JP2004227743A5

JP2004227743A5 -

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Publication number: JP2004227743A5
Application number: JP2003034167A
Authority: JP
Filing date: 2003-02-12
Publication date: 2005-06-16
Anticipated expiration: 2023-02-12

Claims

案内溝が形成された基板と相変化型記録層とを有してなり、該相変化型記録層の結晶状態の部分を未記録・消去状態に対応させ、該相変化型記録層の非晶質状態の部分を記録状態に対応させて、記録光を照射することにより該記録状態に対応する非晶質マークを形成させる書き換え型光記録媒体において、
線速度１．２ｍ／ｓを基準速度（１倍速）Ｖ₁とし、
基準速度の２４倍速の線速度Ｖ＝２４Ｖ₁、又は３２倍速の線速度Ｖ＝３２Ｖ₁のいずれか一つを選び、
基準クロック周期ＴがＶＴ＝Ｖ₁Ｔ₁（ただし、Ｔ₁は２３１ｎｓｅｃである）であるように保ちながらＥＦＭ変調された信号を下記記録方式ＣＤ１−１又は記録方式ＣＤ１−２の条件内の１つの記録方式で１０回オーバーライト記録した後に、
１倍速での再生によって得られる記録信号のアイパターンの変調度ｍ₁₁が６０〜８０％であり、記録信号のアイパターンの反射率の上端値Ｒ_topが１５〜２５％であり、且つ各マーク長及び各マーク間のジッタが３５ｎｓｅｃ以下、
となることを特徴とする書き換え型光記録媒体。
記録方式ＣＤ１−１；
波長７８０ｎｍの光を、開口数ＮＡが０．５の光学系を介して照射する。
この際、１つの非晶質マークの時間的長さをｎＴ（ｎは３から１１までの整数）としたとき、
記録マーク間に対しては、非晶質を結晶化し得る消去パワーＰｅを照射し、
ｎ＝２ｍ（ｍは３以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｊ）Ｔ、（ｊは−２．０〜２．０なる実数）を、
α₁Ｔ、β₁Ｔ、α₂Ｔ、β₂Ｔ、・・・・、α_mＴ、β_mＴ、
からなるｍ個のα_iＴとβ_iＴとからなる区間に分割し、かつ、各区間がα₁＝０．７〜１．４、α_i＝０．７〜１．２（ｉは２〜ｍ−１の整数であり、α_iはかかるｉによらず０．７〜１．２の間の一定値αｃをとる）、β₁＋α₂＝１．７〜２．３、β_i-1＋α_i＝２（ｉは３〜ｍ−１の整数）、β_m-1＋α_m＝１．７〜２．３、α_m＝０．７〜１．２、β_m＝０〜２、の順に、Σ_i（α_i＋β_i）＝ｎ−ｊとなるように分割し、
ｎ＝２ｍ＋１（ｍは３以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｋ）Ｔ、（ｋは−２．０〜２．０なる実数）を、
α₁'Ｔ、β₁'Ｔ、α₂'Ｔ、β₂'Ｔ、・・・・、α_m'Ｔ、β_m'Ｔ、
からなるｍ個のα_i'Ｔとβ_i'Ｔとからなる区間に分割し、かつ、各区間がα₁'＝α₁、β₁'＝β₁＋Δ₁（Δ₁＝０．３〜０．６）、α_i'＝αｃ（ｉ＝２〜ｍ−１の整数）、β_i-1'＋α_i'＝２（ｉは３〜ｍ−１の整数）、β_m-1'＝β_m-1＋Δ_m-1（Δ_m-1＝０〜０．６）、α_m'＝α_m＋Δ_m（０＜Δ_m≦０．６）、Δ_mm＝Δ_m-1＋Δ_m＝０．３〜０．６、β_m'＝β_mの順に、Σ_i（α_i'＋β_i'）＝ｎ−ｋとなるように分割し、
α_iＴおよびα_i'Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、記録層を溶融するに足る一
定の記録パワーＰｗの記録光（ただし、Ｐｗは２０〜４０ｍＷであり、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．２〜０．６とする）を照射し、
β_iＴおよびβ_i'Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、１ｍＷ未満のバイアスパワーＰｂの記録光を照射する。
さらに、ｍが３以上の場合には、α₁（＝α₁'）、αｃ、β_m（＝β_m'）、β₁、Δ₁、β_m-1、Δ_m-1、α_m、Δ_mはｍによらず一定である。
また、ｍ＝２（ｎ＝４、５）の場合には、α₁、α₁'、α₂、α₂'、β₂、β₂'をそれぞれｍが３の場合のα₁、α₁'、α₃、α₃'、β₃、β₃'と等しくするとともに、β₁をｍが３の場合のβ₁又はβ₂のいずれかと等しくし、β₁'をｍが３の場合のβ₁'又はβ₂'のいずれかと等しくする。
ｍ＝１（ｎ＝３）の場合には、一対の記録パワー照射区間α₁'Ｔとバイアスパワー照射区間β₁'Ｔからなる記録光の照射を行う。
記録方式ＣＤ１−２；
波長７８０ｎｍの光を、開口数ＮＡが０．５の光学系を介して照射する。
この際、１つの非晶質マークの時間的長さをｎＴ（ｎは３から１１までの整数）としたとき、
記録マーク間に対しては、非晶質を結晶化し得る消去パワーＰｅを照射し、
ｎ＝２ｍ（ｍは３以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｊ）Ｔ、（ｊは−２．０〜２．０なる実数）を、
α₁Ｔ、β₁Ｔ、α₂Ｔ、β₂Ｔ、・・・・、α_mＴ、β_mＴ、
からなるｍ個のα_iＴとβ_iＴとからなる区間に分割し、かつ、各区間がα₁＝０．７〜１．４、α_i＝０．７〜１．２（ｉは２〜ｍ−１の整数であり、α_iはかかるｉによらず０．７〜１．２の間の一定値αｃをとる）、β₁＋α₂＝１．７〜２．３、β_i-1＋α_i＝２（ｉは３〜ｍ−１の整数）、β_m-1＋α_m＝１．７〜２．３、α_m＝０．７〜１．２、β_m＝０〜２、の順に、Σ_i（α_i＋β_i）＝ｎ−ｊとなるように分割し、
ｎ＝２ｍ＋１（ｍは３以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｋ）Ｔ、（ｋは−２．０〜２．０なる実数）を、
α₁'Ｔ、β₁'Ｔ、α₂'Ｔ、β₂'Ｔ、・・・・、α_m'Ｔ、β_m'Ｔ、
からなるｍ個のα_i'Ｔとβ_i'Ｔとからなる区間に分割し、かつ、各区間がα₁'＝α₁、β₁'＝β₁、α_i'＝αｃ（ｉ＝２〜ｍ−１の整数）、β_i-1'＋α_i'＝２（ｉは３〜ｍ−１の整数）、β_m-1'＝β_m-1＋Δ_m-1（Δ_m-1＝０〜０．６）、α_m'＝α_m＋Δ_m（０＜Δ_m≦０．６）、Δ_mm＝Δ_m-1＋Δ_m＝０．５〜１．２、β_m'＝β_mの順に、Σ_i（α_i'＋β_i'）＝ｎ−ｋとなるように分割し、
