JP2003242683A - 情報記録媒体 - Google Patents
情報記録媒体Info
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- JP2003242683A JP2003242683A JP2002036125A JP2002036125A JP2003242683A JP 2003242683 A JP2003242683 A JP 2003242683A JP 2002036125 A JP2002036125 A JP 2002036125A JP 2002036125 A JP2002036125 A JP 2002036125A JP 2003242683 A JP2003242683 A JP 2003242683A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- linear velocity
- recording
- recording medium
- information recording
- recording film
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 線速度可変でも良好なジッターを保持して記
録できる媒体を提供する。 【解決手段】相変化記録膜を有する線速度可変記録用情
報記録媒体において、記録膜に接している少なくとも１
つの界面層が、記録膜構成元素と周期律表で左方向また
は下方向、または左斜め下方向に一区画離れた元素より
なる群と、記録膜構成元素自身、または周期律表で記録膜
構成元素の上方３区画までの元素からなる群より選ばれ
た少なくとも１元素との組み合わせより成る材料を主成
分とする。 【効果】 線速度可変でも良好なジッターを得ることが
できる。
録できる媒体を提供する。 【解決手段】相変化記録膜を有する線速度可変記録用情
報記録媒体において、記録膜に接している少なくとも１
つの界面層が、記録膜構成元素と周期律表で左方向また
は下方向、または左斜め下方向に一区画離れた元素より
なる群と、記録膜構成元素自身、または周期律表で記録膜
構成元素の上方３区画までの元素からなる群より選ばれ
た少なくとも１元素との組み合わせより成る材料を主成
分とする。 【効果】 線速度可変でも良好なジッターを得ることが
できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光を用いて光ディ
スクに情報を記録する情報記録媒体に関する。
スクに情報を記録する情報記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＺＣＬＶ（Zone Constant Linear Veloc
ity）フォーマットの光ディスクは、半径方向に複数の
ゾーンに分割されており、各ゾーン内ではＣＡＶ（Cons
tant Angular Velocity）方式で記録・再生する。記録
再生信号の周波数は一定であり、外周でも内周と同じく
情報を密に記録できる特長がある。ＤＶＤ−ＲＡＭでは
この方式を採用しており、第１世代で2.6ＧＢ、第２世
代で4.7ＧＢの高密度化を実現している。この方式で
は、線速度を内外周でほぼ一定にするために、光ヘッド
位置が内周ゾーンにあるときはディスク回転数を高く、
逆に外周ゾーンにあるときはディスク回転数を低くす
る。従って、シークする場合、光ヘッドの移動のみでな
くディスク回転数を変えなければならない。例えば直径
１２０ｍｍの光ディスクの場合、半径２５ｍｍから半径
５０ｍｍにシークしたときのディスク回転数は1/2とな
り、このような半径方向の大きな移動ではスピンドルモ
ータの制御に時間がかかり、回転数制御時間がシークタ
イムを決めることになる。また、スピンドルモータの回
転数制御のために消費電力が増大するという問題も生じ
る。特開平11-29685号公報には、シーク直後等の目標回
転数に対して実回転数が追従しきれず線速度が目標速度
からずれている場合でも、実の線速度に合わせて記録パ
ワーを調整する方法が提案されている。
ity）フォーマットの光ディスクは、半径方向に複数の
ゾーンに分割されており、各ゾーン内ではＣＡＶ（Cons
tant Angular Velocity）方式で記録・再生する。記録
再生信号の周波数は一定であり、外周でも内周と同じく
情報を密に記録できる特長がある。ＤＶＤ−ＲＡＭでは
この方式を採用しており、第１世代で2.6ＧＢ、第２世
代で4.7ＧＢの高密度化を実現している。この方式で
は、線速度を内外周でほぼ一定にするために、光ヘッド
位置が内周ゾーンにあるときはディスク回転数を高く、
逆に外周ゾーンにあるときはディスク回転数を低くす
る。従って、シークする場合、光ヘッドの移動のみでな
くディスク回転数を変えなければならない。例えば直径
１２０ｍｍの光ディスクの場合、半径２５ｍｍから半径
５０ｍｍにシークしたときのディスク回転数は1/2とな
り、このような半径方向の大きな移動ではスピンドルモ
ータの制御に時間がかかり、回転数制御時間がシークタ
イムを決めることになる。また、スピンドルモータの回
転数制御のために消費電力が増大するという問題も生じ
る。特開平11-29685号公報には、シーク直後等の目標回
転数に対して実回転数が追従しきれず線速度が目標速度
からずれている場合でも、実の線速度に合わせて記録パ
ワーを調整する方法が提案されている。
【０００３】回転数をディスク内外周でほぼ一定にすれ
ば、シーク時の回転数制御時間が短縮でき、また、スピ
ンドルモータの回転数制御に必要となる消費電力も低減
することができる。そこで、再生時における高転送レー
ト実現のために、線速度が低くなる内周ではクロック周
波数を低く、線速度が高くなる外周ではクロック周波数
を高くすることで、回転数一定あるいは少ない幅の変化
でもＣＬＶフォーマットのディスクの再生を行う方式が
提案されている（特開平6-89506号公報、特開平6-12785
号公報など）。また、記録時は特開平8-212691号公報の
ように、ディスク回転数を一定にし、記録信号のクロッ
ク周波数を線速度に応じて変化させて高速記録を可能に
する方法が提案されている。この記録方法では、線速度
がディスク半径によって変化するために、線速度にあわ
せて記録条件を最適化する必要が生じる。特開平8-2126
91号公報、特開平10-106025号公報などでは、記録条件
は記録媒体の特性を内外周で変えて記録条件が大きく変
化しないようにしている。しかしながら、この記録媒体
はディスク回転数一定（あるいはほぼ一定）の回転数制
御をする光ディスク専用媒体となり、用途が限定されて
しまい、またディスクが作りにくいのでコスト上昇の原
因となるという問題があった。これらの問題を解決する
手段として、特開平10-106008号公報には、記録媒体で
記録条件を最適化するのではなく、線速度に応じて記録
時のパワーやパルス幅を変化させることにより最適な形
状の記録マークを形成する方法が提案されている。
ば、シーク時の回転数制御時間が短縮でき、また、スピ
ンドルモータの回転数制御に必要となる消費電力も低減
することができる。そこで、再生時における高転送レー
ト実現のために、線速度が低くなる内周ではクロック周
波数を低く、線速度が高くなる外周ではクロック周波数
を高くすることで、回転数一定あるいは少ない幅の変化
でもＣＬＶフォーマットのディスクの再生を行う方式が
提案されている（特開平6-89506号公報、特開平6-12785
号公報など）。また、記録時は特開平8-212691号公報の
ように、ディスク回転数を一定にし、記録信号のクロッ
ク周波数を線速度に応じて変化させて高速記録を可能に
する方法が提案されている。この記録方法では、線速度
がディスク半径によって変化するために、線速度にあわ
せて記録条件を最適化する必要が生じる。特開平8-2126
91号公報、特開平10-106025号公報などでは、記録条件
は記録媒体の特性を内外周で変えて記録条件が大きく変
化しないようにしている。しかしながら、この記録媒体
はディスク回転数一定（あるいはほぼ一定）の回転数制
御をする光ディスク専用媒体となり、用途が限定されて
しまい、またディスクが作りにくいのでコスト上昇の原
因となるという問題があった。これらの問題を解決する
手段として、特開平10-106008号公報には、記録媒体で
記録条件を最適化するのではなく、線速度に応じて記録
時のパワーやパルス幅を変化させることにより最適な形
状の記録マークを形成する方法が提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】以上述べたように、線
速度を変えたときの記録方法及び媒体構造に関しては、
さまざまな工夫がなされてきた。しかし、ＤＶＤ−ＲＡ
Ｍのような重ね書きによる書換え（オーバーライト）の
できる相変化記録媒体の場合、記録特性だけでなく消去
特性もディスク性能を左右する重要な要因となる。従来
媒体の場合、消去時の線速度が速くなると消去性能が低
下してしまうという問題があった。
速度を変えたときの記録方法及び媒体構造に関しては、
さまざまな工夫がなされてきた。しかし、ＤＶＤ−ＲＡ
Ｍのような重ね書きによる書換え（オーバーライト）の
できる相変化記録媒体の場合、記録特性だけでなく消去
特性もディスク性能を左右する重要な要因となる。従来
媒体の場合、消去時の線速度が速くなると消去性能が低
下してしまうという問題があった。
【０００５】ＤＶＤ−ＲＡＭのような相変化記録媒体の
場合、消去性能を決める主な要因は結晶化性能である。
通常、線速度を速くするとディスク上の記録マーク上に
おける光スポットの通過時間が短くなるため、結晶化す
る温度領域に保持できる時間（結晶化保持時間）が短く
なる。これにより、従来媒体では、消去時の線速度を速
くすると消え残りが生じた。そのため、従来媒体を用い
てＣＡＶ記録をすると、消去性能劣化に伴うオーバーラ
イト性能劣化が生じ、エラーが発生する、という問題が
あった。
場合、消去性能を決める主な要因は結晶化性能である。
通常、線速度を速くするとディスク上の記録マーク上に
おける光スポットの通過時間が短くなるため、結晶化す
る温度領域に保持できる時間（結晶化保持時間）が短く
なる。これにより、従来媒体では、消去時の線速度を速
くすると消え残りが生じた。そのため、従来媒体を用い
てＣＡＶ記録をすると、消去性能劣化に伴うオーバーラ
イト性能劣化が生じ、エラーが発生する、という問題が
あった。
【０００６】そこで、我々は結晶化速度を速くしたディ
スクを作製し、その記録再生特性を調べた。その結果、
今度は用いる線速度領域のうち、低線速度側で良好な記
録マークを形成できないことがわかった。相変化記録で
は、記録層を融点以上まで昇温し、その後急冷すること
によってアモルファスの記録マークを形成する。その記
録マーク周辺には、一度融点まで温度上昇したのち、冷
却過程で周囲にある結晶核から結晶成長して結晶相とな
る、いわゆる再結晶化領域が形成される。この再結晶化
領域幅は結晶化速度、とくに結晶成長速度に依存し、結
晶成長速度が速いほどその幅は広くなり、所望のマーク
幅を得ることができないことが検討の末明らかになっ
た。結晶化速度には結晶核生成速度と結晶成長速度の２
