JP2003157583A - 相変化型情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高線速度での繰り返し記録に優れた相変化型
情報記録媒体の提供。 【解決手段】 （１）基板を通して膜面にレーザー光を
照射することにより、結晶状態及び非結晶状態の可逆的
な相変化が生じて情報が記録される記録層を有し、透明
基板上に少なくとも第一保護層／記録層／第二保護層／
吸収率補正層／反射放熱層／オーバーコート層がこの順
に積層されており、該吸収率補正層が少なくともＧｅを
含み、反射放熱層の主成分がＡｇである相変化型情報記
録媒体。（２）基板上に少なくとも反射放熱層／吸収率
補正層／第二保護層／記録層／第一保護層／オーバーコ
ート層がこの順に積層され、該吸収率補正層が少なくと
もＧｅを含み、反射放熱層の主成分がＡｇであり、更
に、レーザー光が基板を通さずにオーバーコート層側か
ら照射される表面記録型である相変化型情報記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【従来技術】情報を大容量に記録することが可能で、高
速での再生及び繰り返し記録が可能な媒体の一つとし
て、相変化型情報記録媒体が知られている。この相変化
型情報記録媒体は、レーザー光を局所的に照射すること
により、記録層に可逆的に生じる結晶状態と非晶質状態
を記録に利用したものである。即ち、特定波長の光に対
する反射光量が、結晶状態と非晶質状態とで異なること
を記録として利用しており、簡単な光学系で記録・消去
が可能であり、既に記録された情報を消去しながら新た
な情報を記録することが容易であるという優れた特徴を
有している。一般的に、繰り返し記録が可能な相変化型
情報記録媒体では、記録層における非晶質状態を記録状
態とし、結晶状態を消去状態としている。情報の記録
は、レーザー光を照射して記録膜を溶融、急冷し、非晶
質の記録マークを形成することにより行う。そして、記
録された信号の再生は、非晶質部分と結晶部分の反射率
の違いを利用して、ディスクからの反射光量の変化を検
出することにより行う。従来、この相変化型情報記録媒
体に対して繰り返し記録を行った場合、繰り返し記録後
に記録マークの歪みが生じるという現象が知られてい
た。この歪みは、記録前の状態が非晶質であるか結晶で
あるかによって、記録層の温度上昇が異なることが原因
であると考えられている。即ち、非晶質状態よりも結晶
状態の方が反射率が高いので、記録膜における吸収率は
非晶質状態の方が大きくなる。この状態で繰り返し記録
を行うと、非晶質部分の方が結晶部分よりも温度が上昇
し易いため記録マークの歪みが生じる。

【０００２】この問題に対する対策として、例えば特開
平１１−３３９３１１号公報には、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、
Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｉを含み、屈折率が２よりも大きく吸収
係数が２よりも小さい光吸収補正層、或いはＳｉ、Ｇ
ｅ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅを含み、屈折率が３よりも小さく吸
収係数が６よりも小さい光吸収補正層を設けることによ
り繰り返し記録特性が改善することが開示されている
が、記録層の組成はＧｅＴｅとＳｂ_２Ｔｅ_３をベースと
しており、本発明とは異なる。また、特開２０００−１
３２８６４号公報には、窒化物を用いてｎが１．２〜
６、ｋが０．３〜３．０である吸収率制御層を含む層構
成にすることで記録膜の劣化が抑制できることを開示し
ている。しかし、反射層としてＣｕ合金、Ａｌ合金、Ａ
ｕ合金を用いており、これらの合金は熱伝導率が低く熱
が篭り易いので高線速記録に対応していない。また、高
密度記録を達成する方法の一つとして、レーザー光径を
縮小し記録マークを縮めて線密度を高くする方法があ
る。この方法では、レーザー光の短波長化や近接場光を
利用する必要があるが、基板の厚みが影響してくるの
で、その対策として、記録再生を表面記録型で行う方
法、即ち、レーザー光を、基板を通さずに基板の反対面
から膜面に直接照射する方法も知られている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】現在、ＤＶＤ−ＲＯＭ
と同等以上の高密度記録が可能であり、ＤＶＤ−ＲＯＭ
の再生線速の２〜５倍に当る７〜１７．５ｍ／ｓの高線
速記録に適した相変化型情報記録媒体が求められてい
る。しかしながら、高線速で繰り返し記録を行う場合、
レーザー光のパワーが十分に得られないため、上述の結
晶部分と非晶質部分の反射率の違いから生じる記録マー
クの歪みの問題が顕著に現れる。本発明は、この問題を
解決し、高線速での繰り返し記録に優れた相変化型情報
記録媒体を提供することを目的とする。

