JPH11129620A

JPH11129620A - 光記録媒体

Info

Publication number: JPH11129620A
Application number: JP9311318A
Authority: JP
Inventors: Hajime Yuzurihara; 肇譲原; Michiaki Shinozuka; 道明篠塚; Masato Harigai; 眞人針谷; Koji Deguchi; 浩司出口; Yoshiyuki Kageyama; 喜之影山
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1997-10-28
Filing date: 1997-10-28
Publication date: 1999-05-18

Abstract

(57)【要約】【課題】高密度で、高い繰り返しオーバーライト回数
を持ち、その上高い保存信頼性を有する光記録媒体を提
供すること。【解決手段】基板上に第１の誘電体層、記録層、第２
の誘電体層、反射放熱層をその順に積層してなる光記録
媒体の記録層において、記録層の構成元素が主にＡｇ、
Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅであって、ＡｇαＩｎβＳｂγＴｅδ
Ｘεで表される一般式においてＸの元素がＣｒであり、
且つ各組成比α、β、γ、δ、ε（原子％）が、１≦α
＜１０、１＜β≦２０、３５≦γ≦７０、２０≦δ≦３
５、０＜ε≦１０で、α＋β＋γ＋δ＋ε＝１００なる
関係があるものとする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は光記録媒体、特に光
ビームを照射することにより記録層材料に相変化を生じ
させ、情報の記録・再生を行い、且つ、書き換えが可能
である相変化型情報記録媒体に関し、光メモリー関連機
器、特に書き換え可能なＤＶＤ−ＲＡＭメディアに応用
可能なものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体レーザビーム照射により情報の記
録・再生及び消去が可能な光記録媒体には、熱を利用し
て磁化の反転を行ない記録消去する光磁気記録方式と、
結晶と非晶質の可逆的相変化を利用し記録消去する相変
化光記録方式がある。後者は単一ビームによるオーバー
ライトが可能であること、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒメデ
ィアとの互換性の点で有利であることから、書き換え可
能なメディアとして今日、ＣＤ−ＲＷメディアとして標
準規格が確立され、世に出ようとしている。そして、相
変化光記録媒体の大容量化の研究が行われ、ＤＶＤ−Ｒ
ＯＭメディアの発売とともに書き換え可能なＤＶＤメデ
ィアとしてＤＶＤ−ＲＡＭと称されるメディアの開発が
行われている。

【０００３】相変化記録媒体の記録層に用いられる材料
には、カルコゲン系のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｂ−
Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｅ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｂｉ、Ｓｂ−Ｓ
ｅ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｔｅ−Ａｕがこれまでに調べられてい
るが、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅが実用レベルに達している。し
かし、この材料にしても記録感度、消去感度の向上とオ
ーバライト時の消し残りによる消去比の低下等、特性の
向上は望まれる。そこで、オーバライト時の消去比を一
段と向上させることができた材料として、Ａｇ−Ｉｎ−
Ｓｂ−Ｔｅ系がある（特開平４−７８０３１号公報、特
願平８−１０３８３２号）。この系において消去比が向
上したのは、消去時に微結晶ＡｇＳｂＴｅ₂とアモルフ
ァスＩｎ−Ｓｂの２相状態になっていることによる。

【０００４】また、記録媒体に要求される繰り返し回数
の向上は、上記記録材料だけでは達成できず、この上下
の保護層、更に放熱層を積層することで向上が図られて
いる。これまで、保護層材料としてＺｎＳ・ＳｉＯ
₂（特公平７−１１４０３１号公報）をはじめ、金属酸
化物、金属硫化物、金属窒化物の単体若しくは混合物が
考えられている。更に、反射放熱層の放熱を良くするこ
とで、オーバーライト繰り返し回数が飛躍的に向上する
が、メディア特性を総合的に見た場合、繰り返し回数の
み向上しても他の特性が劣るといった問題がある。今
日、相変化型光記録媒体は、ＤＶＤ−ＲＯＭに相当する
大容量のＤＶＤ−ＲＡＭの開発が期待、要求され、コン
ピュータのデータ用メモリーから一般家庭で使用するビ
デオディスクに使用用途が拡大しており、大容量で高速
記録再生、更なる繰り返し回数の向上、長期保存性と高
い仕様が求められている。これらをすべて満足する媒体
の開発が今後の課題となる。