つのモードが存在する。
スクを作製し、その記録再生特性を調べた。その結果、
今度は用いる線速度領域のうち、低線速度側で良好な記
録マークを形成できないことがわかった。相変化記録で
は、記録層を融点以上まで昇温し、その後急冷すること
によってアモルファスの記録マークを形成する。その記
録マーク周辺には、一度融点まで温度上昇したのち、冷
却過程で周囲にある結晶核から結晶成長して結晶相とな
る、いわゆる再結晶化領域が形成される。この再結晶化
領域幅は結晶化速度、とくに結晶成長速度に依存し、結
晶成長速度が速いほどその幅は広くなり、所望のマーク
幅を得ることができないことが検討の末明らかになっ
た。結晶化速度には結晶核生成速度と結晶成長速度の２
つのモードが存在する。
【０００７】本発明の目的は、上記従来技術における問
題点を解決し、線速度可変な光ディスクにおいて、用い
る線速度領域全域において良好な消去性能と記録性能を
併せ持つ情報記録媒体を提供することにある。
題点を解決し、線速度可変な光ディスクにおいて、用い
る線速度領域全域において良好な消去性能と記録性能を
併せ持つ情報記録媒体を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明では、以下の情報
記録媒体の採用によって上記目的を達成する。 （１）相変化記録膜を有する線速度可変記録用情報記録
媒体において、記録膜に接している少なくとも１つの界
面層が、記録膜構成元素と周期律表で左方向または下方
向、または左斜め下方向に一区画離れた元素よりなる群
と、記録膜構成元素自身、または周期律表で記録膜構成元
素の上方３区画までの元素からなる群より選ばれた少な
くとも１元素との組み合わせより成る材料を主成分とす
ることを特徴とする情報記録媒体。 （２）（１）記載の情報記録媒体において、界面層が、
記録膜構成元素と周期律表で左方向または下方向、また
は左斜め下方向に一区画離れた元素よりなる群と、周期
律表で記録膜構成元素の上方３区画までの元素からなる
群より選ばれた少なくとも１元素との組み合わせより成
る材料を主成分とすることを特徴とする情報記録媒体。 （３）（２）記載の情報記録媒体において、界面層が、
記録膜構成元素と周期律表で左方向または下方向、また
は左斜め下方向に一区画離れた元素よりなる群と、周期
律表で記録膜構成元素の上方１区画目の元素からなる群
と、上方２区画目または３区画目の元素からなる群の、
合計３つの群のそれぞれより選ばれた少なくとも１元素
の組み合わせより成る材料を主成分とすることを特徴と
する情報記録媒体。
記録媒体の採用によって上記目的を達成する。 （１）相変化記録膜を有する線速度可変記録用情報記録
媒体において、記録膜に接している少なくとも１つの界
面層が、記録膜構成元素と周期律表で左方向または下方
向、または左斜め下方向に一区画離れた元素よりなる群
と、記録膜構成元素自身、または周期律表で記録膜構成元
素の上方３区画までの元素からなる群より選ばれた少な
くとも１元素との組み合わせより成る材料を主成分とす
ることを特徴とする情報記録媒体。 （２）（１）記載の情報記録媒体において、界面層が、
記録膜構成元素と周期律表で左方向または下方向、また
は左斜め下方向に一区画離れた元素よりなる群と、周期
律表で記録膜構成元素の上方３区画までの元素からなる
群より選ばれた少なくとも１元素との組み合わせより成
る材料を主成分とすることを特徴とする情報記録媒体。 （３）（２）記載の情報記録媒体において、界面層が、
記録膜構成元素と周期律表で左方向または下方向、また
は左斜め下方向に一区画離れた元素よりなる群と、周期
律表で記録膜構成元素の上方１区画目の元素からなる群
と、上方２区画目または３区画目の元素からなる群の、
合計３つの群のそれぞれより選ばれた少なくとも１元素
の組み合わせより成る材料を主成分とすることを特徴と
する情報記録媒体。
【０００９】このような３元素以上の材料の例はＳｎ30
Ｓｅ30Ｎ40 である。このような組み合わせとすること
によって、金属的な元素である例えばＳｎやＢｉが少量
遊離して記録膜の結晶核形成を促進するが、界面層全体
が記録膜中に溶け込むことによる悪影響は、窒素や酸素
がＳｎと比較的強く結合することによって防止する。 （４）相変化記録膜を有する線速度可変記録用情報記録
媒体において、横軸：ＤＣ消去パワー（Ｐｅ）、縦軸：
消去比（ＥＲ）としたときに表される曲線のＥＲ＝１０
ｄＢでの接線の傾きをαとした場合（ＥＲ＝Ｐｅｓ×α
＋α' α、α'は定数）、用いる最低線速度である第
１の線速度ｖ１でのα（ｖ１）と、ｖ１より速い第２の
線速度ｖ２でのα（ｖ２）との関係が、α（ｖ２）／α
（ｖ１）≧０．５であり、かつ、横軸：記録時の線速度
（ｖ）、縦軸：単一周波数の記録マークのキャリアレベ
ル（Ｃレベル；Ｃ）としたときに表されるグラフにおけ
る低線速度側でのＣレベル低下開始線速度が用いる最低
線速度ｖ１以下であることを特徴とする情報記録媒体。 （５）相変化記録膜を有する線速度可変記録用情報記録
媒体において、横軸：ＤＣ消去パワー（Ｐｅ）、縦軸：
消去比（ＥＲ）としたときに表される曲線のＥＲ＝１０
ｄＢでの接線の傾きをαとした場合（ＥＲ＝Ｐｅｓ×α
＋α' α、α'は定数）、用いる最低線速度である第
１の線速度ｖ１でのα（ｖ１）と、ｖ１より速い第２の
線速度ｖ２でのα（ｖ２）との関係が、α（ｖ２）／α
（ｖ１）≧０．５であり、かつ、横軸：記録時の線速度
（ｖ）、縦軸：単一周波数の記録マークのキャリアレベ
ル（Ｃレベル；Ｃ）としたときに表されるグラフにおけ
る低線速度側でのＣレベル低下開始線速度が用いる最低
線速度×０．８以下の線速度であることを特徴とする情
報記録媒体。 （６）（４）〜（５）のいずれかに記載の情報記録媒体
において、記録膜の全原子数の９０％以上がＧｅＳｂＴ
ｅから成り、さらに全原子数の５０％以上がＴｅである
ことを特徴とする情報記録媒体。 （７）（１）記載の情報記録媒体において、界面層がＧ
ａＴｅ、ＢｉＴｅ、ＰｂＴｅのいずれか１つか、あるい
はその混合物からなることを特徴とする情報記録媒体。 （８）（１）記載の情報記録媒体において、界面層がＧ
ａＴｅ、ＢｉＴｅ、ＰｂＴｅのいずれか１つか、あるい
はそれらの混合組成と酸化物材料あるいは窒化物材料の
混合材料からなることを特徴とする情報記録媒体。 （９）（４）〜（６）のいずれかに記載の情報記録媒体
において、記録膜と接する２つの界面層のうち、少なく
とも１つの界面層の全原子数の９０％以上がＢｉＯある
いはＢｉＮであることを特徴とした情報記録媒体。 （１０）（４）〜（６）のいずれかに記載の情報記録媒
体において、記録膜と接する２つの界面層のうち、少な
くとも１つの界面層の全原子数の９０％以上がＳｎＯあ
るいはＳｎＮであることを特徴とした情報記録媒体。
Ｓｅ30Ｎ40 である。このような組み合わせとすること
によって、金属的な元素である例えばＳｎやＢｉが少量
遊離して記録膜の結晶核形成を促進するが、界面層全体
が記録膜中に溶け込むことによる悪影響は、窒素や酸素
がＳｎと比較的強く結合することによって防止する。 （４）相変化記録膜を有する線速度可変記録用情報記録
媒体において、横軸：ＤＣ消去パワー（Ｐｅ）、縦軸：
消去比（ＥＲ）としたときに表される曲線のＥＲ＝１０
ｄＢでの接線の傾きをαとした場合（ＥＲ＝Ｐｅｓ×α
＋α' α、α'は定数）、用いる最低線速度である第
１の線速度ｖ１でのα（ｖ１）と、ｖ１より速い第２の
線速度ｖ２でのα（ｖ２）との関係が、α（ｖ２）／α
（ｖ１）≧０．５であり、かつ、横軸：記録時の線速度
（ｖ）、縦軸：単一周波数の記録マークのキャリアレベ
ル（Ｃレベル；Ｃ）としたときに表されるグラフにおけ
る低線速度側でのＣレベル低下開始線速度が用いる最低
線速度ｖ１以下であることを特徴とする情報記録媒体。 （５）相変化記録膜を有する線速度可変記録用情報記録
媒体において、横軸：ＤＣ消去パワー（Ｐｅ）、縦軸：
消去比（ＥＲ）としたときに表される曲線のＥＲ＝１０
ｄＢでの接線の傾きをαとした場合（ＥＲ＝Ｐｅｓ×α
＋α' α、α'は定数）、用いる最低線速度である第
１の線速度ｖ１でのα（ｖ１）と、ｖ１より速い第２の
線速度ｖ２でのα（ｖ２）との関係が、α（ｖ２）／α
（ｖ１）≧０．５であり、かつ、横軸：記録時の線速度
（ｖ）、縦軸：単一周波数の記録マークのキャリアレベ
ル（Ｃレベル；Ｃ）としたときに表されるグラフにおけ
る低線速度側でのＣレベル低下開始線速度が用いる最低
線速度×０．８以下の線速度であることを特徴とする情
報記録媒体。 （６）（４）〜（５）のいずれかに記載の情報記録媒体
において、記録膜の全原子数の９０％以上がＧｅＳｂＴ
ｅから成り、さらに全原子数の５０％以上がＴｅである
ことを特徴とする情報記録媒体。 （７）（１）記載の情報記録媒体において、界面層がＧ
ａＴｅ、ＢｉＴｅ、ＰｂＴｅのいずれか１つか、あるい
はその混合物からなることを特徴とする情報記録媒体。 （８）（１）記載の情報記録媒体において、界面層がＧ
ａＴｅ、ＢｉＴｅ、ＰｂＴｅのいずれか１つか、あるい
はそれらの混合組成と酸化物材料あるいは窒化物材料の
混合材料からなることを特徴とする情報記録媒体。 （９）（４）〜（６）のいずれかに記載の情報記録媒体
において、記録膜と接する２つの界面層のうち、少なく
とも１つの界面層の全原子数の９０％以上がＢｉＯある
いはＢｉＮであることを特徴とした情報記録媒体。 （１０）（４）〜（６）のいずれかに記載の情報記録媒
体において、記録膜と接する２つの界面層のうち、少な
くとも１つの界面層の全原子数の９０％以上がＳｎＯあ
るいはＳｎＮであることを特徴とした情報記録媒体。
【００１０】なお、本発明において主成分とするとは、
全体の原子数の５０％を越える部分が指定の材料である
こと、より好ましくは、全体の原子数の７０％以上が指定
の材料であること、特に好ましくは、全原子数の９０％以
上が指定の材料であることを示す。
全体の原子数の５０％を越える部分が指定の材料である
こと、より好ましくは、全体の原子数の７０％以上が指定
の材料であること、特に好ましくは、全原子数の９０％以
上が指定の材料であることを示す。
【００１１】線速度可変に対応した書換可能相変化記録
媒体は良好な記録マークを形成することができ、さら
に、重ね書きした場合に信号品質が劣化しないようにオ
ーバーライト性能つまり消去性能が良好であることが必
要である。
媒体は良好な記録マークを形成することができ、さら
に、重ね書きした場合に信号品質が劣化しないようにオ
ーバーライト性能つまり消去性能が良好であることが必
要である。
【００１２】第１に、良好な記録マークを形成するに
は、適度な結晶成長速度を持つことが重要である。しか
しながら前述したように、結晶成長速度を定量的に調べ
るのは難しい。そこで我々は、媒体の結晶成長速度を記
録マークの信号強度で定性的ではあるが簡便に調べる手
法を考えた。以下に結晶成長速度と再結晶化の関係につ
いて述べる。線速度を変化させて記録すると記録膜の冷
却時間が変化する。冷却時間が長いと結晶成長しやす
く、逆に冷却時間が短いと結晶成長しにくくなる。再結
晶化現象において結晶成長が激しいということは、再結
晶化領域が広い、すなわち記録マークが小さくなること
を意味する。従って、線速度を変えながら記録したマー
クの信号強度（キャリアレベル）を測定すれば、定性的