【０００４】

【課題を解決するための手段】上記課題は、次の１〜１
０の発明（以下、本発明１〜１０という。）によって解
決される。 １） 基板を通して膜面にレーザー光を照射することに
より、結晶状態及び非晶質状態の可逆的な相変化が生じ
て情報が記録される記録層を有し、透明基板上に少なく
とも第一保護層／記録層／第二保護層／吸収率補正層／
反射放熱層／オーバーコート層がこの順に積層されてお
り、該吸収率補正層が少なくともＧｅを含み、反射放熱
層の主成分がＡｇであることを特徴とする相変化型情報
記録媒体。 ２） 基板上に少なくとも反射放熱層／吸収率補正層／
第二保護層／記録層／第一保護層／オーバーコート層が
この順に積層され、該吸収率補正層が少なくともＧｅを
含み、反射放熱層の主成分がＡｇであり、更に、レーザ
ー光が基板を通さずにオーバーコート層側から照射され
る表面記録型であることを特徴とする相変化型情報記録
媒体。 ３） 吸収率補正層が、Ｇｅ単体又はＧｅとＣｒの混合
物を主成分とすることを特徴とする１）又は２）記載の
相変化型情報記録媒体。 ４） 吸収率補正層に含まれるＣｒの割合が、該吸収率
補正層を構成する材料全体に対して原子比率で０〜０．
２５であることを特徴とする３）記載の相変化型情報記
録媒体。 ５） 吸収率補正層の屈折率ｎが３〜６、吸収係数ｋが
０．１〜３であることを特徴とする３）又は４）記載の
相変化型情報記録媒体。 ６） 吸収率補正層の厚さが８〜２０ｎｍであることを
特徴とする３）〜５）の何れかに記載の相変化型情報記
録媒体。 ７） 記録層を構成する材料のうち、原子比率で０．９
以上が下記式で表わされる合金からなることを特徴とす
る１）〜６）の何れかに記載の相変化型情報記録媒体。 ＸαＳｂβＴｅγ （式中、ＸはＩｎ及び／又はＧａであり、α、β、γは
原子比率を表わし、０．０１≦α≦０．１、０．６≦β
≦０．９、γ＝１−α−βである） ８） 記録層が更にＧｅを含むことを特徴とする７）記
載の相変化型情報記録媒体。 ９） 記録層が更にＡｇを含むことを特徴とする７）又
は８）記載の相変化型情報記録媒体。 １０） 第一保護層及び第二保護層がＺｎＳを含むこと
を特徴とする１）〜９）の何れかに記載の相変化型情報
記録媒体。

【０００５】以下、上記本発明について詳しく説明す
る。まず基本的な層構造について説明すると、本発明１
の相変化型情報記録媒体は、基板上に、スパッタリング
法により第一保護層／記録層／第二保護層／吸収率補正
層／反射放熱層／オーバーコート層をこの順に積層した
ものであり、その上に必要に応じて別の基板を貼り合わ
せてもよい。また、本発明２の相変化型情報記録媒体
は、基板上に少なくとも反射放熱層／吸収率補正層／第
二保護層／記録層／第一保護層／オーバーコート層をこ
の順に積層したものであり、短波長のレーザー光や近接
場光を利用して、レーザー光を基板を通さずに膜面に対
して直接照射する表面記録型により記録再生を行うこと
が可能である。これにより、レーザー光径が縮小し記録
マークを縮めて線密度を高くすることが可能となり、高
密度記録を達成することができる。

【０００６】上記基板材料としては、通常、ガラス、セ
ラミックス又は樹脂が用いられるが、成形性の点で樹脂
基板が好ましい。特に、加工性、光学特性に優れ、ディ
スク状で表面にトラッキング用の案内溝を有する直径１
２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板が好適
である。また、本発明１の基板は透明でなければならな
いが、本発明２の基板は透明でなくてもよい。第一保護
層は、基板及び記録層との密着性が良いこと、耐熱性が
高いことなどを要求される。また、記録層の効果的な光
吸収を可能にする光干渉層としての役割も担うことか
ら、高速での繰り返し記録に適した光学特性を有するこ
とが好ましい。材料としては、少なくともＺｎＳを含む
ことが望ましく、ＺｎＳの単体、又はＺｎＳとＳｉ
Ｏ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、ＺｎＯなど
との混合物であって、上記の特性を満たす材料を用い
る。

