JPH08329466A - 光情報記録方法及び光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録方法及び光情報記録媒体Info
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- JPH08329466A JPH08329466A JP7135407A JP13540795A JPH08329466A JP H08329466 A JPH08329466 A JP H08329466A JP 7135407 A JP7135407 A JP 7135407A JP 13540795 A JP13540795 A JP 13540795A JP H08329466 A JPH08329466 A JP H08329466A
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- information recording
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B7/0045—Recording
- G11B7/00456—Recording strategies, e.g. pulse sequences
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】少なくとも基板及びＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅ及びＡｌ
の四元素の特定組成を有する記録層からなる相変化型光
情報記録媒体に、記録マークの前端部と後端部の位置に
対応させて、符号化規則により記録情報から変換した符
号列を記録することを特徴とする光情報記録方法及びそ
の方法により得られた光情報記録媒体。 【効果】繰り返し耐久性について実用上十分なジッタ特
性を示すピットエッジ記録が可能となり、また得られた
光情報記録媒体を再生すると、ビットエラーレートが実
用上問題ない程度に低く、特に、画像情報の場合は非常
に良好な画質が得られる。
の四元素の特定組成を有する記録層からなる相変化型光
情報記録媒体に、記録マークの前端部と後端部の位置に
対応させて、符号化規則により記録情報から変換した符
号列を記録することを特徴とする光情報記録方法及びそ
の方法により得られた光情報記録媒体。 【効果】繰り返し耐久性について実用上十分なジッタ特
性を示すピットエッジ記録が可能となり、また得られた
光情報記録媒体を再生すると、ビットエラーレートが実
用上問題ない程度に低く、特に、画像情報の場合は非常
に良好な画質が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、繰り返し耐久性に優れ
る新規な高密度光情報記録方法及びそれによって得られ
た光情報記録媒体に関する。
る新規な高密度光情報記録方法及びそれによって得られ
た光情報記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、膨大な情報量を記録・再生・消去
する手段として、光情報記録媒体の研究開発が盛んに行
われている。特に、結晶質と非晶質との二状態間で可逆
的に相変化する光学記録層を利用して情報の記録・消去
を行う、いわゆる相変化型光ディスクは、レーザー光の
パワーを変化させるだけで古い情報を消去しながら、同
時に新たな情報を記録する（以下、オーバーライト記録
と称する）ことができるという利点を有していることか
ら、有望視されている。
する手段として、光情報記録媒体の研究開発が盛んに行
われている。特に、結晶質と非晶質との二状態間で可逆
的に相変化する光学記録層を利用して情報の記録・消去
を行う、いわゆる相変化型光ディスクは、レーザー光の
パワーを変化させるだけで古い情報を消去しながら、同
時に新たな情報を記録する（以下、オーバーライト記録
と称する）ことができるという利点を有していることか
ら、有望視されている。
【０００３】例えば、相変化記録材料として、特開昭６
２−５３８８６号公報にＧｅ−Ｔｅ−Ｓｂ合金が、また
特開昭６１−２５８７８７号公報ではＧｅ−Ｔｅ−Ｓｂ
−Ｍ（Ｍは、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、
Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｌａ、Ｃ
ｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｆ、Ｔ
ａ、Ｗ、Ａｕ、Ｔｌ、Ｐｄ、Ｂｉから選ばれる金属）が
開示されている。
２−５３８８６号公報にＧｅ−Ｔｅ−Ｓｂ合金が、また
特開昭６１−２５８７８７号公報ではＧｅ−Ｔｅ−Ｓｂ
−Ｍ（Ｍは、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、
Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｌａ、Ｃ
ｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｆ、Ｔ
ａ、Ｗ、Ａｕ、Ｔｌ、Ｐｄ、Ｂｉから選ばれる金属）が
開示されている。
【０００４】一方、デジタル情報の記録方法としては、
符号化規則により記録情報から変換した符号列を、記録
マークの長さを一定とし該記録マークの中心に該符号列
の１を対応させて記録する方法（以下、ピットポジショ
ン記録方法と称する）と、記録マークの長さを可変と
し、該記録マークの前端部及び後端部の位置に該符号列
の１を対応させて記録する方法（以下、ピットエッジ記
録方法と称する）とが提案されている。一つの記録マー
クに対応させられる情報量がピットポジション記録方法
よりもピットエッジ記録方法の方が多いことから、原理
的に、情報の記録密度としてはピットポジション記録方
法よりもピットエッジ記録方法の方が高くなる。
