JP4405739B2 - 書換え型光記録媒体の光記録方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、従来のＣＤ−ＲＯＭ又はＤＶＤ（−ＲＯＭ）規格で規定される再生専用媒体と再生互換性を有する書換え可能な光記録媒体（本発明においては書き換え可能な光記録媒体を単に光記録媒体、媒体、光ディスク、又はディスクという場合がある。）とその記録方法に関する。特に、２０ｍ／ｓ以上の高倍速の線速度における１ビームオーバーライト可能な書き換え型光記録媒体を提供する。さらに、広範囲の記録線速度で良好な記録を行うことができる記録方法を提供する。
【０００２】
【従来の技術】
一般にコンパクトディスク（ＣＤ）又はディジタルバーサタイルディスク（ＤＶＤ）は、凹ピットの底部及び鏡面部からの反射光の干渉により生じる反射率変化を利用して２値信号の記録及びトラッキング信号の検出が行われている。
近年、ＣＤ又はＤＶＤと互換性のある光記録媒体として、相変化型の書換え型コンパクトディスク（ＣＤ−ＲＷ、ＣＤ−Ｒｅｗｒｉｔａｂｌｅ）又は、相変化型の書き換え型ＤＶＤ（商品名：ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷ、本明細書では書き換え型ＤＶＤをＲＷ−ＤＶＤという場合がある。）が使用されている。
【０００３】
相変化型のＣＤ−ＲＷ又はＲＷ−ＤＶＤは、非晶質と結晶状態の屈折率差によって生じる反射率差および位相差変化を利用して記録情報信号の検出を行う。通常の相変化型のＣＤ−ＲＷ又はＲＷ−ＤＶＤは、基板上に下部保護層、相変化型記録層、上部保護層、反射層を設けた構造を有し、これら層の多重干渉を利用して反射率差および位相差を制御しＣＤ又はＤＶＤと互換性を持たせることができる。なお、ＣＤ−ＲＷ又はＲＷ−ＤＶＤにおける記録とは、記録と消去を同時に行うオーバーライト記録をいう。
【０００４】
この結果、反射率７０％以上という高反射率まで含めた互換性は困難であるものの、反射率をＣＤ−ＲＷでは１５〜２５％、ＲＷ−ＤＶＤでは１８〜３０％に落とした範囲内では記録信号及び溝信号の互換性が確保でき、反射率の低いことをカバーするための増幅系を再生系に付加すれば現行の再生専用ＣＤドライブ又はＤＶＤドライブで再生が可能である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、ＣＤ−ＲＷ、ＲＷ−ＤＶＤを利用する場合の問題点のひとつに記録速度と転送レートの遅さがある。
ＣＤの記録再生時の基準速度（以下、１倍速とも称する）は、線速度（本明細書においては、「線速度」を単に「線速」という場合がある。）１．２〜１．４ｍ／ｓであるが、ＣＤ−ＲＯＭではすでに最大４０倍速程度の高速再生が実現されており、１倍速という低速で利用されるのは音楽や画像の再生程度に限られる。一般に、１６倍速再生まではＣＤ本来の一定線速度モード（ＣＬＶ、Ｃｏｎｓｔａｎｔ Ｌｉｎｅａｒ Ｖｅｌｏｃｉｔｙ）であるが、２４〜４０倍速再生は、一定回転速度モード（ＣＡＶ、Ｃｏｎｓｔａｎｔ Ａｎｇｕｌａｒ Ｖｅｌｏｃｉｔｙ）を適用することで外周部データの転送レート、アクセス及びシーク時間が飛躍的に高速化されている。
【０００６】
ＣＤ−ＲＷにおいても記録の高速化は進んでいるがＣＬＶモードで高々１２倍速程度までにとどまっている。通常、ＣＤ−ＲＷは１倍速で全面に記録すると７４分（又は６３分）もの時間を要し、１２倍速であっても６分程度かかってしまう。しかし２０倍速であれば５分以内で記録ができ、音楽・映像などの大量データ記録にＣＤ−ＲＷの用途を大きく広げることができる。
【０００７】
また、現在コンピュータの外部記憶装置としては、すでにＣＤ−Ｒが記録時２４倍速を達成しており、ＣＤ−ＲＷにおいても記録時転送レートを上げることが望まれている。
一方、ＤＶＤの再生時の基準速度（以下、１倍速とも称する）は、線速度３．４９ｍ／ｓであるが、ＤＶＤ−ＲＯＭではすでに最大１６倍速程度の高速再生が実現されており、１倍速という低速で利用されるのは音楽や画像の再生程度に限られる。
【０００８】
ＲＷ−ＤＶＤにおいても記録の高速化は進んでいるがＣＬＶモードで高々２．４倍速程度までにとどまっている。通常、ＲＷ−ＤＶＤは１倍速で全面に記録すると約６０分もの時間を要し、２．４倍速であっても２５分程度かかってしまう。しかし６倍速であれば１０分以内で記録ができ、音楽・映像などの大量データ記録にＲＷ−ＤＶＤの用途を大きく広げることができる。
【０００９】
このため、より高速で記録できる相変化媒体と記録方法が求められていた。
しかし、ＣＤの２０倍速以上、ＲＷ−ＤＶＤの６倍速以上の高線速まで記録可能な書き換え型相変化媒体は、未だ実現されていない。これは、線速度２０ｍ／ｓを越えるような高線速度でのオーバーライト可能な書き換え型ＣＤ，ＤＶＤ媒体が未だ実現されていないことを意味する。
【００１０】
このような書き換え型相変化媒体が実現できない第一の理由は、非晶質マークの高速結晶化による短時間の消去と、非晶質マークの経時安定性とを両立させるのが困難だからである。
例えば、１〜４倍速でオーバーライト記録可能なＣＤ−ＲＷや２．４倍速程度までオーバーライト記録可能なＲＷ−ＤＶＤの記録層材料として用いられるＳｂＴｅ合金を主成分とする記録材料は、Ｓｂ含有量を相対的に増やすことで高速結晶化でき線速度２０ｍ／ｓ以上でのオーバーライト記録が可能である。しかし、本発明者らの検討によれば、Ｓｂ量の増大は一方で、非晶質マークの経時安定性を著しく損ねてしまい、室温なら１〜２年以内で、記録装置内部の５０〜８０℃という高温環境であれば数日で、再生不可能なまでに非晶質マークが再結晶化により消えてしまう。あるいは、１ｍＷ以下のレーザー光ビームによる数百回〜数千回程度の再生によって非晶質マークが消え始めるという深刻な問題もあり、記録媒体としての信頼性を維持できないことがわかった。
【００１１】
この問題を解決する必要があるのに加え、ＣＤ−ＲＷ又はＲＷ−ＤＶＤは、広く普及している再生専用ＣＤ−ＲＯＭドライブ又はＤＶＤ−ＲＯＭドライブと再生互換性をとる制約もある。
例えば、再生互換をとるためには、ＣＤ−ＲＷの場合、変調度５５〜７０％という高変調度を始めとして反射率１５〜２５％、その他のサーボ信号特性を満足する必要がある。一方、ＲＷ−ＤＶＤの場合には、再生互換をとるためには変調度５５〜７０％という高変調度を始めとして反射率１８〜３０％、その他のサーボ信号特性を満足する必要がある。
【００１２】
また、２４ｍ／ｓ以上の高線速におけるオーバーライト可能なＣＤ−ＲＷ、ＲＷ−ＤＶＤが未だ実現できない第二の理由は、ＣＤ−ＲＷ規格又はＲＷ−ＤＶＤ規格ではかなり厳密な記録パルスストラテジー（パルス分割方法）が規定されているためである。
すなわち、ＣＤ−ＲＷ規格オレンジブック・パート３には、図１に示す記録パルスストラテジーが規定されている。従って現在実用化されている記録装置では、上記記録パルスストラテジー発生用ＩＣ回路を用いているのが実情である。従って、現在実用化されている記録装置では、上記記録パルスストラテジー又はこれを若干変更した記録パルスストラテジーをもって、１倍速から８〜１０倍速までの広範囲な線速度の記録を行わなければならない。
【００１３】
書き換え型ＤＶＤの規格である、ＤＶＤ−ＲＷやＤＶＤ＋ＲＷでも、同様の記録ストラテジーが規定されている。これら記録ストラテジーの特徴は、ｎＴマーク長の非晶質マークをｎ−１個の記録パルスと冷却パルス（オフパルス）に分割して記録することである。このため、これら記録ストラテジーでは、一対の記録パルスと冷却パルスの繰り返し平均周期が約１Ｔとなっている。
【００１４】
図１（ａ）はＥＦＭ変調された３Ｔ〜１１Ｔの時間的長さを有するデータ信号であり、図１（ｂ）は、該データ信号に基づいて発生される実際の記録光のレーザーパワーである。Ｐｗは記録層を溶融させ急冷によって非晶質マークを形成するための記録パワー、Ｐｅは非晶質マークを結晶化によって消去するための消去パワーであり、通常、バイアスパワーＰｂは再生光の再生パワーＰｒとほぼ同じである。記録パワーＰｗ照射区間を記録パルス、バイアスパワー照射区間をオフパルスと称する。
【００１５】
ＥＦＭ＋変調の場合においては、上記３〜１１Ｔの時間的長さを有するデータ信号に１４Ｔの時間的長さを有するデータ信号が加わる。
ここで、上記記録ストラテジーでは、記録パルスとオフパルスの繰り返しの周期が基本的に、基準クロック周期Ｔで一定である。基準クロック周期Ｔは、高線速記録では、線速度に比例して高周波数化される。
【００１６】
ＣＤの１倍速基準速度では、Ｔ＝２３１ｎｓｅｃであるが、２４倍速ではＴ＝９．６ｎｓｅｃ、３２倍速ではＴ＝７．２ｎｓｅｃである。従って、２４倍速以上の高線速度記録において図１に示す記録パルスストラテジーを用いる場合、図１における分割された記録パルス及びオフパルスの時間幅は、上記高速記録に伴う高周波数化により、５ｎｓｅｃ未満となる。
【００１７】
一方、ＤＶＤの１倍速基準速度では、Ｔ＝３８．２ｎｓｅｃであるが、６倍速では、Ｔ＝６．４ｎｓｅｃ、８倍速ではＴ＝４．８ｎｓｅｃである。従って、６倍速以上の高線速度記録においては、図１における分割された記録パルス及びオフパルスの時間幅は、このような高速記録に伴う高周波数化により、３ｎｓｅｃ以下となる。
【００１８】
ところで、通常記録パワーのレーザー光照射では、立ち上がり立下りに１−３ｎｓｅｃは要する。このため、このような高周波においては、上記立ち上がり立下り時間が無視できなくなり、記録パルス区間の長さ及びオフパルス区間の長さは、実質的にはさらに短くなり、５ｎｓｅｃ（ＣＤ−ＲＷの場合）又は３ｎｓｅｃ（ＲＷ−ＤＶＤの場合）を大幅に下回ることとなる。この際、記録パルスにおける加熱は不十分となり、必要とされる記録パワーが急激に高くなる。一方、オフパルス区間の冷却も不十分となるために、非晶質化に必要な冷却速度が得られなくなる。また、高線速記録のために、ＣＤ−ＲＷ又はＲＷ−ＤＶＤの記録層には、一般に消去速度すなわち結晶化速度の速い材料を用いる。従って、上記オフパルス区間における冷却速度の不足は、いったん溶融された領域の再結晶化を招く。
【００１９】
従って、図１に示す記録パルスストラテジーでは、ＣＤ−ＲＷにおける２４倍速以上の高速記録、又はＲＷ−ＤＶＤにおける６倍速以上の高速記録を行うことは非常に困難となる。
本発明者らの一部は、すでに、このような問題を解決するために、記録パルスとオフパルスとの繰り返しの周期を２Ｔベースとする分割方法により、ＣＤの１６倍速、ＤＶＤの５倍速でのオーバーライト記録を実現した（特開２００１−３３１９３６号公報）。しかしながら、このような２Ｔベースの分割方法を用いてもなお、ＣＤの２４倍速以上又はＤＶＤの６倍速以上では、上記した通り、高線速記録のための高い結晶化速度を有する材料を用いる必要がある一方で、このような材料を用いると、冷却速度が不足することによる再結晶化現象がよりいっそう深刻となるのである。
【００２０】
本発明の目的は、概ね２０ｍ／ｓ以上の高速記録に用いる書き換え型光記録媒体及びその記録方法を提供することにある。
本発明の具体的な目的は、２４倍速以上の高線速記録に用いるＣＤ−ＲＷ及びその記録方法を提供することにある。より具体的には、ＣＤ−ＲＷでは、記録層が非晶質の状態を記録マークとし、ＥＦＭ変調による（即ちデータの基準クロック周期Ｔに対して３Ｔから１１Ｔまでの時間的長さのマーク長及びマーク間長さの組み合わせによる）マーク長記録を行うことにより、記録信号フォーマットについてはＣＤと再生互換を有する書換え型媒体とその記録方法を提供することにある。
【００２１】
本発明の具体的な目的は、６倍速以上の高線速記録に用いる書き換え型ＤＶＤ記録媒体及びその記録方法を提供することにある。より具体的には、記録層が非晶質の状態を記録マークとし、ＥＦＭ＋変調による、即ちデータの基準クロック周期Ｔに対して３Ｔから１４Ｔまでの時間的長さのマーク長及びマーク間長さの組み合わせによるマーク長記録を行うことにより、記録信号フォーマットについてはＤＶＤと再生互換を有する書換え型媒体とその記録方法を提供することにある。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の要旨は、案内溝が形成された基板と相変化型記録層とを有してなり、該相変化型記録層の結晶状態の部分を未記録・消去状態に対応させ、該相変化型記録層の非晶質状態の部分を記録状態に対応させて、記録光を照射することにより該記録状態に対応する非晶質マークを形成させる書き換え型光記録媒体において、
線速度１．２ｍ／ｓを基準速度（１倍速）Ｖ_１とし、
基準速度の２４倍速の線速度Ｖ＝２４Ｖ_１、又は３２倍速の線速度Ｖ＝３２Ｖ_１のいずれか一つを選び、
基準クロック周期ＴがＶＴ＝Ｖ_１Ｔ_１（ただし、Ｔ_１は２３１ｎｓｅｃである）であるように保ちながらＥＦＭ変調された信号を下記記録方式ＣＤ１−１又は記録方式ＣＤ１−２の条件内の１つの記録方式で１０回オーバーライト記録した後に、
１倍速での再生によって得られる記録信号のアイパターンの変調度ｍ_１１が６０〜８０％であり、記録信号のアイパターンの反射率の上端値Ｒ_ｔｏｐが１５〜２５％であり、且つ各マーク長及び各マーク間のジッタが３５ｎｓｅｃ以下、
となることを特徴とする書き換え型光記録媒体に存する。
記録方式ＣＤ１−１；
波長７８０ｎｍの光を、開口数ＮＡが０．５の光学系を介して照射する。
【００２３】
この際、１つの非晶質マークの時間的長さをｎＴ（ｎは３から１１までの整数）としたとき、
記録マーク間に対しては、非晶質を結晶化し得る消去パワーＰｅを照射し、
ｎ＝２ｍ（ｍは３以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｊ）Ｔ、（ｊは−２．０〜２．０なる実数）を、
α_１Ｔ、β_１Ｔ、α_２Ｔ、β_２Ｔ、・・・・、α_ｍＴ、β_ｍＴ、
からなるｍ個のα_ｉＴとβ_ｉＴとからなる区間に分割し、かつ、各区間がα_１＝０．７〜１．４、α_ｉ＝０．７〜１．２（ｉは２〜ｍ−１の整数であり、α_ｉはかかるｉによらず０．７〜１．２の間の一定値αｃをとる）、β_１＋α_２＝１．７〜２．３、β_ｉ−１＋α_ｉ＝２（ｉは３〜ｍ−１の整数）、β_ｍ−１＋α_ｍ＝１．７〜２．３、α_ｍ＝０．７〜１．２、β_ｍ＝０〜２、の順に、Σ_ｉ（α_ｉ＋β_ｉ）＝ｎ−ｊとなるように分割し、
ｎ＝２ｍ＋１（ｍは３以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｋ）Ｔ、（ｋは−２．０〜２．０なる実数）を、
α_１’Ｔ、β_１’Ｔ、α_２’Ｔ、β_２’Ｔ、・・・・、α_ｍ’Ｔ、β_ｍ’Ｔ、
からなるｍ個のα_ｉ’Ｔとβ_ｉ’Ｔとからなる区間に分割し、かつ、各区間がα_１’＝α_１、β_１’＝β_１＋Δ_１（Δ_１＝０．３〜０．６）、α_ｉ’＝αｃ（ｉ＝２〜ｍ−１の整数）、β_ｉ−１’＋α_ｉ’＝２（ｉは３〜ｍ−１の整数）、β_ｍ−１’＝β_ｍ−１＋Δ_ｍ−１（Δ_ｍ−１＝０〜０．６）、α_ｍ’＝α_ｍ＋Δ_ｍ（０＜Δ_ｍ≦０．６）、Δ_ｍｍ＝Δ_ｍ−１＋Δ_ｍ＝０．３〜０．６、β_ｍ’＝β_ｍの順に、Σ_ｉ（α_ｉ’＋β_ｉ’）＝ｎ−ｋとなるように分割し、
α_ｉＴおよびα_ｉ’Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、記録層を溶融するに足る一定の記録パワーＰｗの記録光（ただし、Ｐｗは２０〜４０ｍＷであり、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．２〜０．６とする）を照射し、
β_ｉＴおよびβ_ｉ’Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、１ｍＷ未満のバイアスパワーＰｂの記録光を照射する。
【００２４】
さらに、ｍが３以上の場合には、α_１（＝α_１’）、αｃ、β_ｍ（＝β_ｍ’）、β_１、Δ_１、β_ｍ−１、Δ_ｍ−１、α_ｍ、Δ_ｍはｍによらず一定である。
また、ｍ＝２（ｎ＝４、５）の場合には、α_１、α_１’、α_２、α_２’、β_２、β_２’をそれぞれｍが３の場合のα_１、α_１’、α_３、α_３’、β_３、β_３’と等しくするとともに、β_１をｍが３の場合のβ_１又はβ_２のいずれかと等しくし、β_１’をｍが３の場合のβ_１’又はβ_２’のいずれかと等しくする。
【００２５】
ｍ＝１（ｎ＝３）の場合には、一対の記録パワー照射区間α_１’Ｔとバイアスパワー照射区間β_１’Ｔからなる記録光の照射を行う。
記録方式ＣＤ１−２；
波長７８０ｎｍの光を、開口数ＮＡが０．５の光学系を介して照射する。
この際、１つの非晶質マークの時間的長さをｎＴ（ｎは３から１１までの整数）としたとき、
記録マーク間に対しては、非晶質を結晶化し得る消去パワーＰｅを照射し、
ｎ＝２ｍ（ｍは３以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｊ）Ｔ、（ｊは−２．０〜２．０なる実数）を、
α_１Ｔ、β_１Ｔ、α_２Ｔ、β_２Ｔ、・・・・、α_ｍＴ、β_ｍＴ、
からなるｍ個のα_ｉＴとβ_ｉＴとからなる区間に分割し、かつ、各区間がα_１＝０．７〜１．４、α_ｉ＝０．７〜１．２（ｉは２〜ｍ−１の整数であり、α_ｉはかかるｉによらず０．７〜１．２の間の一定値αｃをとる）、β_１＋α_２＝１．７〜２．３、β_ｉ−１＋α_ｉ＝２（ｉは３〜ｍ−１の整数）、β_ｍ−１＋α_ｍ＝１．７〜２．３、α_ｍ＝０．７〜１．２、β_ｍ＝０〜２、の順に、Σ_ｉ（α_ｉ＋β_ｉ）＝ｎ−ｊとなるように分割し、
ｎ＝２ｍ＋１（ｍは３以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｋ）Ｔ、（ｋは−２．０〜２．０なる実数）を、
α_１’Ｔ、β_１’Ｔ、α_２’Ｔ、β_２’Ｔ、・・・・、α_ｍ’Ｔ、β_ｍ’Ｔ、
からなるｍ個のα_ｉ’Ｔとβ_ｉ’Ｔとからなる区間に分割し、かつ、各区間がα_１’＝α_１、β_１’＝β_１、α_ｉ’＝αｃ（ｉ＝２〜ｍ−１の整数）、β_ｉ−１’＋α_ｉ’＝２（ｉは３〜ｍ−１の整数）、β_ｍ−１’＝β_ｍ−１＋Δ_ｍ−１（Δ_ｍ−１＝０〜０．６）、α_ｍ’＝α_ｍ＋Δ_ｍ（０＜Δ_ｍ≦０．６）、Δ_ｍｍ＝Δ_ｍ−１＋Δ_ｍ＝０．５〜１．２、β_ｍ’＝β_ｍの順に、Σ_ｉ（α_ｉ’＋β_ｉ’）＝ｎ−ｋとなるように分割し、
α_ｉＴおよびα_ｉ’Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、記録層を溶融するに足る一定の記録パワーＰｗの記録光（ただし、Ｐｗは２０〜４０ｍＷであり、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．２〜０．６とする）を照射し、
β_ｉＴおよびβ_ｉ’Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、１ｍＷ未満のバイアスパワーＰｂの記録光を照射する。
【００２６】
さらに、ｍが３以上の場合には、α_１（＝α_１’）、β_１（＝β_１’）、αｃ、β_ｍ−１、Δ_ｍ−１、α_ｍ、β_ｍ、Δ_ｍ’はｍによらず一定である。また、ｍ＝２（ｎ＝４、５）の場合には、α_１、α_１’、β_１、β_１’、α_２、α_２’、β_２、β_２’をそれぞれｍ＝３の場合のα_１、α_１’、β_２、β_２’、α_３、α_３’、β_３、β_３’と等しくする。
【００２７】
ｍ＝１（ｎ＝３）の場合には、一対の記録パワー照射区間α_１’Ｔとバイアスパワー照射区間β_１’Ｔからなる記録光の照射を行う。
本発明の第２の要旨は、案内溝が形成された基板と相変化型記録層とを有してなり、該相変化型記録層の結晶状態の部分を未記録・消去状態に対応させ、該相変化型記録層の非晶質状態の部分を記録状態に対応させて、記録光を照射することにより該記録状態に対応する非晶質マークを形成させる書き換え型光記録媒体において、
線速度３．４９ｍ／ｓを基準速度（１倍速）Ｖ_１とし、
基準速度の６倍速の線速度Ｖ＝６Ｖ_１、８倍速の線速度Ｖ＝８Ｖ_１、１０倍速の線速度Ｖ＝１０Ｖ_１、及び、１２倍速の線速度Ｖ＝１２Ｖ_１のいずれか一つを選び、
基準クロック周期ＴがＶＴ＝Ｖ_１Ｔ_１（ただし、Ｔ_１は３８．２ｎｓｅｃである）であるように保ちながらＥＦＭ＋変調された信号を下記記録方式ＤＶＤ１−１又は記録方式ＤＶＤ１−２の条件内の１つの記録方式で１０回オーバーライト記録した後に、
１倍速での再生によって得られる記録信号のアイパターンの変調度ｍ_１４が５５〜８０％であり、記録信号のアイパターンの反射率の上端値Ｒ_ｔｏｐが１８〜３０％であり、且つ再生信号のクロックジッタが１５％以下、
となることを特徴とする書き換え型光記録媒体に存する。
記録方式ＤＶＤ１−１；
波長６５０ｎｍの光を、開口数ＮＡが０．６５の光学系を介して照射する。
【００２８】
この際、１つの非晶質マークの時間的長さをｎＴ（ｎは３〜１１の整数と１４）としたとき、
記録マーク間に対しては、非晶質を結晶化し得る消去パワーＰｅを照射し、
ｎ＝２ｍ（ｍは３以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｊ）Ｔ、（ｊは−２．０〜２．０なる実数）を、
α_１Ｔ、β_１Ｔ、α_２Ｔ、β_２Ｔ、・・・・、α_ｍＴ、β_ｍＴ、
からなるｍ個のα_ｉＴとβ_ｉＴとからなる区間に分割し、かつ、各区間がα_１＝０．７〜１．４、α_ｉ＝０．７〜１．２（ｉは２〜ｍ−１の整数であり、α_ｉはかかるｉによらず０．７〜１．２の間の一定値αｃをとる）、β_１＋α_２＝１．７〜２．３、β_ｉ−１＋α_ｉ＝２（ｉは３〜ｍ−１の整数）、β_ｍ−１＋α_ｍ＝１．７〜２．３、α_ｍ＝０．７〜１．２、β_ｍ＝０〜２、の順に、Σ_ｉ（α_ｉ＋β_ｉ）＝ｎ−ｊとなるように分割し、
ｎ＝２ｍ＋１（ｍは３以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｋ）Ｔ、（ｋは−２．０〜２．０なる実数）を、
α_１’Ｔ、β_１’Ｔ、α_２’Ｔ、β_２’Ｔ、・・・・、α_ｍ’Ｔ、β_ｍ’Ｔ、
からなるｍ個のα_ｉ’Ｔとβ_ｉ’Ｔとからなる区間に分割し、かつ、各区間がα_１’＝α_１、β_１’＝β_１＋Δ_１（Δ_１＝０．３〜０．６）、α_ｉ’＝αｃ（ｉ＝２〜ｍ−１の整数）、β_ｉ−１’＋α_ｉ’＝２（ｉは３〜ｍ−１の整数）、β_ｍ−１’＝β_ｍ−１＋Δ_ｍ−１（Δ_ｍ−１＝０〜０．６）、α_ｍ’＝α_ｍ＋Δ_ｍ（０＜Δ_ｍ≦０．６）、Δ_ｍｍ＝Δ_ｍ−１＋Δ_ｍ＝０．３〜０．６、β_ｍ’＝β_ｍの順に、Σ_ｉ（α_ｉ’＋β_ｉ’）＝ｎ−ｋとなるように分割し、
α_ｉＴおよびα_ｉ’Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、記録層を溶融するに足る一定の記録パワーＰｗの記録光（ただし、Ｐｗは１０〜４０ｍＷであり、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．２〜０．６とする）を照射し、
β_ｉＴおよびβ_ｉ’Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、１ｍＷ未満のバイアスパワーＰｂの記録光を照射する。
【００２９】
さらに、ｍが３以上の場合には、α_１（＝α_１’）、αｃ、β_ｍ（＝β_ｍ’）、β_１、Δ_１、β_ｍ−１、Δ_ｍ−１、α_ｍ、Δ_ｍはｍによらず一定である。
また、ｍ＝２（ｎ＝４、５）の場合には、α_１、α_１’、α_２、α_２’、β_２、β_２’をそれぞれｍが３の場合のα_１、α_１’、α_３、α_３’、β_３、β_３’と等しくするとともに、β_１をｍが３の場合のβ_１又はβ_２のいずれかと等しくし、β_１’をｍが３の場合のβ_１’又はβ_２’のいずれかと等しくする。
【００３０】
ｍ＝１（ｎ＝３）の場合には、一対の記録パワー照射区間α_１’Ｔとバイアスパワー照射区間β_１’Ｔからなる記録光の照射を行う。
記録方式ＤＶＤ１−２；
波長６５０ｎｍの光を、開口数ＮＡが０．６５の光学系を介して照射する。
この際、１つの非晶質マークの時間的長さをｎＴ（ｎは３〜１１の整数と１４）としたとき、
記録マーク間に対しては、非晶質を結晶化し得る消去パワーＰｅを照射し、
ｎ＝２ｍ（ｍは３以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｊ）Ｔ、（ｊは−２．０〜２．０なる実数）を、
α_１Ｔ、β_１Ｔ、α_２Ｔ、β_２Ｔ、・・・・、α_ｍＴ、β_ｍＴ、
からなるｍ個のα_ｉＴとβ_ｉＴとからなる区間に分割し、かつ、各区間がα_１＝０．７〜１．４、α_ｉ＝０．７〜１．２（ｉは２〜ｍ−１の整数であり、α_ｉはかかるｉによらず０．７〜１．４の間の一定値αｃをとる）、β_１＋α_２＝１．７〜２．３、β_ｉ−１＋α_ｉ＝２（ｉは３〜ｍ−１の整数）、β_ｍ−１＋α_ｍ＝１．７〜２．３、α_ｍ＝０．７〜１．２、β_ｍ＝０〜２、の順に、Σ_ｉ（α_ｉ＋β_ｉ）＝ｎ−ｊとなるように分割し、
ｎ＝２ｍ＋１（ｍは３以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｋ）Ｔ、（ｋは−２．０〜２．０なる実数）を、
α_１’Ｔ、β_１’Ｔ、α_２’Ｔ、β_２’Ｔ、・・・・、α_ｍ’Ｔ、β_ｍ’Ｔ、
からなるｍ個のα_ｉ’Ｔとβ_ｉ’Ｔとからなる区間に分割し、かつ、各区間がα_１’＝α_１、β_１’＝β_１、α_ｉ’＝αｃ（ｉ＝２〜ｍ−１の整数）、β_ｉ−１’＋α_ｉ’＝２（ｉは３〜ｍ−１の整数）、β_ｍ−１’＝β_ｍ−１＋Δ_ｍ−１（Δ_ｍ−１＝０〜０．６）、α_ｍ’＝α_ｍ＋Δ_ｍ（０＜Δ_ｍ≦０．６）、Δ_ｍｍ＝Δ_ｍ−１＋Δ_ｍ＝０．５〜１．２、β_ｍ’＝β_ｍの順に、Σ_ｉ（α_ｉ’＋β_ｉ’）＝ｎ−ｋとなるように分割し、
α_ｉＴおよびα_ｉ’Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、記録層を溶融するに足る一定の記録パワーＰｗの記録光（ただし、Ｐｗは１０〜４０ｍＷであり、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．２〜０．６とする）を照射し、
β_ｉＴおよびβ_ｉ’Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、１ｍＷ未満のバイアスパワーＰｂの記録光を照射する。
【００３１】
さらに、ｍが３以上の場合には、α_１（＝α_１’）、β_１（＝β_１’）、αｃ、β_ｍ−１、Δ_ｍ−１、α_ｍ、β_ｍ、Δ_ｍ’はｍによらず一定である。また、ｍ＝２（ｎ＝４、５）の場合には、α_１、α_１’、β_１、β_１’、α_２、α_２’、β_２、β_２’をそれぞれｍ＝３の場合のα_１、α_１’、β_２、β_２’、α_３、α_３’、β_３、β_３’と等しくする。
【００３２】
ｍ＝１（ｎ＝３）の場合には、一対の記録パワー照射区間α_１’Ｔとバイアスパワー照射区間β_１’Ｔからなる記録光の照射を行う。
本発明の第３の要旨は、書換え型光記録媒体に対して、情報を複数の記録マーク長及び記録マーク間長により記録するにあたり、
記録マーク間に対しては、非晶質を結晶化しうる消去パワーＰｅの光を照射して記録マーク間を形成するとともに、
一つの記録マークの時間的長さをｎＴ（Ｔは基準クロック周期）としたときに、
ｎ＝２ｍ（ｍは１以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｊ）Ｔ（ｊは−２．０〜２．０なる実数）を、
α_１Ｔ、β_１Ｔ、α_２Ｔ、β_２Ｔ、・・・・、α_ｍＴ、β_ｍＴ、
からなるｍ個のα_ｉＴとβ_ｉＴからなる区間（ただしΣ_ｉ（α_ｉ＋β_ｉ）＝ｎ−ｊ）に分割し、
ｎ＝２ｍ＋１（ｍは１以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｋ）Ｔ、（ｋは−２．０〜２．０なる実数）を、
α_１’Ｔ、β_１’Ｔ、α_２’Ｔ、β_２’Ｔ、・・・・、α_ｍ’Ｔ、β_ｍ’Ｔ、
からなるｍ個のα_ｉ’Ｔとβ_ｉ’Ｔからなる区間（ただし、Σ_ｉ（α_ｉ’＋β_ｉ’）＝ｎ−ｋ）に分割し、
α_ｉＴおよびα_ｉ’Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、記録層を溶融するに足る一定の記録パワーＰｗの光を照射し、
β_ｉＴおよびβ_ｉ’Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、バイアスパワーＰｂの光を照射することによって、時間的長さｎＴの記録マークを形成する書換え型光記録媒体への記録方法であって、
ｍ≧３では、
ｎ＝２ｍの記録マークにおいては、ｎＴマークの開始時間をＴ_０とするとき、
（ｉ）Ｔ_０から遅延時間Ｔ_ｄ１Ｔ後にα_１Ｔが発生された後、
（ｉｉ）ｉ＝２〜ｍにおいては、β_ｉ−１＋α_ｉが概ね周期２（但し、ｉ＝２及び／又はｉ＝ｍにおけるβ_ｉ−１＋α_ｉは、±０．５の範囲で概ね周期２からずらしてもよい。また、ｍ≧４の場合、ｉ＝３〜ｍ−１においてはβ_ｉ−１及びα_ｉは、それぞれ一定値βｃ及びαｃをとる。）を保ちながら、β_ｉ−１Ｔ及びα_ｉＴがこの順に交互に発生された後、
（ｉｉｉ）β_ｍＴが発生され、
ｎ＝２ｍ＋１の記録マークにおいては、ｎＴマークの開始時間をＴ_０とするとき、
（ｉ）Ｔ_０から遅延時間Ｔ_ｄ１’Ｔ後にα_１’Ｔが発生された後、
（ｉｉ）ｉ＝２〜ｍでおいては、β_ｉ−１’＋α_ｉ’が概ね周期２（但し、ｉ＝２及び／又はｉ＝ｍにおけるβ_ｉ−１’＋α_ｉ’は、±２の範囲で概ね周期２からずらしてもよい。また、ｍ≧４の場合、ｉ＝３〜ｍ−１においてはβ_ｉ−１’及びα_ｉ’は、それぞれ一定値βｃ及びαｃをとる。）を保ちながら、β_ｉ−１’Ｔ及びα_ｉ’Ｔがこの順に交互に発生された後、
（ｉｉｉ）β_ｍ’Ｔが発生され、
同一のｍにおける、ｎ＝２ｍの記録マーク及びｎ＝２ｍ＋１の記録マークにおいて、Ｔ_ｄ１＝Ｔ_ｄ１’、α_１＝α_１’、β_１＝β_１’、α_ｍ≠α_ｍ’とし、かつ（β_ｍ−１とβ_ｍ−１’）又は（β_ｍとβ_ｍ’）の一組以上が異なる値をとることを特徴とする書換え型光記録媒体への記録方法に存する。
【００３３】
尚、本発明において、「□が○〜△の範囲」と記載する場合、これは「○≦□≦△」を意味する。
【００３４】
【発明の実施の形態】
１．媒体の特性について
１−１．ＣＤ−ＲＷの場合
本発明をＣＤ−ＲＷに適用する場合においては、記録光による光スポットの媒体に対する速度である線速度として１．２ｍ／ｓ〜１．４ｍ／ｓ、特には１．２ｍ／ｓを基準速度：Ｖ_１、即ち１倍速とする。
【００３５】
まず、本発明の第１及び第２の要旨に係るディスクについて説明する。
本発明の書換え型光記録媒体は、通常円盤状である。そして相変化型記録層の結晶状態の部分を未記録状態・消去状態とし、非晶質状態の部分を記録状態とする。記録される情報は、レーザー光などの記録光を照射し非晶質マークを形成することにより、ＥＦＭ変調された信号からなる。媒体の基板には通常螺旋状の溝が形成される。また、非晶質マークは通常溝内に形成される。ここで、溝とは、基板面上に形成された光ビーム案内用の凹形状の底部であり、記録再生光入射側から見て近い方の面を言う。該溝は、好ましくは１倍速に換算したときに２２．０５ｋＨｚとなる搬送周波数を基準とする周波数で半径方向に蛇行（ウォブル）しており、このような溝をウォブル溝と呼ぶ。そして、上記搬送周波数が±１ｋＨｚの周波数で周波数変調され、この微妙な周波数変化により、ディスク上のアドレス情報が絶対時間情報として組み込まれている。このような絶対時間情報はＡＴＩＰ（Ａｂｓｏｌｕｔｅ Ｔｉｍｅ Ｉｎ Ｐｒｅ−ｇｒｏｏｖｅ）信号と呼ばれる。
【００３６】
このウォブル溝は、ＣＬＶモードで、ＣＤの１倍速の線速でスタンパー上に形成したのち、このスタンパーをもとに基板を射出成形することで形成することができる。記録容量を高めるため、通常搬送周波数が線速１．２ｍ／ｓ（±０．１ｍ／ｓの範囲で許容）において２２．０５ｋＨｚとなるようにウォブル溝は形成される。
【００３７】
データを記録する際には、基準クロック周期Ｔが基準となり、この整数倍の長さを有する様々な時間的長さのマーク及びスペース（マーク間）を形成することでデータを記録する。ＥＦＭ変調においては通常時間的長さ３Ｔ〜１１Ｔのマークが形成される。また、基準クロック周期Ｔは記録線速に反比例して変化させるのが通常である。
【００３８】
基準クロック周期Ｔの逆数は基準クロック周波数と呼ばれ、ＣＤの１倍速（線速度１．２ｍ／ｓ〜１．４ｍ／ｓ）における基準クロック周波数は、データの１チャネルビットに相当し、通常４．３２１８ＭＨｚである。この基準クロック周波数は、上記ウォブルの基準周波数２２．０５ｋＨｚのちょうど１９６倍となっている。
【００３９】
１倍速における基準クロック周期Ｔは通常１／（４．３２１８×１０^６ ）＝２３１×１０^−９（秒）＝２３１（ナノ秒）となる。
以下の説明では、特に断わりのない限り基準クロック周期Ｔと線速Ｖとの積ＶＴは線速によらず一定とする。
図２（ａ）に、ＣＤ−ＲＷをはじめとするＣＤファミリーで用いられるＥＦＭ変調信号の再生波形（アイパターン）の模式図を示す。アイパターンには、３Ｔから１１Ｔのすべての非晶質マーク及び結晶状態のスペースの再生波形が実質的にランダムに含まれている。再生波形は、反射光強度を電圧信号として取り出しオシロスコープ上で観察した波形である。この際、再生信号は直流成分を含んでいる。
【００４０】
アイパターンの上端Ｉ_ｔｏｐを入射光に対する反射率に換算したものがスペースに対応する反射率の上端値Ｒ_ｔｏｐであり、アイパターンの振幅（実際上は、１１Ｔマークの振幅）Ｉ_１１をＩ_ｔｏｐで規格化したものが下記式（１）で表される記録信号のアイパターンの変調度ｍ_１１（本明細書においては、ｍ_１１を単に変調度という場合がある。）である。
【００４１】
ｍ_１１＝Ｉ_１１／Ｉ_ｔｏｐ×１００（％） （１）
本発明においては、変調度ｍ_１１は６０％以上８０％以下とする。変調度は光学的分解能に依存するのでＮＡが大きな光学系では大きく見える傾向があるため、本発明においては波長約７８０ｎｍのレーザー光を、開口数ＮＡ＝０．５の光学系を通して照射し記録する際の変調度ｍ_１１とする。ただし波長は厳密に７８０ｎｍである必要はなく、７７５〜７９５ｎｍ程度の範囲にあれば良い。
【００４２】
信号振幅Ｉ_１１は大きいほうが好ましいが、大きすぎると信号再生系のアンプのゲインが極端に飽和してしまうためｍ_１１の上限は８０％、好ましくは７８％、さらに好ましくは７５％程度である。一方、小さすぎると信号体雑音比（ＳＮ比）が低下してしまうため、下限は６０％、好ましくは６２％、さらに好ましくは６５％程度である。また、Ｒ_ｔｏｐは１５〜２５％、好ましくは１５〜２０％、さらに好ましくは１６〜１９％の範囲とする。さらに、下記式（２）
Ａｓｙｍ ＝（Ｉ_{ｓｌｉｃｅ}／Ｉ_１１−１／２）（％） （２）
で定義されるアシンメトリー値Ａｓｙｍは、できるだけ０付近にあることが望ましいが、通常は±１０％の範囲である。ここで、Ｉ_{ｓｌｉｃｅ}は、図２（ａ）におけるＩの中心線２００１と包絡線の底辺２００２との間の電圧差であり、Ｉ_１１は包絡線（ｅｎｖｅｌｏｐ）の上辺２００３と底辺２００２との間の電圧値である。
【００４３】
ＥＦＭ変調に用いられる３Ｔ〜１１Ｔの各マーク長及びスペース長のジッタ（ｊｉｔｔｅｒ）、及びデビエーション（ｄｅｖｉａｔｉｏｎ）は、以下のように決められる。すなわち、３Ｔ〜１１Ｔの各マーク長及びスペース長のデビエーション（ｄｅｖｉａｔｉｏｎ）は、図２（ａ）における再生信号を高域通過フィルタを通過させてＲＦ成分を取り出した後に、信号振幅の実質的な中心値となるゼロレベルを閾値としてＤＣスライスして得られる、マーク長あるいはスペース長の平均値の所定値（ｎＴ：ｎ＝３〜１１）からのずれ（デビエーション）であり、ジッタ（ｊｉｔｔｅｒ）は、その標準偏差（ジッター）である。詳細な測定方法は、ＣＤ規格であるレッドブック、ＣＤ−ＲＷ規格であるオレンジブックや、「ＣＤファミリー」（オーム社発行、平成８年４月２５日）で規定されている。本発明においては、ジッタについては、１倍速（基準クロック周期２３１ナノ秒）で再生したときのジッタ値が３５ナノ秒以下、好ましくは３０ナノ秒以下、さらに好ましくは２５ナノ秒以下とする。
【００４４】
なお、通常３Ｔのマーク長もしくはスペース長のジッタが３Ｔ〜１１Ｔの中で最も悪い値となることが多い。さらに、３Ｔスペース長ジッタが３Ｔマーク長ジッタより悪い値となることが多い。
本発明においては、デビエーションは通常３Ｔで±４０ナノ秒以下、１１Ｔで±６０ナノ秒以下とする。なお、４Ｔ〜１０Ｔに対しては、通常３及び１１Ｔに対する規定である±４０ナノ秒以下及び±６０ナノ秒以下を補完して得られる値となる。いずれにせよ、デビエーションは、概ね基準クロック周期Ｔの±２０％程度以内であればよい。
【００４５】
なお、記録後の信号の品質に関しては、基本的に現行の規格と同様の特性を満たすのが好ましい。詳細には、オレンジブック・パート３に記載された内容を満足するのが好ましい。
変調度ｍ_１１、反射率の上端値Ｒ_ｔｏｐ及びジッターを上記の値とすることにより、従来のＣＤ−ＲＷ規格と互換性を維持しつつ、２４倍速以上のような高速記録された媒体を、既存のＣＤ−ＲＷ対応の再生系で再生することができる。
【００４６】
本発明の書き換え型光記録媒体において好ましいのは、２４倍速の線速度での記録において、３Ｔマーク（時間的長さ３Ｔを有するマーク。ただしＴはデータ基準クロック周期）と３Ｔスペース（時間的長さ３Ｔを有するマーク間部）とからなる単一周期信号を記録後、１１Ｔマーク（時間的長さ１１Ｔを有するマーク）と１１Ｔスペース（時間的長さ１１Ｔを有するマーク間部）とからなる単一周期信号をオーバーライトしたときの３Ｔマークの消去比が２０ｄＢ以上とすることである。上記消去比は、より好ましくは２５ｄＢ以上とする。また、好ましくは、３２倍速においても、上記消去比を２０ｄＢ以上、好ましくは２５ｄＢ以上とする。高線速での消去比が高い媒体ほど非晶質マーク消去時の再結晶化速度が速く、より高線速でＥＦＭ信号のオーバーライトが可能である。例えば、３２倍速における上記消去比を２０ｄＢ以上としておけば、２４倍速で使用した際に良好な特性が得られるのは勿論、２４倍速以下で使用した際にも良好な特性が得られる。ここで、３Ｔマークと３Ｔスペース（マーク間）からなる単一周期信号を記録、及び１１Ｔマークと１１Ｔスペースからなる単一周期信号をオーバーライトするにおいては、後述の記録方式ＣＤ１−１、１−２の記録方式を用いる。すなわち、３Ｔマークと３Ｔスペース（マーク間）からなる単一周期信号を記録するにあたっては、３Ｔマークを１個の記録パルスＰｗと後続のオフパルスＰｂ（０＜Ｐｂ＜１ｍＷ）からなる記録パワーで記録し、他の区間では消去パワーＰｅを照射する。Ｐｗは記録層を溶融するためのパワーであり、ＰｂはＰｗ照射後、溶融領域を急冷して非晶質化させるための冷却パワーである。１１Ｔマークと１１Ｔスペースからなる単一周期信号をオーバーライトするにあたっては、１１Ｔマークを５個の記録パルスＰｗと個々のＰｗに付随するオフパルスＰｂ（０＜Ｐｂ＜１ｍＷ）からなる記録パワーの繰り返しで記録し、他の区間では消去パワーＰｅを照射する。３Ｔデータ及び１１Ｔデータのオーバーライトにおいては、同一のＰｅ及びＰｗを使用し、Ｐｅ／Ｐｗを０．２〜０．６の範囲で一定としながら、Ｐｅを変化させて消去比のＰｅ依存性を測定し、いずれかのＰｅにおいて、消去比が２０ｄＢ以上、好ましくは２５ｄＢ以上となることを確認する。消去比は、１１Ｔデータのオーバーライトの前後における３Ｔデータのキャリアレベルの低下率をｄＢ単位で測定したものである。
【００４７】
いずれの場合にも、同一溝内への記録を行い、通常は、１周分の溝に記録を行う。
オーバーライトを行う線速度範囲の上限における消去比が十分な値であれば、消去比が低線速側で不足することはない。線速Ｖで移動する開口数ＮＡの対物レンズで集光された波長λの光ビームで記録層が照射される時間は、λ／（ＮＡ・Ｖ）で規格化されるから、低線速ほど照射時間は長くなり再結晶化に要する時間を十分確保できるからである。
【００４８】
なお、３Ｔマーク及び１１Ｔマークをオーバーライトしてオーバーライト消去比を測定する場合の記録方式は、後述の記録方式ＣＤ１−１、１−２、及び１−３のいずれかを用いることができるが、特に記録方式ＣＤ１−３を用いることが好ましい。記録方式ＣＤ１−３を用いる場合、消去比の測定においては、特にジッタの低い記録条件を用いる必要はないから、１１Ｔマークの記録に際しては、β_ｍ’＝０．５の暫定値を使用してかまわない
なお、消去比の測定方法において、消去パワーＰｅを直流（ｄｉｒｅｃｔ ｃｕｒｒｅｎｔ、ＤＣ）的に照射しながら、記録済みのマークのキャリアレベルの低減率をデシベル値にて測定する場合があり、これをＤＣ消去率という。ＤＣ消去率の測定では、Ｐｅを可変として最大の消去比が得られる場合の消去比を用いる。前述のオーバーライト消去比に比べて、１−２ｄＢ程度高い値となる場合があるが、このような補正値を考慮すれば、オーバーライト消去率測定をＤＣ消去率測定によって代替することも可能である。
【００４９】
また、あらかじめ記録された記録信号のジッタが１倍速再生において３５ｎｓｅｃ（ナノ秒）に達するまでの時間を該記録媒体のアーカイバル寿命とするとき、温度８０℃、相対湿度８５％におけるアーカイバル寿命が２００時間以上であること、より好ましくは５００時間以上が望ましい。
さらに、本発明においては、上記特性を満足するために、より短時間で評価可能な条件として１０５℃以上での加速試験を適用し、変調度ｍ_１１及び、結晶状態の反射率の上端値Ｒ_ｔｏｐ（本明細書においては、単にＲ_ｔｏｐという場合がある。）のいずれもが、温度１０５℃の加速試験環境下で３時間後もその初期値の好ましくは８０％以上を維持し、より好ましくは９０％以上を維持する。これは、現在市販されている１−４倍速対応のＣＤ−ＲＷがこの要件を満足するからである。特に上記加速試験後のｍ_１１を、初期値の好ましくは８０％以上を維持し、より好ましくは９０％以上を維持するようにすれば、後述の記録層の結晶化温度を概ね１５０℃以上とすることができるようになる。
【００５０】
本発明における、線速又は線速度Ｖ（この段落ではＶは２４倍速又は３２倍速の線速度を示す。）における変調度ｍ_１１、Ｒ_ｔｏｐ、各マーク及びマーク間のジッター、デビエーション、アシンメトリー値、消去比等の規定は、線速１．２ｍ／ｓを基準速度（１倍速）Ｖ_１としたとき、線速Ｖにおいて、データ基準クロック周期ＴがＶＴ＝Ｖ_１Ｔ_１（ただし、Ｔ_１は２３１ｎｓｅｃである）であるように保ちながらＥＦＭ変調された信号を下記記録方式ＣＤ１−１又は記録方式ＣＤ１−２いずれかの条件内のある１つの記録方式で１０回オーバーライト記録した後に、１倍速での再生によって得られる記録信号から与えられる。
記録方式ＣＤ１−１；
波長７８０ｎｍの光を、開口数ＮＡが０．５の光学系を介して照射する。
【００５１】
この際、１つの非晶質マークの時間的長さをｎＴ（ｎは３から１１までの整数）としたとき、
記録マーク間に対しては、非晶質を結晶化し得る消去パワーＰｅを照射し、
ｎ＝２ｍ（ｍは３以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｊ）Ｔ、（ｊは−２．０〜２．０なる実数）を、
α_１Ｔ、β_１Ｔ、α_２Ｔ、β_２Ｔ、・・・・、α_ｍＴ、β_ｍＴ、
からなるｍ個のα_ｉＴとβ_ｉＴとからなる区間に分割し、かつ、各区間がα_１＝０．７〜１．４、α_ｉ＝０．７〜１．２（ｉは２〜ｍ−１の整数であり、α_ｉはかかるｉによらず０．７〜１．２の間の一定値αｃをとる）、β_１＋α_２＝１．７〜２．３、β_ｉ−１＋α_ｉ＝２（ｉは３〜ｍ−１の整数）、β_ｍ−１＋α_ｍ＝１．７〜２．３、α_ｍ＝０．７〜１．２、β_ｍ＝０〜２、の順に、Σ_ｉ（α_ｉ＋β_ｉ）＝ｎ−ｊとなるように分割し、
ｎ＝２ｍ＋１（ｍは３以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｋ）Ｔ、（ｋは−２．０〜２．０なる実数）を、
α_１’Ｔ、β_１’Ｔ、α_２’Ｔ、β_２’Ｔ、・・・・、α_ｍ’Ｔ、β_ｍ’Ｔ、
からなるｍ個のα_ｉ’Ｔとβ_ｉ’Ｔとからなる区間に分割し、かつ、各区間がα_１’＝α_１、β_１’＝β_１＋Δ_１（Δ_１＝０．３〜０．６）、α_ｉ’＝αｃ（ｉ＝２〜ｍ−１の整数）、β_ｉ−１’＋α_ｉ’＝２（ｉは３〜ｍ−１の整数）、β_ｍ−１’＝β_ｍ−１＋Δ_ｍ−１（Δ_ｍ−１＝０〜０．６）、α_ｍ’＝α_ｍ＋Δ_ｍ（０＜Δ_ｍ≦０．６）、Δ_ｍｍ＝Δ_ｍ−１＋Δ_ｍ＝０．３〜０．６、β_ｍ’＝β_ｍの順に、Σ_ｉ（α_ｉ’＋β_ｉ’）＝ｎ−ｋとなるように分割し、
α_ｉＴおよびα_ｉ’Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、記録層を溶融するに足る一定の記録パワーＰｗの記録光（ただし、Ｐｗは２０〜４０ｍＷであり、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．２〜０．６とする）を照射し、
β_ｉＴおよびβ_ｉ’Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、１ｍＷ未満のバイアスパワーＰｂの記録光を照射する。
【００５２】
さらに、ｍが３以上の場合には、α_１（＝α_１’）、αｃ、β_ｍ（＝β_ｍ’）、β_１、Δ_１、β_ｍ−１、Δ_ｍ−１、α_ｍ、Δ_ｍはｍによらず一定である。
また、ｍ＝２（ｎ＝４、５）の場合には、α_１、α_１’、α_２、α_２’、β_２、β_２’をそれぞれｍが３の場合のα_１、α_１’、α_３、α_３’、β_３、β_３’と等しくするとともに、β_１をｍが３の場合のβ_１又はβ_２のいずれかと等しくし、β_１’をｍが３の場合のβ_１’又はβ_２’のいずれかと等しくする（但し、±１０％程度のずれは許容するものとする）。
【００５３】
ｍ＝１（ｎ＝３）の場合には、一対の記録パワー照射区間α_１’Ｔとバイアスパワー照射区間β_１’Ｔからなる記録光の照射を行う。
記録方式ＣＤ１−２；
波長７８０ｎｍの光を、開口数ＮＡが０．５の光学系を介して照射する。
この際、１つの非晶質マークの時間的長さをｎＴ（ｎは３から１１までの整数）としたとき、
記録マーク間に対しては、非晶質を結晶化し得る消去パワーＰｅを照射し、
ｎ＝２ｍ（ｍは３以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｊ）Ｔ、（ｊは−２．０〜２．０なる実数）を、
α_１Ｔ、β_１Ｔ、α_２Ｔ、β_２Ｔ、・・・・、α_ｍＴ、β_ｍＴ、
からなるｍ個のα_ｉＴとβ_ｉＴとからなる区間に分割し、かつ、各区間がα_１＝０．７〜１．４、α_ｉ＝０．７〜１．２（ｉは２〜ｍ−１の整数であり、α_ｉはかかるｉによらず０．７〜１．２の間の一定値αｃをとる）、β_１＋α_２＝１．７〜２．３、β_ｉ−１＋α_ｉ＝２（ｉは３〜ｍ−１の整数）、β_ｍ−１＋α_ｍ＝１．７〜２．３、α_ｍ＝０．７〜１．２、β_ｍ＝０〜２、の順に、Σ_ｉ（α_ｉ＋β_ｉ）＝ｎ−ｊとなるように分割し、
ｎ＝２ｍ＋１（ｍは３以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｋ）Ｔ、（ｋは−２．０〜２．０なる実数）を、
α_１’Ｔ、β_１’Ｔ、α_２’Ｔ、β_２’Ｔ、・・・・、α_ｍ’Ｔ、β_ｍ’Ｔ、
からなるｍ個のα_ｉ’Ｔとβ_ｉ’Ｔとからなる区間に分割し、かつ、各区間がα_１’＝α_１、β_１’＝β_１、α_ｉ’＝αｃ（ｉ＝２〜ｍ−１の整数）、β_ｉ−１’＋α_ｉ’＝２（ｉは３〜ｍ−１の整数）、β_ｍ−１’＝β_ｍ−１＋Δ_ｍ−１（Δ_ｍ−１＝０〜０．６）、α_ｍ’＝α_ｍ＋Δ_ｍ（０＜Δ_ｍ≦０．６）、Δ_ｍｍ＝Δ_ｍ−１＋Δ_ｍ＝０．５〜１．２、β_ｍ’＝β_ｍの順に、Σ_ｉ（α_ｉ’＋β_ｉ’）＝ｎ−ｋとなるように分割し、
α_ｉＴおよびα_ｉ’Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、記録層を溶融するに足る一定の記録パワーＰｗの記録光（ただし、Ｐｗは２０〜４０ｍＷであり、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．２〜０．６とする）を照射し、
β_ｉＴおよびβ_ｉ’Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、１ｍＷ未満のバイアスパワーＰｂの記録光を照射する。
【００５４】
さらに、ｍが３以上の場合には、α_１（＝α_１’）、β_１（＝β_１’）、αｃ、β_ｍ−１、Δ_ｍ−１、α_ｍ、β_ｍ、Δ_ｍ’はｍによらず一定である。また、ｍ＝２（ｎ＝４、５）の場合には、α_１、α_１’、β_１、β_１’、α_２、α_２’、β_２、β_２’をそれぞれｍ＝３の場合のα_１、α_１’、β_２、β_２’、α_３、α_３’、β_３、β_３’と等しくする（但し、±１０％程度のずれは許容するものとする）。
【００５５】
ｍ＝１（ｎ＝３）の場合には、一対の記録パワー照射区間α_１’Ｔとバイアスパワー照射区間β_１’Ｔからなる記録光の照射を行う。
なお、Σ_ｉ（α_ｉ＋β_ｉ）等は、ｉに関して１〜ｍまでの和をとることを意味する。
本発明においては、上記基準線速の２４倍速又は３２倍速で書き換え可能なＣＤ−ＲＷディスクにおいては、基準線速の８倍速、１０倍速、１２倍速、１６倍速又は２０倍速の少なくともいずれか一つの線速においても、変調度ｍ_１１、Ｒ_ｔｏｐ、各マーク及びマーク間のジッター、デビエーション、アシンメトリー値、消去比の値が上記数値範囲となるようにするのが好ましい。
【００５６】
さらに、上記基準速度の８倍速、１０倍速、１２倍速、１６倍速、及び２０倍速のいずれか少なくとも一つの線速度をＶ_ｍｉｎとし、基準速度の２４倍速又は３２倍速をＶ_ｍａｘとした場合に、Ｖ_ｍｉｎとＶ_ｍａｘとの間の全ての線速度Ｖにおいても、変調度ｍ_１１、Ｒ_ｔｏｐ、ジッター、デビエーション、アシンメトリー値、消去比の値が前記数値範囲となるようにするのが好ましい。これにより、後述のＰ−ＣＡＶ又はＣＡＶ方式での記録が可能となる。
【００５７】
ここで、８倍速、１０倍速、１２倍速、１６倍速又は２０倍速における変調度ｍ_１１、Ｒ_ｔｏｐ、ジッター、デビエーション、アシンメトリー値、消去比等の規定は、以下のようにして測定される。すなわち、線速１．２ｍ／ｓを基準速度（１倍速）Ｖ_１としたとき、基準速度の８倍速（８Ｖ_１）、１０倍速（１０Ｖ_１）、１２倍速（１２Ｖ_１）、１６倍速（１６Ｖ_１）、又は２０倍速（２０Ｖ_１）のいずれか一つにおいて、データ基準クロック周期ＴがＶＴ＝Ｖ_１Ｔ_１（ただし、Ｔ_１は２３１ｎｓｅｃであり、Ｖは、１０Ｖ_１、１２Ｖ_１、１６Ｖ_１、及び２０Ｖ_１のいずれかである。）であるように保ちながらＥＦＭ変調された信号を下記記録方式ＣＤ２−１乃至は２−２のいずれかの条件内の一つの記録方式で１０回オーバーライト記録した後に、１倍速での再生によって得られる記録信号から与えられる。
記録方式ＣＤ２−１；
波長７８０ｎｍの光を、開口数ＮＡが０．５の光学系を介して照射する。
【００５８】
この際、１つの非晶質マークの時間的長さをｎＴ（ｎは３から１１までの整数）としたとき、
記録マーク間に対しては、非晶質を結晶化し得る消去パワーＰｅを照射し、
ｎ＝２ｍ（ｍは３以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｊ）Ｔ、（ｊは−２．０〜２．０までの実数）を、
α_１Ｔ、β_１Ｔ、α_２Ｔ、β_２Ｔ、・・・・、α_ｍＴ、β_ｍＴ、
からなるｍ個のα_ｉＴとβ_ｉＴとからなる区間に分割し、かつ、各区間がα_１＝０．１〜１、α_ｉ＝０．１〜１（ｉは２〜ｍ−１の整数であり、α_ｉはかかるｉによらず０．１〜１の間の一定値αｃをとる）、β_１＋α_２＝１．７〜２．３、β_ｉ−１＋α_ｉ＝２（ｉは３〜ｍ−１の整数）、β_ｍ−１＋α_ｍ＝１．７〜２．３、α_ｍ＝０．１〜１、β_ｍ＝０〜２、の順に、Σ_ｉ（α_ｉ＋β_ｉ）＝ｎ−ｊとなるように分割し、
ｎ＝２ｍ＋１（ｍは３以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｋ）Ｔ、（ｋは−２．０〜２．０までの実数）を、
α_１’Ｔ、β_１’Ｔ、α_２’Ｔ、β_２’Ｔ、・・・・、α_ｍ’Ｔ、β_ｍ’Ｔ、
からなるｍ個のα_ｉ’Ｔとβ_ｉ’Ｔとからなる区間に分割し、かつ、各区間がα_１’＝α_１、β_１’＝β_１＋Δ_１（Δ_１＝０．３〜０．６）、α_ｉ’＝αｃ（ｉは２〜ｍ−１の整数）、β_ｉ−１’＋α_ｉ’＝２（ｉは３〜ｍ−１の整数）、β_ｍ−１’＝β_ｍ−１＋Δ_ｍ−１（Δ_ｍ−１＝０〜０．６）、α_ｍ’＝α_ｍ＋Δ_ｍ（０＜Δ_ｍ≦０．６）、Δ_ｍｍ＝Δ_ｍ−１＋Δ_ｍ＝０．３〜０．６、β_ｍ’＝β_ｍの順に、Σ_ｉ（α_ｉ’＋β_ｉ’）＝ｎ−ｋとなるように分割し、
α_ｉＴおよびα_ｉ’Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、記録層を溶融するに足る一定の記録パワーＰｗの記録光（ただし、Ｐｗは２０〜４０ｍＷであり、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．２〜０．６とする）を照射し、
β_ｉＴおよびβ_ｉ’Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、１ｍＷ未満のバイアスパワーＰｂの記録光を照射する。
【００５９】
さらに、ｍが３以上の場合には、α_１（＝α_１’）、αｃ、β_ｍ（＝β_ｍ’）、β_１、Δ_１、β_ｍ−１、Δ_ｍ−１、α_ｍ、Δ_ｍはｍによらず一定である。
また、ｍ＝２（ｎ＝４、５）の場合には、α_１、α_１’、α_２、α_２’、β_２、β_２’をそれぞれｍが３の場合のα_１、α_１’、α_３、α_３’、β_３、β_３’と等しくするとともに、β_１をｍが３の場合のβ_１又はβ_２のいずれかと等しくし、β_１’をｍが３の場合のβ_１’又はβ_２’のいずれかと等しくする（但し、±１０％程度のずれは許容するものとする）。但し、ｍ＝２におけるβ_２’に関しては、さらに±０．５の範囲において値を変更しうるものとする。
【００６０】
ｍ＝１（ｎ＝３）の場合には、一対の記録パワー照射区間α₁'Ｔとバイアスパワー照射区間β₁'Ｔからなる記録光の照射を行う。
記録方式ＣＤ２−２；
波長７８０ｎｍの光を、開口数ＮＡが０．５の光学系を介して照射する。
この際、１つの非晶質マークの時間的長さをｎＴ（ｎは３から１１までの整数）としたとき、
記録マーク間に対しては、非晶質を結晶化し得る消去パワーＰｅを照射し、
ｎ＝２ｍ（ｍは３以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｊ）Ｔ、（ｊは−２．０〜２．０までの実数）を、
α₁Ｔ、β₁Ｔ、α₂Ｔ、β₂Ｔ、・・・・、α_mＴ、β_mＴ、
からなるｍ個のα_iＴとβ_iＴとからなる区間に分割し、かつ、各区間がα₁＝０．１〜
１、α_i＝０．１〜１（ｉは２〜ｍ−１の整数であり、α_iはかかるｉによらず０．１〜１の間の一定値αｃをとる）、β₁＋α₂＝１．７〜２．３、β_i-1＋α_i＝２（ｉは３〜ｍ−１の整数）、β_m-1＋α_m＝１．７〜２．３、α_m＝０．１〜１、β_m＝０〜２、の順に、Σ_i（α_i＋β_i）＝ｎ−ｊとなるように分割し、
ｎ＝２ｍ＋１（ｍは３以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｋ）Ｔ、（ｋは−２．０〜２．０までの実数）を、
α₁'Ｔ、β₁'Ｔ、α₂'Ｔ、β₂'Ｔ、・・・・、α_m'Ｔ、β_m'Ｔ、
からなるｍ個のα_i'Ｔとβ_i'Ｔとからなる区間に分割し、かつ、各区間がα₁＝α₁、β₁'＝β₁、α_i'＝αｃ（ｉは２〜ｍ−１の整数）、β_i-1'＋α _i ’＝２（ｉは３〜ｍ−１の整数）、β_m-1'＝β_m-1＋Δ_m-1（Δ_m-1＝０〜０．６）、α_m'＝α_m＋Δ_m（０＜Δ_m≦０．６）、Δ_mm＝Δ_m-1＋Δ_m＝０．５〜１．２、β_m'＝β_m＋Δ_m'（Δ_m'＝０〜１）の順に、
Σ_i（α_i'＋β_i'）＝ｎ−ｋとなるように分割し、
α_iＴおよびα_i'Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、記録層を溶融するに足る一定の記録パワーＰｗの記録光（ただし、Ｐｗは２０〜４０ｍＷであり、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．２〜０．６とする）を照射し、
β_iＴおよびβ_i'Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、１ｍＷ未満のバイアスパワーＰｂの記録光を照射する。
【００６１】
さらに、ｍが３以上の場合には、α_１（＝α_１’）、β_１（＝β_１’）、αｃ、β_ｍ−１、Δ_ｍ−１、α_ｍ、β_ｍ、Δ_ｍ’はｍによらず一定である。
また、ｍ＝２（ｎ＝４、５）の場合には、α_１、α_１’、β_１、β_１’、α_２、α_２’、β_２、β_２’をそれぞれｍ＝３の場合のα_１、α_１’、β_２、β_２’、α_３、α_３’、β_３、β_３’と等しくする（但し、±１０％程度のずれは許容するものとする）。
【００６２】
ｍ＝１（ｎ＝３）の場合には、一対の記録パワー照射区間α_１’Ｔとバイアスパワー照射区間β_１’Ｔからなる記録光の照射を行う。
ここに、記録方式ＣＤ１−１、１−２、２−１及び２−２において、ｊ，ｋはｎごとに異なる値をとっても良い。また、Ｐｗ、Ｐｂ、Ｐｅは一定のパワ−レベルであり、Ｐｂ≦Ｐｅ≦Ｐｗとしている。そして、記録方式ＣＤ１−１、１−２又は記録方式ＣＤ２−１、２−２をもちいて、ＥＦＭランダムパターンの記録を行うのであるが、Ｐｅ／Ｐｗ比は０．２〜０．６の間のいずれかの値で一定にして、Ｐｗを２０〜４０ｍＷの間で変化させ、最も良好な特性が得られるＰｗにおいて、各マーク長及びマーク間のジッタ、ｍ_１１、及びＲ_ｔｏｐがそれぞれ、上記の値を満足すればよい。ここで、パワー値Ｐｗ，Ｐｅ，Ｐｂ等は、記録光ビームのうちの主ビームのみのパワーをいい、いわゆる３ビーム法におけるサーボ用のサブビームのように記録に直接関係のないビームに配分されるパワーは除いて考える。Ｐｅ／Ｐｗ比に関しては、まず、０．３〜０．４の間の値を採用し、その結果、上記のｍ_１１、Ｒ_ｔｏｐ、アシンメトリー、デビエーション等の要件が満足されなければ、０．２〜０．３あるいは、０．３〜０．６の間の値を用いる。
【００６３】
また、記録パルス区間α_ｉＴ、α_ｉ’Ｔ、オフパルス区間β_ｉＴ及びβ_ｉ’Ｔのそれぞれにおける光のパワーレベルは、記録パルス区間ではＰｗでオフパルス区間ではＰｂで一定とする。ただし、高周波重畳を印可する場合は、Ｐｗ及びＰｂはその区間における平均パワーで定義する。さらに、レーザーダイオードの応答上やむを得ないオーバーシュート、アンダーシュートは許容する。記録パルスα_ｉＴ及びα_ｉ’Ｔの立ち上がり立ち下がりは、約３ｎｓｅｃ以下とするが、１ｎｓｅｃ以上２ｎｓｅｃ以下とすることが好ましい。
【００６４】
記録方式ＣＤ１−１及び１−２は、特開２００１−３３１９３６号公報に示されたような、記録パルス（Ｐｗ照射区間）とオフパルス（Ｐｂ照射区間）とを周期２Ｔを基本とする繰り返し周期で交互に発生させる記録パルス分割方法にさらに検討を加えたものである。すなわち、本発明においては、上記２Ｔ周期をベースとする記録ストラテジーのうち、特に、２４乃至は３２倍速でオーバーライト可能なＣＤ−ＲＷに適し、かつ、特に産業上有用な低コストかつ簡便な記録パルス分割方法を見出した。本発明の記録パルスストラテジーを用いることにより、複数のドライブで記録しても記録品位が保ちやすく互換性が確保しやすい記録媒体とその記録方法が提供されるようになる。
【００６５】
そのために、本発明においては、周期２Ｔを基本とする記録パルス分割方法における可変とすべきパラメータとその範囲を限定する。そして本発明においては、上記周期２Ｔを基本とする記録パルス分割方法における数あるパラメータのうち、２４倍速又は３２倍速における記録品位を良好に保つために必要な最低限のパラメータを見出してこれを変化させている。可変とするパラメータの数を多くすれば２４倍速又は３２倍速での良好な記録の達成は比較的容易とある。しかし、数多くのパラメータを可変とすることは、光記録媒体に記録を行う記録装置におけるパルス発生の電子回路（集積回路）の設計をいたずらに複雑にするだけである。このため、本発明においては上記電子回路（集積回路）の設計を容易にしつつ、かつ２４倍速記録又は３２倍速記録を良好に行うことができるＣＤ−ＲＷを実現できるような最低限のパラメータを見出したのである。
【００６６】
２４倍速又は３２倍速で良好な記録を行うために可変とすべき最低限のパラメータは、２４倍速乃至は３２倍速でオーバーライト可能な記録媒体の検討とパルス分割記録方法とを相互にフィードバックをかけながら検討を行うことにより実現できるものである。従って、本発明は、記録媒体と記録方法とを同時に実現するという高度な創作により実現されたものである。
【００６７】
このような検討により、本発明においては、未だ実現されていない８あるいは１０倍速から２４あるいは３２倍速という極めて広範囲の線速度で、記録及び再生の互換性の高いＣＤ−ＲＷ記録媒体と記録方法を提供することができるようになるのである。
ＣＤ−ＲＷにおけるＥＦＭ変調の場合、マーク長ｎＴは、ｎ＝３，４，５，６，７，８，９，１０，１１の場合があるが、それぞれを、ｍ＝１，２，２，３，３，４，４，５，５個の２Ｔを基本とする周期に分割し、ｍ個の記録パルスとオフパルスの組に分割した記録パルスで記録を行う。本発明では、２４倍速又は３２倍速でオーバーライト可能なＣＤ−ＲＷ記媒体を明確に規定するために、特に記録方式ＣＤ１−１、及び１−２に示したような限定を行っている。
【００６８】
図３は、上記記録方式ＣＤ１−１、及び２−１におけるパルス分割方法を実施する場合の、各記録パルスの関係の一例を示した図である。尚、図３（ｂ）におけるマーク長２ｍＴを形成するための記録パルス及びオフパルスの時間幅は、本来は、α_１Ｔ、β_１Ｔ、αｃＴ、…、α_ｍＴ、β_ｍＴと表されるが、図を見やすくする観点から、図３（ｂ）においては、単にα_１、β_１、αｃ、…、α_ｍ、β_ｍと記載し、基準クロック周期Ｔの表示を省略してある。これは図３（ｃ）においても同様である。
【００６９】
図３に示すように、本発明の光記録方法においては、ｎＴマークのｎのとり得る値が奇数であるか偶数であるかに分けて考える。分割数ｍが同じ偶数長マークと奇数長マークのマーク長差１Ｔの補正を、先頭の記録パルスの次のオフパルス区間β_１Ｔ及び最後尾から２番目の記録パルス周期の区間（β_ｍ−１＋α_ｍ）Ｔに分散して割り当てる。つまり、マーク長１Ｔの補正をオフパルス長β_１Ｔ及びβ_ｍ−１Ｔ、さらには最後尾の記録パルス区間パルスα_ｍＴの調整にて行う。
【００７０】
図３において、３００は周期Ｔの基準クロックをあらわす。
図３（ａ）は、長さｎＴ＝２ｍＴ、もしくはｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔの記録マークに対応したパルス波形であり、符号３０１が長さ２ｍＴの記録マークの長さに、符号３０２が長さ（２ｍ＋１）Ｔの記録マークの長さに対応する。図３（ａ）においては、ｍ＝５の場合が示してある。
【００７１】
図３（ｂ）の３０３は、ｎ＝２ｍ（＝１０）の場合の分割記録パルスの波形であり、図３（ｃ）の３０７は、ｎ＝２ｍ＋１（＝１１）の場合の分割記録パルスの波形である。
Ｔ_ｄ１にＴをかけた値は、α_１Ｔ及びα_１’ＴのｎＴマークの前端Ｔ_０に対する遅延時間であり、通常はｎによらず一定とし、さらに通常は、記録パルス発生回路の同期の取り易さから、（Ｔ_ｄ１＋α_１）Ｔ＝（Ｔ_ｄ１＋α_１’）Ｔ＝２Ｔとするが、さらに±０．５Ｔ程度の微調整は許容する。特に、３Ｔ，４Ｔ，５Ｔマークにおいては、そのような遅延時間の微調整を行うことが好ましい。記録パルス区間α_ｉＴ（ｉ＝１〜ｍ）における記録パワーレベルはＰｗで一定であり、オフパルス区間β_ｉＴ（ｉ＝１〜ｍ）におけるバイアスパワーレベルはＰｂで一定であり、マークとマークの間、すなわちα_ｉＴ（ｉ＝１〜ｍ）及びβ_ｉＴ（ｉ＝１〜ｍ）以外の区間における光照射のパワーは消去パワーＰｅで一定とする。ｎが偶数の場合は、先頭の記録パルスと最後尾のオフパルスを除く区間３０４（つまり図３の３０５、３０６を除く区間）では、（β_ｉ−１＋α_ｉ）Ｔ＝２Ｔ（ｉ＝２〜ｍ）で一定とする。ただし、（β_１＋α_２）Ｔ、及び（β_ｍ−１＋α_ｍ）Ｔについてのみ、±０．３Ｔの範囲で微調整可能とする。一方、ｎが奇数の場合は、図３の区間３０８、（β_ｉ−１’＋α_ｉ’）Ｔ＝２Ｔ（ｉ＝３〜ｍ−１）で一定とする。
【００７２】
そして、同一分割数でｎ＝２ｍ及び２ｍ＋１の２種類のマーク長を記録するために、区間（β_１＋α_２）Ｔ、及び区間（β_ｍ−１＋α_ｍ）Ｔをそれぞれ約０．５Ｔずつ増減して長さを調整する。なお、熱干渉等の影響で、この値は正確に０．５Ｔとなるとは限らないが、概ね０．３Ｔ〜０．６Ｔの範囲にある。β_ｍ及びβ_ｍ’は、０〜２の範囲にあってほぼ同じ値をとるが、β_ｍ＝β_ｍ’とすることが好ましい。
【００７３】
図３において、偶数長マークｎＴ＝１０Ｔと奇数長マークｎＴ＝１１Ｔのマーク長の差１Ｔ分の記録は、以下の操作１、２によって行われる。
操作１： 図３の区間３０９のように、区間（β_１’＋α_２’）Ｔの、β_１’のみにΔ_１を付加し、β_１’＝β_１＋Δ_１、α_２’＝αｃとする。
操作２： 図３の区間３１０のように、区間（β_ｍ−１’＋α_ｍ’）ＴにΔ_ｍｍＴを付加する。ここで、Δ_ｍｍ＝Δ_ｍ−１＋Δ_ｍとして、Δ_ｍｍをΔ_ｍ−１とΔ_ｍとに分けて、β_ｍ−１にはΔ_ｍ−１を付加し、α_ｍにはΔ_ｍを付加する。尚、Δ_ｍ−１はゼロであってもよい。
【００７４】
本発明においては、Δ_ｍは０よりも大きく（Δ_ｍ＞０とする）して、α_ｍ≠α_ｍ’とする。Δ_ｍを０よりも大きくすることにより、同一分割数ｍのうちのｎが奇数である記録マーク後端部の形状が安定してジッタ特性が飛躍的に改善される。さらに好ましいのは、Δ_ｍ−１とΔ_ｍとをほぼ等しい値とすることである。Δ_ｍ−１とΔ_ｍとをほぼ等しくすれば、ジッタ特性を良好に保ちつつも、記録パルスストラテジーの記録パルス及びオフパルスにおけるレーザー光（パルス光）の発生を制御する電子回路（集積回路）の設計を簡便にすることができるようになる。
【００７５】
以上の操作は３以上のｍにおいて行われ、Δ_１、Δ_ｍｍは、０．３〜０．６の値をとるものとする。Δ_ｍ−１、及びΔ_ｍは、Δ_ｍｍをどのように配分するかによって値が決まり、Δ_ｍ−１は０〜０．６の値をとり得、Δ_ｍは０より大きく０．６以下の値を取り得る。
前述したように、区間（β_１＋α_２）Ｔ、及び区間（β_ｍ−１＋α_ｍ）Ｔをそれぞれ約０．５Ｔずつ増減して長さを調整するためには、Δ_１及びΔ_ｍｍを０．６としてもよいが、Δ_ｍ−１、Δ_ｍは、０．５以下の値とすることが好ましい。
【００７６】
以下、記録方式ＣＤ１−１におけるｍが３以上、ｍ＝２、及びｍ＝１の場合についてそれぞれ説明する。記録方式ＣＤ２−１については後述する。
記録方式ＣＤ１−１においては、ｍが３以上では、α_１’＝α_１、β_ｍ’＝β_ｍとし、α_ｉ及びα_ｉ’は、ｉ＝２〜ｍ−１に対しては、αｃでｉによらず一定とする。また、α_ｍ及びα_ｍ’もｍによらず一定値とする。さらにα_１（α_１’）は、０．７〜１．４、αｃは０．７〜１．２、α_ｍは０．７〜１．２とする。
【００７７】
さらに、ｍが３以上の場合には、α_１（＝α_１’）、αｃ、β_ｍ（＝β_ｍ’）、β_１、Δ_１、β_ｍ−１、Δ_ｍ−１、Δ_ｍはｍによらず一定とする。２４倍速又は３２倍速においては、αｃ＝α_ｉ（ｉ＝２〜ｍ−１）は、まず、０．９〜１の範囲の値とし、その後±０．２の範囲（０．７〜１．２の範囲）で微調整を行う。α_１及びα_ｍは、まずαｃと同じ値を採用し、そしてαｃより最大０．３程度大きい範囲で微調整を行うものとする。
【００７８】
ここで、ｍ＝２（ｎ＝４，５）の場合に、ｍ−１＝１であるから、区間（β_１＋α_２）Ｔは、区間（β_ｍ−１＋α_ｍ）Ｔとも解される。この場合、（β_１’＋α_２’）Ｔを（β_１＋α_２）Ｔより約１Ｔ長くするのであるが、より具体的には、α_１、α_１’、α_２、α_２’、β_２、β_２’をそれぞれｍが３の場合のα_１、α_１’、α_ｍ、α_ｍ’、β_ｍ、β_ｍ’と等しくするとともに、β_１をｍが３の場合のβ_１又はβ_ｍ−１のいずれかと等しくし、β_１’をｍが３の場合のβ_１’又はβ_ｍ−１’のいずれかと等しくする。尚、「等しくする」とはいっても、±１０％程度のずれは許容されるものとする。
【００７９】
このようにして、偶数長マークに対して、図３（ｂ）の点線で示される記録パルス列３０３が得られ、奇数長マークに対して、図３（ｃ）の点線で示される記録パルス列３０７が得られる。
なお、ｍ＝１（ｎ＝３）の場合には、一対の記録パワー照射区間α_１’Ｔとバイアスパワー照射区間β_１’Ｔからなる記録光の照射を行う。この場合、α_１’は、２以上のｍにおけるα_１’より０．１から１．５程度大きくし、β_１’は２以上のｍにおけるβ_１’より小さく、かつ、β_ｍ、β_ｍ’と同じか、それらより大きくするのが好ましい。また、β_１’の範囲は０以上２以下とすることが好ましい。
【００８０】
図１６は、上記記録方式ＣＤ１−２及び２−２におけるパルス分割方法を実施する場合の、各記録パルスの関係の一例を示した図である。尚、図１６（ｂ）におけるマーク長２ｍＴを形成するための記録パルス及びオフパルスの時間幅は、本来は、α_１Ｔ、β_１Ｔ、αｃＴ、…、α_ｍＴ、β_ｍＴと表されるが、図を見やすくする観点から、図１６（ｂ）においては、単にα_１、β_１、αｃ、…、α_ｍ、β_ｍと記載し、基準クロック周期Ｔの表示を省略してある。これは図１６（ｃ）においても同様である。
【００８１】
図１６に示すように、ｎＴマークのｎのとり得る値が奇数であるか偶数であるかに分けて考える。分割数ｍが同じ偶数長マークと奇数長マークのマーク長差１Ｔの補正を、記録パルス周期（β_m-1＋α_m）Ｔ及び最後尾のオフパルスβ_mＴに分散して割り当てる。つまり、マーク長１Ｔの補正をオフパルス長β_m-1Ｔ及びβ_mＴ、さらには最後尾の記録パルス区間パルスα_mＴの調整にて行う。
【００８２】
この記録方式は、図３に示した記録方式（記録方式ＣＤ１−１、２−１）と比較して、偶数、奇数マークで変化させる記録パルス及びオフパルスが、マークの後端部付近に集中しているので、記録マークの後端ジッタがより制御しやすくなる利点を有するのみならず、記録パルスストラテジーの記録パルス及びオフパルスにおけるレーザー光（パルス光）の発生を制御する電子回路（集積回路）の設計が簡便となる利点がある。さらに、可変とすべきパラメータ数が少ないという利点がある。
【００８３】
図１６において、４００は周期Ｔの基準クロックをあらわす。
図１６（ａ）は、長さｎＴ＝２ｍＴ、もしくはｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔの記録マークに対応したパルス波形であり、符号４０１が長さ２ｍＴの記録マークの長さに、符号４０２が長さ（２ｍ＋１）Ｔの記録マークの長さに対応する。図１６（ａ）においては、ｍ＝５の場合が示してある。
【００８４】
図１６（ｂ）の４０３は、ｎ＝２ｍ（＝１０）の場合の分割記録パルスの波形であり、図１６（ｃ）の４０６は、ｎ＝２ｍ＋１（＝１１）の場合の分割記録パルスの波形である。
Ｔ_ｄ１にＴをかけた値は、α_１Ｔ及びα_１’ＴのｎＴマークの前端Ｔ_０に対する遅延時間であり、通常はｎによらず一定とし、さらに通常は、記録パルス発生回路の同期の取り易さから、（Ｔ_ｄ１＋α_１）Ｔ＝（Ｔ_ｄ１＋α_１’）Ｔ＝２Ｔとするが、さらに±０．５Ｔ程度の微調整は許容する。特に、３Ｔ，４Ｔ，５Ｔマークにおいては、そのような遅延時間の微調整を行うことが好ましい。記録パルス区間α_ｉＴ（ｉ＝１〜ｍ）における記録パワーレベルはＰｗで一定であり、オフパルス区間β_ｉＴ（ｉ＝１〜ｍ）におけるバイアスパワーレベルはＰｂで一定であり、マークとマークの間、すなわちα_ｉＴ（ｉ＝１〜ｍ）及びβ_ｉＴ（ｉ＝１〜ｍ）以外の区間における光照射のパワーは消去パワーＰｅで一定とする。ｎが偶数である場合には、区間４０４では、（β_ｉ−１＋α_ｉ）Ｔ＝２Ｔ（ｉ＝２〜ｍ）で一定とする。ただし、（β_１＋α_２）Ｔ、及び（β_ｍ−１＋α_ｍ）Ｔについてのみ、±０．３Ｔの範囲で微調整可能とする。一方、ｎが奇数の場合は、図１６の区間４０７では、（β_ｉ−１’＋α_ｉ’）Ｔ＝２Ｔ（ｉ＝２〜ｍ−１）で一定とする。ただし、（β_１’＋α_２’）Ｔは（β_１＋α_２）Ｔと等しくする。
【００８５】
そして、同一分割数でｎ＝２ｍ及び２ｍ＋１の２種類のマーク長を記録するために、区間（β_ｍ−１＋α_ｍ）Ｔをそれぞれ約１Ｔ増減して長さを調整する。なお、熱干渉等の影響で、この値は正確に１Ｔとなるとは限らないが、概ね０．５〜１．２Ｔの範囲とする。β_ｍとβ_ｍ’とは、０〜２の範囲（記録方式ＣＤ２−２では、β_ｍ’＝０〜３の範囲）でほぼ同じ値をとるが、マーク後端ジッタへの影響を補正するために、β_ｍ、β_ｍ’も個別に微調整する。特に、記録方式ＣＤ２−２ではβ_ｍ’＝β_ｍ＋Δ_ｍ’とし、β_ｍにΔ_ｍ’（＝０〜１）を付加する。
【００８６】
図１６において、偶数長マークｎＴ＝１０Ｔと奇数長マークｎＴ＝１１Ｔのマーク長の差１Ｔ分の記録は、以下の操作３によって行われる。
操作３： 図１６の区間４０８のように、区間（β_ｍ−１＋α_ｍ）ＴにΔ_ｍｍＴを付加して、（β_ｍ−１’＋α_ｍ’）Ｔとする。ここで、Δ_ｍｍ＝Δ_ｍ−１＋Δ_ｍとして、Δ_ｍｍをΔ_ｍ−１とΔ_ｍとに分けて、β_ｍ−１にはΔ_ｍ−１を付加し、α_ｍにはΔ_ｍを付加する。また、マーク後端のジッタへの影響を補正するため、β_ｍにΔ_ｍ’を付加して、β_ｍ’とする。
【００８７】
以上の操作は３以上のｍにおいて行われ、Δ_ｍｍは、０．５〜１．２の値をとるものとする。Δ_ｍ−１、及びΔ_ｍは、Δ_ｍｍをどどのように配分するかによって、それぞれ０〜０．６の値をとり得る。Δ_ｍ−１はゼロであってもよいが、Δ_ｍは０よりも大きくして、α_ｍ≠α_ｍ’とする。Δ_ｍを０よりも大きくすることにより、同一分割数ｍのうちのｎが奇数である記録マーク後端部の形状が安定してジッタ特性が飛躍的に改善される。さらに好ましいのは、Δ_ｍ−１とΔ_ｍとをほぼ等しい値とすることである。Δ_ｍ−１とΔ_ｍとをほぼ等しくすれば、ジッタ特性を良好に保ちつつも、パルス光の発生を制御する電子回路（集積回路）の設計を簡便にすることができるようになる。
【００８８】
Δ_ｍ’は０〜１の値をとり、より好ましくは０〜０．６の値をとる。特に１６倍速程度より低線速度では、２４あるいは３２倍速における場合より、Δ_ｍ’は大きくするのが好ましい。一方、２４あるいは３２倍速では、Δ_ｍ’＝０とするのが好ましい。
以下、記録方式ＣＤ１−２におけるｍが３以上、ｍ＝２、及びｍ＝１の場合についてそれぞれ説明する。記録方式ＣＤ２−２については後述する。
【００８９】
記録方式ＣＤ１−２においては、ｍが３以上では、α_１’＝α_１、β_１’＝β_１とし、α_ｉ及びα_ｉ’は、ｉ＝２〜ｍ−１に対しては、αｃでｉによらず一定とする。また、α_１（＝α_１’）は、０．７〜１．４の範囲の値をとり、αｃ及びα_ｍは０．７〜１．２の範囲の値とする。より好ましくは、α_１（＝α_１’）、αｃ、及びα_ｍは０．７〜１の範囲とする。
【００９０】
さらに、ｍが３以上の場合には、α_１（＝α_１’）、β_１、αｃ、β_ｍ−１、Δ_ｍ−１、α_ｍ、Δ_ｍ、β_ｍ、Δ_ｍ’はｍによらず一定とする。２４倍速又は３２倍速においては、αｃ＝α_ｉ（ｉ＝２〜ｍ）は、まず、１とし、その後さらに±０．２の範囲で微調整を行うのが好ましい。α_１及びα_ｍは、まずαｃと同じ値を採用し、そしてαｃより最大０．３程度大きい範囲で微調整を行う。Δ_ｍ、Δ_ｍ−１は約０．４を初期値とし、所定のマーク長が得られるように微調整を行う。また、区間４１０のβ_ｍ’はまず、区間４０５のβ_ｍと等しくし、その後、微調整を行う。
【００９１】
ここで、ｍ＝２の場合に、（β_１’＋α_２’）Ｔを（β_１＋α_２）Ｔより約１Ｔ長くするのであるが、ｍ−１＝１であるから、それぞれを、（β_ｍ−１’＋α_ｍ’）Ｔ及び（β_ｍ−１＋α_ｍ）Ｔとみなすことができる。そして、α_１、α_１’、β_１、β_１’、α_２、α_２’、β_２、β_２’をそれぞれｍ＝３の場合のα_１、α_１’、β_２、β_２’、α_３、α_３’、β_３、β_３’と等しくする。ただしｍ＝２のα_１、α_１’、β_１、β_１’、α_２、α_２’、β_２、及びβ_２’は、±１０％程度の微調整をさらに行っても良い。
【００９２】
このようにして、偶数長マークに対して、図１６（ｂ）の点線で示される記録パルス列４０３が得られ、奇数長マークに対して、図１６（ｃ）の点線で示される記録パルス列４０６が得られる。
なお、ｍ＝１（ｎ＝３）の場合には、一対の記録パワー照射区間α_１’Ｔとバイアスパワー照射区間β_１’Ｔからなる記録光の照射を行う。この場合、α_１’は、２以上のｍにおけるα_１’より０．１から１．５程度大きくするのが好ましい。また、β_１’の範囲は０以上２以下とすることが好ましい。
【００９３】
記録方式ＣＤ２−１においては、記録方式ＣＤ１−１と同様のルールで偶数長マークと奇数長マークを記録し、記録方式ＣＤ２−２においては、記録方式ＣＤ１−２と同様のルールで偶数長マークと奇数長マークを記録するのであるが、α_ｉ、α_ｉ’（ｉ＝１〜ｍ）は、２４又は３２倍速の線速で記録する場合より小さな値とし０．１〜１の範囲とする。これに伴い、β_ｉ、β_ｉ’（ｉ＝１〜ｍ）は、２４倍速又は３２倍速の線速で記録する場合より大きい値とする。さらに、記録方式ＣＤ２−２の場合には、特にΔ’_ｍを０以上１以下の範囲で可変とする。また、Δ_ｍ−１＋Δ_ｍ＋Δ_ｍ’を０．５以上１．５以下の範囲とするのが好ましい。
【００９４】
記録方式ＣＤ１−１あるいは記録方式ＣＤ１−２において最大線速度Ｖ_ｍａｘを２４倍速又は３２倍速とした場合のα_ｉ、α_ｉ’をα_ｉ０、α_ｉ０’とするとき、同一媒体を８倍速、１０倍速、１２倍速、１６倍速、２０倍速（すなわち、線速Ｖを８Ｖ_１、１０Ｖ_１、１２Ｖ_１、１６Ｖ_１、及び２０Ｖ_１のいずれかとして）で記録方式ＣＤ２−１あるいは記録方式ＣＤ２−２において記録する場合には、概ね、α_ｉ＝η（Ｖ／Ｖ_ｍａｘ）α_ｉ０、α_ｉ’＝η（Ｖ／Ｖ_ｍａｘ）α_ｉ０’と設定し、その後微調整±０．１程度の範囲で微調整を行う。
【００９５】
ここで、ηは０．８〜１．５の範囲の実数である。特に、１．０から１．３の範囲の値をまず採用し、その後、０．８〜１．５の範囲に拡大して測定を行う。
なお、記録方式ＣＤ２−１、２−２においては、ｎ＝５おいて例外的なルールを適用しうるものとする。
つまり、記録方式ＣＤ２−１においては、ｍ＝２（ｎ＝４、５）の場合には、α_１、α_１’、α_２、α_２’、β_２、β_２’をそれぞれｍが３の場合のα_１、α_１’、α_３（α_ｍ）、α_３’（α_ｍ’）、β_３（β_ｍ）、β_３’（β_ｍ’）と等しくするとともに、β_１をｍが３の場合のβ_１又はβ_２（β_ｍ−１）のいずれかと等しくし、β_１’をｍが３の場合のβ_１’又はβ_２’（β_ｍ−１’）のいずれかと等しくする。但し、「等しくする」とはいっても、±１０％程度のずれは許容されるものとする。また、ｍ＝２におけるβ_２’に関しては、さらに±０．５の範囲において値を変更しうるものとする。
【００９６】
また、記録方式ＣＤ２−２においては、ｍ＝２（ｎ＝４、５）の場合には、α_１、α_１’、β_１、β_１’、α_２、α_２’、β_２、β_２’をそれぞれｍ＝３の場合のα_１、α_１’、β_２（β_ｍ−１）、β_２’（β_ｍ−１’）、α_３（α_ｍ）、α_３’（α_ｍ’）、β_３（β_ｍ）、β_３’（β_ｍ’）と等しくする。ただし、「等しくする」とはいっても、±１０％程度のずれは許容されるものとする。さらに、ｎ＝３の場合のβ_１’は０以上３以下の範囲とするのが好ましい。
【００９７】
２４倍速までの使用を想定するＣＤ−ＲＷにおいては、例えば、１０倍速と２４倍速あるいは、１２倍速と２４倍速とでの記録特性を規定し、３２倍速までの使用を想定するＣＤ−ＲＷにおいては、１０倍速と３２倍速とでの記録特性又は、１２倍速と３２倍速とでの記録特性又は、１６倍速と３２倍速とでの記録特性をそれぞれ規定すること等で、後述のＣＡＶ記録方式やＰ−ＣＡＶ記録方式、ＺＣＬＶ記録方式に適した媒体を、ドライブでの記録再生互換性の観点から見てほぼ一義的に規定できる。この場合には、低線速側の測定における記録方式ＣＤ２−１又は２−２において、α_ｉ、α_ｉ’、β_ｉ、β_ｉ’の値を上記のように線速に概ね比例するように定めておく（α_ｉ＝η（Ｖ／Ｖ_ｍａｘ）α_ｉ０、α_ｉ’＝η（Ｖ／Ｖ_ｍａｘ）α_ｉ０’）ことが、媒体特性をより良好に規定できるので好ましい。
【００９８】
このようにして、最小線速と最大線速との比が２倍以上となる異なる記録速度範囲における、複数の記録線速度における書き換え型光記録媒体の特性を定義することは、記録ドライブからみた媒体の記録再生互換性を確保する点からも好ましい方法である。特に、記録方式ＣＤ１−１は記録方式ＣＤ２−１と組み合わせて用い、記録方式ＣＤ１−２は記録方式ＣＤ２−２と組み合わせて用いることがより好ましい。
【００９９】
このように特定範囲の媒体を規定する場合には、記録方式ＣＤ１−２と記録方式ＣＤ２−２を組み合わせて、最高線速度Ｖ_maxが２４倍速又は３２倍速である書き換え型ＣＤ−ＲＷを規定することが特に好ましい。
さらに、このような３２倍速又は２４倍速対応の媒体特性の規定方法において、記録方式ＣＤ１−２において、特に以下のように限定した記録方式ＣＤ１−３とすることで、より具体的に媒体特性を限定できる。従って、そのような媒体を複数の記録装置で記録する場合の互換性が確保できて好ましい。すなわち、
（記録方式ＣＤ１−３）
ｍ＝２以上のマーク長においては、Ｔ_d1'＝Ｔ_d1＝２−αｃ、α_i'＝α_i＝αｃ（ｉ＝１〜ｍ−１）、β_i'＝β_i＝２−αｃ（ｉ＝１〜ｍ−２）、α_m＝αｃ、β_m-1＝２−αｃで一定、かつ、β_m-1'＝１＋Δ_m0（０＜Δ_m0≦０．６）、α_m'＝１＋Δ_m0（０＜Δ_m0≦０．６）、β_m'＝β_m＋Δ_m'とし、Δ _m0 、Δ _m ’、をｍによらず一定とする。ここで、ｍ＝２の場合、β₁、β₁'、α₂、α₂'、β₂、β₂'は、それぞれ、ｍ＝３の場合のβ₂（β_m-1）、β₂'（β_m-1'）、α₃（α_m）、α₃'（α_m'）、β₃（β_m）、β₃'（β_m'）とみなす。αｃは０．７〜１．２、より好ましくは０．７〜１、特に好ましくは０．９〜１とする。
【０１００】
ここで、記録方式ＣＤ１−３と、以下の記録方式ＣＤ２−３を組み合わせて、使用する最高線速度Ｖ_ｍａｘが２４倍速又は３２倍速である書き換え型ＣＤ−ＲＷを規定することが特に好ましい。
すなわち、（記録方式ＣＤ２−３）
ｍ＝２（ｎ＝４）以上のマーク長においては、Ｔ_ｄ１’＋α_１’＝Ｔ_ｄ１＋α_１＝２、α_ｉ＝αｃ（ｉ＝１〜ｍ）、α_ｉ’＝αｃ（ｉ＝１〜ｍ−１）、ただし、αｃ＝０．１〜１、β_ｉ−１＋α_ｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ）、β_ｉ−１’＋α_ｉ’＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）、かつ、β_ｍ−１’＝β_ｍ−１＋Δ_ｍ０（０＜Δ_ｍ０≦０．６）、α_ｍ’＝α_ｍ＋Δ_ｍ０（０＜Δ_ｍ０≦０．６）、β_ｍ’＝β_ｍ＋Δ_ｍ’（Δ_ｍ’＝０〜１）とし、さらにΔ_ｍ０、β_ｍ、Δ_ｍ’をｍによらず一定とする。ここで、ｍ＝２の場合、β_１、α_２、β_２は、それぞれ、ｍ＝３の場合のβ_２（β_ｍ−１）、β_３（β_ｍ）、α_３’（α_ｍ’）とみなす。
【０１０１】
記録方式ＣＤ１−３及び２−３においては、分割数ｍが同一である偶数の記録マーク及び奇数の記録マークにおいて、奇数の記録マークを形成する際に、最後の一つ前のオフパルス区間（β_ｍ−１’）と、最後の記録パルス区間（α_ｍ’）とに等しいΔ_ｍ（記録方式ＣＤ１−３、２−３ではΔ_ｍ０と表している。）を付与する点に特徴がある。等しいΔ_ｍ（記録方式ＣＤ１−３、２−３ではΔ_ｍ０と表している。）を付与することによって、記録マークの形成を行う記録パルスストラテジーの記録パルス及びオフパルスのレーザー光（パルス光）の発生を制御する電子回路（集積回路）の設計が簡便になり、電子回路（集積回路）コストダウンを図ることができるようになる。
【０１０２】
特に、記録マーク後端部の形状を安定させてジッタ特性を改良する観点からは、Δ_ｍを０より大きくすることが好ましい。具体的には、記録方式１−３、２−３においてΔ_ｍ０とし、Δ_ｍ０を０＜Δ_ｍ０≦０．６の範囲とすることが好ましい。記録マーク後端部の形状を安定化するためにさらに好ましいのは、Δ_ｍ０を０＜Δ_ｍ０≦０．５の範囲とすることである。
【０１０３】
また、ｎが奇数である記録マークの後端部の形状を安定化してジッタ特性を改良する観点から、Δ_m'を０≦Δ_m'≦１の範囲とするのが好ましく、０≦Δ_m'≦０．６の範囲とするのがより好ましく、０≦Δ_m'≦０．５の範囲とするのが特に好ましい。
そして、各線速度において、図１７の手順に従って、最小限のパラメータの最適値を見出していく。すなわち、
１）Ｐｗ、Ｐｅ及びＰｂの暫定値Ｐｗ_a、Ｐｅ_a 、Ｐｂ _a を決める。
２）偶数マーク及びスペース長（ｎ＝４，６，８，１０をすべて含む）だけからなるＥＦＭ信号をＰｗ_a，Ｐｅ_a、Ｐｂ_aを照射して記録する。αｃ、β_mを可変として、ｍ₁₁＝０．６〜０．８となる範囲内で、１倍速再生時に各マーク長及びスペース長が所定の長さとして再生され、ジッター値が３５ｎｓｅｃとなるようなαｃ、β_mを決める。
３）続いて、上記偶数長マーク及びスペース長だけからなるＥＦＭ信号に、ｎ＝３以外の奇数マーク長およびスペース長（ｎ＝５，７，９，１１をすべて含む）を加えてなるＥＦＭ信号をＰｗ_a，Ｐｅ_a、Ｐｂ_aを照射して記録する。αｃ、β_mは、上記値を用い、Δ_m0＝Δ_m-1＝Δ_m、Δ_m'を可変として、１倍速再生時に各マーク長、及びスペース長が所定の長さとして再生され、ジッター値が３５ｎｓｅｃとなるような値を見出す。
４）最後に、３Ｔマーク及びスペースを加えた、完全なＥＦＭ信号をＰｗ_a，Ｐｅ_a、Ｐｂ_aを照射して記録する。ｎ＝２以上のマーク長に関しては、上記、αｃ、β_m、Δ_m0＝Δ_m-1＝Δ_m、Δ_m'値を用いる。ｎ＝３に関する、Ｔ_d1'、α₁'、β₁'のみ可変として、１倍速再生時に３Ｔマーク長およびスペース長が所定の長さとして再生され、ジッター値が３５ｎｓｅｃとなるような値を見出す。
５）Ｐｗ_a，Ｐｅ_aを可変として、ｍ₁₁＝０．６〜０．８の範囲で、主としてジッタ又はエラーレートが最小となるようＰｗ，Ｐｅの微調整を行う。
という手順である。各ステップにおいて、ｍ₁₁＝０．６〜０．８、ジッタ３５ｎｓｅｃが得られなければ、その媒体は本発明要件を満足しないといえる。
【０１０４】
なお、図１７において、Ｐｅ／Ｐｗ比及びＰｗの初期値は以下のようにして求める。
１１Ｔのマーク長とスペース長のみからなる繰り返しパターン（１１Ｔデータと呼ぶ）をＰｅ＝０としてＰｗのみ可変としながら、未記録状態の溝内に記録を行う。この状態でｍ_１１が０．６〜０．８の範囲となるＰｗを求めて初期値Ｐｗ_ａを求める。もし、Ｐｗを増加させたときに、ｍ_１１が０．６〜０．８の範囲を超えてさらに増加するようならば、ｍ_１１が０．７程度となるＰｗ値を初期値Ｐｗ_ａとする。次に、該Ｐｗ_ａで記録された１１Ｔデータ信号にＰｅを直流的に照射して、１１Ｔデータ信号のキャリアレベルの低下率をｄＢ（デシベル値）でを測定する。Ｐｅ／Ｐｗ_ａ＝０．２〜０．６の範囲でＰｅを増加させながら、この操作を繰り返し、キャリアレベルの低下率が２５ｄＢを超える最初のＰｅをＰｅの初期値Ｐｅ_ａとする。Ｐｂの初期値Ｐｂ_ａとしては、０＜Ｐｂ_ａ＜１ｍＷなるパワーで再生時にサーボが安定する程度の再生光パワーと等しいパワーを選ぶ。
【０１０５】
なお、本明細書において「オーバーライト」とは、一般に、一旦記録したデータを、特定の処理により、均一な未記録・消去状態に戻すことなく新たなデータを上書きすることを示す。ただし、本発明においては、初期の均一な未記録・消去状態に記録を行う場合もオーバーライトと把える。例えば、上記記録方式ＣＤ１−１、１−２、２−１、又は２−２を用いて光記録媒体の特性を評価する場合の「１０回オーバーライト」とは、初期の結晶状態に最初の記録（１回オーバーライト）を行ない、次いで９回オーバーライトを行なうことを意味する。これは、以下の説明においても同様の意味に用いる。
【０１０６】
また、記録方式ＣＤ１−１、１−２、２−１、及び２−２における「α_ｉ＋β_ｉ−１＝２」との規定は、（α_ｉ＋β_ｉ−１）が基準クロック周期Ｔとの２倍の時間的長さであることを意味しており、回路設計上不可避的に生じるゆらぎ程度の誤差は含みうるものであり、具体的には、０．１Ｔ程度の差は、実質的に等しいとみなされる。同様に、上記において、例えば特定のα_ｉを他のα_ｉ乃至はα_ｉ’と「等しくする」又は「一定にする」というような場合においても、電子回路で実現する上で不可避のばらつききは許容されるものとする。
【０１０７】
さらにまた、記録方式ＣＤ１−１、１−２、２−１、及び２−２における記録光の波長は７７５〜７９５ｎｍ程度の範囲でばらついていても大きな問題とはならない。相変化媒体では、このような波長範囲における波長依存性は極めて小さいからである。
１−２．ＲＷ−ＤＶＤの場合
本発明をＲＷ−ＤＶＤに適用する場合においては、記録光による光スポットの媒体に対する速度である線速（度）として３．４９ｍ／ｓを基準速度：Ｖ_１、即ち１倍速とする。
【０１０８】
まず、本発明の第１及び第２の要旨に係るディスクについて説明する。
本発明の書換え型光記録媒体は、通常円盤状である。そして相変化型記録層の結晶状態の部分を未記録状態・消去状態とし、非晶質状態の部分を記録状態とする。記録される情報は、レーザー光などの記録光を照射し非晶質マークを形成することにより、ＥＦＭ＋変調された信号からなる。媒体の基板には通常螺旋状の溝が形成される。また、非晶質マークは通常溝内に形成される。ここで、溝とは、基板面上に形成された光ビーム案内用の凹形状の底部であり、記録再生光入射側から見て近い方の面を言う。
【０１０９】
データを記録する際には、基準クロック周期Ｔが基準となり、この整数倍の長さを有する様々な時間的長さのマーク及びスペース（マーク間）を形成することでデータを記録する。ＥＦＭ＋変調においては通常時間的長さ３Ｔ〜１４Ｔのマークが形成される。また、基準クロック周期Ｔは記録線速に反比例して変化させるのが通常である。
【０１１０】
基準クロック周期Ｔの逆数は基準クロック周波数と呼ばれ、ＤＶＤの１倍速（線速度３．４９ｍ／ｓ）における基準クロック周波数はデータの１チャネルビットに相当し、通常２６．１５６２５ＭＨｚである。
１倍速における基準クロック周期Ｔは通常１／（２６．１５６２５×１０⁶）＝３８．２×１０^-9（秒）＝３８．２（ナノ秒）となる。
【０１１１】
以下の説明では、特に断わりのない限り基準クロック周期Ｔと線速Ｖとの積ＶＴは線速によらず一定とする。
図２（ｂ）に、ＤＶＤ−ＲＷをはじめとするＤＶＤファミリーで用いられるＥＦＭ＋変調信号の再生波形（アイパターン）の模式図を示す。アイパターンには３Ｔから１１Ｔ及び１４Ｔの非晶質マーク及び結晶状態のスペースの再生波形が実質的にランダムに含まれている。再生波形は、反射光強度を電圧信号として取り出しオシロスコープ上で観察した波形である。この際、再生信号は直流成分を含んでいる。
【０１１２】
アイパターンの上端Ｉ_１４Ｈを入射光に対する反射率に換算したものがスペースに対応する反射率の上端値Ｒ_topであり、アイパターンの振幅（実際上は、１４Ｔマークの振幅）Ｉ_{1 ４}をＩ_１４Ｈで規格化したものが下記式（ＤＶＤ１）で表される記録信号の変調度ｍ_{1 ４}である。
ｍ_{1 ４}＝Ｉ_{1 ４}／Ｉ_１４Ｈ×１００（％） （ＤＶＤ１）本発明においては、変調度ｍ_{1 ４}は５５％以上８０％以下とする。変調度は光学的分解能に依存するのでＮＡが大きな光学系では大きく見える傾向があるため、本発明においては波長約６５０ｎｍのレーザー光を、開口数ＮＡ＝０．６０又はＮＡ＝０．６５の光学系を通して照射し記録する際の変調度ｍ_{1 ４}とする。ただし波長は厳密に６５０ｎｍである必要はなく、６３０〜６６５ｎｍ程度の範囲にあれば良い。
【０１１３】
信号振幅Ｉ_{1 ４}は大きいほうが好ましいが、大きすぎると信号再生系のアンプのゲインが極端に飽和してしまうためｍ_{1 ４}の上限は８０％、好ましくは７８％、さらに好ましくは７５％程度である。一方、小さすぎると信号体雑音比（ＳＮ比）が低下してしまうため、下限は５５％、好ましくは６０％、さらに好ましくは６５％程度である。また、Ｒ_topは１８〜３０％、好ましくは１８〜２５％、さらに好ましくは１９〜２３％の範囲とする。さらに、下記式（ＤＶＤ２）
Ａsym＝（（（Ｉ_１４Ｈ＋Ｉ_１４Ｌ）／２−（Ｉ_３Ｈ＋Ｉ_３Ｌ）／２）／Ｉ_{1 ４}）×１００（％） （ＤＶＤ２）
で定義されるアシンメトリー値Ａsymは、できるだけ０付近にあることが望ましいが、通常は＋１０％〜−５％の範囲である。
【０１１４】
再生信号のクロックジッタ（ｊｉｔｔｅｒ）は、図２（ｂ）における再生信号をイコライザとＬＰＦを通過させた後に、スライサにより２値化信号とし、該２値化信号のリーディングエッジとトレーリングエッジのＰＬＬクロックに対する時間のずれの標準偏差（ジッタ）を基準クロック周期Ｔで規格化したものである。詳細な測定方法は、ＤＶＤ−ＲＯＭ規格書やＤＶＤ＋ＲＷ規格書に規定されている。本発明においては、クロックジッタについては、１倍速（基準クロック周期３８．２ナノ秒）で再生したときのクロックジッタ値が１５％以下とする。ここで、現行のＲＷ−ＤＶＤ規格では、このクロックジッタの許容値を９％以下としているが、本発明では、近年のＤＶＤ再生回路の性能向上を考慮して、１５％までを許容値とした。このクロックジッタ値は、１２％以下であればより好ましく、１０％以下であることが更に好ましい。
【０１１５】
変調度ｍ_{1 ４}、反射率の上端値Ｒ_top及びクロックジッタを上記の値とすることにより、従来の相変化型ＤＶＤ規格と互換性を維持しつつ、６倍速以上のような高速記録された媒体を、既存の相変化型ＤＶＤ対応の再生系で再生することができる。
なお、以下において、ＲＷ−ＤＶＤにおけるクロックジッタを単にジッタと呼ぶ場合がある。
【０１１６】
本発明の書き換え型光記録媒体において好ましいのは、６倍速、８倍速、１０倍速、及び１２倍速のいずれかにおいて３Ｔマークと３Ｔスペース（マーク間）からなる単一周期信号（３Ｔデータと称する）を記録後、１４Ｔマークと１４Ｔスペースからなる単一周期信号（１４Ｔデータと称する）をオーバーライトしたときの３Ｔマークの消去比が２０ｄＢ以上、好ましくは２５ｄＢ以上とすることである。また、好ましくは、１２倍速においても上記消去比が２０ｄＢ以上、好ましくは２５ｄＢ以上とすることである。高線速での消去比が高い媒体ほど非晶質マーク消去時の再結晶化速度が速く、より高線速でＥＦＭ＋信号のオーバーライトが可能である。例えば、１０倍速や１２倍速における上記消去比を２０ｄＢ以上としておけば、６倍速で使用した際に良好な特性が得られるのは勿論、６倍速以下で使用した際にも良好な特性が得られる。ここで、３Ｔマークと３Ｔスペース（マーク間）からなる単一周期信号を記録、及び１４Ｔマークと１４Ｔスペースからなる単一周期信号をオーバーライトするにおいては、後述の記録方式ＤＶＤ１−１又は１−２の記録方式を用いる。すなわち、３Ｔマークと３Ｔスペース（マーク間）からなる単一周期信号を記録するにあたっては、３Ｔマークを１個の記録パルスＰｗと後続のオフパルスＰｂ（０＜Ｐｂ＜１ｍＷ）からなる記録パワーで記録し、他の区間では消去パワーＰｅを照射する。Ｐｗは記録層を溶融するためのパワーであり、ＰｂはＰｗ照射後、溶融領域を急冷して非晶質化させるための冷却区間である。１４Ｔマークと１４Ｔスペースからなる単一周期信号をオーバーライトするにあたっては、１４Ｔマークを７個の記録パルスPwと個々のＰｗに付随するオフパルスＰｂ（０＜Ｐｂ＜１ｍＷ）からなる記録パワーの繰り返しで記録し、他の区間では消去パワーＰｅを照射する。３Ｔデータ及び１４Ｔデータのオーバーライトにおいては、同一のＰｅ及びＰｗを使用し、Ｐｅ／Ｐｗを０．２〜０．６の範囲で一定としながら、Ｐｅを変化させて消去比のＰｅ依存性を測定し、いずれかのＰｅにおいて、消去比が２０ｄＢ以上、好ましくは２５ｄＢ以上となることを確認する。消去比は、１４Ｔデータのオーバーライトの前後における３Ｔデータのキャリアレベルの低下率をｄＢ単位で測定したものである。
【０１１７】
いずれの場合にも、同一溝内への記録を行い、通常は、１周分の溝に記録を行う。
消去比は、オーバーライトを行う線速度範囲の上限における消去比が十分な値であれば、通常より低線速側で消去比が不足することはない。線速Ｖで移動する開口数ＮＡの対物レンズで集光された波長λの光ビームで記録層が照射される時間は、λ／（ＮＡ・Ｖ）で規格化されるから、低線速ほど照射時間は長くなり再結晶化に要する時間を十分確保できるからである。
【０１１８】
また、あらかじめ記録された記録信号のジッタが１倍速再生において１２％に達するまでの時間を該記録媒体のアーカイバル寿命とするとき、温度、８０℃、相対湿度８５％におけるアーカイバル寿命が２００時間以上であること、より好ましくは５００時間以上が望ましい。
さらに、本発明においては、上記特性を満足するために、より短時間で評価可能な条件として１０５℃以上での加速試験を適用し、変調度ｍ_{1 ４}及び、結晶状態の反射率Ｒｔｏｐのいずれもが、温度１０５℃の加速試験環境下で３時間後もその初期値の９０％以上を維持するのが好ましい。現行市販されている１−２．４倍速対応のＤＶＤ＋ＲＷがちょうどこの要件を満足するからである。
【０１１９】
本発明における、線速Ｖ（この段落ではＶは６倍速、８倍速、１０倍速、及び１２倍速のいずれかの線速度を示す。）における変調度ｍ_１４、Ｒ_ｔｏｐ、ジッター、アシンメトリー値、消去比等の規定は、線速３．４９ｍ／ｓを基準速度（１倍速）Ｖ_１としたとき、線速Ｖにおいて、データ基準クロック周期ＴがＶＴ＝Ｖ_１Ｔ_１（ただし、Ｔ_１は３８．２ｎｓｅｃである）であるように保ちながらＥＦＭ＋変調された信号を下記記録方式ＤＶＤ１−１又は記録方式ＤＶＤ１−２いずれかの条件内のある１つの記録方式で１０回オーバーライト記録した後に、１倍速での再生によって得られる記録信号から与えられる。
記録方式ＤＶＤ１−１；
波長６５０ｎｍの光を、開口数ＮＡが０．６５の光学系を介して照射する。
【０１２０】
この際、１つの非晶質マークの時間的長さをｎＴ（ｎは３〜１１の整数と１４）としたとき、
記録マーク間に対しては、非晶質を結晶化し得る消去パワーＰｅを照射し、
ｎ＝２ｍ（ｍは３以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｊ）Ｔ、（ｊは−２．０〜２．０なる実数）を、
α_１Ｔ、β_１Ｔ、α_２Ｔ、β_２Ｔ、・・・・、α_ｍＴ、β_ｍＴ、
からなるｍ個のα_ｉＴとβ_ｉＴとからなる区間に分割し、かつ、各区間がα_１＝０．７〜１．４、α_ｉ＝０．７〜１．２（ｉは２〜ｍ−１の整数であり、α_ｉはかかるｉによらず０．７〜１．２の間の一定値αｃをとる）、β_１＋α_２＝１．７〜２．３、β_ｉ−１＋α_ｉ＝２（ｉは３〜ｍ−１の整数）、β_ｍ−１＋α_ｍ＝１．７〜２．３、α_ｍ＝０．７〜１．２、β_ｍ＝０〜２、の順に、Σ_ｉ（α_ｉ＋β_ｉ）＝ｎ−ｊとなるように分割し、
ｎ＝２ｍ＋１（ｍは３以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｋ）Ｔ、（ｋは−２．０〜２．０なる実数）を、
α_１’Ｔ、β_１’Ｔ、α_２’Ｔ、β_２’Ｔ、・・・・、α_ｍ’Ｔ、β_ｍ’Ｔ、
からなるｍ個のα_ｉ’Ｔとβ_ｉ’Ｔとからなる区間に分割し、かつ、各区間がα_１’＝α_１、β_１’＝β_１＋Δ_１（Δ_１＝０．３〜０．６）、α_ｉ’＝αｃ（ｉ＝２〜ｍ−１の整数）、β_ｉ−１’＋α_ｉ’＝２（ｉは３〜ｍ−１の整数）、β_ｍ−１’＝β_ｍ−１＋Δ_ｍ−１（Δ_ｍ−１＝０〜０．６）、α_ｍ’＝α_ｍ＋Δ_ｍ（０＜Δ_ｍ≦０．６）、Δ_ｍｍ＝Δ_ｍ−１＋Δ_ｍ＝０．３〜０．６、β_ｍ’＝β_ｍの順に、Σ_ｉ（α_ｉ’＋β_ｉ’）＝ｎ−ｋとなるように分割し、
α_ｉＴおよびα_ｉ’Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、記録層を溶融するに足る一定の記録パワーＰｗの記録光（ただし、Ｐｗは１０〜４０ｍＷであり、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．２〜０．６とする）を照射し、
β_ｉＴおよびβ_ｉ’Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、１ｍＷ未満のバイアスパワーＰｂの記録光を照射する。
【０１２１】
さらに、ｍが３以上の場合には、α_１（＝α_１’）、αｃ、β_ｍ（＝β_ｍ’）、β_１、Δ_１、β_ｍ−１、Δ_ｍ−１、α_ｍ、Δ_ｍはｍによらず一定である。
また、ｍ＝２（ｎ＝４、５）の場合には、α_１、α_１’、α_２、α_２’、β_２、β_２’をそれぞれｍが３の場合のα_１、α_１’、α_３、α_３’、β_３、β_３’と等しくするとともに、β_１をｍが３の場合のβ_１又はβ_２のいずれかと等しくし、β_１’をｍが３の場合のβ_１’又はβ_２’のいずれかと等しくする（但し、±１０％程度のずれは許容されるものとする）。
【０１２２】
ｍ＝１（ｎ＝３）の場合には、一対の記録パワー照射区間α_１’Ｔとバイアスパワー照射区間β_１’Ｔからなる記録光の照射を行う。
記録方式ＤＶＤ１−２；
波長６５０ｎｍの光を、開口数ＮＡが０．６５の光学系を介して照射する。
この際、１つの非晶質マークの時間的長さをｎＴ（ｎは３〜１１の整数と１４）としたとき、
記録マーク間に対しては、非晶質を結晶化し得る消去パワーＰｅを照射し、
ｎ＝２ｍ（ｍは３以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｊ）Ｔ、（ｊは−２．０〜２．０なる実数）を、
α_１Ｔ、β_１Ｔ、α_２Ｔ、β_２Ｔ、・・・・、α_ｍＴ、β_ｍＴ、
からなるｍ個のα_ｉＴとβ_ｉＴとからなる区間に分割し、かつ、各区間がα_１＝０．７〜１．４、α_ｉ＝０．７〜１．２（ｉは２〜ｍ−１の整数であり、α_ｉはかかるｉによらず０．７〜１．４の間の一定値αｃをとる）、β_１＋α_２＝１．７〜２．３、β_ｉ−１＋α_ｉ＝２（ｉは３〜ｍ−１の整数）、β_ｍ−１＋α_ｍ＝１．７〜２．３、α_ｍ＝０．７〜１．２、β_ｍ＝０〜２、の順に、Σ_ｉ（α_ｉ＋β_ｉ）＝ｎ−ｊとなるように分割し、
ｎ＝２ｍ＋１（ｍは３以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｋ）Ｔ、（ｋは−２．０〜２．０なる実数）を、
α_１’Ｔ、β_１’Ｔ、α_２’Ｔ、β_２’Ｔ、・・・・、α_ｍ’Ｔ、β_ｍ’Ｔ、
からなるｍ個のα_ｉ’Ｔとβ_ｉ’Ｔとからなる区間に分割し、かつ、各区間がα_１’＝α_１、β_１’＝β_１、α_ｉ’＝αｃ（ｉ＝２〜ｍ−１の整数）、β_ｉ−１’＋α_ｉ’＝２（ｉは３〜ｍ−１の整数）、β_ｍ−１’＝β_ｍ−１＋Δ_ｍ−１（Δ_ｍ−１＝０〜０．６）、α_ｍ’＝α_ｍ＋Δ_ｍ（０＜Δ_ｍ≦０．６）、Δ_ｍｍ＝Δ_ｍ−１＋Δ_ｍ＝０．５〜１．２、β_ｍ’＝β_ｍの順に、Σ_ｉ（α_ｉ’＋β_ｉ’）＝ｎ−ｋとなるように分割し、
α_ｉＴおよびα_ｉ’Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、記録層を溶融するに足る一定の記録パワーＰｗの記録光（ただし、Ｐｗは１０〜４０ｍＷであり、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．２〜０．６とする）を照射し、
β_ｉＴおよびβ_ｉ’Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、１ｍＷ未満のバイアスパワーＰｂの記録光を照射する。
【０１２３】
さらに、ｍが３以上の場合には、α_１（＝α_１’）、β_１（＝β_１’）、αｃ、β_ｍ−１、Δ_ｍ−１、α_ｍ、β_ｍ、Δ_ｍ’はｍによらず一定である。また、ｍ＝２（ｎ＝４、５）の場合には、α_１、α_１’、β_１、β_１’、α_２、α_２’、β_２、β_２’をそれぞれｍ＝３の場合のα_１、α_１’、β_２、β_２’、α_３、α_３’、β_３、β_３’と等しくする。但し、「等しくする」とはいっても、±１０％程度のずれは許容されるものとする。
【０１２４】
ｍ＝１（ｎ＝３）の場合には、一対の記録パワー照射区間α_１’Ｔとバイアスパワー照射区間β_１’Ｔからなる記録光の照射を行う。
なお、Σ_ｉ（α_ｉ＋β_ｉ）等は、ｉに関して１〜ｍまでの和をとることを意味する。
本発明においては、上記基準線速の６倍速、８倍速、１０倍速、又は１２倍速で書き換え可能なＲＷ−ＤＶＤにおいては、基準線速の２倍速、２．５倍速、３倍速、４倍速、及び５倍速の少なくともいずれか一つの線速においても、変調度ｍ_１４、Ｒ_ｔｏｐ、ジッター、アシンメトリー値、消去比の値が上記数値範囲となるようにするのが好ましい。
【０１２５】
さらに、上記基準速度の２倍速、２．５倍速、３倍速、４倍速、及び５倍速のいずれか少なくとも一つの線速度をＶ_ｍｉｎとし、基準速度の６倍速、８倍速、１０倍速、又は１２倍速をＶ_ｍａｘとした場合に、Ｖ_ｍｉｎとＶ_ｍａｘとの間の全ての線速度Ｖにおいても、変調度ｍ_１４、Ｒ_ｔｏｐ、ジッター、アシンメトリー値、消去比の値が前記数値範囲となるようにするのが好ましい。これにより、後述のＰ−ＣＡＶ又はＣＡＶ方式での記録が可能となる。
【０１２６】
ここで、２倍速、２．５倍速、３倍速、４倍速又は５倍速における変調度ｍ_１４、Ｒ_ｔｏｐ、ジッター、アシンメトリー値、消去比等の規定は、以下のようにして測定される。すなわち、線速３．４９ｍ／ｓを基準速度（１倍速）Ｖ_１としたとき、基準速度の２倍速（２Ｖ_１）、２．５倍速（２．５Ｖ_１）、３倍速（３Ｖ_１）、４倍速（４Ｖ_１）、又は５倍速（５Ｖ_１）のいずれか一つにおいて、データ基準クロック周期ＴがＶＴ＝Ｖ_１Ｔ_１（ただし、Ｔ_１は３８．２ｎｓｅｃであり、Ｖは、２．５Ｖ_１、３Ｖ_１、４Ｖ_１、及び５Ｖ_１のいずれかである。）であるように保ちながらＥＦＭ＋変調された信号を下記記録方式ＤＶＤ２−１乃至は２−２のいずれかの条件内の一つの記録方式で１０回オーバーライト記録した後に、１倍速での再生によって得られる記録信号から与えられる。
記録方式ＤＶＤ２−１；
波長６５０ｎｍの光を、開口数ＮＡが０．６５の光学系を介して照射する。
【０１２７】
この際、１つの非晶質マークの時間的長さをｎＴ（ｎは３〜１１の整数と１４）としたとき、
記録マーク間に対しては、非晶質を結晶化し得る消去パワーＰｅを照射し、
ｎ＝２ｍ（ｍは３以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｊ）Ｔ、（ｊは−２．０〜２．０までの実数）を、
α_１Ｔ、β_１Ｔ、α_２Ｔ、β_２Ｔ、・・・・、α_ｍＴ、β_ｍＴ、
からなるｍ個のα_ｉＴとβ_ｉＴとからなる区間に分割し、かつ、各区間がα_１＝０．１〜１、α_ｉ＝０．１〜１（ｉは２〜ｍ−１の整数であり、α_ｉはかかるｉによらず０．１〜１の間の一定値αｃをとる）、β_１＋α_２＝１．７〜２．３、β_ｉ−１＋α_ｉ＝２（ｉは３〜ｍ−１の整数）、β_ｍ−１＋α_ｍ＝１．７〜２．３、α_ｍ＝０．１〜１、β_ｍ＝０〜２、の順に、Σ_ｉ（α_ｉ＋β_ｉ）＝ｎ−ｊとなるように分割し、
ｎ＝２ｍ＋１（ｍは３以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｋ）Ｔ、（ｋは−２．０〜２．０までの実数）を、
α_１’Ｔ、β_１’Ｔ、α_２’Ｔ、β_２’Ｔ、・・・・、α_ｍ’Ｔ、β_ｍ’Ｔ、
からなるｍ個のα_ｉ’Ｔとβ_ｉ’Ｔとからなる区間に分割し、かつ、各区間がα_１’＝α_１、β_１’＝β_１＋Δ_１（Δ_１＝０．３〜０．６）、α_ｉ’＝αｃ（ｉは２〜ｍ−１の整数）、β_ｉ−１’＋α_ｉ’＝２（ｉは３〜ｍ−１の整数）、β_ｍ−１’＝β_ｍ−１＋Δ_ｍ−１（Δ_ｍ−１＝０〜０．６）、α_ｍ’＝α_ｍ＋Δ_ｍ（０＜Δ_ｍ≦０．６）、Δ_ｍｍ＝Δ_ｍ−１＋Δ_ｍ＝０．３〜０．６、β_ｍ’＝β_ｍの順に、Σ_ｉ（α_ｉ’＋β_ｉ’）＝ｎ−ｋとなるように分割し、
α_ｉＴおよびα_ｉ’Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、記録層を溶融するに足る一定の記録パワーＰｗの記録光（ただし、Ｐｗは１０〜４０ｍＷであり、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．２〜０．６とする）を照射し、
β_ｉＴおよびβ_ｉ’Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、１ｍＷ未満のバイアスパワーＰｂの記録光を照射する。
【０１２８】
さらに、ｍが３以上の場合には、α_１（＝α_１’）、αｃ、β_ｍ（＝β_ｍ’）、β_１、Δ_１、β_ｍ−１、Δ_ｍ−１、α_ｍ、Δ_ｍはｍによらず一定である。
また、ｍ＝２（ｎ＝４、５）の場合には、α_１、α_１’、α_２、α_２’、β_２、β_２’をそれぞれｍが３の場合のα_１、α_１’、α_３、α_３’、β_３、β_３’と等しくするとともに、β_１をｍが３の場合のβ_１又はβ_２のいずれかと等しくし、β_１’をｍが３の場合のβ_１’又はβ_２’のいずれかと等しくする。ここで、±１０％程度のずれは許容されるものとする。但し、ｍ＝２におけるβ_２’に関しては、さらに±０．５の範囲において値を変更しうるものとする。
【０１２９】
ｍ＝１（ｎ＝３）の場合には、一対の記録パワー照射区間α_１’Ｔとバイアスパワー照射区間β_１’Ｔからなる記録光の照射を行う。
記録方式ＤＶＤ２−２；
波長６５０ｎｍの光を、開口数ＮＡが０．６５の光学系を介して照射する。
この際、１つの非晶質マークの時間的長さをｎＴ（ｎは３〜１１の整数と１４）としたとき、
記録マーク間に対しては、非晶質を結晶化し得る消去パワーＰｅを照射し、
ｎ＝２ｍ（ｍは３以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｊ）Ｔ、（ｊは−２．０〜２．０までの実数）を、
α_１Ｔ、β_１Ｔ、α_２Ｔ、β_２Ｔ、・・・・、α_ｍＴ、β_ｍＴ、
からなるｍ個のα_ｉＴとβ_ｉＴとからなる区間に分割し、かつ、各区間がα_１＝０．１〜１、α_ｉ＝０．１〜１（ｉは２〜ｍ−１の整数であり、α_ｉはかかるｉによらず０．１〜１の間の一定値αｃをとる）、β_１＋α_２＝１．７〜２．３、β_ｉ−１＋α_ｉ＝２（ｉは３〜ｍ−１の整数）、β_ｍ−１＋α_ｍ＝１．７〜２．３、α_ｍ＝０．１〜１、β_ｍ＝０〜２、の順に、Σ_ｉ（α_ｉ＋β_ｉ）＝ｎ−ｊとなるように分割し、
ｎ＝２ｍ＋１（ｍは３以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｋ）Ｔ、（ｋは−２．０〜２．０までの実数）を、
α_１’Ｔ、β_１’Ｔ、α_２’Ｔ、β_２’Ｔ、・・・・、α_ｍ’Ｔ、β_ｍ’Ｔ、
からなるｍ個のα_ｉ’Ｔとβ_ｉ’Ｔとからなる区間に分割し、かつ、各区間がα_１＝α_１、β_１’＝β_１、α_ｉ’＝αｃ（ｉは２〜ｍ−１の整数）、β_ｉ−１’＋α_ｉ＝２（ｉは３〜ｍ−１の整数）、β_ｍ−１’＝β_ｍ−１＋Δ_ｍ−１（Δ_ｍ−１＝０〜０．７）、α_ｍ’＝α_ｍ＋Δ_ｍ（０＜Δ_ｍ≦０．６）、Δ_ｍｍ＝Δ_ｍ−１＋Δ_ｍ＝０．５〜１．２、β_ｍ’＝β_ｍ＋Δ_ｍ’（Δ_ｍ’＝０〜１）の順に、Σ_ｉ（α_ｉ’＋β_ｉ’）＝ｎ−ｋとなるように分割し、
α_ｉＴおよびα_ｉ’Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、記録層を溶融するに足る一定の記録パワーＰｗの記録光（ただし、Ｐｗは１０〜４０ｍＷであり、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．２〜０．６とする）を照射し、
β_ｉＴおよびβ_ｉ’Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、１ｍＷ未満のバイアスパワーＰｂの記録光を照射する。
【０１３０】
さらに、ｍが３以上の場合には、α_１（＝α_１’）、β_１（＝β_１’）、αｃ、β_ｍ−１、Δ_ｍ−１、α_ｍ、β_ｍ、Δ_ｍ’はｍによらず一定である。
また、ｍ＝２（ｎ＝４、５）の場合には、α_１、α_１’、β_１、β_１’、α_２、α_２’、β_２、β_２’をそれぞれｍ＝３の場合のα_１、α_１’、β_２、β_２’、α_３、α_３’、β_３、β_３’と等しくする。但し、±１０％程度のずれは許容されるものとする。
【０１３１】
ｍ＝１（ｎ＝３）の場合には、一対の記録パワー照射区間α_１’Ｔとバイアスパワー照射区間β_１’Ｔからなる記録光の照射を行う。
ここに、記録方式ＤＶＤ１−１、１−２、２−１及び２−２において、ｊ，ｋはｎごとに異なる値をとっても良い。また、Ｐｗ、Ｐｂ、Ｐｅは一定のパワ−レベルであり、Ｐｂ≦Ｐｅ≦Ｐｗとしている。そして、記録方式ＤＶＤ１−１、１−２、又は記録方式ＤＶＤ２−１、２−２をもちいて、ＥＦＭ＋ランダムパターンの記録を行うのであるが、Ｐｅ／Ｐｗ比は０．２〜０．６の間のいずれかの値で一定にして、Ｐｗを１０〜４０ｍＷの間で変化させ、最も良好な特性が得られるＰｗにおいて、ジッタ、ｍ_１４、及びＲ_ｔｏｐがそれぞれ、上記の値を満足すればよい。ここで、パワー値Ｐｗ，Ｐｅ，Ｐｂ等は、記録光ビームのうちの主ビームのみのパワーをいい、いわゆる３ビーム法におけるサーボ用のサブビームのように記録に直接関係のないビームに配分されるパワーは除いて考える。Ｐｅ／Ｐｗ比に関しては、まず、０．３〜０．４の間の値を採用し、その結果、上記のｍ_１４、Ｒ_ｔｏｐ、アシンメトリー等の要件が満足されなければ、０．２〜０．３あるいは、０．３〜０．６の間の値を用いる。
【０１３２】
また、記録パルス区間α_ｉＴ、α_ｉ’Ｔ、オフパルス区間β_ｉＴ及びβ_ｉ’Ｔのそれぞれにおける光のパワーレベルは、記録パルス区間ではＰｗでオフパルス区間ではＰｂで一定とする。ただし、高周波重畳を印可する場合は、Ｐｗ及びＰｂはその区間における平均パワーで定義する。さらに、レーザーダイオードの応答上やむを得ないオーバーシュート、アンダーシュートは許容する。記録パルスα_ｉＴ及びα_ｉ’Ｔの立ち上がり立ち下がりは、約２ｎｓｅｃ以下とするが、１ｎｓｅｃ以上２ｎｓｅｃ以下とするのが好ましい。
【０１３３】
記録方式ＤＶＤ１−１、及び１−２は、特開２００１−３３１９３６号公報に示されたような、記録パルス（Ｐｗ照射区間）とオフパルス（Ｐｂ照射区間）とを周期２Ｔを基本とする繰り返し周期で交互に発生させる記録パルス分割方法にさらに検討を加えたものである。すなわち、本発明においては、上記２Ｔ周期をベースとする記録ストラテジーのうち、特に、６乃至１２倍速でオーバーライト可能な相変化型リライタブルＤＶＤに適し、かつ、特に産業上有用な低コストかつ簡便な記録パルス分割方法を見出した。本発明の記録パルスストラテジーを用いることにより、複数のドライブで記録しても記録品位が保ちやすく互換性が確保しやすい記録媒体とその記録方法が提供されるようになる。
【０１３４】
そのために、本発明においては、周期２Ｔを基本とする記録パルス分割方法における可変とすべきパラメータとその範囲を限定する。そして本発明においては、上記周期２Ｔを基本とする記録パルス分割方法における数あるパラメータのうち、６倍速乃至１２倍速における記録品位を良好に保つために必要な最低限のパラメータを見出してこれを変化させている。可変とするパラメータの数を多くすれば６倍速乃至１２倍速での良好な記録の達成は比較的容易とある。しかし、数多くのパラメータを可変とすることは、光記録媒体に記録を行う記録装置におけるパルス発生の電子回路（集積回路）の設計をいたずらに複雑にするだけである。このため、本発明においては上記電子回路（集積回路）の設計を容易にしつつ、かつ６倍速乃至１２倍速での良好な記録を達成できるような最低限のパラメータを見出したのである。
【０１３５】
６倍速乃至１２倍速で良好な記録を行うために可変とすべき最低限のパラメータは、６倍速乃至１２倍速でオーバーライト可能な記録媒体の検討とパルス分割記録方法とを相互にフィードバックをかけながら検討を行うことにより実現できるものである。従って、本発明は、記録媒体と記録方法とを同時に実現するという高度な創作により実現されたものである。
【０１３６】
このような検討により、本発明においては、未だ実現されていない２あるいは２．５倍速から６あるいは１２倍速という極めて広範囲の線速度で、記録及び再生の互換性の高い記録媒体と記録方法を提供することができるようになるのである。
ＲＷ−ＤＶＤにおけるＥＦＭ＋変調においては、マーク長ｎＴは、ｎ＝３，４，５，６，７，８，９，１０，１１、１４の場合があるが、それぞれを、ｍ＝１，２，２，３，３，４，４，５，５、７個の２Ｔを基本とする周期に分割し、ｍ個の記録パルスとオフパルスの組に分割した記録パルスで記録を行う。本発明では、６倍速、８倍速、１０倍速、又は１２倍速でオーバーライト可能なＲＷ−ＤＶＤを明確に規定するために、特に記録方式ＤＶＤ１−１、及び１−２に示したような限定を行っている。
【０１３７】
図３は、上記記録方式ＤＶＤ１−１、及び２−１におけるパルス分割方法を実施する場合の、各記録パルスの関係の一例を示した図である。尚、図３（ｂ）におけるマーク長２ｍＴを形成するための記録パルス及びオフパルスの時間幅は、本来は、α_１Ｔ、β_１Ｔ、αｃＴ、…、α_ｍＴ、β_ｍＴと表されるが、図を見やすくする観点から、図３（ｂ）においては、単にα_１、β_１、αｃ、…、α_ｍ、β_ｍと記載し、基準クロック周期Ｔの表示を省略してある。これは図３（ｃ）においても同様である。
【０１３８】
図３に示すように、本発明の光記録方法においては、ｎＴマークのｎのとり得る値が奇数であるか偶数であるかに分けて考える。分割数ｍが同じ偶数長マークと奇数長マークのマーク長差１Ｔの補正を、先頭の記録パルスの次のオフパルス区間β_１Ｔ及び最後尾から２番目の記録パルス周期（β_ｍ−１＋α_ｍ）Ｔに分散して割り当てる。つまり、マーク長１Ｔの補正をオフパルス長β_１Ｔ及びβ_ｍ−１Ｔ、さらには最後尾の記録パルス区間パルスα_ｍＴの調整にて行う。
【０１３９】
図３において、３００は周期Ｔの基準クロックをあらわす。
図３（ａ）は、長さｎＴ＝２ｍＴ、もしくはｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔの記録マークに対応したパルス波形であり、符号３０１が長さ２ｍＴの記録マークの長さに、符号３０２が長さ（２ｍ＋１）Ｔの記録マークの長さに対応する。図３（ａ）においては、ｍ＝５の場合が示してある。
【０１４０】
図３（ｂ）の３０３は、ｎ＝２ｍ（＝１０）の場合の分割記録パルスの波形であり、図３（ｃ）の３０７は、ｎ＝２ｍ＋１（＝１１）の場合の分割記録パルスの波形である。
Ｔ_ｄ１にＴをかけた値は、α_１Ｔ及びα_１’ＴのｎＴマークの前端Ｔ_０に対する遅延時間であり、通常はｎによらず一定とし、さらに通常は、記録パルス発生回路の同期の取り易さから、（Ｔ_ｄ１＋α_１）Ｔ＝（Ｔ_ｄ１＋α_１’）Ｔ＝２Ｔとするが、さらに±０．５Ｔ程度の微調整は許容する。特に、３Ｔ，４Ｔ，５Ｔマークにおいては、そのような遅延時間の微調整を行うことが好ましい。記録パルス区間α_ｉＴ（ｉ＝１〜ｍ）における記録パワーレベルはＰｗで一定であり、オフパルス区間β_ｉＴ（ｉ＝１〜ｍ）におけるバイアスパワーレベルはＰｂで一定であり、マークとマークの間、すなわちα_ｉＴ（ｉ＝１〜ｍ）及びβ_ｉＴ（ｉ＝１〜ｍ）以外の区間における光照射のパワーは消去パワーＰｅで一定とする。ｎが偶数の場合は、先頭の記録パルスと最後尾のオフパルスを除く区間３０４（つまり図３の３０５、３０６を除く区間）では、（β_ｉ−１＋α_ｉ）Ｔ＝２Ｔ（ｉ＝２〜ｍ）で一定とする。ただし、（β_１＋α_２）Ｔ、及び（β_ｍ−１＋α_ｍ）Ｔについてのみ、±０．３Ｔの範囲で微調整可能とする。一方、ｎが奇数の場合は、図３の区間３０８、（β_ｉ−１’＋α_ｉ’）Ｔ＝２Ｔ（ｉ＝３〜ｍ−１）で一定とする。
【０１４１】
そして、同一分割数でｎ＝２ｍ及び２ｍ＋１の２種類のマーク長を記録するために、区間（β_１＋α_２）Ｔ、及び区間（β_ｍ−１＋α_ｍ）Ｔをそれぞれ約０．５Ｔずつ増減して長さを調整する。なお、熱干渉等の影響で、この値は正確に０．５Ｔとなるとは限らないが、概ね０．３Ｔ〜０．６Ｔの範囲にある。β_ｍ及びβ_ｍ’は、０〜２の範囲にあってほぼ同じ値をとるが、β_ｍ＝β_ｍ’とすることが好ましい。
【０１４２】
図３において、偶数長マークｎＴ＝１０Ｔと奇数長マークｎＴ＝１１Ｔのマーク長の差１Ｔ分の記録は、以下の操作１、２によって行われる。
操作１： 図３の区間３０９のように、区間（β_１’＋α_２’）Ｔの、β_１’のみにΔ_１を付加し、β_１’＝β_１＋Δ_１、α_２’＝αｃとする。
操作２： 図３の区間３１０のように、区間（β_ｍ−１’＋α_ｍ’）ＴにΔ_ｍｍＴを付加する。ここで、Δ_ｍｍ＝Δ_ｍ−１＋Δ_ｍとして、Δ_ｍｍをΔ_ｍ−１とΔ_ｍとに分けて、β_ｍ−１にはΔ_ｍ−１を付加し、α_ｍにはΔ_ｍを付加する。尚、Δ_ｍ−１はゼロであってもよい。
【０１４３】
本発明においては、Δ_ｍを０よりも大きくする（Δ_ｍ＞０とする）して、α_ｍ≠α_ｍ’とする。Δ_ｍを０よりも大きくすることにより、同一分割数ｍのうちのｎが奇数である記録マーク後端部の形状が安定してジッタ特性が飛躍的に改善される。さらに好ましいのは、Δ_ｍ−１とΔ_ｍとをほぼ等しい値とすることである。Δ_ｍ−１とΔ_ｍとをほぼ等しくすれば、ジッタ特性を良好に保ちつつも、記録パルスストラテジーの記録パルス及びオフパルスにおけるレーザー光（パルス光）の発生を制御する電子回路（集積回路）の設計を簡便にすることができるようになる。
【０１４４】
以上の操作は３以上のｍにおいて行われ、Δ_１、Δ_ｍｍは、０．３〜０．６の値をとるものとする。Δ_ｍ−１、及びΔ_ｍは、Δ_ｍｍをどのように配分するかによって値が決まり、Δ_ｍ−１は０〜０．６の値をとり得、Δ_ｍは０より大きく、０．６以下の値を取り得る。
前述したように、区間（β_１＋α_２）Ｔ、及び区間（β_ｍ−１＋α_ｍ）Ｔをそれぞれ約０．５Ｔずつ増減して長さを調整するためには、Δ_１、Δ_ｍ−１、Δ_ｍ、及びΔ_ｍｍを０．６としてもよいが、Δ_１、Δ_ｍ−１、Δ_ｍは、０．５以下の値とすることが好ましい。
【０１４５】
以下、記録方式ＤＶＤ１−１におけるｍが３以上、ｍ＝２、及びｍ＝１の場合についてそれぞれ説明する。記録方式ＤＶＤ２−１については後述する。
記録方式ＤＶＤ１−１においては、ｍが３以上では、α_１’＝α_１、β_ｍ’＝β_ｍとし、α_ｉ及びα_ｉ’は、ｉ＝２〜ｍ−１に対しては、αｃでｉによらず一定とする。また、α_ｍ及びα_ｍ’もｍによらず一定値とする。さらにα_１（α_１’）は、０．７〜１．４、αｃは０．７〜１．２、α_ｍは０．７〜１．２とする。
【０１４６】
さらに、ｍが３以上の場合には、α_１（＝α_１’）、αｃ、β_ｍ（＝β_ｍ’）、β_１、Δ_１、β_ｍ−１、Δ_ｍ−１、Δ_ｍはｍによらず一定とする。６倍速又は８倍速においては、αｃ＝α_ｉ（ｉ＝２〜ｍ−１）は、まず、０．９〜１の範囲の値とし、その後±０．２の範囲（０．７〜１．２の範囲）で微調整を行う。α_１及びα_ｍは、まずαｃと同じ値を採用し、そしてαｃより最大０．３程度大きい範囲で微調整を行うものとする。
【０１４７】
ここで、ｍ＝２（ｎ＝４，５）の場合に、ｍ−１＝１であるから、区間（β_１＋α_２）Ｔは、区間（β_ｍ−１＋α_ｍ）Ｔとも解される。この場合、（β_１’＋α_２’）Ｔを（β_１＋α_２）Ｔより約１Ｔ長くするのであるが、より具体的には、α_１、α_１’、α_２、α_２’、β_２、β_２’をそれぞれｍが３の場合のα_１、α_１’、α_ｍ、α_ｍ’、β_ｍ、β_ｍ’と等しくするとともに、β_１をｍが３の場合のβ_１又はβ_ｍ−１のいずれかと等しくし、β_１’をｍが３の場合のβ_１’又はβ_ｍ−１’のいずれかと等しくする。尚、「等しくする」とはいっても、±１０％程度のずれは許容されるものとする。
【０１４８】
このようにして、偶数長マークに対して、図３（ｂ）の点線で示される記録パルス列３０３が得られ、奇数長マークに対して、図３（ｃ）の点線で示される記録パルス列３０７が得られる。
なお、ｍ＝１（ｎ＝３）の場合には、一対の記録パワー照射区間α_１’Ｔとバイアスパワー照射区間β_１’Ｔからなる記録光の照射を行う。この場合、α_１’は、２以上のｍにおけるα_１’より０．１から１．５程度大きくし、β_１’は２以上のｍにおけるβ_１’より小さく、かつ、β_ｍ、β_ｍ’と同じか、それらより大きくするのが好ましい。また、β_１’の範囲は０以上２以下とすることが好ましい。
【０１４９】
図１６は、上記記録方式ＤＶＤ１−２、及び２−２におけるパルス分割方法を実施する場合の、各記録パルスの関係の一例を示した図である。尚、図１６（ｂ）におけるマーク長２ｍＴを形成するための記録パルス及びオフパルスの時間幅は、本来は、α_１Ｔ、β_１Ｔ、αｃＴ、…、α_ｍＴ、β_ｍＴと表されるが、図を見やすくする観点から、図１６（ｂ）においては、単にα_１、β_１、αｃ、…、α_ｍ、β_ｍと記載し、基準クロック周期Ｔの表示を省略してある。これは図１６（ｃ）においても同様である。
【０１５０】
図１６に示すように、ｎＴマークのｎのとり得る値が奇数であるか偶数であるかに分けて考える。分割数ｍが同じ偶数長マークと奇数長マークのマーク長差１Ｔの補正を、最後尾から２番目の記録パルス周期（β_ｍ−１＋α_ｍ）Ｔ及び最後尾のオフパルスβ_ｍＴに分散して割り当てる。つまり、マーク長１Ｔの補正をオフパルス長β_ｍ−１Ｔ及びβ_ｍＴ、さらには最後尾の記録パルス区間パルスα_ｍＴの調整にて行う。
【０１５１】
この記録方式は、図３に示した記録方式（記録方式ＤＶＤ１−１、２−１）と比較して、偶数、奇数マークで変化させる記録パルス及びオフパルスが、マークの後端部付近に集中しているので、記録マークの後端ジッタがより制御しやすくなる利点を有するのみならず、記録パルスストラテジーの記録パルス及びオフパルスにおけるレーザー光（パルス光）の発生を制御する電子回路（集積回路）の設計が簡便となる利点がある。また、可変とするパラメータ数が少ないという利点がある。
【０１５２】
図１６において、４００は周期Ｔの基準クロックをあらわす。
図１６（ａ）は、長さｎＴ＝２ｍＴ、もしくはｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔの記録マークに対応したパルス波形であり、符号４０１が長さ２ｍＴの記録マークの長さに、符号４０２が長さ（２ｍ＋１）Ｔの記録マークの長さに対応する。図１６（ａ）においては、ｍ＝５の場合が示してある。
【０１５３】
図１６（ｂ）の４０３は、ｎ＝２ｍ（＝１０）の場合の分割記録パルスの波形であり、図１６（ｃ）の４０６は、ｎ＝２ｍ＋１（＝１１）の場合の分割記録パルスの波形である。
Ｔ_ｄ１にＴをかけた値は、α_１Ｔ及びα_１’ＴのｎＴマークの前端Ｔ_０に対する遅延時間であり、通常はｎによらず一定とし、さらに通常は、記録パルス発生回路の同期の取り易さから、（Ｔ_ｄ１＋α_１）Ｔ＝（Ｔ_ｄ１＋α_１’）Ｔ＝２Ｔとするが、さらに±０．５Ｔ程度の微調整は許容する。特に、３Ｔ，４Ｔ，５Ｔマークにおいては、そのような遅延時間の微調整を行うことが好ましい。記録パルス区間α_ｉＴ（ｉ＝１〜ｍ）における記録パワーレベルはＰｗで一定であり、オフパルス区間β_ｉＴ（ｉ＝１〜ｍ）におけるバイアスパワーレベルはＰｂで一定であり、マークとマークの間、すなわちα_ｉＴ（ｉ＝１〜ｍ）及びβ_ｉＴ（ｉ＝１〜ｍ）以外の区間における光照射のパワーは消去パワーＰｅで一定とする。ｎが偶数である場合には、区間４０４では、（β_ｉ−１＋α_ｉ）Ｔ＝２Ｔ（ｉ＝２〜ｍ）で一定とする。ただし、（β_１＋α_２）Ｔ、及び（β_ｍ−１＋α_ｍ）Ｔについてのみ、±０．３Ｔの範囲で微調整可能とする。一方、ｎが奇数の場合は、図１６の区間４０７では、（β_ｉ−１’＋α_ｉ’）Ｔ＝２Ｔ（ｉ＝２〜ｍ−１）で一定とする。ただし、（β_１’＋α_２’）Ｔは（β_１＋α_２）Ｔと等しくする。
【０１５４】
そして、同一分割数でｎ＝２ｍ及び２ｍ＋１の２種類のマーク長を記録するために、区間（β_ｍ−１＋α_ｍ）Ｔをそれぞれ約１Ｔ増減して長さを調整する。なお、熱干渉等の影響で、この値は正確に１Ｔとなるとは限らないが、概ね０．５〜１．２Ｔの範囲とする。β_ｍとβ_ｍ’とは、０〜２の範囲（記録方式ＤＶＤ２−２では、β_ｍ’＝０〜３の範囲）でほぼ同じ値をとるが、マーク後端ジッタへの影響を補正するために、β_ｍ、β_ｍ’も個別に微調整する。特に、記録方式ＤＶＤ２−２ではβ_ｍ’＝β_ｍ＋Δ_ｍ’とし、β_ｍにΔ_ｍ’（＝０〜１）を付加する。
【０１５５】
図１６において、偶数長マークｎＴ＝１０Ｔと奇数長マークｎＴ＝１１Ｔのマーク長の差１Ｔ分の記録は、以下の操作３によって行われる。
操作３： 図１６の区間４０８のように、区間（β_ｍ−１＋α_ｍ）ＴにΔ_ｍｍＴを付加して、（β_ｍ−１’＋α_ｍ’）Ｔとする。ここで、Δ_ｍｍ＝Δ_ｍ−１＋Δ_ｍとして、Δ_ｍｍをΔ_ｍ−１とΔ_ｍとに分けて、β_ｍ−１にはΔ_ｍ−１を付加し、α_ｍにはΔ_ｍを付加する。また、マーク後端のジッタへの影響を補正するため、β_ｍにΔ_ｍ’を付加して、β_ｍ’とする。
【０１５６】
以上の操作は３以上のｍにおいて行われ、Δ_ｍｍは、０．５〜１．２の値をとるものとする。Δ_ｍ−１、及びΔ_ｍは、Δ_ｍｍをどのように配分するかによって、Δ_ｍ−１は０〜０．６（記録方式ＤＶＤ２−２では、０〜０．７）、Δ_ｍは０より大きく０．６以下の値をとり得る。Δ_ｍ−１はゼロであってもよいが、Δ_ｍは０よりも大きくして、α_ｍ≠α_ｍ’とする。Δ_ｍを０よりも大きくすることにより、同一分割数ｍのうちのｎが奇数である記録マーク後端部の形状が安定してジッタ特性が飛躍的に改善される。さらに好ましいのは、Δ_ｍ−１とΔ_ｍとをほぼ等しい値とすることである。Δ_ｍ−１とΔ_ｍとをほぼ等しくすれば、ジッタ特性を良好に保ちつつも、パルス光の発生を制御する電子回路（集積回路）の設計を簡便にすることができるようになる。
【０１５７】
Δ_ｍ’は０〜１の値をとり、より好ましくは０〜０．６の値をとる。特に４倍速程度より低線速度では、６、８、１０、又は１２倍速における場合より、Δ_ｍ’は大きくするのが好ましい。一方、６、８、１０、又は１２倍速では、Δ_ｍ’＝０とするのが好ましい。
以下、記録方式ＤＶＤ１−２におけるｍが３以上、ｍ＝２、及びｍ＝１の場合についてそれぞれ説明する。記録方式ＤＶＤ２−２については後述する。
【０１５８】
記録方式ＤＶＤ１−２においては、ｍが３以上では、α_１’＝α_１、β_１’＝β_１とし、α_ｉ及びα_ｉ’は、ｉ＝２〜ｍ−１に対しては、αｃでｉによらず一定とする。また、α_１（＝α_１’）は、０．７〜１．４の範囲の値をとり、αｃ及びα_ｍは０．７〜１．２の範囲の値とする。より好ましくは、α_１（＝α_１’）、αｃ、及びα_ｍは０．７〜１の範囲とする。
【０１５９】
さらに、ｍが３以上の場合には、α_１（＝α_１’）、β_１、αｃ、β_ｍ−１、Δ_ｍ−１、α_ｍ、Δ_ｍ、β_ｍ、Δ_ｍ’はｍによらず一定とする。６倍速又は８倍速においては、αｃ＝α_ｉ（ｉ＝２〜ｍ）は、まず、１とし、その後さらに±０．２の範囲で微調整を行うのが好ましい。α_１及びα_ｍは、まずαｃと同じ値を採用し、そしてαｃより最大０．３程度大きい範囲で微調整を行う。Δ_ｍ、Δ_ｍ−１は約０．４を初期値とし、所定のマーク長が得られるように微調整を行う。また、区間４１０のβ_ｍ’はまず、区間４０５のβ_ｍと等しくし、その後、微調整を行う。
【０１６０】
ここで、ｍ＝２の場合に、（β_１’＋α_２’）Ｔを（β_１＋α_２）Ｔより約１Ｔ長くするのであるが、ｍ−１＝１であるから、それぞれを、（β_ｍ−１’＋α_ｍ’）Ｔ及び（β_ｍ−１＋α_ｍ）Ｔとみなすことができる。そして、α_１、α_１’、β_１、β_１’、α_２、α_２’、β_２、β_２’をそれぞれｍ＝３の場合のα_１、α_１’、β_２、β_２’、α_３、α_３’、β_３、β_３’と等しくする。ただし、ｍ＝２のα_１、α_１’、β_１、β_１’、α_２、α_２’、β_２、及びβ_２’は、±１０％程度の微調整をさらに行っても良い。
【０１６１】
このようにして、偶数長マークに対して、図１６（ｂ）の点線で示される記録パルス列４０３が得られ、奇数長マークに対して、図１６（ｃ）の点線で示される記録パルス列４０６が得られる。
なお、ｍ＝１（ｎ＝３）の場合には、一対の記録パワー照射区間α_１’Ｔとバイアスパワー照射区間β_１’Ｔからなる記録光の照射を行う。この場合、α_１’は、２以上のｍにおけるα_１’より０．１から１．５程度大きくするのが好ましい。また、β_１’の範囲は０以上２以下とすることが好ましい。
【０１６２】
記録方式ＤＶＤ２−１においては、記録方式ＤＶＤ１−１と同様のルールで偶数長マークと奇数長マークを記録し、記録方式ＤＶＤ２−２においては、記録方式ＤＶＤ１−２と同様のルールで偶数長マークと奇数長マークを記録するのであるが、α_ｉ、α_ｉ’（ｉ＝１〜ｍ）は、６から１２倍速の線速で記録する場合より小さな値とし０．１〜１の範囲とする。これに伴い、β_ｉ、β_ｉ’（ｉ＝１〜ｍ）は、６倍速、８倍速、１０倍速、又は１２倍速の線速で記録する場合より大きい値とする。さらに、記録方式ＤＶＤ２−２の場合には、特にΔ’_ｍを０以上１以下の範囲で可変とする。また、Δ_ｍ−１＋Δ_ｍ＋Δ_ｍ’を０．５以上１．５以下の範囲とするのが好ましい。
【０１６３】
記録方式ＤＶＤ１−１あるいは記録方式ＤＶＤ１−２において最大線速度Ｖ_ｍａｘを６、８、１０、又は１２倍速とした場合のα_ｉ、α_ｉ’をα_ｉ０、α_ｉ０’とするとき、同一媒体を２倍速、２．５倍速、３倍速、４倍速（すなわち、線速Ｖを２Ｖ_１、２．５Ｖ_１、３Ｖ_１、及び４Ｖ_１のいずれかとして）で記録方式ＤＶＤ２−１あるいは記録方式ＤＶＤ２−２において記録する場合には、概ね、α_ｉ＝η（Ｖ／Ｖ_ｍａｘ）α_ｉ０、α_ｉ’＝η（Ｖ／Ｖ_ｍａｘ）α_ｉ０’と設定し、その後微調整±０．１程度の範囲で微調整を行う。
【０１６４】
ここで、ηは０．８〜１．５の範囲の実数である。特に、１．０から１．３の範囲の値をまず採用し、その後、０．８〜１．５の範囲に拡大して測定を行う。なお、記録方式ＤＶＤ２−１、２−２においては、ｎ＝５おいて例外的なルールを適用しうるものとする。
つまり、記録方式ＤＶＤ２−１においては、ｍ＝２（ｎ＝４、５）の場合には、α_１、α_１’、α_２、α_２’、β_２、β_２’をそれぞれｍが３の場合のα_１、α_１’、α_３（α_ｍ）、α_３’（α_ｍ’）、β_３（β_ｍ）、β_３’（β_ｍ’）と等しくするとともに、β_１をｍが３の場合のβ_１又はβ_２（β_ｍ−１）のいずれかと等しくし、β_１’をｍが３の場合のβ_１’又はβ_２’（β_ｍ−１’）のいずれかと等しくする。但し、「等しくする」とはいっても、±１０％程度のずれは許容されるものとする。また、ｍ＝２におけるα_２’及びβ_２’に関しては、さらに±０．５の範囲において値を変更しうるものとする。
【０１６５】
また、記録方式ＤＶＤ２−２においては、ｍ＝２（ｎ＝４、５）の場合には、α_１、α_１’、β_１、β_１’、α_２、α_２’、β_２、β_２’をそれぞれｍ＝３の場合のα_１、α_１’、β_２（β_ｍ−１）、β_２’（β_ｍ−１’）、α_３（α_ｍ）、α_３’（α_ｍ’）、β_３（β_ｍ）、β_３’（β_ｍ’）と等しくする。但し、「等しくする」とはいっても、±１０％程度のずれは許容されるものとする。さらに、ｎ＝３の場合には、β_１’は０以上３以下の範囲とすることが好ましい。
【０１６６】
６倍速までの使用を想定するＲＷ−ＤＶＤにおいては、２倍速と６倍速あるいは、３倍速と６倍速とでの記録特性を規定し、８倍速までの使用を想定するＲＷ−ＤＶＤにおいては、２．５倍速と８倍速とでの記録特性又は、３倍速と８倍速とでの記録特性又は、４倍速と８倍速とでの記録特性をそれぞれ規定し、１０倍速までの使用を想定するＲＷ−ＤＶＤにおいては、４倍速と１０倍速での記録特性を規定し、同様に、１２倍速までの使用を想定するＲＷ−ＤＶＤにおいては、４倍速と１２倍速とでの記録特性又は、６倍速と１２倍速とでの記録特性又は、４倍速と８倍速とでの記録特性をそれぞれ規定することで、後述のＣＡＶ記録方式やＰ−ＣＡＶ記録方式、ＺＣＬＶ記録方式に適した媒体を、ドライブでの記録再生互換性の観点から見てほぼ一義的に規定できる。この場合には、低線速側の測定における記録方式ＤＶＤ２−１又は２−２において、α_ｉ、α_ｉ’、β_ｉ、β_ｉ’の値を上記のように線速に概ね比例するように定めておく（α_ｉ＝η（Ｖ／Ｖ_ｍａｘ）α_ｉ０、α_ｉ’＝η（Ｖ／Ｖ_ｍａｘ）α_ｉ０’）ことが、媒体特性をより良好に規定できるので好ましい。
【０１６７】
このようにして、最小線速と最大線速との比が２倍以上となる異なる記録速度範囲における、複数の記録線速度における書き換え型光記録媒体の特性を定義することは、記録ドライブからみた媒体の記録再生互換性を確保する点からも好ましい方法である。特に、記録方式ＤＶＤ１−１は記録方式ＤＶＤ２−１と組み合わせて用い、記録方式ＤＶＤ１−２は記録方式ＤＶＤ２−２と組み合わせて用いることがより好ましい。
【０１６８】
このように特定範囲の媒体を規定する場合には、記録方式ＤＶＤ１−２と記録方式ＤＶＤ２−２を組み合わせて、最高線速度Ｖ_maxが６倍速、８倍速、１０倍速、又は１２倍速であるＲＷ−ＤＶＤを規定することが特に好ましい。
さらに、このような６倍速、８倍速、１０倍速、又は１２倍速対応の媒体特性の規定方法において、記録方式ＤＶＤ１−２において、特に以下のように限定した記録方式ＤＶＤ１−３とすることで、より具体的に媒体特性を限定できる。従って、そのような媒体を複数の記録装置で記録する場合の互換性が確保できて好ましい。すなわち、
（記録方式ＤＶＤ１−３）
ｍ＝２以上のマーク長においては、Ｔ_d1'＝Ｔ_d1＝２−αｃ、α_i'＝α_i＝αｃ（ｉ＝１〜ｍ−１）、β_i'＝β_i＝２−αｃ（ｉ＝１〜ｍ−２）、α_m＝αｃ、β_m-1＝２−αｃで一定、かつ、β_m-1'＝１＋Δ_m0（０＜Δ_m0≦０．７）、α_m'＝１＋Δ_m0（０＜Δ_m0≦０．７）、β_m'＝β_m＋Δ_m'とし、Δ _m0 、Δ_m'、β_m、をｍによらず一定とする。ここで、ｍ＝２の場合、β₁、β₁'、α₂、α₂'、β₂、β₂'は、それぞれ、ｍ＝３の場合のβ₂（β_m-1）、β₂'（β_m-1'）、α₃（α_m）、α₃'（α_m'）、β₃（β_m）、β₃'（β_m'）とみなす。αｃは０．７〜１．２、より好ましくは０．７〜１、特に好ましくは０．９〜１とする。
【０１６９】
ここで、記録方式ＤＶＤ１−３（６、８、１０、又は１２倍速いずれか一つで適用）と、以下の記録方式ＤＶＤ２−３（２，２．５、３、４、又は５倍速のいずれか一つで適用）を組み合わせて、使用する最高線速度Ｖ_ｍａｘが６倍速、８倍速、１０倍速、又は１２倍速である相変化型リライタブルＤＶＤを規定することが特に好ましい。
【０１７０】
すなわち、（記録方式ＤＶＤ２−３）
ｍ＝２（ｎ＝４）以上のマーク長においては、Ｔ_ｄ１’＋α_１’＝Ｔ_ｄ１＋α_１＝２、α_ｉ＝αｃ（ｉ＝１〜ｍ）、α_ｉ’＝αｃ（ｉ＝１〜ｍ−１）、ただし、αｃ＝０．１〜１、β_ｉ−１＋α_ｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ）、β_ｉ−１’＋α_ｉ’＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）、かつ、β_ｍ−１’＝β_ｍ−１＋Δ_ｍ０（０＜Δ_ｍ０≦０．７）、α_ｍ’＝α_ｍ＋Δ_ｍ０（０＜Δ_ｍ０≦０．７）、β_ｍ’＝β_ｍ＋Δ_ｍ’（Δ_ｍ’＝０〜１）とし、さらにΔ_ｍ０、β_ｍ、Δ_ｍ’をｍによらず一定とする。ここで、ｍ＝２の場合、β_１、α_２、β_２は、それぞれ、ｍ＝３の場合のβ_２（β_ｍ−１）、β_３（β_ｍ）、α_３’（α_ｍ’）とみなす。
【０１７１】
記録方式ＤＶＤ１−３及び２−３においては、分割数ｍが同一である偶数の記録マーク及び奇数の記録マークにおいて、奇数の記録マークを形成する際に、最後の一つ前のオフパルス区間（β_ｍ−１’）と、最後の記録パルス区間（α_ｍ’）とに等しいΔ_ｍ（記録方式ＤＶＤ１−３、２−３ではΔ_ｍ０と表している。）を付与する点に特徴がある。等しいΔ_ｍ（記録方式ＤＶＤ１−３、２−３ではΔ_ｍ０と表している。）を付与することによって、記録マークの形成を行う記録パルスストラテジーの記録パルス及びオフパルスのレーザー光（パルス光）の発生を制御する電子回路（集積回路）の設計が簡便になり、電子回路（集積回路）コストダウンを図ることができるようになる。
【０１７２】
特に、記録マーク後端部の形状を安定させてジッタ特性を改良する観点からは、Δ_ｍを０より大きくすることが好ましい。具体的には、記録方式１−３、２−３においてΔ_ｍ０を０より大きいΔ_ｍ０とし、Δ_ｍ０を０＜Δ_ｍ０≦０．７の範囲とすることが好ましい。記録マーク後端部の形状を安定化するためにさらに好ましいのは、Δ_ｍ０を０＜Δ_ｍ０≦０．６の範囲とすることである。
【０１７３】
また、ｎが奇数である記録マークの後端部の形状を安定化してジッタ特性を改良する観点から、Δ_m'を０≦Δ_m'≦１の範囲とするのが好ましく、０≦Δ_m'≦０．６の範囲とするのがより好ましく、０≦Δ_m'≦０．５の範囲とするのが特に好ましい。
そして、各線速度において、図１７の手順に従って、最小限のパラメータの最適値を見出していく。すなわち、
１）Ｐｗ、Ｐｅ、及びＰｂの暫定値Ｐｗ_a、Ｐｅ_a 、Ｐｂ _a を決める。
２）偶数マーク及びスペース長（ｎ＝４，６，８，１０、１４をすべて含む）だけからなるＥＦＭ＋信号をＰｗ_a，Ｐｅ_a、Ｐｂ_aを照射して記録する。αｃ、β_mを可変として、ｍ₁₄＝０．５５〜０．８となる範囲内で、１倍速再生時に各マーク長及びスペース長が所定の長さとして再生され、ジッター値が１５％以下となるようなαｃ、β_mを決める。
３）続いて、上記偶数長マーク及びスペース長だけからなるＥＦＭ＋信号に、ｎ＝３以外の奇数マーク長およびスペース長（ｎ＝５，７，９，１１をすべて含む）を加えてなるＥＦＭ＋信号をＰｗ_a，Ｐｅ_a、Ｐｂ_aを照射して記録する。αｃ、β_mは、上記値を用い、Δ_m0＝Δ_m-1＝Δ_m、Δ_m'を可変として、１倍速再生時にジッター値が１５％以下となるような値を見出す。
４）最後に、３Ｔマーク及びスペースを加えた、完全なＥＦＭ＋信号をＰｗ_a，Ｐｅ_a、Ｐｂ_aを照射して記録する。ｎ＝２以上のマーク長に関しては、上記、αｃ、β_m、Δ_m0＝Δ_m-1＝Δ_m、Δ_m'値を用いる。ｎ＝３に関する、Ｔ_d1'、α₁'、β₁'のみ可変として、１倍速再生時にジッター値が１５％以下となるような値を見出す。
５）Ｐｗ_a，Ｐｅ_aを可変として、ｍ₁₄＝０．５５〜０．８の範囲で、主としてジッタ又はエラーレートが最小となるようＰｗ，Ｐｅの微調整を行う。
という手順である。各ステップにおいて、ｍ₁₄＝０．５５〜０．８、ジッタ１５％以下が得られなければ、その媒体は本発明要件を満足しないといえる。
【０１７４】
なお、図１７において、Ｐｅ／Ｐｗ比及びＰｗの初期値は以下のようにして求める。
１４Ｔのマーク長とスペース長のみからなる繰り返しパターン（１４Ｔデータと呼ぶ）をＰｅ＝０としてＰｗのみ可変としながら、未記録状態の溝内に記録を行う。この状態でｍ_１４が０．５５〜０．８の範囲となるＰｗを求めて初期値Ｐｗ_ａを求める。もし、Ｐｗを増加させたときに、ｍ_１４が０．５５〜０．８の範囲を超えてさらに増加するようならば、ｍ_１４が０．７程度となるＰｗ値を初期値Ｐｗ_ａとする。次に、該Ｐｗ_ａで記録された１４Ｔデータ信号にＰｅを直流的に照射して、１４Ｔデータ信号のキャリアレベルの低下率をｄＢ（デシベル値）でを測定する。Ｐｅ／Ｐｗ_ａ＝０．２〜０．６の範囲でＰｅを増加させながら、この操作を繰り返し、キャリアレベルの低下率が２５ｄＢを超える最初のＰｅをＰｅの初期値Ｐｅ_ａとする。Ｐｂの初期値Ｐｂ_ａとしては、０＜Ｐｂ_ａ＜１ｍＷなるパワーで再生時にサーボが安定する程度の再生光パワーと等しいパワーを選ぶ。
【０１７５】
なお、本明細書において「オーバーライト」とは、一般に、一旦記録したデータを、特定の処理により、均一な未記録・消去状態に戻すことなく新たなデータを上書きすることを示す。ただし、本発明においては、初期の均一な未記録・消去状態に記録を行う場合もオーバーライトと把える。例えば、上記記録方式ＤＶＤ１−１、１−２、２−１、又は２−２を用いて光記録媒体の特性を評価する場合の「１０回オーバーライト」とは、初期の結晶状態に最初の記録（１回オーバーライト）を行ない、次いで９回オーバーライトを行なうことを意味する。これは、以下の説明においても同様の意味に用いる。
【０１７６】
また、記録方式ＤＶＤ１−１、１−２、２−１、及び２−２における「α_ｉ＋β_ｉ−１＝２」との規定は、（α_ｉ＋β_ｉ−１）が基準クロック周期Ｔとの２倍の時間的長さであることを意味しており、回路設計上不可避的に生じるゆらぎ程度の誤差は含みうるものであり、具体的には、０．１Ｔ程度の差は、実質的に等しいとみなされる。同様に、上記において、例えば特定のα_ｉを他のα_ｉ乃至はα_ｉ’と「等しくする」又は「一定にする」というような場合においても、電子回路で実現する上で不可避のばらつききは許容されるものとする。
【０１７７】
さらにまた、記録方式ＤＶＤ１−１、１−２、２−１、又は２−２における記録光の波長は６３０〜６６０ｎｍ程度の範囲でばらついていても大きな問題とはならない。相変化媒体では、このような波長範囲における波長依存性は極めて小さいからである。
２．媒体の記録層について
本発明の書換え型光記録媒体においては、非晶質マークの高速結晶化による短時間の消去と、非晶質マークの経時安定性とを両立させることが重要である。なおかつ、再生専用ＣＤ−ＲＯＭドライブ又はＤＶＤ−ＲＯＭドライブと再生互換をとるために、基準となる光学系において、高変調度を満足すると共に、反射率その他のサーボ信号特性等を満足させるのが好ましい。
【０１７８】
高速結晶化と経時安定性とを両立するには、基板上に設けられる相変化型記録層の材料の選択がまず重要となる。本発明では該記録層の結晶化速度を速めることが重要であり、これは記録層の組成を調整することにより達成される。
本発明においては、結晶化速度を高めるために、前記相変化型記録層にＳｂを主成分とする組成を用いることが好ましい。なお、本発明において、「所定組成又は所定元素を主成分とする」とは、所定組成又は所定元素が含まれる層全体のうち、前記所定組成又は前記所定元素の含有量が５０原子％以上であることを意味する。Ｓｂを主成分とする理由は、Ｓｂの非晶質は、非常に高速で結晶化できるため、非晶質マークを短時間で結晶化することが可能となる。このため、非晶質状態の記録マークの消去が容易となる。この点から、Ｓｂの含有量は６０原子％以上であることが好ましく、７０原子％以上であることがより好ましい。しかし、一方で、Ｓｂ単独で用いるよりも、非晶質形成を促進させ、かつ非晶質状態の経時安定性を高めるための添加元素をＳｂと共に併用することが好ましい。相変化型記録層の非晶質形成を促進させ、かつ非晶質状態の経時安定性を高めるためには、上記添加元素の含有量を、通常１原子％以上、好ましくは５原子％以上、より好ましくは１０原子％以上とし、一方、通常３０原子％以下とする。
【０１７９】
非晶質形成を促進させ、かつ非晶質状態の経時安定性を高める上記添加元素は、結晶化温度を高める効果もある。このような添加元素としては、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｉ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、希土類元素、Ｔａ、Ｎｂ、Ｖ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｃｏ、窒素、酸素、及びＳｅ等を用いることができる。これら添加元素のうち、非晶質形成の促進、非晶質状態の経時安定性の向上、及び結晶化温度を高める観点から、好ましいのはＧｅ、Ｔｅ、Ｉｎ、Ｇａ、及びＳｎからなる群から選ばれる少なくとも１つとすることであり、特に好ましいのは、Ｇｅ及び／又はＴｅを用いることである。
【０１８０】
上述の通り、本発明においては、相変化型記録層の材料として、ＳｂとＧｅ及び／又はＴｅを併用することが特に好ましい。Ｇｅ及び／又はＴｅをＳｂに添加する際には、相変化型記録層中におけるＧｅの含有量は、１原子％以上３０原子％以下とすることが好ましく、Ｔｅの含有量は０原子％以上３０原子％以下とすることが好ましい。但し、相変化型記録層の主成分をＳｂとした場合にＳｂの含有量は５０原子％以上となるため、Ｓｂと共にＧｅ及びＴｅを相変化型記録層に含有させる場合、Ｇｅ及びＴｅの合計量は５０原子％よりは少なくなるのが好ましい。さらに、ＴｅとＧｅとを比較すると、Ｇｅを含有させる方が好ましい。
【０１８１】
相変化型記録層中におけるＧｅ又はＴｅのそれぞれの含有量は、より好ましくは３原子％以上、さらに好ましくは５原子％以上とする。この範囲とすれば、非晶質マークを安定化する効果が十分に発揮されるようになる。一方、相変化型記録層中におけるＧｅ又はＴｅのそれぞれの含有量は、より好ましくは２５原子％以下、さらに好ましくは２０原子％以下とする。この範囲とすれば、非晶質が安定になりすぎて逆に結晶化が遅くなるという傾向を良好に抑制することができるようになり、結晶粒界での光散乱によるノイズを抑制することができるようになる。また、Ｇｅ及びＴｅの合計含有量は、３０原子％以下が好ましく、２５原子％以下とすることがより好ましい。この範囲とすれば、非晶質が安定になりすぎて逆に結晶化が遅くなるという傾向を良好に抑制することができるようになり、結晶粒界での光散乱によるノイズを抑制することができるようになる。
【０１８２】
本発明の光記録媒体における相変化型記録層に用いる好適な記録層材料の組成は、相変化型記録層中に含有されるＴｅの量によって、２種類に分類することができる。一つは、Ｔｅを１０原子％以上含有する組成であり、もう一つはＴｅを１０原子％未満含有する組成（Ｔｅを含有しない場合を含む）である。
そのひとつは、記録層材料を、Ｔｅを概ね１０原子％以上含みつつ、Ｓｂ_７０Ｔｅ_３０共晶組成よりも過剰のＳｂを含有する合金が主成分である組成範囲とすることである。具体的には、Ｓｂ／Ｔｅを４．５以上、好ましくは５．５以上、一方７．３以下とすることである。
【０１８３】
上記記録材料の組成の具体例としては、ＳｂとＴｅとにＧｅをさらに含んだ組成を挙げることができる。すなわち、Ｓｂ_７０Ｔｅ_３０共晶点組成を基本として大幅に過剰のＳｂを含むＳｂ_７０Ｔｅ_３０合金を母体とし、さらにＧｅを含む、Ｇｅ_ｙ（Ｓｂ_ｘＴｅ_１−ｘ）_１−ｙ（ただし、０．０１≦ｙ≦０．０６、０．８２≦ｘ≦０．９）である組成を主成分とする合金を、上記記録層材料の好ましい組成として挙げることができる。なお、本発明では、組成を原子数比で表す。従って、例えばｙ＝０．０６は、６原子％を意味する。
【０１８４】
Ｓｂ_７０Ｔｅ_３０より過剰のＳｂを含む２元合金をベースとし、さらにＧｅを含んだＧｅＳｂＴｅ組成の合金（以下ＧｅＳｂＴｅ共晶系と呼ぶ）を相変化型記録層に用いると、１０から１２倍速でオーバーライト可能なＣＤ−ＲＷを得ることができる（特開２００１−２２９５３７号公報）。この場合、母体となるＳｂＴｅ合金の組成Ｓｂ_ｘＴｅ_１−ｘは、０．７＜ｘ≦０．８の範囲内に限られる。この材料組成においてさらにＳｂ／Ｔｅ比を高めると、結晶化速度をさらに速めることができる。従って、Ｓｂ／Ｔｅ＝４．５以上（０．８２≦ｘ）とすることで、２４倍速における消去比だけに着目すれば、その値を２０ｄＢ以上と高くすることはできる。しかし、本発明者らの検討によれば、単純にＳｂ／Ｔｅ比を高めるだけでは、光記録媒体製造後の初期結晶状態（未記録状態）でのノイズが下がらず、ジッタが高くなり、１倍速再生でマーク及びスペースジッタが３５ｎｓｅｃ以下というＣＤ−ＲＷ信号品質の要件を満足できる光記録媒体を得ることができないことが判明した。
【０１８５】
すなわち、Ｔｅを１０原子%以上含みＳｂ／Ｔｅ比が４．５以上と高い組成では、Ｇｅ含有量が６原子％を超えると結晶粒界での光散乱によるノイズが非常に高くなる。Ｇｅ含有量が６原子％を越えると、ＧｅＴｅ相が生成して結晶粒界における不整合が顕著な多結晶構造が形成されやすくなるために上記光散乱によるノイズが非常に高くなると推定される。つまり、Ｔｅを１０原子%以上含みＳｂ／Ｔｅ比が４．５以上と高い組成では、Ｇｅ含有量が６原子％を超えると、未記録の結晶状態ですでにノイズが高くなるため、ジッタが高くなってＣＤ−ＲＷとして良好な記録特性を得ることが困難になる。さらに、ＧｅとＴｅとの原子比が近い場合、ＧｅＴｅ相の析出によるものと考えられるノイズの上昇が発生する傾向にあるため、ＧｅとＴｅとの原子比は、１：３以上とすることが好ましく、１：４以上とするのがより好ましい。一方、ＴｅがＧｅに対して過度に含有されると非晶質マークの経時安定性が低下する傾向があるため、ＧｅとＴｅとの原子比は、１：２０以下とすることが好ましく、１：１５以下とすることがより好ましい。
【０１８６】
また、単純にＳｂ／Ｔｅ比を高めた組成では、結晶化速度が速くなりすぎるあまり、非晶質マークが室温近傍でも短時間で再結晶化する傾向があり、信頼性も高く良好なオーバーライト記録特性を有するＣＤ−ＲＷを実現するのは困難であることも判明した。
そこで、本発明者らはさらに検討を進めた結果、Ｓｂ／Ｔｅ比を高めるとともにＧｅ含有量を６原子％以下とし、光記録媒体製造後の初期結晶状態を更に制御することで、高品質な記録信号品質を維持しながら２４倍速でのオーバーライトが可能な書き換え型光記録媒体を得ることができることを見出した。
【０１８７】
上記ＧｅＳｂＴｅ共晶系組成における、媒体製造後の初期結晶状態を制御するために重要となる、記録層成膜後の初期化条件についての詳細は後述し、まずＧｅＳｂＴｅ共晶系組成について述べる。
ＧｅＳｂＴｅ共晶系組成における好ましい組成は、ＳｂＴｅ共晶点組成より過剰のＳｂを含む２元合金に非晶質マークの経時安定性及びジッタの改善のためにＧｅを添加した３元合金をベースとするものと考えることができる。この際、Ｇｅの添加により、ＧｅＳｂＴｅ共晶系組成における過剰Ｓｂによる高速結晶化機能を損ねることなく、非晶質マークの経時安定性を高めることができると考えられる。Ｇｅは、同属のＳｉ，Ｓｎ，Ｐｂに比べて特異的に、非晶質マークの安定性を改善する効果がある。また、Ｇｅは、結晶化温度を高めるとともに、結晶化の活性化エネルギーを高めるのに最も有効な元素であると考えられる。
【０１８８】
Ｇｅ量は、Ｇｅ_ｙ（Ｓｂ_ｘＴｅ_１−ｘ）_１−ｙにおけるｙの値として０．０１以上、特に、０．０２以上であることが好ましい。一方このようにＳｂ含有量が多いＳｂＴｅ共晶組成では、Ｇｅ量が多すぎると、ＧｅＴｅやＧｅＳｂＴｅ系の金属間化合物が析出するとともに、ＳｂＧｅ合金も析出しうるために、相変化型記録層中に光学定数の異なる結晶粒が混在すると推定される。そして、この結晶粒の混在により、記録層のノイズが上昇しジッタが増加することがある。また、Ｇｅをあまりに多く添加しても非晶質マークの経時安定性の効果が飽和するため、通常Ｇｅ量は、上記式（Ｇｅ_ｙ（Ｓｂ_ｘＴｅ_１−ｘ）_１−ｙ）におけるｙの値として、０．０６以下、好ましくは０．０５以下、より好ましくは０．０４以下である。
【０１８９】
一方、過剰Ｓｂが少なすぎると、再結晶化速度が低すぎて２０倍速以上といった高線速で良好なオーバーライトができない場合があるので、特に、２４倍速でオーバーライト可能な媒体では、Ｓｂ／Ｔｅを５．５以上（Ｇｅ_ｙ（Ｓｂ_ｘＴｅ_１−ｘ）_１−ｙにおけるｘの値として、０．８５≦ｘ）、一方６．５以下（Ｇｅ_ｙ（Ｓｂ_ｘＴｅ_１−ｘ）_１−ｙにおけるｘの値として、ｘ≦０．８７）とすることが好ましい。
【０１９０】
ＧｅＳｂＴｅ共晶系の組成を用いる場合、更に好ましいのは、上記ＧｅＳｂＴｅ共晶系組成にさらにＩｎ、Ｇａを含有させる系である。すなわち、Ｍ_ｚＧｅ_ｙ（Ｓｂ_ｘＴｅ_１−ｘ）_{１−ｙ−ｚ}（０．０１≦ｚ≦０．１、０．０１≦ｙ≦０．０６、０．８２≦ｘ≦０．９であり、ＭはＧａ及びＩｎからなる群から選ばれた少なくとも一種の元素を表す。）で表される組成を主成分とする前記相変化型記録層を用いることである。
【０１９１】
上記Ｍ＝Ｇａ，Ｉｎで示される一群の元素のうち少なくとも１種を添加することによりさらに特性が改善される。Ｉｎ、Ｇａはジッタの低減に効果がある。ただし、元素Ｍの量が多すぎると特定の物質の経時的偏析や繰返しオーバーライトによる偏析が起こりやすくなるため、元素Ｍの添加量は、Ｍ_ｚＧｅ_ｙ（Ｓｂ_ｘＴｅ_１−ｘ）_{１−ｙ−ｚ}式におけるｚの量として、好ましくは０．１以下、より好ましくは０．０９以下とする。一方、Ｉｎ、Ｇａの添加によるジッタの低減の効果を発現させるためには、上記ｚの値は、好ましくは０．０１以上、より好ましくは０．０３以上、さらに好ましくは０．０５以上とする。
【０１９２】
ＧｅＳｂＴｅ共晶系の組成において、Ｉｎ、Ｇａ以外に含みうる元素としては窒素、酸素及び硫黄を挙げることができる。これら元素は、繰返しオーバーライトにおける偏析の防止や光学特性の微調整ができるという効果がある。窒素、酸素及び硫黄の含有量は、Ｓｂ、Ｔｅ及びＧｅの合計量に対して５原子％以下であることがより好ましい。
【０１９３】
また、Ｓｎ，Ｃｕ，Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、ＣｏをＧｅＳｂＴｅ共晶系の組成に含有させることもできる。これら元素は、ごく微量の添加により、結晶成長速度を低下させることなく、結晶化温度を上昇させ、さらなる経時安定性の改善に効果がある。ただし、これら元素の量が多すぎると特定の物質の経時的偏析や繰返しオーバーライトによる偏析が起こりやすくなるため、添加量は、通常１原子％以上とし、通常５原子％以下、好ましくは３原子％以下とする。偏析が生じると、記録層が初期に有する非晶質の安定性や再結晶化速度等が変化して、オーバーライト特性が悪化することがある。
【０１９４】
ここで、上述の記録層組成が他の組成に比して特に好ましいことを説明する。
ＩｎＧｅＳｂＴｅ合金については特開平１−６３１９５号公報、特開平１−１４０８３号公報、特開平５−１６５２８号公報、特開平９−２９３２６９号公報にも記載があるが、いずれもＧｅＴｅ−Ｓｂ_２Ｔｅ_３擬似２元合金近傍組成を好ましいとしている。
【０１９５】
本発明の前記組成はこれらとは異なり、ＳｂＴｅ共晶組成を主成分とし、大幅に過剰のＳｂを含む組成である。
本発明においては、相変化記録層の結晶状態において、前記記録層が同一の結晶相を主体として形成されていることが好ましい。その結果、ノイズが減少し、保存安定性が向上し、高速での結晶化が容易となる等の特性を得ることができる。
【０１９６】
Ｓｂ_２Ｔｅ_３等の六方晶構造を有する結晶相やＳｂ等の立方晶ではあるが格子定数が大きく異なる結晶相、さらにはＳｂ_７Ｔｅ、Ｓｂ_２Ｔｅ_３等のその他の空間群に属する他の結晶相が同時に存在する場合、格子不整合の大きな結晶粒界が形成される結果、マークの周辺形状が乱れたり、光学的なノイズが発生したりすると考えられるのに対し、同一の結晶相からなる場合には、このような結晶粒界が生じず、ノイズの減少、保存安定性の向上、及び高速結晶化等が可能となる。
【０１９７】
ここで、記録層を同一の結晶相とするためには、媒体製造後の結晶状態を制御することが重要となる。これは、記録層を基板上に成膜した後の初期結晶化操作を行う際の初期結晶化条件の制御が重要であることを意味する。ＧｅＳｂＴｅ共晶系の組成における上記初期結晶化操作の詳細については後述する
本発明に用いるＳｂを主成分とする記録層は、結晶成長が主体の結晶化過程を示す。すなわち、通常、結晶化過程は、結晶化温度以上の相対的に低温領域で起きる結晶核生成と、むしろ融点直下の相対的に高温領域で進行する結晶核の成長という２つの過程を経るが、本発明に用いるＳｂを主成分とする記録層は、結晶核生成が少なく、結晶成長速度が極めて速いという特徴を有する。
【０１９８】
本発明に用いる光記録媒体は、該光記録媒体を構成する記録層等の各層を成膜した後に、該記録層を初期結晶化して記録層を高反射率の未記録・消去状態とて製品とされる。そして、記録層への情報の記録は、記録層に局所的に集束光ビームを照射して該記録層を溶融せしめ、急冷することで非晶質マークを形成することにより行う。一方、記録層からの情報の消去は、形成された前記非晶質マークを再結晶化することによって再び記録層を結晶状態に戻すことによって行う。
【０１９９】
ここで、上記消去（再結晶化）は、その周辺の結晶相を結晶核として、非晶質マーク周辺部からの結晶成長で非晶質部を埋め尽くすことにより達成される。したがって、非晶質マーク内部での結晶核生成の寄与は少なく、融点直下に近い高温で進行する、周辺結晶部からの結晶成長の寄与が支配的である。
このような、周辺結晶部からの結晶成長が主体の光記録媒体における消去は、当然、非晶質マークのサイズに依存する（例えば、Ｇ．Ｆ．Ｚｈｏｕ ｅｔ．ａｌ．， Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ、Ｖｏｌ．４０９０（２０００）、１０８ページを参照）。特に、ＣＤやＤＶＤのようなマーク長変調記録においては記録再生用の集束光ビーム進行方向に沿って細長いマークが形成されるので、上記消去は進行方向に対して横断方向のマーク幅に依存する。つまり、マーク幅が広いほど、消去に時間がかかる。
【０２００】
したがって、最近開発が行われ始めた、波長λ＝４００ｎｍ程度、集束光ビームの集束用対物レンズのＮＡ＝０．８５程度の光学系（以下、青色記録系と称する）での高密度マーク長変調記録よりも、相対的に低記録密度であるＣＤ−ＲＷ、ＲＷ−ＤＶＤの方が、非晶質マークの大きさが大きくなる分、高速消去が困難で、高速オーバーライト記録が難しいという事情がある。
【０２０１】
本発明者らの検討によれば、特にＳｂ／Ｔｅ比が同じ記録層組成ならば、概ねλ／ＮＡで決まる集束光ビームの径の平方根とオーバーライト可能な線速度の上限とは反比例することがわかった。例えば、上記、青色記録系では、Ｇｅを添加したＳｂＴｅ共晶系記録層を用いて、すでに２０ｍ／ｓ程度でオーバーライト可能な記録層が本発明者らによって報告されている（Ｈｏｒｉｅ ｅｔ．ａｌ．，Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ、 Ｖｏｌ．４３４２（２００１）、 ７６ページ）。青色記録系では、概ねＳｂ／Ｔｅ比が４程度であっても２０ｍ／ｓでのオーバーライトが達成できる。しかしながら、ＲＷ−ＤＶＤ系（λ＝６６０ｎｍ、ＮＡ＝０．６５）では、約１４ｍ／ｓ程度までしかオーバーライトができない。また、ＣＤ−ＲＷ系（λ＝７８０ｎｍ、ＮＡ＝０．５）では、１１ｍ／ｓ程度でしかオーバーライトができない。つまり、青色記録系で、２０ｍ／ｓ程度より高線速でオーバーライト可能な記録層を単純に適用しても、ＣＤ−ＲＷでの１８〜２０倍速やＲＷ−ＤＶＤでの５倍速程度では良好なオーバーライトはできない。さらに、青色記録系では、結晶粒によるノイズの影響が低くて、Ｓｂ／Ｔｅ比が高く比較的結晶粒界ノイズの大きな記録層でも適用可能であるが、ＣＤ−ＲＷやＲＷ−ＤＶＤに適用する場合は、Ｓｂ／Ｔｅ比が高くなることによる結晶粒界のノイズの影響は無視できなくなる。
【０２０２】
このため、ＳｂＴｅ共晶系材料をＲＷ−ＤＶＤ、ＣＤ−ＲＷに適用するためには、Ｓｂ／Ｔｅをより高くして、少なくとも４．５以上とせねばならない。一方、単純にＳｂ／Ｔｅ比を高めれば良いのではなく、前述のような組成範囲及び後述のような初期化方法に工夫して、より結晶粒界によるノイズを低くするための対策を行う必要がある。また、室温近傍における非晶質マークの安定性にも一層注意を払わねばならない。もちろん、本発明に用いる光記録媒体の他の構成要素である保護層等の膜厚等に関しても、変調度、Ｒ_ｔｏｐを考慮した大幅な見直しが必要であることはいうまでもない。
【０２０３】
相変化型記録層中に含有されるＴｅの量によって分類することができる、本発明の光記録媒体に用いるもう一つの好適な記録層材料の組成としては以下のものをあげることができる。すなわち、相変化型記録層の組成を、Ｓｂを主成分としつつ、Ｔｅを１０原子％未満とし、さらにＧｅを必須成分として含有するようにするのである。このような組成とすることにより、ＣＤ−ＲＷの３２倍速でのオーバーライトが可能となる。
【０２０４】
上記相変化型記録層の組成の具体例としては、Ｇｅ_１０Ｓｂ_９０近傍組成の共晶合金を主成分とし、Ｔｅを１０原子％未満含有する合金（本明細書においては、これをＧｅＳｂ系共晶合金と呼ぶ場合がある。）を好ましく挙げることができる。
Ｔｅ添加量が１０原子％未満の組成は、ＳｂＴｅ共晶ではなく、ＧｅＳｂ共晶を基本とするＧｅＳｂ系共晶合金としての性質を有するようになる。このＧｅＳｂ系共晶合金は、Ｇｅ含有量が１０原子％程度と高くても、初期結晶化後の多結晶状態の結晶粒径は比較的微細なために結晶状態が単一相となりやすく、ノイズが低い。ＧｅＳｂ系共晶合金においては、Ｔｅは、付加的に添加されるにすぎず必須元素とはならない。
【０２０５】
ＧｅＳｂ系共晶合金では、Ｓｂ／Ｇｅ比を相対的に高くすることで、結晶化速度を速めることができ、再結晶化による非晶質マークの再結晶化が可能である。
本発明者等の検討によれば、このＧｅＳｂ系共晶合金を相変化記録材料として用いた光記録媒体は、ＣＤ−ＲＷにおいて３２倍速で消去比２５ｄＢを達成しうるほど、高速結晶化が可能でありながら、非晶質マークは、上記ＧｅＳｂＴｅ共晶系よりさらに安定であることがわかった。また、このＧｅＳｂ系共晶合金を相変化記録材料として用いた光記録媒体は、上記ＧｅＳｂＴｅ共晶系で、２４倍速、さらには、３２倍速での消去を可能にするためにＳｂ／Ｔｅ比を高めた場合に見られるノイズの増加がなく、低ノイズでの記録が可能になるなどの特徴があることも見出した。
【０２０６】
実際に、透過電子顕微鏡により、未記録又は消去状態の結晶状態にある記録層を剥離して観察したところ、これらＧｅＳｂ共晶をベースとする合金記録層では、ＳｂＴｅ共晶をベースとする合金記録層よりも、結晶粒径が小さくなっており、これが結晶粒界や結晶の異方性による光の散乱に由来するノイズの低下に有効であることがわかった。
【０２０７】
ここで、このＧｅＳｂ系共晶合金を主成分とする場合には、Ｇｅの含有量は１原子％以上、３０原子％以下とするのが好ましい。
このようなＧｅＳｂ系共晶合金の好ましい組成としては、
Ｔｅ_γＭ１_β（Ｇｅ_αＳｂ_１−α）_{１−βーγ}
（ただし、０．０１≦α≦０．３、０≦β≦０．３、０≦γ＜０．１、２≦β／γ、０＜β＋γ≦０．４であり、Ｍ１はＩｎ、Ｇａ、及びＳｎからなる群から選ばれる一つである。）を挙げることができる。ＧｅＳｂ２元共晶合金に、Ｉｎ、Ｇａ、又はＳｎを添加することにより、結晶状態と非晶質状態の光学的特性差を大きくする効果を顕著とすることができ、ＣＤ−ＲＷ及びＲＷ−ＤＶＤの互換媒体において高い変調度を得ることができるようになる。
【０２０８】
上記ＴｅＭ１ＧｅＳｂ系の組成においては、Ｇｅは、非晶質の形成を容易にし、非晶質の記録マークの保存安定性を高める働きがある。このため、Ｇｅの含有量を示すαは、通常０．０１以上とするが、好ましくは０．０３以上、より好ましくは０．０５以上とする。一方で、Ｇｅの含有量が多くなると結晶化速度が低下するので、２０ｍ／ｓ以上の高速記録でのオーバーライトにおける消去性能を確保するためには、αは、通常０．３以下とするが、０．２以下とするのが好ましい。
【０２０９】
また、上記ＴｅＭ１ＧｅＳｂ系の組成においては、元素Ｍ１はＩｎ、Ｇａ、及びＳｎからなる群から選ばれる一つとする。
元素Ｍ１としてＩｎ、Ｇａを用いることで、超高速記録におけるジッタが改善され、光学的なコントラストも大きくすることができるようになる。このため、Ｉｎ及び／又はＧａの含有量を示すβは、通常０以上、好ましくは０．０１以上、より好ましくは０．０５以上とする。ただし、Ｉｎ又はＧａが過度に多いと、消去状態として使用する結晶相とは別に、非常に低反射率のＩｎ−Ｓｂ系、又はＧａ−Ｓｂ系の他の結晶相が形成されてしまう。特に、長時間保存した場合に、この結晶相が析出し、Ｒ_ｔｏｐが低下する。従って、βは、通常０．３以下、好ましくは、０．２以下、より好ましくは、０．１５以下とする。尚、ＩｎとＧａとを比較すると、Ｉｎの方がより低ジッタを実現できるため、上記Ｍ１はＩｎとすることが好ましい。
【０２１０】
一方、元素Ｍ１としてＳｎを用いることで、超高速記録におけるジッタが改善され、光学的なコントラスト（結晶状態と非晶質状態の反射率差）が大きくとれるようになる。このため、Ｓｎの含有量を示すβは、通常０以上、好ましくは０．０１以上、より好ましくは０．０５以上とする。ただし、Ｓｎが過度多いと、記録直後の非晶質相が、低反射率の他の非晶質相に変化してしまう。特に、長時間保存した場合に、この安定化非晶質相が析出し、消去性能が低下する。従って、βは、通常０．３以下、好ましくは０．２５以下、より好ましくは０．２以下、更に好ましくは０．１５以下、特に好ましくは０．１２以下とする。
【０２１１】
元素Ｍ１として、Ｉｎ、Ｇａ、及びＳｎのうち複数の元素を用いることもできる。元素Ｍ１に複数の元素を用いる場合は、変調度を大きくする点から、Ｉｎ及びＳｎを含有させることが好ましい。Ｉｎ及びＳｎを含有させる場合、これら元素の合計含有量は、通常１原子％以上、好ましくは５原子％以上とし、通常４０原子％以下、好ましくは３０原子％以下、より好ましくは２５原子％以下とする。
【０２１２】
上記ＴｅＭ１ＧｅＳｂ系の組成においては、Ｔｅを含有することで超高速記録における消去比の経時的変化を改善することができるようになる。このため、Ｔｅの含有量を示すγは、通常０以上とするが、好ましくは０．０１以上、より好ましくは０．０２以上、さらに好ましくは０．０３以上、特に好ましくは０．０５以上とする。ただし、Ｔｅが過度に多いと、ノイズが高くなる場合があるため、γは、通常０．１より小とするが、０．０９以下とするのが好ましく、０．０８以下とするのがより好ましく、０．０７以下とするのがさらに好ましい。
【０２１３】
尚、上記ＴｅＭ１ＧｅＳｂ系の組成において、Ｔｅと元素Ｍ１とを含有させる場合は、これらの合計含有量を制御することが有効である。従って、Ｔｅ及び元素Ｍ１の含有量を示すβ＋γは、通常０より大きくするが、好ましくは０．０１以上、より好ましくは０．０５以上とすることである。β＋γを上記範囲とすることで、Ｔｅ及び元素Ｍ１を同時に含有させる効果が良好に発揮されるようになる。一方、ＧｅＳｂ系共晶合金を主成分とする効果を良好に発揮されるために、β＋γは、通常０．４以下、好ましくは０．３５以下、より好ましくは０．３以下とする。一方、元素Ｍ１とＴｅとの原子数比を表すβ／γは２以上とするのが好ましい。Ｔｅを含有させることによって光学的コントラストが低下する傾向にあるため、Ｔｅを含有させた場合には、元素Ｍ１の含有量を若干多くする（βを若干大きくする）ことが好ましい。
【０２１４】
上記ＴｅＭ１ＧｅＳｂ系の組成に添加しうる元素としては、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓｉ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｖ、Ｍｏ、希土類元素、Ｎ、Ｏ等があり、光学特性や結晶化速度の微調整等に使われるが、その添加量は、最大で１０原子％程度である。
以上において最も好ましい組成の一つは、Ｉｎ_ｐＳｎ_ｑＴｅ_ｒＧｅ_ｓＳｂ_ｔ（０≦ｐ≦０．３、０≦ｑ≦０．３、０＜ｐ＋ｑ≦０．３、０≦ｒ＜０．１、０＜ｓ≦０．２、０．５≦ｔ≦０．９，ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ＋ｔ＝１）なる合金系を主成分とする組成である。ＴｅとＩＮ及び／又はＳｎとを併用する場合は、（ｐ＋ｑ）／ｒ≧２とするのが好ましい。
【０２１５】
上記組成を用いることにより、ＧｅＳｂ共晶系において、Ｉｎ，Ｓｎを含有させることよる変調度の増大が達成されるとともに、ジッタの低減も達成される。そして、Ｔｅを含有させることによって、消去能力の経時安定性も改善される。さらに、上記組成においては、いずれかの添加元素に由来する結晶相の出現が抑制され、実質的にＳｂの六方晶を基本とする単一相多結晶が安定的に形成される利点もある。
【０２１６】
上記ＧｅＳｂＴｅ共晶系組成及びＧｅＳｂ系共晶組成のいずれを記録層に用いる場合においても、記録層の結晶相は同一の結晶相を主体として形成されることが好ましい。このような結晶相の形態は、記録層の初期化方法に大きく依存する。即ち、本発明において好ましい上記結晶相を形成させるためには、記録層の初期化方法を下記のように工夫するのが好ましい。
【０２１７】
記録層は通常スパッタ法等の真空中の物理蒸着法で成膜されるが、成膜直後のａｓ−ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ状態では、通常非晶質であるため、通常はこれを結晶化させて未記録消去状態とする。この操作を初期化と称する（本明細書においては、初期化を「初期結晶化操作」又は「初期結晶化」という場合がある。）。初期化操作としては、例えば、結晶化温度（通常１５０〜３００℃）以上融点以下での固相でのオーブンアニールや、レーザー光やフラッシュランプ光などの光エネルギー照射でのアニール、溶融初期化などの方法が挙げられるが、上記好ましい結晶状態の記録層を得るためには、溶融初期化を用いるのが好ましい。固相でのアニールの場合は、熱平衡を達成するための時間的余裕があるために、他の結晶相が形成されやすい一方で、溶融初期化を用いた場合は、固層よりも結晶核を生成しやすく、かつ熱平衡を達成するための時間が短くなり、単一の結晶相が形成されやすくなる利点がある。
【０２１８】
溶融初期化においては、記録層を溶融させて再凝固時に直接再結晶化させてもよく、また、再凝固時にいったん非晶質状態とした後、融点近傍で固相再結晶化させてもよい。この際、結晶化の速度が遅すぎると熱平衡を達成するための時間的余裕があるために他の結晶相が形成されることがあるので、ある程度冷却速度を速めるのが好ましい。
【０２１９】
溶融初期化においては、融点以上に保持する時間は、通常２μｓ以下、好ましくは１μｓ以下とすることが好ましい。また、溶融初期化には、レーザ光を用いるのが好ましく、特に、走査方向にほぼ平行に短軸を有する楕円型のレーザ光を用いて初期化を行う（以下この初期化方法を「バルクイレーズ」と称することがある）のが好ましい。この場合、長軸の長さは、通常１０〜１０００μｍであり、短軸の長さは、通常０．１〜１０μｍである。なお、ここでいうビームの長軸及び短軸の長さは、ビーム内の光エネルギー強度分布を測定した場合の半値幅から定義される。使用する相変化媒体のオーバーライト記録可能な最高使用線速度より高い速度で走査した場合、初期化操作で一旦溶融した領域が非晶質化してしまうことがある。従って、オーバーライト記録可能な最高使用線速度以下の線速度で操作することが好ましい。なお、最高使用線速度そのものは、その線速度でオーバーライトして消去比を測定したときに、消去比が２０ｄＢを超えるような記録線速度の上限として定まる。レーザ光源としては、半導体レーザ、ガスレーザ等各種のものが使用できる。レーザ光のパワーは通常１００ｍＷから５Ｗ程度である。
【０２２０】
ＧｅＳｂＴｅ共晶系組成を用いる記録層における好ましい走査速度について説明する。
特開２００１−２２９５３７号公報で開示されたような１０から１２倍速をオーバーライト可能な最高使用線速の上限とするＳｂ／Ｔｅ比が４以下のＧｅＳｂＴｅ共晶系組成においては、好ましい走査速度は、３〜１０ｍ／ｓ程度となる。また、特開２００１−３３１９３６号公報に開示されたような１６倍速程度のオーバーライトを想定したＧｅＳｂＴｅ共晶系組成においても、好ましい走査速度は、３〜１０ｍ／ｓ程度となる。このように、使用するオーバーライト線速度が高まるにつれ、初期化時の走査速度は速まる傾向があった。
【０２２１】
これに対し、本発明のように、Ｓｂ／Ｔｅ比を４．５以上と非常に高くしたＧｅＳｂＴｅ共晶系組成においては、むしろ０．１〜３ｍ／ｓの低線速、特に好ましくは、２ｍ／ｓ程度の低線速とする方が、良好な初期結晶化を行うことができることが判明した。
一方で、、ＧｅＳｂ系共晶組成（ＧｅＳｂ系共晶合金）の記録層においては、高線速度で走査しながら初期化することが望ましく、概ね１０〜２０ｍ／ｓで初期化すればよい。
【０２２２】
バルクイレーズによる初期化の際、例えば円盤状の記録媒体を使用した際、楕円ビームの短軸方向をほぼ円周方向と一致させ、円盤を回転させて短軸方向に走査するとともに、１周（１回転）ごとに長軸（半径）方向に移動させて、全面の初期化を行うことができる。１回転あたりの半径方向の移動距離は、ビーム長軸より短くし、同一半径領域がレーザー光ビームで複数回照射されるようにするのが好ましい。その結果、確実な初期化が可能となると共に、ビーム半径方向のエネルギー分布（通常１０〜２０％）に由来する初期結晶化状態の不均一を回避することができる。一方、移動量が小さすぎると、かえって前記他の好ましくない結晶相が形成されやすいので、上記１回あたりの半径方向の移動距離は、通常ビーム長軸の１／２以上とする。
【０２２３】
良好に溶融再結晶化が行われたかどうかは、実際の１μｍ程度の記録光で非晶質マークを複数回オーバーライトした後の消去状態（結晶状態）の反射率Ｒ１と、初期結晶化後の未記録状態の反射率Ｒ２とが実質的に等しいかどうかで判断できる。ここで、非晶質マークが断続的に記録されるような信号パターンを用いた場合には、Ｒ１の測定は、通常は５から１００回程度の複数回のオーバーライト後に行う。このようにすることにより、一回の記録だけでは未記録状態のまま残りうるマーク間の反射率の影響を除去する。
【０２２４】
反射率Ｒ１を測定するための上記消去状態は、必ずしも記録用集束レーザー光を実際の記録パルス発生方法に従って変調しなくても、記録パワーを直流的に照射して記録層を溶融せしめ、再凝固させることによっても得られる。
本発明には、Ｒ１とＲ２とで定義される下記式（Ｆ１）の値が１０（％）以下、特には５（％）以下となるようにするのが好ましい。
【０２２５】
【数１】
２｜Ｒ１−Ｒ２｜／（Ｒ１＋Ｒ２）×１００（％） …（Ｆ１）
例えば、Ｒ１が１７％程度の相変化媒体では、概ねＲ２が１６〜１８％の範囲にあればよい。
【０２２６】
そして、上記（Ｆ１）を満たすようにするためには、概ね実際の記録条件と等しい熱履歴を初期結晶化によって与えるのが好ましいのである。
また、このような初期化を施した未記録状態、又はこれに複数回オーバーライトを行った後の消去状態にあるＳｂを主成分とする合金記録層（結晶状態）を剥離して、透過電子顕微鏡により記録層を観察したところ、純粋なＳｂの六方晶に近い結晶相のみが見られる単一相を形成し、その結晶粒が記録面内方向に関して特定方向に配向していることもわかった。
３．媒体の層構成について
次に、本発明に用いられる媒体の層構成及び記録層以外の層について説明する。層構成及び記録層以外の層の組成を制御することは、記録層の高速結晶化及び記録マークの経時安定性を両立させつつ、媒体の光学特性を特定範囲としＣＤ又はＤＶＤとの再生互換性を保つために重要である。
【０２２７】
本発明の媒体の基板には、ポリカーボネート、アクリル、ポリオレフィンなどの樹脂、あるいはガラスを用いることができる。なかでもポリカーボネート樹脂が最も好ましい。これは、ポリカーボーネートがＣＤ又はＤＶＤにおいて最も広く用いられている実績もあり安価でもあるためである。尚、基板側から収束光ビームが入射するような場合には、基板は透明であることが好ましい。基板の厚さは通常０．１ｍｍ以上、好ましくは０．３ｍｍ以上、一方、通常２０ｍｍ以下、好ましくは１５ｍｍ以下である。一般的には、ＣＤの場合は１．２ｍｍ程度とされ、ＤＶＤの場合は０．６ｍｍ程度とされる。
【０２２８】
ＤＶＤの場合、このような基板の上に反射層や保護層等の所定の層を介して相変化型記録層を設け、さらにこの相変化型記層上に保護層等の所定の層を介して再度基板が設けられる。すなわち、ＤＶＤにおいては、相変化型記録層の上下を２枚の基板で挟むような構造を採用する。
記録層は、記録時の高温による変形を防止するためその上下を保護層で被覆されていることが望ましい（説明の便宜上、記録層に対して入射される光の側にある保護層を下部保護層、反対側にある保護層を上部保護層と称することがある。）。
【０２２９】
現行ＣＤ又はＤＶＤシステムとの互換性を維持するために、望ましい媒体の層構成は、基板上に、下部保護層、記録層、上部保護層及び反射層を設けるようにすることである。この場合、基板と反対側の表面を紫外線もしくは熱に対して硬化性の樹脂で被覆（保護コート）することができる。
記録層、保護層及び反射層は、スパッタリング法によって形成することができる。この場合、記録膜用ターゲット、保護膜用ターゲット及び必要な場合には反射層材料用ターゲットを同一真空チャンバー内に設置したインライン装置でスパッタリングによる膜形成を行うことが、記録層、保護層、及び反射層の各層間における酸化や汚染を防ぐ点で望ましい。
【０２３０】
保護層に用いられる材料としては、屈折率、熱伝導率、化学的安定性、機械的強度、密着性等に留意して決定される。一般的には透明性が高く高融点である金属や半導体の酸化物、硫化物、窒化物、炭化物やＣａ、Ｍｇ、Ｌｉ等のフッ化物を用いることができる。これらの酸化物、硫化物、窒化物、フッ化物は必ずしも化学量論的組成をとる必要はなく、屈折率等の制御のために組成を制御したり、混合して用いることも有効である。
【０２３１】
繰返し記録特性を考慮すると誘電体の混合物が好ましい。より具体的には、ＺｎＳやＺｎＯ、希土類硫化物と酸化物、窒化物、炭化物等の耐熱化合物との混合物が挙げられる。これらの保護層の膜密度はバルク状態の８０％以上であることが機械的強度の面から望ましい。
本発明においては、保護層、特に上部保護層の熱伝導率をできるだけ小さくするのが好ましい。具体的には、熱伝導率が１Ｊ／（ｍ・ｋ・ｓ）以下のものを使用するのが好ましい。このような材料としては、ＺｎＳやこれを５０ｍｏｌ％以上含む混合物を挙げることができる。
【０２３２】
下部保護層膜厚は通常３０ｎｍ以上であるが、５０ｎｍ以上とすることが好ましく、６０ｎｍ以上とすることがより好ましく、８０ｎｍ以上とすることが特に好ましい。繰返しオーバーライト時の熱ダメージによる基板変形を抑制するためには、ある程度の膜厚が必要であり、下部保護層の膜厚が薄すぎると、繰返しオーバーライト耐久性が急激に悪化する傾向にある。特に、繰返し回数が数百回未満の初期に急激にジッタが増加する傾向にある。ＣＤ−ＲＷにおいては、下部保護層膜厚を８０ｎｍ以上とすることが特に好ましい。
【０２３３】
繰返し初期のジッタの悪化は、下部保護層膜厚に著しく依存する。本発明者等の原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）による観察によれば、この初期劣化は基板表面が２〜３ｎｍ程度へこむ変形によるものであることがわかった。基板変形を抑制するためには、記録層の発熱を基板に伝えないために熱絶縁効果があり、かつ、機械的に変形を押さえ込むような保護層膜厚が必要であり、そのために上記の膜厚が好ましい。
【０２３４】
また、下部保護層の膜厚を制御することにより、反射率Ｒ_ｔｏｐを所定範囲とすることができるようになる。
すなわち、波長７８０ｎｍ付近のレーザを用いるＣＤ−ＲＷにおいて通常用いられる屈折率２．０〜２．３程度の誘電体からなる保護層では、下部保護層の膜厚を６０〜８０ｎｍとすると反射率Ｒ_ｔｏｐが最小となり、下部保護層の膜厚が０及び１５０ｎｍ程度で反射率Ｒ_ｔｏｐが最大となるのが通常である。該下部保護層膜厚の変化に伴って、反射率は最大と最小を取る周期的な変化を示す。従って、あまり厚くすることは光学的には意味がなく、また材料コストの増大、厚膜成膜による基板上に形成された溝が埋まってしまう現象（溝カバレッジ現象）等が発生することもある。よって、Ｒ_ｔｏｐを１５〜２５％とするには、通常下部保護層を１２０ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下、より好ましくは９０ｎｍ以下とする。
【０２３５】
一方、波長６６０ｎｍ付近のレーザを用いるＲＷ−ＤＶＤにおいて通常用いられる屈折率２．０〜２．３程度の誘電体からなる保護層では、下部保護層の膜厚を５０〜７０ｎｍとすると反射率Ｒ_ｔｏｐが最小となり、下部保護層の膜厚が０及び１３０ｎｍ程度で反射率Ｒ_ｔｏｐが最大となるのが通常である。従って、ＣＤ−ＲＷと同様の考え方から、下部保護層は通常１００ｎｍ以下、好ましくは９０ｎｍ以下とする。
【０２３６】
一方、上部保護層の膜厚は、通常１０ｎｍ以上とする。ＣＤ−ＲＷでは、上部保護層の膜厚は、好ましくは２０ｎｍ以上、より好ましくは２５ｎｍ以上である。ＲＷ−ＤＶＤでは、上部保護層の膜厚は、好ましくは１５ｎｍ以上、より好ましくは１８ｎｍ以上である。
上部保護層は、主に記録層と反射層の相互拡散を防止する。上部保護層が薄すぎると、記録層溶融時の変形等によって上部保護層が破壊されやすくなり、また記録層での放熱が大きくなりすぎて、記録に要するパワーが不必要に大きくなる（記録感度が低下する）傾向にある。特に本発明のように高倍速で記録を行おうとする場合、記録感度の低下は好ましいことではない。
【０２３７】
一方、上部保護層が厚すぎると、保護層内部の温度分布が急峻になり、保護層自体の変形が大きくなり、この変形がオーバーライトにより蓄積されて媒体の変形を招くことがある。このような点から、ＣＤ−ＲＷにおいては、上部保護層の膜厚は、通常６０ｎｍ以下、好ましくは５５ｎｍ以下、より好ましくは３５ｎｍ以下とする。一方、ＲＷ−ＤＶＤにおいては、上部保護層の膜厚は、通常３５ｎｍ以下、好ましくは３０ｎｍ以下とする。
【０２３８】
次に記録層について説明する。
ＣＤ−ＲＷにおいては、記録層の膜厚は、通常１０ｎｍ以上とするが、１５ｎｍ以上とするのが好ましい。一方、ＲＷ−ＤＶＤにおいては、記録層の膜厚は、通常８ｎｍ以上とするが、１５ｎｍ上とするのが好ましい。記録層の厚みが薄すぎると、十分な光学的なコントラストが得られにくく、また結晶化速度が遅くなる傾向がある。また短時間での記録消去も困難となりやすい。
【０２３９】
一方、記録層の膜厚は、通常４０ｎｍ以下とする。ＣＤ−ＲＷにおいては、記録層の膜厚は、３０ｎｍ以下とするのが好ましく、２５ｎｍ以下とするのがさらに好ましい。一方、ＲＷ−ＤＶＤにおいては、記録層の膜厚は、２５ｎｍ以下とするのが好ましく、２０ｎｍ以下とするのがさらに好ましい。記録層の膜厚が過度に厚いと、膜厚を薄くする場合と同様に光学的なコントラストが得にくくなり、また、記録層の熱容量が大きくなるために記録感度が悪くなることがある。さらにまた、相変化に伴う記録層の体積変化は、記録層が厚くなるほど大きくなるため、記録層が厚すぎると、繰返しオーバーライト時に保護層及び基板表面等に微視的な変形が蓄積され、ノイズの上昇につながることもある。
【０２４０】
記録層及び保護層の厚みは、機械的強度や信頼性の面（特に繰返しオーバーライト耐久性）からの制限の他に、多層構成に伴う干渉効果も考慮して、レーザー光の吸収効率が良く、記録信号の振幅、すなわち記録状態と未記録状態のコントラストが大きくなるように選ばれる。
これらすべてのバランスを取りうる層構成としては、まず、上下の保護層の屈折率を２．０〜２．３とする。そして、下部保護層膜厚ｄ_Ｌ、記録層膜厚ｄ_Ｒ、上部保護層膜厚ｄ_Ｕとするとき、ＣＤ−ＲＷにおいては、１５≦ｄ_Ｒ≦２５ｎｍ、１０≦ｄ_Ｕ≦６０ｎｍとする。さらに、ｄ_Ｌの値は、再生時の結晶状態に対する反射光Ｒ_ｔｏｐのｄ_Ｌ依存性において、ｄ_Ｌが６０〜１２０ｎｍの範囲内でＲ_ｔｏｐの極小値から厚膜方向への次の極小値迄の間で∂Ｒ_ｔｏｐ／∂ｄ_Ｌ≧０となるように制御することが望ましい。
【０２４１】
一方、ＲＷ−ＤＶＤでは、下部保護層膜厚ｄ_Ｌ、記録層膜厚ｄ_Ｒ、上部保護層膜厚ｄ_Ｕとするとき、１０≦ｄ_Ｒ≦２０ｎｍ、１５≦ｄ_Ｕ≦３０ｎｍとする。さらに、ｄ_Ｌの値は、再生時の結晶状態に対する反射光Ｒ_ｔｏｐのｄ_Ｌ依存性において、ｄ_Ｌが５０〜１００ｎｍの範囲内でＲ_ｔｏｐの極小値から厚膜方向への次の極小値迄の間で∂Ｒ_ｔｏｐ／∂ｄ_Ｌ≧０となるように制御することが望ましい。
【０２４２】
本発明の光記録媒体は、従来の最高使用線速が４倍速又は１０倍速であるＣＤ−ＲＷ媒体、又は２．４倍速程度までのＲＷ−ＤＶＤ媒体に比較して、反射層の放熱効果をさらに高めることが重要である。反射層の特性を調整し、さらに前記記録層と組合せることによって、より容易に高線速及び低線速の両方での記録が可能となる。また、上記保護層として低い熱伝導率の材料を用いることを併用することによってより大きな効果を得ることができる。
【０２４３】
非晶質の形成及び再結晶化過程と、反射層の放熱効果及び記録時線速度の関係を図４により説明する。
図４において横軸は記録線速度であり、左の縦軸は記録層を溶融し再凝固させたときの冷却速度を示したもので、この冷却速度Ｒが記録層材料で決まる臨界冷却速度Ｒ_ｃより大きければ記録層は非晶質となり、非晶質マークが形成される。図４の左の縦軸において、記録層の結晶化速度を高めることは、Ｒ_ｃが大きくなって上方に移動することを意味する。
【０２４４】
前記記録方式ＣＤ１−１、１−２、１−３のいずれかと、前記記録方式ＣＤ２−１、２−２、２−３のいずれかとを併用して、光記録媒体に情報を記録する際の最小線速度と最大線速度とが２倍以上異なるような光記録媒体（例えば、最小線速度を基準線速度の８倍速、１０倍速又は１２倍速とし、最大線速度を基準線速度の２４倍速として用いる光記録媒体や、最小線速度を基準線速度の８倍速、１０倍速、１２倍速、又は１６倍速とし、最大線速度を基準線速度の３２倍速として用いる光記録媒体）を実現する場合の非晶質の形成と記録線速度との関係について、図４を用いて説明する。例えば、最小線速度が基準線速度の８倍速であり最大線速度が基準線速度の３２倍速である場合、本発明の光記録媒体の記録層組成や層構成及び／又は本発明の記録方法を用いることによって、図４の曲線ｄのように全ての線速度において光記録媒体の冷却速度をＲｃ以上とすることができるようになり、記録線速度が最小線速度と最大線速度とで２倍以上異なるような場合においても、光記録媒体へ非晶質の記録マークを良好に形成することができるようになる。
【０２４５】
同様に、前記記録方式ＤＶＤ１−１、１−２、１−３のいずれかと、前記記録方式ＤＶＤ２−１、２−２、２−３のいずれかとを併用して、光記録媒体に情報を記録する際の最小線速度と最大線速度とが２倍以上異なるような光記録媒体（例えば、最小線速度を基準線速度の２倍速、２．５倍速又は３倍速とし、最大線速度を基準線速度の６倍速として用いる光記録媒体や、最小線速度を基準線速度の２倍速、２．５倍速、３倍速、又は４倍速とし、最大線速度を基準線速度の８倍速として用いる光記録媒体）を実現する場合の非晶質の形成と記録線速度との関係について、図４を用いて説明する。例えば、最小線速度が基準線速度の２倍速であり最大線速度が基準線速度の８倍速である場合、本発明の光記録媒体の記録層組成や層構成及び／又は本発明の記録方法を用いることによって、図４の曲線ｄのように全ての線速度において光記録媒体の冷却速度をＲｃ以上とすることができるようになり、記録線速度が最小線速度と最大線速度とで２倍以上異なるような場合においても、光記録媒体へ非晶質の記録マークを良好に形成することができるようになる。
【０２４６】
図４中の曲線ａは、反射層の面積抵抗率が０．６Ω／□より大きい従来構成のディスクに、図１の固定パルスストラテジーを適用した場合における記録層の冷却速度の記録線速度依存性の一例を表している。この光記録媒体と記録方法では、全ての線速度で冷却速度がＲｃより小さいため、非晶質の記録マークを記録層に形成することはできない。
【０２４７】
図４中の曲線ｂは、本発明の光記録媒体を実現するために、反射層を後述の放熱効果の高い組成のものに変えて放熱効果を高めた光記録媒体において、図１の固定パルスストラテジーを適用した場合における記録層の冷却速度の記録線速度依存性の一例を表している。曲線ｂは曲線ａの上方にあり、曲線ｂを有する光記録媒体は、曲線ａで示される記録層の冷却速度の記録線速度依存性を有する光記録媒体と比較して、全ての記録線速度において非晶質マークが形成されやすくなることがわかる。
【０２４８】
また、図４中の曲線ｃは、上記従来層構成のディスクに後述の２Ｔベースの記録パルスストラテジー（記録パルス分割方式（Ｉ）〜（ＩＩＩ））を適用した場合の記録層の冷却速度の記録時線速度依存性を表している。
さらに、図４中の曲線ｄは、上記ＧｅＳｂＴｅ共晶系合金又はＧｅＳｂ共晶系合金を記録層に用いたディスクにおいて、後述の記録パルス分割方式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）を適用した場合における記録層の冷却速度の記録線速度依存性の一例を表している。曲線ｄは曲線ｃの上方にあり、曲線ｄを有する光記録媒体は、全ての記録線速度において非晶質マークが形成されやすくなることがわかる。
【０２４９】
高線速度では、冷却速度が記録層非晶質化の臨界冷却速度Ｒ_ｃより十分大きいために、非晶質形成に及ぼす反射層の放熱効果は顕著に影響しないが、低線速度では、全体として記録層冷却速度が低下する結果、冷却速度がＲ_ｃ近傍より低くなるために、非晶質形成に及ぼす反射層の放熱効果が顕著にあらわれるようになる。
【０２５０】
一方、これら曲線は、記録層が消去パワーＰｅの記録光によって非晶質状態のマークを再結晶化される場合の、記録層が結晶化温度以上に保持される時間τの逆数１／τの線速度依存性ともみなせる（図４中右側の縦軸）。この保持時間τが記録層材料で決まる臨界結晶化時間τ_ｃより大きければ、つまり１／τ＜１／τ_ｃであれば、非晶質マークは十分に再結晶化されて消去されることになる。本発明では、特に結晶化速度の速い前述のような記録層材料を用いているので、τ_ｃは小さく、Ｒ_ｃは大きくなる。
【０２５１】
なお、ＣＤ−ＲＷにおいては、３Ｔマークと３Ｔスペースからなる単一周期信号を記録後、１１Ｔマークと１１Ｔスペースからなる単一周期信号をオーバーライトしたときの３Ｔマークの消去比が２０ｄＢ以上となるようにすれば、通常、１／τ＜１／τ_ｃとなり、非晶質マークは十分に再結晶化されて記録マークの消去が良好に行われるようになる。
【０２５２】
同様に、ＲＷ−ＤＶＤにおいては、３Ｔマークと３Ｔスペースからなる単一周期信号を記録後、１４Ｔマークと１４Ｔスペースからなる単一周期信号をオーバーライトしたときの３Ｔマークの消去比が２０ｄＢ以上となるようにすれば、通常、１／τ＜１／τ_ｃとなり、非晶質マークは十分に再結晶化されて記録マークの消去が良好に行われるようになる。
【０２５３】
高い結晶化速度を有する前述のＧｅＳｂＴｅ共晶系合金又はＧｅＳｂ共晶系合金の記録層材料を用いることは、τ_ｃを小さくして、高速、短時間消去を可能にすると一方で、Ｒ_ｃも極めて高くなり、非晶質マークが形成しにくいという状態も生じ得る。
従って、本発明の光記録媒体においては、高線速でのオーバーライトで十分な消去ができるよう１／τ＜１／τ_ｃを満足させると同時に、低線速での冷却速度をＲ_ｃより大きくするという相反する要求を満足させる曲線ｄのような特性を有することが重要である。このような媒体を得るために、各層の組成や厚さを選択し、後述の２Ｔベースのパルスストラテジーを用いる必要があるのである。
【０２５４】
上記のような観点から、反射層の材料としては、熱伝導率が高く放熱効果が大きいＡｌあるいはＡｇを主成分とする合金を用いるのが好ましい。反射層の比熱はＡｌやＡｇを主成分とする合金では純Ａｌ及び純Ａｇに準じており、微量元素添加や薄膜化でほとんど変化しないと考えられる。従って放熱効果は反射層の熱伝導率と厚みに依存する。
【０２５５】
一般には薄膜の熱伝導率はバルク状態の熱伝導率と大きく異なり、小さくなっているのが普通であり、薄膜を成膜する際の成膜初期の島状構造の影響で熱伝導率が１桁以上小さくなる場合もある。さらに、成膜条件によって結晶性や不純物量が異なるようになるため、例えばスパッタリングによる成膜に用いるターゲットを同じ組成としても、成膜状件により成膜される薄膜の熱伝導率は大きく異なる場合がある。
【０２５６】
ここで、熱伝導の良否は電気抵抗を利用することによって見積もることができる。これは、金属膜のように、熱伝導もしくは電気伝導が主として電子移動によって行われる材料においては、熱伝導率と電気伝導率は良好な比例関係があるからである。薄膜の電気抵抗は、その膜厚や測定領域の面積で規格化された抵抗率値で表す。電気抵抗率のうち、体積抵抗率と面積抵抗率（比抵抗）は通常の４探針法で測定でき、ＪＩＳ Ｋ ７１９４によって規定されている。この４探針法を用い、体積抵抗率及び面積抵抗率を測定することにより、薄膜の熱伝導率そのものを実測するよりもはるかに簡便かつ再現性の良く、薄膜の熱伝導率を見積もることができる。
【０２５７】
反射層の放熱効果は熱伝導率と膜厚の積で示されるから、結局、放熱効果は面積抵抗率で規定できることとなる。
本発明においては、８倍速から２４倍速程度や１０倍速から３２倍速程度の幅広い線速度でオーバーライト可能なＣＤ−ＲＷ媒体を得るため、又は、４倍速から１０倍速程度や４倍速から１２倍速程度の幅広い線速度でオーバーライト可能なＲＷ−ＤＶＤ媒体を得るため、面積抵抗率を、通常０．５５Ω／□以下、好ましくは０．４Ω／□以下、より好ましくは０．３Ω／□以下、特に好ましくは０．２Ω／□以下、最も好ましくは０．１８Ω／□とする。一方、反射層の放熱を良好とする観点から面積抵抗率は小さければ小さいほど好ましいが、面積抵抗率は、通常０．０５Ω／□以上、好ましくは０．１Ω／□以上とする。
【０２５８】
また、好ましい反射層は、体積抵抗率１５０ｎΩ・ｍ以下、特に１００ｎΩ・ｍ以下を有する。一方、体積抵抗率の極端に小さい材料は薄膜状態では実質的に得にくいので、通常２０ｎΩ・ｍ以上である。上記面積抵抗率を０．０５〜０．２Ω／□の範囲にするためには、体積抵抗率を２０〜４０ｎΩ・ｍと低くすることが望ましい。
【０２５９】
反射層の厚さは、通常４０ｎｍ以上、好ましくは５０ｎｍ以上であり、一方、通常３００ｎｍ以下、好ましくは２００ｎｍ以下である。厚すぎると面積抵抗率を下げることはできても十分な放熱効果は得られないのみならず、記録感度が悪化しやすい。これは、膜厚が厚いと単位面積当たりの熱容量が増大することによって、放熱に時間がかかってしまうため、放熱効果がかえって小さくなるためと考えられる。また、このような厚膜では成膜に時間がかかり、材料費も増える傾向にある。また、膜厚が過度に薄いと、膜成長初期の島状構造の影響が出やすく、反射率や熱伝導率が低下することがある。
【０２６０】
反射層の材料としてはＡｌ合金やＡｇ合金を挙げることができる。
本発明に適した反射層の材料をより具体的に述べると、ＡｌにＴａ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｓｃ、Ｈｆ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｍｏ及びＭｎからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素を含むＡｌ合金を挙げることができる。これらの合金を用いることにより、耐ヒロック性を改善することができるので、これら合金は、耐久性、体積抵抗率、成膜速度等考慮して用いることができる。上記元素の含有量は、通常０．１原子％以上、好ましくは０．２原子％以上、一方、通常２原子％以下、好ましくは１原子％以下である。Ａｌ合金に関しては、添加不純物量が少なすぎると、成膜条件にもよるが、耐ヒロック性は不十分であることが多い。また、添加不純物量が多すぎると低い抵抗率が得られにくい。
【０２６１】
Ａｌ合金として、Ｓｉを０〜２重量％、Ｍｇを０．５〜２重量％、Ｔｉを０〜０．２重量％含有するＡｌ合金を使用することもできる。Ｓｉは微細剥離欠陥を抑制するのに効果があるが、含有量が多すぎると経時的に熱伝導率が変化することがあるので、通常２重量％以下、好ましくは１．５重量％以下とする。またＭｇは、反射層の耐食性を向上させるが、含有量が多すぎて経時的に熱伝導率が変化することがあるので、通常２重量％以下、好ましくは１．５重量％以下とする。Ｔｉは、スパッタリングレートの変動を防ぐという効果があるが、含有量が多すぎると、熱伝導率を低下させるとともに、Ｔｉがミクロレベルで均一に固溶したバルクの鋳造が困難となりターゲットコストを上昇させるので、通常０．２重量％以下とする。
【０２６２】
また、反射層材料の他の好ましい例としては、ＡｇにＴｉ、Ｖ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｗ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｃ、Ｈｆ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｍｏ及びＭｎからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素を含むＡｇ合金を挙げることができる。経時安定性をより重視する場合には添加成分としてはＴｉ、Ｍｇ又はＰｄが好ましい。上記元素の含有量は、通常０．１原子％以上、好ましくは０．２原子％以上、一方、通常２原子％以下、好ましくは１原子％以下である。
【０２６３】
本発明においては、このような高熱伝導率な反射層材料を用いることにより、３００ｎｍ以下の比較的薄い反射層であって、面積抵抗率が０．２〜０．５５Ω／□と適切に小さい範囲の反射層とすることができる。さらに、少なくとも、添加元素を２原子％以下とし、下記のように成膜レート及び真空度に留意して、成膜時に不可避的に混入する酸素等の不純物原子を概ね１原子％以下として、体積抵抗率を２０〜４０ｎΩ・ｍとし、膜厚を１００ｎｍ以上、好ましくは１５０ｎｍ以上、とすることで、０．０５〜０．２Ω／□の低面積抵抗率が得られる。
【０２６４】
Ａｌ及びＡｇへ他の元素を添加することによって、その添加濃度に比例して体積抵抗率が増加するのが通常である。上記他の元素の添加は、一般的に結晶粒径を小さくし、粒界の電子散乱を増加させて熱伝導率を低下させると考えられる。従って、上記添加元素の含有量を調節することにより、結晶粒径を大きくすることができるようになり、材料本来の高熱伝導率を得ることができるようになる。
【０２６５】
なお、反射層は通常スパッタ法や真空蒸着法で形成されるが、ターゲットや蒸着材料そのものの不純物量や、成膜時に混入する水分や酸素量も含めて全不純物量を２原子％未満とするのが好ましい。このために反射層をスパッタリングによって形成する際、プロセスチャンバの到達真空度は１×１０^−３Ｐａ未満とすることが望ましい。
【０２６６】
また、１０^−４Ｐａより悪い到達真空度で成膜するなら、成膜レートを１ｎｍ／秒以上、好ましくは１０ｎｍ／秒以上として不純物が取り込まれるのを防ぐことが望ましい。あるいは、意図的な添加元素を１原子％より多く含む場合は、成膜レートを１０ｎｍ／秒以上として付加的な不純物混入を極力防ぐことが望ましい。
【０２６７】
さらなる高熱伝導と高信頼性を得るために反射層を多層化することも有効である。この場合、少なくとも１層は全反射層膜厚の５０％以上の膜厚を有する上記低い体積抵抗率の材料とするのが好ましい。この層は実質的に放熱効果を司り、他の層は、耐食性、保護層との密着性、及び耐ヒロック性の改善に寄与する。特に、Ａｇを主成分とする１層めの反射層を、硫黄を含むＺｎＳ等を含む保護層と接して設ける場合には、Ａｇの硫黄との反応による腐食を防ぐために、硫黄を含まない２層めの反射層（本明細書においては、これを界面層と呼ぶ場合がある。）を設ける。界面層に用いる材料としては、誘電体材料や金属材料を挙げることができる。具体的な材料としてはＳｉＯ_２、ＧｅＣｒＮ、Ｔａ、Ｎｂ、Ａｌ等が挙げられる。界面層には、当然反射層として機能するような金属を用いてもよい。界面層の膜厚は、通常１ｎｍ以上、好ましくは２ｎｍ以上、一方、通常１０ｎｍ以下、好ましくは７ｎｍ以下である。金属材料を用いる場合には界面層の膜厚を２ｎｍ以上７ｎｍ以下とすることが特に好ましい。
【０２６８】
本発明においてはさらに、ＣＤ又はＤＶＤとの再生互換性を確保するよう基板に設けられた溝の構成に配慮する必要がある。
３−１．ＣＤ−ＲＷの場合
溝のトラックピッチは通常１．６μｍ±０．１μｍ程度である。また溝の深さは通常３０〜４５ｎｍであるが、特に３０〜４０ｎｍ程度が好ましい。
【０２６９】
溝深さが大きすぎると、記録後のプッシュプル値が大きくなりすぎる傾向がある。また、記録後のラジアルコントラスト値が記録前の値に比べて大きくなりすぎ、サーボの安定性に問題が生じることもある。
一方、溝深さが小さすぎると、ラジアルコントラスト値やプッシュプル値がオレンジブック・パート３のようなＣＤ−ＲＷ規格の下限値を下回ってしまうことがある。また、溝壁による記録層閉じ込め効果が薄れ、繰返しオーバーライトによる劣化が促進される傾向にもある。さらに、溝深さを浅くしすぎるとスタンパ製造や基板の成形が困難にもなる。
【０２７０】
上記の範囲とすることによって、溝内反射率が十分に高くなり、ＣＤ−ＲＷ規格の下限値である１５％を満たしやすく、また、記録後のプッシュプルの振幅ＰＰａが大きくなりすぎず、既存の凹凸ピット再生回路でもプッシュプル検出回路のゲインが飽和してしまうことを少なくすることができる。
溝幅は、通常０．５μｍ以上、好ましくは０．５５μｍ以上であり、また通常０．７μｍ以下、好ましくは０．６５μｍ以下である。溝幅が小さすぎると記録後のラジアルコントラストの絶対値が０．６未満という規格値を満たしにくくなる。また、溝幅が大きすぎると、ウォブルの存在によって生じるオーバーライト耐久性の劣化が顕著になる傾向にある。溝幅については、従来の１０倍速程度でオーバーライトするＣＤ−ＲＷに比べ広くすることが望ましい。
【０２７１】
なお、ウォブルの存在による耐久性劣化促進のメカニズムは、必ずしも明らかではないが、記録用光ビームの一部が溝の側壁に照射されやすくなるためではないかと考えられる。すなわち、トラッキングサーボがかかった集束光ビームは、ウォブルの蛇行には追従せず溝中心部を直進して走査されるため、溝壁の蛇行があれば、光ビームが、わずかではあるが溝壁に照射されやすくなる。薄膜の密着性が悪い溝壁部や溝角部では、応力集中が起きやすい等の理由により繰返しオーバーライト時の熱ダメージによる劣化が起きやすいと考えられるので、ここに光ビームの一部でも照射されれば、劣化は促進されると考えられる。一般に、相変化媒体の溝内記録では溝深さを深くし、かつ溝幅を細くするほど耐久性が良いという傾向があるが、ウォブルが存在する場合には、溝幅が狭すぎるとかえって上述の溝壁部の劣化現象が顕著になると考えられる。
【０２７２】
なお、溝幅や溝深さは、例えば波長６３３ｎｍのＨｅ−Ｎｅレーザー光等によるＵ溝近似による光学回折法で求めることができる。また、走査型電子顕微鏡や走査型プローブ顕微鏡で溝形状を実測することができる。この場合の溝幅は通常溝深さの半分の位置における値を用いるのがよい。
本発明の光記録媒体は、後述するようなＣＡＶ方式による記録が可能である。即ち、本発明の媒体は、データの記録を記録の行なわれる半径位置に関わらず回転速度一定のまま行うことができる。この場合、再生も一定の回転速度で行なうことができるが、好ましくは記録と再生とを同一の回転速度で行うことである。
３−２．ＲＷ−ＤＶＤの場合
溝のトラックピッチは通常０．７４μｍ±０．０１μｍ程度である。また溝の深さは通常２０〜４０ｎｍであるが、特に２５〜３５ｎｍ程度が好ましい。
【０２７３】
溝深さが過度に大きすぎると、記録信号のジッタが高くなる。
一方、溝深さが小さすぎると、ラジアルコントラスト値やプッシュプル値がＲＷ−ＤＶＤ規格の下限値を下回ってしまうことがある。また、溝壁による記録層閉じ込め効果が薄れ、繰返しオーバーライトによる劣化が促進される傾向にもある。さらに、溝深さを浅くしすぎるとスタンパ製造や基板の成形が困難にもなる。
【０２７４】
上記の範囲とすることによって、溝内反射率が十分に高くなり、ＲＷ−ＤＶＤ規格の下限値である１８％を満たしやすく、また、安定したサーボに十分なプッシュプル信号が確保できる。
溝幅は、通常０．２５μｍ以上、好ましくは０．２８μｍ以上であり、また通常０．３６μｍ以下、好ましくは０．３４μｍ以下である。溝幅が小さすぎると記録信号のジッタが悪化してしまうとともに反射率を１８％以上にすることが困難になる。また、溝幅が大きすぎると、記録後のトラッククロスシグナル値が相変化型リライタブルＤＶＤ規格の下限を下回ってしまうことがあったり、隣接トラック間でウォブルの干渉が大きくなり記録信号のジッタを悪化させてしまうことがある。
【０２７５】
なお、ウォブルの存在による耐久性劣化促進のメカニズムは、必ずしも明らかではないが、記録用光ビームの一部が溝の側壁に照射されやすくなるためではないかと考えられる。すなわち、トラッキングサーボがかかった集束光ビームは、ウォブルの蛇行には追従せず溝中心部を直進して走査されるため、溝壁の蛇行があれば、光ビームが、わずかではあるが溝壁に照射されやすくなる。薄膜の密着性が悪い溝壁部や溝角部では、応力集中が起きやすい等の理由により繰返しオーバーライト時の熱ダメージによる劣化が起きやすいと考えられるので、ここに光ビームの一部でも照射されれば、劣化は促進されると考えられる。一般に、相変化媒体の溝内記録では溝深さを深くし、かつ溝幅を細くするほど耐久性が良いという傾向があるが、ウォブルが存在する場合には、溝幅が狭すぎるとかえって上述の溝壁部の劣化現象が顕著になると考えられる。
【０２７６】
なお、溝幅や溝深さは、例えば波長４４１．６ｎｍのＨｅ−Ｃｄレーザー光等によるＵ溝近似による光学回折法で求めることができる。また、走査型電子顕微鏡や走査型プローブ顕微鏡で溝形状を実測することができる。この場合の溝幅は通常溝深さの半分の位置における値を用いるのがよい。
本発明の光記録媒体は、後述するようなＣＡＶ方式による記録が可能である。即ち、本発明の媒体は、データの記録を記録の行なわれる半径位置に関わらず回転速度一定のまま行うことができる。この場合、再生も一定の回転速度で行なうことができるが、好ましくは記録と再生とを同一の回転速度で行うことである。
４．記録方法について
本発明においては、以下のような本発明の第３の要旨にかかわる記録方法（記録パルス分割方法（Ｉ））でオーバーライトを行うことにより、ＣＤ−ＲＷの１０〜３２倍速の記録線速度、ＲＷ−ＤＶＤの６〜１２倍速程度において情報の書き換えが良好にできるようになる。その結果、既存のＣＤ再生システムとの互換性が良好な信号の記録が可能になる。
【０２７７】
記録パルス分割方法（Ｉ）は、図３及び図１６で説明した記録方式ＣＤ１−１、１−２、１−３、２−１、２−２、記録方式ＤＶＤ１−１よりも可変とできるパラメータ及びその範囲を拡大し、より良好な記録信号を得ようとするものである。
すなわち、
記録パルス分割方法（Ｉ）；
書換え型光記録媒体に用いる記録方法であって、
情報を複数の記録マーク長及び記録マーク間長により記録するにあたり、
記録マーク間に対しては、非晶質を結晶化しうる消去パワーＰｅの光を照射して記録マーク間を形成するとともに、
一つの記録マークの時間的長さをｎＴ（Ｔは基準クロック周期）としたときに、
ｎ＝２ｍ（ｍは１以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｊ）Ｔ（ｊは−２．０〜２．０なる実数）を、
α_１Ｔ、β_１Ｔ、α_２Ｔ、β_２Ｔ、・・・・、α_ｍＴ、β_ｍＴ、
からなるｍ個のα_ｉＴとβ_ｉＴからなる区間（ただしΣ_ｉ（α_ｉ＋β_ｉ）＝ｎ−ｊ）に分割し、
ｎ＝２ｍ＋１（ｍは１以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｋ）Ｔ、（ｋは−２．０〜２．０なる実数）を、
α_１’Ｔ、β_１’Ｔ、α_２’Ｔ、β_２’Ｔ、・・・・、α_ｍ’Ｔ、β_ｍ’Ｔ、
からなるｍ個のα_ｉ’Ｔとβ_ｉ’Ｔからなる区間（ただし、Σ_ｉ（α_ｉ’＋β_ｉ’）＝ｎ−ｋ）に分割し、
α_ｉＴおよびα_ｉ’Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、記録層を溶融するに足る一定の記録パワーＰｗの光を照射し、
β_ｉＴおよびβ_ｉ’Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、バイアスパワーＰｂの光を照射することによって、時間的長さｎＴの記録マークを形成する書換え型光記録媒体への記録方法であって、
ｍ≧３では、
ｎ＝２ｍの記録マークにおいては、ｎＴマークの開始時間をＴ_０とするとき、
（ｉ）Ｔ_０から遅延時間Ｔ_ｄ１Ｔ後にα_１Ｔが発生された後、
（ｉｉ）ｉ＝２〜ｍにおいては、β_ｉ−１＋α_ｉが概ね周期２（但し、ｉ＝２及び／又はｉ＝ｍにおけるβ_ｉ−１＋α_ｉは、±０．５の範囲で概ね周期２からずらしてもよい。また、ｍ≧４の場合、ｉ＝３〜ｍ−１においてはβ_ｉ−１及びα_ｉは、それぞれ一定値βｃ及びαｃをとる。）を保ちながら、β_ｉ−１Ｔ及びα_ｉＴがこの順に交互に発生された後、
（ｉｉｉ）β_ｍＴが発生され、
ｎ＝２ｍ＋１の記録マークにおいては、ｎＴマークの開始時間をＴ_０とするとき、
（ｉ）Ｔ_０から遅延時間Ｔ_ｄ１’Ｔ後にα_１’Ｔが発生された後、
（ｉｉ）ｉ＝２〜ｍでおいては、β_ｉ−１’＋α_ｉ’が概ね周期２（但し、ｉ＝２及び／又はｉ＝ｍにおけるβ_ｉ−１’＋α_ｉ’は、±２の範囲で概ね周期２からずらしてもよい。また、ｍ≧４の場合、ｉ＝３〜ｍ−１においてはβ_ｉ−１’及びα_ｉ’は、それぞれ一定値βｃ及びαｃをとる。）を保ちながら、β_ｉ−１’Ｔ及びα_ｉ’Ｔがこの順に交互に発生された後、
（ｉｉｉ）β_ｍ’Ｔが発生され、
同一のｍにおける、ｎ＝２ｍの記録マーク及びｎ＝２ｍ＋１の記録マークにおいて、α_ｍ≠α_ｍ’とし、かつ、（Ｔ_ｄ１，Ｔ_ｄ１’）、（α_１，α_１’）、（β_１、β_１’）、（β_ｍ−１とβ_ｍ−１’）、及び（β_ｍとβ_ｍ’）から選ばれる一組以上が異なる値をとることを特徴とする記録方法。
【０２７８】
以上において、ｍ＝３以上においては、ｍによらず、Ｔ_ｄ１、α_１、β_１、αｃ、βｃ、β_ｍ−１、α_ｍ、β_ｍが一定であることが好ましい。
同様に、ｍ＝３以上においては、ｍによらず、Ｔ_ｄ１’、α_１’、β_１’、β_ｍ−１’、α_ｍ’、β_ｍ’も一定であることが好ましい。
なお、ＣＤ−ＲＷで用いられるＥＦＭ変調方式においては、ｍが３以上の場合のｎとして、（６，７）、（８，９）、（１０，１１）を組として、本記録方式を適用する。一方、ＲＷ−ＤＶＤで用いられるＥＦＭ＋変調の場合には、上記、ｎの組み合わせに加えて、ｎ＝１４の場合を考慮する必要があるが、ｎ＝１０の記録パルス分割方法において、α_１Ｔとα_ｍＴとの間に、二対のα_ｃＴとβ_ｃＴを追加すればよい。
【０２７９】
ここで、ｎ＝２の場合は、遅延時間Ｔ_ｄ１Ｔ後、区間α_１Ｔにおいて記録パワーＰｗを照射し、引き続き区間β_１ＴにおいてバイアスパワーＰｂを照射することにより非晶質マークを形成する。
また、ｎ＝３の場合には、遅延時間Ｔ_ｄ１’Ｔ後、区間α_１’Ｔにおいて記録パワーＰｗを照射し、引き続き区間β_１’ＴにおいてバイアスパワーＰｂを照射することにより非晶質マークを形成する。
【０２８０】
尚、上記記録方法をＣＤ−ＲＷの３２倍速までの記録方法として適用する場合は、以下のような記録条件とすることが好ましい。すなわち、記録線速度を基準線速度Ｖ₁＝１．２〜１．４ｍ／ｓの３２倍速以下のいずれかの線速度とし、ＥＦＭ変調された情報を複数の記録マーク長及び記録マーク間長により記録するにあたり、一つの記録マークの時間的長さをｎＴとし（ｎは３〜１１までの整数）、消去パワーＰｅと記録パワーＰｗとの比を、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．２〜０．６とし、バイアスパワーＰｂを、Ｐｂ≦０．２Ｐｅとする。
【０２８１】
また、上記記録方法をＲＷ−ＤＶＤの１２倍速までの記録方法として適用する場合は、さらに以下のような記録条件とすることが好ましい。すなわち、記録線速度を基準線速度Ｖ₁’＝３．４９ｍ／ｓの１２倍速以下のいずれかの線速度とし、ＥＦＭ＋変調された情報を複数の記録マーク長及び記録マーク間長により記録するにあたり、一つの記録マークの時間的長さをｎＴとし（ｎは３〜１１までの整数と１４）、消去パワーＰｅと記録パワーＰｗとの比を、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．２〜０．６とし、バイアスパワーＰｂを、Ｐｂ≦０．２Ｐｅとする。
【０２８２】
本発明では、記録用光エネルギービームのエネルギー制御方法を記録パルスストラテジー、又は、パルスストラテジーと総称し、特に、ｎＴマークの形成を複数の分割された記録パワーレベルのパルス列で形成する方法を、分割記録パルス、記録パルス分割方法、又はパルス分割方法と称する。
本記録パルス分割方法は、オーバーライト可能なＣＤ−ＲＷの記録方法として、概ね８倍速から２４倍速あるいは３２倍速程度で用いることが望ましい。
【０２８３】
あるいは、オーバーライト可能なＲＷ−ＤＶＤの記録方法として、概ね、２倍速程度から１２倍速程度で用いることが好ましい。
図５は、本発明の記録方法におけるパルス分割方法を実施する場合の、各記録パルスの関係の一例を説明するためのタイミングチャート図である。光記録媒体に情報の記録を行う記録装置における、記録パワーＰｗ、バイアスパワーＰｂ、消去パワーＰｅそれぞれのレーザ光の照射タイミングを制御する電子回路（集積回路）は、図５に示すタイミングチャートを元に設計される。
【０２８４】
図５においては、Ｐｂ≦Ｐｅ≦Ｐｗとし、記録パルス区間α_ｉＴ（ｉ＝１〜ｍの整数）における記録パワーはＰｗで一定であり、オフパルス区間β_ｉＴ（ｉ＝１〜ｍの整数）におけるバイアスパワーはＰｂで一定であり、マークの間及びα_ｉＴ（ｉ＝１〜ｍ）及びβ_ｉＴ（ｉ＝１〜ｍ）以外の区間における光照射のパワーは消去パワーＰｅで一定である場合が示してある。Ｐｅ／Ｐｗは、通常０．２以上、好ましくは０．２５以上とする。一方、Ｐｅ／Ｐｗは、通常０．６以下、好ましくは０．４以下とする。上記範囲のうち、Ｐｅ／Ｐｗは、０．２〜０．６のいずれかの値であり、特に、０．２〜０．４の範囲の値が好ましく、０．２５〜０．４の範囲がより好ましい。この比が上記範囲より小さいと、消去パワーが低すぎて、非晶質マークの消え残りが生じるし、上記範囲より大きいと、Ｐｅの照射部が溶融したのち、再び非晶質化してしまう場合がある。
【０２８５】
図５において、５００は周期Ｔの基準クロックをあらわす。
図５（ａ）は、長さｎＴの記録マークに対応したパルス波形であり、符号５０１が長さｎＴの記録マークの長さに対応する。図５（ａ）においては、ｎ＝１１、ｍ＝５の場合が示してある。図５は奇数マークの例であるが、説明を簡略化するために、図５及び以下の説明においては、奇数マーク及び偶数マークを説明する場合において特に断らない限り、α_ｉ、β_ｉ、Ｔ_ｄ１，Ｔ_ｄ２，Ｔ_ｄ３、及びｊの各パラメータを代表として用いることとする。すなわち、ｎが偶数マークの説明においては、上記パラメータをそのまま用いて考えればよく、ｎが奇数マークである場合の説明においては、上記パラメータをそれぞれα_ｉ’、β_ｉ’、Ｔ_ｄ１’，Ｔ_ｄ２’，Ｔ_ｄ３’、及びｋと置き換えて考えればよい。
【０２８６】
図１に示された従来のＣＤ−ＲＷ又はＲＷ−ＤＶＤにおける記録方式に対して、図５で示された本記録方式の意義は以下のようなものである。
仮にｊを０とすると、Σ_ｉ（α_ｉ＋β_ｉ）／ｍ＝ｎ／ｍであるから、ｎ／ｍは（α_ｉ＋β_ｉ）の平均的な長さに対応する値であり、（ｎ／ｍ）Ｔは分割パルスの平均的な周期に対応する値となる。
【０２８７】
本発明の光記録方法において、ｎ＝２ｍ、又はｎ＝２ｍ＋１の場合に、記録パルスの分割数をｍとするので、ｎ／ｍはおおよそ２程度となる。つまり記録パルスとオフパルスからなる繰り返しの平均周期を概ね２Ｔとすることにより、α_ｉＴとβ_ｉＴの長さを十分なものとできる。例えば、記録パルス区間α_ｉＴ、オフパルス区間β_ｉＴを０．５Ｔより十分長めに取ることができ、ＣＤの３２倍速でデータ基準クロック周期Ｔが約７．２ｎｓｅｃ程度になっても、あるいはＤＶＤの１２倍速でデータ基準クロック周期Ｔが約３．５ｎｓｅｃ程度になっても、記録層の加熱を十分に行うことができるようになる一方、後続パルスによる熱の供給を抑えて十分な冷却効果を得ることができる。
【０２８８】
従来のＣＤ−ＲＷ又はＲＷ−ＤＶＤの規格書に記載の分割方式ではｍ＝ｎ−１に固定されているから、ｎ／ｍ＝ｎ／（ｎ−１）である。この値は、ｎが大きいほど小さいから、最長のマーク時間長をｎ_ｍａｘＴとするとｎ_ｍａｘにおいてｎ／ｍは最小となる。即ち、記録パルスとオフパルスからなる繰り返しの平均周期（本明細書においては、この記録パルスとオフパルスからなる繰り返しの平均周期を、分割パルスの平均周期という場合がある。）は最短マークで最も長く最長マークで最も短いから、α_ｉＴ、β_ｉＴは最長マークで最も短い。
【０２８９】
例えば、ＥＦＭ変調方式ではｎ＝３〜１１、ｋ＝１であるから
（ｎ_ｍａｘ／ｍ）＝１１／（１１−１）＝１．１、
程度となる。
また、例えば、ＥＦＭ＋変調方式ではｎ＝３〜１１、１４でｋ＝１であるから（ｎ_ｍａｘ／ｍ）＝１４／（１４−１）＝１．０８、
程度となる。
【０２９０】
つまり、ＥＦＭ変調方式及びＥＦＭ＋変調方式における繰り返し周期（分割パルス）の平均は、概ね１Ｔである。
本明細書では、従来の図１で規定されたパルス分割方法を「１Ｔベース」のパルスストラテジー、図５で規定された本発明のパルス分割方法を「２Ｔベース」のパルスストラテジーと称する。
【０２９１】
ＣＤの２４倍速以上又はＤＶＤの４倍速以上において、データ基準クロック周期Ｔがおよそ１０ナノ秒を切ると、概ね最長マークにおいて分割パルスの平均周期が概ね１０ナノ秒を切る。これは、１Ｔベースのパルスストラテジーにおける分割パルスの平均が１０ナノ秒より短くなることを意味する。そしてこの場合、記録パルス区間α_ｉＴの平均値又はオフパルス区間β_ｉＴの平均値は５ナノ秒未満となる。これは少なくとも一つのｉに対して、α_ｉＴもしくはβ_ｉＴのいずれかが５ナノ秒未満になることを示す。なお、上記の説明においてどれか特定のα_ｉもしくはβ_ｉを平均値より長くしたとしても、それは他方別のβ_ｉもしくはα_ｉがさらに短くなることを意味しているから、やはりα_ｉＴもしくはβ_ｉＴのいずれかが小さくなることに変わりはない。そして、α_ｉＴもしくはβ_ｉＴのいずれかが５ナノ秒未満、特に３ナノ秒未満となると、高速記録においてビームの照射及び冷却時間が十分に確保されなくなる場合がある。
【０２９２】
本発明における記録マークとは、通常、記録媒体中に連続的に形成された、他の部分と光学的に区別しうる物理的マークとして認識される。即ち、記録マークが複数の物理的マークから形成されていてもよい。再生光の集束用の対物レンズの開口数をＮＡ、再生光波長をλとするとき、物理的マークが概ね０．２（λ／ＮＡ）よりも近接していると、これらの物理的マークは光学的に区別することは困難となる。従って、マーク長ｎＴの記録マーク１個を複数の物理的マークから形成する場合には、それらの間隔を０．２（λ／ＮＡ）よりも小さくするのが好ましい。
【０２９３】
また、本発明をＣＤ−ＲＷに適用する場合においては、記録パルス区間α_ｉＴ（ｉ＝１〜ｍ）の平均値およびオフパルス区間β_ｉＴ（ｉ＝１〜ｍ−１）の平均値をともに３ナノ秒以上とするのが、照射する光パワーの時間追従性を確保する意味で好ましい。より好ましくは、個々のα_ｉＴ（ｉ＝１〜ｍ）およびβ_ｉＴ（ｉ＝１〜ｍ−１）を３ナノ秒以上とするのが好ましい。
【０２９４】
一方、本発明をＲＷ−ＤＶＤに適用する場合においては、記録パルス区間α_ｉＴ（ｉ＝１〜ｍ）の平均値およびオフパルス区間β_ｉＴ（ｉ＝１〜ｍ−１）の平均値をともに２ナノ秒以上とするのが、照射する光パワーの時間追従性を確保する意味で好ましい。
ここで、パルスα_ｉＴ（ｉ＝１〜ｍ）の時間幅は、図５のタイミングチャートに示すような分割パルス発生論理回路におけるＰｗとＰｂとの間のパワーレベルの遷移に対応する論理レベルの遷移において、論理レベルの電圧又は電流出力が一方のレベルから他のレベルの半分に達した時間で定義する。従って、例えば、図５のα_１Ｔの記録パルスの時間幅は、前記パルスの立ち上がり部のＰｂからＰｗへ変化する際の論理レベルの半分のレベルに達した時間から、前記パルスの立ち下がり部のＰｗからＰｂへ変化する際の論理レベルの半分のレベルに達する時間までの間をいう。ここで、論理レベルとは、例えばＴＴＬにおける０Ｖと５Ｖとの２値レベルのことである。
ＣＤにおいてはα_ｉＴ（β_ｉＴ）を３ナノ秒以上とするのが好ましいのに対し、ＤＶＤにおいてはα_ｉＴ（β_ｉＴ）を２ナノ秒以上とするのが好ましい理由を説明する。すなわち、ＤＶＤ系の場合は、記録用集束光ビームの径がＣＤ系の場合の約７０％程度であるから、１回の記録パルス照射があたえる空間的な影響も７０％程度になる。このように集束光ビームの径が小さくなり空間分解能が向上するため、３ｎｓｅｃの約７０％となる２ｎｓｅｃ程度の短時間のパルス照射が有効となるのである。また、小さいビーム系の場合のほうが、昇温される面積が少ないので、冷却が速く、オフパルス区間に関しても、２ｎｓｅｃ程度まで短縮しても十分な冷却効果が得られるのである。但し、ＲＷ−ＤＶＤの場合でも３ｎｓｅｃ以上とすればより好ましい。
【０２９５】
本発明においては、β_ｍを０として最後のオフパルス区間であるβ_ｍＴに光を照射しなくてもよいが、マーク後端部の熱蓄積の問題が大きい場合はβ_ｍＴを設けるのが好ましい。その場合はβ_ｍＴも２ナノ秒以上とし、より好ましくは３ナノ秒以上とする。ここで、β_ｍＴのパルス時間幅は、上記α_ｉＴと同様にＰｂとＰｅとの間の論理レベルの遷移において、半分の論理レベルに達した時間で定義する。
【０２９６】
レーザー光の照射が行われる実際の分割パルスは、図５に例として示したようなタイミングチャートを用い、ゲート信号を発生する論理レベルの集積回路出力をレーザードライバー回路に入力して、レーザ駆動のための大電流を制御することによってレーザーダイオードからの光出力を制御して記録パワーの制御をすることにより行われる。本発明では、前述のように、論理レベルでの時間幅を基準にパルス幅を規定することとする。実際の出力光波形は、１−３ｎｓｅｃ程度の遅延を生じると共に、オーバーシュート、アンダーシュートを伴うので、その記録パワーの時間変動は、図３で示すような単純な方形波形状をしているわけではない。しかし、本発明における記録パルス分割方法では、記録パルス区間α_ｉＴ（ｉ＝１〜ｍ）が２ナノ秒以上あれば、記録光の立ち上がり／立ち下がりの問題はあるものの、記録パワーＰｗ_ｉを上げることで記録に必要な照射エネルギーを確保できる。その場合も、実際の記録レーザー光パルスの立ち上がり及び立下りを、２ｎｓｅｃ未満、より好ましくは１．５ｎｓｅｃ未満、さらに好ましくは１ｎｓｅｃ未満とすることで、必要な記録パワーＰｗを抑制することができる。なお、実際の記録パワー立ち上がり時間又は立下り時間は、通常、それぞれ、ＰｅとＰｗとのパワーレベル間でパワーが遷移するとき、又はＰｂとＰｗのパワーレベル間でパワーが遷移するときに、一方のレベルと他方のレベルとの差の１０％から９０％までの遷移に要する時間をいう。立ち上がり、立下り時間の合計は、α_ｉＴの時間幅より小さく、α_ｉＴの８０％以下であることが好ましく、α_ｉＴの５０％以下であることがさらに好ましい。
【０２９７】
本発明記録パルス分割方法においては、論理レベルの時間幅と実際の記録パワーの応答との間にずれがあったとしても、上記立ち上がり又は立下り時間程度の遅延であれば問題はない。上記程度の遅延であれば、後述の記録パルス分割方法を規定する各パラメータ（論理レベルで規定）の好ましいとする可変範囲において良好な記録を行うことができる。逆に、そのような遅延やオーバーシュート等を必然的に伴うレーザーダイオード出力であっても、１０ｎｓｅｃ未満のクロック周期において、分割記録パルスによるマーク長変調記録が可能となることが本発明記録パルス分割方法の重要な特徴である。
【０２９８】
一方オフパルス区間β_ｉＴ（ｉ＝１〜ｍ−１）も２ナノ秒以上あれば、バイアスパワーＰｂを再生光パワーＰｒと同程度、あるいはトラッキングサーボなど他に支障の無い限り０まで下げることで冷却効果が確保できる。
さらに大きな冷却効果を得るためには、全ての記録マークの時間的長さについてΣ_ｉ（α_ｉ）は０．５ｎよりも小さくするのが好ましい。より好ましくはΣ_ｉ（α_ｉ）は０．４ｎ以下とする。すなわち、記録パルス区間の総和Σ_ｉ（α_ｉＴ）をΣ_ｉ（β_ｉＴ）より短くして、各マーク内でオフパルス区間が長くなるようにする。特に好ましくは、ｉ＝２〜ｍ−１の全てのｉに対してα_ｉＴ≦β_ｉＴとし、少なくとも２番目以降の記録パルス列においてβ_ｉＴをα_ｉＴよりも長くする。
【０２９９】
本発明の記録方法において、α_ｉ（ｉ＝１〜ｍ）及びβ_ｉ（ｉ＝１〜ｍ−１）の値は、記録パルス区間α_ｉＴ（ｉ＝１〜ｍ）やオフパルス区間β_ｉＴ（ｉ＝１〜ｍ−１）等の値によって適宜設定されるが、それぞれ通常０．０１以上、好ましくは０．０５以上であり、ｎ＝３の場合を除いて、通常２以下であり、より好ましくは１．５以下である。特に、β_ｉ（ｉ＝１〜ｍ−１）については、あまりに小さいと冷却効果が不十分になることがあるので好ましくは０．１以上、特に０．３以上であり、一方あまりに大きいと冷却されすぎて記録マークが光学的に分離されてしまうことがあるので、２以下とする。ただし、ｎ＝３の場合の、最後尾のオフパルス区間のβ_ｍ’に関しては、３以下、好ましくは２．５以下、さらに好ましくは２以下とする。尚、ｎ＝２を含む変調方式においては、ｎ＝３の場合に準じる。
【０３００】
オフパルス区間を大きくする効果は、マーク先端の形状に大きな影響を与える最初のオフパルス区間β_１Ｔ及びマーク後端の形状に大きな影響を与える最後のオフパルス区間β_ｍＴにおいて大きい。これらのうち、最後のオフパルス区間β_ｍＴの影響は特に大きくなる。
本発明においては、記録パルス区間α_ｉＴ（ｉ＝１〜ｍ）に照射する記録光のパワーＰｗ_ｉ及びオフパルス区間β_ｉＴ（ｉ＝１〜ｍ−１）に照射する記録光のパワーＰｂ_ｉは、Ｐｂ_ｉ＜Ｐｗ_ｉ、Ｐｂ_ｉ＜Ｐｗ_ｉ＋１なるものとし、ｉ及びｎによらず、一つの記録パルス区間及びオフパルス区間中においては、Ｐｗ及びＰｂをそれぞれ一定値とすることが好ましい。大きな冷却効果を得るためには、全ての記録マークの時間的長さについてＰｂ＜Ｐｗとするのが好ましい。より好ましくはＰｂ／Ｐｗ≦０．２であり、さらに好ましくはＰｂ／Ｐｗ≦０．１である。また、バイアスパワーＰｂは再生時に照射する光のパワーＰｒと等しくすることができる。その結果、パルス分割に必要な分割パルス回路の設定が簡便になる。
【０３０１】
パルス幅に関するパラメータα_ｉ（ｉ＝１〜ｍ）及びβ_ｉ（ｉ＝１〜ｍ−１）は、１／１６Ｔ以上の高分解能で指定できることが好ましい。より好ましくは、１／２０Ｔ以上、さらに好ましくは１／３２Ｔ以上の光分解能で指定できることである。１／８Ｔより荒い低分解能では、良好な記録が可能な最適なパルス幅に関するパラメータ値を見出せない場合がある。
【０３０２】
そのような場合に、特定の一つの記録マークの時間的長さに対して、ｉに応じてＰｂ_ｉ及び／又はＰｗ_ｉとして異なる２以上の値を用いることもできる。
例えば、先頭の記録パルス区間α_１Ｔ及び最後尾の記録パルス区間α_ｍＴにおける記録パワーＰｗ_１及びＰｗ_ｍを、中間の記録パルス区間α_ｉＴ（ｉ＝２〜ｍ−１）における記録パワーＰｗと異なる値とすることで、マークの始端部・終端部のマーク形状を正確に制御することができるようになる。この場合、中間の記録パルス区間α_ｉＴ（ｉ＝２〜ｍ−１）における記録パワーＰｗは、あくまでも全て同じパワー値にするのが、分割パルス回路の設定が簡便となり好ましい。オフパルス区間β_ｉＴ（ｉ＝１〜ｍ−１）におけるバイアスパワーＰｂ_ｉについても同様に、全て同じパワー値とし、β_ｍＴにおけるバイアスパワーＰｂ_ｍのみを補助的に他のＰｂと異なる値とするのが好ましい。また、３Ｔマークを良好に記録するために、異なるｎを有する少なくとも２つの記録マークの間で、同じｉに対して異なるＰｗ及び／又はＰｂの値としてもよい。つまり、ｎが４以上のマーク長の記録に際しては、Ｐｗ，Ｐｂは一定とし、ｎ＝３のマーク長の記録に際してのみ、若干（１０％程度の差）記録パワーを異なる値とすることもある。その場合も、Ｐｂは一定とするのが好ましい。
【０３０３】
本発明においては、第１義的には、Ｔ_ｄ１、α_１、β_１、β_ｍ−１、α_ｍ、β_ｍのいずれかの時間の（パルス幅に関する）パラメータの制御のみで、正確なマーク長の制御と、低ジッタを実現できるのであり、かかる、時間のパラメータの設定になんらかの制限がある場合においてのみ、Ｐｗ_１、Ｐｗ_ｍ、Ｐｂ_ｍを個別に微調整することが回路を簡素化する上で好ましい。上記制限とは、具体的には、パルス幅に関するパラメータ値を設定するための分解能が荒く、パルス幅設定だけでは良好な記録ができないような場合である。
【０３０４】
バイアスパワーＰｂは再生光の再生に要する再生パワーＰｒとほぼ同じ値であることが好ましく、ＣＤ−ＲＷにおいては、通常は２ｍＷ以下、好ましくは１．５ｍＷ以下、より好ましくは１ｍＷ以下の値とする。一方、ＲＷ−ＤＶＤにおいては、通常は１ｍＷ以下、好ましくは０．７ｍＷ以下、より好ましくは０．５ｍＷ以下の値とする。フォーカスやトラッキングサーボに支障が無い限りできるだけ０に近づけたほうが、Ｐｂ照射区間（オフパルス区間）における記録層の急冷効果が促進されて好ましい。なお、Ｐｗ、Ｐｅ及びＰｂの値は、必ずしも直流的に一定である必要はなく、例えばクロック周期Ｔの１／１０程度以下の周期で高周波重畳を加えてレーザーの動作を安定させることができる。この場合のＰｗ、Ｐｅ及びＰｂはそれらの平均値となる。
【０３０５】
図５（ｂ）は、ｎ＝１１すなわち、ｍ＝５である場合の記録パルスストラテジー（５０２の点線）であり、５０３，５０４，５０５，５０６に示された複数の記録パルス制御用ゲートを組み合わせて生成される。即ち、先頭記録パルスα_１Ｔを生成するゲート信号Ｇ１（５０３）、中間記録パルス群α_ｉＴ（２≦ｉ≦ｍ−１）生成するゲート信号Ｇ２（５０４）、および最後尾の記録パルスα_ｍＴ（５０５）を生成するゲートＧ３、Ｐｅ及びＰｂを印加する区間を定義するゲートＧ４を別々に生成し、これを合成する。Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３においては、ＯＮレベルにおいて、記録パワーが発光されるものとする。なお、ゲート信号Ｇ４はそのオン区間がα_１Ｔの立ち上がりを基点として（すなわち、Ｔ_０からＴ_ｄ１だけ遅延後）、（ｎ−ｊ）Ｔのオン区間を設定する。
【０３０６】
このようなゲート信号の優先関係は、ゲートのオン／オフを論理的な１，０レベルに対応させて、各ゲート制御の論理信号の和演算を行うことによって達成される。具体的には、Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３のオン信号が、Ｇ４の逆極性信号のオン信号に優先し、Ｇ４オン期間中（Ｐｂ照射中）でも、Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３がオンとなれば、Ｐｗを照射するようにする。その結果、ゲート信号Ｇ４は、Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３がいずれもオフとなる区間において、オフパルス区間β_ｉＴのタイミングを規定することになる。
【０３０７】
マーク前端の位置はほぼα_１Ｔにおける記録パワーレーザー光の立ち上がりで決まり、そのジッタは、α_１Ｔとβ_１ＴにおけるパワーＰｗ_１、Ｐｂ_１、さらには、α_１Ｔとβ_１Ｔのデューティー比で決まる。β_１に関しては、０．５〜２の間であれば、０．５程度の変化は、マーク前端位置やジッタにほとんど影響を及ぼさないので、後述の偶数長と奇数長のマーク長の差１Ｔの制御のために利用することができる。
【０３０８】
一方、マーク後端位置は、最後端の記録パルスα_ｍＴ立下り位置や、その後の記録層温度の冷却過程に依存する。また、マーク最後端の分割パルス周期（β_ｍ−１＋α_ｍ）Ｔにおける、パワー、Ｐｗ_ｍ、Ｐｂ_ｍ、及び、α_ｍとβ_ｍのデューティー比に依存する。特に、非晶質マークを形成する相変化媒体においては、記録層の冷却速度に大きな影響を与える最後端のオフパルス区間β_ｍＴの値にも依存する。β_ｍ−１に関しては、０．５〜２の間であれば、０．５程度の変化はマーク後端位置やジッタに直接影響を及ぼさないから、区間β_ｍ−１Ｔ、α_ｍＴを、後述の偶数長と奇数長のマーク長の差１Ｔの制御のために利用することができる。但し、後述のように、本発明の高速記録可能な光記録媒体を低線速記録に用いる場合には、β_ｍＴを合わせて調整することも重量となる。
【０３０９】
分割数ｍが３以上である場合は、先頭のパルスと最後尾のパルスと間に存在する中間記録パルス群のうち、ｉ＝２〜ｍのβ_ｉ−１Ｔ、α_ｉＴは、概ね周期２Ｔで繰り返される。つまり、β_ｉ−１＋α_ｉは概ね２（ｉ＝２〜ｍ）となる。このように周期を一定とすることでパルス発生回路を簡便化できる。本発明において、「概ね」２又は「概ね」２Ｔとしたのは、電子回路等の実性能上不可避的に発生する２Ｔからのずれは許容されることを表現するためである。すなわち、ＣＤにおける８〜２４倍速又は８〜３２倍速（ＤＶＤにおける２〜１０倍速又は２〜１２倍速）の広範な記録線速度において良好な記録が可能となる本発明の効果を奏する限り、多少２Ｔからずれが生じてもよいのである。例えば、±０．２のずれ（１．８Ｔ〜２．２Ｔ）程度のものは、電子回路等の実性能上不可避的に発生する２Ｔからのずれに含まれることになる。
【０３１０】
偶数マーク長においては、β_１＋α_２及びβ_ｍ−１＋α_ｍにおいてもこれらの値を概ね２とでき、また、そのほうがパルス発生回路を簡便化できて好ましい。但し、偶数マーク長におけるｉ＝１及び／又はｉ＝ｍ、すなわちβ_１＋α_２及び／又はβ_ｍ−１＋α_ｍに関しては、±０．５程度の範囲で２からのずれを許容したほうが、より正確なマーク長及びマーク端のジッタ制御が可能となる場合もある。この場合は、β_１＋α_２及びβ_ｍ−１＋α_ｍの間に存在するβ_ｉ−１＋α_ｉを概ね２とすればよい。
【０３１１】
また、奇数マーク長におけるｉ＝１及び／又はｉ＝ｍ、すなわちβ_１’＋α_２’及び／又はβ_ｍ−１’＋α_ｍ’についても２からのずれを許容したほうが、より正確なマーク長及びマーク端のジッタ制御が可能となる。つまり、β_１’＝β_１＋Δ_１、β_ｍ−１’＝β_ｍ−１＋Δ_ｍ−１、α_ｍ’＝α_ｍ＋Δ_ｍであるため、β_１’＋α_２’及び／又はβ_ｍ−１’＋α_ｍ’は、少なくともΔ_１、Δ_ｍ−１、Δ_ｍの分は２からのずれを許容したほうが、より正確なマーク長及びマーク端のジッタ制御が可能となるのである。従って、この場合は、β_１’＋α_２’及びβ_ｍ−１’＋α_ｍ’の間に存在するβ_ｉ−１’＋α_ｉ’を概ね２とすればよい。
【０３１２】
本パルス発生方法においては、中間記録パルス群であるｉ＝２〜ｍ−１に対する、α_ｉＴとβ_ｉ−１Ｔとのデューティー比は、マーク前後端のジッタには影響を及ぼさないので、非晶質マークが所定の幅で形成され、信号振幅が確保できれば良い。そこで、パルス発生回路の簡便化のために、これらを一定値とする。特に、中間のパルスが繰り返し存在しうる４以上のｍの場合には、同じ分割数ｍにおける２種類の偶数長マーク及び奇数長マークの記録マークにおける３以上、（ｍ−１）以下の全てのｉに対して、α_ｉ＝αｃ（一定値）とする。同時に、周期２Ｔが概ね一定であるから、β_ｉ＝２−αｃも概ね一定値βｃとなる。この意味において、βｃは、αｃに従属して、αｃが決まれば確定することとなる。
【０３１３】
結局、３以上のｍ（６以上のｎ）においては、周期（β₁＋α₂）Ｔ及び／又は（β_m-1＋α_m）Ｔにおいて、微調整を行うことにより、所望のマーク長ｎＴを達成する。このうち、α₂も他のα_i（ｉ＝３〜ｍ−１）と同一の値αｃをとることが望ましい。さらに偶数マークにおいては、α_mも同一値αｃをとることが望ましい。このようにすることにより、記録パルスストラテジーの記録パルス及びオフパルスのレーザー光（パルス光）発生を制御する制御回路の設計がより簡便化されるようになる。
【０３１４】
ただし、ｎ＝３の場合には、α_１、β_１がα_ｍ、β_ｍを兼ねるから、他のｎとは異なる値として、α_１、β_１のみで、３Ｔマーク長とマーク前後端のジッタを調整する必要がある。
さて、本発明の２Ｔベースの記録パルス分割方法では、より規則正しいルールに基づいて、ｎＴマークのｎのとり得る値が奇数であるか偶数であるかにわけて考える点に特徴がある。
【０３１５】
以下の説明においては、再び、同一ｍにおける偶数マーク長の場合に対応するパラメータα_ｉ、β_ｉ、Ｔ_ｄ１，Ｔ_ｄ２，Ｔ_ｄ３、及びｊと、ｎが奇数マーク長の場合に対応するパラメータα_ｉ’、β_ｉ’、Ｔ_ｄ１’，Ｔ_ｄ２’，Ｔ_ｄ３’、及びｋとを区別して説明する。
図５においては、Ｔ_ｄ１、Ｔ_ｄ２、Ｔ_ｄ３にＴをかけた時間は、ｎＴマークの先端時間Ｔ_０からの遅延時間として規定されているが、Ｔ_ｄ１、Ｔ_ｄ２、Ｔ_ｄ３はそれぞれ、記録パルスα_１Ｔ、中間パルス群の先頭であるα_２Ｔ、α_ｍＴの発生タイミングを規定することが本来の目的であり、当該目的を達成するにおいて、基点をどこにとるかは任意性がある。たとえば、Ｔ_ｄ２をα_１Ｔの終点から規定する、つまり、Ｔ_ｄ２＝β_１としたり、α_１Ｔの始点から規定して、Ｔ_ｄ２＝（α_１＋β_１）と定義しても良い。同様に、Ｔ_ｄ３は、Ｔ_０を基点に規定しても良いが、α_ｍ−１Ｔの立下りを基点に規定する、つまり、Ｔ_ｄ３＝β_ｍ−１としても良い。逆に、このような遅延時間Ｔ_ｄ１、Ｔ_ｄ２、Ｔ_ｄ３等の定義を通じて、β_１、β_ｍ−１、β_ｍが定まる。つまり、本発明記録ストラテジーを一義的に定義するための独立パラーメータの組として（ｍ、Ｔ_ｄ１、α_１、β_１、αｃ、β_ｍ−１、α_ｍ、β_ｍ）が定まる。また、ｎが奇数の場合には、独立パラーメータの組として（ｍ、Ｔ_ｄ１’、α_１’、β_１’、αｃ、β_ｍ−１’、α_ｍ’、β_ｍ’）が定まる。
【０３１６】
繰り返すが、本質的には、これらのパラメータ（各記録パルス、オフパルスの立ち上がりと立下りのタイミング）が定まればよいのであり、間接的にＴ_ｄ１、Ｔ_ｄ２、Ｔ_ｄ３等の遅延時間のパラメータの基点をどうとるかは任意性がある。
そして、各ｎに対するマーク長及びスペース長ｎＴを記録し、それらのゆらぎであるマーク及びスペースジッタを低減するために、各ｎごとに、分割数ｍ及び、（Ｔ_ｄ１とＴ_ｄ１’）、（Ｔ_ｄ２とＴ_ｄ２’）、（Ｔ_ｄ３とＴ_ｄ３’）、（α_１とα_１’）、（α_ｍとα_ｍ’）、（β_ｍとβ_ｍ’）のうちの少なくとも２組以上を変化させて、分割記録パルスを発生させるのである。このことは、また、各ｎごとに、分割数ｍ及び、（Ｔ_ｄ１とＴ_ｄ１’）、（α_１とα_１’）、（β_１とβ_１’）、（β_ｍ−１とβ_ｍ−１’）、（α_ｍとα_ｍ’）、（β_ｍとβ_ｍ’）のうちの少なくとも２組以上を変化させることである。
【０３１７】
上記各ｎごとに様々なパラメータを変化させるようにする記録方法のうち、好ましいのは、同一のｍにおける、ｎ＝２ｍの記録マーク及びｎ＝２ｍ＋１の記録マークにおいて、α_ｍ≠α_ｍ’とし、かつ、（Ｔ_ｄ１，Ｔ_ｄ１’）、（α_１，α_１’）、（β_１、β_１’）、（β_ｍ−１とβ_ｍ−１’）、及び（β_ｍとβ_ｍ’）から選ばれる一組以上が異なる値をとるようにすることである。
【０３１８】
すなわち、特にｍが３以上の場合には、同じ分割数ｍの偶数長マークと奇数長マークとにおけるマーク長の差Ｔを付与するために、本発明においては、特に、β_１Ｔ、β_ｍ−１Ｔ、α_ｍＴ、β_ｍＴの各区間の時間長さを調整する。これらβ_１、β_ｍ−１、α_ｍ、β_ｍのうち一つのパラメータだけを変化させて偶数長マークと奇数長マークとの差１Ｔを付加しようとすると、奇数長マーク前後端の形成に悪影響を及ぼす場合がある。このため、奇数長マークを形成する際には、α_ｍには必ず０でない値を付加（α_ｍ≠α_ｍ’とする）しつつ、偶数長マークを形成する際に用いたβ_１、β_ｍ−１、β_ｍの少なくとも１つにも０でない値を付加する（β_１≠β_１’、β_ｍ−１≠β_ｍ−１’、β_ｍ≠β_ｍ’の少なくと１つを満たすようにする）。
【０３１９】
このことは、上記のＴ_ｄ１，Ｔ_ｄ２，Ｔ_ｄ３の定義から、同一分割数ｍの偶数長マークと奇数長マークとにおいて、α_ｍ≠α_ｍ’としつつ、さらに（Ｔ_ｄ２とＴ_ｄ２’）、（Ｔ_ｄ３とＴ_ｄ３’）、及び（β_ｍとβ_ｍ’）の３つの組において少なくとも１組のパラメータを、ｎが偶数であるか奇数であるかに応じて異なる値をとることを意味する。あるいは、同一分割数ｍの偶数長マークと奇数長マークとにおいて、α_ｍ≠α_ｍ’としつつ、さらに（β_１とβ_１’）、（β_ｍ−１とβ_ｍ−１’）、（β_ｍとβ_ｍ’）の３つの組において少なくとも１組のパラメータを、ｎが偶数であるか奇数であるかに応じて異なる値をとることを意味する。
【０３２０】
本発明者の一部は、特開２００２−３３１９３６号公報や、文献「Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ＰＣＯＳ２０００，Ｎｏｖ．３０−Ｄｅｃ．１，２０００ｐｐ．５２−５５」、「Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ Ｖｏｌ．４０９０（２０００）ｐｐ．１３５−１４３」、「Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ Ｖｏｌ．４３４２（２００２）ｐｐ．７６−８７」において、同一の分割数ｍにおける偶数長マークと奇数長マークとの１Ｔ分のマーク長の差を良好に実現させるために、主としてβ_１Ｔとβ_ｍ−１Ｔの長さをそれぞれ補正してβ_１’Ｔ、β_ｍ−１’Ｔとすることを提案している。
【０３２１】
しかしながら、本発明者等がさらに検討を行った結果、ＣＤ−ＲＷにおいて記録線速度を２４倍速、３２倍速と高速化すると、又は、ＲＷ−ＤＶＤにおいて記録線速度を８倍速、１０倍速と高速化すると、上記β_１とβ_ｍ−１との補正だけでは、同一分割数ｍにおける偶数長マークと奇数長マークを良好に形成することができなくなることが判明した。
【０３２２】
このため、本発明者等はさらに検討を行った。その結果、上記のような高速記録を良好に行うためには、奇数長マークを形成する際に、上記β_１及びβ_ｍ−１の補正を行うことよりも、まずα_ｍＴの長さを補正してα_ｍ’Ｔを得ることの方が重要であることを見出した。
本発明者等の検討によれば、β_１＝β_１’、β_ｍ−１＝β_ｍ−１’として、偶数マーク及び奇数マーク間でβ_１及びβ_ｍ−１の補正は行わずに、まず、α_ｍを補正してα_ｍ’を得ることにより、高速記録においても、比較的良好品質を有する記録マークを形成することができることが判明した。しかしながら、上記α_ｍを補正してα_ｍ’を得るだけでは、高速記録における良好な記録特性を確実に得るには未だ不十分であることも同時に判明した。
【０３２３】
このため、本発明においては、上記α_ｍＴの長さの補正（α_ｍ≠α_ｍ’）に付随して、β_１Ｔ、β_ｍ−１Ｔ、及びβ_ｍＴの少なくとも一つも補正することにより、良好な高速記録が確実に行えるようになるのである。特に、後述のＣＡＶやＰ−ＣＡＶ記録のように幅広い線速度範囲で良好な記録を行える。
従来の２Ｔベースの記録パルス分割方法において、オフパルス区間β_１Ｔ，β_ｍ−１Ｔだけで、同一分割数ｍにおける偶数長マークと奇数長マークとの差１Ｔを補正する場合、上記偶数長及び奇数長マーク形成のために付与される記録パルス区間の総和Σα_ｉＴ（Σα_ｉ’Ｔ）は、偶数長マーク及び奇数長マークで同一となる。また、本発明においては、第１義的には、一つの記録マークを形成する際の記録パルス区間における記録パワーＰｗが一定（つまり、α_１Ｔからα_ｍＴまでの各区間において記録パワーＰｗを一定とする。）である場合を想定している。このため、偶数長マーク及び奇数長マークでΣα_ｉＴ（Σα_ｉ’Ｔ）が同じであるということは、一組の偶数マークと奇数マーク形成にかかわる記録エネルギーの総和：Ｐｗ（Σα_ｉＴ）が同一となる（Σα_ｉＴ＝Σα_ｉ’Ｔ）ことを意味する。
【０３２４】
ところで、光記録媒体の記録を行うための記録装置（ドライブ）は、個々の記録装置間でレーザ発生装置の出力に若干のばらつきを有するのが通常である。これは、上記記録パワーＰｗが記録装置間でばらついていることを意味する。本発明者らが鋭意検討を加えた結果、上記の一組の偶数マークと奇数マーク形成にかかわる記録エネルギーの総和：Ｐｗ（Σα_ｉＴ）が一定となる記録エネルギーの照射方法では、上記記録装置間のＰｗのばらつきにより、同一分割数ｍにおける奇数マーク長と偶数マーク長の変化が同一とならない問題があることがわかった。つまり、記録装置の製品間のばらつきに伴う記録パワーＰｗの増減ΔＰｗにより、同一のｍにおける一組の奇数と偶数のマーク長を記録したとしても、記録装置間においてΔＴｍａｒｋだけ前記マーク長がずれることとなる。ここで、奇数マークのΔＴｍａｒｋと偶数マークのΔＴｍａｒｋとがほぼ同一であれば問題はないが、記録方法として２Ｔベースの記録パルスストラテジーを用いてβ_１Ｔ、β_ｍ−１Ｔというオフパルス区間のみの補正（Ｐｗ（Σα_ｉＴ）を一定とする方法）を行うと、記録装置間のΔＰｗによって、奇数マーク長のΔＴｍａｒｋと偶数マーク長のΔＴｍａｒｋとが顕著に異なることがわかった。
【０３２５】
図１に示す従来の１Ｔベースの記録パルス分割方法では、マーク長が１Ｔ変化するたびに記録パルスを１個追加していたので、マーク長が長ければ、記録エネルギーの総和が単調増加するという規則が維持されていた。このため、記録装置間のＰｗのばらつきに伴う、ΔＴｍａｒｋは、奇数、偶数マークによらず、ほぼ一定であった。しかしながら、前述したように、従来の１Ｔベースの記録パルス分割方法では、ＣＤ−ＲＷにおける２４、３２倍速、ＲＷ−ＤＶＤにおける８倍速、１０倍速といった高速記録を行うことができず、レーザの照射時間及び冷却時間を確保するために２Ｔベースの記録パルス分割方法を用いて達成することが必須となる。従って、２Ｔベースの記録パルス分割方法を用いる限り、上記ΔＴｍａｒｋを偶数マーク及び奇数マーク間でほぼ一定とすることが重要となる。
【０３２６】
このため、本発明者らは、ＣＤ−ＲＷの２４倍速、３２倍速、又は、ＲＷ−ＤＶＤの８倍速、１０倍速においても良好な記録を可能とするために、２Ｔベースの記録パルス分割方法の更なる検討を行った。その結果、記録装置間のΔＰｗに伴って生するΔＴｍａｒｋを、偶数マーク長及び奇数マーク長間においてほぼ一定とするためには、２Ｔベースの記録パルス分割方法において、同一分割数ｍにおける偶数（２ｍ）マークと奇数（２ｍ＋１）マークとの間でα_ｍＴを必ず補正し、記録エネルギーの総和Ｐｗ（Σα_ｉＴ）を、マーク長ともに増加させることが有効であることを見出したのである。Σα_ｉＴは、マーク長が１Ｔ増加するとごとに概ね０．５Ｔずつ増加することが好ましい。ｍが１増加するごとにα_ｉＴとβ_ｉＴとが１つずつ増えるのであるが、この場合、通常は中間パルス群αｃＴ、βｃＴを追加することになる。βｃ＋αｃは概ね２であるから、平均的にΣα_ｉＴが１Ｔ増加することになる。同じ分割数ｍには、ｎ及びｎ＋１の２つの場合が含まれるから、ｎ→ｎ＋１とマーク長を１Ｔ増加させると、Σα_ｉＴを概ね０．５Ｔ増加させることになる。
【０３２７】
この目的から、上述の通り、β_１、β_ｍ−１、更にはその他のオフパルス区間の長さのみを調節して、同一ｍにおける、偶数マーク及び奇数マークの差である１Ｔ分のマーク長を調整して、良好な記録パワーマージンを得ることは困難である。
一方、記録パルスα_ｉＴのいずれの長さを調整するかについては、ｍが増減することに最後尾のα_ｉＴが一個増えるのと同様の機能を持たせるために、同一のｍにおいては最後尾のα_ｉＴすなわち、α_ｍＴの長さを調節することが最も好ましい。
【０３２８】
そして、本発明者等の検討により、α_ｍＴのほかにも、β_１Ｔ、β_ｍ−１Ｔ，β_ｍＴの少なくとも一つもあわせて補正することが、１Ｔ分のマーク長の補正と共に、マーク端における低いジッタを得ることに有効であることがわかった。さらに、本発明者等の検討によれば、α_ｍ’＝α_ｍ＋Δ_ｍとするとき、Δ_ｍは正確に１であるよりも、０＜Δ_ｍ≦１の範囲にあることが好ましいこともわかった。また、β_１’＝β_１＋Δ_１、β_ｍ−１’＝β_ｍ−１＋Δ_ｍ−１、β_ｍ’＝β_ｍ＋Δ_ｍ’においても、Δ_１、Δ_ｍ−１、Δ_ｍ’は１以下であることが好ましいこともわかった。
【０３２９】
これにより、同一分割数ｍにおいて、ｎが偶数か奇数かに応じてマーク長Ｔの差を付与されるのであるが、具体的には、以下の２つの方法があげられる。
（記録パルス分割方法ＩＩ）
この記録パルス分割方法は、（記録パルス分割方法Ｉ）において、３以上のｍに対して、同一分割数ｍにおける、ｎ＝２ｍの記録マーク及びｎ＝２ｍ＋１の記録マークにおいて、α_ｍ≠α_ｍ’、β_１≠β_１’とし、かつ、（Ｔ_ｄ１，Ｔ_ｄ１’）、（α_１とα_１’）、（β_ｍ−１とβ_ｍ−１’）、及び（β_ｍとβ_ｍ’）から選ばれる一組以上が異なる値をとるものとする方法である。
【０３３０】
具体的には、同一分割数ｍにおいて、ｎが奇数である場合の（β_ｍ−１’＋α_ｍ’＋β_ｍ’）をｎが偶数である場合の（β_ｍ−１＋α_ｍ＋β_ｍ）に対して大きくするとともに、ｎが奇数である場合のβ_１’をｎが偶数である場合のβ_１よりも大きくすることが望ましい。
すなわち、α_ｍ’＝α_ｍ＋Δ_ｍとするとともに、β_１’＞β_１とし、β_１’＝β_１＋Δ_１とする。ここで、Δ_ｍは、０より大きく、好ましくは０．２以上とし、一方、１以下、好ましくは０．７以下、より好ましくは０．６以下とする。また、Δ_１は、０より大きく、好ましくは０．２以上とし、一方、１以下、好ましくは０．７以下、より好ましくは０．６以下とする。
【０３３１】
より具体的には、β_１’＝β_１＋Δ_１（０＜Δ_１≦１）、β_ｍ−１’＋α_ｍ’＝β_ｍ−１＋Δ_ｍ−１＋α_ｍ＋Δ_ｍ＝β_ｍ−１＋α_ｍ＋Δ_ｍｍ（Δ_ｍｍ＝０．２〜１）とするのが好ましい。Δ_１、Δ_ｍｍの値の上限は１以下とするのが好ましく、Δ_１は特に０．２〜０．７の値とするのが好ましく、０．３〜０．６とするのがより好ましい。このうち、β_ｍ−１’＝β_ｍ−１＋Δ_ｍ−１とα_ｍ’＝α_ｍ＋Δ_ｍにおいては、Δ_ｍ−１、Δ_ｍそれぞれに０〜１を配分するが、Δ_ｍ−１、Δ_ｍの上限は０．７以下、好ましくは０．６以下とするのが好ましい。さらに、Δ_ｍ−１＋Δ_ｍ＋Δ_ｍ’は、０．２〜１．２とするのが好ましい。
【０３３２】
特に、３以上のｍに対しては、Ｔ_ｄ１’＝Ｔ_ｄ１、α_１’＝α_１、β_１’＝β_１＋Δ_１（０＜Δ_１≦１）、β_ｍ−１’＝β_ｍ−１＋Δ_ｍ−１（Δ_ｍ−１＝０〜１）、α_ｍ’＝α_ｍ＋Δ_ｍ（０＜Δ_ｍ≦１）、Δ_ｍｍ＝Δ_ｍ−１＋Δ_ｍ、０＜Δ_ｍｍ≦１、とするのが好ましい。ここで、Δ_１、Δ_ｍｍは、さらに０．２〜０．７の値とすることが好ましい。Δ_ｍ−１は０〜０．７、Δ_ｍは０．２〜０．７の値とすることが好ましい。
【０３３３】
パルス発生回路を簡便化するためには、β_１＋α_２及びβ_ｍ−１＋α_ｍは、１．７〜２．３の範囲の値をとるのが好ましく、特に、β_１＋α_２＝２、β_ｍ−１＋α_ｍ＝２とすることがより好ましい。
また、α_ｍ＝αｃとするのが好ましい。さらにはα_１＝α_１’とし、これをα_１＝α_１’＝αｃとすることも、可変パラメータ数を少なくする上で好ましい。
【０３３４】
ここで、ｍ＝２（ｎ＝４，５）の場合に、ｍ−１＝１であるから、区間（β_１＋α_２）Ｔは、区間（β_ｍ−１＋α_ｍ）Ｔとも解される。この場合、５Ｔマークの（β_１’＋α_２’）Ｔを４Ｔマークの（β_１＋α_２）Ｔより約１Ｔ長くするのであるが、より具体的には、α_１、α_１’、α_２、α_２’、β_２、β_２’をそれぞれｍが３以上の場合のα_１、α_１’、α_ｍ、α_ｍ’、β_ｍ、β_ｍ’と等しくするとともに、β_１をｍが３以上の場合のいずれかのｍにおける、β_１又はβ_ｍ−１のいずれかと等しくし、β_１’をｍが３以上の場合のいずれかのｍにおける、β_１’又はβ_ｍ−１’のいずれかと等しくするのが好ましい。
【０３３５】
上記ｍ＝２におけるα_１、α_１’、α_２、α_２’、β_２、β_２’の各値は、ｍ＝３の場合のα_１、α_１’、α_３、α_３’、β_３、β_３’と等しくするとともに、β_１をｍ＝３の場合におけるβ_１又はβ_２と等しくし、β_１’をｍ＝３以上の場合におけるβ_１’又はβ_２’のいずれかと等しくするのが好ましい。特に好ましいのは、ｍ＝２におけるα_１、α_１’、β_１、β_１’、α_２、α_２’、β_２、β_２’をそれぞれｍが３の場合のα_１、α_１’、β_２、β_２’、α_３、α_３’、β_３、β_３’と等しくすることである。
【０３３６】
ただし、ｍ＝２に関するいずれの場合も、β_２’に関しては、さらに±０．５の範囲での微調整を許容するものとする。よって、ｎ＝４，５においては、ｍが３以上の場合と異なる値を取りうるのは、Ｔ_ｄ１、Ｔ_ｄ１’、β_２’の３個のパラメータである。
なお、ｍ＝１（ｎ＝３）の場合には、一対の記録パワー照射区間α_１’Ｔとバイアスパワー照射区間β_１’Ｔからなる記録光の照射を行う。この場合、α_１’は、３以上のｍにおけるα_１’より０．１から１．５程度大きくし、β_１’は３以上のｍにおけるβ_１’より小さく、かつ、β_ｍ、β_ｍ’より大きくするのが好ましい。あるいは、α_１’は、３以上のｍにおけるα_１’の１〜２倍とすることも好ましい。
【０３３７】
他の具体的方法として、
（記録パルス分割方法ＩＩＩ）
この記録パルス分割方法は、（記録パルス分割方法Ｉ）において、３以上のｍに対して、同一の分割数ｍにおける、ｎ＝２ｍの記録マーク及びｎ＝２ｍ＋１の記録マークにおいて、α_ｍ≠α_ｍ’、Ｔ_ｄ１＝Ｔ_ｄ１’、α_１＝α_１’、β_１＝β_１’とし、かつ（β_ｍ−１とβ_ｍ−１’）、及び（β_ｍとβ_ｍ’）から選ばれる一組以上が異なる値をとるものである。すでに、（記録パルス分割方法方法Ｉ）において、β_ｉ−１＋α_ｉ＝β_ｉ−１’＋α_ｉ’＝βｃ＋αｃ（ｉ＝２〜ｍ−１）となっているので、Ｔ_ｄ１＝Ｔ_ｄ１’、α_１＝α_１’、β_１＝β_１’とすることで、オフパルス区間β_ｍ−１Ｔ及びβ_ｍ−１’Ｔの開始時間までのすべての記録パルスとオフパルス区間を偶数マークと奇数マークにおいて同期させることができ、記録パルス発生回路を大幅に簡略化できる。
【０３３８】
すなわち、３以上のｍにおいては、同一分割数ｍにおいて、ｎが偶数である場合の（β_ｍ−１＋α_ｍ＋β_ｍ）に対して約１を付加することにより、ｎが奇数である場合の（β_ｍ−１’＋α_ｍ’＋β_ｍ’）を得る。上記（β_ｍ−１＋α_ｍ＋β_ｍ）に付加する約１は、０．５〜１．５の範囲の値であることが好ましく、０．５〜１．２の範囲の値であることがより好ましい。このうち、β_ｍ−１、β_ｍには０以上１以下の値を付与し、α_ｍには０より大きく１以下の値を付与するが、β_ｍ−１及びα_ｍに付与する値の上限は０．６以下とすることがより好ましい。α_ｍだけで１Ｔ分のマーク長の補正を行おうとすると後端ジッタが高くなる可能性があるので、少なくともβ_ｍ−１かβ_ｍのいずれかをα_ｍとあわせて補正する。ここで、記録パルス分割方法Ｉにおいて説明したように、α_２’＝α_２＝αｃであるから、β_１’＋α_２’＝β_１＋α_２となる。
【０３３９】
すなわち、３以上のｍに対しては、
β_ｍ−１’＝β_ｍ−１＋Δ_ｍ−１（Δ_ｍ−１＝０〜１）、α_ｍ’＝α_ｍ＋Δ_ｍ（０＜Δ_ｍ≦１）、β_ｍ＝β_ｍ＋Δ_ｍ’（Δ_ｍ’＝０〜１）、また、Δ_ｍｍ＋Δ_ｍ’＝Δ_ｍ−１＋Δ_ｍ＋Δ_ｍ’＝０．５〜１．５とするのが好ましく、０．５〜１．２とするのがより好ましい。
【０３４０】
β_１＋α_２＝β_１’＋α_２’、及びβ_ｍ−１＋α_ｍは、前述のように１．５〜２．５の範囲の値をとることが好ましく、１．７〜２．３の範囲の値をとることがより好ましい。特に、β_１＋α_２＝２、β_ｍ−１＋α_ｍ＝２とするのが好ましい。
ここで、ｍ＝２（ｎ＝４，５）の場合に、ｍ−１＝１であるから、区間（β_１＋α_２）Ｔは、区間（β_ｍ−１＋α_ｍ）Ｔとも解される。この場合、５Ｔマークの（β_１＋α_２）Ｔを４Ｔマークの（β_１＋α_２）Ｔより約１Ｔ長くするのであるが、より具体的には、α_１、α_１’、β_１、β_１’、α_２、α_２’、β_２、β_２’をそれぞれ３以上のいずれかのｍにおけるα_１、α_１’、β_ｍ−１、β_ｍ−１’、α_ｍ、α_ｍ’、β_ｍ、β_ｍ’と等しくするのが好ましい。
【０３４１】
ただし、ｍ＝２におけるα_２、α_２’、β_２、β_２’に関しては、さらに±０．２の範囲で値を微調整することもあるが、その必要性は小さい。特に好ましいのは、ｍ＝２におけるα_１、α_１’、β_１、β_１’、α_２、α_２’、β_２、β_２’をそれぞれｍ＝３におけるα_１、α_１’、β_２、β_２’、α_３、α_３’、β_３、β_３’と等しくすることである。
【０３４２】
なお、ｍ＝１（ｎ＝３）の場合には、やはり、一対の記録パワー照射区間α_１’Ｔとバイアスパワー照射区間β_１’Ｔからなる記録光の照射を行う。この場合、α_１’は、３以上のｍにおけるα_１’より０．１から１．５程度大きくするのが好ましい。あるいは、α_１’は、３以上のｍにおけるα_１’の１〜２倍とするのが好ましい。
【０３４３】
上述の通り、（記録パルス分割方法ＩＩＩ）では、３以上のｍにおいて、β_１’＝β_１とし、同一分割数ｍにおいて、ｎが偶数である場合の（β_ｍ−１＋α_ｍ＋β_ｍ）に対して約１を付加することにより、ｎが奇数である場合の（β_ｍ−１’＋α_ｍ’＋β_ｍ’）を得る。上記１を付加するために、α_ｍ’＝α_ｍ＋Δ_ｍとすることに加え、β_ｍ−１’＝β_ｍ−１＋Δ_ｍ−１とする場合、β_ｍ＝β_ｍ＋Δ_ｍ’とする場合、β_ｍ−１’＝β_ｍ−１＋Δ_ｍ−１及びβ_ｍ＝β_ｍ＋Δ_ｍ’とする場合、の３つの場合が考えられる。これらうち、記録可能な線速度の上限よりも遅い線速度で記録を行うような場合においては、まずβ_ｍ＝β_ｍ＋Δ_ｍ’として、β_ｍにおける補正をβ_ｍ−１における補正に優先させることが好ましい。その理由を以下に示す。
【０３４４】
すなわち、本発明記録媒体においてオーバーライト可能な線速度の上限よりも遅い線速度で記録を行う場合、α_ｍ’＞α_ｍなる補正がマーク後端の冷却過程に大きな影響を及ぼすために、β_ｍにおける補正値Δ_ｍ’を、β_ｍ’＝β_ｍ＋Δ_ｍ’（Δ_ｍ’＝０〜１）のように補正することが好ましいのである。例えば、２４倍速でオーバーライト可能な本発明ＣＤ−ＲＷ媒体に２４倍速未満で記録を行う場合や、８倍速でオーバーライト可能な本発明ＲＷ−ＤＶＤ媒体に、８倍速未満で記録する場合であり、後述のＣＡＶやＰ−ＣＡＶ記録を行う場合に有用である。このような場合には、Δ_ｍ−１よりも、まず、Δ_ｍ’＞０とすることを優先するのが好ましいのである。
【０３４５】
本記録パルス分割方法（Ｉ）、（ＩＩ）、及び（ＩＩＩ）においては、α_ｉとβ_ｉは、それぞれのマーク長でそれぞれ最適化することができるが、パルス発生回路の簡便化のために、これらをできるだけ一定値とするのが好ましい。
まず、ｍが３以上の場合に存在する中間記録パルス群において、α_ｉ及びα_ｉ’（ｉ＝２〜ｍ−１）をｉ及びｎによらない値αｃで一定とするのが好ましい。
【０３４６】
続いて、先頭記録パルスパラメータα_１、α_１’を、２以上のｍ、少なくとも３以上のｍに対して偶数長マークであるか奇数長マークであるかにかかわらず、一定値とできる。すなわちα_１’＝α_１であって、α_１はｍによらない一定値とすることが好ましい。この場合には、やはり、少なくとも３以上のｍに対して、Ｔ_ｄ１＝Ｔ_ｄ１’も一定とするのが好ましい。
【０３４７】
α_ｍ及びα_ｍ’に関しては、同一ｍの偶数長マークと奇数長マークで異なるのであるが、３以上のｍ、より好ましくは２以上のｍ、においては、ｍによらず、偶数長マークにおけるα_ｍを一定とし、奇数長マークにおけるα_ｍ’を一定とできる。そして、偶数長マークにおけるα_ｍもαｃとするのが好ましい。
以上に加えて、記録パルス分割方式（ＩＩ）においては、３以上のｍ、より好ましくは２以上のｍ、においては、Δ_１、Δ_ｍ−１、Δ_ｍ、をそれぞれ一定とする。よってΔ_ｍｍ＝Δ_ｍ−１＋Δ_ｍも一定となる。
【０３４８】
以上のように、ｍに依存しないパラメータを考慮すれば、ＲＷ−ＤＶＤの場合に、ｎ＝１４の場合を追加するにしても、二対のαｃＴとβｃＴを挿入するだけですむので、独立パラーメタの数は、ＣＤ−ＲＷの場合と同じと考えられる。
以上をまとめるならば、記録パルス分割方法（ＩＩ）においては、さらに以下の簡略化した記録パルス分割方法となる。
【０３４９】
すなわち、３以上のｍ（すなわち、６以上のｎ）に対しては、Ｔ_ｄ１’＝Ｔ_ｄ１、α_１’＝α_１、β_１＋α_２＝１．５〜２．５、β_ｍ−１＋α_ｍ＝１．５〜２．５、β_１’＝β_１＋Δ_１（０＜Δ_１≦１）、β_ｍ−１’＝β_ｍ−１＋Δ_ｍ−１（Δ_ｍ−１＝０〜１）、α_ｍ’＝α_ｍ＋Δ_ｍ（０＜Δ_ｍ≦１）、Δ_ｍｍ＝Δ_ｍ−１＋Δ_ｍ＝０．２〜１、β_ｍ’＝β_ｍ＋Δ_ｍ’（Δ_ｍ’＝０〜１）関係を満たし、かつ、Ｔ_ｄ１，α_１、β_１、Δ_１、αｃ、β_ｍ−１、Δ_ｍ−１、α_ｍ、Δ_ｍ、β_ｍ、Δ_ｍ’は、３以上のｍにおいてはｍによらず一定とできる。
【０３５０】
ここで、特に３以上のｍにおいて、（Ｔ_ｄ１＋α_１）Ｔ＝（Ｔ_ｄ１’＋α_１’）Ｔ＝２Ｔとすることで、特に偶数長マークにおいて各記録パルスα_ｉＴの立下りを、クロック周期に同期させることができ、回路をさらに簡便化できる。ここにおいて、ｍが３以上（ｎが６以上）のマークについては、（Ｔ_ｄ１，α_１、β_１、Δ_１、αｃ、β_ｍ−１、Δ_ｍ−１、α_ｍ、Δ_ｍ、β_ｍ、Δ_ｍ’）の１１個の独立パラメータにより、下記の記録パルス分割方法（ＩＩ―Ａ）が規定できる。
【０３５１】
すなわち、記録パルス分割方法（ＩＩ―Ａ）記録マーク間に対しては、非晶質を結晶しうる消去パワーＰｅの記録光を照射し、
ｎ＝２ｍ（ｍは２以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｊ）Ｔ、（ｊは−２．０〜２．０なる実数）を、
α_１Ｔ、β_１Ｔ、α_２Ｔ、β_２Ｔ、・・・・、α_ｍＴ、β_ｍＴ、
からなるｍ個のα_ｉＴとβ_ｉＴからなる区間、ただしΣ_ｉ（α_ｉ＋β_ｉ）＝ｎ−ｊ、となるように分割し、
ｎ＝２ｍ＋１（ｍは２以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｋ）Ｔ、（ｋは−２．０〜２．０なる実数）を、
α_１’Ｔ、β_１’Ｔ、α_２’Ｔ、β_２’Ｔ、・・・・α_ｍ’Ｔ、β_ｍ’Ｔ、
からなるｍ個のα_ｉ’Ｔとβ_ｉ’Ｔからなる区間、ただし、Σ_ｉ（α_ｉ’＋β_ｉ’）＝ｎ−ｋ、となるように分割し、
α_ｉＴおよびα_ｉ’Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、記録層を溶融するに足る一定の記録パワーＰｗの記録光（ただし、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．２〜０．６とする）を照射し、
β_ｉＴおよびβ_ｉ’Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、Ｐｂ≦０．２ＰｅなるバイアスパワーＰｂの記録光を照射する、書換え型光記録媒体への記録方法であって、
ｎ＝２ｍ（ｍは３以上）の場合には、ｎＴマークの開始時間をＴ_０とするとき、Ｔ_０から遅延時間Ｔ_ｄ１Ｔ後にα_１Ｔ、β_１Ｔ、α_２Ｔ＝αｃＴがこの順に発生された後、概ね周期２Ｔを保ちながらβ_ｉ−１Ｔ＝βｃＴとα_ｉＴ＝αｃＴ（ｉ＝３〜ｍ−１、αｃ及びβｃ＝２−αｃは、ｉによらず一定）とがこの順に交互に発生された後、β_ｍ−１Ｔ、α_ｍＴ、β_ｍＴがこの順に発生されてなり、
ｎ＝２ｍ＋１（ｍは３以上）の場合には、ｎＴマークの開始時間をＴ_０とするとき、Ｔ_０から遅延時間Ｔ_ｄ１’Ｔ後にα_１’Ｔ、β_１’Ｔ、α_２’Ｔ＝αｃＴがこの順に発生され、概ね周期２Ｔを保ちながら、βｃＴ＝β_ｉ−１’ＴとαｃＴ＝α_ｉ’Ｔ（ｉ＝３〜ｍ−１）とがこの順に交互に発生された後、β_ｍ−１’Ｔ後に、α_ｍ’Ｔ及びβ_ｍ’Ｔがこの順に発生されてなり、
かつ、３以上のｍにおいては同一分割数ｍにおいて、Ｔ_ｄ１’＝Ｔ_ｄ１、α_１’＝α_１、β_１’＝β_１＋Δ_１（０＜Δ_１≦１）、β_ｍ−１’＝β_ｍ−１＋Δ_ｍ−１（Δ_ｍ−１＝０〜１）、α_ｍ’＝α_ｍ＋Δ_ｍ（０＜Δ_ｍ≦１）、Δ_ｍｍ＝Δ_ｍ−１＋Δ_ｍ、０＜Δ_ｍｍ≦１、β_ｍ’＝β_ｍ＋Δ_ｍ’（Δ_ｍ’＝０〜１）の関係を満たし、かつ、Ｔ_ｄ１，α_１、β_１、Δ_１、αｃ、β_ｍ−１、Δ_ｍ−１、α_ｍ、Δ_ｍ、β_ｍ、Δ_ｍ’は、ｍによらず一定とする記録方法である。
【０３５２】
ここで、ｍ＝２の場合には、α_１、α_１’、β_１、β_１’、α_２、α_２’、β_２’、β_２’をそれぞれｍ＝３の場合のα_１、α_１’、β_ｍ−１、β_ｍ−１’、α_ｍ、α_ｍ’、β_ｍ、β_ｍ’と等しくする（ただしβ_２’は、さらに±０．５の範囲で調整可能とする）のが好ましい。
前述の記録方式ＣＤ１−１、２−１、及びＤＶＤ１−１、２−１は、このような記録パルス分割方式（ＩＩ―Ａ）において、各パラメータの範囲及び大小関係をより限定的に規定したものである。
【０３５３】
上記記録パルス分割方法（ＩＩ−Ａ）において、「概ね周期２Ｔを保つ」とは、（β_ｉ−１＋α_ｉ）Ｔ＝２Ｔ（ｉ＝２〜ｍ）、及び（β_ｉ−１’＋α_ｉ’）Ｔ＝２Ｔ（ｉ＝３〜ｍ−１）であって、電子回路の実現するための２Ｔからの不可避のずれを許容することを意味するのみでなく、（β_１＋α_２）Ｔ及び（β_ｍ−１＋α_ｍ）Ｔに関しては、±０．５Ｔの範囲での微調整をも許容する意味である。
【０３５４】
このようにして、ｍが３以上（ｎが６以上）のマーク長に関しては、１１個の独立パラメータ（Ｔ_ｄ１，α_１、β_１、Δ_１、αｃ、β_ｍ−１、Δ_ｍ−１、α_ｍ、Δ_ｍ、β_ｍ、Δ_ｍ’）で記録パルス分割方法が規定でき、他には、ｎ＝３におけるＴ_ｄ１’、α_１’、β_１’計３個）、ｍ＝２（ｎ＝４、５）におけるＴ_ｄ１、Ｔ_ｄ１’、α_２’、β_２’（計４個）のパラメータを規定すれば、すべての３〜１１までのマーク長を形成するための記録パルス分割方法が定まる。さらに、Ｐｗ、Ｐｂがすべて区間で一定のパワーレベルをとれば、Ｐｅと合わせて３種の記録パワーレベル値を定義し、計１１＋３＋４＋３＝２１個の独立パラメータを定義すればよい。
【０３５５】
ここで、パルス分割方法（ＩＩ−Ａ）においては、記録パルスストラテジーの記録パルス及びオフパルスのレーザー光（パルス光）の制御を行う制御回路（電子回路）の設計をより簡略化するために、３以上のｍにおいては、Ｔ_d1＋α₁＝２、α₁＝αｃ、β₁＋α₂＝２、β_m-1＋α_m＝２、及びα_m＝αｃのうち少なくとも一つの式が成り立つようにすることが好ましい。
【０３５６】
３以上のｍ（すなわち６以上のｎ）においては、Ｔ_ｄ１＋α_１＝２、β_１＋α_２＝２、β_ｍ−１＋α_ｍ＝２とすると、ｉ＝１〜ｍまでの各記録パルスα_ｉＴの立下りを、クロック周期に同期させることができ、回路をさらに簡便化できるので好ましい。この場合、Ｔ_ｄ１’＋α_１’＝２となる。さらに、β_１’＋α_２’＝２．５、すなわち、β_１’＝β_１＋０．５、とすると、ｉ＝１〜ｍ−１までの各記録パルスα_ｉ’Ｔの立下りも、クロック周期の１／２の周期に同期させることができ、独立パラメータの数を大幅に減らせると共に、回路をさらに簡便化できるので好ましい。
【０３５７】
この場合の独立パラメータは、記録パワーレベルの３個と、ｎ＝３における、Ｔ_ｄ１’、α_１’、β_１’の３個、ｎ＝４，５におけるＴ_ｄ１、Ｔ_ｄ１’、α_２’、β_２’の４個と６以上のｎにおける（α_１、Δ_１、αｃ、Δ_ｍ−１、α_ｍ、Δ_ｍ、β_ｍ、Δ_ｍ’）の８個の計３＋３＋４＋８＝１８個となり、パラメータの決定が簡便化できる。より一層好ましくは、２以上のすべてのｍ（ｎが４以上）において、Ｔ_ｄ１＋α_１＝Ｔ_ｄ１’＋α_１’＝２とする。この場合ｎ＝４，５におけるＴ_ｄ１、Ｔ_ｄ１’の２個も非独立となるので、独立パラメータ数は１６個である。さらに加えて、３以上のｍにおいて、α_ｍ＝αｃとする、あるいは、α_１＝αｃとすると、独立パラメータ数をさらに減らすことができ好ましい。α_ｍ＝α_１＝αｃとすれば、独立パラメータ数は１４個となる。
【０３５８】
すなわち、ｍ＝２においても、ｍ＝３以上の場合と同様に、Ｔ_ｄ１＋α_１＝Ｔ_ｄ１’＋α_１’＝２、α_１＝α_１’、β_１＋α_２＝２，α_２＝αｃのうちの少なくとも一つが成り立つことが好ましい。
また、α_ｍ、α_１、及びαｃが等しいか否かにかかわらず、α_１／αｃ、α_ｍ／αｃの比、又は、α_１−αｃ、α_ｍ−αｃの差分が、予め決められた値となっていれば、αｃが決まればα_１及びα_ｍも一義的に決まるので、パラメータ数を減らすことができるようになる。この場合、具体的には、α_１／αｃ、α_ｍ／αｃの比は１〜２の値とすることが好ましい。また、α_１／αｃとα_ｍ／αｃの比は、この範囲の値であれば、互いに異なっていても良い。
【０３５９】
なお、特に、α_１＞αｃとすることは、記録に必要なパワーを低減できる場合があり、その場合は積極的にα_１とαｃを異なる値とすることが望ましい。
さらに、ｎ＝３におけるα_１’が、ｎが４以上の場合のα_１と等しいか、ｎ＝３の場合のα_１’とｎが４以上の場合のα_１あるいはαｃが、一定の比又は差分を有するように定めても良い。
【０３６０】
一方、記録パルス分割方法（ＩＩＩ）においては、以下の簡略化した記録パルス分割方法を用いることが好ましい。３以上のｍ（すなわち、６以上のｎ）に対しては、Ｔ_ｄ１’＝Ｔ_ｄ１、α_１’＝α_１、β_１’＝β_１、β_１＋α_２＝１．５〜２．５、β_ｍ−１＋α_ｍ＝１．５〜２．５、β_ｍ−１’＝β_ｍ−１＋Δ_ｍ−１（Δ_ｍ−１＝０〜１）、α_ｍ’＝α_ｍ＋Δ_ｍ（０＜Δ_ｍ≦１）、Δ_ｍｍ＋Δ_ｍ’＝Δ_ｍ−１＋Δ_ｍ＋Δ_ｍ’＝０．５〜１．５、β_ｍ’＝β_ｍ＋Δ_ｍ’（Δ_ｍ’＝０〜１）の関係を満たし、かつ、Ｔ_ｄ１，α_１、β_１、αｃは、３以上のｍにおいてはｍによらず一定とするのが好ましい。さらに、β_ｍ−１、Δ_ｍ−１、α_ｍ、β_ｍ、Δ_ｍ’も３以上のｍにおいて一定とするのが好ましい。Δ_ｍに関しては、Δ_ｍ１とΔ_ｍ２の２通りの値をとりうるがΔ_ｍ１＝Δ_ｍ２であるのがより好ましい。Δ_ｍ−１、Δ_ｍ’は、いずれも０〜０．７であることがより好ましく、いずれも０〜０．６であることが特に好ましい。Δ_ｍは、０より大きく０．７以下であることがより好ましく、０より大きく０．６以下であることがより好ましい。
【０３６１】
下記の記録パルス分割方法（ＩＩＩ―Ａ）が規定できる。
すなわち、
記録パルス分割方法（ＩＩＩ―Ａ）
記録マーク間に対しては、非晶質を結晶しうる消去パワーＰｅの記録光を照射し、
ｎ＝２ｍ（ｍは２以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｊ）Ｔ、（ｊは−２．０〜２．０なる実数）を、
α_１Ｔ、β_１Ｔ、α_２Ｔ、β_２Ｔ、・・・・、α_ｍＴ、β_ｍＴ、
からなるｍ個のα_ｉＴとβ_ｉＴからなる区間、ただしΣ_ｉ（α_ｉ＋β_ｉ）＝ｎ−ｊ、となるように分割し、
ｎ＝２ｍ＋１（ｍは２以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｋ）Ｔ、（ｋは−２．０〜２．０なる実数）を、
α_１’Ｔ、β_１’Ｔ、α_２’Ｔ、β_２’Ｔ、・・・・α_ｍ’Ｔ、β_ｍ’Ｔ、
からなるｍ個のα_ｉ’Ｔとβ_ｉ’Ｔからなる区間、ただし、Σ_ｉ（α_ｉ’＋β_ｉ’）＝ｎ−ｋ、となるように分割し、
α_ｉＴおよびα_ｉ’Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、記録層を溶融するに足る一定の記録パワーＰｗの記録光（ただし、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．２〜０．６とする）を照射し、
β_ｉＴおよびβ_ｉ’Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、Ｐｂ≦０．２ＰｅなるバイアスパワーＰｂの記録光を照射する、書換え型光記録媒体への記録方法であって、
ｎ＝２ｍ（ｍは３以上）の場合には、ｎＴマークの開始時間をＴ_０とするとき、Ｔ_０から遅延時間Ｔ_ｄ１Ｔ後にα_１Ｔ、β_１Ｔ、α_２Ｔ＝αｃＴがこの順に発生された後、概ね周期２Ｔを保ちながらβ_ｉ−１Ｔ＝βｃＴとα_ｉＴ＝αｃＴ（ｉ＝３〜ｍ−１、αｃ及びβｃ＝２−αｃは、ｉによらず一定）とがこの順に交互に発生された後、β_ｍ−１Ｔ、α_ｍＴ、β_ｍＴがこの順に発生されてなり、
ｎ＝２ｍ＋１（ｍは３以上）の場合には、ｎＴマークの開始時間をＴ_０とするとき、Ｔ_０から遅延時間Ｔ_ｄ１’Ｔ後にα_１’Ｔ、β_１’Ｔ、α_２’Ｔ＝αｃＴがこの順に発生され、概ね周期２Ｔを保ちながら、βｃＴ＝β_ｉ−１’ＴとαｃＴ＝α_ｉ’Ｔ（ｉ＝３〜ｍ−１）とがこの順に交互に発生された後、β_ｍ−１’Ｔ後に、α_ｍ’Ｔ及びβ_ｍ’Ｔがこの順に発生されてなり、
かつ、３以上のｍにおいては、同一分割数ｍにおいて、Ｔ_ｄ１’＝Ｔ_ｄ１、α_１’＝α_１、β_１’＝β_１、β_１＋α_２＝１．５〜２．５、β_ｍ−１＋α_ｍ＝１．５〜２．５、β_ｍ−１’＝β_ｍ−１＋Δ_ｍ−１（Δ_ｍ−１＝０〜１）、α_ｍ’＝α_ｍ＋Δ_ｍ（０＜Δ_ｍ≦１）、Δ_ｍ−１＋Δ_ｍ＋Δ_ｍ’＝０．５〜１．５、β_ｍ’＝β_ｍ＋Δ_ｍ’（Δ_ｍ’＝０〜１）の関係を満たし、かつ、Ｔ_ｄ１，α_１、β_１、αｃ、β_ｍ−１、Δ_ｍ−１、α_ｍ、β_ｍ、Δ_ｍ’は、ｍによらず一定とする（ただし、Δ_ｍは、ｍに応じて、Δ_ｍ１とΔ_ｍ２の２通りの値をとり得る）ものとする記録方法である。
【０３６２】
さらに、ｍ＝２の場合には、記録パルス分割方法（ＩＩＩ）と同じく、α_１、α_１’、β_１、β_１’、α_２、α_２’、β_２、β_２’をそれぞれｍ＝３の場合のα_１、α_１’、β_ｍ−１、β_ｍ−１’、α_ｍ、α_ｍ’、β_ｍ、β_ｍ’と等しくする、光記録方法である。
上記記録パルス分割方法（ＩＩＩ−Ａ）において、「概ね周期２Ｔを保つ」とは、（β_ｉ−１＋α_ｉ）Ｔ＝２Ｔ（ｉ＝２〜ｍ）、及び（β_ｉ−１’＋α_ｉ’）Ｔ＝２Ｔ（ｉ＝２〜ｍ−１）であって、電子回路の実現するための２Ｔからの不可避のずれを許容することを意味するのみでなく、（β_１＋α_２）Ｔ及び（β_ｍ−１＋α_ｍ）Ｔに関しては、±０．５Ｔの範囲での微調整をも許容する意味である。
【０３６３】
このようにして、ｍが３以上（ｎが６以上）のマーク長に関しては、１１個の独立パラメータ（Ｔ_ｄ１、α_１、β_１、αｃ、β_ｍ−１、Δ_ｍ−１、α_ｍ、Δ_ｍ１、Δ_ｍ２、β_ｍ、Δ_ｍ’）で記録パルス分割方法が規定でき、他には、ｎ＝３、４、５におけるそれぞれのＴ_ｄ１又はＴ_ｄ１’（計３個）、ｎ＝３における、α_１’、β_１’（計２個）のパラメータを規定すれば、すべての３〜１１までのマーク長を形成するための記録パルス分割方法が定まる。さらに、Ｐｗ、Ｐｂがすべて区間で一定のパワーレベルをとれば、Ｐｅと合わせて３種の記録パワーレベル値を定義し、計１１＋３＋２＋３＝１９個の独立パラメータを定義すればよい。
【０３６４】
前述の記録方式ＣＤ１−２、２−２、及びＤＶＤ１−２は、このような記録パルス分割方式（ＩＩＩ―Ａ）において、各パラメータの範囲及び大小関係をより限定的に規定したものである。
ここで、パルス分割方式（ＩＩＩ−Ａ）においては、記録パルスストラテジーの記録パルス及びオフパルスのレーザー光（パルス光）の制御を行う制御回路（電子回路）の設計をより簡略化するために、以下の事項を行うことが好ましい。
【０３６５】
一点目、３以上のｍにおいてはΔ_ｍ＝Δ_ｍ１＝Δ_ｍ２とすることが好ましい。
二点目は、３以上のｍにおいては、Ｔ_ｄ１＋α_１＝２、α_１＝αｃ、β_１＋α_２＝２、β_ｍ−１＋α_ｍ＝２、及びα_ｍ＝αｃのうち少なくとも一つの式が成り立つ様にすることである。
特に３以上のｍにおいて、Ｔ_ｄ１＋α_１＝２、β_１＋α_２＝２、とすると、ｉ＝１〜ｍ−１までの各記録パルスα_ｉＴ、及びα_ｉ’Ｔの立下りを、クロック周期に同期させることができ、回路をさらに簡便化でき、また、独立パラメータ数が大幅に減らせるので好ましい。尚、β_１＝β_１’、α_２＝α_２’＝αｃなので、β_１＋α_２＝２とすれば、β_１’＋α_２’＝２となる。同様に、Ｔ_ｄ１＝Ｔ_ｄ１’、α_１＝α_１’なので、Ｔ_ｄ１＋α_１＝２とすれば、Ｔ_ｄ１’＋α_１’＝２となる。
【０３６６】
この場合の、独立パラメータは、記録パワーレベルの３個と、ｎ＝３における、Ｔ_ｄ１’、α_１’、β_１’の３個、ｎ＝４，５におけるＴ_ｄ１、Ｔ_ｄ１’の２個と３以上のｍにおける（α_１、αｃ、β_ｍ−１、Δ_ｍ−１、α_ｍ、Δ_ｍ、β_ｍ、Δ_ｍ’）の８個の計３＋３＋２＋７＝１６個となり、パラメータの決定が簡便化できる。β_ｍ−１＋α_ｍ＝２、α_ｍ＝αｃとすれば、さらに、パラメータ数を２個減らし、１４個とすることができ好ましい。
【０３６７】
あるいは、α_１／αｃ、α_ｍ／αｃの比、又は、α_１−αｃ、α_ｍ−αｃの差分が、予め決められた値となっていれば、αｃが決まれば、α_１やα_ｍが決まるので、やはりパラメータ数を減らすことができて好ましい。この場合、具体的には、α_１／αｃ、α_ｍ／αｃの比は１〜２の値とすることが好ましい。また、α_１／αｃとα_ｍ／αｃの比は、この範囲の値であれば、互いに異なっていても良い。
【０３６８】
なお、特に、α１＞αｃとすることは、記録に必要なパワーを低減できる場合があり、その場合は積極的にα_１とαｃを異なる値とすることが望ましい。
さらに、ｎ＝３におけるα_１’が、ｎが４以上の場合のα_１と等しいか、ｎ＝３の場合のα_１’とｎが４以上の場合のα_１あるいはαｃが、一定の比又は差分を有するように定めても良い。
【０３６９】
より一層好ましくは、２以上のすべてのｍにおいて、Ｔ_ｄ１＋α_１＝２とする。
この場合ｎ＝４，５におけるＴ_ｄ１、Ｔ_ｄ１’の２個も非独立となるので、独立パラメータ数は１２個である。
すなわち、ｍ＝２においても、ｍ＝３以上の場合と同様に、Ｔ_ｄ１＋α_１＝Ｔ_ｄ１’＋α_１’＝２、α_１＝α_１’、β_１＋α_２＝２，α_２＝αｃのうちの少なくとも一つが成り立つことが好ましい。
【０３７０】
ここにおいて、最も簡便な記録パルス分割方法として、１２個の独立パラメータ（４以上のｎにおけるα_１、αｃ、Δ_ｍ−１、Δ_ｍ、β_ｍ、Δ_ｍ’、ｎ＝３におけるＴ_ｄ１’、α_１’、β_１’、及びＰｗ，Ｐｅ，Ｐｂ）のみによって規定される記録パルス分割方法（ＩＩＩ−Ｂ）が以下のように定義できる。すなわち、
記録パルス分割方法（ＩＩＩ−Ｂ）
記録マーク間に対しては、非晶質を結晶しうる消去パワーＰｅの記録光を照射し、
ｎ＝２ｍ（ｍは２以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｊ）Ｔ、（ｊは−２．０〜２．０なる実数）を、
α_１Ｔ、β_１Ｔ、α_２Ｔ、β_２Ｔ、・・・・、α_ｍＴ、β_ｍＴ、
からなるｍ個のα_ｉＴとβ_ｉＴからなる区間、ただしΣ_ｉ（α_ｉ＋β_ｉ）＝ｎ−ｊ、となるように分割し、
ｎ＝２ｍ＋１（ｍは２以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｋ）Ｔ、（ｋは−２．０〜２．０なる実数）を、
α_１’Ｔ、β_１’Ｔ、α_２’Ｔ、β_２’Ｔ、・・・・α_ｍ’Ｔ、β_ｍ’Ｔ、
からなるｍ個のα_ｉ’Ｔとβ_ｉ’Ｔからなる区間、ただし、Σ_ｉ（α_ｉ’＋β_ｉ’）＝ｎ−ｋ、となるように分割し、
α_ｉＴおよびα_ｉ’Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、記録層を溶融するに足る一定の記録パワーＰｗの記録光（ただし、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．２〜０．６とする）を照射し、
β_ｉＴおよびβ_ｉ’Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、Ｐｂ≦０．２ＰｅなるバイアスパワーＰｂの記録光を照射する、書換え型光記録媒体への記録方法であって、
ｎ＝２ｍ（ｍは３以上）の場合には、ｎＴマークの開始時間をＴ_０とするとき、Ｔ_０から遅延時間Ｔ_ｄ１Ｔ後にα_１Ｔが発生され、概ね周期２Ｔを保ちながらβｃＴ＝β_ｉ−１ＴとαｃＴ＝α_ｉＴ（ｉ＝２〜ｍ、αｃ及びβｃ＝２−αｃは、ｉによらず一定）とがこの順に交互に発生された後、β_ｍＴがこの順に発生されてなり、
ｎ＝２ｍ＋１（ｍは３以上）の場合には、ｎＴマークの開始時間をＴ_０とするとき、Ｔ_０から遅延時間Ｔ_ｄ１’Ｔ後にα_１’Ｔが発生され、概ね周期２Ｔを保ちながら、βｃＴ＝β_ｉ−１’ＴとαｃＴ＝α_ｉ’Ｔ（ｉ＝２〜ｍ−１）とがこの順に交互に発生された後、β_ｍ−１’Ｔ後に、α_ｍ’Ｔ及びβ_ｍ’Ｔがこの順に発生されてなり、
かつ、３以上のｍにおいては、同一分割数ｍにおいて、Ｔ_ｄ１’＝Ｔ_ｄ１、Ｔ_ｄ１＋α_１＝２、α_１＝α_１’、β_ｍ−１’＝β_ｍ−１＋Δ_ｍ−１（Δ_ｍ−１＝０〜１）、α_ｍ’＝αｃ＋Δ_ｍ（０＜Δ_ｍ≦１）、Δ_ｍ−１＋Δ_ｍ＋Δ_ｍ’＝０．５〜１．５、β_ｍ’＝β_ｍ＋Δ_ｍ’、Δ_ｍ’＝０〜１の関係を満たし、かつ、αｃ、Δ_ｍ−１、Δ_ｍ、β_ｍ、Δ_ｍ’は、ｍによらず一定とする。
【０３７１】
ｍ＝２の場合には、α_１、α_１’、β_１、β_１’、α_２、α_２’、β_２、β_２’をそれぞれｍ＝３の場合のα_１、α_１’、β_２（＝βｃ）、β_２’（＝βｃ＋Δ_ｍ−１）、α_３（＝αｃ）、α_３’（＝αｃ＋Δ_ｍ）、β_３、β_３’（＝β_３＋Δ_ｍ’）と等しくする、光記録方法である。
ここで、記録パルス分割方法（ＩＩＩ−Ｂ）においては、３以上のｍにおいて、さらには２以上のｍにおいて、α_１＝α_１’＝αｃとすることがより好ましい。また、特にＣＤ−ＲＷの約２０倍速〜３２倍速（ＲＷ−ＤＶＤの６倍速〜１２倍速）においては、Δ_ｍ’＝０、すなわち３以上のｍにおいて、β_ｍ’＝β_ｍとするのが好ましい。さらに、２以上のｍにおいて、β_ｍ’＝β_ｍとすることがより好ましい。
【０３７２】
さらに、（記録パルス分割方法ＩＩＩ−Ａ）乃至は（ＩＩＩ−Ｂ）において、Δ_ｍ−１，Δ_ｍ’のいずれかをゼロにすることや、Δ_ｍ−１＝Δ_ｍとして、パラーメータ数をさらに減らすことも可能である。このようにパラメータ数を少なくしても良好な特性が得られるのが本発明の記録媒体である。そして本発明の記録媒体のうち、ＧｅＳｂ系記録層を用いた光記録媒体において上記良好な特性が得られる傾向が特に顕著となる。つまり、ＧｅＳｂ系記録層を用いた光記録媒体を用いることにより、良好な高速記録特性を簡便な記録パルス分割方法で実現できるという本発明の効果が最も発揮されるようになる。
【０３７３】
（記録方式ＣＤ１−３）又は（記録方式ＤＶＤ１−３）は、本記録パルス分割方法（ＩＩＩ−Ｂ）においてα_１＝α_１’＝αｃとし、記録媒体の特性を特定の範囲に限定し、複数のドライブ間での記録互換性を確保するために、特に１１個の独立パラメータの範囲を限定的に用いたものである。
上記の記録パルス分割方法（ＩＩＩ）、（ＩＩＩ−Ａ）、（ＩＩＩ−Ｂ）は、独立パラメータ数が少なく、かつ、ｉ＝１〜ｍまでのα_ｉＴの立下り、ｉ＝１〜ｍ−１までのα_ｉ’Ｔの立下りを周期２Ｔに同期させることができ、最も好ましいものである。（ＩＩＩ−Ｂ）においては、図５において、ｍが３以上のように、中間分割パルス群を有する場合は、４種のゲートＧ１〜Ｇ４を組み合わせ、ｍ＝２の場合には、Ｇ１、Ｇ３とＧ４を組み合わせ、ｎ＝３（ｍ＝１）の場合には、Ｇ３とＧ４を用いることで、ｎ＝３〜１１までのすべてのマーク長の記録が可能となる。これにより、ゲートＧ１，Ｇ２が周期２Ｔに同期した回路だけで構成でき付加的な遅延回路を必要としないので、パルス発生回路が非常に簡便に構成される。さらに、α_１、α_ｍを発生するＧ_１、Ｇ_３は独立しているので、同じゲート回路の組み合わせで、α_１、α_ｍをαｃと異なる値とすることができる。
【０３７４】
このように、（記録パルス分割方法ＩＩＩ）、（ＩＩＩ−Ａ）、（ＩＩＩ−Ｂ）は、特開２００２−３３１９３６号公報において具体的に開示された記録方法のいずれに比べても、基準クロック周期と同期の取りやすい簡便な回路によって実現できる。特に（記録パルス分割方法ＩＩＩ−Ｂ）は、独立パラメータの数が１２個と少ないながら、良好な記録特性を発揮できる利点がある。
【０３７５】
独立パラメータ数が少ないことは、記録パルス発生回路が簡便化される。また、本発明で提案された書き換え型光記録媒体と特定の記録用ドライブとの組み合わせにおける最適記録パルス分割方法における上記独立パラメータの一部又は全部を予め該書き換え型光記録媒体に記載しておき、かかるパラメータ情報をドライブが読み出して、最適な記録パルスを発生して記録を行うことが好ましいが、ディスクに記載すべきパラメータを予め見出すための作業が軽減されるので好ましい。
【０３７６】
具体的に、記載することが特に好ましい記録パルス分割情報のパラメータは、分割記録パルス発生方法（ＩＩＩ−Ａ）、及び（ＩＩＩ−Ｂ）において、最適記録パワーＰｗ_ｏ，最適消去パワーＰｅ_ｏ、ｎ＝３における、Ｔ_ｄ１’、α_１’、β_１’、３以上のｍにおける、Ｔ_ｄ１、α_１、αｃ、Δ_ｍ−１、Δ_ｍ、Δ_ｍ’、β_ｍである。Ｐｗ_ｏとＰｅ_ｏは、Ｐｗ_ｏとＰｅ_ｏとの比（Ｐｅ_ｏ／Ｐｗ_ｏ）として与えても良い。
【０３７７】
さらにディスクをドライブに挿入したときに、これらのパラメータの一部及び全部に関して、ディスクにあらかじめ記載した値を初期値として、その近傍で変化させながら試し書きを行い、該試し書きした信号を再生して、ｍ_１１、ジッタ、エラーレート等に基づいて、当該ディスクとドライブの組み合わせにおける最適のパラメータを決定することは、互換性を確保する上で有効である。
【０３７８】
以上のようにして、高線速においても個々の非晶質マーク長を正確に、そのエッジのジッターを抑制して記録することが可能となる。しかし、このことは、必ずしも、マーク間（スペース）長が正確でジッタが抑制されることを意味しない。特に、高線速記録では、特にマークジッタとスペースジッタの乖離が著しく、スペースジッタが高記録パワーＰｗ側で大きくなるという場合がある。
【０３７９】
パルス分割方法（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩ−Ａ），（ＩＩＩ），（ＩＩＩ−Ａ），及び（ＩＩＩ−Ｂ）において、特に、ｎ＝３は、ｎ＝４以上のパルス分割方法で用いられるパラメータとは異なる値を独立に決める必要がある。ｎ＝３における記録パルス幅α_１’Ｔは、ｎが４以上の場合のいずれのα_１Ｔ及びα_１’Ｔより大きな値をとることが好ましい。これは、後続の複数の記録パルス列による蓄熱効果もなく、単独の記録パルスで、３Ｔマーク長を形成しなければならないからである。つまり、ｎ＝３におけるα_１’＝α_ｎ＝３が小さすぎると、３Ｔマーク長が得られにくいし、α_ｎ＝３が大きすぎると、３Ｔマーク長は得られても、マークの記録ビーム操作方向に垂直な方向の幅が広くなりすぎて、オーバーライトした際に、マークの端が消えにくくなる傾向がある。このため、ｎが４以上におけるα_１及びα_１’が一定のα_１＝α_１’＝α_ｔｏｐをとる場合、ｎ＝３におけるα_１’＝α_ｎ＝３は、α_ｎ＝３／α_ｔｏｐ＝１〜２の範囲にあることが好ましく、さらには、１〜１．５の範囲にあることが好ましい。
【０３８０】
そこで、３Ｔスペース長ジッタをさらに改善するために、パルス分割方法（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩ−Ａ）、（ＩＩＩ）、（ＩＩＩ−Ａ）、及び（ＩＩＩ−Ｂ）において、ｎ＝３，４、５におけるＴ_ｄ１、Ｔ_ｄ１’だけを、他のｎにおける一定のＴ_ｄ１、Ｔ_ｄ１’とは異なる値とすることが好ましい。
具体的には、ｎ＝３，５におけるＴ_ｄ１’をそれぞれ、Ｔ_ｄ１ａ、Ｔ_ｄ１ｃとし、ｎ＝４におけるＴ_ｄ１をＴ_ｄ１ｂとし、６以上のｎにおけるＴ_ｄ１、Ｔ_ｄ１’をＴ_ｄ１ｄとするとき、Ｔ_ｄ１ａ、Ｔ_ｄ１ｂ、Ｔ_ｄ１ｃのうちの少なくとも一つは、Ｔ_ｄ１ｄとは異なる値とすることが好ましい。
【０３８１】
より好ましいのは、６以上のｎに対する、Ｔ_ｄ１、Ｔ_ｄ１’を一定値Ｔ_ｄ１ｄとし、ｎ＝３，５におけるＴ_ｄ１’をそれぞれＴ_ｄ１ａ、Ｔ_ｄ１ｃとし、ｎ＝４におけるＴ_ｄ１をＴ_ｄ１ｂするとき、Ｔ_ｄ１ａ＜Ｔ_ｄ１ｂ≦Ｔ_ｄ１ｃ≦Ｔ_ｄ１ｄとすることである。
特に、記録パルス分割方法（ＩＩ）、（ＩＩ−Ａ）、（ＩＩＩ）、（ＩＩＩ−Ａ）、及び（ＩＩＩ−Ｂ）において、ｎ＝３，４、５におけるＴ_ｄ１’、Ｔ_ｄ１をｎが６以上の場合のＴ_ｄ１と異なるものにした場合が、最も簡便なパルス発生回路で、スペース長ジッタ、特に３Ｔペース長ジッタの記録パワーマージンを改善できるので効果的である。
【０３８２】
記録パルス分割方法（Ｉ）を基本とし、独立パラメータ数を少なくして簡便化を図る一方で、特定のｎ_０Ｔマークの記録に当たって、先行及び後続する記録マークからの熱拡散による余熱の影響を考慮して、先行及び後続する記録マークｎ_１Ｔ、及びｎ_２Ｔ、さらには、ｎ_１Ｔマークとｎ_０Ｔマーク間のスペース長ｎ_１ｓＴ及びｎ_０Ｔマークとｎ_２Ｔマーク間のスペース長ｎ_２ｓＴの組み合わせに応じて、ｎ_０Ｔマーク形成のための記録パルス分割方法を微調整することが必要になる場合がある。
【０３８３】
ここで、ＣＤにおいては、ｎ_０，ｎ_１，ｎ_２，ｎ_１ｓ，ｎ_２ｓは３〜１１の整数のいずれかである。また、ＤＶＤにおいては、ｎ_０，ｎ_１，ｎ_２，ｎ_１ｓ，ｎ_２ｓはｎ＝３〜１１、及び１４の整数のいずれかである。
この場合も、ｎ_０Ｔマークを形成するための記録パルス分割方法を規定する上記パラメータのうち、特に、（Ｔ_ｄ１、α_１、α_ｍ、β_ｍ）を（ｎ_１，ｎ_１ｓ，ｎ_０，ｎ_２ｓ，ｎ_２）の組み合わせに応じて、微調整することが望ましい。なお、ｎ_０Ｔマークの記録において参照すべきは、（ｎ_１，ｎ_１ｓ，ｎ_０，ｎ_２ｓ，ｎ_２）の一部であっても良い。
【０３８４】
また、熱干渉はスペース長が短い場合に顕著になるから、ｎ_１ｓ，ｎ_２ｓが３である場合にのみ、ｎ_１ｓ，ｎ_２ｓが他の値をとった場合とは異なる、（Ｔ_ｄ１、α_１、α_ｍ、β_ｍ）を用いるようなことも可能である。このうち、特に（Ｔ_ｄ１、β_ｍ）を調整するのが有効であり好ましい。
上記の記録方法において、ＣＤ−ＲＷ規格との互換性をとりつつ良好なオーバーライトが行える。すなわち、ＥＦＭ変調信号をオーバーライトした後の信号特性が、上述の変調度ｍ_１１が６０％以上、アシンメトリーが０付近でＣＤと互換性があり、さらに再生信号の各マーク及びマーク間（スペース）のジッタが３５ｎｓｅｃ以下（１倍速再生時）、かつマーク長及びマーク間がほぼｎＴ×Ｖ（Ｔはデータの基準クロック周期、ｎは３〜１１までの整数、Ｖは再生時の線速度）の長さを有するような記録品質を保つことができる。これは、実際上は、ＣＤ−ＲＷディスク再生可能な市販のＣＤ−ＲＯＭドライブで低エラーレートで再生できることを意味する。
【０３８５】
また、上記の記録方法において、ＲＷ−ＤＶＤ規格との互換性をとりつつ良好なオーバーライトが行える。すなわち、ＥＦＭ＋変調信号をオーバーライトした後の信号特性が、上述の変調度ｍ_１４が５５％以上、アシンメトリーが０付近でＤＶＤと互換性があり、さらに再生信号のジッタが１５％以下（１倍速再生時）、さらには１０％以下であるような記録品質を保つことができる。これは、実際上は、ＲＷ−ＤＶＤディスク再生可能な市販のＤＶＤ−ＲＯＭドライブで低エラーレートで再生できることを意味する。
５．複数かつ広範囲の線速における記録方法について
次に、本発明の第４の要旨に係る記録方法について説明する。
【０３８６】
本発明の媒体は、その記録方法を定めれば、少なくとも８乃至は１０倍速を下限とし、２４乃至は３２倍速の高線速を上限とする任意の線速において、書き換え型光記録媒体として従来のＣＤ−ＲＷ再生可能なシステムで良好な再生が可能となると同時に、媒体及びドライブとの互換性を取りやすくすることができる。そして、上記の分割記録パルス発生方法（ＩＩ）もしくは（ＩＩＩ）を用いれば、記録パルス群の切り替え周期は概ね２Ｔで一定とし、α_ｉとβ_ｉ（及びα_ｉ’とβ_ｉ’）、（ここでｉ＝１〜ｍ−１）とのデューティー比を変化させることで、同一の媒体を異なる線速で使用した場合にも、最適の分割記録パルスストラテジーを容易に見出すことができる。
【０３８７】
この際、いずれの線速においても、通常は、長さｎＴのマークを形成するために記録パワーＰｗとバイアスパワーＰｂとを交互に照射する図５に示すようなパルス分割方式を採用するが、その具体例方式を決定するパラメータの最適値は線速によって変わるのが一般的である。そこで、本発明の媒体には、記録線速に応じた最適記録パワーＰｗ_０、最適消去パワーＰｅ_０、最適バイアスパワーＰｂ_０やα_ｉ（ｉは１〜ｍの少なくとも１つ）、β_ｉ＝（ｉは１〜ｍの少なくとも１つ）、分割数ｍ等のパルス分割情報のうちの少なくとも１つを媒体上あらかじめ記録しておくのが好ましい。
【０３８８】
そして、記録パルス分割方法（Ｉ）を基本として、記録パルス分割方法（ＩＶ）を適用する。
（記録パルス分割方法（ＩＶ））
書き換え型光記録媒体が円盤状のディスクであり、同一ディスク面内において、１倍速基準速度でＣＬＶ記録されたディスクと同一となるよう記録線密度を一定としながら複数の記録線速度で記録を行う光記録方法であって、最大線速度Ｖ _max におけるα_i＝α_imax（ｉ＝１〜ｍ）を０．５〜２とし、かつ該Ｖ_maxにおけるα_i'＝α_imax'（ｉ＝１〜ｍ）を０．５〜２とし、低線速度ほどα_i及びα_i'（ｉ＝１〜ｍ）をそれぞれ単調に減少させるように上記記録パルス分割方法（Ｉ）を用いる方法である。
【０３８９】
記録パルス分割方法（Ｉ）から派生した（ＩＩ），（ＩＩ−Ａ）（ＩＩＩ）、（ＩＩＩ−Ａ）、（ＩＩＩ−Ｂ）の各々に対しても同様に、記録パルス分割方法が定義できる。下記「記録パルス分割方法（Ｖ）」は、記録パルス分割方法（ＩＶ）において記録パルス分割方法（ＩＩ）を用いる場合である。
なお、以下の説明において、１倍速基準線速度、最大線速度Ｖ_max、最小線速度Ｖ_minについて特に断らない場合は、ＣＤ−ＲＷとＲＷ−ＤＶＤで値を使い分ける。
【０３９０】
すなわち、１倍速基準線速度Ｖ_１とは、ＣＤ―ＲＷの場合、１．２ｍ／ｓ〜１．４ｍ／ｓであり、ＲＷ−ＤＶＤの場合、３．４９ｍ／ｓである。
また、最大線速度Ｖ_ｍａｘとは、ＣＤ−ＲＷの場合、上記ＣＤ−ＲＷの基準線速度の２０〜３２倍速の範囲におけるいずれかの線速度であり、特に、２０，２４、又は、３２倍速をいう。ＲＷ―ＤＶＤの場合、上記ＲＷ―ＤＶＤの基準線速度の４〜１２倍速の範囲におけるいずれかの線速度であり、特に４，５，６，８，１０，１２倍速をいう。
【０３９１】
同様に、最小線速度Ｖ_minとは、ＣＤ−ＲＷの場合、約２２倍速以下のいずれかの線速度であり、ＲＷ−ＤＶＤの場合、約７倍速以下のいずれかの線速度である。当然のことながら、Ｖ_maxとＶ_minが対で用いられる場合、Ｖ_max＞Ｖ_minとなる、線速度範囲から選ばれる。
従って、以下の説明においては、ＣＤ−ＲＷを想定する場合には、１倍速基準線速度、Ｖ_max、Ｖ_minとして上記記載のＣＤ−ＲＷの値を用い、ＲＷ−ＤＶＤを想定する場合には、１倍速基準線速度、Ｖ_max、Ｖ_minとして上記記載のＲＷ−ＤＶＤの値を用いる。
（記録パルス分割方法（Ｖ））
書き換え型光記録媒体が円盤状のディスクであり、同一ディスク面内において、１倍速基準速度でＣＬＶ記録されたディスクと同一となるよう記録線密度を一定としながら複数の記録線速度で記録を行う光記録方法であって、最大線速度Ｖ_maxにおけるα_i＝α_imax（ｉ＝１〜ｍ）を０．５〜２とし、かつ該Ｖ_maxにおけるα_i'＝α_imax'（ｉ＝１〜ｍ）を０．５〜２とし、低線速度ほどα_i及びα_i'（ｉ＝１〜ｍ）をそれぞれ単調に減少させるように上記記録パルス分割方法（ＩＩ）を用いる方法である。
【０３９２】
また、上記記録パルス分割方法（Ｖ）において記録パルス分割方法（ＩＩ−Ａ）を用いる場合を、記録パルス分割方法（Ｖ−Ａ）とする。
さらに、記録パルス分割方法（ＩＶ）において、記録パルス分割方法（ＩＩＩ）を用いる場合を下記のように記録パルス分割方法（ＶＩ）とする。
（記録パルス分割方法（ＶＩ））
書き換え型光記録媒体が円盤状のディスクであり、同一ディスク面内において、１倍速基準速度でＣＬＶ記録されたディスクと同一となるよう記録線密度を一定としながら複数の記録線速度で記録を行う光記録方法であって、最大線速度Ｖ_maxにおけるα_i＝α_imax（ｉ＝１〜ｍ）を０．５〜２とし、かつ該Ｖ_maxにおけるα_i'＝α_imax'（ｉ＝１〜ｍ）を０．５〜２とし、低線速度ほどα_i及びα_i'（ｉ＝１〜ｍ）をそれぞれ単調に減少させるように上記記録パルス分割方法（ＩＩＩ）を用いる方法である。
【０３９３】
ここで、上記記録パルス分割方法（ＶＩ）において記録パルス分割方法（ＩＩＩ−Ａ）を用いる場合を、記録パルス分割方法（ＶＩ−Ａ）とする。さらに、上記記録パルス分割方法（ＶＩ）において記録パルス分割方法（ＩＩＩ−Ｂ）を用いる記録パルス分割方法を、記録パルス分割方法（ＶＩ−Ｂ）とする。
尚、上記記録パルス分割方法（ＩＶ）、（Ｖ）、（ＶＩ）のそれぞれにおいて、「単調に減少させる」とは、オーバーライト記録を行う最小線速度Ｖ_ｍｉｎにおけるα_ｉをα_ｉｍｉｎ（ｉ＝１〜ｍ）とするとき、すべてのｎ及びｉに対して、α_ｉｍｉｎ＜α_ｉｍａｘとなっていることをいう。ただし、Ｖ_ｍｉｎとＶ_ｍａｘ中間の線速度においては、α_ｉが線速度によらず一定である場合があっても良いが、原則として、低い線速度では小さな値をとるものとする。
【０３９４】
また、α_ｉの大小の比較は、同一ｎにおけるｉ＝１〜ｍの個々のα_ｉに関して行うものとする。
Ｖ_ｍａｘにおいては、α_ｉｍａｘ、及びα_ｉｍａｘ’は、約１、より具体的には、０．８〜１．５とする。特に、ｉ＝２〜ｍ−１に対しては、α_ｉｍａｘ、及びα_ｉｍａｘ’は、０．８〜１．２の範囲にあることが好ましい。つまり、Ｖ_ｍａｘにおいては、Σ_ｉ（α_ｉｍａｘ）及びΣ_ｉ（α_ｉｍａｘ’）は約ｎ／２かｎ／２よりも小さい値であることが望ましい。
【０３９５】
そして、α_ｉｍｉｎはη_０（Ｖ_ｍｉｎ／Ｖ_ｍａｘ）α_ｉｍａｘ、η_０＝０．８〜１．５、範囲で、α_ｉｍａｘより小さな値をとることが望ましく、Ｖ_ｍｉｎとＶ_ｍａｘ中間の線速度においては、α_ｉは、かかるα_ｉｍｉｎとα_ｉｍａｘの間の値をとるものとする。より好ましくは、η_０を１〜１．３の範囲とする。
α_ｉ’、α_ｉｍｉｎ’、α_ｉｍａｘ’（ｉ＝１〜ｍ）に関しても同様である。そこで、Σ_ｉ（α_ｉ）及びΣ_ｉ（α_ｉ’）は、低線速度ほど単調に減少することになる。
【０３９６】
なお、ｎ＝３の場合にも、α₁'は低線速ほど単調減少させる。一方、Ｔ_d1'、β₁'は、低線速ほど単調に増加させる。
ここで、記録線密度を一定とするいうことは、記録線速度をＶ、そのときの基準クロック周期をＴとするとき、ＶＴが一定であることを意味する。かつ、記録線密度を一定とするいうことは、１倍速基準線速度Ｖ₁における、基準クロック周期をＴ₁とするとき、ＶＴ＝Ｖ₁Ｔ₁とすることを意味する。これにより、記録時の線速度の大小に関わらず、線速度一定で再生した場合には、ＣＤと同じ再生系での再生が可能となる。なお、ＶＴはＶ₁Ｔ₁に対して、ＣＤの再生回路上許容される程度のずれ、通常、±５％程度のずれは許されるものとする。
【０３９７】
なお、ＣＤ−ＲＷにおいては、１倍速は１．２ｍ／ｓとするのが、マークの物理長を小さくし、記録線密度を高める上で好ましい。この場合、６５０〜７００ＭＢの容量が達成できる。
各ｍにおけるＴ_ｄ１＋α_１、β_ｉ−１＋α_ｉ、Ｔ_ｄ１’＋α_１’、β_ｉ−１’＋α_ｉ’（ｉ＝１〜ｍ、少なくともｉ＝３〜ｍ−２）は、線速度によらず、ほぼ一定であることが、パルス発生回路を簡便化するために望ましく、特に、ｍが３以上のマークにおいては、電子回路上不可避な揺らぎを別として一定であることが望ましい。
【０３９８】
具体的には、Ｖ_ｍｉｎからＶ_ｍａｘまでの線速度範囲においては、３以上のｍにおいて、Ｔ_ｄ１＋α_１、Ｔ_ｄ１’＋α_１’、β_ｉ−１＋α_ｉ＝２、β_ｉ−１’＋α_ｉ’＝２（ｉ＝３〜ｍ−１）、がそれぞれ線速度によらず一定とすることが好ましい。
中でも、記録パルス分割方法（ＩＩＩ−Ｂ）に対応する記録パルス分割方法（ＶＩ−Ｂ）を用いると、すべての線速度で、Ｔ_ｄ１＋α_１＝Ｔ_ｄ１’＋α_１’＝２とし、かつ、ｉ＝２〜ｍに対するβ_ｉ−１＋α_ｉが２で一定、ｉ＝２〜ｍ−１に対するβ_ｉ−１’＋α_ｉ’が２で一定とすることが特に好ましい。このようにすることで、ｉ＝２〜ｍ−１におけるβ_ｉ−１＋α_ｉ（β_ｉ−１’＋α_ｉ’）を２Ｔ周期に同期できるようになる。これは、図５において、ゲートＧ１，Ｇ２が周期２Ｔに同期した回路だけで構成できるようになることを意味する。そして、線速度に応じてＴを可変としても、Ｇ１とＧ２におけるα_ｉのデューティー比のみを変化させるだけですべての線速度に対応できる記録パルスストラテジーを得ることができるため、記録パルスストラテジーの記録パルス及びオフパルスのレーザー光（パルス光）発生を制御回路（電子回路）の設計が簡便化できるようになる。
【０３９９】
一方、β_ｍ、β_ｍ’は、通常は、０〜２の範囲内で、低線速度ほど単調に増加させる。単調増加の意味は、上記α_ｉ、α_ｉ’における単調減少の場合と同様であり、Ｖ_ｍｉｎとＶ_ｍａｘ中間の線速度においては、β_ｍ、β_ｍ’は線速度によらず一定である場合があっても良いが、原則として、低い線速度では大きな値をとるものとする。
【０４００】
β_ｍと同様に、β_ｍ’を０〜２の範囲としてもよいが、ＣＤ−ＲＷの場合の約１６倍速以下の低線速度におけるｎ＝３の場合においては、β_ｍ、β_ｍ’を０〜３の範囲の値とすることが好ましい。
このため、使用するいずれの線速度においてもβ_ｍ＝０〜２及びβ_ｍ’＝０〜３とし、かつ、β_ｍ及びβ_ｍ’を線速度が低いほど単調に増加させるようにすれば、すべての線速度において良好な記録を行うことができるようになる。ここで、β_ｍ’を線速度が低いほど単調に増加させることは、Δ_ｍ’を低線速度ほど単調に増加させることを意味する。
【０４０１】
実際に、記録パルス分割方式（ＶＩ−Ｂ）においては、低線速ほどβ_ｍを単調増加させ、かつ、Δ_ｍ’も単調増加させるのが好ましい。
さらに、（記録パルス分割方法ＶＩ−Ａ）又は（ＶＩ−Ｂ）において、ずべての線速度において、Δ_ｍ−１，Δ_ｍ’のいずれかをゼロにすることや、Δ_ｍ−１＝Δ_ｍとして、パラーメータ数をさらに減らすことも可能である。このようにパラメータ数を少なくしても良好な特性が得られるのが本発明の記録媒体である。そして本発明の記録媒体のうち、ＧｅＳｂ系記録層を用いた光記録媒体において上記良好な特性が得られる傾向が特に顕著となる。つまり、ＧｅＳｂ系記録層を用いた光記録媒体を用いることにより、良好な高速記録特性を簡便な記録パルス分割方法で実現できるという本発明の効果が最も発揮されるようになる。
【０４０２】
また、ｎ＝３におけるＴ_ｄ１’、α_１’、β_１’のうち、Ｔ_ｄ１’及びβ_１’は低線速度ほど単調に増加させ、α_１’は、低線速度ほど単調に減少させるのが、各線速度において、正確な３Ｔマーク長と低ジッタを得る上で好ましい。
これによって、図５に示すような簡単な論理ゲートの組合せで、各線速度において、データ基準クロック周期Ｔを変更することによって容易に記録パルスを発生できる。
【０４０３】
ここで、さらに、Ｖ_ｍｉｎ〜Ｖ_ｍａｘの線速度範囲においては、３以上のｍにおいて、Ｔ_ｄ１＋α_１、Ｔ_ｄ１’＋α_１’、β_ｉ−１＋α_ｉ＝２、β_ｉ−１’＋α_ｉ’＝２（ｉ＝３〜ｍ−１）がそれぞれ線速度によらず一定であることが、簡便化のために望ましい。
さらに、ｍが２以上の場合に、これらの値が線速度によらず一定であることが一層好ましい。
【０４０４】
他の周期に関しては、ＣＤ−ＲＷにおいては少なくとも２倍速程度の線速範囲では、記録パルス分割方法の各パラメータの線速依存性が比較的小さいので、２以上のｍにおける偶数長マークにおけるβ_ｍ−１＋α_ｍ、β_１＋α_２、２以上のｍにおける奇数長マークにおけるβ_ｍ−１’＋α_ｍ’、β_１’＋α_２’の値の一部または全部が線速によらずほぼ一定とすることが好ましい。
【０４０５】
ここで、ＣＤ−ＲＷにおいて２倍速程度の線速範囲とは、Ｖ_ｍｉｎ＝８倍速、Ｖ_ｍａｘ＝２４倍速とした場合、８〜１０，１０〜１２，１２〜１４，１４〜１６，１６〜１８，１８〜２０，２０〜２２，２２〜２４倍速の範囲のように、概ね２倍速ごとに、これらのパラメータを変更すれば良いことを意味する。
一方、ＲＷ−ＤＶＤにおいては、少なくとも０．５倍速程度の線速範囲では、記録パルス分割方法の各パラメータの線速依存性が比較的小さいので、２以上のｍにおける偶数長マークにおけるβ_ｍ−１＋α_ｍ、β_１＋α_２、２以上のｍにおける奇数長マークにおけるβ_ｍ−１’＋α_ｍ’、β_１’＋α_２’の値の一部または全部が線速によらずほぼ一定とすることが好ましい。
【０４０６】
ここで、ＲＷ−ＤＶＤにおいて０．５倍速程度の線速範囲とは、例えば、Ｖ_ｍｉｎ＝２倍速、Ｖ_ｍａｘ＝６倍速とした場合、２〜２．５，２．５〜３，３〜３．５，３．５〜４，４〜４．５，４．５〜５，５〜５．５，５．５〜６倍速の範囲のように、概ね０．５倍速ごとに、これらのパラメータを変更すれば良いことを意味する。
【０４０７】
もちろん、Ｖ_ｍｉｎ〜Ｖ_ｍａｘの範囲の全線速で、これらの値が一定であれば、一層好ましい。記録パルス分割方式（ＶＩ），（ＶＩ−Ａ），（ＶＩ−Ｂ）においては、ｍが３以上の偶数長マークにおけるβ_１＋α_２、β_ｍ−１＋α_ｍをＶ_ｍｉｎ〜Ｖ_ｍａｘの範囲の全線速で一定としても、比較的容易に良好な記録信号品質が得られるので、特に好適に適用される。その場合、β_１＋α_２＝２、β_ｍ−１＋α_ｍ＝２で一定とすることがより好ましい。
【０４０８】
これらの「周期が一定である」とは、分割パルス発生回路の設定値の分解能の許容する範囲で一定であるということであり、クロック周期Ｔで規格化した場合、±０．０１Ｔ未満のばらつきは許容できる。
記録パルス分割方式（ＩＶ）、（Ｖ）、（ＶＩ）の意義を再び図４によって、ＣＤ−ＲＷを例にとって説明する。もし、本発明記録媒体に２４又は３２倍速で好適に用いられたα_ｉ、β_ｉを８〜３２倍速の全線速度範囲でそのまま用い、単にデータの基準クロック周期を可変として、低線速で記録を行っただけでは、図４の点線で示された曲線ｅのように、低線速での記録層の冷却速度は著しく低下し、非晶質化が阻害される。低線速においては、基準クロック周期Ｔが高線速と比較して相対的に大きくなるので、オフパルスが照射される絶対時間は長くなるが、同時に記録パルスが照射される絶対時間も長くなるので、結果として単位時間あたりの照射エネルギーも大きくなり冷却速度が低下する。従って、本発明における２Ｔベース記録ストラテジーにおいて、記録パルスのデューティー比を低下させて、低線速度になるにつれてよりオフパルス区間を長くすることで、低線速における冷却速度の低下を補償し、図４の曲線ｄに相当する特性を実現することができるようになる。
【０４０９】
（記録方式ＣＤ２−３）、（記録方式ＤＶＤ２−３）は、記録パルス分割方法（ＶＩ−Ｂ）において、特に各パラメータの範囲を限定し、（記録方式ＣＤ１−３）又は（記録方式ＤＶＤ１−３）と組み合わせて、図４において曲線ｄを極めて限定的な範囲に一義的に定め、簡便にかつ特定の範囲の特性の記録媒体を規定することができる。
【０４１０】
また、使用するいずれの線速度においても、β_ｉＴ（ｉ＝１〜ｍ）及びβ_ｉ’Ｔ（ｉ＝１〜ｍ−１）を２ナノ秒以上とすることが好ましい。具体的には、光記録媒体のいずれの半径位置においてもα_ｉＴ、α_ｉ’Ｔ（ｉ＝１〜ｍ）及びβ_ｉＴ、β_ｉ’Ｔ（（ｉ＝１〜ｍ−１）を２ナノ秒以上とすれば、後述のＣＡＶ記録又はＰ−ＣＡＶ記録においても、良好に記録を行うことができるようになる。
【０４１１】
上記方法において、Ｐｂ、Ｐｗ及びＰｅ／Ｐｗ比がオーバーライト時の線速度によらずできるだけ、一定とするのが好ましい。Ｖ_ｍｉｎ〜Ｖ_ｍａｘの範囲内の線速度Ｖにおける最適記録パワーをＰｗ_０、最適消去パワーをＰｅ_０とするとき、通常はＰｗ_０及びＰｅ_０は、ジッターやエラーレートが特定の値以下となるように選ばれる。Ｐｅ_０は通常Ｐｅ_０／Ｐｗ_０比が一定となるように選ばれるが、その比は０．２〜０．６、好ましくは０．２〜０．４、より好ましくは０．３〜０．４とする。なお、Ｐｗ_０が高いと繰り返しオーバーライトによる劣化が促進されるので、繰り返しオーバーライトが所定回数、通常は１０００回以上となるように定めるのが好ましい。このような観点から決められたＰｗ_０は、線速度によって異なるものとなりうるが、上記線速度範囲におけるＰｗ_０の最大値に対する最小値の比は０．８以上であることが望ましい。
【０４１２】
この場合、記録パワー等に関する情報とパルス分割情報を予めディスク上に凹凸ピット信号あるいは溝変形信号として記載しておくのが好ましい。その結果、最適なパルスストラテジーを記録用ドライブにおいて自動的に選択することができる。記載しておく情報としては、例えば、少なくとも、オーバーライト記録を行う最大、最小線速度Ｖ_ｍｉｎ、Ｖ_ｍａｘの値そのものと、Ｖ_ｍｉｎ、Ｖ_ｍａｘ、及びこの間のいくつかの線速度Ｖにおける、最適なＰｅ／Ｐｗ比、最適記録パワーＰｗ_０、最適消去パワーＰｅ_０，最適バイアスパワーＰｂ_０、そして、記録パルス分割方法（ＩＩ−Ａ）、（ＩＩＩ−Ａ），（ＩＩＩ−Ｂ）で説明した、独立パラメータの全部または一部の数値である。ただし、Ｐｂ_０は通常は一定とし、再生光パワーＰｒと同じにするのが好ましい。
【０４１３】
上記線速度Ｖとしては、ＣＤ−ＲＷにおいては、概ね４倍速程度より大きな間隔で選定すればよく、たとえば、８−２４倍速においては、８，１２，１６，２０，２４倍速のように選ぶが、これより少なくても良い。
上記線速度Ｖとしては、ＲＷ−ＤＶＤにおいては、概ね１倍速程度より大きな間隔で選定すればよく、たとえば、２−６倍速においては、２，３，４，５，６倍速のように選ぶが、これより少なくても良い。
【０４１４】
特に、記録パルス分割方法（ＩＩＩ−Ｂ）に対応する（ＶＩ−Ｂ）においては、４以上のｎにおけるαｃ、Δ_ｍ−１、Δ_ｍ、β_ｍ、Δ_ｍ’、ｎ＝３におけるＴ_ｄ１’、α_１’、β_１’、及びＰｗ，Ｐｅ，Ｐｂ）の計１１個のパラメータを規定すれば、すべての３〜１１までのマーク長を形成するための記録パルス分割方法が定まる。これら１１個の独立パラメータを、予め選ばれた線速度ごとに最適化しておき、ディスクに記載しておくことが好ましい。
【０４１５】
後述のＣＡＶやＰ−ＣＡＶ記録において、予め選択されていない線速度での記録を行う場合にも、予め選択されている記録線速度での上記パラメータの一部又は全部の値を読み取って、この値を用いて上記予め選択されていない線速度での記録における最適な記録パルスストラテジーのパラメータ（例えばαｃ等）を算出することができるようになる。従って、上記１１個の独立パラメータを、予め選ばれた線速度ごとに最適化しておき、ディスクに記載しておけば、Ｖ_ｍｉｎ，Ｖ_ｍａｘ間の任意の線速度で、良好なオーバーライトが可能となる。
【０４１６】
このように、本発明記録媒体を複数の線速度での１ビームオーバーライトが可能な本発明記録方法と組み合わせることにより、以下の２つの使用方法が可能となる。
（使用方法１）
まず、現状のＣＤ装置では、ディスクを回転させるスピンドルモーターは最大１００００ｒｐｍ程度が限界である。ＣＤの基板として通常用いられる分子量１２０００〜２００００のポリカーボネート樹脂では、これ以上の回転数では遠心力により破壊される恐れがあるためである。ＣＤ−ＲＷは通常、直径１２ｃｍの円盤形状をしており、半径少なくとも２３ｍｍ〜５８ｍｍ、好ましくは２２〜５８ｍｍに記録領域（インフォメーションエリア）を有する。約８０００ｒｐｍでディスクを回転させると、記録領域の最内周における線速度は１６倍速となり、最外周５８ｍｍにおける線速度はほぼ３８倍速となる。１００００ｒｐｍとしても記録領域最内周における線速度は約２２倍速、最外周における線速度はほぼ４８倍速となるため、全面に渡って約２２倍速以上において線速度一定のＣＬＶ方式での記録が不可能である。
【０４１７】
ＤＶＤ装置においては、ＣＤと同様に基板の強度の関係から、約１００００ｒｐｍで回転させた場合に、内周で約７倍速、外周で約１６倍速とするのがほぼ限界となる。ただし、本発明ＲＷ−ＤＶＤにおいては、記録速度の上限が約１０〜１２倍速にあるので、約６０００−７０００ｒｐｍが、オーバーライト記録時の回転速度の上限となる。
【０４１８】
そこで使用方法１では、記録領域最外周部で最大２４倍速以上の線速度で記録再生を行うＣＤ−ＲＷ記録乃至は再生装置、又は記録領域最外周部で最大７倍速以上の線速度で記録再生を行うＲＷ−ＤＶＤ記録乃至は再生装置において、内周部から徐々に線速度を高める記録方式が採用される。これを、Ｐ−ＣＡＶ（Ｐａｒｔｉａｌ ＣＡＶ）ないしは、ＺＣＬＶ（Ｚｏｎｅｄ ＣＬＶ）と称する。
【０４１９】
ここで、ＣＤ−ＲＷにおいては、Ｐ−ＣＡＶは、記録領域最内周を１６乃至は２２倍速として、２４乃至は３２倍速となる半径Ｒｓまでは、ＣＡＶ方式で記録を行い、Ｒｓより外側の半径では、２４倍速乃至は３２倍速の一定線速度でＣＬＶ記録を行うものである。
一方、ＺＣＬＶは、半径Ｒｓにいたるまでは、ゾーンごとに線速度を切り替えながら、例えば１６倍速、あるいは２０倍速といった、比較的低線速度で、ＣＬＶ記録行い、外周にいくほどその線速度を上げていくものである。
【０４２０】
一方、ＲＷ−ＤＶＤにおいては、Ｐ−ＣＡＶは、例えば、記録領域最内周を４乃至は７倍速として、８乃至は１０倍速となる半径Ｒｓまでは、ＣＡＶ方式で記録を行い、Ｒｓより外側の半径では、８倍速乃至は１０倍速の一定線速度でＣＬＶ記録を行うものである。
一方、ＺＣＬＶは、半径Ｒｓにいたるまでは、ゾーンごとに線速度を切り替えながら、例えば４倍速、あるいは６倍速といった、比較的低線速度で、ＣＬＶ記録行い、外周にいくほどその線速度を上げていくものである。
（使用方法２）
従来ＣＬＶモードでのみ記録が行われてきたＣＤ−ＲＷ又はＲＷ−ＤＶＤを完全なＣＡＶモードで記録可能とする使用方法であり、これにより、常に回転同期が必要であったＣＤ−ＲＷ媒体の弱点であるアクセス、シークパフォーマンスの悪さを大幅に改善する使用方法である。特に、ランダムパケット記録で飛び飛びの半径位置のパケットにアクセスを行う場合に効率が良く、コンピュータの外部記憶装置用媒体としての利便性が大きく増す。また、ＣＬＶでは回転速度変更のためにモーターの加速・減速のために多大な電力を消費するが、その必要も無くドライブの消費電力を大幅に改善できる利点もある。
【０４２１】
本発明においては、少なくとも、記録パルス分割方法（ＩＶ）〜（ＶＩ）のいずれかに従って、低線速度ほど、α_ｉ、α_ｉ’（ｉ＝１〜ｍ）を単調に減少させる一方で、β_ｍ、β_ｍ’を単調に増加させる。通常は、記録パルス分割方法そのものは一定で、各分割方法における各パラメータ（Ｐｗ，Ｐｅ，Ｐｂ，Ｔ_ｄ１、α_ｉ、β_ｉ等）を可変とする。
【０４２２】
そして、ＣＤ−ＲＷの場合には、上記記録パルス分割方法（ＩＶ）〜（ＶＩ）のいずれを用いる場合であっても、円盤状の書換え型光記録媒体にＥＦＭ変調された情報を複数のマーク長により記録するに当たり、線速度１．２ｍ／ｓ〜１．４ｍ／ｓを基準速度（１倍速）として、前記光記録媒体の記録領域最外周での線速度が２０倍速以上となるように前記光記録媒体を回転させるようにすることが好ましい。
【０４２３】
特に、内周部から徐々に線速度を高める記録方式である、Ｐ−ＣＡＶ（Ｐａｒｔｉａｌ ＣＡＶ）ないしは、ＺＣＬＶ（Ｚｏｎｅｄ ＣＬＶ）を用いる場合においては、上記記録領域最内周での線速度を該基準線速度の１６倍速以上とし、かつ外周ほど記録線速度が高くなるようになるように該ディスクを回転させるようにすることが好ましい。
【０４２４】
一方、ＲＷ−ＤＶＤの場合には、上記記録パルス分割方法（ＩＶ）〜（ＶＩ）のいずれを用いる場合であっても、円盤状の書換え型光記録媒体にＥＦＭ＋変調された情報を複数のマーク長により記録するに当たり、線速度３．４９ｍ／ｓを基準速度（１倍速）として、前記光記録媒体の記録領域最外周での線速度が５倍速以上となるように前記光記録媒体を回転させるようにすることが好ましい。
【０４２５】
特に、内周部から徐々に線速度を高める記録方式である、Ｐ−ＣＡＶ（Ｐａｒｔｉａｌ ＣＡＶ）ないしは、ＺＣＬＶ（Ｚｏｎｅｄ ＣＬＶ）を用いる場合においては、上記記録領域最内周での線速度を該基準線速度の４倍速以上とし、かつ外周ほど記録線速度が高くなるようになるように該ディスクを回転させるようにすることが好ましい。
【０４２６】
ＣＤ−ＲＷ、ＲＷ−ＤＶＤにおいて上記条件の下、完全なＣＡＶモード若しくはＰ−ＣＡＶモードを記録に用いる場合、又は、ＺＣＬＶモードを記録に用いる場合に、前記記録領域を一定半径毎に仮想的な複数のゾーンに区切り、β_ｍ＝０〜３とし、かつ、β_ｍを内周のゾーンほど単調に大きくし、α_ｉ、α_ｉ’を内周のゾーンほど単調に小さくするようにすればよい。
【０４２７】
さらに、記録装置の簡略化の点から、光記録媒体のいずれの半径位置においても、Ｐｂ、Ｐｗ、及びＰｅ／Ｐｗの値がほぼ一定とすることも好ましい。
ＺＣＬＶ方式（使用方法１）においては、各ＣＬＶゾーンごとに、基準クロック周期Ｔと記録パルス分割方法のパラメータを切り替える。一方、ＣＡＶ方式（使用方法２）やＰ−ＣＡＶ方式（使用方法１）のＣＡＶゾーンでは、線速度は半径位置に応じて連続的に変化するので、基準クロック周期も連続的に変化させる。一方、記録パルス分割方式のパラメータは、概ね、一定線速ごとに、従って、一定半径幅ごとに仮想的なゾーンを設定し、各ゾーン内では一定とし、ゾーンごとに切り替えるのが好ましい。該仮想的ゾーンの幅は、線速度が約０．５倍速から２倍速程度変化する範囲とするのが好ましい。なお、ゾーンの幅は原則一定とするのが好ましいが、高線速度ほど、すなわち外周ほど、ゾーンの幅を少しずつ狭くしていくことも好ましい。高線速度ほどジッター等の値が悪化しやすいので、こまめに最適なパラメータに切り替える必要があるためである。
【０４２８】
従来、すでに、ＣＤ−ＲＯＭ及びＤＶＤ−ＲＯＭ再生システムではＣＡＶモードでの再生は行われていたが、記録時はせいぜい、ＣＤ−ＲＯＭでは４−１０倍速、ＲＷ−ＤＶＤでは１−２．５倍速でのＣＡＶしかできなかったために、再生時に回転数を上げて再生するといったことが行われていた。最高オーバーライト記録の線速度がこの程度では、ＣＬＶのみで記録したほうが、短時間で記録できるために、ＣＡＶモードで記録するメリットが少なかった。しかし、本発明のように、最大オーバーライト記録の線速度をＣＤで２４倍速以上、ＤＶＤで６倍速以上とすれば、完全にＣＡＶ記録することによる、アクセス時間の短縮や消費電力の低減といったメリットが発揮しやすくなる。
【０４２９】
上述の通り、ＣＤ−ＲＷは通常、直径１２ｃｍの円盤形状をしており、半径少なくとも２３ｍｍ〜５８ｍｍ、好ましくは２２〜５８ｍｍに記録領域（インフォメーションエリア）を有する。これを、記録領域最内周で１０倍速相当となるように約５０００ｒｐｍでディスクを回転させると、記録領域の最外周５８ｍｍにおいては線速度はほぼ２４倍速となる。即ち、通常ＣＡＶ方式にて最内周を１０倍速にすると最外周は概ね２４倍速となる。同様に、記録領域最外周での線速度を３２倍速とすると、記録領域最内周での線速度は約１３倍速となる。
【０４３０】
また、ＲＷ−ＤＶＤは通常、直径１２ｃｍの円盤形状をしており、半径少なくとも２３ｍｍ〜５８ｍｍ、好ましくは２２〜５８ｍｍに記録領域（インフォメーションエリア）を有する。これを、記録領域最内周で２．５倍速相当となるように約５０００ｒｐｍでディスクを回転させると、記録領域の最外周５８ｍｍにおいては線速度はほぼ６倍速となる。即ち、通常ＣＡＶ方式にて最内周を２．５倍速にすると最外周は概ね６倍速となる。同様に、記録領域最外周での線速度を１０倍速とすると、記録領域最内周での線速度は約４倍速となる。
【０４３１】
このとき、基準クロック周期Ｔを各半径位置における線速度Ｖとの積ＶＴが一定となるように半径距離と反比例して変化させればマーク長ｎＴは回転角速度によらず一定となり、完全なＣＡＶモードでの記録でありながら、再生専用のＣＤ又は再生専用のＤＶＤと互換性のある一定線密度の記録ができる。
ここで、記録領域にはユーザーデータの記録領域以外に、システムが使用する試し書き領域、リードイン、リードアウト領域等も含む。従って、２２ｍｍ及び５８ｍｍという半径位置については±１ｍｍ程度の誤差を含んでいってもよい。また、この許容誤差に対応して以下で用いられる周波数値等にも若干のずれが生じるが、それも許容される。
【０４３２】
本発明に係る記録方法を実現する記録装置の構成の概念図を、ＣＤ−ＲＷを例として、図６に示す。
図６において光ディスクＤ１は、空間周波数一定の搬送周波数ｆ_Ｌ０（ｆ_Ｌ０は、ＣＬＶ記録時の搬送周波数を示す。）を有しアドレス情報によって変調された信号に従って蛇行された螺旋状の溝を有する基板及び記録層を有し、該螺旋状の溝の所定の位置にある記録情報の単位である記録ブロックを識別するアドレス情報及び該ブロックの開始位置を識別する同期信号を有する。図６では、特に具体的に書き換え型コンパクトディスクを光ディスクとして想定しており、ｆ_Ｌ０＝２２．０５ｋＨｚでアドレス情報はｆ_Ｌ０を搬送周波数として±１ｋＨｚで周波数変調されたＡＴＩＰ情報である。また、ウォブルは線速度１．２ｍ／ｓ〜１．４ｍ／ｓの線速度で再生したときに、その搬送周波数ｆ_Ｌ０が２２．０５ｋＨｚとなるように溝蛇行によって形成されている。
【０４３３】
光ディスク記録再生装置１には、該ディスクの中心部分を軸として等角速度回転させる手段であるスピンドルモーターＭ１と、記録再生のための集束光ビームを発生する光ピックアップを所定のアドレスに移動させる半径方向の移動機構（ＬＭ１）としてのリニアモーターを有する。ピックアップＰＵ１には、光ディスクの記録層面にレーザーダイオードを光源とする集束光ビームの焦点をあわせるフォーカスサーボ回路（ＦＥ１）と、該螺旋状の溝に沿って集束光ビームを走査させるための溝トラッキングサーボ回路（ＴＥ１）が組み込まれている。フォーカスサーボ回路には、非点収差法等の公知の手法が用いられる。トラッキングサーボ回路には、プッシュプル法や３ビーム法の公知の手法が用いられる（以上、「コンパクトディスク読本」第３版、オーム社、中島平太郎、小川博共著参照） 光ディスク記録再生装置１は、さらに溝蛇行から搬送周波数ｆ_A0、アドレス情報及びブロック同期信号を検出・解読する回路（ＷＡＤ１）と、該記録ブロックの開始位置及びデータの基準クロックＴ（周波数ｆ_d0）に同期してエンコーダＥＤ１及びＥＤ２によってマーク長変調された記録データ列を発生する回路と、該記録データ列に対応して記録レーザーパワーを変調する回路（ＷＰ１）とを有する。
【０４３４】
光ディスクＤ１はモーターＭ１によりＣＡＶ駆動されている。ディスクは、特に、半径２２ｍｍ程度の記録領域最内周で、線速度が１．２ｍ／ｓ〜１．４ｍ／ｓの１０倍速又は１３倍速となるように、５０００〜７０００ｒｐｍの間の回転速度ω_０でＣＡＶ回転されている。ＣＡＶ回転は、スピンドルモータＭ１の回転をタコメータでモニアし、所定回転数との誤差をフィードバックすることで、回転ジッタ数％以内の精度で維持される。
【０４３５】
同期信号及びアドレス情報のデコードは、アンプ／フィルター系ＡＦ１を通してプッシュプル信号Ｐ１を再生し、ウォブル信号を検出し、ＡＴＩＰ信号をデコードしてから含まれる同期信号及びアドレス情報をデコードすることによって行われる。アドレス情報、同期信号はアクセス／サーボ制御用ＣＰＵ１にて参照され、ＣＰＵ１において所定アドレス移動を制御する。アドレス移動は、トラッキングサーボＴＥ１をオフとした状態でのリニアモータＬＭ１駆動による粗動機構による半径移動と、所定アドレス近傍でのトラッキングサーボオン、ＡＴＩＰアドレス参照しながらの微調整（ＰＵ１の対物レンズの傾きの微調整）からなるが、いずれもＣＰＵ１で制御される。
【０４３６】
所定アドレスに到達したことが確認されれば、データの基準クロック発生器である回路ＣＫ１のクロックとＡＴＩＰの同期信号を同期させ、所定のＡＴＩＰフレームに記録を行う。ＣＤ−ＲＯＭデータであれば、ＲＯＭデータのエンコードをＥＤ１にて行った後、ＣＤとしてのエンコードをＥＤ２にて行う。該データビット列はやはりデータの基準クロックに同期しており、該データ列はさらにＷＰ１において記録用パルス列に変換され、レーザードライバーＬＤ１を駆動してオーバーライトを行う。
【０４３７】
なお、再生は所定アドレス到達後、再生信号をアンプ系ＡＦ１、ＲＦ信号２値化回路系ＲＦ１を通して再生し、データの基準クロックとＥＦＭフレームの同期をとりながら、ＥＤ２でＣＤとしてのデータデコードを行い、さらにＥＤ１にてＣＤ−ＲＯＭとしてのデータデコードを行う。
本発明の記録方法において、半径距離に反比例したデータの基準クロック及び基準クロック周期Ｔを発生させる方法は種々考えられるが、好適な例として以下が考えられる。ここではＣＬＶモードの１倍速でのウォブル搬送周波数ｆ_ＬＯが２２．０５ｋＨｚ、ＣＡＶモードでの記録領域の最内周及び最外周での線速度がそれぞれ１０倍速及び２４倍速、データの基準クロックが搬送周波数の１９６倍であるケースを例として説明する。ここで、搬送周波数ｆ_ＬＯは２２．０５ｋＨｚから±０．１程度の誤差を許容できる。
【０４３８】
媒体は、１倍速に換算して周波数ｆ_Ｌ０＝２２．０５ｋＨｚの搬送周波数を有するウォブルが付与された螺旋状の溝を有する。この媒体は通常のＣＬＶモードの高倍速記録用ＣＤ−ＲＷ媒体としても使用可能である。
ウォブル溝（蛇行溝）のウォブルが搬送周波数ｆ_Ｌ０＝２２．０５ｋＨｚに相当する周波数で一定の場合、ＣＡＶ回転時には、半径位置に応じて、即ち半径位置に対応した線速度に応じて再生されるウォブルの搬送周波数ｆ_ＡＯが見かけ上変化する。そしてＣＡＶ回転時にその半径位置で再生されるウォブルの搬送周波数ｆ_Ａ０を１９６倍することで、半径に比例した基準データクロック周波数を得ることができる。尚、ｆ_Ａ０は、ＣＡＶ記録時の搬送周波数を示す。
【０４３９】
この半径に比例したデータ基準クロック周波数に同期して記録を行えば、ＣＡＶモードでありながら、一定線密度でマーク長変調記録を行うことができる。
すなわち、ウォブル信号がＣＬＶ回転の１倍速モードで基板上に記載されていれば、媒体をＣＡＶ回転させたときは、半径位置によらず同じ倍率を用いてデータの基準クロック周波数を発生させれば、空間周波数を一定とする、即ち、線密度を一定とすることができる。
【０４４０】
例えば、記録領域最内周での線速度が１０倍速、記録領域最外周での線速度が２４倍速とすれば、ＣＡＶモードで再生されるウォブルの搬送周波数ｆ_Ａ０はそれぞれ、記録領域最内周で２２．０５×１０＝２２０．５ＫＨｚ、記録領域最外周で２２．０５×２４＝５２９．２ｋＨｚとなる。これを１９６倍した周波数、４３．２ＭＨｚ（記録領域最内周）及び１０３．７２ＭＨｚ（記録領域最外周）がデータの基準クロック周波数となる。この場合、データの基準クロック周期Ｔは記録領域最内周で約２３．１ｎｓｅｃ、記録領域最外周で約９．１ｎｓｅｃとなる。中間の半径位置においては、この間で半径に反比例したデータの基準クロック周期を発生させればよい。
【０４４１】
一方、ウォブル信号は通常、ＡＴＩＰ信号によって±１ｋＨｚで周波数変調されるため実際の周波数は２２．０５ｋＨｚ±１ｋＨｚであり、ウォブル信号の一周期は、約±４．５％の変動を伴う。このようにゆらいでいる信号をそのまま所定倍してデータの基準クロック周期を得た場合、やはり±４．５％のマーク長のゆらぎ（ｄｅｖｉａｔｉｏｎ）が発生する。通常、マーク長記録においてこのゆらぎは位相シフトと呼ばれ、このシフト量が５％近くあると正しい復調ができない恐れがある。従って、このような場合、周波数変調されたウォブル信号から搬送周波数ｆ_Ａ０のみを抽出してから所定倍する必要がある。
【０４４２】
最近は、高密度化のために、基準線速度を１．２ｍ／ｓより若干小さくして、１ｍ／ｓ程度まで下げて、ウォブルの空間周波数を小さくし、マーク長を短めにして利用される場合があるが、このような場合においても、本発明記録媒体及び、記録方式の適用は妨げられない。
ＤＶＤの場合には、１倍速再生でのウォブルの搬送周波数ｆ_Ｌ０が、いわゆるＤＶＤ−ＲＷ規格では１４４ｋＨｚ（クロック周波数の１／１５７）、ＤＶＤ＋ＲＷ規格では約７００ｋＨｚ（クロック周波数の１／３２）である点などが異なるが、基本的には、全く同様の原理で装置が構成される。
６．本発明記録方法に関するその他の事項
（従来の低線速記録媒体への本発明記録方法の適用について）
本発明のごとく、２４倍速以上のＣＤ−ＲＷや６倍速以上のＲＷ−ＤＶＤに対して、本発明記録方法を適用可能な記録装置において、既存の４又は１０倍速ＣＤ−ＲＷや、２又は２．４（２．５）又は４倍速ＲＷ−ＤＶＤにオーバーライト記録を行う場合、従来の１Ｔベースのストラテジーをそのまま適用しても良いが、本発明、２Ｔベースの記録パルス分割方法を適用することも可能である。すなわち、本発明記録方法（Ｉ）、（ＩＩ），（ＩＩＩ）を適用して種々の線速でＣＬＶ記録が可能であり、（ＩＶ），（Ｖ），（ＶＩ）を適用して１０倍速ＣＤ−ＲＷにおける４−１０倍速でのＣＡＶ記録、４倍速ＲＷ−ＤＶＤにおける１．６―４倍速でのＣＡＶ記録も可能となる。
【０４４３】
このようにすることで、従来公知のＣＤ−ＲＷ、ＲＷ−ＤＶＤと、本発明ＣＤ−ＲＷ、ＲＷ−ＤＶＤを記録するに際し、同一の記録パルス発生回路を適用でき、パルス発生回路の簡便化が可能となる。一方で、従来の１Ｔベースの記録パルス分割方法では、本発明のごとき、超高速媒体への記録はほとんど不可能である。
（他のフォーマットの書き換え型媒体に対して）
本発明記録方法は、ＣＤ−ＲＷやＲＷ−ＤＶＤという特定フォーマットの媒体への適用に限定されるものではない。例えば、青色ＬＤを用いた高密度書き換え型相変化媒体への適用も可能である。また、マーク長変調方式も、ＥＦＭやＥＦＭ＋に限定されるわけではなく、たとえば、ｎ＝２，３，４，５，６，７，８と取るいわゆる（１，７）ランレンクスリミテッド（ＲＬＬ）ノンリターンツーゼロ・インバーテッド（ＮＲＺＩ）変調方式にも適用可能である。
【０４４４】
【実施例】
［ＣＤ−ＲＷ基本例］
トラックピッチ１．６μｍで１倍速（１．２ｍ／ｓ）換算で基準周波数２２．０５ｋＨｚで蛇行する螺旋状の溝を設けた厚さ１．２ｍｍのポリカーボネート樹脂基板を射出成形によって形成した。
【０４４５】
溝幅は０．５４μｍ、深さは３４ｎｍとした。これらはいずれも波長６３３ｎｍのＨｅ−Ｎｅレーザー光を用いたＵ溝近似の光学回折法で求めた。溝蛇行（ウォブル）にはさらに、ＡＴＩＰによるアドレス情報が±１ｋＨｚの周波数変調により付与した。
つづいて、基板上に、下部保護層、記録層、上部保護層、反射層、紫外線硬化樹脂層をこの順に形成した。各層の成膜は上記基板上に、真空を解除することなく、順にスパッタリング法によって積層した。ただし、紫外線硬化樹脂層（厚さ約４μｍ）はスピンコート方によって塗布した。
【０４４６】
成膜直後の記録層は非晶質であり、長軸約１５０μｍ、短軸約１．０μｍに集光した波長８１０〜８３０ｎｍの長楕円形状のレーザー光により線速と初期化パワーを適当な範囲で選んで、レーザー光を照射して全面結晶化させ初期（未記録）状態とした。
各層の膜厚は成膜レートを正確に測定した後、スパッタ成膜時間によって制御した。記録層組成は、蛍光Ｘ線法による各元素の蛍光強度を、別途化学分析（原子吸光分析）によって求めた絶対組成によって校正した値を用いた。
【０４４７】
記録層、保護層膜の密度は基板上に数百ｎｍ程度に厚く成膜したときの重量変化から求めた。膜厚は蛍光Ｘ線強度を触針計で測定した膜厚で校正して用いた。
反射層の面積抵抗率は４探針法抵抗計（Ｌｏｒｅｓｔａ ＭＰ、（商品名）三菱油化（現ダイアインスツルメント）社製）で測定した。
抵抗測定は、絶縁物であるガラスもしくはポリカーボネート樹脂基板上に成膜した反射層で測定するか、あるいは上記４層（下部保護層／記録層／上部保護層／反射層）成膜後、最上層となる反射層で測定した。上部保護層が誘電体薄膜で絶縁物であるため、面積抵抗率測定に影響はない。また、抵抗測定は、直径１２０ｍｍのディスク基板形状のまま、半径３０〜４０ｍｍの位置にプローブを接触させて測定した。このようにすることにより、実質的に無限大の面積とみなせる位置で抵抗測定を行っていることになる。
【０４４８】
得られた抵抗値Ｒを元に以下の式から面積抵抗率ρ_Ｓ及び体積抵抗率ρ_Ｖを計算した。
ρ_Ｓ＝Ｆ・Ｒ （３）
ρ_Ｖ＝ρ_Ｓ・ｔ （４）
ここで、ｔは膜厚である。Ｆは測定する薄膜領域の形状で決まる補正係数で通常４．３〜４．５の値をとる。ここでは４．４とした。
【０４４９】
記録再生評価は、パルステック社製ＤＤＵ１０００テスタ（波長約７８０ｎｍ、ＮＡ＝０．５、スポット形状は１／ｅ^２強度で約１．３２μｍの円形、以下このテスタをテスタ１という。）、又は、パルステック社製ＤＤＵ１０００テスタ（波長約７８０ｎｍ、ＮＡ＝０．５、スポット形状は１／ｅ^２強度で約１．４２×１．３３μｍの楕円形、以下このテスタをテスタ２という。）を用いた。ＣＤの標準線速度１．２ｍ／ｓを１倍速とし、８〜３２倍速までのオーバーライト特性を評価した。
【０４５０】
各線速度におけるデータの基準クロック周期は、１倍速におけるデータの基準クロック周期２３１ｎｓｅｃに対して各線速度で反比例させたものとした。
再生は特に断わらない限り１倍速で行った。ＤＤＵ１０００からの出力信号を５〜２０ｋＨｚにカットオフのある高周波通過フィルタを通した後、タイムインターバルアナライザー（横河電機社製）でジッタを測定した。
【０４５１】
変調度ｍ_１１（＝Ｉ_１１／Ｉ_ｔｏｐ）はオシロスコープ上でアイパターン観察により読み取った。また、Ｒ_ｔｏｐは別途、ＣＤ基準ディスクＣＤ５Ｂ（Ｐｈｉｌｉｐｓ社より販売）で校正して求めた。
記録パルス分割方法を制御するための論理レベルの生成は、任意信号発生器（ＡＷＧ６２０又はＡＷＧ７１０、ソニーテクトロニクス社製）を用いた。上記信号発生器から、概ね図５のＧ１，Ｇ２，Ｇ３を合成したものに相当する論理信号とＧ４に相当する論理信号との２チャンネルのゲート信号を取り出し、ＥＣＬレベルの論理信号として上記テスターのレーザードライバーに対するゲート信号として入力した。
【０４５２】
ＥＦＭランダムデータを１０回オーバーライト記録した後、該記録データのマーク長、スペース長、マーク長及びスペース長ジッタ、ｍ_１１、Ｒ_ｔｏｐ及びアシンメトリー値を測定した。ＥＦＭランダムデータは、３Ｔから１１Ｔまでのマーク長とスペース長がランダムに現れる。各ｎにかかわるマーク長出現頻度はｎ＝３，４，５，６，７，８，９，１１に関して、それぞれ、約３４．０，２２．２、１６．４、１０．５、４．９，４．７、４．４、１．０、１．９％である。同じｎにかかわるマーク長とスペース長の出現頻度はほぼ等しい。実際のデータ用ＣＤ−ＲＯＭディスクに現れるデータパターンの平均的な値である。実際上、１１Ｔマークとスペースは、ほとんど同期用のパターンとして使用されるだけであるので、出現頻度は小さい。
【０４５３】
また、特に断らない限りバイアスパワーＰｂは再生光パワーＰｒと同じで、０．８ｍＷで一定とした。
３Ｔ／１１Ｔオーバーライト消去比の測定では、３Ｔマークおよび３Ｔスペース（マーク間）からなる繰り返しパターン（３Ｔパターン）を１０回記録後、１１Ｔマークおよび１１Ｔスペース（マーク間）からなる繰り返しパターン（１１Ｔパターン）をオーバーライトして３Ｔマークのキャリアレベルの低下量（ｄＢ単位）を測定し、消去比（ｅｒａｓａｂｉｌｉｔｙ）とした。キャリアレベルの測定は、Ａｄｖａｎｔｅｓｔ製のスペクトラムアナライザー（ＴＲ４１７１）もしくは、ＨＰ製８５６７Ａを用い、テスターの再生信号出力を入力として用いた。オーバーライトは各線速で行ったが、再生はすべてＣＤ線速（１．２ｍ／ｓ）で行った。スペクトラムアナライザーのＲｅｓｏｌｕｔｉｏｎ ｂａｎｄ ｗｉｄｔｈは３０ｋＨｚ、Ｖｉｄｅｏ ｂａｎｄ ｗｉｄｔｈは ３０Ｈｚとし入力インピーダンスは５０Ωとした。
【０４５４】
さらに、オーバーライト特性の評価は特に断りのない限り、１０回オーバーライト（未記録状態に初回記録後、同一トラックに９回のオーバーライト）を行った後に評価した。なお、加速試験後の記録信号の評価は、加速試験前に１０回オーバーライト記録した信号を、加速試験後に再生のみ行って評価した。
（実施例１）
上記基本例において、下記のようにしてディスクを製造し記録を行なった。
【０４５５】
基板上に、（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０からなる下部保護層を８５ｎｍ、Ｇｅ_４Ｓｂ_８２Ｔｅ_１４（Ｇｅ_０．０４（Ｓｂ_０．８８Ｔｅ_０．１２）_０．９６）からなる記録層を１７．５ｎｍ、（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０からなる上部保護層を３５ｎｍ、Ａｌ_９９．５Ｔａ_０．５からなる反射層を２００ｎｍ、紫外線硬化樹脂層を約４μｍをこの順に形成し、書換え型コンパクトディスクを作製した。なお、（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０の意味は、ＺｎＳを８０ｍｏｌ％、ＳｉＯ_２を２０ｍｏｌ％で混合したターゲットを高周波スパッタリング法で作成して得られた膜であることしめす。また、Ｇｅ_４Ｓｂ_８２Ｔｅ_１４、Ａｌ_９９．５Ｔａ_０．５における組成比は原子数比である。以下の実施例においても同様である。このＡｌ_９９．５Ｔａ_０．５反射層の体積抵抗率ρ_ｖは８０ｎΩ・ｍ、面積抵抗率ρ_ｓは約０．４Ω／□であった。初期化は、長軸約１５０μｍ、短軸約１．０μｍの楕円形スポット形状を有する波長約８１０ｎｍのレーザーダイオード光を短軸方向に線速約２ｍ／ｓで走査して行なった。照射パワーは９５０ｍＷである。
【０４５６】
このディスクに、ＮＡ＝０．５０のテスタ１を用いて、２４及び１０倍速でＥＦＭ変調信号のオーバーライトを行ない、その特性を評価した。
消去パワーＰｅと記録パワーＰｗの比Ｐｅ／Ｐｗは一定としＰｗを１９ｍＷ程度から２９ｍＷ程度まで１ｍＷ刻みで変化させ、それぞれの記録パワーでオーバーライト特性を評価した。いずれも１０回オーバーライト後の値で評価した。
【０４５７】
２４倍速記録においては、記録方式ＣＤ１−１を適用した。まず、Ｔ_ｄ１、Ｔ_ｄ１’がｎによらず一定の場合を検討し、以下では、これを（記録方式ＣＤ１−１ａ）とする。（記録方式ＣＤ１−１ａ）は記録パルス分割方法（ＩＩ−Ａ）における、独立パラメータの数をさらに限定した使用方法となっている。
（記録方式ＣＤ１−１ａ）
ｍが３以上の場合の、偶数マーク長、ｎＴ＝２ｍＴに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間α_ｉＴ及びオフパルス区間β_ｉＴにおけるα_ｉ及びβ_ｉを、次に様に設定した。
Ｔ_ｄ１＋α_１＝２、
β_ｉ−１＋α_ｉ＝２ （ｉ＝２〜ｍ−１）、
β_ｍ−１＋α_ｍ＝２、
とした。
【０４５８】
一方、ｍが３以上の場合の奇数マーク長、ｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間α_ｉ’Ｔ及びオフパルス区間β_ｉ’Ｔにおけるα_ｉ’及びβ_ｉ’を、以下のように設定した。
Ｔ_ｄ１’＋α_１’＝２、
β_１’＋α_２’＝２．３５、ただし、β_１’＝β_１＋Δ_１、
β_ｉ−１’＋α_ｉ’＝２（ｉ＝３〜ｍ−１）、
β_ｍ−１’＋α_ｍ’＝２．４、ただし、α_ｍ’＝α_ｍ＋Δ_ｍ、
とした。
【０４５９】
ここで、Ｔ_ｄ１＝Ｔ_ｄ１’＝０．９、α_１＝α_１’＝１．１、β_１＝１、Δ_１＝０．３５、α_ｉ＝α_ｉ’＝αｃ＝１（ｉ＝２〜ｍ−１のｉに対してαｃは一定）、β_ｍ−１＝１、Δ_ｍ−１＝０，Δ_ｍ＝０．４、Δ_ｍｍ＝０．４，α_ｍ＝１、β_ｍ＝β_ｍ’＝０．４で、３以上のｍに対しては一定である。
また、ｍ＝２の場合、４Ｔマークに対しては、Ｔ_ｄ１＝０．９，α_１＝１．１、β_１＝１、α_２＝１、β_ｍ＝０．４とし、
５Ｔマークに対しては、Ｔ_ｄ１’＝０．９，α_１’＝１．１、β_１’＝１．３５、α_２’＝１．４、β_ｍ’＝０．４とした。
【０４６０】
ｍ＝１、すなわち３Ｔマークに対しては、Ｔ_ｄ１’＝０．９、α_１’＝１．６、β_１’＝０．７とした。
一方、１０倍速記録の場合には、記録方式ＣＤ２−１の具体例として、以下の（記録方式ＣＤ２−１ａ）を使用した。（記録方式ＣＤ２−１ａ）は、記録パルス分割方式（Ｖ）における、独立パラメータの数をさらに限定した使用方法となっている。
（記録方式ＣＤ２−１ａ）
ｍが３以上の場合の、偶数マーク長ｎＴ＝２ｍＴに対しては、マークの記録に際して、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間α_ｉＴ及びオフパルス区間β_ｉＴにおけるα_ｉ及びβ_ｉを、
Ｔ_ｄ１＋α_１＝２、
β_１＋α_２＝１．８、
β_ｉ−１＋α_ｉ＝２（ｉ＝３〜ｍ−１）、
β_ｍ−１＋α_ｍ＝２、
とした。
【０４６１】
一方、ｍが３以上の奇数マーク長がｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔに対しては、マークの記録に際して、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間α_i'Ｔ及びオフパルス区間β_i'Ｔにおけるα_i'及びβ_i'を、
Ｔ_d1'＋α₁'＝２、
β₁'＋α₂'＝２．２、ただし、β₁'＝β₁＋Δ₁、
β_i-1'＋α_i'＝２（ｉ＝３〜ｍ−１）、
β_m-1'＋α_m'＝２．５５、ただし、β _m-1 '＝β _m-1 ＋Δ_m-1、α_m'＝α_m＋Δ_m、
とした。
【０４６２】
ここで、Ｔ_ｄ１＝Ｔ_ｄ１’＝１．５，α_１＝α_１’＝０．５，β_１＝１．３、Δ_１＝０．４、α_ｉ＝α_ｉ’＝αｃ＝０．５（ｉ＝２〜ｍ−１なるｉに対して、αｃは一定）、β_ｍ−１＝１．５、Δ_ｍ−１＝０．３５、Δ_ｍ＝０．２，Δ_ｍｍ＝０．５５、α_ｍ＝０．５、β_ｍ＝β_ｍ’＝１．３で、３以上のｍに対しては一定である。
【０４６３】
また、ｍ＝２の場合、４Ｔマークに対しては、Ｔ_ｄ１＝１．５、α_１＝０．５，β_１＝１．３、α_２＝０．５、β_２＝１．３とし、５Ｔマークに対しては、Ｔ_ｄ１’＝１．５、α_１’＝０．５、β_１’＝１．７、α_２’＝０．８、β_２’＝１．６とした。
３Ｔマークに対しては、Ｔ_ｄ１’＝１．５、α_１’＝０．８、β_１’＝２としている。
【０４６４】
次に、Ｔ_ｄ１、Ｔ_ｄ１’をすべてのｎにおいて一定とせず、３Ｔ及び４Ｔマークで異なる値をとる記録パルス分割方法（ＩＩ−Ａ）の場合について２４倍速に記録おいて検討を行った。以下の記録方式を記録方式ＣＤ−ＩＩａと称する。
（記録方式ＣＤ−ＩＩａ）
ｍが３以上の偶数長マークがｎＴ＝２ｍＴに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間α_ｉＴ及びオフパルス区間β_ｉＴにおけるα_ｉ及びβ_ｉを、Ｔ_ｄ１＋α_１＝２、
β_１＋α_２＝１．９５、
β_ｉ−１＋α_ｉ＝２（ｉ＝３〜ｍ−１）、
β_ｍ−１＋α_ｍ＝１．９５、
とした。
【０４６５】
一方、ｍが３以上の奇数長マークｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔに対しては、マークの記録に際して、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間α_ｉ’Ｔ及びオフパルス区間β_ｉ’Ｔにおけるα_ｉ’及びβ_ｉ’を、
Ｔ_ｄ１’＋α_１’＝２、
β_１’＋α_２’＝２．２５、ただし、β_１’＝β_１＋Δ_１、
β_ｉ−１’＋α_ｉ’＝２（ｉ＝３〜ｍ−１）、
β_ｍ−１’＋α_ｍ’＝２．３５、ただし、α_ｍ’＝α_ｍ＋Δ_ｍ、
とした。
【０４６６】
ここで、Ｔ_ｄ１＝Ｔ_ｄ１’＝１、α_１＝α_１’＝１、β_１＝０．９５、Δ_１＝０．３、α_ｉ＝α_ｉ’＝αｃ＝１（ｉ＝２〜ｍ−１なるｉに対してαｃは一定）、β_ｍ−１＝１、Δ_ｍ−１＝０，Δ_ｍ＝０．４、Δ_ｍｍ＝０．４，α_ｍ＝０．９５、β_ｍ＝β_ｍ’＝０．３で、３以上のｍに対しては一定である。
ｍ＝２の場合、４Ｔマークに対しては、Ｔ_ｄ１＝０．９５、α_１＝１、β_１＝０．９５、α_２＝０．９５、β_２＝０．３とし、５Ｔマークに対しては、Ｔ_ｄ１’＝１、α_１’＝１、β_１’＝１．２５、α_２’＝１．３５、β_２’＝０．３とした。
【０４６７】
さらに、３Ｔマークに対しては、Ｔ_ｄ１’＝０．７５、α_１’＝１．９、β_１’＝０．３としている。
なお、各記録方式でのＴ_ｄ１、α_ｉ、β_ｉ等を表−１にまとめて示す。いずれの記録方式も記録パルス方法（ＩＩ―Ａ）又は（Ｖ）に準じているので、ｍが３以上の場合に関しては、記録パルス分割方法（ＩＩ）における、１０個のパラメータ（Ｔ_ｄ１、α_１、β_１、Δ_１、α_ｃ、β_ｍ−１、Δ_ｍ−１、α_ｍ、Δ_ｍ、β_ｍ）及び、ｎ＝３，４，５におけるＴ_ｄ１、α_ｉ、β_ｉを記載した。ただし、ｎ＝３の場合の（Ｔ_ｄ１’、α_１’、β_１’）は、Ｔ_ｄ１、α_１、β_１の項に記載した。ｎ＝４の場合の（Ｔ_ｄ１、α_１、β_１、α_２、β_２）及び、ｎ＝５の場合の（Ｔ_ｄ１’、α_１’、β_１’、α_２、’、β_２’）は、Ｔ_ｄ１、α_１、β_１、α_ｍ、β_ｍの欄に記載した。ここで、記録方式ＣＤ１−１ａ、ＣＤ２−１ａ，ＣＤ−ＩＩａにおいては、ｎ＝４、５の場合のβ_１、β_１’は、それぞれｍが３の場合のβ_１、β_１’（＝β_１＋Δ_１）と等しい。
【０４６８】
【表１】

