JP2002269806A - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
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- JP2002269806A JP2002269806A JP2001067689A JP2001067689A JP2002269806A JP 2002269806 A JP2002269806 A JP 2002269806A JP 2001067689 A JP2001067689 A JP 2001067689A JP 2001067689 A JP2001067689 A JP 2001067689A JP 2002269806 A JP2002269806 A JP 2002269806A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明の目的は、相変化型光情報記録媒体の
劣化の活性化エネルギーを求める方法を提供するととも
に、その活性化エネルギの特定の範囲内の値を示す記録
媒体により、高線速での記録，オーバーライトの特性、
保存性に優れた、光情報記録媒体を提供することにあ
る。 【解決手段】 少なくとも透明基板上に第１保護層，記
録層，第２保護層，反射放熱層，オーバーコート層を有
し、波長７９０ｎｍ，ＮＡ０．５０の光ピックアップで
測定したアシンメトリＡと保存時間ｔから求められる、
ｋ＝ｄｔ/ ｄＡをパラメータにアレニウスの式から求め
られる記録層の劣化の活性化エネルギーが１．６ｅＶ以
上であることを特徴とする光情報記録媒体を提供する。
劣化の活性化エネルギーを求める方法を提供するととも
に、その活性化エネルギの特定の範囲内の値を示す記録
媒体により、高線速での記録，オーバーライトの特性、
保存性に優れた、光情報記録媒体を提供することにあ
る。 【解決手段】 少なくとも透明基板上に第１保護層，記
録層，第２保護層，反射放熱層，オーバーコート層を有
し、波長７９０ｎｍ，ＮＡ０．５０の光ピックアップで
測定したアシンメトリＡと保存時間ｔから求められる、
ｋ＝ｄｔ/ ｄＡをパラメータにアレニウスの式から求め
られる記録層の劣化の活性化エネルギーが１．６ｅＶ以
上であることを特徴とする光情報記録媒体を提供する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光情報記録媒体に
関し、さらに詳しくは、ＣＤ−ＲＷ，ＤＶＤ−ＲＡＭ，
ＤＶＤ−ＲＷ，ＤＶＤ＋ＲＷ，ＰＤ等の相変化型光ディ
スクに代表される光情報記録媒体に関する。
関し、さらに詳しくは、ＣＤ−ＲＷ，ＤＶＤ−ＲＡＭ，
ＤＶＤ−ＲＷ，ＤＶＤ＋ＲＷ，ＰＤ等の相変化型光ディ
スクに代表される光情報記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術としては、特開平08-224961
号公報には、光記録媒体および活性化エネルギーの測定
方法と、誘電膜ではさまれたＡｇＳｂＴｅ2 系の記録膜
の活性化エネルギーが３．０ｅＶ以上であることを特徴
とする光記録媒体が開示され、記録媒体の保存寿命を向
上できるとしている。この場合の記録層組成，活性化エ
ネルギーの定義は本発明とが異なっている。
号公報には、光記録媒体および活性化エネルギーの測定
方法と、誘電膜ではさまれたＡｇＳｂＴｅ2 系の記録膜
の活性化エネルギーが３．０ｅＶ以上であることを特徴
とする光記録媒体が開示され、記録媒体の保存寿命を向
上できるとしている。この場合の記録層組成，活性化エ
ネルギーの定義は本発明とが異なっている。
【０００３】特開平08-263871 号公報には、光記録媒体
としてＡｇＩｎＳｂＴｅ系記録層の活性化エネルギーを
１．１ｅＶ以上とし、さらに記録層の組成を規定した、
光記録媒体を開示し、３０℃での保存寿命を向上できる
としている。しかし、本発明の目的である高速記録に対
応していない。組成の規定範囲，活性化エネルギーの範
囲が異なっている。
としてＡｇＩｎＳｂＴｅ系記録層の活性化エネルギーを
１．１ｅＶ以上とし、さらに記録層の組成を規定した、
光記録媒体を開示し、３０℃での保存寿命を向上できる
としている。しかし、本発明の目的である高速記録に対
応していない。組成の規定範囲，活性化エネルギーの範
囲が異なっている。
【０００４】特開平09-248965 号公報には、相変化型光
記録媒体として、記録層の活性化エネルギーを３．５ｅ
Ｖ以下とした光記録媒体でオーバーライト時の特性が改
善できるとしている。しかし、本発明と活性化エネルギ
ーの定義が異なり、保存信頼性に関する記述は無い。活
性化エネルギーとオーバーライト特性との関係は本発明
と逆の依存性を示している。
記録媒体として、記録層の活性化エネルギーを３．５ｅ
Ｖ以下とした光記録媒体でオーバーライト時の特性が改
善できるとしている。しかし、本発明と活性化エネルギ
ーの定義が異なり、保存信頼性に関する記述は無い。活
性化エネルギーとオーバーライト特性との関係は本発明
と逆の依存性を示している。