α_iＴおよびα_i'Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、記録層を溶融するに足る一定の記録パワーＰｗの記録光（ただし、Ｐｗは２０〜４０ｍＷであり、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．２〜０．６とする）を照射し、
β_iＴおよびβ_i'Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、１ｍＷ未満のバイアスパワーＰｂの記録光を照射する。
さらに、ｍが３以上の場合には、α₁（＝α₁'）、β₁（＝β₁'）、αｃ、β_m-1、Δ_m-1、α_m、β_m、Δ_m'はｍによらず一定である。また、ｍ＝２（ｎ＝４、５）の場合には、α₁、α₁'、β₁、β₁'、α₂、α₂'、β₂、β₂'をそれぞれｍ＝３の場合のα₁、α₁'、β₂、β₂'、α₃、α₃'、β₃、β₃'と等しくする。
ｍ＝１（ｎ＝３）の場合には、一対の記録パワー照射区間α₁'Ｔとバイアスパワー照射区間β₁'Ｔからなる記録光の照射を行う。
２４倍速（２４Ｖ₁）の線速度又は３２倍速（３２Ｖ₁）の線速度における記録において、３Ｔマーク（時間的長さ３Ｔを有するマーク。ただしＴはデータ基準ク
ロック周期）と３Ｔスペース（時間的長さ３Ｔを有するマーク間部）とからなる単一周期信号を記録後、１１Ｔマーク（時間的長さ１１Ｔを有するマーク）と１１Ｔスペース（時間的長さ１１Ｔを有するマーク間部）とからなる単一周期信号をオーバーライトしたときの３Ｔマークの消去比が２０ｄＢ以上である請求項１に記載の書き換え型光記録媒体。
線速度１．２ｍ／ｓを基準速度（１倍速）Ｖ₁としたとき、基準速度の８倍速（８Ｖ₁）、１０倍速（１０Ｖ₁）、１２倍速（１２Ｖ₁）１６倍速（１６Ｖ₁）又は２０倍速（２０Ｖ₁）の少なくともいずれか一つの線速度において、下記記録方式ＣＤ２−１又は記録方式ＣＤ２−２の条件内における１つの方式で１０回オーバーライト記録した後に、１倍速での再生によって得られる記録信号のアイパターンの変調度ｍ₁₁が６０〜８０％であり、記録信号のアイパターンの反射率の上端値Ｒ_topが１５〜２５％であり、且つ各マーク長及び各マーク間のジッタが３５ｎｓｅｃ以下、となる請求項１又は２に記載の書き換え型光記録媒体。
記録方式ＣＤ２−１；
波長７８０ｎｍの光を、開口数ＮＡが０．５の光学系を介して照射する。
この際、１つの非晶質マークの時間的長さをｎＴ（ｎは３から１１までの整数）としたとき、
記録マーク間に対しては、非晶質を結晶化し得る消去パワーＰｅを照射し、
ｎ＝２ｍ（ｍは３以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｊ）Ｔ、（ｊは−２．０〜２．０までの実数）を、
α₁Ｔ、β₁Ｔ、α₂Ｔ、β₂Ｔ、・・・・、α_mＴ、β_mＴ、
からなるｍ個のα_iＴとβ_iＴとからなる区間に分割し、かつ、各区間がα₁＝０．１〜１、α_i＝０．１〜１（ｉは２〜ｍ−１の整数であり、α_iはかかるｉによらず０．１〜１の間の一定値αｃをとる）、β₁＋α₂＝１．７〜２．３、β_i-1＋α_i＝２（ｉは３〜ｍ−１の整数）、β_m-1＋α_m＝１．７〜２．３、α_m＝０．１〜１、β_m＝０〜２、の順に、Σ_i（α_i＋β_i）＝ｎ−ｊとなるように分割し、
ｎ＝２ｍ＋１（ｍは３以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｋ）Ｔ、（ｋは−２．０〜２．０までの実数）を、
α₁'Ｔ、β₁'Ｔ、α₂'Ｔ、β₂'Ｔ、・・・・、α_m'Ｔ、β_m'Ｔ、
からなるｍ個のα_i'Ｔとβ_i'Ｔとからなる区間に分割し、かつ、各区間がα₁'＝α₁、β₁'＝β₁＋Δ₁（Δ₁＝０．３〜０．６）、α_i'＝αｃ（ｉは２〜ｍ−１の整数）、β_i-1'＋α_i'＝２（ｉは３〜ｍ−１の整数）、β_m-1'＝β_m-1＋Δ_m-1（Δ_m-1＝０〜０．６）、α_m'＝α_m＋Δ_m（０＜Δ_m≦０．６）、Δ_mm＝Δ_m-1＋Δ_m＝０．３〜０．６、β_m'＝β_mの順に、Σ_i（α_i'＋β_i'）＝ｎ−ｋとなるように分割し、
α_iＴおよびα_i'Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、記録層を溶融するに足る一定の記録パワーＰｗの記録光（ただし、Ｐｗは２０〜４０ｍＷであり、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．２〜０．６とする）を照射し、
β_iＴおよびβ_i'Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、１ｍＷ未満のバイアスパワーＰｂの記録光を照射する。
さらに、ｍが３以上の場合には、α₁（＝α₁'）、αｃ、β_m（＝β_m'）、β₁、Δ₁、β_m-1、Δ_m-1、α_m、Δ_mはｍによらず一定である。
また、ｍ＝２（ｎ＝４、５）の場合には、α₁、α₁'、α₂、α₂'、β₂、β₂'をそれぞれｍが３の場合のα₁、α₁'、α₃、α₃'、β₃、β₃'と等しくするとともに、β₁をｍが３の場合のβ₁又はβ₂のいずれかと等しくし、β₁'をｍが３の場合のβ₁'又はβ₂'のいずれかと等しくする。但し、ｍ＝２におけるβ₂'に関しては、さらに±０．５の範囲において値を変更しうるものとする。
ｍ＝１（ｎ＝３）の場合には、一対の記録パワー照射区間α₁'Ｔとバイアスパワー照射区間β₁'Ｔからなる記録光の照射を行う。
記録方式ＣＤ２−２；
波長７８０ｎｍの光を、開口数ＮＡが０．５の光学系を介して照射する。
この際、１つの非晶質マークの時間的長さをｎＴ（ｎは３から１１までの整数）としたとき、
記録マーク間に対しては、非晶質を結晶化し得る消去パワーＰｅを照射し、
ｎ＝２ｍ（ｍは３以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｊ）Ｔ、（ｊは−２．０〜２．０までの実数）を、
α₁Ｔ、β₁Ｔ、α₂Ｔ、β₂Ｔ、・・・・、α_mＴ、β_mＴ、
からなるｍ個のα_iＴとβ_iＴとからなる区間に分割し、かつ、各区間がα₁＝０．１〜１、α_i＝０．１〜１（ｉは２〜ｍ−１の整数であり、α_iはかかるｉによらず０．１〜１の間の一定値αｃをとる）、β₁＋α₂＝１．７〜２．３、β_i-1＋α_i＝２（ｉは３〜ｍ−１の整数）、β_m-1＋α_m＝１．７〜２．３、α_m＝０．１〜１、β_m＝０〜２、の順に、Σ_i（α_i＋β_i）＝ｎ−ｊとなるように分割し、