【０４６９】
２４倍速における（記録方式ＣＤ１−１ａ）及び（記録方式ＣＤ−ＩＩａ）の場合の、オーバーライト特性の評価結果を図７及び８に示す。消去パワーＰｅと記録パワーＰｗの比Ｐｅ／Ｐｗは（記録方式ＣＤ１−１ａ）では０．３９、（記録方式ＣＤ−ＩＩａ）では０．３３とした。Ｐｗを２０ｍＷから２７ｍＷ程度まで１ｍＷ刻みで変化させた。バイアスパワーＰｂは一定０．８ｍＷとしている。
【０４７０】
各図において（ａ）〜（ｆ）はそれぞれ、（ａ）３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）３Ｔスペース長ジッタ、（ｃ）変調度ｍ_１１、（ｄ）Ｒ_ｔｏｐ、（ｅ）３Ｔマーク長、（ｆ）３Ｔスペース長、のＰｗ依存性を表す。
ジッタが最小となる最適記録パワーは（記録方式ＣＤ１−１ａ）では２３−２５ｍＷ、（記録方式ＣＤ−ＩＩａ）では２３−２７ｍＷ付近であり、オーバーライト特性もこのパワーにおける値で評価した。
【０４７１】
図７、８の（ａ）、（ｂ）の図中の横線は１倍速再生時のジッタ規格上限値＝３５（ｎｓｅｃ）を示し、最適Ｐｗ付近においては、３５ｎｓｅｃ以下の良好なジッター値が得られている。また、他のマーク長及びスペース長のジッタも３５ｎｓｅｃ以下となった。
図７、８の（ｃ）、（ｄ）から、いずれの記録方式においても、変調度ｍ_１１は６０％〜８０％（０．６〜０．８）、Ｒ_ｔｏｐは１５〜２５％（０．１５〜０．２５）の値が得られていることがわかる。
【０４７２】
図７、８の（ｅ）、（ｆ）の図中の実線の横線は１倍速再生時の３Ｔマーク長＝３Ｔスペース長＝２３１×３（ｎｓｅｃ）を示す。また、点線の横線は２３１ｎｓｅｃ×３−４０ｎｓｅｃ、２３１ｎｓｅｃ×３＋４０ｎｓｅｃを示す。マーク長、スペース長については通常±２０％程度のずれは許容されるから、±３０〜４０ｎｓｅｃ以内であればよいが、図から、マーク長及びスペース長のずれはほとんどなく許容範囲内であることが分かる。同様に、最適Ｐｗ付近においては、４Ｔ〜１１Ｔのマーク長及びスペース長においても、基準クロック周期Ｔの±１０％程度の範囲内で所望のマーク長及びスペース長が得られた。
【０４７３】
特に、２４倍速記録においては、Ｔ_ｄ１を一定としない（記録方式ＣＤ−ＩＩａ）のオーバーライト特性の結果の図８（ａ），（ｂ）と、Ｔ_ｄ１を固定とした（記録方式ＣＤ１−１ａ）のオーバーライト特性の結果の図７（ａ）、（ｂ）とを比べると、図８においては３Ｔスペース長ｊｉｔｔｅｒの最低値が２４．１ｎｓｅｃと図７の２６．９ｎｓｅｃに比べ低く、またｊｉｔｔｅｒが３５ｎｓｅｃ以下となるＰｗ範囲が広く、パワーのマージンがあるといえる。
【０４７４】
１０倍速における（記録方式ＣＤ２−１ａ）ついて図９に示す。消去パワーＰｅと記録パワーＰｗの比Ｐｅ／Ｐｗは０．３９で一定としＰｗを１９ｍＷ程度から２９ｍＷ程度まで１ｍＷ刻みで変化させた。バイアスパワーＰｂは０．８Ｗで一定である。
図９（ａ）〜（ｆ）は、それぞれ（ａ）３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）３Ｔスペース長ジッタ、（ｃ）変調度ｍ_１１、（ｄ）Ｒ_ｔｏｐ、（ｅ）３Ｔマーク長、（ｆ）３Ｔスペース長、のＰｗ依存性を表す。最適記録パワーは２４倍速記録では２３〜２７ｍＷ付近であるが、１０倍速記録では２２−２７ｍＷ付近であり、オーバーライト特性もこのパワーにおける値で評価した。
【０４７５】
図９の（ａ）、（ｂ）の図中の横線は１倍速再生時のジッタ規格上限値＝３５（ｎｓｅｃ）を示す。いずれの線速においても３５ｎｓｅｃ以下の良好なジッター値が得られている。他のマーク長、スペース長においても、ジッタ値は３５ｎｓｅｃ以下となった。
また、図９の（ｃ）、（ｄ）から、いずれの線速においても、変調度ｍ_１１は６０％〜８０％（０．６〜０．８）、Ｒ_ｔｏｐは１５〜２５％の値が得られていることがわかる。
【０４７６】
図９（ｅ）、（ｆ）の図中の実線の横線は１倍速再生時の３Ｔマーク長＝３Ｔスペース長＝２３１×３（ｎｓｅｃ）を示す。また、点線の横線は２３１ｎｓｅｃ×３−４０ｎｓｅｃ、２３１ｎｓｅｃ×３＋４０ｎｓｅｃを示す。マーク長、スペース長については、通常基準クロック周期Ｔの±２０％程度のずれは許容されるから、±３０〜４０ｎｓｅｃ以内であればよいが、図から、マーク長及びスペース長のずれはほとんどなく許容範囲内であることが分かる。同様に、最適Ｐｗ付近においては、４Ｔ〜１１Ｔのマーク長及びスペース長においても、基準クロック周期Ｔの±１０％程度の範囲内で所望のマーク長及びスペース長が得られた。アシンメトリー値は±１０％以内の値が得られた。
【０４７７】
以上まとめると、１０、２４倍速においては良好な記録特性が得られており、本発明記録媒体及び記録パルス分割方法（ＩＩ−Ａ）又は（Ｖ）を適用すれば、この間の線速においても良好な特性がえられ、再生信号は、既存のＣＤドライブで再生可能な品質となる。
次に、２４倍速の（記録方式ＣＤ１−１ａ）、（記録方式ＣＤ−ＩＩａ）、そして、１０倍速における（記録方式ＣＤ２−１ａ）を用いた場合のオーバーライト耐久性の評価結果を記す。それぞれ、Ｐｅ／Ｐｗ＝９．４ｍＷ／２４ｍＷ、８．６ｍＷ／２６ｍＷ、９ｍＷ／２３ｍＷで繰返しオーバーライトを行ったときのオーバーライト回数依存性を図１０，１１，１２に表す。各図において、（ａ）が３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）が３Ｔスペース長ジッタを示す。図１０、１１、１２において、繰り返しオーバーライト回数を対数グラフで表示する都合上、初回記録を１回目オーバーライトとし、その上に９回オーバーライトした時を１０回めオーバーライトというように表している。以下の実施例においても同様に、対数軸上に繰り返しオーバーライト回数を表している。
【０４７８】
いずれの線速においてもＣＤ−ＲＷに要求される１０００回というオーバーライト耐久性は十分満たされている。
さらに、各線速における消去比を測定した。１０倍速においては、（記録方式ＣＤ２−１ａ）の３Ｔ、１１Ｔのパルスを用い、２４倍速においては（記録方式ＩＩａ）の３Ｔ、１１Ｔのパルスを用いて、３Ｔ／１１Ｔオーバーライト消去比を測定した。１０倍速、２４倍速で３Ｔ／１１Ｔオーバーライト消去比は、それぞれ２９、２６ｄＢとなり、それぞれの線速において、十分な消去比が得られた。
【０４７９】
また、（記録方式ＣＤ１−１ａ）、（記録方式ＣＤ−ＩＩａ）を用い、２４倍速で記録を行ったディスクを１０５℃の加速試験に投入したところ、３時間経過しても記録済み信号の劣化はほとんど見られなかった。ジッタは、５ｎｓｅｃ程度上昇していたが１倍速再生で３５ｎｓｅｃ以下であり、反射率Ｒ_ｔｏｐ、変調度ｍ_１１もほとんど低下しておらず、初期値の９０％以上を維持していた。
（実施例２）
上記基本例において、下記のようにしてディスクを製造し記録を行なった。
【０４８０】
基板上に、（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０からなる下部保護層を８０ｎｍ、Ｉｎ_１２Ｇｅ_８Ｓｂ_８０（Ｉｎ_０．１２（Ｇｅ_０．０９Ｓｂ_０．９１）_０．８８）からなる記録層を１８ｎｍ、（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０からなる上部保護層を３０ｎｍ、Ａｌ_９９．５Ｔａ_０．５からなる反射層を２００ｎｍ、紫外線硬化樹脂層を約４μｍをこの順に形成し、書換え型コンパクトディスクを作製した。このＡｌ_９９．５Ｔａ_０．５反射層の体積抵抗率ρ_ｖは８０ｎΩ・ｍ、面積抵抗率ρ_ｓは約０．４Ω／□であった。初期化は、長径約７５μｍ、短径約１．０μｍの楕円形スポット形状を有する波長約８１０ｎｍのレーザーダイオード光を線速約１２ｍ／ｓで走査して行なった。照射パワーは９００ｍＷである。
【０４８１】
このディスクに、ＮＡ＝０．５０のテスタ１を用いて、２４及び１０倍速でＥＦＭ変調信号のオーバーライトを行ない、その特性を評価した。
消去パワーＰｅと記録パワーＰｗの比Ｐｅ／Ｐｗは一定としＰｗを２１ｍＷ程度から３０ｍＷ程度まで１ｍＷ刻みで変化させ、それぞれの記録パワーでオーバーライト特性を評価した。Ｐｂは０．８ｍＷで一定とした。いずれも１０回オーバーライト後の値で評価した。
【０４８２】
記録パルス分割方法は以下のとおりである。
２４倍速記録においては、記録方式ＣＤ１−１を適用した。まず、Ｔ_ｄ１、Ｔ_ｄ１’がｎによらず一定の場合を検討し、以下では、これを（記録方式ＣＤ１−１ｂ）とする。（記録方式ＣＤ１−１ｂ）は、記録パルス分割方法（ＩＩ−Ａ）における、独立パラメータの数をさらに限定した使用方法となっている。
（記録方式ＣＤ１−１ｂ）
ｍが３以上の場合の、偶数マーク長、ｎＴ＝２ｍＴに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間α_ｉＴ及びオフパルス区間β_ｉＴにおけるα_ｉ及びβ_ｉを、次に様に設定した。
Ｔ_ｄ１＋α_１＝２、
β_ｉ−１＋α_ｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）、
β_ｍ−１＋α_ｍ＝１．９５、
とした。
【０４８３】
一方、ｍが３以上の場合の奇数マーク長、ｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間α_ｉ’Ｔ及びオフパルス区間β_ｉ’Ｔにおけるα_ｉ’及びβ_ｉ’を、以下のように設定した。
Ｔ_ｄ１’＋α_１’＝２、
β_１’＋α_２’＝２．３５、ただし、β_１’＝β_１＋Δ_１、
β_ｉ−１’＋α_ｉ’＝２（ｉ＝３〜ｍ−１）、
β_ｍ−１’＋α_ｍ’＝２．４、ただし、α_ｍ’＝α_ｍ＋Δ_ｍ、
とした。
【０４８４】
ここで、Ｔ_ｄ１＝Ｔ_ｄ１’＝０．９、α_１＝α_１’＝１．１、β_１＝１、Δ_１＝０．３５、α_ｉ＝α_ｉ’＝αｃ＝１（ｉ＝２〜ｍ−１のｉに対してαｃは一定）、β_ｍ−１＝０．９、Δ_ｍ−１＝０．１，Δ_ｍ＝０．３５、Δ_ｍｍ＝０．４５，α_ｍ＝１．０５、β_ｍ＝β_ｍ’＝０．４で、３以上のｍに対しては一定である。
【０４８５】
また、ｍ＝２の場合、４Ｔマークに対しては、Ｔ_ｄ１＝０．９，α_１＝１．１、β_１＝０．９、α_２＝１．０５、β_ｍ＝０．４とした。尚、４Ｔマークにおけるβ_１＝０．９は、ｍ＝３（６Ｔマーク）におけるβ_ｍ−１（β_２）と等しくなっている。
一方、５Ｔマークに対しては、Ｔ_ｄ１’＝０．９，α_１’＝１．１、β_１’＝１．３５、α_２’＝１．４、β_ｍ’＝０．４とした。
【０４８６】
ｍ＝１、すなわち３Ｔマークに対しては、Ｔ_ｄ１’＝０．９、α_１’＝１．８、β_１’＝０．６とした。
一方、１０倍速記録の場合には、記録方式ＣＤ２−１として、以下の（記録方式ＣＤ２−１ｂ）を使用した。（記録方式ＣＤ２−１ｂ）は記録パルス分割方法（Ｖ）における、独立パラメータの数をさらに限定した使用方法となっている。
（記録方式ＣＤ２−１ｂ）
ｍが３以上の場合の、偶数マーク長ｎＴ＝２ｍＴに対しては、マークの記録に際して、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間α_ｉＴ及びオフパルス区間β_ｉＴにおけるα_ｉ及びβ_ｉを、
Ｔ_ｄ１＋α_１＝２、
β_１＋α_２＝２、
β_ｉ−１＋α_ｉ＝２（ｉ＝３〜ｍ−１）、
β_ｍ−１＋α_ｍ＝１．９５、
とした。
【０４８７】
一方、ｍが３以上の奇数マーク長がｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔに対しては、マークの記録に際して、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間α_i'Ｔ及びオフパルス区間β_i'Ｔにおけるα_i'及びβ_i'を、
Ｔ_d1'＋α₁'＝２、
β₁'＋α₂'＝２．４、ただし、β₁'＝β₁＋Δ₁、
β_i-1'＋α_i'＝２（ｉ＝３〜ｍ−１）、
β_m-1'＋α_m'＝２．５５、ただし、β _m-1 '＝β _m-1 ＋Δ_m-1、α_m'＝α_m＋Δ_m、
とした。
【０４８８】
ここで、Ｔ_ｄ１＝Ｔ_ｄ１’＝１．５，α_１＝α_１’＝０．５，β_１＝１．５、Δ_１＝０．４、α_ｉ＝α_ｉ’＝αｃ＝０．５（ｉ＝２〜ｍ−１なるｉに対して、αｃは一定）、β_ｍ−１＝１．４５、Δ_ｍ−１＝０．４５、Δ_ｍ＝０．１５，Δ_ｍｍ＝０．６、α_ｍ＝０．５、β_ｍ＝β_ｍ’＝１．２で、３以上のｍに対しては一定である。
【０４８９】
また、ｍ＝２の場合、４Ｔマークに対しては、Ｔ_ｄ１＝１．５、α_１＝０．５，β_１＝１．４５、α_２＝０．５、β_２＝１．２とした。尚、４Ｔマークにおけるβ_１＝１．４５は、ｍ＝３（ｎ＝６Ｔマーク）におけるβ_２（β_ｍ−１）と等しくなっている。
一方、５Ｔマークに対しては、Ｔ_ｄ１’＝１．５、α_１’＝０．５、β_１’＝１．９、α_２’＝０．６５、β_２’＝１．６とした。
【０４９０】
３Ｔマークに対しては、Ｔ_d1'＝１．５、α₁'＝０．８、β₁'＝２としている。
次に、Ｔ_d1、Ｔ_d1'をすべてのｎにおいて一定とせず、３Ｔ及び４Ｔマークで異なる値をとる記録パルス分割方法（ＩＩ―Ａ）の場合について、２４倍速記録において、以下の記録方式ＣＤ−ＩＩｂを用いて検討を行った。
（記録方式ＣＤ−ＩＩｂ）
ｍが３以上の偶数長マークがｎＴ＝２ｍＴに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間α_iＴ及びオフパルス区間β_iＴにおけるα_i及びβ_iを、Ｔ_d1＋α₁＝２、β_i-1＋α_i＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）、β_m-1＋α_m＝１．９、とした。
【０４９１】
一方、ｍが３以上の奇数長マークｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔに対しては、マークの記録に際して、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間α_ｉ’Ｔ及びオフパルス区間β_ｉ’Ｔにおけるα_ｉ’及びβ_ｉ’を、
Ｔ_ｄ１’＋α_１’＝２、
β_１’＋α_２’＝２．３５、ただし、β_１’＝β_１＋Δ_１、
β_ｉ−１’＋α_ｉ’＝２（ｉ＝３〜ｍ−１）、
β_ｍ−１’＋α_ｍ’＝２．４、ただし、α_ｍ’＝α_ｍ＋Δ_ｍ、
とした。
【０４９２】
ここで、Ｔ_ｄ１＝Ｔ_ｄ１’＝１、α_１＝α_１’＝１、β_１＝１、Δ_１＝０．３５、α_ｉ＝α_ｉ’＝αｃ＝１（ｉ＝２〜ｍ−１なるｉに対してαｃは一定）、β_ｍ−１＝０．９、Δ_ｍ−１＝０．１，Δ_ｍ＝０．４、Δ_ｍｍ＝０．５，α_ｍ＝１、β_ｍ＝β_ｍ’＝０．３で、３以上のｍに対しては一定である。
ｍ＝２の場合、４Ｔマークに対しては、Ｔ_ｄ１＝０．９５、α_１＝１、β_１＝１、α_２＝１、β_２＝０．３とし、５Ｔマークに対しては、Ｔ_ｄ１’＝１、α_１’＝１、β_１’＝１．３５、α_２’＝１．４、β_２’＝０．３とした。
【０４９３】
さらに、３Ｔマークに対しては、Ｔ_d1'＝０．５、α₁'＝２．４、β₁'＝０．４５としている。
なお、各記録方式でのＴ_d1、α_i、β_i等を表−２にまとめて示す。いずれの記録方式も記録パルス分割方法（ＩＩ−Ａ）又は（Ｖ）に準じているので、ｍが３以上の場合に関しては、記録パルス分割方法（ＩＩ−Ａ）における、１０個のパラメータ（Ｔ_d1、α₁、β₁、Δ₁、α_c、β_m-1、Δ_m-1、α_m、Δ_m、β_m）及び、ｎ＝３，４，５におけるＴ_d1、α_i、β_iを記載した。ただし、ｎ＝３の場合の（Ｔ_d1'、α₁'、β₁'）は、Ｔ_d1、α₁、β₁の項に記載した。ｎ＝４の場合の（Ｔ_d1、α₁、β₁、α₂、β₂）及び、ｎ＝５の場合の（Ｔ_d1'、α₁'、β₁'、α₂、'、β₂'）は、Ｔ_d1、α₁、β₁、α_m、β_mの欄に記載した。ここで、記録方式ＣＤ１−１ｂ、２−１ｂにおいては、ｎ＝４の場合のβ₁は、ｍが３以上（ｎ≧６）の場合のβ_m-1に等しく、ｎ＝５の場合のβ₁'は、ｍが３以上（ｎ≧６）の場合のβ₁'（＝β₁＋Δ₁）と等しい。記録方式ＩＩｂにおいては、ｎ＝４、５の場合のβ₁、β₁'はそれぞれ、ｍが３の場合のβ₁、β₁'（＝β₁＋Δ₁）と等しい。
【０４９４】
【表２】