【０００５】相変化型記録媒体は、前述のように、既に
商品化されてパーソナルコンピュータの外部メモリーに
使われている。そして今日、ＤＶＤ−ＲＯＭメディア、
プレーヤーが世に出始め、更に今後大容量で書き換え可
能なＤＶＤ−ＲＡＭメディアの商品化が期待されてい
る。ＤＶＤ−ＲＡＭメディアは、ＲＯＭとの互換性を始
め、大容量（４．７ＧＢ）、高速（高線速）記録再生、
繰り返しオーバーライト回数が高いこと等の高い仕様を
要求されている。高線速（現ＣＤの４倍から５倍あるい
はそれ以上）で大容量な仕様が媒体に要求されてくる
と、記録周波数が高くなり、記録消去パワーも高くなる
傾向にある。記録層材料の特性においては、結晶化速度
の向上、融点の低下、熱吸収率の向上等により、低記録
・消去パワーを図ることや、記録マーク長が短くなるこ
とによりマークエッジをシャープにするため、記録スト
ラテジー、層構成により更に冷却、徐冷の制御の正確さ
が要求されてくる。

【０００６】一方、繰り返しオーバーライト回数が更に
高いことも要求されている。これまで相変化記録媒体の
繰り返し特性の劣化は、高速で多数回の溶融、冷却を繰
り返すために体積変化に伴う物質流動、更には短時間に
おける急激で大きな温度差による変化を繰り返すため
に、記録層だけでなくその上下に存在する保護層、更に
は反射放熱層までに影響が及び、膜全体が局所的な膜厚
変動を生じたり、局所的にボイドが生じることで回数が
制限される。従って、この場合は記録層のみならず、保
護層材料及び反射放熱層の熱物性を改良する必要があ
る。そのために熱伝導率を高くし、熱膨張係数を低減さ
せ熱応力を抑制するか、あるいは熱応力緩和させる材
料、構成を考える必要がある。更に、保存性も高くする
必要がある。保存特性の向上として窒素添加した例（特
開平４−７８０３１号公報）がある。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明は上記
のような状況に鑑みてなされたものであって、高密度
で、高い繰り返しオーバーライト回数を持ち、その上高
い保存信頼性を有する光記録媒体を提供することを、そ
の目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記目的
を達成するために、鋭意検討を重ねた結果、基板上に第
１の誘電体層、記録層、第２の誘電体層、反射放熱層を
その順に積層してなる光記録媒体において、線速１．２
ｍ／ｓｅｃ〜１０ｍ／ｓｅｃの幅広い線速で、しかも繰
り返しオーバーライト回数が１万回以上を可能にする相
変化型光記録媒体の記録層材料組成比及び各元素との関
係をＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系で見出し、本発明に到達
した。

【０００９】即ち、本発明によれば、第一に、基板上に
第１の誘電体層、記録層、第２の誘電体層、反射放熱層
をその順に積層してなる光記録媒体の記録層において、
記録層の構成元素が主にＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅであっ
て、ＡｇαＩｎβＳｂγＴｅδＸεで表される一般式に
おいてＸの元素がＣｒであり、且つ各組成比α、β、
γ、δ、ε（原子％）が１≦α＜１０１＜β≦２０３５≦γ≦７０２０≦δ≦３５０＜ε≦１０ α＋β＋γ＋δ＝１００なる関係があることを特徴とする光記録媒体が提供され
る。第二に、上記第一に記載した光記録媒体の記録層に
おいて、更に３≦α＋β＜１５且つγ＞５５なる関係が
あることを特徴とする光記録媒体が提供される。第三
に、上記第一又は第二に記載した光記録媒体において、
記録層の結晶化温度が１５０℃以上２５０℃以下である
ことを特徴とする光記録媒体が提供される。第四に、上
記第一又は第二に記載した光記録媒体において、記録層
の活性化エネルギーが１．５ｅＶ以上であることを特徴
とする光記録媒体が提供される。第五に、上記第一又は
第二に記録した光記録媒体において、記録層の融点が６
００℃以下であることを特徴とする光記録媒体が提供さ
れる。第六に、上記第一又は第二に記載した光記録媒体
において、記録層中に主要な元素であるＡｇ、Ｉｎ、Ｓ
ｂ及びＴｅのうちの少なくとも一つの構成元素の窒化物
及び／又は酸化物あるいは窒素単体を含むことを特徴と
する光記録媒体が提供される。第七に、上記第一又は第
二に記載した光記録媒体において、記録層を構成する非
晶質薄膜の吸収係数の絶対値ｋが、２．３＜ｋ＜３．５
であることを特徴とする光記録媒体が提供される。