符号化規則により記録情報から変換した符号列を、記録
マークの長さを一定とし該記録マークの中心に該符号列
の１を対応させて記録する方法（以下、ピットポジショ
ン記録方法と称する）と、記録マークの長さを可変と
し、該記録マークの前端部及び後端部の位置に該符号列
の１を対応させて記録する方法（以下、ピットエッジ記
録方法と称する）とが提案されている。一つの記録マー
クに対応させられる情報量がピットポジション記録方法
よりもピットエッジ記録方法の方が多いことから、原理
的に、情報の記録密度としてはピットポジション記録方
法よりもピットエッジ記録方法の方が高くなる。
【０００５】上記ピットエッジ記録方法が用いられてい
る光情報記録媒体としては、既に、コンパクトディスク
（以下、ＣＤと称す）と呼ばれる読み出し専用の媒体が
実用化されている。また、特開平４−２２６３９０号公
報にフタロシアニン色素を用いた追記型光記録媒体が開
示されている。
る光情報記録媒体としては、既に、コンパクトディスク
（以下、ＣＤと称す）と呼ばれる読み出し専用の媒体が
実用化されている。また、特開平４−２２６３９０号公
報にフタロシアニン色素を用いた追記型光記録媒体が開
示されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、相変化
型光ディスクについては、前記の特開昭６２−５３８８
６号及び、特開昭６１−２５８７８７号等が知られてい
るが、これらの公報の中には、ピットエッジ記録につい
ての記載、示唆は全くない。このようなことから、従
来、繰り返し耐久性に関して、実用に供しうるピットエ
ッジ記録可能な相変化型光ディスクについては知見がな
かった。従って、当業界において、相変化型光ディスク
を用いたピットエッジ記録について有効な技術が切望さ
れていた。
型光ディスクについては、前記の特開昭６２−５３８８
６号及び、特開昭６１−２５８７８７号等が知られてい
るが、これらの公報の中には、ピットエッジ記録につい
ての記載、示唆は全くない。このようなことから、従
来、繰り返し耐久性に関して、実用に供しうるピットエ
ッジ記録可能な相変化型光ディスクについては知見がな
かった。従って、当業界において、相変化型光ディスク
を用いたピットエッジ記録について有効な技術が切望さ
れていた。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、ピットエ
ッジ記録媒体に関して鋭意研究を重ねた結果、意外なこ
とに、記録層材料として特定の組成のＧｅ−Ｔｅ−Ｓｂ
−Ａｌを用いることにより、予想外に繰り返し耐久性が
向上できることを見いだし本発明を完成するに至った。
ッジ記録媒体に関して鋭意研究を重ねた結果、意外なこ
とに、記録層材料として特定の組成のＧｅ−Ｔｅ−Ｓｂ
−Ａｌを用いることにより、予想外に繰り返し耐久性が
向上できることを見いだし本発明を完成するに至った。
【０００８】即ち、本発明は、少なくとも基板及び記録
層からなり、該記録層が少なくともゲルマニウム（Ｇ
ｅ）、アンチモン（Ｓｂ）、テルル（Ｔｅ）及びアルミ
ニウム（Ａｌ）の四元素から構成され、かつ前記四元素
の組成が下記一般式（１）で表される相変化型光情報記
録媒体に、記録マークの前端部と後端部の位置に対応さ
せて、符号化規則により記録情報から変換した符号列を
記録することを特徴とする光情報記録方法を提供する。
層からなり、該記録層が少なくともゲルマニウム（Ｇ
ｅ）、アンチモン（Ｓｂ）、テルル（Ｔｅ）及びアルミ
ニウム（Ａｌ）の四元素から構成され、かつ前記四元素
の組成が下記一般式（１）で表される相変化型光情報記
録媒体に、記録マークの前端部と後端部の位置に対応さ
せて、符号化規則により記録情報から変換した符号列を
記録することを特徴とする光情報記録方法を提供する。
【０００９】 （ＧｅXＴｅYＳｂZ）1-KＡｌK ・・・・（１） ただし Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１ ０．１≦Ｘ≦０．５ ０．４≦Ｙ≦０．６ ０．０５≦Ｚ≦０．４ ０．００５≦Ｋ≦０．１ ここでＸ、Ｙ、Ｚ、Ｋはそれぞれ原子数比を表す。
【００１０】また、本発明は、上記で特定された相変化
型光情報記録媒体に、記録マークの前端部と後端部の位
置に対応させて、符号化規則により記録情報から変換し
た符号列が記録されていることを特徴とする光情報記録
媒体を提供する。さらに、本発明によれば、上記の記録
情報がデジタル化した動画もしくは静止画を含む情報で
あることを特徴とする光情報記録媒体も提供される。
型光情報記録媒体に、記録マークの前端部と後端部の位
置に対応させて、符号化規則により記録情報から変換し
た符号列が記録されていることを特徴とする光情報記録
媒体を提供する。さらに、本発明によれば、上記の記録
情報がデジタル化した動画もしくは静止画を含む情報で
あることを特徴とする光情報記録媒体も提供される。
【００１１】本発明のピットエッジ記録に用いられる光
情報記録媒体の記録層は、少なくともＧｅ、Ｔｅ、Ｓ
ｂ、及びＡｌの四元素から構成され、かつ前記四元素の
組成関係は下記一般式（１）で表される。 （ＧｅXＴｅYＳｂZ）1-KＡｌK ・・・・（１） ここでＸ、Ｙ、Ｚ、Ｋはそれぞれ原子数比を表しかつ
Ｘ、Ｙ、Ｚについては次の（２）式を満たす。
情報記録媒体の記録層は、少なくともＧｅ、Ｔｅ、Ｓ
ｂ、及びＡｌの四元素から構成され、かつ前記四元素の
組成関係は下記一般式（１）で表される。 （ＧｅXＴｅYＳｂZ）1-KＡｌK ・・・・（１） ここでＸ、Ｙ、Ｚ、Ｋはそれぞれ原子数比を表しかつ
Ｘ、Ｙ、Ｚについては次の（２）式を満たす。
【００１２】 Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１ ・・・・・・・・・・（２） 上記（１）式の内、Ｘが０．１未満の場合、低パワーの
光照射によっても、光学特性の変化が生じてしまい、再
生光によるデータ安定性、また高温環境下でのデータ安
