JP2002237095A - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
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- JP2002237095A JP2002237095A JP2001031499A JP2001031499A JP2002237095A JP 2002237095 A JP2002237095 A JP 2002237095A JP 2001031499 A JP2001031499 A JP 2001031499A JP 2001031499 A JP2001031499 A JP 2001031499A JP 2002237095 A JP2002237095 A JP 2002237095A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 記録層の組成を変更することなく記録線速度
を高め、記録マークの保存信頼性の悪化を防止でき、し
かも高速記録時のジッターを低く保持して、繰り返し書
き換え特性を高く保持することのできる光情報記録媒体
を提供すること。 【解決手段】 透明基板、下部誘電体保護層、相変化型
記録層、上部誘電体保護層及び反射放熱層を有する光情
報記録媒体において、該相変化型記録層を、ＡｇＩｎＳ
ｂＴｅ系組成からなる溶融消去型記録層とし、該上部誘
電体保護層を、ＺｎＯを主成分とする保護層とすること
を特徴とする光情報記録媒体。
を高め、記録マークの保存信頼性の悪化を防止でき、し
かも高速記録時のジッターを低く保持して、繰り返し書
き換え特性を高く保持することのできる光情報記録媒体
を提供すること。 【解決手段】 透明基板、下部誘電体保護層、相変化型
記録層、上部誘電体保護層及び反射放熱層を有する光情
報記録媒体において、該相変化型記録層を、ＡｇＩｎＳ
ｂＴｅ系組成からなる溶融消去型記録層とし、該上部誘
電体保護層を、ＺｎＯを主成分とする保護層とすること
を特徴とする光情報記録媒体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光情報記録媒体に
関し、さらに詳しくは、相変化型光記録ディスク等、光
ビームを照射することにより記録層に光学的な変化を生
じさせ、情報の記録、再生を行い、かつ書き換えが可能
な相変化型光情報記録媒体に関するものである。
関し、さらに詳しくは、相変化型光記録ディスク等、光
ビームを照射することにより記録層に光学的な変化を生
じさせ、情報の記録、再生を行い、かつ書き換えが可能
な相変化型光情報記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】レーザービームの照射による情報の記
録、再生及び消去が可能な光情報記録媒体の一つとし
て、結晶―非晶質間の転移を利用する、いわゆる相変化
型光情報記録媒体が知られている。また、書き換え型Ｃ
Ｄとしては、ＣＤ−ＲＷ等が実用化されている。この場
合、その記録層としては、ＡｇＩｎＳｂＴｅ記録層をＺ
ｎＳ−ＳｉＯ2保護層で挟み、さらに反射放熱層とし
て、Ａｌ合金を用いた４層構成の薄膜を透明なプラスチ
ック基板の上にスパッタリング法で成膜して、ディスク
とするのが一般的である。ＣＤ−ＲＷ等の記録型ディス
クは、より高速に情報を記録することが求められてお
り、そのためには、記録層のＡｇＩｎＳｂＴｅ系材料の
結晶化速度を速くする必要がある。そこで、ＡｇＩｎＳ
ｂＴｅ組成によって結晶化速度は変化するので、使用目
的に応じた組成設計をすることが求められる。
録、再生及び消去が可能な光情報記録媒体の一つとし
て、結晶―非晶質間の転移を利用する、いわゆる相変化
型光情報記録媒体が知られている。また、書き換え型Ｃ
Ｄとしては、ＣＤ−ＲＷ等が実用化されている。この場
合、その記録層としては、ＡｇＩｎＳｂＴｅ記録層をＺ
ｎＳ−ＳｉＯ2保護層で挟み、さらに反射放熱層とし
て、Ａｌ合金を用いた４層構成の薄膜を透明なプラスチ
ック基板の上にスパッタリング法で成膜して、ディスク
とするのが一般的である。ＣＤ−ＲＷ等の記録型ディス
クは、より高速に情報を記録することが求められてお
り、そのためには、記録層のＡｇＩｎＳｂＴｅ系材料の
結晶化速度を速くする必要がある。そこで、ＡｇＩｎＳ
ｂＴｅ組成によって結晶化速度は変化するので、使用目
的に応じた組成設計をすることが求められる。
【０００３】従来、ＡｇＩｎＳｂＴｅ記録層の結晶化速
度を速くするためには、Ｉｎを増やす、Ａｇを減らす等
の手法が採られている。しかし、組成のみで結晶化速度
を上げていくと、非晶質化が困難となり、記録感度が悪
化すること、このことにより繰り返し書き換え回数が悪
化するという問題があった。結晶化速度が速くなるとい
うことは、本質的に結晶性が強くなって、非晶質になり
難い組成になっていくことから、記録感度が悪化するこ
とになるのである。また、４元組成の内、特定組成のみ