【００１０】即ち、本発明の光記録媒体は、記録層にお
いてＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系記録材料にＣｒを添加
し、且つ各元素の組成比を前記範囲にあるものとしたこ
とから、記録再生特性を良好に保ちながら、保存特性
（保存信頼性）を向上させることが可能となる。なお、
保存特性は、記録再生特性とともに重要な特性である。
記憶媒体である以上記録したデータが長期にわたり劣化
しないことが必要不可欠である。

【００１１】なお、特開平８−２５８４１８号公報に
は、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｅ系にＣｒを添加することで記録感
度や記録再生特性の向上することが、また特開平８−１
２７１７６号公報には、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系にＣｒを添
加することで繰り返しオーバーライト特性の向上するこ
とが報告されているが、これらは本発明のＡｇ−Ｉｎ−
Ｓｂ−Ｔｅ系とはベースの記録材料が異なり、しかも本
発明の保存信頼性の向上については、全く触れられてい
ない。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本発明を更に詳細に説明す
る。本発明の光記録媒体は、基板上に第１の誘電体層、
記録層、第２の誘電体層、反射放熱層をその順に積層し
てなる光記録媒体の記録層において、記録層の構成元素
が主にＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅであって、ＡｇαＩｎβ
ＳｂγＴｅδＸεで表される一般式においてＸの元素が
Ｃｒであり、且つ各組成比α、β、γ、δ、ε（原子
％）が１≦α＜１０１＜β≦２０３５≦γ≦７０２０≦δ≦３５０＜ε≦１０ α＋β＋γ＋δ＋ε＝１００なる関係があることを特徴とする。

【００１３】本発明において、保存信頼性とは一度記録
された又は書き替えられた記録データが、室温で長期に
わたって劣化しないことであるが、記録層組成によって
は十分とは言えない場合がある。Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ及び
Ｔｅを含む４元系の相変化型記録材料を主成分として含
有する材料は、記録（アモルファス）感度、消去（結晶
化）感度、及び消去比が極めて良好なため、記録層の材
料として適している。書き換え型ＤＶＤ（ＤＶＤ−ＲＡ
Ｍ）に展開していくために、高線速、高密度、高い繰り
返しオーバーライト回数が要求されるが、組成によって
は特性が良くても保存がもたない可能性がある。この場
合、特性を損ねることなく保存特性を向上させるには、
第５元素の添加が一つの方法となる。記録マークの劣化
は、非晶質状態から結晶状態に転移することによってお
こることから、結晶化に対する活性化エネルギーが高い
ことが必要である。更に、結晶化温度が高いことも要求
される。一方、添加元素により記録層材料の融点、結晶
化温度が大きく変化して記録再生特性が劣化しないこと
が必要である。本発明において、Ｃｒを０ａｔ％を越え
１０ａｔ％以下の範囲で添加することで、融点が添加前
と同様６００℃以下、結晶化温度が１５０℃以上２５０
℃以下にあり、記録パワー、消去パワーが高くなること
はなかった。結晶化温度は１５０℃以上２００℃以下が
好ましく、１５０℃より低くなると保存性が悪くなり、
２５０℃を越えると初期化がしにくくなってくる。Ｃｒ
添加と併せて窒素添加することで、更に保存及び記録再
生特性が良好となる。窒素を微量含有すると、繰り返し
オーバーライト回数、変調度を向上させる効果がある。
しかし、多量に添加しすぎると、繰り返しオーバーライ
ト回数の減少、結晶化温度の上昇により初期化がしにく
くなる。従って、微量が好ましい。