な結晶成長速度を調べることができることが検討の末明
らかになった。低線速度側で記録した場合、再結晶化が
激しいとマークの信号強度が低下して信号品質が劣化す
る。従って、横軸：記録時の線速度（ｖ）、縦軸：単一
周波数の記録マークのキャリアレベル（Ｃレベル；Ｃ）
としたときに表されるグラフにおいて、再結晶化が激し
くなるために生じる低線速度側でのＣレベル低下開始線
速度が、用いる最低線速度ｖ１以下であることが望まし
い。保存寿命を考慮した場合、再生の信頼性を高くする
ためには、Ｃレベル低下開始線速度が用いる最低線速度
×０．８以下の線速度となる結晶成長速度を有すること
が好ましい。
は、適度な結晶成長速度を持つことが重要である。しか
しながら前述したように、結晶成長速度を定量的に調べ
るのは難しい。そこで我々は、媒体の結晶成長速度を記
録マークの信号強度で定性的ではあるが簡便に調べる手
法を考えた。以下に結晶成長速度と再結晶化の関係につ
いて述べる。線速度を変化させて記録すると記録膜の冷
却時間が変化する。冷却時間が長いと結晶成長しやす
く、逆に冷却時間が短いと結晶成長しにくくなる。再結
晶化現象において結晶成長が激しいということは、再結
晶化領域が広い、すなわち記録マークが小さくなること
を意味する。従って、線速度を変えながら記録したマー
クの信号強度（キャリアレベル）を測定すれば、定性的
な結晶成長速度を調べることができることが検討の末明
らかになった。低線速度側で記録した場合、再結晶化が
激しいとマークの信号強度が低下して信号品質が劣化す
る。従って、横軸：記録時の線速度（ｖ）、縦軸：単一
周波数の記録マークのキャリアレベル（Ｃレベル；Ｃ）
としたときに表されるグラフにおいて、再結晶化が激し
くなるために生じる低線速度側でのＣレベル低下開始線
速度が、用いる最低線速度ｖ１以下であることが望まし
い。保存寿命を考慮した場合、再生の信頼性を高くする
ためには、Ｃレベル低下開始線速度が用いる最低線速度
×０．８以下の線速度となる結晶成長速度を有すること
が好ましい。
【００１３】第２に、用いる線速度領域で良好な消去性
能を持たせるには、冷却速度が速い高線速度下でも消去
できるように、結晶化速度を速くすることが必要であ
る。鋭意検討の結果、良好な消去特性と前述した記録特
性を両立させるためには、結晶化速度のうち結晶核生成
速度を促進すればよいことがわかった。結晶核生成速度
が速い相変化記録媒体では、横軸：ＤＣ消去パワー（Ｐ
ｅ）、縦軸：消去比（ＥＲ）としたときに表される曲線
のＥＲ＝１０ｄＢでの接線の傾きをαとした場合（ＥＲ
＝Ｐｅｓ×α＋α' α、α'は定数）、用いる最低線
速度である第１の線速度ｖ１でのα（ｖ１）と、ｖ１よ
り速い第２の線速度ｖ２でのα（ｖ２）との関係が、α
（ｖ２）／α（ｖ１）≧０．５で表される。上記不等式
の係数が０．６であれば、媒体の長期保存寿命、特に長
期保存時のオーバーライト特性が良好であるため好まし
い。このような線速度可変対応の相変化記録膜には、全
原子数の９０％以上がＧｅＳｂＴｅから成り、さらに全
原子数の５０％以上がＴｅであるような、いわゆる化合
物系記録膜が適していることが明らかになった。さら
に、記録膜に接している界面層材料に適した材料を用い
ることが重要である。Ｔｅ化物界面層はＴｅ−ｒｉｃｈ
記録膜との相性が良く好ましい。特に、ＳｎＴｅ系の材
料を含んだ界面層材料は線速度可変相変化媒体として好
適である。しかしながら、界面層材料をＳｎＴｅとする
と、書換時に記録膜と界面層の間で剥離を生じることが
ある。ＳｎＴｅ材料に酸化物材料あるいは窒化物材料を
混合した材料を用いると、多数回書換時の剥離を抑制す
ることができ、好ましい。具体的には、酸化物材料とし
てＣｒ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＧｅＯ、ＧａＯ、ＩｎＯ、Ｓ
ｎＯ，ＰｂＯ，ＢｉＯ、窒化物材料としてＣｒＮ、Ｓｉ
Ｎ、ＧｅＮ、ＧａＮ、ＩｎＮ、ＳｎＮ，ＰｂＮ，ＢｉＮ
などが挙げられる。特に、Ｃｒ２Ｏ３は接着力が強く、
剥離抑制効果が大きい。これら酸化物材料あるいは窒化
物材料とＳｎＴｅの混合比（モル比）を、酸化物材料あ
るいは窒化物材料をより多くすることで、剥離抑制効果
が顕著になる。Ｃｒ２Ｏ３のほか、酸化物あるいは窒化
物材料としてＧｅＯ、ＩｎＯ、ＣｒＮ、ＳｉＮ、Ｇｅ
Ｎ、ＩｎＮのいずれか１つあるいはその混合物を用いた
場合、下部界面層及び上部界面層の両方に本材料を用い
ると、剥離抑制効果を持ちながら消去性能の優れた媒体
を得ることができ、好ましい。
能を持たせるには、冷却速度が速い高線速度下でも消去
できるように、結晶化速度を速くすることが必要であ
る。鋭意検討の結果、良好な消去特性と前述した記録特
性を両立させるためには、結晶化速度のうち結晶核生成
速度を促進すればよいことがわかった。結晶核生成速度
が速い相変化記録媒体では、横軸：ＤＣ消去パワー（Ｐ
ｅ）、縦軸：消去比（ＥＲ）としたときに表される曲線
のＥＲ＝１０ｄＢでの接線の傾きをαとした場合（ＥＲ
＝Ｐｅｓ×α＋α' α、α'は定数）、用いる最低線
速度である第１の線速度ｖ１でのα（ｖ１）と、ｖ１よ
り速い第２の線速度ｖ２でのα（ｖ２）との関係が、α
（ｖ２）／α（ｖ１）≧０．５で表される。上記不等式
の係数が０．６であれば、媒体の長期保存寿命、特に長
期保存時のオーバーライト特性が良好であるため好まし
い。このような線速度可変対応の相変化記録膜には、全
原子数の９０％以上がＧｅＳｂＴｅから成り、さらに全
原子数の５０％以上がＴｅであるような、いわゆる化合
物系記録膜が適していることが明らかになった。さら
に、記録膜に接している界面層材料に適した材料を用い
ることが重要である。Ｔｅ化物界面層はＴｅ−ｒｉｃｈ
記録膜との相性が良く好ましい。特に、ＳｎＴｅ系の材
料を含んだ界面層材料は線速度可変相変化媒体として好
適である。しかしながら、界面層材料をＳｎＴｅとする
と、書換時に記録膜と界面層の間で剥離を生じることが
ある。ＳｎＴｅ材料に酸化物材料あるいは窒化物材料を
混合した材料を用いると、多数回書換時の剥離を抑制す
ることができ、好ましい。具体的には、酸化物材料とし
てＣｒ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＧｅＯ、ＧａＯ、ＩｎＯ、Ｓ
ｎＯ，ＰｂＯ，ＢｉＯ、窒化物材料としてＣｒＮ、Ｓｉ
Ｎ、ＧｅＮ、ＧａＮ、ＩｎＮ、ＳｎＮ，ＰｂＮ，ＢｉＮ
などが挙げられる。特に、Ｃｒ２Ｏ３は接着力が強く、
剥離抑制効果が大きい。これら酸化物材料あるいは窒化
物材料とＳｎＴｅの混合比（モル比）を、酸化物材料あ
るいは窒化物材料をより多くすることで、剥離抑制効果
が顕著になる。Ｃｒ２Ｏ３のほか、酸化物あるいは窒化
物材料としてＧｅＯ、ＩｎＯ、ＣｒＮ、ＳｉＮ、Ｇｅ
Ｎ、ＩｎＮのいずれか１つあるいはその混合物を用いた
場合、下部界面層及び上部界面層の両方に本材料を用い
ると、剥離抑制効果を持ちながら消去性能の優れた媒体
を得ることができ、好ましい。
【００１４】界面層材料として、全原子数の８０％以上
をＧａ化合物、Ｂｉ化合物、Ｐｂ化合物のいずれか１つ
かあるいはその混合物にしても、良好な消去性能及び記
録特性の両立が容易にでき、好ましい。具体的には、Ｇ
ａＴｅ，ＢｉＴｅ、ＰｂＴｅ，ＧａＯ，ＧａＮ，Ｂｉ
Ｏ，ＢｉＮ、ＰｂＯ，ＰｂＮなどが挙げられる。ＧａＴ
ｅ，ＢｉＴｅ、ＰｂＴｅは、線速度可変対応媒体として
欲する消去性能を表す不等式α（ｖ２）／α（ｖ１）≧
０．５）において、さらに望ましい不等式α（ｖ２）／
α（ｖ１）≧０．６を満たしているため、好ましい。こ
れらの材料のいずれか１つか、あるいはそれらの混合組
成と酸化物材料あるいは窒化物材料の混合材料を界面層
として用いると、書換時に生じる場合があった結晶化速
度低下を抑制することができるので望ましい。ＧａＯ，
ＧａＮ，ＢｉＯ，ＢｉＮ、ＰｂＯ，ＰｂＮは所望の消去
性能を満たしつつ、剥離抑制効果を併せ持つため、好ま
しい。特にＢｉＯ、ＢｉＮは保存寿命時の再生安定性が
良好であったため好ましく、また、ＳｎＯ，ＳｎＮは製
膜時のスパッタレートが速く量産に適しており好まし
い。
をＧａ化合物、Ｂｉ化合物、Ｐｂ化合物のいずれか１つ
かあるいはその混合物にしても、良好な消去性能及び記
録特性の両立が容易にでき、好ましい。具体的には、Ｇ
ａＴｅ，ＢｉＴｅ、ＰｂＴｅ，ＧａＯ，ＧａＮ，Ｂｉ
Ｏ，ＢｉＮ、ＰｂＯ，ＰｂＮなどが挙げられる。ＧａＴ
ｅ，ＢｉＴｅ、ＰｂＴｅは、線速度可変対応媒体として
欲する消去性能を表す不等式α（ｖ２）／α（ｖ１）≧
０．５）において、さらに望ましい不等式α（ｖ２）／
α（ｖ１）≧０．６を満たしているため、好ましい。こ
れらの材料のいずれか１つか、あるいはそれらの混合組
成と酸化物材料あるいは窒化物材料の混合材料を界面層
として用いると、書換時に生じる場合があった結晶化速
度低下を抑制することができるので望ましい。ＧａＯ，
ＧａＮ，ＢｉＯ，ＢｉＮ、ＰｂＯ，ＰｂＮは所望の消去
性能を満たしつつ、剥離抑制効果を併せ持つため、好ま
しい。特にＢｉＯ、ＢｉＮは保存寿命時の再生安定性が
良好であったため好ましく、また、ＳｎＯ，ＳｎＮは製
膜時のスパッタレートが速く量産に適しており好まし
い。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。 〔実施例１〕図１は、この発明における第１実施例のデ
ィスク状情報記録媒体の断面構造図を示す。この媒体は
次のようにして製作された。
施の形態を説明する。 〔実施例１〕図１は、この発明における第１実施例のデ
ィスク状情報記録媒体の断面構造図を示す。この媒体は
次のようにして製作された。
【００１６】まず、直径１２ｃｍ 、厚さ０．６ｍｍで
表面にトラッキング用の溝を有するポリカーボネイト基
板１１上に、 ＺｎＳ−ＳｉＯ2膜よりなる保護層１２を
膜厚１００ｎｍ形成した。次に、Ｓｎ30Ｓｅ30Ｎ40膜よ
りなる下部界面層１３を膜厚２ｎｍ、Ｇｅ33.3Ｓｂ13.3
Ｔｅ53.4（ａｔ％）記録層１４を膜厚６ｎｍ 、Ｃｒ ２
Ｏ３膜よりなる上部界面層１５を膜厚約５ｎｍ 、 Ｚｎ
Ｓ−ＳｉＯ2膜よりなる熱拡散制御層１６を膜厚４０ｎ
ｍ、Ｍｏ０．８（ＳｉＯ2）０．２膜からなる吸収率制
御層１７を膜厚２５ｎｍ 、Ａｌ０．９８Ｔｉ０．０２
膜からなる反射層１８を膜厚６０ｎｍに順次形成した。
積層膜の形成はマグネトロン・スパッタリング装置によ
り行った。こうして第１のディスク部材を得た。
表面にトラッキング用の溝を有するポリカーボネイト基
板１１上に、 ＺｎＳ−ＳｉＯ2膜よりなる保護層１２を
膜厚１００ｎｍ形成した。次に、Ｓｎ30Ｓｅ30Ｎ40膜よ
りなる下部界面層１３を膜厚２ｎｍ、Ｇｅ33.3Ｓｂ13.3
Ｔｅ53.4（ａｔ％）記録層１４を膜厚６ｎｍ 、Ｃｒ ２
Ｏ３膜よりなる上部界面層１５を膜厚約５ｎｍ 、 Ｚｎ
Ｓ−ＳｉＯ2膜よりなる熱拡散制御層１６を膜厚４０ｎ
ｍ、Ｍｏ０．８（ＳｉＯ2）０．２膜からなる吸収率制
御層１７を膜厚２５ｎｍ 、Ａｌ０．９８Ｔｉ０．０２
膜からなる反射層１８を膜厚６０ｎｍに順次形成した。
積層膜の形成はマグネトロン・スパッタリング装置によ
り行った。こうして第１のディスク部材を得た。
【００１７】他方、全く同様の方法により、第１のディ
スク部材と同じ構成を持つ第２のディスク部材を得た。