が大きく変化すると、偏析を防ぐことのできる組成から
ずれていくことになり、繰り返し書き換え性が悪くなる
ことになる。このように、記録材料の組成を変化させて
結晶化速度を向上させるには限界があるのである。
度を速くするためには、Ｉｎを増やす、Ａｇを減らす等
の手法が採られている。しかし、組成のみで結晶化速度
を上げていくと、非晶質化が困難となり、記録感度が悪
化すること、このことにより繰り返し書き換え回数が悪
化するという問題があった。結晶化速度が速くなるとい
うことは、本質的に結晶性が強くなって、非晶質になり
難い組成になっていくことから、記録感度が悪化するこ
とになるのである。また、４元組成の内、特定組成のみ
が大きく変化すると、偏析を防ぐことのできる組成から
ずれていくことになり、繰り返し書き換え性が悪くなる
ことになる。このように、記録材料の組成を変化させて
結晶化速度を向上させるには限界があるのである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
従来の問題点を解消し、記録層の組成を変更することな
く記録線速度を高め、記録マークの保存信頼性の悪化を
防止でき、しかも高速記録時のジッタを低く保持して、
繰り返し書き換え特性を高く保持することのできる光情
報記録媒体を提供することをその課題とするものであ
る。
従来の問題点を解消し、記録層の組成を変更することな
く記録線速度を高め、記録マークの保存信頼性の悪化を
防止でき、しかも高速記録時のジッタを低く保持して、
繰り返し書き換え特性を高く保持することのできる光情
報記録媒体を提供することをその課題とするものであ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するために、記録層と保護層に着目して鋭意検討
を重ねた結果、本発明を完成するに到った。
を解決するために、記録層と保護層に着目して鋭意検討
を重ねた結果、本発明を完成するに到った。
【０００６】すなわち、本発明によれば、透明基板、下
部誘電体保護層、相変化型記録層、上部誘電体保護層及
び反射放熱層を有する光情報記録媒体において、該相変
化型記録層を、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系組成からなる溶融消
去型記録層とし、該上部誘電体保護層を、ＺｎＯを主成
分とする保護層とすることを特徴とする光情報記録媒体
が提供される。
部誘電体保護層、相変化型記録層、上部誘電体保護層及
び反射放熱層を有する光情報記録媒体において、該相変
化型記録層を、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系組成からなる溶融消
去型記録層とし、該上部誘電体保護層を、ＺｎＯを主成
分とする保護層とすることを特徴とする光情報記録媒体
が提供される。
【０００７】本発明には、該相変化記録層を、ＺｎＯを
主成分とする２５ｎｍ以下の厚さの誘電体保護層で挟持
するものである光情報記録媒体、該相変化型記録層が、
Ｓｂ 3Ｔｅを主材とする溶融結晶化材料から形成され、
該材料中に、Ｇｅを２原子％以上、Ａｇ及びＩｎを１０
原子％以下で含有するものである光記録媒体、該相変化
型記録層の結晶状態の電気伝導度が、Ａｇ5Ｉｎ8Ｓｂ57
Ｔｅ30よりも小さいものである光情報記録媒体及び該Ｚ
ｎＯを主成分とする該電体保護層中のＺｎＯの含有率
が、５０重量％以上であって、他の酸化物及び窒化物を
含み、かつＳｉ系物質を含まないものである情報記録媒
体が含まれる。
主成分とする２５ｎｍ以下の厚さの誘電体保護層で挟持
するものである光情報記録媒体、該相変化型記録層が、
Ｓｂ 3Ｔｅを主材とする溶融結晶化材料から形成され、
該材料中に、Ｇｅを２原子％以上、Ａｇ及びＩｎを１０
原子％以下で含有するものである光記録媒体、該相変化
型記録層の結晶状態の電気伝導度が、Ａｇ5Ｉｎ8Ｓｂ57
Ｔｅ30よりも小さいものである光情報記録媒体及び該Ｚ
ｎＯを主成分とする該電体保護層中のＺｎＯの含有率
が、５０重量％以上であって、他の酸化物及び窒化物を
含み、かつＳｉ系物質を含まないものである情報記録媒
体が含まれる。
【０００８】
【発明の実施の形態】ＡｇＩｎＳｂＴｅ系記録層に直接
触れ合うように、結晶化を促進する材料を敷設するもの
である。記録層は、記録時に６００℃付近まで上昇する
ので、この温度で安定な材料、具体的には、ＺｎＯ系の
誘電体材料を用いる。ＺｎＯがＡｇＩｎＳｂＴｅ系記録
層と触れ合っているように構成することにより、結晶化
速度の向上が果たせた。なお、記録層の結晶化を促進す
る層が記録層に触れ合うことによって、記録された非晶
質マークの結晶化も速くなって、記録された情報の保存
安定性が損なわれることになる。そこで、この問題を解
決するには、温度によって大きく結晶化速度が異なる性
質を有する添加物として、Ｇｅを記録層に添加すること
により防ぐことができるという知見を得た。
触れ合うように、結晶化を促進する材料を敷設するもの
である。記録層は、記録時に６００℃付近まで上昇する