【０４９５】
オーバーライト特性の評価結果を２４倍速の（記録方式ＣＤ１−１ｂ）及び（記録方式ＣＤ−ＩＩｂ）についてそれぞれ図１３、１４に、１０倍速の（記録方式ＣＤ２−１ｂ）について図１５に示す。消去パワーＰｅと記録パワーＰｗの比Ｐｅ／Ｐｗは、２４倍速の（記録方式ＣＤ１−１ｂ）は０．３５、（記録方式ＣＤ−ＩＩｂ）は０．３３、１０倍速の（記録方式ＣＤ２−１ｂ）は０．３１とし、Ｐｗを２１ｍＷ程度から３０ｍＷ程度まで１ｍＷ刻みで変化させた。バイアスパワーＰｂは一定の値０．８ｍＷとしている。
【０４９６】
各図において、それぞれ（ａ）３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）３Ｔスペース長ジッタ、（ｃ）変調度ｍ_１１、（ｄ）Ｒ_ｔｏｐ、（ｅ）３Ｔマーク長、（ｆ）３Ｔスペース長、のＰｗ依存性を表す。
最適記録パワーは２４倍速記録の（記録方式ＣＤ１−１ｂ）では２５−２７ｍＷ付近、（記録方式ＣＤ−ＩＩｂ）では２４−２８ｍＷ付近、１０倍速記録では２３−２８ｍＷ付近であり、オーバーライト特性もこのパワーにおける値で評価した。
【０４９７】
図１３，１４、１５の（ａ）、（ｂ）の図中の横線は１倍速再生時のジッタ規格上限値＝３５（ｎｓｅｃ）を示す。いずれの線速においても３５ｎｓｅｃ以下の良好なジッター値が得られている。
図１３，１４、１５の（ｃ）、（ｄ）から、いずれの線速においても、変調度ｍ_１１は６０％〜８０％（０．６〜０．８）、Ｒ_ｔｏｐは１５〜２５％の値が得られている。
【０４９８】
次に、（記録方式ＣＤ１−１ｂ）、（記録方式ＣＤ−ＩＩｂ）、（記録方式ＣＤ２−１ｂ）で記録を行った場合において、１倍速再生時の３Ｔマーク長、３Ｔスペース長を測定した。いずれの記録方式においても、３Ｔマーク長、３Ｔスペース長は、２３１ｎｓｅｃ×３から±１０％程度のずれの範囲内であった。具体的には、図１４（ｅ）、（ｆ）の図中の実線の横線は１倍速再生時の３Ｔマーク長＝３Ｔスペース長＝２３１×３（ｎｓｅｃ）を示す。また、点線の横線は２３１ｎｓｅｃ×３−４０ｎｓｅｃ、２３１ｎｓｅｃ×３＋４０ｎｓｅｃを示す。マーク長、スペース長については、通常基準クロック周期Ｔの±２０％程度のずれは許容されるから、±３０〜４０ｎｓｅｃ以内であればよいが、図１４（ｅ）、（ｆ）から、マーク長及びスペース長のずれはほとんどなく許容範囲内であることが分かる。
【０４９９】
同様に、最適Ｐｗ付近においては、４Ｔ〜１１Ｔのマーク長及びスペース長においても、基準クロック周期Ｔの±１０％程度の範囲内で所望のマーク長及びスペース長が得られた。アシンメトリー値は±１０％以内の値が得られた。
以上まとめると、１０、２４倍速においては良好な記録特性が得られており、再生信号は、既存のＣＤドライブで再生可能な品質である。また、この間の線速においてもパルスを調整することによって良好な特性がえられる。
【０５００】
次に、２４倍速の（記録方式ＣＤ１−１ｂ）、（記録方式ＣＤ−ＩＩｂ）、そして、１０倍速における（記録方式ＣＤ２−１ｂ）を用いた場合のオーバーライト耐久性の評価結果を記す。それぞれ、Ｐｗ／Ｐｅ＝２５ｍＷ／８．８ｍＷ、２６ｍＷ／８．６ｍＷ、２６ｍＷ／８．１ｍＷで繰返しオーバーライトを行ったところ、いずれの線速においてもＣＤ−ＲＷに要求される１０００回というオーバーライト耐久性は十分満たされていた。
【０５０１】
さらに、各線速における消去比を測定した。１０倍速においては、（記録方式ＣＤ２−１ｂ）の３Ｔ、１１Ｔのパルスを用い、２４倍速においては（記録方式ＣＤ−ＩＩｂ）の３Ｔ、１１Ｔのパルスを用いて、３Ｔ／１１Ｔオーバーライト消去比を測定した。１０倍速、２４倍速で３Ｔ／１１Ｔオーバーライト消去比は、それぞれ２８，２１ｄＢとなり、それぞれの線速において、十分な消去比が得られた。
【０５０２】
また、（記録方式ＣＤ１−１ｂ）、（記録方式ＣＤ−ＩＩｂ）を用い、２４倍速で記録を行ったディスクを１０５℃の加速試験に投入したところ、３時間経過しても記録済み信号の劣化はほとんど見られなかった。ジッタは、２ｎｓｅｃ程度変化していたが１倍速再生で３５ｎｓｅｃ以下であり、反射率Ｒ_ｔｏｐ、変調度ｍ_１１もほとんど低下しておらず、初期値の９０％以上を維持していた。
（実施例３）
上記基本例において、下記のようにしてディスクを製造し記録を行なった。
【０５０３】
基板上に、（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０からなる下部保護層を８０ｎｍ、Ｓｎ_２０Ｇｅ_１８Ｓｂ_６２（Ｓｎ_０．２（Ｇｅ_０．２３Ｓｂ_０．７７）_０．８）からなる記録層を１５ｎｍ、（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０からなる上部保護層を３０ｎｍ、Ａｌ_９９．５Ｔａ_０．５からなる反射層を２００ｎｍ、紫外線硬化樹脂層を約４μｍをこの順に形成し、書換え型コンパクトディスクを作製した。このＡｌ_９９．５Ｔａ_０．５反射層の体積抵抗率ρ_ｖは８０ｎΩ・ｍ、面積抵抗率ρ_ｓは約０．４Ω／□であった。初期化は、長径約１５０μｍ、短径約１．０μｍの楕円形スポット形状を有する波長約８１０ｎｍのレーザーダイオード光を線速約１２ｍ／ｓで走査して行なった。照射パワーは１６００ｍＷである。
【０５０４】
このディスクに、ＮＡ＝０．５０のテスタ１を用いて、２４及び１０倍速でＥＦＭ変調信号のオーバーライトを行ない、その特性を評価した。
消去パワーＰｅと記録パワーＰｗの比Ｐｅ／Ｐｗは一定としＰｗを２１ｍＷ程度から３０ｍＷ程度まで１ｍＷ刻みで変化させ、それぞれの記録パワーでオーバーライト特性を評価した。Ｐｂは０．８ｍＷで一定とした。いずれも１０回オーバーライト後の値で評価した。
【０５０５】
記録パルス分割方法は以下のとおりである。
２４倍速記録においては、記録方式ＣＤ１−１を適用し、これを（記録方式ＣＤ１−１ｃ）とする。（記録方式ＣＤ１−１ｃ）は記録パルス分割方法（ＩＩ−Ａ）における、独立パラメータの数をさらに限定した使用方法となっている。
（記録方式ＣＤ１−１ｃ）
ｍが３以上の場合の、偶数マーク長、ｎＴ＝２ｍＴに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間α_ｉＴ及びオフパルス区間β_ｉＴにおけるα_ｉ及びβ_ｉを、次に様に設定した。
Ｔ_ｄ１＋α_１＝２、
β_ｉ−１＋α_ｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ）、
とした。
【０５０６】
一方、ｍが３以上の場合の奇数マーク長、ｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間α_i'Ｔ及びオフパルス区間β_i'Ｔにおけるα_i'及びβ_i'を、以下のように設定した。
Ｔ_d1'＋α₁'＝２、
β₁'＋α₂'＝２．３５、ただし、β₁'＝β₁＋Δ₁、
β_i-1'＋α_i'＝２（ｉ＝３〜ｍ−１）、
β_m-1'＋α_m'＝２．４５、ただし、β_m-1'＝β _m-1 ＋Δ_m-1、α_m'＝α_m＋Δ_m、
とした。
【０５０７】
ここで、Ｔ_ｄ１＝Ｔ_ｄ１’＝１、α_１＝α_１’＝１、β_１＝１、Δ_１＝０．３５、α_ｉ＝α_ｉ’＝αｃ＝１（ｉ＝２〜ｍ−１のｉに対してαｃは一定）、β_ｍ−１＝１．０、Δ_ｍ−１＝０，Δ_ｍ＝０．５、Δ_ｍｍ＝０．５，α_ｍ＝０．９５、β_ｍ＝β_ｍ’＝０．３で、３以上のｍに対しては一定である。
また、ｍ＝２の場合、４Ｔマークに対しては、Ｔ_ｄ１＝１，α_１＝１、β_１＝１、α_２＝０．９５、β_ｍ＝０．３とし、
５Ｔマークに対しては、Ｔ_ｄ１’＝１，α_１’＝１、β_１’＝１．３５、α_２’＝１．４５、β_ｍ’＝０．３とした。
【０５０８】
ｍ＝１、すなわち３Ｔマークに対しては、Ｔ_ｄ１’＝０．７５、α_１’＝１．９５、β_１’＝０．５とした。
一方、１０倍速記録の場合には、記録方式ＣＤ２−１として、以下の（記録方式ＣＤ２−１ｃ）を使用した。（記録方式ＣＤ２−１ｃ）は記録パルス分割方法（Ｖ）における、独立パラメータの数をさらに限定した使用方法となっている。
（記録方式ＣＤ２−１ｃ）
ｍが３以上の場合の、偶数マーク長ｎＴ＝２ｍＴに対しては、マークの記録に際して、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間α_ｉＴ及びオフパルス区間β_ｉＴにおけるα_ｉ及びβ_ｉを、
Ｔ_ｄ１＋α_１＝２、
β_ｉ−１＋α_ｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ）、
とした。
【０５０９】
一方、ｍが３以上の奇数マーク長がｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔに対しては、マークの記録に際して、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間α_ｉ’Ｔ及びオフパルス区間β_ｉ’Ｔにおけるα_ｉ’及びβ_ｉ’を、
Ｔ_ｄ１’＋α_１’＝２、
β_１’＋α_２’＝２．４、ただし、β_１’＝β_１＋Δ_１、
β_ｉ−１’＋α_ｉ’＝２（ｉ＝３〜ｍ−１）、
β_ｍ−１’＋α_ｍ’＝２．５５、ただし、β_ｍ−１’＝β_ｍ−１＋Δ_ｍ−１、α_ｍ’＝α_ｍ＋Δ_ｍ、
とした。
【０５１０】
ここで、Ｔ_ｄ１＝Ｔ_ｄ１’＝１．５，α_１＝α_１’＝０．５，β_１＝１．６、Δ_１＝０．４、α_ｉ＝α_ｉ’＝αｃ＝０．４（ｉ＝２〜ｍ−１なるｉに対して、αｃは一定）、β_ｍ−１＝１．６、Δ_ｍ−１＝０．３５、Δ_ｍ＝０．２、Δ_ｍｍ＝０．５５、α_ｍ＝０．４、β_ｍ＝β_ｍ’＝１．１で、３以上のｍに対しては一定である。
【０５１１】
また、ｍ＝２の場合、４Ｔマークに対しては、Ｔ_ｄ１＝１．５、α_１＝０．５，β_１＝１．６、α_２＝０．４、β_２＝１．１とし、５Ｔマークに対しては、Ｔ_ｄ１’＝１．５、α_１’＝０．５、β_１’＝２、α_２’＝０．６、β_２’＝１．４５とした。ここで、５Ｔマークにおけるβ_２’＝１．４５は、ｍ＝３（６Ｔマーク）のβ_３’（β_ｍ’）＝１．１に、０．３５を付与してものである。
【０５１２】
３Ｔマークに対しては、Ｔ_d1'＝１．５、α₁'＝０．６、β₁'＝２．１としている。
なお、各記録方式でのＴ_d1、α_i、β_i等を表−３にまとめて示す。いずれの記録方式も記録パルス分割方法（ＩＩ−Ａ）又は（Ｖ）に準じているので、ｍが３以上の場合に関しては、記録パルス分割方法（ＩＩ−Ａ）における、１０個のパラメータ（Ｔ_d1、α₁、β₁、Δ₁、α_c、β_m-1、Δ_m-1、α_m、Δ_m、β_m）及び、ｎ＝３，４，５におけるＴ_d1、α_i、β_iを記載した。ただし、ｎ＝３の場合の（Ｔ_d1'、α₁'、β₁'）は、Ｔ_d1、α₁、β₁の項に記載した。ｎ＝４の場合の（Ｔ_d1、α₁、β₁、α₂、β₂）及び、ｎ＝５の場合の（Ｔ_d1'、α₁'、β₁'、α₂、'、β₂'）は、Ｔ_d1、α₁、β₁、α_m、β_mの欄に記載した。
【０５１３】
ここで、記録方式ＣＤ１−１ｃ、２−１ｃにおいては、ｎ＝４、５の場合のβ_１及びβ_１’はそれぞれｍが３の場合のβ_１及びβ_１’（＝β_１＋Δ_１）と等しい。
【０５１４】
【表３】