【０００５】特開平11-129620 号公報には、光記録媒体
として、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系記録層の組成、結晶化温
度、活性化エネルギーを規定した光情報記録媒体を開示
し、記録信号品質を向上でき、活性化エネルギーを１．
５ｅＶ以上にすることで高い信頼性を得ることができる
としている。
として、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系記録層の組成、結晶化温
度、活性化エネルギーを規定した光情報記録媒体を開示
し、記録信号品質を向上でき、活性化エネルギーを１．
５ｅＶ以上にすることで高い信頼性を得ることができる
としている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】近年、書き換え可能な
相変化型光情報記録媒体の高速記録への対応が急務とな
っている。特に書き換え型コンパクトディスクＣＤ−Ｒ
Ｗでの高速化が大きな課題となっている。
相変化型光情報記録媒体の高速記録への対応が急務とな
っている。特に書き換え型コンパクトディスクＣＤ−Ｒ
Ｗでの高速化が大きな課題となっている。
【０００７】高速記録では、高い記録線速度でも結晶化
しやすい記録層材料が必要であるが、その結果、記録膜
の結晶化エネルギーが低くなってしまう。結晶化エネル
ギーが低いと、高線速での記録，繰り返し記録( オーバ
ーライト) の特性が良くなるが、保存寿命が低くなる欠
点がある。
しやすい記録層材料が必要であるが、その結果、記録膜
の結晶化エネルギーが低くなってしまう。結晶化エネル
ギーが低いと、高線速での記録，繰り返し記録( オーバ
ーライト) の特性が良くなるが、保存寿命が低くなる欠
点がある。
【０００８】保存寿命を見積もる方法に、特開平08-224
961 にあるように記録相の単膜での活性化エネルギーを
求める方法がある。この測定方法では、記録層の活性化
エネルギーは求まるが、実際の媒体と構成が異なるた
め、媒体としての活性化エネルギーと値が異なってく
る。したがって、特開平08-263871 のように，実際の媒
体を用いて活性化エネルギーを求める方法が現実的であ
る。しかし、特開平08-226871 で規定している範囲、お
よび活性化エネルギーの測定方法では、実際の劣化のモ
ードを正しく捕らえていない為、活性化エネルギーを求
めるのが困難であると同時に高線速の記録に対応できな
い。
961 にあるように記録相の単膜での活性化エネルギーを
求める方法がある。この測定方法では、記録層の活性化
エネルギーは求まるが、実際の媒体と構成が異なるた
め、媒体としての活性化エネルギーと値が異なってく
る。したがって、特開平08-263871 のように，実際の媒
体を用いて活性化エネルギーを求める方法が現実的であ
る。しかし、特開平08-226871 で規定している範囲、お
よび活性化エネルギーの測定方法では、実際の劣化のモ
ードを正しく捕らえていない為、活性化エネルギーを求
めるのが困難であると同時に高線速の記録に対応できな
い。
【０００９】本発明の目的は、相変化型光情報記録媒体
の劣化の活性化エネルギーを求める方法を提供するとと
もに、高線速での記録，オーバーライトの特性に優れた
光情報記録媒体を提供することにある。
の劣化の活性化エネルギーを求める方法を提供するとと
もに、高線速での記録，オーバーライトの特性に優れた
光情報記録媒体を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の上記課題は、下
記の手段により達成される。
記の手段により達成される。
【００１１】本発明によれば、請求項1 では、CD-RW 等
の光情報記録媒体において、少なくとも透明基板上に第
１保護層，記録層，第２保護層，反射放熱層，オーバー
コート層を有し、波長７９０ｎｍ，ＮＡ０．５０の光ピ
ックアップで測定したアシンメトリＡと保存時間ｔから
求められる、 ｋ＝ｄｔ/ ｄＡ をパラメータにアレニウスの式から求められる、記録層
の劣化の活性化エネルギーが１．６ｅＶ以上であること
を主要な特徴とする。
の光情報記録媒体において、少なくとも透明基板上に第
１保護層，記録層，第２保護層，反射放熱層，オーバー
コート層を有し、波長７９０ｎｍ，ＮＡ０．５０の光ピ
ックアップで測定したアシンメトリＡと保存時間ｔから
求められる、 ｋ＝ｄｔ/ ｄＡ をパラメータにアレニウスの式から求められる、記録層
の劣化の活性化エネルギーが１．６ｅＶ以上であること
を主要な特徴とする。
【００１２】第二に、上記請求項１に記載の光情報記録
媒体において、記録層の劣化の活性化エネルギーが３．
０ｅＶ以下であることを特徴とする。
媒体において、記録層の劣化の活性化エネルギーが３．
０ｅＶ以下であることを特徴とする。
【００１３】第三に、上記請求項１および２に記載の光
情報記録媒体において、記録層が、ＡｇおよびまたはＧ
ｅ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅを主成分とし、その組成比が原子