ので、この温度で安定な材料、具体的には、ＺｎＯ系の
誘電体材料を用いる。ＺｎＯがＡｇＩｎＳｂＴｅ系記録
層と触れ合っているように構成することにより、結晶化
速度の向上が果たせた。なお、記録層の結晶化を促進す
る層が記録層に触れ合うことによって、記録された非晶
質マークの結晶化も速くなって、記録された情報の保存
安定性が損なわれることになる。そこで、この問題を解
決するには、温度によって大きく結晶化速度が異なる性
質を有する添加物として、Ｇｅを記録層に添加すること
により防ぐことができるという知見を得た。
【０００９】ＡｇＩｎＳｂＴｅ系記録材料を用いる相変
化型光記録ディスクは、一般的に、透明基板上に、Ｚｎ
Ｓ−ＳｉＯ2からなる下部誘電体保護層、ＡｇＩｎＳｂ
Ｔｅ系相変化型記録層、ＺｎＯ系上部誘電体保護層及び
Ａｌ合金系反射放熱層の構成となっている。レーザー光
を照射して、記録層を昇温し、レーザー光を断って急冷
することにより、非晶質化して記録マークが形成され
る。また、記録パワーの半分程度のレーザー光の照射で
昇温後、徐冷すると、溶融後結晶化して記録マークの消
去が行われる。
化型光記録ディスクは、一般的に、透明基板上に、Ｚｎ
Ｓ−ＳｉＯ2からなる下部誘電体保護層、ＡｇＩｎＳｂ
Ｔｅ系相変化型記録層、ＺｎＯ系上部誘電体保護層及び
Ａｌ合金系反射放熱層の構成となっている。レーザー光
を照射して、記録層を昇温し、レーザー光を断って急冷
することにより、非晶質化して記録マークが形成され
る。また、記録パワーの半分程度のレーザー光の照射で
昇温後、徐冷すると、溶融後結晶化して記録マークの消
去が行われる。
【００１０】ＡｇＩｎＳｂＴｅ系記録層の熱は主とし
て、上部誘電体保護層が比較的薄いことと、反射放熱層
の熱伝導率がよいことから、上部誘電体保護層側の界面
から伝わる。このため、上部誘電体保護層側の界面から
記録層は冷却され、凝固し始める。したがって、こちら
の側に結晶核になるようなものが存在すると、結晶化時
に結晶成長が膜全体としては早く終了することになる。
すなわち、高速結晶化が果たされることになる。
て、上部誘電体保護層が比較的薄いことと、反射放熱層
の熱伝導率がよいことから、上部誘電体保護層側の界面
から伝わる。このため、上部誘電体保護層側の界面から
記録層は冷却され、凝固し始める。したがって、こちら
の側に結晶核になるようなものが存在すると、結晶化時
に結晶成長が膜全体としては早く終了することになる。
すなわち、高速結晶化が果たされることになる。
【００１１】ＡｇＩｎＳｂＴｅ系記録層の結晶核になり
得るためには、結晶系が近いこと、格子定数が近いこと
などが要求される。このことから、従来、一般的なＺｎ
Ｓ−ＳｉＯ2系保護層は、非晶質に近い、微細結晶であ
るといわれており、結晶核には適さないものとされてい
る。その他、窒化シリコンや窒化アルミニウム等の代表
的な透明誘電体保護膜においては、スパッタリング膜は
非晶質であって、結晶核とはなり得ない。硫化亜鉛は、
スパッタ膜が結晶質であって、結晶核になり得るが、膜
の安定性が乏しく、書き換え時の６００℃程度の昇温
で、膜の結晶粒が粗大化する等の変化を生じ、繰り返し
記録回数が大幅に劣化するものである。
得るためには、結晶系が近いこと、格子定数が近いこと
などが要求される。このことから、従来、一般的なＺｎ
Ｓ−ＳｉＯ2系保護層は、非晶質に近い、微細結晶であ
るといわれており、結晶核には適さないものとされてい
る。その他、窒化シリコンや窒化アルミニウム等の代表
的な透明誘電体保護膜においては、スパッタリング膜は
非晶質であって、結晶核とはなり得ない。硫化亜鉛は、
スパッタ膜が結晶質であって、結晶核になり得るが、膜
の安定性が乏しく、書き換え時の６００℃程度の昇温
で、膜の結晶粒が粗大化する等の変化を生じ、繰り返し
記録回数が大幅に劣化するものである。
【００１２】ＺｎＯは、ＺｎＳが有する不安定さがな
く、これらの欠点がないものである。同一の記録層に対
して、上部誘電体保護層をＺｎＳ−ＳｉＯ2からＺｎＯ
に代えることにより、記録可能線速度が２割以上向上す
ることが確認できた。この両者の記録マークとその周辺
の透過型電子顕微鏡像を比較すると、記録層の結晶状態
の平均粒径が、ＺｎＯ保護膜の場合の方が微細であっ
た。これは、微視的に見た場合、結晶の成長速度自体は
ＺｎＳ−ＳｉＯ2とＺｎＯで変わりはないが、ＺｎＯが
隣にあると、結晶核が多く生成して、速く膜の結晶化が
進行することを意味している。このことは、ＡｇＩｎＳ
ｂＴｅ系記録層の特徴である溶融結晶化であることに由
来する高い記録マークの位置精度と、ＧｅＳｂＴｅ系材
料に代表される固相結晶化による高速結晶化が両立でき
ることを意味する。
く、これらの欠点がないものである。同一の記録層に対
して、上部誘電体保護層をＺｎＳ−ＳｉＯ2からＺｎＯ
に代えることにより、記録可能線速度が２割以上向上す
ることが確認できた。この両者の記録マークとその周辺
の透過型電子顕微鏡像を比較すると、記録層の結晶状態
