JP2002133718A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JP2002133718A JP2002133718A JP2000331568A JP2000331568A JP2002133718A JP 2002133718 A JP2002133718 A JP 2002133718A JP 2000331568 A JP2000331568 A JP 2000331568A JP 2000331568 A JP2000331568 A JP 2000331568A JP 2002133718 A JP2002133718 A JP 2002133718A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高密度かつ高速記録において、初回記録時の
媒体特性を保ち、繰り返し記録した後も十分な特性を確
保することができる優れた相変化型記録媒体の提供。 【解決手段】 （１）基板上に少なくとも非晶質相と結
晶相との間で可逆的相変化をする記録層を有し、該記録
層上に上部保護層を有する光記録媒体であって、該上部
保護層が、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂから選
ばれた２種以上の元素を含む窒化物、および／または、
Ｉｎ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｚｎから
選ばれた２種以上の元素を含む酸化物からなることを特
徴とする光記録媒体。 （２） さらに緩衝層を有し、該緩衝層が、Ａｌ、Ｓ
ｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂから選ばれる２種以上の元
素を含む窒化物、および／または、Ｉｎ、Ａｌ、Ｓｉ、
Ｔａ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｙから選
ばれる２種以上の元素を含む酸化物からなることを特徴
とする（１）記載の光記録媒体。
媒体特性を保ち、繰り返し記録した後も十分な特性を確
保することができる優れた相変化型記録媒体の提供。 【解決手段】 （１）基板上に少なくとも非晶質相と結
晶相との間で可逆的相変化をする記録層を有し、該記録
層上に上部保護層を有する光記録媒体であって、該上部
保護層が、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂから選
ばれた２種以上の元素を含む窒化物、および／または、
Ｉｎ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｚｎから
選ばれた２種以上の元素を含む酸化物からなることを特
徴とする光記録媒体。 （２） さらに緩衝層を有し、該緩衝層が、Ａｌ、Ｓ
ｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂから選ばれる２種以上の元
素を含む窒化物、および／または、Ｉｎ、Ａｌ、Ｓｉ、
Ｔａ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｙから選
ばれる２種以上の元素を含む酸化物からなることを特徴
とする（１）記載の光記録媒体。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高密度かつ高速記
録が可能な相変化型光記録媒体、更には書き換え可能な
相変化型光記録媒体に関するものである。
録が可能な相変化型光記録媒体、更には書き換え可能な
相変化型光記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】非晶質相、結晶相間の可逆的相変化を利
用した相変化型記録媒体は、書き換え可能な光記録媒体
として、主にファイルのバックアップなどに用いられて
いる。近年、画像情報が益々大容量になり、しかも高速
に情報を処理するための情報関連機器の発達により、光
記録媒体においても大容量の情報を高速に記録再生する
ことが要求されている。従来の相変化型光記録媒体は、
透明基板上に誘電体からなる下部保護層、記録層、上部
保護層、反射層の順に積層し、さらにこの上に紫外線硬
化型樹脂などの有機保護層を耐環境層として設けてい
る。保護層材料としてはＺｎＳとＳｉＯ２の混合物が主
流であって、ＺｎＳ：ＳｉＯ２＝５０：５０〜９０：１
０（モル％）程度であり、８０：２０付近のものがよく
用いられている。また膜厚は、記録層の耐環境保護性を
保ち、製膜時の熱応力緩和による基板からの剥離をなく
すため、２５〜２５０ｎｍの範囲とされる。反射層材料
は、反射率が高く熱伝導率も高いＡｇ、Ａｕ、Ａｌ等が
用いられている。さらに記録層には、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ
−Ｔｅ系合金が高密度記録に最適な材料として用いられ
ている。
用した相変化型記録媒体は、書き換え可能な光記録媒体
として、主にファイルのバックアップなどに用いられて
いる。近年、画像情報が益々大容量になり、しかも高速
に情報を処理するための情報関連機器の発達により、光
記録媒体においても大容量の情報を高速に記録再生する
ことが要求されている。従来の相変化型光記録媒体は、
