ−Ｃｄレーザー光等によるＵ溝近似による光学回折法で求めることができる。また、走査型電子顕微鏡や走査型プローブ顕微鏡で溝形状を実測することができる。この場合の溝幅は通常溝深さの半分の位置における値を用いるのがよい。
本発明の光記録媒体は、後述するようなＣＡＶ方式による記録が可能である。即ち、本発明の媒体は、データの記録を記録の行なわれる半径位置に関わらず回転速度一定のまま行うことができる。この場合、再生も一定の回転速度で行なうことができるが、好ましくは記録と再生とを同一の回転速度で行うことである。４．記録方法について
本発明においては、以下のような本発明の第３の要旨にかかわる記録方法（記録パルス分割方法（Ｉ））でオーバーライトを行うことにより、ＣＤ−ＲＷの１０〜３２倍速の記録線速度、ＲＷ−ＤＶＤの６〜１２倍速程度において情報の書き換えが良好にできるようになる。その結果、既存のＣＤ再生システムとの互換性が良好な信号の記録が可能になる。
記録パルス分割方法（Ｉ）は、図３及び図１６で説明した記録方式ＣＤ１−１、１−２、１−３、２−１、２−２、記録方式ＤＶＤ１−１よりも可変とできるパラメータ及びその範囲を拡大し、より良好な記録信号を得ようとするものである。
すなわち、記録パルス分割方法（Ｉ）；
書換え型光記録媒体に用いる記録方法であって、
情報を複数の記録マーク長及び記録マーク間長により記録するにあたり、
記録マーク間に対しては、非晶質を結晶化しうる消去パワーＰｅの光を照射して記録マーク間を形成するとともに、
一つの記録マークの時間的長さをｎＴ（Ｔは基準クロック周期）としたときに、
ｎ＝２ｍ（ｍは１以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｊ）Ｔ（ｊは−２．０〜２．０なる実数）を、
α１Ｔ、β１Ｔ、α２Ｔ、β２Ｔ、・・・・、αｍＴ、βｍＴ、
からなるｍ個のαｉＴとβｉＴからなる区間（ただしΣｉ（αｉ＋βｉ）＝ｎ−ｊ）に分割し、
ｎ＝２ｍ＋１（ｍは１以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｋ）Ｔ、（ｋは−２．０〜２．０なる実数）を、
α１’Ｔ、β１’Ｔ、α２’Ｔ、β２’Ｔ、・・・・、αｍ’Ｔ、βｍ’Ｔ、
からなるｍ個のαｉ’Ｔとβｉ’Ｔからなる区間（ただし、Σｉ（αｉ’＋βｉ’）＝ｎ−ｋ）に分割し、
αｉＴおよびαｉ’Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、記録層を溶融するに足る一定の記録パワーＰｗの光を照射し、
βｉＴおよびβｉ’Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、バイアスパワーＰｂの光を照射することによって、時間的長さｎＴの記録マークを形成する書換え型光記録媒体への記録方法であって、
ｍ≧３では、
ｎ＝２ｍの記録マークにおいては、ｎＴマークの開始時間をＴ０とするとき、（ｉ）Ｔ０から遅延時間Ｔｄ１Ｔ後にα１Ｔが発生された後、（ｉｉ）ｉ＝２〜ｍにおいては、βｉ−１＋αｉが概ね周期２（但し、ｉ＝２及び／又はｉ＝ｍにおけるβｉ−１＋αｉは、±０．５の範囲で概ね周期２からずらしてもよい。また、ｍ≧４の場合、ｉ＝３〜ｍ−１においてはβｉ−１及びαｉは、それぞれ一定値βｃ及びαｃをとる。）を保ちながら、βｉ−１Ｔ及びαｉＴがこの順に交互に発生された後、（ｉｉｉ）βｍＴが発生され、
ｎ＝２ｍ＋１の記録マークにおいては、ｎＴマークの開始時間をＴ０とするとき、（ｉ）Ｔ０から遅延時間Ｔｄ１’Ｔ後にα１’Ｔが発生された後、（ｉｉ）ｉ＝２〜ｍでおいては、βｉ−１’＋αｉ’が概ね周期２（但し、ｉ＝２及び／又はｉ＝ｍにおけるβｉ−１’＋αｉ’は、±２の範囲で概ね周期２からずらしてもよい。また、ｍ≧４の場合、ｉ＝３〜ｍ−１においてはβｉ−１’及びαｉ’は、それぞれ一定値βｃ及びαｃをとる。）を保ちながら、βｉ−１’Ｔ及びαｉ’Ｔがこの順に交互に発生された後、（ｉｉｉ）βｍ’Ｔが発生され、
同一のｍにおける、ｎ＝２ｍの記録マーク及びｎ＝２ｍ＋１の記録マークにおいて、αｍ≠αｍ’とし、かつ、（Ｔｄ１，Ｔｄ１’）、（α１，α１’）、（β１、β１’）、（βｍ−１とβｍ−１’）、及び（βｍとβｍ’）から選ばれる一組以上が異なる値をとることを特徴とする記録方法。
以上において、ｍ＝３以上においては、ｍによらず、Ｔｄ１、α１、β１、αｃ、βｃ、βｍ−１、αｍ、βｍが一定であることが好ましい。
同様に、ｍ＝３以上においては、ｍによらず、Ｔｄ１’、α１’、β１’、βｍ−１’、αｍ’、βｍ’も一定であることが好ましい。
なお、ＣＤ−ＲＷで用いられるＥＦＭ変調方式においては、ｍが３以上の場合のｎとして、（６，７）、（８，９）、（１０，１１）を組として、本記録方式を適用する。一方、ＲＷ−ＤＶＤで用いられるＥＦＭ＋変調の場合には、上記、ｎの組み合わせに加えて、ｎ＝１４の場合を考慮する必要があるが、ｎ＝１０の記録パルス分割方法において、α１ＴとαｍＴとの間に、二対のαｃＴとβｃＴを追加すればよい。
ここで、ｎ＝２の場合は、遅延時間Ｔｄ１Ｔ後、区間α１Ｔにおいて記録パワーＰｗを
照射し、引き続き区間β１ＴにおいてバイアスパワーＰｂを照射することにより非晶質マークを形成する。
また、ｎ＝３の場合には、遅延時間Ｔｄ１’Ｔ後、区間α１’Ｔにおいて記録パワーＰｗを照射し、引き続き区間β１’ＴにおいてバイアスパワーＰｂを照射することにより非晶質マークを形成する。
尚、上記記録方法をＣＤ−ＲＷの３２倍速までの記録方法として適用する場合は、以下のような記録条件とすることが好ましい。すなわち、記録線速度を基準線速度Ｖ1＝１．
２〜１．４ｍ／ｓの３２倍速以下のいずれかの線速度とし、ＥＦＭ変調された情報を複数の記録マーク長及び記録マーク間長により記録するにあたり、一つの記録マークの時間的長さをｎＴとし（ｎは３〜１１までの整数）、消去パワーＰｅと記録パワーＰｗとの比を、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．２〜０．６とし、バイアスパワーＰｂを、Ｐｂ≦０．２Ｐｅとする。
また、上記記録方法をＲＷ−ＤＶＤの１２倍速までの記録方法として適用する場合は、さらに以下のような記録条件とすることが好ましい。すなわち、記録線速度を基準線速度Ｖ1’＝３．４９ｍ／ｓの１２倍速以下のいずれかの線速度とし、ＥＦＭ＋変調された情
報を複数の記録マーク長及び記録マーク間長により記録するにあたり、一つの記録マークの時間的長さをｎＴとし（ｎは３〜１１までの整数と１４）、消去パワーＰｅと記録パワーＰｗとの比を、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．２〜０．６とし、バイアスパワーＰｂを、Ｐｂ≦０．２Ｐｅとする。
本発明では、記録用光エネルギービームのエネルギー制御方法を記録パルスストラテジー、又は、パルスストラテジーと総称し、特に、ｎＴマークの形成を複数の分割された記録パワーレベルのパルス列で形成する方法を、分割記録パルス、記録パルス分割方法、又はパルス分割方法と称する。
本記録パルス分割方法は、オーバーライト可能なＣＤ−ＲＷの記録方法として、概ね８倍速から２４倍速あるいは３２倍速程度で用いることが望ましい。
あるいは、オーバーライト可能なＲＷ−ＤＶＤの記録方法として、概ね、２倍速程度から１２倍速程度で用いることが好ましい。
図５は、本発明の記録方法におけるパルス分割方法を実施する場合の、各記録パルスの関係の一例を説明するためのタイミングチャート図である。光記録媒体に情報の記録を行う記録装置における、記録パワーＰｗ、バイアスパワーＰｂ、消去パワーＰｅそれぞれのレーザ光の照射タイミングを制御する電子回路（集積回路）は、図５に示すタイミングチャートを元に設計される。
図５においては、Ｐｂ≦Ｐｅ≦Ｐｗとし、記録パルス区間αｉＴ（ｉ＝１〜ｍの整数）における記録パワーはＰｗで一定であり、オフパルス区間βｉＴ（ｉ＝１〜ｍの整数）におけるバイアスパワーはＰｂで一定であり、マークの間及びαｉＴ（ｉ＝１〜ｍ）及びβｉＴ（ｉ＝１〜ｍ）以外の区間における光照射のパワーは消去パワーＰｅで一定である場合が示してある。Ｐｅ／Ｐｗは、通常０．２以上、好ましくは０．２５以上とする。一方、Ｐｅ／Ｐｗは、通常０．６以下、好ましくは０．４以下とする。上記範囲のうち、Ｐｅ／Ｐｗは、０．２〜０．６のいずれかの値であり、特に、０．２〜０．４の範囲の値が好ましく、０．２５〜０．４の範囲がより好ましい。この比が上記範囲より小さいと、消去パワーが低すぎて、非晶質マークの消え残りが生じるし、上記範囲より大きいと、Ｐｅの照射部が溶融したのち、再び非晶質化してしまう場合がある。
図５において、５００は周期Ｔの基準クロックをあらわす。
図５（ａ）は、長さｎＴの記録マークに対応したパルス波形であり、符号５０１が長さｎＴの記録マークの長さに対応する。図５（ａ）においては、ｎ＝１１、ｍ＝５の場合が
示してある。図５は奇数マークの例であるが、説明を簡略化するために、図５及び以下の説明においては、奇数マーク及び偶数マークを説明する場合において特に断らない限り、αｉ、βｉ、Ｔｄ１，Ｔｄ２，Ｔｄ３、及びｊの各パラメータを代表として用いることとする。すなわち、ｎが偶数マークの説明においては、上記パラメータをそのまま用いて考えればよく、ｎが奇数マークである場合の説明においては、上記パラメータをそれぞれαｉ’、βｉ’、Ｔｄ１’，Ｔｄ２’，Ｔｄ３’、及びｋと置き換えて考えればよい。
図１に示された従来のＣＤ−ＲＷ又はＲＷ−ＤＶＤにおける記録方式に対して、図５で示された本記録方式の意義は以下のようなものである。
仮にｊを０とすると、Σｉ（αｉ＋βｉ）／ｍ＝ｎ／ｍであるから、ｎ／ｍは（αｉ＋βｉ）の平均的な長さに対応する値であり、（ｎ／ｍ）Ｔは分割パルスの平均的な周期に対応する値となる。
本発明の光記録方法において、ｎ＝２ｍ、又はｎ＝２ｍ＋１の場合に、記録パルスの分割数をｍとするので、ｎ／ｍはおおよそ２程度となる。つまり記録パルスとオフパルスからなる繰り返しの平均周期を概ね２Ｔとすることにより、αｉＴとβｉＴの長さを十分なものとできる。例えば、記録パルス区間αｉＴ、オフパルス区間βｉＴを０．５Ｔより十分長めに取ることができ、ＣＤの３２倍速でデータ基準クロック周期Ｔが約７．２ｎｓｅｃ程度になっても、あるいはＤＶＤの１２倍速でデータ基準クロック周期Ｔが約３．５ｎｓｅｃ程度になっても、記録層の加熱を十分に行うことができるようになる一方、後続パルスによる熱の供給を抑えて十分な冷却効果を得ることができる。
従来のＣＤ−ＲＷ又はＲＷ−ＤＶＤの規格書に記載の分割方式ではｍ＝ｎ−１に固定されているから、ｎ／ｍ＝ｎ／（ｎ−１）である。この値は、ｎが大きいほど小さいから、最長のマーク時間長をｎｍａｘＴとするとｎｍａｘにおいてｎ／ｍは最小となる。即ち、記録パルスとオフパルスからなる繰り返しの平均周期（本明細書においては、この記録パルスとオフパルスからなる繰り返しの平均周期を、分割パルスの平均周期という場合がある。）は最短マークで最も長く最長マークで最も短いから、αｉＴ、βｉＴは最長マークで最も短い。
例えば、ＥＦＭ変調方式ではｎ＝３〜１１、ｋ＝１であるから（ｎｍａｘ／ｍ）＝１１／（１１−１）＝１．１、程度となる。
また、例えば、ＥＦＭ＋変調方式ではｎ＝３〜１１、１４でｋ＝１であるから（ｎｍａｘ／ｍ）＝１４／（１４−１）＝１．０８、程度となる。
つまり、ＥＦＭ変調方式及びＥＦＭ＋変調方式における繰り返し周期（分割パルス）の平均は、概ね１Ｔである。
本明細書では、従来の図１で規定されたパルス分割方法を「１Ｔベース」のパルスストラテジー、図５で規定された本発明のパルス分割方法を「２Ｔベース」のパルスストラテジーと称する。
ＣＤの２４倍速以上又はＤＶＤの４倍速以上において、データ基準クロック周期Ｔがおよそ１０ナノ秒を切ると、概ね最長マークにおいて分割パルスの平均周期が概ね１０ナノ秒を切る。これは、１Ｔベースのパルスストラテジーにおける分割パルスの平均が１０ナノ秒より短くなることを意味する。そしてこの場合、記録パルス区間αｉＴの平均値又はオフパルス区間βｉＴの平均値は５ナノ秒未満となる。これは少なくとも一つのｉに対して、αｉＴもしくはβｉＴのいずれかが５ナノ秒未満になることを示す。なお、上記の説明においてどれか特定のαｉもしくはβｉを平均値より長くしたとしても、それは他方別のβｉもしくはαｉがさらに短くなることを意味しているから、やはりαｉＴもしくはβｉＴのいずれかが小さくなることに変わりはない。そして、αｉＴもしくはβｉＴのいず
れかが５ナノ秒未満、特に３ナノ秒未満となると、高速記録においてビームの照射及び冷却時間が十分に確保されなくなる場合がある。
本発明における記録マークとは、通常、記録媒体中に連続的に形成された、他の部分と光学的に区別しうる物理的マークとして認識される。即ち、記録マークが複数の物理的マークから形成されていてもよい。再生光の集束用の対物レンズの開口数をＮＡ、再生光波長をλとするとき、物理的マークが概ね０．２（λ／ＮＡ）よりも近接していると、これらの物理的マークは光学的に区別することは困難となる。従って、マーク長ｎＴの記録マーク１個を複数の物理的マークから形成する場合には、それらの間隔を０．２（λ／ＮＡ）よりも小さくするのが好ましい。
また、本発明をＣＤ−ＲＷに適用する場合においては、記録パルス区間αｉＴ（ｉ＝１〜ｍ）の平均値およびオフパルス区間βｉＴ（ｉ＝１〜ｍ−１）の平均値をともに３ナノ秒以上とするのが、照射する光パワーの時間追従性を確保する意味で好ましい。より好ましくは、個々のαｉＴ（ｉ＝１〜ｍ）およびβｉＴ（ｉ＝１〜ｍ−１）を３ナノ秒以上とするのが好ましい。
一方、本発明をＲＷ−ＤＶＤに適用する場合においては、記録パルス区間αｉＴ（ｉ＝１〜ｍ）の平均値およびオフパルス区間βｉＴ（ｉ＝１〜ｍ−１）の平均値をともに２ナノ秒以上とするのが、照射する光パワーの時間追従性を確保する意味で好ましい。
ここで、パルスαｉＴ（ｉ＝１〜ｍ）の時間幅は、図５のタイミングチャートに示すような分割パルス発生論理回路におけるＰｗとＰｂとの間のパワーレベルの遷移に対応する論理レベルの遷移において、論理レベルの電圧又は電流出力が一方のレベルから他のレベルの半分に達した時間で定義する。従って、例えば、図５のα１Ｔの記録パルスの時間幅は、前記パルスの立ち上がり部のＰｂからＰｗへ変化する際の論理レベルの半分のレベルに達した時間から、前記パルスの立ち下がり部のＰｗからＰｂへ変化する際の論理レベルの半分のレベルに達する時間までの間をいう。ここで、論理レベルとは、例えばＴＴＬにおける０Ｖと５Ｖとの２値レベルのことである。
ＣＤにおいてはαｉＴ（βｉＴ）を３ナノ秒以上とするのが好ましいのに対し、ＤＶＤにおいてはαｉＴ（βｉＴ）を２ナノ秒以上とするのが好ましい理由を説明する。すなわち、ＤＶＤ系の場合は、記録用集束光ビームの径がＣＤ系の場合の約７０％程度であるから、１回の記録パルス照射があたえる空間的な影響も７０％程度になる。このように集束光ビームの径が小さくなり空間分解能が向上するため、３ｎｓｅｃの約７０％となる２ｎｓｅｃ程度の短時間のパルス照射が有効となるのである。また、小さいビーム系の場合のほうが、昇温される面積が少ないので、冷却が速く、オフパルス区間に関しても、２ｎｓｅｃ程度まで短縮しても十分な冷却効果が得られるのである。但し、ＲＷ−ＤＶＤの場合でも３ｎｓｅｃ以上とすればより好ましい。
本発明においては、βｍを０として最後のオフパルス区間であるβｍＴに光を照射しなくてもよいが、マーク後端部の熱蓄積の問題が大きい場合はβｍＴを設けるのが好ましい。その場合はβｍＴも２ナノ秒以上とし、より好ましくは３ナノ秒以上とする。ここで、βｍＴのパルス時間幅は、上記αｉＴと同様にＰｂとＰｅとの間の論理レベルの遷移において、半分の論理レベルに達した時間で定義する。
レーザー光の照射が行われる実際の分割パルスは、図５に例として示したようなタイミングチャートを用い、ゲート信号を発生する論理レベルの集積回路出力をレーザードライバー回路に入力して、レーザ駆動のための大電流を制御することによってレーザーダイオードからの光出力を制御して記録パワーの制御をすることにより行われる。本発明では、前述のように、論理レベルでの時間幅を基準にパルス幅を規定することとする。実際の出力光波形は、１−３ｎｓｅｃ程度の遅延を生じると共に、オーバーシュート、アンダーシ
ュートを伴うので、その記録パワーの時間変動は、図３で示すような単純な方形波形状をしているわけではない。しかし、本発明における記録パルス分割方法では、記録パルス区間αｉＴ（ｉ＝１〜ｍ）が２ナノ秒以上あれば、記録光の立ち上がり／立ち下がりの問題はあるものの、記録パワーＰｗｉを上げることで記録に必要な照射エネルギーを確保できる。その場合も、実際の記録レーザー光パルスの立ち上がり及び立下りを、２ｎｓｅｃ未満、より好ましくは１．５ｎｓｅｃ未満、さらに好ましくは１ｎｓｅｃ未満とすることで、必要な記録パワーＰｗを抑制することができる。なお、実際の記録パワー立ち上がり時間又は立下り時間は、通常、それぞれ、ＰｅとＰｗとのパワーレベル間でパワーが遷移するとき、又はＰｂとＰｗのパワーレベル間でパワーが遷移するときに、一方のレベルと他方のレベルとの差の１０％から９０％までの遷移に要する時間をいう。立ち上がり、立下り時間の合計は、αｉＴの時間幅より小さく、αｉＴの８０％以下であることが好ましく、αｉＴの５０％以下であることがさらに好ましい。
本発明記録パルス分割方法においては、論理レベルの時間幅と実際の記録パワーの応答との間にずれがあったとしても、上記立ち上がり又は立下り時間程度の遅延であれば問題はない。上記程度の遅延であれば、後述の記録パルス分割方法を規定する各パラメータ（論理レベルで規定）の好ましいとする可変範囲において良好な記録を行うことができる。逆に、そのような遅延やオーバーシュート等を必然的に伴うレーザーダイオード出力であっても、１０ｎｓｅｃ未満のクロック周期において、分割記録パルスによるマーク長変調記録が可能となることが本発明記録パルス分割方法の重要な特徴である。
一方オフパルス区間βｉＴ（ｉ＝１〜ｍ−１）も２ナノ秒以上あれば、バイアスパワーＰｂを再生光パワーＰｒと同程度、あるいはトラッキングサーボなど他に支障の無い限り０まで下げることで冷却効果が確保できる。
さらに大きな冷却効果を得るためには、全ての記録マークの時間的長さについてΣｉ（αｉ）は０．５ｎよりも小さくするのが好ましい。より好ましくはΣｉ（αｉ）は０．４ｎ以下とする。すなわち、記録パルス区間の総和Σｉ（αｉＴ）をΣｉ（βｉＴ）より短くして、各マーク内でオフパルス区間が長くなるようにする。特に好ましくは、ｉ＝２〜ｍ−１の全てのｉに対してαｉＴ≦βｉＴとし、少なくとも２番目以降の記録パルス列においてβｉＴをαｉＴよりも長くする。
本発明の記録方法において、αｉ（ｉ＝１〜ｍ）及びβｉ（ｉ＝１〜ｍ−１）の値は、記録パルス区間αｉＴ（ｉ＝１〜ｍ）やオフパルス区間βｉＴ（ｉ＝１〜ｍ−１）等の値によって適宜設定されるが、それぞれ通常０．０１以上、好ましくは０．０５以上であり、ｎ＝３の場合を除いて、通常２以下であり、より好ましくは１．５以下である。特に、βｉ（ｉ＝１〜ｍ−１）については、あまりに小さいと冷却効果が不十分になることがあるので好ましくは０．１以上、特に０．３以上であり、一方あまりに大きいと冷却されすぎて記録マークが光学的に分離されてしまうことがあるので、２以下とする。ただし、ｎ＝３の場合の、最後尾のオフパルス区間のβｍ’に関しては、３以下、好ましくは２．５以下、さらに好ましくは２以下とする。尚、ｎ＝２を含む変調方式においては、ｎ＝３の場合に準じる。
オフパルス区間を大きくする効果は、マーク先端の形状に大きな影響を与える最初のオフパルス区間β１Ｔ及びマーク後端の形状に大きな影響を与える最後のオフパルス区間βｍＴにおいて大きい。これらのうち、最後のオフパルス区間βｍＴの影響は特に大きくなる。
本発明においては、記録パルス区間αｉＴ（ｉ＝１〜ｍ）に照射する記録光のパワーＰｗｉ及びオフパルス区間βｉＴ（ｉ＝１〜ｍ−１）に照射する記録光のパワーＰｂｉは、Ｐｂｉ＜Ｐｗｉ、Ｐｂｉ＜Ｐｗｉ＋１なるものとし、ｉ及びｎによらず、一つの記録パルス区間及びオフパルス区間中においては、Ｐｗ及びＰｂをそれぞれ一定値とすることが好
ましい。大きな冷却効果を得るためには、全ての記録マークの時間的長さについてＰｂ＜Ｐｗとするのが好ましい。より好ましくはＰｂ／Ｐｗ≦０．２であり、さらに好ましくはＰｂ／Ｐｗ≦０．１である。また、バイアスパワーＰｂは再生時に照射する光のパワーＰｒと等しくすることができる。その結果、パルス分割に必要な分割パルス回路の設定が簡便になる。
パルス幅に関するパラメータαｉ（ｉ＝１〜ｍ）及びβｉ（ｉ＝１〜ｍ−１）は、１／１６Ｔ以上の高分解能で指定できることが好ましい。より好ましくは、１／２０Ｔ以上、さらに好ましくは１／３２Ｔ以上の光分解能で指定できることである。１／８Ｔより荒い低分解能では、良好な記録が可能な最適なパルス幅に関するパラメータ値を見出せない場合がある。
そのような場合に、特定の一つの記録マークの時間的長さに対して、ｉに応じてＰｂｉ及び／又はＰｗｉとして異なる２以上の値を用いることもできる。
例えば、先頭の記録パルス区間α１Ｔ及び最後尾の記録パルス区間αｍＴにおける記録パワーＰｗ１及びＰｗｍを、中間の記録パルス区間αｉＴ（ｉ＝２〜ｍ−１）における記録パワーＰｗと異なる値とすることで、マークの始端部・終端部のマーク形状を正確に制御することができるようになる。この場合、中間の記録パルス区間αｉＴ（ｉ＝２〜ｍ−１）における記録パワーＰｗは、あくまでも全て同じパワー値にするのが、分割パルス回路の設定が簡便となり好ましい。オフパルス区間βｉＴ（ｉ＝１〜ｍ−１）におけるバイアスパワーＰｂｉについても同様に、全て同じパワー値とし、βｍＴにおけるバイアスパワーＰｂｍのみを補助的に他のＰｂと異なる値とするのが好ましい。また、３Ｔマークを良好に記録するために、異なるｎを有する少なくとも２つの記録マークの間で、同じｉに対して異なるＰｗ及び／又はＰｂの値としてもよい。つまり、ｎが４以上のマーク長の記録に際しては、Ｐｗ，Ｐｂは一定とし、ｎ＝３のマーク長の記録に際してのみ、若干（１０％程度の差）記録パワーを異なる値とすることもある。その場合も、Ｐｂは一定とするのが好ましい。
本発明においては、第１義的には、Ｔｄ１、α１、β１、βｍ−１、αｍ、βｍのいずれかの時間の（パルス幅に関する）パラメータの制御のみで、正確なマーク長の制御と、低ジッタを実現できるのであり、かかる、時間のパラメータの設定になんらかの制限がある場合においてのみ、Ｐｗ１、Ｐｗｍ、Ｐｂｍを個別に微調整することが回路を簡素化する上で好ましい。上記制限とは、具体的には、パルス幅に関するパラメータ値を設定するための分解能が荒く、パルス幅設定だけでは良好な記録ができないような場合である。
バイアスパワーＰｂは再生光の再生に要する再生パワーＰｒとほぼ同じ値であることが好ましく、ＣＤ−ＲＷにおいては、通常は２ｍＷ以下、好ましくは１．５ｍＷ以下、より好ましくは１ｍＷ以下の値とする。一方、ＲＷ−ＤＶＤにおいては、通常は１ｍＷ以下、好ましくは０．７ｍＷ以下、より好ましくは０．５ｍＷ以下の値とする。フォーカスやトラッキングサーボに支障が無い限りできるだけ０に近づけたほうが、Ｐｂ照射区間（オフパルス区間）における記録層の急冷効果が促進されて好ましい。なお、Ｐｗ、Ｐｅ及びＰｂの値は、必ずしも直流的に一定である必要はなく、例えばクロック周期Ｔの１／１０程度以下の周期で高周波重畳を加えてレーザーの動作を安定させることができる。この場合のＰｗ、Ｐｅ及びＰｂはそれらの平均値となる。
図５（ｂ）は、ｎ＝１１すなわち、ｍ＝５である場合の記録パルスストラテジー（５０２の点線）であり、５０３，５０４，５０５，５０６に示された複数の記録パルス制御用ゲートを組み合わせて生成される。即ち、先頭記録パルスα１Ｔを生成するゲート信号Ｇ１（５０３）、中間記録パルス群αｉＴ（２≦ｉ≦ｍ−１）生成するゲート信号Ｇ２（５０４）、および最後尾の記録パルスαｍＴ（５０５）を生成するゲートＧ３、Ｐｅ及びＰ
ｂを印加する区間を定義するゲートＧ４を別々に生成し、これを合成する。Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３においては、ＯＮレベルにおいて、記録パワーが発光されるものとする。なお、ゲート信号Ｇ４はそのオン区間がα１Ｔの立ち上がりを基点として（すなわち、Ｔ０からＴｄ１だけ遅延後）、（ｎ−ｊ）Ｔのオン区間を設定する。
このようなゲート信号の優先関係は、ゲートのオン／オフを論理的な１，０レベルに対応させて、各ゲート制御の論理信号の和演算を行うことによって達成される。具体的には、Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３のオン信号が、Ｇ４の逆極性信号のオン信号に優先し、Ｇ４オン期間中（Ｐｂ照射中）でも、Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３がオンとなれば、Ｐｗを照射するようにする。その結果、ゲート信号Ｇ４は、Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３がいずれもオフとなる区間において、オフパルス区間βｉＴのタイミングを規定することになる。
マーク前端の位置はほぼα１Ｔにおける記録パワーレーザー光の立ち上がりで決まり、そのジッタは、α１Ｔとβ１ＴにおけるパワーＰｗ１、Ｐｂ１、さらには、α１Ｔとβ１Ｔのデューティー比で決まる。β１に関しては、０．５〜２の間であれば、０．５程度の変化は、マーク前端位置やジッタにほとんど影響を及ぼさないので、後述の偶数長と奇数長のマーク長の差１Ｔの制御のために利用することができる。
一方、マーク後端位置は、最後端の記録パルスαｍＴ立下り位置や、その後の記録層温度の冷却過程に依存する。また、マーク最後端の分割パルス周期（βｍ−１＋αｍ）Ｔにおける、パワー、Ｐｗｍ、Ｐｂｍ、及び、αｍとβｍのデューティー比に依存する。特に、非晶質マークを形成する相変化媒体においては、記録層の冷却速度に大きな影響を与える最後端のオフパルス区間βｍＴの値にも依存する。βｍ−１に関しては、０．５〜２の間であれば、０．５程度の変化はマーク後端位置やジッタに直接影響を及ぼさないから、区間βｍ−１Ｔ、αｍＴを、後述の偶数長と奇数長のマーク長の差１Ｔの制御のために利用することができる。但し、後述のように、本発明の高速記録可能な光記録媒体を低線速記録に用いる場合には、βｍＴを合わせて調整することも重量となる。
分割数ｍが３以上である場合は、先頭のパルスと最後尾のパルスと間に存在する中間記録パルス群のうち、ｉ＝２〜ｍのβｉ−１Ｔ、αｉＴは、概ね周期２Ｔで繰り返される。つまり、βｉ−１＋αｉは概ね２（ｉ＝２〜ｍ）となる。このように周期を一定とすることでパルス発生回路を簡便化できる。本発明において、「概ね」２又は「概ね」２Ｔとしたのは、電子回路等の実性能上不可避的に発生する２Ｔからのずれは許容されることを表現するためである。すなわち、ＣＤにおける８〜２４倍速又は８〜３２倍速（ＤＶＤにおける２〜１０倍速又は２〜１２倍速）の広範な記録線速度において良好な記録が可能となる本発明の効果を奏する限り、多少２Ｔからずれが生じてもよいのである。例えば、±０．２のずれ（１．８Ｔ〜２．２Ｔ）程度のものは、電子回路等の実性能上不可避的に発生する２Ｔからのずれに含まれることになる。
偶数マーク長においては、β１＋α２及びβｍ−１＋αｍにおいてもこれらの値を概ね２とでき、また、そのほうがパルス発生回路を簡便化できて好ましい。但し、偶数マーク長におけるｉ＝１及び／又はｉ＝ｍ、すなわちβ１＋α２及び／又はβｍ−１＋αｍに関しては、±０．５程度の範囲で２からのずれを許容したほうが、より正確なマーク長及びマーク端のジッタ制御が可能となる場合もある。この場合は、β１＋α２及びβｍ−１＋αｍの間に存在するβｉ−１＋αｉを概ね２とすればよい。
また、奇数マーク長におけるｉ＝１及び／又はｉ＝ｍ、すなわちβ１’＋α２’及び／又はβｍ−１’＋αｍ’についても２からのずれを許容したほうが、より正確なマーク長及びマーク端のジッタ制御が可能となる。つまり、β１’＝β１＋Δ１、βｍ−１’＝βｍ−１＋Δｍ−１、αｍ’＝αｍ＋Δｍであるため、β１’＋α２’及び／又はβｍ−１
’＋αｍ’は、少なくともΔ１、Δｍ−１、Δｍの分は２からのずれを許容したほうが、より正確なマーク長及びマーク端のジッタ制御が可能となるのである。従って、この場合は、β１’＋α２’及びβｍ−１’＋αｍ’の間に存在するβｉ−１’＋αｉ’を概ね２とすればよい。
本パルス発生方法においては、中間記録パルス群であるｉ＝２〜ｍ−１に対する、αｉＴとβｉ−１Ｔとのデューティー比は、マーク前後端のジッタには影響を及ぼさないので、非晶質マークが所定の幅で形成され、信号振幅が確保できれば良い。そこで、パルス発生回路の簡便化のために、これらを一定値とする。特に、中間のパルスが繰り返し存在しうる４以上のｍの場合には、同じ分割数ｍにおける２種類の偶数長マーク及び奇数長マークの記録マークにおける３以上、（ｍ−１）以下の全てのｉに対して、αｉ＝αｃ（一定値）とする。同時に、周期２Ｔが概ね一定であるから、βｉ＝２−αｃも概ね一定値βｃとなる。この意味において、βｃは、αｃに従属して、αｃが決まれば確定することとなる。
結局、３以上のｍ（６以上のｎ）においては、周期（β１＋α２）Ｔ及び／又は（βｍ−１＋αｍ）Ｔにおいて、微調整を行うことにより、所望のマーク長ｎＴを達成する。このうち、α２も他のαｉ（ｉ＝３〜ｍ−１）と同一の値αｃをとることが望ましい。さらに偶数マークにおいては、αｍも同一値αｃをとることが望ましい。このようにすることにより、記録パルスストラテジーの記録パルス及びオフパルスのレーザー光（パルス光）発生を制御する制御回路の設計がより簡便化されるようになる。
ただし、ｎ＝３の場合には、α１、β１がαｍ、βｍを兼ねるから、他のｎとは異なる値として、α１、β１のみで、３Ｔマーク長とマーク前後端のジッタを調整する必要がある。
さて、本発明の２Ｔベースの記録パルス分割方法では、より規則正しいルールに基づいて、ｎＴマークのｎのとり得る値が奇数であるか偶数であるかにわけて考える点に特徴がある。
以下の説明においては、再び、同一ｍにおける偶数マーク長の場合に対応するパラメータαｉ、βｉ、Ｔｄ１，Ｔｄ２，Ｔｄ３、及びｊと、ｎが奇数マーク長の場合に対応するパラメータαｉ’、βｉ’、Ｔｄ１’，Ｔｄ２’，Ｔｄ３’、及びｋとを区別して説明する。
図５においては、Ｔｄ１、Ｔｄ２、Ｔｄ３にＴをかけた時間は、ｎＴマークの先端時間Ｔ０からの遅延時間として規定されているが、Ｔｄ１、Ｔｄ２、Ｔｄ３はそれぞれ、記録パルスα１Ｔ、中間パルス群の先頭であるα２Ｔ、αｍＴの発生タイミングを規定することが本来の目的であり、当該目的を達成するにおいて、基点をどこにとるかは任意性がある。たとえば、Ｔｄ２をα１Ｔの終点から規定する、つまり、Ｔｄ２＝β１としたり、α１Ｔの始点から規定して、Ｔｄ２＝（α１＋β１）と定義しても良い。同様に、Ｔｄ３は、Ｔ０を基点に規定しても良いが、αｍ−１Ｔの立下りを基点に規定する、つまり、Ｔｄ３＝βｍ−１としても良い。逆に、このような遅延時間Ｔｄ１、Ｔｄ２、Ｔｄ３等の定義を通じて、β１、βｍ−１、βｍが定まる。つまり、本発明記録ストラテジーを一義的に定義するための独立パラーメータの組として（ｍ、Ｔｄ１、α１、β１、αｃ、βｍ−１、αｍ、βｍ）が定まる。また、ｎが奇数の場合には、独立パラーメータの組として（ｍ、Ｔｄ１’、α１’、β１’、αｃ、βｍ−１’、αｍ’、βｍ’）が定まる。
繰り返すが、本質的には、これらのパラメータ（各記録パルス、オフパルスの立ち上がりと立下りのタイミング）が定まればよいのであり、間接的にＴｄ１、Ｔｄ２、Ｔｄ３等の遅延時間のパラメータの基点をどうとるかは任意性がある。
そして、各ｎに対するマーク長及びスペース長ｎＴを記録し、それらのゆらぎであるマ
ーク及びスペースジッタを低減するために、各ｎごとに、分割数ｍ及び、（Ｔｄ１とＴｄ１’）、（Ｔｄ２とＴｄ２’）、（Ｔｄ３とＴｄ３’）、（α１とα１’）、（αｍとαｍ’）、（βｍとβｍ’）のうちの少なくとも２組以上を変化させて、分割記録パルスを発生させるのである。このことは、また、各ｎごとに、分割数ｍ及び、（Ｔｄ１とＴｄ１’）、（α１とα１’）、（β１とβ１’）、（βｍ−１とβｍ−１’）、（αｍとαｍ’）、（βｍとβｍ’）のうちの少なくとも２組以上を変化させることである。
上記各ｎごとに様々なパラメータを変化させるようにする記録方法のうち、好ましいのは、同一のｍにおける、ｎ＝２ｍの記録マーク及びｎ＝２ｍ＋１の記録マークにおいて、αｍ≠αｍ’とし、かつ、（Ｔｄ１，Ｔｄ１’）、（α１，α１’）、（β１、β１’）、（βｍ−１とβｍ−１’）、及び（βｍとβｍ’）から選ばれる一組以上が異なる値をとるようにすることである。
すなわち、特にｍが３以上の場合には、同じ分割数ｍの偶数長マークと奇数長マークとにおけるマーク長の差Ｔを付与するために、本発明においては、特に、β１Ｔ、βｍ−１Ｔ、αｍＴ、βｍＴの各区間の時間長さを調整する。これらβ１、βｍ−１、αｍ、βｍのうち一つのパラメータだけを変化させて偶数長マークと奇数長マークとの差１Ｔを付加しようとすると、奇数長マーク前後端の形成に悪影響を及ぼす場合がある。このため、奇数長マークを形成する際には、αｍには必ず０でない値を付加（αｍ≠αｍ’とする）しつつ、偶数長マークを形成する際に用いたβ１、βｍ−１、βｍの少なくとも１つにも０でない値を付加する（β１≠β１’、βｍ−１≠βｍ−１’、βｍ≠βｍ’の少なくと１つを満たすようにする）。
このことは、上記のＴｄ１，Ｔｄ２，Ｔｄ３の定義から、同一分割数ｍの偶数長マークと奇数長マークとにおいて、αｍ≠αｍ’としつつ、さらに（Ｔｄ２とＴｄ２’）、（Ｔｄ３とＴｄ３’）、及び（βｍとβｍ’）の３つの組において少なくとも１組のパラメータを、ｎが偶数であるか奇数であるかに応じて異なる値をとることを意味する。あるいは、同一分割数ｍの偶数長マークと奇数長マークとにおいて、αｍ≠αｍ’としつつ、さらに（β１とβ１’）、（βｍ−１とβｍ−１’）、（βｍとβｍ’）の３つの組において少なくとも１組のパラメータを、ｎが偶数であるか奇数であるかに応じて異なる値をとることを意味する。
本発明者の一部は、特開２００２−３３１９３６号公報や、文献「Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ＰＣＯＳ２０００，Ｎｏｖ．３０−Ｄｅｃ．１，２０００
ｐｐ．５２−５５」、「Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ Ｖｏｌ．４０９０（２０００）ｐｐ．１３５−１４３」、「Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ Ｖｏｌ．４３４２（２００２）ｐｐ．７６−８７」において、同一の分割数ｍにおける偶数長マークと奇数長マークとの１Ｔ分のマーク長の差を良好に実現させるために、主としてβ１Ｔとβｍ−１Ｔの長さをそれぞれ補正してβ１’Ｔ、βｍ−１’Ｔとすることを提案している。
しかしながら、本発明者等がさらに検討を行った結果、ＣＤ−ＲＷにおいて記録線速度を２４倍速、３２倍速と高速化すると、又は、ＲＷ−ＤＶＤにおいて記録線速度を８倍速、１０倍速と高速化すると、上記β１とβｍ−１との補正だけでは、同一分割数ｍにおける偶数長マークと奇数長マークを良好に形成することができなくなることが判明した。
このため、本発明者等はさらに検討を行った。その結果、上記のような高速記録を良好に行うためには、奇数長マークを形成する際に、上記β１及びβｍ−１の補正を行うことよりも、まずαｍＴの長さを補正してαｍ’Ｔを得ることの方が重要であることを見出した。
本発明者等の検討によれば、β１＝β１’、βｍ−１＝βｍ−１’として、偶数マーク
及び奇数マーク間でβ１及びβｍ−１の補正は行わずに、まず、αｍを補正してαｍ’を得ることにより、高速記録においても、比較的良好品質を有する記録マークを形成することができることが判明した。しかしながら、上記αｍを補正してαｍ’を得るだけでは、高速記録における良好な記録特性を確実に得るには未だ不十分であることも同時に判明した。
このため、本発明においては、上記αｍＴの長さの補正（αｍ≠αｍ’）に付随して、β１Ｔ、βｍ−１Ｔ、及びβｍＴの少なくとも一つも補正することにより、良好な高速記録が確実に行えるようになるのである。特に、後述のＣＡＶやＰ−ＣＡＶ記録のように幅広い線速度範囲で良好な記録を行える。
従来の２Ｔベースの記録パルス分割方法において、オフパルス区間β１Ｔ，βｍ−１Ｔだけで、同一分割数ｍにおける偶数長マークと奇数長マークとの差１Ｔを補正する場合、上記偶数長及び奇数長マーク形成のために付与される記録パルス区間の総和ΣαｉＴ（Σαｉ’Ｔ）は、偶数長マーク及び奇数長マークで同一となる。また、本発明においては、第１義的には、一つの記録マークを形成する際の記録パルス区間における記録パワーＰｗが一定（つまり、α１ＴからαｍＴまでの各区間において記録パワーＰｗを一定とする。）である場合を想定している。このため、偶数長マーク及び奇数長マークでΣαｉＴ（Σαｉ’Ｔ）が同じであるということは、一組の偶数マークと奇数マーク形成にかかわる記録エネルギーの総和：Ｐｗ（ΣαｉＴ）が同一となる（ΣαｉＴ＝Σαｉ’Ｔ）ことを意味する。
ところで、光記録媒体の記録を行うための記録装置（ドライブ）は、個々の記録装置間でレーザ発生装置の出力に若干のばらつきを有するのが通常である。これは、上記記録パワーＰｗが記録装置間でばらついていることを意味する。本発明者らが鋭意検討を加えた結果、上記の一組の偶数マークと奇数マーク形成にかかわる記録エネルギーの総和：Ｐｗ（ΣαｉＴ）が一定となる記録エネルギーの照射方法では、上記記録装置間のＰｗのばらつきにより、同一分割数ｍにおける奇数マーク長と偶数マーク長の変化が同一とならない問題があることがわかった。つまり、記録装置の製品間のばらつきに伴う記録パワーＰｗの増減ΔＰｗにより、同一のｍにおける一組の奇数と偶数のマーク長を記録したとしても、記録装置間においてΔＴｍａｒｋだけ前記マーク長がずれることとなる。ここで、奇数マークのΔＴｍａｒｋと偶数マークのΔＴｍａｒｋとがほぼ同一であれば問題はないが、記録方法として２Ｔベースの記録パルスストラテジーを用いてβ１Ｔ、βｍ−１Ｔというオフパルス区間のみの補正（Ｐｗ（ΣαｉＴ）を一定とする方法）を行うと、記録装置間のΔＰｗによって、奇数マーク長のΔＴｍａｒｋと偶数マーク長のΔＴｍａｒｋとが顕著に異なることがわかった。
図１に示す従来の１Ｔベースの記録パルス分割方法では、マーク長が１Ｔ変化するたびに記録パルスを１個追加していたので、マーク長が長ければ、記録エネルギーの総和が単調増加するという規則が維持されていた。このため、記録装置間のＰｗのばらつきに伴う、ΔＴｍａｒｋは、奇数、偶数マークによらず、ほぼ一定であった。しかしながら、前述したように、従来の１Ｔベースの記録パルス分割方法では、ＣＤ−ＲＷにおける２４、３２倍速、ＲＷ−ＤＶＤにおける８倍速、１０倍速といった高速記録を行うことができず、レーザの照射時間及び冷却時間を確保するために２Ｔベースの記録パルス分割方法を用いて達成することが必須となる。従って、２Ｔベースの記録パルス分割方法を用いる限り、上記ΔＴｍａｒｋを偶数マーク及び奇数マーク間でほぼ一定とすることが重要となる。
このため、本発明者らは、ＣＤ−ＲＷの２４倍速、３２倍速、又は、ＲＷ−ＤＶＤの８倍速、１０倍速においても良好な記録を可能とするために、２Ｔベースの記録パルス分割方法の更なる検討を行った。その結果、記録装置間のΔＰｗに伴って生するΔＴｍａｒｋを、偶数マーク長及び奇数マーク長間においてほぼ一定とするためには、２Ｔベースの記
録パルス分割方法において、同一分割数ｍにおける偶数（２ｍ）マークと奇数（２ｍ＋１）マークとの間でαｍＴを必ず補正し、記録エネルギーの総和Ｐｗ（ΣαｉＴ）を、マーク長ともに増加させることが有効であることを見出したのである。ΣαｉＴは、マーク長が１Ｔ増加するとごとに概ね０．５Ｔずつ増加することが好ましい。ｍが１増加するごとにαｉＴとβｉＴとが１つずつ増えるのであるが、この場合、通常は中間パルス群αｃＴ、βｃＴを追加することになる。βｃ＋αｃは概ね２であるから、平均的にΣαｉＴが１Ｔ増加することになる。同じ分割数ｍには、ｎ及びｎ＋１の２つの場合が含まれるから、ｎ→ｎ＋１とマーク長を１Ｔ増加させると、ΣαｉＴを概ね０．５Ｔ増加させることになる。
この目的から、上述の通り、β１、βｍ−１、更にはその他のオフパルス区間の長さのみを調節して、同一ｍにおける、偶数マーク及び奇数マークの差である１Ｔ分のマーク長を調整して、良好な記録パワーマージンを得ることは困難である。
一方、記録パルスαｉＴのいずれの長さを調整するかについては、ｍが増減することに最後尾のαｉＴが一個増えるのと同様の機能を持たせるために、同一のｍにおいては最後尾のαｉＴすなわち、αｍＴの長さを調節することが最も好ましい。
そして、本発明者等の検討により、αｍＴのほかにも、β１Ｔ、βｍ−１Ｔ，βｍＴの少なくとも一つもあわせて補正することが、１Ｔ分のマーク長の補正と共に、マーク端における低いジッタを得ることに有効であることがわかった。さらに、本発明者等の検討によれば、αｍ’＝αｍ＋Δｍとするとき、Δｍは正確に１であるよりも、０＜Δｍ≦１の範囲にあることが好ましいこともわかった。また、β１’＝β１＋Δ１、βｍ−１’＝βｍ−１＋Δｍ−１、βｍ’＝βｍ＋Δｍ’においても、Δ１、Δｍ−１、Δｍ’は１以下であることが好ましいこともわかった。
これにより、同一分割数ｍにおいて、ｎが偶数か奇数かに応じてマーク長Ｔの差を付与されるのであるが、具体的には、以下の２つの方法があげられる。
（記録パルス分割方法ＩＩ）
この記録パルス分割方法は、（記録パルス分割方法Ｉ）において、３以上のｍに対して、同一分割数ｍにおける、ｎ＝２ｍの記録マーク及びｎ＝２ｍ＋１の記録マークにおいて、αｍ≠αｍ’、β１≠β１’とし、かつ、（Ｔｄ１，Ｔｄ１’）、（α１とα１’）、（βｍ−１とβｍ−１’）、及び（βｍとβｍ’）から選ばれる一組以上が異なる値をとるものとする方法である。
具体的には、同一分割数ｍにおいて、ｎが奇数である場合の（βｍ−１’＋αｍ’＋βｍ’）をｎが偶数である場合の（βｍ−１＋αｍ＋βｍ）に対して大きくするとともに、ｎが奇数である場合のβ１’をｎが偶数である場合のβ１よりも大きくすることが望ましい。
すなわち、αｍ’＝αｍ＋Δｍとするとともに、β１’＞β１とし、β１’＝β１＋Δ１とする。ここで、Δｍは、０より大きく、好ましくは０．２以上とし、一方、１以下、好ましくは０．７以下、より好ましくは０．６以下とする。また、Δ１は、０より大きく、好ましくは０．２以上とし、一方、１以下、好ましくは０．７以下、より好ましくは０．６以下とする。