ｎ＝２ｍ＋１（ｍは３以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｋ）Ｔ、（ｋは−２．０〜２．０までの実数）を、
α₁'Ｔ、β₁'Ｔ、α₂'Ｔ、β₂'Ｔ、・・・・、α_m'Ｔ、β_m'Ｔ、
からなるｍ個のα_i'Ｔとβ_i'Ｔとからなる区間に分割し、かつ、各区間がα₁＝α₁、β₁'＝β₁、α_i'＝αｃ（ｉは２〜ｍ−１の整数）、β_i-1'＋α _i ’＝２（ｉは３〜ｍ−１の整数）、β_m-1'＝β_m-1＋Δ_m-1（Δ_m-1＝０〜０．６）、α_m'＝α_m＋Δ_m（０＜Δ_m≦０．６）、Δ_mm＝Δ_m-1＋Δ_m＝０．５〜１．２、β_m'＝β_m＋Δ_m'（Δ_m'＝０〜１）の順に、Σ_i（α_i'＋β_i'）＝ｎ−ｋとなるように分割し、
α_iＴおよびα_i'Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、記録層を溶融するに足る一定の記録パワーＰｗの記録光（ただし、Ｐｗは２０〜４０ｍＷであり、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．２〜０．６とする）を照射し、
β_iＴおよびβ_i'Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、１ｍＷ未満のバイアスパワーＰｂの記録光を照射する。
さらに、ｍが３以上の場合には、α₁（＝α₁'）、β₁（＝β₁'）、αｃ、β_m-1、Δ_m-1、α_m、β_m、Δ_m'はｍによらず一定である。
また、ｍ＝２（ｎ＝４、５）の場合には、α₁、α₁'、β₁、β₁'、α₂、α₂'、β₂、β₂'をそれぞれｍ＝３の場合のα₁、α₁'、β₂、β₂'、α₃、α₃'、β₃、β₃'と等しくする。
ｍ＝１（ｎ＝３）の場合には、一対の記録パワー照射区間α₁'Ｔとバイアスパワー照射区間β₁'Ｔからなる記録光の照射を行う。
案内溝が形成された基板と相変化型記録層とを有してなり、該相変化型記録層の結晶状態の部分を未記録・消去状態に対応させ、該相変化型記録層の非晶質状態の部分を記録状態に対応させて、記録光を照射することにより該記録状態に対応する非晶質マークを形成させる書き換え型光記録媒体において、
線速度１．２ｍ／ｓを基準速度（１倍速）Ｖ₁としたとき、基準速度の８倍速（８Ｖ₁）、１０倍速（１０Ｖ₁）、１２倍速（１２Ｖ₁）、１６倍速（１６Ｖ₁）、及び２０倍速（２０Ｖ₁）のいずれか一つの線速度をＶ_minとし、基準速度の２４倍速（２４Ｖ₁）又は３２倍速（３２Ｖ₁）のいずれか一つの線速度をＶ_maxとした場合に、
Ｖ_min以上でＶ_max未満の全ての線速度Ｖにおいて、
基準クロック周期ＴがＶＴ＝Ｖ₁Ｔ₁（ただし、Ｔ₁は２３１ｎｓｅｃであり、Ｖは、８Ｖ₁、１０Ｖ₁、１２Ｖ₁、１６Ｖ₁、２０Ｖ₁、２４Ｖ₁、３２Ｖ₁のいずれかである。）であるように保ちながらＥＦＭ変調された信号を前記記録方式ＣＤ２−１又は前記記録方式ＣＤ２−２の条件内における１つの記録方式で１０回オーバーライト記録した後に、１倍速での再生によって得られる記録信号のアイパターンの変調度ｍ₁₁が６０〜８０％であり、記録信号のアイパターンの反射率の上端値Ｒ_topが１５〜２５％であり、且つ各マーク長及び各マーク間のジッタが３５ｎｓｅｃ以下、となることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の書き換え型光記録媒体。
案内溝が、１倍速に換算したときに搬送周波数約２２．０５ｋＨｚであってＡＴＩＰ情報により±１ｋＨｚで周波数変調された溝蛇行（ウォブル）信号を有し、該ＡＴＩＰ情報が記録線速度に応じた最適記録パワーＰｗ₀、最適消去パワーＰｅ₀、最適バイアスパワーＰｂ₀及びパルス分割情報の少なくとも１つを含む請求項１乃至４のいずれかに記載の書換え型光記録媒体。
案内溝が形成された基板と相変化型記録層とを有してなり、該相変化型記録層の結晶状態の部分を未記録・消去状態に対応させ、該相変化型記録層の非晶質状態の部分を記録状態に対応させて、記録光を照射することにより該記録状態に対応する非晶質マークを形成させる書き換え型光記録媒体において、
線速度３．４９ｍ／ｓを基準速度（１倍速）Ｖ₁とし、
基準速度の６倍速の線速度Ｖ＝６Ｖ₁、８倍速の線速度Ｖ＝８Ｖ₁、１０倍速の線速度Ｖ＝１０Ｖ₁、及び、１２倍速の線速度Ｖ＝１２Ｖ₁のいずれか一つを選び、
基準クロック周期ＴがＶＴ＝Ｖ₁Ｔ₁（ただし、Ｔ₁は３８．２ｎｓｅｃである）であるように保ちながらＥＦＭ＋変調された信号を下記記録方式ＤＶＤ１−１又は記録方式ＤＶＤ１−２の条件内の１つの記録方式で１０回オーバーライト記録した後に、
１倍速での再生によって得られる記録信号のアイパターンの変調度ｍ₁₄が５５〜８０％であり、記録信号のアイパターンの反射率の上端値Ｒ_topが１８〜３０％であり、且つ再生信号のクロックジッタが１５％以下、
となることを特徴とする書き換え型光記録媒体。
記録方式ＤＶＤ１−１；
波長６５０ｎｍの光を、開口数ＮＡが０．６５の光学系を介して照射する。
この際、１つの非晶質マークの時間的長さをｎＴ（ｎは３〜１１の整数と１４）としたとき、
記録マーク間に対しては、非晶質を結晶化し得る消去パワーＰｅを照射し、
ｎ＝２ｍ（ｍは３以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｊ）Ｔ、（ｊは−２．０〜２．０なる実数）を、
α₁Ｔ、β₁Ｔ、α₂Ｔ、β₂Ｔ、・・・・、α_mＴ、β_mＴ、
からなるｍ個のα_iＴとβ_iＴとからなる区間に分割し、かつ、各区間がα₁＝０．７〜１．４、α_i＝０．７〜１．２（ｉは２〜ｍ−１の整数であり、α_iはかかるｉによらず０．７〜１．２の間の一定値αｃをとる）、β₁＋α₂＝１．７〜２．３、β_i-1＋α_i＝２（ｉは３〜ｍ−１の整数）、β_m-1＋α_m＝１．７〜２．３、α_m＝０．７〜１．２、β_m＝０〜２、の順に、Σ_i（α_i＋β_i）＝ｎ−ｊとなるように分割し、
ｎ＝２ｍ＋１（ｍは３以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｋ）Ｔ、（ｋは−２．０〜２．０なる実数）を、
α₁'Ｔ、β₁'Ｔ、α₂'Ｔ、β₂'Ｔ、・・・・、α_m'Ｔ、β_m'Ｔ、
からなるｍ個のα_i'Ｔとβ_i'Ｔとからなる区間に分割し、かつ、各区間がα₁'＝α₁、β₁'＝β₁＋Δ₁（Δ₁＝０．３〜０．６）、α_i'＝αｃ（ｉ＝２〜ｍ−１の整数）、β_i-1'＋α_i'＝２（ｉは３〜ｍ−１の整数）、β_m-1'＝β_m-1＋Δ_m-1（Δ_m-1＝０〜０．６）、α_m'＝α_m＋Δ_m（０＜Δ_m≦０．６）、Δ_mm＝Δ_m-1＋Δ_m＝０．３〜０．６、β_m'＝β_mの順に、Σ_i（α_i'＋β_i'）＝ｎ−ｋとなるように分割し、