定性が低下する。またＸが０．５を越えると、記録する
為に高レーザーパワーが必要となり、実用的な半導体レ
ーザーを用いた記録が困難になる。従ってＸの範囲とし
ては、０．１以上０．５以下が好ましく、さらに好まし
くは０．１以上０．４以下である。
光照射によっても、光学特性の変化が生じてしまい、再
生光によるデータ安定性、また高温環境下でのデータ安
定性が低下する。またＸが０．５を越えると、記録する
為に高レーザーパワーが必要となり、実用的な半導体レ
ーザーを用いた記録が困難になる。従ってＸの範囲とし
ては、０．１以上０．５以下が好ましく、さらに好まし
くは０．１以上０．４以下である。
【００１３】一方、上記（１）式の内、Ｙが０．４未満
の場合、アモルファス状態から結晶状態へ転移する時の
結晶化温度が高くなり、結晶化に要する時間が長くなる
ことから好ましくない。またＹが０．６を越えると、記
録層内において組成偏析が起こり良好な初期特性を得ら
れなくなる。従ってＹの範囲としては、０．４以上０．
６以下が好ましく、さらに０．４以上０．５５以下とす
ることにより特に優れた繰り返し耐久性を付与すること
ができる。
の場合、アモルファス状態から結晶状態へ転移する時の
結晶化温度が高くなり、結晶化に要する時間が長くなる
ことから好ましくない。またＹが０．６を越えると、記
録層内において組成偏析が起こり良好な初期特性を得ら
れなくなる。従ってＹの範囲としては、０．４以上０．
６以下が好ましく、さらに０．４以上０．５５以下とす
ることにより特に優れた繰り返し耐久性を付与すること
ができる。
【００１４】また上記（１）式の内、Ｚが０．０５未満
の場合、光照射による光学特性変化が小さく十分な光学
的なコントラストがとれず、従ってＣ／Ｎ比も低く、ま
たＺが０．４を越えると、結晶状態として単相が得られ
ず記録消去の繰り返しにより特性が変化する為好ましく
ない。従ってＺの範囲としては、０．０５以上０．４以
下が好ましい。
の場合、光照射による光学特性変化が小さく十分な光学
的なコントラストがとれず、従ってＣ／Ｎ比も低く、ま
たＺが０．４を越えると、結晶状態として単相が得られ
ず記録消去の繰り返しにより特性が変化する為好ましく
ない。従ってＺの範囲としては、０．０５以上０．４以
下が好ましい。
【００１５】さらに上記（１）式の内、Ｋが０．１を越
えると、繰り返し耐久性に対する効果は見られるもの
の、結晶化速度の低下を招くことから高速消去が要求さ
れる条件下で良好な初期特性を得ることができなくな
る。またＫが０．００５未満の場合は、繰り返し耐久性
に対する効果が低減する。従って好ましいＫの範囲とし
ては０．００５以上０．１ 以下であり、さらに好まし
くは０．００５以上０．０５以下である。
えると、繰り返し耐久性に対する効果は見られるもの
の、結晶化速度の低下を招くことから高速消去が要求さ
れる条件下で良好な初期特性を得ることができなくな
る。またＫが０．００５未満の場合は、繰り返し耐久性
に対する効果が低減する。従って好ましいＫの範囲とし
ては０．００５以上０．１ 以下であり、さらに好まし
くは０．００５以上０．０５以下である。
【００１６】本発明に用いる記録層は少なくともＧｅ、
Ｔｅ、Ｓｂ、Ａｌから構成され、優れた繰り返し耐久性
を有するピットエッジ記録媒体である。さらに本発明に
用いる記録層には、例えばＢｉ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｓｅから
選ばれる元素を添加することが可能で、特にＢｉを添加
した場合、高速結晶化に優れる記録層を得る事ができ、
またＳｉを添加した場合、光学特性に優れる記録層を得
ることができる。
Ｔｅ、Ｓｂ、Ａｌから構成され、優れた繰り返し耐久性
を有するピットエッジ記録媒体である。さらに本発明に
用いる記録層には、例えばＢｉ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｓｅから
選ばれる元素を添加することが可能で、特にＢｉを添加
した場合、高速結晶化に優れる記録層を得る事ができ、
またＳｉを添加した場合、光学特性に優れる記録層を得
ることができる。
【００１７】記録層の作製方法としては、蒸着法やスパ
ッタ法やイオンプレーティング法を用いることが可能で
あるが、組成を制御しやすいことからスパッタ法を用い
ることが好ましい。またこの際、種々の成分のターゲッ
トを用いた共スパッタ法により記録層を作製することも
可能である。本発明における光情報記録媒体は、記録
層、誘電体、反射層を透明基板上に順次形成することが
でき、好ましくは記録層と基板との間に誘電体が形成さ
れた４層構造とすることができる。
ッタ法やイオンプレーティング法を用いることが可能で
あるが、組成を制御しやすいことからスパッタ法を用い
ることが好ましい。またこの際、種々の成分のターゲッ
トを用いた共スパッタ法により記録層を作製することも
可能である。本発明における光情報記録媒体は、記録
層、誘電体、反射層を透明基板上に順次形成することが
でき、好ましくは記録層と基板との間に誘電体が形成さ
れた４層構造とすることができる。
【００１８】さらに詳しく述べると、透明基板上に、前
述の蒸着法やスパッタ法やイオンプレーティング法によ
って第一の保護層、光学的記録層、第二の保護層、反射
層を順次積層する。第一、二の誘電体層には耐熱性が高
く融点が１０００℃以上の材料、例えば、ＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ2 混合物、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＡｌＮ、Ｓｉ3Ｎ
4 等を用いることができる。反射層としては、例えば、
Ａｌ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、
Ｓｉ、Ｇｅ等、またそれらからなる合金を用いることが
できる。
述の蒸着法やスパッタ法やイオンプレーティング法によ
って第一の保護層、光学的記録層、第二の保護層、反射