より具体的には、β１’＝β１＋Δ１（０＜Δ１≦１）、βｍ−１’＋αｍ’＝βｍ−１＋Δｍ−１＋αｍ＋Δｍ＝βｍ−１＋αｍ＋Δｍｍ（Δｍｍ＝０．２〜１）とするのが好ましい。Δ１、Δｍｍの値の上限は１以下とするのが好ましく、Δ１は特に０．２〜０．７の値とするのが好ましく、０．３〜０．６とするのがより好ましい。このうち、βｍ−１’＝βｍ−１＋Δｍ−１とαｍ’＝αｍ＋Δｍにおいては、Δｍ−１、Δｍそれぞれに０〜１を配分するが、Δｍ−１、Δｍの上限は０．７以下、好ましくは０．６以下とす
るのが好ましい。さらに、Δｍ−１＋Δｍ＋Δｍ’は、０．２〜１．２とするのが好ましい。
特に、３以上のｍに対しては、Ｔｄ１’＝Ｔｄ１、α１’＝α１、β１’＝β１＋Δ１（０＜Δ１≦１）、βｍ−１’＝βｍ−１＋Δｍ−１（Δｍ−１＝０〜１）、αｍ’＝αｍ＋Δｍ（０＜Δｍ≦１）、Δｍｍ＝Δｍ−１＋Δｍ、０＜Δｍｍ≦１、とするのが好ましい。ここで、Δ１、Δｍｍは、さらに０．２〜０．７の値とすることが好ましい。Δｍ−１は０〜０．７、Δｍは０．２〜０．７の値とすることが好ましい。
パルス発生回路を簡便化するためには、β１＋α２及びβｍ−１＋αｍは、１．７〜２．３の範囲の値をとるのが好ましく、特に、β１＋α２＝２、βｍ−１＋αｍ＝２とすることがより好ましい。
また、αｍ＝αｃとするのが好ましい。さらにはα１＝α１’とし、これをα１＝α１’＝αｃとすることも、可変パラメータ数を少なくする上で好ましい。
ここで、ｍ＝２（ｎ＝４，５）の場合に、ｍ−１＝１であるから、区間（β１＋α２）Ｔは、区間（βｍ−１＋αｍ）Ｔとも解される。この場合、５Ｔマークの（β１’＋α２’）Ｔを４Ｔマークの（β１＋α２）Ｔより約１Ｔ長くするのであるが、より具体的には、α１、α１’、α２、α２’、β２、β２’をそれぞれｍが３以上の場合のα１、α１’、αｍ、αｍ’、βｍ、βｍ’と等しくするとともに、β１をｍが３以上の場合のいずれかのｍにおける、β１又はβｍ−１のいずれかと等しくし、β１’をｍが３以上の場合のいずれかのｍにおける、β１’又はβｍ−１’のいずれかと等しくするのが好ましい。
上記ｍ＝２におけるα１、α１’、α２、α２’、β２、β２’の各値は、ｍ＝３の場合のα１、α１’、α３、α３’、β３、β３’と等しくするとともに、β１をｍ＝３の場合におけるβ１又はβ２と等しくし、β１’をｍ＝３以上の場合におけるβ１’又はβ２’のいずれかと等しくするのが好ましい。特に好ましいのは、ｍ＝２におけるα１、α１’、β１、β１’、α２、α２’、β２、β２’をそれぞれｍが３の場合のα１、α１’、β２、β２’、α３、α３’、β３、β３’と等しくすることである。
ただし、ｍ＝２に関するいずれの場合も、β２’に関しては、さらに±０．５の範囲での微調整を許容するものとする。よって、ｎ＝４，５においては、ｍが３以上の場合と異なる値を取りうるのは、Ｔｄ１、Ｔｄ１’、β２’の３個のパラメータである。
なお、ｍ＝１（ｎ＝３）の場合には、一対の記録パワー照射区間α１’Ｔとバイアスパワー照射区間β１’Ｔからなる記録光の照射を行う。この場合、α１’は、３以上のｍにおけるα１’より０．１から１．５程度大きくし、β１’は３以上のｍにおけるβ１’より小さく、かつ、βｍ、βｍ’より大きくするのが好ましい。あるいは、α１’は、３以上のｍにおけるα１’の１〜２倍とすることも好ましい。
他の具体的方法として、（記録パルス分割方法ＩＩＩ）
この記録パルス分割方法は、（記録パルス分割方法Ｉ）において、３以上のｍに対して、同一の分割数ｍにおける、ｎ＝２ｍの記録マーク及びｎ＝２ｍ＋１の記録マークにおいて、αｍ≠αｍ’、Ｔｄ１＝Ｔｄ１’、α１＝α１’、β１＝β１’とし、かつ（βｍ−１とβｍ−１’）、及び（βｍとβｍ’）から選ばれる一組以上が異なる値をとるものである。すでに、（記録パルス分割方法方法Ｉ）において、βｉ−１＋αｉ＝βｉ−１’＋αｉ’＝βｃ＋αｃ（ｉ＝２〜ｍ−１）となっているので、Ｔｄ１＝Ｔｄ１’、α１＝α１’、β１＝β１’とすることで、オフパルス区間βｍ−１Ｔ及びβｍ−１’Ｔの開始時間までのすべての記録パルスとオフパルス区間を偶数マークと奇数マークにおいて同期させることができ、記録パルス発生回路を大幅に簡略化できる。
すなわち、３以上のｍにおいては、同一分割数ｍにおいて、ｎが偶数である場合の（βｍ−１＋αｍ＋βｍ）に対して約１を付加することにより、ｎが奇数である場合の（βｍ−１’＋αｍ’＋βｍ’）を得る。上記（βｍ−１＋αｍ＋βｍ）に付加する約１は、０．５〜１．５の範囲の値であることが好ましく、０．５〜１．２の範囲の値であることがより好ましい。このうち、βｍ−１、βｍには０以上１以下の値を付与し、αｍには０より大きく１以下の値を付与するが、βｍ−１及びαｍに付与する値の上限は０．６以下とすることがより好ましい。αｍだけで１Ｔ分のマーク長の補正を行おうとすると後端ジッタが高くなる可能性があるので、少なくともβｍ−１かβｍのいずれかをαｍとあわせて補正する。ここで、記録パルス分割方法Ｉにおいて説明したように、α２’＝α２＝αｃであるから、β１’＋α２’＝β１＋α２となる。
すなわち、３以上のｍに対しては、βｍ−１’＝βｍ−１＋Δｍ−１（Δｍ−１＝０〜１）、αｍ’＝αｍ＋Δｍ（０＜Δｍ≦１）、βｍ＝βｍ＋Δｍ’（Δｍ’＝０〜１）、また、Δｍｍ＋Δｍ’＝Δｍ−１＋Δｍ＋Δｍ’＝０．５〜１．５とするのが好ましく、０．５〜１．２とするのがより好ましい。
β１＋α２＝β１’＋α２’、及びβｍ−１＋αｍは、前述のように１．５〜２．５の範囲の値をとることが好ましく、１．７〜２．３の範囲の値をとることがより好ましい。特に、β１＋α２＝２、βｍ−１＋αｍ＝２とするのが好ましい。
ここで、ｍ＝２（ｎ＝４，５）の場合に、ｍ−１＝１であるから、区間（β１＋α２）Ｔは、区間（βｍ−１＋αｍ）Ｔとも解される。この場合、５Ｔマークの（β１＋α２）Ｔを４Ｔマークの（β１＋α２）Ｔより約１Ｔ長くするのであるが、より具体的には、α１、α１’、β１、β１’、α２、α２’、β２、β２’をそれぞれ３以上のいずれかのｍにおけるα１、α１’、βｍ−１、βｍ−１’、αｍ、αｍ’、βｍ、βｍ’と等しくするのが好ましい。
ただし、ｍ＝２におけるα２、α２’、β２、β２’に関しては、さらに±０．２の範囲で値を微調整することもあるが、その必要性は小さい。特に好ましいのは、ｍ＝２におけるα１、α１’、β１、β１’、α２、α２’、β２、β２’をそれぞれｍ＝３におけるα１、α１’、β２、β２’、α３、α３’、β３、β３’と等しくすることである。
なお、ｍ＝１（ｎ＝３）の場合には、やはり、一対の記録パワー照射区間α１’Ｔとバイアスパワー照射区間β１’Ｔからなる記録光の照射を行う。この場合、α１’は、３以上のｍにおけるα１’より０．１から１．５程度大きくするのが好ましい。あるいは、α１’は、３以上のｍにおけるα１’の１〜２倍とするのが好ましい。
上述の通り、（記録パルス分割方法ＩＩＩ）では、３以上のｍにおいて、β１’＝β１とし、同一分割数ｍにおいて、ｎが偶数である場合の（βｍ−１＋αｍ＋βｍ）に対して約１を付加することにより、ｎが奇数である場合の（βｍ−１’＋αｍ’＋βｍ’）を得る。上記１を付加するために、αｍ’＝αｍ＋Δｍとすることに加え、βｍ−１’＝βｍ−１＋Δｍ−１とする場合、βｍ＝βｍ＋Δｍ’とする場合、βｍ−１’＝βｍ−１＋Δｍ−１及びβｍ＝βｍ＋Δｍ’とする場合、の３つの場合が考えられる。これらうち、記録可能な線速度の上限よりも遅い線速度で記録を行うような場合においては、まずβｍ＝βｍ＋Δｍ’として、βｍにおける補正をβｍ−１における補正に優先させることが好ましい。その理由を以下に示す。
すなわち、本発明記録媒体においてオーバーライト可能な線速度の上限よりも遅い線速度で記録を行う場合、αｍ’＞αｍなる補正がマーク後端の冷却過程に大きな影響を及ぼすために、βｍにおける補正値Δｍ’を、βｍ’＝βｍ＋Δｍ’（Δｍ’＝０〜１）のように補正することが好ましいのである。例えば、２４倍速でオーバーライト可能な本発明
ＣＤ−ＲＷ媒体に２４倍速未満で記録を行う場合や、８倍速でオーバーライト可能な本発明ＲＷ−ＤＶＤ媒体に、８倍速未満で記録する場合であり、後述のＣＡＶやＰ−ＣＡＶ記録を行う場合に有用である。このような場合には、Δｍ−１よりも、まず、Δｍ’＞０とすることを優先するのが好ましいのである。
本記録パルス分割方法（Ｉ）、（ＩＩ）、及び（ＩＩＩ）においては、αｉとβｉは、それぞれのマーク長でそれぞれ最適化することができるが、パルス発生回路の簡便化のために、これらをできるだけ一定値とするのが好ましい。
まず、ｍが３以上の場合に存在する中間記録パルス群において、αｉ及びαｉ’（ｉ＝２〜ｍ−１）をｉ及びｎによらない値αｃで一定とするのが好ましい。
続いて、先頭記録パルスパラメータα１、α１’を、２以上のｍ、少なくとも３以上のｍに対して偶数長マークであるか奇数長マークであるかにかかわらず、一定値とできる。すなわちα１’＝α１であって、α１はｍによらない一定値とすることが好ましい。この場合には、やはり、少なくとも３以上のｍに対して、Ｔｄ１＝Ｔｄ１’も一定とするのが好ましい。
αｍ及びαｍ’に関しては、同一ｍの偶数長マークと奇数長マークで異なるのであるが、３以上のｍ、より好ましくは２以上のｍ、においては、ｍによらず、偶数長マークにおけるαｍを一定とし、奇数長マークにおけるαｍ’を一定とできる。そして、偶数長マークにおけるαｍもαｃとするのが好ましい。
以上に加えて、記録パルス分割方式（ＩＩ）においては、３以上のｍ、より好ましくは２以上のｍ、においては、Δ１、Δｍ−１、Δｍ、をそれぞれ一定とする。よってΔｍｍ＝Δｍ−１＋Δｍも一定となる。
以上のように、ｍに依存しないパラメータを考慮すれば、ＲＷ−ＤＶＤの場合に、ｎ＝１４の場合を追加するにしても、二対のαｃＴとβｃＴを挿入するだけですむので、独立パラーメタの数は、ＣＤ−ＲＷの場合と同じと考えられる。
以上をまとめるならば、記録パルス分割方法（ＩＩ）においては、さらに以下の簡略化した記録パルス分割方法となる。
すなわち、３以上のｍ（すなわち、６以上のｎ）に対しては、Ｔｄ１’＝Ｔｄ１、α１’＝α１、β１＋α２＝１．５〜２．５、βｍ−１＋αｍ＝１．５〜２．５、β１’＝β１＋Δ１（０＜Δ１≦１）、βｍ−１’＝βｍ−１＋Δｍ−１（Δｍ−１＝０〜１）、αｍ’＝αｍ＋Δｍ（０＜Δｍ≦１）、Δｍｍ＝Δｍ−１＋Δｍ＝０．２〜１、βｍ’＝βｍ＋Δｍ’（Δｍ’＝０〜１）関係を満たし、かつ、Ｔｄ１，α１、β１、Δ１、αｃ、βｍ−１、Δｍ−１、αｍ、Δｍ、βｍ、Δｍ’は、３以上のｍにおいてはｍによらず一定とできる。
ここで、特に３以上のｍにおいて、（Ｔｄ１＋α１）Ｔ＝（Ｔｄ１’＋α１’）Ｔ＝２Ｔとすることで、特に偶数長マークにおいて各記録パルスαｉＴの立下りを、クロック周期に同期させることができ、回路をさらに簡便化できる。ここにおいて、ｍが３以上（ｎが６以上）のマークについては、（Ｔｄ１，α１、β１、Δ１、αｃ、βｍ−１、Δｍ−１、αｍ、Δｍ、βｍ、Δｍ’）の１１個の独立パラメータにより、下記の記録パルス分割方法（ＩＩ―Ａ）が規定できる。
すなわち、記録パルス分割方法（ＩＩ―Ａ）記録マーク間に対しては、非晶質を結晶しうる消去パワーＰｅの記録光を照射し、
ｎ＝２ｍ（ｍは２以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｊ）Ｔ、（ｊは−２．０〜２．０なる実数）を、
α１Ｔ、β１Ｔ、α２Ｔ、β２Ｔ、・・・・、αｍＴ、βｍＴ、
からなるｍ個のαｉＴとβｉＴからなる区間、ただしΣｉ（αｉ＋βｉ）＝ｎ−ｊ、となるように分割し、
ｎ＝２ｍ＋１（ｍは２以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｋ）Ｔ、（ｋは−２．０〜２．０なる実数）を、
α１’Ｔ、β１’Ｔ、α２’Ｔ、β２’Ｔ、・・・・αｍ’Ｔ、βｍ’Ｔ、
からなるｍ個のαｉ’Ｔとβｉ’Ｔからなる区間、ただし、Σｉ（αｉ’＋βｉ’）＝ｎ−ｋ、となるように分割し、
αｉＴおよびαｉ’Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、記録層を溶融するに足る一定の記録パワーＰｗの記録光（ただし、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．２〜０．６とする）を照射し、
βｉＴおよびβｉ’Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、Ｐｂ≦０．２ＰｅなるバイアスパワーＰｂの記録光を照射する、書換え型光記録媒体への記録方法であって、
ｎ＝２ｍ（ｍは３以上）の場合には、ｎＴマークの開始時間をＴ０とするとき、Ｔ０から遅延時間Ｔｄ１Ｔ後にα１Ｔ、β１Ｔ、α２Ｔ＝αｃＴがこの順に発生された後、概ね周期２Ｔを保ちながらβｉ−１Ｔ＝βｃＴとαｉＴ＝αｃＴ（ｉ＝３〜ｍ−１、αｃ及びβｃ＝２−αｃは、ｉによらず一定）とがこの順に交互に発生された後、βｍ−１Ｔ、αｍＴ、βｍＴがこの順に発生されてなり、
ｎ＝２ｍ＋１（ｍは３以上）の場合には、ｎＴマークの開始時間をＴ０とするとき、Ｔ０から遅延時間Ｔｄ１’Ｔ後にα１’Ｔ、β１’Ｔ、α２’Ｔ＝αｃＴがこの順に発生され、概ね周期２Ｔを保ちながら、βｃＴ＝βｉ−１’ＴとαｃＴ＝αｉ’Ｔ（ｉ＝３〜ｍ−１）とがこの順に交互に発生された後、βｍ−１’Ｔ後に、αｍ’Ｔ及びβｍ’Ｔがこの順に発生されてなり、
かつ、３以上のｍにおいては同一分割数ｍにおいて、Ｔｄ１’＝Ｔｄ１、α１’＝α１、β１’＝β１＋Δ１（０＜Δ１≦１）、βｍ−１’＝βｍ−１＋Δｍ−１（Δｍ−１＝０〜１）、αｍ’＝αｍ＋Δｍ（０＜Δｍ≦１）、Δｍｍ＝Δｍ−１＋Δｍ、０＜Δｍｍ≦１、βｍ’＝βｍ＋Δｍ’（Δｍ’＝０〜１）の関係を満たし、かつ、Ｔｄ１，α１、β１、Δ１、αｃ、βｍ−１、Δｍ−１、αｍ、Δｍ、βｍ、Δｍ’は、ｍによらず一定とする記録方法である。
ここで、ｍ＝２の場合には、α１、α１’、β１、β１’、α２、α２’、β２’、β２’をそれぞれｍ＝３の場合のα１、α１’、βｍ−１、βｍ−１’、αｍ、αｍ’、βｍ、βｍ’と等しくする（ただしβ２’は、さらに±０．５の範囲で調整可能とする）のが好ましい。
前述の記録方式ＣＤ１−１、２−１、及びＤＶＤ１−１、２−１は、このような記録パルス分割方式（ＩＩ―Ａ）において、各パラメータの範囲及び大小関係をより限定的に規定したものである。
上記記録パルス分割方法（ＩＩ−Ａ）において、「概ね周期２Ｔを保つ」とは、（βｉ−１＋αｉ）Ｔ＝２Ｔ（ｉ＝２〜ｍ）、及び（βｉ−１’＋αｉ’）Ｔ＝２Ｔ（ｉ＝３〜ｍ−１）であって、電子回路の実現するための２Ｔからの不可避のずれを許容することを意味するのみでなく、（β１＋α２）Ｔ及び（βｍ−１＋αｍ）Ｔに関しては、±０．５Ｔの範囲での微調整をも許容する意味である。
このようにして、ｍが３以上（ｎが６以上）のマーク長に関しては、１１個の独立パラメータ（Ｔｄ１，α１、β１、Δ１、αｃ、βｍ−１、Δｍ−１、αｍ、Δｍ、βｍ、Δｍ’）で記録パルス分割方法が規定でき、他には、ｎ＝３におけるＴｄ１’、α１’、β１’計３個）、ｍ＝２（ｎ＝４、５）におけるＴｄ１、Ｔｄ１’、α２’、β２’（計４個）のパラメータを規定すれば、すべての３〜１１までのマーク長を形成するための記録パルス分割方法が定まる。さらに、Ｐｗ、Ｐｂがすべて区間で一定のパワーレベルをとれ
ば、Ｐｅと合わせて３種の記録パワーレベル値を定義し、計１１＋３＋４＋３＝２１個の独立パラメータを定義すればよい。
ここで、パルス分割方法（ＩＩ−Ａ）においては、記録パルスストラテジーの記録パルス及びオフパルスのレーザー光（パルス光）の制御を行う制御回路（電子回路）の設計をより簡略化するために、３以上のｍにおいては、Ｔｄ１＋α１＝２、α１＝αｃ、β１＋α２＝２、βｍ−１＋αｍ＝２、及びαｍ＝αｃのうち少なくとも一つの式が成り立つようにすることが好ましい。
３以上のｍ（すなわち６以上のｎ）においては、Ｔｄ１＋α１＝２、β１＋α２＝２、βｍ−１＋αｍ＝２とすると、ｉ＝１〜ｍまでの各記録パルスαｉＴの立下りを、クロック周期に同期させることができ、回路をさらに簡便化できるので好ましい。この場合、Ｔｄ１’＋α１’＝２となる。さらに、β１’＋α２’＝２．５、すなわち、β１’＝β１＋０．５、とすると、ｉ＝１〜ｍ−１までの各記録パルスαｉ’Ｔの立下りも、クロック周期の１／２の周期に同期させることができ、独立パラメータの数を大幅に減らせると共に、回路をさらに簡便化できるので好ましい。
この場合の独立パラメータは、記録パワーレベルの３個と、ｎ＝３における、Ｔｄ１’、α１’、β１’の３個、ｎ＝４，５におけるＴｄ１、Ｔｄ１’、α２’、β２’の４個と６以上のｎにおける（α１、Δ１、αｃ、Δｍ−１、αｍ、Δｍ、βｍ、Δｍ’）の８個の計３＋３＋４＋８＝１８個となり、パラメータの決定が簡便化できる。より一層好ましくは、２以上のすべてのｍ（ｎが４以上）において、Ｔｄ１＋α１＝Ｔｄ１’＋α１’＝２とする。この場合ｎ＝４，５におけるＴｄ１、Ｔｄ１’の２個も非独立となるので、独立パラメータ数は１６個である。さらに加えて、３以上のｍにおいて、αｍ＝αｃとする、あるいは、α１＝αｃとすると、独立パラメータ数をさらに減らすことができ好ましい。αｍ＝α１＝αｃとすれば、独立パラメータ数は１４個となる。
すなわち、ｍ＝２においても、ｍ＝３以上の場合と同様に、Ｔｄ１＋α１＝Ｔｄ１’＋α１’＝２、α１＝α１’、β１＋α２＝２，α２＝αｃのうちの少なくとも一つが成り立つことが好ましい。
また、αｍ、α１、及びαｃが等しいか否かにかかわらず、α１／αｃ、αｍ／αｃの比、又は、α１−αｃ、αｍ−αｃの差分が、予め決められた値となっていれば、αｃが決まればα１及びαｍも一義的に決まるので、パラメータ数を減らすことができるようになる。この場合、具体的には、α１／αｃ、αｍ／αｃの比は１〜２の値とすることが好ましい。また、α１／αｃとαｍ／αｃの比は、この範囲の値であれば、互いに異なっていても良い。
なお、特に、α１＞αｃとすることは、記録に必要なパワーを低減できる場合があり、その場合は積極的にα１とαｃを異なる値とすることが望ましい。
さらに、ｎ＝３におけるα１’が、ｎが４以上の場合のα１と等しいか、ｎ＝３の場合のα１’とｎが４以上の場合のα１あるいはαｃが、一定の比又は差分を有するように定めても良い。
一方、記録パルス分割方法（ＩＩＩ）においては、以下の簡略化した記録パルス分割方法を用いることが好ましい。３以上のｍ（すなわち、６以上のｎ）に対しては、Ｔｄ１’＝Ｔｄ１、α１’＝α１、β１’＝β１、β１＋α２＝１．５〜２．５、βｍ−１＋αｍ＝１．５〜２．５、βｍ−１’＝βｍ−１＋Δｍ−１（Δｍ−１＝０〜１）、αｍ’＝αｍ＋Δｍ（０＜Δｍ≦１）、Δｍｍ＋Δｍ’＝Δｍ−１＋Δｍ＋Δｍ’＝０．５〜１．５、βｍ’＝βｍ＋Δｍ’（Δｍ’＝０〜１）の関係を満たし、かつ、Ｔｄ１，α１、β１、αｃは、３以上のｍにおいてはｍによらず一定とするのが好ましい。さらに、βｍ−１
、Δｍ−１、αｍ、βｍ、Δｍ’も３以上のｍにおいて一定とするのが好ましい。Δｍに関しては、Δｍ１とΔｍ２の２通りの値をとりうるがΔｍ１＝Δｍ２であるのがより好ましい。Δｍ−１、Δｍ’は、いずれも０〜０．７であることがより好ましく、いずれも０〜０．６であることが特に好ましい。Δｍは、０より大きく０．７以下であることがより好ましく、０より大きく０．６以下であることがより好ましい。
下記の記録パルス分割方法（ＩＩＩ―Ａ）が規定できる。
すなわち、記録パルス分割方法（ＩＩＩ―Ａ）
記録マーク間に対しては、非晶質を結晶しうる消去パワーＰｅの記録光を照射し、
ｎ＝２ｍ（ｍは２以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｊ）Ｔ、（ｊは−２．０〜２．０なる実数）を、
α１Ｔ、β１Ｔ、α２Ｔ、β２Ｔ、・・・・、αｍＴ、βｍＴ、
からなるｍ個のαｉＴとβｉＴからなる区間、ただしΣｉ（αｉ＋βｉ）＝ｎ−ｊ、となるように分割し、
ｎ＝２ｍ＋１（ｍは２以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｋ）Ｔ、（ｋは−２．０〜２．０なる実数）を、
α１’Ｔ、β１’Ｔ、α２’Ｔ、β２’Ｔ、・・・・αｍ’Ｔ、βｍ’Ｔ、
からなるｍ個のαｉ’Ｔとβｉ’Ｔからなる区間、ただし、Σｉ（αｉ’＋βｉ’）＝ｎ−ｋ、となるように分割し、
αｉＴおよびαｉ’Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、記録層を溶融するに足る一定の記録パワーＰｗの記録光（ただし、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．２〜０．６とする）を照射し、
βｉＴおよびβｉ’Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、Ｐｂ≦０．２ＰｅなるバイアスパワーＰｂの記録光を照射する、書換え型光記録媒体への記録方法であって、
ｎ＝２ｍ（ｍは３以上）の場合には、ｎＴマークの開始時間をＴ０とするとき、Ｔ０から遅延時間Ｔｄ１Ｔ後にα１Ｔ、β１Ｔ、α２Ｔ＝αｃＴがこの順に発生された後、概ね周期２Ｔを保ちながらβｉ−１Ｔ＝βｃＴとαｉＴ＝αｃＴ（ｉ＝３〜ｍ−１、αｃ及びβｃ＝２−αｃは、ｉによらず一定）とがこの順に交互に発生された後、βｍ−１Ｔ、αｍＴ、βｍＴがこの順に発生されてなり、
ｎ＝２ｍ＋１（ｍは３以上）の場合には、ｎＴマークの開始時間をＴ０とするとき、Ｔ０から遅延時間Ｔｄ１’Ｔ後にα１’Ｔ、β１’Ｔ、α２’Ｔ＝αｃＴがこの順に発生され、概ね周期２Ｔを保ちながら、βｃＴ＝βｉ−１’ＴとαｃＴ＝αｉ’Ｔ（ｉ＝３〜ｍ−１）とがこの順に交互に発生された後、βｍ−１’Ｔ後に、αｍ’Ｔ及びβｍ’Ｔがこの順に発生されてなり、
かつ、３以上のｍにおいては、同一分割数ｍにおいて、Ｔｄ１’＝Ｔｄ１、α１’＝α１、β１’＝β１、β１＋α２＝１．５〜２．５、βｍ−１＋αｍ＝１．５〜２．５、βｍ−１’＝βｍ−１＋Δｍ−１（Δｍ−１＝０〜１）、αｍ’＝αｍ＋Δｍ（０＜Δｍ≦１）、Δｍ−１＋Δｍ＋Δｍ’＝０．５〜１．５、βｍ’＝βｍ＋Δｍ’（Δｍ’＝０〜１）の関係を満たし、かつ、Ｔｄ１，α１、β１、αｃ、βｍ−１、Δｍ−１、αｍ、βｍ、Δｍ’は、ｍによらず一定とする（ただし、Δｍは、ｍに応じて、Δｍ１とΔｍ２の２通りの値をとり得る）ものとする記録方法である。
さらに、ｍ＝２の場合には、記録パルス分割方法（ＩＩＩ）と同じく、α１、α１’、β１、β１’、α２、α２’、β２、β２’をそれぞれｍ＝３の場合のα１、α１’、βｍ−１、βｍ−１’、αｍ、αｍ’、βｍ、βｍ’と等しくする、光記録方法である。
上記記録パルス分割方法（ＩＩＩ−Ａ）において、「概ね周期２Ｔを保つ」とは、（βｉ−１＋αｉ）Ｔ＝２Ｔ（ｉ＝２〜ｍ）、及び（βｉ−１’＋αｉ’）Ｔ＝２Ｔ（ｉ＝２〜ｍ−１）であって、電子回路の実現するための２Ｔからの不可避のずれを許容することを意味するのみでなく、（β１＋α２）Ｔ及び（βｍ−１＋αｍ）Ｔに関しては、±０．５Ｔの範囲での微調整をも許容する意味である。
このようにして、ｍが３以上（ｎが６以上）のマーク長に関しては、１１個の独立パラメータ（Ｔｄ１、α１、β１、αｃ、βｍ−１、Δｍ−１、αｍ、Δｍ１、Δｍ２、βｍ、Δｍ’）で記録パルス分割方法が規定でき、他には、ｎ＝３、４、５におけるそれぞれのＴｄ１又はＴｄ１’（計３個）、ｎ＝３における、α１’、β１’（計２個）のパラメータを規定すれば、すべての３〜１１までのマーク長を形成するための記録パルス分割方法が定まる。さらに、Ｐｗ、Ｐｂがすべて区間で一定のパワーレベルをとれば、Ｐｅと合わせて３種の記録パワーレベル値を定義し、計１１＋３＋２＋３＝１９個の独立パラメータを定義すればよい。
前述の記録方式ＣＤ１−２、２−２、及びＤＶＤ１−２は、このような記録パルス分割方式（ＩＩＩ―Ａ）において、各パラメータの範囲及び大小関係をより限定的に規定したものである。
ここで、パルス分割方式（ＩＩＩ−Ａ）においては、記録パルスストラテジーの記録パルス及びオフパルスのレーザー光（パルス光）の制御を行う制御回路（電子回路）の設計をより簡略化するために、以下の事項を行うことが好ましい。
一点目、３以上のｍにおいてはΔｍ＝Δｍ１＝Δｍ２とすることが好ましい。
二点目は、３以上のｍにおいては、Ｔｄ１＋α１＝２、α１＝αｃ、β１＋α２＝２、βｍ−１＋αｍ＝２、及びαｍ＝αｃのうち少なくとも一つの式が成り立つ様にすることである。
特に３以上のｍにおいて、Ｔｄ１＋α１＝２、β１＋α２＝２、とすると、ｉ＝１〜ｍ−１までの各記録パルスαｉＴ、及びαｉ’Ｔの立下りを、クロック周期に同期させることができ、回路をさらに簡便化でき、また、独立パラメータ数が大幅に減らせるので好ましい。尚、β１＝β１’、α２＝α２’＝αｃなので、β１＋α２＝２とすれば、β１’＋α２’＝２となる。同様に、Ｔｄ１＝Ｔｄ１’、α１＝α１’なので、Ｔｄ１＋α１＝２とすれば、Ｔｄ１’＋α１’＝２となる。
この場合の、独立パラメータは、記録パワーレベルの３個と、ｎ＝３における、Ｔｄ１’、α１’、β１’の３個、ｎ＝４，５におけるＴｄ１、Ｔｄ１’の２個と３以上のｍにおける（α１、αｃ、βｍ−１、Δｍ−１、αｍ、Δｍ、βｍ、Δｍ’）の８個の計３＋３＋２＋７＝１６個となり、パラメータの決定が簡便化できる。βｍ−１＋αｍ＝２、αｍ＝αｃとすれば、さらに、パラメータ数を２個減らし、１４個とすることができ好ましい。
あるいは、α１／αｃ、αｍ／αｃの比、又は、α１−αｃ、αｍ−αｃの差分が、予め決められた値となっていれば、αｃが決まれば、α１やαｍが決まるので、やはりパラメータ数を減らすことができて好ましい。この場合、具体的には、α１／αｃ、αｍ／αｃの比は１〜２の値とすることが好ましい。また、α１／αｃとαｍ／αｃの比は、この範囲の値であれば、互いに異なっていても良い。
なお、特に、α１＞αｃとすることは、記録に必要なパワーを低減できる場合があり、その場合は積極的にα１とαｃを異なる値とすることが望ましい。
さらに、ｎ＝３におけるα１’が、ｎが４以上の場合のα１と等しいか、ｎ＝３の場合のα１’とｎが４以上の場合のα１あるいはαｃが、一定の比又は差分を有するように定めても良い。
より一層好ましくは、２以上のすべてのｍにおいて、Ｔｄ１＋α１＝２とする。
この場合ｎ＝４，５におけるＴｄ１、Ｔｄ１’の２個も非独立となるので、独立パラメータ数は１２個である。
すなわち、ｍ＝２においても、ｍ＝３以上の場合と同様に、Ｔｄ１＋α１＝Ｔｄ１’＋α１’＝２、α１＝α１’、β１＋α２＝２，α２＝αｃのうちの少なくとも一つが成り立つことが好ましい。
ここにおいて、最も簡便な記録パルス分割方法として、１２個の独立パラメータ（４以上のｎにおけるα１、αｃ、Δｍ−１、Δｍ、βｍ、Δｍ’、ｎ＝３におけるＴｄ１’、α１’、β１’、及びＰｗ，Ｐｅ，Ｐｂ）のみによって規定される記録パルス分割方法（ＩＩＩ−Ｂ）が以下のように定義できる。すなわち、
記録パルス分割方法（ＩＩＩ−Ｂ）
記録マーク間に対しては、非晶質を結晶しうる消去パワーＰｅの記録光を照射し、
ｎ＝２ｍ（ｍは２以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｊ）Ｔ、（ｊは−２．０〜２．０なる実数）を、
α１Ｔ、β１Ｔ、α２Ｔ、β２Ｔ、・・・・、αｍＴ、βｍＴ、
からなるｍ個のαｉＴとβｉＴからなる区間、ただしΣｉ（αｉ＋βｉ）＝ｎ−ｊ、となるように分割し、
ｎ＝２ｍ＋１（ｍは２以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｋ）Ｔ、（ｋは−２．０〜２．０なる実数）を、
α１’Ｔ、β１’Ｔ、α２’Ｔ、β２’Ｔ、・・・・αｍ’Ｔ、βｍ’Ｔ、
からなるｍ個のαｉ’Ｔとβｉ’Ｔからなる区間、ただし、Σｉ（αｉ’＋βｉ’）＝ｎ−ｋ、となるように分割し、
αｉＴおよびαｉ’Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、記録層を溶融するに足る一定の記録パワーＰｗの記録光（ただし、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．２〜０．６とする）を照射し、
βｉＴおよびβｉ’Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、Ｐｂ≦０．２ＰｅなるバイアスパワーＰｂの記録光を照射する、書換え型光記録媒体への記録方法であって、
ｎ＝２ｍ（ｍは３以上）の場合には、ｎＴマークの開始時間をＴ０とするとき、Ｔ０から遅延時間Ｔｄ１Ｔ後にα１Ｔが発生され、概ね周期２Ｔを保ちながらβｃＴ＝βｉ−１ＴとαｃＴ＝αｉＴ（ｉ＝２〜ｍ、αｃ及びβｃ＝２−αｃは、ｉによらず一定）とがこの順に交互に発生された後、βｍＴがこの順に発生されてなり、
ｎ＝２ｍ＋１（ｍは３以上）の場合には、ｎＴマークの開始時間をＴ０とするとき、Ｔ０から遅延時間Ｔｄ１’Ｔ後にα１’Ｔが発生され、概ね周期２Ｔを保ちながら、βｃＴ＝βｉ−１’ＴとαｃＴ＝αｉ’Ｔ（ｉ＝２〜ｍ−１）とがこの順に交互に発生された後、βｍ−１’Ｔ後に、αｍ’Ｔ及びβｍ’Ｔがこの順に発生されてなり、
かつ、３以上のｍにおいては、同一分割数ｍにおいて、Ｔｄ１’＝Ｔｄ１、Ｔｄ１＋α１＝２、α１＝α１’、βｍ−１’＝βｍ−１＋Δｍ−１（Δｍ−１＝０〜１）、αｍ’＝αｃ＋Δｍ（０＜Δｍ≦１）、Δｍ−１＋Δｍ＋Δｍ’＝０．５〜１．５、βｍ’＝βｍ＋Δｍ’、Δｍ’＝０〜１の関係を満たし、かつ、αｃ、Δｍ−１、Δｍ、βｍ、Δｍ’は、ｍによらず一定とする。
ｍ＝２の場合には、α１、α１’、β１、β１’、α２、α２’、β２、β２’をそれぞれｍ＝３の場合のα１、α１’、β２（＝βｃ）、β２’（＝βｃ＋Δｍ−１）、α３（＝αｃ）、α３’（＝αｃ＋Δｍ）、β３、β３’（＝β３＋Δｍ’）と等しくする、光記録方法である。
ここで、記録パルス分割方法（ＩＩＩ−Ｂ）においては、３以上のｍにおいて、さらには２以上のｍにおいて、α１＝α１’＝αｃとすることがより好ましい。また、特にＣＤ−ＲＷの約２０倍速〜３２倍速（ＲＷ−ＤＶＤの６倍速〜１２倍速）においては、Δｍ’＝０、すなわち３以上のｍにおいて、βｍ’＝βｍとするのが好ましい。さらに、２以上のｍにおいて、βｍ’＝βｍとすることがより好ましい。
さらに、（記録パルス分割方法ＩＩＩ−Ａ）乃至は（ＩＩＩ−Ｂ）において、Δｍ−１
，Δｍ’のいずれかをゼロにすることや、Δｍ−１＝Δｍとして、パラーメータ数をさらに減らすことも可能である。このようにパラメータ数を少なくしても良好な特性が得られるのが本発明の記録媒体である。そして本発明の記録媒体のうち、ＧｅＳｂ系記録層を用いた光記録媒体において上記良好な特性が得られる傾向が特に顕著となる。つまり、ＧｅＳｂ系記録層を用いた光記録媒体を用いることにより、良好な高速記録特性を簡便な記録パルス分割方法で実現できるという本発明の効果が最も発揮されるようになる。
（記録方式ＣＤ１−３）又は（記録方式ＤＶＤ１−３）は、本記録パルス分割方法（ＩＩＩ−Ｂ）においてα１＝α１’＝αｃとし、記録媒体の特性を特定の範囲に限定し、複数のドライブ間での記録互換性を確保するために、特に１１個の独立パラメータの範囲を限定的に用いたものである。
上記の記録パルス分割方法（ＩＩＩ）、（ＩＩＩ−Ａ）、（ＩＩＩ−Ｂ）は、独立パラメータ数が少なく、かつ、ｉ＝１〜ｍまでのαｉＴの立下り、ｉ＝１〜ｍ−１までのαｉ’Ｔの立下りを周期２Ｔに同期させることができ、最も好ましいものである。（ＩＩＩ−Ｂ）においては、図５において、ｍが３以上のように、中間分割パルス群を有する場合は、４種のゲートＧ１〜Ｇ４を組み合わせ、ｍ＝２の場合には、Ｇ１、Ｇ３とＧ４を組み合わせ、ｎ＝３（ｍ＝１）の場合には、Ｇ３とＧ４を用いることで、ｎ＝３〜１１までのすべてのマーク長の記録が可能となる。これにより、ゲートＧ１，Ｇ２が周期２Ｔに同期した回路だけで構成でき付加的な遅延回路を必要としないので、パルス発生回路が非常に簡便に構成される。さらに、α１、αｍを発生するＧ１、Ｇ３は独立しているので、同じゲート回路の組み合わせで、α１、αｍをαｃと異なる値とすることができる。
このように、（記録パルス分割方法ＩＩＩ）、（ＩＩＩ−Ａ）、（ＩＩＩ−Ｂ）は、特開２００２−３３１９３６号公報において具体的に開示された記録方法のいずれに比べても、基準クロック周期と同期の取りやすい簡便な回路によって実現できる。特に（記録パルス分割方法ＩＩＩ−Ｂ）は、独立パラメータの数が１２個と少ないながら、良好な記録特性を発揮できる利点がある。
独立パラメータ数が少ないことは、記録パルス発生回路が簡便化される。また、本発明で提案された書き換え型光記録媒体と特定の記録用ドライブとの組み合わせにおける最適記録パルス分割方法における上記独立パラメータの一部又は全部を予め該書き換え型光記録媒体に記載しておき、かかるパラメータ情報をドライブが読み出して、最適な記録パルスを発生して記録を行うことが好ましいが、ディスクに記載すべきパラメータを予め見出すための作業が軽減されるので好ましい。
具体的に、記載することが特に好ましい記録パルス分割情報のパラメータは、分割記録パルス発生方法（ＩＩＩ−Ａ）、及び（ＩＩＩ−Ｂ）において、最適記録パワーＰｗｏ，最適消去パワーＰｅｏ、ｎ＝３における、Ｔｄ１’、α１’、β１’、３以上のｍにおける、Ｔｄ１、α１、αｃ、Δｍ−１、Δｍ、Δｍ’、βｍである。ＰｗｏとＰｅｏは、ＰｗｏとＰｅｏとの比（Ｐｅｏ／Ｐｗｏ）として与えても良い。
さらにディスクをドライブに挿入したときに、これらのパラメータの一部及び全部に関して、ディスクにあらかじめ記載した値を初期値として、その近傍で変化させながら試し書きを行い、該試し書きした信号を再生して、ｍ１１、ジッタ、エラーレート等に基づいて、当該ディスクとドライブの組み合わせにおける最適のパラメータを決定することは、互換性を確保する上で有効である。
以上のようにして、高線速においても個々の非晶質マーク長を正確に、そのエッジのジッターを抑制して記録することが可能となる。しかし、このことは、必ずしも、マーク間（スペース）長が正確でジッタが抑制されることを意味しない。特に、高線速記録では、
特にマークジッタとスペースジッタの乖離が著しく、スペースジッタが高記録パワーＰｗ側で大きくなるという場合がある。
パルス分割方法（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩ−Ａ），（ＩＩＩ），（ＩＩＩ−Ａ），及び（ＩＩＩ−Ｂ）において、特に、ｎ＝３は、ｎ＝４以上のパルス分割方法で用いられるパラメータとは異なる値を独立に決める必要がある。ｎ＝３における記録パルス幅α１’Ｔは、ｎが４以上の場合のいずれのα１Ｔ及びα１’Ｔより大きな値をとることが好ましい。これは、後続の複数の記録パルス列による蓄熱効果もなく、単独の記録パルスで、３Ｔマーク長を形成しなければならないからである。つまり、ｎ＝３におけるα１’＝αｎ＝３が小さすぎると、３Ｔマーク長が得られにくいし、αｎ＝３が大きすぎると、３Ｔマーク長は得られても、マークの記録ビーム操作方向に垂直な方向の幅が広くなりすぎて、オーバーライトした際に、マークの端が消えにくくなる傾向がある。このため、ｎが４以上におけるα１及びα１’が一定のα１＝α１’＝αｔｏｐをとる場合、ｎ＝３におけるα１’＝αｎ＝３は、αｎ＝３／αｔｏｐ＝１〜２の範囲にあることが好ましく、さらには、１〜１．５の範囲にあることが好ましい。
そこで、３Ｔスペース長ジッタをさらに改善するために、パルス分割方法（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩ−Ａ）、（ＩＩＩ）、（ＩＩＩ−Ａ）、及び（ＩＩＩ−Ｂ）において、ｎ＝３，４、５におけるＴｄ１、Ｔｄ１’だけを、他のｎにおける一定のＴｄ１、Ｔｄ１’とは異なる値とすることが好ましい。
具体的には、ｎ＝３，５におけるＴｄ１’をそれぞれ、Ｔｄ１ａ、Ｔｄ１ｃとし、ｎ＝４におけるＴｄ１をＴｄ１ｂとし、６以上のｎにおけるＴｄ１、Ｔｄ１’をＴｄ１ｄとするとき、Ｔｄ１ａ、Ｔｄ１ｂ、Ｔｄ１ｃのうちの少なくとも一つは、Ｔｄ１ｄとは異なる値とすることが好ましい。
より好ましいのは、６以上のｎに対する、Ｔｄ１、Ｔｄ１’を一定値Ｔｄ１ｄとし、ｎ＝３，５におけるＴｄ１’をそれぞれＴｄ１ａ、Ｔｄ１ｃとし、ｎ＝４におけるＴｄ１をＴｄ１ｂするとき、Ｔｄ１ａ＜Ｔｄ１ｂ≦Ｔｄ１ｃ≦Ｔｄ１ｄとすることである。
特に、記録パルス分割方法（ＩＩ）、（ＩＩ−Ａ）、（ＩＩＩ）、（ＩＩＩ−Ａ）、及び（ＩＩＩ−Ｂ）において、ｎ＝３，４、５におけるＴｄ１’、Ｔｄ１をｎが６以上の場合のＴｄ１と異なるものにした場合が、最も簡便なパルス発生回路で、スペース長ジッタ、特に３Ｔペース長ジッタの記録パワーマージンを改善できるので効果的である。
記録パルス分割方法（Ｉ）を基本とし、独立パラメータ数を少なくして簡便化を図る一方で、特定のｎ０Ｔマークの記録に当たって、先行及び後続する記録マークからの熱拡散による余熱の影響を考慮して、先行及び後続する記録マークｎ１Ｔ、及びｎ２Ｔ、さらには、ｎ１Ｔマークとｎ０Ｔマーク間のスペース長ｎ１ｓＴ及びｎ０Ｔマークとｎ２Ｔマーク間のスペース長ｎ２ｓＴの組み合わせに応じて、ｎ０Ｔマーク形成のための記録パルス分割方法を微調整することが必要になる場合がある。
ここで、ＣＤにおいては、ｎ０，ｎ１，ｎ２，ｎ１ｓ，ｎ２ｓは３〜１１の整数のいずれかである。また、ＤＶＤにおいては、ｎ０，ｎ１，ｎ２，ｎ１ｓ，ｎ２ｓはｎ＝３〜１１、及び１４の整数のいずれかである。
この場合も、ｎ０Ｔマークを形成するための記録パルス分割方法を規定する上記パラメータのうち、特に、（Ｔｄ１、α１、αｍ、βｍ）を（ｎ１，ｎ１ｓ，ｎ０，ｎ２ｓ，ｎ２）の組み合わせに応じて、微調整することが望ましい。なお、ｎ０Ｔマークの記録において参照すべきは、（ｎ１，ｎ１ｓ，ｎ０，ｎ２ｓ，ｎ２）の一部であっても良い。
また、熱干渉はスペース長が短い場合に顕著になるから、ｎ１ｓ，ｎ２ｓが３である場合にのみ、ｎ１ｓ，ｎ２ｓが他の値をとった場合とは異なる、（Ｔｄ１、α１、αｍ、β
ｍ）を用いるようなことも可能である。このうち、特に（Ｔｄ１、βｍ）を調整するのが有効であり好ましい。
上記の記録方法において、ＣＤ−ＲＷ規格との互換性をとりつつ良好なオーバーライトが行える。すなわち、ＥＦＭ変調信号をオーバーライトした後の信号特性が、上述の変調度ｍ１１が６０％以上、アシンメトリーが０付近でＣＤと互換性があり、さらに再生信号の各マーク及びマーク間（スペース）のジッタが３５ｎｓｅｃ以下（１倍速再生時）、かつマーク長及びマーク間がほぼｎＴ×Ｖ（Ｔはデータの基準クロック周期、ｎは３〜１１までの整数、Ｖは再生時の線速度）の長さを有するような記録品質を保つことができる。これは、実際上は、ＣＤ−ＲＷディスク再生可能な市販のＣＤ−ＲＯＭドライブで低エラーレートで再生できることを意味する。
また、上記の記録方法において、ＲＷ−ＤＶＤ規格との互換性をとりつつ良好なオーバーライトが行える。すなわち、ＥＦＭ＋変調信号をオーバーライトした後の信号特性が、上述の変調度ｍ１４が５５％以上、アシンメトリーが０付近でＤＶＤと互換性があり、さらに再生信号のジッタが１５％以下（１倍速再生時）、さらには１０％以下であるような記録品質を保つことができる。これは、実際上は、ＲＷ−ＤＶＤディスク再生可能な市販のＤＶＤ−ＲＯＭドライブで低エラーレートで再生できることを意味する。
５．複数かつ広範囲の線速における記録方法について
次に、本発明の第４の要旨に係る記録方法について説明する。
本発明の媒体は、その記録方法を定めれば、少なくとも８乃至は１０倍速を下限とし、２４乃至は３２倍速の高線速を上限とする任意の線速において、書き換え型光記録媒体として従来のＣＤ−ＲＷ再生可能なシステムで良好な再生が可能となると同時に、媒体及びドライブとの互換性を取りやすくすることができる。
そして、上記の分割記録パルス発生方法（ＩＩ）もしくは（ＩＩＩ）を用いれば、記録パルス群の切り替え周期は概ね２Ｔで一定とし、αｉとβｉ（及びαｉ’とβｉ’）、（ここでｉ＝１〜ｍ−１）とのデューティー比を変化させることで、同一の媒体を異なる線速で使用した場合にも、最適の分割記録パルスストラテジーを容易に見出すことができる。
この際、いずれの線速においても、通常は、長さｎＴのマークを形成するために記録パワーＰｗとバイアスパワーＰｂとを交互に照射する図５に示すようなパルス分割方式を採用するが、その具体例方式を決定するパラメータの最適値は線速によって変わるのが一般的である。そこで、本発明の媒体には、記録線速に応じた最適記録パワーＰｗ０、最適消去パワーＰｅ０、最適バイアスパワーＰｂ０やαｉ（ｉは１〜ｍの少なくとも１つ）、βｉ＝（ｉは１〜ｍの少なくとも１つ）、分割数ｍ等のパルス分割情報のうちの少なくとも１つを媒体上あらかじめ記録しておくのが好ましい。
そして、記録パルス分割方法（Ｉ）を基本として、記録パルス分割方法（ＩＶ）を適用する。
（記録パルス分割方法（ＩＶ））
書き換え型光記録媒体が円盤状のディスクであり、同一ディスク面内において、１倍速基準速度でＣＬＶ記録されたディスクと同一となるよう記録線密度を一定としながら複数の記録線速度で記録を行う光記録方法であって、最大線速度Ｖ ｍａｘ におけるαｉ＝αｉｍａｘ（ｉ＝１〜ｍ）を０．５〜２とし、かつ該Ｖｍａｘにおけるαｉ’＝αｉｍａｘ’（ｉ＝１〜ｍ）を０．５〜２とし、低線速度ほどαｉ及びαｉ’（ｉ＝１〜ｍ）をそれぞれ単調に減少させるように上記記録パルス分割方法（Ｉ）を用いる方法である。
記録パルス分割方法（Ｉ）から派生した（ＩＩ），（ＩＩ−Ａ）（ＩＩＩ）、（ＩＩＩ−Ａ）、（ＩＩＩ−Ｂ）の各々に対しても同様に、記録パルス分割方法が定義できる。下記「記録パルス分割方法（Ｖ）」は、記録パルス分割方法（ＩＶ）において記録パルス分割方法（ＩＩ）を用いる場合である。
なお、以下の説明において、１倍速基準線速度、最大線速度Ｖｍａｘ、最小線速度Ｖｍｉｎについて特に断らない場合は、ＣＤ−ＲＷとＲＷ−ＤＶＤで値を使い分ける。
すなわち、１倍速基準線速度Ｖ１とは、ＣＤ―ＲＷの場合、１．２ｍ／ｓ〜１．４ｍ／ｓであり、ＲＷ−ＤＶＤの場合、３．４９ｍ／ｓである。
また、最大線速度Ｖｍａｘとは、ＣＤ−ＲＷの場合、上記ＣＤ−ＲＷの基準線速度の２０〜３２倍速の範囲におけるいずれかの線速度であり、特に、２０，２４、又は、３２倍速をいう。ＲＷ―ＤＶＤの場合、上記ＲＷ―ＤＶＤの基準線速度の４〜１２倍速の範囲におけるいずれかの線速度であり、特に４，５，６，８，１０，１２倍速をいう。
同様に、最小線速度Ｖｍｉｎとは、ＣＤ−ＲＷの場合、約２２倍速以下のいずれかの線速
度であり、ＲＷ−ＤＶＤの場合、約７倍速以下のいずれかの線速度である。当然のことながら、ＶｍａｘとＶｍｉｎが対で用いられる場合、Ｖｍａｘ＞Ｖｍｉｎとなる、線速度範囲から選ばれる。