の平均粒径が、ＺｎＯ保護膜の場合の方が微細であっ
た。これは、微視的に見た場合、結晶の成長速度自体は
ＺｎＳ−ＳｉＯ2とＺｎＯで変わりはないが、ＺｎＯが
隣にあると、結晶核が多く生成して、速く膜の結晶化が
進行することを意味している。このことは、ＡｇＩｎＳ
ｂＴｅ系記録層の特徴である溶融結晶化であることに由
来する高い記録マークの位置精度と、ＧｅＳｂＴｅ系材
料に代表される固相結晶化による高速結晶化が両立でき
ることを意味する。
【００１３】ＡｇＩｎＳｂＴｅ系は、結晶化するときも
非晶質化するときも、共に溶融させるのであり、記録、
消去時の温度差が小さく、熱干渉が少なくなり、記録密
度を向上させやすく、記録マークの位置精度が高いこと
になる。ＧｅＳｂＴｅ系に代表される、結晶化を固相で
行う材料系は、微細な結晶核が多く生成して結晶化が進
行するので、結晶化の本質的な速度は、遅くとも全体と
しては速く結晶化が完了する。
非晶質化するときも、共に溶融させるのであり、記録、
消去時の温度差が小さく、熱干渉が少なくなり、記録密
度を向上させやすく、記録マークの位置精度が高いこと
になる。ＧｅＳｂＴｅ系に代表される、結晶化を固相で
行う材料系は、微細な結晶核が多く生成して結晶化が進
行するので、結晶化の本質的な速度は、遅くとも全体と
しては速く結晶化が完了する。
【００１４】ＡｇＩｎＳｂＴｅ系溶融結晶化材料に、Ｚ
ｎＯ系の結晶核生成層を接することにより、記録膜を溶
融して徐冷すると、微細な結晶核が多数記録層に形成さ
れ、全体として結晶化速度が高速化する。
ｎＯ系の結晶核生成層を接することにより、記録膜を溶
融して徐冷すると、微細な結晶核が多数記録層に形成さ
れ、全体として結晶化速度が高速化する。
【００１５】このため、記録層組成を変更せずに結晶化
を速くし、高速記録できるようになる。また、ＡｇＩｎ
ＳｂＴｅ系記録層組成を高速結晶化させれば、さらにデ
ィスクの記録速度を上げることができる。
を速くし、高速記録できるようになる。また、ＡｇＩｎ
ＳｂＴｅ系記録層組成を高速結晶化させれば、さらにデ
ィスクの記録速度を上げることができる。
【００１６】図１に、本発明の一実施例の光情報記録媒
体の層構成の概念図を示す。図１で、図示されない案内
溝を有するポリカーボネート基板１上に、下部誘電体保
護層２、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系相変化記録層３、ＺｎＯ系
上部誘電体保護層４、Ａｌ合金反射放熱層５がスパッタ
リングによって形成され、この上に紫外線硬化性樹脂に
よる樹脂接着層６を介して、透明なポリカーボネート基
板からなる貼り合せ用基板７の構成となっている。
体の層構成の概念図を示す。図１で、図示されない案内
溝を有するポリカーボネート基板１上に、下部誘電体保
護層２、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系相変化記録層３、ＺｎＯ系
上部誘電体保護層４、Ａｌ合金反射放熱層５がスパッタ
リングによって形成され、この上に紫外線硬化性樹脂に
よる樹脂接着層６を介して、透明なポリカーボネート基
板からなる貼り合せ用基板７の構成となっている。
【００１７】スパッタリングは、枚葉式スパッタ装置を
用いる。ターゲットは、直径２００ｍｍ、成膜圧力は、
誘電体と記録層は０．２Ｐａ、反射層は０．７Ｐａの圧
力で成膜した。投入電力は、誘電体はＲＦ ３ｋＷ、記
録層はＤＣ ０．３ｋＷ、反射層はＤＣ ４ｋＷであ
る。記録再生は６６０ｎｍ、ＮＡ ０．６５の光ピック
アップを用い、ランダムなデジタルデータをＥＦＭ＋変
調して、記録密度０．２６７ｕｍ／ｂｉｔで行う。この
とき、再生信号のデータと、クロックとの間のジッター
が１０％未満で記録できる最高の記録線速度を測定す
る。
用いる。ターゲットは、直径２００ｍｍ、成膜圧力は、
誘電体と記録層は０．２Ｐａ、反射層は０．７Ｐａの圧
力で成膜した。投入電力は、誘電体はＲＦ ３ｋＷ、記
録層はＤＣ ０．３ｋＷ、反射層はＤＣ ４ｋＷであ
る。記録再生は６６０ｎｍ、ＮＡ ０．６５の光ピック
アップを用い、ランダムなデジタルデータをＥＦＭ＋変
調して、記録密度０．２６７ｕｍ／ｂｉｔで行う。この
とき、再生信号のデータと、クロックとの間のジッター
が１０％未満で記録できる最高の記録線速度を測定す
る。
【００１８】記録パワー、消去パワー、レーザー光の記
録波形は、各ディスクごとに最適化した。記録波形（記
録レーザーのパルスパターン）を図２に示す。各種ディ
スクと、最高記録線速度の関係を表１に示す。
録波形は、各ディスクごとに最適化した。記録波形（記
録レーザーのパルスパターン）を図２に示す。各種ディ
スクと、最高記録線速度の関係を表１に示す。
【００１９】
【表１】 同じ記録層組成に対して、下部誘電体保護層側でも効果
はあるが、ＺｎＯ保護膜を反射層側に用いた方が、線速
度が大きく向上する。表２に、同じ膜構成に対して記録
層組成を変化させた場合を示す。ＺｎＯ保護膜を用いた
場合も、記録組成で結晶化速度を変えることができる。