パーセントで（ＡｇおよびまたはＧｅ）αＩｎβＳｂγ
Ｔｅδで表されるとき、 ０．１≦α≦７．０ ２．０≦β≦１０．０ ６４．０≦γ≦９２．０ ５．０≦δ≦２６．０ α＋β＋γ＋δ≧９７ であることを特徴とする。
情報記録媒体において、記録層が、ＡｇおよびまたはＧ
ｅ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅを主成分とし、その組成比が原子
パーセントで（ＡｇおよびまたはＧｅ）αＩｎβＳｂγ
Ｔｅδで表されるとき、 ０．１≦α≦７．０ ２．０≦β≦１０．０ ６４．０≦γ≦９２．０ ５．０≦δ≦２６．０ α＋β＋γ＋δ≧９７ であることを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を説明
する。本発明の記録媒体の一例を図１に示す。透明基板
上に第１誘電層，記録層，第２誘電層，保護層を順次積
層する。また、保護層の上に印刷層や透明基板の仮面に
ハードコート層を設けても良い。
する。本発明の記録媒体の一例を図１に示す。透明基板
上に第１誘電層，記録層，第２誘電層，保護層を順次積
層する。また、保護層の上に印刷層や透明基板の仮面に
ハードコート層を設けても良い。
【００１５】透明基板は媒体を記録，再生する光の波長
領域で透明であることが必要である。透明基板材料とし
てはガラス，セラミクス，樹脂等が例示でき、透明性お
よび成型の容易さから、樹脂を用いるのが好ましく、樹
脂としてはポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポ
キシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチ
レン共重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン
樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、
ウレタン樹脂などがあげられるが、成型性、光学特性、
コストの点で優れるポリカーボネート樹脂、アクリル系
樹脂が好ましい。透明基板上には案内溝（グルーブ）が
形成されていてもかまわない。
領域で透明であることが必要である。透明基板材料とし
てはガラス，セラミクス，樹脂等が例示でき、透明性お
よび成型の容易さから、樹脂を用いるのが好ましく、樹
脂としてはポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポ
キシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチ
レン共重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン
樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、
ウレタン樹脂などがあげられるが、成型性、光学特性、
コストの点で優れるポリカーボネート樹脂、アクリル系
樹脂が好ましい。透明基板上には案内溝（グルーブ）が
形成されていてもかまわない。
【００１６】第１誘電層，第２誘電層記録層は熱特性，
光学特性から、誘電体を用いる。誘電体としては、Si
O2, SiO, ZnO, SnO2, TiO2, In2O3, MgO, ZrO2等の酸化
物，Si 3N4, AlN, TiN, BN, ZrN等の窒化物， ZnS, In2S
3 , TaS4硫化物，SiC, TaC, B4C, WC, TiC, ZrC 等の炭
化物またはまたはダイヤモンド状炭素があり、これらの
誘電体単体、もしくは２種以上の混合物が用いられる。
光学特性から、誘電体を用いる。誘電体としては、Si
O2, SiO, ZnO, SnO2, TiO2, In2O3, MgO, ZrO2等の酸化
物，Si 3N4, AlN, TiN, BN, ZrN等の窒化物， ZnS, In2S
3 , TaS4硫化物，SiC, TaC, B4C, WC, TiC, ZrC 等の炭
化物またはまたはダイヤモンド状炭素があり、これらの
誘電体単体、もしくは２種以上の混合物が用いられる。
【００１７】各誘電層は真空成膜を用いて成膜され、成
膜方法としては真空蒸着法，スパッタリング法，イオン
プレーティング法，ＣＶＤ法等が例としてあげられ、生
産性・低コスト性から、スパッタリング法を用いるのが
好ましい。第1 誘電層，第2誘電層の材料・膜厚は独立
に任意に設定でき、光学特性，熱特性から最適値を設定
する。膜厚としては、10nm〜5000nm程度である。
膜方法としては真空蒸着法，スパッタリング法，イオン
プレーティング法，ＣＶＤ法等が例としてあげられ、生
産性・低コスト性から、スパッタリング法を用いるのが
好ましい。第1 誘電層，第2誘電層の材料・膜厚は独立
に任意に設定でき、光学特性，熱特性から最適値を設定
する。膜厚としては、10nm〜5000nm程度である。
【００１８】記録層には相変化材料を用いる。光情報記