従って、以下の説明においては、ＣＤ−ＲＷを想定する場合には、１倍速基準線速度、Ｖｍａｘ、Ｖｍｉｎとして上記記載のＣＤ−ＲＷの値を用い、ＲＷ−ＤＶＤを想定する場合には、１倍速基準線速度、Ｖｍａｘ、Ｖｍｉｎとして上記記載のＲＷ−ＤＶＤの値を用いる。
（記録パルス分割方法（Ｖ））
書き換え型光記録媒体が円盤状のディスクであり、同一ディスク面内において、１倍速基準速度でＣＬＶ記録されたディスクと同一となるよう記録線密度を一定としながら複数の記録線速度で記録を行う光記録方法であって、最大線速度Ｖｍａｘにおけるαｉ＝αｉｍａｘ（ｉ＝１〜ｍ）を０．５〜２とし、かつ該Ｖｍａｘにおけるαｉ’＝αｉｍａｘ’（ｉ＝１〜ｍ）を０．５〜２とし、低線速度ほどαｉ及びαｉ’（ｉ＝１〜ｍ）をそれぞれ単調に減少させるように上記記録パルス分割方法（ＩＩ）を用いる方法である。
また、上記記録パルス分割方法（Ｖ）において記録パルス分割方法（ＩＩ−Ａ）を用いる場合を、記録パルス分割方法（Ｖ−Ａ）とする。
さらに、記録パルス分割方法（ＩＶ）において、記録パルス分割方法（ＩＩＩ）を用いる場合を下記のように記録パルス分割方法（ＶＩ）とする。
（記録パルス分割方法（ＶＩ））
書き換え型光記録媒体が円盤状のディスクであり、同一ディスク面内において、１倍速基準速度でＣＬＶ記録されたディスクと同一となるよう記録線密度を一定としながら複数の記録線速度で記録を行う光記録方法であって、最大線速度Ｖｍａｘにおけるαｉ＝αｉｍａｘ（ｉ＝１〜ｍ）を０．５〜２とし、かつ該Ｖｍａｘにおけるαｉ’＝αｉｍａｘ’（ｉ＝１〜ｍ）を０．５〜２とし、低線速度ほどαｉ及びαｉ’（ｉ＝１〜ｍ）をそれぞれ単調に減少させるように上記記録パルス分割方法（ＩＩＩ）を用いる方法である。
ここで、上記記録パルス分割方法（ＶＩ）において記録パルス分割方法（ＩＩＩ−Ａ）を用いる場合を、記録パルス分割方法（ＶＩ−Ａ）とする。さらに、上記記録パルス分割方法（ＶＩ）において記録パルス分割方法（ＩＩＩ−Ｂ）を用いる記録パルス分割方法を、記録パルス分割方法（ＶＩ−Ｂ）とする。
尚、上記記録パルス分割方法（ＩＶ）、（Ｖ）、（ＶＩ）のそれぞれにおいて、「単調に減少させる」とは、オーバーライト記録を行う最小線速度Ｖｍｉｎにおけるαｉをαｉｍｉｎ（ｉ＝１〜ｍ）とするとき、すべてのｎ及びｉに対して、αｉｍｉｎ＜αｉｍａｘ
となっていることをいう。ただし、ＶｍｉｎとＶｍａｘ中間の線速度においては、αｉが線速度によらず一定である場合があっても良いが、原則として、低い線速度では小さな値をとるものとする。
また、αｉの大小の比較は、同一ｎにおけるｉ＝１〜ｍの個々のαｉに関して行うものとする。
Ｖｍａｘにおいては、αｉｍａｘ、及びαｉｍａｘ’は、約１、より具体的には、０．８〜１．５とする。特に、ｉ＝２〜ｍ−１に対しては、αｉｍａｘ、及びαｉｍａｘ’は、０．８〜１．２の範囲にあることが好ましい。つまり、Ｖｍａｘにおいては、Σｉ（αｉｍａｘ）及びΣｉ（αｉｍａｘ’）は約ｎ／２かｎ／２よりも小さい値であることが望ましい。
そして、αｉｍｉｎはη０（Ｖｍｉｎ／Ｖｍａｘ）αｉｍａｘ、η０＝０．８〜１．５、範囲で、αｉｍａｘより小さな値をとることが望ましく、ＶｍｉｎとＶｍａｘ中間の線速度においては、αｉは、かかるαｉｍｉｎとαｉｍａｘの間の値をとるものとする。より好ましくは、η０を１〜１．３の範囲とする。
αｉ’、αｉｍｉｎ’、αｉｍａｘ’（ｉ＝１〜ｍ）に関しても同様である。そこで、Σｉ（αｉ）及びΣｉ（αｉ’）は、低線速度ほど単調に減少することになる。
なお、ｎ＝３の場合にも、α１’は低線速ほど単調減少させる。一方、Ｔｄ１’、β１’は、低線速ほど単調に増加させる。
ここで、記録線密度を一定とするということは、記録線速度をＶ、そのときの基準クロック周期をＴとするとき、ＶＴが一定であることを意味する。かつ、記録線密度を一定とするということは、１倍速基準線速度Ｖ１における、基準クロック周期をＴ１とするとき、ＶＴ＝Ｖ１Ｔ１とすることを意味する。これにより、記録時の線速度の大小に関わらず、線速度一定で再生した場合には、ＣＤと同じ再生系での再生が可能となる。なお、ＶＴはＶ１Ｔ１に対して、ＣＤの再生回路上許容される程度のずれ、通常、±５％程度のずれは許されるものとする。
なお、ＣＤ−ＲＷにおいては、１倍速は１．２ｍ／ｓとするのが、マークの物理長を小さくし、記録線密度を高める上で好ましい。この場合、６５０〜７００ＭＢの容量が達成できる。
各ｍにおけるＴｄ１＋α１、βｉ−１＋αｉ、Ｔｄ１’＋α１’、βｉ−１’＋αｉ’（ｉ＝１〜ｍ、少なくともｉ＝３〜ｍ−２）は、線速度によらず、ほぼ一定であることが、パルス発生回路を簡便化するために望ましく、特に、ｍが３以上のマークにおいては、電子回路上不可避な揺らぎを別として一定であることが望ましい。
具体的には、ＶｍｉｎからＶｍａｘまでの線速度範囲においては、３以上のｍにおいて、Ｔｄ１＋α１、Ｔｄ１’＋α１’、βｉ−１＋αｉ＝２、βｉ−１’＋αｉ’＝２（ｉ＝３〜ｍ−１）、がそれぞれ線速度によらず一定とすることが好ましい。
中でも、記録パルス分割方法（ＩＩＩ−Ｂ）に対応する記録パルス分割方法（ＶＩ−Ｂ）を用いると、すべての線速度で、Ｔｄ１＋α１＝Ｔｄ１’＋α１’＝２とし、かつ、ｉ＝２〜ｍに対するβｉ−１＋αｉが２で一定、ｉ＝２〜ｍ−１に対するβｉ−１’＋αｉ’が２で一定とすることが特に好ましい。このようにすることで、ｉ＝２〜ｍ−１におけるβｉ−１＋αｉ（βｉ−１’＋αｉ’）を２Ｔ周期に同期できるようになる。これは、図５において、ゲートＧ１，Ｇ２が周期２Ｔに同期した回路だけで構成できるようになることを意味する。そして、線速度に応じてＴを可変としても、Ｇ１とＧ２におけるαｉのデューティー比のみを変化させるだけですべての線速度に対応できる記録パルスストラテジーを得ることができるため、記録パルスストラテジーの記録パルス及びオフパルスのレーザー光（パルス光）発生を制御回路（電子回路）の設計が簡便化できるようになる。
一方、βｍ、βｍ’は、通常は、０〜２の範囲内で、低線速度ほど単調に増加させる。単調増加の意味は、上記αｉ、αｉ’における単調減少の場合と同様であり、ＶｍｉｎとＶｍａｘ中間の線速度においては、βｍ、βｍ’は線速度によらず一定である場合があっても良いが、原則として、低い線速度では大きな値をとるものとする。
βｍと同様に、βｍ’を０〜２の範囲としてもよいが、ＣＤ−ＲＷの場合の約１６倍速以下の低線速度におけるｎ＝３の場合においては、βｍ、βｍ’を０〜３の範囲の値とすることが好ましい。
このため、使用するいずれの線速度においてもβｍ＝０〜２及びβｍ’＝０〜３とし、かつ、βｍ及びβｍ’を線速度が低いほど単調に増加させるようにすれば、すべての線速度において良好な記録を行うことができるようになる。ここで、βｍ’を線速度が低いほど単調に増加させることは、Δｍ’を低線速度ほど単調に増加させることを意味する。
実際に、記録パルス分割方式（ＶＩ−Ｂ）においては、低線速ほどβｍを単調増加させ、かつ、Δｍ’も単調増加させるのが好ましい。
さらに、（記録パルス分割方法ＶＩ−Ａ）又は（ＶＩ−Ｂ）において、ずべての線速度において、Δｍ−１，Δｍ’のいずれかをゼロにすることや、Δｍ−１＝Δｍとして、パラーメータ数をさらに減らすことも可能である。このようにパラメータ数を少なくしても良好な特性が得られるのが本発明の記録媒体である。そして本発明の記録媒体のうち、ＧｅＳｂ系記録層を用いた光記録媒体において上記良好な特性が得られる傾向が特に顕著となる。つまり、ＧｅＳｂ系記録層を用いた光記録媒体を用いることにより、良好な高速記録特性を簡便な記録パルス分割方法で実現できるという本発明の効果が最も発揮されるようになる。
また、ｎ＝３におけるＴｄ１’、α１’、β１’のうち、Ｔｄ１’及びβ１’は低線速度ほど単調に増加させ、α１’は、低線速度ほど単調に減少させるのが、各線速度において、正確な３Ｔマーク長と低ジッタを得る上で好ましい。
これによって、図５に示すような簡単な論理ゲートの組合せで、各線速度において、データ基準クロック周期Ｔを変更することによって容易に記録パルスを発生できる。
ここで、さらに、Ｖｍｉｎ〜Ｖｍａｘの線速度範囲においては、３以上のｍにおいて、Ｔｄ１＋α１、Ｔｄ１’＋α１’、βｉ−１＋αｉ＝２、βｉ−１’＋αｉ’＝２（ｉ＝３〜ｍ−１）がそれぞれ線速度によらず一定であることが、簡便化のために望ましい。
さらに、ｍが２以上の場合に、これらの値が線速度によらず一定であることが一層好ましい。
他の周期に関しては、ＣＤ−ＲＷにおいては少なくとも２倍速程度の線速範囲では、記録パルス分割方法の各パラメータの線速依存性が比較的小さいので、２以上のｍにおける偶数長マークにおけるβｍ−１＋αｍ、β１＋α２、２以上のｍにおける奇数長マークにおけるβｍ−１’＋αｍ’、β１’＋α２’の値の一部または全部が線速によらずほぼ一定とすることが好ましい。
ここで、ＣＤ−ＲＷにおいて２倍速程度の線速範囲とは、Ｖｍｉｎ＝８倍速、Ｖｍａｘ＝２４倍速とした場合、８〜１０，１０〜１２，１２〜１４，１４〜１６，１６〜１８，１８〜２０，２０〜２２，２２〜２４倍速の範囲のように、概ね２倍速ごとに、これらのパラメータを変更すれば良いことを意味する。
一方、ＲＷ−ＤＶＤにおいては、少なくとも０．５倍速程度の線速範囲では、記録パルス分割方法の各パラメータの線速依存性が比較的小さいので、２以上のｍにおける偶数長マークにおけるβｍ−１＋αｍ、β１＋α２、２以上のｍにおける奇数長マークにおける
βｍ−１’＋αｍ’、β１’＋α２’の値の一部または全部が線速によらずほぼ一定とすることが好ましい。
ここで、ＲＷ−ＤＶＤにおいて０．５倍速程度の線速範囲とは、例えば、Ｖｍｉｎ＝２倍速、Ｖｍａｘ＝６倍速とした場合、２〜２．５，２．５〜３，３〜３．５，３．５〜４，４〜４．５，４．５〜５，５〜５．５，５．５〜６倍速の範囲のように、概ね０．５倍速ごとに、これらのパラメータを変更すれば良いことを意味する。
もちろん、Ｖｍｉｎ〜Ｖｍａｘの範囲の全線速で、これらの値が一定であれば、一層好ましい。記録パルス分割方式（ＶＩ），（ＶＩ−Ａ），（ＶＩ−Ｂ）においては、ｍが３以上の偶数長マークにおけるβ１＋α２、βｍ−１＋αｍをＶｍｉｎ〜Ｖｍａｘの範囲の全線速で一定としても、比較的容易に良好な記録信号品質が得られるので、特に好適に適用される。その場合、β１＋α２＝２、βｍ−１＋αｍ＝２で一定とすることがより好ましい。
これらの「周期が一定である」とは、分割パルス発生回路の設定値の分解能の許容する範囲で一定であるということであり、クロック周期Ｔで規格化した場合、±０．０１Ｔ未満のばらつきは許容できる。
記録パルス分割方式（ＩＶ）、（Ｖ）、（ＶＩ）の意義を再び図４によって、ＣＤ−ＲＷを例にとって説明する。もし、本発明記録媒体に２４又は３２倍速で好適に用いられたαｉ、βｉを８〜３２倍速の全線速度範囲でそのまま用い、単にデータの基準クロック周期を可変として、低線速で記録を行っただけでは、図４の点線で示された曲線ｅのように、低線速での記録層の冷却速度は著しく低下し、非晶質化が阻害される。低線速においては、基準クロック周期Ｔが高線速と比較して相対的に大きくなるので、オフパルスが照射される絶対時間は長くなるが、同時に記録パルスが照射される絶対時間も長くなるので、結果として単位時間あたりの照射エネルギーも大きくなり冷却速度が低下する。従って、本発明における２Ｔベース記録ストラテジーにおいて、記録パルスのデューティー比を低下させて、低線速度になるにつれてよりオフパルス区間を長くすることで、低線速における冷却速度の低下を補償し、図４の曲線ｄに相当する特性を実現することができるようになる。
（記録方式ＣＤ２−３）、（記録方式ＤＶＤ２−３）は、記録パルス分割方法（ＶＩ−Ｂ）において、特に各パラメータの範囲を限定し、（記録方式ＣＤ１−３）又は（記録方式ＤＶＤ１−３）と組み合わせて、図４において曲線ｄを極めて限定的な範囲に一義的に定め、簡便にかつ特定の範囲の特性の記録媒体を規定することができる。
また、使用するいずれの線速度においても、βｉＴ（ｉ＝１〜ｍ）及びβｉ’Ｔ（ｉ＝１〜ｍ−１）を２ナノ秒以上とすることが好ましい。具体的には、光記録媒体のいずれの半径位置においてもαｉＴ、αｉ’Ｔ（ｉ＝１〜ｍ）及びβｉＴ、βｉ’Ｔ（（ｉ＝１〜ｍ−１）を２ナノ秒以上とすれば、後述のＣＡＶ記録又はＰ−ＣＡＶ記録においても、良好に記録を行うことができるようになる。
上記方法において、Ｐｂ、Ｐｗ及びＰｅ／Ｐｗ比がオーバーライト時の線速度によらずできるだけ、一定とするのが好ましい。Ｖｍｉｎ〜Ｖｍａｘの範囲内の線速度Ｖにおける最適記録パワーをＰｗ０、最適消去パワーをＰｅ０とするとき、通常はＰｗ０及びＰｅ０は、ジッターやエラーレートが特定の値以下となるように選ばれる。Ｐｅ０は通常Ｐｅ０／Ｐｗ０比が一定となるように選ばれるが、その比は０．２〜０．６、好ましくは０．２〜０．４、より好ましくは０．３〜０．４とする。なお、Ｐｗ０が高いと繰り返しオーバーライトによる劣化が促進されるので、繰り返しオーバーライトが所定回数、通常は１０００回以上となるように定めるのが好ましい。このような観点から決められたＰｗ０は、
線速度によって異なるものとなりうるが、上記線速度範囲におけるＰｗ０の最大値に対する最小値の比は０．８以上であることが望ましい。
この場合、記録パワー等に関する情報とパルス分割情報を予めディスク上に凹凸ピット信号あるいは溝変形信号として記載しておくのが好ましい。その結果、最適なパルスストラテジーを記録用ドライブにおいて自動的に選択することができる。記載しておく情報としては、例えば、少なくとも、オーバーライト記録を行う最大、最小線速度Ｖｍｉｎ、Ｖｍａｘの値そのものと、Ｖｍｉｎ、Ｖｍａｘ、及びこの間のいくつかの線速度Ｖにおける、最適なＰｅ／Ｐｗ比、最適記録パワーＰｗ０、最適消去パワーＰｅ０，最適バイアスパワーＰｂ０、そして、記録パルス分割方法（ＩＩ−Ａ）、（ＩＩＩ−Ａ），（ＩＩＩ−Ｂ）で説明した、独立パラメータの全部または一部の数値である。ただし、Ｐｂ０は通常は一定とし、再生光パワーＰｒと同じにするのが好ましい。
上記線速度Ｖとしては、ＣＤ−ＲＷにおいては、概ね４倍速程度より大きな間隔で選定すればよく、たとえば、８−２４倍速においては、８，１２，１６，２０，２４倍速のように選ぶが、これより少なくても良い。
上記線速度Ｖとしては、ＲＷ−ＤＶＤにおいては、概ね１倍速程度より大きな間隔で選定すればよく、たとえば、２−６倍速においては、２，３，４，５，６倍速のように選ぶが、これより少なくても良い。
特に、記録パルス分割方法（ＩＩＩ−Ｂ）に対応する（ＶＩ−Ｂ）においては、４以上のｎにおけるαｃ、Δｍ−１、Δｍ、βｍ、Δｍ’、ｎ＝３におけるＴｄ１’、α１’、β１’、及びＰｗ，Ｐｅ，Ｐｂ）の計１１個のパラメータを規定すれば、すべての３〜１１までのマーク長を形成するための記録パルス分割方法が定まる。これら１１個の独立パラメータを、予め選ばれた線速度ごとに最適化しておき、ディスクに記載しておくことが好ましい。
後述のＣＡＶやＰ−ＣＡＶ記録において、予め選択されていない線速度での記録を行う場合にも、予め選択されている記録線速度での上記パラメータの一部又は全部の値を読み取って、この値を用いて上記予め選択されていない線速度での記録における最適な記録パルスストラテジーのパラメータ（例えばαｃ等）を算出することができるようになる。従って、上記１１個の独立パラメータを、予め選ばれた線速度ごとに最適化しておき、ディスクに記載しておけば、Ｖｍｉｎ，Ｖｍａｘ間の任意の線速度で、良好なオーバーライトが可能となる。
このように、本発明記録媒体を複数の線速度での１ビームオーバーライトが可能な本発明記録方法と組み合わせることにより、以下の２つの使用方法が可能となる。
（使用方法１）
まず、現状のＣＤ装置では、ディスクを回転させるスピンドルモーターは最大１００００ｒｐｍ程度が限界である。ＣＤの基板として通常用いられる分子量１２０００〜２００００のポリカーボネート樹脂では、これ以上の回転数では遠心力により破壊される恐れがあるためである。ＣＤ−ＲＷは通常、直径１２ｃｍの円盤形状をしており、半径少なくとも２３ｍｍ〜５８ｍｍ、好ましくは２２〜５８ｍｍに記録領域（インフォメーションエリア）を有する。約８０００ｒｐｍでディスクを回転させると、記録領域の最内周における線速度は１６倍速となり、最外周５８ｍｍにおける線速度はほぼ３８倍速となる。１００００ｒｐｍとしても記録領域最内周における線速度は約２２倍速、最外周における線速度はほぼ４８倍速となるため、全面に渡って約２２倍速以上において線速度一定のＣＬＶ方式での記録が不可能である。
ＤＶＤ装置においては、ＣＤと同様に基板の強度の関係から、約１００００ｒｐｍで回
転させた場合に、内周で約７倍速、外周で約１６倍速とするのがほぼ限界となる。ただし、本発明ＲＷ−ＤＶＤにおいては、記録速度の上限が約１０〜１２倍速にあるので、約６０００−７０００ｒｐｍが、オーバーライト記録時の回転速度の上限となる。
そこで使用方法１では、記録領域最外周部で最大２４倍速以上の線速度で記録再生を行うＣＤ−ＲＷ記録乃至は再生装置、又は記録領域最外周部で最大７倍速以上の線速度で記録再生を行うＲＷ−ＤＶＤ記録乃至は再生装置において、内周部から徐々に線速度を高める記録方式が採用される。これを、Ｐ−ＣＡＶ（Ｐａｒｔｉａｌ ＣＡＶ）ないしは、ＺＣＬＶ（Ｚｏｎｅｄ ＣＬＶ）と称する。
ここで、ＣＤ−ＲＷにおいては、Ｐ−ＣＡＶは、記録領域最内周を１６乃至は２２倍速として、２４乃至は３２倍速となる半径Ｒｓまでは、ＣＡＶ方式で記録を行い、Ｒｓより外側の半径では、２４倍速乃至は３２倍速の一定線速度でＣＬＶ記録を行うものである。
一方、ＺＣＬＶは、半径Ｒｓにいたるまでは、ゾーンごとに線速度を切り替えながら、例えば１６倍速、あるいは２０倍速といった、比較的低線速度で、ＣＬＶ記録行い、外周にいくほどその線速度を上げていくものである。
一方、ＲＷ−ＤＶＤにおいては、Ｐ−ＣＡＶは、例えば、記録領域最内周を４乃至は７倍速として、８乃至は１０倍速となる半径Ｒｓまでは、ＣＡＶ方式で記録を行い、Ｒｓより外側の半径では、８倍速乃至は１０倍速の一定線速度でＣＬＶ記録を行うものである。
一方、ＺＣＬＶは、半径Ｒｓにいたるまでは、ゾーンごとに線速度を切り替えながら、例えば４倍速、あるいは６倍速といった、比較的低線速度で、ＣＬＶ記録行い、外周にいくほどその線速度を上げていくものである。
（使用方法２）
従来ＣＬＶモードでのみ記録が行われてきたＣＤ−ＲＷ又はＲＷ−ＤＶＤを完全なＣＡＶモードで記録可能とする使用方法であり、これにより、常に回転同期が必要であったＣＤ−ＲＷ媒体の弱点であるアクセス、シークパフォーマンスの悪さを大幅に改善する使用方法である。特に、ランダムパケット記録で飛び飛びの半径位置のパケットにアクセスを行う場合に効率が良く、コンピュータの外部記憶装置用媒体としての利便性が大きく増す。また、ＣＬＶでは回転速度変更のためにモーターの加速・減速のために多大な電力を消費するが、その必要も無くドライブの消費電力を大幅に改善できる利点もある。
本発明においては、少なくとも、記録パルス分割方法（ＩＶ）〜（ＶＩ）のいずれかに従って、低線速度ほど、αｉ、αｉ’（ｉ＝１〜ｍ）を単調に減少させる一方で、βｍ、βｍ’を単調に増加させる。通常は、記録パルス分割方法そのものは一定で、各分割方法における各パラメータ（Ｐｗ，Ｐｅ，Ｐｂ，Ｔｄ１、αｉ、βｉ等）を可変とする。
そして、ＣＤ−ＲＷの場合には、上記記録パルス分割方法（ＩＶ）〜（ＶＩ）のいずれを用いる場合であっても、円盤状の書換え型光記録媒体にＥＦＭ変調された情報を複数のマーク長により記録するに当たり、線速度１．２ｍ／ｓ〜１．４ｍ／ｓを基準速度（１倍速）として、前記光記録媒体の記録領域最外周での線速度が２０倍速以上となるように前記光記録媒体を回転させるようにすることが好ましい。
特に、内周部から徐々に線速度を高める記録方式である、Ｐ−ＣＡＶ（Ｐａｒｔｉａｌ
ＣＡＶ）ないしは、ＺＣＬＶ（Ｚｏｎｅｄ ＣＬＶ）を用いる場合においては、上記記録領域最内周での線速度を該基準線速度の１６倍速以上とし、かつ外周ほど記録線速度が高くなるようになるように該ディスクを回転させるようにすることが好ましい。
一方、ＲＷ−ＤＶＤの場合には、上記記録パルス分割方法（ＩＶ）〜（ＶＩ）のいずれを用いる場合であっても、円盤状の書換え型光記録媒体にＥＦＭ＋変調された情報を複数
のマーク長により記録するに当たり、線速度３．４９ｍ／ｓを基準速度（１倍速）として、前記光記録媒体の記録領域最外周での線速度が５倍速以上となるように前記光記録媒体を回転させるようにすることが好ましい。
特に、内周部から徐々に線速度を高める記録方式である、Ｐ−ＣＡＶ（Ｐａｒｔｉａｌ
ＣＡＶ）ないしは、ＺＣＬＶ（Ｚｏｎｅｄ ＣＬＶ）を用いる場合においては、上記記録領域最内周での線速度を該基準線速度の４倍速以上とし、かつ外周ほど記録線速度が高くなるようになるように該ディスクを回転させるようにすることが好ましい。
ＣＤ−ＲＷ、ＲＷ−ＤＶＤにおいて上記条件の下、完全なＣＡＶモード若しくはＰ−ＣＡＶモードを記録に用いる場合、又は、ＺＣＬＶモードを記録に用いる場合に、前記記録領域を一定半径毎に仮想的な複数のゾーンに区切り、βｍ＝０〜３とし、かつ、βｍを内周のゾーンほど単調に大きくし、αｉ、αｉ’を内周のゾーンほど単調に小さくするようにすればよい。
さらに、記録装置の簡略化の点から、光記録媒体のいずれの半径位置においても、Ｐｂ、Ｐｗ、及びＰｅ／Ｐｗの値がほぼ一定とすることも好ましい。
ＺＣＬＶ方式（使用方法１）においては、各ＣＬＶゾーンごとに、基準クロック周期Ｔと記録パルス分割方法のパラメータを切り替える。一方、ＣＡＶ方式（使用方法２）やＰ−ＣＡＶ方式（使用方法１）のＣＡＶゾーンでは、線速度は半径位置に応じて連続的に変化するので、基準クロック周期も連続的に変化させる。一方、記録パルス分割方式のパラメータは、概ね、一定線速ごとに、従って、一定半径幅ごとに仮想的なゾーンを設定し、各ゾーン内では一定とし、ゾーンごとに切り替えるのが好ましい。該仮想的ゾーンの幅は、線速度が約０．５倍速から２倍速程度変化する範囲とするのが好ましい。なお、ゾーンの幅は原則一定とするのが好ましいが、高線速度ほど、すなわち外周ほど、ゾーンの幅を少しずつ狭くしていくことも好ましい。高線速度ほどジッター等の値が悪化しやすいので、こまめに最適なパラメータに切り替える必要があるためである。
従来、すでに、ＣＤ−ＲＯＭ及びＤＶＤ−ＲＯＭ再生システムではＣＡＶモードでの再生は行われていたが、記録時はせいぜい、ＣＤ−ＲＯＭでは４−１０倍速、ＲＷ−ＤＶＤでは１−２．５倍速でのＣＡＶしかできなかったために、再生時に回転数を上げて再生するといったことが行われていた。最高オーバーライト記録の線速度がこの程度では、ＣＬＶのみで記録したほうが、短時間で記録できるために、ＣＡＶモードで記録するメリットが少なかった。しかし、本発明のように、最大オーバーライト記録の線速度をＣＤで２４倍速以上、ＤＶＤで６倍速以上とすれば、完全にＣＡＶ記録することによる、アクセス時間の短縮や消費電力の低減といったメリットが発揮しやすくなる。
上述の通り、ＣＤ−ＲＷは通常、直径１２ｃｍの円盤形状をしており、半径少なくとも２３ｍｍ〜５８ｍｍ、好ましくは２２〜５８ｍｍに記録領域（インフォメーションエリア）を有する。これを、記録領域最内周で１０倍速相当となるように約５０００ｒｐｍでディスクを回転させると、記録領域の最外周５８ｍｍにおいては線速度はほぼ２４倍速となる。即ち、通常ＣＡＶ方式にて最内周を１０倍速にすると最外周は概ね２４倍速となる。同様に、記録領域最外周での線速度を３２倍速とすると、記録領域最内周での線速度は約１３倍速となる。
また、ＲＷ−ＤＶＤは通常、直径１２ｃｍの円盤形状をしており、半径少なくとも２３ｍｍ〜５８ｍｍ、好ましくは２２〜５８ｍｍに記録領域（インフォメーションエリア）を有する。これを、記録領域最内周で２．５倍速相当となるように約５０００ｒｐｍでディスクを回転させると、記録領域の最外周５８ｍｍにおいては線速度はほぼ６倍速となる。即ち、通常ＣＡＶ方式にて最内周を２．５倍速にすると最外周は概ね６倍速となる。同様
に、記録領域最外周での線速度を１０倍速とすると、記録領域最内周での線速度は約４倍速となる。
このとき、基準クロック周期Ｔを各半径位置における線速度Ｖとの積ＶＴが一定となるように半径距離と反比例して変化させればマーク長ｎＴは回転角速度によらず一定となり、完全なＣＡＶモードでの記録でありながら、再生専用のＣＤ又は再生専用のＤＶＤと互換性のある一定線密度の記録ができる。
ここで、記録領域にはユーザーデータの記録領域以外に、システムが使用する試し書き領域、リードイン、リードアウト領域等も含む。従って、２２ｍｍ及び５８ｍｍという半径位置については±１ｍｍ程度の誤差を含んでいってもよい。また、この許容誤差に対応して以下で用いられる周波数値等にも若干のずれが生じるが、それも許容される。
本発明に係る記録方法を実現する記録装置の構成の概念図を、ＣＤ−ＲＷを例として、図６に示す。
図６において光ディスクＤ１は、空間周波数一定の搬送周波数ｆＬ０（ｆＬ０は、ＣＬＶ記録時の搬送周波数を示す。）を有しアドレス情報によって変調された信号に従って蛇行された螺旋状の溝を有する基板及び記録層を有し、該螺旋状の溝の所定の位置にある記録情報の単位である記録ブロックを識別するアドレス情報及び該ブロックの開始位置を識別する同期信号を有する。図６では、特に具体的に書き換え型コンパクトディスクを光ディスクとして想定しており、ｆＬ０＝２２．０５ｋＨｚでアドレス情報はｆＬ０を搬送周波数として±１ｋＨｚで周波数変調されたＡＴＩＰ情報である。また、ウォブルは線速度１．２ｍ／ｓ〜１．４ｍ／ｓの線速度で再生したときに、その搬送周波数ｆＬ０が２２．０５ｋＨｚとなるように溝蛇行によって形成されている。
光ディスク記録再生装置１には、該ディスクの中心部分を軸として等角速度回転させる手段であるスピンドルモーターＭ１と、記録再生のための集束光ビームを発生する光ピックアップを所定のアドレスに移動させる半径方向の移動機構（ＬＭ１）としてのリニアモーターを有する。ピックアップＰＵ１には、光ディスクの記録層面にレーザーダイオードを光源とする集束光ビームの焦点をあわせるフォーカスサーボ回路（ＦＥ１）と、該螺旋状の溝に沿って集束光ビームを走査させるための溝トラッキングサーボ回路（ＴＥ１）が組み込まれている。フォーカスサーボ回路には、非点収差法等の公知の手法が用いられる。トラッキングサーボ回路には、プッシュプル法や３ビーム法の公知の手法が用いられる（以上、「コンパクトディスク読本」第３版、オーム社、中島平太郎、小川博共著参照）。
光ディスク記録再生装置１は、さらに溝蛇行から搬送周波数ｆＡ０、アドレス情報及びブロック同期信号を検出・解読する回路（ＷＡＤ１）と、該記録ブロックの開始位置及びデータの基準クロックＴ（周波数ｆｄ０）に同期してエンコーダＥＤ１及びＥＤ２によってマーク長変調された記録データ列を発生する回路と、該記録データ列に対応して記録レーザーパワーを変調する回路（ＷＰ１）とを有する。
光ディスクＤ１はモーターＭ１によりＣＡＶ駆動されている。ディスクは、特に、半径２２ｍｍ程度の記録領域最内周で、線速度が１．２ｍ／ｓ〜１．４ｍ／ｓの１０倍速又は１３倍速となるように、５０００〜７０００ｒｐｍの間の回転速度ω０でＣＡＶ回転されている。ＣＡＶ回転は、スピンドルモータＭ１の回転をタコメータでモニアし、所定回転数との誤差をフィードバックすることで、回転ジッタ数％以内の精度で維持される。
同期信号及びアドレス情報のデコードは、アンプ／フィルター系ＡＦ１を通してプッシュプル信号Ｐ１を再生し、ウォブル信号を検出し、ＡＴＩＰ信号をデコードしてから含まれる同期信号及びアドレス情報をデコードすることによって行われる。アドレス情報、同期信号はアクセス／サーボ制御用ＣＰＵ１にて参照され、ＣＰＵ１において所定アドレス
移動を制御する。アドレス移動は、トラッキングサーボＴＥ１をオフとした状態でのリニアモータＬＭ１駆動による粗動機構による半径移動と、所定アドレス近傍でのトラッキングサーボオン、ＡＴＩＰアドレス参照しながらの微調整（ＰＵ１の対物レンズの傾きの微調整）からなるが、いずれもＣＰＵ１で制御される。
所定アドレスに到達したことが確認されれば、データの基準クロック発生器である回路ＣＫ１のクロックとＡＴＩＰの同期信号を同期させ、所定のＡＴＩＰフレームに記録を行う。ＣＤ−ＲＯＭデータであれば、ＲＯＭデータのエンコードをＥＤ１にて行った後、ＣＤとしてのエンコードをＥＤ２にて行う。該データビット列はやはりデータの基準クロックに同期しており、該データ列はさらにＷＰ１において記録用パルス列に変換され、レーザードライバーＬＤ１を駆動してオーバーライトを行う。
なお、再生は所定アドレス到達後、再生信号をアンプ系ＡＦ１、ＲＦ信号２値化回路系ＲＦ１を通して再生し、データの基準クロックとＥＦＭフレームの同期をとりながら、ＥＤ２でＣＤとしてのデータデコードを行い、さらにＥＤ１にてＣＤ−ＲＯＭとしてのデータデコードを行う。
本発明の記録方法において、半径距離に反比例したデータの基準クロック及び基準クロック周期Ｔを発生させる方法は種々考えられるが、好適な例として以下が考えられる。ここではＣＬＶモードの１倍速でのウォブル搬送周波数ｆＬＯが２２．０５ｋＨｚ、ＣＡＶモードでの記録領域の最内周及び最外周での線速度がそれぞれ１０倍速及び２４倍速、データの基準クロックが搬送周波数の１９６倍であるケースを例として説明する。ここで、搬送周波数ｆＬＯは２２．０５ｋＨｚから±０．１程度の誤差を許容できる。
媒体は、１倍速に換算して周波数ｆＬ０＝２２．０５ｋＨｚの搬送周波数を有するウォブルが付与された螺旋状の溝を有する。この媒体は通常のＣＬＶモードの高倍速記録用ＣＤ−ＲＷ媒体としても使用可能である。
ウォブル溝（蛇行溝）のウォブルが搬送周波数ｆＬ０＝２２．０５ｋＨｚに相当する周波数で一定の場合、ＣＡＶ回転時には、半径位置に応じて、即ち半径位置に対応した線速度に応じて再生されるウォブルの搬送周波数ｆＡＯが見かけ上変化する。そしてＣＡＶ回転時にその半径位置で再生されるウォブルの搬送周波数ｆＡ０を１９６倍することで、半径に比例した基準データクロック周波数を得ることができる。尚、ｆＡ０は、ＣＡＶ記録時の搬送周波数を示す。
この半径に比例したデータ基準クロック周波数に同期して記録を行えば、ＣＡＶモードでありながら、一定線密度でマーク長変調記録を行うことができる。
すなわち、ウォブル信号がＣＬＶ回転の１倍速モードで基板上に記載されていれば、媒体をＣＡＶ回転させたときは、半径位置によらず同じ倍率を用いてデータの基準クロック周波数を発生させれば、空間周波数を一定とする、即ち、線密度を一定とすることができる。
例えば、記録領域最内周での線速度が１０倍速、記録領域最外周での線速度が２４倍速とすれば、ＣＡＶモードで再生されるウォブルの搬送周波数ｆＡ０はそれぞれ、記録領域最内周で２２．０５×１０＝２２０．５ＫＨｚ、記録領域最外周で２２．０５×２４＝５２９．２ｋＨｚとなる。これを１９６倍した周波数、４３．２ＭＨｚ（記録領域最内周）及び１０３．７２ＭＨｚ（記録領域最外周）がデータの基準クロック周波数となる。この場合、データの基準クロック周期Ｔは記録領域最内周で約２３．１ｎｓｅｃ、記録領域最外周で約９．１ｎｓｅｃとなる。中間の半径位置においては、この間で半径に反比例したデータの基準クロック周期を発生させればよい。
一方、ウォブル信号は通常、ＡＴＩＰ信号によって±１ｋＨｚで周波数変調されるため
実際の周波数は２２．０５ｋＨｚ±１ｋＨｚであり、ウォブル信号の一周期は、約±４．５％の変動を伴う。このようにゆらいでいる信号をそのまま所定倍してデータの基準クロック周期を得た場合、やはり±４．５％のマーク長のゆらぎ（ｄｅｖｉａｔｉｏｎ）が発生する。通常、マーク長記録においてこのゆらぎは位相シフトと呼ばれ、このシフト量が５％近くあると正しい復調ができない恐れがある。従って、このような場合、周波数変調されたウォブル信号から搬送周波数ｆＡ０のみを抽出してから所定倍する必要がある。
最近は、高密度化のために、基準線速度を１．２ｍ／ｓより若干小さくして、１ｍ／ｓ程度まで下げて、ウォブルの空間周波数を小さくし、マーク長を短めにして利用される場合があるが、このような場合においても、本発明記録媒体及び、記録方式の適用は妨げられない。
ＤＶＤの場合には、１倍速再生でのウォブルの搬送周波数ｆＬ０が、いわゆるＤＶＤ−ＲＷ規格では１４４ｋＨｚ（クロック周波数の１／１５７）、ＤＶＤ＋ＲＷ規格では約７００ｋＨｚ（クロック周波数の１／３２）である点などが異なるが、基本的には、全く同様の原理で装置が構成される。
６．本発明記録方法に関するその他の事項（従来の低線速記録媒体への本発明記録方法の適用について）
本発明のごとく、２４倍速以上のＣＤ−ＲＷや６倍速以上のＲＷ−ＤＶＤに対して、本発明記録方法を適用可能な記録装置において、既存の４又は１０倍速ＣＤ−ＲＷや、２又は２．４（２．５）又は４倍速ＲＷ−ＤＶＤにオーバーライト記録を行う場合、従来の１Ｔベースのストラテジーをそのまま適用しても良いが、本発明、２Ｔベースの記録パルス分割方法を適用することも可能である。すなわち、本発明記録方法（Ｉ）、（ＩＩ），（ＩＩＩ）を適用して種々の線速でＣＬＶ記録が可能であり、（ＩＶ），（Ｖ），（ＶＩ）を適用して１０倍速ＣＤ−ＲＷにおける４−１０倍速でのＣＡＶ記録、４倍速ＲＷ−ＤＶＤにおける１．６―４倍速でのＣＡＶ記録も可能となる。
このようにすることで、従来公知のＣＤ−ＲＷ、ＲＷ−ＤＶＤと、本発明ＣＤ−ＲＷ、ＲＷ−ＤＶＤを記録するに際し、同一の記録パルス発生回路を適用でき、パルス発生回路の簡便化が可能となる。一方で、従来の１Ｔベースの記録パルス分割方法では、本発明のごとき、超高速媒体への記録はほとんど不可能である。
（他のフォーマットの書き換え型媒体に対して）
本発明記録方法は、ＣＤ−ＲＷやＲＷ−ＤＶＤという特定フォーマットの媒体への適用に限定されるものではない。例えば、青色ＬＤを用いた高密度書き換え型相変化媒体への適用も可能である。また、マーク長変調方式も、ＥＦＭやＥＦＭ＋に限定されるわけではなく、たとえば、ｎ＝２，３，４，５，６，７，８と取るいわゆる（１，７）ランレンクスリミテッド（ＲＬＬ）ノンリターンツーゼロ・インバーテッド（ＮＲＺＩ）変調方式にも適用可能である。
［ＣＤ−ＲＷ基本例］
トラックピッチ１．６μｍで１倍速（１．２ｍ／ｓ）換算で基準周波数２２．０５ｋＨｚで蛇行する螺旋状の溝を設けた厚さ１．２ｍｍのポリカーボネート樹脂基板を射出成形によって形成した。
溝幅は０．５４μｍ、深さは３４ｎｍとした。これらはいずれも波長６３３ｎｍのＨｅ−Ｎｅレーザー光を用いたＵ溝近似の光学回折法で求めた。溝蛇行（ウォブル）にはさらに、ＡＴＩＰによるアドレス情報が±１ｋＨｚの周波数変調により付与した。
つづいて、基板上に、下部保護層、記録層、上部保護層、反射層、紫外線硬化樹脂層をこの順に形成した。各層の成膜は上記基板上に、真空を解除することなく、順にスパッタリング法によって積層した。ただし、紫外線硬化樹脂層（厚さ約４μｍ）はスピンコート
方によって塗布した。
成膜直後の記録層は非晶質であり、長軸約１５０μｍ、短軸約１．０μｍに集光した波長８１０〜８３０ｎｍの長楕円形状のレーザー光により線速と初期化パワーを適当な範囲で選んで、レーザー光を照射して全面結晶化させ初期（未記録）状態とした。
各層の膜厚は成膜レートを正確に測定した後、スパッタ成膜時間によって制御した。記録層組成は、蛍光Ｘ線法による各元素の蛍光強度を、別途化学分析（原子吸光分析）によって求めた絶対組成によって校正した値を用いた。
記録層、保護層膜の密度は基板上に数百ｎｍ程度に厚く成膜したときの重量変化から求めた。膜厚は蛍光Ｘ線強度を触針計で測定した膜厚で校正して用いた。
反射層の面積抵抗率は４探針法抵抗計（Ｌｏｒｅｓｔａ ＭＰ、（商品名）三菱油化（現ダイアインスツルメント）社製）で測定した。
抵抗測定は、絶縁物であるガラスもしくはポリカーボネート樹脂基板上に成膜した反射層で測定するか、あるいは上記４層（下部保護層／記録層／上部保護層／反射層）成膜後、最上層となる反射層で測定した。上部保護層が誘電体薄膜で絶縁物であるため、面積抵抗率測定に影響はない。また、抵抗測定は、直径１２０ｍｍのディスク基板形状のまま、半径３０〜４０ｍｍの位置にプローブを接触させて測定した。このようにすることにより、実質的に無限大の面積とみなせる位置で抵抗測定を行っていることになる。
得られた抵抗値Ｒを元に以下の式から面積抵抗率ρＳ及び体積抵抗率ρＶを計算した。ρＳ＝Ｆ・Ｒ （３）ρＶ＝ρＳ・ｔ （４）
ここで、ｔは膜厚である。Ｆは測定する薄膜領域の形状で決まる補正係数で通常４．３〜４．５の値をとる。ここでは４．４とした。
記録再生評価は、パルステック社製ＤＤＵ１０００テスタ（波長約７８０ｎｍ、ＮＡ＝０．５、スポット形状は１／ｅ２強度で約１．３２μｍの円形、以下このテスタをテスタ１という。）、又は、パルステック社製ＤＤＵ１０００テスタ（波長約７８０ｎｍ、ＮＡ＝０．５、スポット形状は１／ｅ２強度で約１．４２×１．３３μｍの楕円形、以下このテスタをテスタ２という。）を用いた。ＣＤの標準線速度１．２ｍ／ｓを１倍速とし、８〜３２倍速までのオーバーライト特性を評価した。
各線速度におけるデータの基準クロック周期は、１倍速におけるデータの基準クロック周期２３１ｎｓｅｃに対して各線速度で反比例させたものとした。
再生は特に断わらない限り１倍速で行った。ＤＤＵ１０００からの出力信号を５〜２０ｋＨｚにカットオフのある高周波通過フィルタを通した後、タイムインターバルアナライザー（横河電機社製）でジッタを測定した。
変調度ｍ１１（＝Ｉ１１／Ｉｔｏｐ）はオシロスコープ上でアイパターン観察により読み取った。また、Ｒｔｏｐは別途、ＣＤ基準ディスクＣＤ５Ｂ（Ｐｈｉｌｉｐｓ社より販売）で校正して求めた。
記録パルス分割方法を制御するための論理レベルの生成は、任意信号発生器（ＡＷＧ６２０又はＡＷＧ７１０、ソニーテクトロニクス社製）を用いた。上記信号発生器から、概ね図５のＧ１，Ｇ２，Ｇ３を合成したものに相当する論理信号とＧ４に相当する論理信号との２チャンネルのゲート信号を取り出し、ＥＣＬレベルの論理信号として上記テスターのレーザードライバーに対するゲート信号として入力した。
ＥＦＭランダムデータを１０回オーバーライト記録した後、該記録データのマーク長、スペース長、マーク長及びスペース長ジッタ、ｍ１１、Ｒｔｏｐ及びアシンメトリー値を測定した。ＥＦＭランダムデータは、３Ｔから１１Ｔまでのマーク長とスペース長がラン
ダムに現れる。各ｎにかかわるマーク長出現頻度はｎ＝３，４，５，６，７，８，９，１１に関して、それぞれ、約３４．０，２２．２、１６．４、１０．５、４．９，４．７、４．４、１．０、１．９％である。同じｎにかかわるマーク長とスペース長の出現頻度はほぼ等しい。実際のデータ用ＣＤ−ＲＯＭディスクに現れるデータパターンの平均的な値である。実際上、１１Ｔマークとスペースは、ほとんど同期用のパターンとして使用されるだけであるので、出現頻度は小さい。
また、特に断らない限りバイアスパワーＰｂは再生光パワーＰｒと同じで、０．８ｍＷで一定とした。
３Ｔ／１１Ｔオーバーライト消去比の測定では、３Ｔマークおよび３Ｔスペース（マーク間）からなる繰り返しパターン（３Ｔパターン）を１０回記録後、１１Ｔマークおよび１１Ｔスペース（マーク間）からなる繰り返しパターン（１１Ｔパターン）をオーバーライトして３Ｔマークのキャリアレベルの低下量（ｄＢ単位）を測定し、消去比（ｅｒａｓａｂｉｌｉｔｙ）とした。キャリアレベルの測定は、Ａｄｖａｎｔｅｓｔ製のスペクトラムアナライザー（ＴＲ４１７１）もしくは、ＨＰ製８５６７Ａを用い、テスターの再生信号出力を入力として用いた。オーバーライトは各線速で行ったが、再生はすべてＣＤ線速（１．２ｍ／ｓ）で行った。スペクトラムアナライザーのＲｅｓｏｌｕｔｉｏｎ ｂａｎｄ ｗｉｄｔｈは３０ｋＨｚ、Ｖｉｄｅｏ ｂａｎｄ ｗｉｄｔｈは ３０Ｈｚとし入力インピーダンスは５０Ωとした。
さらに、オーバーライト特性の評価は特に断りのない限り、１０回オーバーライト（未記録状態に初回記録後、同一トラックに９回のオーバーライト）を行った後に評価した。なお、加速試験後の記録信号の評価は、加速試験前に１０回オーバーライト記録した信号を、加速試験後に再生のみ行って評価した。
（実施例１）
上記基本例において、下記のようにしてディスクを製造し記録を行なった。
基板上に、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０からなる下部保護層を８５ｎｍ、Ｇｅ４Ｓｂ８２Ｔｅ１４（Ｇｅ０．０４（Ｓｂ０．８８Ｔｅ０．１２）０．９６）からなる記録層を１７．５ｎｍ、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０からなる上部保護層を３５ｎｍ、Ａｌ９９．５Ｔａ０．５からなる反射層を２００ｎｍ、紫外線硬化樹脂層を約４μｍをこの順に形成し、書換え型コンパクトディスクを作製した。なお、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０の意味は、ＺｎＳを８０ｍｏｌ％、ＳｉＯ２を２０ｍｏｌ％で混合したターゲットを高周波スパッタリング法で作成して得られた膜であることしめす。また、Ｇｅ４Ｓｂ８２Ｔｅ１４、Ａｌ９９．５Ｔａ０．５における組成比は原子数比である。以下の実施例においても同様である。このＡｌ９９．５Ｔａ０．５反射層の体積抵抗率ρｖは８０ｎΩ・ｍ、面積抵抗率ρｓは約０．４Ω／□であった。初期化は、長軸約１５０μｍ、短軸約１．０μｍの楕円形スポット形状を有する波長約８１０ｎｍのレーザーダイオード光を短軸方向に線速約２ｍ／ｓで走査して行なった。照射パワーは９５０ｍＷである。
このディスクに、ＮＡ＝０．５０のテスタ１を用いて、２４及び１０倍速でＥＦＭ変調信号のオーバーライトを行ない、その特性を評価した。
消去パワーＰｅと記録パワーＰｗの比Ｐｅ／Ｐｗは一定としＰｗを１９ｍＷ程度から２９ｍＷ程度まで１ｍＷ刻みで変化させ、それぞれの記録パワーでオーバーライト特性を評価した。いずれも１０回オーバーライト後の値で評価した。
２４倍速記録においては、記録方式ＣＤ１−１を適用した。まず、Ｔｄ１、Ｔｄ１’がｎによらず一定の場合を検討し、以下では、これを（記録方式ＣＤ１−１ａ）とする。（記録方式ＣＤ１−１ａ）は記録パルス分割方法（ＩＩ−Ａ）における、独立パラメータの数をさらに限定した使用方法となっている。
（記録方式ＣＤ１−１ａ）
ｍが３以上の場合の、偶数マーク長、ｎＴ＝２ｍＴに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間αｉＴ及びオフパルス区間βｉＴにおけるαｉ及びβｉを、次に様に設定した。