層を順次積層する。第一、二の誘電体層には耐熱性が高
く融点が１０００℃以上の材料、例えば、ＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ2 混合物、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＡｌＮ、Ｓｉ3Ｎ
4 等を用いることができる。反射層としては、例えば、
Ａｌ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、
Ｓｉ、Ｇｅ等、またそれらからなる合金を用いることが
できる。
【００１９】記録層の膜厚としては、５ｎｍ以下では十
分な記録感度を得ることができず、１００ｎｍ以上は光
学的コントラストおよび分解能の点で問題が生じ好まし
くない。従って記録層の膜厚としては５ｎｍから１００
ｎｍが望ましい。第一の保護層の膜厚については特に規
定はないが、第二の保護層の膜厚については５ｎｍから
５０ｎｍが望ましい。第二の保護層の膜厚が、５ｎｍ以
下では記録感度が低下し５０ｎｍ以上では繰り返し特性
が低下する。さらに反射層の膜厚については、３０ｎｍ
以上が好ましい。
分な記録感度を得ることができず、１００ｎｍ以上は光
学的コントラストおよび分解能の点で問題が生じ好まし
くない。従って記録層の膜厚としては５ｎｍから１００
ｎｍが望ましい。第一の保護層の膜厚については特に規
定はないが、第二の保護層の膜厚については５ｎｍから
５０ｎｍが望ましい。第二の保護層の膜厚が、５ｎｍ以
下では記録感度が低下し５０ｎｍ以上では繰り返し特性
が低下する。さらに反射層の膜厚については、３０ｎｍ
以上が好ましい。
【００２０】また、上記第二の誘電体は使用するレーザ
ーの波長に対して完全に透明である必要はなく、複素屈
折率ｎ’＝ｎ＋ｋｉ（ｎは屈折率、ｋは消衰係数、ｉは
虚数単位）で表されるｋが１以下の材料で有れば用いる
ことが可能である。さらに、その様な層を記録層と第二
の誘電体層との間に挿入させた五層構造とすることも可
能である。
ーの波長に対して完全に透明である必要はなく、複素屈
折率ｎ’＝ｎ＋ｋｉ（ｎは屈折率、ｋは消衰係数、ｉは
虚数単位）で表されるｋが１以下の材料で有れば用いる
ことが可能である。さらに、その様な層を記録層と第二
の誘電体層との間に挿入させた五層構造とすることも可
能である。
【００２１】また前記四層構造における反射層の上部に
熱的な物性を調整するための第五の層を形成することも
可能で、この場合第五の層としてＡｕ、Ａｌまたはそれ
らを含む合金など高反射性の材料を用いることが好まし
い。本発明に用いる光情報記録媒体は、繰り返し耐久性
に優れたピットエッジ記録特性を示す。この媒体を用い
た記録方法としては、符号化規則により記録情報を符号
列に変換し、該符号の１に対応して記録レーザーパワー
をオンし、次の符号１に対応してオフすることにより記
録レーザーパルスを作製し、そのパルスを媒体に照射し
記録マークを作製する。従って記録マークの前端部と後
端部の位置に情報が記録されることになる。さらにピッ
トエッジ記録によると、符号１と次の符号１との間にあ
る符号０の個数の違いにより記録マークの長さが異なる
ことになる。この際、長いマークを記録する場合、該マ
ークの後方部にいくに従って、前方部からの熱流入によ
り温度上昇が大きくなり、その結果、記録マークは所定
の長さより長くなりやすい。逆に短いマークを記録する
場合は、予熱不足により該記録マークは所定の長さより
短くなりやすい。従って、双方の記録マークの両端の相
対位置が、記録すべき位置から相対的にずれる場合が起
こり得る。このような場合には、前記にて作製したレー
ザーパルスを、複数に分割しオンオフを繰り返して照射
（以下、マルチパルスと記す）することにより、記録マ
ークの大きさ・形状をより正確に制御できることから、
この方式を用いることが望ましい。
熱的な物性を調整するための第五の層を形成することも
可能で、この場合第五の層としてＡｕ、Ａｌまたはそれ
らを含む合金など高反射性の材料を用いることが好まし
い。本発明に用いる光情報記録媒体は、繰り返し耐久性
に優れたピットエッジ記録特性を示す。この媒体を用い
た記録方法としては、符号化規則により記録情報を符号
列に変換し、該符号の１に対応して記録レーザーパワー
をオンし、次の符号１に対応してオフすることにより記
録レーザーパルスを作製し、そのパルスを媒体に照射し
記録マークを作製する。従って記録マークの前端部と後
端部の位置に情報が記録されることになる。さらにピッ
トエッジ記録によると、符号１と次の符号１との間にあ
る符号０の個数の違いにより記録マークの長さが異なる
ことになる。この際、長いマークを記録する場合、該マ
ークの後方部にいくに従って、前方部からの熱流入によ
り温度上昇が大きくなり、その結果、記録マークは所定
の長さより長くなりやすい。逆に短いマークを記録する
場合は、予熱不足により該記録マークは所定の長さより
短くなりやすい。従って、双方の記録マークの両端の相
対位置が、記録すべき位置から相対的にずれる場合が起
こり得る。このような場合には、前記にて作製したレー
ザーパルスを、複数に分割しオンオフを繰り返して照射
（以下、マルチパルスと記す）することにより、記録マ
ークの大きさ・形状をより正確に制御できることから、
この方式を用いることが望ましい。
【００２２】また該記録マークの長さは、用いる符号化
規則により異なるが、本発明はこれにより限定されるも
のではない。
規則により異なるが、本発明はこれにより限定されるも
のではない。
【００２３】
【実施例】以下本発明を実施例により具体的に説明する
が、本発明の実施の態様はこれにより限定されるもので
はない。 （特性評価条件） ピットエッジ記録条件 ディスク状の光情報記録媒体を３０００ｒｐｍで回転さ
せ半径２６ｍｍの位置において特性評価を行なった。光
学系としてはレーザー波長６８０ｎｍを用いた。符号化
規則については、１−７ＲＬＬ変調方式を用いた。記録