α_iＴおよびα_i'Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、記録層を溶融するに足る一定の記録パワーＰｗの記録光（ただし、Ｐｗは１０〜４０ｍＷであり、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．２〜０．６とする）を照射し、
β_iＴおよびβ_i'Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、１ｍＷ未満のバイアスパワーＰｂの記録光を照射する。
さらに、ｍが３以上の場合には、α₁（＝α₁'）、αｃ、β_m（＝β_m'）、β₁、Δ₁、β_m-1、Δ_m-1、α_m、Δ_mはｍによらず一定である。
また、ｍ＝２（ｎ＝４、５）の場合には、α₁、α₁'、α₂、α₂'、β₂、β₂'をそれぞれｍが３の場合のα₁、α₁'、α₃、α₃'、β₃、β₃'と等しくするとともに、β₁をｍが３の場合のβ₁又はβ₂のいずれかと等しくし、β₁'をｍが３の場合のβ₁'又はβ₂'のいずれかと等しくする。
ｍ＝１（ｎ＝３）の場合には、一対の記録パワー照射区間α₁'Ｔとバイアスパワー照射区間β₁'Ｔからなる記録光の照射を行う。
記録方式ＤＶＤ１−２；
波長６５０ｎｍの光を、開口数ＮＡが０．６５の光学系を介して照射する。
この際、１つの非晶質マークの時間的長さをｎＴ（ｎは３〜１１の整数と１４）としたとき、
記録マーク間に対しては、非晶質を結晶化し得る消去パワーＰｅを照射し、
ｎ＝２ｍ（ｍは３以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｊ）Ｔ、（ｊは−２．０〜２．０なる実数）を、
α₁Ｔ、β₁Ｔ、α₂Ｔ、β₂Ｔ、・・・・、α_mＴ、β_mＴ、
からなるｍ個のα_iＴとβ_iＴとからなる区間に分割し、かつ、各区間がα₁＝０．７〜１．４、α_i＝０．７〜１．２（ｉは２〜ｍ−１の整数であり、α_iはかかるｉによらず０．７〜１．４の間の一定値αｃをとる）、β₁＋α₂＝１．７〜２．３、β_i-1＋α_i＝２（ｉは３〜ｍ−１の整数）、β_m-1＋α_m＝１．７〜２．３、α_m＝０．７〜１．２、β_m＝０〜２、の順に、Σ_i（α_i＋β_i）＝ｎ−ｊとなるように分割し、
ｎ＝２ｍ＋１（ｍは３以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｋ）Ｔ、（ｋは−２．０〜２．０なる実数）を、
α₁'Ｔ、β₁'Ｔ、α₂'Ｔ、β₂'Ｔ、・・・・、α_m'Ｔ、β_m'Ｔ、
からなるｍ個のα_i'Ｔとβ_i'Ｔとからなる区間に分割し、かつ、各区間がα₁'＝α₁、β₁'＝β₁、α_i'＝αｃ（ｉ＝２〜ｍ−１の整数）、β_i-1'＋α_i'＝２（ｉは３〜ｍ−１
の整数）、β_m-1'＝β_m-1＋Δ_m-1（Δ_m-1＝０〜０．６）、α_m'＝α_m＋Δ_m（０＜Δ_m≦０．６）、Δ_mm＝Δ_m-1＋Δ_m＝０．５〜１．２、β_m'＝β_mの順に、Σ_i（α_i'＋β_i'）＝ｎ−ｋとなるように分割し、
α_iＴおよびα_i'Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、記録層を溶融するに足る一定の記録パワーＰｗの記録光（ただし、Ｐｗは１０〜４０ｍＷであり、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．２〜０．６とする）を照射し、
β_iＴおよびβ_i'Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、１ｍＷ未満のバイアスパワーＰｂの記録光を照射する。
さらに、ｍが３以上の場合には、α₁（＝α₁'）、β₁（＝β₁'）、αｃ、β_m-1、Δ_m-1、α_m、β_m、Δ_m'はｍによらず一定である。また、ｍ＝２（ｎ＝４、５）の場合には、α₁、α₁'、β₁、β₁'、α₂、α₂'、β₂、β₂'をそれぞれｍ＝３の場合のα₁、α₁'、β₂、β₂'、α₃、α₃'、β₃、β₃'と等しくする。
ｍ＝１（ｎ＝３）の場合には、一対の記録パワー照射区間α₁'Ｔとバイアスパワー照射区間β₁'Ｔからなる記録光の照射を行う。
６倍速（６Ｖ₁）、８倍速（８Ｖ₁）、１０倍速（１０Ｖ₁）、及び１２倍速（１２Ｖ₁）いずれか一つの線速度での記録において、３Ｔマーク（時間的長さ３Ｔを有するマーク。ただしＴはデータ基準クロック周期）と３Ｔスペース（時間的長さ３Ｔを有するマーク間部）とからなる単一周期信号を記録後、１４Ｔマーク（時間的長さ１４Ｔを有するマーク）と１４Ｔスペース（時間的長さ１４Ｔを有するマーク間部）とからなる単一周期信号をオーバーライトしたときの３Ｔマークの消去比が２０ｄＢ以上である請求項６に記載の書き換え型光記録媒体。
線速度３．４９ｍ／ｓを基準速度（１倍速）Ｖ₁としたとき、基準速度の２倍速（２Ｖ₁）、２．５倍速（２．５Ｖ₁）、３倍速（３Ｖ₁）４倍速（４Ｖ₁）又は５倍速（５Ｖ₁）の少なくともいずれか一つの線速度において、下記記録方式ＤＶＤ２−１又は記録方式ＤＶＤ２−２の条件内における１つの方式で１０回オーバーライト記録した後に、１倍速での再生によって得られる記録信号のアイパターンの変調度ｍ₁₄が５５〜８０％であり、記録信号のアイパターンの反射率の上端値Ｒ_topが１８〜３０％であり、且つ再生信号のクロックジッタが１５％以下、となる請求項６又は７に記載の書き換え型光記録媒体。
記録方式ＤＶＤ２−１；
波長６５０ｎｍの光を、開口数ＮＡが０．６５の光学系を介して照射する。
この際、１つの非晶質マークの時間的長さをｎＴ（ｎは３〜１１の整数と１４）としたとき、
記録マーク間に対しては、非晶質を結晶化し得る消去パワーＰｅを照射し、
ｎ＝２ｍ（ｍは３以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｊ）Ｔ、（ｊは−２．０〜２．０までの実数）を、
α₁Ｔ、β₁Ｔ、α₂Ｔ、β₂Ｔ、・・・・、α_mＴ、β_mＴ、
からなるｍ個のα_iＴとβ_iＴとからなる区間に分割し、かつ、各区間がα₁＝０．１〜１、α_i＝０．１〜１（ｉは２〜ｍ−１の整数であり、α_iはかかるｉによらず０．１〜１の間の一定値αｃをとる）、β₁＋α₂＝１．７〜２．３、β_i-1＋α_i＝２（ｉは３〜ｍ−１の整数）、β_m-1＋α_m＝１．７〜２．３、α_m＝０．１〜１、β_m＝０〜２、の順に、Σ_i（α_i＋β_i）＝ｎ−ｊとなるように分割し、