Ｔｄ１＋α１＝２、βｉ−１＋αｉ＝２ （ｉ＝２〜ｍ−１）、βｍ−１＋αｍ＝２、とした。
一方、ｍが３以上の場合の奇数マーク長、ｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間αｉ’Ｔ及びオフパルス区間βｉ’Ｔにおけるαｉ’及びβｉ’を、以下のように設定した。
Ｔｄ１’＋α１’＝２、β１’＋α２’＝２．３５、ただし、β１’＝β１＋Δ１、βｉ−１’＋αｉ’＝２（ｉ＝３〜ｍ−１）、βｍ−１’＋αｍ’＝２．４、ただし、αｍ’＝αｍ＋Δｍ、とした。
ここで、Ｔｄ１＝Ｔｄ１’＝０．９、α１＝α１’＝１．１、β１＝１、Δ１＝０．３５、αｉ＝αｉ’＝αｃ＝１（ｉ＝２〜ｍ−１のｉに対してαｃは一定）、βｍ−１＝１、Δｍ−１＝０，Δｍ＝０．４、Δｍｍ＝０．４，αｍ＝１、βｍ＝βｍ’＝０．４で、３以上のｍに対しては一定である。
また、ｍ＝２の場合、４Ｔマークに対しては、Ｔｄ１＝０．９，α１＝１．１、β１＝１、α２＝１、βｍ＝０．４とし、
５Ｔマークに対しては、Ｔｄ１’＝０．９，α１’＝１．１、β１’＝１．３５、α２’＝１．４、βｍ’＝０．４とした。
ｍ＝１、すなわち３Ｔマークに対しては、Ｔｄ１’＝０．９、α１’＝１．６、β１’＝０．７とした。
一方、１０倍速記録の場合には、記録方式ＣＤ２−１の具体例として、以下の（記録方式ＣＤ２−１ａ）を使用した。（記録方式ＣＤ２−１ａ）は、記録パルス分割方式（Ｖ）における、独立パラメータの数をさらに限定した使用方法となっている。
（記録方式ＣＤ２−１ａ）
ｍが３以上の場合の、偶数マーク長ｎＴ＝２ｍＴに対しては、マークの記録に際して、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間αｉＴ及びオフパルス区間βｉＴにおけるαｉ及びβｉを、Ｔｄ１＋α１＝２、β１＋α２＝１．８、βｉ−１＋αｉ＝２（ｉ＝３〜ｍ−１）、βｍ−１＋αｍ＝２、とした。
一方、ｍが３以上の奇数マーク長がｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔに対しては、マークの記録に際して、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間αｉ’Ｔ及びオフパルス区間βｉ’Ｔにおけるαｉ’及びβｉ’を、
Ｔｄ１’＋α１’＝２、
β１’＋α２’＝２．２、ただし、β１’＝β１＋Δ１、
βｉ−１’＋αｉ’＝２（ｉ＝３〜ｍ−１）、
βｍ−１’＋αｍ’＝２．５５、ただし、β ｍ−１ ’＝β ｍ−１ ＋Δｍ−１、αｍ’＝αｍ＋Δｍ、
とした。
ここで、Ｔｄ１＝Ｔｄ１’＝１．５，α１＝α１’＝０．５，β１＝１．３、Δ１＝０．４、αｉ＝αｉ’＝αｃ＝０．５（ｉ＝２〜ｍ−１なるｉに対して、αｃは一定）、βｍ−１＝１．５、Δｍ−１＝０．３５、Δｍ＝０．２，Δｍｍ＝０．５５、αｍ＝０．５、βｍ＝βｍ’＝１．３で、３以上のｍに対しては一定である。
また、ｍ＝２の場合、４Ｔマークに対しては、Ｔｄ１＝１．５、α１＝０．５，β１＝１．３、α２＝０．５、β２＝１．３とし、５Ｔマークに対しては、Ｔｄ１’＝１．５、α１’＝０．５、β１’＝１．７、α２’＝０．８、β２’＝１．６とした。
３Ｔマークに対しては、Ｔｄ１’＝１．５、α１’＝０．８、β１’＝２としている。
次に、Ｔｄ１、Ｔｄ１’をすべてのｎにおいて一定とせず、３Ｔ及び４Ｔマークで異なる値をとる記録パルス分割方法（ＩＩ−Ａ）の場合について２４倍速に記録おいて検討を行った。以下の記録方式を記録方式ＣＤ−ＩＩａと称する。
（記録方式ＣＤ−ＩＩａ）
ｍが３以上の偶数長マークがｎＴ＝２ｍＴに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間αｉＴ及びオフパルス区間βｉＴにおけるαｉ及びβｉを、Ｔｄ１＋α１＝２、β１＋α２＝１．９５、βｉ−１＋αｉ＝２（ｉ＝３〜ｍ−１）、βｍ−１＋αｍ＝１．９５、とした。
一方、ｍが３以上の奇数長マークｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔに対しては、マークの記録に際して、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間αｉ’Ｔ及びオフパルス区間βｉ’Ｔにおけるαｉ’及びβｉ’を、Ｔｄ１’＋α１’＝２、β１’＋α２’＝２．２５、ただし、β１’＝β１＋Δ１、βｉ−１’＋αｉ’＝２（ｉ＝３〜ｍ−１）、βｍ−１’＋αｍ’＝２．３５、ただし、αｍ’＝αｍ＋Δｍ、とした。
ここで、Ｔｄ１＝Ｔｄ１’＝１、α１＝α１’＝１、β１＝０．９５、Δ１＝０．３、αｉ＝αｉ’＝αｃ＝１（ｉ＝２〜ｍ−１なるｉに対してαｃは一定）、βｍ−１＝１、Δｍ−１＝０，Δｍ＝０．４、Δｍｍ＝０．４，αｍ＝０．９５、βｍ＝βｍ’＝０．３で、３以上のｍに対しては一定である。
ｍ＝２の場合、４Ｔマークに対しては、Ｔｄ１＝０．９５、α１＝１、β１＝０．９５、α２＝０．９５、β２＝０．３とし、５Ｔマークに対しては、Ｔｄ１’＝１、α１’＝１、β１’＝１．２５、α２’＝１．３５、β２’＝０．３とした。
さらに、３Ｔマークに対しては、Ｔｄ１’＝０．７５、α１’＝１．９、β１’＝０．３としている。
なお、各記録方式でのＴｄ１、αｉ、βｉ等を表−１にまとめて示す。いずれの記録方式も記録パルス方法（ＩＩ―Ａ）又は（Ｖ）に準じているので、ｍが３以上の場合に関しては、記録パルス分割方法（ＩＩ）における、１０個のパラメータ（Ｔｄ１、α１、β１、Δ１、αｃ、βｍ−１、Δｍ−１、αｍ、Δｍ、βｍ）及び、ｎ＝３，４，５におけるＴｄ１、αｉ、βｉを記載した。ただし、ｎ＝３の場合の（Ｔｄ１’、α１’、β１’）は、Ｔｄ１、α１、β１の項に記載した。ｎ＝４の場合の（Ｔｄ１、α１、β１、α２、β２）及び、ｎ＝５の場合の（Ｔｄ１’、α１’、β１’、α２、’、β２’）は、Ｔｄ１、α１、β１、αｍ、βｍの欄に記載した。ここで、記録方式ＣＤ１−１ａ、ＣＤ２−１ａ，ＣＤ−ＩＩａにおいては、ｎ＝４、５の場合のβ１、β１’は、それぞれｍが３の場合のβ１、β１’（＝β１＋Δ１）と等しい。
Figure 0004521054
２４倍速における（記録方式ＣＤ１−１ａ）及び（記録方式ＣＤ−ＩＩａ）の場合の、オーバーライト特性の評価結果を図７及び８に示す。消去パワーＰｅと記録パワーＰｗの比Ｐｅ／Ｐｗは（記録方式ＣＤ１−１ａ）では０．３９、（記録方式ＣＤ−ＩＩａ）では０．３３とした。Ｐｗを２０ｍＷから２７ｍＷ程度まで１ｍＷ刻みで変化させた。バイアスパワーＰｂは一定０．８ｍＷとしている。
各図において（ａ）〜（ｆ）はそれぞれ、（ａ）３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）３Ｔスペース長ジッタ、（ｃ）変調度ｍ１１、（ｄ）Ｒｔｏｐ、（ｅ）３Ｔマーク長、（ｆ）３Ｔスペース長、のＰｗ依存性を表す。
ジッタが最小となる最適記録パワーは（記録方式ＣＤ１−１ａ）では２３−２５ｍＷ、（記録方式ＣＤ−ＩＩａ）では２３−２７ｍＷ付近であり、オーバーライト特性もこのパワーにおける値で評価した。
図７、８の（ａ）、（ｂ）の図中の横線は１倍速再生時のジッタ規格上限値＝３５（ｎｓｅｃ）を示し、最適Ｐｗ付近においては、３５ｎｓｅｃ以下の良好なジッター値が得られている。また、他のマーク長及びスペース長のジッタも３５ｎｓｅｃ以下となった。
図７、８の（ｃ）、（ｄ）から、いずれの記録方式においても、変調度ｍ１１は６０％〜８０％（０．６〜０．８）、Ｒｔｏｐは１５〜２５％（０．１５〜０．２５）の値が得られていることがわかる。
図７、８の（ｅ）、（ｆ）の図中の実線の横線は１倍速再生時の３Ｔマーク長＝３Ｔスペース長＝２３１×３（ｎｓｅｃ）を示す。また、点線の横線は２３１ｎｓｅｃ×３−４０ｎｓｅｃ、２３１ｎｓｅｃ×３＋４０ｎｓｅｃを示す。マーク長、スペース長については通常±２０％程度のずれは許容されるから、±３０〜４０ｎｓｅｃ以内であればよいが、図から、マーク長及びスペース長のずれはほとんどなく許容範囲内であることが分かる。同様に、最適Ｐｗ付近においては、４Ｔ〜１１Ｔのマーク長及びスペース長においても、基準クロック周期Ｔの±１０％程度の範囲内で所望のマーク長及びスペース長が得られた。
特に、２４倍速記録においては、Ｔｄ１を一定としない（記録方式ＣＤ−ＩＩａ）のオーバーライト特性の結果の図８（ａ），（ｂ）と、Ｔｄ１を固定とした（記録方式ＣＤ１−１ａ）のオーバーライト特性の結果の図７（ａ）、（ｂ）とを比べると、図８においては３Ｔスペース長ｊｉｔｔｅｒの最低値が２４．１ｎｓｅｃと図７の２６．９ｎｓｅｃに比べ低く、またｊｉｔｔｅｒが３５ｎｓｅｃ以下となるＰｗ範囲が広く、パワーのマージンがあるといえる。
１０倍速における（記録方式ＣＤ２−１ａ）ついて図９に示す。消去パワーＰｅと記録パワーＰｗの比Ｐｅ／Ｐｗは０．３９で一定としＰｗを１９ｍＷ程度から２９ｍＷ程度まで１ｍＷ刻みで変化させた。バイアスパワーＰｂは０．８Ｗで一定である。
図９（ａ）〜（ｆ）は、それぞれ（ａ）３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）３Ｔスペース長ジッタ、（ｃ）変調度ｍ１１、（ｄ）Ｒｔｏｐ、（ｅ）３Ｔマーク長、（ｆ）３Ｔスペース長、のＰｗ依存性を表す。最適記録パワーは２４倍速記録では２３〜２７ｍＷ付近であるが、１０倍速記録では２２−２７ｍＷ付近であり、オーバーライト特性もこのパワーにおける値で評価した。
図９の（ａ）、（ｂ）の図中の横線は１倍速再生時のジッタ規格上限値＝３５（ｎｓｅｃ）を示す。いずれの線速においても３５ｎｓｅｃ以下の良好なジッター値が得られている。他のマーク長、スペース長においても、ジッタ値は３５ｎｓｅｃ以下となった。
また、図９の（ｃ）、（ｄ）から、いずれの線速においても、変調度ｍ１１は６０％〜８０％（０．６〜０．８）、Ｒｔｏｐは１５〜２５％の値が得られていることがわかる。
図９（ｅ）、（ｆ）の図中の実線の横線は１倍速再生時の３Ｔマーク長＝３Ｔスペース長＝２３１×３（ｎｓｅｃ）を示す。また、点線の横線は２３１ｎｓｅｃ×３−４０ｎｓｅｃ、２３１ｎｓｅｃ×３＋４０ｎｓｅｃを示す。マーク長、スペース長については、通常基準クロック周期Ｔの±２０％程度のずれは許容されるから、±３０〜４０ｎｓｅｃ以内であればよいが、図から、マーク長及びスペース長のずれはほとんどなく許容範囲内であることが分かる。同様に、最適Ｐｗ付近においては、４Ｔ〜１１Ｔのマーク長及びスペース長においても、基準クロック周期Ｔの±１０％程度の範囲内で所望のマーク長及びスペース長が得られた。アシンメトリー値は±１０％以内の値が得られた。
以上まとめると、１０、２４倍速においては良好な記録特性が得られており、本発明記録媒体及び記録パルス分割方法（ＩＩ−Ａ）又は（Ｖ）を適用すれば、この間の線速においても良好な特性がえられ、再生信号は、既存のＣＤドライブで再生可能な品質となる。
次に、２４倍速の（記録方式ＣＤ１−１ａ）、（記録方式ＣＤ−ＩＩａ）、そして、１０倍速における（記録方式ＣＤ２−１ａ）を用いた場合のオーバーライト耐久性の評価結果を記す。それぞれ、Ｐｅ／Ｐｗ＝９．４ｍＷ／２４ｍＷ、８．６ｍＷ／２６ｍＷ、９ｍＷ／２３ｍＷで繰返しオーバーライトを行ったときのオーバーライト回数依存性を図１０，１１，１２に表す。各図において、（ａ）が３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）が３Ｔスペース長ジッタを示す。図１０、１１、１２において、繰り返しオーバーライト回数を対数グラフで表示する都合上、初回記録を１回目オーバーライトとし、その上に９回オーバーライトした時を１０回めオーバーライトというように表している。以下の実施例においても同様に、対数軸上に繰り返しオーバーライト回数を表している。
いずれの線速においてもＣＤ−ＲＷに要求される１０００回というオーバーライト耐久性は十分満たされている。
さらに、各線速における消去比を測定した。１０倍速においては、（記録方式ＣＤ２−１ａ）の３Ｔ、１１Ｔのパルスを用い、２４倍速においては（記録方式ＩＩａ）の３Ｔ、１１Ｔのパルスを用いて、３Ｔ／１１Ｔオーバーライト消去比を測定した。１０倍速、２４倍速で３Ｔ／１１Ｔオーバーライト消去比は、それぞれ２９、２６ｄＢとなり、それぞれの線速において、十分な消去比が得られた。
また、（記録方式ＣＤ１−１ａ）、（記録方式ＣＤ−ＩＩａ）を用い、２４倍速で記録を行ったディスクを１０５℃の加速試験に投入したところ、３時間経過しても記録済み信号の劣化はほとんど見られなかった。ジッタは、５ｎｓｅｃ程度上昇していたが１倍速再生で３５ｎｓｅｃ以下であり、反射率Ｒｔｏｐ、変調度ｍ１１もほとんど低下しておらず、初期値の９０％以上を維持していた。
（実施例２）
上記基本例において、下記のようにしてディスクを製造し記録を行なった。
基板上に、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０からなる下部保護層を８０ｎｍ、Ｉｎ１２Ｇｅ８Ｓｂ８０（Ｉｎ０．１２（Ｇｅ０．０９Ｓｂ０．９１）０．８８）からなる記録層を１８ｎｍ、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０からなる上部保護層を３０ｎｍ、Ａｌ９９．５Ｔａ０．５からなる反射層を２００ｎｍ、紫外線硬化樹脂層を約４μｍをこの順に形成し、書換え型コンパクトディスクを作製した。このＡｌ９９．５Ｔａ０．５反射層の体積抵抗率ρｖは８０ｎΩ・ｍ、面積抵抗率ρｓは約０．４Ω／□であった。初期化は、長径約７５μｍ、短径約１．０μｍの楕円形スポット形状を有する波長約８１０ｎｍのレーザーダイオード光を線速約１２ｍ／ｓで走査して行なった。照射パワーは９００ｍＷである。
このディスクに、ＮＡ＝０．５０のテスタ１を用いて、２４及び１０倍速でＥＦＭ変調信号のオーバーライトを行ない、その特性を評価した。
消去パワーＰｅと記録パワーＰｗの比Ｐｅ／Ｐｗは一定としＰｗを２１ｍＷ程度から３０ｍＷ程度まで１ｍＷ刻みで変化させ、それぞれの記録パワーでオーバーライト特性を評価した。Ｐｂは０．８ｍＷで一定とした。いずれも１０回オーバーライト後の値で評価した。
記録パルス分割方法は以下のとおりである。
２４倍速記録においては、記録方式ＣＤ１−１を適用した。まず、Ｔｄ１、Ｔｄ１’がｎによらず一定の場合を検討し、以下では、これを（記録方式ＣＤ１−１ｂ）とする。（
記録方式ＣＤ１−１ｂ）は、記録パルス分割方法（ＩＩ−Ａ）における、独立パラメータの数をさらに限定した使用方法となっている。
（記録方式ＣＤ１−１ｂ）
ｍが３以上の場合の、偶数マーク長、ｎＴ＝２ｍＴに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間αｉＴ及びオフパルス区間βｉＴにおけるαｉ及びβｉを、次に様に設定した。
Ｔｄ１＋α１＝２、βｉ−１＋αｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）、βｍ−１＋αｍ＝１．９５、とした。
一方、ｍが３以上の場合の奇数マーク長、ｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間αｉ’Ｔ及びオフパルス区間βｉ’Ｔにおけるαｉ’及びβｉ’を、以下のように設定した。
Ｔｄ１’＋α１’＝２、β１’＋α２’＝２．３５、ただし、β１’＝β１＋Δ１、βｉ−１’＋αｉ’＝２（ｉ＝３〜ｍ−１）、βｍ−１’＋αｍ’＝２．４、ただし、αｍ’＝αｍ＋Δｍ、とした。
ここで、Ｔｄ１＝Ｔｄ１’＝０．９、α１＝α１’＝１．１、β１＝１、Δ１＝０．３５、αｉ＝αｉ’＝αｃ＝１（ｉ＝２〜ｍ−１のｉに対してαｃは一定）、βｍ−１＝０．９、Δｍ−１＝０．１，Δｍ＝０．３５、Δｍｍ＝０．４５，αｍ＝１．０５、βｍ＝βｍ’＝０．４で、３以上のｍに対しては一定である。
また、ｍ＝２の場合、４Ｔマークに対しては、Ｔｄ１＝０．９，α１＝１．１、β１＝０．９、α２＝１．０５、βｍ＝０．４とした。尚、４Ｔマークにおけるβ１＝０．９は、ｍ＝３（６Ｔマーク）におけるβｍ−１（β２）と等しくなっている。
一方、５Ｔマークに対しては、Ｔｄ１’＝０．９，α１’＝１．１、β１’＝１．３５、α２’＝１．４、βｍ’＝０．４とした。
ｍ＝１、すなわち３Ｔマークに対しては、Ｔｄ１’＝０．９、α１’＝１．８、β１’＝０．６とした。
一方、１０倍速記録の場合には、記録方式ＣＤ２−１として、以下の（記録方式ＣＤ２−１ｂ）を使用した。（記録方式ＣＤ２−１ｂ）は記録パルス分割方法（Ｖ）における、独立パラメータの数をさらに限定した使用方法となっている。（記録方式ＣＤ２−１ｂ）
ｍが３以上の場合の、偶数マーク長ｎＴ＝２ｍＴに対しては、マークの記録に際して、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間αｉＴ及びオフパルス区間βｉＴにおけるαｉ及びβｉを、Ｔｄ１＋α１＝２、β１＋α２＝２、βｉ−１＋αｉ＝２（ｉ＝３〜ｍ−１）、βｍ−１＋αｍ＝１．９５、とした。
一方、ｍが３以上の奇数マーク長がｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔに対しては、マークの記録に際して、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間αｉ’Ｔ及びオフパルス区間βｉ’Ｔにおけるαｉ’及びβｉ’を、
Ｔｄ１’＋α１’＝２、
β１’＋α２’＝２．４、ただし、β１’＝β１＋Δ１、
βｉ−１’＋αｉ’＝２（ｉ＝３〜ｍ−１）、
βｍ−１’＋αｍ’＝２．５５、ただし、β ｍ−１ ’＝β ｍ−１ ＋Δｍ−１、αｍ’＝αｍ＋Δｍ、
とした。
ここで、Ｔｄ１＝Ｔｄ１’＝１．５，α１＝α１’＝０．５，β１＝１．５、Δ１＝０．４、αｉ＝αｉ’＝αｃ＝０．５（ｉ＝２〜ｍ−１なるｉに対して、αｃは一定）、βｍ−１＝１．４５、Δｍ−１＝０．４５、Δｍ＝０．１５，Δｍｍ＝０．６、αｍ＝０．５、βｍ＝βｍ’＝１．２で、３以上のｍに対しては一定である。
また、ｍ＝２の場合、４Ｔマークに対しては、Ｔｄ１＝１．５、α１＝０．５，β１＝１．４５、α２＝０．５、β２＝１．２とした。尚、４Ｔマークにおけるβ１＝１．４５
は、ｍ＝３（ｎ＝６Ｔマーク）におけるβ２（βｍ−１）と等しくなっている。
一方、５Ｔマークに対しては、Ｔｄ１’＝１．５、α１’＝０．５、β１’＝１．９、α２’＝０．６５、β２’＝１．６とした。
３Ｔマークに対しては、Ｔｄ１’＝１．５、α１’＝０．８、β１’＝２としている。
次に、Ｔｄ１、Ｔｄ１’をすべてのｎにおいて一定とせず、３Ｔ及び４Ｔマークで異なる値をとる記録パルス分割方法（ＩＩ―Ａ）の場合について、２４倍速記録において、以下の記録方式ＣＤ−ＩＩｂを用いて検討を行った。
（記録方式ＣＤ−ＩＩｂ）
ｍが３以上の偶数長マークがｎＴ＝２ｍＴに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間αｉＴ及びオフパルス区間βｉＴにおけるαｉ及びβｉを、Ｔｄ１＋α１＝２、
βｉ−１＋αｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）、βｍ−１＋αｍ＝１．９、とした。
一方、ｍが３以上の奇数長マークｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔに対しては、マークの記録に際して、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間αｉ’Ｔ及びオフパルス区間βｉ’Ｔにおけるαｉ’及びβｉ’を、Ｔｄ１’＋α１’＝２、β１’＋α２’＝２．３５、ただし、β１’＝β１＋Δ１、βｉ−１’＋αｉ’＝２（ｉ＝３〜ｍ−１）、βｍ−１’＋αｍ’＝２．４、ただし、αｍ’＝αｍ＋Δｍ、とした。
ここで、Ｔｄ１＝Ｔｄ１’＝１、α１＝α１’＝１、β１＝１、Δ１＝０．３５、αｉ＝αｉ’＝αｃ＝１（ｉ＝２〜ｍ−１なるｉに対してαｃは一定）、βｍ−１＝０．９、Δｍ−１＝０．１，Δｍ＝０．４、Δｍｍ＝０．５，αｍ＝１、βｍ＝βｍ’＝０．３で、３以上のｍに対しては一定である。
ｍ＝２の場合、４Ｔマークに対しては、Ｔｄ１＝０．９５、α１＝１、β１＝１、α２＝１、β２＝０．３とし、５Ｔマークに対しては、Ｔｄ１’＝１、α１’＝１、β１’＝１．３５、α２’＝１．４、β２’＝０．３とした。
さらに、３Ｔマークに対しては、Ｔｄ１’＝０．５、α１’＝２．４、β１’＝０．４５としている。
なお、各記録方式でのＴｄ１、αｉ、βｉ等を表−２にまとめて示す。いずれの記録方式も記録パルス分割方法（ＩＩ−Ａ）又は（Ｖ）に準じているので、ｍが３以上の場合に関しては、記録パルス分割方法（ＩＩ−Ａ）における、１０個のパラメータ（Ｔｄ１、α１、β１、Δ１、αｃ、βｍ−１、Δｍ−１、αｍ、Δｍ、βｍ）及び、ｎ＝３，４，５におけるＴｄ１、αｉ、βｉを記載した。ただし、ｎ＝３の場合の（Ｔｄ１’、α１’、β１’）は、Ｔｄ１、α１、β１の項に記載した。ｎ＝４の場合の（Ｔｄ１、α１、β１、α２、β２）及び、ｎ＝５の場合の（Ｔｄ１’、α１’、β１’、α２、’、β２’）は、Ｔｄ１、α１、β１、αｍ、βｍの欄に記載した。ここで、記録方式ＣＤ１−１ｂ、２−１ｂにおいては、ｎ＝４の場合のβ１は、ｍが３以上（ｎ≧６）の場合のβｍ−１に等しく、ｎ＝５の場合のβ１’は、ｍが３以上（ｎ≧６）の場合のβ１’（＝β１＋Δ１）と等しい。記録方式ＩＩｂにおいては、ｎ＝４、５の場合のβ１、β１’はそれぞれ、ｍが３の場合のβ１、β１’（＝β１＋Δ１）と等しい。
Figure 0004521054
オーバーライト特性の評価結果を２４倍速の（記録方式ＣＤ１−１ｂ）及び（記録方式ＣＤ−ＩＩｂ）についてそれぞれ図１３、１４に、１０倍速の（記録方式ＣＤ２−１ｂ）について図１５に示す。消去パワーＰｅと記録パワーＰｗの比Ｐｅ／Ｐｗは、２４倍速の（記録方式ＣＤ１−１ｂ）は０．３５、（記録方式ＣＤ−ＩＩｂ）は０．３３、１０倍速の（記録方式ＣＤ２−１ｂ）は０．３１とし、Ｐｗを２１ｍＷ程度から３０ｍＷ程度まで１ｍＷ刻みで変化させた。バイアスパワーＰｂは一定の値０．８ｍＷとしている。
各図において、それぞれ（ａ）３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）３Ｔスペース長ジッタ、（ｃ）変調度ｍ１１、（ｄ）Ｒｔｏｐ、（ｅ）３Ｔマーク長、（ｆ）３Ｔスペース長、のＰ
ｗ依存性を表す。
最適記録パワーは２４倍速記録の（記録方式ＣＤ１−１ｂ）では２５−２７ｍＷ付近、（記録方式ＣＤ−ＩＩｂ）では２４−２８ｍＷ付近、１０倍速記録では２３−２８ｍＷ付近であり、オーバーライト特性もこのパワーにおける値で評価した。
図１３，１４、１５の（ａ）、（ｂ）の図中の横線は１倍速再生時のジッタ規格上限値＝３５（ｎｓｅｃ）を示す。いずれの線速においても３５ｎｓｅｃ以下の良好なジッター値が得られている。
図１３，１４、１５の（ｃ）、（ｄ）から、いずれの線速においても、変調度ｍ１１は６０％〜８０％（０．６〜０．８）、Ｒｔｏｐは１５〜２５％の値が得られている。
次に、（記録方式ＣＤ１−１ｂ）、（記録方式ＣＤ−ＩＩｂ）、（記録方式ＣＤ２−１ｂ）で記録を行った場合において、１倍速再生時の３Ｔマーク長、３Ｔスペース長を測定した。いずれの記録方式においても、３Ｔマーク長、３Ｔスペース長は、２３１ｎｓｅｃ×３から±１０％程度のずれの範囲内であった。具体的には、図１４（ｅ）、（ｆ）の図中の実線の横線は１倍速再生時の３Ｔマーク長＝３Ｔスペース長＝２３１×３（ｎｓｅｃ）を示す。また、点線の横線は２３１ｎｓｅｃ×３−４０ｎｓｅｃ、２３１ｎｓｅｃ×３＋４０ｎｓｅｃを示す。マーク長、スペース長については、通常基準クロック周期Ｔの±２０％程度のずれは許容されるから、±３０〜４０ｎｓｅｃ以内であればよいが、図１４（ｅ）、（ｆ）から、マーク長及びスペース長のずれはほとんどなく許容範囲内であることが分かる。
同様に、最適Ｐｗ付近においては、４Ｔ〜１１Ｔのマーク長及びスペース長においても、基準クロック周期Ｔの±１０％程度の範囲内で所望のマーク長及びスペース長が得られた。アシンメトリー値は±１０％以内の値が得られた。
以上まとめると、１０、２４倍速においては良好な記録特性が得られており、再生信号は、既存のＣＤドライブで再生可能な品質である。また、この間の線速においてもパルスを調整することによって良好な特性がえられる。
次に、２４倍速の（記録方式ＣＤ１−１ｂ）、（記録方式ＣＤ−ＩＩｂ）、そして、１０倍速における（記録方式ＣＤ２−１ｂ）を用いた場合のオーバーライト耐久性の評価結果を記す。それぞれ、Ｐｗ／Ｐｅ＝２５ｍＷ／８．８ｍＷ、２６ｍＷ／８．６ｍＷ、２６ｍＷ／８．１ｍＷで繰返しオーバーライトを行ったところ、いずれの線速においてもＣＤ−ＲＷに要求される１０００回というオーバーライト耐久性は十分満たされていた。
さらに、各線速における消去比を測定した。１０倍速においては、（記録方式ＣＤ２−１ｂ）の３Ｔ、１１Ｔのパルスを用い、２４倍速においては（記録方式ＣＤ−ＩＩｂ）の３Ｔ、１１Ｔのパルスを用いて、３Ｔ／１１Ｔオーバーライト消去比を測定した。１０倍速、２４倍速で３Ｔ／１１Ｔオーバーライト消去比は、それぞれ２８，２１ｄＢとなり、それぞれの線速において、十分な消去比が得られた。
また、（記録方式ＣＤ１−１ｂ）、（記録方式ＣＤ−ＩＩｂ）を用い、２４倍速で記録を行ったディスクを１０５℃の加速試験に投入したところ、３時間経過しても記録済み信号の劣化はほとんど見られなかった。ジッタは、２ｎｓｅｃ程度変化していたが１倍速再生で３５ｎｓｅｃ以下であり、反射率Ｒｔｏｐ、変調度ｍ１１もほとんど低下しておらず、初期値の９０％以上を維持していた。
（実施例３）
上記基本例において、下記のようにしてディスクを製造し記録を行なった。
基板上に、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０からなる下部保護層を８０ｎｍ、Ｓｎ２０
Ｇｅ１８Ｓｂ６２（Ｓｎ０．２（Ｇｅ０．２３Ｓｂ０．７７）０．８）からなる記録層を１５ｎｍ、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０からなる上部保護層を３０ｎｍ、Ａｌ９９．５Ｔａ０．５からなる反射層を２００ｎｍ、紫外線硬化樹脂層を約４μｍをこの順に形成し、書換え型コンパクトディスクを作製した。このＡｌ９９．５Ｔａ０．５反射層の体積抵抗率ρｖは８０ｎΩ・ｍ、面積抵抗率ρｓは約０．４Ω／□であった。初期化は、長径約１５０μｍ、短径約１．０μｍの楕円形スポット形状を有する波長約８１０ｎｍのレーザーダイオード光を線速約１２ｍ／ｓで走査して行なった。照射パワーは１６００ｍＷである。
このディスクに、ＮＡ＝０．５０のテスタ１を用いて、２４及び１０倍速でＥＦＭ変調信号のオーバーライトを行ない、その特性を評価した。
消去パワーＰｅと記録パワーＰｗの比Ｐｅ／Ｐｗは一定としＰｗを２１ｍＷ程度から３０ｍＷ程度まで１ｍＷ刻みで変化させ、それぞれの記録パワーでオーバーライト特性を評価した。Ｐｂは０．８ｍＷで一定とした。いずれも１０回オーバーライト後の値で評価した。
記録パルス分割方法は以下のとおりである。
２４倍速記録においては、記録方式ＣＤ１−１を適用し、これを（記録方式ＣＤ１−１ｃ）とする。（記録方式ＣＤ１−１ｃ）は記録パルス分割方法（ＩＩ−Ａ）における、独立パラメータの数をさらに限定した使用方法となっている。
（記録方式ＣＤ１−１ｃ）
ｍが３以上の場合の、偶数マーク長、ｎＴ＝２ｍＴに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間αｉＴ及びオフパルス区間βｉＴにおけるαｉ及びβｉを、次に様に設定した。
Ｔｄ１＋α１＝２、βｉ−１＋αｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ）、とした。
一方、ｍが３以上の場合の奇数マーク長、ｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間αｉ’Ｔ及びオフパルス区間βｉ’Ｔにおけるαｉ’及びβｉ’を、以下のように設定した。
Ｔｄ１’＋α１’＝２、
β１’＋α２’＝２．３５、ただし、β１’＝β１＋Δ１、
βｉ−１’＋αｉ’＝２（ｉ＝３〜ｍ−１）、
βｍ−１’＋αｍ’＝２．４５、ただし、βｍ−１’＝β ｍ−１ ＋Δｍ−１、αｍ’＝αｍ＋Δｍ、
とした。
ここで、Ｔｄ１＝Ｔｄ１’＝１、α１＝α１’＝１、β１＝１、Δ１＝０．３５、αｉ＝αｉ’＝αｃ＝１（ｉ＝２〜ｍ−１のｉに対してαｃは一定）、βｍ−１＝１．０、Δｍ−１＝０，Δｍ＝０．５、Δｍｍ＝０．５，αｍ＝０．９５、βｍ＝βｍ’＝０．３で、３以上のｍに対しては一定である。
また、ｍ＝２の場合、４Ｔマークに対しては、Ｔｄ１＝１，α１＝１、β１＝１、α２＝０．９５、βｍ＝０．３とし、
５Ｔマークに対しては、Ｔｄ１’＝１，α１’＝１、β１’＝１．３５、α２’＝１．４５、βｍ’＝０．３とした。
ｍ＝１、すなわち３Ｔマークに対しては、Ｔｄ１’＝０．７５、α１’＝１．９５、β１’＝０．５とした。
一方、１０倍速記録の場合には、記録方式ＣＤ２−１として、以下の（記録方式ＣＤ２−１ｃ）を使用した。（記録方式ＣＤ２−１ｃ）は記録パルス分割方法（Ｖ）における、独立パラメータの数をさらに限定した使用方法となっている。（記録方式ＣＤ２−１ｃ）
ｍが３以上の場合の、偶数マーク長ｎＴ＝２ｍＴに対しては、マークの記録に際して、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間αｉＴ及びオフパルス区間βｉＴにおけるαｉ及びβｉを、Ｔｄ１＋α１＝２、βｉ−１＋αｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ）、とした。
一方、ｍが３以上の奇数マーク長がｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔに対しては、マークの記録に際して、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間αｉ’Ｔ及びオフパルス区間βｉ’Ｔにおけるαｉ’及びβｉ’を、Ｔｄ１’＋α１’＝２、β１’＋α２’＝２．４、ただし、β１’＝β１＋Δ１、βｉ−１’＋αｉ’＝２（ｉ＝３〜ｍ−１）、βｍ−１’＋αｍ’＝２．５５、ただし、βｍ−１’＝βｍ−１＋Δｍ−１、αｍ’＝αｍ＋Δｍ、とした。
ここで、Ｔｄ１＝Ｔｄ１’＝１．５，α１＝α１’＝０．５，β１＝１．６、Δ１＝０．４、αｉ＝αｉ’＝αｃ＝０．４（ｉ＝２〜ｍ−１なるｉに対して、αｃは一定）、βｍ−１＝１．６、Δｍ−１＝０．３５、Δｍ＝０．２、Δｍｍ＝０．５５、αｍ＝０．４、βｍ＝βｍ’＝１．１で、３以上のｍに対しては一定である。
また、ｍ＝２の場合、４Ｔマークに対しては、Ｔｄ１＝１．５、α１＝０．５，β１＝１．６、α２＝０．４、β２＝１．１とし、５Ｔマークに対しては、Ｔｄ１’＝１．５、α１’＝０．５、β１’＝２、α２’＝０．６、β２’＝１．４５とした。ここで、５Ｔマークにおけるβ２’＝１．４５は、ｍ＝３（６Ｔマーク）のβ３’（βｍ’）＝１．１に、０．３５を付与してものである。
３Ｔマークに対しては、Ｔｄ１’＝１．５、α１’＝０．６、β１’＝２．１としている。
なお、各記録方式でのＴｄ１、αｉ、βｉ等を表−３にまとめて示す。いずれの記録方式も記録パルス分割方法（ＩＩ−Ａ）又は（Ｖ）に準じているので、ｍが３以上の場合に関しては、記録パルス分割方法（ＩＩ−Ａ）における、１０個のパラメータ（Ｔｄ１、α１、β１、Δ１、αｃ、βｍ−１、Δｍ−１、αｍ、Δｍ、βｍ）及び、ｎ＝３，４，５におけるＴｄ１、αｉ、βｉを記載した。ただし、ｎ＝３の場合の（Ｔｄ１’、α１’、β１’）は、Ｔｄ１、α１、β１の項に記載した。ｎ＝４の場合の（Ｔｄ１、α１、β１、α２、β２）及び、ｎ＝５の場合の（Ｔｄ１’、α１’、β１’、α２、’、β２’）は、Ｔｄ１、α１、β１、αｍ、βｍの欄に記載した。
ここで、記録方式ＣＤ１−１ｃ、２−１ｃにおいては、ｎ＝４、５の場合のβ１及びβ１’はそれぞれｍが３の場合のβ１及びβ１’（＝β１＋Δ１）と等しい。
Figure 0004521054
オーバーライト特性の評価結果を２４倍速の（記録方式ＣＤ１−１ｃ）について図１８に、１０倍速の（記録方式ＣＤ２−１ｃ）について図１９に示す。消去パワーＰｅと記録パワーＰｗの比Ｐｅ／Ｐｗは、２４倍速の（記録方式ＣＤ１−１ｃ）は０．３１、１０倍速の（記録方式ＣＤ２−１ｃ）は０．３３とし、Ｐｗを２１ｍＷ程度から３０ｍＷ程度まで１ｍＷ刻みで変化させた。バイアスパワーＰｂは一定の値０．８ｍＷとしている。
各図において、それぞれ（ａ）３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）３Ｔスペース長ジッタ、（ｃ）変調度ｍ１１、（ｄ）Ｒｔｏｐ、（ｅ）３Ｔマーク長、（ｆ）３Ｔスペース長、のＰｗ依存性を表す。
最適記録パワーは２４倍速記録の（記録方式ＣＤ１−１ｃ）では２５−２８ｍＷ付近、
１０倍速記録の（記録方式ＣＤ２−１ｃ）では２４−３０ｍＷ付近であり、オーバーライト特性もこのパワーにおける値で評価した。
図１８，１９の（ａ）、（ｂ）の図中の横線は１倍速再生時のジッタ規格上限値＝３５（ｎｓｅｃ）を示す。いずれの線速においても３５ｎｓｅｃ以下の良好なジッター値が得られている。
図１８、１９の（ｃ）、（ｄ）から、いずれの線速においても、変調度ｍ１１は６０％〜８０％（０．６〜０．８）、Ｒｔｏｐは１５〜２５％の値が得られている。
次に、（記録方式ＣＤ１−１ｃ）、（記録方式ＣＤ２−１ｃ）で記録を行った場合において、１倍速再生時の３Ｔマーク長、３Ｔスペース長を測定した。いずれの記録方式においても、３Ｔマーク長、３Ｔスペース長は、２３１×３ｎｓｅｃから±１０％程度のずれの範囲内であった。具体的には、図１８，１９（ｅ）、（ｆ）の各図中における実線の横線は、１倍速再生時の３Ｔマーク長＝３Ｔスペース長＝２３１×３（ｎｓｅｃ）を示す。また、点線の横線は２３１ｎｓｅｃ×３−４０ｎｓｅｃ、２３１ｎｓｅｃ×３＋４０ｎｓｅｃを示す。マーク長、スペース長については、基準クロック周期Ｔの通常±２０％程度のずれは許容されるから、±３０〜４０ｎｓｅｃ以内であればよいが、図１８，１９（ｅ）、（ｆ）から、マーク長及びスペース長のずれはほとんどなく許容範囲内であることが分かる。
同様に、最適Ｐｗ付近においては、４Ｔ〜１１Ｔのマーク長及びスペース長においても、基準クロック周期Ｔの±１０％程度の範囲内で所望のマーク長及びスペース長が得られた。アシンメトリー値は±１０％以内の値が得られた。
以上まとめると、１０、２４倍速においては良好な記録特性が得られており、再生信号は、既存のＣＤドライブで再生可能な品質である。また、この間の線速においてもパルスを調整することによって良好な記録特性がえられる。
次に、２４倍速の（記録方式ＣＤ１−１ｃ）、１０倍速における（記録方式ＣＤ２−１ｃ）を用いた場合のオーバーライト耐久性の評価結果を記す。それぞれ、Ｐｗ／Ｐｅ＝２６ｍＷ／８．１ｍＷ、２７ｍＷ／８．９ｍＷで繰返しオーバーライトを行ったときのオーバーライト回数依存性を図２０、２１に表す。各図において、（ａ）が３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）が３Ｔスペース長ジッタを示す。いずれの線速においてもＣＤ−ＲＷに要求される１０００回というオーバーライト耐久性は十分満たされている。
さらに、各線速における消去比を測定した。１０倍速においては、（記録方式ＣＤ２−１ｃ）の３Ｔ、１１Ｔのパルスを用い、２４倍速においては（記録方式ＣＤ１−１ｃ）の３Ｔ、１１Ｔのパルスを用いて、３Ｔ／１１Ｔオーバーライト消去比を測定した。１０倍速、２４倍速で３Ｔ／１１Ｔオーバーライト消去比は、それぞれ３３、２１ｄＢであり、それぞれの線速において、十分な消去比が得られた。また、（記録方式ＣＤ１−１ｃ）を用い、２４倍速で記録を行ったディスクを１０５℃の加速試験に投入したところ、３時間経過しても記録済み信号の劣化はほとんど見られなかった。ジッタは、２ｎｓｅｃ程度変化するものの１倍速再生で３５ｎｓｅｃ以下であり、反射率Ｒｔｏｐ、変調度ｍ１１もほとんど低下しておらず、初期値の９０％以上を維持していた。
（実施例４）
上記実施例３のディスクとテスタ１とを用い、２４倍速記録においては、記録方式ＣＤ１−２を適用し、これを（記録方式ＣＤ１−２ａ）とする。（記録方式ＣＤ１−２ａ）は記録パルス分割方法（ＩＩＩ―Ａ）における、独立パラメータの数をさらに限定した使用方法となっている。
（記録方式ＣＤ１−２ａ）
ｍが３以上の場合の、偶数マーク長、ｎＴ＝２ｍＴに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間αｉＴ及びオフパルス区間βｉＴにおけるαｉ及びβｉを、次に
様に設定した。
Ｔｄ１＋α１＝２、βｉ−１＋αｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ）、とした。
一方、ｍが３以上の場合の奇数マーク長、ｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間αｉ’Ｔ及びオフパルス区間βｉ’Ｔにおけるαｉ’及びβｉ’を、以下のように設定した。
Ｔｄ１’＋α１’＝２、βｉ−１’＋αｉ’＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）、βｍ−１’＋αｍ’＝２．８５、ただし、βｍ−１’＝βｍ−１＋Δｍ−１、αｍ’＝αｍ＋Δｍ、とした。
ここで、Ｔｄ１＝Ｔｄ１’＝１、α１＝α１’＝１、αｉ＝αｉ’＝αｃ＝１（ｉ＝２〜ｍ−１のｉに対してαｃは一定）、βｍ−１＝１、Δｍ−１＝０．４，Δｍ＝０．４５、Δｍｍ＝０．８５，αｍ＝１、βｍ＝０．３、Δｍ’＝０で、２以上のｍに対しては一定である。
ただし、ｍ＝２（ｎ＝４、５）の場合の、α１、α１’、β１、β１’、α２、α２’、β２、β２’は、それぞれｍ＝３の場合のα１、α１’、β２（βｍ−１）、β２’（βｍ−１’）、α３（αｍ）、α３’（αｍ’）、β３（βｍ）、β３’（βｍ’）と等しくする。すなわち、４Ｔマークに対しては、α１＝１、β１＝１、α２＝１、β２＝０．３とし、５Ｔマークに対しては、α１’＝１、β１’＝１．４、α２’＝１．４５、β２’＝０．３とした。
ｍ＝１、すなわち３Ｔマークに対しては、Ｔｄ１’＝０．９、α１’＝１．６、β１’＝０．５５とした。
一方、１０倍速記録の場合には、記録方式ＣＤ２−２として、以下の（記録方式ＣＤ２−２ａ）を使用した。（記録方式ＣＤ２−２ａ）は記録パルス分割方法（ＶＩ）における、独立パラメータの数をさらに限定した使用方法となっている。
（記録方式ＣＤ２−２ａ）
ｍが３以上の場合の、偶数マーク長ｎＴ＝２ｍＴに対しては、マークの記録に際して、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間αｉＴ及びオフパルス区間βｉＴにおけるαｉ及びβｉを、Ｔｄ１＋α１＝２、βｉ−１＋αｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ）、とした。
一方、ｍが３以上の奇数マーク長がｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔに対しては、マークの記録に際して、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間αｉ’Ｔ及びオフパルス区間βｉ’Ｔにおけるαｉ’及びβｉ’を、Ｔｄ１’＋α１’＝２、βｉ−１’＋αｉ’＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）、βｍ−１’＋αｍ’＝２．５５、ただし、βｍ―１’＝βｍ−１＋Δｍ−１、αｍ’＝αｍ＋Δｍ、とした。
ここで、Ｔｄ１＝Ｔｄ１’＝１．５，α１＝α１’＝０．５，αｉ＝αｉ’＝αｃ＝０．４（ｉ＝２〜ｍ−１なるｉに対して、αｃは一定）、βｍ−１＝１．６、Δｍ−１＝０．３５、Δｍ＝０．２，Δｍｍ＝０．５５、αｍ＝０．４、βｍ＝０．８、Δｍ’＝０．４で、２以上のｍに対しては一定である。
ただし、ｍ＝２（ｎ＝４、５）の場合の、α１、α１’、β１、β１’、α２、α２’、β２、β２’は、それぞれｍ＝３の場合のα１、α１’、β２（βｍ−１）、β２’（βｍ−１’）、α３（αｍ）、α３’（αｍ’）、β３（βｍ）、β３’（βｍ’）と等しくする。すなわち、４Ｔマークに対しては、α１＝０．５、β１＝１．６、α２＝０．４、β２＝０．８とし、５Ｔマークに対しては、α１’＝０．５、β１’＝１．９５、α２’＝０．６、β２’＝１．２とした。
３Ｔマークに対しては、Ｔｄ１’＝１．５、α１’＝０．７、β１’＝１．７としている。
なお、各記録方式でのＴｄ１、αｉ、βｉ等を表−４にまとめて示す。
表−４において、記録パルス分割方式はｎ＝３の場合とｎが４〜１１の場合とに分けて記載した。ｎ＝３の場合には、Ｔｄ１’、α１’、β１’の３つのパラメータが必要であるが、表−４では、それぞれＴｄ１、α１、βｍの欄に記載した。ｎが４〜１１の場合には、記録パルス分割方法（ＩＩＩ−Ａ）において、Ｔｄ１＋α１＝Ｔ ｄ１ ’＋α１’＝２、β１＋α２＝βｍ−１＋αｍ＝２、α１＝αｍ＝αｃ、Δｍはｍによらず一定とした。したがって、表−４では、Ｔｄ１、β１、βｍ−１、βｍ、αｍも含めて１０個のパラメータを記載しているが、独立パラメータはα１、αｃ、Δｍ−１、Δｍ、Δｍ’の５個である。また、ｎ＝４の場合には、β１＝βｍ−１＝βｃ、α２＝αｍ＝αｃ、β２＝βｍである。ｎ＝５の場合には、β１’＝βｃ＋Δｍ−１、α２＝αｃ＋Δｍ、β２’＝βｍ’＋Δｍ’である。
Figure 0004521054
オーバーライト特性の評価結果を２４倍速の（記録方式ＣＤ１−２ａ）について図２２に、１０倍速の（記録方式ＣＤ２−２ａ）について図２３に示す。消去パワーＰｅと記録パワーＰｗの比Ｐｅ／Ｐｗは、２４倍速の（記録方式ＣＤ１−２ａ）は０．３０、１０倍速の（記録方式ＣＤ２−２ａ）は０．３０で一定とした。（記録方式ＣＤ１−２ａ）では、Ｐｗを２２ｍＷ程度から３０ｍＷ程度まで１ｍＷ刻みで変化させた。（記録方式ＣＤ２−２ａ）では、Ｐｗを２０ｍＷ程度から２９ｍＷ程度まで１ｍＷ刻みで変化させた。バイアスパワーＰｂは一定の値０．８ｍＷとしている。
各図において、それぞれ（ａ）３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）３Ｔスペース長ジッタ、（
ｃ）変調度ｍ１１、（ｄ）Ｒｔｏｐ、（ｅ）３Ｔマーク長、（ｆ）３Ｔスペース長、のＰｗ依存性を表す。
最適記録パワーは２４倍速記録の（記録方式ＣＤ１−２ａ）では２４−２８ｍＷ付近、１０倍速記録の（記録方式ＣＤ２−２ａ）では２３−２８ｍＷ付近であり、オーバーライト特性もこのパワーにおける値で評価した。