はあるが、ＺｎＯ保護膜を反射層側に用いた方が、線速
度が大きく向上する。表２に、同じ膜構成に対して記録
層組成を変化させた場合を示す。ＺｎＯ保護膜を用いた
場合も、記録組成で結晶化速度を変えることができる。
【表２】
【００２０】なお、高線速記録時に良好なジッターを得
るためには、記録時のレーザー光の熱がにじまないよう
にしなければならない。ＺｎＯの熱伝導度は、ＺｎＳ−
ＳｉＯ2よりもよいために、熱にじみに対しては不利に
なる。これを押さえるために、記録層自身の熱伝導度を
小さくする必要がある。記録層は、結晶状態では電気伝
導度が熱伝導と相関があるので、記録層組成設計には、
結晶状態での電気伝導が小さくなるようにしていけばよ
い。少なくとも、一般的なＡｇＩｎＳｂＴｅ系材料であ
るＡｇ5Ｉｎ8Ｓｂ57Ｔｅ30よりも電気伝導度を小さくし
なければ、良好なジッターはえられ難い。この組成の場
合、−４乗Ωｃｍ台の電気伝導度である。
るためには、記録時のレーザー光の熱がにじまないよう
にしなければならない。ＺｎＯの熱伝導度は、ＺｎＳ−
ＳｉＯ2よりもよいために、熱にじみに対しては不利に
なる。これを押さえるために、記録層自身の熱伝導度を
小さくする必要がある。記録層は、結晶状態では電気伝
導度が熱伝導と相関があるので、記録層組成設計には、
結晶状態での電気伝導が小さくなるようにしていけばよ
い。少なくとも、一般的なＡｇＩｎＳｂＴｅ系材料であ
るＡｇ5Ｉｎ8Ｓｂ57Ｔｅ30よりも電気伝導度を小さくし
なければ、良好なジッターはえられ難い。この組成の場
合、−４乗Ωｃｍ台の電気伝導度である。
【００２１】Ｇｅの添加は電気伝導度、すなわち熱伝導
率を小さくする添加物である。表２の１のような、Ａｇ
ＩｎＳｂＴｅ組成の高速媒体は、ＺｎＯ保護膜を用いる
と、記録マークの保存信頼性が若干劣るものとなる。こ
の欠点は、記録層にＧｅを添加することにより大きく改
善することが可能である。その例が、表２の３、４であ
る。これらは、１、２にくらべ、記録マークのアーカイ
バル保存特性が８０℃で２倍以上の時間であり、問題な
い。具体的には、１０００時間後もエラーが完全定性可
能な範囲であった。表３には、ＺｎＯに他の誘電体を添
加した場合を示す。膜構成と記録層組成を固定してい
る。他の誘電体を添加すると、くり返し書き換え回数が
大きく影響されるので、これについて示したものであ
る。
率を小さくする添加物である。表２の１のような、Ａｇ
ＩｎＳｂＴｅ組成の高速媒体は、ＺｎＯ保護膜を用いる
と、記録マークの保存信頼性が若干劣るものとなる。こ
の欠点は、記録層にＧｅを添加することにより大きく改
善することが可能である。その例が、表２の３、４であ
る。これらは、１、２にくらべ、記録マークのアーカイ
バル保存特性が８０℃で２倍以上の時間であり、問題な
い。具体的には、１０００時間後もエラーが完全定性可
能な範囲であった。表３には、ＺｎＯに他の誘電体を添
加した場合を示す。膜構成と記録層組成を固定してい
る。他の誘電体を添加すると、くり返し書き換え回数が
大きく影響されるので、これについて示したものであ
る。
【表３】
【００２２】ＺｎＯに他の誘電体を加えても、ＺｎＯの
効果はある。したがって、熱特性の調整等のために他の
誘電体を混合してもよい。例えば、Ａｌ2Ｏ3、ＡｌＮ、
ＺｎＳｅを混合することができる。しかし、ＳｉＯ2に
代表されるＳｉ系の材料は避ける必要がある。ＡｇＩｎ
ＳｂＴｅ系材料はＳｉが混入すると、著しく繰り返し書
き換え特性が劣化する。そのため、直接触れ合う誘電体
保護層にＳｉＯ2が入ることは好ましくない。ただし、
ＺｎＳ−ＳｉＯ2の場合だけは、混合して非晶質に近い
緻密な強い膜になるため、記録層へのＳｉの侵入がほと
んど生じないようである。しかし、Ｓｉ3Ｎ4などの保護
膜では、繰り返し書き換え特性は著しく劣化するので
ＺｎＯへのＳｉ系材料の添加は避けるべきである。
効果はある。したがって、熱特性の調整等のために他の
誘電体を混合してもよい。例えば、Ａｌ2Ｏ3、ＡｌＮ、
ＺｎＳｅを混合することができる。しかし、ＳｉＯ2に
代表されるＳｉ系の材料は避ける必要がある。ＡｇＩｎ
ＳｂＴｅ系材料はＳｉが混入すると、著しく繰り返し書
き換え特性が劣化する。そのため、直接触れ合う誘電体
保護層にＳｉＯ2が入ることは好ましくない。ただし、
ＺｎＳ−ＳｉＯ2の場合だけは、混合して非晶質に近い
緻密な強い膜になるため、記録層へのＳｉの侵入がほと
んど生じないようである。しかし、Ｓｉ3Ｎ4などの保護
膜では、繰り返し書き換え特性は著しく劣化するので
ＺｎＯへのＳｉ系材料の添加は避けるべきである。
【００２３】表１のディスクに対して、ＺｎＯ保護膜に
ＳｉＯ2を２０原子％添加すると、くり返し書き換え回
数が３０％程度低下した。この結果からも、Ｓｉを避け
る必要があることは明らかである。
ＳｉＯ2を２０原子％添加すると、くり返し書き換え回
数が３０％程度低下した。この結果からも、Ｓｉを避け
る必要があることは明らかである。
【００２４】