ｎ＝２ｍ＋１（ｍは３以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｋ）Ｔ、（ｋは−２．０〜２．０までの実数）を、
α₁'Ｔ、β₁'Ｔ、α₂'Ｔ、β₂'Ｔ、・・・・、α_m'Ｔ、β_m'Ｔ、
からなるｍ個のα_i'Ｔとβ_i'Ｔとからなる区間に分割し、かつ、各区間がα₁'＝α₁、β₁'＝β₁＋Δ₁（Δ₁＝０．３〜０．６）、α_i'＝αｃ（ｉは２〜ｍ−１の整数）、β_i-1'＋α_i'＝２（ｉは３〜ｍ−１の整数）、β_m-1'＝β_m-1＋Δ_m-1（Δ_m-1＝０〜０．６）、α_m'＝α_m＋Δ_m（０＜Δ_m≦０．６）、Δ_mm＝Δ_m-1＋Δ_m＝０．３〜０．６、β_m'＝β_mの順に、Σ_i（α_i'＋β_i'）＝ｎ−ｋとなるように分割し、
α_iＴおよびα_i'Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、記録層を溶融するに足る一定の記録パワーＰｗの記録光（ただし、Ｐｗは１０〜４０ｍＷであり、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．２〜０．６とする）を照射し、
β_iＴおよびβ_i'Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、１ｍＷ未満のバイアスパワーＰｂの記録光を照射する。
さらに、ｍが３以上の場合には、α₁（＝α₁'）、αｃ、β_m（＝β_m'）、β₁、Δ₁、β_m-1、Δ_m-1、α_m、Δ_mはｍによらず一定である。
また、ｍ＝２（ｎ＝４、５）の場合には、α₁、α₁'、α₂、α₂'、β₂、β₂'をそれぞれｍが３の場合のα₁、α₁'、α₃、α₃'、β₃、β₃'と等しくするとともに、β₁をｍが３の場合のβ₁又はβ₂のいずれかと等しくし、β₁'をｍが３の場合のβ₁'又はβ₂'のいずれかと等しくする。但し、ｍ＝２におけるβ₂'に関しては、さらに±０．５の範囲において値を変更しうるものとする。
ｍ＝１（ｎ＝３）の場合には、一対の記録パワー照射区間α₁'Ｔとバイアスパワー照射区間β₁'Ｔからなる記録光の照射を行う。
記録方式ＤＶＤ２−２；
波長６５０ｎｍの光を、開口数ＮＡが０．６５の光学系を介して照射する。
この際、１つの非晶質マークの時間的長さをｎＴ（ｎは３〜１１の整数と１４）としたとき、
記録マーク間に対しては、非晶質を結晶化し得る消去パワーＰｅを照射し、
ｎ＝２ｍ（ｍは３以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｊ）Ｔ、（ｊは−２．０〜２．０までの実数）を、
α₁Ｔ、β₁Ｔ、α₂Ｔ、β₂Ｔ、・・・・、α_mＴ、β_mＴ、
からなるｍ個のα_iＴとβ_iＴとからなる区間に分割し、かつ、各区間がα₁＝０．１〜
１、α_i＝０．１〜１（ｉは２〜ｍ−１の整数であり、α_iはかかるｉによらず０．１〜１の間の一定値αｃをとる）、β₁＋α₂＝１．７〜２．３、β_i-1＋α_i＝２（ｉは３〜ｍ−１の整数）、β_m-1＋α_m＝１．７〜２．３、α_m＝０．１〜１、β_m＝０〜２、の順に、Σ_i（α_i＋β_i）＝ｎ−ｊとなるように分割し、
ｎ＝２ｍ＋１（ｍは３以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｋ）Ｔ、（ｋは−２．０〜２．０までの実数）を、
α₁'Ｔ、β₁'Ｔ、α₂'Ｔ、β₂'Ｔ、・・・・、α_m'Ｔ、β_m'Ｔ、
からなるｍ個のα_i'Ｔとβ_i'Ｔとからなる区間に分割し、かつ、各区間がα₁＝α₁、β₁'＝β₁、α_i'＝αｃ（ｉは２〜ｍ−１の整数）、β_i-1'＋α_i＝２（ｉは３〜ｍ−１の整数）、β_m-1'＝β_m-1＋Δ_m-1（Δ_m-1＝０〜０．７）、α_m'＝α_m＋Δ_m（０＜Δ_m≦０．６）、Δ_mm＝Δ_m-1＋Δ_m＝０．５〜１．２、β_m'＝β_m＋Δ_m'（Δ_m'＝０〜１）の順に、Σ_i（α_i'＋β_i'）＝ｎ−ｋとなるように分割し、
α_iＴおよびα_i'Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、記録層を溶融するに足る一定の記録パワーＰｗの記録光（ただし、Ｐｗは１０〜４０ｍＷであり、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．２〜０．６とする）を照射し、
β_iＴおよびβ_i'Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、１ｍＷ未満のバイアスパワーＰｂの記録光を照射する。
さらに、ｍが３以上の場合には、α₁（＝α₁'）、β₁（＝β₁'）、αｃ、β_m-1、Δ_m-1、α_m、β_m、Δ_m'はｍによらず一定である。
また、ｍ＝２（ｎ＝４、５）の場合には、α₁、α₁'、β₁、β₁'、α₂、α₂'、β₂、β₂'をそれぞれｍ＝３の場合のα₁、α₁'、β₂、β₂'、α₃、α₃'、β₃、β₃'と等しくする。
ｍ＝１（ｎ＝３）の場合には、一対の記録パワー照射区間α₁'Ｔとバイアスパワー照射区間β₁'Ｔからなる記録光の照射を行う。
案内溝が形成された基板と相変化型記録層とを有してなり、該相変化型記録層の結晶状態の部分を未記録・消去状態に対応させ、該相変化型記録層の非晶質状態の部分を記録状態に対応させて、記録光を照射することにより該記録状態に対応する非晶質マークを形成させる書き換え型光記録媒体において、
線速度３．４９ｍ／ｓを基準速度（１倍速）Ｖ₁としたとき、基準速度の２倍速（２Ｖ₁）、２．５倍速（２．５Ｖ₁）、３倍速（３Ｖ₁）、４倍速（４Ｖ₁）、及び５倍速（５Ｖ₁）のいずれか一つの線速度をＶ_minとし、基準速度の６倍速（６Ｖ₁）、８倍速（８Ｖ₁）、１０倍速（１０Ｖ₁）又は１２倍速（１２Ｖ₁）のいずれか一つの線速度をＶ_maxとした場合に、
Ｖ_min以上Ｖ_max未満の全ての線速度Ｖにおいて、
基準クロック周期ＴがＶＴ＝Ｖ₁Ｔ₁（ただし、Ｔ₁は３８．２ｎｓｅｃであり、Ｖは、２Ｖ₁、２．５Ｖ₁、３Ｖ₁、４Ｖ₁、５Ｖ₁、６Ｖ₁、８Ｖ₁、１０Ｖ₁、１２Ｖ₁のいずれかである。）であるように保ちながらＥＦＭ＋変調された信号を前記記録方式ＤＶＤ２−１又は前記記録方式ＤＶＤ２−２の条件内における１つの記録方式で１０回オーバーライト記録した後に、１倍速での再生によって得られる記録信号のアイパターンの変調度ｍ₁₄が５５〜８０％であり、記録信号のアイパターンの反射率の上端値Ｒ_topが１８〜３０％であり、且つ再生信号クロックジッタが１５％以下、となることを特徴とする請求項６乃至８のいずれかに記載の書き換え型光記録媒体。