図２２，２３の（ａ）、（ｂ）の図中の横線は１倍速再生時のジッタ規格上限値＝３５（ｎｓｅｃ）を示す。いずれの線速においても３５ｎｓｅｃ以下の良好なジッター値が得られている。
図２２、２３の（ｃ）、（ｄ）から、いずれの線速においても、変調度ｍ１１は６０％〜８０％（０．６〜０．８）、Ｒｔｏｐは１５〜２５％の値が得られている。
次に、（記録方式ＣＤ１−２ａ）、（記録方式ＣＤ２−２ａ）で記録を行った場合において、１倍速再生時の３Ｔマーク長、３Ｔスペース長を測定した。いずれの記録方式においても、３Ｔマーク長、３Ｔスペース長は、２３１×３ｎｓｅｃから±１０％程度のずれの範囲内であった。具体的には、図２２，２３（ｅ）、（ｆ）の図中における実線の横線は、１倍速再生時の３Ｔマーク長＝３Ｔスペース長＝２３１×３（ｎｓｅｃ）を示す。また、点線の横線は２３１ｎｓｅｃ×３−４０ｎｓｅｃ、２３１ｎｓｅｃ×３＋４０ｎｓｅｃを示す。マーク長、スペース長については、通常基準クロック周期Ｔの±２０％程度のずれは許容されるから、±３０〜４０ｎｓｅｃ以内であればよいが、図２２，２３（ｅ）、（ｆ）から、マーク長及びスペース長のずれがほとんどなく、許容範囲内であることが分かる。
同様に、最適Ｐｗ付近においては、４Ｔ〜１１Ｔのマーク長及びスペース長においても、基準クロック周期Ｔの±１０％程度の範囲内で所望のマーク長及びスペース長が得られた。アシンメトリー値は±１０％以内の値が得られた。
以上まとめると、１０、２４倍速においては良好な記録特性が得られており、再生信号は、既存のＣＤドライブで再生可能な品質である。また、この間の線速においてもパルスを調整することによって良好な特性がえられる。
次に、２４倍速の（記録方式ＣＤ１−２ａ）、１０倍速における（記録方式ＣＤ２−２ａ）を用いた場合のオーバーライト耐久性の評価結果を記す。それぞれ、Ｐｗ／Ｐｅ＝２６ｍＷ／７．８ｍＷ、２４ｍＷ／７．２ｍＷで繰返しオーバーライトを行ったときのオーバーライト回数依存性を図２４、２５に表す。各図において、（ａ）が３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）が３Ｔスペース長ジッタを示す。いずれの線速においてもＣＤ−ＲＷに要求される１０００回というオーバーライト耐久性は十分満たされている。
また、（記録方式ＣＤ１−２ａ）を用い、２４倍速で記録を行ったディスクを１０５℃の加速試験に投入したところ、３時間経過しても記録済み信号の劣化はほとんど見られなかった。ジッタは、２ｎｓｅｃ程度変化するものの１倍速再生で３５ｎｓｅｃ以下であり、反射率Ｒｔｏｐ、変調度ｍ１１もほとんど低下しておらず、初期値の９０％以上を維持していた。
（実施例５）
上記基本例において、下記のようにしてディスクを製造し記録を行なった。
基板上に、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０からなる下部保護層を８０ｎｍ、Ｇｅ１５Ｓｂ６５Ｓｎ２０（Ｓｎ０．２（Ｇｅ０．１９Ｓｂ０．８１）０．８）からなる記録層を１５ｎｍ、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０からなる上部保護層を２７ｎｍ、ＳｉＯ２からなる界面層を３ｎｍ、Ａｇからなる反射層を２００ｎｍ、紫外線硬化樹脂層を約４μｍをこの順に形成し、書換え型コンパクトディスクを作製した。このＡｇ反射層の体積抵抗
率ρｖは２４ｎΩ・ｍ、面積抵抗率ρｓは約０．１２Ω／□であった。初期化は、長軸約１５０μｍ、短軸約１．０μｍの楕円形スポット形状を有する波長約８１０ｎｍのレーザーダイオード光を短軸方向に線速約１２ｍ／ｓで走査して行なった。照射パワーは１６５０ｍＷである。
このディスクに、ＮＡ＝０．５０のテスタ１を用いて、３２、２４及び１０倍速でＥＦＭ変調信号のオーバーライトを行ない、その特性を評価した。
消去パワーＰｅと記録パワーＰｗの比Ｐｅ／Ｐｗは一定としＰｗを１９ｍＷ程度から３０ｍＷ程度まで１ｍＷ刻みで変化させ、それぞれの記録パワーでオーバーライト特性を評価した。いずれも１０回オーバーライト後の値で評価した。
３２倍速記録においては、記録方式ＣＤ１−１を適用し、これを（記録方式ＣＤ１−１ｄ）とする。（記録方式ＣＤ１−１ｄ）は記録パルス分割方法（ＩＩ−Ａ）における、独立パラメータの数をさらに限定した使用方法となっている。
（記録方式ＣＤ１−１ｄ）
ｍが３以上の場合の、偶数マーク長、ｎＴ＝２ｍＴに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間αｉＴ及びオフパルス区間βｉＴにおけるαｉ及びβｉを、次に様に設定した。
Ｔｄ１＋α１＝２、β１＋α２＝２、βｉ−１＋αｉ＝２（ｉ＝３〜ｍ−１）、βｍ−１＋αｍ＝２、とした。
一方、ｍが３以上の場合の奇数マーク長、ｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間αｉ’Ｔ及びオフパルス区間βｉ’Ｔにおけるαｉ’及びβｉ’を、以下のように設定した。
Ｔｄ１’＋α１’＝２、β１’＋α２’＝２．３２、ただし、β１’＝β１＋Δ１、βｉ−１’＋αｉ’＝２（ｉ＝３〜ｍ−１）、βｍ−１’＋αｍ’＝２．４４、ただし、βｍ−１’＝βｍ−１＋Δｍ−１、αｍ’＝αｍ＋Δｍ、とした。
ここで、Ｔｄ１＝Ｔｄ１’＝１、α１＝α１’＝１、β１＝１．０６、Δ１＝０．３２、αｉ＝αｉ’＝αｃ＝０．９４（ｉ＝２〜ｍ−１のｉに対してαｃは一定）、βｍ−１＝１．０６、Δｍ−１＝０，Δｍ＝０．４４、Δｍｍ＝０．４４，αｍ＝０．９４、βｍ＝βｍ’＝０．４４で、３以上のｍに対しては一定である。
また、ｍ＝２の場合、４Ｔマークに対しては、Ｔｄ１＝１，α１＝１、β１＝１．０６、α２＝０．９４、β２＝０．４４とし、５Ｔマークに対しては、Ｔｄ１’＝１，α１’＝１、β１’＝１．３８、α２’＝１．３８、β２’＝０．４４とした。
ｍ＝１、すなわち３Ｔマークに対しては、Ｔｄ１’＝０．８１、α１’＝１．９１、β１’＝０．２５とした。
続いて、２４倍速記録の場合には、記録方式ＣＤ２−１の具体例として、以下の（記録方式ＣＤ２−１ｄ）を使用した。（記録方式ＣＤ２−１ｄ）は、記録パルス分割方法（Ｖ）における、独立パラメータの数をさらに限定した使用方法となっている。
（記録方式ＣＤ２−１ｄ）
ｍが３以上の場合の、偶数マーク長ｎＴ＝２ｍＴに対しては、マークの記録に際して、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間αｉＴ及びオフパルス区間βｉＴにおけるαｉ及びβｉを、Ｔｄ１＋α１＝２、β１＋α２＝１．８５、βｉ−１＋αｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ）、とした。
一方、ｍが３以上の奇数マーク長がｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔに対しては、マークの記録に際して、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間αｉ’Ｔ及びオフパルス区間βｉ
’Ｔにおけるαｉ’及びβｉ’を、Ｔｄ１’＋α１’＝２、β１’＋α２’＝２．３５、ただし、β１’＝β１＋Δ１、βｉ−１’＋αｉ’＝２（ｉ＝３〜ｍ−１）、βｍ−１’＋αｍ’＝２．３、ただし、βｍ−１’＝βｍ−１＋Δｍ−１、αｍ’＝αｍ＋Δｍ、とした。
ここで、Ｔｄ１＝Ｔｄ１’＝１．３，α１＝α１’＝０．７，β１＝１．１５、Δ１＝０．５、αｉ＝αｉ’＝αｃ＝０．７（ｉ＝２〜ｍ−１なるｉに対して、αｃは一定）、βｍ−１＝１．３、Δｍ−１＝０．１５、Δｍ＝０．１５，Δｍｍ＝０．３、αｍ＝０．７、βｍ＝βｍ’＝０．７で、３以上のｍに対しては一定である。
また、ｍ＝２の場合、４Ｔマークに対しては、Ｔｄ１＝１．３、α１＝０．７，β１＝１．１５、α２＝０．７、β２＝０．７とし、５Ｔマークに対しては、Ｔｄ１’＝１．３、α１’＝０．７、β１’＝１．６５、α２’＝１．０５、β２’＝０．７とした。尚、５Ｔマークにおけるα２’＝１．０５は、ｍ＝３（６Ｔマーク）におけるα３’（αｍ’＝αｍ＋Δｍ＝０．７＋０．１５＝０．８５）に、０．２を付加したものである。
３Ｔマークに対しては、Ｔｄ１’＝１．３、α１’＝１．１、β１’＝０．９５としている。
さらに、１０倍速記録の場合には、記録方式ＣＤ２−１の具体例として、以下の（記録方式ＣＤ２−１ｅ）を使用した。（記録方式ＣＤ２−１ｅ）は、記録パルス分割方法（Ｖ
）における、独立パラメータの数をさらに限定した使用方法となっている。
（記録方式ＣＤ２−１ｅ）
ｍが３以上の場合の、偶数マーク長ｎＴ＝２ｍＴに対しては、マークの記録に際して、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間αｉＴ及びオフパルス区間βｉＴにおけるαｉ及びβｉを、
Ｔｄ１＋α１＝２、
β１＋α２＝２、
βｉ−１＋αｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ）、
とした。
一方、ｍが３以上の奇数マーク長がｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔに対しては、マークの記録に際して、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間αｉ’Ｔ及びオフパルス区間βｉ’Ｔにおけるαｉ’及びβｉ’を、Ｔｄ１’＋α１’＝２、β１’＋α２’＝２．３、ただし、β１’＝β１＋Δ１、βｉ−１’＋αｉ’＝２（ｉ＝３〜ｍ−１）、βｍ−１’＋αｍ’＝２．３、ただし、βｍ−１’＝βｍ−１＋Δｍ−１、αｍ’＝αｍ＋Δｍ，とした。
ここで、Ｔｄ１＝Ｔｄ１’＝１．７，α１＝α１’＝０．３，β１＝１．７、Δ１＝０．３、αｉ＝αｉ’＝αｃ＝０．３（ｉ＝２〜ｍ−１なるｉに対して、αｃは一定）、βｍ−１＝１．７、Δｍ−１＝０．３５、Δｍ＝０．１５，Δｍｍ＝０．４５、αｍ＝０．３、βｍ＝βｍ’＝１．２で、３以上のｍに対しては一定である。
また、ｍ＝２の場合、４Ｔマークに対しては、Ｔｄ１＝１．７、α１＝０．３，β１＝１．７、α２＝０．３、β２＝１．２とし、５Ｔマークに対しては、Ｔｄ１’＝１．７、α１’＝０．３、β１’＝２、α２’＝０．４５、β２’＝１．６５とした。ここで、５Ｔマークにおけるβ２’＝１．６５は、ｍ＝３（６Ｔマーク）のときのβ３’（βｍ’＝１．２）に０．４５を付加したものである。
３Ｔマークに対しては、Ｔｄ１’＝１．７、α１’＝０．５、β１’＝１．９としている。
なお、各記録方式でのＴｄ１、αｉ、βｉ等を表−５にまとめて示す。いずれの記録方式も記録パルス分割方法（ＩＩ）又は（Ｖ）に準じているので、ｍが３以上の場合に関しては、記録パルス分割方法（ＩＩ−Ａ）における、１０個のパラメータ（Ｔｄ１、α１、β１、Δ１、αｃ、βｍ−１、Δｍ−１、αｍ、Δｍ、βｍ）及び、ｎ＝３，４，５におけるＴｄ１、αｉ、βｉを記載した。ただし、ｎ＝３の場合の（Ｔｄ１’、α１’、β１’）は、Ｔｄ１、α１、β１の項に記載した。ｎ＝４の場合の（Ｔｄ１、α１、β１、α２、β２）及び、ｎ＝５の場合の（Ｔｄ１’、α１’、β１’、α２、’、β２’）は、Ｔｄ１、α１、β１、αｍ、βｍの欄に記載した。
ここで、記録方式ＣＤ１−１ｄ、２−１ｄ、２−１ｅにおいては、ｎ＝４、５の場合のβ１、β１’はそれぞれ、ｍが３の場合のβ１、β１’（＝β１＋Δ１）と等しい。
Figure 0004521054
３２倍速における（記録方式ＣＤ１−１ｄ）、２４倍速における（記録方式ＣＤ２−１ｄ）、及び１０倍速における（記録方式ＣＤ２−１ｅ）の場合の、オーバーライト特性の評価結果を図２６，２７及び２８に示す。消去パワーＰｅと記録パワーＰｗの比Ｐｅ／Ｐｗは、（記録方式ＣＤ１−１ｄ）では０．３０、（記録方式ＣＤ２−１ｄ）では０．３０、（記録方式ＣＤ２−１ｅ）では０．３０で一定とした。（記録方式ＣＤ１−１ｄ）では、Ｐｗを２６ｍＷから３０ｍＷ程度まで１ｍＷ刻みで変化させた。（記録方式ＣＤ２−１ｄ）では、Ｐｗを２３ｍＷから３０ｍＷ程度まで１ｍＷ刻みで変化させた。（記録方式ＣＤ２−１ｅ）では、Ｐｗを２２ｍＷから３０ｍＷ程度まで１ｍＷ刻みで変化させた。バイアスパワーＰｂは一定の値０．８ｍＷとしている。
各図において（ａ）〜（ｆ）はそれぞれ、（ａ）３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）３Ｔスペース長ジッタ、（ｃ）変調度ｍ１１、（ｄ）Ｒｔｏｐ、（ｅ）３Ｔマーク長、（ｆ）３Ｔスペース長、のＰｗ依存性を表す。
ジッタが最小となる最適記録パワーは３２倍速での（記録方式ＣＤ１−１ｄ）では２８−３０ｍＷ、２４倍速での（記録方式ＣＤ２−１ｄ）では２５−３０ｍＷ、１０倍速での（記録方式ＣＤ２−１ｅ）では２５−３０ｍＷ付近であり、オーバーライト特性もこのパワーにおける値で評価した。
図２６，２７，２８の（ａ）、（ｂ）の図中の横線は１倍速再生時のジッタ規格上限値＝３５（ｎｓｅｃ）を示し、最適Ｐｗ付近においては、３５ｎｓｅｃ以下の良好なジッター値が得られている。また、他のマーク長及びスペース長のジッタも３５ｎｓｅｃ以下となった。
図２６，２７，２８の（ｃ）、（ｄ）から、いずれの記録方式においても、変調度ｍ１１は６０％〜８０％（０．６〜０．８）、Ｒｔｏｐは１５〜２５％の値が得られていることがわかる。
図２６，２７，２８の（ｅ）、（ｆ）の図中の実線の横線は１倍速再生時の３Ｔマーク長＝３Ｔスペース長＝２３１×３（ｎｓｅｃ）を示す。また、点線の横線は２３１ｎｓｅｃ×３−４０ｎｓｅｃ、２３１ｎｓｅｃ×３＋４０ｎｓｅｃを示す。マーク長、スペース長については、通常基準クロック周期Ｔの±２０％程度のずれは許容されるから、±３０〜４０ｎｓｅｃ以内であればよいが、図から、最適Ｐｗ付近においては、マーク長及びスペース長のずれはほとんどなく許容範囲内であることが分かる。同様に、最適Ｐｗ付近においては、４Ｔ〜１１Ｔのマーク長及びスペース長においても、基準クロック周期Ｔの±１０％程度の範囲内で所望のマーク長及びスペース長が得られた。アシンメトリー値は±１０％以内の値が得られた。
本実施例媒体及び記録方法を用いれば、すくなくとも３２倍速から１０倍速の範囲で良好な記録特性が得られ、再生信号は、既存のＣＤドライブで再生可能な品質となる。
次に、３２倍速の（記録方式ＣＤ１−１ｄ），２４倍速の（記録方式ＣＤ２−１ｄ）、そして、１０倍速における（記録方式ＣＤ２−１ｅ）を用いた場合のオーバーライト耐久性の評価結果を記す。それぞれ、Ｐｗ／Ｐｅ＝２９ｍＷ／８．７ｍＷ、２８ｍＷ／８．４ｍＷ、２７ｍＷ／８．１ｍＷで繰返しオーバーライトを行ったときのオーバーライト回数依存性を図２９、３０、３１に表す。各図において、（ａ）が３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）が３Ｔスペース長ジッタを示す。
いずれの線速においてもＣＤ−ＲＷに要求される１０００回というオーバーライト耐久性は十分満たされている。
さらに、各線速における消去比を測定した。１０倍速においては、（記録方式ＣＤ２−１ｅ）の３Ｔ、１１Ｔのパルスを用い、２４倍速での（記録方式ＣＤ２−１ｄ）の３Ｔ、１１Ｔのパルスを用い、３２倍速においては（記録方式ＣＤ１−１ｄ）の３Ｔ、１１Ｔの
パルスを用いて、３Ｔ／１１Ｔオーバーライト消去比を測定した。１０倍速、２４、３２倍速で、Ｔ／１１Ｔオーバーライト消去比は、それぞれ３０，２８，２４ｄＢとなり、それぞれの線速において、十分な消去比が得られた。また、（記録方式ＣＤ１−１ｄ）を用い、３２倍速で記録を行ったディスクを１０５℃の加速試験に投入したところ、３時間経過しても記録済み信号の劣化はほとんど見られなかった。ジッタは、１倍速再生で２ｎｓｅｃ程度は変化したが３５ｎｓｅｃ以下であり、反射率Ｒｔｏｐ、変調度ｍ１１もほとんど低下しておらず、初期値の９０％以上を維持していた。
（実施例６）
実施例５の媒体に対してテスタ１を用い、３２倍速においては、記録方式ＣＤ１−２を適用し、これを（記録方式ＣＤ１−２ｂ）とする。（記録方式ＣＤ１−２ｂ）は記録パルス分割方法（ＩＩＩ−Ａ）における、独立パラメータの数をさらに限定した使用方法となっている。
（記録方式ＣＤ１−２ｂ）
ｍが２以上の偶数マーク長、ｎＴ＝２ｍＴに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間αｉＴ及びオフパルス区間βｉＴにおけるαｉ及びβｉを、次に様に設定した。
Ｔｄ１＋α１＝２、βｉ−１＋αｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ）、とした。
一方、ｍが２以上の奇数マーク長、ｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間αｉ’Ｔ及びオフパルス区間βｉ’Ｔにおけるαｉ’及びβｉ’を、以下のように設定した。
Ｔｄ１’＋α１’＝２、βｉ−１’＋αｉ’＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）、βｍ−１’＋αｍ’＝２．４、ただし、βｍ−１’＝βｍ−１＋Δｍ−１、αｍ’＝αｍ＋Δｍ、βｍ’＝βｍ＋Δｍ’、とした。
ここで、Ｔｄ１＝Ｔｄ１’＝１、α１＝α１’＝１、β１＝１．０６、αｉ＝αｉ’＝αｃ＝０．９４（ｉ＝２〜ｍ−１のｉに対してαｃは一定）、βｍ−１＝１．０６、Δｍ−１＝０．３２，αｍ＝０．９４、βｍ＝０．４４、Δｍ’＝０で、２以上のｍに対しては一定である。Δｍは、ｍ＝２、３に対しては、Δｍ１＝０．４４、ｍ＝４，５に対しては、Δｍ２＝０．５を用いた。
ただし、また、ｍ＝２（ｎ＝４、５）における、α１、α１’、β１、β１’、α２、α２’、β２、β２’を、それぞれｍ＝３の場合のα１、α１’、β２（βｍ−１）、β２’（βｍ−１’）、α３（αｍ）、α３’（αｍ’）、β３（βｍ）、β３’（βｍ’）と等しくする。
ｍ＝１、すなわち３Ｔマークに対しては、Ｔｄ１’＝０．８１、α１’＝１．９４、β１’＝０．２５とした。
続いて、２４倍速記録の場合には、記録方式ＣＤ２−２の具体例として、以下の（記録方式ＣＤ２−２ｂ）を使用した。（記録方式ＣＤ２−２ｂ）は、記録パルス分割方法（ＶＩ）における、独立パラメータの数をさらに限定した使用方法となっている。
（記録方式ＣＤ２−２ｂ）
ｍが２以上の偶数マーク長ｎＴ＝２ｍＴに対しては、マークの記録に際して、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間αｉＴ及びオフパルス区間βｉＴにおけるαｉ及びβｉを、Ｔｄ１＋α１＝２、βｉ−１＋αｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ）、とした。
一方、ｍが２以上の奇数マーク長ｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔに対しては、マークの記録に際して、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間αｉ’Ｔ及びオフパルス区間βｉ’Ｔにおけるαｉ’及びβｉ’を、Ｔｄ１’＋α１’＝２、βｉ−１’＋αｉ’＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）、βｍ−１’＋αｍ’＝２．８、ただし、βｍ−１’＝βｍ−１＋Δｍ−１
、αｍ’＝αｍ＋Δｍ、βｍ’＝βｍ＋Δｍ’、とした。
ここで、Ｔｄ１＝Ｔｄ１’＝１．３，α１＝α１’＝０．７，αｉ＝αｉ’＝αｃ＝０．７（ｉ＝２〜ｍ−１なるｉに対して、αｃは一定）、βｍ−１＝１．３、Δｍ−１＝０．４、Δｍ＝０．４，Δｍｍ＝０．８、αｍ＝０．７、βｍ＝０．７、Δｍ’＝０で、２以上のｍに対しては一定である。
ｍ＝２（ｎ＝４、５）の場合には、α１、α１’、β１、β１’、α２、α２’、β２、β２’をそれぞれｍ＝３の場合のα１、α１’、β２（βｍ−１）、β２’（βｍ−１’）、α３（αｍ）、α３’（αｍ’）、β３（βｍ）、β３’（βｍ’）と等しくする。
３Ｔマークに対しては、Ｔｄ１’＝１．３、α１’＝１．３、β１’＝１としている。
さらに、１０倍速記録の場合には、記録方式ＣＤ２−２の具体例として、以下の（記録方式ＣＤ２−２ｃ）を使用した。（記録方式ＣＤ２−２ｃ）は、記録パルス分割方法（ＶＩ）における、独立パラメータの数をさらに限定した使用方法となっている。
（記録方式ＣＤ２−２ｃ）
ｍが２以上の偶数マーク長ｎＴ＝２ｍＴに対しては、マークの記録に際して、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間αｉＴ及びオフパルス区間βｉＴにおけるαｉ及びβｉを、Ｔｄ１＋α１＝２、βｉ−１＋αｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ）、とした。
一方、ｍが２以上の奇数マーク長ｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔに対しては、マークの記録に際して、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間αｉ’Ｔ及びオフパルス区間βｉ’Ｔにおけるαｉ’及びβｉ’を、Ｔｄ１’＋α１’＝２、βｉ−１’＋αｉ’＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）、βｍ−１’＋αｍ’＝２．６、ただし、βｍ−１’＝βｍ−１＋Δｍ−１、αｍ’＝αｍ＋Δｍ、βｍ’＝βｍ＋Δｍ’、とした。
ここで、Ｔｄ１＝Ｔｄ１’＝１．７，α１＝α１’＝０．３，αｉ＝αｉ’＝αｃ＝０．３（ｉ＝２〜ｍ−１なるｉに対して、αｃは一定）、βｍ−１＝１．７、Δｍ−１＝０．３、Δｍ＝０．３，Δｍｍ＝０．６、αｍ＝０．３、βｍ＝１．２、Δｍ’＝０．３５で、２以上のｍに対しては一定である。
ただし、ｍ＝２（ｎ＝４、５）の場合には、α１、α１’、β１、β１’、α２、α２’、β２、β２’をそれぞれｍ＝３の場合のα１、α１’、β２（βｍ−１）、β２’（βｍ−１’）、α３（αｍ）、α３’（αｍ’）、β３（βｍ）、β３’（βｍ’）と等しくする。
３Ｔマークに対しては、Ｔｄ１’＝１．８、α１’＝０．６、β１’＝１．８としている。
なお、各記録方式でのＴｄ１、αｉ、βｉ等を表−６にまとめて示す。
表―６において、記録パルス分割方式はｎ＝３の場合とｎが４〜１１の場合とに分けて記載した。ｎ＝３の場合には、Ｔｄ１’、α１’、β１’の３つのパラメータが必要であるが、表−６では、それぞれＴｄ１、α１、βｍ’の欄に記載した。
ｎが４〜１１の場合には、記録パルス分割方法（ＩＩＩ−Ａ）において、Ｔｄ１＋α１＝Ｔ ｄ１ ’＋α１’＝２、β１＋α２＝βｍ−１＋αｍ＝２、α１＝αｍ＝αｃはｍによらず一定とした。
表−６では、Ｔｄ１、β１、βｍ−１、βｍ、αｍも含めて１０個のパラメータを記載しているが、独立パラメータはα１、αｃ、Δｍ−１、Δｍ１、Δｍ２、Δｍ’の６個である。ただし、Δｍ２とΔｍ１が異なる値となるのは、記録方式ＣＤ１−２ａ（３２倍速）の場合だけであって、ｍ＝２，３に対してΔｍ１＝０．４４を用い、ｍ＝４，５に対して、Δｍ２＝０．５を用いた。
また、ｎ＝４の場合には、β１＝βｍ−１＝βｃ、α２＝αｍ＝αｃ、β２＝βｍである。ｎ＝５の場合には、β１’＝βｃ＋Δｍ−１、α２＝αｃ＋Δｍ、β２’＝βｍ’である。
Figure 0004521054
３２倍速における（記録方式ＣＤ１−２ｂ）、２４倍速における（記録方式ＣＤ２−２ｂ）、及び１０倍速における（記録方式ＣＤ２−２ｃ）の場合の、オーバーライト特性の評価結果を図３２，３３及び３４に示す。消去パワーＰｅと記録パワーＰｗの比Ｐｅ／Ｐｗは、（記録方式ＣＤ１−２ｂ）では０．３０、（記録方式ＣＤ２−２ｂ）では０．３３
、（記録方式ＣＤ２−２ｃ）では０．３０で一定とした。Ｐｗを２０ｍＷから３０ｍＷ程度まで１ｍＷ刻みで変化させた。バイアスパワーＰｂは一定値０．８ｍＷとしている。
各図において（ａ）〜（ｆ）はそれぞれ、（ａ）３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）３Ｔスペース長ジッタ、（ｃ）変調度ｍ１１、（ｄ）Ｒｔｏｐ、（ｅ）３Ｔマーク長、（ｆ）３Ｔスペース長、のＰｗ依存性を表す。
ジッタが最小となる最適記録パワーは、３２倍速での（記録方式ＣＤ１−２ｂ）では２７−３０ｍＷ付近、２４倍速での（記録方式ＣＤ２−２ｂ）では２５−３０ｍＷ付近、１０倍速での（記録方式ＣＤ２−２ｃ）では２５−３０ｍＷ付近であり、オーバーライト特性もこのパワーにおける値で評価した。
図３２，３３，３４の（ａ）、（ｂ）の図中の横線は１倍速再生時のジッタ規格上限値＝３５（ｎｓｅｃ）を示し、最適Ｐｗ付近においては、３５ｎｓｅｃ以下の良好なジッター値が得られている。また、他のマーク長及びスペース長のジッタも３５ｎｓｅｃ以下となった。
図３２，３３，３４の（ｃ）、（ｄ）から、いずれの記録方式においても、変調度ｍ１１は６０％〜８０％（０．６〜０．８）、Ｒｔｏｐは１５〜２５％の値が得られていることがわかる。
図３２，３３，３４の（ｅ）、（ｆ）の図中の実線の横線は１倍速再生時の３Ｔマーク長＝３Ｔスペース長＝２３１×３（ｎｓｅｃ）を示す。また、点線の横線は２３１ｎｓｅｃ×３−４０ｎｓｅｃ、２３１ｎｓｅｃ×３＋４０ｎｓｅｃを示す。マーク長、スペース長については、通常基準クロック周期Ｔの±２０％程度のずれは許容されるから、±３０〜４０ｎｓｅｃ以内であればよいが、図から、少なくとも最適Ｐｗ付近においては、マーク長及びスペース長のずれはほとんどなく許容範囲内であることが分かる。同様に、最適Ｐｗ付近においては、４Ｔ〜１１Ｔのマーク長及びスペース長においても、基準クロック周期Ｔの±１０％程度の範囲内で所望のマーク長及びスペース長が得られた。アシンメトリー値は±１０％以内の値が得られた。
本実施例媒体及び記録方法を用いれば、少なくとも３２倍速から１０倍速の範囲で良好な記録特性が得られ、再生信号は、既存のＣＤドライブで再生可能な品質となる。
次に、３２倍速の（記録方式ＣＤ１−２ｂ），２４倍速の（記録方式ＣＤ２−２ｂ），そして、１０倍速における（記録方式ＣＤ２−２ｃ）を用いた場合のオーバーライト耐久性の評価結果を記す。それぞれ、Ｐｗ／Ｐｅ＝３０ｍＷ／９ｍＷ、２８ｍＷ／９．２ｍＷ、２７ｍＷ／８．１ｍＷで繰返しオーバーライトを行ったときのオーバーライト回数依存性を図３５，３６，３７に表す。各図において、（ａ）が３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）が３Ｔスペース長ジッタを示す。
いずれの線速においてもＣＤ−ＲＷに要求される１０００回というオーバーライト耐久性は十分満たされている。
また、（記録方式ＣＤ１−２ｂ）を用い、３２倍速で記録を行ったディスクを１０５℃の加速試験に投入したところ、３時間経過しても記録済み信号の劣化はほとんど見られなかった。ジッタは１倍速再生で３５ｎｓｅｃ以下であり、反射率Ｒｔｏｐ、変調度ｍ１１もほとんど低下しておらず、初期値の９０％以上を維持していた。
（実施例７）
ついで、実施例３の媒体に対してテスタ１を用い、表―７に示したように、記録パルス分割方式（ＣＤ−ＶＩ−１）を用いて、８倍速から２４倍速までの線速において、オーバーライト記録を行った。記録パルス分割方式（ＣＤ−ＶＩ−１）は、記録パルス分割方法（ＶＩ−Ｂ）を適用した例である。
具体的には、８，１２，１６，２０，２４倍速にてオーバーライトを行った。
表−７において、記録パルス分割方式はｎ＝３の場合とｎが４〜１１の場合とに分けて記載した。ｎ＝３の場合には、Ｔｄ１’、α１’、β１’の３つのパラメータが必要であるが、表−７では、それぞれＴｄ１、αｃ、βｍの欄に記載した。ｎが４〜１１の場合には、Ｔｄ１、αｉ＝αｃ（ｉ＝１〜ｍ）、αｉ’＝αｃ（ｉ＝１〜ｍ−１）、はｎによらず一定とし、Ｔ＋α１＝Ｔｄ１’＋α１’＝２、βｉ−１＋αｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ）、βｉ−１’＋αｉ’＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）とした。よって、βｉ＝２−αｃ（ｉ＝１〜ｍ−１）、βｉ’＝２−αｃ（ｉ＝１〜ｍ−２）となる。さらに、βｍ−１’＝βｍ−１＋Δｍ−１＝βｃ＋Δｍ−１、αｍ’＝αｍ＋Δｍ＝αｃ＋Δｍ、βｍ’＝βｍ＋Δｍ’とし、Δｍ−１、Δｍ、Δｍ’はｍによらず一定とした。ｎ＝４〜１１（２以上のｍ）に関しては、独立パラメータは、αｃ、Δｍ−１、Δｍ、βｍ、Δｍ’である。
尚、ｍ＝２（ｎ＝４、５）においては、α１、α１’、β１、β１’、α２、α２’、β２、β２’を、それぞれ、ｍ＝３の場合におけるα１、α１’、βｍ−１、βｍ−１’、αｍ、αｍ’、βｍ、βｍ’と等しくする。従って、ｎ＝４の場合には、β２＝βｍとする。ｎ＝５の場合には、β１’＝βｃ＋Δｍ−１、α２＝αｃ＋Δｍ、β２’＝βｍ＋Δｍ’とする。
Ｐｗは概ねジッター値が最小となるような記録パワーとしてＰｗ０を選んで、繰り返しオーバーライトを行った。また、その際のＰｅ／Ｐｗ比も表−７に示した。Ｐｂは０．８ｍＷで一定、Ｐｅ／Ｐｗは０．３０で一定とした。
Figure 0004521054
図３８は、８，１２，１６，２０，２４倍速における（ａ）３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）３Ｔスペース長ジッタ、（ｃ）変調度ｍ１１、（ｄ）Ｒｔｏｐ、を示す。
尚、図３８の（ａ）〜（ｄ）中の「ｘ」は「倍速」を意味する。例えば、「８ｘ」は８倍速を意味する。これは以下の実施例においても同様である。
いずれの線速においても、概ねＰｗ０±１ｍＷの範囲において、１倍速再生でのマーク長及びスペース長に関して３５ｎｓｅｃ以下の良好なジッター値が得られた。同様に、すべてのマーク長及びスペース長ジッタに関して、３５ｎｓｅｃ以下の良好なジッタが得られている。
また、いずれの線速においても、変調度ｍ１１は６０％〜８０％（０．６〜０．８）、Ｒｔｏｐは１５〜２５％、アシンメトリー値は±１０％以内の値が得られた。Ｐｗ０付近においては、３Ｔ〜１１Ｔのいずれのマーク長及びスペース長においても、基準クロック
周期Ｔの±１０％程度の範囲内で所望のマーク長及びスペース長が得られた。各線速におけるＰｗ０の最大値は２７ｍＷ、最小値は２４ｍＷで、最小値の最大値に対する比は、０．８９である。
次に、各倍速におけるオーバーライト耐久性の評価を行った。各線速で、表−７に示すＰｗ ０ 及びＰｅ／Ｐｗ比において、オーバーライトを行ったときのオーバーライト回数依存性を図３９に表す。図３９において、（ａ）が３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）が３Ｔスペース長ジッタを示す。
以上まとめると本発明記録媒体及び記録パルス分割方式（ＣＤ−ＶＩ−１）を適用すれば、８〜２４倍速の広範囲において、少数のパラメータを可変とする記録パルス分割方式により良好な特性が得られる。
（実施例８）
ついで、実施例５の媒体に対してテスタ１を用い、表−８に示したように、記録パルス分割方式（ＣＤ−ＶＩ−２）を用いて、８倍速から３２倍速までの線速において、オーバーライト記録を行った。記録パルス分割方式（ＣＤ−ＶＩ−２）は、記録パルス分割方法（ＶＩ−Ｂ）を適用した例である。
具体的には、８，１６，２４，２８、３２倍速にてオーバーライトを行った。
表−８において、記録パルス分割方式はｎ＝３の場合とｎが４〜１１の場合とに分けて記載した。ｎ＝３の場合には、Ｔｄ１′、α１′、β１′の３つのパラメータが必要であるが、表−８では、それぞれＴｄ１、αｃ、βｍの欄に記載した。ｎが４〜１１の場合には、Ｔｄ１、αｉ＝αｃ（ｉ＝１〜ｍ）、αｉ′＝αｃ（ｉ＝１〜ｍ−１）、はｎによらず一定とし、Ｔｄ１＋α１＝Ｔｄ１′＋α１′＝２、βｉ−１＋αｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ）、βｉ−１′＋αｉ′＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）とした。よって、βｉ＝２−αｃ（ｉ＝１〜ｍ−１）、βｉ′＝２−αｃ（ｉ＝１〜ｍ−２）となる。さらに、βｍ−１′＝βｍ−１＋Δｍ−１＝βｃ＋Δｍ−１、αｍ′＝αｍ＋Δｍ＝αｃ＋Δｍ、βｍ′＝βｍ＋Δｍ′とし、Δｍ−１、Δｍ、Δｍ′はｍによらず一定とした。ｎ＝４〜１１（２以上のｍ）に関しては、独立パラメータは、αｃ、Δｍ−１、Δｍ、βｍ、Δｍ′である。
尚、ｍ＝２（ｎ＝４、５）においては、α１、α１’、β１、β１’、α２、α２’、β２、β２’を、それぞれ、ｍ＝３の場合におけるα１、α１’、βｍ−１、βｍ−１’、αｍ、αｍ’、βｍ、βｍ’と等しくする。従って、ｎ＝４の場合には、β２＝βｍとする。ｎ＝５の場合には、β１′＝βｃ＋Δｍ−１、α２＝αｃ＋Δｍ、β２′＝βｍ＋Δｍ′とする。
Ｐｗは概ねジッター値が最小となるような記録パワーとしてＰｗ０を選んで、繰り返しオーバーライトを行った。また、その際のＰｅ／Ｐｗ比も表−８に示した。Ｐｂは０．８ｍＷで一定、Ｐｅ／Ｐｗは０．３０で一定とした。
Figure 0004521054
図４０は、８，１６，２４，２８，３２倍速における（ａ）３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）３Ｔスペース長ジッタ、（ｃ）変調度ｍ１１、（ｄ）Ｒｔｏｐ、を示す。いずれの線速においても、概ねＰｗ０±１ｍＷの範囲において、１倍速再生でのマーク長及びスペース長に関して３５ｎｓｅｃ以下の良好なジッター値が得られた。同様にすべてのマーク長及びスペース長ジッタに関して、３５ｎｓｅｃ以下の良好なジッタが得られている。
また、いずれの線速においても、変調度ｍ１１は６０％〜８０％（０．６〜０．８）、
Ｒｔｏｐは１５〜２５％、アシンメトリー値は±１０％以内の値が得られた。Ｐｗ０付近においては、３Ｔ〜１１Ｔのいずれのマーク長及びスペース長においても、±１０％程度の範囲内で所望のマーク長及びスペース長が得られた。各線速におけるＰｗ０の最大値は３２倍速の場合の２９ｍＷ、最小値は８倍速の場合の２６ｍＷで、最小値の最大値に対する比は、１．１２である。
次に、各倍速におけるオーバーライト耐久性の評価を行った。各線速で、表−８に示すＰｗ ０ 及びＰｅ／Ｐｗ比において、オーバーライトを行ったときのオーバーライト回数依存性を図４１に表す。図４１において、（ａ）が３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）が３Ｔスペース長ジッタを示す。
以上まとめると本発明記録媒体及び記録パルス分割方式（ＣＤ−ＶＩ−２）を適用すれば、８〜３２倍速の広範囲において、少数のパラメータを可変とする記録パルス分割方式により良好な特性がえられる。
ここで、低ジッタを得るために、特に重要なパラメータである、ｎが４以上の場合のαｃ、βｍ、Δｍ−１、Δｍ、Δｍ′の線速依存性を図４２、ｎ＝３の場合のＴｄ１′、α１′、β１′の線速依存性を図４３に示した。図４２は、表−８中のｎ＝４〜１１におけるαｃ、βｍ、Δｍ−１、Δｍ、Δｍ′を各線速度に対してプロットしたものである。一方、図４３は、表−８中のｎ＝３におけるＴｄ１′、α１′、β１′を各線速度に対してプロットしたものである。図４２、４３をみてわかるように、多少のずれはあるものの、いずれのパラメータもほぼ線速度に応じて単調に変化しており、αｃ、Δｍ−１、Δｍ、α１′は、低線速ほど小さい値をとり、βｍ、Δｍ′、Ｔｄ１′、β１′は、低線速ほど大きな値をとることがわかる。
そして、少なくともαｃ、Ｔｄ１′、α１′、β１′については、広範囲の線速度での記録において、最高線速度と、最低線速度におけるこれらのパラメータ値を、ほぼ直線的に補完した値を適用すればよいことがわかる。
（実施例９）
上記基本例において、下記のようにしてディスクを製造し記録を行なった。
基板上に、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０からなる下部保護層を９０ｎｍ、Ｇｅ５Ｉｎ１８Ｓｂ７２Ｔｅ５（Ｔｅ０．０５Ｉｎ０．１８（Ｇｅ０．０６Ｓｂ０．９４）０．７７）からなる記録層を１８ｎｍ、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０からなる上部保護層を２７ｎｍ、ＧｅＮからなる界面層を３ｎｍ、Ａｇからなる反射層を２００ｎｍ、紫外線硬化樹脂層約４μｍをこの順に形成し、書換え型コンパクトディスクを作製した。なお、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０の意味は、ＺｎＳを８０ｍｏｌ％、ＳｉＯ２を２０ｍｏｌ％で混合したターゲットを高周波スパッタリング法で作成して得られた膜であることしめす。また、Ｇｅ５Ｉｎ１８Ｓｂ７２Ｔｅ５における組成比は原子数比である。以下の実施例においても同様である。
このＡｇ反射層の体積抵抗率ρｖは、約２４ｎΩ・ｍ、面積抵抗率ρｓは約０．１２Ω／□であった。初期化は、長軸約７５μｍ、短軸約１．０μｍの楕円形スポット形状を有する波長約８１０ｎｍのレーザーダイオード光を短軸方向に、線速約１２ｍ／ｓで走査して行なった。照射パワーは約１１００ｍＷである。
このディスクに、ＮＡ＝０．５０のテスター２を用いて、２４及び８倍速でＥＦＭ変調信号のオーバーライトを行ない、その特性を評価した。
消去パワーＰｅと記録パワーＰｗの比Ｐｅ／Ｐｗは一定としＰｗを２６ｍＷ程度から３６ｍＷ程度まで２ｍＷ刻みで変化させ、それぞれの記録パワーでオーバーライト特性を評価した。いずれも１０回オーバーライト後の値で評価した。
２４倍速記録においては、記録方式ＣＤ１−２を適用し、これを（記録方式ＣＤ１−２ｃ）とする。（記録方式ＣＤ１−２ｃ）は記録パルス分割方法（ＩＩＩ―Ａ）における、独立パラメータの数をさらに限定した使用方法となっている。（記録方式ＣＤ１−２ｃ）
ｍが３以上の場合の、偶数マーク長、ｎＴ＝２ｍＴに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間αｉＴ及びオフパルス区間βｉＴにおけるαｉ及びβｉを、次に様に設定した。
Ｔｄ１＋α１＝２、βｉ−１＋αｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ）、とした。
一方、ｍが３以上の場合の奇数マーク長、ｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間αｉ’Ｔ及びオフパルス区間βｉ’Ｔにおけるαｉ’及びβｉ’を、以下のように設定した。
Ｔｄ１’＋α１’＝２、βｉ−１’＋αｉ’＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）、βｍ−１’＋αｍ’＝２．８５、ただし、βｍ−１’＝βｍ−１＋Δｍ−１、αｍ’＝αｍ＋Δｍ、βｍ’＝βｍ＋Δｍ’とした。
ここで、Ｔｄ１＝Ｔｄ１’＝１、α１＝α１’＝１、αｉ＝αｉ’＝αｃ＝０．９（ｉ＝２〜ｍ−１のｉに対してαｃは一定）、βｍ−１＝１．１、Δｍ−１＝０．３５，Δｍ＝０．５、Δｍｍ＝０．８５，αｍ＝０．９、βｍ＝０．４、Δｍ’＝０で、２以上のｍに対しては一定である。
ただし、ｍ＝２（ｎ＝４、５）の場合には、α１、α１’、β１、β１’、α２、α２’、β２、β２’をそれぞれｍ＝３の場合のα１、α１’、β２（βｍ−１）、β２’（βｍ−１’）、α３（αｍ）、α３’（αｍ’）、β３（βｍ）、β３’（βｍ’）と等しくする。すなわち、４Ｔマークに対しては、α１＝１、β１＝１．１、α２＝０．９、βｍ＝０．４とし、５Ｔマークに対しては、α１＝１、β１’＝１．４５、α２’＝１．４、βｍ’＝０．４とした。
ｍ＝１、すなわち３Ｔマークに対しては、Ｔｄ１’＝０．９、α１’＝１．４、β１’＝０．８５とした。
一方、８倍速記録の場合には、記録方式ＣＤ２−２として、以下の（記録方式ＣＤ２−２ｄ）を使用した。（記録方式ＣＤ２−２ｄ）は記録パルス分割方法（ＶＩ）における、独立パラメータの数をさらに限定した使用方法となっている。（記録方式ＣＤ２−２ｄ）
ｍが３以上の場合の、偶数マーク長ｎＴ＝２ｍＴに対しては、マークの記録に際して、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間αｉＴ及びオフパルス区間βｉＴにおけるαｉ及びβｉを、Ｔｄ１＋α１＝２、βｉ−１＋αｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ）、とした。
一方、ｍが３以上の奇数マーク長がｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔに対しては、マークの記録に際して、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間αｉ’Ｔ及びオフパルス区間βｉ’Ｔにおけるαｉ’及びβｉ’を、Ｔｄ１’＋α１’＝２、βｉ−１’＋αｉ’＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）、βｍ−１’＋αｍ’＝２．４、ただし、βｍ−１’＝βｍ−１＋Δｍ−１、αｍ’＝αｍ＋Δｍ、βｍ’＝βｍ＋Δｍ’、とした。
ここで、Ｔｄ１＝Ｔｄ１’＝１．６５，α１＝α１’＝０．３５，αｉ＝αｉ’＝αｃ＝０．３５（ｉ＝２〜ｍ−１なるｉに対して、αｃは一定）、βｍ−１＝１．６５、Δｍ−１＝０．２５、Δｍ＝０．１５，Δｍｍ＝０．４、αｍ＝０．３５、βｍ＝１．０、Δｍ’＝０．５５で、２以上のｍに対しては一定である。
ただし、ｍ＝２（ｎ＝４、５）の場合には、α１、α１’、β１、β１’、α２、α２’、β２、β２’をそれぞれｍ＝３の場合のα１、α１’、β２（βｍ−１）、β２’（βｍ−１’）、α３（αｍ）、α３’（αｍ’）、β３（βｍ）、β３’（βｍ’）と等しくする。すなわち、４Ｔマークに対しては、α１＝０．３５、β１＝１．６５、α２＝
０．３５、βｍ＝１．０とし、５Ｔマークに対しては、α１’＝０．３５、β１’＝１．９、α２’＝０．５、β２’＝１．５５とした。
３Ｔマークに対しては、Ｔｄ１’＝１．６５、α１’＝０．５、β１’＝１．９としている。
なお、各記録方式でのＴｄ１、αｉ、βｉ等を表−９にまとめて示す。