方法としては図２に示す様に、符号”１”でレーザーパ
ワーを１３ｍＷ（記録パワー）にし、次に符号が”１”
になった時レーザーパワーを５ｍＷ（消去パワー）に変
化させ、これをオーバーライト記録時のレーザーパルス
照射条件として用いた。初期特性評価としては、２Ｔｗ
信号（記録周波数：ｆ１（ＭＨｚ））を用いて記録を行
なった時のＣ／Ｎ値と、さらに７Ｔｗ信号（記録周波
数：ｆ２（ＭＨｚ））でオーバーライトした時の２Ｔｗ
信号のオーバーライト消去率（ΔＣ）、さらにこの時の
７Ｔｗ信号のオーバーライトジッタ値の測定を行なっ
た。この際のジッタ値の測定には、ジッタアナライザー
を用い、σ／Ｔｗ値（σ：標準偏差値、Ｔｗ：ウインド
ウ幅）により評価した。 ピットポジション記録条件 上記と同じ回転数、半径位置及び光学系を用い、符号
化規則としては２−７ＲＬＬ変調方式を用いた。記録方
法としては図３に示す様に、符号”１”でレーザーパワ
ーを１３ｍＷ（記録パワー）にし、符号”０”でレーザ
ーパワーを５ｍＷ（消去パワー）に変化させ、これをオ
ーバーライト記録時のレーザーパルス照射条件として用
いた。初期特性評価としては、３Ｔｗ信号〔記録周波
数：ｆ１（ＭＨｚ）〕を用い記録を行なった時のＣ／Ｎ
値と、さらに８Ｔｗ信号〔記録周波数：ｆ２（ＭＨ
ｚ）〕でオーバーライトした時の３Ｔｗ信号のオーバー
ライト消去率（ΔＣ）、さらにこの時の８Ｔｗ信号のオ
ーバーライトジッタ値の測定を行なった。なお、この際
のジッタ値の測定は、前述の場合と同じである。 繰り返し耐久性の評価方法 前記の記録条件で一万回繰り返しオーバーライト記
録を行い、その後ピットエッジ記録媒体の場合は７Ｔｗ
信号のジッタ値を、ピットポジション記録媒体の場合は
８Ｔｗ信号のジッタ値を測定し、繰り返し耐久性の評価
を行なった。 オーバーライトジッタ値（σ／Ｔｗ）とビットエラー
レート（ＢＥＲ）の関係について。
が、本発明の実施の態様はこれにより限定されるもので
はない。 （特性評価条件） ピットエッジ記録条件 ディスク状の光情報記録媒体を３０００ｒｐｍで回転さ
せ半径２６ｍｍの位置において特性評価を行なった。光
学系としてはレーザー波長６８０ｎｍを用いた。符号化
規則については、１−７ＲＬＬ変調方式を用いた。記録
方法としては図２に示す様に、符号”１”でレーザーパ
ワーを１３ｍＷ（記録パワー）にし、次に符号が”１”
になった時レーザーパワーを５ｍＷ（消去パワー）に変
化させ、これをオーバーライト記録時のレーザーパルス
照射条件として用いた。初期特性評価としては、２Ｔｗ
信号（記録周波数：ｆ１（ＭＨｚ））を用いて記録を行
なった時のＣ／Ｎ値と、さらに７Ｔｗ信号（記録周波
数：ｆ２（ＭＨｚ））でオーバーライトした時の２Ｔｗ
信号のオーバーライト消去率（ΔＣ）、さらにこの時の
７Ｔｗ信号のオーバーライトジッタ値の測定を行なっ
た。この際のジッタ値の測定には、ジッタアナライザー
を用い、σ／Ｔｗ値（σ：標準偏差値、Ｔｗ：ウインド
ウ幅）により評価した。 ピットポジション記録条件 上記と同じ回転数、半径位置及び光学系を用い、符号
化規則としては２−７ＲＬＬ変調方式を用いた。記録方
法としては図３に示す様に、符号”１”でレーザーパワ
ーを１３ｍＷ（記録パワー）にし、符号”０”でレーザ
ーパワーを５ｍＷ（消去パワー）に変化させ、これをオ
ーバーライト記録時のレーザーパルス照射条件として用
いた。初期特性評価としては、３Ｔｗ信号〔記録周波
数：ｆ１（ＭＨｚ）〕を用い記録を行なった時のＣ／Ｎ
値と、さらに８Ｔｗ信号〔記録周波数：ｆ２（ＭＨ
ｚ）〕でオーバーライトした時の３Ｔｗ信号のオーバー
ライト消去率（ΔＣ）、さらにこの時の８Ｔｗ信号のオ
ーバーライトジッタ値の測定を行なった。なお、この際
のジッタ値の測定は、前述の場合と同じである。 繰り返し耐久性の評価方法 前記の記録条件で一万回繰り返しオーバーライト記
録を行い、その後ピットエッジ記録媒体の場合は７Ｔｗ
信号のジッタ値を、ピットポジション記録媒体の場合は
８Ｔｗ信号のジッタ値を測定し、繰り返し耐久性の評価
を行なった。 オーバーライトジッタ値（σ／Ｔｗ）とビットエラー
レート（ＢＥＲ）の関係について。
【００２４】再生信号におけるジッタ値の分布を正規分
布であると仮定して計算した、ビットエラーレートとオ
ーバーライトジッタ値との関係を図１に示す。このビッ
トエラーレートが５×１０-4を越えるとエラー訂正が不
可能になり、データの正しい再生ができなくなる。従っ
て実用的にデータを正確に再生する為には、オーバーラ
イトジッタ値として１４．３％以下が必要となることが
わかる。
布であると仮定して計算した、ビットエラーレートとオ
ーバーライトジッタ値との関係を図１に示す。このビッ
トエラーレートが５×１０-4を越えるとエラー訂正が不
可能になり、データの正しい再生ができなくなる。従っ
て実用的にデータを正確に再生する為には、オーバーラ
イトジッタ値として１４．３％以下が必要となることが
わかる。
【００２５】
【実施例１】レーザー光案内溝を設けた直径３．５イン
チ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板上に、Ｚｎ
Ｓ−ＳｉＯ2 （ＳｉＯ2 ：２０ｍｏｌ％）からなるター
ゲットを用いＲＦスパッタ法により膜厚７０ｎｍの第一
の保護層を形成した。次にＧｅＴｅＳｂＡｌ合金からな
るターゲットを用いＤＣスパッタ法により膜厚２０ｎｍ
の記録層を形成した。この時の記録層組成は、下記
（１）式において、Ｘ＝０．２５、Ｙ＝０．５３、Ｚ＝
０．２２、Ｋ＝０．０１であった。
チ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板上に、Ｚｎ
Ｓ−ＳｉＯ2 （ＳｉＯ2 ：２０ｍｏｌ％）からなるター
ゲットを用いＲＦスパッタ法により膜厚７０ｎｍの第一
の保護層を形成した。次にＧｅＴｅＳｂＡｌ合金からな
るターゲットを用いＤＣスパッタ法により膜厚２０ｎｍ
の記録層を形成した。この時の記録層組成は、下記