【０００７】上記第一保護層又は第二保護層の上に記録
層を設ける。Ｓｂ−Ｓｂ_２Ｔｅ_３擬２元系記録層材料は
Ｓｂ_７０Ｔｅ_３０近傍に共晶点を持ち、この近傍の組成
のＳｂ−Ｔｅは繰り返し記録を行っても偏析が生じ難
く、繰り返し記録特性に優れている。しかし、この記録
層材料を用いてＤＶＤ−ＲＯＭの再生線速の２〜５倍に
あたる７〜１７．５ｍ／ｓでの繰り返し記録を行うと、
ジッター（ここでは、ｄａｔａ ｔｏ ｃｌｏｃｋ ｊ
ｉｔｔｅｒ σを検出窓幅Ｔｗで規格化した値をジッタ
ーと呼ぶ。）が１０％を越え、モジュレーションは５０
％以下となってしまう。

【０００８】これに対し本発明７では、Ｓｂ−ＴｅにＩ
ｎ及び／又はＧａを添加することにより、初期結晶化済
みの相変化型情報記録媒体に対して、線速７〜１７．５
ｍ／ｓでレーザー光を照射したとき、非晶質マークを可
逆的に記録することが可能となり、１０％以下のジッタ
ー、６０％以上のモジュレーションを得ることができ
る。ここで、Ｉｎ、Ｇａは、記録層の結晶化速度を向上
させ、高速での繰り返し記録を可能にする効果を有す
る。また、結晶化温度を高め、保存安定性を向上させる
効果を有している。Ｉｎ及び／又はＧａの添加量は、原
子比率でＳｂ−Ｔｅ合金全体の０．０１より少ないと効
果が現れず、０．１を越えると、繰り返し記録を行った
場合に偏析が起き、ジッターが上昇する原因となる。更
に、初期結晶化後の反射率が均一にならないといった弊
害も起きる。

【０００９】また、記録を行う線速に応じた結晶化速度
を持つ記録層を得るためには、Ｉｎ及び／又はＧａとＳ
ｂ、Ｔｅの組成比を適切に調整する必要がある。好まし
い組成比としては、Ｓｂ−Ｔｅ合金全体に対する原子比
率で、Ｉｎ及び／又はＧａが０．０１〜０．１、Ｓｂが
０．６〜０．９であれば、高線速記録、保存安定性に優
れた相変化型情報記録媒体を提供できる。上述した、
（Ｉｎ及び／又はＧａ）−Ｓｂ−Ｔｅに対してＧｅを添
加すると保存安定性が一層向上し、Ａｇを添加すると初
期化が容易になる。但し、（Ｉｎ及び／又はＧａ）−Ｓ
ｂ−Ｔｅに添加されるＡｇやＧｅの原子比率は、合計で
０．１以下とする必要がある。これより多くなると、記
録層の記録感度の低下や繰り返し記録を行った場合の偏
析を生じ、ジッターが上昇する原因となる。

【００１０】第二保護層は、記録層及び吸収率補正層と
の密着性が良いこと、耐熱性が高いことなどが要求され
る。また、第一保護層と同様に、記録層の効果的な光吸
収を可能にする光干渉層としての役割も担うことから、
高速での繰り返し記録に適した光学特性を有することが
好ましい。材料としては、前記第一保護層のところで例
示したのと同じものを用いることが出来る。

【００１１】現在、ＤＶＤ−ＲＯＭと同等以上の高密度
記録が可能であり、ＤＶＤ−ＲＯＭの再生線速の２〜５
倍に当る７〜１７．５ｍ／ｓでの記録に適した相変化型
情報記録媒体が求められている。しかしながら、高線速
で繰り返し記録を行う場合、レーザー光のパワーが十分
に得られないため、繰り返し記録後に記録マークの歪み
が生じるという前述の現象が起きる。この歪みは、前述
のように繰り返し記録前の状態がアモルファスであるか
結晶であるかによって記録層の温度上昇が異なることが
原因であると考えられている。即ち、反射率は結晶状態
の方が非晶質状態より高いので、記録膜における吸収率
は非晶質状態の方が大きくなる。この状態でオーバーラ
イトを行うと非晶質部分の方が結晶部分より温度が上昇
し易いので記録マークの歪みが生じる。