表―９において、記録パルス分割方式はｎ＝３の場合とｎが４〜１１の場合とに分けて記載した。ｎ＝３の場合には、Ｔｄ１’、α１’、β１’の３つのパラメータが必要であるが、表−９では、それぞれＴｄ１、α１、βｍの欄に記載した。ｎが４〜１１の場合には、記録パルス分割方法（ＩＩＩ−Ａ）において、Ｔｄ１＋α１＝Ｔ ｄ１ ’＋α１’＝２、β１＋α２＝βｍ−１＋αｍ＝２、α１＝αｍ＝αｃ、Δｍはｍによらず一定とした。したがって、表−９では、Ｔｄ１、β１、βｍ−１、βｍ、αｍも含めて１０個のパラメータを記載しているが、独立パラメータはα１、αｃ、Δｍ−１、Δｍ、Δｍ’の５個である。また、ｎ＝４の場合には、β１＝βｍ−１＝βｃ、α２＝αｍ＝αｃ、β２＝βｍである。ｎ＝５の場合には、β１’＝βｃ＋Δｍ−１、α２＝αｃ＋Δｍ、β２’＝βｍ’である。
Figure 0004521054
オーバーライト特性の評価結果を２４倍速の（記録方式ＣＤ１−２ｃ）と、８倍速の（記録方式ＣＤ２−２ｄ）について図４４に示す。消去パワーＰｅと記録パワーＰｗの比Ｐｅ／Ｐｗは、２４倍速の（記録方式ＣＤ１−２ｃ）は０．２７、８倍速の（記録方式ＣＤ２−２ｄ）は０．２７で一定とした。（記録方式ＣＤ１−２ｃ）では、Ｐｗを２６ｍＷ程度から３８ｍＷ程度まで２ｍＷ刻みで変化させた。（記録方式ＣＤ２−２ｄ）では、Ｐｗを２６ｍＷ程度から３６ｍＷ程度まで２ｍＷ刻みで変化させた。バイアスパワーＰｂは一定の値０．８ｍＷとしている。
各図において、それぞれ（ａ）３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）３Ｔスペース長ジッタ、（ｃ）変調度ｍ１１、（ｄ）Ｒｔｏｐ、のＰｗ依存性を表す。
最適記録パワーは２４倍速記録の（記録方式ＣＤ１−２ｃ）では２８−３２ｍＷ付近、８倍速記録の（記録方式ＣＤ２−２ｄ）では２８−３２ｍＷ付近であり、オーバーライト特性もこのパワーにおける値で評価した。
図４４の（ａ）、（ｂ）の図中の横線は１倍速再生時のジッタ規格上限値＝３５（ｎｓｅｃ）を示す。いずれの線速においても３５ｎｓｅｃ以下の良好なジッター値が得られている。
図４４の（ｃ）、（ｄ）から、いずれの線速においても、変調度ｍ１１は６０％〜８０％（０．６〜０．８）、Ｒｔｏｐは１５〜２５％の値が得られている。
また、最適記録パワー付近においては、３Ｔ〜１１Ｔのマーク長及びスペース長において、基準クロック周期Ｔの±１０％程度の範囲内で所望のマーク長及びスペース長が得られた。アシンメトリー値は±１０％以内の値が得られた。
以上まとめると、８、２４倍速においては良好な記録特性が得られており、再生信号は、既存のＣＤドライブで再生可能な品質である。また、この間の線速においても記録パルス分割方法を本発明のごとく可変とすることによって良好な特性がえられる。
次に、２４倍速の（記録方式ＣＤ１−２ｃ）、８倍速における（記録方式ＣＤ２−２ｄ）を用いた場合のオーバーライト耐久性の評価結果を記す。それぞれ、Ｐｗ／Ｐｅ＝３０ｍＷ／８ｍＷで繰返しオーバーライトを行ったときのオーバーライト回数依存性を図４５に表す。各図において、（ａ）が３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）が３Ｔスペース長ジッタを示す。図４５において、繰り返しオーバーライト回数を対数グラフで表示する都合上、初回記録を１回目オーバーライトとし、その上に９回オーバーライトした時を１０回めオーバーライトというように表している。以下の実施例においても同様に、対数軸上に繰り返しオーバーライト回数を表している。
いずれの線速においてもＣＤ−ＲＷに要求される１０００回というオーバーライト耐久性は十分満たされていた。
さらに、各線速における消去比を測定した。８倍速においては、（記録方式ＣＤ２−２ｄ）の３Ｔ、１１Ｔのパルスを用い、２４倍速においては（記録方式ＣＤ１−２ｃ）の３Ｔ、１１Ｔのパルスを用いて、３Ｔ／１１Ｔオーバーライト消去比を測定した。８倍速、２４倍速で３Ｔ／１１Ｔオーバーライト消去比は、それぞれ２５ｄＢ以上となり、それぞれの線速において、十分な消去比が得られている。
また、（記録方式ＣＤ１−２ｃ）を用い、２４倍速で記録を行ったディスクを１０５℃の加速試験に投入したところ、３時間経過しても記録済み信号の劣化はほとんど見られなかった。ジッタの変化は２ｎｓｅｃ程度であり、１倍速再生で３５ｎｓｅｃ以下であり、反射率Ｒｔｏｐ、変調度ｍ１１もほとんど低下しておらず、初期値の９０％以上を維持していた。
（実施例１０）
上記基本例において、下記のようにしてディスクを製造し記録を行なった。
基板上に、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０からなる下部保護層を９０ｎｍ、Ｇｅ３Ｉｎ１８Ｓｂ７４Ｔｅ５（Ｔｅ０．０５Ｉｎ０．１８（Ｇｅ０．０４Ｓｂ０．９６）０．７７）からなる記録層を１８ｎｍ、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０からなる上部保護層を２７ｎｍ、ＧｅＮからなる界面層を３ｎｍ、Ａｇからなる反射層を２００ｎｍ、紫外線硬化樹脂層約４μｍをこの順に形成し、書換え型コンパクトディスクを作製した。なお、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０の意味は、ＺｎＳを８０ｍｏｌ％、ＳｉＯ２を２０ｍｏｌ
％で混合したターゲットを高周波スパッタリング法で作成して得られた膜であることしめす。また、Ｇｅ３Ｉｎ１８Ｓｂ７４Ｔｅ５における組成比は原子数比である。以下の実施例においても同様である。
このＡｇ反射層の体積抵抗率ρｖは約２４ｎΩ・ｍ、面積抵抗率ρｓは約０．１２Ω／□であった。初期化は、長軸約７５μｍ、短軸約１．０μｍの楕円形スポット形状を有する波長約８１０ｎｍのレーザーダイオード光を短軸方向に、線速約１２ｍ／ｓで走査して行なった。照射パワーは約９５０ｍＷである。
このディスクに、ＮＡ＝０．５０のテスター２を用いて、表―１０に示したような記録方式を用いて、８，１６，２４，３２倍速にて、ＥＦＭ変調信号のオーバーライトを行ない、その特性を評価した。
３２倍速における本記録パルス分割方法は、（記録方式１−２）の例であり、（記録方式ＣＤ１−２ｄ）と称する。また、８，１６，２４倍速における本記録パルス分割方法は、（記録方式２−２）の例であり、（記録方式ＣＤ２−２ｅ）と称する。
表−１０において、上記、記録方式はｎ＝３の場合とｎが４〜１１の場合とに分けて記載した。ｎ＝３の場合には、Ｔｄ１’、α１’、β１’の３つのパラメータが必要であるが、表−１０では、それぞれＴｄ１、α１、βｍの欄に記載した。ｎが４〜１１の場合には、Ｔｄ１、α１、α１’、αｉ＝αｃ（ｉ＝２〜ｍ）、αｉ’＝αｃ（ｉ＝２〜ｍ−１）、はｎによらず一定とし、Ｔｄ１＋α１＝Ｔｄ１’＋α１’＝２、βｉ−１＋αｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ）、βｉ−１’＋αｉ’＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）とした。よって、βｉ＝２−αｃ（ｉ＝２〜ｍ−１）、βｉ’＝２−αｃ（ｉ＝２〜ｍ−２）となる。さらに、βｍ−１’＝βｍ−１＋Δｍ−１＝βｃ＋Δｍ−１、αｍ’＝αｍ＋Δｍ＝αｃ＋Δｍ、βｍ’＝βｍ＋Δｍ’とし、Δｍ−１、Δｍ、Δｍ’はｍによらず一定とした。ｎ＝４〜１１（２以上のｍ）に関しては、独立パラメータは、α１、αｃ、Δｍ−１、Δｍ、βｍ、Δｍ’である。
尚、ｍ＝２（ｎ＝４、５）においては、α１、α１’、β１、β１’、α２、α２’、β２、β２’を、それぞれ、ｍ＝３の場合におけるα１、α１’、βｍ−１、βｍ−１’、αｍ、αｍ’、βｍ、βｍ’と等しくする。従って、ｎ＝４の場合には、β２＝βｍとする。ｎ＝５の場合には、β１’＝βｃ＋Δｍ−１、α２＝αｃ＋Δｍ、β２’＝βｍ＋Δｍ’とする。
表−１０の各記録方式は、ＣＡＶ記録等、広範囲の線速度でのオーバーライトに適用される本発明記録パルス分割方式（ＶＩ−Ａ）の例でもあり、かつ、３２倍速でα１≠αｃとなっている点を除けば記録パルス分割方式（ＶＩ−Ｂ）と同等である。
消去パワーＰｅと記録パワーＰｗの比Ｐｅ／Ｐｗは一定としＰｗを２９ｍＷ程度から４０ｍＷ程度まで１ｍＷ刻みで変化させ、それぞれの記録パワーでオーバーライト特性を評価した。いずれも１０回オーバーライト後の値で評価した。バイアスパワーＰｂはほぼ０ｍＷの一定値をとり、Ｐｅ／Ｐｗは０．２７で一定とした。概ねジッター値が最小となるような記録パワーとしてＰｗ０を表１０に示す。
Figure 0004521054
図４６は、８，１６，２４，３２倍速における（ａ）３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）３Ｔスペース長ジッタ、（ｃ）変調度ｍ１１、（ｄ）Ｒｔｏｐ、を示す。いずれの線速においても、概ねＰｗ０±１ｍＷの範囲において、１倍速再生でのマーク長及びスペース長に関して３５ｎｓｅｃ以下の良好なジッター値が得られた。同様にすべてのマーク長及びスペース長ジッタに関して、３５ｎｓｅｃ以下の良好なジッタが得られている。
また、いずれの線速においても、少なくとも概ねＰｗ０±１ｍＷの範囲においては、変調度ｍ１１は６０％〜８０％（０．６〜０．８）、Ｒｔｏｐは１５〜２５％、アシンメトリー値は±１０％以内の値が得られた。Ｐｗ０付近においては、３Ｔ〜１１Ｔのいずれのマーク長及びスペース長においても、基準クロック周期に対して±２０％程度の範囲内で
所望のマーク長及びスペース長が得られた。
以上まとめると本発明記録媒体及び本発明記録パルス分割方法（ＶＩ−Ａ）を適用すれば、８〜３２倍速の広範囲において、少数のパラメータを可変とする記録パルス分割方法により良好な特性が得られ、再生信号は既存のＣＤドライブで再生可能な品質である。また、この間の線速においても記録パルス分割方法を本発明のごとく可変とすることによって良好な特性がえられる。
次に、各倍速におけるオーバーライト耐久性の評価を行った。各線速で、表−１０に示すＰｗｏ及びＰｅ／Ｐｗ比において、オーバーライトを行ったときのオーバーライト回数依存性を図４７に表す。図４７において、（ａ）が３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）が３Ｔスペース長ジッタを示す。
いずれの線速においてもＣＤ−ＲＷに要求される１０００回というオーバーライト耐久性は十分満たされていた。
さらに、各線速における消去比を測定した。８倍速、３２倍速においては表−１０の記録パルス分割方法の３Ｔ、１１Ｔのパルスを用いて、３Ｔ／１１Ｔオーバーライト消去比を測定すると、それぞれ２５ｄＢ以上となり、それぞれの線速において十分な消去比が得られている。
また、表−１０の（記録方式ＣＤ１−２ｄ）を用い、３２倍速で記録を行ったディスクを１０５℃の加速試験に投入したところ、３時間経過しても記録済み信号の劣化はほとんど見られなかった。ジッタの変化は２ｎｓｅｃ程度であり、１倍速再生で３５ｎｓｅｃ以下であり、反射率Ｒｔｏｐは、初期値の１０％強の低下を示したが、変調度ｍ１１はほとんど低下しておらず、初期値の９０％以上を維持していた。
（実施例１１）
実施例９のディスクに、ＮＡ＝０．５０のテスター２を用いて、下記の３種類の記録方式にて、２４倍速でＥＦＭ変調信号のオーバーライトを行ない、その特性を評価した。
消去パワーＰｅと記録パワーＰｗの比Ｐｅ／Ｐｗは０．２７から、一定としＰｗを２６ｍＷ程度から３６ｍＷ程度まで１ｍＷ刻みで変化させ、それぞれの記録パワーでオーバーライト特性を評価した。いずれも１０回オーバーライト後の値で評価した。バイアスパワーＰｂはほぼゼロの一定値とした。
（記録方式ＣＤ１−２ｅ）この記録方式は記録パルス分割方法（ＩＩＩ―Ａ）における、独立パラメータの数をさらに限定した使用方法となっている。
ｍが３以上の場合の、偶数マーク長、ｎＴ＝２ｍＴに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間αｉＴ及びオフパルス区間βｉＴにおけるαｉ及びβｉを、次に様に設定した。
Ｔｄ１＋α１＝２、βｉ−１＋αｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ）、とした。
一方、ｍが３以上の場合の奇数マーク長、ｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間αｉ’Ｔ及びオフパルス区間βｉ’Ｔにおけるαｉ’及びβｉ’を、以下のように設定した。
Ｔｄ１’＋α１’＝２、βｉ−１’＋αｉ’＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）、βｍ−１’＋αｍ’＝２．８５、ただし、βｍ−１’＝βｍ−１＋Δｍ−１、αｍ’＝αｍ＋Δｍ、βｍ’＝βｍ＋Δｍ’とした。
ここで、Ｔｄ１＝Ｔｄ１’＝１、α１＝α１’＝１、αｉ＝αｉ’＝αｃ＝０．９（ｉ＝２〜ｍ−１のｉに対してαｃは一定）、βｍ−１＝１．１、Δｍ−１＝０．３５，Δｍ＝０．５、Δｍｍ＝０．８５，αｍ＝０．９、βｍ＝０．４、Δｍ’＝０で、２以上のｍに対しては一定である。
ただし、ｍ＝２の場合のβ１、α２、β２、β１’、α２’、β２’は、それぞれ、ｍが３以上の場合の、βｍ−１、αｍ、βｍ、βｍ−１’、αｍ’、βｍ’とみなす。すなわち、４Ｔマークに対しては、β１＝１．１、α２＝０．９、βｍ＝０．４とし、５Ｔマークに対しては、β１’＝１．４５、α２’＝１．４、βｍ’＝０．４とした。
ｍ＝１、すなわち３Ｔマークに対しては、Ｔｄ１’＝１．０、α１’＝１．４、β１’＝０．８５とした。
なお、記録方式でのＴｄ１、αｉ、βｉ等を表−１１にまとめて示す。
表−１１において、記録パルス分割方式はｎ＝３の場合とｎが４〜１１の場合とに分けて記載した。ｎ＝３の場合には、Ｔｄ１’、α１’、β１’の３つのパラメータが必要であるが、表−１１では、それぞれＴｄ１、α１、βｍの欄に記載した。ｎが４〜１１の場合には、記録パルス分割方法（ＩＩＩ−Ａ）において、Ｔｄ１＋α１＝Ｔ ｄ１ ’＋α１’＝２、β１＋α２＝βｍ−１＋αｍ＝２、α１＝αｍ＝αｃ、Δｍはｍによらず一定とした。したがって、表−１１では、Ｔｄ１、β１、βｍ−１、βｍ、αｍも含めて１０個のパラメータを記載しているが、独立パラメータはα１、αｃ、Δｍ−１、Δｍ、Δｍ’の５個である。また、ｎ＝４の場合には、β１＝βｍ−１＝βｃ、α２＝αｍ＝αｃ、β２＝βｍである。ｎ＝５の場合には、β１’＝βｃ＋Δｍ−１、α２＝αｃ＋Δｍ、β２’＝βｍ’である。
Figure 0004521054
（比較記録パルス分割方法Ｉ）
この記録パルス分割方法は、本発明記録パルス分割方法（ＩＩ−Ａ）に類似しているものの、αｍ＝αｍ’、すなわちΔｍ＝０としている点が、本発明記録方式とは異なる。具体的には、（比較記録方式ＣＤ１）
ｍが３以上の場合の、偶数マーク長、ｎＴ＝２ｍＴに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間αｉＴ及びオフパルス区間βｉＴにおけるαｉ及びβｉを、次に様に設定した。
Ｔｄ１＋α１＝２、βｉ−１＋αｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ）、とした。
一方、ｍが３以上の場合の奇数マーク長、ｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔに対しては、マークを
ｍ個の区間に分割し、記録パルス区間αｉ’Ｔ及びオフパルス区間βｉ’Ｔにおけるαｉ’及びβｉ’を、以下のように設定した。
Ｔｄ１’＋α１’＝２、β１’＋α２’＝２．４５ただし、β１’＝β１＋Δ１βｉ−１’＋αｉ’＝２（ｉ＝３〜ｍ−１）、βｍ−１’＋αｍ’＝２．４５、ただし、βｍ−１’＝βｍ−１＋Δｍ−１、αｍ’＝αｍ、βｍ’＝βｍとした。
ここで、Ｔｄ１＝Ｔｄ１’＝１、α１＝α１’＝１、β１＝１．１、Δ１＝０．４５，αｉ＝αｉ’＝αｃ＝０．９（ｉ＝２〜ｍ−１のｉに対してαｃは一定）、βｍ−１＝１．１、Δｍ−１＝０．４５，Δｍ＝０、Δｍｍ＝０．４５，αｍ＝０．９、βｍ＝βｍ’＝０．４、Δｍ’＝０で、３以上のｍに対しては一定である。
また、ｍ＝２の場合、４Ｔマークに対しては、Ｔｄ１＝１、α１＝１、β１＝１．１、α２＝αｍ＝０．９、βｍ＝０．４とし、
５Ｔマークに対しては、Ｔｄ１’＝１、α１’＝１、β１’＝１．４５、α２’＝αｍ’＝０．９、βｍ’＝０．４とした。
ｍ＝１、すなわち３Ｔマークに対しては、Ｔｄ１’＝１、α１’＝１．４、β１’＝０．８５とした。
なお、（比較記録方式ＣＤ１）でのＴｄ１、αｉ、βｉ等を表−１２にまとめて示す。ｍが３以上の場合に関しては、記録パルス分割方法（ＩＩ）における、１０個のパラメータ（Ｔｄ１、α１、β１、Δ１、αｃ、βｍ−１、Δｍ−１、αｍ、Δｍ、βｍ）及び、ｎ＝３，４，５におけるＴｄ１、αｉ、βｉを記載した。ただし、ｎ＝３の場合の（Ｔｄ１’、α１’、β１’）は、Ｔｄ１、α１、β１の項に記載した。ｎ＝４の場合の（Ｔｄ１、α１、β１、α２、β２）及び、ｎ＝５の場合の（Ｔｄ１’、α１’、β１’、α２、’、β２’）は、Ｔｄ１、α１、β１、αｍ、βｍの欄に記載した。ここで、Δｍ＝０である点が、本発明記録方法とは異なる。
Figure 0004521054
（比較記録パルス分割方法ＩＩ）この比較記録パルス分割方法は本発明記録パルス分割方法（ＩＩＩ―Ａ）において、ｍが３以上の同一のｍにおける偶数長マークと奇数長のマークとの１Ｔのマーク長差をΔｍのみ（αｍ≠αｍ’のみ）で付与しようとしている点が異なる。具体的には、（比較記録方式ＣＤ２）
ｍが３以上の場合の、偶数マーク長、ｎＴ＝２ｍＴに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間αｉＴ及びオフパルス区間βｉＴにおけるαｉ及びβｉを、次に様に設定した。
Ｔｄ１＋α１＝２、βｉ−１＋αｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ）、とした。
一方、ｍが３以上の場合の奇数マーク長、ｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間αｉ’Ｔ及びオフパルス区間βｉ’Ｔにおけるαｉ’及びβｉ’を、以下のように設定した。
Ｔｄ１’＋α１’＝２、βｉ−１’＋αｉ’＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）、βｍ−１’＋αｍ’＝２．６ただし、βｍ−１’＝βｍ−１＋Δｍ−１、αｍ’＝αｍ＋Δｍ、βｍ’＝βｍ＋Δｍ’とした。
ここで、Ｔｄ１＝Ｔｄ１’＝１、α１＝α１’＝１、β１＝１．１、αｉ＝αｉ’＝αｃ＝０．９（ｉ＝２〜ｍ−１のｉに対してαｃは一定）、βｍ−１＝１．１、Δｍ−１＝０，Δｍ＝０．６、Δｍｍ＝０．６，αｍ＝０．９、βｍ＝βｍ’＝０．４、Δｍ’＝０で、３以上のｍに対しては一定である。
ただし、ｍ＝２の場合のβ１、α２、β２、β１’、α２’、β２’は、それぞれ、ｍが３以上の場合の、βｍ−１、αｍ、βｍ、βｍ−１’、αｍ’、βｍ’とみなす。すなわち、４Ｔマークに対しては、β１＝１．１、α２＝０．９、βｍ＝０．４とし、５Ｔマークに対しては、β１’＝１．１、α２’＝１．５、βｍ’＝０．４とした。
ｍ＝１、すなわち３Ｔマークに対しては、Ｔｄ１’＝１．０、α１’＝１．４、β１’＝０．８５とした。
なお、記録方式でのＴｄ１、αｉ、βｉ等を表−１３にまとめて示す。
表−１３において、記録パルス分割方式はｎ＝３の場合とｎが４〜１１の場合とに分けて記載した。ｎ＝３の場合には、Ｔｄ１’、α１’、β１’の３つのパラメータが必要であるが、表−１３では、それぞれＴｄ１、α１、βｍの欄に記載した。
また、ｎ＝４の場合には、β１＝βｍ−１＝βｃ、α２＝αｍ＝αｃ、β２＝βｍである。ｎ＝５の場合には、β１’＝βｃ＋Δｍ−１、α２＝αｃ＋Δｍ、β２’＝βｍ’である。
Figure 0004521054
オーバーライト特性の評価結果を（記録方式ＣＤ１−２ｅ）、（比較記録方式ＣＤ１）、（比較記録方式ＣＤ２）について図４８に示す。
図４８には、（ａ）３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）３Ｔスペース長ジッタ、（ｃ）変調度ｍ１１、（ｄ）Ｒｔｏｐ、のＰｗ依存性がそれぞれ示されている。
最適記録パワーは（記録方式ＣＤ１−２ｅ）では２８−３３ｍＷ付近、（比較記録方式ＣＤ１）では２９−３３ｍＷ付近、（比較記録方式ＣＤ２）では２９−３４ｍＷ付近となり、オーバーライト特性もこのパワーにおける値で評価される。
図４８の（ａ）、（ｂ）の図中の横線は１倍速再生時のジッタ規格上限値＝３５（ｎｓ
ｅｃ）を示す。いずれの場合も３５ｎｓｅｃ以下の良好なジッター値が得られている。
図４８の（ｃ）、（ｄ）から、いずれの場合も変調度ｍ１１は６０％〜８０％（０．６〜０．８）、Ｒｔｏｐは１５〜２５％の値が得られている。
また、最適記録パワー付近においては、いずれの場合も３Ｔ〜１１Ｔのマーク長及びスペース長において、基準クロック周期に対して±２０％程度の範囲内で所望のマーク長及びスペース長が得られた。アシンメトリー値は±１０％以内の値が得られた。
しかしながら、（比較記録方式ＣＤ１）及び（比較記録方式ＣＤ２）の３Ｔスペースジッタの値は、（記録方式ＣＤ１−２ｅ）の３Ｔスペースジッタの値よりやや高くなった。
次に、（記録方式ＣＤ１−２ｅ）、（比較記録方式ＣＤ１）、（比較記録方式ＣＤ２）を用いた場合のオーバーライト耐久性の評価結果を図４９に表す。繰り返しオーバーライト特性の評価においては、（記録方式ＣＤ１−２ｅ）のＰｗ／ＰｅはＰｗ／Ｐｅ＝３０ｍＷ／８ｍＷとし、（比較記録方式ＣＤ１）のＰｗ／ＰｅはＰｗ／Ｐｅ＝３１ｍＷ／８．４ｍＷとし、（比較記録方式ＣＤ２）のＰｗ／ＰｅはＰｗ／Ｐｅ＝３１ｍＷ／８．４ｍＷとした。
図４９において、（ａ）が３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）が３Ｔスペース長ジッタを示す。図４９において、繰り返しオーバーライト回数を対数グラフで表示する都合上、初回記録を１回目オーバーライトとし、その上に９回オーバーライトした時を１０回めオーバーライトというように表している。
図４９（ａ）、（ｂ）より、（記録方式ＣＤ１−２ｅ）で記録を行うと、１０００回オーバーライト後もジッタ値は３５ｎｓｅｃ以下となる一方で、（比較記録方式ＣＤ１）及び（比較記録方式ＣＤ２）で記録を行うと、１０００回オーバーライト後のスペース長のジッタ値が３５ｎｓを上回る結果となった。
（実施例１２）
上記基本例において、下記のようにしてディスクを製造し記録を行なった。
基板上に、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０からなる下部保護層を９５ｎｍ、Ｇｅ１６Ｓｂ６４Ｓｎ２０（Ｓｎ０．２（Ｇｅ０．２Ｓｂ０．８）０．８）からなる記録層を１５ｎｍ、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０からなる上部保護層を３０ｎｍ、Ｔａからなる界面層を４ｎｍ、Ａｇからなる反射層を２１０ｎｍ、紫外線硬化樹脂層約４μｍをこの順に形成し、書換え型コンパクトディスクを作製した。なお、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０の意味は、ＺｎＳを８０ｍｏｌ％、ＳｉＯ２を２０ｍｏｌ％で混合したターゲットを高周波スパッタリング法で作成して得られた膜であることしめす。また、Ｇｅ１６Ｓｂ６４Ｓｎ２０における組成比は原子数比である。以下の実施例においても同様である。
このＡｇ反射層の体積抵抗率ρｖは約２７ｎΩ・ｍ、面積抵抗率ρｓは約０．１３Ω／□であった。初期化は、長軸約７５μｍ、短軸約１．０μｍの楕円形スポット形状を有する波長約８１０ｎｍのレーザーダイオード光を短軸方向に、線速約１２ｍ／ｓで走査して行なった。照射パワーは約９５０ｍＷである。
このディスクに、ＮＡ＝０．５０のテスター２を用いて、実施例１０の３つの記録方式、すなわち（記録方式ＣＤ１−２ｅ）、（比較記録方式ＣＤ１）、（比較記録方式ＣＤ２）により２４倍速でＥＦＭ変調信号のオーバーライトを行ない、その特性を評価した。
消去パワーＰｅと記録パワーＰｗの比Ｐｅ／Ｐｗは一定としＰｗを２６ｍＷ程度から４０ｍＷ程度まで１ｍＷ刻みで変化させ、それぞれの記録パワーでオーバーライト特性を評価した。いずれも１０回オーバーライト後の値で評価した。バイアスパワーＰｂはほぼゼロで一定とした。
（記録方式ＣＤ１−２ｅ）、（比較記録方式ＣＤ１）、（比較記録方式ＣＤ２）のそれ
ぞれの記録方式で記録を行った場合のオーバーライト特性の評価結果を図５０に示す。
図５０の（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ（ａ）３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）３Ｔスペース長ジッタ、（ｃ）変調度ｍ１１、（ｄ）Ｒｔｏｐ、のＰｗ依存性を表す。
最適記録パワーは（記録方式ＣＤ１−２ｅ）では２９−３７ｍＷ付近、（比較記録方式ＣＤ１）では３０−３７ｍＷ付近、（比較記録方式ＣＤ２）では３５−３７ｍＷ付近となり、オーバーライト特性もこのパワーにおける値で評価される。
図５０の（ｃ）、（ｄ）から、いずれの場合も変調度ｍ１１は６０％〜８０％（０．６〜０．８）、Ｒｔｏｐは１５〜２５％の値が得られている。
また、最適記録パワー付近においては、いずれの場合も３Ｔ〜１１Ｔのマーク長及びスペース長において、±１０％程度の範囲内で所望のマーク長及びスペース長が得られた。アシンメトリー値は±１０％以内の値が得られた。
図５０の（ｂ）のからわかるように、（記録方式１−２ｅ）で記録を行うと、３Ｔスペースジッタは３５ｎｓｅｃ以下と良好である。しかしながら、（記録方式ＣＤ１−２ｅ）で記録を行う場合と比較して、（比較記録方式ＣＤ１）及び（比較記録方式ＣＤ２）で記録を行うと、３Ｔスペース長ジッタが高くなることがわかる。特に（比較記録方式ＣＤ２）では、３Ｔスペース長ジッタは、全てのＰｗにおいて３５ｎｓｅｃよりも大きくなった。
次に、（記録方式ＣＤ１−２ｅ）、（比較記録方式ＣＤ１）を用いた場合のオーバーライト耐久性の評価結果を図５１に表す。オーバーライト耐久性の測定においては、（記録方式ＣＤ１−２ｅ）で記録を行う場合はＰｗ／Ｐｅ＝３３ｍＷ／９ｍＷとし、（比較記録方式ＣＤ１）で記録を行う場合はＰｗ／Ｐｅ＝３３ｍＷ／９ｍＷとした。なお、（比較記録方式ＣＤ２）では、初期のジッタ特性がそもそも良くないので、オーバーライト耐久性評価は行わなかった。
図５１において、（ａ）が３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）が３Ｔスペース長ジッタを示す。図５１において、繰り返しオーバーライト回数を対数グラフで表示する都合上、初回記録を１回目オーバーライトとし、その上に９回オーバーライトした時を１０回めオーバーライトというように表している。（記録方式ＣＤ１−２ｅ）で記録を行う場合においては、１０００回というオーバーライト後もジッタ値は３５ｎｓｅｃ以下であった。一方、（比較記録方式ＣＤ１）では、全てのオーバーライト回数においてスペース長のジッタ値が、（記録方式ＣＤ１−２ｅ）で記録を行う場合のスペース長のジッタ値と比較して高くなった。
以上の結果からも、本発明記録パルス分割方法（ＩＩＩ−Ａ）である（記録方式ＣＤ１−２ｅ）の優れた点は明らかである。
この他にも（比較記録方式ＣＤ１）は、β１とβ１’において差Δ１を付与する。このため、Δ１が基準クロック周期Ｔと同期しうるような値でない場合（例えば、Δ１が基準クロック周期Ｔの整数倍（実際上１ないしは２倍周期まで）でない場合、又は、Δ１が基準クロック周期Ｔの整数分の１（実際上、１／２Ｔあるいは１／４まで）でない場合）は、後続の記録パルスすべてが、基準クロックと周期しなくなるため、記録パルス発生回路の設計が複雑になる。特に、Ｐ−ＣＡＶやＣＡＶ方式で（比較記録方式ＣＤ１）を用いようとすると、記録パルス発生回路が一層複雑になる。
一方、（比較記録方式ＣＤ２）は、αｍとαｍ’においてΔｍを付与するのみであるから、記録パルス発生回路は簡便にできる利点はある。しかしながら、本実施例における光記録媒体を８倍速や１６倍速等の低線速度で使用する場合には、（比較記録方式ＣＤ２）ではβｉ及びβｉ’を制御しないので、冷却が不十分となり、（記録方式ＣＤ１−２ｅ）のような本発明記録方法との差は一層顕著になる。すなわち、低線速度において（比較記録
方式ＣＤ２）で記録した場合の記録信号品質は一層悪化するのである。
（実施例１３）
実施例１２のディスクに、ＮＡ＝０．５０のテスター２を用いて、下記の３種類の記録パルス分割方法にて、８倍速から２４倍速の線速において、ＥＦＭ変調信号のオーバーライトを行ない、その特性を評価した。下記の３種類の記録パルス分割方法は、ＣＡＶ，Ｐ−ＣＡＶ等の広範囲の線速でオーバーライトを可能とするための記録パルス分割方法（ＶＩ）、（ＶＩ−Ａ）、及び（ＶＩ−Ｂ）のうち、特に、線速に応じて可変とするパラメータの数を少なくし、各線速度ごとに最適パラメータを見出すことを容易にした例である。
消去パワーＰｅと記録パワーＰｗの比Ｐｅ／Ｐｗは０．２７一定としＰｗを変化させ、それぞれの記録パワーでオーバーライト特性を評価した。いずれも１０回オーバーライト後の値で評価した。Ｐｂはほぼ０ｍＷで一定とした。
（記録パルス分割方式ＣＤ−ＶＩ−３）
この記録方式は、記録パルス分割方法（ＶＩ−Ｂ）の例であるが、Δｍ−１＝０とし、Δｍ、Δｍ’のみを各線速度で最適化することで、奇数／偶数長のマーク長差を付与している。
表−１４において、記録パルス分割方式はｎ＝３の場合とｎが４〜１１の場合とに分けて記載した。ｎ＝３の場合には、Ｔｄ１’、α１’、β１’の３つのパラメータが必要であるが、表−１４では、それぞれＴｄ１、α１、βｍの欄に記載した。ｎが４〜１１の場合には、Ｔｄ１、α１、α１’、αｉ＝αｃ（ｉ＝２〜ｍ）、及びαｉ’＝αｃ（ｉ＝２〜ｍ−１）は、ｎによらず一定とし、Ｔｄ１＋α１＝Ｔｄ１’＋α１’＝２、βｉ−１＋αｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ）、βｉ−１’＋αｉ’＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）とした。よって、βｉ＝２−αｃ（ｉ＝２〜ｍ−１）、βｉ’＝２−αｃ（ｉ＝２〜ｍ−２）となる。さらに、βｍ−１’＝βｍ−１＋Δｍ−１＝βｃ＋Δｍ−１、αｍ’＝αｍ＋Δｍ＝αｃ＋Δｍ、βｍ’＝βｍ＋Δｍ’とし、Δｍ−１、Δｍ、Δｍ’はｍによらず一定とした。ここで、Δｍ−１は、ｍおよび線速によらず、０としている。ｎ＝４〜１１（２以上のｍ）に関しては、独立パラメータは、α１、αｃ、Δｍ、βｍ、Δｍ’である。
尚、ｍ＝２（ｎ＝４、５）においては、α１、α１’、β１、β１’、α２、α２’、β２、β２’を、それぞれ、ｍ＝３の場合におけるα１、α１’、βｍ−１、βｍ−１’、αｍ、αｍ’、βｍ、βｍ’と等しくする。従って、ｎ＝４の場合には、β２＝βｍとする。ｎ＝５の場合には、β１’＝βｃ、α２＝αｃ＋Δｍ、β２’＝βｍ＋Δｍ’とする。
概ねジッター値が最小となるような記録パワーとしてＰｗ０を表−１４に示す。
Figure 0004521054
図５２に、８，１６，２４倍速における（ａ）３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）３Ｔスペース長ジッタ、（ｃ）変調度ｍ１１、（ｄ）Ｒｔｏｐ、を示す。いずれの線速においても、概ねＰｗ０±１ｍＷの範囲において、１倍速再生でのマーク長及びスペース長に関して３５ｎｓｅｃ以下の良好なジッター値が得られた。同様にすべてのマーク長及びスペース長ジッタに関して、３５ｎｓｅｃ以下の良好なジッタが得られている。
また、いずれの線速においても、変調度ｍ１１は６０％〜８０％（０．６０〜０．８）、Ｒｔｏｐは１５〜２５％、アシンメトリー値は±１０％以内の値が得られた。Ｐｗ０付近においては、３Ｔ〜１１Ｔのいずれのマーク長及びスペース長においても、基準クロック周期Ｔに対して、±２０％程度の範囲内で所望のマーク長及びスペース長が得られた。
以上まとめると本発明記録媒体及び（記録パルス分割方式ＣＤ−ＶＩ−３）は、８〜２４倍速の広範囲において、少数のパラメータを可変とする記録パルス分割方式により良好な特性がえられ、再生信号は既存のＣＤドライブで再生可能な品質である。また、この間の線速においても記録パルス分割方法を本発明のごとく可変とすることによって良好な特性がえられる。
次に、各倍速におけるオーバーライト耐久性の評価を行った。各線速で、表−１４に示すＰｗｏ及びＰｅ／Ｐｗ比において、オーバーライトを行ったときのオーバーライト回数依存性を図５３に表す。図５３において、（ａ）が３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）が３Ｔスペース長ジッタを示す。
いずれの線速においてもＣＤ−ＲＷに要求される１０００回というオーバーライト耐久性は十分満たされていた。
（記録パルス分割方式ＣＤ−ＶＩ−４）
この記録方式は、記録パルス分割方法（ＶＩ−Ｂ）の例であるが、Δｍ’＝０とし、Δｍ−１、Δｍのみを各線速度で最適化することで、奇数／偶数長のマーク長差を付与している。
具体的には、８，１６，２４倍速にてオーバーライトを行った。
表−１５において、記録パルス分割方式はｎ＝３の場合とｎが４〜１１の場合とに分けて記載した。ｎ＝３の場合には、Ｔｄ１’、α１’、β１’の３つのパラメータが必要であるが、表−１５では、それぞれＴｄ１、α１、βｍの欄に記載した。ｎが４〜１１の場合には、Ｔｄ１、α１、α１’、αｉ＝αｃ（ｉ＝２〜ｍ）、及びαｉ’＝αｃ（ｉ＝２〜ｍ−１）は、ｎによらず一定とし、Ｔｄ１＋α１＝Ｔｄ１’＋α１’＝２、βｉ−１＋αｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ）、βｉ−１’＋αｉ’＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）とした。よって、βｉ＝２−αｃ（ｉ＝２〜ｍ−１）、βｉ’＝２−αｃ（ｉ＝２〜ｍ−２）となる。さらに、βｍ−１’＝βｍ−１＋Δｍ−１＝βｃ＋Δｍ−１、αｍ’＝αｍ＋Δｍ＝αｃ＋Δｍ、βｍ’＝βｍ＋Δｍ’とし、Δｍ−１、Δｍ、Δｍ’はｍによらず一定とした。ここで、Δｍ’は、ｍおよび線速によらず、０としている。ｎ＝４〜１１（２以上のｍ）に関しては、独立パラメータは、α１、αｃ、Δｍ−１、Δｍ、βｍである。
尚、ｍ＝２（ｎ＝４、５）においては、α１、α１’、β１、β１’、α２、α２’、β２、β２’を、それぞれ、ｍ＝３の場合におけるα１、α１’、βｍ−１、βｍ−１’、αｍ、αｍ’、βｍ、βｍ’と等しくする。従って、ｎ＝４の場合には、β２＝βｍとする。ｎ＝５の場合には、β１’＝βｃ＋Δｍ−１、α２＝αｃ＋Δｍ、β２’＝βｍとする。
概ねジッター値が最小となるような記録パワーとしてＰｗ０を表−１５に示す。
Figure 0004521054
図５４に、８，１６，２４倍速における（ａ）３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）３Ｔスペース長ジッタ、（ｃ）変調度ｍ１１、（ｄ）Ｒｔｏｐ、を示す。いずれの線速においても、概ねＰｗ０±１ｍＷの範囲において、１倍速再生でのマーク長及びスペース長に関して３５ｎｓｅｃ以下の良好なジッター値が得られた。同様にすべてのマーク長及びスペース長ジッタに関して、３５ｎｓｅｃ以下の良好なジッタが得られている。
また、いずれの線速においても、変調度ｍ１１は６０％〜８０％（０．６〜０．８）、Ｒｔｏｐは１５〜２５％、アシンメトリー値は±１０％以内の値が得られた。Ｐｗ０付近においては、３Ｔ〜１１Ｔのいずれのマーク長及びスペース長においても、基準クロック周期Ｔに対して±２０％程度の範囲内で所望のマーク長及びスペース長が得られた。
以上まとめると本発明記録媒体及び（記録パルス分割方式ＣＤ−ＶＩ−４）を適用すれば、８〜２４倍速の広範囲において、少数のパラメータを可変とする記録パルス分割方式により良好な特性がえられ、再生信号は既存のＣＤドライブで再生可能な品質である。また、この間の線速においても記録パルス分割方法を本発明のごとく可変とすることによって良好な特性がえられる。
次に、各倍速におけるオーバーライト耐久性の評価を行った。各線速で、表−１５に示すＰｗｏ及びＰｅ／Ｐｗ比において、オーバーライトを行ったときのオーバーライト回数依存性を図５５に表す。図５５において、（ａ）が３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）が３Ｔスペース長ジッタを示す。
いずれの線速においてもＣＤ−ＲＷに要求される１０００回というオーバーライト耐久性は十分満たされていた。
（記録パルス分割方式ＣＤ−ＶＩ−５）
この記録方式は、記録パルス分割方法（ＶＩ−Ｂ）の例であるが、Δ＝Δｍ−１＝Δｍとし、Δ、Δｍ’のみを各線速度で最適化することで、奇数／偶数長のマーク長差を付与している。
具体的には、８，１６，２４倍速にてオーバーライトを行った。
表−１６において、記録パルス分割方式はｎ＝３の場合とｎが４〜１１の場合とに分けて記載した。ｎ＝３の場合には、Ｔｄ１’、α１’、β１’の３つのパラメータが必要であるが、表−１６では、それぞれＴｄ１、α１、βｍの欄に記載した。ｎが４〜１１の場合には、Ｔｄ１、α１、α１’、αｉ＝αｃ（ｉ＝２〜ｍ）、及びαｉ’＝αｃ（ｉ＝２〜ｍ−１）は、ｎによらず一定とし、Ｔｄ１＋α１＝Ｔｄ１’＋α１’＝２、βｉ−１＋αｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ）、βｉ−１’＋αｉ’＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）とした。よって、βｉ＝２−αｃ（ｉ＝２〜ｍ−１）、βｉ’＝２−αｃ（ｉ＝２〜ｍ−２）となる。さらに、βｍ−１’＝βｍ−１＋Δｍ−１＝βｃ＋Δｍ−１、αｍ’＝αｍ＋Δｍ＝αｃ＋Δｍ、βｍ’＝βｍ＋Δｍ’とし、Δｍ−１、Δｍ、Δｍ’はｍによらず一定とした。ここで、ｍおよび線速によらずΔｍ−１＝Δｍ、である。ｎ＝４〜１１（２以上のｍ）に関しては、独立パラメータは、α１、αｃ、Δｍ−１＝Δｍ、βｍ、Δｍ’である。
尚、ｍ＝２（ｎ＝４、５）においては、α１、α１’、β１、β１’、α２、α２’、β２、β２’を、それぞれ、ｍ＝３の場合におけるα１、α１’、βｍ−１、βｍ−１’、αｍ、αｍ’、βｍ、βｍ’と等しくする。従って、ｎ＝４の場合には、β２＝βｍとする。ｎ＝５の場合には、β１’＝βｃ＋Δｍ、α２＝αｃ＋Δｍ、β２’＝βｍ＋Δｍ’とする。ｎ＝４〜１１（２以上のｍ）に関しては、独立パラメータは、α１、αｃ、Δｍ−１＝Δｍ、βｍ、Δｍ’である。
概ねジッター値が最小となるような記録パワーとしてＰｗ０を表−１６に示す。
Figure 0004521054
図５６に、８，１６，２４倍速における（ａ）３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）３Ｔスペース長ジッタ、（ｃ）変調度ｍ１１、（ｄ）Ｒｔｏｐ、を示す。いずれの線速においても、概ねＰｗ０±１ｍＷの範囲において、１倍速再生でのマーク長及びスペース長に関して３５ｎｓｅｃ以下の良好なジッター値が得られた。同様にすべてのマーク長及びスペース長ジッタに関して、３５ｎｓｅｃ以下の良好なジッタが得られている。
また、いずれの線速においても、変調度ｍ１１は６０％〜８０％（０．６〜０．８）、Ｒｔｏｐは１５〜２５％、アシンメトリー値は±１０％以内の値が得られた。Ｐｗ０付近においては、３Ｔ〜１１Ｔのいずれのマーク長及びスペース長においても、基準クロック
周期Ｔに対して±２０％程度の範囲内で所望のマーク長及びスペース長が得られた。
以上まとめると本発明記録媒体及び（記録パルス分割方式ＣＤ−ＶＩ−５）を適用すれば、８〜２４倍速の広範囲において、少数のパラメータを可変とする記録パルス分割方式により良好な特性がえられ、再生信号は既存のＣＤドライブで再生可能な品質である。また、この間の線速においても記録パルス分割方法を本発明のごとく可変とすることによって良好な特性がえられる。
次に、各倍速におけるオーバーライト耐久性の評価を行った。各線速で、表−１６に示すＰｗｏ及びＰｅ／Ｐｗ比において、オーバーライトを行ったときのオーバーライト回数依存性を図５７に表す。図５７において、（ａ）が３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）が３Ｔスペース長ジッタを示す。
いずれの線速においてもＣＤ−ＲＷに要求される１０００回というオーバーライト耐久性は十分満たされていた。
（実施例１４）
上記基本例において、下記のようにして２種類のディスクを製造し記録を行なった。
（実施例１４（ａ）のディスク）
基板上に、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０からなる下部保護層を８０ｎｍ、Ｇｅ１６．５Ｓｂ６３Ｓｎ２０．５（Ｓｎ０．２１（Ｇｅ０．２Ｓｂ０．８）０。７９）からなる記録層を１５ｎｍ、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０からなる上部保護層を３０ｎｍ、ＧｅＮからなる界面層を３ｎｍ、Ａｌ９９．５Ｔａ０．５からなる反射層を２００ｎｍ、紫外線硬化樹脂層約４μｍをこの順に形成し、書換え型コンパクトディスクを作製した。なお、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０の意味は、ＺｎＳを８０ｍｏｌ％、ＳｉＯ２を２０ｍｏｌ％で混合したターゲットを高周波スパッタリング法で作成して得られた膜であることしめす。また、Ｇｅ１６．５Ｓｂ６３Ｓｎ２０．５における組成比は原子数比である。以下の実施例においても同様である。
このＡｌ９９．５Ｔａ０．５反射層の体積抵抗率ρｖは約８０ｎΩ・ｍ、面積抵抗率ρｓは約０．４Ω／□であった。
（実施例１４（ｂ）のディスク）
基板上に、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０からなる下部保護層を８２ｎｍ、Ｇｅ１６．５Ｓｂ６３Ｓｎ２０．５（Ｓｎ０．２１（Ｇｅ０．２Ｓｂ０．８）０。７９）からなる記録層を１５ｎｍ、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０からなる上部保護層を２７ｎｍ、Ｔａからなる界面層を３ｎｍ、Ａｇからなる反射層を２００ｎｍ、紫外線硬化樹脂層約４μｍをこの順に形成し、書換え型コンパクトディスクを作製した。なお、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０の意味は、ＺｎＳを８０ｍｏｌ％、ＳｉＯ２を２０ｍｏｌ％で混合したターゲットを高周波スパッタリング法で作成して得られた膜であることしめす。また、Ｇｅ１６．５Ｓｂ６３Ｓｎ２０．５における組成比は原子数比である。以下の実施例においても同様である。