（１）式において、Ｘ＝０．２５、Ｙ＝０．５３、Ｚ＝
０．２２、Ｋ＝０．０１であった。
【００２６】 （ＧｅXＴｅYＳｂZ）1-KＡｌK ・・・・（１） さらにＺｎＳ−ＳｉＯ2 （ＳｉＯ2 ：２０ｍｏｌ％）か
らなる膜厚１５ｎｍの第二の保護層を、さらにＡｌＣｒ
からなる反射層を１５０ｎｍ順次スパッタ法により形成
した。その後反射層の上にＵＶ硬化樹脂層をスピンコー
ト法により形成し光情報記録媒体（表１においてサンプ
ルＡと記す）を作製した。
らなる膜厚１５ｎｍの第二の保護層を、さらにＡｌＣｒ
からなる反射層を１５０ｎｍ順次スパッタ法により形成
した。その後反射層の上にＵＶ硬化樹脂層をスピンコー
ト法により形成し光情報記録媒体（表１においてサンプ
ルＡと記す）を作製した。
【００２７】また記録層にそれぞれ表１記載の組成を用
いた以外はサンプルＡと同じ方法で、かつ同じ膜厚構造
で光情報記録媒体（サンプルＢ）を作製した。本記録媒
体に前記ピットエッジ記録条件に記載の方法を用い、
２Ｔｗ信号としてｆ１＝７．６７ＭＨｚ、７Ｔｗ信号と
してｆ２＝２．１９ＭＨｚを用いたオーバーライト記録
を行なった。なお、ウインドウ幅Ｔｗ＝３２．６ｎｓで
あり、この最大記録周波数における記録密度は０．４μ
ｍ／ｂｉｔである。２Ｔｗ信号のＣ／Ｎ値、２Ｔｗ信号
のオーバーライト消去率ΔＣ、７Ｔｗ信号のオーバーラ
イトジッタ値、さらに１万回繰り返し後の７Ｔｗ信号の
オーバーライトジッタ値を表１に示す。なお、繰り返し
後のオーバーライトジッタ値と初回オーバーライトジッ
タ値の比を、初期特性に対する比率として表に示した。
いた以外はサンプルＡと同じ方法で、かつ同じ膜厚構造
で光情報記録媒体（サンプルＢ）を作製した。本記録媒
体に前記ピットエッジ記録条件に記載の方法を用い、
２Ｔｗ信号としてｆ１＝７．６７ＭＨｚ、７Ｔｗ信号と
してｆ２＝２．１９ＭＨｚを用いたオーバーライト記録
を行なった。なお、ウインドウ幅Ｔｗ＝３２．６ｎｓで
あり、この最大記録周波数における記録密度は０．４μ
ｍ／ｂｉｔである。２Ｔｗ信号のＣ／Ｎ値、２Ｔｗ信号
のオーバーライト消去率ΔＣ、７Ｔｗ信号のオーバーラ
イトジッタ値、さらに１万回繰り返し後の７Ｔｗ信号の
オーバーライトジッタ値を表１に示す。なお、繰り返し
後のオーバーライトジッタ値と初回オーバーライトジッ
タ値の比を、初期特性に対する比率として表に示した。
【００２８】表１から、Ａｌの添加量を変えたサンプル
Ａ、Ｂの繰り返し後のジッタ値の増加は非常に小さい事
がわかる。さらに初期特性及び繰り返し後のジッタ値は
１４．３％以下であり、図１から計算されるビットエラ
ーレートとしては、２×１０ -4以下となることから実用
上問題の無いレベルである。
Ａ、Ｂの繰り返し後のジッタ値の増加は非常に小さい事
がわかる。さらに初期特性及び繰り返し後のジッタ値は
１４．３％以下であり、図１から計算されるビットエラ
ーレートとしては、２×１０ -4以下となることから実用
上問題の無いレベルである。
【００２９】
【比較例１】記録層にそれぞれ表１記載の組成を用いた
以外は、実施例１と同じ方法でかつ同じ膜厚構造で光情
報記録媒体（サンプルａ、ｂ）を作製し、さらに実施例
１と同じ特性評価を行った。結果を表１に示す。表１か
ら、Ａｌを添加しないサンプルａは、良好な初期特性が
得られるものの、一万回繰り返し後のジッタ値は１４．
５％と著しく増加する。また大量にＡｌを添加したサン
プルｂの初期特性は他のサンプルに比べ劣る結果とな
る。以上から、サンプルａ、ｂは繰り返し後のジッタ値
のビットエラーレートが５×１０-4を越え、データの正
確な再生ができなくなる。
以外は、実施例１と同じ方法でかつ同じ膜厚構造で光情
報記録媒体（サンプルａ、ｂ）を作製し、さらに実施例
１と同じ特性評価を行った。結果を表１に示す。表１か
ら、Ａｌを添加しないサンプルａは、良好な初期特性が
得られるものの、一万回繰り返し後のジッタ値は１４．
５％と著しく増加する。また大量にＡｌを添加したサン
プルｂの初期特性は他のサンプルに比べ劣る結果とな
る。以上から、サンプルａ、ｂは繰り返し後のジッタ値
のビットエラーレートが５×１０-4を越え、データの正
確な再生ができなくなる。
【００３０】
【比較例２】比較例１記載のサンプルａを用い前記ピ
ットポジション記録条件に記載の方法を用い、３Ｔｗ信
号としてｆ１＝５．４５ＭＨｚ、８Ｔｗ信号としてｆ２
＝２．０４ＭＨｚを用いたオーバーライト記録を行なっ
た。なお、ウインドウ幅Ｔｗ＝６１．２ｎｓであり、こ
の最大記録周波数における記録密度は１．０μｍ／ｂｉ
ｔである。３Ｔｗ信号のＣ／Ｎ値、３Ｔｗ信号のオーバ
ーライト消去率ΔＣ、８Ｔｗ信号のオーバーライトジッ
タ値を表１に示す。
ットポジション記録条件に記載の方法を用い、３Ｔｗ信
号としてｆ１＝５．４５ＭＨｚ、８Ｔｗ信号としてｆ２
＝２．０４ＭＨｚを用いたオーバーライト記録を行なっ
た。なお、ウインドウ幅Ｔｗ＝６１．２ｎｓであり、こ
の最大記録周波数における記録密度は１．０μｍ／ｂｉ
ｔである。３Ｔｗ信号のＣ／Ｎ値、３Ｔｗ信号のオーバ
ーライト消去率ΔＣ、８Ｔｗ信号のオーバーライトジッ
タ値を表１に示す。
【００３１】表１から、ピットポジション記録において
十分な繰り返し特性が得られる媒体であっても、前記比
較例１が示すように、ピットエッジ記録を行うと実用上
十分な繰り返し耐久性を得ることが困難であることがわ
かる。
十分な繰り返し特性が得られる媒体であっても、前記比
較例１が示すように、ピットエッジ記録を行うと実用上
十分な繰り返し耐久性を得ることが困難であることがわ
かる。
【００３２】
【実施例２】記録層にそれぞれ表２記載の組成を用いた
以外は、実施例１と同じ方法でかつ同じ膜厚構造で光情
報記録媒体（サンプルＣ〜Ｊ）を作製し、さらに実施例
１と同じ特性評価を行った。２Ｔｗ信号のＣ／Ｎ値、２
Ｔｗ信号のオーバーライト消去率ΔＣ、７Ｔｗ信号のオ
ーバーライトジッタ値、安定性試験後のジッタ値、さら
に１万回繰り返し後の７Ｔｗ信号のオーバーライトジッ
タ値を表２に示す。表２から、サンプルＣ〜Ｊについて