録媒体に適している相変化材料としては、合金系の材料
を用いるが一般的であり、 GeTe, GeTeSe, GeTeS, GeS
eSb,GeSeSb, GeAsSe, InTe, SeTe, SeAs, Ge-Te-(Sn,A
u,Pd), GeTeSeSb, GeTeSb, AgInSbTe ，GeInSbTe，GeAg
InSbTe の合金系が例示できる。本発明の光情報記録媒
体ではAgInSbTe合金を主成分とする。各元素の組成比
は、記録線速度によって最適化されるが、後述の活性化
エネルギーを満たし、かつ高線速での高い記録特性を実
現するには以下の範囲に無くてはならない。
録媒体に適している相変化材料としては、合金系の材料
を用いるが一般的であり、 GeTe, GeTeSe, GeTeS, GeS
eSb,GeSeSb, GeAsSe, InTe, SeTe, SeAs, Ge-Te-(Sn,A
u,Pd), GeTeSeSb, GeTeSb, AgInSbTe ，GeInSbTe，GeAg
InSbTe の合金系が例示できる。本発明の光情報記録媒
体ではAgInSbTe合金を主成分とする。各元素の組成比
は、記録線速度によって最適化されるが、後述の活性化
エネルギーを満たし、かつ高線速での高い記録特性を実
現するには以下の範囲に無くてはならない。
【００１９】組成比が原子パーセントを用いて、（Ａｇ
およびまたはＧｅ）αＩｎβＳｂγＴｅδで表されると
き組成比の範囲は、 ０．１≦α≦７．０ ２．０≦β≦１０．０ ６４．０≦γ≦９２．０ ５．０≦δ≦２６．０ α＋β＋γ＋δ≧９７ となる。
およびまたはＧｅ）αＩｎβＳｂγＴｅδで表されると
き組成比の範囲は、 ０．１≦α≦７．０ ２．０≦β≦１０．０ ６４．０≦γ≦９２．０ ５．０≦δ≦２６．０ α＋β＋γ＋δ≧９７ となる。
【００２０】上記の元素比を満足する合金系に任意の元
素を不純物として混入しても良く、混入する不純物とし
ては，B, N, C, O, Si, P, Ga ，Ge,S, Se, Al, Ti, Z
r, V,Mn, Fe, Co, Ni, Cr, Cu, Zn, Sn, Pd, Pt, Au, A
g が例示できる。記録層は真空成膜法で積層され、真空
成膜法としては、真空蒸着法，スパッタリング法，イオ
ンプレーティング法，ＣＶＤ法等があげられ、生産性・
低コストからスパッタリング法を利用するのが望まし
い。
素を不純物として混入しても良く、混入する不純物とし
ては，B, N, C, O, Si, P, Ga ，Ge,S, Se, Al, Ti, Z
r, V,Mn, Fe, Co, Ni, Cr, Cu, Zn, Sn, Pd, Pt, Au, A
g が例示できる。記録層は真空成膜法で積層され、真空
成膜法としては、真空蒸着法，スパッタリング法，イオ
ンプレーティング法，ＣＶＤ法等があげられ、生産性・
低コストからスパッタリング法を利用するのが望まし
い。
【００２１】反射層は、記録再生光の反射および記録時
に発生する熱を放熱する機能をもつ。反射放熱層の材料
として金属および合金が用いられ、例としてAg, Au, Al
またはこれらの金属にTi, Si, Cr, Ta, Cu, Pd, C 等を
１種以上混合した合金があり、熱的特性，光学的特性，
および生産性を考慮すると、Alを主成分とする合金を用
いるのが好ましい。合金の組成および反射層の膜厚は任
意に設定でき、熱的特性および光学的特性から最適化す
るのが望ましい。
に発生する熱を放熱する機能をもつ。反射放熱層の材料
として金属および合金が用いられ、例としてAg, Au, Al
またはこれらの金属にTi, Si, Cr, Ta, Cu, Pd, C 等を
１種以上混合した合金があり、熱的特性，光学的特性，
および生産性を考慮すると、Alを主成分とする合金を用
いるのが好ましい。合金の組成および反射層の膜厚は任
意に設定でき、熱的特性および光学的特性から最適化す
るのが望ましい。
【００２２】保護層は、光硬化樹脂，電子線硬化樹脂等
を主成分とする樹脂材料を用いる。これらの樹脂として
は、成膜性，硬化の簡易性から光硬化樹脂を主成分とす
る樹脂材料を用いることが望ましい。光硬化樹脂として
は、紫外線硬化樹脂が一般的である。成膜方法として
は、ディッピング法，スピンコート法等が例示できる。
を主成分とする樹脂材料を用いる。これらの樹脂として
は、成膜性，硬化の簡易性から光硬化樹脂を主成分とす
る樹脂材料を用いることが望ましい。光硬化樹脂として
は、紫外線硬化樹脂が一般的である。成膜方法として
は、ディッピング法，スピンコート法等が例示できる。
【００２３】また、媒体の保護層上に１層以上の印刷層
を設けて、レーベルを作成したり、基板の下面上にハー
ドコート層を設け引っかき強度を上昇しても良い。印刷
層の材料としては公知の光硬化インクが使用でき、成膜
はスクリーン印刷を用いるのが一般的である。ハードコ
ートの材料および成膜方法は保護層と同様のものが利用
できる。また、2 つの媒体の保護層面同士を張り合わせ
ても良い。
を設けて、レーベルを作成したり、基板の下面上にハー