案内溝が、基準クロック周期Ｔの３２倍の周期であってＡＤＩＰ情報により位相変調された溝蛇行（ウォブル）信号を有し、該ＡＤＩＰ情報が記録線速度に応じた最適記録パワーＰｗ₀、最適消去パワーＰｅ₀、最適バイアスパワーＰｂ₀及びパルス分割情報の少なくとも１つを含むように予め基板に記載してなる請求項６乃至９のいずれかに記載の書換え型光記録媒体。
案内溝が、基準クロック周期Ｔの１５６倍の周期で振動する溝蛇行（ウォブル）信号を有し、記録線速度に応じた最適記録パワーＰｗ₀、最適消去パワーＰｅ₀、最適バイアスパワーＰｂ₀及びパルス分割情報の少なくとも１つを予め基板に記載してなる請求項６乃至９のいずれかに記載の書換え型光記録媒体。
前記相変化型記録層がＳｂを主成分とする組成である請求項１乃至１１のいずれかに記載の書き換え型光記録媒体。
前記相変化型記録層がさらにＧｅ及び／又はＴｅを含有し、前記相変化型記録層中におけるＧｅの含有量が１原子％以上３０原子％以下であり、Ｔｅの含有量が０原子％以上３０原子％以下である請求項１２に記載の書き換え型光記録媒体。
前記相変化型記録層がＴｅを１０原子％以上含有し、前記相変化型記録層中においてＳｂ／Ｔｅが４．５以上であり、ＧｅとＴｅとの原子比を１：３〜１：２０とする請求項１２又は１３に記載の書き換え型光記録媒体。
前記相変化型記録層が、Ｇｅ_y（Ｓｂ_xＴｅ_1-x）_1-y（ただし、０．０１≦ｙ≦０．０６、０．８２≦ｘ≦０．９で表される組成を主成分とする合金である請求項１４に記載の書換え型光記録媒体。
前記相変化型記録層が、Ｍ_zＧｅ_y（Ｓｂ_xＴｅ_1-x）_1-y-z（０．０１
≦ｚ≦０．１、０．０１≦ｙ≦０．０６、０．８２≦ｘ≦０．９であり、ＭはＧａ及びＩｎからなる群から選ばれた少なくとも一種の元素を表す。）で表される組成を主成分とする合金である請求項１５に記載の書換え型光記録媒体。
Ｓｂ／Ｔｅ比が５．５以上７．３以下の範囲にある請求項１５又は１６に記載の書き換え型光記録媒体。
レーザー光を用いて書き換え型光記録媒体を初期結晶化する際に、前記レーザー光に対して前記光記録用媒体の線速度が０．１ｍ／ｓ〜３ｍ／ｓとなるようにしてレーザー光を照射することにより初期結晶化がなされる請求項１５乃至１７のいずれかに記載の書き換え型光記録媒体。
前記相変化型記録層中のＴｅ含有量が１０原子％未満であり、Ｇｅの含有量が１原子％以上３０原子％以下である請求項１２又は１３に記載の書き換え型光記録媒体。
前記相変化型記録層が、ＴｅγＭ１β（ＧｅαＳｂ_1-α）_1-βーγ（ただし、０．０１≦α≦０．３、０≦β≦０．３、０≦γ＜０．１、２≦β／γ、０＜β＋γ≦０．４であり、Ｍ１はＩｎ、Ｇａ、及びＳｎからなる群から選ばれる一つである。）で表される組成を主成分とする合金である請求項１９に記載の書換え型光記録媒体。
前記相変化型記録層の膜厚が１０〜３０ｎｍである請求項１乃至２０のいずれかに記載の書き換え型光記録媒体。
前記書き換え型光記録媒体がさらに反射層を有し、反射層の面積抵抗率が０．０５Ω／□以上０．２Ω／□以下である請求項１乃至２１のいずれかに記載の書き換え型光記録媒体。
変調度ｍ₁₁及び、結晶状態の反射率Ｒ_topのいずれもが、温度１０５℃の加速試験環境下で３時間後保持した後においても、その初期値の９０％以上を維持する請求項１乃至２２のいずれかに記載の書き換え型光記録媒体。
請求項１乃至２３のいずれかに記載の書換え型光記録媒体に用いる記録方法であって、
情報を複数の記録マーク長及び記録マーク間長により記録するにあたり、
記録マーク間に対しては、非晶質を結晶化しうる消去パワーＰｅの光を照射して記録マーク間を形成するとともに、
一つの記録マークの時間的長さをｎＴ（Ｔは基準クロック周期）としたときに、
ｎ＝２ｍ（ｍは１以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｊ）Ｔ（ｊは−２．０〜２．０なる実数）を、
α₁Ｔ、β₁Ｔ、α₂Ｔ、β₂Ｔ、・・・・、α_mＴ、β_mＴ、
からなるｍ個のα_iＴとβ_iＴからなる区間（ただしΣ_i（α_i＋β_i）＝ｎ−ｊ）に分割し、
ｎ＝２ｍ＋１（ｍは１以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｋ）Ｔ、（ｋは−２．０〜２．０なる実数）を、
α₁'Ｔ、β₁'Ｔ、α₂'Ｔ、β₂'Ｔ、・・・・、α_m'Ｔ、β_m'Ｔ、
からなるｍ個のα_i'Ｔとβ_i'Ｔからなる区間（ただし、Σ_i（α_i'＋β_i'）＝ｎ−ｋ）に分割し、
α_iＴおよびα_i'Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、記録層を溶融するに足る一定の記録パワーＰｗの光を照射し、
β_iＴおよびβ_i'Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、バイアスパワーＰｂの光を照射することによって、時間的長さｎＴの記録マークを形成する書換え型光記録媒体への記録方法であって、
ｍ≧３では、
ｎ＝２ｍの記録マークにおいては、ｎＴマークの開始時間をＴ₀とするとき、（ｉ）Ｔ₀から遅延時間Ｔ_d1Ｔ後にα₁Ｔが発生された後、（ｉｉ）ｉ＝２〜ｍにおいては、β_i-1＋α_iが概ね周期２（但し、ｉ＝２及び／又はｉ＝ｍにおけるβ_i-1＋α_iは、±０．５の範囲で概ね周期２からずらしてもよい。また、ｍ≧４の場合、ｉ＝３〜ｍ−１においてはβ_i-1及びα_iは、それぞれ一定値βｃ及びαｃをとる。）を保ちながら、β_i-1Ｔ及びα_iＴがこの順に交互に発生された後、（ｉｉｉ）β_mＴが発生され、
ｎ＝２ｍ＋１の記録マークにおいては、ｎＴマークの開始時間をＴ₀とするとき、（ｉ
）Ｔ₀から遅延時間Ｔ_d1'Ｔ後にα₁'Ｔが発生された後、（ｉｉ）ｉ＝２〜ｍでおいては、β_i-1'＋α_i'が概ね周期２（但し、ｉ＝２及び／又はｉ＝ｍにおけるβ_i-1'＋α_i'は、±２の範囲で概ね周期２からずらしてもよい。また、ｍ≧４の場合、ｉ＝３〜ｍ−１においてはβ_i-1'及びα_i'は、それぞれ一定値βｃ及びαｃをとる。）を保ちながら、β_i-1'Ｔ及びα_i'Ｔがこの順に交互に発生された後、（ｉｉｉ）β_m'Ｔが発生され、
同一のｍにおける、ｎ＝２ｍの記録マーク及びｎ＝２ｍ＋１の記録マークにおいて、α_m≠α_m'とし、かつ、（Ｔ_d1，Ｔ_d1'）、（α₁，α₁'）、（β₁、β₁'）、（β_m-1とβ_m-1'）、及び（β_mとβ_m'）から選ばれる一組以上が異なる値をとることを特徴とする記録方法。