【００１２】そこで、本発明では、結晶部分と非晶質部
分の吸収率差を少なくするために、第二保護層と反射放
熱層の間に吸収率補正層を設けることにした。この吸収
率補正層は、第二保護層材料に含まれるＺｎＳのＳと反
射放熱層に含まれるＡｇの反応を防ぐ効果も兼ね備えて
いる。吸収率補正層には少なくともＧｅを含む必要があ
り、好ましい吸収率補正層の材料としては、Ｇｅ単体、
又はＧｅとＣｒの混合物、若しくはそれらの窒化物など
を主成分とするものが挙げられる。ここで、主成分と
は、これらの材料を最も多く含有することを意味し、こ
れらの材料のみからなる場合も含むものとする。Ｇｅと
Ｃｒの混合物を用いる場合には、Ｃｒの割合を、吸収率
補正層全体に対して原子比率で０〜０．２５にすれば、
光学特性を調整すると共に安定で均一な相変化型情報記
録媒体を得ることが出来る。吸収率補正層の光学定数と
しては、屈折率ｎを３〜６、吸収係数ｋを０．１〜３と
すれば、より高い吸収率補正の効果が得られる。吸収率
補正層の厚さは、８〜２０ｎｍの範囲にすると十分な反
射率及びモジュレーションが得られるので好ましい。

【００１３】次に、シミュレーションに基づく吸収率補
正層の効果について述べる。図１に、本発明１の層構成
とした、吸収率補正層を有する記録媒体について、光吸
収−熱拡散のシミュレーションを行って求めた非晶質部
分と結晶部分のそれぞれの到達温度を示した。吸収率補
正層にはＧｅ単体（ｎ＝４．８、ｋ＝０．７５）を用
い、横軸を吸収率補正層（Ｇｅ層）の膜厚、縦軸を到達
温度とした。図１から、吸収率補正層の膜厚が８〜２６
ｎｍの範囲では、膜厚が大きくなるにつれて非晶質部分
と結晶部分の到達温度の差が小さくなる傾向があり、吸
収率補正の効果が現れていることが分かる。図２には、
同じく吸収率補正層にＧｅ単体（ｎ＝４．８、ｋ＝０．
７５）を用いた記録媒体について、光学シミュレーショ
ンを行って求めた非晶質部分と結晶部分の反射率及びモ
ジュレーションを示した。横軸を吸収率補正層（Ｇｅ
層）の膜厚、縦軸を反射率及びモジュレーションとし
た。図２から、膜厚が２０ｎｍ以下であれば、結晶部分
の反射率は１８％を越えており、モジュレーションも十
分高い値が得られることが分る。

【００１４】図３に、上記層構成における吸収率補正層
にＧｅＣｒ（ｎ＝４．５、ｋ＝２）を用いた記録媒体に
ついて、光吸収−熱拡散のシミュレーションを行って求
めた非晶質部分と結晶部分の到達温度を示す。図３か
ら、本発明６のように、吸収率補正層の膜厚が８〜２０
ｎｍの範囲では、膜厚が大きくなるにつれて非晶質部分
と結晶部分の到達温度の差が小さくなる傾向があり、吸
収率補正の効果が現れていることが分かる。図４には、
同じく吸収率補正層にＧｅＣｒ（ｎ＝４．５、ｋ＝２）
を用いた記録媒体について、光学シミュレーションを行
って求めた非晶質部分と結晶部分の反射率及びモジュレ
ーションを示した。横軸を吸収率補正層（ＧｅＣｒ層）
の膜厚、縦軸を反射率及びモジュレーションとした。図
４から、膜厚によらず結晶部分の反射率は２０％を越え
ており、モジュレーションも膜厚が２０ｎｍ以下であれ
ば６０％を超え、十分高い値が得られることが分る。以
上のシミュレーションの結果から、本発明５のように、
吸収率補正層の光学定数として、屈折率ｎが３〜６、吸
収係数ｋが０．１〜３であれば吸収率補正の効果を期待
できる。同時に、本発明６のように、吸収率補正層の厚
さが８〜２２ｎｍであれば、十分な反射率及びモジュレ
ーションが期待できる。