【０５１５】
オーバーライト特性の評価結果を２４倍速の（記録方式ＣＤ１−１ｃ）について図１８に、１０倍速の（記録方式ＣＤ２−１ｃ）について図１９に示す。消去パワーＰｅと記録パワーＰｗの比Ｐｅ／Ｐｗは、２４倍速の（記録方式ＣＤ１−１ｃ）は０．３１、１０倍速の（記録方式ＣＤ２−１ｃ）は０．３３とし、Ｐｗを２１ｍＷ程度から３０ｍＷ程度まで１ｍＷ刻みで変化させた。バイアスパワーＰｂは一定の値０．８ｍＷとしている。
【０５１６】
各図において、それぞれ（ａ）３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）３Ｔスペース長ジッタ、（ｃ）変調度ｍ_１１、（ｄ）Ｒ_ｔｏｐ、（ｅ）３Ｔマーク長、（ｆ）３Ｔスペース長、のＰｗ依存性を表す。
最適記録パワーは２４倍速記録の（記録方式ＣＤ１−１ｃ）では２５−２８ｍＷ付近、１０倍速記録の（記録方式ＣＤ２−１ｃ）では２４−３０ｍＷ付近であり、オーバーライト特性もこのパワーにおける値で評価した。
図１８，１９の（ａ）、（ｂ）の図中の横線は１倍速再生時のジッタ規格上限値＝３５（ｎｓｅｃ）を示す。いずれの線速においても３５ｎｓｅｃ以下の良好なジッター値が得られている。
【０５１７】
図１８、１９の（ｃ）、（ｄ）から、いずれの線速においても、変調度ｍ_１１は６０％〜８０％（０．６〜０．８）、Ｒ_ｔｏｐは１５〜２５％の値が得られている。
次に、（記録方式ＣＤ１−１ｃ）、（記録方式ＣＤ２−１ｃ）で記録を行った場合において、１倍速再生時の３Ｔマーク長、３Ｔスペース長を測定した。いずれの記録方式においても、３Ｔマーク長、３Ｔスペース長は、２３１×３ｎｓｅｃから±１０％程度のずれの範囲内であった。具体的には、図１８，１９（ｅ）、（ｆ）の各図中における実線の横線は、１倍速再生時の３Ｔマーク長＝３Ｔスペース長＝２３１×３（ｎｓｅｃ）を示す。また、点線の横線は２３１ｎｓｅｃ×３−４０ｎｓｅｃ、２３１ｎｓｅｃ×３＋４０ｎｓｅｃを示す。マーク長、スペース長については、基準クロック周期Ｔの通常±２０％程度のずれは許容されるから、±３０〜４０ｎｓｅｃ以内であればよいが、図１８，１９（ｅ）、（ｆ）から、マーク長及びスペース長のずれはほとんどなく許容範囲内であることが分かる。
【０５１８】
同様に、最適Ｐｗ付近においては、４Ｔ〜１１Ｔのマーク長及びスペース長においても、基準クロック周期Ｔの±１０％程度の範囲内で所望のマーク長及びスペース長が得られた。アシンメトリー値は±１０％以内の値が得られた。
以上まとめると、１０、２４倍速においては良好な記録特性が得られており、再生信号は、既存のＣＤドライブで再生可能な品質である。また、この間の線速においてもパルスを調整することによって良好な記録特性がえられる。
【０５１９】
次に、２４倍速の（記録方式ＣＤ１−１ｃ）、１０倍速における（記録方式ＣＤ２−１ｃ）を用いた場合のオーバーライト耐久性の評価結果を記す。それぞれ、Ｐｗ／Ｐｅ＝２６ｍＷ／８．１ｍＷ、２７ｍＷ／８．９ｍＷで繰返しオーバーライトを行ったときのオーバーライト回数依存性を図２０、２１に表す。各図において、（ａ）が３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）が３Ｔスペース長ジッタを示す。いずれの線速においてもＣＤ−ＲＷに要求される１０００回というオーバーライト耐久性は十分満たされている。
【０５２０】
さらに、各線速における消去比を測定した。１０倍速においては、（記録方式ＣＤ２−１ｃ）の３Ｔ、１１Ｔのパルスを用い、２４倍速においては（記録方式ＣＤ１−１ｃ）の３Ｔ、１１Ｔのパルスを用いて、３Ｔ／１１Ｔオーバーライト消去比を測定した。１０倍速、２４倍速で３Ｔ／１１Ｔオーバーライト消去比は、それぞれ３３、２１ｄＢであり、それぞれの線速において、十分な消去比が得られた。また、（記録方式ＣＤ１−１ｃ）を用い、２４倍速で記録を行ったディスクを１０５℃の加速試験に投入したところ、３時間経過しても記録済み信号の劣化はほとんど見られなかった。ジッタは、２ｎｓｅｃ程度変化するものの１倍速再生で３５ｎｓｅｃ以下であり、反射率Ｒ_ｔｏｐ、変調度ｍ_１１もほとんど低下しておらず、初期値の９０％以上を維持していた。
（実施例４）
上記実施例３のディスクとテスタ１とを用い、２４倍速記録においては、記録方式ＣＤ１−２を適用し、これを（記録方式ＣＤ１−２ａ）とする。（記録方式ＣＤ１−２ａ）は記録パルス分割方法（ＩＩＩ―Ａ）における、独立パラメータの数をさらに限定した使用方法となっている。
（記録方式ＣＤ１−２ａ）
ｍが３以上の場合の、偶数マーク長、ｎＴ＝２ｍＴに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間α_ｉＴ及びオフパルス区間β_ｉＴにおけるα_ｉ及びβ_ｉを、次に様に設定した。
Ｔ_ｄ１＋α_１＝２、
β_ｉ−１＋α_ｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ）、
とした。
【０５２１】
一方、ｍが３以上の場合の奇数マーク長、ｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間α_ｉ’Ｔ及びオフパルス区間β_ｉ’Ｔにおけるα_ｉ’及びβ_ｉ’を、以下のように設定した。
Ｔ_ｄ１’＋α_１’＝２、
β_ｉ−１’＋α_ｉ’＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）、
β_ｍ−１’＋α_ｍ’＝２．８５、ただし、β_ｍ−１’＝β_ｍ−１＋Δ_ｍ−１、α_ｍ’＝α_ｍ＋Δ_ｍ、
とした。
【０５２２】
ここで、Ｔ_ｄ１＝Ｔ_ｄ１’＝１、α_１＝α_１’＝１、α_ｉ＝α_ｉ’＝αｃ＝１（ｉ＝２〜ｍ−１のｉに対してαｃは一定）、β_ｍ−１＝１、Δ_ｍ−１＝０．４，Δ_ｍ＝０．４５、Δ_ｍｍ＝０．８５，α_ｍ＝１、β_ｍ＝０．３、Δ_ｍ’＝０で、２以上のｍに対しては一定である。
ただし、ｍ＝２（ｎ＝４、５）の場合の、α_１、α_１’、β_１、β_１’、α_２、α_２’、β_２、β_２’は、それぞれｍ＝３の場合のα_１、α_１’、β_２（β_ｍ−１）、β_２’（β_ｍ−１’）、α_３（α_ｍ）、α_３’（α_ｍ’）、β_３（β_ｍ）、β_３’（β_ｍ’）と等しくする。すなわち、４Ｔマークに対しては、α_１＝１、β_１＝１、α_２＝１、β_２＝０．３とし、５Ｔマークに対しては、α_１’＝１、β_１’＝１．４、α_２’＝１．４５、β_２’＝０．３とした。
【０５２３】
ｍ＝１、すなわち３Ｔマークに対しては、Ｔ_ｄ１’＝０．９、α_１’＝１．６、β_１’＝０．５５とした。
一方、１０倍速記録の場合には、記録方式ＣＤ２−２として、以下の（記録方式ＣＤ２−２ａ）を使用した。（記録方式ＣＤ２−２ａ）は記録パルス分割方法（ＶＩ）における、独立パラメータの数をさらに限定した使用方法となっている。
（記録方式ＣＤ２−２ａ）
ｍが３以上の場合の、偶数マーク長ｎＴ＝２ｍＴに対しては、マークの記録に際して、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間α_ｉＴ及びオフパルス区間β_ｉＴにおけるα_ｉ及びβ_ｉを、
Ｔ_ｄ１＋α_１＝２、
β_ｉ−１＋α_ｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ）、
とした。
【０５２４】
一方、ｍが３以上の奇数マーク長がｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔに対しては、マークの記録に際して、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間α_ｉ’Ｔ及びオフパルス区間β_ｉ’Ｔにおけるα_ｉ’及びβ_ｉ’を、
Ｔ_ｄ１’＋α_１’＝２、
β_ｉ−１’＋α_ｉ’＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）、
β_ｍ−１’＋α_ｍ’＝２．５５、ただし、β_ｍ―１’＝β_ｍ−１＋Δ_ｍ−１、α_ｍ’＝α_ｍ＋Δ_ｍ、
とした。
【０５２５】
ここで、Ｔ_ｄ１＝Ｔ_ｄ１’＝１．５，α_１＝α_１’＝０．５，α_ｉ＝α_ｉ’＝αｃ＝０．４（ｉ＝２〜ｍ−１なるｉに対して、αｃは一定）、β_ｍ−１＝１．６、Δ_ｍ−１＝０．３５、Δ_ｍ＝０．２，Δ_ｍｍ＝０．５５、α_ｍ＝０．４、β_ｍ＝０．８、Δ_ｍ’＝０．４で、２以上のｍに対しては一定である。
ただし、ｍ＝２（ｎ＝４、５）の場合の、α_１、α_１’、β_１、β_１’、α_２、α_２’、β_２、β_２’は、それぞれｍ＝３の場合のα_１、α_１’、β_２（β_{ｍ −１}）、β_２’（β_ｍ−１’）、α_３（α_ｍ）、α_３’（α_ｍ’）、β_３（β_ｍ）、β_３’（β_ｍ’）と等しくする。すなわち、４Ｔマークに対しては、α_１＝０．５、β_１＝１．６、α_２＝０．４、β_２＝０．８とし、５Ｔマークに対しては、α_１’＝０．５、β_１’＝１．９５、α_２’＝０．６、β_２’＝１．２とした。
【０５２６】
３Ｔマークに対しては、Ｔ_d1'＝１．５、α₁'＝０．７、β₁'＝１．７としている。
なお、各記録方式でのＴ_d1、α_i、β_i等を表−４にまとめて示す。
表−４において、記録パルス分割方式はｎ＝３の場合とｎが４〜１１の場合とに分けて記載した。ｎ＝３の場合には、Ｔ_d1'、α₁'、β₁'の３つのパラメータが必要であるが、表−４では、それぞれＴ_d1、α₁、β_mの欄に記載した。ｎが４〜１１の場合には、記録パルス分割方法（ＩＩＩ−Ａ）において、Ｔ_d1＋α₁＝Ｔ _d1 ’＋α₁'＝２、β₁＋α₂＝β_m-1＋α_m＝２、α₁＝α_m＝αｃ、Δ_mはｍによらず一定とした。したがって、表−４では、Ｔ_d1、β₁、β_m-1、β_m、α_mも含めて１０個のパラメータを記載しているが、独立パラメータはα1、αｃ、Δ_m-1、Δ_m、Δ_m'の５個である。また、ｎ＝４の場合には、β₁＝β_m-1＝βｃ、α₂＝α_m＝αｃ、β₂＝β_mである。ｎ＝５の場合には、β₁'＝βｃ＋Δ_m-1、α₂＝αｃ＋Δ_m、β₂'＝β_m'＋Δ_m'である。
【０５２７】
【表４】