は、ピットエッジ記録を行った際、オーバーライトジッ
タに関して良好な初期特性ならびに繰り返し耐久性を有
する事がわかる。例えば、サンプルＣについては、繰り
返し後のジッタが１３．２％であり、図１からビットエ
ラーレートとしては２×１０-4以下と計算され、実用上
問題の無いレベルであることがわかる。さらに他のサン
プル（Ｄ〜Ｊ）についてもビットエラーレートとして
は、５×１０-4未満と計算され、実用上問題の無い範囲
であることがわかる。
以外は、実施例１と同じ方法でかつ同じ膜厚構造で光情
報記録媒体（サンプルＣ〜Ｊ）を作製し、さらに実施例
１と同じ特性評価を行った。２Ｔｗ信号のＣ／Ｎ値、２
Ｔｗ信号のオーバーライト消去率ΔＣ、７Ｔｗ信号のオ
ーバーライトジッタ値、安定性試験後のジッタ値、さら
に１万回繰り返し後の７Ｔｗ信号のオーバーライトジッ
タ値を表２に示す。表２から、サンプルＣ〜Ｊについて
は、ピットエッジ記録を行った際、オーバーライトジッ
タに関して良好な初期特性ならびに繰り返し耐久性を有
する事がわかる。例えば、サンプルＣについては、繰り
返し後のジッタが１３．２％であり、図１からビットエ
ラーレートとしては２×１０-4以下と計算され、実用上
問題の無いレベルであることがわかる。さらに他のサン
プル（Ｄ〜Ｊ）についてもビットエラーレートとして
は、５×１０-4未満と計算され、実用上問題の無い範囲
であることがわかる。
【００３３】
【比較例３】記録層にそれぞれ表２記載の組成を用いた
以外は、実施例１と同じ方法でかつ同じ膜厚構造で光情
報記録媒体（サンプルｃ〜ｊ）を作製し、さらに実施例
２と同じ特性評価を行った。結果を表３に示す。表３か
ら、サンプルｃ〜ｊについては、ピットエッジ記録を行
った際、オーバーライトジッタに関して、初期特性なら
びに繰り返し耐久性のすべてを満足する特性が得られな
い事がわかる。例えば、組成Ｙの値が０．４未満である
サンプルｃについては、繰り返し耐久性に対する効果は
見られるものの、繰り返し後のジッタ値は１４．７％と
なる。従って図１から計算されるビットエラーレートと
しては５×１０-4を越えることになり、データを正しく
再生することが困難になる。さらに他のサンプル（ｄ〜
ｊ）についても同様に、繰り返し耐久性試験後のビット
エラーレートが、５×１０-4を越え、データの正確な再
生ができなくなる。
以外は、実施例１と同じ方法でかつ同じ膜厚構造で光情
報記録媒体（サンプルｃ〜ｊ）を作製し、さらに実施例
２と同じ特性評価を行った。結果を表３に示す。表３か
ら、サンプルｃ〜ｊについては、ピットエッジ記録を行
った際、オーバーライトジッタに関して、初期特性なら
びに繰り返し耐久性のすべてを満足する特性が得られな
い事がわかる。例えば、組成Ｙの値が０．４未満である
サンプルｃについては、繰り返し耐久性に対する効果は
見られるものの、繰り返し後のジッタ値は１４．７％と
なる。従って図１から計算されるビットエラーレートと
しては５×１０-4を越えることになり、データを正しく
再生することが困難になる。さらに他のサンプル（ｄ〜
ｊ）についても同様に、繰り返し耐久性試験後のビット
エラーレートが、５×１０-4を越え、データの正確な再
生ができなくなる。
【００３４】
【実施例３】実施例１記載のサンプルＡを用い、以下に
示す方法により動画像のピットエッジ記録を行なった。
まず動画像情報をデジタル化し、ＭＰＥＧ２規格による
ビットレート圧縮を行なった。その後誤り訂正符号を付
加し、１−７ＲＬＬ変調方式により変換した符号列を、
ピットエッジ記録方法で記録を行なった。その再生信号
を復号化し誤り訂正を行い、さらにビットレート伸長を
行い、アナログ変換を行った。この様にして得られた画
像は、非常に良好な画質であった。
示す方法により動画像のピットエッジ記録を行なった。
まず動画像情報をデジタル化し、ＭＰＥＧ２規格による
ビットレート圧縮を行なった。その後誤り訂正符号を付
加し、１−７ＲＬＬ変調方式により変換した符号列を、
ピットエッジ記録方法で記録を行なった。その再生信号
を復号化し誤り訂正を行い、さらにビットレート伸長を
行い、アナログ変換を行った。この様にして得られた画
像は、非常に良好な画質であった。
【００３５】
【表１】
【００３６】
【表２】
【００３７】
【表３】
【００３８】
【発明の効果】以上のように、本発明の方法によれば、
従来の記録方法に比べ、繰り返し耐久性について実用上
十分なジッタ特性を示すピットエッジ記録が可能とな
り、また、本発明の方法によって得られた光情報記録媒
体を再生すると、ビットエラーレートが実用上問題ない
程度に低く、特に、画像情報の場合は非常に良好な画質
が得られる。
従来の記録方法に比べ、繰り返し耐久性について実用上
十分なジッタ特性を示すピットエッジ記録が可能とな
り、また、本発明の方法によって得られた光情報記録媒
体を再生すると、ビットエラーレートが実用上問題ない
程度に低く、特に、画像情報の場合は非常に良好な画質
が得られる。
【図１】本発明におけるオーバーライトジッタ値（σ／
Ｔｗ）とビットエラーレート（ＢＥＲ）の関係を示す図
である。
Ｔｗ）とビットエラーレート（ＢＥＲ）の関係を示す図
である。
【図２】ピットエッジ記録条件における符号列とパルス
条件と記録マークの関係を示す図である。
条件と記録マークの関係を示す図である。
【図３】ピットポジション記録条件における符号列とパ
ルス条件と記録マークの関係を示す図である。
ルス条件と記録マークの関係を示す図である。
Claims (2)
- 【請求項１】 少なくとも基板及び記録層からなり、該
記録層が少なくともＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅ及びＡｌの四元素
から構成され、かつ前記四元素の組成が下記一般式
（１）で表される相変化型光情報記録媒体に、記録マー
クの前端部と後端部の位置に対応させて、符号化規則に
より記録情報から変換した符号列を記録することを特徴