ドコート層を設け引っかき強度を上昇しても良い。印刷
層の材料としては公知の光硬化インクが使用でき、成膜
はスクリーン印刷を用いるのが一般的である。ハードコ
ートの材料および成膜方法は保護層と同様のものが利用
できる。また、2 つの媒体の保護層面同士を張り合わせ
ても良い。
【００２４】本発明の光情報記録媒体では上記の構成を
とると同時に、アシンメトリから求められる媒体の劣化
の活性化エネルギーによって規定される。
とると同時に、アシンメトリから求められる媒体の劣化
の活性化エネルギーによって規定される。
【００２５】媒体の活性化エネルギーは以下の方法によ
って測定する。
って測定する。
【００２６】媒体に記録された信号を以下の仕様の光ピ
ックアップで再生し測定する。 λ＝７９５ｎｍ ＮＡ＝０．５０ ＬＤパワー＝０．７０ｍＷ 再生された信号は、コンパクトディスク系，ＤＶＤ系の
媒体の場合は図２に示すようなパターンをとる。この時
のもっとも短いマークによる信号のピーク値をＩ１ｔ，
ボトム値をＩ１ｂとし、もっとも長いマークによる信号
のピーク値をＩ２ｔ，ボトム値をＩ２ｂとするとき、ア
シンメトリA は以下の式によって求められる。 A(%)=((I1t+I1b)/2-(I2t+I2b)/2)/(I2t-I2b)X100(%) このアシンメトリはコンパクトディスクの規格書である
レッドブック，オレンジブック，イエローブック等にも
同様の定義がされており、重要な特性値であるとされて
いる。
ックアップで再生し測定する。 λ＝７９５ｎｍ ＮＡ＝０．５０ ＬＤパワー＝０．７０ｍＷ 再生された信号は、コンパクトディスク系，ＤＶＤ系の
媒体の場合は図２に示すようなパターンをとる。この時
のもっとも短いマークによる信号のピーク値をＩ１ｔ，
ボトム値をＩ１ｂとし、もっとも長いマークによる信号
のピーク値をＩ２ｔ，ボトム値をＩ２ｂとするとき、ア
シンメトリA は以下の式によって求められる。 A(%)=((I1t+I1b)/2-(I2t+I2b)/2)/(I2t-I2b)X100(%) このアシンメトリはコンパクトディスクの規格書である
レッドブック，オレンジブック，イエローブック等にも
同様の定義がされており、重要な特性値であるとされて
いる。
【００２７】アシンメトリは、媒体の劣化の原因である
結晶化による影響をもっとも受けやすい、もっとも小さ
いマークからの信号の劣化の度合いを測るのに最適な量
である。また、劣化に際して、時間に対して線形に推移
する量であるため、寿命を推定するにあたり、最も有効
な特性値である。
結晶化による影響をもっとも受けやすい、もっとも小さ
いマークからの信号の劣化の度合いを測るのに最適な量
である。また、劣化に際して、時間に対して線形に推移
する量であるため、寿命を推定するにあたり、最も有効
な特性値である。
【００２８】記録層単体の特性としてではなく、媒体の
特性として表されている為、媒体の活性化エネルギーを
求めるのに最適である。
特性として表されている為、媒体の活性化エネルギーを
求めるのに最適である。
【００２９】温度を変えたときのアシンメトリと保存時
間の関係を図２に示す。アシンメトリは保存時間に対し
て比例関係にあり、保存の温度が高いほどその傾きが急
であり、温度が低いほど傾きが低くなっている。保存時
間ｔ，保存温度Ｔとすると、以下の関係が成り立つ。 A=(1/k)t+C このとき，1/ｋは比例定数，Ｃは切片である。両辺をア
シンメトリＡで微分すると以下の関係となる。 ｋ＝dt/dA (1) この比例定数k は温度T に対して、 k=k0*exp(-Ea/kB*T) (2) の依存をすることを見出した。ただし、ｋ0 ，Eaは定
数，ｋB はボルツマン定数であり、T は絶対温度に換算
した温度である。これは、反応速度定数と同様の温度依
存を示し、アレニウスの式に従う。したがって、時間と
アシンメトリの関係式(1) ，(2) から媒体の劣化の活性
化エネルギーを求めることができる。本発明の光情報記
録媒体では、Eaは1.6eV 以上必要である。
間の関係を図２に示す。アシンメトリは保存時間に対し
て比例関係にあり、保存の温度が高いほどその傾きが急
であり、温度が低いほど傾きが低くなっている。保存時
間ｔ，保存温度Ｔとすると、以下の関係が成り立つ。 A=(1/k)t+C このとき，1/ｋは比例定数，Ｃは切片である。両辺をア
シンメトリＡで微分すると以下の関係となる。 ｋ＝dt/dA (1) この比例定数k は温度T に対して、 k=k0*exp(-Ea/kB*T) (2) の依存をすることを見出した。ただし、ｋ0 ，Eaは定
数，ｋB はボルツマン定数であり、T は絶対温度に換算
した温度である。これは、反応速度定数と同様の温度依
存を示し、アレニウスの式に従う。したがって、時間と
アシンメトリの関係式(1) ，(2) から媒体の劣化の活性
化エネルギーを求めることができる。本発明の光情報記
録媒体では、Eaは1.6eV 以上必要である。
【００３０】Eaを1.6eV 以上とすることで、高線速での
記録特性が良好であると同時に室温での保存寿命の長