第２のディスク部材は、直径１２ｃｍ 、厚さ０．６ｍ
ｍの基板１１’上に順にＺｎＳ−ＳｉＯ2膜よりなる保
護層１２’を膜厚１００ｎｍ形成した。次に、Ｓｎ30Ｓ
ｅ30Ｎ40膜よりなる下部界面層１３’を膜厚２ｎｍ、Ｇ
ｅ33.3Ｓｂ13.3Ｔｅ53.4（ａｔ％）記録層１４’を膜厚
６ｎｍ 、Ｃｒ２Ｏ３膜よりなる上部界面層１５’を膜
厚５ｎｍ 、 ＺｎＳ−ＳｉＯ2膜よりなる熱拡散制御層
１６’を膜厚４０ｎｍ 、Ｍｏ０．８（ＳｉＯ2）０．２
膜からなる吸収率制御層１７’を膜厚２５ｎｍ 、Ａｌ
０．９８Ｔｉ０．０２ 膜からなる反射層１８’を膜厚
６０ｎｍに順次形成した。
スク部材と同じ構成を持つ第２のディスク部材を得た。
第２のディスク部材は、直径１２ｃｍ 、厚さ０．６ｍ
ｍの基板１１’上に順にＺｎＳ−ＳｉＯ2膜よりなる保
護層１２’を膜厚１００ｎｍ形成した。次に、Ｓｎ30Ｓ
ｅ30Ｎ40膜よりなる下部界面層１３’を膜厚２ｎｍ、Ｇ
ｅ33.3Ｓｂ13.3Ｔｅ53.4（ａｔ％）記録層１４’を膜厚
６ｎｍ 、Ｃｒ２Ｏ３膜よりなる上部界面層１５’を膜
厚５ｎｍ 、 ＺｎＳ−ＳｉＯ2膜よりなる熱拡散制御層
１６’を膜厚４０ｎｍ 、Ｍｏ０．８（ＳｉＯ2）０．２
膜からなる吸収率制御層１７’を膜厚２５ｎｍ 、Ａｌ
０．９８Ｔｉ０．０２ 膜からなる反射層１８’を膜厚
６０ｎｍに順次形成した。
【００１８】その後，前記第１のディスク部材および第
２のディスク部材をそれぞれの反射層１８、１８’同士
を接着剤層１９を介して貼り合わせ、図１に示すディス
ク状情報記録媒体を得た。 （初期結晶化）前記のようにして製作した情報記録媒体
の記録層１４、１４’に次のようにして初期結晶化を行
った。なお、記録層１４’についてもまったく同様であ
るから、以下の説明では記録層１４についてのみ述べる
こととする。
２のディスク部材をそれぞれの反射層１８、１８’同士
を接着剤層１９を介して貼り合わせ、図１に示すディス
ク状情報記録媒体を得た。 （初期結晶化）前記のようにして製作した情報記録媒体
の記録層１４、１４’に次のようにして初期結晶化を行
った。なお、記録層１４’についてもまったく同様であ
るから、以下の説明では記録層１４についてのみ述べる
こととする。
【００１９】上記情報記録媒体を記録トラック上の点の
線速度が５ｍ／ｓであるように回転させ、スポット形状
が媒体の半径方向に長い長円形の半導体レーザ（波長約
８１０ｎｍ）のレーザ光パワーを９００ｍＷにして基板
１を通して記録層４に照射した。スポットの移動は、媒
体の半径方向のスポット長の１／２ずつずらした。こう
して、初期結晶化を行った。この初期結晶化は１回でも
よいが２回繰り返すと初期結晶化によるノイズ上昇を少
し低減できた。 （記録・消去・再生）上記情報記録媒体すなわち光ディ
スク（図２中では便宜的に２１と呼ぶ）に対して、図２
に示した光ディスク装置を用いて情報の記録再生を行っ
た。以下に本光ディスク装置の動作を説明する。
線速度が５ｍ／ｓであるように回転させ、スポット形状
が媒体の半径方向に長い長円形の半導体レーザ（波長約
８１０ｎｍ）のレーザ光パワーを９００ｍＷにして基板
１を通して記録層４に照射した。スポットの移動は、媒
体の半径方向のスポット長の１／２ずつずらした。こう
して、初期結晶化を行った。この初期結晶化は１回でも
よいが２回繰り返すと初期結晶化によるノイズ上昇を少
し低減できた。 （記録・消去・再生）上記情報記録媒体すなわち光ディ
スク（図２中では便宜的に２１と呼ぶ）に対して、図２
に示した光ディスク装置を用いて情報の記録再生を行っ
た。以下に本光ディスク装置の動作を説明する。
【００２０】記録再生時のモーター制御方法としては、
記録再生を行うゾーン毎にディスクの線速度およびクロ
ック周波数Ｔとクロック周波数の逆数で定義されるウイ
ンドウ幅Ｔｗを変化させるＺＣＡＶ方式とした。
記録再生を行うゾーン毎にディスクの線速度およびクロ
ック周波数Ｔとクロック周波数の逆数で定義されるウイ
ンドウ幅Ｔｗを変化させるＺＣＡＶ方式とした。
【００２１】この光ディスク装置は、モータ２２を回転
させる回転数制御部２４と、光ディスク２１の記録面に
半導体レーザからのレーザ光を照射する光ヘッド２３
と、信号を再生するための再生処理部２７を備えてい
る。また、装置全体の制御をすると共に、最適記録パワ
ー、記録パルス幅などを求める処理等を行うマイコン２
８と、マイコン２８の指示に従って光ヘッド２３の半導
体レーザの照射を制御するＬＤ制御部２６と、マイコン
２８にて指示した記録波形が実際にどのように発光して
いるか検出するためのレーザ波形検出器２５を備えてい
る。マイコン２８は、光源を駆動するための信号波形を
発生する記録波形発生手段も兼ねている。
させる回転数制御部２４と、光ディスク２１の記録面に
半導体レーザからのレーザ光を照射する光ヘッド２３
と、信号を再生するための再生処理部２７を備えてい
る。また、装置全体の制御をすると共に、最適記録パワ
ー、記録パルス幅などを求める処理等を行うマイコン２
８と、マイコン２８の指示に従って光ヘッド２３の半導
体レーザの照射を制御するＬＤ制御部２６と、マイコン
２８にて指示した記録波形が実際にどのように発光して
いるか検出するためのレーザ波形検出器２５を備えてい
る。マイコン２８は、光源を駆動するための信号波形を
発生する記録波形発生手段も兼ねている。
【００２２】光ヘッド２３は、情報記録用のエネルギー
ビームとして波長６５９ｎｍのレーザ光を発生する半導
体レーザを備える。このレーザ光をレンズＮＡ０．６の
対物レンズにより光ディスク２１の記録層上に絞り込み
情報の記録を行った。光ヘッド２３は、マイコン２８の
制御下にある光ヘッド駆動手段（図示せず）によって駆
動され、光ディスク２１の半径方向に移動することがで
きる。また、光ヘッド２３は光検出器を備え、光ディス
ク２１からの反射光を検出した光検出器の出力は再生処
理部２７に入力され、半導体レーザからの照射光の一部
を検出した光検出器の出力はレーザ波形検出器２５に入
力される。
ビームとして波長６５９ｎｍのレーザ光を発生する半導
体レーザを備える。このレーザ光をレンズＮＡ０．６の
対物レンズにより光ディスク２１の記録層上に絞り込み
情報の記録を行った。光ヘッド２３は、マイコン２８の
制御下にある光ヘッド駆動手段（図示せず）によって駆
動され、光ディスク２１の半径方向に移動することがで
きる。また、光ヘッド２３は光検出器を備え、光ディス
ク２１からの反射光を検出した光検出器の出力は再生処
理部２７に入力され、半導体レーザからの照射光の一部
を検出した光検出器の出力はレーザ波形検出器２５に入
力される。
【００２３】本実施例では８−１６変調を用い、媒体上
に８ビットの情報に対応させた３Ｔ〜１４Ｔのマーク長
の情報の記録を行った。ここでＴとは情報記録時のクロ
ックの周期を表しており、ここではクロック周波数及び
クロック周波数の逆数にあたる周期Ｔは線速度に対応し
て変化させた。最短マークである３Ｔマークのマーク長
は約０．４２μｍ、最長マークである１４Ｔマークのマ
ーク長は約１．９６μｍとなる。記録信号には、情報信
号の始端部 、終端部に４Ｔマークと４Ｔスペースの繰
り返しのダミーデータが含まれている。始端部にはＶＦ
Ｏも含まれている。また、この媒体の反射率は結晶状態
の方が高く、記録され非晶質状態になった領域の反射率
が低くなっている。
に８ビットの情報に対応させた３Ｔ〜１４Ｔのマーク長
の情報の記録を行った。ここでＴとは情報記録時のクロ
ックの周期を表しており、ここではクロック周波数及び
クロック周波数の逆数にあたる周期Ｔは線速度に対応し
て変化させた。最短マークである３Ｔマークのマーク長
は約０．４２μｍ、最長マークである１４Ｔマークのマ
ーク長は約１．９６μｍとなる。記録信号には、情報信
号の始端部 、終端部に４Ｔマークと４Ｔスペースの繰
り返しのダミーデータが含まれている。始端部にはＶＦ
Ｏも含まれている。また、この媒体の反射率は結晶状態
の方が高く、記録され非晶質状態になった領域の反射率
が低くなっている。
【００２４】線速度に対応してウインドウ幅Ｔｗが変化
したとき、それに伴いパルスの発光時間が短くなるた
め、レーザの立ちあがり時間が影響して所望のレーザ波
形が得られない場合がある。本装置にて出力波形をチェ
ックした結果、線速度２３ｍ/ｓまで所望のレーザ発光
波形を得ることができることを確認した。所望の発光波
形が得られていない場合は記録波形の補正が必要とな
る。
したとき、それに伴いパルスの発光時間が短くなるた
め、レーザの立ちあがり時間が影響して所望のレーザ波
形が得られない場合がある。本装置にて出力波形をチェ
ックした結果、線速度２３ｍ/ｓまで所望のレーザ発光
波形を得ることができることを確認した。所望の発光波
形が得られていない場合は記録波形の補正が必要とな
る。
【００２５】本実施例では、図３に示すように、低（消
去）パワーと高（記録）パワーの２つのレベルを有する
記録波形を用いた。低パワーレベルは記録マークの消去
（結晶化）が可能であり、高パワーレベルは記録マーク
（非晶質）を形成することが可能である。１つのマーク
を形成するための記録波形は、先頭パルス、マルチパル
ス、最後尾パルスから成り立っている（最短マークは、
先頭パルスと最後尾パルスは一体化している）。マイコ
ン２８内には、マーク部の前後のスペース部の長さに応
じて先頭パルス幅と最後尾パルス幅を変化する方式（適
応型記録波形制御）に対応した波形テーブルを有してお
り、これによりマーク間に発生するマーク間熱干渉の影
響を極力排除できる記録波形を発生することができる。
去）パワーと高（記録）パワーの２つのレベルを有する
記録波形を用いた。低パワーレベルは記録マークの消去
（結晶化）が可能であり、高パワーレベルは記録マーク
（非晶質）を形成することが可能である。１つのマーク
を形成するための記録波形は、先頭パルス、マルチパル
ス、最後尾パルスから成り立っている（最短マークは、
先頭パルスと最後尾パルスは一体化している）。マイコ
ン２８内には、マーク部の前後のスペース部の長さに応
じて先頭パルス幅と最後尾パルス幅を変化する方式（適
応型記録波形制御）に対応した波形テーブルを有してお
り、これによりマーク間に発生するマーク間熱干渉の影
響を極力排除できる記録波形を発生することができる。
【００２６】また、本記録装置はグルーブとランド（グ
ルーブ間の領域）の両方に情報を記録する方式（いわゆ
るランドグルーブ（Ｌ／Ｇ）記録方式）に対応してお
り、ランドとグルーブに対するトラッキングを任意に選
択することができる。
ルーブ間の領域）の両方に情報を記録する方式（いわゆ
るランドグルーブ（Ｌ／Ｇ）記録方式）に対応してお
り、ランドとグルーブに対するトラッキングを任意に選
択することができる。
【００２７】上記光ディスク（以下ディスクＡとする）
の初回記録及び１０回書き換え後のジッター（σ／Ｔ
ｗ）を測定した。記録時のレーザパワーは、各線速度
（半径）にて最適な記録パワーとした。ここでいう最適
記録パワーとはクロスイレーズが起こらない記録パワー
であり、かつ、ＺＣＡＶで用いる最低線速度８．２ｍ／
ｓで記録したときと同じ信号振幅を得られる記録パワー
である。また、ジッターとは記録マークのエッジ部の位
置を再生した際、再生信号がウインドウ幅（Ｔｗ）に対
してどの程度ゆらいでいるかを示す指標である。ジッタ