このＡｇ反射層の体積抵抗率ρｖは約２４ｎΩ・ｍ、面積抵抗率ρｓは約０．１２Ω／□であった。
実施例１４（ａ）のディスク及び１４（ｂ）のディスクの初期化は、ともに長軸約７５μｍ、短軸約１．０μｍの楕円形スポット形状を有する波長約８１０ｎｍのレーザーダイオード光を短軸方向に、線速約１２ｍ／ｓで走査して行なった。照射パワーは約８５０ｍＷである。
これらディスクに、ＮＡ＝０．５０のテスター２を用いて、表−１７に示す、下記の（記録方式１−２ｆ）にて２４倍速で、（記録方式２−２ｆ）にて８倍速で、ＥＦＭ変調信号のオーバーライトを行ない、その特性を評価した。
消去パワーＰｅと記録パワーＰｗの比Ｐｅ／Ｐｗは０．２７一定としＰｗを変化させ、それぞれの記録パワーでオーバーライト特性を評価した。いずれも１０回オーバーライト後の値で評価した。Ｐｂはほぼ０ｍＷで一定とした。
この記録方式は、記録パルス分割方法（ＩＩＩ−Ａ）における、独立パラメータの数をさらに限定した使用方法となっている。
具体的には、８，２４倍速にてオーバーライトを行った。
表−１７において、記録パルス分割方式はｎ＝３の場合とｎが４〜１１の場合とに分けて記載した。ｎ＝３の場合には、Ｔｄ１’、α１’、β１’の３つのパラメータが必要であるが、表−１７では、それぞれＴｄ１、α１、βｍの欄に記載した。ｎが４〜１１の場合には、Ｔｄ１、α１、α１’、αｉ＝αｃ（ｉ＝２〜ｍ）、及びαｉ’＝αｃ（ｉ＝２〜ｍ−１）は、ｎによらず一定とし、Ｔｄ１＋α１＝Ｔｄ１’＋α１’＝２、βｉ−１＋αｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ）、βｉ−１’＋αｉ’＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）とした。よって、βｉ＝２−αｃ（ｉ＝２〜ｍ−１）、βｉ’＝２−αｃ（ｉ＝２〜ｍ−２）となる。さらに、βｍ−１’＝βｍ−１＋Δｍ−１＝βｃ＋Δｍ−１、αｍ’＝αｍ＋Δｍ＝αｃ＋Δｍ、βｍ’＝βｍ＋Δｍ’とし、Δｍ−１、Δｍ、Δｍ’はｍによらず一定とした。ｎ＝４〜１１（２以上のｍ）に関しては、独立パラメータは、α１、αｃ、Δｍ−１、Δｍ、βｍ、Δｍ’である。
尚、ｍ＝２（ｎ＝４、５）においては、α１、α１’、β１、β１’、α２、α２’、β２、β２’を、それぞれ、ｍ＝３の場合におけるα１、α１’、βｍ−１、βｍ−１’、αｍ、αｍ’、βｍ、βｍ’と等しくする。従って、ｎ＝４の場合には、β２＝βｍとする。ｎ＝５の場合には、β１’＝βｃ＋Δｍ−１、α２＝αｃ＋Δｍ、β２’＝βｍ＋Δｍ’とする。
概ねジッター値が最小となるような記録パワーＰｗ０を表−１７に示す。
Figure 0004521054
図５８に、２４倍速における（ａ）３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）３Ｔスペース長ジッタ、（ｃ）変調度ｍ１１、（ｄ）Ｒｔｏｐ、を示す。また、図５９に、８倍速における（ａ）３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）３Ｔスペース長ジッタ、（ｃ）変調度ｍ１１、（ｄ）Ｒｔｏｐ、を示す。
図５９に、８倍速における（ａ）３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）３Ｔスペース長ジッタ、（ｃ）変調度ｍ１１、（ｄ）Ｒｔｏｐ、を示す。また、図５９に、８倍速における（ａ）３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）３Ｔスペース長ジッタ、（ｃ）変調度ｍ１１、（ｄ）Ｒｔｏ
ｐ、を示す。
実施例１４（ａ）、実施例１４（ｂ）のどちらのディスクもにおいても、概ねＰｗ０±１ｍＷの範囲において、１倍速再生でのマーク長及びスペース長に関して３５ｎｓｅｃ以下の良好なジッター値が得られた。同様にすべてのマーク長及びスペース長ジッタに関して、３５ｎｓｅｃ以下の良好なジッタが得られている。
ただし、実施例１４（ｂ）のほうが、ジッタ−値の低い記録パワーＰｗの範囲が広く、記録パワーに対してマージンのあるサンプルといえる。特に図５９の８倍速のデータにおいて、パワーマージンの差がみられている（図５９（ａ）、（ｂ）参照）。
また、実施例１４（ａ）、実施例１４（ｂ）のどちらのディスクにおいても、各線速の概ねＰｗｏ以上の領域で、変調度ｍ１１は６０％〜８０％（０．６〜０．８）が得られた。
さらに、実施例１４（ａ）、実施例１４（ｂ）のどちらのディスクにおいても、Ｒｔｏｐは１５〜２５％、アシンメトリー値は±１０％以内の値が得られた。Ｐｗ０付近においては、３Ｔ〜１１Ｔのいずれのマーク長及びスペース長においても、±２０％程度の範囲内で所望のマーク長及びスペース長が得られた。
以上まとめると本発明記録媒体及び（記録方式ＣＤ１−２ｆ）及び（記録方式ＣＤ２−２ｆ）を適用すれば、実施例１４（ａ）、１４（ｂ）のどちらのディスクにおいても８倍速、２４倍速の広範囲において、少数のパラメータを可変とする記録パルス分割方式により良好な特性がえられ、再生信号は既存のＣＤドライブで再生可能な品質であるが、特に、実施例１４（ｂ）のディスクのように、反射膜の面積抵抗率を０．２Ω／□以下とするほうが、広い線速度範囲において、広い記録パワーマージンが得られて望ましい。
（実施例１５）
上記基本例において、下記のようにしてディスクを製造し記録を行なった。
基板上に、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20からなる下部保護層を８０ｎｍ、Ｇｅ６Ｉｎ１
１Ｓｂ６７Ｓｎ１２Ｔｅ４（Ｉｎ０．１１Ｓｎ０．１２Ｔｅ０．０４（Ｇｅ０．０８Ｓｂ０．９２）０。７３）からなる記録層を１７ｎｍ、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20からなる
上部保護層を２８ｎｍ、Ｔａからなる界面層を４ｎｍ、Ａｇからなる反射層を１８５ｎｍ、紫外線硬化樹脂層約４μｍをこの順に形成し、書換え型コンパクトディスクを作製した。なお、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20の意味は、ＺｎＳを８０ｍｏｌ％、ＳｉＯ２を２０
ｍｏｌ％で混合したターゲットを高周波スパッタリング法で作成して得られた膜であることしめす。また、Ｇｅ6Ｉｎ11Ｓｂ67Ｓｎ12Ｔｅ4における組成比は原子数比である。以下の実施例においても同様である。
このＡｇ 反射層の体積抵抗率ρv は約２７ｎΩ・ｍ、面積抵抗率ρs は約０．１５Ω
／□であった。
初期化は、長軸約７５μｍ、短軸約１．０μｍの楕円形スポット形状を有する波長約８１０ｎｍのレーザーダイオード光を短軸方向に、線速約１６ｍ／ｓで走査して行なった。照射パワーは約１１００ｍＷである。
このディスクに、ＮＡ＝０．５０のテスター２を用いて、表―１８に示したような記録方式を用いて、８，１６，３２倍速にて、ＥＦＭ変調信号のオーバーライトを行ない、その特性を評価した。
３２倍速における本記録パルス分割方法は、（記録方式１−２）の例であり、（記録方式ＣＤ１−２ｇ）と称する。また、１６倍速における本記録パルス分割方法は、（記録方式２−２）の例であり、（記録方式ＣＤ２−２ｇ）と称する。さらに、８倍速における本記録パルス分割方法は、（記録方式２−２）の例であり、（記録方式ＣＤ２−２ｈ）と称する。
表−１８において、３２倍速における記録方式は、ｎ＝３，４，５とｍ≧３、すなわちｎ＝６〜１１とに分けて記載した。
ｎ＝３の場合にはＴｄ１’、α１’、β１’の３つのパラメータが必要であるが、表−１８では、それぞれＴｄ１、α１、βｍの欄に記載した。ｍ＝２（ｎ＝４、５）においては、ｎ＝４の場合の（Ｔd1、α1、β1、α2、β2）及び、ｎ＝５の場合の（Ｔd1’、α1
’、β1’、α2、’、β2’）のパラメータが必要であり、それぞれ、Ｔd1、α1、β1、
αm、βmの欄に記載した。
ｍ≧３、すなわちｎが６〜１１の場合には、Ｔｄ１、α１、α１’、αｉ＝αｃ（ｉ＝２〜ｍ）、及びαｉ’＝αｃ（ｉ＝２〜ｍ−１）は、ｎによらず一定とし、Ｔｄ１＋α１＝Ｔｄ１’＋α１’＝２、βｉ−１＋αｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ）、βｉ−１’＋αｉ’＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）とした。よって、βｉ＝２−αｃ（ｉ＝２〜ｍ−１）、βｉ’＝２−αｃ（ｉ＝２〜ｍ−２）となる。さらに、βｍ−１’＝βｍ−１＋Δｍ−１＝βｃ＋Δｍ−１、αｍ’＝αｍ＋Δｍ＝αｃ＋Δｍ、βｍ’＝βｍ＋Δｍ’とし、Δｍ−１、Δｍ、Δｍ’はｍによらず一定とした。ｎ＝６〜１１（３以上のｍ）に関しては、独立パラメータは、α１、αｃ、Δｍ−１、Δｍ、βｍ、Δｍ’である。
次に、表−１８において、８，１６倍速における記録方式は、記録方式はｎ＝３の場合とｎが４〜１１の場合とに分けて記載した。ｎ＝３の場合にはＴｄ１’、α１’、β１’の３つのパラメータが必要であるが、表−１８では、それぞれＴｄ１、α１、βｍの欄に記載した。ｎが４〜１１の場合には、Ｔｄ１、α１、α１’、αｉ＝αｃ（ｉ＝２〜ｍ）、及びαｉ’＝αｃ（ｉ＝２〜ｍ−１）は、ｎによらず一定とし、Ｔｄ１＋α１＝Ｔｄ１’＋α１’＝２、βｉ−１＋αｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ）、βｉ−１’＋αｉ’＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）とした。よって、βｉ＝２−αｃ（ｉ＝２〜ｍ−１）、βｉ’＝２−αｃ（ｉ＝２〜ｍ−２）となる。さらに、βｍ−１’＝βｍ−１＋Δｍ−１＝βｃ＋Δｍ−１、αｍ’＝αｍ＋Δｍ＝αｃ＋Δｍ、βｍ’＝βｍ＋Δｍ’とし、Δｍ−１、Δｍ、Δｍ’はｍによらず一定とした。ｎ＝４〜１１（２以上のｍ）に関しては、独立パラメータは、α１、αｃ、Δｍ−１、Δｍ、βｍ、Δｍ’である。
尚、ｍ＝２（ｎ＝４、５）においては、α１、α１’、β１、β１’、α２、α２’、β２、β２’を、それぞれ、ｍ＝３の場合におけるα１、α１’、βｍ−１、βｍ−１’、αｍ、αｍ’、βｍ、βｍ’と等しくする。従って、ｎ＝４の場合には、β２＝βｍとする。ｎ＝５の場合には、β１′＝βｃ＋Δｍ−１、α２＝αｃ＋Δｍ、β２′＝βｍ＋Δｍ′とする。
表―１８の各記録方式は、ＣＡＶ記録等、広範囲の線速度でのオーバーライトに適用される本発明記録パルス分割方法（ＶＩ−Ｂ）の例でもある。
ここで、ｎ＝３におけるβ１’＝１．３８が、ｍ＝３におけるβ１’＝１．１９＋０．２５＝１．４４と約４％程度のすれがあるが、これは、このような高周波数における装置上のパルス設定の限界に由来するものであり、実質的に（ＶＩ−Ｂ）で規定された規則性は踏襲されている。
消去パワーＰｅと記録パワーＰｗの比Ｐｅ／Ｐｗは一定としＰｗを３２ｍＷ程度から４５ｍＷ程度まで１ｍＷ刻みで変化させ、それぞれの記録パワーでオーバーライト特性を評価した。いずれも１０回オーバーライト後の値で評価した。バイアスパワーＰｂはほぼ０ｍＷの一定値をとり、Ｐｅ／Ｐｗは０．２７で一定とした。概ねジッター値が最小となるような記録パワーとしてＰｗ０を表−１８に示す。
Figure 0004521054
図６０は、８，１６，３２倍速における（ａ）３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）３Ｔスペース長ジッタ、（ｃ）変調度ｍ１１、（ｄ）Ｒｔｏｐ 、を示す。いずれの線速においても、概ねＰｗ０±１ｍＷの範囲において、１倍速再生でのマーク長及びスペース長に関して３５ｎｓｅｃ以下の良好なジッター値が得られた。同様にすべてのマーク長及びスペース長ジッタに関して、３５ｎｓｅｃ以下の良好なジッタが得られている。
また、いずれの線速においても、変調度ｍ１１は６０％〜８０％（０．６〜０．８）、
Ｒｔｏｐ は１５〜２５％、アシンメトリー値は±１０％以内の値が得られた。Ｐｗ０付近においては、３Ｔ〜１１Ｔのいずれのマーク長及びスペース長においても、基準クロック周期に対して±２０％程度の範囲内で所望のマーク長及びスペース長が得られた。
以上まとめると本発明記録媒体及び本発明記録パルス分割方法（ＶＩ−Ｂ）を適用すれば、８〜３２倍速の広範囲において、少数のパラメータを可変とする記録パルス分割方法により良好な特性がえられ、再生信号は既存のＣＤドライブで再生可能な品質である。また、この間の線速においても記録パルス分割方法を本発明のごとく可変とすることによって良好な特性がえられる。
次に、各倍速におけるオーバーライト耐久性の評価を行った。各線速で、表−
１８に示すＰｗo及びＰｅ／Ｐｗ比において、オーバーライトを行ったときのオーバー
ライト回数依存性を図６１に表す。図６１において、（ａ）が３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）が３Ｔスペース長ジッタを示す。
いずれの線速においてもＣＤ−ＲＷに要求される１０００回というオーバーライト耐久性は十分満たされていた。
さらに、各線速における消去比を測定した。８倍速、３２倍速においては表―１８の記録パルス分割方法の３Ｔ、１１Ｔのパルスを用いて、３Ｔ／１１Ｔオーバーライト消去比を測定すると、それぞれ２５ｄＢ以上となり、それぞれの線速において十分な消去比が得られている。
また、表―１８の（記録方式ＣＤ１−２ｇ）を用い、３２倍速で記録を行ったディスクを１０５℃の加速試験に投入したところ、３時間経過しても記録済み信号の劣化はほとんど見られていない。ジッタの変化は２ｎｓｅｃ程度であり、１倍速再生で３５ｎｓｅｃ以下であり、反射率Ｒｔｏｐは、初期値の１０％強の低下を示したが、変調度ｍ１１はほとんど低下しておらず、初期値の９０％以上を維持している。
（比較例１）
特開２００１−２２９５３７号公報において開示されている、オーバーライト可能な最高線速度が１０倍速程度であるディスクを製造し、２４倍速でのオーバーライト記録を試みた。
基板上に、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０からなる下部保護層を９２ｎｍ、Ｇｅ３Ｉｎ３Ｓｂ７２Ｔｅ２２（Ｉｎ０．０３Ｇｅ０．０３（Ｓｂ０．７７Ｔｅ０．２３）０．９４）からなる記録層を１３ｎｍ、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０からなる上部保護層を３１ｎｍ、Ａｌ合金からなる反射層を１４０ｎｍ、紫外線硬化樹脂層約４μｍをこの順に形成し、書換え型コンパクトディスクを作製した。なお、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０の意味は、ＺｎＳを８０ｍｏｌ％、ＳｉＯ２を２０ｍｏｌ％で混合したターゲットを高周波スパッタリング法で作成して得られた膜であることしめす。また、Ｇｅ３Ｉｎ３Ｓｂ７２Ｔｅ２２における組成比は原子数比である。以下の実施例、比較例においても同様である。
このＡｌ合金反射層の体積抵抗率ρｖは６２ｎΩ・ｍ、面積抵抗率ρｓは約０．４４Ω／□であった。
初期化は、長軸約１５０μｍ、短軸約１．０μｍの楕円形スポット形状を有する波長約８１０ｎｍのレーザーダイオード光を短軸方向に、線速約７ｍ／ｓで走査して行なった。照射パワーは１６５０ｍＷである。
このディスクに、ＮＡ＝０．５０のテスター２を用いて、２４倍速でＥＦＭ変調信号のオーバーライトを行ない、その特性を評価した。
消去パワーＰｅと記録パワーＰｗの比Ｐｅ／Ｐｗは一定の０．４３とし、Ｐｗを１回記
録で十分な信号特性のえられた３０ｍＷ前後のＰｗでＰｗを変化させ、１０回オーバーライト特性を評価した。バイアスパワーＰｂは、ほぼゼロで一定値とした。
２４倍速記録においての記録方式は、実施例１１の（比較記録方式ＣＤ１）および（比較記録方式ＣＤ２）を適用した。
このディスクの１０回オーバーライト記録後における、３Ｔスペース長ジッタは５０ｎｓ以上、変調度ｍ１１は３０％（０．３）程度、Ｒｔｏｐは８％程度の値であり、２４倍速においては良好な記録特性が得られなかった。再生信号は、既存のＣＤドライブで再生不可能な品質である。
本比較例のディスクは、そもそもＳｂ／Ｔｅ比が４．５以下であり、結晶化速度が遅く消去性能が不十分であり、２４倍速という高線速度では、オーバーライトが不可能であるためである。
（比較例２）
特開２００１−３３１９３６号公報において開示されているようなオーバーライト可能な最高線速度が１６倍速程度であるディスクに２４倍速でのオーバーライトを試みる。
基板上に、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０からなる下部保護層を７０ｎｍ、Ｇｅ７Ｓｂ７８Ｔｅ１５（Ｇｅ０．０７（Ｓｂ０．８４Ｔｅ０．１６）０．９３）からなる記録層を１７ｎｍ、又はＧｅ７Ｓｂ７９Ｔｅ１４（Ｇｅ０．０７（Ｓｂ０．８５Ｔｅ０．１５）０．９３）からなる記録層を１７ｎｍ、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０からなる上部保護層を４５ｎｍ、Ａｌ９９．５Ｔａ０．５合金反射層を２２０ｎｍ、紫外線硬化樹脂層約４μｍをこの順に形成し、書換え型コンパクトディスクを作製した。なお、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０の意味は、ＺｎＳを８０ｍｏｌ％、ＳｉＯ２を２０ｍｏｌ％で混合したターゲットを高周波スパッタリング法で作成して得られた膜であることしめす。また、Ｇｅ７Ｓｂ７８Ｔｅ１５における組成比は原子数比である。以下の実施例においても同様である。
このＡｌ合金反射層の体積抵抗率ρｖは１００ｎΩ・ｍ、面積抵抗率ρｓは約０．４５Ω／□であった。
このようにして作製したディスクを２枚用意した。そしてそれぞれのディスクの初期化条件を２通り行った。
１つ目の初期化操作は以下の通りに行った。すなわち、レーザー波長約８１０ｎｍで、ビーム長軸約１０８μｍ×ビーム短軸約１．５μｍの楕円形の集束光を用い、この集束光の長軸がディスクの半径方向にそろうように配置して、４００〜６００ｍＷのパワーを照射しつつ線速３〜６ｍ／ｓで操作することにより、ディスクの初期化を行った。さらに、７８０ｎｍ、ピックアップの開口数ＮＡ＝０．５５の評価装置で、サーボをかけて溝と溝間部を１回ずつ９．５ｍＷのＤＣ光で結晶化させ、結晶化レベルのノイズを減らす作業を行った。
２つ目の初期化操作は以下の通りに行った。すなわち、長軸約１５０μｍ、短軸約１．０μｍの楕円形スポット形状を有する波長約８１０ｎｍのレーザーダイオード光を用い、１４５０ｍＷのパワーを照射しつつ短軸方向に線速約７ｍ／ｓで走査して初期化を行った。
これら２つのディスクに、ＮＡ＝０．５０のテスター２を用いて、２４倍速でＥＦＭ変調信号のオーバーライトを行ない、その特性を評価する。尚、ＮＡ＝０．５５としてもほとんど同じ結果となる。
記録方式は、特開２００１−３３１９３６号公報に開示されているパルス分割方法を用いる。具体的には、特開２００１−３３１９３６号公報に開示されている図２０の方法を用いる。
以下、特開２００１−３３１９３６号公報と本発明とは、記録方式の記述方法が異なる。従って、以下主に特開２００１−３３１９３６号公報に沿って、記録方式の記載をする。
Ｔｄ１、Ｔｄ１’がｎによらず一定としている。
ｍが３以上の場合の、偶数マーク長、ｎＴ＝２ｍＴに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間αｉＴ及びオフパルス区間βｉＴにおけるαｉ及びβｉを、次に様に設定する。
α１＋β１＝２、βｉ＋αｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）αｍ＋βｍ＝１．６としている。
一方、ｍが３以上の場合の奇数マーク長、ｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間αｉ’Ｔ及びオフパルス区間βｉ’Ｔにおけるαｉ’及びβｉ’を、以下のように設定する。
α１’＋β１’＝２．５αｉ’＋βｉ’＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）、αｍ’＋βｍ’＝２．１としている。
ここで、αｉ＝αｉ’＝０．８（ｉ＝２〜ｍ−１）、βｉ＝βｉ’＝１．２（ｉ＝２〜ｍ−１）ｎが偶数の場合は、α１＝０．８、β１＝１．２、αｍ＝０．７、βｍ＝０．９、ｎが奇数の場合は、α１’＝１．０、β１’＝１．５、αｍ’＝１．０、βｍ’＝１．１、
また、ｍ＝２の場合のα１、β１、α２、β２、α１’、β１’、α２’、β２’は、それぞれ、ｍが３以上の場合のα１、β１、αｍ、βｍ、α１’、β１’、αｍ’、βｍ’とみなす。すなわち、４Ｔマークに対しては、α１＝０．８、β１＝１．２、α２＝０．７、β２＝０．９とし、５Ｔマークに対しては、α１’＝１．０、β１’＝１．５、α２’＝１．０、β２’＝１．１としている。
ｍ＝１、すなわち３Ｔマークに対しては、α１’＝１．１、β１’＝１．５となっている。
この記録方式において、２４倍速において、消去パワーＰｅは１０ｍＷ、Ｐｂは０．８ｍＷで各々一定とし、Ｐｗを変化させて、それぞれの記録パワーで１０回オーバーライト特性を評価しても、ジッタが３５ｎｓｅｃ以下となるような良好な特性は得らない。
本比較例のディスクは、Ｓｂ／Ｔｅ比が５．２又は５．６である一方で、Ｇｅ量が７％と多くなっているため、結晶化速度が遅く消去性能が不十分であり、２４倍速という高線速度では、オーバーライトが不可能であるためである。
（参考例１）上記、比較例１で用意したオーバーライト可能な最高線速度が１０倍速程度であるディスクに、本発明記録方法の一例である、下記の（参考記録方式ＣＤ１）により、１０倍速でＥＦＭ変調信号のオーバーライトを行ない、その特性を評価した。このようなディスク自体は、特開２００１−２２９５３７号公報において、開示されているが、本発明の記録方法を適用した例は、これまでに開示されていない。
ＮＡ＝０．５０のテスター２を用い、消去パワーＰｅと記録パワーＰｗの比Ｐｅ／Ｐｗは０．４３で一定としＰｗを１６ｍＷ程度から２４ｍＷ程度まで１ｍＷ刻みで変化させ、それぞれの記録パワーでオーバーライト特性を評価した。いずれも１０回オーバーライト後の値で評価した。バイアスパワーＰｂはほぼゼロの一定値とした。
（参考記録方式ＣＤ１）この記録方式は記録パルス分割方法（ＩＩＩ―Ａ）における、独立パラメータの数をさらに限定した使用方法となっている。
ｍが３以上の場合の、偶数マーク長、ｎＴ＝２ｍＴに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間αｉＴ及びオフパルス区間βｉＴにおけるαｉ及びβｉを、次に
様に設定した。
Ｔｄ１＋α１＝２、βｉ−１＋αｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ）、とした。
一方、ｍが３以上の場合の奇数マーク長、ｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間αｉ’Ｔ及びオフパルス区間βｉ’Ｔにおけるαｉ’及びβｉ’を、以下のように設定した。
Ｔｄ１’＋α１’＝２、βｉ−１’＋αｉ’＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）、βｍ−１’＋αｍ’＝２．７、ただし、βｍ−１’＝βｍ−１＋Δｍ−１、αｍ’＝αｍ＋Δｍ、βｍ’＝βｍ＋Δｍ’とした。
ここで、Ｔｄ１＝Ｔｄ１’＝１、α１＝α１’＝１、αｉ＝αｉ’＝αｃ＝１（ｉ＝２〜ｍ−１のｉに対してαｃは一定）、βｍ−１＝１、Δｍ−１＝０．５，Δｍ＝０．２、Δｍｍ＝０．７，αｍ＝１、βｍ＝０．４、Δｍ’＝０．２で、２以上のｍに対しては一定である。
ただし、ｍ＝２の場合のβ１、α２、β２、β１’、α２’、β２’は、それぞれ、ｍが３以上の場合の、βｍ−１、αｍ、βｍ、βｍ−１’、αｍ’、βｍ’とみなす。すなわち、４Ｔマークに対しては、β１＝１．０、α２＝１、βｍ＝０．４とし、５Ｔマークに対しては、β１’＝１．５、α２’＝１．２、βｍ’＝０．６とした。
ｍ＝１、すなわち３Ｔマークに対しては、Ｔｄ１’＝０．８５、α１’＝１．６、β１’＝０．７５とした。
なお、（参考ＣＤ記録方式１）でのＴｄ１、αｉ、βｉ等を表−１９にまとめて示す。
表−１９において、記録パルス分割方式はｎ＝３の場合とｎが４〜１１の場合とに分けて記載した。ｎ＝３の場合には、Ｔｄ１’、α１’、β１’の３つのパラメータが必要であるが、表−１９では、それぞれＴｄ１、α１、βｍの欄に記載した。ｎが４〜１１の場合には、記録パルス分割方法（ＩＩＩ−Ａ）において、Ｔｄ１＋α１＝Ｔ ｄ１ ’＋α１’＝２、β１＋α２＝βｍ−１＋αｍ＝２、α１＝αｍ＝αｃ、Δｍはｍによらず一定とした。したがって、表−１９では、Ｔｄ１、β１、βｍ−１、βｍ、αｍも含めて１０個のパラメータを記載しているが、独立パラメータはα１、αｃ、Δｍ−１、Δｍ、Δｍ’の５個である。また、ｎ＝４の場合には、β１＝βｍ−１＝βｃ、α２＝αｍ＝αｃ、β２＝βｍである。ｎ＝５の場合には、β１’＝βｃ＋Δｍ−１、α２＝αｃ＋Δｍ、β２’＝βｍ’である。
Figure 0004521054
オーバーライト特性の評価結果を（参考記録方式ＣＤ１）について図６０に示す。
図６２に、（ａ）３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）３Ｔスペース長ジッタ、（ｃ）変調度ｍ１１、（ｄ）Ｒｔｏｐ、のＰｗ依存性をそれぞれ表す。
最適記録パワーは１６−２３ｍＷ付近、オーバーライト特性もこのパワーにおける値で評価される。
図６２の（ａ）、（ｂ）の図中の横線は１倍速再生時のジッタ規格上限値＝３５（ｎｓｅｃ）を示す。３５ｎｓｅｃ以下の良好なジッター値が得られている。
図６２の（ｃ）、（ｄ）から、変調度ｍ１１は６０％〜８０％（０．６〜０．８）、Ｒｔｏｐは１５〜２５％の値が得られている。
また、最適記録パワー付近においては、３Ｔ〜１１Ｔのマーク長及びスペース長において、基準クロック周期の±１０％程度の範囲内で所望のマーク長及びスペース長が得られた。アシンメトリー値は±１０％以内の値が得られた。
以上まとめると、１０倍速においては良好な記録特性が得られており、再生信号は、既存のＣＤドライブで再生可能な品質である。
次に、（参考記録方式ＣＤ１）を用いた場合のオーバーライト耐久性の評価結果を記す。それぞれ、Ｐｗ／Ｐｅ＝１９ｍＷ／８ｍＷで繰返しオーバーライトを行ったときのオーバーライト回数依存性を図６３に表す。図６３において、（ａ）が３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）が３Ｔスペース長ジッタを示す。図６３において、繰り返しオーバーライト回数を対数グラフで表示する都合上、初回記録を１回目オーバーライトとし、その上に９回オーバーライトした時を１０回めオーバーライトというように表している。ＣＤ−ＲＷに要求される１０００回というオーバーライト耐久性は十分満たされていた。
次に、本発明の書き換え型光記録媒体及び本発明の光記録方法をＲＷ−ＤＶＤに適用する例について説明する。
［ＲＷ−ＤＶＤ基本例］
以下にＲＷ−ＤＶＤの基本例を説明するが、ＣＤ−ＲＷの基本例との相違点を特に示す。
トラックピッチ０．７４μｍ、溝幅は約０．３１μｍ、深さは約２８ｎｍで蛇行する螺旋状の溝を設けた厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート樹脂基板を射出成形によって形成した。溝形状は、いずれも波長４４１．６ｎｍのＨｅ−Ｃｄレーザー光を用いたＵ溝近似の光学回折法で求めた。溝蛇行（ウォブル）はさらに、ＡＤＩＰによるアドレス情報を位相変調により付与した。
記録再生評価は、パルステック社製ＤＤＵ１０００テスタ（波長約６５０ｎｍ、ＮＡ＝０．６５、スポット形状は１／ｅ２強度で０．８６μｍの概ね円形、立ち上がり立ち下がり時間２ｎｓｅｃ弱、以下このテスタをテスター３という。）を用いた。ＤＶＤの標準線速度３．４９ｍ／ｓを１倍速とし、６〜１０倍速までのオーバーライト特性を評価した。バイアスパワーは特に断らない限り、０．５ｍＷで一定とした。
各線速度におけるデータの基準クロック周期は、１倍速におけるデータの基準クロック周期３８．２ｎｓｅｃに対して各線速度で反比例させたものとした。
再生は特に断わらない限り１倍速で行った。ＤＤＵ１０００からのタイムインターバルアナライザー（横河電機社製）でジッタを測定した。
変調度ｍ１４（＝Ｉ１４／Ｉｔｏｐ）はオシロスコープ上でアイパターン観察により読み取った。
ＥＦＭ＋ランダムデータを１０回オーバーライト記録した後、該記録データのマーク長、スペース長、マーク長及びスペース長ジッタ、ｍ１４、Ｒｔｏｐ、及びアシンメトリー値を測定した。
（実施例１６）
上記基本例において、下記のようにしてディスクを製造し記録を行なった。
基板上に、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０からなる下部保護層を７０ｎｍ、Ｇｅ１２．５Ｓｂ５８．３Ｓｎ２４．３Ｔｅ４．９（Ｔｅ０．０５Ｓｎ０．２４（Ｇｅ０．１８Ｓｂ０．８２）０．７１）からなる記録層を１２ｎｍ、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０からなる上部保護層を１８ｎｍ、Ｔａからなる界面層を２ｎｍ、Ａｇからなる反射層を１５
０ｎｍ、紫外線硬化樹脂層約４μｍ、をこの順に形成し、ディスクを作製した。
このＡｇ反射層の体積抵抗率ρｖは２８ｎΩ・ｍ、面積抵抗率ρｓは約０．１９Ω／□であった。
初期化は、長軸約７５μｍ、短軸約１．０μｍの楕円形スポット形状を有する波長約８１０ｎｍのレーザーダイオード光を短軸方向に線速約８ｍ／ｓで走査して行なった。照射パワーは７００ｍＷである。
このディスクに、ＮＡ＝０．６５のテスター３を用いて、２．５及び６倍速でＥＦＭ＋変調信号のオーバーライトを行ない、その特性を評価した。
消去パワーＰｅと記録パワーＰｗの比Ｐｅ／Ｐｗは０．２９あるいは０．３０で一定とし、Ｐｗを１５ｍＷ程度から２０ｍＷ程度まで１ｍＷ刻みで変化させ、それぞれの記録パワーでオーバーライト特性を評価した。いずれも１０回オーバーライト後の値で評価した。
６倍速においては、記録方式ＤＶＤ１−１を適用した。以下ではこれを（記録方式ＤＶＤ１−１ａ）とする。（記録方式ＤＶＤ１−１ａ）は記録パルス分割方法（ＩＩ−Ａ）における独立パラメータをさらに限定した使用法となっている。（記録方式ＤＶＤ１−１ａ）
ｍが３以上の場合の、偶数マーク長、ｎＴ＝２ｍＴに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間αｉＴ及びオフパルス区間βｉＴにおけるαｉ及びβｉを、次に様に設定した。
Ｔｄ１＋α１＝２βｉ−１＋αｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）、βｍ−１＋αｍ＝２とした。
一方、ｍが３以上の場合の奇数マーク長、ｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間αｉ’Ｔ及びオフパルス区間βｉ’Ｔにおけるαｉ’及びβｉ’を、以下のように設定した。
Ｔｄ１’＋α１’＝２β１’＋α２’＝２．３１、ただし、β１’＝β１＋Δ１、βｉ−１’＋αｉ’＝２（ｉ＝３〜ｍ−１）、βｍ−１’＋αｍ’＝２．５、ただし、αｍ’＝αｍ＋Δｍ、とした。
ここで、Ｔｄ１＝Ｔｄ１’＝１、α１＝α１’＝１、β１＝１．２５、Δ１＝０．３１、αｉ＝αｉ’＝αｃ＝０．７５（ｉ＝２〜ｍ−１のｉに対してαｃは一定）、βｍ−１＝１．２５、Δｍ−１＝０、Δｍ＝０．５、Δｍｍ＝０．５，αｍ＝０．７５、βｍ＝βｍ’＝０．５で、３以上のｍに対しては一定である。
また、ｍ＝２の場合、４Ｔマークに対しては、Ｔｄ１＝１，α１＝１、β１＝１．２５、α２＝０．７５、β２＝０．５とし、５Ｔマークに対しては、Ｔｄ１’＝１，α１’＝１、β１’＝１．５６、α２’＝１．２５、β２’＝０．５とした。
ｍ＝１、すなわち３Ｔマークに対しては、Ｔｄ１’＝１、α１’＝１．５、β１’＝０．５６とした。
一方、２．５倍速記録の場合には、記録方式ＤＶＤ２−１の具体例として、以下の（記録方式ＤＶＤ２−１ａ）を使用した。（記録方式ＤＶＤ２−１ａ）は、記録パルス分割方法（Ｖ）における、独立パラメータの数をさらに限定した使用方法となっている。
（記録方式ＤＶＤ２−１ａ）
ｍが３以上の場合の、偶数マーク長ｎＴ＝２ｍＴに対しては、マークの記録に際して、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間αｉＴ及びオフパルス区間βｉＴにおけるαｉ及びβｉを、
Ｔｄ１＋α１＝２、
βｉ−１＋αｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）、
βｍ−１＋αｍ＝２、
とした。
一方、ｍが３以上の奇数マーク長がｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔに対しては、マークの記録に際して、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間αｉ’Ｔ及びオフパルス区間βｉ’Ｔにおけるαｉ’及びβｉ’を、Ｔｄ１’＋α１’＝２、β１’＋α２’＝２．５６、ただし、β１’＝β１＋Δ１、βｉ−１’＋αｉ’＝２（ｉ＝３〜ｍ−１）、βｍ−１’＋αｍ’＝２．５７、ただし、αｍ’＝αｍ＋Δｍ、とした。
ここで、Ｔｄ１＝Ｔｄ１’＝１．０６，α１＝α１’＝０．９４、β１＝１．４４、Δ１＝０．５６、αｉ＝αｉ’＝αｃ＝０．５６（ｉ＝２〜ｍ−１なるｉに対して、αｃは一定）、βｍ−１＝１．４４、Δｍ−１＝０、Δｍ＝０．５７、Δｍｍ＝０．５７、αｍ＝０．５６、βｍ＝βｍ’＝０．５で、３以上のｍに対しては一定である。
また、ｍ＝２の場合、４Ｔマークに対しては、Ｔｄ１＝１．０６、α１＝０．９４、β１＝１．４４、α２＝０．５６、β２＝０．５とし、５Ｔマークに対しては、Ｔｄ１’＝１．０６、α１’＝０．９４、β１’＝２、α２’＝１．１３、β２’＝０．５とした。
３Ｔマークに対しては、Ｔｄ１’＝１．０６、α１’＝１、β１’＝１．１３としている。
なお、各記録方式でのＴｄ１、αｉ、βｉ等を表−２０にまとめて示す。いずれの記録方式も記録パルス分割方法（ＩＩ−Ａ）又は（Ｖ）に準じているので、ｍが３以上の場合に関しては、記録パルス分割方法（ＩＩ）における、１０個のパラメータ（Ｔｄ１、α１、β１、Δ１、αｃ、βｍ−１、Δｍ−１、αｍ、Δｍ、βｍ）及び、ｎ＝３，４，５におけるＴｄ１、αｉ、βｉを記載した。ただし、ｎ＝３の場合の（Ｔｄ１’、α１’、β１’）は、Ｔｄ１、α１、β１の項に記載した。ｎ＝４の場合の（Ｔｄ１、α１、β１、α２、β２）及び、ｎ＝５の場合の（Ｔｄ１’、α１’、β１’、α２、’、β２’）は、Ｔｄ１、α１、β１、αｍ、βｍの欄に記載した。
Figure 0004521054
６倍速における（記録方式ＤＶＤ１−１ａ）の場合の、オーバーライト特性の評価結果を図６４に示す。消去パワーＰｅと記録パワーＰｗの比Ｐｅ／Ｐｗは０．３０とした。Ｐｗを１５ｍＷから２１ｍＷ程度まで１ｍＷ刻みで変化させた。バイアスパワーＰｂは一定０．５ｍＷとしている。
図６４において（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ、（ａ）ジッタ、（ｂ）変調度ｍ１４、（ｃ
）ＲｔｏｐのＰｗ依存性を表す。
ジッタが最小となる最適記録パワーは（記録方式ＤＶＤ１−１ａ）では１８−２０ｍＷである。
図６４（ａ）より、全てのＰｗにおいて１倍速再生時のジッタが１５％以下となっていることがわかる。さらに、図６４（ａ）の図中の横線は１倍速再生時のジッタ＝１０％を示しているが、最適Ｐｗ付近におけるジッタ値は１０％以下となった。
図６４（ｂ）、（ｃ）から、変調度ｍ１４は５５％〜８０％（０．５５〜０．８）、Ｒｔｏｐは１８〜３０％の値が得られていることがわかる。
２．５倍速における（記録方式ＤＶＤ２−１ａ）ついて図６５に示す。消去パワーＰｅと記録パワーＰｗの比Ｐｅ／Ｐｗは０．２９で一定とし、Ｐｗを１２ｍＷ程度から１８ｍＷ程度まで１ｍＷ刻みで変化させた。バイアスパワーＰｂは０．５Ｗで一定である。
図６５（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ（ａ）ジッタ、（ｂ）変調度ｍ１４、（ｃ）Ｒｔｏｐ、のＰｗ依存性を表す。
最適記録パワーは２．５倍速記録では１５〜１７ｍＷ付近である。
図６５（ａ）より、全てのＰｗにおいて１倍速再生時のジッタが１５％以下となっていることがわかる。さらに、図６５（ａ）の図中の横線は１倍速再生時のジッタ＝１０％を示しているが、最適Ｐｗ付近におけるジッタ値は１０％以下となった。
また、図６５（ｂ）、（ｃ）から、変調度ｍ１４は５５％〜８０％（０．５５〜０．８）、Ｒｔｏｐは１８〜３０％の値が得られていることがわかる。
また、いずれの場合も、アシンメトリーは、−５〜＋１０％の範囲内であった。
以上まとめると、２．５、６倍速においては良好な記録特性が得られており、本発明記録媒体及び記録パルス分割方式記録パルス方法（ＩＩ−Ａ）又は（Ｖ）を適用すれば、この間の線速においても良好な特性が得られる。
さらに、各線速における消去比を測定した。２．５倍速においては、（記録方式ＤＶＤ２−１ａ）の３Ｔ、１４Ｔのパルスを用い、６倍速においては（記録方式ＤＶＤ１−１ａ）の３Ｔ、１４Ｔのパルスを用いて、３Ｔ／１４Ｔオーバーライト消去比を測定した。２．５倍速、６倍速での３Ｔ／１４Ｔオーバーライト消去比は、それぞれ２８ｄＢ、２５ｄＢとなり、それぞれの線速において十分な消去比が得られた。
また、（記録方式ＤＶＤ１−１ａ）を用い、６倍速で記録を行ったディスクを１０５℃の加速試験に投入したところ、３時間経過しても記録済み信号の劣化はほとんど見られなかった。ジッタは１倍速再生で１０％以下であり、反射率Ｒｔｏｐ、変調度ｍ１４もほとんど低下しておらず、初期値の９０％以上を維持していた。
（実施例１７）
上記基本例において、下記のようにしてディスクを製造し記録を行なった。
基板上に、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０からなる下部保護層を８０ｎｍ、Ｉｎ３Ｇｅ３Ｓｂ８１Ｔｅ１３（Ｉｎ０．０３Ｇｅ０．０３（Ｓｂ０．８６Ｔｅ０．１４）０．９４）からなる記録層を１３．５ｎｍ、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０からなる上部保護層を２０ｎｍ、Ｔａからなる界面層を５ｎｍ、Ａｇからなる反射層を１４０ｎｍ、紫外線硬化樹脂層を約４μｍ、をこの順に形成し、ディスクを作製した。このＡｇ反射層の体積抵抗率ρｖは２８ｎΩ・ｍ、面積抵抗率ρｓは約０．２Ω／□であった。初期化は、長軸約１５０μｍ、短軸約１．０μｍの楕円形スポット形状を有する波長約８１０ｎｍのレーザーダイオード光を短軸方向に線速約４ｍ／ｓで走査して行なった。照射パワーは１２００ｍＷである。
このディスクに、ＮＡ＝０．６５のテスター３を用いて、２．５及び６倍速でＥＦＭ＋変調信号のオーバーライトを行ない、その特性を評価した。
消去パワーＰｅと記録パワーＰｗの比Ｐｅ／Ｐｗは０．３３あるいは０．３９で一定とし、Ｐｗを１５ｍＷ程度から２０ｍＷ程度まで１ｍＷ刻みで変化させ、それぞれの記録パワーでオーバーライト特性を評価した。いずれも１０回オーバーライト後の値で評価した。
６倍速においては、記録方式ＤＶＤ１−２を適用し、これを（記録方式ＤＶＤ１−２ａ）とする。これは記録パルス分割方法（ＩＩＩ−Ａ）における独立パラメータをさらに限定した使用法となっている。
（記録方式ＤＶＤ１−２ａ）
ｍが３以上の場合の、偶数マーク長、ｎＴ＝２ｍＴに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間αｉＴ及びオフパルス区間βｉＴにおけるαｉ及びβｉを、次に様に設定した。
Ｔｄ１＋α１＝２βｉ−１＋αｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ）、とした。
一方、ｍが３以上の場合の奇数マーク長、ｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間αｉ’Ｔ及びオフパルス区間βｉ’Ｔにおけるαｉ’及びβｉ’を、以下のように設定した。
Ｔｄ１’＋α１’＝２βｉ−１’＋αｉ’＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）、βｍ−１’＋αｍ’＝２．８１２５、ただし、βｍ−１’＝βｍ−１＋Δｍ−１、αｍ’＝αｍ＋Δｍ、とした。
ここで、Ｔｄ１＝Ｔｄ１’＝０．７５、α１＝α１’＝１．２５、αｉ＝αｉ’＝αｃ＝１．２（ｉ＝２〜ｍ−１のｉに対してαｃは一定）、βｍ−１＝０．８、Δｍ−１＝０．５，Δｍ＝０．３１２５、Δｍｍ＝０．８１２５，αｍ＝１．２、βｍ＝βｍ’＝０．１２５で、３以上のｍに対しては一定である。
また、ｍ＝２の場合、４Ｔマークに対しては、Ｔｄ１＝０．７５，α１＝１．２５、β１＝０．８、α２＝１．２５、β２＝０．１２５とし、５Ｔマークに対しては、Ｔｄ１’＝０．７５，α１’＝１．２５、β１’＝１．１８７５、α２’＝１．５６２５、β２’＝０．１２５とした。
ｍ＝１、すなわち３Ｔマークに対しては、Ｔｄ１’＝０．８１２５、α１’＝１．６２５、
β１’＝０．３７５とした。
一方、２．５倍速記録の場合には、記録方式ＤＶＤ２−２の具体例として、以下の（記録方式ＤＶＤ２−２ａ）を使用した。（記録方式ＤＶＤ２−２ａ）は、記録パルス分割方法（ＶＩ）における、独立パラメータの数をさらに限定した使用方法となっている。
（記録方式ＤＶＤ２−２ａ）
ｍが３以上の場合の、偶数マーク長ｎＴ＝２ｍＴに対しては、マークの記録に際して、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間αｉＴ及びオフパルス区間βｉＴにおけるαｉ及びβｉを、
Ｔｄ１＋α１＝２、
βｉ−１＋αｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ）、
とした。