【００１４】Ｃｒの添加において、保存特性に特に有効
なのは、活性化エネルギーが約１ｅＶ高くなることであ
る。また、結晶化速度がＣｒの量に比例して遅くなるこ
とでマーク（非晶質）が消え（結晶化）にくくなること
も、保存特性に対し効果がある。更に、非晶質状態の吸
収係数がＣｒの添加により増加し２．３から３．５の間
にあり、低記録パワーでジッターが低下し記録再生特性
において感度が向上する。Ｃｒ添加によりこれら効果が
有効な記録層組成を鋭意検討した結果、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓ
ｂ、Ｔｅの各組成比α、β、γ、δ、（原子％）が１≦α＜１０１＜β≦２０３５≦γ≦７０２０≦δ≦３５であり、α、β、γが３≦α＋β＜１５且つγ＞５５であることがわかった。特に、α、βにおいては、 α＋β≦１０、γ＞５８が好ましい。また、添加するＣｒの範囲は、２から５ａ
ｔ％が好ましい。１０ａｔ％を越えると、結晶化速度が
遅くなり、繰り返しオーバーライト特性が劣化してく
る。更に、結晶化温度が２５０℃を越え、十分な初期化
（結晶化）ができず、しかも不均一になり、初期特性が
悪くなってしまう。

【００１５】本発明で用いる光記録媒体の構成を図１に
示す。１が基板、２が第１の誘電体層、３が記録層、４
が第２の誘電体層、５が反射放熱層であり、６は必要に
応じて５の上に設けられる有機環境保護層（ＵＶ硬化樹
脂層）である。

【００１６】本発明において、第１及び第２の誘電体層
（保護層）２及び４としては、ＳｉＯｘ、ＺｎＯ、Ｓｎ
Ｏ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂、Ｉｎ₂Ｏ₃、ＭｇＯ、Ｚｒ
Ｏ₂、Ｔａ₂Ｏ₅等の金属酸化物、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＡｌＮ、Ｔ
ｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮ等の窒化物、ＺｎＳ、ＴａＳ₄、等
の硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ₄Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、Ｚ
ｒＣ等の炭化物が挙げられる。これらの材料は、単体で
保護層として用いることができるし、また混合物として
用いることもできる。例えば混合物としては、ＺｎＳと
ＳｉＯｘ，Ｔａ₂Ｏ₅とＳｉＯｘが挙げられる。これら材
料物性は、熱伝導率、比熱、熱膨張係数、屈折率及び基
板材料あるいは記録層材料との密着性等があり、融点が
高く、熱伝導率が高く、熱膨張係数が小さく、密着性が
良いといったことが要求される。特に第２の誘電体層
は、繰り返しオーバーライト特性を左右する。

【００１７】誘電体からなる保護層は更に膜厚が重要で
あるが、第１の誘電体層２の膜厚は５０〜２５０ｎｍの
範囲として、７５ｎｍ〜２００ｎｍが好ましい。５０ｎ
ｍより薄くなると、耐環境性保護機能の低下、耐熱性低
下、畜熱効果の低下となり好ましくない。一方、２５０
ｎｍより厚くなると、スパッタ方法等による膜作製過程
において、膜温度の上昇により膜剥離やクラックが発生
したり、記録時の感度の低下をもたらすので好ましくな
い。第２の誘導体層４の膜厚は１０ｎｍ〜１００ｎｍの
範囲とし、１５ｎｍ〜５０ｎｍが好ましい。第２の誘電
体層の場合、１０ｎｍより薄いと、基本的に耐熱性が低
下し好ましくない。１００ｎｍを越えると、記録感度の
低下、温度上昇による膜剥離、変形、放熱性の低下によ
り繰り返しオーバーライト特性が悪くなる。