ｍ≧３の同一のｍにおけるｎ＝２ｍの記録マーク及びｎ＝２ｍ＋１の記録マークにおいて、α_m≠α_m'かつβ₁≠β₁'とし、かつ、（Ｔ_d1，Ｔ_d1'）、（α₁とα₁'）、（β_m-1とβ_m-1'）、及び（β_mとβ_m'）から選ばれる一組以上が異なる値をとる請求項２４に記載の記録方法。
α_m及びα_m'の関係をα_m'＝α_m＋Δ_m（０＜Δ_m≦１）とし、β₁及びβ₁'の関係をβ₁'＝β₁＋Δ₁（０＜Δ₁≦１）とする請求項２５に記載の光記録方法。
３以上のｍにおいては、Ｔ_d1'＝Ｔ_d1、α₁'＝α₁、β₁＋α₂＝１．５〜２．５、β_m-1＋α_m＝１．５〜２．５、β₁'＝β₁＋Δ₁（０＜Δ₁≦１）、β_m-1'＝β_m-1＋Δ_m-1（Δ_m-1＝０〜１）、α_m'＝α_m＋Δ_m（０＜Δ_m≦１）、Δ_mm＝Δ_m-1＋Δ_m、０＜Δ_mm≦１、β_m'＝β_m＋Δ_m'（Δ_m'＝０〜１）関係を満たし、かつ、Ｔ_d1，α₁、β₁、Δ₁、αｃ、β_m-1、Δ_m-1、α_m、Δ_m、β_m、Δ_m'は、３以上のｍにおいてはｍによらず一定であることを特徴とする請求項２５又は２６に記載の光記録方法。
ｍ＝２においては、α₁、α₁'、α₂、α₂'、β₂、β₂'をそれぞれｍが３以上の場合のいずれかのｍにおけるα₁、α₁'、α_m、α_m'、β_m、β_m'と等しくする（ただしβ₂'に関しては、さらに±０．５の範囲において、値を変更しうるものとする）とともに、β₁をｍが３以上の場合のいずれかのｍにおけるβ₁又はβ_m-1のいずれかと等しくし、β₁'をｍが３以上の場合のいずれかのｍにおけるβ₁'又はβ_m-1'のいずれかと等しくする請求項２５乃至２７のいずれかに記載の光記録方法。
３以上のｍにおいては、Ｔ_d1＋α₁＝２、α₁＝αｃ、β₁＋α₂＝２、β_m-1＋α_m＝２、及びα_m＝αｃのうち少なくとも一つの式が成り立つ請求項２５乃至２８のいずれかに記載の光記録方法。
ｍ＝２においても、Ｔ_d1＋α₁＝Ｔ_d1'＋α₁'＝２、α₁＝α₁'＝αｃ、β₁＋α₂＝２、及びα₂＝αｃのうち少なくとも一つの式が成り立つ請求項２９に記載の光記録方法。
記録線速度を基準線速度Ｖ₁＝１．２〜１．４ｍ／ｓの３２倍速以下のいずれかの線速度とし、ＥＦＭ変調された情報を複数の記録マーク長及び記録マーク間長により記録するにあたり、一つの記録マークの時間的長さをｎＴとし（ｎは３〜１１までの整数）、消去パワーＰｅと記録パワーＰｗとの比を、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．２〜０．６とし、バイアスパワーＰｂを、Ｐｂ≦０．２Ｐｅとする請求項２４乃至３０のいずれかに記載の光記録方法。
記録線速度を基準線速度Ｖ₁＝３．４９ｍ／ｓの１２倍速以下のいずれかの線速度とし、ＥＦＭ＋変調された情報を複数の記録マーク長及び記録マーク間長により記録するにあたり、一つの記録マークの時間的長さをｎＴとし（ｎは３〜１１までの整数と１４）、消去パワーＰｅと記録パワーＰｗとの比を、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．２〜０．６とし、バイアスパワーＰｂを、Ｐｂ≦０．２Ｐｅとする請求項２４乃至は３０に記載の光記録方法。
書換え型光記録媒体に対して、情報を複数の記録マーク長及び記録マーク間長により記録するにあたり、
記録マーク間に対しては、非晶質を結晶化しうる消去パワーＰｅの光を照射して記録マーク間を形成するとともに、
一つの記録マークの時間的長さをｎＴ（Ｔは基準クロック周期）としたときに、
ｎ＝２ｍ（ｍは１以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｊ）Ｔ（ｊは−２．０〜２．０なる実数）を、
α₁Ｔ、β₁Ｔ、α₂Ｔ、β₂Ｔ、・・・・、α_mＴ、β_mＴ、
からなるｍ個のα_iＴとβ_iＴからなる区間（ただしΣ_i（α_i＋β_i）＝ｎ−ｊ）に分割し、
ｎ＝２ｍ＋１（ｍは１以上の整数）なる記録マークに対しては、そのうちの時間的長さ（ｎ−ｋ）Ｔ、（ｋは−２．０〜２．０なる実数）を、
α₁'Ｔ、β₁'Ｔ、α₂'Ｔ、β₂'Ｔ、・・・・、α_m'Ｔ、β_m'Ｔ、
からなるｍ個のα_i'Ｔとβ_i'Ｔからなる区間（ただし、Σ_i（α_i'＋β_i'）＝ｎ−ｋ）に分割し、
α_iＴおよびα_i'Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、記録層を溶融するに足る一定の記録パワーＰｗの光を照射し、
β_iＴおよびβ_i'Ｔなる時間（ｉは１〜ｍの整数）内には、バイアスパワーＰｂの光を照射することによって、時間的長さｎＴの記録マークを形成する書換え型光記録媒体への記録方法であって、
ｍ≧３では、
ｎ＝２ｍの記録マークにおいては、ｎＴマークの開始時間をＴ₀とするとき、（ｉ）Ｔ₀から遅延時間Ｔ_d1Ｔ後にα₁Ｔが発生された後、（ｉｉ）ｉ＝２〜ｍにおいては、β_i-1＋α_iが概ね周期２（但し、ｉ＝２及び／又はｉ＝ｍにおけるβ_i-1＋α_iは、±０．５の範囲で概ね周期２からずらしてもよい。また、ｍ≧４の場合、ｉ＝３〜ｍ−１においてはβ_i-1及びα_iは、それぞれ一定値βｃ及びαｃをとる。）を保ちながら、β_i-1Ｔ及びα_iＴがこの順に交互に発生された後、（ｉｉｉ）β_mＴが発生され、
ｎ＝２ｍ＋１の記録マークにおいては、ｎＴマークの開始時間をＴ₀とするとき、（ｉ）Ｔ₀から遅延時間Ｔ_d1'Ｔ後にα₁'Ｔが発生された後、（ｉｉ）ｉ＝２〜ｍでおいては、β_i-1'＋α_i'が概ね周期２（但し、ｉ＝２及び／又はｉ＝ｍにおけるβ_i-1'＋α_i'は、±２の範囲で概ね周期２からずらしてもよい。また、ｍ≧４の場合、ｉ＝３〜ｍ−１においてはβ_i-1'及びα_i'は、それぞれ一定値βｃ及びαｃをとる。）を保ちながら、β_i-1'Ｔ及びα_i'Ｔがこの順に交互に発生された後、（ｉｉｉ）β_m'Ｔが発生され、
同一のｍにおける、ｎ＝２ｍの記録マーク及びｎ＝２ｍ＋１の記録マークにおいて、Ｔ_d1＝Ｔ_d1'、α₁＝α₁'、β₁＝β₁'、α_m≠α_m'とし、かつ（β_m-1とβ_m-1'）又は（β_mとβ_m'）の一組以上が異なる値をとることを特徴とする書換え型光記録媒体への記録方法。
３以上のｍにおいては、同一分割数ｍにおいて、ｎが奇数である場合のβ_m-1'＋α_m'＋β_m'は、ｎが偶数である場合のβ_m-1＋α_m＋β_mよりも、０．５〜１．５大きい請求項３３に記載の光記録方法。