一方、ｍが３以上の奇数マーク長がｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔに対しては、マークの記録に際して、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間αｉ’Ｔ及びオフパルス区間βｉ’Ｔにおけるαｉ’及びβｉ’を、Ｔｄ１’＋α１’＝２βｉ−１’＋αｉ’＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）βｍ−１’＋αｍ’＝２．８７５、ただし、βｍ−１’＝βｍ−１＋Δｍ−１、αｍ’＝αｍ＋Δｍ，とした。
ここで、Ｔｄ１＝Ｔｄ１’＝１．３７５，α１＝α１’＝０．６２５、αｉ＝αｉ’＝αｃ＝０．６２５（ｉ＝２〜ｍ−１なるｉに対して、αｃは一定）、βｍ−１＝１．３７
５、Δｍ−１＝０．４３７５、Δｍ＝０．４３７５，Δｍｍ＝０．８７５、αｍ＝０．６２５、βｍ＝βｍ’＝０．７５で、３以上のｍに対しては一定である。
また、ｍ＝２の場合、４Ｔマークに対しては、Ｔｄ１＝１．３７５、α１＝０．６２５、β１＝１．３１２５、α２＝０．６２５、β２＝０．７５とし、５Ｔマークに対しては、Ｔｄ１’＝１．３７５、α１’＝０．６２５、β１’＝１．９３７５、α２’＝１．０、β２’＝０．７５とした。
３Ｔマークに対しては、Ｔｄ１’＝１．４３７５、α１’＝１．２５、β１’＝１としている。
なお、各記録方式でのＴｄ１、αｉ、βｉ等を表−２１にまとめて示す。いずれの記録方式も記録パルス分割方法（ＩＩＩ）に準じているので、ｍが３以上の場合に関しては、記録パルス分割方法（ＩＩＩ）における、９個のパラメータ（Ｔｄ１、α１、β１、αｃ、βｍ−１、Δｍ−１、αｍ、Δｍ、βｍ）及び、ｎ＝３，４，５におけるＴｄ１、αｉ、βｉを記載した。ただし、ｎ＝３の場合の（Ｔｄ１’、α１’、β１’）は、Ｔｄ１、α１、βｍの項に記載した。ｎ＝４の場合の（Ｔｄ１、α１、β１、α２、β２）及び、ｎ＝５の場合の（Ｔｄ１’、α１’、β１’、α２、’、β２’）は、Ｔｄ１、α１、β１、αｍ、βｍの欄に記載した。
Figure 0004521054
６倍速における（記録方式ＤＶＤ１−２ａ）の場合の、オーバーライト特性の評価結果を図６６に示す。消去パワーＰｅと記録パワーＰｗの比Ｐｅ／Ｐｗは記録方式１’では０．３４とした。Ｐｗを１５ｍＷから２０ｍＷ程度まで１ｍＷ刻みで変化させた。バイアスパワーＰｂは一定０．５ｍＷとしている。
図６６において（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ、（ａ）ジッタ、（ｂ）変調度ｍ１４、（ｃ）ＲｔｏｐのＰｗ依存性を表す。
ジッタが最小となる最適記録パワーは（記録方式ＤＶＤ１−２ａ）では１７−１９ｍＷである。
図６６（ａ）より、全てのＰｗにおいて１倍速再生時のジッタが１５％以下となっていることがわかる。さらに、図６６（ａ）の図中の横線は１倍速再生時のジッタ＝１０％を示しているが、最適Ｐｗ付近におけるジッタ値は１０％以下となった。
図６６（ｂ）、（ｃ）から、変調度ｍ１４は５５％〜８０％（０．５５〜０．８）、Ｒｔｏｐは１８〜３０％の値が得られていることがわかる。
２．５倍速における（記録方式ＤＶＤ２−２ａ）ついて図６７に示す。消去パワーＰｅと記録パワーＰｗの比Ｐｅ／Ｐｗは０．３０で一定とし、Ｐｗを１５ｍＷ程度から２１ｍＷ程度まで１ｍＷ刻みで変化させた。バイアスパワーＰｂは０．５Ｗで一定である。
図６７（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ（ａ）ジッタ、（ｂ）変調度ｍ１４、（ｃ）Ｒｔｏｐ、のＰｗ依存性を表す。最適記録パワーは２．５倍速記録では１７〜２０ｍＷ付近であり、オーバーライト特性もこのパワーにおける値で評価される。
図６７（ａ）より、全てのＰｗにおいて１倍速再生時のジッタが１５％以下となっていることがわかる。さらに、図６７（ａ）の図中の横線は１倍速再生時のジッタ＝１０％を示しているが、最適Ｐｗ付近におけるジッタ値は１０％以下となった。
また、図６７（ｂ）、（ｃ）から、変調度ｍ１４は５５％〜８０％（０．５５〜０．８）、Ｒｔｏｐは１８〜３０％の値が得られていることがわかる。
また、いずれの場合もアシンメトリーは−５〜＋１５％の範囲内であった。
以上まとめると、２．５、６倍速においては良好な記録特性が得られている。また、この間の線速においてもパルスを調整することによって良好な特性がえられる。
さらに、各線速における消去比を測定した。２．５倍速においては、（記録方式ＤＶＤ２−２ａ）の３Ｔ、１４Ｔのパルスを用い、６倍速においては（記録方式ＤＶＤ１−２ａ）の３Ｔ、１４Ｔのパルスを用いて、３Ｔ／１４Ｔオーバーライト消去比を測定した。２．５倍速、６倍速で３Ｔ／１４Ｔオーバーライト消去比は、それぞれ２９ｄＢ、２６ｄＢとなり、それぞれの線速において十分な消去比が得られている。
また、（記録方式ＤＶＤ１−２ａ）を用い、６倍速で記録を行ったディスクを１０５℃の加速試験に投入したところ、３時間経過しても記録済み信号の劣化はほとんど見られなかった。ジッタは、２〜３％増加したが１倍速再生で１５％以下であり、反射率Ｒｔｏｐ、変調度ｍ１４もほとんど低下しておらず、初期値の９０％を少し下回る程度を維持していた。
（実施例１８）
上記基本例において、下記のようにしてディスクを製造し記録を行なった。
基板上に、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０からなる下部保護層を７８ｎｍ、Ｇｅ１１．８Ｓｂ５８．８Ｓｎ２４．５Ｔｅ４．９（Ｔｅ０．０５Ｓｎ０．２５（Ｇｅ０．１７Ｓｂ０．８３）０．７０）からなる記録層を１２ｎｍ、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０からなる上部保護層を２０ｎｍ、Ｔａからなる界面層を２ｎｍ、Ａｇからなる反射層を２００ｎｍ、紫外線硬化樹脂層を約４μｍ、をこの順に形成し、ディスクを作製した。このＡｇ反射層の体積抵抗率ρｖは２８ｎΩ・ｍ、面積抵抗率ρｓは約０．１４Ω／□であった。初期化は、長軸約７５μｍ、短軸約１．０μｍの楕円形スポット形状を有する波長約８１０ｎｍのレーザーダイオード光を短軸方向に線速約８ｍ／ｓで走査して行なった。照射パワーは７００ｍＷである。
このディスクに、ＮＡ＝０．６５のテスター３を用いて、３及び８倍速でＥＦＭ＋変調信号のオーバーライトを１０回行ない、その特性を評価した。
８倍速においては、記録方式ＤＶＤ１−２を適用し、これを（記録方式ＤＶＤ１−２ｂ）とする。これは記録パルス分割方法（ＩＩＩ−Ａ）における独立パラメータをさらに限定した使用法となっている。
（記録方式ＤＶＤ１−２ｂ）
ｍが３以上の場合の、偶数マーク長、ｎＴ＝２ｍＴに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間αｉＴ及びオフパルス区間βｉＴにおけるαｉ及びβｉを、次に様に設定した。
Ｔｄ１＋α１＝２βｉ−１＋αｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ）、とした。
一方、ｍが３以上の場合の奇数マーク長、ｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間αｉ’Ｔ及びオフパルス区間βｉ’Ｔにおけるαｉ’及びβｉ’を、以下のように設定した。
Ｔｄ１’＋α１’＝２βｉ−１’＋αｉ’＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）、βｍ−１’＋αｍ’＝２．５６２５、ただし、βｍ−１’＝βｍ−１＋Δｍ−１、αｍ’＝αｍ＋Δｍ、とした。
ここで、Ｔｄ１＝Ｔｄ１’＝０．８７５、α１＝α１’＝１．１２５、αｉ＝αｉ’＝αｃ＝０．８１２５（ｉ＝２〜ｍ−１のｉに対してαｃは一定）、βｍ−１＝１．１８７５、Δｍ−１＝０．１２５，Δｍ＝０．４３７５、Δｍｍ＝０．５６２５，αｍ＝０．８１２５、βｍ＝βｍ’＝０．３７５で、３以上のｍに対しては一定である。
また、ｍ＝２の場合、４Ｔマークに対しては、Ｔｄ１＝０．８７５，α１＝１．１２５、β１＝１．１８７５、α２＝０．８１２５、β２＝０．３７５とし、５Ｔマークに対しては、Ｔｄ１’＝０．８７５，α１’＝１．１２５、β１’＝１．３１２５、α２’＝１．２５、β２’＝０．３７５とした。
ｍ＝１、すなわち３Ｔマークに対しては、Ｔｄ１’＝０．８７５、α１’＝１．５６２５、β１’＝０．５とした。
一方、３倍速記録の場合には、記録方式ＤＶＤ２−２の具体例として、以下の（記録方式ＤＶＤ２−２ｂ）を使用した。（記録方式ＤＶＤ２−２ｂ）は、記録パルス分割方法（ＶＩ）における、独立パラメータの数をさらに限定した使用方法となっている。
（記録方式ＤＶＤ２−２ｂ）
ｍが３以上の場合の、偶数マーク長ｎＴ＝２ｍＴに対しては、マークの記録に際して、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間αｉＴ及びオフパルス区間βｉＴにおけるαｉ
及びβｉを、
Ｔｄ１＋α１＝２、
βｉ−１＋αｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ）、
とした。
一方、ｍが３以上の奇数マーク長がｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔに対しては、マークの記録に際して、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間αｉ’Ｔ及びオフパルス区間βｉ’Ｔにおけるαｉ’及びβｉ’を、Ｔｄ１’＋α１’＝２βｉ−１’＋αｉ’＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）βｍ−１’＋αｍ’＝３、ただし、βｍ―１’＝βｍ―１＋Δｍ−１、αｍ’＝αｍ＋Δｍ、とした。
ここで、Ｔｄ１＝Ｔｄ１’＝１．０６２５，α１＝α１’＝０．９３７５、αｉ＝αｉ’＝αｃ＝０．５６２５（ｉ＝２〜ｍ−１なるｉに対して、αｃは一定）、βｍ−１＝１．４３７５、Δｍ−１＝０．６８７５、Δｍ＝０．３１２５，Δｍｍ＝１、αｍ＝０．５６２５、βｍ＝βｍ’＝０．５で、３以上のｍに対しては一定である。
また、ｍ＝２の場合、４Ｔマークに対しては、Ｔｄ１＝１．０６２５、α１＝０．９３７５、β１＝１．４３７５、α２＝０．５６２５、β２＝０．５とし、５Ｔマークに対しては、Ｔｄ１’＝１．０６２５、α１’＝０．９３７５、β１’＝２．１２５、α２’＝
０．８７５、β２’＝０．５とした。
３Ｔマークに対しては、Ｔｄ１’＝１．０６２５、α１’＝１．１２５、β１’＝１としている。
なお、各記録方式でのＴｄ１、αｉ、βｉ等を表−２２にまとめて示す。いずれの記録方式も記録パルス分割方法（ＩＩＩ）に準じているので、ｍが３以上の場合に関しては、記録パルス分割方法（ＩＩＩ）における、９個のパラメータ（Ｔｄ１、α１、β１、αｃ、βｍ−１、Δｍ−１、αｍ、Δｍ、βｍ）及び、ｎ＝３，４，５におけるＴｄ１、αｉ、βｉを記載した。ただし、ｎ＝３の場合の（Ｔｄ１’、α１’、β１’）は、Ｔｄ１、α１、βｍの項に記載した。ｎ＝４の場合の（Ｔｄ１、α１、β１、α２、β２）及び、ｎ＝５の場合の（Ｔｄ１’、α１’、β１’、α２、’、β２’）は、Ｔｄ１、α１、β１、αｍ、βｍの欄に記載した。
Figure 0004521054
８倍速における（記録方式ＤＶＤ１−２ｂ）の場合の、オーバーライト特性の評価結果を図６８に示す。消去パワーＰｅと記録パワーＰｗの比Ｐｅ／Ｐｗは（記録方式ＤＶＤ１−２ｂ）では０．２４とした。Ｐｗを１８ｍＷから２５ｍＷまで１ｍＷ刻みで変化させた。バイアスパワーＰｂは一定０．５ｍＷとしている。
図６８において（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ、（ａ）ジッタ、（ｂ）変調度ｍ１４、（ｃ）ＲｔｏｐのＰｗ依存性を表す。
ジッタが最小となる最適記録パワーは（記録方式ＤＶＤ１−２ｂ）では２２−２５ｍＷである。
図６８（ａ）より、全てのＰｗにおいて１倍速再生時のジッタが１５％以下となっていることがわかる。さらに、図６８（ａ）の図中の横線は１倍速再生時のジッタ＝１０％を示しているが、最適Ｐｗ付近におけるジッタ値は１０％以下となった。
図６８（ｂ）、（ｃ）から、変調度ｍ１４は５５％〜８０％（０．５５〜０．８）、Ｒｔｏｐは１８〜３０％の値が得られていることがわかる。
３倍速における（記録方式ＤＶＤ２−２ｂ）ついて図６９に示す。消去パワーＰｅと記録パワーＰｗの比Ｐｅ／Ｐｗは０．２５で一定とし、Ｐｗを１４ｍＷ程度から２０ｍＷまで１ｍＷ刻みで変化させた。バイアスパワーＰｂは０．５Ｗで一定である。
図６９（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ（ａ）ジッタ、（ｂ）変調度ｍ１４、（ｃ）Ｒｔｏｐ、のＰｗ依存性を表す。最適記録パワーは３倍速記録では１７〜２０ｍＷ付近である。
図６９（ａ）より、全てのＰｗにおいて１倍速再生時のジッタが１５％以下となっていることがわかる。さらに、図６９（ａ）の図中の横線は１倍速再生時のジッタ＝１０％を示しているが、最適Ｐｗ付近におけるジッタ値は１０％以下となった。
また、図６９（ｂ）、（ｃ）から、変調度ｍ１４は５５％〜８０％（０．５５〜０．８）、Ｒｔｏｐは１８〜３０％の値が得られていることがわかる。
また、いずれの場合もアシンメトリーは−５〜＋１０％の範囲内であった。
以上まとめると、３、８倍速においては良好な記録特性が得られている。また、この間の線速においてもパルスを調整することによって良好な特性がえられる。
さらに、各線速における消去比を測定した。３倍速においては、（記録方式ＤＶＤ２−２ｂ）の３Ｔ、１４Ｔのパルスを用い、８倍速においては（記録方式ＤＶＤ１−２ｂ）の３Ｔ、１４Ｔのパルスを用いて、３Ｔ／１４Ｔオーバーライト消去比を測定した。３倍速、８倍速で３Ｔ／１４Ｔオーバーライト消去比は、ぞれぞれ２９ｄＢ、２６ｄＢとなり、それぞれの線速において十分な消去比が得られている。
また、（記録方式ＤＶＤ１−２ｂ）を用い、８倍速で記録を行ったディスクを１０５℃の加速試験に投入したところ、３時間経過しても記録済み信号の劣化はほとんど見られなかった。ジッタは１倍速再生で１０％以下であり、反射率Ｒｔｏｐ、変調度ｍ１４もほとんど低下しておらず、初期値の９０％以上を維持していた。
（実施例１９）
上記基本例において、下記のようにしてディスクを製造し記録を行なった。
基板上に、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０からなる下部保護層を８０ｎｍ、Ｇｅ７．７Ｉｎ１０．１Ｓｂ６３．６Ｓｎ１３．８Ｔｅ４．８（Ｉｎ０．１Ｓｎ０．１４Ｔｅ０．０５（Ｇｅ０．１１Ｓｂ０．８９）０．７１）からなる記録層を１３ｎｍ、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０からなる上部保護層を２０ｎｍ、Ｔａからなる界面層を２ｎｍ、Ａｇからなる反射層を２００ｎｍ、紫外線硬化樹脂層を約４μｍ、をこの順に形成し、ディスクを作製した。
このＡｇ反射層の体積抵抗率ρｖは２８ｎΩ・ｍ、面積抵抗率ρｓは約０．１４Ω／□であった。初期化は、長軸約７５μｍ、短軸約１．０μｍの楕円形スポット形状を有する波長約８１０ｎｍのレーザーダイオード光を短軸方向に線速約１２ｍ／ｓで走査して行なった。照射パワーは９００ｍＷである。
このディスクに、ＮＡ＝０．６５のテスター３を用いて、４、１０及び１２倍速でＥＦ
Ｍ＋変調信号のオーバーライトを１０回行ない、その特性を評価した。
１０倍速においては、記録方式ＤＶＤ１−２を適用し、これを（記録方式ＤＶＤ１−２ｃ）とする。これは記録パルス分割方法（ＩＩＩ−Ａ）における独立パラメータをさらに限定した使用法となっている。
（記録方式ＤＶＤ１−２ｃ）
ｍが３以上の場合の、偶数マーク長、ｎＴ＝２ｍＴに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間αｉＴ及びオフパルス区間βｉＴにおけるαｉ及びβｉを、次に様に設定した。
Ｔｄ１＋α１＝２βｉ−１＋αｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ）、とした。
一方、ｍが３以上の場合の奇数マーク長、ｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間αｉ’Ｔ及びオフパルス区間βｉ’Ｔにおけるαｉ’及びβｉ’を、以下のように設定した。
Ｔｄ１’＋α１’＝２βｉ−１’＋αｉ’＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）、βｍ−１’＋αｍ’＝２．４７、ただし、βｍ−１’＝βｍ−１＋Δｍ−１、αｍ’＝αｍ＋Δｍ、とした。
ここで、Ｔｄ１＝Ｔｄ１’＝１、α１＝α１’＝１、αｉ＝αｉ’＝αｃ＝０．８（ｉ＝２〜ｍ−１のｉに対してαｃは一定）、βｍ−１＝１．２、Δｍ−１＝０．２，Δｍ＝０．２７、Δｍｍ＝０．４７，αｍ＝０．８、βｍ＝βｍ’＝０．６で、３以上のｍに対しては一定である。
また、ｍ＝２の場合、４Ｔマークに対しては、Ｔｄ１＝１，α１＝１、β１＝１．２、α２＝０．８、β２＝０．６とし、５Ｔマークに対しては、Ｔｄ１’＝１、α１’＝１、β１’＝１．２７、α２’＝１．１３、β２’＝０．６とした。
ｍ＝１、すなわち３Ｔマークに対しては、Ｔｄ１’＝１．２、α１’＝１．０７、β１’＝０．８とした。
また、１２倍速においても、記録方式ＤＶＤ１−２を適用し、これを（記録方式ＤＶＤ１−２ｄ）とする。これは記録パルス分割方法（ＩＩＩ−Ａ）における独立パラメータをさらに限定した使用法となっている。
（記録方式ＤＶＤ１−２ｄ）
ｍが３以上の場合の、偶数マーク長、ｎＴ＝２ｍＴに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間αｉＴ及びオフパルス区間βｉＴにおけるαｉ及びβｉを、次に様に設定した。
Ｔｄ１＋α１＝２βｉ−１＋αｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ）、とした。
一方、ｍが３以上の場合の奇数マーク長、ｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間αｉ’Ｔ及びオフパルス区間βｉ’Ｔにおけるαｉ’及びβｉ’を、以下のように設定した。
Ｔｄ１’＋α１’＝２βｉ−１’＋αｉ’＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）、βｍ−１’＋αｍ’＝２．５、ただし、βｍ−１’＝βｍ−１＋Δｍ−１、αｍ’＝αｍ＋Δｍ、とした。
ここで、Ｔｄ１＝Ｔｄ１’＝０．９２、α１＝α１’＝１．０８、αｉ＝αｉ’＝αｃ＝０．８３（ｉ＝２〜ｍ−１のｉに対してαｃは一定）、βｍ−１＝１．１７、Δｍ−１＝０．２５、Δｍ＝０．２５、Δｍｍ＝０．５，αｍ＝０．８３、βｍ＝βｍ’＝０．７５で、３以上のｍに対しては一定である。
また、ｍ＝２の場合、４Ｔマークに対しては、Ｔｄ１＝０．９２，α１＝１．０８、β１＝１．１７、α２＝０．８３、β２＝０．７５とし、５Ｔマークに対しては、Ｔｄ１’＝０．９２、α１’＝１．０８、β１’＝１．２８、α２’＝１．１４、β２’＝０．７５とした。
ｍ＝１、すなわち３Ｔマークに対しては、Ｔｄ１’＝１．１７、α１’＝１．０８、β１’＝０．６７とした。
一方、４倍速記録の場合には、記録方式ＤＶＤ２−２の具体例として、以下の（記録方式ＤＶＤ２−２ｃ）を使用した。（記録方式ＤＶＤ２−２ｃ）は、記録パルス分割方法（ＶＩ）における、独立パラメータの数をさらに限定した使用方法となっている。
（記録方式ＤＶＤ２−２ｃ）
ｍが３以上の場合の、偶数マーク長ｎＴ＝２ｍＴに対しては、マークの記録に際して、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間αｉＴ及びオフパルス区間βｉＴにおけるαｉ及びβｉを、
Ｔｄ１＋α１＝２、
βｉ−１＋αｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ）、
とした。
一方、ｍが３以上の奇数マーク長がｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔに対しては、マークの記録に際して、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間αｉ’Ｔ及びオフパルス区間βｉ’Ｔにおけるαｉ’及びβｉ’を、Ｔｄ１’＋α１’＝２βｉ−１’＋αｉ’＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）βｍ−１’＋αｍ’＝２．８８、ただし、βｍ−１’＝βｍー１＋Δｍ−１、αｍ’＝αｍ＋Δｍ、とした。
ここで、Ｔｄ１＝Ｔｄ１’＝１．４４，α１＝α１’＝０．５６、αｉ＝αｉ’＝αｃ＝０．５６（ｉ＝２〜ｍ−１なるｉに対して、αｃは一定）、βｍ−１＝１．４４、Δｍ−１＝０．５６、Δｍ＝０．３２，Δｍｍ＝０．８８、αｍ＝０．５６、βｍ＝βｍ’＝０．６９で、３以上のｍに対しては一定である。
また、ｍ＝２の場合、４Ｔマークに対しては、Ｔｄ１＝１．４４、α１＝０．５６、β１＝１．４４、α２＝０．５６、β２＝０．６９とし、５Ｔマークに対しては、Ｔｄ１’＝１．４４、α１’＝０．５６、β１’＝２、α２’＝０．８８、β２’＝０．６９とした。
３Ｔマークに対しては、Ｔｄ１’＝１．４４、α１’＝１．１９、β１’＝０．８８としている。
なお、各記録方式でのＴｄ１、αｉ、βｉ等を表−２３にまとめて示す。いずれの記録方式も記録パルス分割方法（ＩＩＩ）に準じているので、ｍが３以上の場合に関しては、記録パルス分割方法（ＩＩＩ）における、９個のパラメータ（Ｔｄ１、α１、β１、αｃ、βｍ−１、Δｍ−１、αｍ、Δｍ、βｍ）及び、ｎ＝３，４，５におけるＴｄ１、αｉ、βｉを記載した。Δｍ’は、本実施例ではゼロとしているために省略した。また、ｎ＝３の場合の（Ｔｄ１’、α１’、β１’）は、Ｔｄ１、α１、βｍの項に記載した。ｎ＝４の場合の（Ｔｄ１、α１、β１、α２、β２）及び、ｎ＝５の場合の（Ｔｄ１’、α１’、β１’、α２’、β２’）は、Ｔｄ１、α１、β１、αｍ、βｍの欄に記載した。
Figure 0004521054
１０倍速における（記録方式ＤＶＤ１−２ｃ）の場合の、オーバーライト特性の評価結果を図７０に示す。消去パワーＰｅと記録パワーＰｗの比Ｐｅ／Ｐｗは（記録方式ＤＶＤ１−２ｃ）では０．２２とした。Ｐｗを２２ｍＷから２７ｍＷまで１ｍＷ刻みで変化させた。バイアスパワーＰｂは一定０．５ｍＷとしている。
図７０において（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ、（ａ）クロックジッタ、（ｂ）変調度ｍ１
４、（ｃ）ＲｔｏｐのＰｗ依存性を表す。
ジッタが最小となる最適記録パワーは（記録方式ＤＶＤ１−２ｃ）では２４−２６ｍＷ付近である。
図７０（ａ）より、全てのＰｗにおいて１倍速再生時のジッタが１５％以下となっていることがわかる。
また、図７０の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）から、最適記録パワーにおいてクロックジッタは１２％以下、変調度ｍ１４は５５％〜８０％（０．５５〜０．８）、Ｒｔｏｐは１８〜３０％の値が得られていることがわかる。
１２倍速における（記録方式ＤＶＤ１−２ｄ）の場合の、オーバーライト特性の評価結果を図７１に示す。消去パワーＰｅと記録パワーＰｗの比Ｐｅ／Ｐｗは（記録方式ＤＶＤ１−２ｄ）では０．２とした。Ｐｗを２３ｍＷから２８ｍＷまで１ｍＷ刻みで変化させた。バイアスパワーＰｂは一定０．５ｍＷとしている。
図７１において（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ、（ａ）クロックジッタ、（ｂ）変調度ｍ１４、（ｃ）ＲｔｏｐのＰｗ依存性を表す。
ジッタが最小となる最適記録パワーは（記録方式ＤＶＤ１−２ｄ）では２６−２７ｍＷ付近である。
図７１の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）から、最適記録パワーにおいてクロックジッタは１５％以下、変調度ｍ１４は５５％〜８０％（０．５５〜０．８）、Ｒｔｏｐは１８〜３０％の値が得られていることがわかる。なお、１２倍速における、クロックジッタが１２％を越えているのは、測定に用いたテスタ３の記録パルスの立ち上がり、たち下がりが２ｎｓｅｃ弱と、基準クロック周期約３．２ｎｓｅｃに比べて大きめであるためであり、立ち上がりたち下がり時間が１ｎｓｅｃ程度となれば、１２％程度に低減することができる。この立ち上がりたち下がり時間１ｎｓｅｃ程度というのは、今日十分実現可能な値である。
４倍速における（記録方式ＤＶＤ２−２ｃ）の場合の、オーバーライト特性の評価結果を図７２に示す。消去パワーＰｅと記録パワーＰｗの比Ｐｅ／Ｐｗは０．２５で一定とし、Ｐｗを１４ｍＷから２０ｍＷまで１ｍＷ刻みで変化させた。バイアスパワーＰｂは０．５Ｗで一定である。
図７２（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ（ａ）クロックジッタ、（ｂ）変調度ｍ１４、（ｃ）Ｒｔｏｐ、のＰｗ依存性を表す。最適記録パワーは４倍速記録では１７〜２０ｍＷ付近である。
図７２の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）から、最適記録パワーにおいてクロックジッタは１１％以下、変調度ｍ１４は５５％〜８０％（０．５５〜０．８）、Ｒｔｏｐは１８〜３０％の値が得られていることがわかる。
以上まとめると、４、１０、１２倍速においては良好な記録特性が得られている。また、この間の線速においてもパルスを調整することによって良好な特性がえられる。
さらに、各線速における消去比を測定した。表−２３の記録パルス分割方法の３Ｔ、１４Ｔのパルスを用い、３Ｔ／１４Ｔオーバーライト消去比を測定すると、それぞれ２５ｄＢ以上となり、それぞれの線速において、十分な消去比が得られている。
また、表−２３の（記録方式ＤＶＤ１−２ｃ）を用い、１０倍速で記録を行ったディスクを１０５℃の加速試験に投入したところ、３時間経過しても記録済み信号の劣化はほとんど見られなかった。ジッタは１倍速再生で１２％以下であり、反射率Ｒｔｏｐ、変調度ｍ１４もほとんど低下しておらず、初期値の９０％以上を維持していた。
（比較例３）
特開２００１−３３１９３６号公報の実施例にある４．８倍速又は５倍速でオーバライト可能なＲＷ−ＤＶＤを８倍速でオーバーライト記録を試みる。
基板上に、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０からなる下部保護層を６８ｎｍ、Ｇｅ５Ｓｂ７７Ｔｅ１８（Ｇｅ０．０５（Ｓｂ０．８１Ｔｅ０．１９）０．９５）からなる記録層を１４ｎｍ、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０からなる上部保護層を２５ｎｍ、Ａｌ９９．５Ｔａ０．５からなる反射層を２００ｎｍ、紫外線硬化樹脂層を約４μｍ、をこの順に形成し、ディスクを作製した。
このＡｌ９９．５Ｔａ０．５反射層の体積抵抗率ρｖは、１００ｎΩ・ｍ、面積抵抗率ρｓは、約０．５Ω／□であった。初期化は、長軸約１０８μｍ、短軸約１．５μｍの楕円形スポット形状を有する波長約８１０ｎｍのレーザーダイオード光を短軸方向に線速３〜６ｍ／ｓで走査して行なった。照射パワーは４００〜６００ｍＷである。さらに、波長６６０ｎｍ、ＮＡ＝０．６５の評価装置で、トラッキング及びフォーカスサーボをかけて溝部に１回ずつ約６ｍＷのＤＣ光を４ｍ／ｓで走査させて、結晶化レベルのノイズを減らす作業を行った。
このディスクに、ＮＡ＝０．６５のテスター３を用いて、８倍速でＥＦＭ＋変調信号のオーバーライトを行ない、その特性評価を行う。
記録方法は、特開２００１−３３１９３６号公報に開示されているパルス分割方法を用いる。具体的には、特開２００１−３３１９３６号公報に開示されている図２６の方法を用いる。
以下、特開２００１−３３１９３６号公報と今回の特許は記述方法が異なるので、主に特開２００１−３３１９３６号公報の記述方法に沿って記す。
ｍが３以上の場合の、偶数マーク長、ｎＴ＝２ｍＴに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間αｉＴ及びオフパルス区間βｉＴにおけるαｉ及びβｉを、次のように設定する。
Ｔｄ１＋αｉ＝２（Ｔｄｌ＝０．９５）、βｉ−１＋αｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）、βｍ＋αｍ＝１．４、としている。
一方、ｍが３以上の場合の奇数マーク長、ｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間αｉ’Ｔ及びオフパルス区間βｉ’Ｔにおけるαｉ’及びβｉ’を、以下のように設定する。
Ｔｄ１’＋α１’＝２．０５（Ｔｄ１’＝１）、β１’＋α２’＝２．４５、βｉ−１’＋αｉ’＝２（ｉ＝３〜ｍ−１）、βｍ−１’＋αｍ’＝２．４５、としている。
ここで、
αｉ＝α１’＝１（ｉ＝２〜ｍ−１）、
βｉ＝βｉ’＝１（ｉ＝２〜ｍ−１）、
ｎが偶数の場合は、
α１＝１．０５、β１＝１、αｍ＝１、βｍ＝０．４、
ｎが奇数の場合は、
α１’＝１．０５、β１’＝１．４５、αｍ’＝１、βｍ’＝０．４、
また、ｍ＝２の場合のα１、β１、α２、β２、α１’、β１’、α２’、β２’は、それぞれ、ｍが３以上の場合のα１、β１、αｍ、βｍ、α１’、β１’、αｍ’、βｍ’とみなす。すなわち、４Ｔマークに対しては、Ｔｄ１＝０．９５、α１＝１．０５、β１＝１、α２＝１、β２＝０．４とし、５Ｔマークに対しては、Ｔｄ１’＝１、α１’＝１．０５、β１’＝１．４５、α２’＝１、β２’＝０．４としている。
ｍ＝１、すなわち３Ｔマークに対しては、Ｔｄ１’＝１．１５、α１’＝１．２、β１’＝０．８となっている。
この記録方式において、８倍速において、Ｐｂは０．５ｍＷで一定とし、消去パワーＰｅを４ｍＷ、４．５ｍＷ、５ｍＷ、５．５ｍＷとし、それぞれのＰｅの場合で、Ｐｗを変化させて、それぞれの記録パワーで１０回オーバーライトして特性を評価しても、クロックジッタは２０％以上になってしまい良好な結果は得られない。
尚、本出願は、２００２年２月１３日付けで出願された日本出願（特願２００２−３４８２７）、２００２年３月１８日付けで出願された日本出願（特願２００２−７４８１８）、２００２年４月２６日付けで出願された日本出願（特願２００２−１２６４９１）、２００２年１０月３１日付けで出願された日本出願（特願２００２−３１７８５８）、及び２００２年１１月２７日付けで出願された日本出願（特願２００２−３４４５５７）に基づいており、その全体が引用により援用される。
従来の記録パルス分割方法の一例の説明図 ＥＦＭ変調信号の再生波形（アイパターン）の模式図 記録パルス分割方法の説明図 様々な記録線速度における非晶質形成及び再結晶化過程に対する、反射層の放熱効果、記録層組成、及び記録方法の影響の説明図 本発明の記録方法による記録パルス分割方法の一例の説明図 本発明記録方法に用いられる記録装置の概念図 所定の記録方式で２４倍速記録を行ったときの、ＧｅＳｂＴｅ系記録層を有する光記録媒体の光記録特性を示すデータ 他の所定の記録方式で２４倍速記録を行ったときの、ＧｅＳｂＴｅ系記録層を有する光記録媒体の光記録特性を示すデータ 他の所定の記録方式で１０倍速記録を行ったときの、ＧｅＳｂＴｅ系記録層を有する光記録媒体の光記録特性を示すデータ 所定の記録方式で２４倍速記録を行ったときの、ＧｅＳｂＴｅ系記録層を有する光記録媒体のオーバーライト繰り返し特性を示すデータ 他の所定の記録方式で２４倍速記録を行ったときの、ＧｅＳｂＴｅ系記録層を有する光記録媒体のオーバーライト繰り返し特性を示すデータ 他の所定の記録方式で１０倍速記録を行ったときの、ＧｅＳｂＴｅ系記録層を有する光記録媒体のオーバーライト繰り返し特性を示すデータ 他の所定の記録方式で２４倍速記録を行ったときの、ＩｎＧｅＳｂ系記録層を有する光記録媒体の光記録特性を示すデータ 他の所定の記録方式で２４倍速記録を行ったときの、ＩｎＧｅＳｂ系記録層を有する光記録媒体の光記録特性を示すデータ 他の所定の記録方式で１０倍速記録を行ったときの、ＩｎＧｅＳｂ系記録層を有する光記録媒体の光記録特性を示すデータ 記録パルス分割方法の説明図 記録パルス分割方法の決定方法 他の所定の記録方式で２４倍速記録を行ったときの、ＳｎＧｅＳｂ系記録層を有する光記録媒体の光記録特性を示すデータ 他の所定の記録方式で１０倍速記録を行ったときの、ＳｎＧｅＳｂ系記録層を有する光記録媒体の光記録特性を示すデータ 他の所定の記録方式で２４倍速記録を行ったときの、ＳｎＧｅＳｂ系記録層を有する光記録媒体のオーバーライト繰り返し特性を示すデータ 他の所定の記録方式で１０倍速記録を行ったときの、ＳｎＧｅＳｂ系記録層を有する光記録媒体のオーバーライト繰り返し特性を示すデータ 他の所定の記録方式で２４倍速記録を行ったときの、ＳｎＧｅＳｂ系記録層を有する光記録媒体の光記録特性を示すデータ 他の所定の記録方式で１０倍速記録を行ったときの、ＳｎＧｅＳｂ系記録層を有する光記録媒体の光記録特性を示すデータ 他の所定の記録方式で２４倍速記録を行ったときの、ＳｎＧｅＳｂ系記録層を有する光記録媒体のオーバーライト繰り返し特性を示すデータ 他の所定の記録方式で１０倍速記録を行ったときの、ＳｎＧｅＳｂ系記録層を有する光記録媒体のオーバーライト繰り返し特性を示すデータ 他の所定の記録方式で３２倍速記録を行ったときの、ＳｎＧｅＳｂ系記録層を有する光記録媒体の光記録特性を示すデータ 他の所定の記録方式で２４倍速記録を行ったときの、ＳｎＧｅＳｂ系記録層を有する光記録媒体の光記録特性を示すデータ 他の所定の記録方式で１０倍速記録を行ったときの、ＳｎＧｅＳｂ系記録層を有する光記録媒体の光記録特性を示すデータ 他の所定の記録方式で３２倍速記録を行ったときの、ＳｎＧｅＳｂ系記録層を有する光記録媒体の光記録特性を示すデータ 他の所定の記録方式で２４倍速記録を行ったときの、ＳｎＧｅＳｂ系記録層を有する光記録媒体のオーバーライト繰り返し特性を示すデータ 他の所定の記録方式で１０倍速記録を行ったときの、ＳｎＧｅＳｂ系記録層を有する光記録媒体のオーバーライト繰り返し特性を示すデータ 他の所定の記録方式で３２倍速記録を行ったときの、ＳｎＧｅＳｂ系記録層を有する光記録媒体の光記録特性を示すデータ 他の所定の記録方式で２４倍速記録を行ったときの、ＳｎＧｅＳｂ系記録層を有する光記録媒体の光記録特性を示すデータ 他の所定の記録方式で１０倍速記録を行ったときの、ＳｎＧｅＳｂ系記録層を有する光記録媒体の光記録特性を示すデータ 他の所定の記録方式で３２倍速記録を行ったときの、ＳｎＧｅＳｂ系記録層を有する光記録媒体の光記録特性を示すデータ 他の所定の記録方式で２４倍速記録を行ったときの、ＳｎＧｅＳｂ系記録層を有する光記録媒体のオーバーライト繰り返し特性を示すデータ 他の所定の記録方式で１０倍速記録を行ったときの、ＳｎＧｅＳｂ系記録層を有する光記録媒体のオーバーライト繰り返し特性を示すデータ 他の所定の記録方式で同一媒体上に８−２４倍速で記録を行ったときの、各線速での記録特性を示すデータ 他の所定の記録方式で同一媒体上に８−２４倍速で記録を行ったときの、各線速でのオーバーライト特性データ 他の所定の記録方式で同一媒体上に８−３２倍速で記録を行ったときの、各線速での記録特性を示すデータ 他の所定の記録方式で同一媒体上に８−３２倍速で記録を行ったときの、各線速でのオーバーライト特性データ ｎが４以上の場合における各種パラメータの線速度依存性を表すデータ ｎ＝３の場合におかる、各種パラメータの線速度依存性を表すデータ 他の所定の記録方式で同一媒体上に８−２４倍速で記録を行ったときの、各線速での記録特性を示すデータ 他の所定の記録方式で同一媒体上に８−２４倍速で記録を行ったときの、各線速でのオーバーライト特性データ 他の所定の記録方式で同一媒体上に８−３２倍速で記録を行ったときの、各線速での記録特性を示すデータ 他の所定の記録方式で同一媒体上に８−３２倍速で記録を行ったときの、各線速でのオーバーライト特性データ 同一媒体上に様々な記録方式で記録を行ったときの記録特性を示すデータの一例 同一媒体上に様々な記録方式で記録を行ったときのオーバーライト特性データの一例 同一媒体上に様々な記録方式で記録を行ったときの記録特性を示すデータの他の一例 同一媒体上に様々な記録方式で記録を行ったときのオーバーライト特性データの他の一例 他の所定の記録方式で同一媒体上に８−２４倍速で記録を行ったときの、各線速での記録特性を示すデータ 他の所定の記録方式で同一媒体上に８−２４倍速で記録を行ったときの、各線速でのオーバーライト特性データ 他の所定の記録方式で同一媒体上に８−２４倍速で記録を行ったときの、各線速での記録特性を示すデータ 他の所定の記録方式で同一媒体上に８−２４倍速で記録を行ったときの、各線速でのオーバーライト特性データ 他の所定の記録方式で同一媒体上に８−２４倍速で記録を行ったときの、各線速での記録特性を示すデータ 他の所定の記録方式で同一媒体上に８−２４倍速で記録を行ったときの、各線速でのオーバーライト特性データ 反射層が異なる２種類の書き換え型光記録媒体に対して、他の所定の記録方式で２４倍速記録を行ったときの記録特性を示すデータ 反射層が異なる２種類の書き換え型光記録媒体に対して、他の所定の記録方式で８倍速記録を行ったときの記録特性を示すデータ 同一媒体上に、８倍速から３２倍速までの記録線速度で記録を行ったときの記録特性を示すデータの他の一例 同一媒体上に、８倍速から３２倍速までの記録線速度で記録を行ったときのオーバーライト特性データの他の一例 本発明の記録方法の一例を用いて１０倍速で記録を行ったときの記録特性を示すデータ 本発明の記録方法の一例を用いて１０倍速で記録を行ったときのオーバーライト特性データ 他の所定の記録方式で本発明の書き換え型光記録媒体（ＲＷ−ＤＶＤ）上に６倍速で記録を行ったときの記録特性を示すデータ 他の所定の記録方式で本発明の書き換え型光記録媒体（ＲＷ−ＤＶＤ）上に２．５倍速で記録を行ったときの記録特性を示すデータ 他の所定の記録方式で本発明の書き換え型光記録媒体（ＲＷ−ＤＶＤ）上に６倍速で記録を行ったときの記録特性を示すデータ 他の所定の記録方式で本発明の書き換え型光記録媒体（ＲＷ−ＤＶＤ）上に２．５倍速で記録を行ったときの記録特性を示すデータ 他の所定の記録方式で本発明の書き換え型光記録媒体（ＲＷ−ＤＶＤ）上に８倍速で記録を行ったときの記録特性を示すデータ 他の所定の記録方式で本発明の書き換え型光記録媒体（ＲＷ−ＤＶＤ）上に３倍速で記録を行ったときの記録特性を示すデータ 他の所定の記録方式で本発明の書き換え型光記録媒体（ＲＷ−ＤＶＤ）上に１０倍速で記録を行ったときの記録特性を示すデータ 他の所定の記録方式で本発明の書き換え型光記録媒体（ＲＷ−ＤＶＤ）上に１２倍速で記録を行ったときの記録特性を示すデータ 他の所定の記録方式で本発明の書き換え型光記録媒体（ＲＷ−ＤＶＤ）上に４倍速で記録を行ったときの記録特性を示すデータ

Claims (9)

  1. 案内溝が形成された基板と相変化型記録層とを有してなり、該相変化型記録層の結晶状態の部分を未記録・消去状態に対応させ、該相変化型記録層の非晶質状態の部分を記録状態に対応させて、記録光を照射することにより該記録状態に対応する非晶質マークを形成させる書き換え型光記録媒体において、
    前記相変化型記録層が、Ｇｅ ｙ （Ｓｂ ｘ Ｔｅ １−ｘ ） １−ｙ （ただし、０．０１≦ｙ≦０．０６、０．８５≦ｘ≦０．９）で表される組成を主成分とすることを特徴とする書き換え型光記録媒体。
  2. 案内溝が形成された基板と相変化型記録層とを有してなり、該相変化型記録層の結晶状態の部分を未記録・消去状態に対応させ、該相変化型記録層の非晶質状態の部分を記録状態に対応させて、記録光を照射することにより該記録状態に対応する非晶質マークを形成させる書き換え型光記録媒体において、
    前記相変化型記録層が、ＭｚＧｅｙ（ＳｂｘＴｅ１−ｘ）１−ｙ−ｚ（ただし、０．０１≦ｚ≦０．１、０．０１≦ｙ≦０．０６、０．８５≦ｘ≦０．９であり、ＭはＧａ及びＩｎからなる群から選ばれた少なくとも一種の元素を表す。）で表される組成を主成分とする合金であることを特徴とする書換え型光記録媒体。
  3. 前記相変化型記録層の膜厚が１０〜３０ｎｍである請求項１又は２に記載の書き換え型光記録媒体。
  4. 前記書き換え型光記録媒体がさらに反射層を有し、反射層の面積抵抗率が０．０５Ω／□以上０．２Ω／□以下である請求項１乃至３のいずれかに記載の書き換え型光記録媒体。
  5. 変調度ｍ１１及び、結晶状態の反射率Ｒｔｏｐのいずれもが、温度１０５℃の加速試験環境下で３時間後保持した後においても、その初期値の９０％以上を維持する請求項１乃至４のいずれかに記載の書き換え型光記録媒体。
  6. 案内溝が形成された基板と相変化型記録層とを有してなり、該相変化型記録層の結晶状態の部分を未記録・消去状態に対応させ、該相変化型記録層の非晶質状態の部分を記録状態に対応させて、記録光を照射することにより該記録状態に対応する非晶質マークを形成させる書き換え型光記録媒体において、
    前記相変化型記録層がＳｂを主成分とする組成であり、
    前記相変化型記録層中におけるＧｅの含有量が１原子％以上３０原子％以下であり、Ｔｅの含有量が１０原子％未満であり、
    前記相変化型記録層が、ＴｅγＭ１β（ＧｅαＳｂ１−α）１−βーγ（ただし、０．０１≦α≦０．３、０≦β≦０．３、０．０１≦γ＜０．１、２≦β／γ、０＜β＋γ≦０．４であり、Ｍ１はＩｎ、Ｇａ、及びＳｎからなる群から選ばれる一つである。）で表される組成を主成分とする合金であることを特徴とする書き換え型光記録媒体。
  7. 前記相変化型記録層の膜厚が１０〜３０ｎｍである請求項６に記載の書き換え型光記録媒体。
  8. 前記書き換え型光記録媒体がさらに反射層を有し、反射層の面積抵抗率が０．０５Ω／□以上０．２Ω／□以下である請求項６又は７に記載の書き換え型光記録媒体。
  9. 変調度ｍ１１及び、結晶状態の反射率Ｒｔｏｐのいずれもが、温度１０５℃の加速試験環境下で３時間後保持した後においても、その初期値の９０％以上を維持する請求項６乃至８のいずれかに記載の書き換え型光記録媒体。
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