ー値が大きくなるとエッジ部の検出位置がウインドウ幅
をほぼ占めるため、記録信号を正確に再生できなくな
る。そこでジッターは小さい方が好ましい。本実施例で
は初回記録及び１０回書き換え後の前エッジおよび後エ
ッジのジッター値の２乗平均の値（％）を示す。ＺＣＡ
Ｖ記録の場合、半径が変わるとそれに伴い線速度も変化
する。本実施例における最低線速度ｖ１は最内周での線
速度８．２ｍ／ｓ、最大線速度は最外周での２１ｍ／ｓ
である。測定半径は２３ｍｍ、３３．７ｍｍ、４４．９
ｍｍ、５３．３ｍｍと変えてジッターを測定した。これ
らの半径での線速度はそれぞれ８．２ｍ／ｓ、１２ｍ／
ｓおよび１６ｍ／ｓ、１９ｍ／ｓ、クロック周波数はそ
れぞれ１７．１ｎｓ、１１．６９ｎｓ、８．７６ｎｓ、
７．３８ｎｓである。初回記録及び１０回書き換え後の
ジッター（σ／Ｔｗ）は次のようになった。
の初回記録及び１０回書き換え後のジッター（σ／Ｔ
ｗ）を測定した。記録時のレーザパワーは、各線速度
（半径）にて最適な記録パワーとした。ここでいう最適
記録パワーとはクロスイレーズが起こらない記録パワー
であり、かつ、ＺＣＡＶで用いる最低線速度８．２ｍ／
ｓで記録したときと同じ信号振幅を得られる記録パワー
である。また、ジッターとは記録マークのエッジ部の位
置を再生した際、再生信号がウインドウ幅（Ｔｗ）に対
してどの程度ゆらいでいるかを示す指標である。ジッタ
ー値が大きくなるとエッジ部の検出位置がウインドウ幅
をほぼ占めるため、記録信号を正確に再生できなくな
る。そこでジッターは小さい方が好ましい。本実施例で
は初回記録及び１０回書き換え後の前エッジおよび後エ
ッジのジッター値の２乗平均の値（％）を示す。ＺＣＡ
Ｖ記録の場合、半径が変わるとそれに伴い線速度も変化
する。本実施例における最低線速度ｖ１は最内周での線
速度８．２ｍ／ｓ、最大線速度は最外周での２１ｍ／ｓ
である。測定半径は２３ｍｍ、３３．７ｍｍ、４４．９
ｍｍ、５３．３ｍｍと変えてジッターを測定した。これ
らの半径での線速度はそれぞれ８．２ｍ／ｓ、１２ｍ／
ｓおよび１６ｍ／ｓ、１９ｍ／ｓ、クロック周波数はそ
れぞれ１７．１ｎｓ、１１．６９ｎｓ、８．７６ｎｓ、
７．３８ｎｓである。初回記録及び１０回書き換え後の
ジッター（σ／Ｔｗ）は次のようになった。
【００２８】
初回記録時 １０回書き換え後
半径位置（ｍｍ） 線速度（ｍ／ｓ） ジッター（％） ジッター（％）
２３ ８．２ ８．２ ８．９
３３．７ １２ ８．１ ９．０
４４．９ １６ ８．２ ８．８
５３．３ １９ ８．３ ９．０
以上のように、測定半径位置（線速度）を変えても初回
記録時および１０回書換後のジッター値は半径に関わら
ずほぼ同じ良好な値が得られた。初回記録時にジッター
が良好であることは、測定した半径（線速度領域）に
て、記録時の再結晶化により記録マーク形状が悪化しな
いことを意味している。また、１０回書換時においてジ
ッターが良好であることは前に書かれていたマークが消
え残ることなく重ね書きできていることを表しているの
で、測定した半径（線速度）で消去特性が良好であるこ
とを示している。
記録時および１０回書換後のジッター値は半径に関わら
ずほぼ同じ良好な値が得られた。初回記録時にジッター
が良好であることは、測定した半径（線速度領域）に
て、記録時の再結晶化により記録マーク形状が悪化しな
いことを意味している。また、１０回書換時においてジ
ッターが良好であることは前に書かれていたマークが消
え残ることなく重ね書きできていることを表しているの
で、測定した半径（線速度）で消去特性が良好であるこ
とを示している。
【００２９】このような線速度可変に対応した媒体の結
晶成長速度および結晶核生成速度を、前述した手法、す
なわち、単一（ここでは１１Ｔ）マークのＣレベルの記
録時線速度依存性、及び用いる線速度領域における消去
比の消去パワー依存性を測定することで簡便に調べた。
その結果を以下に示す。図４は１１ＴマークのCレベル
の線速度依存性を示しており、本実施例での最低線速度
ｖ１＝８．２ｍ／ｓより低線速度側でCレベルが低下し
ている。これは、用いる線速度領域では激しい再結晶化
（結晶成長）によるマークのシュリンクが起こらない一
方、８．２ｍ／ｓより低い線速度領域では再結晶化が激
しいことを意味している。また、各線速度における消去
比の消去パワー依存性を図５に示す。消去特性は各線速
度において記録した１１Ｔマークを消去パワーを変えな
がら消去したときの消去比を測定することにより調べ
た。用いる線速度領域において最大消去比はほぼ同じ良
好な値（３０〜３５ｄＢ）を有している。さらに、図５
中、各線速度の依存性においてＥＲ＝１０ｄＢでの接線
の傾きをαとしたとき（ＥＲ＝Ｐｅｓ×α＋α'α、α'
は定数）、各線速度におけるαは次のようになった。
晶成長速度および結晶核生成速度を、前述した手法、す
なわち、単一（ここでは１１Ｔ）マークのＣレベルの記
録時線速度依存性、及び用いる線速度領域における消去
比の消去パワー依存性を測定することで簡便に調べた。
その結果を以下に示す。図４は１１ＴマークのCレベル
の線速度依存性を示しており、本実施例での最低線速度
ｖ１＝８．２ｍ／ｓより低線速度側でCレベルが低下し
ている。これは、用いる線速度領域では激しい再結晶化
（結晶成長）によるマークのシュリンクが起こらない一
方、８．２ｍ／ｓより低い線速度領域では再結晶化が激
しいことを意味している。また、各線速度における消去
比の消去パワー依存性を図５に示す。消去特性は各線速
度において記録した１１Ｔマークを消去パワーを変えな
がら消去したときの消去比を測定することにより調べ
た。用いる線速度領域において最大消去比はほぼ同じ良
好な値（３０〜３５ｄＢ）を有している。さらに、図５
中、各線速度の依存性においてＥＲ＝１０ｄＢでの接線
の傾きをαとしたとき（ＥＲ＝Ｐｅｓ×α＋α'α、α'
は定数）、各線速度におけるαは次のようになった。
【００３０】
α（８．２ｍ／ｓ）＝２９
α（１２ｍ／ｓ）＝２３
α（１６ｍ／ｓ）＝２０
α（１９ｍ／ｓ）＝１８．４
α（２１ｍ／ｓ）＝１
本実施例では、最低線速度ｖ１は８．２ｍ／ｓであるこ
とからα（ｖ１）＝２９となる。従って、ｖ１と、ｖ１
より速い第２の線速度ｖ２でのα（ｖ２）の関係は次の
ようになった。 α（１２ｍ／ｓ）／α（８．２ｍ／ｓ）＝２３／２９＝
０．７９ α（１６ｍ／ｓ）／α（８．２ｍ／ｓ）＝２０／２９＝
０．６９ α（１９ｍ／ｓ）／α（８．２ｍ／ｓ）＝１８．４／２
９＝０．６３ α（２１ｍ／ｓ）／α（８．２ｍ／ｓ）＝１５／２９＝
０．５１ 本実施例における媒体は、用いる線速度領域においてα
（ｖ２）／α（ｖ１）≧０．５を満たしている。このよ
うに、ジッターの良好な線速度可変対応媒体を得るため
には、上記のような特性を満足する結晶化速度を持たせ
ることが重要である。本実施例の界面層を構成するＳｎ
30Ｓｅ30Ｎ40 のＳｎの代わりに、記録膜構成元素と周
期律表で左方向または下方向、または左斜め下方向に一
区画離れた元素よりなる群より選ばれた少なくとも１元
素を用い、Ｓｅの代わりに周期律表で記録膜構成元素の
上方１区画目の元素からなる群より選ばれた少なくとも
１元素を用い、Ｎの代わりに周期律表で記録膜構成元素
の上方２区画目または３区画目の元素からなる群より選
ばれた少なくとも１元素を用いても、ほぼ同様の結果が
得られる。ただし、Ａｓは毒性が強いので、使用を避け
た方が良い。例えばＮの一部または全部を酸素で置き換
えると、ディスク製作初期の結晶化速度は大きくなる
が、長期間置くと結晶化速度が低下する傾向がある。Ｎ
の一部またはすべてをＳｅ，または上記Ｓｅと同じ群の
元素に置き換えると、書換え可能回数が低下するが、用途
によっては使用できる。逆に、Ｓｅの群の元素の一部ま
たは全部をＮの群の元素で置き換えると、結晶化速度向
上効果が低下する。また、ＳｅとＮの一部または全部を
Ｔｅで置き換えると、さらに書換え可能回数が低下する
が、特殊な用途では使用できる。
とからα（ｖ１）＝２９となる。従って、ｖ１と、ｖ１
より速い第２の線速度ｖ２でのα（ｖ２）の関係は次の
ようになった。 α（１２ｍ／ｓ）／α（８．２ｍ／ｓ）＝２３／２９＝
０．７９ α（１６ｍ／ｓ）／α（８．２ｍ／ｓ）＝２０／２９＝
０．６９ α（１９ｍ／ｓ）／α（８．２ｍ／ｓ）＝１８．４／２
９＝０．６３ α（２１ｍ／ｓ）／α（８．２ｍ／ｓ）＝１５／２９＝
０．５１ 本実施例における媒体は、用いる線速度領域においてα
（ｖ２）／α（ｖ１）≧０．５を満たしている。このよ
うに、ジッターの良好な線速度可変対応媒体を得るため
には、上記のような特性を満足する結晶化速度を持たせ
ることが重要である。本実施例の界面層を構成するＳｎ
30Ｓｅ30Ｎ40 のＳｎの代わりに、記録膜構成元素と周
期律表で左方向または下方向、または左斜め下方向に一
区画離れた元素よりなる群より選ばれた少なくとも１元
素を用い、Ｓｅの代わりに周期律表で記録膜構成元素の
上方１区画目の元素からなる群より選ばれた少なくとも
１元素を用い、Ｎの代わりに周期律表で記録膜構成元素
の上方２区画目または３区画目の元素からなる群より選
ばれた少なくとも１元素を用いても、ほぼ同様の結果が
得られる。ただし、Ａｓは毒性が強いので、使用を避け
た方が良い。例えばＮの一部または全部を酸素で置き換
えると、ディスク製作初期の結晶化速度は大きくなる
が、長期間置くと結晶化速度が低下する傾向がある。Ｎ
の一部またはすべてをＳｅ，または上記Ｓｅと同じ群の
元素に置き換えると、書換え可能回数が低下するが、用途
によっては使用できる。逆に、Ｓｅの群の元素の一部ま
たは全部をＮの群の元素で置き換えると、結晶化速度向
上効果が低下する。また、ＳｅとＮの一部または全部を
Ｔｅで置き換えると、さらに書換え可能回数が低下する
が、特殊な用途では使用できる。
【００３１】周期律表で記録膜構成元素の斜め下方の元
素、例えばＰｂよりは、同列、または下方の元素、例え
ばＳｎやＢｉの方が、結晶化速度を大きくする効果がや
や大きい。ただし、Ｐｏは産出量が少なく、放射性元素
であるので、使用しない方が良い。
素、例えばＰｂよりは、同列、または下方の元素、例え
ばＳｎやＢｉの方が、結晶化速度を大きくする効果がや
や大きい。ただし、Ｐｏは産出量が少なく、放射性元素
であるので、使用しない方が良い。
【００３２】元素の好ましい組み合わせは、Ｓｎ−Ｓｅ
−Ｎの他、Ｓｎ−Ｓｅ−Ｏ，Ｓｎ−Ｓ−Ｎ，Ｓｎ−Ｓ−
Ｏ，Ｂｉ−Ｓｅ−Ｎ，Ｂｉ−Ｓ−Ｎ，Ｂｉ−Ｓｅ−Ｏ，
Ｂｉ−Ｓ−Ｏなどである。
−Ｎの他、Ｓｎ−Ｓｅ−Ｏ，Ｓｎ−Ｓ−Ｎ，Ｓｎ−Ｓ−
Ｏ，Ｂｉ−Ｓｅ−Ｎ，Ｂｉ−Ｓ−Ｎ，Ｂｉ−Ｓｅ−Ｏ，
Ｂｉ−Ｓ−Ｏなどである。
【００３３】元素の含有量の好ましい範囲は、Ｓｎの群
の元素は２０原子％以上８０原子％以下である。この範
囲以上では書換えによる特性変化が大きすぎ、この範囲
以下では結晶化速度向上効果が小さすぎる。Ｓｅの群の
元素の好ましい範囲は２０原子％以上６０原子％以下で
ある。この範囲以上では書換えによる特性変化が大き過
ぎ、この範囲以下では結晶化速度向上効果または書換え
可能回数が小さすぎる。どちらの欠点が現れるかはＮの
含有量によって異なる。Ｎの群の元素は、１０原子％以
上７０原子％以下である。この範囲以上では安定な材料
とならず、この範囲以下では書換え可能回数が低下す