【０５２８】
オーバーライト特性の評価結果を２４倍速の（記録方式ＣＤ１−２ａ）について図２２に、１０倍速の（記録方式ＣＤ２−２ａ）について図２３に示す。消去パワーＰｅと記録パワーＰｗの比Ｐｅ／Ｐｗは、２４倍速の（記録方式ＣＤ１−２ａ）は０．３０、１０倍速の（記録方式ＣＤ２−２ａ）は０．３０で一定とした。（記録方式ＣＤ１−２ａ）では、Ｐｗを２２ｍＷ程度から３０ｍＷ程度まで１ｍＷ刻みで変化させた。（記録方式ＣＤ２−２ａ）では、Ｐｗを２０ｍＷ程度から２９ｍＷ程度まで１ｍＷ刻みで変化させた。バイアスパワーＰｂは一定の値０．８ｍＷとしている。
【０５２９】
各図において、それぞれ（ａ）３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）３Ｔスペース長ジッタ、（ｃ）変調度ｍ_１１、（ｄ）Ｒ_ｔｏｐ、（ｅ）３Ｔマーク長、（ｆ）３Ｔスペース長、のＰｗ依存性を表す。
最適記録パワーは２４倍速記録の（記録方式ＣＤ１−２ａ）では２４−２８ｍＷ付近、１０倍速記録の（記録方式ＣＤ２−２ａ）では２３−２８ｍＷ付近であり、オーバーライト特性もこのパワーにおける値で評価した。
【０５３０】
図２２，２３の（ａ）、（ｂ）の図中の横線は１倍速再生時のジッタ規格上限値＝３５（ｎｓｅｃ）を示す。いずれの線速においても３５ｎｓｅｃ以下の良好なジッター値が得られている。
図２２、２３の（ｃ）、（ｄ）から、いずれの線速においても、変調度ｍ_１１は６０％〜８０％（０．６〜０．８）、Ｒ_ｔｏｐは１５〜２５％の値が得られている。
【０５３１】
次に、（記録方式ＣＤ１−２ａ）、（記録方式ＣＤ２−２ａ）で記録を行った場合において、１倍速再生時の３Ｔマーク長、３Ｔスペース長を測定した。いずれの記録方式においても、３Ｔマーク長、３Ｔスペース長は、２３１×３ｎｓｅｃから±１０％程度のずれの範囲内であった。具体的には、図２２，２３（ｅ）、（ｆ）の図中における実線の横線は、１倍速再生時の３Ｔマーク長＝３Ｔスペース長＝２３１×３（ｎｓｅｃ）を示す。また、点線の横線は２３１ｎｓｅｃ×３−４０ｎｓｅｃ、２３１ｎｓｅｃ×３＋４０ｎｓｅｃを示す。マーク長、スペース長については、通常基準クロック周期Ｔの±２０％程度のずれは許容されるから、±３０〜４０ｎｓｅｃ以内であればよいが、図２２，２３（ｅ）、（ｆ）から、マーク長及びスペース長のずれがほとんどなく、許容範囲内であることが分かる。
【０５３２】
同様に、最適Ｐｗ付近においては、４Ｔ〜１１Ｔのマーク長及びスペース長においても、基準クロック周期Ｔの±１０％程度の範囲内で所望のマーク長及びスペース長が得られた。アシンメトリー値は±１０％以内の値が得られた。
以上まとめると、１０、２４倍速においては良好な記録特性が得られており、再生信号は、既存のＣＤドライブで再生可能な品質である。また、この間の線速においてもパルスを調整することによって良好な特性がえられる。
【０５３３】
次に、２４倍速の（記録方式ＣＤ１−２ａ）、１０倍速における（記録方式ＣＤ２−２ａ）を用いた場合のオーバーライト耐久性の評価結果を記す。それぞれ、Ｐｗ／Ｐｅ＝２６ｍＷ／７．８ｍＷ、２４ｍＷ／７．２ｍＷで繰返しオーバーライトを行ったときのオーバーライト回数依存性を図２４、２５に表す。各図において、（ａ）が３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）が３Ｔスペース長ジッタを示す。いずれの線速においてもＣＤ−ＲＷに要求される１０００回というオーバーライト耐久性は十分満たされている。
【０５３４】
また、（記録方式ＣＤ１−２ａ）を用い、２４倍速で記録を行ったディスクを１０５℃の加速試験に投入したところ、３時間経過しても記録済み信号の劣化はほとんど見られなかった。ジッタは、２ｎｓｅｃ程度変化するものの１倍速再生で３５ｎｓｅｃ以下であり、反射率Ｒ_ｔｏｐ、変調度ｍ_１１もほとんど低下しておらず、初期値の９０％以上を維持していた。
（実施例５）
上記基本例において、下記のようにしてディスクを製造し記録を行なった。
【０５３５】
基板上に、（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０からなる下部保護層を８０ｎｍ、Ｇｅ_１５Ｓｂ_６５Ｓｎ_２０（Ｓｎ_０．２（Ｇｅ_０．１９Ｓｂ_０．８１）_０．８）からなる記録層を１５ｎｍ、（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０からなる上部保護層を２７ｎｍ、ＳｉＯ_２からなる界面層を３ｎｍ、Ａｇからなる反射層を２００ｎｍ、紫外線硬化樹脂層を約４μｍをこの順に形成し、書換え型コンパクトディスクを作製した。このＡｇ反射層の体積抵抗率ρ_ｖは２４ｎΩ・ｍ、面積抵抗率ρ_ｓは約０．１２Ω／□であった。初期化は、長軸約１５０μｍ、短軸約１．０μｍの楕円形スポット形状を有する波長約８１０ｎｍのレーザーダイオード光を短軸方向に線速約１２ｍ／ｓで走査して行なった。照射パワーは１６５０ｍＷである。
【０５３６】
このディスクに、ＮＡ＝０．５０のテスタ１を用いて、３２、２４及び１０倍速でＥＦＭ変調信号のオーバーライトを行ない、その特性を評価した。
消去パワーＰｅと記録パワーＰｗの比Ｐｅ／Ｐｗは一定としＰｗを１９ｍＷ程度から３０ｍＷ程度まで１ｍＷ刻みで変化させ、それぞれの記録パワーでオーバーライト特性を評価した。いずれも１０回オーバーライト後の値で評価した。
【０５３７】
３２倍速記録においては、記録方式ＣＤ１−１を適用し、これを（記録方式ＣＤ１−１ｄ）とする。（記録方式ＣＤ１−１ｄ）は記録パルス分割方法（ＩＩ−Ａ）における、独立パラメータの数をさらに限定した使用方法となっている。
（記録方式ＣＤ１−１ｄ）
ｍが３以上の場合の、偶数マーク長、ｎＴ＝２ｍＴに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間α_ｉＴ及びオフパルス区間β_ｉＴにおけるα_ｉ及びβ_ｉを、次に様に設定した。
Ｔ_ｄ１＋α_１＝２、
β_１＋α_２＝２、
β_ｉ−１＋α_ｉ＝２（ｉ＝３〜ｍ−１）、
β_ｍ−１＋α_ｍ＝２、とした。
【０５３８】
一方、ｍが３以上の場合の奇数マーク長、ｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間α_ｉ’Ｔ及びオフパルス区間β_ｉ’Ｔにおけるα_ｉ’及びβ_ｉ’を、以下のように設定した。
Ｔ_ｄ１’＋α_１’＝２、
β_１’＋α_２’＝２．３２、ただし、β_１’＝β_１＋Δ_１、
β_ｉ−１’＋α_ｉ’＝２（ｉ＝３〜ｍ−１）、
β_ｍ−１’＋α_ｍ’＝２．４４、ただし、β_ｍ−１’＝β_ｍ−１＋Δ_ｍ−１、α_ｍ’＝α_ｍ＋Δ_ｍ、
とした。
【０５３９】
ここで、Ｔ_ｄ１＝Ｔ_ｄ１’＝１、α_１＝α_１’＝１、β_１＝１．０６、Δ_１＝０．３２、α_ｉ＝α_ｉ’＝αｃ＝０．９４（ｉ＝２〜ｍ−１のｉに対してαｃは一定）、β_ｍ−１＝１．０６、Δ_ｍ−１＝０，Δ_ｍ＝０．４４、Δ_ｍｍ＝０．４４，α_ｍ＝０．９４、β_ｍ＝β_ｍ’＝０．４４で、３以上のｍに対しては一定である。
【０５４０】
また、ｍ＝２の場合、４Ｔマークに対しては、Ｔ_ｄ１＝１，α_１＝１、β_１＝１．０６、α_２＝０．９４、β_２＝０．４４とし、５Ｔマークに対しては、Ｔ_ｄ１’＝１，α_１’＝１、β_１’＝１．３８、α_２’＝１．３８、β_２’＝０．４４とした。
ｍ＝１、すなわち３Ｔマークに対しては、Ｔ_ｄ１’＝０．８１、α_１’＝１．９１、β_１’＝０．２５とした。
【０５４１】
続いて、２４倍速記録の場合には、記録方式ＣＤ２−１の具体例として、以下の（記録方式ＣＤ２−１ｄ）を使用した。（記録方式ＣＤ２−１ｄ）は、記録パルス分割方法（Ｖ）における、独立パラメータの数をさらに限定した使用方法となっている。
（記録方式ＣＤ２−１ｄ）
ｍが３以上の場合の、偶数マーク長ｎＴ＝２ｍＴに対しては、マークの記録に際して、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間α_ｉＴ及びオフパルス区間β_ｉＴにおけるα_ｉ及びβ_ｉを、
Ｔ_ｄ１＋α_１＝２、
β_１＋α_２＝１．８５、
β_ｉ−１＋α_ｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ）、
とした。
【０５４２】
一方、ｍが３以上の奇数マーク長がｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔに対しては、マークの記録に際して、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間α_ｉ’Ｔ及びオフパルス区間β_ｉ’Ｔにおけるα_ｉ’及びβ_ｉ’を、
Ｔ_ｄ１’＋α_１’＝２、
β_１’＋α_２’＝２．３５、ただし、β_１’＝β_１＋Δ_１、
β_ｉ−１’＋α_ｉ’＝２（ｉ＝３〜ｍ−１）、
β_ｍ−１’＋α_ｍ’＝２．３、ただし、β_ｍ−１’＝β_ｍ−１＋Δ_ｍ−１、α_ｍ’＝α_ｍ＋Δ_ｍ、
とした。
【０５４３】
ここで、Ｔ_ｄ１＝Ｔ_ｄ１’＝１．３，α_１＝α_１’＝０．７，β_１＝１．１５、Δ_１＝０．５、α_ｉ＝α_ｉ’＝αｃ＝０．７（ｉ＝２〜ｍ−１なるｉに対して、αｃは一定）、β_ｍ−１＝１．３、Δ_ｍ−１＝０．１５、Δ_ｍ＝０．１５，Δ_ｍｍ＝０．３、α_ｍ＝０．７、β_ｍ＝β_ｍ’＝０．７で、３以上のｍに対しては一定である。
【０５４４】
また、ｍ＝２の場合、４Ｔマークに対しては、Ｔ_ｄ１＝１．３、α_１＝０．７，β_１＝１．１５、α_２＝０．７、β_２＝０．７とし、５Ｔマークに対しては、Ｔ_ｄ１’＝１．３、α_１’＝０．７、β_１’＝１．６５、α_２’＝１．０５、β_２’＝０．７とした。尚、５Ｔマークにおけるα_２’＝１．０５は、ｍ＝３（６Ｔマーク）におけるα_３’（α_ｍ’＝α_ｍ＋Δ_ｍ＝０．７＋０．１５＝０．８５）に、０．２を付加したものである。
【０５４５】
３Ｔマークに対しては、Ｔ_d1'＝１．３、α₁'＝１．１、β₁'＝０．９５としている。
さらに、１０倍速記録の場合には、記録方式ＣＤ２−１の具体例として、以下の（記録方式ＣＤ２−１ｅ）を使用した。（記録方式ＣＤ２−１ｅ）は、記録パルス分割方法（Ｖ）における、独立パラメータの数をさらに限定した使用方法となっている。
（記録方式ＣＤ２−１ｅ）
ｍが３以上の場合の、偶数マーク長ｎＴ＝２ｍＴに対しては、マークの記録に際して、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間α_iＴ及びオフパルス区間β_iＴにおけるα_i及びβ_iを、
Ｔ_d1＋α₁＝２、
β₁＋α₂＝２、
β_i-1＋α_i＝２（ｉ＝２〜ｍ）、
とした。
【０５４６】
一方、ｍが３以上の奇数マーク長がｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔに対しては、マークの記録に際して、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間α_ｉ’Ｔ及びオフパルス区間β_ｉ’Ｔにおけるα_ｉ’及びβ_ｉ’を、
Ｔ_ｄ１’＋α_１’＝２、
β_１’＋α_２’＝２．３、ただし、β_１’＝β_１＋Δ_１、
β_ｉ−１’＋α_ｉ’＝２（ｉ＝３〜ｍ−１）、
β_ｍ−１’＋α_ｍ’＝２．３、ただし、β_ｍ−１’＝β_ｍ−１＋Δ_ｍ−１、α_ｍ’＝α_ｍ＋Δ_ｍ，とした。
【０５４７】
ここで、Ｔ_ｄ１＝Ｔ_ｄ１’＝１．７，α_１＝α_１’＝０．３，β_１＝１．７、Δ_１＝０．３、α_ｉ＝α_ｉ’＝αｃ＝０．３（ｉ＝２〜ｍ−１なるｉに対して、αｃは一定）、β_ｍ−１＝１．７、Δ_ｍ−１＝０．３５、Δ_ｍ＝０．１５，Δ_ｍｍ＝０．４５、α_ｍ＝０．３、β_ｍ＝β_ｍ’＝１．２で、３以上のｍに対しては一定である。
【０５４８】
また、ｍ＝２の場合、４Ｔマークに対しては、Ｔ_ｄ１＝１．７、α_１＝０．３，β_１＝１．７、α_２＝０．３、β_２＝１．２とし、５Ｔマークに対しては、Ｔ_ｄ１’＝１．７、α_１’＝０．３、β_１’＝２、α_２’＝０．４５、β_２’＝１．６５とした。ここで、５Ｔマークにおけるβ_２’＝１．６５は、ｍ＝３（６Ｔマーク）のときのβ_３’（β_ｍ’＝１．２）に０．４５を付加したものである。
【０５４９】
３Ｔマークに対しては、Ｔ_d1'＝１．７、α₁'＝０．５、β₁'＝１．９としている。
なお、各記録方式でのＴ_d1、α_i、β_i等を表−５にまとめて示す。いずれの記録方式も記録パルス分割方法（ＩＩ）又は（Ｖ）に準じているので、ｍが３以上の場合に関しては、記録パルス分割方法（ＩＩ−Ａ）における、１０個のパラメータ（Ｔ_d1、α₁、β₁、Δ₁、α_c、β_m-1、Δ_m-1、α_m、Δ_m、β_m）及び、ｎ＝３，４，５におけるＴ_d1、α_i、β_iを記載した。ただし、ｎ＝３の場合の（Ｔ_d1'、α₁'、β₁'）は、Ｔ_d1、α₁、β₁の項に記載した。ｎ＝４の場合の（Ｔ_d1、α₁、β₁、α₂、β₂）及び、ｎ＝５の場合の（Ｔ_d1'、α₁'、β₁'、α₂、'、β₂'）は、Ｔ_d1、α₁、β₁、α_m、β_mの欄に記載した。
【０５５０】
ここで、記録方式ＣＤ１−１ｄ、２−１ｄ、２−１ｅにおいては、ｎ＝４、５の場合のβ_１、β_１’はそれぞれ、ｍが３の場合のβ_１、β_１’（＝β_１＋Δ_１）と等しい。
【０５５１】
【表５】