【００１５】反射放熱層にはＡｇを主成分とした材料を
用いる。Ａｇは熱伝導率が高いので高線速記録に適して
いる。ここで、主成分とは、Ａｇを最も多く含有するこ
とを意味し、Ａｇのみからなる場合も含むものとする。
オーバーコート層には、従来公知の紫外線硬化樹脂など
の種々の材料を用いることができる。

【００１６】

【実施例】以下、実施例及び比較例により本発明を具体
的に説明する。記録再生特性の評価は、波長６６０ｎ
ｍ、ＮＡ０．６５のピックアップヘッドを用い、記録密
度０．２６７μｍ／ｂｉｔ、ＥＦＭ＋変調方式にて行っ
た。記録は、線速１４ｍ／ｓ、記録パワー１３〜１５ｍ
Ｗ、バイアスパワー０．２ｍＷ、消去パワー６〜８ｍＷ
で行い、記録ストラテジは各ディスクに合わせて最適化
した。また、再生は、全て線速３．５ｍ／ｓ、パワー
０．７ｍＷで行った。

【００１７】実施例１ ポリカーボネート製基板上に、膜厚７０ｎｍの（Ｚｎ
Ｓ）_８０（ＳｉＯ_２）_{２ ０}からなる第一保護層、膜厚１
７ｎｍのＧｅ_３．０Ｇａ_２．８Ｓｂ_７７．３Ｔｅ
_１６．９からなる記録層、膜厚１０ｎｍの（ＺｎＳ）
_８０（ＳｉＯ_２）_２０からなる第二保護層、膜厚１０ｎ
ｍのＧｅからなる吸収率補正層、膜厚１４０ｎｍのＡｇ
からなる反射放熱層を、この順にそれぞれスパッタリン
グ法により堆積させてディスク化した。次いで、口径１
μｍ×１００μｍのレーザーを用いて、出力６８０ｍ
Ｗ、送り３６μｍ、線速３ｍ／ｓで初期結晶化を行いデ
ィスク状記録媒体を得た。

【００１８】実施例２ 吸収率補正層の組成をＧｅ_９０Ｃｒ_１０に代えた点以外
は、実施例１と同様にしてディスク状記録媒体を得た。

【００１９】比較例１ Ｇｅからなる吸収率補正層に代えて、Ａｇと第二保護層
に含まれるＳの反応を防ぐ目的でＳｉＣを４ｎｍ設けた
点以外は、実施例１と同様にしてディスク状記録媒体を
得た。

【００２０】比較例２ 吸収率補正層の組成をＧｅ_７０Ｃｒ_３０に代えた点以外
は、実施例１と同様にしてディスク状記録媒体を得た。

【００２１】比較例３ 吸収率補正層の膜厚を６ｎｍに変えた点以外は、実施例
１と同様にしてディスク状記録媒体を得た。

【００２２】以上の実施例１〜２及び比較例１〜３のデ
ィスク状記録媒体について、初回記録時を基準にした繰
り返し記録後のジッターの増加分により評価を行った。
下記表１に、１回、１０回、１０００回繰り返し記録を
行った場合の、初回記録時からのジッターの増加分を示
す。表１から分るように、実施例１〜２は比較例１〜３
と比較して繰り返し記録後のジッターの上昇が少ない。
また、１０００回繰り返し記録後も１０％以下のジッタ
ー、６０％以上のモジュレーションが得られることを確
認した。比較例１は吸収率補正の効果が得られないＳｉ
Ｃを第二保護層と反射放熱層の間に設けたため、繰り返
し記録時に非晶質部分と結晶部分の温度上昇が異なり、
マークの歪みが生じてジッターが上昇したと考えられ
る。比較例２は吸収率補正層に含まれる原子比率が０．
３と大きかったため、吸収係数ｋが３より大きくなり、
吸収率補正の効果が得られなかったと考えられる。比較
例３では、吸収率補正層の膜厚を６ｎｍと薄くしたた
め、十分な吸収率補正の効果が得られなかったものと考
えられる。

【００２３】

【表１】

【００２４】比較例４ 吸収率補正層の膜厚を２４ｎｍに変えた点以外は、実施
例１と同様にしてディスク状記録媒体を得た。このディ
スク状記録媒体について、実施例１〜２と同様にして繰
り返し記録を行ったところ、初回記録時を基準にした繰
り返し記録後のジッターの増加分は、１回繰り返し記録
後０．９％、１０回繰り返し記録後１．１％、１０００
回繰り返し記録後１．４％となり、吸収率補正層の存在
によりジッターの増加を抑えることが出来たが、反射率
が１７％未満であり、モジュレーションも６０％未満で
あって、十分な値を得られなかった。