る。
の元素は２０原子％以上８０原子％以下である。この範
囲以上では書換えによる特性変化が大きすぎ、この範囲
以下では結晶化速度向上効果が小さすぎる。Ｓｅの群の
元素の好ましい範囲は２０原子％以上６０原子％以下で
ある。この範囲以上では書換えによる特性変化が大き過
ぎ、この範囲以下では結晶化速度向上効果または書換え
可能回数が小さすぎる。どちらの欠点が現れるかはＮの
含有量によって異なる。Ｎの群の元素は、１０原子％以
上７０原子％以下である。この範囲以上では安定な材料
とならず、この範囲以下では書換え可能回数が低下す
る。
【００３４】この他、ＧａＴｅ、ＰｂＴｅ、Ｂｉ２Ｔｅ
３を界面層に用いると、実施例２に示すように、線速度
可変対応媒体として欲する消去性能を表す不等式α（ｖ
２）／α（ｖ１）≧０．５）において、さらに望ましい
不等式α（ｖ２）／α（ｖ１）≧０．６を満たしている
ため、好ましい。界面層材料にＴｅ化物を用いるとＴｅ
含有量の多い記録膜との相性がよく好ましい。また、ス
パッタ装置によっては、ＳｎＴｅを界面層に用いた場
合、書き換え時に記録膜と界面層との間で剥離を生じる
ことがあった。本実施例で用いたＳｎ30Ｓｅ30Ｎ40界面
層は書き換え時の剥離を抑制する効果がある。Ｃｒ２Ｏ
３は接着力が強いため添加すると剥離抑制効果が大き
く、好ましかった。Ｃｒ２Ｏ３の混合比を多くすると、
接着力が強化された。ただし、添加量は、膜中の上記界
面層材料の構成原子数に対して、Ｃｒ２Ｏ３の構成原子
数が５０％未満にしないと、結晶化高速化効果が小さく
なる。十分な結晶化速度向上効果を得るには、より好ま
しくは３０％以下、特に好ましくは１０％以下である。
混合する材料としては、Ｃｒ２Ｏ３のほか、酸化物ある
いは窒化物材料として、ＧｅＯ、ＩｎＯ、ＣｒＮ、Ｓｉ
Ｎ、ＧｅＮ、ＩｎＮのいずれか１つあるいはその混合物
を用いた場合、下部界面層及び上部界面層の両方に本材
料を用いると、剥離抑制効果を持ちながら消去性能の優
れた媒体を得ることができ、好ましい。ＧａＯ，Ｇａ
Ｎ，ＢｉＯ，ＢｉＮ、ＰｂＯ，ＰｂＮは、その材料自体
に同様の効果があり、所望の記録消去性能を満たしつ
つ、さらに剥離抑制効果を併せ持つため好ましい。その
ほか、混合する材料にＳｉＯ２、ＧａＯ，ＳｎＯ，Ｐｂ
Ｏ，ＢｉＯ、ＧａＮ，ＳｎＮ，ＰｂＮ，ＢｉＮを用いて
も本発明の効果は変わらなかった。特に、ＳｎＯ，Ｓｎ
Ｎは単体で界面層材料として用いても良好な記録・消去
特性を得ることができ、さらに製膜時のスパッタレート
が速く量産に適しており好ましい。
３を界面層に用いると、実施例２に示すように、線速度
可変対応媒体として欲する消去性能を表す不等式α（ｖ
２）／α（ｖ１）≧０．５）において、さらに望ましい
不等式α（ｖ２）／α（ｖ１）≧０．６を満たしている
ため、好ましい。界面層材料にＴｅ化物を用いるとＴｅ
含有量の多い記録膜との相性がよく好ましい。また、ス
パッタ装置によっては、ＳｎＴｅを界面層に用いた場
合、書き換え時に記録膜と界面層との間で剥離を生じる
ことがあった。本実施例で用いたＳｎ30Ｓｅ30Ｎ40界面
層は書き換え時の剥離を抑制する効果がある。Ｃｒ２Ｏ
３は接着力が強いため添加すると剥離抑制効果が大き
く、好ましかった。Ｃｒ２Ｏ３の混合比を多くすると、
接着力が強化された。ただし、添加量は、膜中の上記界
面層材料の構成原子数に対して、Ｃｒ２Ｏ３の構成原子
数が５０％未満にしないと、結晶化高速化効果が小さく
なる。十分な結晶化速度向上効果を得るには、より好ま
しくは３０％以下、特に好ましくは１０％以下である。
混合する材料としては、Ｃｒ２Ｏ３のほか、酸化物ある
いは窒化物材料として、ＧｅＯ、ＩｎＯ、ＣｒＮ、Ｓｉ
Ｎ、ＧｅＮ、ＩｎＮのいずれか１つあるいはその混合物
を用いた場合、下部界面層及び上部界面層の両方に本材
料を用いると、剥離抑制効果を持ちながら消去性能の優
れた媒体を得ることができ、好ましい。ＧａＯ，Ｇａ
Ｎ，ＢｉＯ，ＢｉＮ、ＰｂＯ，ＰｂＮは、その材料自体
に同様の効果があり、所望の記録消去性能を満たしつ
つ、さらに剥離抑制効果を併せ持つため好ましい。その
ほか、混合する材料にＳｉＯ２、ＧａＯ，ＳｎＯ，Ｐｂ
Ｏ，ＢｉＯ、ＧａＮ，ＳｎＮ，ＰｂＮ，ＢｉＮを用いて
も本発明の効果は変わらなかった。特に、ＳｎＯ，Ｓｎ
Ｎは単体で界面層材料として用いても良好な記録・消去
特性を得ることができ、さらに製膜時のスパッタレート
が速く量産に適しており好ましい。
【００３５】また、ここでは波長６５９ｎｍの赤色レー
ザを用いたが、その他の波長のレーザ、例えば波長４０
０ｎｍ付近の青色レーザを用いても本発明の効果は変わ
らない。 〔実施例２〕実施例１で用いた下部界面層Ｓｎ30Ｓｅ30
Ｎ40膜をＢｉ２Ｔｅ３膜に変えてディスクＢを作製し、
実施例１と同様の実験を行った。用いた装置は実施例１
と同じである。
ザを用いたが、その他の波長のレーザ、例えば波長４０
０ｎｍ付近の青色レーザを用いても本発明の効果は変わ
らない。 〔実施例２〕実施例１で用いた下部界面層Ｓｎ30Ｓｅ30
Ｎ40膜をＢｉ２Ｔｅ３膜に変えてディスクＢを作製し、
実施例１と同様の実験を行った。用いた装置は実施例１
と同じである。
【００３６】
初回記録時 １０回書き換え後
半径位置（ｍｍ） 線速度（ｍ／ｓ） ジッター（％） ジッター（％）
２３ ８．２ ８．２ ８．７
３３．７ １２ ８．１ ８．６
４４．９ １６ ８．０ ８．８
５３．３ １９ ８．４ ９．０
このように、測定半径位置（線速度）を変えても、実施
例１と同様、初回記録時および１０回書換後のジッター
値は半径に関わらずほぼ同じ良好な値が得られた。この
ディスクＢにおける１１ＴマークのＣレベルの記録時線
速度依存性は実施例１のディスクＡとほぼ同じであり、
８．２ｍ／ｓより低い線速度領域で再結晶化によるＣレ
ベルの低下が起こっていた。さらに、このディスクＢを
用いて各線速度における消去比の消去パワー依存性を調
べ、実施例１で定義したαを求めたところ以下のように
なった。
例１と同様、初回記録時および１０回書換後のジッター
値は半径に関わらずほぼ同じ良好な値が得られた。この
ディスクＢにおける１１ＴマークのＣレベルの記録時線
速度依存性は実施例１のディスクＡとほぼ同じであり、
８．２ｍ／ｓより低い線速度領域で再結晶化によるＣレ
ベルの低下が起こっていた。さらに、このディスクＢを
用いて各線速度における消去比の消去パワー依存性を調
べ、実施例１で定義したαを求めたところ以下のように
なった。
【００３７】
α（８．２ｍ／ｓ）＝３０
α（１２ｍ／ｓ）＝２７
α（１６ｍ／ｓ）＝２５
α（１９ｍ／ｓ）＝２４
α（２１ｍ／ｓ）＝１９
本実施例での最低線速度ｖ１は８．２ｍ／ｓであること
からα（ｖ１）＝２７となる。従って、ｖ１と、ｖ１よ
り速い第２の線速度ｖ２でのα（ｖ２）の関係は次のよ
うになった。 α（１２ｍ／ｓ）／α（８．２ｍ／ｓ）＝２７／３０＝
０．９ α（１６ｍ／ｓ）／α（８．２ｍ／ｓ）＝２５／３０＝
０．８３ α（１９ｍ／ｓ）／α（８．２ｍ／ｓ）＝２４／３０＝
０．８ α（２１ｍ／ｓ）／α（８．２ｍ／ｓ）＝１９／３０＝
０．６３ 本実施例における媒体は、実施例１と同様、用いる線速
度領域においてα（ｖ２）／α（ｖ１）≧０．５を満た
している。さらに、ディスクＢと、実施例１で用いたデ
ィスクＡを、恒温恒湿槽を用いて９０℃、湿度８０％の
環境下に置き保存寿命の検討を行った。その結果、ディ
スクＡが保存時間２００時間のとき、外周（線速度２１
ｍ／ｓ）でのアーカイバルオーバーライトジッターが１
０．５％と、通常のオーバーライトジッターの９．０％
と比べて上昇したのに対し、ディスクＢは保存時間２０
０時間ではアーカイバルオーバーライトジッターは９．
０％で通常のオーバーライト時と同じ値を示した。さら
に保存時間５００時間まで調べたが、アーカイバルオー
バーライトによるジッター上昇はなかった。検討の結
果、ディスクが高温高湿の環境下に置かれた場合、記録
膜の結晶核生成が何らかの原因により阻害されて結晶化
速度が遅くなり、以前書かれたマークが消え残ってアー
カイバルオーバーライトジッターが上昇することがわか
った。アーカイバルオーバーライトジッターは記録時の
線速度が速いほど上昇しやすい。本実施例で示したディ
スクＢのアーカイバルオーバーライトジッターが良好で
あるのは、高温高湿環境下に置かれ結晶核生成がある程
度阻害されていても結晶核生成速度が十分速いために、
オーバーライトジッターに影響しないためである。この
ような保存寿命の優れたディスクは、用いる線速度領域
においてα（ｖ２）／α（ｖ１）≧０．６を満たしてい
た。従って、上記不等式を満たすディスクは、媒体の長
期保存寿命、特に長期保存時のオーバーライト特性が良
好であるため好ましい。上記不等式の係数が１に近けれ
ば近いほど、高線速度での結晶核生成のしやすさが、低
線速度での結晶核生成のしやすさに近いことを表してお
り、ＣＡＶ対応記録媒体として好ましい。本実施例では
下部界面層としてＢｉ２Ｔｅ３を用いたが、ＧａＴｅ，
ＰｂＴｅを用いても不等式α（ｖ２）／α（ｖ１）≧
０．６を満たしており、本発明の効果は変わらなかっ
た。
からα（ｖ１）＝２７となる。従って、ｖ１と、ｖ１よ
り速い第２の線速度ｖ２でのα（ｖ２）の関係は次のよ
うになった。 α（１２ｍ／ｓ）／α（８．２ｍ／ｓ）＝２７／３０＝
０．９ α（１６ｍ／ｓ）／α（８．２ｍ／ｓ）＝２５／３０＝
０．８３ α（１９ｍ／ｓ）／α（８．２ｍ／ｓ）＝２４／３０＝
０．８ α（２１ｍ／ｓ）／α（８．２ｍ／ｓ）＝１９／３０＝
０．６３ 本実施例における媒体は、実施例１と同様、用いる線速
度領域においてα（ｖ２）／α（ｖ１）≧０．５を満た
している。さらに、ディスクＢと、実施例１で用いたデ
ィスクＡを、恒温恒湿槽を用いて９０℃、湿度８０％の
環境下に置き保存寿命の検討を行った。その結果、ディ
スクＡが保存時間２００時間のとき、外周（線速度２１
ｍ／ｓ）でのアーカイバルオーバーライトジッターが１
０．５％と、通常のオーバーライトジッターの９．０％
と比べて上昇したのに対し、ディスクＢは保存時間２０
０時間ではアーカイバルオーバーライトジッターは９．
０％で通常のオーバーライト時と同じ値を示した。さら
に保存時間５００時間まで調べたが、アーカイバルオー
バーライトによるジッター上昇はなかった。検討の結
果、ディスクが高温高湿の環境下に置かれた場合、記録
膜の結晶核生成が何らかの原因により阻害されて結晶化
速度が遅くなり、以前書かれたマークが消え残ってアー
カイバルオーバーライトジッターが上昇することがわか
った。アーカイバルオーバーライトジッターは記録時の
線速度が速いほど上昇しやすい。本実施例で示したディ
スクＢのアーカイバルオーバーライトジッターが良好で
あるのは、高温高湿環境下に置かれ結晶核生成がある程
度阻害されていても結晶核生成速度が十分速いために、
オーバーライトジッターに影響しないためである。この
ような保存寿命の優れたディスクは、用いる線速度領域
においてα（ｖ２）／α（ｖ１）≧０．６を満たしてい
た。従って、上記不等式を満たすディスクは、媒体の長
期保存寿命、特に長期保存時のオーバーライト特性が良
好であるため好ましい。上記不等式の係数が１に近けれ
ば近いほど、高線速度での結晶核生成のしやすさが、低
線速度での結晶核生成のしやすさに近いことを表してお