とする光情報記録方法。 （ＧｅXＴｅYＳｂZ）1-KＡｌK ・・・・（１） ただし Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１ ０．１≦Ｘ≦０．５ ０．４≦Ｙ≦０．６ ０．０５≦Ｚ≦０．４ ０．００５≦Ｋ≦０．１ ここでＸ、Ｙ、Ｚ、Ｋはそれぞれ原子数比を表す。 - 【請求項２】 請求項１記載の相変化型光情報記録媒体
に、記録マークの前端部と後端部の位置に対応させて、
符号化規則により記録情報から変換した符号列が記録さ
れていることを特徴とする光情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7135407A JPH08329466A (ja) | 1995-06-01 | 1995-06-01 | 光情報記録方法及び光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7135407A JPH08329466A (ja) | 1995-06-01 | 1995-06-01 | 光情報記録方法及び光情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08329466A true JPH08329466A (ja) | 1996-12-13 |
Family
ID=15151010
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7135407A Withdrawn JPH08329466A (ja) | 1995-06-01 | 1995-06-01 | 光情報記録方法及び光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08329466A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980059949A (ko) * | 1996-12-31 | 1998-10-07 | 구자홍 | 상변화형 광디스크 및 그의 제조방법 |
| EP1260973A2 (en) * | 2001-05-21 | 2002-11-27 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium and recording method |
| JP2004327954A (ja) * | 2003-04-08 | 2004-11-18 | Mitsubishi Materials Corp | 電気抵抗が高い相変化記録膜およびこの相変化記録膜を形成するためのスパッタリングターゲット |
| EP1494230A2 (en) * | 2003-07-03 | 2005-01-05 | Mitsubishi Materials Corporation | Phase change recording film having high electrical resistance and sputtering target for forming phase change recording film |
-
1995
- 1995-06-01 JP JP7135407A patent/JPH08329466A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980059949A (ko) * | 1996-12-31 | 1998-10-07 | 구자홍 | 상변화형 광디스크 및 그의 제조방법 |
| EP1260973A2 (en) * | 2001-05-21 | 2002-11-27 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium and recording method |
| EP1260973A3 (en) * | 2001-05-21 | 2003-07-16 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium and recording method |
| EP1703497A2 (en) * | 2001-05-21 | 2006-09-20 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium |
| EP1703497A3 (en) * | 2001-05-21 | 2007-04-11 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium |
| JP2004327954A (ja) * | 2003-04-08 | 2004-11-18 | Mitsubishi Materials Corp | 電気抵抗が高い相変化記録膜およびこの相変化記録膜を形成するためのスパッタリングターゲット |
| EP1494230A2 (en) * | 2003-07-03 | 2005-01-05 | Mitsubishi Materials Corporation | Phase change recording film having high electrical resistance and sputtering target for forming phase change recording film |
| EP1494230A3 (en) * | 2003-07-03 | 2009-07-15 | Mitsubishi Materials Corporation | Phase change recording film having high electrical resistance and sputtering target for forming phase change recording film |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020806 |