【００２５】実施例３ 記録層の組成をＡｇ_１．０Ｇａ_４．３Ｓｂ_７５．８Ｔｅ
_１８．９に代えた点以外は、実施例１と同様にしてディ
スク状記録媒体を得た。

【００２６】実施例４ 記録層の組成をＡｇ_１．０Ｇｅ_２．５Ｇａ_４．３Ｓｂ
_７４．３Ｔｅ_１７．９に代えた点以外は実施例１と同様
にしてディスク状記録媒体を得た。

【００２７】上記実施例３〜４の記録媒体について、実
施例１と同様にして、初回記録時を基準にした繰り返し
記録後のジッターの増加分により評価を行った。その結
果、実施例３〜４のディスク状記録媒体に対し１０００
回繰り返し記録を行った場合の、初回記録時を基準にし
たジッターの増加分は、実施例１と同様に０．５％以下
に抑えられ、吸収率補正層の効果が確認された。

【００２８】更に、実施例１、３、４のディスク状記録
媒体について、７０℃８５％ＲＨ環境下で１０００時間
の保存信頼性試験を行った。初回記録及び１０００回繰
り返し記録を恒温槽導入前に行い、このマークのジッタ
ーの変化を比較したところ、実施例１及び４に関して
は、ジッターの変化は見られなかった。実施例３に関し
ては、繰り返し記録１０００回のマークのジッターが４
％程度上昇した。実施例１及び４に関しては、記録層に
Ｇｅが含まれているので、保存信頼性試験による劣化が
抑えられたと考えられる。更に、実施例１、３、４のデ
ィスク状記録媒体について初期化後の反射率を比較した
ところ、実施例３、４に関しては初期化後の反射率は１
８％を超えており、反射率の周内分布はほぼ均一であっ
た。これに対し、実施例１は、反射率は２０％に達して
いるが反射率の周内分布が部分的に１５％程度まで落ち
込んでいた。実施例３、４は記録層にＡｇが含まれてい
るので、初期化を均一に行うことができたと考えられ
る。

【００２９】比較例５ 第二保護層の材料をＧｅＮに代えた点以外は、実施例１
と同様にしてディスク状記録媒体を得た。

【００３０】比較例６ 第二保護層の材料をＺｒＯ_２−ＴｉＯ_２に代えた点以外
は、実施例１と同様にしてディスク状記録媒体を得た。

【００３１】上記比較例５〜６及び実施例１のディスク
状記録媒体について、７０℃８５％ＲＨ環境下で１００
０時間の保存信頼性試験を行った。初回記録及び１００
０回繰り返し記録を恒温槽導入前に行い、このマークの
ジッターの変化を比較した。その結果、実施例１につい
ては、ジッターの変化は見られなかったが、比較例５〜
６については、１０００回繰り返し記録のマークのジッ
ターが４％程度上昇した。実施例１は第二保護層にＺｎ
Ｓ・ＳｉＯ_２が用いられており、密着性が高いので良好
な保護機能が得られたと考えられる。

【００３２】

【発明の効果】本発明１、３によれば、繰り返し記録を
行った場合でも、記録マークの歪みが抑えられた相変化
型情報記録媒体を提供できる。本発明２によれば、繰り
返し記録を行った場合でも、記録マークの歪みが抑えら
れ、かつ表面記録型で記録再生を行うことにより高密度
記録が可能な相変化型情報記録媒体を提供できる。本発
明４によれば、更に、光学特性を調整すると共に安定で
均一な相変化型情報記録媒体を提供できる。本発明５に
よれば、更に、より高い吸収率補正効果を有する相変化
型情報記録媒体を提供できる。本発明６によれば、更
に、十分な反射率及びモジュレーションを示す相変化型
情報記録媒体を提供できる。本発明７によれば、更に、
繰り返し記録を行っても組成偏析が起き難く、高線速記
録において良好な消去及び記録特性を発揮できる速い結
晶化速度を備えた相変化型情報記録媒体を提供できる。
本発明８によれば、更に、記録マークの結晶化を抑え、
保存信頼性に優れた相変化型情報記録媒体を提供でき
る。本発明９によれば、更に、初期化が容易で且つ均一
な初期化を行うことが可能であり、しかも均一な反射率
を示す記録層を有する相変化型情報記録媒体を提供でき
る。本発明１０によれば、更に、高い記録層保護機能を
備え、保存信頼性に優れた相変化型情報記録媒体を提供
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明１の層構成の吸収率補正層を有する記録
媒体について、光吸収−熱拡散のシミュレーションを行
って求めた非晶質部分と結晶部分のそれぞれの到達温度
を示す図。