【００１８】反射放熱層５としては、Ａｌ、Ａｕ、Ｃ
ｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、
Ｐｂ等の金属を中心とした材料の単体、あるいは合金、
混合物を用いることができる。必要に応じて、異なる金
属、合金又は混合物を複数積層しても良い。この層は、
熱を効率的に逃がすことが重要であり、膜厚は３０ｎｍ
〜２５０ｎｍとする。好ましくは５０ｎｍ〜１５０ｎｍ
が良い。膜厚が厚すぎると、放熱効率が良すぎて感度が
悪くなり、薄すぎると、感度は良いが繰り返しオーバー
ライト特性が悪くなる。特性としては、熱伝導率が高
く、高融点で保護層材料との密着性が良いこと等が要求
される。

【００１９】上記で述べた材料、構成による光記録媒体
は、波長が６３５ｎｍの半導体レーザーでＮＡ０．６
か、あるいは６５０ｎｍの半導体レーザーでＮＡ０．６
のピックアップを用い記録再生する。記録方法はＰｕｌ
ｓｅＷｉｄｔｈＭｏｄｕｌａｔｉｏｎで変調コード
がＥＦＭあるいはＥＦＭ＋［８／１６ＲＬＬ（２，１
０）］方式で記録する。パルスは、先頭パルスとその後
のマルチパルス部に分かれる。マルチパルス部は、加
熱、冷却を繰り返し行う。各パワーの関係は、加熱（記
録）パワー＞消去パワー＞冷却パワーとなっていて、冷
却パワーは読み出しパワー程度まで下げる。線速は、
３．５ｍ／ｓｅｃ〜６．５ｍ／ｓｅｃ、読み出しパワー
は１ｍＷ以下で行う。

【００２０】

【実施例】以下、実施例により本発明を更に具体的に説
明する。

【００２１】実施例１〜１０及び比較例１〜４基板厚０．６ｍｍ、トラックピッチ１．４８μｍ、溝幅
０．６８μｍ、溝深さ６０ｎｍのポリカーボネート基板
を用い、高温で脱水処理した後スパッタにより成膜し
た。第１の誘電体層（第１の保護層）として、ＺｎＳ・
ＳｉＯ₂ターゲットを用い膜厚１７０ｎｍの厚さにつけ
た。次に、所定の組成比のＡｇＩｎＳｂＴｅＣｒターゲ
ットをアルゴンガス圧３×１０^-3ｔｏｒｒ、ＲＦパワー
３００ｍＷでスパッタし膜厚１８ｎｍつけ記録層とし
た。更に、その上に第２の誘電体層（第２の保護層）と
して第１の誘電体層と同様ＺｎＳ・ＳｉＯ₂を厚さ２０
ｎｍつけた。更に、その上にＡｌＴｉ合金膜を反射放熱
層として厚さ１２０ｎｍつけた。その上に紫外線硬化型
樹脂膜を保護膜としてつけ、媒体とした。成膜後の記録
層は非晶質であり、結晶化させるための初期化を施し
た。