【０５５２】
３２倍速における（記録方式ＣＤ１−１ｄ）、２４倍速における（記録方式ＣＤ２−１ｄ）、及び１０倍速における（記録方式ＣＤ２−１ｅ）の場合の、オーバーライト特性の評価結果を図２６，２７及び２８に示す。消去パワーＰｅと記録パワーＰｗの比Ｐｅ／Ｐｗは、（記録方式ＣＤ１−１ｄ）では０．３０、（記録方式ＣＤ２−１ｄ）では０．３０、（記録方式ＣＤ２−１ｅ）では０．３０で一定とした。（記録方式ＣＤ１−１ｄ）では、Ｐｗを２６ｍＷから３０ｍＷ程度まで１ｍＷ刻みで変化させた。（記録方式ＣＤ２−１ｄ）では、Ｐｗを２３ｍＷから３０ｍＷ程度まで１ｍＷ刻みで変化させた。（記録方式ＣＤ２−１ｅ）では、Ｐｗを２２ｍＷから３０ｍＷ程度まで１ｍＷ刻みで変化させた。バイアスパワーＰｂは一定の値０．８ｍＷとしている。
【０５５３】
各図において（ａ）〜（ｆ）はそれぞれ、（ａ）３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）３Ｔスペース長ジッタ、（ｃ）変調度ｍ_１１、（ｄ）Ｒ_ｔｏｐ、（ｅ）３Ｔマーク長、（ｆ）３Ｔスペース長、のＰｗ依存性を表す。
ジッタが最小となる最適記録パワーは３２倍速での（記録方式ＣＤ１−１ｄ）では２８−３０ｍＷ、２４倍速での（記録方式ＣＤ２−１ｄ）では２５−３０ｍＷ、１０倍速での（記録方式ＣＤ２−１ｅ）では２５−３０ｍＷ付近であり、オーバーライト特性もこのパワーにおける値で評価した。
【０５５４】
図２６，２７，２８の（ａ）、（ｂ）の図中の横線は１倍速再生時のジッタ規格上限値＝３５（ｎｓｅｃ）を示し、最適Ｐｗ付近においては、３５ｎｓｅｃ以下の良好なジッター値が得られている。また、他のマーク長及びスペース長のジッタも３５ｎｓｅｃ以下となった。
図２６，２７，２８の（ｃ）、（ｄ）から、いずれの記録方式においても、変調度ｍ_１１は６０％〜８０％（０．６〜０．８）、Ｒ_ｔｏｐは１５〜２５％の値が得られていることがわかる。
【０５５５】
図２６，２７，２８の（ｅ）、（ｆ）の図中の実線の横線は１倍速再生時の３Ｔマーク長＝３Ｔスペース長＝２３１×３（ｎｓｅｃ）を示す。また、点線の横線は２３１ｎｓｅｃ×３−４０ｎｓｅｃ、２３１ｎｓｅｃ×３＋４０ｎｓｅｃを示す。マーク長、スペース長については、通常基準クロック周期Ｔの±２０％程度のずれは許容されるから、±３０〜４０ｎｓｅｃ以内であればよいが、図から、最適Ｐｗ付近においては、マーク長及びスペース長のずれはほとんどなく許容範囲内であることが分かる。同様に、最適Ｐｗ付近においては、４Ｔ〜１１Ｔのマーク長及びスペース長においても、基準クロック周期Ｔの±１０％程度の範囲内で所望のマーク長及びスペース長が得られた。アシンメトリー値は±１０％以内の値が得られた。
【０５５６】
本実施例媒体及び記録方法を用いれば、すくなくとも３２倍速から１０倍速の範囲で良好な記録特性が得られ、再生信号は、既存のＣＤドライブで再生可能な品質となる。
次に、３２倍速の（記録方式ＣＤ１−１ｄ），２４倍速の（記録方式ＣＤ２−１ｄ）、そして、１０倍速における（記録方式ＣＤ２−１ｅ）を用いた場合のオーバーライト耐久性の評価結果を記す。それぞれ、Ｐｗ／Ｐｅ＝２９ｍＷ／８．７ｍＷ、２８ｍＷ／８．４ｍＷ、２７ｍＷ／８．１ｍＷで繰返しオーバーライトを行ったときのオーバーライト回数依存性を図２９、３０、３１に表す。各図において、（ａ）が３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）が３Ｔスペース長ジッタを示す。
【０５５７】
いずれの線速においてもＣＤ−ＲＷに要求される１０００回というオーバーライト耐久性は十分満たされている。
さらに、各線速における消去比を測定した。１０倍速においては、（記録方式ＣＤ２−１ｅ）の３Ｔ、１１Ｔのパルスを用い、２４倍速での（記録方式ＣＤ２−１ｄ）の３Ｔ、１１Ｔのパルスを用い、３２倍速においては（記録方式ＣＤ１−１ｄ）の３Ｔ、１１Ｔのパルスを用いて、３Ｔ／１１Ｔオーバーライト消去比を測定した。１０倍速、２４、３２倍速で、Ｔ／１１Ｔオーバーライト消去比は、それぞれ３０，２８，２４ｄＢとなり、それぞれの線速において、十分な消去比が得られた。また、（記録方式ＣＤ１−１ｄ）を用い、３２倍速で記録を行ったディスクを１０５℃の加速試験に投入したところ、３時間経過しても記録済み信号の劣化はほとんど見られなかった。ジッタは、１倍速再生で２ｎｓｅｃ程度は変化したが３５ｎｓｅｃ以下であり、反射率Ｒｔｏｐ、変調度ｍ_１１もほとんど低下しておらず、初期値の９０％以上を維持していた。
（実施例６）
実施例５の媒体に対してテスタ１を用い、３２倍速においては、記録方式ＣＤ１−２を適用し、これを（記録方式ＣＤ１−２ｂ）とする。（記録方式ＣＤ１−２ｂ）は記録パルス分割方法（ＩＩＩ−Ａ）における、独立パラメータの数をさらに限定した使用方法となっている。
（記録方式ＣＤ１−２ｂ）
ｍが２以上の偶数マーク長、ｎＴ＝２ｍＴに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間α_ｉＴ及びオフパルス区間β_ｉＴにおけるα_ｉ及びβ_ｉを、次に様に設定した。
Ｔ_ｄ１＋α_１＝２、
β_ｉ−１＋α_ｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ）、
とした。
【０５５８】
一方、ｍが２以上の奇数マーク長、ｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間α_ｉ’Ｔ及びオフパルス区間β_ｉ’Ｔにおけるα_ｉ’及びβ_ｉ’を、以下のように設定した。
Ｔ_ｄ１’＋α_１’＝２、
β_ｉ−１’＋α_ｉ’＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）、
β_ｍ−１’＋α_ｍ’＝２．４、ただし、β_ｍ−１’＝β_ｍ−１＋Δ_ｍ−１、α_ｍ’＝α_ｍ＋Δ_ｍ、
β_ｍ’＝β_ｍ＋Δ_ｍ’、
とした。
【０５５９】
ここで、Ｔ_ｄ１＝Ｔ_ｄ１’＝１、α_１＝α_１’＝１、β_１＝１．０６、α_ｉ＝α_ｉ’＝αｃ＝０．９４（ｉ＝２〜ｍ−１のｉに対してαｃは一定）、β_ｍ−１＝１．０６、Δ_ｍ−１＝０．３２，α_ｍ＝０．９４、β_ｍ＝０．４４、Δ_ｍ’＝０で、２以上のｍに対しては一定である。Δ_ｍは、ｍ＝２、３に対しては、Δ_ｍ１＝０．４４、ｍ＝４，５に対しては、Δ_ｍ２＝０．５を用いた。
【０５６０】
ただし、また、ｍ＝２（ｎ＝４、５）における、α_１、α_１’、β_１、β_１’、α_２、α_２’、β_２、β_２’を、それぞれｍ＝３の場合のα_１、α_１’、β_２（β_ｍ−１）、β_２’（β_ｍ−１’）、α_３（α_ｍ）、α_３’（α_ｍ’）、β_３（β_ｍ）、β_３’（β_ｍ’）と等しくする。
ｍ＝１、すなわち３Ｔマークに対しては、Ｔ_ｄ１’＝０．８１、α_１’＝１．９４、β_１’＝０．２５とした。
【０５６１】
続いて、２４倍速記録の場合には、記録方式ＣＤ２−２の具体例として、以下の（記録方式ＣＤ２−２ｂ）を使用した。（記録方式ＣＤ２−２ｂ）は、記録パルス分割方法（ＶＩ）における、独立パラメータの数をさらに限定した使用方法となっている。
（記録方式ＣＤ２−２ｂ）
ｍが２以上の偶数マーク長ｎＴ＝２ｍＴに対しては、マークの記録に際して、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間α_ｉＴ及びオフパルス区間β_ｉＴにおけるα_ｉ及びβ_ｉを、
Ｔ_ｄ１＋α_１＝２、
β_ｉ−１＋α_ｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ）、
とした。
【０５６２】
一方、ｍが２以上の奇数マーク長ｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔに対しては、マークの記録に際して、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間α_ｉ’Ｔ及びオフパルス区間β_ｉ’Ｔにおけるα_ｉ’及びβ_ｉ’を、
Ｔ_ｄ１’＋α_１’＝２、
β_ｉ−１’＋α_ｉ’＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）、
β_ｍ−１’＋α_ｍ’＝２．８、ただし、β_ｍ−１’＝β_ｍ−１＋Δ_ｍ−１、α_ｍ’＝α_ｍ＋Δ_ｍ、
β_ｍ’＝β_ｍ＋Δ_ｍ’、
とした。
【０５６３】
ここで、Ｔ_ｄ１＝Ｔ_ｄ１’＝１．３，α_１＝α_１’＝０．７，α_ｉ＝α_ｉ’＝αｃ＝０．７（ｉ＝２〜ｍ−１なるｉに対して、αｃは一定）、β_ｍ−１＝１．３、Δ_ｍ−１＝０．４、Δ_ｍ＝０．４，Δ_ｍｍ＝０．８、α_ｍ＝０．７、β_ｍ＝０．７、Δ_ｍ’＝０で、２以上のｍに対しては一定である。
ｍ＝２（ｎ＝４、５）の場合には、α_１、α_１’、β_１、β_１’、α_２、α_２’、β_２、β_２’をそれぞれｍ＝３の場合のα_１、α_１’、β_２（β_ｍ−１）、β_２’（β_ｍ−１’）、α_３（α_ｍ）、α_３’（α_ｍ’）、β_３（β_ｍ）、β_３’（β_ｍ’）と等しくする。
【０５６４】
３Ｔマークに対しては、Ｔ_ｄ１’＝１．３、α_１’＝１．３、β_１’＝１としている。
さらに、１０倍速記録の場合には、記録方式ＣＤ２−２の具体例として、以下の（記録方式ＣＤ２−２ｃ）を使用した。（記録方式ＣＤ２−２ｃ）は、記録パルス分割方法（ＶＩ）における、独立パラメータの数をさらに限定した使用方法となっている。
（記録方式ＣＤ２−２ｃ）
ｍが２以上の偶数マーク長ｎＴ＝２ｍＴに対しては、マークの記録に際して、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間α_ｉＴ及びオフパルス区間β_ｉＴにおけるα_ｉ及びβ_ｉを、
Ｔ_ｄ１＋α_１＝２、
β_ｉ−１＋α_ｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ）、
とした。
【０５６５】
一方、ｍが２以上の奇数マーク長ｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔに対しては、マークの記録に際して、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間α_ｉ’Ｔ及びオフパルス区間β_ｉ’Ｔにおけるα_ｉ’及びβ_ｉ’を、
Ｔ_ｄ１’＋α_１’＝２、
β_ｉ−１’＋α_ｉ’＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）、
β_ｍ−１’＋α_ｍ’＝２．６、ただし、β_ｍ−１’＝β_ｍ−１＋Δ_ｍ−１、α_ｍ’＝α_ｍ＋Δ_ｍ、
β_ｍ’＝β_ｍ＋Δ_ｍ’、
とした。
【０５６６】
ここで、Ｔ_ｄ１＝Ｔ_ｄ１’＝１．７，α_１＝α_１’＝０．３，α_ｉ＝α_ｉ’＝αｃ＝０．３（ｉ＝２〜ｍ−１なるｉに対して、αｃは一定）、β_ｍ−１＝１．７、Δ_ｍ−１＝０．３、Δ_ｍ＝０．３，Δ_ｍｍ＝０．６、α_ｍ＝０．３、β_ｍ＝１．２、Δ_ｍ’＝０．３５で、２以上のｍに対しては一定である。
ただし、ｍ＝２（ｎ＝４、５）の場合には、α_１、α_１’、β_１、β_１’、α_２、α_２’、β_２、β_２’をそれぞれｍ＝３の場合のα_１、α_１’、β_２（β_ｍ−１）、β_２’（β_ｍ−１’）、α_３（α_ｍ）、α_３’（α_ｍ’）、β_３（β_ｍ）、β_３’（β_ｍ’）と等しくする。
【０５６７】
３Ｔマークに対しては、Ｔ_ｄ１’＝１．８、α_１’＝０．６、β_１’＝１．８としている。
なお、各記録方式でのＴ_ｄ１、α_ｉ、β_ｉ等を表−６にまとめて示す。
表―６において、記録パルス分割方式はｎ＝３の場合とｎが４〜１１の場合とに分けて記載した。ｎ＝３の場合には、Ｔ_ｄ１’、α_１’、β_１’の３つのパラメータが必要であるが、表−６では、それぞれＴ_ｄ１、α_１、β_ｍ’の欄に記載した。
【０５６８】
ｎが４〜１１の場合には、記録パルス分割方法（ＩＩＩ−Ａ）において、Ｔ_d1＋α₁＝
Ｔ _d1 ’＋α₁'＝２、β₁＋α₂＝β_m-1＋α_m＝２、α₁＝α_m＝αｃはｍによらず一定とした。
表−６では、Ｔ_d1、β₁、β_m-1、β_m、α_mも含めて１０個のパラメータを記載しているが、独立パラメータはα₁、αｃ、Δ_m-1、Δ_m1、Δ_m2、Δ_m'の６個である。ただし、Δ_m2とΔ_m1が異なる値となるのは、記録方式ＣＤ１−２ａ（３２倍速）の場合だけであって、ｍ＝２，３に対してΔ_m1＝０．４４を用い、ｍ＝４，５に対して、Δ_m2＝０．５を用いた。
【０５６９】
また、ｎ＝４の場合には、β_１＝β_ｍ−１＝βｃ、α_２＝α_ｍ＝αｃ、β_２＝β_ｍである。ｎ＝５の場合には、β_１’＝βｃ＋Δ_ｍ−１、α_２＝αｃ＋Δ_ｍ、β_２’＝β_ｍ’である。
【０５７０】
【表６】

【０５７１】
３２倍速における（記録方式ＣＤ１−２ｂ）、２４倍速における（記録方式ＣＤ２−２ｂ）、及び１０倍速における（記録方式ＣＤ２−２ｃ）の場合の、オーバーライト特性の評価結果を図３２，３３及び３４に示す。消去パワーＰｅと記録パワーＰｗの比Ｐｅ／Ｐｗは、（記録方式ＣＤ１−２ｂ）では０．３０、（記録方式ＣＤ２−２ｂ）では０．３３、（記録方式ＣＤ２−２ｃ）では０．３０で一定とした。Ｐｗを２０ｍＷから３０ｍＷ程度まで１ｍＷ刻みで変化させた。バイアスパワーＰｂは一定値０．８ｍＷとしている。
【０５７２】
各図において（ａ）〜（ｆ）はそれぞれ、（ａ）３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）３Ｔスペース長ジッタ、（ｃ）変調度ｍ_１１、（ｄ）Ｒ_ｔｏｐ、（ｅ）３Ｔマーク長、（ｆ）３Ｔスペース長、のＰｗ依存性を表す。
ジッタが最小となる最適記録パワーは、３２倍速での（記録方式ＣＤ１−２ｂ）では２７−３０ｍＷ付近、２４倍速での（記録方式ＣＤ２−２ｂ）では２５−３０ｍＷ付近、１０倍速での（記録方式ＣＤ２−２ｃ）では２５−３０ｍＷ付近であり、オーバーライト特性もこのパワーにおける値で評価した。
【０５７３】
図３２，３３，３４の（ａ）、（ｂ）の図中の横線は１倍速再生時のジッタ規格上限値＝３５（ｎｓｅｃ）を示し、最適Ｐｗ付近においては、３５ｎｓｅｃ以下の良好なジッター値が得られている。また、他のマーク長及びスペース長のジッタも３５ｎｓｅｃ以下となった。
図３２，３３，３４の（ｃ）、（ｄ）から、いずれの記録方式においても、変調度ｍ_１１は６０％〜８０％（０．６〜０．８）、Ｒ_ｔｏｐは１５〜２５％の値が得られていることがわかる。
【０５７４】
図３２，３３，３４の（ｅ）、（ｆ）の図中の実線の横線は１倍速再生時の３Ｔマーク長＝３Ｔスペース長＝２３１×３（ｎｓｅｃ）を示す。また、点線の横線は２３１ｎｓｅｃ×３−４０ｎｓｅｃ、２３１ｎｓｅｃ×３＋４０ｎｓｅｃを示す。マーク長、スペース長については、通常基準クロック周期Ｔの±２０％程度のずれは許容されるから、±３０〜４０ｎｓｅｃ以内であればよいが、図から、少なくとも最適Ｐｗ付近においては、マーク長及びスペース長のずれはほとんどなく許容範囲内であることが分かる。同様に、最適Ｐｗ付近においては、４Ｔ〜１１Ｔのマーク長及びスペース長においても、基準クロック周期Ｔの±１０％程度の範囲内で所望のマーク長及びスペース長が得られた。アシンメトリー値は±１０％以内の値が得られた。
【０５７５】
本実施例媒体及び記録方法を用いれば、少なくとも３２倍速から１０倍速の範囲で良好な記録特性が得られ、再生信号は、既存のＣＤドライブで再生可能な品質となる。
次に、３２倍速の（記録方式ＣＤ１−２ｂ），２４倍速の（記録方式ＣＤ２−２ｂ），そして、１０倍速における（記録方式ＣＤ２−２ｃ）を用いた場合のオーバーライト耐久性の評価結果を記す。それぞれ、Ｐｗ／Ｐｅ＝３０ｍＷ／９ｍＷ、２８ｍＷ／９．２ｍＷ、２７ｍＷ／８．１ｍＷで繰返しオーバーライトを行ったときのオーバーライト回数依存性を図３５，３６，３７に表す。各図において、（ａ）が３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）が３Ｔスペース長ジッタを示す。
【０５７６】
いずれの線速においてもＣＤ−ＲＷに要求される１０００回というオーバーライト耐久性は十分満たされている。
また、（記録方式ＣＤ１−２ｂ）を用い、３２倍速で記録を行ったディスクを１０５℃の加速試験に投入したところ、３時間経過しても記録済み信号の劣化はほとんど見られなかった。ジッタは１倍速再生で３５ｎｓｅｃ以下であり、反射率Ｒｔｏｐ、変調度ｍ_１１もほとんど低下しておらず、初期値の９０％以上を維持していた。
（実施例７）
ついで、実施例３の媒体に対してテスタ１を用い、表―７に示したように、記録パルス分割方式（ＣＤ−ＶＩ−１）を用いて、８倍速から２４倍速までの線速において、オーバーライト記録を行った。記録パルス分割方式（ＣＤ−ＶＩ−１）は、記録パルス分割方法（ＶＩ−Ｂ）を適用した例である。
【０５７７】
具体的には、８，１２，１６，２０，２４倍速にてオーバーライトを行った。
表−７において、記録パルス分割方式はｎ＝３の場合とｎが４〜１１の場合とに分けて記載した。ｎ＝３の場合には、Ｔ_ｄ１’、α_１’、β_１’の３つのパラメータが必要であるが、表−７では、それぞれＴ_ｄ１、αｃ、β_ｍの欄に記載した。ｎが４〜１１の場合には、Ｔ_ｄ１、α_ｉ＝αｃ（ｉ＝１〜ｍ）、α_ｉ’＝αｃ（ｉ＝１〜ｍ−１）、はｎによらず一定とし、Ｔ＋α_１＝Ｔ_ｄ１’＋α_１’＝２、β_ｉ−１＋α_ｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ）、β_ｉ−１’＋α_ｉ’＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）とした。よって、β_ｉ＝２−αｃ（ｉ＝１〜ｍ−１）、β_ｉ’＝２−αｃ（ｉ＝１〜ｍ−２）となる。さらに、β_ｍ−１’＝β_ｍ−１＋Δ_ｍ−１＝βｃ＋Δ_ｍ−１、α_ｍ’＝α_ｍ＋Δ_ｍ＝αｃ＋Δ_ｍ、β_ｍ’＝β_ｍ＋Δ_ｍ’とし、Δ_ｍ−１、Δ_ｍ、Δ_ｍ’はｍによらず一定とした。ｎ＝４〜１１（２以上のｍ）に関しては、独立パラメータは、αｃ、Δ_ｍ−１、Δ_ｍ、β_ｍ、Δ_ｍ’である。
【０５７８】
尚、ｍ＝２（ｎ＝４、５）においては、α_１、α_１’、β_１、β_１’、α_２、α_２’、β_２、β_２’を、それぞれ、ｍ＝３の場合におけるα_１、α_１’、β_ｍ−１、β_ｍ−１’、α_ｍ、α_ｍ’、β_ｍ、β_ｍ’と等しくする。従って、ｎ＝４の場合には、β_２＝β_ｍとする。ｎ＝５の場合には、β_１’＝βｃ＋Δ_ｍ−１、α_２＝αｃ＋Δ_ｍ、β_２’＝β_ｍ＋Δ_ｍ’とする。
【０５７９】
Ｐｗは概ねジッター値が最小となるような記録パワーとしてＰｗ_０を選んで、繰り返しオーバーライトを行った。また、その際のＰｅ／Ｐｗ比も表−７に示した。Ｐｂは０．８ｍＷで一定、Ｐｅ／Ｐｗは０．３０で一定とした。
【０５８０】
【表７】

【０５８１】
図３８は、８，１２，１６，２０，２４倍速における（ａ）３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）３Ｔスペース長ジッタ、（ｃ）変調度ｍ_１１、（ｄ）Ｒ_ｔｏｐ、を示す。
尚、図３８の（ａ）〜（ｄ）中の「ｘ」は「倍速」を意味する。例えば、「８ｘ」は８倍速を意味する。これは以下の実施例においても同様である。
いずれの線速においても、概ねＰｗ_０±１ｍＷの範囲において、１倍速再生でのマーク長及びスペース長に関して３５ｎｓｅｃ以下の良好なジッター値が得られた。同様に、すべてのマーク長及びスペース長ジッタに関して、３５ｎｓｅｃ以下の良好なジッタが得られている。
【０５８２】
また、いずれの線速においても、変調度ｍ_１１は６０％〜８０％（０．６〜０．８）、Ｒ_ｔｏｐは１５〜２５％、アシンメトリー値は±１０％以内の値が得られた。Ｐｗ_０付近においては、３Ｔ〜１１Ｔのいずれのマーク長及びスペース長においても、基準クロック周期Ｔの±１０％程度の範囲内で所望のマーク長及びスペース長が得られた。各線速におけるＰｗ_０の最大値は２７ｍＷ、最小値は２４ｍＷで、最小値の最大値に対する比は、０．８９である。
【０５８３】
次に、各倍速におけるオーバーライト耐久性の評価を行った。各線速で、表−７に示すＰｗ ₀ 及びＰｅ／Ｐｗ比において、オーバーライトを行ったときのオーバーライト回数依存性を図３９に表す。図３９において、（ａ）が３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）が３Ｔスペース長ジッタを示す。
以上まとめると本発明記録媒体及び記録パルス分割方式（ＣＤ−ＶＩ−１）を適用すれば、８〜２４倍速の広範囲において、少数のパラメータを可変とする記録パルス分割方式により良好な特性が得られる。
（実施例８）
ついで、実施例５の媒体に対してテスタ１を用い、表−８に示したように、記録パルス分割方式（ＣＤ−ＶＩ−２）を用いて、８倍速から３２倍速までの線速において、オーバーライト記録を行った。記録パルス分割方式（ＣＤ−ＶＩ−２）は、記録パルス分割方法（ＶＩ−Ｂ）を適用した例である。
【０５８４】
具体的には、８，１６，２４，２８、３２倍速にてオーバーライトを行った。
表−８において、記録パルス分割方式はｎ＝３の場合とｎが４〜１１の場合とに分けて記載した。ｎ＝３の場合には、Ｔ_ｄ１′、α_１′、β_１′の３つのパラメータが必要であるが、表−８では、それぞれＴ_ｄ１、αｃ、β_ｍの欄に記載した。ｎが４〜１１の場合には、Ｔ_ｄ１、α_ｉ＝αｃ（ｉ＝１〜ｍ）、α_ｉ′＝αｃ（ｉ＝１〜ｍ−１）、はｎによらず一定とし、Ｔ_ｄ１＋α_１＝Ｔ_ｄ１′＋α_１′＝２、β_ｉ−１＋α_ｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ）、β_ｉ−１′＋α_ｉ′＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）とした。よって、β_ｉ＝２−αｃ（ｉ＝１〜ｍ−１）、β_ｉ′＝２−αｃ（ｉ＝１〜ｍ−２）となる。さらに、β_ｍ−１′＝β_ｍ−１＋Δ_ｍ−１＝βｃ＋Δ_ｍ−１、α_ｍ′＝α_ｍ＋Δ_ｍ＝αｃ＋Δ_ｍ、β_ｍ′＝β_ｍ＋Δ_ｍ′とし、Δ_ｍ−１、Δ_ｍ、Δ_ｍ′はｍによらず一定とした。ｎ＝４〜１１（２以上のｍ）に関しては、独立パラメータは、αｃ、Δ_ｍ−１、Δ_ｍ、β_ｍ、Δ_ｍ′である。
【０５８５】
尚、ｍ＝２（ｎ＝４、５）においては、α_１、α_１’、β_１、β_１’、α_２、α_２’、β_２、β_２’を、それぞれ、ｍ＝３の場合におけるα_１、α_１’、β_ｍ−１、β_ｍ−１’、α_ｍ、α_ｍ’、β_ｍ、β_ｍ’と等しくする。従って、ｎ＝４の場合には、β_２＝β_ｍとする。ｎ＝５の場合には、β_１′＝βｃ＋Δ_ｍ−１、α_２＝αｃ＋Δ_ｍ、β_２′＝β_ｍ＋Δ_ｍ′とする。
【０５８６】
Ｐｗは概ねジッター値が最小となるような記録パワーとしてＰｗ_０を選んで、繰り返しオーバーライトを行った。また、その際のＰｅ／Ｐｗ比も表−８に示した。Ｐｂは０．８ｍＷで一定、Ｐｅ／Ｐｗは０．３０で一定とした。
【０５８７】
【表８】

【０５８８】
図４０は、８，１６，２４，２８，３２倍速における（ａ）３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）３Ｔスペース長ジッタ、（ｃ）変調度ｍ_１１、（ｄ）Ｒ_ｔｏｐ、を示す。いずれの線速においても、概ねＰｗ_０±１ｍＷの範囲において、１倍速再生でのマーク長及びスペース長に関して３５ｎｓｅｃ以下の良好なジッター値が得られた。同様にすべてのマーク長及びスペース長ジッタに関して、３５ｎｓｅｃ以下の良好なジッタが得られている。
【０５８９】
また、いずれの線速においても、変調度ｍ_１１は６０％〜８０％（０．６〜０．８）、Ｒ_ｔｏｐは１５〜２５％、アシンメトリー値は±１０％以内の値が得られた。Ｐｗ_０付近においては、３Ｔ〜１１Ｔのいずれのマーク長及びスペース長においても、±１０％程度の範囲内で所望のマーク長及びスペース長が得られた。各線速におけるＰｗ_０の最大値は３２倍速の場合の２９ｍＷ、最小値は８倍速の場合の２６ｍＷで、最小値の最大値に対する比は、１．１２である。
【０５９０】
次に、各倍速におけるオーバーライト耐久性の評価を行った。各線速で、表−８に示すＰｗ ₀ 及びＰｅ／Ｐｗ比において、オーバーライトを行ったときのオーバーライト回数依存性を図４１に表す。図４１において、（ａ）が３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）が３Ｔスペース長ジッタを示す。
以上まとめると本発明記録媒体及び記録パルス分割方式（ＣＤ−ＶＩ−２）を適用すれば、８〜３２倍速の広範囲において、少数のパラメータを可変とする記録パルス分割方式により良好な特性がえられる。
【０５９１】
ここで、低ジッタを得るために、特に重要なパラメータである、ｎが４以上の場合のαｃ、β_ｍ、Δ_ｍ−１、Δ_ｍ、Δ_ｍ′の線速依存性を図４２、ｎ＝３の場合のＴ_ｄ１′、α_１′、β_１′の線速依存性を図４３に示した。図４２は、表−８中のｎ＝４〜１１におけるαｃ、β_ｍ、Δ_ｍ−１、Δ_ｍ、Δ_ｍ′を各線速度に対してプロットしたものである。一方、図４３は、表−８中のｎ＝３におけるＴ_ｄ１′、α_１′、β_１′を各線速度に対してプロットしたものである。図４２、４３をみてわかるように、多少のずれはあるものの、いずれのパラメータもほぼ線速度に応じて単調に変化しており、αｃ、Δ_ｍ−１、Δ_ｍ、α_１′は、低線速ほど小さい値をとり、β_ｍ、Δ_ｍ′、Ｔ_ｄ１′、β_１′は、低線速ほど大きな値をとることがわかる。
【０５９２】
そして、少なくともαｃ、Ｔ_ｄ１′、α_１′、β_１′については、広範囲の線速度での記録において、最高線速度と、最低線速度におけるこれらのパラメータ値を、ほぼ直線的に補完した値を適用すればよいことがわかる。
（実施例９）
上記基本例において、下記のようにしてディスクを製造し記録を行なった。
【０５９３】
基板上に、（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０からなる下部保護層を９０ｎｍ、Ｇｅ_５Ｉｎ_１８Ｓｂ_７２Ｔｅ_５（Ｔｅ_０．０５Ｉｎ_０．１８（Ｇｅ_０．０６Ｓｂ_０．９４）_０．７７）からなる記録層を１８ｎｍ、（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０からなる上部保護層を２７ｎｍ、ＧｅＮからなる界面層を３ｎｍ、Ａｇからなる反射層を２００ｎｍ、紫外線硬化樹脂層約４μｍをこの順に形成し、書換え型コンパクトディスクを作製した。なお、（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０の意味は、ＺｎＳを８０ｍｏｌ％、ＳｉＯ２を２０ｍｏｌ％で混合したターゲットを高周波スパッタリング法で作成して得られた膜であることしめす。また、Ｇｅ_５Ｉｎ_１８Ｓｂ_７２Ｔｅ_５における組成比は原子数比である。以下の実施例においても同様である。
【０５９４】
このＡｇ反射層の体積抵抗率ρ_ｖは、約２４ｎΩ・ｍ、面積抵抗率ρ_ｓは約０．１２Ω／□であった。初期化は、長軸約７５μｍ、短軸約１．０μｍの楕円形スポット形状を有する波長約８１０ｎｍのレーザーダイオード光を短軸方向に、線速約１２ｍ／ｓで走査して行なった。照射パワーは約１１００ｍＷである。
このディスクに、ＮＡ＝０．５０のテスター２を用いて、２４及び８倍速でＥＦＭ変調信号のオーバーライトを行ない、その特性を評価した。
【０５９５】
消去パワーＰｅと記録パワーＰｗの比Ｐｅ／Ｐｗは一定としＰｗを２６ｍＷ程度から３６ｍＷ程度まで２ｍＷ刻みで変化させ、それぞれの記録パワーでオーバーライト特性を評価した。いずれも１０回オーバーライト後の値で評価した。
２４倍速記録においては、記録方式ＣＤ１−２を適用し、これを（記録方式ＣＤ１−２ｃ）とする。（記録方式ＣＤ１−２ｃ）は記録パルス分割方法（ＩＩＩ―Ａ）における、独立パラメータの数をさらに限定した使用方法となっている。
（記録方式ＣＤ１−２ｃ）
ｍが３以上の場合の、偶数マーク長、ｎＴ＝２ｍＴに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間α_ｉＴ及びオフパルス区間β_ｉＴにおけるα_ｉ及びβ_ｉを、次に様に設定した。
Ｔ_ｄ１＋α_１＝２、
β_ｉ−１＋α_ｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ）、
とした。
【０５９６】
一方、ｍが３以上の場合の奇数マーク長、ｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間α_ｉ’Ｔ及びオフパルス区間β_ｉ’Ｔにおけるα_ｉ’及びβ_ｉ’を、以下のように設定した。
Ｔ_ｄ１’＋α_１’＝２、
β_ｉ−１’＋α_ｉ’＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）、
β_ｍ−１’＋α_ｍ’＝２．８５、ただし、β_ｍ−１’＝β_ｍ−１＋Δ_ｍ−１、α_ｍ’＝α_ｍ＋Δ_ｍ、
β_ｍ’＝β_ｍ＋Δ_ｍ’
とした。
【０５９７】
ここで、Ｔ_ｄ１＝Ｔ_ｄ１’＝１、α_１＝α_１’＝１、α_ｉ＝α_ｉ’＝αｃ＝０．９（ｉ＝２〜ｍ−１のｉに対してαｃは一定）、β_ｍ−１＝１．１、Δ_ｍ−１＝０．３５，Δ_ｍ＝０．５、Δ_ｍｍ＝０．８５，α_ｍ＝０．９、β_ｍ＝０．４、Δ_ｍ’＝０で、２以上のｍに対しては一定である。
ただし、ｍ＝２（ｎ＝４、５）の場合には、α_１、α_１’、β_１、β_１’、α_２、α_２’、β_２、β_２’をそれぞれｍ＝３の場合のα_１、α_１’、β_２（β_ｍ−１）、β_２’（β_ｍ−１’）、α_３（α_ｍ）、α_３’（α_ｍ’）、β_３（β_ｍ）、β_３’（β_ｍ’）と等しくする。すなわち、４Ｔマークに対しては、α_１＝１、β_１＝１．１、α_２＝０．９、β_ｍ＝０．４とし、５Ｔマークに対しては、α_１＝１、β_１’＝１．４５、α_２’＝１．４、β_ｍ’＝０．４とした。
【０５９８】
ｍ＝１、すなわち３Ｔマークに対しては、Ｔ_ｄ１’＝０．９、α_１’＝１．４、β_１’＝０．８５とした。
一方、８倍速記録の場合には、記録方式ＣＤ２−２として、以下の（記録方式ＣＤ２−２ｄ）を使用した。（記録方式ＣＤ２−２ｄ）は記録パルス分割方法（ＶＩ）における、独立パラメータの数をさらに限定した使用方法となっている。
（記録方式ＣＤ２−２ｄ）
ｍが３以上の場合の、偶数マーク長ｎＴ＝２ｍＴに対しては、マークの記録に際して、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間α_ｉＴ及びオフパルス区間β_ｉＴにおけるα_ｉ及びβ_ｉを、
Ｔ_ｄ１＋α_１＝２、
β_ｉ−１＋α_ｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ）、
とした。
【０５９９】
一方、ｍが３以上の奇数マーク長がｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔに対しては、マークの記録に際して、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間α_ｉ’Ｔ及びオフパルス区間β_ｉ’Ｔにおけるα_ｉ’及びβ_ｉ’を、
Ｔ_ｄ１’＋α_１’＝２、
β_ｉ−１’＋α_ｉ’＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）、
β_ｍ−１’＋α_ｍ’＝２．４、ただし、β_ｍ−１’＝β_ｍ−１＋Δ_ｍ−１、α_ｍ’＝α_ｍ＋Δ_ｍ、
β_ｍ’＝β_ｍ＋Δ_ｍ’、
とした。
【０６００】
ここで、Ｔ_ｄ１＝Ｔ_ｄ１’＝１．６５，α_１＝α_１’＝０．３５，α_ｉ＝α_ｉ’＝αｃ＝０．３５（ｉ＝２〜ｍ−１なるｉに対して、αｃは一定）、β_ｍ−１＝１．６５、Δ_ｍ−１＝０．２５、Δ_ｍ＝０．１５，Δ_ｍｍ＝０．４、α_ｍ＝０．３５、β_ｍ＝１．０、Δ_ｍ’＝０．５５で、２以上のｍに対しては一定である。
【０６０１】
ただし、ｍ＝２（ｎ＝４、５）の場合には、α_１、α_１’、β_１、β_１’、α_２、α_２’、β_２、β_２’をそれぞれｍ＝３の場合のα_１、α_１’、β_２（β_ｍ−１）、β_２’（β_ｍ−１’）、α_３（α_ｍ）、α_３’（α_ｍ’）、β_３（β_ｍ）、β_３’（β_ｍ’）と等しくする。すなわち、４Ｔマークに対しては、α_１＝０．３５、β_１＝１．６５、α_２＝０．３５、β_ｍ＝１．０とし、５Ｔマークに対しては、α_１’＝０．３５、β_１’＝１．９、α_２’＝０．５、β_２’＝１．５５とした。
【０６０２】
３Ｔマークに対しては、Ｔ_d1'＝１．６５、α₁'＝０．５、β₁'＝１．９としている。
なお、各記録方式でのＴ_d1、α_i、β_i等を表−９にまとめて示す。
表―９において、記録パルス分割方式はｎ＝３の場合とｎが４〜１１の場合とに分けて記載した。ｎ＝３の場合には、Ｔ_d1'、α₁'、β₁'の３つのパラメータが必要であるが、表−９では、それぞれＴ_d1、α₁、β_mの欄に記載した。ｎが４〜１１の場合には、記録パルス分割方法（ＩＩＩ−Ａ）において、Ｔ_d1＋α₁＝Ｔ _d1 ’＋α₁'＝２、β₁＋α₂＝β_m-1＋α_m＝２、α₁＝α_m＝αｃ、Δ_mはｍによらず一定とした。したがって、表−９では、Ｔ_d1、β₁、β_m-1、β_m、α_mも含めて１０個のパラメータを記載しているが、独立パラメータはα1、αｃ、Δ_m-1、Δ_m、Δ_m'の５個である。また、ｎ＝４の場合には、β₁＝β_m-1＝βｃ、α₂＝α_m＝αｃ、β₂＝β_mである。ｎ＝５の場合には、β₁'＝βｃ＋Δ_m-1、α₂＝αｃ＋Δ_m、β₂'＝β_m'である。
【０６０３】
【表９】