い、信頼性の高い光情報記録媒体を得ることができる。
記録特性が良好であると同時に室温での保存寿命の長
い、信頼性の高い光情報記録媒体を得ることができる。
【００３１】また、Eaは3.0eV 以下であることが望まし
い。Eaが3.0eV 以上であると、結晶化が非常に困難とな
り、高速での記録感度の低下，消去不良の原因となり、
オーバーライトでの特性を著しく低下することになる。
い。Eaが3.0eV 以上であると、結晶化が非常に困難とな
り、高速での記録感度の低下，消去不良の原因となり、
オーバーライトでの特性を著しく低下することになる。
【００３２】（実施例）以下に本発明の実施例を示す。
本実施例は、請求項および構成の記述の範囲を制限する
ものではない。
本実施例は、請求項および構成の記述の範囲を制限する
ものではない。
【００３３】ポリカーボネート製の透明基板にらせん状
の案内溝( グルーブ) を転写したＣＤ−ＲＷ用透明基板
に、第1 誘電層，記録層，第2 誘電層，反射層，保護層
を順次形成し，ＣＤ−ＲＷディスクサンプルを作成し
た。
の案内溝( グルーブ) を転写したＣＤ−ＲＷ用透明基板
に、第1 誘電層，記録層，第2 誘電層，反射層，保護層
を順次形成し，ＣＤ−ＲＷディスクサンプルを作成し
た。
【００３４】各誘電層の材料はＺｎＳ，ＳｉＯ2 の混合
物を用い、成膜にはＲＦスパッタリング法を用いて成膜
した。第１誘電層，第2 誘電層の膜厚はそれぞれ９０ｎ
ｍ，３０ｎｍとした。
物を用い、成膜にはＲＦスパッタリング法を用いて成膜
した。第１誘電層，第2 誘電層の膜厚はそれぞれ９０ｎ
ｍ，３０ｎｍとした。
【００３５】記録層にはＡｇＩｎＳｂＴｅ系の合金を用
いた。各元素比を請求項3 に記載の範囲で調整すること
で活性化エネルギーの異なるサンプルを得ている。記録
層はＤＣマグネトロンスパッタリングで成膜しその膜厚
は１５ｎｍであった。
いた。各元素比を請求項3 に記載の範囲で調整すること
で活性化エネルギーの異なるサンプルを得ている。記録
層はＤＣマグネトロンスパッタリングで成膜しその膜厚
は１５ｎｍであった。
【００３６】反射放熱層はＡｌ，Ｔｉの合金を用い、記
録層と同様にＤＣマグネトロンスパッタリングで成膜し
た。その膜厚は１５０ｎｍであった。
録層と同様にＤＣマグネトロンスパッタリングで成膜し
た。その膜厚は１５０ｎｍであった。
【００３７】保護層はＵＶ硬化樹脂をスピンコート法で
塗布し、紫外線を照射することで成膜した。その膜厚は
３０μｍ程度であった。
塗布し、紫外線を照射することで成膜した。その膜厚は
３０μｍ程度であった。
【００３８】以上の方法で、活性化エネルギーの異なる
サンプルＡ〜Ｄを作成した。作成したサンプルはＣＤ−
ＲＷ規格であるオレンジブックパートIIIvo2 に準拠し
たＣＤ−ＲＷディスクとなった。
サンプルＡ〜Ｄを作成した。作成したサンプルはＣＤ−
ＲＷ規格であるオレンジブックパートIIIvo2 に準拠し
たＣＤ−ＲＷディスクとなった。
【００３９】これらのサンプルの活性化エネルギーを以
下の方法で求めた。
下の方法で求めた。
【００４０】サンプルＡ〜Ｆを記録、その信号を測定
し、環境試験を実施した。
し、環境試験を実施した。
【００４１】記録，測定にはＣＤ―ＲＷ評価装置ＤＤＵ
１０００を用いた。記録装置の仕様を以下に示す。 λ＝７９５ｎｍ ＮＡ＝０．５０ 記録パワー：１５．０〜２５．０ｍＷ 読み出しパワー：０．７ｍｗ 記録はＣＤの通常スピードに対して１０倍速の記録線速
度１２．０ｍ／ｓで行った。この記録速度は前述のオレ
ンジブック記載の最高記録線速度に相当する。各サンプ
ルの記録パワーはオレンジブック記載の方法で決定し
た。記録は初期記録( 未記録媒体上に１回だけ記録) と
オーバーライト記録（初期記録状態の媒体に記録する)
を行った。
１０００を用いた。記録装置の仕様を以下に示す。 λ＝７９５ｎｍ ＮＡ＝０．５０ 記録パワー：１５．０〜２５．０ｍＷ 読み出しパワー：０．７ｍｗ 記録はＣＤの通常スピードに対して１０倍速の記録線速
度１２．０ｍ／ｓで行った。この記録速度は前述のオレ
ンジブック記載の最高記録線速度に相当する。各サンプ
ルの記録パワーはオレンジブック記載の方法で決定し
た。記録は初期記録( 未記録媒体上に１回だけ記録) と
オーバーライト記録（初期記録状態の媒体に記録する)
を行った。
【００４２】読み出しはＣＤの通常のスピード( 線速度
１．２ｍ／ｓ) で行った。測定項目はアシンメトリ，３
Ｔジッタとした。各サンプルの測定値を表１に示す。
１．２ｍ／ｓ) で行った。測定項目はアシンメトリ，３
Ｔジッタとした。各サンプルの測定値を表１に示す。
【００４３】
【表１】 上記で記録，初期評価を行ったサンプルを、７０℃，８
０℃，９０℃の環境試験に投入した。投入時間は７０℃
で１０００時間，８０℃で３００時間，９０℃で５０時
間とした。各環境の相対湿度は８５％とした。
０℃，９０℃の環境試験に投入した。投入時間は７０℃
で１０００時間，８０℃で３００時間，９０℃で５０時
間とした。各環境の相対湿度は８５％とした。
【００４４】それぞれのサンプルについて試験後にアシ