【図２】吸収率補正層にＧｅ単体（ｎ＝４．８、ｋ＝
０．７５）を用いた記録媒体について、光学シミュレー
ションを行って求めた非晶質部分と結晶部分のそれぞれ
の反射率及びモジュレーションを示す図。

【図３】吸収率補正層にＧｅＣｒ（ｎ＝４．５、ｋ＝
２）を用いた記録媒体について、光吸収−熱拡散のシミ
ュレーションを行って求めた非晶質部分と結晶部分のそ
れぞれの到達温度を示す図。

【図４】吸収率補正層にＧｅＣｒ（ｎ＝４．５、ｋ＝
２）を用いた記録媒体について、光学シミュレーション
を行って求めた非晶質部分と結晶部分のそれぞれの反射
率及びモジュレーションを示す図。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 針谷 眞人 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 譲原 肇 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 鈴木 栄子 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 三浦 裕司 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 田代 浩子 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 Ｆターム(参考） 2H111 EA04 EA23 EA36 FA01 FA11 FA12 FA14 FA23 FA27 FB05 FB09 FB12 FB17 FB21 FB30 5D029 JA01 JC18 LA13 LB11 MA02 MA03 MA04 MA13

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板を通して膜面にレーザー光を照射す
   ることにより、結晶状態及び非晶質状態の可逆的な相変
   化が生じて情報が記録される記録層を有し、透明基板上
   に少なくとも第一保護層／記録層／第二保護層／吸収率
   補正層／反射放熱層／オーバーコート層がこの順に積層
   されており、該吸収率補正層が少なくともＧｅを含み、
   反射放熱層の主成分がＡｇであることを特徴とする相変
   化型情報記録媒体。
2. 【請求項２】 基板上に少なくとも反射放熱層／吸収率
   補正層／第二保護層／記録層／第一保護層／オーバーコ
   ート層がこの順に積層され、該吸収率補正層が少なくと
   もＧｅを含み、反射放熱層の主成分がＡｇであり、更
   に、レーザー光が基板を通さずにオーバーコート層側か
   ら照射される表面記録型であることを特徴とする相変化
   型情報記録媒体。
3. 【請求項３】 吸収率補正層が、Ｇｅ単体又はＧｅとＣ
   ｒの混合物を主成分とすることを特徴とする請求項１又
   は２記載の相変化型情報記録媒体。
4. 【請求項４】 吸収率補正層に含まれるＣｒの割合が、
   該吸収率補正層を構成する材料全体に対して原子比率で
   ０〜０．２５であることを特徴とする請求項３記載の相
   変化型情報記録媒体。
5. 【請求項５】 吸収率補正層の屈折率ｎが３〜６、吸収
   係数ｋが０．１〜３であることを特徴とする請求項３又
   は４記載の相変化型情報記録媒体。
6. 【請求項６】 吸収率補正層の厚さが８〜２０ｎｍであ
   ることを特徴とする請求項３〜５の何れかに記載の相変
   化型情報記録媒体。
7. 【請求項７】 記録層を構成する材料のうち、原子比率
   で０．９以上が下記式で表わされる合金からなることを
   特徴とする請求項１〜６の何れかに記載の相変化型情報
   記録媒体。 ＸαＳｂβＴｅγ （式中、ＸはＩｎ及び／又はＧａであり、α、β、γは
   原子比率を表わし、０．０１≦α≦０．１、０．６≦β
   ≦０．９、γ＝１−α−βである）
8. 【請求項８】 記録層が更にＧｅを含むことを特徴とす
   る請求項７記載の相変化型情報記録媒体。
9. 【請求項９】 記録層が更にＡｇを含むことを特徴とす
   る請求項７又は８記載の相変化型情報記録媒体。
10. 【請求項１０】 第一保護層及び第二保護層がＺｎＳを
    含むことを特徴とする請求項１〜９の何れかに記載の相
    変化型情報記録媒体。