【０６０４】
オーバーライト特性の評価結果を２４倍速の（記録方式ＣＤ１−２ｃ）と、８倍速の（記録方式ＣＤ２−２ｄ）について図４４に示す。消去パワーＰｅと記録パワーＰｗの比Ｐｅ／Ｐｗは、２４倍速の（記録方式ＣＤ１−２ｃ）は０．２７、８倍速の（記録方式ＣＤ２−２ｄ）は０．２７で一定とした。（記録方式ＣＤ１−２ｃ）では、Ｐｗを２６ｍＷ程度から３８ｍＷ程度まで２ｍＷ刻みで変化させた。（記録方式ＣＤ２−２ｄ）では、Ｐｗを２６ｍＷ程度から３６ｍＷ程度まで２ｍＷ刻みで変化させた。バイアスパワーＰｂは一定の値０．８ｍＷとしている。
【０６０５】
各図において、それぞれ（ａ）３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）３Ｔスペース長ジッタ、（ｃ）変調度ｍ_１１、（ｄ）Ｒ_ｔｏｐ、のＰｗ依存性を表す。
最適記録パワーは２４倍速記録の（記録方式ＣＤ１−２ｃ）では２８−３２ｍＷ付近、８倍速記録の（記録方式ＣＤ２−２ｄ）では２８−３２ｍＷ付近であり、オーバーライト特性もこのパワーにおける値で評価した。
【０６０６】
図４４の（ａ）、（ｂ）の図中の横線は１倍速再生時のジッタ規格上限値＝３５（ｎｓｅｃ）を示す。いずれの線速においても３５ｎｓｅｃ以下の良好なジッター値が得られている。
図４４の（ｃ）、（ｄ）から、いずれの線速においても、変調度ｍ_１１は６０％〜８０％（０．６〜０．８）、Ｒ_ｔｏｐは１５〜２５％の値が得られている。
【０６０７】
また、最適記録パワー付近においては、３Ｔ〜１１Ｔのマーク長及びスペース長において、基準クロック周期Ｔの±１０％程度の範囲内で所望のマーク長及びスペース長が得られた。アシンメトリー値は±１０％以内の値が得られた。
以上まとめると、８、２４倍速においては良好な記録特性が得られており、再生信号は、既存のＣＤドライブで再生可能な品質である。また、この間の線速においても記録パルス分割方法を本発明のごとく可変とすることによって良好な特性がえられる。
【０６０８】
次に、２４倍速の（記録方式ＣＤ１−２ｃ）、８倍速における（記録方式ＣＤ２−２ｄ）を用いた場合のオーバーライト耐久性の評価結果を記す。それぞれ、Ｐｗ／Ｐｅ＝３０ｍＷ／８ｍＷで繰返しオーバーライトを行ったときのオーバーライト回数依存性を図４５に表す。各図において、（ａ）が３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）が３Ｔスペース長ジッタを示す。図４５において、繰り返しオーバーライト回数を対数グラフで表示する都合上、初回記録を１回目オーバーライトとし、その上に９回オーバーライトした時を１０回めオーバーライトというように表している。以下の実施例においても同様に、対数軸上に繰り返しオーバーライト回数を表している。
【０６０９】
いずれの線速においてもＣＤ−ＲＷに要求される１０００回というオーバーライト耐久性は十分満たされていた。
さらに、各線速における消去比を測定した。８倍速においては、（記録方式ＣＤ２−２ｄ）の３Ｔ、１１Ｔのパルスを用い、２４倍速においては（記録方式ＣＤ１−２ｃ）の３Ｔ、１１Ｔのパルスを用いて、３Ｔ／１１Ｔオーバーライト消去比を測定した。８倍速、２４倍速で３Ｔ／１１Ｔオーバーライト消去比は、それぞれ２５ｄＢ以上となり、それぞれの線速において、十分な消去比が得られている。
【０６１０】
また、（記録方式ＣＤ１−２ｃ）を用い、２４倍速で記録を行ったディスクを１０５℃の加速試験に投入したところ、３時間経過しても記録済み信号の劣化はほとんど見られなかった。ジッタの変化は２ｎｓｅｃ程度であり、１倍速再生で３５ｎｓｅｃ以下であり、反射率Ｒ_ｔｏｐ、変調度ｍ_１１もほとんど低下しておらず、初期値の９０％以上を維持していた。
（実施例１０）
上記基本例において、下記のようにしてディスクを製造し記録を行なった。
【０６１１】
基板上に、（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０からなる下部保護層を９０ｎｍ、Ｇｅ_３Ｉｎ_１８Ｓｂ_７４Ｔｅ_５（Ｔｅ_０．０５Ｉｎ_０．１８（Ｇｅ_０．０４Ｓｂ_０．９６）_０．７７）からなる記録層を１８ｎｍ、（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０からなる上部保護層を２７ｎｍ、ＧｅＮからなる界面層を３ｎｍ、Ａｇからなる反射層を２００ｎｍ、紫外線硬化樹脂層約４μｍをこの順に形成し、書換え型コンパクトディスクを作製した。なお、（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０の意味は、ＺｎＳを８０ｍｏｌ％、ＳｉＯ_２を２０ｍｏｌ％で混合したターゲットを高周波スパッタリング法で作成して得られた膜であることしめす。また、Ｇｅ_３Ｉｎ_１８Ｓｂ_７４Ｔｅ_５における組成比は原子数比である。以下の実施例においても同様である。
【０６１２】
このＡｇ反射層の体積抵抗率ρ_ｖは約２４ｎΩ・ｍ、面積抵抗率ρ_ｓは約０．１２Ω／□であった。初期化は、長軸約７５μｍ、短軸約１．０μｍの楕円形スポット形状を有する波長約８１０ｎｍのレーザーダイオード光を短軸方向に、線速約１２ｍ／ｓで走査して行なった。照射パワーは約９５０ｍＷである。
このディスクに、ＮＡ＝０．５０のテスター２を用いて、表―１０に示したような記録方式を用いて、８，１６，２４，３２倍速にて、ＥＦＭ変調信号のオーバーライトを行ない、その特性を評価した。
【０６１３】
３２倍速における本記録パルス分割方法は、（記録方式１−２）の例であり、（記録方式ＣＤ１−２ｄ）と称する。また、８，１６，２４倍速における本記録パルス分割方法は、（記録方式２−２）の例であり、（記録方式ＣＤ２−２ｅ）と称する。
表−１０において、上記、記録方式はｎ＝３の場合とｎが４〜１１の場合とに分けて記載した。ｎ＝３の場合には、Ｔ_ｄ１’、α_１’、β_１’の３つのパラメータが必要であるが、表−１０では、それぞれＴ_ｄ１、α_１、β_ｍの欄に記載した。ｎが４〜１１の場合には、Ｔ_ｄ１、α_１、α_１’、α_ｉ＝αｃ（ｉ＝２〜ｍ）、α_ｉ’＝αｃ（ｉ＝２〜ｍ−１）、はｎによらず一定とし、Ｔ_ｄ１＋α_１＝Ｔ_ｄ１’＋α_１’＝２、β_ｉ−１＋α_ｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ）、β_ｉ−１’＋α_ｉ’＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）とした。よって、β_ｉ＝２−αｃ（ｉ＝２〜ｍ−１）、β_ｉ’＝２−αｃ（ｉ＝２〜ｍ−２）となる。さらに、β_ｍ−１’＝β_ｍ−１＋Δ_ｍ−１＝βｃ＋Δ_ｍ−１、α_ｍ’＝α_ｍ＋Δ_ｍ＝αｃ＋Δ_ｍ、β_ｍ’＝β_ｍ＋Δ_ｍ’とし、Δ_ｍ−１、Δ_ｍ、Δ_ｍ’はｍによらず一定とした。ｎ＝４〜１１（２以上のｍ）に関しては、独立パラメータは、α_１、αｃ、Δ_ｍ−１、Δ_ｍ、β_ｍ、Δ_ｍ’である。
【０６１４】
尚、ｍ＝２（ｎ＝４、５）においては、α_１、α_１’、β_１、β_１’、α_２、α_２’、β_２、β_２’を、それぞれ、ｍ＝３の場合におけるα_１、α_１’、β_ｍ−１、β_ｍ−１’、α_ｍ、α_ｍ’、β_ｍ、β_ｍ’と等しくする。従って、ｎ＝４の場合には、β_２＝β_ｍとする。ｎ＝５の場合には、β_１’＝βｃ＋Δ_ｍ−１、α_２＝αｃ＋Δ_ｍ、β_２’＝β_ｍ＋Δ_ｍ’とする。
【０６１５】
表−１０の各記録方式は、ＣＡＶ記録等、広範囲の線速度でのオーバーライトに適用される本発明記録パルス分割方式（ＶＩ−Ａ）の例でもあり、かつ、３２倍速でα_１≠αｃとなっている点を除けば記録パルス分割方式（ＶＩ−Ｂ）と同等である。
消去パワーＰｅと記録パワーＰｗの比Ｐｅ／Ｐｗは一定としＰｗを２９ｍＷ程度から４０ｍＷ程度まで１ｍＷ刻みで変化させ、それぞれの記録パワーでオーバーライト特性を評価した。いずれも１０回オーバーライト後の値で評価した。バイアスパワーＰｂはほぼ０ｍＷの一定値をとり、Ｐｅ／Ｐｗは０．２７で一定とした。概ねジッター値が最小となるような記録パワーとしてＰｗ_０を表１０に示す。
【０６１６】
【表１０】

【０６１７】
図４６は、８，１６，２４，３２倍速における（ａ）３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）３Ｔスペース長ジッタ、（ｃ）変調度ｍ_１１、（ｄ）Ｒ_ｔｏｐ、を示す。いずれの線速においても、概ねＰｗ_０±１ｍＷの範囲において、１倍速再生でのマーク長及びスペース長に関して３５ｎｓｅｃ以下の良好なジッター値が得られた。同様にすべてのマーク長及びスペース長ジッタに関して、３５ｎｓｅｃ以下の良好なジッタが得られている。
【０６１８】
また、いずれの線速においても、少なくとも概ねＰｗ_０±１ｍＷの範囲においては、変調度ｍ_１１は６０％〜８０％（０．６〜０．８）、Ｒ_ｔｏｐは１５〜２５％、アシンメトリー値は±１０％以内の値が得られた。Ｐｗ_０付近においては、３Ｔ〜１１Ｔのいずれのマーク長及びスペース長においても、基準クロック周期に対して±２０％程度の範囲内で所望のマーク長及びスペース長が得られた。
【０６１９】
以上まとめると本発明記録媒体及び本発明記録パルス分割方法（ＶＩ−Ａ）を適用すれば、８〜３２倍速の広範囲において、少数のパラメータを可変とする記録パルス分割方法により良好な特性が得られ、再生信号は既存のＣＤドライブで再生可能な品質である。また、この間の線速においても記録パルス分割方法を本発明のごとく可変とすることによって良好な特性がえられる。
【０６２０】
次に、各倍速におけるオーバーライト耐久性の評価を行った。各線速で、表−１０に示すＰｗｏ及びＰｅ／Ｐｗ比において、オーバーライトを行ったときのオーバーライト回数依存性を図４７に表す。図４７において、（ａ）が３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）が３Ｔスペース長ジッタを示す。
いずれの線速においてもＣＤ−ＲＷに要求される１０００回というオーバーライト耐久性は十分満たされていた。
【０６２１】
さらに、各線速における消去比を測定した。８倍速、３２倍速においては表−１０の記録パルス分割方法の３Ｔ、１１Ｔのパルスを用いて、３Ｔ／１１Ｔオーバーライト消去比を測定すると、それぞれ２５ｄＢ以上となり、それぞれの線速において十分な消去比が得られている。
また、表−１０の（記録方式ＣＤ１−２ｄ）を用い、３２倍速で記録を行ったディスクを１０５℃の加速試験に投入したところ、３時間経過しても記録済み信号の劣化はほとんど見られなかった。ジッタの変化は２ｎｓｅｃ程度であり、１倍速再生で３５ｎｓｅｃ以下であり、反射率Ｒｔｏｐは、初期値の１０％強の低下を示したが、変調度ｍ_１１はほとんど低下しておらず、初期値の９０％以上を維持していた。
（実施例１１）
実施例９のディスクに、ＮＡ＝０．５０のテスター２を用いて、下記の３種類の記録方式にて、２４倍速でＥＦＭ変調信号のオーバーライトを行ない、その特性を評価した。
【０６２２】
消去パワーＰｅと記録パワーＰｗの比Ｐｅ／Ｐｗは０．２７から、一定としＰｗを２６ｍＷ程度から３６ｍＷ程度まで１ｍＷ刻みで変化させ、それぞれの記録パワーでオーバーライト特性を評価した。いずれも１０回オーバーライト後の値で評価した。バイアスパワーＰｂはほぼゼロの一定値とした。
（記録方式ＣＤ１−２ｅ）
この記録方式は記録パルス分割方法（ＩＩＩ―Ａ）における、独立パラメータの数をさらに限定した使用方法となっている。
【０６２３】
ｍが３以上の場合の、偶数マーク長、ｎＴ＝２ｍＴに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間α_ｉＴ及びオフパルス区間β_ｉＴにおけるα_ｉ及びβ_ｉを、次に様に設定した。
Ｔ_ｄ１＋α_１＝２、
β_ｉ−１＋α_ｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ）、
とした。
【０６２４】
一方、ｍが３以上の場合の奇数マーク長、ｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間α_ｉ’Ｔ及びオフパルス区間β_ｉ’Ｔにおけるα_ｉ’及びβ_ｉ’を、以下のように設定した。
Ｔ_ｄ１’＋α_１’＝２、
β_ｉ−１’＋α_ｉ’＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）、
β_ｍ−１’＋α_ｍ’＝２．８５、ただし、β_ｍ−１’＝β_ｍ−１＋Δ_ｍ−１、α_ｍ’＝α_ｍ＋Δ_ｍ、
β_ｍ’＝β_ｍ＋Δ_ｍ’
とした。
【０６２５】
ここで、Ｔ_d1＝Ｔ_d1'＝１、α₁＝α₁'＝１、α_i＝α_i'＝αｃ＝０．９（ｉ＝２〜ｍ−１のｉに対してαｃは一定）、β_m-1＝１．１、Δ_m-1＝０．３５，Δ_m＝０．５、Δ_mm＝０．８５，α_m＝０．９、β_m＝０．４、Δ_m'＝０で、２以上のｍに対しては一定である。 ただし、ｍ＝２の場合のβ₁、α₂、β₂、β₁'、α₂'、β₂'は、それぞれ、ｍが３以上の場合の、β_m-1、α_m、β_m、β_m-1'、α_m'、β_m'とみなす。すなわち、４Ｔマークに対しては、β₁＝１．１、α₂＝０．９、β_m＝０．４とし、５Ｔマークに対しては、β₁'＝１．４５、α₂'＝１．４、β_m'＝０．４とした。
【０６２６】
ｍ＝１、すなわち３Ｔマークに対しては、Ｔ_d1'＝１．０、α₁'＝１．４、β₁'＝０．
８５とした。
なお、記録方式でのＴ_d1、α_i、β_i等を表−１１にまとめて示す。
表−１１において、記録パルス分割方式はｎ＝３の場合とｎが４〜１１の場合とに分けて記載した。ｎ＝３の場合には、Ｔ_d1'、α₁'、β₁'の３つのパラメータが必要であるが、表−１１では、それぞれＴ_d1、α₁、β_mの欄に記載した。ｎが４〜１１の場合には、記録パルス分割方法（ＩＩＩ−Ａ）において、Ｔ_d1＋α₁＝Ｔ _d1 ’＋α₁'＝２、β₁＋α₂＝β_m-1＋α_m＝２、α₁＝α_m＝αｃ、Δ_mはｍによらず一定とした。したがって、表−１１では、Ｔ_d1、β₁、β_m-1、β_m、α_mも含めて１０個のパラメータを記載しているが、独立パラメータはα1、αｃ、Δ_m-1、Δ_m、Δ_m'の５個である。また、ｎ＝４の場合には、β₁＝β_m-1＝βｃ、α₂＝α_m＝αｃ、β₂＝β_mである。ｎ＝５の場合には、β₁'＝βｃ＋Δ_m-1、α₂＝αｃ＋Δ_m、β₂'＝β_m'である。
【０６２７】
【表１１】

【０６２８】
（比較記録パルス分割方法Ｉ）
この記録パルス分割方法は、本発明記録パルス分割方法（ＩＩ−Ａ）に類似しているものの、α_ｍ＝α_ｍ’、すなわちΔ_ｍ＝０としている点が、本発明記録方式とは異なる。具体的には、
（比較記録方式ＣＤ１）
ｍが３以上の場合の、偶数マーク長、ｎＴ＝２ｍＴに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間α_ｉＴ及びオフパルス区間β_ｉＴにおけ
るα_ｉ及びβ_ｉを、次に様に設定した。
Ｔ_ｄ１＋α_１＝２、
β_ｉ−１＋α_ｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ）、
とした。
【０６２９】
一方、ｍが３以上の場合の奇数マーク長、ｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間α_ｉ’Ｔ及びオフパルス区間β_ｉ’Ｔにおけるα_ｉ’及びβ_ｉ’を、以下のように設定した。
Ｔ_ｄ１’＋α_１’＝２、
β_１’＋α_２’＝２．４５ただし、β_１’＝β_１＋Δ_１
β_ｉ−１’＋α_ｉ’＝２（ｉ＝３〜ｍ−１）、
β_ｍ−１’＋α_ｍ’＝２．４５、ただし、β_ｍ−１’＝β_ｍ−１＋Δ_ｍ−１、α_ｍ’＝α_ｍ、
β_ｍ’＝β_ｍとした。
【０６３０】
ここで、Ｔ_ｄ１＝Ｔ_ｄ１’＝１、α_１＝α_１’＝１、β_１＝１．１、Δ_１＝０．４５，α_ｉ＝α_ｉ’＝αｃ＝０．９（ｉ＝２〜ｍ−１のｉに対してαｃは一定）、β_ｍ−１＝１．１、Δ_ｍ−１＝０．４５，Δ_ｍ＝０、Δ_ｍｍ＝０．４５，α_ｍ＝０．９、β_ｍ＝β_ｍ’＝０．４、Δ_ｍ’＝０で、３以上のｍに対しては一定である。
【０６３１】
また、ｍ＝２の場合、４Ｔマークに対しては、Ｔ_ｄ１＝１、α_１＝１、β_１＝１．１、α_２＝α_ｍ＝０．９、β_ｍ＝０．４とし、
５Ｔマークに対しては、Ｔ_ｄ１’＝１、α_１’＝１、β_１’＝１．４５、α_２’＝α_ｍ’＝０．９、β_ｍ’＝０．４とした。
ｍ＝１、すなわち３Ｔマークに対しては、Ｔ_ｄ１’＝１、α_１’＝１．４、β_１’＝０．８５とした。
【０６３２】
なお、（比較記録方式ＣＤ１）でのＴ_ｄ１、α_ｉ、β_ｉ等を表−１２にまとめて示す。ｍが３以上の場合に関しては、記録パルス分割方法（ＩＩ）における、１０個のパラメータ（Ｔ_ｄ１、α_１、β_１、Δ_１、α_ｃ、β_ｍ−１、Δ_ｍ−１、α_ｍ、Δ_ｍ、β_ｍ）及び、ｎ＝３，４，５におけるＴ_ｄ１、α_ｉ、β_ｉを記載した。ただし、ｎ＝３の場合の（Ｔ_ｄ１’、α_１’、β_１’）は、Ｔ_ｄ１、α_１、β_１の項に記載した。ｎ＝４の場合の（Ｔ_ｄ１、α_１、β_１、α_２、β_２）及び、ｎ＝５の場合の（Ｔ_ｄ１’、α_１’、β_１’、α_２、’、β_２’）は、Ｔ_ｄ１、α_１、β_１、α_ｍ、β_ｍの欄に記載した。ここで、Δ_ｍ＝０である点が、本発明記録方法とは異なる。
【０６３３】
【表１２】

【０６３４】
（比較記録パルス分割方法ＩＩ）
この比較記録パルス分割方法は本発明記録パルス分割方法（ＩＩＩ―Ａ）において、ｍが３以上の同一のｍにおける偶数長マークと奇数長のマークとの１Ｔのマーク長差をΔ_ｍのみ（α_ｍ≠α_ｍ’のみ）で付与しようとしている点が異なる。具体的には、
（比較記録方式ＣＤ２）
ｍが３以上の場合の、偶数マーク長、ｎＴ＝２ｍＴに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間α_ｉＴ及びオフパルス区間β_ｉＴにおけるα_ｉ及びβ_ｉを、次に様に設定した。
Ｔ_ｄ１＋α_１＝２、
β_ｉ−１＋α_ｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ）、
とした。
【０６３５】
一方、ｍが３以上の場合の奇数マーク長、ｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間α_ｉ’Ｔ及びオフパルス区間β_ｉ’Ｔにおけるα_ｉ’及びβ_ｉ’を、以下のように設定した。
Ｔ_ｄ１’＋α_１’＝２、
β_ｉ−１’＋α_ｉ’＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）、
β_ｍ−１’＋α_ｍ’＝２．６ただし、β_ｍ−１’＝β_ｍ−１＋Δ_ｍ−１、α_ｍ’＝α_ｍ＋Δ_ｍ、
β_ｍ’＝β_ｍ＋Δ_ｍ’
とした。
【０６３６】
ここで、Ｔ_ｄ１＝Ｔ_ｄ１’＝１、α_１＝α_１’＝１、β_１＝１．１、α_ｉ＝α_ｉ’＝αｃ＝０．９（ｉ＝２〜ｍ−１のｉに対してαｃは一定）、β_ｍ−１＝１．１、Δ_ｍ−１＝０，Δ_ｍ＝０．６、Δ_ｍｍ＝０．６，α_ｍ＝０．９、β_ｍ＝β_ｍ’＝０．４、Δ_ｍ’＝０で、３以上のｍに対しては一定である。
ただし、ｍ＝２の場合のβ_１、α_２、β_２、β_１’、α_２’、β_２’は、それぞれ、ｍが３以上の場合の、β_ｍ−１、α_ｍ、β_ｍ、β_ｍ−１’、α_ｍ’、β_ｍ’とみなす。すなわち、４Ｔマークに対しては、β_１＝１．１、α_２＝０．９、β_ｍ＝０．４とし、５Ｔマークに対しては、β_１’＝１．１、α_２’＝１．５、β_ｍ’＝０．４とした。
【０６３７】
ｍ＝１、すなわち３Ｔマークに対しては、Ｔ_ｄ１’＝１．０、α_１’＝１．４、β_１’＝０．８５とした。
なお、記録方式でのＴ_ｄ１、α_ｉ、β_ｉ等を表−１３にまとめて示す。
表−１３において、記録パルス分割方式はｎ＝３の場合とｎが４〜１１の場合とに分けて記載した。ｎ＝３の場合には、Ｔ_ｄ１’、α_１’、β_１’の３つのパラメータが必要であるが、表−１３では、それぞれＴ_ｄ１、α_１、β_ｍの欄に記載した。
【０６３８】
また、ｎ＝４の場合には、β_１＝β_ｍ−１＝βｃ、α_２＝α_ｍ＝αｃ、β_２＝β_ｍである。ｎ＝５の場合には、β_１’＝βｃ＋Δ_ｍ−１、α_２＝αｃ＋Δ_ｍ、β_２’＝β_ｍ’である。
【０６３９】
【表１３】

【０６４０】
オーバーライト特性の評価結果を（記録方式ＣＤ１−２ｅ）、（比較記録方式ＣＤ１）、（比較記録方式ＣＤ２）について図４８に示す。
図４８には、（ａ）３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）３Ｔスペース長ジッタ、（ｃ）変調度ｍ_１１、（ｄ）Ｒ_ｔｏｐ、のＰｗ依存性がそれぞれ示されている。
【０６４１】
最適記録パワーは（記録方式ＣＤ１−２ｅ）では２８−３３ｍＷ付近、（比較記録方式ＣＤ１）では２９−３３ｍＷ付近、（比較記録方式ＣＤ２）では２９−３４ｍＷ付近となり、オーバーライト特性もこのパワーにおける値で評価される。
図４８の（ａ）、（ｂ）の図中の横線は１倍速再生時のジッタ規格上限値＝３５（ｎｓｅｃ）を示す。いずれの場合も３５ｎｓｅｃ以下の良好なジッター値が得られている。
【０６４２】
図４８の（ｃ）、（ｄ）から、いずれの場合も変調度ｍ_１１は６０％〜８０％（０．６〜０．８）、Ｒ_ｔｏｐは１５〜２５％の値が得られている。
また、最適記録パワー付近においては、いずれの場合も３Ｔ〜１１Ｔのマーク長及びスペース長において、基準クロック周期に対して±２０％程度の範囲内で所望のマーク長及びスペース長が得られた。アシンメトリー値は±１０％以内の値が得られた。
しかしながら、（比較記録方式ＣＤ１）及び（比較記録方式ＣＤ２）の３Ｔスペースジッタの値は、（記録方式ＣＤ１−２ｅ）の３Ｔスペースジッタの値よりやや高くなった。
【０６４３】
次に、（記録方式ＣＤ１−２ｅ）、（比較記録方式ＣＤ１）、（比較記録方式ＣＤ２）を用いた場合のオーバーライト耐久性の評価結果を図４９に表す。繰り返しオーバーライト特性の評価においては、（記録方式ＣＤ１−２ｅ）のＰｗ／ＰｅはＰｗ／Ｐｅ＝３０ｍＷ／８ｍＷとし、（比較記録方式ＣＤ１）のＰｗ／ＰｅはＰｗ／Ｐｅ＝３１ｍＷ／８．４ｍＷとし、（比較記録方式ＣＤ２）のＰｗ／ＰｅはＰｗ／Ｐｅ＝３１ｍＷ／８．４ｍＷとした。
【０６４４】
図４９において、（ａ）が３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）が３Ｔスペース長ジッタを示す。図４９において、繰り返しオーバーライト回数を対数グラフで表示する都合上、初回記録を１回目オーバーライトとし、その上に９回オーバーライトした時を１０回めオーバーライトというように表している。
図４９（ａ）、（ｂ）より、（記録方式ＣＤ１−２ｅ）で記録を行うと、１０００回オーバーライト後もジッタ値は３５ｎｓｅｃ以下となる一方で、（比較記録方式ＣＤ１）及び（比較記録方式ＣＤ２）で記録を行うと、１０００回オーバーライト後のスペース長のジッタ値が３５ｎｓを上回る結果となった。
（実施例１２）
上記基本例において、下記のようにしてディスクを製造し記録を行なった。
【０６４５】
基板上に、（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０からなる下部保護層を９５ｎｍ、Ｇｅ_１６Ｓｂ_６４Ｓｎ_２０（Ｓｎ_０．２（Ｇｅ_０．２Ｓｂ_０．８）_０．８）からなる記録層を１５ｎｍ、（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０からなる上部保護層を３０ｎｍ、Ｔａからなる界面層を４ｎｍ、Ａｇからなる反射層を２１０ｎｍ、紫外線硬化樹脂層約４μｍをこの順に形成し、書換え型コンパクトディスクを作製した。なお、（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０の意味は、ＺｎＳを８０ｍｏｌ％、ＳｉＯ_２を２０ｍｏｌ％で混合したターゲットを高周波スパッタリング法で作成して得られた膜であることしめす。また、Ｇｅ_１６Ｓｂ_６４Ｓｎ_２０における組成比は原子数比である。以下の実施例においても同様である。
【０６４６】
このＡｇ反射層の体積抵抗率ρ_ｖは約２７ｎΩ・ｍ、面積抵抗率ρ_ｓは約０．１３Ω／□であった。初期化は、長軸約７５μｍ、短軸約１．０μｍの楕円形スポット形状を有する波長約８１０ｎｍのレーザーダイオード光を短軸方向に、線速約１２ｍ／ｓで走査して行なった。照射パワーは約９５０ｍＷである。
このディスクに、ＮＡ＝０．５０のテスター２を用いて、実施例１０の３つの記録方式、すなわち（記録方式ＣＤ１−２ｅ）、（比較記録方式ＣＤ１）、（比較記録方式ＣＤ２）により２４倍速でＥＦＭ変調信号のオーバーライトを行ない、その特性を評価した。
【０６４７】
消去パワーＰｅと記録パワーＰｗの比Ｐｅ／Ｐｗは一定としＰｗを２６ｍＷ程度から４０ｍＷ程度まで１ｍＷ刻みで変化させ、それぞれの記録パワーでオーバーライト特性を評価した。いずれも１０回オーバーライト後の値で評価した。バイアスパワーＰｂはほぼゼロで一定とした。
（記録方式ＣＤ１−２ｅ）、（比較記録方式ＣＤ１）、（比較記録方式ＣＤ２）のそれぞれの記録方式で記録を行った場合のオーバーライト特性の評価結果を図５０に示す。
【０６４８】
図５０の（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ（ａ）３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）３Ｔスペース長ジッタ、（ｃ）変調度ｍ_１１、（ｄ）Ｒ_ｔｏｐ、のＰｗ依存性を表す。
最適記録パワーは（記録方式ＣＤ１−２ｅ）では２９−３７ｍＷ付近、（比較記録方式ＣＤ１）では３０−３７ｍＷ付近、（比較記録方式ＣＤ２）では３５−３７ｍＷ付近となり、オーバーライト特性もこのパワーにおける値で評価される。
【０６４９】
図５０の（ｃ）、（ｄ）から、いずれの場合も変調度ｍ_１１は６０％〜８０％（０．６〜０．８）、Ｒ_ｔｏｐは１５〜２５％の値が得られている。
また、最適記録パワー付近においては、いずれの場合も３Ｔ〜１１Ｔのマーク長及びスペース長において、±１０％程度の範囲内で所望のマーク長及びスペース長が得られた。アシンメトリー値は±１０％以内の値が得られた。
【０６５０】
図５０の（ｂ）のからわかるように、（記録方式１−２ｅ）で記録を行うと、３Ｔスペースジッタは３５ｎｓｅｃ以下と良好である。しかしながら、（記録方式ＣＤ１−２ｅ）で記録を行う場合と比較して、（比較記録方式ＣＤ１）及び（比較記録方式ＣＤ２）で記録を行うと、３Ｔスペース長ジッタが高くなることがわかる。特に（比較記録方式ＣＤ２）では、３Ｔスペース長ジッタは、全てのＰｗにおいて３５ｎｓｅｃよりも大きくなった。
【０６５１】
次に、（記録方式ＣＤ１−２ｅ）、（比較記録方式ＣＤ１）を用いた場合のオーバーライト耐久性の評価結果を図５１に表す。オーバーライト耐久性の測定においては、（記録方式ＣＤ１−２ｅ）で記録を行う場合はＰｗ／Ｐｅ＝３３ｍＷ／９ｍＷとし、（比較記録方式ＣＤ１）で記録を行う場合はＰｗ／Ｐｅ＝３３ｍＷ／９ｍＷとした。なお、（比較記録方式ＣＤ２）では、初期のジッタ特性がそもそも良くないので、オーバーライト耐久性評価は行わなかった。
【０６５２】
図５１において、（ａ）が３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）が３Ｔスペース長ジッタを示す。図５１において、繰り返しオーバーライト回数を対数グラフで表示する都合上、初回記録を１回目オーバーライトとし、その上に９回オーバーライトした時を１０回めオーバーライトというように表している。（記録方式ＣＤ１−２ｅ）で記録を行う場合においては、１０００回というオーバーライト後もジッタ値は３５ｎｓｅｃ以下であった。一方、（比較記録方式ＣＤ１）では、全てのオーバーライト回数においてスペース長のジッタ値が、（記録方式ＣＤ１−２ｅ）で記録を行う場合のスペース長のジッタ値と比較して高くなった。
以上の結果からも、本発明記録パルス分割方法（ＩＩＩ−Ａ）である（記録方式ＣＤ１−２ｅ）の優れた点は明らかである。
この他にも（比較記録方式ＣＤ１）は、β_１とβ_１’において差Δ_１を付与する。このため、Δ_１が基準クロック周期Ｔと同期しうるような値でない場合（例えば、Δ_１が基準クロック周期Ｔの整数倍（実際上１ないしは２倍周期まで）でない場合、又は、Δ_１が基準クロック周期Ｔの整数分の１（実際上、１／２Ｔあるいは１／４まで）でない場合）は、後続の記録パルスすべてが、基準クロックと周期しなくなるため、記録パルス発生回路の設計が複雑になる。特に、Ｐ−ＣＡＶやＣＡＶ方式で（比較記録方式ＣＤ１）を用いようとすると、記録パルス発生回路が一層複雑になる。
一方、（比較記録方式ＣＤ２）は、α_ｍとα_ｍ’においてΔ_ｍを付与するのみであるから、記録パルス発生回路は簡便にできる利点はある。しかしながら、本実施例における光記録媒体を８倍速や１６倍速等の低線速度で使用する場合には、（比較記録方式ＣＤ２）ではβ_ｉ及びβ_ｉ’を制御しないので、冷却が不十分となり、（記録方式ＣＤ１−２ｅ）のような本発明記録方法との差は一層顕著になる。すなわち、低線速度において（比較記録方式ＣＤ２）で記録した場合の記録信号品質は一層悪化するのである。
（実施例１３）
実施例１２のディスクに、ＮＡ＝０．５０のテスター２を用いて、下記の３種類の記録パルス分割方法にて、８倍速から２４倍速の線速において、ＥＦＭ変調信号のオーバーライトを行ない、その特性を評価した。下記の３種類の記録パルス分割方法は、ＣＡＶ，Ｐ−ＣＡＶ等の広範囲の線速でオーバーライトを可能とするための記録パルス分割方法（ＶＩ）、（ＶＩ−Ａ）、及び（ＶＩ−Ｂ）のうち、特に、線速に応じて可変とするパラメータの数を少なくし、各線速度ごとに最適パラメータを見出すことを容易にした例である。
【０６５３】
消去パワーＰｅと記録パワーＰｗの比Ｐｅ／Ｐｗは０．２７一定としＰｗを変化させ、それぞれの記録パワーでオーバーライト特性を評価した。いずれも１０回オーバーライト後の値で評価した。Ｐｂはほぼ０ｍＷで一定とした。
（記録パルス分割方式ＣＤ−ＶＩ−３）
この記録方式は、記録パルス分割方法（ＶＩ−Ｂ）の例であるが、Δ_m-1＝０とし、Δ_m、Δ_m'のみを各線速度で最適化することで、奇数／偶数長のマーク長差を付与している。
【０６５４】
表−１４において、記録パルス分割方式はｎ＝３の場合とｎが４〜１１の場合とに分けて記載した。ｎ＝３の場合には、Ｔ_ｄ１’、α_１’、β_１’の３つのパラメータが必要であるが、表−１４では、それぞれＴ_ｄ１、α_１、β_ｍの欄に記載した。ｎが４〜１１の場合には、Ｔ_ｄ１、α_１、α_１’、α_ｉ＝αｃ（ｉ＝２〜ｍ）、及びα_ｉ’＝αｃ（ｉ＝２〜ｍ−１）は、ｎによらず一定とし、Ｔ_ｄ１＋α_１＝Ｔ_ｄ１’＋α_１’＝２、β_ｉ−１＋α_ｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ）、β_ｉ−１’＋α_ｉ’＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）とした。よって、β_ｉ＝２−αｃ（ｉ＝２〜ｍ−１）、β_ｉ’＝２−αｃ（ｉ＝２〜ｍ−２）となる。さらに、β_ｍ−１’＝β_ｍ−１＋Δ_ｍ−１＝βｃ＋Δ_ｍ−１、α_ｍ’＝α_ｍ＋Δ_ｍ＝αｃ＋Δ_ｍ、β_ｍ’＝β_ｍ＋Δ_ｍ’とし、Δ_ｍ−１、Δ_ｍ、Δ_ｍ’はｍによらず一定とした。ここで、Δ_ｍ−１は、ｍおよび線速によらず、０としている。ｎ＝４〜１１（２以上のｍ）に関しては、独立パラメータは、α_１、αｃ、Δ_ｍ、β_ｍ、Δ_ｍ’である。
【０６５５】
尚、ｍ＝２（ｎ＝４、５）においては、α_１、α_１’、β_１、β_１’、α_２、α_２’、β_２、β_２’を、それぞれ、ｍ＝３の場合におけるα_１、α_１’、β_ｍ−１、β_ｍ−１’、α_ｍ、α_ｍ’、β_ｍ、β_ｍ’と等しくする。従って、ｎ＝４の場合には、β_２＝β_ｍとする。ｎ＝５の場合には、β_１’＝βｃ、α_２＝αｃ＋Δ_ｍ、β_２’＝β_ｍ＋Δ_ｍ’とする。
【０６５６】
概ねジッター値が最小となるような記録パワーとしてＰｗ_０を表−１４に示す。
【０６５７】
【表１４】

【０６５８】
図５２に、８，１６，２４倍速における（ａ）３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）３Ｔスペース長ジッタ、（ｃ）変調度ｍ_１１、（ｄ）Ｒ_ｔｏｐ、を示す。いずれの線速においても、概ねＰｗ_０±１ｍＷの範囲において、１倍速再生でのマーク長及びスペース長に関して３５ｎｓｅｃ以下の良好なジッター値が得られた。同様にすべてのマーク長及びスペース長ジッタに関して、３５ｎｓｅｃ以下の良好なジッタが得られている。
【０６５９】
また、いずれの線速においても、変調度ｍ_１１は６０％〜８０％（０．６０〜０．８）、Ｒ_ｔｏｐは１５〜２５％、アシンメトリー値は±１０％以内の値が得られた。Ｐｗ_０付近においては、３Ｔ〜１１Ｔのいずれのマーク長及びスペース長においても、基準クロック周期Ｔに対して、±２０％程度の範囲内で所望のマーク長及びスペース長が得られた。
【０６６０】
以上まとめると本発明記録媒体及び（記録パルス分割方式ＣＤ−ＶＩ−３）は、８〜２４倍速の広範囲において、少数のパラメータを可変とする記録パルス分割方式により良好な特性がえられ、再生信号は既存のＣＤドライブで再生可能な品質である。また、この間の線速においても記録パルス分割方法を本発明のごとく可変とすることによって良好な特性がえられる。
【０６６１】
次に、各倍速におけるオーバーライト耐久性の評価を行った。各線速で、表−１４に示すＰｗｏ及びＰｅ／Ｐｗ比において、オーバーライトを行ったときのオーバーライト回数依存性を図５３に表す。図５３において、（ａ）が３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）が３Ｔスペース長ジッタを示す。
いずれの線速においてもＣＤ−ＲＷに要求される１０００回というオーバーライト耐久性は十分満たされていた。
（記録パルス分割方式ＣＤ−ＶＩ−４）
この記録方式は、記録パルス分割方法（ＶＩ−Ｂ）の例であるが、Δ_m'＝０とし、Δ_m―₁、Δ_mのみを各線速度で最適化することで、奇数／偶数長のマーク長差を付与している。
【０６６２】
具体的には、８，１６，２４倍速にてオーバーライトを行った。
表−１５において、記録パルス分割方式はｎ＝３の場合とｎが４〜１１の場合とに分けて記載した。ｎ＝３の場合には、Ｔ_ｄ１’、α_１’、β_１’の３つのパラメータが必要であるが、表−１５では、それぞれＴ_ｄ１、α_１、β_ｍの欄に記載した。ｎが４〜１１の場合には、Ｔ_ｄ１、α_１、α_１’、α_ｉ＝αｃ（ｉ＝２〜ｍ）、及びα_ｉ’＝αｃ（ｉ＝２〜ｍ−１）は、ｎによらず一定とし、Ｔ_ｄ１＋α_１＝Ｔ_ｄ１’＋α_１’＝２、β_ｉ−１＋α_ｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ）、β_ｉ−１’＋α_ｉ’＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）とした。よって、β_ｉ＝２−αｃ（ｉ＝２〜ｍ−１）、β_ｉ’＝２−αｃ（ｉ＝２〜ｍ−２）となる。さらに、β_ｍ−１’＝β_ｍ−１＋Δ_ｍ−１＝βｃ＋Δ_ｍ−１、α_ｍ’＝α_ｍ＋Δ_ｍ＝αｃ＋Δ_ｍ、β_ｍ’＝β_ｍ＋Δ_ｍ’とし、Δ_ｍ−１、Δ_ｍ、Δ_ｍ’はｍによらず一定とした。ここで、Δ_ｍ’は、ｍおよび線速によらず、０としている。ｎ＝４〜１１（２以上のｍ）に関しては、独立パラメータは、α_１、αｃ、Δ_ｍ−１、Δ_ｍ、β_ｍである。
【０６６３】
尚、ｍ＝２（ｎ＝４、５）においては、α_１、α_１’、β_１、β_１’、α_２、α_２’、β_２、β_２’を、それぞれ、ｍ＝３の場合におけるα_１、α_１’、β_ｍ−１、β_ｍ−１’、α_ｍ、α_ｍ’、β_ｍ、β_ｍ’と等しくする。従って、ｎ＝４の場合には、β_２＝β_ｍとする。ｎ＝５の場合には、β_１’＝βｃ＋Δ_ｍ−１、α_２＝αｃ＋Δ_ｍ、β_２’＝β_ｍとする。
概ねジッター値が最小となるような記録パワーとしてＰｗ_０を表−１５に示す。
【０６６４】
【表１５】

【０６６５】
図５４に、８，１６，２４倍速における（ａ）３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）３Ｔスペース長ジッタ、（ｃ）変調度ｍ_１１、（ｄ）Ｒ_ｔｏｐ、を示す。いずれの線速においても、概ねＰｗ_０±１ｍＷの範囲において、１倍速再生でのマーク長及びスペース長に関して３５ｎｓｅｃ以下の良好なジッター値が得られた。同様にすべてのマーク長及びスペース長ジッタに関して、３５ｎｓｅｃ以下の良好なジッタが得られている。
【０６６６】
また、いずれの線速においても、変調度ｍ_１１は６０％〜８０％（０．６〜０．８）、Ｒ_ｔｏｐは１５〜２５％、アシンメトリー値は±１０％以内の値が得られた。Ｐｗ_０付近においては、３Ｔ〜１１Ｔのいずれのマーク長及びスペース長においても、基準クロック周期Ｔに対して±２０％程度の範囲内で所望のマーク長及びスペース長が得られた。
【０６６７】
以上まとめると本発明記録媒体及び（記録パルス分割方式ＣＤ−ＶＩ−４）を適用すれば、８〜２４倍速の広範囲において、少数のパラメータを可変とする記録パルス分割方式により良好な特性がえられ、再生信号は既存のＣＤドライブで再生可能な品質である。また、この間の線速においても記録パルス分割方法を本発明のごとく可変とすることによって良好な特性がえられる。
【０６６８】
次に、各倍速におけるオーバーライト耐久性の評価を行った。各線速で、表−１５に示すＰｗｏ及びＰｅ／Ｐｗ比において、オーバーライトを行ったときのオーバーライト回数依存性を図５５に表す。図５５において、（ａ）が３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）が３Ｔスペース長ジッタを示す。
いずれの線速においてもＣＤ−ＲＷに要求される１０００回というオーバーライト耐久性は十分満たされていた。
（記録パルス分割方式ＣＤ−ＶＩ−５）
この記録方式は、記録パルス分割方法（ＶＩ−Ｂ）の例であるが、Δ＝Δ_m-1＝Δ_mとし、Δ、Δ_m'のみを各線速度で最適化することで、奇数／偶数長のマーク長差を付与している。
【０６６９】
具体的には、８，１６，２４倍速にてオーバーライトを行った。
表−１６において、記録パルス分割方式はｎ＝３の場合とｎが４〜１１の場合とに分けて記載した。ｎ＝３の場合には、Ｔ_ｄ１’、α_１’、β_１’の３つのパラメータが必要であるが、表−１６では、それぞれＴ_ｄ１、α_１、β_ｍの欄に記載した。ｎが４〜１１の場合には、Ｔ_ｄ１、α_１、α_１’、α_ｉ＝αｃ（ｉ＝２〜ｍ）、及びα_ｉ’＝αｃ（ｉ＝２〜ｍ−１）は、ｎによらず一定とし、Ｔ_ｄ１＋α_１＝Ｔ_ｄ１’＋α_１’＝２、β_ｉ−１＋α_ｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ）、β_ｉ−１’＋α_ｉ’＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）とした。よって、β_ｉ＝２−αｃ（ｉ＝２〜ｍ−１）、β_ｉ’＝２−αｃ（ｉ＝２〜ｍ−２）となる。さらに、β_ｍ−１’＝β_ｍ−１＋Δ_ｍ−１＝βｃ＋Δ_ｍ−１、α_ｍ’＝α_ｍ＋Δ_ｍ＝αｃ＋Δ_ｍ、β_ｍ’＝β_ｍ＋Δ_ｍ’とし、Δ_ｍ−１、Δ_ｍ、Δ_ｍ’はｍによらず一定とした。ここで、ｍおよび線速によらずΔ_ｍ−１＝Δ_ｍ、である。ｎ＝４〜１１（２以上のｍ）に関しては、独立パラメータは、α_１、αｃ、Δ_ｍ−１＝Δ_ｍ、β_ｍ、Δ_ｍ’である。
【０６７０】
尚、ｍ＝２（ｎ＝４、５）においては、α_１、α_１’、β_１、β_１’、α_２、α_２’、β_２、β_２’を、それぞれ、ｍ＝３の場合におけるα_１、α_１’、β_ｍ−１、β_ｍ−１’、α_ｍ、α_ｍ’、β_ｍ、β_ｍ’と等しくする。従って、ｎ＝４の場合には、β_２＝β_ｍとする。ｎ＝５の場合には、β_１’＝βｃ＋Δ_ｍ、α_２＝αｃ＋Δ_ｍ、β_２’＝β_ｍ＋Δ_ｍ’とする。ｎ＝４〜１１（２以上のｍ）に関しては、独立パラメータは、α_１、αｃ、Δ_ｍ−１＝Δ_ｍ、β_ｍ、Δ_ｍ’である。
概ねジッター値が最小となるような記録パワーとしてＰｗ_０を表−１６に示す。
【０６７１】
【表１６】

【０６７２】
図５６に、８，１６，２４倍速における（ａ）３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）３Ｔスペース長ジッタ、（ｃ）変調度ｍ_１１、（ｄ）Ｒ_ｔｏｐ、を示す。いずれの線速においても、概ねＰｗ_０±１ｍＷの範囲において、１倍速再生でのマーク長及びスペース長に関して３５ｎｓｅｃ以下の良好なジッター値が得られた。同様にすべてのマーク長及びスペース長ジッタに関して、３５ｎｓｅｃ以下の良好なジッタが得られている。
【０６７３】
また、いずれの線速においても、変調度ｍ_１１は６０％〜８０％（０．６〜０．８）、Ｒ_ｔｏｐは１５〜２５％、アシンメトリー値は±１０％以内の値が得られた。Ｐｗ_０付近においては、３Ｔ〜１１Ｔのいずれのマーク長及びスペース長においても、基準クロック周期Ｔに対して±２０％程度の範囲内で所望のマーク長及びスペース長が得られた。
【０６７４】
以上まとめると本発明記録媒体及び（記録パルス分割方式ＣＤ−ＶＩ−５）を適用すれば、８〜２４倍速の広範囲において、少数のパラメータを可変とする記録パルス分割方式により良好な特性がえられ、再生信号は既存のＣＤドライブで再生可能な品質である。また、この間の線速においても記録パルス分割方法を本発明のごとく可変とすることによって良好な特性がえられる。
【０６７５】
次に、各倍速におけるオーバーライト耐久性の評価を行った。各線速で、表−１６に示すＰｗｏ及びＰｅ／Ｐｗ比において、オーバーライトを行ったときのオーバーライト回数依存性を図５７に表す。図５７において、（ａ）が３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）が３Ｔスペース長ジッタを示す。
いずれの線速においてもＣＤ−ＲＷに要求される１０００回というオーバーライト耐久性は十分満たされていた。
（実施例１４）
上記基本例において、下記のようにして２種類のディスクを製造し記録を行なった。
（実施例１４（ａ）のディスク）
基板上に、（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０からなる下部保護層を８０ｎｍ、Ｇｅ_１６．５Ｓｂ_６３Ｓｎ_２０．５（Ｓｎ_０．２１（Ｇｅ_０．２Ｓｂ_０．８）_０。７９）からなる記録層を１５ｎｍ、（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０からなる上部保護層を３０ｎｍ、ＧｅＮからなる界面層を３ｎｍ、Ａｌ_９９．５Ｔａ_０．５からなる反射層を２００ｎｍ、紫外線硬化樹脂層約４μｍをこの順に形成し、書換え型コンパクトディスクを作製した。なお、（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０の意味は、ＺｎＳを８０ｍｏｌ％、ＳｉＯ_２を２０ｍｏｌ％で混合したターゲットを高周波スパッタリング法で作成して得られた膜であることしめす。また、Ｇｅ_１６．５Ｓｂ_６３Ｓｎ_２０．５における組成比は原子数比である。以下の実施例においても同様である。
【０６７６】
このＡｌ_９９．５Ｔａ_０．５反射層の体積抵抗率ρ_ｖは約８０ｎΩ・ｍ、面積抵抗率ρ_ｓは約０．４Ω／□であった。
（実施例１４（ｂ）のディスク）
基板上に、（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０からなる下部保護層を８２ｎｍ、Ｇｅ_１６．５Ｓｂ_６３Ｓｎ_２０．５（Ｓｎ_０．２１（Ｇｅ_０．２Ｓｂ_０．８）_０。７９）からなる記録層を１５ｎｍ、（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０からなる上部保護層を２７ｎｍ、Ｔａからなる界面層を３ｎｍ、Ａｇからなる反射層を２００ｎｍ、紫外線硬化樹脂層約４μｍをこの順に形成し、書換え型コンパクトディスクを作製した。なお、（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０の意味は、ＺｎＳを８０ｍｏｌ％、ＳｉＯ_２を２０ｍｏｌ％で混合したターゲットを高周波スパッタリング法で作成して得られた膜であることしめす。また、Ｇｅ_１６．５Ｓｂ_６３Ｓｎ_２０．５における組成比は原子数比である。以下の実施例においても同様である。
【０６７７】
このＡｇ反射層の体積抵抗率ρ_vは約２４ｎΩ・ｍ、面積抵抗率ρ_sは約０．１２Ω／□であった。
実施例１４（ａ）のディスク及び１４（ｂ）のディスクの初期化は、ともに長軸約７５μｍ、短軸約１．０μｍの楕円形スポット形状を有する波長約８１０ｎｍのレーザーダイオード光を短軸方向に、線速約１２ｍ／ｓで走査して行なった。照射パワーは約８５０ｍＷである。
【０６７８】
これらディスクに、ＮＡ＝０．５０のテスター２を用いて、表−１７に示す、下記の（記録方式１−２ｆ）にて２４倍速で、（記録方式２−２ｆ）にて８倍速で、ＥＦＭ変調信号のオーバーライトを行ない、その特性を評価した。
消去パワーＰｅと記録パワーＰｗの比Ｐｅ／Ｐｗは０．２７一定としＰｗを変化させ、それぞれの記録パワーでオーバーライト特性を評価した。いずれも１０回オーバーライト後の値で評価した。Ｐｂはほぼ０ｍＷで一定とした。
この記録方式は、記録パルス分割方法（ＩＩＩ−Ａ）における、独立パラメータの数をさらに限定した使用方法となっている。
【０６７９】
具体的には、８，２４倍速にてオーバーライトを行った。
表−１７において、記録パルス分割方式はｎ＝３の場合とｎが４〜１１の場合とに分けて記載した。ｎ＝３の場合には、Ｔ_ｄ１’、α_１’、β_１’の３つのパラメータが必要であるが、表−１７では、それぞれＴ_ｄ１、α_１、β_ｍの欄に記載した。ｎが４〜１１の場合には、Ｔ_ｄ１、α_１、α_１’、α_ｉ＝αｃ（ｉ＝２〜ｍ）、及びα_ｉ’＝αｃ（ｉ＝２〜ｍ−１）は、ｎによらず一定とし、Ｔ_ｄ１＋α_１＝Ｔ_ｄ１’＋α_１’＝２、β_ｉ−１＋α_ｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ）、β_ｉ−１’＋α_ｉ’＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）とした。よって、β_ｉ＝２−αｃ（ｉ＝２〜ｍ−１）、β_ｉ’＝２−αｃ（ｉ＝２〜ｍ−２）となる。さらに、β_ｍ−１’＝β_ｍ−１＋Δ_ｍ−１＝βｃ＋Δ_ｍ−１、α_ｍ’＝α_ｍ＋Δ_ｍ＝αｃ＋Δ_ｍ、β_ｍ’＝β_ｍ＋Δ_ｍ’とし、Δ_ｍ−１、Δ_ｍ、Δ_ｍ’はｍによらず一定とした。ｎ＝４〜１１（２以上のｍ）に関しては、独立パラメータは、α_１、αｃ、Δ_ｍ−１、Δ_ｍ、β_ｍ、Δ_ｍ’である。
【０６８０】
尚、ｍ＝２（ｎ＝４、５）においては、α_１、α_１’、β_１、β_１’、α_２、α_２’、β_２、β_２’を、それぞれ、ｍ＝３の場合におけるα_１、α_１’、β_ｍ−１、β_ｍ−１’、α_ｍ、α_ｍ’、β_ｍ、β_ｍ’と等しくする。従って、ｎ＝４の場合には、β_２＝β_ｍとする。ｎ＝５の場合には、β_１’＝βｃ＋Δ_ｍ−１、α_２＝αｃ＋Δ_ｍ、β_２’＝β_ｍ＋Δ_ｍ’とする。
【０６８１】
概ねジッター値が最小となるような記録パワーＰｗ_０を表−１７に示す。
【０６８２】
【表１７】

【０６８３】
図５８に、２４倍速における（ａ）３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）３Ｔスペース長ジッタ、（ｃ）変調度ｍ_１１、（ｄ）Ｒ_ｔｏｐ、を示す。また、図５９に、８倍速における（ａ）３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）３Ｔスペース長ジッタ、（ｃ）変調度ｍ_１１、（ｄ）Ｒ_ｔｏｐ、を示す。
【０６８４】
図５９に、８倍速における（ａ）３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）３Ｔスペース長ジッタ、（ｃ）変調度ｍ_１１、（ｄ）Ｒ_ｔｏｐ、を示す。また、図５９に、８倍速における（ａ）３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）３Ｔスペース長ジッタ、（ｃ）変調度ｍ_１１、（ｄ）Ｒ_ｔｏｐ、を示す。
実施例１４（ａ）、実施例１４（ｂ）のどちらのディスクもにおいても、概ねＰｗ_０±１ｍＷの範囲において、１倍速再生でのマーク長及びスペース長に関して３５ｎｓｅｃ以下の良好なジッター値が得られた。同様にすべてのマーク長及びスペース長ジッタに関して、３５ｎｓｅｃ以下の良好なジッタが得られている。
ただし、実施例１４（ｂ）のほうが、ジッタ−値の低い記録パワーＰｗの範囲が広く、記録パワーに対してマージンのあるサンプルといえる。特に図５９の８倍速のデータにおいて、パワーマージンの差がみられている（図５９（ａ）、（ｂ）参照）。
【０６８５】
また、実施例１４（ａ）、実施例１４（ｂ）のどちらのディスクにおいても、各線速の概ねＰｗｏ以上の領域で、変調度ｍ_１１は６０％〜８０％（０．６〜０．８）が得られた。
さらに、実施例１４（ａ）、実施例１４（ｂ）のどちらのディスクにおいても、Ｒ_ｔｏｐは１５〜２５％、アシンメトリー値は±１０％以内の値が得られた。Ｐｗ_０付近においては、３Ｔ〜１１Ｔのいずれのマーク長及びスペース長においても、±２０％程度の範囲内で所望のマーク長及びスペース長が得られた。
【０６８６】
以上まとめると本発明記録媒体及び（記録方式ＣＤ１−２ｆ）及び（記録方式ＣＤ２−２ｆ）を適用すれば、実施例１４（ａ）、１４（ｂ）のどちらのディスクにおいても８倍速、２４倍速の広範囲において、少数のパラメータを可変とする記録パルス分割方式により良好な特性がえられ、再生信号は既存のＣＤドライブで再生可能な品質であるが、特に、実施例１４（ｂ）のディスクのように、反射膜の面積抵抗率を０．２Ω／□以下とするほうが、広い線速度範囲において、広い記録パワーマージンが得られて望ましい。
（実施例１５）
上記基本例において、下記のようにしてディスクを製造し記録を行なった。
【０６８７】
基板上に、（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀からなる下部保護層を８０ｎｍ、Ｇｅ_６Ｉｎ_１１Ｓｂ_６７Ｓｎ_１２Ｔｅ_４（Ｉｎ_０．１１Ｓｎ_０．１２Ｔｅ_０．０４（Ｇｅ_０．０８Ｓｂ_０．９２）_０。７３）からなる記録層を１７ｎｍ、（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀からなる上部保護層を２８ｎｍ、Ｔａからなる界面層を４ｎｍ、Ａｇからなる反射層を１８５ｎｍ、紫外線硬化樹脂層約４μｍをこの順に形成し、書換え型コンパクトディスクを作製した。なお、（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀の意味は、ＺｎＳを８０ｍｏｌ％、ＳｉＯ_２を２０ｍｏｌ％で混合したターゲットを高周波スパッタリング法で作成して得られた膜であることしめす。また、Ｇｅ₆Ｉｎ₁₁Ｓｂ₆₇Ｓｎ₁₂Ｔｅ₄における組成比は原子数比である。以下の実施例においても同様である。
【０６８８】
このＡｇ 反射層の体積抵抗率ρ_v は約２７ｎΩ・ｍ、面積抵抗率ρ_s は約０．１５Ω／□であった。
初期化は、長軸約７５μｍ、短軸約１．０μｍの楕円形スポット形状を有する波長約８１０ｎｍのレーザーダイオード光を短軸方向に、線速約１６ｍ／ｓで走査して行なった。照射パワーは約１１００ｍＷである。
【０６８９】
このディスクに、ＮＡ＝０．５０のテスター２を用いて、表―１８に示したような記録方式を用いて、８，１６，３２倍速にて、ＥＦＭ変調信号のオーバーライトを行ない、その特性を評価した。
３２倍速における本記録パルス分割方法は、（記録方式１−２）の例であり、（記録方式ＣＤ１−２ｇ）と称する。また、１６倍速における本記録パルス分割方法は、（記録方式２−２）の例であり、（記録方式ＣＤ２−２ｇ）と称する。さらに、８倍速における本記録パルス分割方法は、（記録方式２−２）の例であり、（記録方式ＣＤ２−２ｈ）と称する。
【０６９０】
表−１８において、３２倍速における記録方式は、ｎ＝３，４，５とｍ≧３、すなわちｎ＝６〜１１とに分けて記載した。
ｎ＝３の場合にはＴ_ｄ１’、α_１’、β_１’の３つのパラメータが必要であるが、表−１８では、それぞれＴ_ｄ１、α_１、β_ｍの欄に記載した。ｍ＝２（ｎ＝４、５）においては、ｎ＝４の場合の（Ｔ_d1、α₁、β₁、α₂、β₂）及び、ｎ＝５の場合の（Ｔ_d1’、α₁’、β₁’、α₂、’、β₂’）のパラメータが必要であり、それぞれ、Ｔ_d1、α₁、β₁、α_m、β_mの欄に記載した。
【０６９１】
ｍ≧３、すなわちｎが６〜１１の場合には、Ｔ_ｄ１、α_１、α_１’、α_ｉ＝αｃ（ｉ＝２〜ｍ）、及びα_ｉ’＝αｃ（ｉ＝２〜ｍ−１）は、ｎによらず一定とし、Ｔ_ｄ１＋α_１＝Ｔ_ｄ１’＋α_１’＝２、β_ｉ−１＋α_ｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ）、β_ｉ−１’＋α_ｉ’＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）とした。よって、β_ｉ＝２−αｃ（ｉ＝２〜ｍ−１）、β_ｉ’＝２−αｃ（ｉ＝２〜ｍ−２）となる。さらに、β_ｍ−１’＝β_ｍ−１＋Δ_ｍ−１＝βｃ＋Δ_ｍ−１、α_ｍ’＝α_ｍ＋Δ_ｍ＝αｃ＋Δ_ｍ、β_ｍ’＝β_ｍ＋Δ_ｍ’とし、Δ_ｍ−１、Δ_ｍ、Δ_ｍ’はｍによらず一定とした。ｎ＝６〜１１（３以上のｍ）に関しては、独立パラメータは、α_１、αｃ、Δ_ｍ−１、Δ_ｍ、β_ｍ、Δ_ｍ’である。
【０６９２】
次に、表−１８において、８，１６倍速における記録方式は、記録方式はｎ＝３の場合とｎが４〜１１の場合とに分けて記載した。ｎ＝３の場合にはＴ_ｄ１’、α_１’、β_１’の３つのパラメータが必要であるが、表−１８では、それぞれＴ_ｄ１、α_１、β_ｍの欄に記載した。ｎが４〜１１の場合には、Ｔ_ｄ１、α_１、α_１’、α_ｉ＝αｃ（ｉ＝２〜ｍ）、及びα_ｉ’＝αｃ（ｉ＝２〜ｍ−１）は、ｎによらず一定とし、Ｔ_ｄ１＋α_１＝Ｔ_ｄ１’＋α_１’＝２、β_ｉ−１＋α_ｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ）、β_ｉ−１’＋α_ｉ’＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）とした。よって、β_ｉ＝２−αｃ（ｉ＝２〜ｍ−１）、β_ｉ’＝２−αｃ（ｉ＝２〜ｍ−２）となる。さらに、β_ｍ−１’＝β_ｍ−１＋Δ_ｍ−１＝βｃ＋Δ_ｍ−１、α_ｍ’＝α_ｍ＋Δ_ｍ＝αｃ＋Δ_ｍ、β_ｍ’＝β_ｍ＋Δ_ｍ’とし、Δ_ｍ−１、Δ_ｍ、Δ_ｍ’はｍによらず一定とした。ｎ＝４〜１１（２以上のｍ）に関しては、独立パラメータは、α_１、αｃ、Δ_ｍ−１、Δ_ｍ、β_ｍ、Δ_ｍ’である。
【０６９３】
尚、ｍ＝２（ｎ＝４、５）においては、α_１、α_１’、β_１、β_１’、α_２、α_２’、β_２、β_２’を、それぞれ、ｍ＝３の場合におけるα_１、α_１’、β_ｍ−１、β_ｍ−１’、α_ｍ、α_ｍ’、β_ｍ、β_ｍ’と等しくする。従って、ｎ＝４の場合には、β_２＝β_ｍとする。ｎ＝５の場合には、β_１′＝βｃ＋Δ_ｍ−１、α_２＝αｃ＋Δ_ｍ、β_２′＝β_ｍ＋Δ_ｍ′とする。
【０６９４】
表―１８の各記録方式は、ＣＡＶ記録等、広範囲の線速度でのオーバーライトに適用される本発明記録パルス分割方法（ＶＩ−Ｂ）の例でもある。
ここで、ｎ＝３におけるβ₁'＝１．３８が、ｍ＝３におけるβ₁'＝１．１９＋０．２５＝１．４４と約４％程度のすれがあるが、これは、このような高周波数における装置上のパルス設定の限界に由来するものであり、実質的に（ＶＩ−Ｂ）で規定された規則性は踏襲されている。
【０６９５】
消去パワーＰｅと記録パワーＰｗの比Ｐｅ／Ｐｗは一定としＰｗを３２ｍＷ程度から４５ｍＷ程度まで１ｍＷ刻みで変化させ、それぞれの記録パワーでオーバーライト特性を評価した。いずれも１０回オーバーライト後の値で評価した。バイアスパワーＰｂはほぼ０ｍＷの一定値をとり、Ｐｅ／Ｐｗは０．２７で一定とした。概ねジッター値が最小となるような記録パワーとしてＰｗ_０を表−１８に示す。
【０６９６】
【表１８】

【０６９７】
図６０は、８，１６，３２倍速における（ａ）３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）３Ｔスペース長ジッタ、（ｃ）変調度ｍ_１１、（ｄ）Ｒ_ｔｏｐ 、を示す。いずれの線速においても、概ねＰｗ_０±１ｍＷの範囲において、１倍速再生でのマーク長及びスペース長に関して３５ｎｓｅｃ以下の良好なジッター値が得られた。同様にすべてのマーク長及びスペース長ジッタに関して、３５ｎｓｅｃ以下の良好なジッタが得られている。
【０６９８】
また、いずれの線速においても、変調度ｍ_１１は６０％〜８０％（０．６〜０．８）、Ｒ_ｔｏｐ は１５〜２５％、アシンメトリー値は±１０％以内の値が得られた。Ｐｗ_０付近においては、３Ｔ〜１１Ｔのいずれのマーク長及びスペース長においても、基準クロック周期に対して±２０％程度の範囲内で所望のマーク長及びスペース長が得られた。
【０６９９】
以上まとめると本発明記録媒体及び本発明記録パルス分割方法（ＶＩ−Ｂ）を適用すれば、８〜３２倍速の広範囲において、少数のパラメータを可変とする記録パルス分割方法により良好な特性がえられ、再生信号は既存のＣＤドライブで再生可能な品質である。また、この間の線速においても記録パルス分割方法を本発明のごとく可変とすることによって良好な特性がえられる。
【０７００】
次に、各倍速におけるオーバーライト耐久性の評価を行った。各線速で、表−１８に示すＰｗo及びＰｅ／Ｐｗ比において、オーバーライトを行ったときのオーバーライト回数依存性を図６１に表す。図６１において、（ａ）が３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）が３Ｔスペース長ジッタを示す。
いずれの線速においてもＣＤ−ＲＷに要求される１０００回というオーバーライト耐久性は十分満たされていた。
【０７０１】
さらに、各線速における消去比を測定した。８倍速、３２倍速においては表―１８の記録パルス分割方法の３Ｔ、１１Ｔのパルスを用いて、３Ｔ／１１Ｔオーバーライト消去比を測定すると、それぞれ２５ｄＢ以上となり、それぞれの線速において十分な消去比が得られている。
また、表―１８の（記録方式ＣＤ１−２ｇ）を用い、３２倍速で記録を行ったディスクを１０５℃の加速試験に投入したところ、３時間経過しても記録済み信号の劣化はほとんど見られていない。ジッタの変化は２ｎｓｅｃ程度であり、１倍速再生で３５ｎｓｅｃ以下であり、反射率Ｒｔｏｐは、初期値の１０％強の低下を示したが、変調度ｍ_１１はほとんど低下しておらず、初期値の９０％以上を維持している。
（比較例１）
特開２００１−２２９５３７号公報において開示されている、オーバーライト可能な最高線速度が１０倍速程度であるディスクを製造し、２４倍速でのオーバーライト記録を試みた。
【０７０２】
基板上に、（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０からなる下部保護層を９２ｎｍ、Ｇｅ_３Ｉｎ_３Ｓｂ_７２Ｔｅ_２２（Ｉｎ_０．０３Ｇｅ_０．０３（Ｓｂ_０．７７Ｔｅ_０．２３）_０．９４）からなる記録層を１３ｎｍ、（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０からなる上部保護層を３１ｎｍ、Ａｌ合金からなる反射層を１４０ｎｍ、紫外線硬化樹脂層約４μｍをこの順に形成し、書換え型コンパクトディスクを作製した。なお、（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０の意味は、ＺｎＳを８０ｍｏｌ％、ＳｉＯ_２を２０ｍｏｌ％で混合したターゲットを高周波スパッタリング法で作成して得られた膜であることしめす。また、Ｇｅ_３Ｉｎ_３Ｓｂ_７２Ｔｅ_２２における組成比は原子数比である。以下の実施例、比較例においても同様である。
【０７０３】
このＡｌ合金反射層の体積抵抗率ρ_ｖは６２ｎΩ・ｍ、面積抵抗率ρ_ｓは約０．４４Ω／□であった。
初期化は、長軸約１５０μｍ、短軸約１．０μｍの楕円形スポット形状を有する波長約８１０ｎｍのレーザーダイオード光を短軸方向に、線速約７ｍ／ｓで走査して行なった。照射パワーは１６５０ｍＷである。
【０７０４】
このディスクに、ＮＡ＝０．５０のテスター２を用いて、２４倍速でＥＦＭ変調信号のオーバーライトを行ない、その特性を評価した。
消去パワーＰｅと記録パワーＰｗの比Ｐｅ／Ｐｗは一定の０．４３とし、Ｐｗを１回記録で十分な信号特性のえられた３０ｍＷ前後のＰｗでＰｗを変化させ、１０回オーバーライト特性を評価した。バイアスパワーＰｂは、ほぼゼロで一定値とした。
【０７０５】
２４倍速記録においての記録方式は、実施例１１の（比較記録方式ＣＤ１）および（比較記録方式ＣＤ２）を適用した。
このディスクの１０回オーバーライト記録後における、３Ｔスペース長ジッタは５０ｎｓ以上、変調度ｍ_１１は３０％（０．３）程度、Ｒ_ｔｏｐは８％程度の値であり、２４倍速においては良好な記録特性が得られなかった。再生信号は、既存のＣＤドライブで再生不可能な品質である。
本比較例のディスクは、そもそもＳｂ／Ｔｅ比が４．５以下であり、結晶化速度が遅く消去性能が不十分であり、２４倍速という高線速度では、オーバーライトが不可能であるためである。
（比較例２）
特開２００１−３３１９３６号公報において開示されているようなオーバーライト可能な最高線速度が１６倍速程度であるディスクに２４倍速でのオーバーライトを試みる。
【０７０６】
基板上に、（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０からなる下部保護層を７０ｎｍ、Ｇｅ_７Ｓｂ_７８Ｔｅ_１５（Ｇｅ_０．０７（Ｓｂ_０．８４Ｔｅ_０．１６）_０．９３）からなる記録層を１７ｎｍ、又はＧｅ_７Ｓｂ_７９Ｔｅ_１４（Ｇｅ_０．０７（Ｓｂ_０．８５Ｔｅ_０．１５）_０．９３）からなる記録層を１７ｎｍ、（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０からなる上部保護層を４５ｎｍ、Ａｌ_９９．５Ｔａ_０．５合金反射層を２２０ｎｍ、紫外線硬化樹脂層約４μｍをこの順に形成し、書換え型コンパクトディスクを作製した。なお、（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０の意味は、ＺｎＳを８０ｍｏｌ％、ＳｉＯ_２を２０ｍｏｌ％で混合したターゲットを高周波スパッタリング法で作成して得られた膜であることしめす。また、Ｇｅ_７Ｓｂ_７８Ｔｅ_１５における組成比は原子数比である。以下の実施例においても同様である。
【０７０７】
このＡｌ合金反射層の体積抵抗率ρ_ｖは１００ｎΩ・ｍ、面積抵抗率ρ_ｓは約０．４５Ω／□であった。
このようにして作製したディスクを２枚用意した。そしてそれぞれのディスクの初期化条件を２通り行った。
１つ目の初期化操作は以下の通りに行った。すなわち、レーザー波長約８１０ｎｍで、ビーム長軸約１０８μｍ×ビーム短軸約１．５μｍの楕円形の集束光を用い、この集束光の長軸がディスクの半径方向にそろうように配置して、４００〜６００ｍＷのパワーを照射しつつ線速３〜６ｍ／ｓで操作することにより、ディスクの初期化を行った。さらに、７８０ｎｍ、ピックアップの開口数ＮＡ＝０．５５の評価装置で、サーボをかけて溝と溝間部を１回ずつ９．５ｍＷのＤＣ光で結晶化させ、結晶化レベルのノイズを減らす作業を行った。
【０７０８】
２つ目の初期化操作は以下の通りに行った。すなわち、長軸約１５０μｍ、短軸約１．０μｍの楕円形スポット形状を有する波長約８１０ｎｍのレーザーダイオード光を用い、１４５０ｍＷのパワーを照射しつつ短軸方向に線速約７ｍ／ｓで走査して初期化を行った。
これら２つのディスクに、ＮＡ＝０．５０のテスター２を用いて、２４倍速でＥＦＭ変調信号のオーバーライトを行ない、その特性を評価する。尚、ＮＡ＝０．５５としてもほとんど同じ結果となる。
【０７０９】
記録方式は、特開２００１−３３１９３６号公報に開示されているパルス分割方法を用いる。具体的には、特開２００１−３３１９３６号公報に開示されている図２０の方法を用いる。
以下、特開２００１−３３１９３６号公報と本発明とは、記録方式の記述方法が異なる。従って、以下主に特開２００１−３３１９３６号公報に沿って、記録方式の記載をする。
【０７１０】
Ｔ_ｄ１、Ｔ_ｄ１’がｎによらず一定としている。
ｍが３以上の場合の、偶数マーク長、ｎＴ＝２ｍＴに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間α_ｉＴ及びオフパルス区間β_ｉＴにおけるα_ｉ及びβ_ｉを、次に様に設定する。
α_１＋β_１＝２、
β_ｉ＋α_ｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）
α_ｍ＋β_ｍ＝１．６
としている。
【０７１１】
一方、ｍが３以上の場合の奇数マーク長、ｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間α_ｉ’Ｔ及びオフパルス区間β_ｉ’Ｔにおけるα_ｉ’及びβ_ｉ’を、以下のように設定する。
α_１’＋β_１’＝２．５
α_ｉ’＋β_ｉ’＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）、
α_ｍ’＋β_ｍ’＝２．１
としている。
【０７１２】
ここで、
α_ｉ＝α_ｉ’＝０．８（ｉ＝２〜ｍ−１）、
β_ｉ＝β_ｉ’＝１．２（ｉ＝２〜ｍ−１）
ｎが偶数の場合は、
α_１＝０．８、β_１＝１．２、α_ｍ＝０．７、β_ｍ＝０．９、
ｎが奇数の場合は、
α_１’＝１．０、β_１’＝１．５、α_ｍ’＝１．０、β_ｍ’＝１．１、
また、ｍ＝２の場合のα_１、β_１、α_２、β_２、α_１’、β_１’、α_２’、β_２’は、それぞれ、ｍが３以上の場合のα_１、β_１、α_ｍ、β_ｍ、α_１’、β_１’、α_ｍ’、β_ｍ’とみなす。すなわち、４Ｔマークに対しては、α_１＝０．８、β_１＝１．２、α_２＝０．７、β_２＝０．９とし、５Ｔマークに対しては、α_１’＝１．０、β_１’＝１．５、α_２’＝１．０、β_２’＝１．１としている。
【０７１３】
ｍ＝１、すなわち３Ｔマークに対しては、α_１’＝１．１、β_１’＝１．５となっている。
この記録方式において、２４倍速において、消去パワーＰｅは１０ｍＷ、Ｐｂは０．８ｍＷで各々一定とし、Ｐｗを変化させて、それぞれの記録パワーで１０回オーバーライト特性を評価しても、ジッタが３５ｎｓｅｃ以下となるような良好な特性は得らない。
【０７１４】
本比較例のディスクは、Ｓｂ／Ｔｅ比が５．２又は５．６である一方で、Ｇｅ量が７％と多くなっているため、結晶化速度が遅く消去性能が不十分であり、２４倍速という高線速度では、オーバーライトが不可能であるためである。
（参考例１）
上記、比較例１で用意したオーバーライト可能な最高線速度が１０倍速程度であるディスクに、本発明記録方法の一例である、下記の（参考記録方式ＣＤ１）により、１０倍速でＥＦＭ変調信号のオーバーライトを行ない、その特性を評価した。このようなディスク自体は、特開２００１−２２９５３７号公報において、開示されているが、本発明の記録方法を適用した例は、これまでに開示されていない。
【０７１５】
ＮＡ＝０．５０のテスター２を用い、消去パワーＰｅと記録パワーＰｗの比Ｐｅ／Ｐｗは０．４３で一定としＰｗを１６ｍＷ程度から２４ｍＷ程度まで１ｍＷ刻みで変化させ、それぞれの記録パワーでオーバーライト特性を評価した。いずれも１０回オーバーライト後の値で評価した。バイアスパワーＰｂはほぼゼロの一定値とした。
（参考記録方式ＣＤ１）
この記録方式は記録パルス分割方法（ＩＩＩ―Ａ）における、独立パラメータの数をさらに限定した使用方法となっている。
【０７１６】
ｍが３以上の場合の、偶数マーク長、ｎＴ＝２ｍＴに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間α_ｉＴ及びオフパルス区間β_ｉＴにおけるα_ｉ及びβ_ｉを、次に様に設定した。
Ｔ_ｄ１＋α_１＝２、
β_ｉ−１＋α_ｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ）、
とした。
【０７１７】
一方、ｍが３以上の場合の奇数マーク長、ｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間α_ｉ’Ｔ及びオフパルス区間β_ｉ’Ｔにおけるα_ｉ’及びβ_ｉ’を、以下のように設定した。
Ｔ_ｄ１’＋α_１’＝２、
β_ｉ−１’＋α_ｉ’＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）、
β_ｍ−１’＋α_ｍ’＝２．７、ただし、β_ｍ−１’＝β_ｍ−１＋Δ_ｍ−１、α_ｍ’＝α_ｍ＋Δ_ｍ、
β_ｍ’＝β_ｍ＋Δ_ｍ’
とした。
【０７１８】
ここで、Ｔ_ｄ１＝Ｔ_ｄ１’＝１、α_１＝α_１’＝１、α_ｉ＝α_ｉ’＝αｃ＝１（ｉ＝２〜ｍ−１のｉに対してαｃは一定）、β_ｍ−１＝１、Δ_ｍ−１＝０．５，Δ_ｍ＝０．２、Δ_ｍｍ＝０．７，α_ｍ＝１、β_ｍ＝０．４、Δ_ｍ’＝０．２で、２以上のｍに対しては一定である。
ただし、ｍ＝２の場合のβ_１、α_２、β_２、β_１’、α_２’、β_２’は、それぞれ、ｍが３以上の場合の、β_ｍ−１、α_ｍ、β_ｍ、β_ｍ−１’、α_ｍ’、β_ｍ’とみなす。すなわち、４Ｔマークに対しては、β_１＝１．０、α_２＝１、β_ｍ＝０．４とし、５Ｔマークに対しては、β_１’＝１．５、α_２’＝１．２、β_ｍ’＝０．６とした。
ｍ＝１、すなわち３Ｔマークに対しては、Ｔ_ｄ１’＝０．８５、α_１’＝１．６、β_１’＝０．７５とした。
【０７１９】
なお、（参考ＣＤ記録方式１）でのＴ_d1、α_i、β_i等を表−１９にまとめて示す。
表−１９において、記録パルス分割方式はｎ＝３の場合とｎが４〜１１の場合とに分けて記載した。ｎ＝３の場合には、Ｔ_d1'、α₁'、β₁'の３つのパラメータが必要であるが、表−１９では、それぞれＴ_d1、α₁、β_mの欄に記載した。ｎが４〜１１の場合には、記録パルス分割方法（ＩＩＩ−Ａ）において、Ｔ_d1＋α₁＝Ｔ _d1 ’＋α₁'＝２、β₁＋α₂＝β_m-1＋α_m＝２、α₁＝α_m＝αｃ、Δ_mはｍによらず一定とした。したがって、表−１９では、Ｔ_d1、β₁、β_m-1、β_m、α_mも含めて１０個のパラメータを記載しているが、独立パラメータはα1、αｃ、Δ_m-1、Δ_m、Δ_m'の５個である。また、ｎ＝４の場合には、β₁＝β_m-1＝βｃ、α₂＝α_m＝αｃ、β₂＝β_mである。ｎ＝５の場合には、β₁'＝βｃ＋Δ_m-1、α₂＝αｃ＋Δ_m、β₂'＝β_m'である。
【０７２０】
【表１９】