【実施例】以下、実施例を挙げて本発明をさらに詳しく
説明するが、これら実施例によって本発明はなんら限定
されるものではない。
説明するが、これら実施例によって本発明はなんら限定
されるものではない。
【００２５】実施例１ 溝幅０．２３μｍ、溝ピッチ０．７４μｍ、厚さ０．６
ｍｍのポリカーボネート基板に、スパッタリングにより
４層の薄膜を成膜した。第１層は、ＺｎＳ−２０ｍｏｌ
％ＳｉＯ2：８０ｎｍ、第２層は、Ａｇ０．５Ｉｎ３．
０ Ｓｂ７１．０ Ｔｅ２３．０ Ｇｅ２．５（原子
％）：１６ｎｍ、第３層は、ＺｎＯ：１６ｎｍ、第４層
は、Ａｇ：１５０ｎｍ（純度４Ｎ）である。この膜の上
に、紫外線硬化樹脂をスピンコートし、紫外線を照射し
て硬化させた。このディスクを、０．６ｍｍのポリカー
ボネート基板と接着剤で貼り合わせてディスクとした。
このディスクを、縦２μｍ、横１００μｍ、パワー７５
０ｍＷの大口径レーザーにて、ＡｇＩｎＳｂＴｅＧｅ記
録層を初期結晶化させて、ディスクを完成させた。この
ディスクに、６６０ｎｍ、ＮＡ０．６５の光ピックアッ
プを持つドライブで記録再生を行った。記録データはＥ
ＦＭ＋変調され、記録密度は０．２６７μｍ／ｂｉｔと
した。記録時の線速度を８．５ｍ／ｓとした。記録ピー
クパワーを１４．５ｍＷとして、１０００回もの書き換
えを行った。このときのデータと、クロックの間のジッ
ターはＴで規格化して、８％と良好であった。８．５ｍ
／ｓ記録は、ＤＶＤの２．５倍速であり、記録型ＤＶＤ
として、高速で良好な記録速度が得られた。なお、この
記録層の結晶状態の電気伝導度は、−４乗Ωｃｍ台以下
であった。
ｍｍのポリカーボネート基板に、スパッタリングにより
４層の薄膜を成膜した。第１層は、ＺｎＳ−２０ｍｏｌ
％ＳｉＯ2：８０ｎｍ、第２層は、Ａｇ０．５Ｉｎ３．
０ Ｓｂ７１．０ Ｔｅ２３．０ Ｇｅ２．５（原子
％）：１６ｎｍ、第３層は、ＺｎＯ：１６ｎｍ、第４層
は、Ａｇ：１５０ｎｍ（純度４Ｎ）である。この膜の上
に、紫外線硬化樹脂をスピンコートし、紫外線を照射し
て硬化させた。このディスクを、０．６ｍｍのポリカー
ボネート基板と接着剤で貼り合わせてディスクとした。
このディスクを、縦２μｍ、横１００μｍ、パワー７５
０ｍＷの大口径レーザーにて、ＡｇＩｎＳｂＴｅＧｅ記
録層を初期結晶化させて、ディスクを完成させた。この
ディスクに、６６０ｎｍ、ＮＡ０．６５の光ピックアッ
プを持つドライブで記録再生を行った。記録データはＥ
ＦＭ＋変調され、記録密度は０．２６７μｍ／ｂｉｔと
した。記録時の線速度を８．５ｍ／ｓとした。記録ピー
クパワーを１４．５ｍＷとして、１０００回もの書き換
えを行った。このときのデータと、クロックの間のジッ
ターはＴで規格化して、８％と良好であった。８．５ｍ
／ｓ記録は、ＤＶＤの２．５倍速であり、記録型ＤＶＤ
として、高速で良好な記録速度が得られた。なお、この
記録層の結晶状態の電気伝導度は、−４乗Ωｃｍ台以下
であった。
【００２６】実施例２ 溝幅０．２３μｍ、溝ピッチ０．７４μｍ、厚さ０．６
ｍｍのポリカーボネート基板に、スパッタリングにより
４層の薄膜を成膜した。第１層は、ＺｎＳ−２０ｍｏｌ
％ＳｉＯ2：８０ｎｍ、第２層は、Ａｇ０．５Ｉｎ４．
５ Ｓｂ６８．０ Ｔｅ２４．０ Ｇｅ３．０（原子
％）：１４ｎｍ、第３層は、ＺｎＯ−５重量％Ａｌ
2Ｏ3：１８ｎｍ、第４層は、Ａｇ：１５０ｎｍ（純度４
Ｎ）である。この膜の上に、紫外線硬化樹脂をスピンコ
ートし、紫外線を照射して硬化させた。このディスク
を、０．６ｍｍのポリカーボネート基板と接着剤で貼り
合わせてディスクとした。このディスクを縦２μｍ、横
１００μｍ、パワー７５０ｍＷの大口径レーザーにて、
ＡｇＩｎＳｂＴｅＧｅ記録層を初期結晶化させて、ディ
スクを完成させた。このディスクに、６６０ｎｍ、ＮＡ
０．６５の光ピックアップを持つドライブで記録再生を
行った。記録データはＥＦＭ＋変調され、記録密度は
０．２６７μｍ／ｂｉｔとした。記録時の線速度を８．
５ｍ／ｓとした。記録ピークパワーを１４．０ｍＷとし
て、１０００回もの書き換えを行った。このときのデー
タと、クロックの間のジッターはＴで規格化して、９％
と良好であった。８．５ｍ／ｓ記録は、ＤＶＤの２．５
倍速であり、記録型ＤＶＤとして、高速で良好な記録速
度が得られた。なお、この記録層の結晶状態の電気伝導
度は、−４乗Ωｃｍ台以下であった
ｍｍのポリカーボネート基板に、スパッタリングにより
４層の薄膜を成膜した。第１層は、ＺｎＳ−２０ｍｏｌ
％ＳｉＯ2：８０ｎｍ、第２層は、Ａｇ０．５Ｉｎ４．
５ Ｓｂ６８．０ Ｔｅ２４．０ Ｇｅ３．０（原子
％）：１４ｎｍ、第３層は、ＺｎＯ−５重量％Ａｌ
2Ｏ3：１８ｎｍ、第４層は、Ａｇ：１５０ｎｍ（純度４
Ｎ）である。この膜の上に、紫外線硬化樹脂をスピンコ
ートし、紫外線を照射して硬化させた。このディスク
を、０．６ｍｍのポリカーボネート基板と接着剤で貼り
合わせてディスクとした。このディスクを縦２μｍ、横
１００μｍ、パワー７５０ｍＷの大口径レーザーにて、