ンメトリを測定した。アシンメトリの測定値から、(
１) 式，( ２) 式を用いて活性化エネルギーを算出し
た。結果を表１に示す。
ンメトリを測定した。アシンメトリの測定値から、(
１) 式，( ２) 式を用いて活性化エネルギーを算出し
た。結果を表１に示す。
【００４５】同時に８０℃の環境試験を行ったサンプル
について、Ｃ１エラーレートをＣＤ評価機であるＣＤ−
ＣＡＴＳを用いて測定した。オレンジブックではＣ１エ
ラーレートを２２０ｃｐｓと規定しているので、Ｃ１エ
ラーレート＞２２０ｃｐｓとなった時間を８０℃での寿
命と判断した。８０℃での寿命の測定結果を表１に示
す。
について、Ｃ１エラーレートをＣＤ評価機であるＣＤ−
ＣＡＴＳを用いて測定した。オレンジブックではＣ１エ
ラーレートを２２０ｃｐｓと規定しているので、Ｃ１エ
ラーレート＞２２０ｃｐｓとなった時間を８０℃での寿
命と判断した。８０℃での寿命の測定結果を表１に示
す。
【００４６】活性化エネルギーの高いサンプルほど結晶
化しずらい記録層になっているので、８０℃での保存寿
命が長いといえる。また、活性化エネルギーが高いほど
室温に換算した寿命は指数関数的に延びるので、保存性
の非常に高い記録媒体と言える。一方，オーバーライト
のジッタは活性化エネルギーが高いほど大きくなり悪化
している。
化しずらい記録層になっているので、８０℃での保存寿
命が長いといえる。また、活性化エネルギーが高いほど
室温に換算した寿命は指数関数的に延びるので、保存性
の非常に高い記録媒体と言える。一方，オーバーライト
のジッタは活性化エネルギーが高いほど大きくなり悪化
している。
【００４７】８０℃での寿命が３００時間以上であるこ
とと，オーバーライトのジッタが３５ｎｓ以下であるこ
とを考慮すると，Ｂ，Ｃ，Ｄのサンプルが良好な光情報
記録媒体であるといえる。
とと，オーバーライトのジッタが３５ｎｓ以下であるこ
とを考慮すると，Ｂ，Ｃ，Ｄのサンプルが良好な光情報
記録媒体であるといえる。
【００４８】したがって、活性化エネルギーの適切な範
囲は１．６ｅＶ〜３．０ｅＶであるといえる。
囲は１．６ｅＶ〜３．０ｅＶであるといえる。
【００４９】
【発明の効果】請求項１の光情報記録媒体では、少なく
とも透明基板上に第１保護層，記録層，第２保護層，反
射放熱層，オーバーコート層を有し、波長７９０ｎｍ，
ＮＡ０．５０の光ピックアップで測定したアシンメトリ
Ａと保存時間ｔから求められる、 ｋ＝ｄｔ/ ｄＡ をパラメータにアレニウスの式から求められる記録層の
劣化の活性化エネルギーが１．６ｅＶ以上であることを
特徴とする光記録媒体によれば、活性化エネルギーを
１．６ｅＶ以上としているので結晶化がしずらく、超寿
命で保存信頼性を高くできる。
とも透明基板上に第１保護層，記録層，第２保護層，反
射放熱層，オーバーコート層を有し、波長７９０ｎｍ，
ＮＡ０．５０の光ピックアップで測定したアシンメトリ
Ａと保存時間ｔから求められる、 ｋ＝ｄｔ/ ｄＡ をパラメータにアレニウスの式から求められる記録層の
劣化の活性化エネルギーが１．６ｅＶ以上であることを
特徴とする光記録媒体によれば、活性化エネルギーを
１．６ｅＶ以上としているので結晶化がしずらく、超寿
命で保存信頼性を高くできる。
【００５０】請求項２の光情報記録媒体では、活性化エ
ネルギーを３．０ｅＶ以下としているので、高線速での
記録時に結晶化ができ、高線速でのオーバーライト特性
を良好にできる。
ネルギーを３．０ｅＶ以下としているので、高線速での
記録時に結晶化ができ、高線速でのオーバーライト特性
を良好にできる。
【００５１】請求項３の光情報記録媒体では、記録層が
ＡｇおよびまたはＧｅ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅを主成分と
し、その組成比が原子パーセントで（Ａｇおよびまたは
Ｇｅ）αＩｎβＳｂγＴｅδで表されるとき、 ０．１≦α≦７．０ ２．０≦β≦１０．０ ６４．０≦γ≦９２．０ ５．０≦δ≦２６．０ α＋β＋γ＋δ≧９７ であることを特徴とする請求項１および２に記載の光情
報記録媒体により、記録層組成を規定しているので、保
存信頼性とともに、高速記録消去特性、ドライブマッチ
ング等の総合性能に優れる。
ＡｇおよびまたはＧｅ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅを主成分と
し、その組成比が原子パーセントで（Ａｇおよびまたは
Ｇｅ）αＩｎβＳｂγＴｅδで表されるとき、 ０．１≦α≦７．０ ２．０≦β≦１０．０ ６４．０≦γ≦９２．０ ５．０≦δ≦２６．０ α＋β＋γ＋δ≧９７ であることを特徴とする請求項１および２に記載の光情
報記録媒体により、記録層組成を規定しているので、保
存信頼性とともに、高速記録消去特性、ドライブマッチ
ング等の総合性能に優れる。
【図１】本発明の記録媒体の一例を示す図である。
【図２】温度を変えた時のアシンメトリと保存時間の関
係を示す説明図である。
係を示す説明図である。
【図３】１／温度をＸ軸にとった時のlog ｋの特性値を