【００２２】記録は、波長λ＝６３５ｎｍ、ＮＡ０．６
で行い、記録方式はパルス変調法を用い、変調方式はＥ
ＦＭ＋［８／１６（２，１０）ＲＬＬ］変調方式で行っ
た。記録再生時の線速は、３．５ｍ／ｓとした。記録パ
ワー／消去パワーの比を約２〜２．２にし、ボトムパワ
ーを再生パワーと同じかそれより低くし記録した。記録
パワーを最大１５ｍＷまでかけた。再生はλ＝６５０ｎ
ｍ，ＮＡ０．６で行った。線密度は０．３１μｍ／ｂｉ
ｔとし、グルーブに記録した。各記録層組成に対し記録
再生を行い、ｄａｔａｔｏｄａｔａジッターを測定
した。ジッターσ／Ｔｗ（Ｙｗ：ウィンドウ幅）が最小
となる最適記録パワーで記録した後、８０℃、８５％Ｒ
Ｈの高温高湿条件で試験を行った。ジッターの増加、ｍ
ｏｄｕｌｔｉｏｎの減少がない試験時間を各組成ごと表
１に示す。図２は、実施例１、２の場合のジッターの記
録パワー依存性を示す。図３は繰り返しオーバーライト
特性を示す。これらから、Ｃｒ添加により記録再生特性
を劣化させずに保存寿命が長くなり、保存特性を高める
ことが可能になり、同時に低記録パワーでのジッターが
低下し、感度が向上していた。ただし、Ｃｒを１１ａｔ
％添加した実施例１０では、保存寿命はのびているが図
２に示す様に初期ジッターが悪い。また、ＤＳＣ法によ
り結晶化温度を昇温速度１０℃／ｍｉｎで測定し、その
結果から活性化エネルギーを求めた。また、融点を熱分
析から求めた。融点はＣｒ添加量に対しほとんど変化な
い。即ち、感度を悪くすることがない。一方、活性化エ
ネルギーは添加量に比例して増加している。

【００２３】

【表１】

【００２４】実施例１１〜１５基板厚０．６ｍｍ、トラックピッチ１．４８μｍ、溝幅
０．７４μｍ、溝深さ６５ｎｍのポリカーボネート基板
を用い、高温で脱水処理した後スパッタにより成膜し
た。第１の誘導体層として、ＺｎＳ・ＳｉＯ₂ターゲッ
トを用い膜厚１７０ｎｍの厚さにつけた。次に、所定の
組成比のＡｇＩｎＳｂＴｅＣｒターゲットをガス圧３×
１０^-3ｔｏｒｒ、ＲＦパワー３００ｍＷでスパッタす
る。このときＡｒガスと窒素ガスをそれぞれ０．５ｓｃ
ｃｍ、１ｓｃｃｍ流し、Ａｒ＋Ｎ₂の混合ガスとした。
膜厚を１８ｎｍにし記録層とした。更に、その上に第２
の誘導体層として第１の誘電体層と同様ＺｎＳ・ＳｉＯ
₂を厚さ２０ｎｍつけた。更に、その上にＡｌＴｉ合金
膜を反射放熱層として厚さ１２０ｎｍつけた。その上に
紫外線硬化型樹脂膜を保護膜としてつけ媒体とした。

【００２５】記録再生条件は、波長６３５ｎｍ、ＮＡ
０．６で記録し、６５０ｎｍ、ＮＡ０．６で再生する。
記録方式はパルス変調法を用い、変調方式はＥＦＭ＋
［８／１６（２，１０）ＲＬＬ］変調方式で行った。記
録パワー／消去パワーの比を約２〜２．２にし、再生パ
ワーを１ｍＷ、ボトムパワーを再生パワーと同じかそれ
より低くし、グルーブに記録した。線密度０．３１μｍ
／ｂｉｔとし、オーバーライトも同様の条件で行った。
ジッターはｄａｔａｔｏｄａｔａによるジッターを
測定した。線速はＣＬＶで記録再生とも３．５ｍ／ｓｅ
ｃで行った。表２に窒素が添加された場合の保存特性を
示す。微量ながら窒素を添加することにより、更に保存
特性を向上させることが可能となる。

【００２６】

【表２】

【００２７】実施例１６〜２０実施例１〜１５と同様の方法で、ガラス基板を用い記録
層のみを作製した後、波長６３３ｎｍのエリプソメータ
により吸収係数を測定した。その結果を表３に示す。表
３に示される様にＣｒの添加量を増加させるにつれ吸収
係数の絶対値（測定値は負）が増加し、特にＣｒ３ａ
ｔ％で増加量が大きくなる。図２に示される実施例１及
び２の記録媒体の記録再生特性は、表３のそれぞれ実施
例１７及び１８で使用した記録層のものであり、低記録
パワーでのジッターが小さくなっていた。