り、ＣＡＶ対応記録媒体として好ましい。本実施例では
下部界面層としてＢｉ２Ｔｅ３を用いたが、ＧａＴｅ，
ＰｂＴｅを用いても不等式α（ｖ２）／α（ｖ１）≧
０．６を満たしており、本発明の効果は変わらなかっ
た。
【００３８】これらの界面層材料と酸化物材料あるいは
窒化物材料の混合材料を界面層として用いると、書換時
に生じる場合があった結晶化速度低下を抑制することが
できた。Ｂｉ２Ｔｅ３，ＧａＴｅ，ＰｂＴｅのいずれか
１つか、あるいはそれらの混合組成と酸化物材料あるい
は窒化物材料の混合材料を界面層として用いると、書換
時に生じる場合があった結晶化速度低下を抑制すること
ができるので望ましい。 〔比較例１〕実施例１で示した記録膜の組成をＧｅ33.3
Ｓｂ13.3Ｔｅ53.4（ａｔ％）からＧｅ36Ｓｂ11Ｔｅ
53（ａｔ％）に変更して結晶成長を速くしたディスクＣ
を作製し、実施例１と同様の実験を行った。用いた装置
は実施例１と同じである。
窒化物材料の混合材料を界面層として用いると、書換時
に生じる場合があった結晶化速度低下を抑制することが
できた。Ｂｉ２Ｔｅ３，ＧａＴｅ，ＰｂＴｅのいずれか
１つか、あるいはそれらの混合組成と酸化物材料あるい
は窒化物材料の混合材料を界面層として用いると、書換
時に生じる場合があった結晶化速度低下を抑制すること
ができるので望ましい。 〔比較例１〕実施例１で示した記録膜の組成をＧｅ33.3
Ｓｂ13.3Ｔｅ53.4（ａｔ％）からＧｅ36Ｓｂ11Ｔｅ
53（ａｔ％）に変更して結晶成長を速くしたディスクＣ
を作製し、実施例１と同様の実験を行った。用いた装置
は実施例１と同じである。
【００３９】
初回記録時 １０回書き換え後
半径位置（ｍｍ） 線速度（ｍ／ｓ） ジッター（％） ジッター（％）
２３ ８．２ ９．２ １０．５
３３．７ １２ ８．２ ８．７
４４．９ １６ ８．１ ８．６
５３．３ １９ ８．３ ８．７
このように測定半径位置（線速度）を変えた場合、半径
３３．７ｍｍ以上では良好なジッターを得ることができ
たが、半径２３ｍｍでは初回記録時及び１０回書き換え
時のジッターともに上昇した。ディスクＣにおける１１
ＴマークのＣレベルの線速度依存性を調べた結果、線速
度１０ｍ／ｓから低線速度側でＣレベルが低下してい
た。線速度８．２ｍ／ｓおよび１２ｍ／ｓで記録したマ
ークの形状を透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて観察し
たところ、線速度８．２ｍ／ｓでの記録マークの周辺の
結晶リングは、線速度１２ｍ／ｓの記録マークのそれと
比較して幅広く、アモルファスマークが小さいことがわ
かった。この結晶のリングは記録時に生じた再結晶化に
より形成されたものである。記録マークのＣレベルの線
速度依存性及び記録マークのＴＥＭ観察結果から、Ｃレ
ベルの線速度依存性においてＣレベルが低下している低
い線速度では、再結晶化による記録マークのシュリンク
が激しく、結果として良好なジッターが得られないこと
が確かめられた。従って、ＣＡＶ記録に対応したディス
クは、用いる線速度より低い線速度領域でＣレベルの低
下が始まるものが良い。 〔実施例３〕実施例１で示した下部界面層材料をＳｎ30
Ｓｅ30Ｎ40からＢｉＯに変更して結晶成長を遅くしたデ
ィスクＤを作製し、実施例１と同様の実験を行った。用
いた装置は実施例１と同じである。
３３．７ｍｍ以上では良好なジッターを得ることができ
たが、半径２３ｍｍでは初回記録時及び１０回書き換え
時のジッターともに上昇した。ディスクＣにおける１１
ＴマークのＣレベルの線速度依存性を調べた結果、線速
度１０ｍ／ｓから低線速度側でＣレベルが低下してい
た。線速度８．２ｍ／ｓおよび１２ｍ／ｓで記録したマ
ークの形状を透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて観察し
たところ、線速度８．２ｍ／ｓでの記録マークの周辺の
結晶リングは、線速度１２ｍ／ｓの記録マークのそれと
比較して幅広く、アモルファスマークが小さいことがわ
かった。この結晶のリングは記録時に生じた再結晶化に
より形成されたものである。記録マークのＣレベルの線
速度依存性及び記録マークのＴＥＭ観察結果から、Ｃレ
ベルの線速度依存性においてＣレベルが低下している低
い線速度では、再結晶化による記録マークのシュリンク
が激しく、結果として良好なジッターが得られないこと
が確かめられた。従って、ＣＡＶ記録に対応したディス
クは、用いる線速度より低い線速度領域でＣレベルの低
下が始まるものが良い。 〔実施例３〕実施例１で示した下部界面層材料をＳｎ30
Ｓｅ30Ｎ40からＢｉＯに変更して結晶成長を遅くしたデ
ィスクＤを作製し、実施例１と同様の実験を行った。用
いた装置は実施例１と同じである。
【００４０】
初回記録時 １０回書き換え後
半径位置（ｍｍ） 線速度（ｍ／ｓ） ジッター（％） ジッター（％）
２３ ８．２ ８．０ ８．５
３３．７ １２ ７．９ ８．５
４４．９ １６ ８．２ ８．７
５３．３ １９ ８．３ ８．８
測定半径位置（線速度）を変えても、実施例１と同様、
初回記録時および１０回書換後のジッター値は半径に関
わらずほぼ同じ良好な値が得られた。ディスクＤにおけ
る１１ＴマークのＣレベルの記録時線速度依存性を調べ
たところ、線速度６ｍ／ｓから低線速度側でＣレベルが
低下していた。
初回記録時および１０回書換後のジッター値は半径に関
わらずほぼ同じ良好な値が得られた。ディスクＤにおけ
る１１ＴマークのＣレベルの記録時線速度依存性を調べ
たところ、線速度６ｍ／ｓから低線速度側でＣレベルが
低下していた。
【００４１】本実施例で作製したディスクＤと実施例１
で用いたディスクＡを用いて、恒温恒湿槽を用いて９０
℃、湿度８０％の環境下に置き、再生保存寿命を調べ
た。その結果保存時間２００時間のとき、１０回書き換
え後のマークを再生した場合、実施例１のディスクＡが
内周（線速度８．２ｍ／ｓ）でのアーカイバル再生ジッ
ターが９．３％と、通常のジッターの８．９％と比べて
０．４％上昇したのに対し、本実施例で用いたディスク
Ｄは保存時間２００時間ではアーカイバル再生ジッター
は８．５％で通常の再生時と同じ値を示した。さらに保
存時間５００時間まで調べたがジッター上昇は見られな
かった。検討の結果、アーカイバル再生劣化は、記録時
にアモルファスマーク中に生じた結晶核あるいは種結晶
が長い時間加熱され結晶成長をするために、アモルファ
スマークが結晶化してしまうことが原因であることがわ
かった。従って、結晶成長しやすいディスクほどアーカ
イバル再生ジッターが劣化しやすい。本実施例で示した
ディスクＤのアーカイバル再生ジッターが良好であるの
は、高温高湿環境下に置かれた状態でも種結晶が結晶成
長しにくいためである。このような再生保存寿命の優れ
たディスクは、単一周波数の記録マークのＣレベル低下
開始線速度が、用いる線速度範囲の最低線速度×０．８
以下の速度である、という条件を満たしていた。従っ
て、上記条件を満たすディスクは、媒体の長期保存寿
命、特に長期保存時の再生特性が良好であるため好まし
い。本実施例では下部界面層をＢｉＯとしたが、そのほ
かＢｉＮを用いても本発明の効果は変わらなかった。 〔比較例２〕（記録膜組成） 上記ディスクの記録膜組成を実施例１で用いた化合物系
記録膜組成であるＧｅ33 .3Ｓｂ13.3Ｔｅ53.4（ａｔ％）
から共晶系記録膜組成であるＧｅ10Ｓｂ72Ｔｅ18（ａｔ
％）、Ｇｅ10Ｓｂ67Ｔｅ23（ａｔ％）、Ｇｅ10Ｓｂ60Ｔ
ｅ30（ａｔ％）に変更して各ディスクを作製し、線速度
に対する記録及び消去特性を調べた。その結果を図６及
び図７に示す。Ｇｅ10Ｓｂ72Ｔｅ18組成のディスクをデ
ィスクＥ、Ｇｅ10Ｓｂ67Ｔｅ23（ａｔ％）組成のディス
クをディスクＦ、Ｇｅ10Ｓｂ60Ｔｅ 30（ａｔ％）組成の
ディスクをディスクＧとした。図６は、１１Ｔマークの
Ｃレベルの線速度依存性を示しており、前述したよう
に、記録時の再結晶化のしやすさを定性的に評価するこ
とができる。Ｃレベルは、ディスクＥで線速度１２ｍ／
ｓ、ディスクＦで線速度８．２ｍ／ｓ、ディスクＧで線
速度５ｍ／ｓより低い線速度で低下していた。また、図
７には消去性能の線速度依存性を示した。ディスクＥは
用いる線速度範囲で良好な消去性能を示しているが、デ
ィスクＦ，及びディスクＧは高線速度側で消去性能が低
下していることがわかる。以上より、Ｔｅ含有量が５０
％未満の共晶系記録膜では、記録時の再結晶化によるＣ
レベル低下を起こさず、かつ良好な消去性能を得ること
のできるディスクを得ることは難しい。これは、共晶系
記録膜が、結晶成長モードが主な（結晶核生成がほとん
どない）結晶化メカニズムをもっているためである。線
速度可変の相変化記録媒体には、Ｔｅ量が５０％以上の
ＧｅＳｂＴｅ化合物系組成が好ましいことがわかった。
で用いたディスクＡを用いて、恒温恒湿槽を用いて９０
℃、湿度８０％の環境下に置き、再生保存寿命を調べ
た。その結果保存時間２００時間のとき、１０回書き換
え後のマークを再生した場合、実施例１のディスクＡが
内周（線速度８．２ｍ／ｓ）でのアーカイバル再生ジッ
ターが９．３％と、通常のジッターの８．９％と比べて
０．４％上昇したのに対し、本実施例で用いたディスク
Ｄは保存時間２００時間ではアーカイバル再生ジッター
は８．５％で通常の再生時と同じ値を示した。さらに保
存時間５００時間まで調べたがジッター上昇は見られな
かった。検討の結果、アーカイバル再生劣化は、記録時
にアモルファスマーク中に生じた結晶核あるいは種結晶
が長い時間加熱され結晶成長をするために、アモルファ
スマークが結晶化してしまうことが原因であることがわ
かった。従って、結晶成長しやすいディスクほどアーカ
イバル再生ジッターが劣化しやすい。本実施例で示した
ディスクＤのアーカイバル再生ジッターが良好であるの
は、高温高湿環境下に置かれた状態でも種結晶が結晶成
長しにくいためである。このような再生保存寿命の優れ
たディスクは、単一周波数の記録マークのＣレベル低下
開始線速度が、用いる線速度範囲の最低線速度×０．８
以下の速度である、という条件を満たしていた。従っ
て、上記条件を満たすディスクは、媒体の長期保存寿
命、特に長期保存時の再生特性が良好であるため好まし
い。本実施例では下部界面層をＢｉＯとしたが、そのほ
かＢｉＮを用いても本発明の効果は変わらなかった。 〔比較例２〕（記録膜組成） 上記ディスクの記録膜組成を実施例１で用いた化合物系
記録膜組成であるＧｅ33 .3Ｓｂ13.3Ｔｅ53.4（ａｔ％）
から共晶系記録膜組成であるＧｅ10Ｓｂ72Ｔｅ18（ａｔ
％）、Ｇｅ10Ｓｂ67Ｔｅ23（ａｔ％）、Ｇｅ10Ｓｂ60Ｔ
ｅ30（ａｔ％）に変更して各ディスクを作製し、線速度
に対する記録及び消去特性を調べた。その結果を図６及
び図７に示す。Ｇｅ10Ｓｂ72Ｔｅ18組成のディスクをデ
ィスクＥ、Ｇｅ10Ｓｂ67Ｔｅ23（ａｔ％）組成のディス
クをディスクＦ、Ｇｅ10Ｓｂ60Ｔｅ 30（ａｔ％）組成の
ディスクをディスクＧとした。図６は、１１Ｔマークの
Ｃレベルの線速度依存性を示しており、前述したよう
に、記録時の再結晶化のしやすさを定性的に評価するこ
とができる。Ｃレベルは、ディスクＥで線速度１２ｍ／
ｓ、ディスクＦで線速度８．２ｍ／ｓ、ディスクＧで線