示す図である。
示す図である。
１ 印刷層 ２ 保護層 ３ 反射層 ４ 第２誘電層 ５ 記録層 ６ 第１誘電層 ７ 基板 ８ ハードコート層
Claims (3)
- 【請求項１】 少なくとも透明基板上に第１保護層，記
録層，第２保護層，反射放熱層，オーバーコート層を有
し、波長７９０ｎｍ，ＮＡ０．５０の光ピックアップで
測定したアシンメトリＡと保存時間ｔから求められる、 ｋ＝ｄｔ/ ｄＡ をパラメータにアレニウスの式から求められる記録層の
劣化の活性化エネルギーが１．６ｅＶ以上であることを
特徴とする光情報記録媒体。 - 【請求項２】 請求項１に記載の光情報記録媒体におい
て、記録層の劣化の活性化エネルギーが３．０ｅＶ以下
であることを特徴とする光情報記録媒体。 - 【請求項３】 記録層がＡｇおよびまたはＧｅ，Ｉｎ，
Ｓｂ，Ｔｅを主成分とし、その組成比が原子パーセント
で（ＡｇおよびまたはＧｅ）αＩｎβＳｂγＴｅδで表
されるとき、 ０．１≦α≦７．０ ２．０≦β≦１０．０ ６４．０≦γ≦９２．０ ５．０≦δ≦２６．０ α＋β＋γ＋δ≧９７ であることを特徴とする請求項１又は２に記載の光情報
記録媒体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001067689A JP2002269806A (ja) | 2001-03-09 | 2001-03-09 | 光情報記録媒体 |
| EP02250641A EP1229530A3 (en) | 2001-02-01 | 2002-01-30 | Optical information recording medium |
| US10/062,912 US7482109B2 (en) | 2001-02-01 | 2002-01-31 | Optical information recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001067689A JP2002269806A (ja) | 2001-03-09 | 2001-03-09 | 光情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002269806A true JP2002269806A (ja) | 2002-09-20 |
Family
ID=18925998
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001067689A Pending JP2002269806A (ja) | 2001-02-01 | 2001-03-09 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002269806A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004085168A1 (ja) * | 2003-03-24 | 2004-10-07 | Mitsubishi Chemical Corporation | 相変化記録材料及び情報記録用媒体 |
| WO2005005683A1 (ja) * | 2003-07-15 | 2005-01-20 | Nikko Materials Co., Ltd. | スパッタリングターゲット及び光記録媒体 |
-
2001
- 2001-03-09 JP JP2001067689A patent/JP2002269806A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004085168A1 (ja) * | 2003-03-24 | 2004-10-07 | Mitsubishi Chemical Corporation | 相変化記録材料及び情報記録用媒体 |
| US7081289B2 (en) | 2003-03-24 | 2006-07-25 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Phase-change recording material and information recording medium |
| WO2005005683A1 (ja) * | 2003-07-15 | 2005-01-20 | Nikko Materials Co., Ltd. | スパッタリングターゲット及び光記録媒体 |
| JPWO2005005683A1 (ja) * | 2003-07-15 | 2006-10-19 | 日鉱金属株式会社 | スパッタリングターゲット及び光記録媒体 |
| JP4582457B2 (ja) * | 2003-07-15 | 2010-11-17 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | スパッタリングターゲット及び光記録媒体 |
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