【０７２１】
オーバーライト特性の評価結果を（参考記録方式ＣＤ１）について図６０に示す。
図６２に、（ａ）３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）３Ｔスペース長ジッタ、（ｃ）変調度ｍ_１１、（ｄ）Ｒ_ｔｏｐ、のＰｗ依存性をそれぞれ表す。
最適記録パワーは１６−２３ｍＷ付近、オーバーライト特性もこのパワーにおける値で評価される。
図６２の（ａ）、（ｂ）の図中の横線は１倍速再生時のジッタ規格上限値＝３５（ｎｓｅｃ）を示す。３５ｎｓｅｃ以下の良好なジッター値が得られている。
図６２の（ｃ）、（ｄ）から、変調度ｍ_１１は６０％〜８０％（０．６〜０．８）、Ｒ_ｔｏｐは１５〜２５％の値が得られている。
【０７２２】
また、最適記録パワー付近においては、３Ｔ〜１１Ｔのマーク長及びスペース長において、基準クロック周期の±１０％程度の範囲内で所望のマーク長及びスペース長が得られた。アシンメトリー値は±１０％以内の値が得られた。
以上まとめると、１０倍速においては良好な記録特性が得られており、再生信号は、既存のＣＤドライブで再生可能な品質である。
【０７２３】
次に、（参考記録方式ＣＤ１）を用いた場合のオーバーライト耐久性の評価結果を記す。それぞれ、Ｐｗ／Ｐｅ＝１９ｍＷ／８ｍＷで繰返しオーバーライトを行ったときのオーバーライト回数依存性を図６３に表す。図６３において、（ａ）が３Ｔマーク長ジッタ、（ｂ）が３Ｔスペース長ジッタを示す。図６３において、繰り返しオーバーライト回数を対数グラフで表示する都合上、初回記録を１回目オーバーライトとし、その上に９回オーバーライトした時を１０回めオーバーライトというように表している。ＣＤ−ＲＷに要求される１０００回というオーバーライト耐久性は十分満たされていた。
【０７２４】
次に、本発明の書き換え型光記録媒体及び本発明の光記録方法をＲＷ−ＤＶＤに適用する例について説明する。
［ＲＷ−ＤＶＤ基本例］
以下にＲＷ−ＤＶＤの基本例を説明するが、ＣＤ−ＲＷの基本例との相違点を特に示す。
【０７２５】
トラックピッチ０．７４μｍ、溝幅は約０．３１μｍ、深さは約２８ｎｍで蛇行する螺旋状の溝を設けた厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート樹脂基板を射出成形によって形成した。溝形状は、いずれも波長４４１．６ｎｍのＨｅ−Ｃｄレーザー光を用いたＵ溝近似の光学回折法で求めた。溝蛇行（ウォブル）はさらに、ＡＤＩＰによるアドレス情報を位相変調により付与した。
【０７２６】
記録再生評価は、パルステック社製ＤＤＵ１０００テスタ（波長約６５０ｎｍ、ＮＡ＝０．６５、スポット形状は１／ｅ^２強度で０．８６μｍの概ね円形、立ち上がり立ち下がり時間２ｎｓｅｃ弱、以下このテスタをテスター３という。）を用いた。ＤＶＤの標準線速度３．４９ｍ／ｓを１倍速とし、６〜１０倍速までのオーバーライト特性を評価した。バイアスパワーは特に断らない限り、０．５ｍＷで一定とした。
【０７２７】
各線速度におけるデータの基準クロック周期は、１倍速におけるデータの基準クロック周期３８．２ｎｓｅｃに対して各線速度で反比例させたものとした。
再生は特に断わらない限り１倍速で行った。ＤＤＵ１０００からのタイムインターバルアナライザー（横河電機社製）でジッタを測定した。
変調度ｍ_１４（＝Ｉ_１４／Ｉ_ｔｏｐ）はオシロスコープ上でアイパターン観察により読み取った。
【０７２８】
ＥＦＭ＋ランダムデータを１０回オーバーライト記録した後、該記録データのマーク長、スペース長、マーク長及びスペース長ジッタ、ｍ_１４、Ｒ_ｔｏｐ、及びアシンメトリー値を測定した。
（実施例１６）
上記基本例において、下記のようにしてディスクを製造し記録を行なった。
【０７２９】
基板上に、（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０からなる下部保護層を７０ｎｍ、Ｇｅ_１２．５Ｓｂ_５８．３Ｓｎ_２４．３Ｔｅ_４．９（Ｔｅ_０．０５Ｓｎ_０．２４（Ｇｅ_０．１８Ｓｂ_０．８２）_０．７１）からなる記録層を１２ｎｍ、（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０からなる上部保護層を１８ｎｍ、Ｔａからなる界面層を２ｎｍ、Ａｇからなる反射層を１５０ｎｍ、紫外線硬化樹脂層約４μｍ、をこの順に形成し、ディスクを作製した。
【０７３０】
このＡｇ反射層の体積抵抗率ρ_ｖは２８ｎΩ・ｍ、面積抵抗率ρ_ｓは約０．１９Ω／□であった。
初期化は、長軸約７５μｍ、短軸約１．０μｍの楕円形スポット形状を有する波長約８１０ｎｍのレーザーダイオード光を短軸方向に線速約８ｍ／ｓで走査して行なった。照射パワーは７００ｍＷである。
【０７３１】
このディスクに、ＮＡ＝０．６５のテスター３を用いて、２．５及び６倍速でＥＦＭ＋変調信号のオーバーライトを行ない、その特性を評価した。
消去パワーＰｅと記録パワーＰｗの比Ｐｅ／Ｐｗは０．２９あるいは０．３０で一定とし、Ｐｗを１５ｍＷ程度から２０ｍＷ程度まで１ｍＷ刻みで変化させ、それぞれの記録パワーでオーバーライト特性を評価した。いずれも１０回オーバーライト後の値で評価した。
【０７３２】
６倍速においては、記録方式ＤＶＤ１−１を適用した。以下ではこれを（記録方式ＤＶＤ１−１ａ）とする。（記録方式ＤＶＤ１−１ａ）は記録パルス分割方法（ＩＩ−Ａ）における独立パラメータをさらに限定した使用法となっている。
（記録方式ＤＶＤ１−１ａ）
ｍが３以上の場合の、偶数マーク長、ｎＴ＝２ｍＴに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間α_ｉＴ及びオフパルス区間β_ｉＴにおけるα_ｉ及びβ_ｉを、次に様に設定した。
Ｔ_ｄ１＋α_１＝２
β_ｉ−１＋α_ｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）、
β_ｍ−１＋α_ｍ＝２
とした。
【０７３３】
一方、ｍが３以上の場合の奇数マーク長、ｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間α_ｉ’Ｔ及びオフパルス区間β_ｉ’Ｔにおけるα_ｉ’及びβ_ｉ’を、以下のように設定した。
Ｔ_ｄ１’＋α_１’＝２
β_１’＋α_２’＝２．３１、ただし、β_１’＝β_１＋Δ_１、
β_ｉ−１’＋α_ｉ’＝２（ｉ＝３〜ｍ−１）、
β_ｍ−１’＋α_ｍ’＝２．５、ただし、α_ｍ’＝α_ｍ＋Δ_ｍ、
とした。
【０７３４】
ここで、Ｔ_ｄ１＝Ｔ_ｄ１’＝１、α_１＝α_１’＝１、β_１＝１．２５、Δ_１＝０．３１、α_ｉ＝α_ｉ’＝αｃ＝０．７５（ｉ＝２〜ｍ−１のｉに対してαｃは一定）、β_ｍ−１＝１．２５、Δ_ｍ−１＝０、Δ_ｍ＝０．５、Δ_ｍｍ＝０．５，α_ｍ＝０．７５、β_ｍ＝β_ｍ’＝０．５で、３以上のｍに対しては一定である。
また、ｍ＝２の場合、４Ｔマークに対しては、Ｔ_ｄ１＝１，α_１＝１、β_１＝１．２５、α_２＝０．７５、β_２＝０．５とし、５Ｔマークに対しては、Ｔ_ｄ１’＝１，α_１’＝１、β_１’＝１．５６、α_２’＝１．２５、β_２’＝０．５とした。
【０７３５】
ｍ＝１、すなわち３Ｔマークに対しては、Ｔ_d1'＝１、α₁'＝１．５、β₁'＝０．５６とした。
一方、２．５倍速記録の場合には、記録方式ＤＶＤ２−１の具体例として、以下の（記録方式ＤＶＤ２−１ａ）を使用した。（記録方式ＤＶＤ２−１ａ）は、記録パルス分割方法（Ｖ）における、独立パラメータの数をさらに限定した使用方法となっている。
（記録方式ＤＶＤ２−１ａ）
ｍが３以上の場合の、偶数マーク長ｎＴ＝２ｍＴに対しては、マークの記録に際して、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間α_iＴ及びオフパルス区間β_iＴにおけるα_i及びβ_iを、
Ｔ_d1＋α₁＝２、
β_i-1＋α_i＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）、
β_m-1＋α_m＝２、
とした。
【０７３６】
一方、ｍが３以上の奇数マーク長がｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔに対しては、マークの記録に際して、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間α_ｉ’Ｔ及びオフパルス区間β_ｉ’Ｔにおけるα_ｉ’及びβ_ｉ’を、
Ｔ_ｄ１’＋α_１’＝２、
β_１’＋α_２’＝２．５６、ただし、β_１’＝β_１＋Δ_１、
β_ｉ−１’＋α_ｉ’＝２（ｉ＝３〜ｍ−１）、
β_ｍ−１’＋α_ｍ’＝２．５７、ただし、α_ｍ’＝α_ｍ＋Δ_ｍ、
とした。
【０７３７】
ここで、Ｔ_ｄ１＝Ｔ_ｄ１’＝１．０６，α_１＝α_１’＝０．９４、β_１＝１．４４、Δ_１＝０．５６、α_ｉ＝α_ｉ’＝αｃ＝０．５６（ｉ＝２〜ｍ−１なるｉに対して、αｃは一定）、β_ｍ−１＝１．４４、Δ_ｍ−１＝０、Δ_ｍ＝０．５７、Δ_ｍｍ＝０．５７、α_ｍ＝０．５６、β_ｍ＝β_ｍ’＝０．５で、３以上のｍに対しては一定である。
【０７３８】
また、ｍ＝２の場合、４Ｔマークに対しては、Ｔ_ｄ１＝１．０６、α_１＝０．９４、β_１＝１．４４、α_２＝０．５６、β_２＝０．５とし、５Ｔマークに対しては、Ｔ_ｄ１’＝１．０６、α_１’＝０．９４、β_１’＝２、α_２’＝１．１３、β_２’＝０．５とした。
３Ｔマークに対しては、Ｔ_ｄ１’＝１．０６、α_１’＝１、β_１’＝１．１３としている。
【０７３９】
なお、各記録方式でのＴ_d1、α_i、β_i等を表−２０にまとめて示す。いずれの記録方式も記録パルス分割方法（ＩＩ−Ａ）又は（Ｖ）に準じているので、ｍが３以上の場合に関しては、記録パルス分割方法（ＩＩ）における、１０個のパラメータ（Ｔ_d1、α₁、β₁、Δ₁、αｃ、β_m-1、Δ_m-1、α_m、Δ_m、β_m）及び、ｎ＝３，４，５におけるＴ_d1、α_i、β_iを記載した。ただし、ｎ＝３の場合の（Ｔ_d1'、α₁'、β₁'）は、Ｔ_d1、α₁、β₁の項に記載した。ｎ＝４の場合の（Ｔ_d1、α₁、β₁、α₂、β₂）及び、ｎ＝５の場合の（Ｔ_d1'、α₁'、β₁'、α₂、'、β₂'）は、Ｔ_d1、α₁、β₁、α_m、β_mの欄に記載した。
【０７４０】
【表２０】

【０７４１】
６倍速における（記録方式ＤＶＤ１−１ａ）の場合の、オーバーライト特性の評価結果を図６４に示す。消去パワーＰｅと記録パワーＰｗの比Ｐｅ／Ｐｗは０．３０とした。Ｐｗを１５ｍＷから２１ｍＷ程度まで１ｍＷ刻みで変化させた。バイアスパワーＰｂは一定０．５ｍＷとしている。
【０７４２】
図６４において（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ、（ａ）ジッタ、（ｂ）変調度ｍ_１４、（ｃ）Ｒ_ｔｏｐのＰｗ依存性を表す。
ジッタが最小となる最適記録パワーは（記録方式ＤＶＤ１−１ａ）では１８−２０ｍＷである。
図６４（ａ）より、全てのＰｗにおいて１倍速再生時のジッタが１５％以下となっていることがわかる。さらに、図６４（ａ）の図中の横線は１倍速再生時のジッタ＝１０％を示しているが、最適Ｐｗ付近におけるジッタ値は１０％以下となった。
【０７４３】
図６４（ｂ）、（ｃ）から、変調度ｍ_１４は５５％〜８０％（０．５５〜０．８）、Ｒ_ｔｏｐは１８〜３０％の値が得られていることがわかる。
２．５倍速における（記録方式ＤＶＤ２−１ａ）ついて図６５に示す。消去パワーＰｅと記録パワーＰｗの比Ｐｅ／Ｐｗは０．２９で一定とし、Ｐｗを１２ｍＷ程度から１８ｍＷ程度まで１ｍＷ刻みで変化させた。バイアスパワーＰｂは０．５Ｗで一定である。
【０７４４】
図６５（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ（ａ）ジッタ、（ｂ）変調度ｍ_１４、（ｃ）Ｒ_ｔｏｐ、のＰｗ依存性を表す。
最適記録パワーは２．５倍速記録では１５〜１７ｍＷ付近である。
図６５（ａ）より、全てのＰｗにおいて１倍速再生時のジッタが１５％以下となっていることがわかる。さらに、図６５（ａ）の図中の横線は１倍速再生時のジッタ＝１０％を示しているが、最適Ｐｗ付近におけるジッタ値は１０％以下となった。
【０７４５】
また、図６５（ｂ）、（ｃ）から、変調度ｍ_１４は５５％〜８０％（０．５５〜０．８）、Ｒ_ｔｏｐは１８〜３０％の値が得られていることがわかる。
また、いずれの場合も、アシンメトリーは、−５〜＋１０％の範囲内であった。
以上まとめると、２．５、６倍速においては良好な記録特性が得られており、本発明記録媒体及び記録パルス分割方式記録パルス方法（ＩＩ−Ａ）又は（Ｖ）を適用すれば、この間の線速においても良好な特性が得られる。
【０７４６】
さらに、各線速における消去比を測定した。２．５倍速においては、（記録方式ＤＶＤ２−１ａ）の３Ｔ、１４Ｔのパルスを用い、６倍速においては（記録方式ＤＶＤ１−１ａ）の３Ｔ、１４Ｔのパルスを用いて、３Ｔ／１４Ｔオーバーライト消去比を測定した。２．５倍速、６倍速での３Ｔ／１４Ｔオーバーライト消去比は、それぞれ２８ｄＢ、２５ｄＢとなり、それぞれの線速において十分な消去比が得られた。
【０７４７】
また、（記録方式ＤＶＤ１−１ａ）を用い、６倍速で記録を行ったディスクを１０５℃の加速試験に投入したところ、３時間経過しても記録済み信号の劣化はほとんど見られなかった。ジッタは１倍速再生で１０％以下であり、反射率Ｒ_ｔｏｐ、変調度ｍ_１４もほとんど低下しておらず、初期値の９０％以上を維持していた。
（実施例１７）
上記基本例において、下記のようにしてディスクを製造し記録を行なった。
【０７４８】
基板上に、（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０からなる下部保護層を８０ｎｍ、Ｉｎ_３Ｇｅ_３Ｓｂ_８１Ｔｅ_１３（Ｉｎ_０．０３Ｇｅ_０．０３（Ｓｂ_０．８６Ｔｅ_０．１４）_０．９４）からなる記録層を１３．５ｎｍ、（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０からなる上部保護層を２０ｎｍ、Ｔａからなる界面層を５ｎｍ、Ａｇからなる反射層を１４０ｎｍ、紫外線硬化樹脂層を約４μｍ、をこの順に形成し、ディスクを作製した。このＡｇ反射層の体積抵抗率ρ_ｖは２８ｎΩ・ｍ、面積抵抗率ρ_ｓは約０．２Ω／□であった。初期化は、長軸約１５０μｍ、短軸約１．０μｍの楕円形スポット形状を有する波長約８１０ｎｍのレーザーダイオード光を短軸方向に線速約４ｍ／ｓで走査して行なった。照射パワーは１２００ｍＷである。
【０７４９】
このディスクに、ＮＡ＝０．６５のテスター３を用いて、２．５及び６倍速でＥＦＭ＋変調信号のオーバーライトを行ない、その特性を評価した。
消去パワーＰｅと記録パワーＰｗの比Ｐｅ／Ｐｗは０．３３あるいは０．３９で一定とし、Ｐｗを１５ｍＷ程度から２０ｍＷ程度まで１ｍＷ刻みで変化させ、それぞれの記録パワーでオーバーライト特性を評価した。いずれも１０回オーバーライト後の値で評価した。
【０７５０】
６倍速においては、記録方式ＤＶＤ１−２を適用し、これを（記録方式ＤＶＤ１−２ａ）とする。これは記録パルス分割方法（ＩＩＩ−Ａ）における独立パラメータをさらに限定した使用法となっている。
（記録方式ＤＶＤ１−２ａ）
ｍが３以上の場合の、偶数マーク長、ｎＴ＝２ｍＴに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間α_ｉＴ及びオフパルス区間β_ｉＴにおけるα_ｉ及びβ_ｉを、次に様に設定した。
Ｔ_ｄ１＋α_１＝２
β_ｉ−１＋α_ｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ）、
とした。
【０７５１】
一方、ｍが３以上の場合の奇数マーク長、ｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間α_ｉ’Ｔ及びオフパルス区間β_ｉ’Ｔにおけるα_ｉ’及びβ_ｉ’を、以下のように設定した。
Ｔ_ｄ１’＋α_１’＝２
β_ｉ−１’＋α_ｉ’＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）、
β_ｍ−１’＋α_ｍ’＝２．８１２５、ただし、β_ｍ−１’＝β_ｍ−１＋Δ_ｍ−１、α_ｍ’＝α_ｍ＋Δ_ｍ、
とした。
【０７５２】
ここで、Ｔ_ｄ１＝Ｔ_ｄ１’＝０．７５、α_１＝α_１’＝１．２５、α_ｉ＝α_ｉ’＝αｃ＝１．２（ｉ＝２〜ｍ−１のｉに対してαｃは一定）、β_ｍ−１＝０．８、Δ_ｍ−１＝０．５，Δ_ｍ＝０．３１２５、Δ_ｍｍ＝０．８１２５，α_ｍ＝１．２、β_ｍ＝β_ｍ’＝０．１２５で、３以上のｍに対しては一定である。
また、ｍ＝２の場合、４Ｔマークに対しては、Ｔ_ｄ１＝０．７５，α_１＝１．２５、β_１＝０．８、α_２＝１．２５、β_２＝０．１２５とし、５Ｔマークに対しては、Ｔ_ｄ１’＝０．７５，α_１’＝１．２５、β_１’＝１．１８７５、α_２’＝１．５６２５、β_２’＝０．１２５とした。
【０７５３】
ｍ＝１、すなわち３Ｔマークに対しては、Ｔ_d1'＝０．８１２５、α₁'＝１．６２５、β₁'＝０．３７５とした。
一方、２．５倍速記録の場合には、記録方式ＤＶＤ２−２の具体例として、以下の（記録方式ＤＶＤ２−２ａ）を使用した。（記録方式ＤＶＤ２−２ａ）は、記録パルス分割方法（ＶＩ）における、独立パラメータの数をさらに限定した使用方法となっている。
（記録方式ＤＶＤ２−２ａ）
ｍが３以上の場合の、偶数マーク長ｎＴ＝２ｍＴに対しては、マークの記録に際して、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間α_iＴ及びオフパルス区間β_iＴにおけるα_i及びβ_iを、
Ｔ_d1＋α₁＝２、
β_i-1＋α_i＝２（ｉ＝２〜ｍ）、
とした。
【０７５４】
一方、ｍが３以上の奇数マーク長がｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔに対しては、マークの記録に際して、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間α_ｉ’Ｔ及びオフパルス区間β_ｉ’Ｔにおけるα_ｉ’及びβ_ｉ’を、
Ｔ_ｄ１’＋α_１’＝２
β_ｉ−１’＋α_ｉ’＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）
β_ｍ−１’＋α_ｍ’＝２．８７５、ただし、β_ｍ−１’＝β_ｍ−１＋Δ_ｍ−１、α_ｍ’＝α_ｍ＋Δ_ｍ，
とした。
【０７５５】
ここで、Ｔ_ｄ１＝Ｔ_ｄ１’＝１．３７５，α_１＝α_１’＝０．６２５、α_ｉ＝α_ｉ’＝αｃ＝０．６２５（ｉ＝２〜ｍ−１なるｉに対して、αｃは一定）、β_ｍ−１＝１．３７５、Δ_ｍ−１＝０．４３７５、Δ_ｍ＝０．４３７５，Δ_ｍｍ＝０．８７５、α_ｍ＝０．６２５、β_ｍ＝β_ｍ’＝０．７５で、３以上のｍに対しては一定である。
【０７５６】
また、ｍ＝２の場合、４Ｔマークに対しては、Ｔ_ｄ１＝１．３７５、α_１＝０．６２５、β_１＝１．３１２５、α_２＝０．６２５、β_２＝０．７５とし、５Ｔマークに対しては、Ｔ_ｄ１’＝１．３７５、α_１’＝０．６２５、β_１’＝１．９３７５、α_２’＝１．０、β_２’＝０．７５とした。
３Ｔマークに対しては、Ｔ_ｄ１’＝１．４３７５、α_１’＝１．２５、β_１’＝１としている。
【０７５７】
なお、各記録方式でのＴ_d1、α_i、β_i等を表−２１にまとめて示す。いずれの記録方式も記録パルス分割方法（ＩＩＩ）準じているので、ｍが３以上の場合に関しては、記録パルス分割方法（ＩＩＩ）における、９個のパラメータ（Ｔ_d1、α₁、β₁、αｃ、β_m-1、Δ_m-1、α_m、Δ_m、β_m）及び、ｎ＝３，４，５におけるＴ_d1、α_i、β_iを記載した。ただし、ｎ＝３の場合の（Ｔ_d1'、α₁'、β₁'）は、Ｔ_d1、α₁、β_mの項に記載した。ｎ＝４の場合の（Ｔ_d1、α₁、β₁、α₂、β₂）及び、ｎ＝５の場合の（Ｔ_d1'、α₁'、β₁'、α₂、'、β₂'）は、Ｔ_d1、α₁、β₁、α_m、β_mの欄に記載した。
【０７５８】
【表２１】

【０７５９】
６倍速における（記録方式ＤＶＤ１−２ａ）の場合の、オーバーライト特性の評価結果を図６６に示す。消去パワーＰｅと記録パワーＰｗの比Ｐｅ／Ｐｗは記録方式１’では０．３４とした。Ｐｗを１５ｍＷから２０ｍＷ程度まで１ｍＷ刻みで変化させた。バイアスパワーＰｂは一定０．５ｍＷとしている。
【０７６０】
図６６において（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ、（ａ）ジッタ、（ｂ）変調度ｍ₁₄、（ｃ）Ｒ_topのＰｗ依存性を表す。
ジッタが最小となる最適記録パワーは（記録方式ＤＶＤ１−２ａ）では１７−１９ｍＷである。
図６６（ａ）より、全てのＰｗにおいて１倍速再生時のジッタが１５％以下となっていることがわかる。さらに、図６６（ａ）の図中の横線は１倍速再生時のジッタ＝１０％を示しているが、最適Ｐｗ付近におけるジッタ値は１０％以下となった。
【０７６１】
図６６（ｂ）、（ｃ）から、変調度ｍ_１４は５５％〜８０％（０．５５〜０．８）、Ｒ_ｔｏｐは１８〜３０％の値が得られていることがわかる。
２．５倍速における（記録方式ＤＶＤ２−２ａ）ついて図６７に示す。消去パワーＰｅと記録パワーＰｗの比Ｐｅ／Ｐｗは０．３０で一定とし、Ｐｗを１５ｍＷ程度から２１ｍＷ程度まで１ｍＷ刻みで変化させた。バイアスパワーＰｂは０．５Ｗで一定である。
【０７６２】
図６７（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ（ａ）ジッタ、（ｂ）変調度ｍ_１４、（ｃ）Ｒ_ｔｏｐ、のＰｗ依存性を表す。最適記録パワーは２．５倍速記録では１７〜２０ｍＷ付近であり、オーバーライト特性もこのパワーにおける値で評価される。
図６７（ａ）より、全てのＰｗにおいて１倍速再生時のジッタが１５％以下となっていることがわかる。さらに、図６７（ａ）の図中の横線は１倍速再生時のジッタ＝１０％を示しているが、最適Ｐｗ付近におけるジッタ値は１０％以下となった。
【０７６３】
また、図６７（ｂ）、（ｃ）から、変調度ｍ_１４は５５％〜８０％（０．５５〜０．８）、Ｒ_ｔｏｐは１８〜３０％の値が得られていることがわかる。
また、いずれの場合もアシンメトリーは−５〜＋１５％の範囲内であった。
以上まとめると、２．５、６倍速においては良好な記録特性が得られている。また、この間の線速においてもパルスを調整することによって良好な特性がえられる。
【０７６４】
さらに、各線速における消去比を測定した。２．５倍速においては、（記録方式ＤＶＤ２−２ａ）の３Ｔ、１４Ｔのパルスを用い、６倍速においては（記録方式ＤＶＤ１−２ａ）の３Ｔ、１４Ｔのパルスを用いて、３Ｔ／１４Ｔオーバーライト消去比を測定した。２．５倍速、６倍速で３Ｔ／１４Ｔオーバーライト消去比は、それぞれ２９ｄＢ、２６ｄＢとなり、それぞれの線速において十分な消去比が得られている。
【０７６５】
また、（記録方式ＤＶＤ１−２ａ）を用い、６倍速で記録を行ったディスクを１０５℃の加速試験に投入したところ、３時間経過しても記録済み信号の劣化はほとんど見られなかった。ジッタは、２〜３％増加したが１倍速再生で１５％以下であり、反射率Ｒ_ｔｏｐ、変調度ｍ_１４もほとんど低下しておらず、初期値の９０％を少し下回る程度を維持していた。
（実施例１８）
上記基本例において、下記のようにしてディスクを製造し記録を行なった。
【０７６６】
基板上に、（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０からなる下部保護層を７８ｎｍ、Ｇｅ_１１．８Ｓｂ_５８．８Ｓｎ_２４．５Ｔｅ_４．９（Ｔｅ_０．０５Ｓｎ_０．２５（Ｇｅ_０．１７Ｓｂ_０．８３）_０．７０）からなる記録層を１２ｎｍ、（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０からなる上部保護層を２０ｎｍ、Ｔａからなる界面層を２ｎｍ、Ａｇからなる反射層を２００ｎｍ、紫外線硬化樹脂層を約４μｍ、をこの順に形成し、ディスクを作製した。このＡｇ反射層の体積抵抗率ρ_ｖは２８ｎΩ・ｍ、面積抵抗率ρ_ｓは約０．１４Ω／□であった。初期化は、長軸約７５μｍ、短軸約１．０μｍの楕円形スポット形状を有する波長約８１０ｎｍのレーザーダイオード光を短軸方向に線速約８ｍ／ｓで走査して行なった。照射パワーは７００ｍＷである。
【０７６７】
このディスクに、ＮＡ＝０．６５のテスター３を用いて、３及び８倍速でＥＦＭ＋変調信号のオーバーライトを１０回行ない、その特性を評価した。
８倍速においては、記録方式ＤＶＤ１−２を適用し、これを（記録方式ＤＶＤ１−２ｂ）とする。これは記録パルス分割方法（ＩＩＩ−Ａ）における独立パラメータをさらに限定した使用法となっている。
（記録方式ＤＶＤ１−２ｂ）
ｍが３以上の場合の、偶数マーク長、ｎＴ＝２ｍＴに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間α_ｉＴ及びオフパルス区間β_ｉＴにおけるα_ｉ及びβ_ｉを、次に様に設定した。
Ｔ_ｄ１＋α_１＝２
β_ｉ−１＋α_ｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ）、
とした。
【０７６８】
一方、ｍが３以上の場合の奇数マーク長、ｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間α_ｉ’Ｔ及びオフパルス区間β_ｉ’Ｔにおけるα_ｉ’及びβ_ｉ’を、以下のように設定した。
Ｔ_ｄ１’＋α_１’＝２
β_ｉ−１’＋α_ｉ’＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）、
β_ｍ−１’＋α_ｍ’＝２．５６２５、ただし、β_ｍ−１’＝β_ｍ−１＋Δ_ｍ−１、α_ｍ’＝α_ｍ＋Δ_ｍ、
とした。
【０７６９】
ここで、Ｔ_ｄ１＝Ｔ_ｄ１’＝０．８７５、α_１＝α_１’＝１．１２５、α_ｉ＝α_ｉ’＝αｃ＝０．８１２５（ｉ＝２〜ｍ−１のｉに対してαｃは一定）、β_ｍ−１＝１．１８７５、Δ_ｍ−１＝０．１２５，Δ_ｍ＝０．４３７５、Δ_ｍｍ＝０．５６２５，α_ｍ＝０．８１２５、β_ｍ＝β_ｍ’＝０．３７５で、３以上のｍに対しては一定である。
【０７７０】
また、ｍ＝２の場合、４Ｔマークに対しては、Ｔ_ｄ１＝０．８７５，α_１＝１．１２５、β_１＝１．１８７５、α_２＝０．８１２５、β_２＝０．３７５とし、５Ｔマークに対しては、Ｔ_ｄ１’＝０．８７５，α_１’＝１．１２５、β_１’＝１．３１２５、α_２’＝１．２５、β_２’＝０．３７５とした。
ｍ＝１、すなわち３Ｔマークに対しては、Ｔ_ｄ１’＝０．８７５、α_１’＝１．５６２５、β_１’＝０．５とした。
【０７７１】
一方、３倍速記録の場合には、記録方式ＤＶＤ２−２の具体例として、以下の（記録方式ＤＶＤ２−２ｂ）を使用した。（記録方式ＤＶＤ２−２ｂ）は、記録パルス分割方法（ＶＩ）における、独立パラメータの数をさらに限定した使用方法となっている。
（記録方式ＤＶＤ２−２ｂ）
ｍが３以上の場合の、偶数マーク長ｎＴ＝２ｍＴに対しては、マークの記録に際して、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間α_iＴ及びオフパルス区間β_iＴにおけるα_i及びβ_iを、
Ｔ_d1＋α₁＝２、
β_i-1＋α_i＝２（ｉ＝２〜ｍ）、
とした。
【０７７２】
一方、ｍが３以上の奇数マーク長がｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔに対しては、マークの記録に際して、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間α_ｉ’Ｔ及びオフパルス区間β_ｉ’Ｔにおけるα_ｉ’及びβ_ｉ’を、
Ｔ_ｄ１’＋α_１’＝２
β_ｉ−１’＋α_ｉ’＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）
β_ｍ−１’＋α_ｍ’＝３、ただし、β_ｍ―１’＝β_ｍ―１＋Δ_ｍ−１、α_ｍ’＝α_ｍ＋Δ_ｍ、
とした。
【０７７３】
ここで、Ｔ_ｄ１＝Ｔ_ｄ１’＝１．０６２５，α_１＝α_１’＝０．９３７５、α_ｉ＝α_ｉ’＝αｃ＝０．５６２５（ｉ＝２〜ｍ−１なるｉに対して、αｃは一定）、β_ｍ−１＝１．４３７５、Δ_ｍ−１＝０．６８７５、Δ_ｍ＝０．３１２５，Δ_ｍｍ＝１、α_ｍ＝０．５６２５、β_ｍ＝β_ｍ’＝０．５で、３以上のｍに対しては一定である。
【０７７４】
また、ｍ＝２の場合、４Ｔマークに対しては、Ｔ_ｄ１＝１．０６２５、α_１＝０．９３７５、β_１＝１．４３７５、α_２＝０．５６２５、β_２＝０．５とし、５Ｔマークに対しては、Ｔ_ｄ１’＝１．０６２５、α_１’＝０．９３７５、β_１’＝２．１２５、α_２’＝０．８７５、β_２’＝０．５とした。
３Ｔマークに対しては、Ｔ_ｄ１’＝１．０６２５、α_１’＝１．１２５、β_１’＝１としている。
【０７７５】
なお、各記録方式でのＴ_d1、α_i、β_i等を表−２２にまとめて示す。いずれの記録方式も記録パルス分割方法（ＩＩＩ）準じているので、ｍが３以上の場合に関しては、記録パルス分割方法（ＩＩＩ）における、９個のパラメータ（Ｔ_d1、α₁、β₁、αｃ、β_m-1、Δ_m-1、α_m、Δ_m、β_m）及び、ｎ＝３，４，５におけるＴ_d1、α_i、β_iを記載した。ただし、ｎ＝３の場合の（Ｔ_d1'、α₁'、β₁'）は、Ｔ_d1、α₁、β_mの項に記載した。ｎ＝４の場合の（Ｔ_d1、α₁、β₁、α₂、β₂）及び、ｎ＝５の場合の（Ｔ_d1'、α₁'、β₁'、α₂、'、β₂'）は、Ｔ_d1、α₁、β₁、α_m、β_mの欄に記載した。
【０７７６】
【表２２】

【０７７７】
８倍速における（記録方式ＤＶＤ１−２ｂ）の場合の、オーバーライト特性の評価結果を図６８に示す。消去パワーＰｅと記録パワーＰｗの比Ｐｅ／Ｐｗは（記録方式ＤＶＤ１−２ｂ）では０．２４とした。Ｐｗを１８ｍＷから２５ｍＷまで１ｍＷ刻みで変化させた。バイアスパワーＰｂは一定０．５ｍＷとしている。
【０７７８】
図６８において（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ、（ａ）ジッタ、（ｂ）変調度ｍ₁₄、（ｃ）Ｒ_topのＰｗ依存性を表す。
ジッタが最小となる最適記録パワーは（記録方式ＤＶＤ１−２ｂ）では２２−２５ｍＷである。
図６８（ａ）より、全てのＰｗにおいて１倍速再生時のジッタが１５％以下となっていることがわかる。さらに、図６８（ａ）の図中の横線は１倍速再生時のジッタ＝１０％を示しているが、最適Ｐｗ付近におけるジッタ値は１０％以下となった。
【０７７９】
図６８（ｂ）、（ｃ）から、変調度ｍ_１４は５５％〜８０％（０．５５〜０．８）、Ｒ_ｔｏｐは１８〜３０％の値が得られていることがわかる。
３倍速における（記録方式ＤＶＤ２−２ｂ）ついて図６９に示す。消去パワーＰｅと記録パワーＰｗの比Ｐｅ／Ｐｗは０．２５で一定とし、Ｐｗを１４ｍＷ程度から２０ｍＷまで１ｍＷ刻みで変化させた。バイアスパワーＰｂは０．５Ｗで一定である。
【０７８０】
図６９（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ（ａ）ジッタ、（ｂ）変調度ｍ_１４、（ｃ）Ｒ_ｔｏｐ、のＰｗ依存性を表す。最適記録パワーは３倍速記録では１７〜２０ｍＷ付近である。
図６９（ａ）より、全てのＰｗにおいて１倍速再生時のジッタが１５％以下となっていることがわかる。さらに、図６９（ａ）の図中の横線は１倍速再生時のジッタ＝１０％を示しているが、最適Ｐｗ付近におけるジッタ値は１０％以下となった。
【０７８１】
また、図６９（ｂ）、（ｃ）から、変調度ｍ_１４は５５％〜８０％（０．５５〜０．８）、Ｒ_ｔｏｐは１８〜３０％の値が得られていることがわかる。
また、いずれの場合もアシンメトリーは−５〜＋１０％の範囲内であった。
以上まとめると、３、８倍速においては良好な記録特性が得られている。また、この間の線速においてもパルスを調整することによって良好な特性がえられる。
【０７８２】
さらに、各線速における消去比を測定した。３倍速においては、（記録方式ＤＶＤ２−２ｂ）の３Ｔ、１４Ｔのパルスを用い、８倍速においては（記録方式ＤＶＤ１−２ｂ）の３Ｔ、１４Ｔのパルスを用いて、３Ｔ／１４Ｔオーバーライト消去比を測定した。３倍速、８倍速で３Ｔ／１４Ｔオーバーライト消去比は、ぞれぞれ２９ｄＢ、２６ｄＢとなり、それぞれの線速において十分な消去比が得られている。
【０７８３】
また、（記録方式ＤＶＤ１−２ｂ）を用い、８倍速で記録を行ったディスクを１０５℃の加速試験に投入したところ、３時間経過しても記録済み信号の劣化はほとんど見られなかった。ジッタは１倍速再生で１０％以下であり、反射率Ｒ_ｔｏｐ、変調度ｍ_１４もほとんど低下しておらず、初期値の９０％以上を維持していた。
（実施例１９）
上記基本例において、下記のようにしてディスクを製造し記録を行なった。
【０７８４】
基板上に、（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０からなる下部保護層を８０ｎｍ、Ｇｅ_７．７Ｉｎ_１０．１Ｓｂ_６３．６Ｓｎ_１３．８Ｔｅ_４．８（Ｉｎ_０．１Ｓｎ_０．１４Ｔｅ_０．０５（Ｇｅ_０．１１Ｓｂ_０．８９）_０．７１）からなる記録層を１３ｎｍ、（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０からなる上部保護層を２０ｎｍ、Ｔａからなる界面層を２ｎｍ、Ａｇからなる反射層を２００ｎｍ、紫外線硬化樹脂層を約４μｍ、をこの順に形成し、ディスクを作製した。
【０７８５】
このＡｇ反射層の体積抵抗率ρ_ｖは２８ｎΩ・ｍ、面積抵抗率ρ_ｓは約０．１４Ω／□であった。初期化は、長軸約７５μｍ、短軸約１．０μｍの楕円形スポット形状を有する波長約８１０ｎｍのレーザーダイオード光を短軸方向に線速約１２ｍ／ｓで走査して行なった。照射パワーは９００ｍＷである。
このディスクに、ＮＡ＝０．６５のテスター３を用いて、４、１０及び１２倍速でＥＦＭ＋変調信号のオーバーライトを１０回行ない、その特性を評価した。
【０７８６】
１０倍速においては、記録方式ＤＶＤ１−２を適用し、これを（記録方式ＤＶＤ１−２ｃ）とする。これは記録パルス分割方法（ＩＩＩ−Ａ）における独立パラメータをさらに限定した使用法となっている。
（記録方式ＤＶＤ１−２ｃ）
ｍが３以上の場合の、偶数マーク長、ｎＴ＝２ｍＴに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間α_ｉＴ及びオフパルス区間β_ｉＴにおけるα_ｉ及びβ_ｉを、次に様に設定した。
Ｔ_ｄ１＋α_１＝２
β_ｉ−１＋α_ｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ）、
とした。
【０７８７】
一方、ｍが３以上の場合の奇数マーク長、ｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間α_ｉ’Ｔ及びオフパルス区間β_ｉ’Ｔにおけるα_ｉ’及びβ_ｉ’を、以下のように設定した。
Ｔ_ｄ１’＋α_１’＝２
β_ｉ−１’＋α_ｉ’＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）、
β_ｍ−１’＋α_ｍ’＝２．４７、ただし、β_ｍ−１’＝β_ｍ−１＋Δ_ｍ−１、α_ｍ’＝α_ｍ＋Δ_ｍ、
とした。
【０７８８】
ここで、Ｔ_ｄ１＝Ｔ_ｄ１’＝１、α_１＝α_１’＝１、α_ｉ＝α_ｉ’＝αｃ＝０．８（ｉ＝２〜ｍ−１のｉに対してαｃは一定）、β_ｍ−１＝１．２、Δ_ｍ−１＝０．２，Δ_ｍ＝０．２７、Δ_ｍｍ＝０．４７，α_ｍ＝０．８、β_ｍ＝β_ｍ’＝０．６で、３以上のｍに対しては一定である。
また、ｍ＝２の場合、４Ｔマークに対しては、Ｔ_ｄ１＝１，α_１＝１、β_１＝１．２、α_２＝０．８、β_２＝０．６とし、５Ｔマークに対しては、Ｔ_ｄ１’＝１、α_１’＝１、β_１’＝１．２７、α_２’＝１．１３、β_２’＝０．６とした。
【０７８９】
ｍ＝１、すなわち３Ｔマークに対しては、Ｔ_ｄ１’＝１．２、α_１’＝１．０７、β_１’＝０．８とした。
また、１２倍速においても、記録方式ＤＶＤ１−２を適用し、これを（記録方式ＤＶＤ１−２ｄ）とする。これは記録パルス分割方法（ＩＩＩ−Ａ）における独立パラメータをさらに限定した使用法となっている。
（記録方式ＤＶＤ１−２ｄ）
ｍが３以上の場合の、偶数マーク長、ｎＴ＝２ｍＴに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間α_ｉＴ及びオフパルス区間β_ｉＴにおけるα_ｉ及びβ_ｉを、次に様に設定した。
Ｔ_ｄ１＋α_１＝２
β_ｉ−１＋α_ｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ）、
とした。
【０７９０】
一方、ｍが３以上の場合の奇数マーク長、ｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間α_ｉ’Ｔ及びオフパルス区間β_ｉ’Ｔにおけるα_ｉ’及びβ_ｉ’を、以下のように設定した。
Ｔ_ｄ１’＋α_１’＝２
β_ｉ−１’＋α_ｉ’＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）、
β_ｍ−１’＋α_ｍ’＝２．５、ただし、β_ｍ−１’＝β_ｍ−１＋Δ_ｍ−１、α_ｍ’＝α_ｍ＋Δ_ｍ、
とした。
【０７９１】
ここで、Ｔ_ｄ１＝Ｔ_ｄ１’＝０．９２、α_１＝α_１’＝１．０８、α_ｉ＝α_ｉ’＝αｃ＝０．８３（ｉ＝２〜ｍ−１のｉに対してαｃは一定）、β_ｍ−１＝１．１７、Δ_ｍ−１＝０．２５、Δ_ｍ＝０．２５、Δ_ｍｍ＝０．５，α_ｍ＝０．８３、β_ｍ＝β_ｍ’＝０．７５で、３以上のｍに対しては一定である。
また、ｍ＝２の場合、４Ｔマークに対しては、Ｔ_ｄ１＝０．９２，α_１＝１．０８、β_１＝１．１７、α_２＝０．８３、β_２＝０．７５とし、５Ｔマークに対しては、Ｔ_ｄ１’＝０．９２、α_１’＝１．０８、β_１’＝１．２８、α_２’＝１．１４、β_２’＝０．７５とした。
【０７９２】
ｍ＝１、すなわち３Ｔマークに対しては、Ｔ_d1'＝１．１７、α₁'＝１．０８、β₁'＝０．６７とした。
一方、４倍速記録の場合には、記録方式ＤＶＤ２−２の具体例として、以下の（記録方式ＤＶＤ２−２ｃ）を使用した。（記録方式ＤＶＤ２−２ｃ）は、記録パルス分割方法（ＶＩ）における、独立パラメータの数をさらに限定した使用方法となっている。
（記録方式ＤＶＤ２−２ｃ）
ｍが３以上の場合の、偶数マーク長ｎＴ＝２ｍＴに対しては、マークの記録に際して、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間α_iＴ及びオフパルス区間β_iＴにおけるα_i及びβ_iを、
Ｔ_d1＋α₁＝２、
β_i-1＋α_i＝２（ｉ＝２〜ｍ）、
とした。
【０７９３】
一方、ｍが３以上の奇数マーク長がｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔに対しては、マークの記録に際して、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間α_ｉ’Ｔ及びオフパルス区間β_ｉ’Ｔにおけるα_ｉ’及びβ_ｉ’を、
Ｔ_ｄ１’＋α_１’＝２
β_ｉ−１’＋α_ｉ’＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）
β_ｍ−１’＋α_ｍ’＝２．８８、ただし、β_ｍ−１’＝β_ｍー１＋Δ_ｍ−１、α_ｍ’＝α_ｍ＋Δ_ｍ、
とした。
【０７９４】
ここで、Ｔ_ｄ１＝Ｔ_ｄ１’＝１．４４，α_１＝α_１’＝０．５６、α_ｉ＝α_ｉ’＝αｃ＝０．５６（ｉ＝２〜ｍ−１なるｉに対して、αｃは一定）、β_ｍ−１＝１．４４、Δ_ｍ−１＝０．５６、Δ_ｍ＝０．３２，Δ_ｍｍ＝０．８８、α_ｍ＝０．５６、β_ｍ＝β_ｍ’＝０．６９で、３以上のｍに対しては一定である。
また、ｍ＝２の場合、４Ｔマークに対しては、Ｔ_ｄ１＝１．４４、α_１＝０．５６、β_１＝１．４４、α_２＝０．５６、β_２＝０．６９とし、５Ｔマークに対しては、Ｔ_ｄ１’＝１．４４、α_１’＝０．５６、β_１’＝２、α_２’＝０．８８、β_２’＝０．６９とした。
【０７９５】
３Ｔマークに対しては、Ｔ_d1'＝１．４４、α₁'＝１．１９、β₁'＝０．８８としている。
なお、各記録方式でのＴ_d1、α_i、β_i等を表−２３にまとめて示す。いずれの記録方式も記録パルス分割方法（ＩＩＩ）準じているので、ｍが３以上の場合に関しては、記録パルス分割方法（ＩＩＩ）における、９個のパラメータ（Ｔ_d1、α₁、β₁、αｃ、β_m-1、Δ_m-1、α_m、Δ_m、β_m）及び、ｎ＝３，４，５におけるＴ_d1、α_i、β_iを記載した。Δ_m'は、本実施例ではゼロとしているために省略した。また、ｎ＝３の場合の（Ｔ_d1'、α₁'、β₁'）は、Ｔ_d1、α₁、β_mの項に記載した。ｎ＝４の場合の（Ｔ_d1、α₁、β₁、α₂、β₂）及び、ｎ＝５の場合の（Ｔ_d1'、α₁'、β₁'、α₂'、β₂'）は、Ｔ_d1、α₁、β₁、α_m、β_mの欄に記載した。
【０７９６】
【表２３】

【０７９７】
１０倍速における（記録方式ＤＶＤ１−２ｃ）の場合の、オーバーライト特性の評価結果を図７０に示す。消去パワーＰｅと記録パワーＰｗの比Ｐｅ／Ｐｗは（記録方式ＤＶＤ１−２ｃ）では０．２２とした。Ｐｗを２２ｍＷから２７ｍＷまで１ｍＷ刻みで変化させた。バイアスパワーＰｂは一定０．５ｍＷとしている。
【０７９８】
図７０において（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ、（ａ）クロックジッタ、（ｂ）変調度ｍ_１４、（ｃ）Ｒ_ｔｏｐのＰｗ依存性を表す。
ジッタが最小となる最適記録パワーは（記録方式ＤＶＤ１−２ｃ）では２４−２６ｍＷ付近である。
図７０（ａ）より、全てのＰｗにおいて１倍速再生時のジッタが１５％以下となっていることがわかる。
【０７９９】
また、図７０の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）から、最適記録パワーにおいてクロックジッタは１２％以下、変調度ｍ_１４は５５％〜８０％（０．５５〜０．８）、Ｒ_ｔｏｐは１８〜３０％の値が得られていることがわかる。
１２倍速における（記録方式ＤＶＤ１−２ｄ）の場合の、オーバーライト特性の評価結果を図７１に示す。消去パワーＰｅと記録パワーＰｗの比Ｐｅ／Ｐｗは（記録方式ＤＶＤ１−２ｄ）では０．２とした。Ｐｗを２３ｍＷから２８ｍＷまで１ｍＷ刻みで変化させた。バイアスパワーＰｂは一定０．５ｍＷとしている。
【０８００】
図７１において（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ、（ａ）クロックジッタ、（ｂ）変調度ｍ_１４、（ｃ）Ｒ_ｔｏｐのＰｗ依存性を表す。
ジッタが最小となる最適記録パワーは（記録方式ＤＶＤ１−２ｄ）では２６−２７ｍＷ付近である。
図７１の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）から、最適記録パワーにおいてクロックジッタは１５％以下、変調度ｍ_１４は５５％〜８０％（０．５５〜０．８）、Ｒ_ｔｏｐは１８〜３０％の値が得られていることがわかる。なお、１２倍速における、クロックジッタが１２％を越えているのは、測定に用いたテスタ３の記録パルスの立ち上がり、たち下がりが２ｎｓｅｃ弱と、基準クロック周期約３．２ｎｓｅｃに比べて大きめであるためであり、立ち上がりたち下がり時間が１ｎｓｅｃ程度となれば、１２％程度に低減することができる。この立ち上がりたち下がり時間１ｎｓｅｃ程度というのは、今日十分実現可能な値である。
【０８０１】
４倍速における（記録方式ＤＶＤ２−２ｃ）の場合の、オーバーライト特性の評価結果を図７２に示す。消去パワーＰｅと記録パワーＰｗの比Ｐｅ／Ｐｗは０．２５で一定とし、Ｐｗを１４ｍＷから２０ｍＷまで１ｍＷ刻みで変化させた。バイアスパワーＰｂは０．５Ｗで一定である。
図７２（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ（ａ）クロックジッタ、（ｂ）変調度ｍ_１４、（ｃ）Ｒ_ｔｏｐ、のＰｗ依存性を表す。最適記録パワーは４倍速記録では１７〜２０ｍＷ付近である。
【０８０２】
図７２の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）から、最適記録パワーにおいてクロックジッタは１１％以下、変調度ｍ_１４は５５％〜８０％（０．５５〜０．８）、Ｒ_ｔｏｐは１８〜３０％の値が得られていることがわかる。
以上まとめると、４、１０、１２倍速においては良好な記録特性が得られている。また、この間の線速においてもパルスを調整することによって良好な特性がえられる。
【０８０３】
さらに、各線速における消去比を測定した。表−２３の記録パルス分割方法の３Ｔ、１４Ｔのパルスを用い、３Ｔ／１４Ｔオーバーライト消去比を測定すると、それぞれ２５ｄＢ以上となり、それぞれの線速において、十分な消去比が得られている。
また、表−２３の（記録方式ＤＶＤ１−２ｃ）を用い、１０倍速で記録を行ったディスクを１０５℃の加速試験に投入したところ、３時間経過しても記録済み信号の劣化はほとんど見られなかった。ジッタは１倍速再生で１２％以下であり、反射率Ｒ_ｔｏｐ、変調度ｍ_１４もほとんど低下しておらず、初期値の９０％以上を維持していた。
（比較例３）
特開２００１−３３１９３６号公報の実施例にある４．８倍速又は５倍速でオーバライト可能なＲＷ−ＤＶＤを８倍速でオーバーライト記録を試みる。
【０８０４】
基板上に、（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０からなる下部保護層を６８ｎｍ、Ｇｅ_５Ｓｂ_７７Ｔｅ_１８（Ｇｅ_０．０５（Ｓｂ_０．８１Ｔｅ_０．１９）_０．９５）からなる記録層を１４ｎｍ、（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０からなる上部保護層を２５ｎｍ、Ａｌ_９９．５Ｔａ_０．５からなる反射層を２００ｎｍ、紫外線硬化樹脂層を約４μｍ、をこの順に形成し、ディスクを作製した。
【０８０５】
このＡｌ_９９．５Ｔａ_０．５反射層の体積抵抗率ρ_ｖは、１００ｎΩ・ｍ、面積抵抗率ρ_ｓは、約０．５Ω／□であった。初期化は、長軸約１０８μｍ、短軸約１．５μｍの楕円形スポット形状を有する波長約８１０ｎｍのレーザーダイオード光を短軸方向に線速３〜６ｍ／ｓで走査して行なった。照射パワーは４００〜６００ｍＷである。さらに、波長６６０ｎｍ、ＮＡ＝０．６５の評価装置で、トラッキング及びフォーカスサーボをかけて溝部に１回ずつ約６ｍＷのＤＣ光を４ｍ／ｓで走査させて、結晶化レベルのノイズを減らす作業を行った。
【０８０６】
このディスクに、ＮＡ＝０．６５のテスター３を用いて、８倍速でＥＦＭ＋変調信号のオーバーライトを行ない、その特性評価を行う。
記録方法は、特開２００１−３３１９３６号公報に開示されているパルス分割方法を用いる。具体的には、特開２００１−３３１９３６号公報に開示されている図２６の方法を用いる。
【０８０７】
以下、特開２００１−３３１９３６号公報と今回の特許は記述方法が異なるので、主に特開２００１−３３１９３６号公報の記述方法に沿って記す。
ｍが３以上の場合の、偶数マーク長、ｎＴ＝２ｍＴに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間α_ｉＴ及びオフパルス区間β_ｉＴにおけるα_ｉ及びβ_ｉを、次のように設定する。
Ｔ_ｄ１＋α_ｉ＝２（Ｔ_ｄｌ＝０．９５）、
β_ｉ−１＋α_ｉ＝２（ｉ＝２〜ｍ−１）、
β_ｍ＋α_ｍ＝１．４、
としている。
【０８０８】
一方、ｍが３以上の場合の奇数マーク長、ｎＴ＝（２ｍ＋１）Ｔに対しては、マークをｍ個の区間に分割し、記録パルス区間α_ｉ’Ｔ及びオフパルス区間β_ｉ’Ｔにおけるα_ｉ’及びβ_ｉ’を、以下のように設定する。
Ｔ_ｄ１’＋α_１’＝２．０５（Ｔ_ｄ１’＝１）、
β_１’＋α_２’＝２．４５、
β_ｉ−１’＋α_ｉ’＝２（ｉ＝３〜ｍ−１）、
β_ｍ−１’＋α_ｍ’＝２．４５、
としている。
【０８０９】
ここで、
α_i＝α₁'＝１（ｉ＝２〜ｍ−１）、
β_i＝β_i'＝１（ｉ＝２〜ｍ−１）、
ｎが偶数の場合は、
α₁＝１．０５、β₁＝１、α_m＝１、β_m＝０．４、
ｎが奇数の場合は、
α₁'＝１．０５、β₁'＝１．４５、α_m'＝１、β_m'＝０．４、
また、ｍ＝２の場合のα₁、β₁、α₂、β₂、α₁'、β₁'、α₂'、β₂'は、それぞれ、ｍが３以上の場合のα₁、β₁、α_m、β_m、α₁'、β₁'、α_m'、β_m'とみなす。すなわち、４Ｔマークに対しては、Ｔ_d1＝０．９５、α₁＝１．０５、β₁＝１、α₂＝１、β₂＝０．４とし、５Ｔマークに対しては、Ｔ_d1'＝１、α₁'＝１．０５、β₁'＝１．４５、α₂'＝１、β₂'＝０．４としている。
【０８１０】
ｍ＝１、すなわち３Ｔマークに対しては、Ｔ_ｄ１’＝１．１５、α_１’＝１．２、β_１’＝０．８となっている。
この記録方式において、８倍速において、Ｐｂは０．５ｍＷで一定とし、消去パワーＰｅを４ｍＷ、４．５ｍＷ、５ｍＷ、５．５ｍＷとし、それぞれのＰｅの場合で、Ｐｗを変化させて、それぞれの記録パワーで１０回オーバーライトして特性を評価しても、クロックジッタは２０％以上になってしまい良好な結果は得られない。
【０８１１】
【発明の効果】
本発明によれば、２４倍速又は３２倍速の高倍速での１ビームオーバーライト可能なＣＤ−ＲＷを得ることができる。さらには、２４倍速、３２倍速で１ビームオーバーライト可能なだけでなく、２４倍速よりも低倍速の線速度においてもオーバーライト可能なＣＤ−ＲＷを得ることができる。
【０８１２】
また、本発明によれば、６倍速、８倍速、１０倍速、又は１２倍速の高倍速での１ビームオーバーライト可能なＲＷ−ＤＶＤを得ることができる。さらには、６倍速、８倍速、１０倍速、又は１２倍速で１ビームオーバーライト可能なだけでなく、６倍速よりも低倍速の線速度においてもオーバーライト可能なＲＷ−ＤＶＤを得ることができる。
【０８１３】
さらに、本発明によれば、低線速から高線速度までの広い範囲で書き換え型光記録媒体に良好に記録を行うことができる記録方法を得ることができる。
本発明を特定の態様を用いて詳細に説明したが、本発明の意図と範囲を離れることなく様々な変更及び変形が可能であることは、当業者にとって明らかである。
【０８１４】
尚、本出願は、２００２年２月１３日付けで出願された日本出願（特願２００２−３４８２７）、２００２年３月１８日付けで出願された日本出願（特願２００２−７４８１８）、２００２年４月２６日付けで出願された日本出願（特願２００２−１２６４９１）、２００２年１０月３１日付けで出願された日本出願（特願２００２−３１７８５８）、及び２００２年１１月２７日付けで出願された日本出願（特願２００２−３４４５５７）に基づいており、その全体が引用により援用される。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の記録パルス分割方法の一例の説明図
【図２】ＥＦＭ変調信号の再生波形（アイパターン）の模式図
【図３】記録パルス分割方法の説明図
【図４】様々な記録線速度における非晶質形成及び再結晶化過程に対する、反射層の放熱効果、記録層組成、及び記録方法の影響の説明図
【図５】本発明の記録方法による記録パルス分割方法の一例の説明図
【図６】本発明記録方法に用いられる記録装置の概念図
【図７】所定の記録方式で２４倍速記録を行ったときの、ＧｅＳｂＴｅ系記録層を有する光記録媒体の光記録特性を示すデータ
【図８】他の所定の記録方式で２４倍速記録を行ったときの、ＧｅＳｂＴｅ系記録層を有する光記録媒体の光記録特性を示すデータ
【図９】他の所定の記録方式で１０倍速記録を行ったときの、ＧｅＳｂＴｅ系記録層を有する光記録媒体の光記録特性を示すデータ
【図１０】所定の記録方式で２４倍速記録を行ったときの、ＧｅＳｂＴｅ系記録層を有する光記録媒体のオーバーライト繰り返し特性を示すデータ
【図１１】他の所定の記録方式で２４倍速記録を行ったときの、ＧｅＳｂＴｅ系記録層を有する光記録媒体のオーバーライト繰り返し特性を示すデータ
【図１２】他の所定の記録方式で１０倍速記録を行ったときの、ＧｅＳｂＴｅ系記録層を有する光記録媒体のオーバーライト繰り返し特性を示すデータ
【図１３】他の所定の記録方式で２４倍速記録を行ったときの、ＩｎＧｅＳｂ系記録層を有する光記録媒体の光記録特性を示すデータ
【図１４】他の所定の記録方式で２４倍速記録を行ったときの、ＩｎＧｅＳｂ系記録層を有する光記録媒体の光記録特性を示すデータ
【図１５】他の所定の記録方式で１０倍速記録を行ったときの、ＩｎＧｅＳｂ系記録層を有する光記録媒体の光記録特性を示すデータ
【図１６】記録パルス分割方法の説明図
【図１７】記録パルス分割方法の決定方法
【図１８】他の所定の記録方式で２４倍速記録を行ったときの、ＳｎＧｅＳｂ系記録層を有する光記録媒体の光記録特性を示すデータ
【図１９】他の所定の記録方式で１０倍速記録を行ったときの、ＳｎＧｅＳｂ系記録層を有する光記録媒体の光記録特性を示すデータ
【図２０】他の所定の記録方式で２４倍速記録を行ったときの、ＳｎＧｅＳｂ系記録層を有する光記録媒体のオーバーライト繰り返し特性を示すデータ
【図２１】他の所定の記録方式で１０倍速記録を行ったときの、ＳｎＧｅＳｂ系記録層を有する光記録媒体のオーバーライト繰り返し特性を示すデータ
【図２２】他の所定の記録方式で２４倍速記録を行ったときの、ＳｎＧｅＳｂ系記録層を有する光記録媒体の光記録特性を示すデータ
【図２３】他の所定の記録方式で１０倍速記録を行ったときの、ＳｎＧｅＳｂ系記録層を有する光記録媒体の光記録特性を示すデータ
【図２４】他の所定の記録方式で２４倍速記録を行ったときの、ＳｎＧｅＳｂ系記録層を有する光記録媒体のオーバーライト繰り返し特性を示すデータ
【図２５】他の所定の記録方式で１０倍速記録を行ったときの、ＳｎＧｅＳｂ系記録層を有する光記録媒体のオーバーライト繰り返し特性を示すデータ
【図２６】他の所定の記録方式で３２倍速記録を行ったときの、ＳｎＧｅＳｂ系記録層を有する光記録媒体の光記録特性を示すデータ
【図２７】他の所定の記録方式で２４倍速記録を行ったときの、ＳｎＧｅＳｂ系記録層を有する光記録媒体の光記録特性を示すデータ
【図２８】他の所定の記録方式で１０倍速記録を行ったときの、ＳｎＧｅＳｂ系記録層を有する光記録媒体の光記録特性を示すデータ
【図２９】他の所定の記録方式で３２倍速記録を行ったときの、ＳｎＧｅＳｂ系記録層を有する光記録媒体の光記録特性を示すデータ
【図３０】他の所定の記録方式で２４倍速記録を行ったときの、ＳｎＧｅＳｂ系記録層を有する光記録媒体のオーバーライト繰り返し特性を示すデータ
【図３１】他の所定の記録方式で１０倍速記録を行ったときの、ＳｎＧｅＳｂ系記録層を有する光記録媒体のオーバーライト繰り返し特性を示すデータ
【図３２】他の所定の記録方式で３２倍速記録を行ったときの、ＳｎＧｅＳｂ系記録層を有する光記録媒体の光記録特性を示すデータ
【図３３】他の所定の記録方式で２４倍速記録を行ったときの、ＳｎＧｅＳｂ系記録層を有する光記録媒体の光記録特性を示すデータ
【図３４】他の所定の記録方式で１０倍速記録を行ったときの、ＳｎＧｅＳｂ系記録層を有する光記録媒体の光記録特性を示すデータ
【図３５】他の所定の記録方式で３２倍速記録を行ったときの、ＳｎＧｅＳｂ系記録層を有する光記録媒体の光記録特性を示すデータ
【図３６】他の所定の記録方式で２４倍速記録を行ったときの、ＳｎＧｅＳｂ系記録層を有する光記録媒体のオーバーライト繰り返し特性を示すデータ
【図３７】他の所定の記録方式で１０倍速記録を行ったときの、ＳｎＧｅＳｂ系記録層を有する光記録媒体のオーバーライト繰り返し特性を示すデータ
【図３８】他の所定の記録方式で同一媒体上に８−２４倍速で記録を行ったときの、各線速での記録特性を示すデータ
【図３９】他の所定の記録方式で同一媒体上に８−２４倍速で記録を行ったときの、各線速でのオーバーライト特性データ
【図４０】他の所定の記録方式で同一媒体上に８−３２倍速で記録を行ったときの、各線速での記録特性を示すデータ
【図４１】他の所定の記録方式で同一媒体上に８−３２倍速で記録を行ったときの、各線速でのオーバーライト特性データ
【図４２】ｎが４以上の場合における各種パラメータの線速度依存性を表すデータ
【図４３】ｎ＝３の場合におかる、各種パラメータの線速度依存性を表すデータ
【図４４】他の所定の記録方式で同一媒体上に８−２４倍速で記録を行ったときの、各線速での記録特性を示すデータ
【図４５】他の所定の記録方式で同一媒体上に８−２４倍速で記録を行ったときの、各線速でのオーバーライト特性データ
【図４６】他の所定の記録方式で同一媒体上に８−３２倍速で記録を行ったときの、各線速での記録特性を示すデータ
【図４７】他の所定の記録方式で同一媒体上に８−３２倍速で記録を行ったときの、各線速でのオーバーライト特性データ
【図４８】同一媒体上に様々な記録方式で記録を行ったときの記録特性を示すデータの一例
【図４９】同一媒体上に様々な記録方式で記録を行ったときのオーバーライト特性データの一例
【図５０】同一媒体上に様々な記録方式で記録を行ったときの記録特性を示すデータの他の一例
【図５１】同一媒体上に様々な記録方式で記録を行ったときのオーバーライト特性データの他の一例
【図５２】他の所定の記録方式で同一媒体上に８−２４倍速で記録を行ったときの、各線速での記録特性を示すデータ
【図５３】他の所定の記録方式で同一媒体上に８−２４倍速で記録を行ったときの、各線速でのオーバーライト特性データ
【図５４】他の所定の記録方式で同一媒体上に８−２４倍速で記録を行ったときの、各線速での記録特性を示すデータ
【図５５】他の所定の記録方式で同一媒体上に８−２４倍速で記録を行ったときの、各線速でのオーバーライト特性データ
【図５６】他の所定の記録方式で同一媒体上に８−２４倍速で記録を行ったときの、各線速での記録特性を示すデータ
【図５７】他の所定の記録方式で同一媒体上に８−２４倍速で記録を行ったときの、各線速でのオーバーライト特性データ
【図５８】反射層が異なる２種類の書き換え型光記録媒体に対して、他の所定の記録方式で２４倍速記録を行ったときの記録特性を示すデータ
【図５９】反射層が異なる２種類の書き換え型光記録媒体に対して、他の所定の記録方式で８倍速記録を行ったときの記録特性を示すデータ
【図６０】同一媒体上に、８倍速から３２倍速までの記録線速度で記録を行ったときの記録特性を示すデータの他の一例
【図６１】同一媒体上に、８倍速から３２倍速までの記録線速度で記録を行ったときのオーバーライト特性データの他の一例
【図６２】本発明の記録方法の一例を用いて１０倍速で記録を行ったときの記録特性を示すデータ
【図６３】本発明の記録方法の一例を用いて１０倍速で記録を行ったときのオーバーライト特性データ
【図６４】他の所定の記録方式で本発明の書き換え型光記録媒体（ＲＷ−ＤＶＤ）上に６倍速で記録を行ったときの記録特性を示すデータ
【図６５】他の所定の記録方式で本発明の書き換え型光記録媒体（ＲＷ−ＤＶＤ）上に２．５倍速で記録を行ったときの記録特性を示すデータ
【図６６】他の所定の記録方式で本発明の書き換え型光記録媒体（ＲＷ−ＤＶＤ）上に６倍速で記録を行ったときの記録特性を示すデータ
【図６７】他の所定の記録方式で本発明の書き換え型光記録媒体（ＲＷ−ＤＶＤ）上に２．５倍速で記録を行ったときの記録特性を示すデータ
【図６８】他の所定の記録方式で本発明の書き換え型光記録媒体（ＲＷ−ＤＶＤ）上に８倍速で記録を行ったときの記録特性を示すデータ
【図６９】他の所定の記録方式で本発明の書き換え型光記録媒体（ＲＷ−ＤＶＤ）上に３倍速で記録を行ったときの記録特性を示すデータ
【図７０】他の所定の記録方式で本発明の書き換え型光記録媒体（ＲＷ−ＤＶＤ）上に１０倍速で記録を行ったときの記録特性を示すデータ
【図７１】他の所定の記録方式で本発明の書き換え型光記録媒体（ＲＷ−ＤＶＤ）上に１２倍速で記録を行ったときの記録特性を示すデータ
【図７２】他の所定の記録方式で本発明の書き換え型光記録媒体（ＲＷ−ＤＶＤ）上に４倍速で記録を行ったときの記録特性を示すデータ

Claims (33)

1. 書換え型光記録媒体に対して、情報を複数の記録マーク長及び記録マーク間長により記録するにあたり、
   記録マーク間に対しては、非晶質を結晶化しうる消去パワーＰｅの光を照射して記録マーク間を形成するとともに、
   一つの記録マークの時間的長さをｎＴ（Ｔは基準クロック周期）としたときに、
   ｎ＝２ｍ（ｍは１以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｊ）Ｔ（ｊは−２．０〜２．０なる実数）を、
   α_１Ｔ、β_１Ｔ、α_２Ｔ、β_２Ｔ、・・・・、α_ｍＴ、β_ｍＴ、
   からなるｍ個のα_ｉＴとβ_ｉＴからなる区間（ただしΣ_ｉ（α_ｉ＋β_ｉ）＝ｎ−ｊ）に分割し、
   ｎ＝２ｍ＋１（ｍは１以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｋ）Ｔ、（ｋは−２．０〜２．０なる実数）を、
   α_１’Ｔ、β_１’Ｔ、α_２’Ｔ、β_２’Ｔ、・・・・、α_ｍ’Ｔ、β_ｍ’Ｔ、
   からなるｍ個のα_ｉ’Ｔとβ_ｉ’Ｔからなる区間（ただし、Σ_ｉ（α_ｉ’＋β_ｉ’）＝ｎ−ｋ）に分割し、
   α_ｉＴおよびα_ｉ’Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、記録層を溶融するに足る一定の記録パワーＰｗの光を照射し、
   β_ｉＴおよびβ_ｉ’Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、バイアスパワーＰｂの光を照射することによって、時間的長さｎＴの記録マークを形成する書換え型光記録媒体への記録方法であって、
   ｍ≧３では、
   ｎ＝２ｍの記録マークにおいては、ｎＴマークの開始時間をＴ_０とするとき、
   （ｉ）Ｔ_０から遅延時間Ｔ_ｄ１Ｔ後にα_１Ｔが発生された後、
   （ｉｉ）ｉ＝２〜ｍにおいては、β_ｉ−１＋α_ｉが概ね周期２（但し、ｉ＝２及び／又はｉ＝ｍにおけるβ_ｉ−１＋α_ｉは、±０．５の範囲で概ね周期２からずらしてもよい。また、ｍ≧４の場合、ｉ＝３〜ｍ−１においてはβ_ｉ−１及びα_ｉは、それぞれ一定値βｃ及びαｃをとる。）を保ちながら、β_ｉ−１Ｔ及びα_ｉＴがこの順に交互に発生された後、
   （ｉｉｉ）β_ｍＴが発生され、
   ｎ＝２ｍ＋１の記録マークにおいては、ｎＴマークの開始時間をＴ_０とするとき、
   （ｉ）Ｔ_０から遅延時間Ｔ_ｄ１’Ｔ後にα_１’Ｔが発生された後、
   （ｉｉ）ｉ＝２〜ｍにおいては、β_ｉ−１’＋α_ｉ’が概ね周期２（但し、ｉ＝２及び／又はｉ＝ｍにおけるβ_ｉ−１’＋α_ｉ’は、±２の範囲で概ね周期２からずらしてもよい。また、ｍ≧４の場合、ｉ＝３〜ｍ−１においてはβ_ｉ−１’及びα_ｉ’は、それぞれ一定値βｃ及びαｃをとる。）を保ちながら、β_ｉ−１’Ｔ及びα_ｉ’Ｔがこの順に交互に発生された後、
   （ｉｉｉ）β_ｍ’Ｔが発生され、
   同一のｍにおける、ｎ＝２ｍの記録マーク及びｎ＝２ｍ＋１の記録マークにおいて、α_ｍ≠α_ｍ’とし、かつ、（Ｔ_ｄ１、Ｔ_ｄ１’）、（α_１、α_１’）、（β_１、β_１’）、（β_ｍ−１とβ_ｍ−１’）、及び（β_ｍとβ_ｍ’）から選ばれる一組以上が異なる値をとることを特徴とする記録方法。
2. ｍ≧３の同一のｍにおけるｎ＝２ｍの記録マーク及びｎ＝２ｍ＋１の記録マークにおいて、α_ｍ≠α_ｍ’かつβ_１≠β_１’とし、かつ、（Ｔ_ｄ１，Ｔ_ｄ１’）、（α_１とα_１’）、（β_ｍ−１とβ_ｍ−１’）、及び（β_ｍとβ_ｍ’）から選ばれる一組以上が異なる値をとる請求項１に記載の記録方法。
3. α_ｍ及びα_ｍ’の関係をα_ｍ’＝α_ｍ＋Δ_ｍ（０＜Δ_ｍ≦１）とし、β_１及びβ_１’の関係をβ_１’＝β_１＋Δ_１（０＜Δ_１≦１）とする請求項２に記載の光記録方法。
4. ３以上のｍにおいては、Ｔ_ｄ１’＝Ｔ_ｄ１、α_１’＝α_１、β_１＋α_２＝１．５〜２．５、β_ｍ−１＋α_ｍ＝１．５〜２．５、β_１’＝β_１＋Δ_１（０＜Δ_１≦１）、β_ｍ−１’＝β_ｍ−１＋Δ_ｍ−１（Δ_ｍ−１＝０〜１）、α_ｍ’＝α_ｍ＋Δ_ｍ（０＜Δ_ｍ≦１）、Δ_ｍｍ＝Δ_ｍ−１＋Δ_ｍ、０＜Δ_ｍｍ≦１、β_ｍ’＝β_ｍ＋Δ_ｍ’（Δ_ｍ’＝０〜１）の関係を満たし、かつ、Ｔ_ｄ１，α_１、β_１、Δ_１、αｃ、β_ｍ−１、Δ_ｍ−１、α_ｍ、Δ_ｍ、β_ｍ、Δ_ｍ’は、３以上のｍにおいてはｍによらず一定であることを特徴とする請求項２又は３に記載の光記録方法。
5. ｍ＝２においては、α_１、α_１’、α_２、α_２’、β_２、β_２’をそれぞれｍが３以上の場合のいずれかのｍにおけるα_１、α_１’、α_ｍ、α_ｍ’、β_ｍ、β_ｍ’と等しくする（ただしβ_２’に関しては、さらに±０．５の範囲において、値を変更しうるものとする）とともに、β_１をｍが３以上の場合のいずれかのｍにおけるβ_１又はβ_ｍ−１のいずれかと等しくし、β_１’をｍが３以上の場合のいずれかのｍにおけるβ_１’又はβ_ｍ−１’のいずれかと等しくする請求項２乃至４のいずれかに記載の光記録方法。
6. ３以上のｍにおいては、Ｔ_ｄ１＋α_１＝２、α_１＝αｃ、β_１＋α_２＝２、β_ｍ−１＋α_ｍ＝２、及びα_ｍ＝αｃのうち少なくとも一つの式が成り立つ請求項２乃至５のいずれかに記載の光記録方法。
7. ｍ＝２においても、Ｔ_ｄ１＋α_１＝Ｔ_ｄ１’＋α_１’＝２、α_１＝α_１’＝αｃ、β_１＋α_２＝２、及びα_２＝αｃのうち少なくとも一つの式が成り立つ請求項６に記載の光記録方法。
8. 記録線速度を基準線速度Ｖ_１＝１．２〜１．４ｍ／ｓの３２倍速以下のいずれかの線速度とし、ＥＦＭ変調された情報を複数の記録マーク長及び記録マーク間長により記録するにあたり、一つの記録マークの時間的長さをｎＴとし（ｎは３〜１１までの整数）、消去パワーＰｅと記録パワーＰｗとの比を、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．２〜０．６とし、バイアスパワーＰｂを、Ｐｂ≦０．２Ｐｅとする請求項１乃至７のいずれかに記載の光記録方法。
9. 記録線速度を基準線速度Ｖ_１＝３．４９ｍ／ｓの１２倍速以下のいずれかの線速度とし、ＥＦＭ＋変調された情報を複数の記録マーク長及び記録マーク間長により記録するにあたり、一つの記録マークの時間的長さをｎＴとし（ｎは３〜１１までの整数と１４）、消去パワーＰｅと記録パワーＰｗとの比を、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．２〜０．６とし、バイアスパワーＰｂを、Ｐｂ≦０．２Ｐｅとする請求項１乃至７に記載の光記録方法。
10. 書換え型光記録媒体に対して、情報を複数の記録マーク長及び記録マーク間長により記録するにあたり、
    記録マーク間に対しては、非晶質を結晶化しうる消去パワーＰｅの光を照射して記録マーク間を形成するとともに、
    一つの記録マークの時間的長さをｎＴ（Ｔは基準クロック周期）としたときに、
    ｎ＝２ｍ（ｍは１以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｊ）Ｔ（ｊは−２．０〜２．０なる実数）を、
    α_１Ｔ、β_１Ｔ、α_２Ｔ、β_２Ｔ、・・・・、α_ｍＴ、β_ｍＴ、
    からなるｍ個のα_ｉＴとβ_ｉＴからなる区間（ただしΣ_ｉ（α_ｉ＋β_ｉ）＝ｎ−ｊ）に分割し、
    ｎ＝２ｍ＋１（ｍは１以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｋ）Ｔ、（ｋは−２．０〜２．０なる実数）を、
    α_１’Ｔ、β_１’Ｔ、α_２’Ｔ、β_２’Ｔ、・・・・、α_ｍ’Ｔ、β_ｍ’Ｔ、
    からなるｍ個のα_ｉ’Ｔとβ_ｉ’Ｔからなる区間（ただし、Σ_ｉ（α_ｉ’＋β_ｉ’）＝ｎ−ｋ）に分割し、
    α_ｉＴおよびα_ｉ’Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、記録層を溶融するに足る一定の記録パワーＰｗの光を照射し、
    β_ｉＴおよびβ_ｉ’Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、バイアスパワーＰｂの光を照射することによって、時間的長さｎＴの記録マークを形成する書換え型光記録媒体への記録方法であって、
    ｍ≧３では、
    ｎ＝２ｍの記録マークにおいては、ｎＴマークの開始時間をＴ_０とするとき、
    （ｉ）Ｔ_０から遅延時間Ｔ_ｄ１Ｔ後にα_１Ｔが発生された後、
    （ｉｉ）ｉ＝２〜ｍにおいては、β_ｉ−１＋α_ｉが概ね周期２（但し、ｉ＝２及び／又はｉ＝ｍにおけるβ_ｉ−１＋α_ｉは、±０．５の範囲で概ね周期２からずらしてもよい。また、ｍ≧４の場合、ｉ＝３〜ｍ−１においてはβ_ｉ−１及びα_ｉは、それぞれ一定値βｃ及びαｃをとる。）を保ちながら、β_ｉ−１Ｔ及びα_ｉＴがこの順に交互に発生された後、
    （ｉｉｉ）β_ｍＴが発生され、
    ｎ＝２ｍ＋１の記録マークにおいては、ｎＴマークの開始時間をＴ_０とするとき、
    （ｉ）Ｔ_０から遅延時間Ｔ_ｄ１’Ｔ後にα_１’Ｔが発生された後、
    （ｉｉ）ｉ＝２〜ｍにおいては、β_ｉ−１’＋α_ｉ’が概ね周期２（但し、ｉ＝２及び／又はｉ＝ｍにおけるβ_ｉ−１’＋α_ｉ’は、±２の範囲で概ね周期２からずらしてもよい。また、ｍ≧４の場合、ｉ＝３〜ｍ−１においてはβ_ｉ−１’及びα_ｉ’は、それぞれ一定値βｃ及びαｃをとる。）を保ちながら、β_ｉ−１’Ｔ及びα_ｉ’Ｔがこの順に交互に発生された後、
    （ｉｉｉ）β_ｍ’Ｔが発生され、
    同一のｍにおける、ｎ＝２ｍの記録マーク及びｎ＝２ｍ＋１の記録マークにおいて、Ｔ_ｄ１＝Ｔ_ｄ１’、α_１＝α_１’、β_１＝β_１’、α_ｍ≠α_ｍ’とし、かつ（β_ｍ−１とβ_ｍ−１’）又は（β_ｍとβ_ｍ’）の一組以上が異なる値をとることを特徴とする書換え型光記録媒体への記録方法。
11. ３以上のｍにおいては、同一分割数ｍにおいて、ｎが奇数である場合のβ_ｍ−１’＋α_ｍ’＋β_ｍ’は、ｎが偶数である場合のβ_ｍ−１＋α_ｍ＋β_ｍよりも、０．５〜１．５大きい請求項１０に記載の光記録方法。
12. ３以上のｍにおいては、Ｔ_ｄ１’＝Ｔ_ｄ１、α_１’＝α_１、β_１＋α_２＝１．５〜２．５、β_ｍ−１＋α_ｍ＝１．５〜２．５、β_ｍ−１’＝β_ｍ−１＋Δ_ｍ−１（Δ_ｍ−１＝０〜１）、α_ｍ’＝α_ｍ＋Δ_ｍ（０＜Δ_ｍ≦１）、β_ｍ’＝β_ｍ＋Δ_ｍ’（Δ_ｍ’＝０〜１）、Δ_ｍ−１＋Δ_ｍ＋Δ_ｍ’＝０．５〜１．５、の関係を満たし、かつ、Ｔ_ｄ１，α_１、β_１、αｃ、β_ｍ−１、Δ_ｍ−１、α_ｍ、β_ｍ、及びΔ_ｍ’は、ｍによらず一定とし、Δ_ｍは、ｍに応じてΔ_ｍ１又はΔ_ｍ２のいずれかの値をとることを特徴とする請求項１０又は１１に記載の光記録方法。
13. ｍ＝２においては、α_１、α_１’、β_１、β_１’、α_２、α_２’、β_２、β_２’を、それぞれ、ｍ＝３以上の場合のいずれかのｍにおけるα_１、α_１’、β_ｍ−１、β_ｍ−１’、α_ｍ、α_ｍ’、β_ｍ、β_ｍ’と等しくすることを特徴とする請求項１０乃至１２のいずれかに記載の光記録方法。
14. ３以上のｍにおいてはΔ_ｍ＝Δ_ｍ１＝Δ_ｍ２である請求項１０乃至１３のいずれかに記載の光記録方法。
15. ３以上のｍにおいては、Ｔ_ｄ１＋α_１＝２、α_１＝αｃ、β_１＋α_２＝２、β_ｍ−１＋α_ｍ＝２、及びα_ｍ＝αｃのうち少なくとも一つの式が成り立つ請求項１０乃至１４のいずれか一つに記載の光記録方法。
16. ｍ＝２においても、Ｔ_ｄ１＋α_１＝Ｔ_ｄ１’＋α_１’＝２、α_１＝α_１’、β_１＋α_２＝２、及びα_２＝αｃのうち少なくとも一つの式が成り立つ請求項１５に記載の光記録方法。
17. ３以上のｍにおいては、同一分割数ｍにおいて、Ｔ_ｄ１’＝Ｔ_ｄ１、α_１＝α_１’、Ｔ_ｄ１＋α_１＝２、β_ｍ−１’＝β_ｍ−１＋Δ_ｍ−１（Δ_ｍ−１＝０〜１）、α_ｍ’＝αｃ＋Δ_ｍ（０＜Δ_ｍ≦１）、Δ_ｍ−１＋Δ_ｍ＋Δ_ｍ’＝０．５〜１．５、β_ｍ’＝β_ｍ＋Δ_ｍ’、Δ_ｍ’＝０〜１の関係を満たし、かつ、α_１，αｃ、Δ_ｍ−１、Δ_ｍ、β_ｍ、Δ_ｍ’は、ｍによらず一定とし、
    ｍ＝２の場合には、α_１、α_１’、β_１、β_１’、α_２、α_２’、β_２、β_２’をそれぞれｍ＝３の場合のα_１、α_１’、β_２（＝βｃ）、β_２’（＝βｃ＋Δ_ｍ−１）、α_３（＝αｃ）、α_３’（＝αｃ＋Δ_ｍ）、β_３、β_３’（＝β_３＋Δ_ｍ’）と等しくする請求項１２に記載の光記録方法。
18. ｎ＝３におけるα_１’が、４以上のｎにおけるα_１’よりも大きい請求項１０乃至１７のいずれかに記載の光記録方法。
19. ｎ＝３，５におけるＴ_ｄ１’をそれぞれ、Ｔ_ｄ１ａ、Ｔ_ｄ１ｃとし、ｎ＝４におけるＴ_ｄ１をＴ_ｄ１ｂとし、６以上のｎにおけるＴ_ｄ１、Ｔ_ｄ１’をＴ_ｄ１ｄとするとき、Ｔ_ｄ１ａ、Ｔ_ｄ１ｂ、Ｔ_ｄ１ｃのうちの少なくとも一つは、Ｔ_ｄ１ｄとは異なる値とすることを特徴とする請求項１０乃至１８のいずれかに記載の光記録方法。
20. 前記書き換え型光記録媒体が円盤状のディスクであり、同一ディスク面内において、１倍速基準速度（ＣＤの場合は１．２ｍ／ｓ〜１．４ｍ／ｓ、ＤＶＤの場合は３．４９ｍ／ｓ）でＣＬＶ記録されたディスクと同一となるよう記録線密度を一定としながら複数の記録線速度で記録を行う光記録方法であって、
    記録線速度のうちの最大線速度Ｖ_ｍａｘは、ＣＤの場合は２０倍速、２４倍速、又は３２倍速のいずれかであり、ＤＶＤの場合は６倍速、８倍速、１０倍速、又は１２倍速のいずれかであり、
    該Ｖ_ｍａｘにおけるα_ｉ＝α_ｉｍａｘ（ｉ＝１〜ｍ）を０．５〜２とし、かつ該Ｖ_ｍａｘにおけるα_ｉ’＝α_ｉｍａｘ’（ｉ＝１〜ｍ）を０．５〜２とし、低線速度ほどα_ｉ及びα_ｉ’（ｉ＝１〜ｍ）をそれぞれ単調に減少させる請求項１乃至１９のいずれかに記載の光記録方法。
21. 最小線速度Ｖ_ｍｉｎをＣＤの場合は８倍速、１０倍速、１２倍速、又は１６倍速のいずれとし、ＤＶＤの場合は２．５倍速、３倍速、４倍速、又は５倍速のいずれかとするとき、
    前記Ｖ_ｍｉｎから前記Ｖ_ｍａｘまでの線速度範囲においては、３以上のｍにおいて、Ｔ_ｄ１＋α_１、Ｔ_ｄ１’＋α_１’、β_ｉ−１＋α_ｉ＝２、β_ｉ−１’＋α_ｉ’＝２（ｉ＝３〜ｍ−１）、がそれぞれ線速度によらず一定である請求項２０に記載の光記録方法。
22. 使用するいずれの線速度においてもβ_ｍ＝０〜２及びβ_ｍ’＝０〜３とし、かつ、β_ｍ及びβ_ｍ’を線速度が低いほど単調に増加させる請求項２０又は２１に記載の書換え型光記録媒体への記録方法。
23. Δ_ｍ’を低線速度ほど単調に増加させることを特徴とする請求項２０乃至２２のいずれかに記載の光記録方法。
24. ｎ＝３におけるＴ_ｄ１’、α_１’、β_１’のうち、Ｔ_ｄ１’及びβ_１’は低線速度ほど単調に増加させ、α_１’は、低線速度ほど単調に減少させる請求項２０乃至２３のいずれかに記載の光記録方法。
25. 使用するいずれの線速度においても、β_ｉＴ（ｉ＝１〜ｍ）及びβ_ｉ’Ｔ（ｉ＝１〜ｍ−１）を２ナノ秒以上とする請求項２０乃至２４のいずれかに記載の光記録方法。
26. 前記円盤状の書換え型光記録媒体にＥＦＭ変調された情報を複数のマーク長により記録するに当たり、
    線速度１．２ｍ／ｓ〜１．４ｍ／ｓを基準速度（１倍速）として、前記光記録媒体の記録領域最外周での線速度が２０倍速以上となるように前記光記録媒体を回転させる請求項２０乃至２５のいずれかに記載の光記録方法。
27. 前記記録領域最内周での線速度を該基準線速度の１６倍速以上とし、かつ外周ほど記録線速度が高くなるようになるように該ディスクを回転させる請求項２６に記載の光記録方法。
28. 前記記録領域を一定半径毎に仮想的な複数のゾーンに区切り、β_ｍ＝０〜３とし、かつ、β_ｍを内周のゾーンほど単調に大きくし、α_ｉ、α_ｉ’を内周のゾーンほど単調に小さくする請求項２６又は２７に記載の光記録方法。
29. いずれの半径位置においても、Ｐｂ、Ｐｗ、及びＰｅ／Ｐｗの値がほぼ一定である請求項２６乃至２８のいずれかに記載の光記録方法。
30. 前記円盤状の書換え型光記録媒体にＥＦＭ＋変調された情報を複数のマーク長により記録するに当たり、
    線速度３．４９ｍ／ｓを基準速度（１倍速）として、前記光記録媒体の記録領域最外周での線速度が６倍速以上となるように前記光記録媒体を回転させる請求項２０乃至２５のいずれかに記載の光記録方法。
31. 前記記録領域最内周での線速度を該基準線速度の６倍速以上とし、かつ外周ほど記録線速度が高くなるようになるように該ディスクを回転させる請求項３０に記載の光記録方法。
32. 前記記録領域を一定半径毎に仮想的な複数のゾーンに区切り、β_ｍ＝０〜３とし、かつ、β_ｍを内周のゾーンほど単調に大きくし、α_ｉ、α_ｉ’を内周のゾーンほど単調に小さくする請求項３０又は３１に記載の光記録方法。
33. いずれの半径位置においても、Ｐｂ、Ｐｗ、及びＰｅ／Ｐｗの値がほぼ一定である請求項３０乃至３２のいずれか１つに記載の光記録方法。

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