ＡｇＩｎＳｂＴｅＧｅ記録層を初期結晶化させて、ディ
スクを完成させた。このディスクに、６６０ｎｍ、ＮＡ
０．６５の光ピックアップを持つドライブで記録再生を
行った。記録データはＥＦＭ＋変調され、記録密度は
０．２６７μｍ／ｂｉｔとした。記録時の線速度を８．
５ｍ／ｓとした。記録ピークパワーを１４．０ｍＷとし
て、１０００回もの書き換えを行った。このときのデー
タと、クロックの間のジッターはＴで規格化して、９％
と良好であった。８．５ｍ／ｓ記録は、ＤＶＤの２．５
倍速であり、記録型ＤＶＤとして、高速で良好な記録速
度が得られた。なお、この記録層の結晶状態の電気伝導
度は、−４乗Ωｃｍ台以下であった
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば、記録層組成を変更せず
に記録線速度を高め、結晶化促進層の副作用である記録
マークの保存信頼性の悪化を防止でき、しかも高線速記
録時のジッターを低く保持して、高線速記録時の繰り返
し書き換え特性を高く保持することができる光情報記録
媒体が提供され、この記録分野に寄与するところはきわ
めて大きいものである。
に記録線速度を高め、結晶化促進層の副作用である記録
マークの保存信頼性の悪化を防止でき、しかも高線速記
録時のジッターを低く保持して、高線速記録時の繰り返
し書き換え特性を高く保持することができる光情報記録
媒体が提供され、この記録分野に寄与するところはきわ
めて大きいものである。
【図１】本発明の光情報記録媒体の一例を示す概念図で
ある。
ある。
【図２】記録レーザーのパルスパターンを示す図であ
る。
る。
１ 基板 ２ 下部誘電体保護層 ３ 相変化型記録層 ４ 上部誘電体保護層 ５ 反射放熱層 ６ 樹脂接着層 ７ 貼合わせ基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｂ４１Ｍ 5/26 Ｂ４１Ｍ 5/26 Ｘ (72)発明者 針谷 眞人 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 譲原 肇 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 伊藤 和典 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 Ｆターム(参考） 2H111 EA04 EA12 EA23 EA33 EA40 FA01 FA12 FA14 FA18 FA21 FA25 FA28 FB05 FB09 FB12 FB17 FB21 FB30 5D029 JA01 JC20 LA14 LA16 LA17 LB01 LB07 NA23
Claims (5)
- 【請求項１】 透明基板、下部誘電体保護層、相変化型
記録層、上部誘電体保護層及び反射放熱層を有する光情
報記録媒体において、該相変化型記録層を、ＡｇＩｎＳ
ｂＴｅ系組成からなる溶融消去型記録層とし、該上部誘
電体保護層を、ＺｎＯを主成分とする保護層とすること
を特徴とする光情報記録媒体。 - 【請求項２】 該相変化記録層を、ＺｎＯを主成分とす
る２５ｎｍ以下の厚さの誘電体保護層で挟持するもので
ある請求項1に記載の光情報記録媒体。 - 【請求項３】 該相変化型記録層が、Ｓｂ3Ｔｅを主材
とする溶融結晶化材料から形成され、該材料中に、Ｇｅ
を２原子％以上、Ａｇ及びＩｎを１０原子％以下で含有
するものである請求項１又は２に記載の光情報記録媒
体。 - 【請求項４】 該相変化型記録層の結晶状態の電気伝導
度が、Ａｇ5Ｉｎ8Ｓｂ57Ｔｅ30よりも小さいものである
請求項１〜３のいずれかに記載の光情報記録媒体。 - 【請求項５】 該ＺｎＯを主成分とする該電体保護層中
のＺｎＯの含有率が、５０重量％以上であって、他の酸
化物及び窒化物を含み、かつＳｉ系物質を含まないもの
である請求項１〜４のいずれかに記載の光情報記録媒
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001031499A JP2002237095A (ja) | 2001-02-07 | 2001-02-07 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001031499A JP2002237095A (ja) | 2001-02-07 | 2001-02-07 | 光情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002237095A true JP2002237095A (ja) | 2002-08-23 |
Family
ID=18895576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001031499A Pending JP2002237095A (ja) | 2001-02-07 | 2001-02-07 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002237095A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007105662A1 (en) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium |
| JP2008087454A (ja) * | 2006-04-05 | 2008-04-17 | Ricoh Co Ltd | 光記録媒体 |
| JP2008140544A (ja) * | 2002-09-05 | 2008-06-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光情報記録媒体及びその製造方法、並びに光情報記録媒体の保持方法 |
| US7566523B2 (en) | 2003-02-21 | 2009-07-28 | Nec Corporation | Optical information-recording media and optical information-recording/reproduction apparatus |
| US7609603B2 (en) | 2002-02-13 | 2009-10-27 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Rewritable optical recording medium and optical recording method |
| US7651832B2 (en) * | 2004-03-18 | 2010-01-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical information recording medium, recording/reproducing method, and recording/reproducing device |
-
2001
- 2001-02-07 JP JP2001031499A patent/JP2002237095A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7609603B2 (en) | 2002-02-13 | 2009-10-27 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Rewritable optical recording medium and optical recording method |
| US7858167B2 (en) | 2002-02-13 | 2010-12-28 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Rewritable optical recording medium and optical recording method |
| JP2008140544A (ja) * | 2002-09-05 | 2008-06-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光情報記録媒体及びその製造方法、並びに光情報記録媒体の保持方法 |
| JP4638918B2 (ja) * | 2002-09-05 | 2011-02-23 | パナソニック株式会社 | 光情報記録媒体 |
| US7566523B2 (en) | 2003-02-21 | 2009-07-28 | Nec Corporation | Optical information-recording media and optical information-recording/reproduction apparatus |
| US7651832B2 (en) * | 2004-03-18 | 2010-01-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical information recording medium, recording/reproducing method, and recording/reproducing device |
| WO2007105662A1 (en) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium |
| US8075974B2 (en) | 2006-03-10 | 2011-12-13 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium |
| JP2008087454A (ja) * | 2006-04-05 | 2008-04-17 | Ricoh Co Ltd | 光記録媒体 |
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