３以上のｍにおいては、Ｔ_d1'＝Ｔ_d1、α₁'＝α₁、β₁＋α₂＝１．５〜２．５、β_m-1＋α_m＝１．５〜２．５、β_m-1'＝β_m-1＋Δ_m-1（Δ_m-1＝０〜１）、α_m'＝α_m＋Δ_m（０＜Δ_m≦１）、β_m'＝β_m＋Δ_m'（Δ_m'＝０〜１）、Δ_m-1＋Δ_m＋Δ_m'＝０．５〜１．５、の関係を満たし、かつ、Ｔ_d1，α₁、β₁、αｃ、β_m-1、Δ_m-1、α_m、β_m、及びΔ_m'は、ｍによらず一定とし、Δ_mは、ｍに応じてΔ_m1又はΔ_m2のいずれかの値をとることを特徴とする請求項３３又は３４に記載の光記録方法。
ｍ＝２においては、α₁、α₁'、β₁、β₁'、α₂、α₂'、β₂、β₂'を、それぞれ、ｍ＝３以上の場合のいずれかのｍにおけるα₁、α₁'、β_m-1、β_m-1'、α_m、α_m'、β_m、β_m'と等しくすることを特徴とする請求項３３乃至３５のいずれかに記載の光記録方法。
３以上のｍにおいてはΔ_m＝Δ_m1＝Δ_m2である請求項３３乃至３６のいずれかに記載の光記録方法。
３以上のｍにおいては、Ｔ_d1＋α₁＝２、α₁＝αｃ、β₁＋α₂＝２、β_m-1＋α_m＝２、及びα_m＝αｃのうち少なくとも一つの式が成り立つ請求項３３乃至３７のいずれか一つに記載の光記録方法。
ｍ＝２においても、Ｔ_d1＋α₁＝Ｔ_d1'＋α₁'＝２、α₁＝α₁'、β₁＋α₂＝２、及びα₂＝αｃのうち少なくとも一つの式が成り立つ請求項３８に記載の光記録方法。
３以上のｍにおいては、同一分割数ｍにおいて、Ｔ_d1'＝Ｔ_d1、α₁＝α₁'、Ｔ_d1＋α₁＝２、β_m-1'＝β_m-1＋Δ_m-1（Δ_m-1＝０〜１）、α_m'＝αｃ＋Δ_m（０＜Δ_m≦１）、Δ_m-1＋Δ_m＋Δ_m'＝０．５〜１．５、β_m'＝β_m＋Δ_m'、Δ_m'＝０〜１の関係を満たし、かつ、α₁，αｃ、Δ_m-1、Δ_m、β_m、Δ_m'は、ｍによらず一定とし、
ｍ＝２の場合には、α₁、α₁'、β₁、β₁'、α₂、α₂'、β₂、β₂'をそれぞれｍ＝３の場合のα₁、α₁'、β₂（＝βｃ）、β₂'（＝βｃ＋Δ_m-1）、α₃（＝αｃ）、α₃'（＝αｃ＋Δ_m）、β₃、β₃'（＝β₃＋Δ_m'）と等しくする請求項３５に記載の光記録方法。
ｎ＝３におけるα₁'が、４以上のｎにおけるα₁'よりも大きい請求項３３乃至４０のいずれかに記載の光記録方法。
ｎ＝３，５におけるＴ_d1'をそれぞれ、Ｔ_d1a、Ｔ_d1cとし、ｎ＝４におけるＴ_d1をＴ_d1bとし、６以上のｎにおけるＴ_d1、Ｔ_d1'をＴ_d1dとするとき、Ｔ_d1a、Ｔ_d1b、Ｔ_d1cのうちの少なくとも一つは、Ｔ_d1dとは異なる値とすることを特徴とする請求項３３乃至４１のいずれかに記載の光記録方法。
前記書き換え型光記録媒体が円盤状のディスクであり、同一ディスク面内において、１倍速基準速度（ＣＤの場合は１．２ｍ／ｓ〜１．４ｍ／ｓ、ＤＶＤの場合は３．４９ｍ／ｓ）でＣＬＶ記録されたディスクと同一となるよう記録線密度を一定としながら複数の記録線速度で記録を行う光記録方法であって、
記録線速度のうちの最大線速度Ｖ_maxは、ＣＤの場合は２０倍速、２４倍速、又は３２倍速のいずれかであり、ＤＶＤの場合は６倍速、８倍速、１０倍速、又は１２倍速のいずれかであり、
該Ｖ_maxにおけるα_i＝α_imax（ｉ＝１〜ｍ）を０．５〜２とし、かつ該Ｖ_maxにおけるα_i'＝α_imax'（ｉ＝１〜ｍ）を０．５〜２とし、低線速度ほどα_i及びα_i'（ｉ＝１〜ｍ）をそれぞれ単調に減少させる請求項２４乃至４２のいずれかに記載の光記録方法。
最小線速度Ｖ_minをＣＤの場合は８倍速、１０倍速、１２倍速、又は１６倍速のいずれとし、ＤＶＤの場合は２．５倍速、３倍速、４倍速、又は５倍速のいずれかとするとき、
前記Ｖ_minから前記Ｖ_maxまでの線速度範囲においては、３以上のｍにおいて、Ｔ_d1＋α₁、Ｔ_d1'＋α₁'、β_i-1＋α_i＝２、β_i-1'＋α_i'＝２（ｉ＝３〜ｍ−１）、がそれぞれ線速度によらず一定である請求項４３に記載の光記録方法。
使用するいずれの線速度においてもβ_m＝０〜２及びβ_m'＝０〜３とし、かつ、β_m及びβ_m'を線速度が低いほど単調に増加させる請求項４３又は４４に記載の書換え型光記録媒体への記録方法。
Δ_m'を低線速度ほど単調に増加させることを特徴とする請求項４３乃至４５のいずれかに記載の光記録方法。
ｎ＝３におけるＴ_d1'、α₁'、β₁'のうち、Ｔ_d1'及びβ₁'は低線速度ほど単調に増加させ、α₁'は、低線速度ほど単調に減少させる請求項４３乃至４６のいずれかに記載の光記録方法。
使用するいずれの線速度においても、β_iＴ（ｉ＝１〜ｍ）及びβ_i'Ｔ（ｉ＝１〜ｍ−１）を２ナノ秒以上とする請求項４３乃至４７のいずれかに記載の光記録方法。
前記円盤状の書換え型光記録媒体にＥＦＭ変調された情報を複数のマーク長により記録するに当たり、
線速度１．２ｍ／ｓ〜１．４ｍ／ｓを基準速度（１倍速）として、前記光記録媒体の記録領域最外周での線速度が２０倍速以上となるように前記光記録媒体を回転させる請求項４３乃至４８のいずれかに記載の光記録方法。
前記記録領域最内周での線速度を該基準線速度の１６倍速以上とし、かつ外周ほど記録線速度が高くなるようになるように該ディスクを回転させる請求項４９に記載の光記録方法。
前記記録領域を一定半径毎に仮想的な複数のゾーンに区切り、β_m＝０〜３とし、かつ、β_mを内周のゾーンほど単調に大きくし、α_i、α_i'を内周のゾーンほど単調に小さくする請求項４９又は５０に記載の光記録方法。
いずれの半径位置においても、Ｐｂ、Ｐｗ、及びＰｅ／Ｐｗの値がほぼ一定である請求項４９乃至５１のいずれかに記載の光記録方法。
前記円盤状の書換え型光記録媒体にＥＦＭ＋変調された情報を複数のマーク長により記録するに当たり、
線速度３．４９ｍ／ｓを基準速度（１倍速）として、前記光記録媒体の記録領域最外周での線速度が６倍速以上となるように前記光記録媒体を回転させる請求項４３乃至４８のいずれかに記載の光記録方法。
前記記録領域最内周での線速度を該基準線速度の６倍速以上とし、かつ外周ほど記録線速度が高くなるようになるように該ディスクを回転させる請求項５３に記載の光記録方法。
前記記録領域を一定半径毎に仮想的な複数のゾーンに区切り、β_m＝０〜３とし、かつ、β_mを内周のゾーンほど単調に大きくし、α_i、α_i'を内周のゾーンほど単調に小さくする請求項５３又は５４に記載の光記録方法。
いずれの半径位置においても、Ｐｂ、Ｐｗ、及びＰｅ／Ｐｗの値がほぼ一定である請求項５３乃至５５のいずれか１つに記載の光記録方法。