【００２８】

【表３】

【００２９】

【発明の効果】請求項１の光記録媒体は、基板上に第１
の誘電体層、記録層、第２の誘電体層、反射放熱層をそ
の順に積層してなる光記録媒体の記録層において、記録
層の構成元素が主にＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅであって、
ＡｇαＩｎβＳｂγＴｅδＸεで表される一般式におい
てＸの元素がＣｒであり、且つ各組成比α、β、γ、
δ、ε（原子％）が１≦α＜１０１＜β≦２０３５≦γ≦７０２０≦δ≦３５０＜ε≦１０ α＋β＋γ＋δ＋ε＝１００なる組成条件にしたことから、記録再生特性を良好に保
ちながら、更に保存特性に優れたものとなり、ＤＶＤ−
ＲＡＭに十分適応できるものとなる。

【００３０】請求項２の光記録媒体は、請求項１の記録
層組成の条件に、更に３≦α＋β＜１５且つγ＞５５と
いう条件を付加したことから、高密度記録、繰り返しオ
ーバーライト特性の向上が図られ、更に保存性が向上す
るという効果が加わる。

【００３１】請求項３〜５及び７の光記録媒体は、結晶
化温度が１５０℃以上２５０℃以下であること、活性化
エネルギーが１．５ｅＶ以上であること、融点が６００
℃以下であること、又は非晶質薄膜のＣｒ添加による吸
収係数の絶対値ｋが２．３＜ｋ＜３．５であることで、
記録再生特性がより良好で、しかも保存特性を更に向上
させることが可能となる。

【００３２】請求項６の光記録媒体は、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓ
ｂ、Ｔｅのうち少なくとも一つの構成元素の窒化物及び
／又は酸化物あるいは窒素単体を含む記録層としたこと
で、更に保存特性が向上するという効果が生じる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光記録媒体の一例を示す模式断面図で
ある。

【図２】実施例１、２、１０及び比較例１におけるジッ
ター記録パワー依存性を示すグラフである。

【図３】実施例１、２及び比較例１における繰り返しオ
ーバーライト特性を示すグラフである。

【符号の説明】

１基板２第１の誘電体層（第１の保護層）３記録層４第２の誘電体層（第２の保護層）５反射放熱層６有機環境保護層（ＵＶ硬化樹脂層）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者出口浩司東京都大田区中馬込１丁目３番６号株式会社リコー内 (72)発明者影山喜之東京都大田区中馬込１丁目３番６号株式会社リコー内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に第１の誘電体層、記録層、第２
の誘電体層、反射放熱層をその順に積層してなる光記録
媒体の記録層において、記録層の構成元素が主にＡｇ、
Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅであって、ＡｇαＩｎβＳｂγＴｅδ
Ｘεで表される一般式においてＸの元素がＣｒであり、
且つ各組成比α、β、γ、δ、ε（原子％）が１≦α＜１０１＜β≦２０３５≦γ≦７０２０≦δ≦３５０＜ε≦１０ α＋β＋γ＋δ＋ε＝１００なる関係があることを特徴とする光記録媒体。
【請求項２】請求項１記載の光記録媒体の記録層にお
いて、更に３≦α＋β＜１５且つγ＞５５なる関係があ
ることを特徴とする光記録媒体。
【請求項３】請求項１又は２記載の光記録媒体におい
て、記録層の結晶化温度が１５０℃以上２５０℃以下で
あることを特徴とする光記録媒体。
【請求項４】請求項１又は２記載の光記録媒体におい
て、記録層の活性化エネルギーが１．５ｅＶ以上である
ことを特徴とする光記録媒体。
【請求項５】請求項１又は２記載の光記録媒体におい
て、記録層の融点が６００℃以下であることを特徴とす
る光記録媒体。
【請求項６】請求項１又は２記載の光記録媒体におい
て、記録層中に主要な元素であるＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ及び
Ｔｅのうちの少なくとも一つの構成元素の窒化物及び／
又は酸化物あるいは窒素単体を含むことを特徴とする光
記録媒体。
【請求項７】請求項１又は２記載の光記録媒体におい
て、記録層を構成する非晶質薄膜の吸収係数の絶対値ｋ
が、２．３＜ｋ＜３．５であることを特徴とする光記録
媒体。