速度５ｍ／ｓより低い線速度で低下していた。また、図
７には消去性能の線速度依存性を示した。ディスクＥは
用いる線速度範囲で良好な消去性能を示しているが、デ
ィスクＦ，及びディスクＧは高線速度側で消去性能が低
下していることがわかる。以上より、Ｔｅ含有量が５０
％未満の共晶系記録膜では、記録時の再結晶化によるＣ
レベル低下を起こさず、かつ良好な消去性能を得ること
のできるディスクを得ることは難しい。これは、共晶系
記録膜が、結晶成長モードが主な（結晶核生成がほとん
どない）結晶化メカニズムをもっているためである。線
速度可変の相変化記録媒体には、Ｔｅ量が５０％以上の
ＧｅＳｂＴｅ化合物系組成が好ましいことがわかった。
【００４２】
【発明の効果】本発明によると、線速度可変な光ディス
クにおいて、用いる線速度領域において良好な消去性能
と記録性能を併せ持つ情報記録媒体を提供することがで
きる。
クにおいて、用いる線速度領域において良好な消去性能
と記録性能を併せ持つ情報記録媒体を提供することがで
きる。
【図１】本発明による情報記録媒体の構造を示す模式
図。
図。
【図２】本発明による光ディスク装置の概略構成を示す
模式図。
模式図。
【図３】光ディスクの記録・再生特性評価に用いた記録
波形を示す模式図。
波形を示す模式図。
【図４】記録マークのキャリアレベルの線速度依存性を
示す一例図。
示す一例図。
【図５】各線速度における消去比の消去パワー依存性を
示す一例図。
示す一例図。
【図６】記録マークのキャリアレベルの線速度依存性を
示す一例図。
示す一例図。
【図７】消去性能の線速度依存性を示す一例図。
１１、１１' ポリカーボネート基板
１２、１２' 保護層
１３、１３' 下部界面層
１４、１４' 記録層
１５，１５' 上部界面層
１６，１６' 熱拡散制御層
１７，１７' 吸収率制御層
１８，１８' 反射層
１９ 接着剤層
２１ 光ディスク
２２ モーター
２３ 光ヘッド
２４ 回転数制御部
２５ レーザ波形検出器
２６ ＬＤ制御部
２７ 再生処理部
２８ マイコン。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ１１Ｂ 7/24 Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３４Ｍ
(72)発明者 寺尾 元康
東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地
株式会社日立製作所中央研究所内
(72)発明者 安藤 圭吉
東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地
株式会社日立製作所中央研究所内
(72)発明者 安齋 由美子
東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地
株式会社日立製作所中央研究所内
(72)発明者 宮本 真
東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地
株式会社日立製作所中央研究所内
Ｆターム(参考） 5D029 JA01 JB18 LA12 LA13 LA14
LA16
Claims (10)
- 【請求項１】相変化記録膜を有する線速度可変記録用情
報記録媒体において、記録膜に接している少なくとも１
つの界面層が、記録膜構成元素と周期律表で左方向また
は下方向、または左斜め下方向に一区画離れた元素より
なる群と、記録膜構成元素自身、または周期律表で記録膜
構成元素の上方３区画までの元素からなる群より選ばれ
た少なくとも１元素との組み合わせより成る材料を主成
分とすることを特徴とする情報記録媒体。 - 【請求項２】請求項１記載の情報記録媒体において、界
面層が、記録膜構成元素と周期律表で左方向または下方
向、または左斜め下方向に一区画離れた元素よりなる群
と、周期律表で記録膜構成元素の上方３区画までの元素
からなる群より選ばれた少なくとも１元素との組み合わ
せより成る材料を主成分とすることを特徴とする情報記
録媒体。 - 【請求項３】請求項２項記載の情報記録媒体において、
界面層が、記録膜構成元素と周期律表で左方向または下
方向、または左斜め下方向に一区画離れた元素よりなる
群と、周期律表で記録膜構成元素の上方１区画目の元素
からなる群と、上方２区画目または３区画目の元素から
なる群の、合計３つの群のそれぞれより選ばれた少なく
とも１元素の組み合わせより成る材料を主成分とするこ
とを特徴とする情報記録媒体。 - 【請求項４】相変化記録膜を有する線速度可変記録用情
報記録媒体において、横軸：ＤＣ消去パワー（Ｐｅ）、
縦軸：消去比（ＥＲ）としたときに表される曲線のＥＲ
＝１０ｄＢでの接線の傾きをαとした場合（ＥＲ＝Ｐｅ
ｓ×α＋α' α、α'は定数）、用いる最低線速度で
ある第１の線速度ｖ１でのα（ｖ１）と、ｖ１より速い
第２の線速度ｖ２でのα（ｖ２）との関係が、α（ｖ
２）／α（ｖ１）≧０．５であり、かつ、横軸：記録時
の線速度（ｖ）、縦軸：単一周波数の記録マークのキャ
リアレベル（Ｃレベル；Ｃ）としたときに表されるグラ
フにおける低線速度側でのＣレベル低下開始線速度が用
いる最低線速度ｖ１以下であることを特徴とする情報記
録媒体。 - 【請求項５】相変化記録膜を有する線速度可変記録用情
報記録媒体において、横軸：ＤＣ消去パワー（Ｐｅ）、
縦軸：消去比（ＥＲ）としたときに表される曲線のＥＲ
＝１０ｄＢでの接線の傾きをαとした場合（ＥＲ＝Ｐｅ
ｓ×α＋α' α、α'は定数）、用いる最低線速度で
ある第１の線速度ｖ１でのα（ｖ１）と、ｖ１より速い
第２の線速度ｖ２でのα（ｖ２）との関係が、α（ｖ
２）／α（ｖ１）≧０．５であり、かつ、横軸：記録時
の線速度（ｖ）、縦軸：単一周波数の記録マークのキャ
リアレベル（Ｃレベル；Ｃ）としたときに表されるグラ
フにおける低線速度側でのＣレベル低下開始線速度が用
いる最低線速度×０．８以下の線速度であることを特徴
とする情報記録媒体。 - 【請求項６】請求項４または５記載の情報記録媒体にお
いて、記録膜の全原子数の９０％以上がＧｅＳｂＴｅか
ら成り、さらに全原子数の５０％以上がＴｅであること
を特徴とする情報記録媒体。 - 【請求項７】請求項１記載の情報記録媒体において、界
面層がＧａＴｅ、ＢｉＴｅ、ＰｂＴｅのいずれか１つ
か、あるいはその混合物からなることを特徴とする情報
記録媒体。 - 【請求項８】請求項１記載の情報記録媒体において、界
面層がＧａＴｅ、ＢｉＴｅ、ＰｂＴｅのいずれか１つ
か、あるいはそれらの混合組成と酸化物材料あるいは窒
化物材料の混合材料からなることを特徴とする情報記録
媒体。 - 【請求項９】請求項４〜６のいずれかに記載の情報記録
媒体において、記録膜と接する２つの界面層のうち、少
なくとも１つの界面層の全原子数の９０％以上がＢｉＯ
あるいはＢｉＮであることを特徴とした情報記録媒体。 - 【請求項１０】請求項４〜６のいずれかに記載の情報記
録媒体において、記録膜と接する２つの界面層のうち、
少なくとも１つの界面層の全原子数の９０％以上がＳｎ
ＯあるいはＳｎＮであることを特徴とした情報記録媒
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002036125A JP2003242683A (ja) | 2002-02-14 | 2002-02-14 | 情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002036125A JP2003242683A (ja) | 2002-02-14 | 2002-02-14 | 情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003242683A true JP2003242683A (ja) | 2003-08-29 |
Family
ID=27778095
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002036125A Pending JP2003242683A (ja) | 2002-02-14 | 2002-02-14 | 情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003242683A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005031725A1 (ja) * | 2003-09-25 | 2005-04-07 | Ricoh Company, Ltd. | 光記録媒体 |
| WO2006134721A1 (ja) * | 2005-06-15 | 2006-12-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 情報記録媒体とその製造方法 |
| US7858290B2 (en) * | 2003-10-02 | 2010-12-28 | Panasonic Corporation | Information recording medium and method for manufacturing the same |
| US7967956B2 (en) * | 2003-07-24 | 2011-06-28 | Panasonic Corporation | Information recording medium and method for producing the same |
-
2002
- 2002-02-14 JP JP2002036125A patent/JP2003242683A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7967956B2 (en) * | 2003-07-24 | 2011-06-28 | Panasonic Corporation | Information recording medium and method for producing the same |
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| US7858290B2 (en) * | 2003-10-02 | 2010-12-28 | Panasonic Corporation | Information recording medium and method for manufacturing the same |
| WO2006134721A1 (ja) * | 2005-06-15 | 2006-12-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 情報記録媒体とその製造方法 |
| JPWO2006134721A1 (ja) * | 2005-06-15 | 2009-01-08 | 松下電器産業株式会社 | 情報記録媒体とその製造方法 |
| JP4593617B2 (ja) * | 2005-06-15 | 2010-12-08 | パナソニック株式会社 | 情報記録媒体とその製造方法 |
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