透明基板上に誘電体からなる下部保護層、記録層、上部
保護層、反射層の順に積層し、さらにこの上に紫外線硬
化型樹脂などの有機保護層を耐環境層として設けてい
る。保護層材料としてはＺｎＳとＳｉＯ２の混合物が主
流であって、ＺｎＳ：ＳｉＯ２＝５０：５０〜９０：１
０（モル％）程度であり、８０：２０付近のものがよく
用いられている。また膜厚は、記録層の耐環境保護性を
保ち、製膜時の熱応力緩和による基板からの剥離をなく
すため、２５〜２５０ｎｍの範囲とされる。反射層材料
は、反射率が高く熱伝導率も高いＡｇ、Ａｕ、Ａｌ等が
用いられている。さらに記録層には、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ
−Ｔｅ系合金が高密度記録に最適な材料として用いられ
ている。
【０００３】これまで、これらの材料および構成におい
て、レーザー光波長の短波長化や高開口数（ＮＡ）のレ
ンズの使用により高密度記録が可能になっているが、よ
り高密度かつ高速な記録再生への対応、および書き換え
可能な媒体に要求される繰り返し記録特性については未
だ十分でない。また、記録層に用いるＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ
−Ｔｅ系合金の組成の最適化、あるいは他の元素の添加
や膜厚の最適化などにより媒体特性が改良を行なわれて
きたが、これだけでは限界がある。記録層以外に保護層
についても考慮し、従来の構成において記録層と保護層
の間に層を増やし特性を改善、向上させる方法も知られ
ており、例えば、特開平１１−１１５３１５号公報に
は、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅ系合金からなる記録層の上下にＧ
ｅＮ窒化物層を設けることにより、高い繰り返し回数で
記録した場合の特性の劣化を従来に比べて低く抑えられ
ることが開示されているが、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅ系合金以
外の相変化記録材料については十分検討されていない。
また、これまで保護層として使用されてきたＺｎＳとＳ
ｉＯ２の混合物では耐環境性に問題があって、特性の向
上に有効なＡｇあるいはＡｇ合金を反射放熱層に用いる
ことができないため、他の保護層材料を開発する必要が
ある。
て、レーザー光波長の短波長化や高開口数（ＮＡ）のレ
ンズの使用により高密度記録が可能になっているが、よ
り高密度かつ高速な記録再生への対応、および書き換え
可能な媒体に要求される繰り返し記録特性については未
だ十分でない。また、記録層に用いるＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ
−Ｔｅ系合金の組成の最適化、あるいは他の元素の添加
や膜厚の最適化などにより媒体特性が改良を行なわれて
きたが、これだけでは限界がある。記録層以外に保護層
についても考慮し、従来の構成において記録層と保護層
の間に層を増やし特性を改善、向上させる方法も知られ
ており、例えば、特開平１１−１１５３１５号公報に
は、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅ系合金からなる記録層の上下にＧ
ｅＮ窒化物層を設けることにより、高い繰り返し回数で
記録した場合の特性の劣化を従来に比べて低く抑えられ
ることが開示されているが、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅ系合金以
外の相変化記録材料については十分検討されていない。
また、これまで保護層として使用されてきたＺｎＳとＳ
ｉＯ２の混合物では耐環境性に問題があって、特性の向
上に有効なＡｇあるいはＡｇ合金を反射放熱層に用いる
ことができないため、他の保護層材料を開発する必要が
ある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、高密度かつ
高速記録において、初回記録時の媒体特性を保ち、繰り
返し記録した後も十分な特性を確保することができる優
れた相変化型記録媒体を提供することを目的とする。
高速記録において、初回記録時の媒体特性を保ち、繰り
返し記録した後も十分な特性を確保することができる優
れた相変化型記録媒体を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題は、次の１）〜
１２）の発明によって解決される。 １） 少なくとも基板上に非晶質相と結晶相との間で可
逆的相変化をする記録層を有し、該記録層上に上部保護
層を有する光記録媒体であって、該上部保護層が、Ａ
ｌ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂから選ばれた２種以
上の元素を含む窒化物、および／または、Ｉｎ、Ａｌ、
Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｚｎから選ばれた２種
以上の元素を含む酸化物からなることを特徴とする光記
録媒体。 ２） 上部保護層が、必ずＳｉＯ２を含有し、その含有
量が該保護層材料全体の５０モル％未満（ただし、零で
はない）であることを特徴とする１）記載の光記録媒
体。 ３） 上部保護層の膜厚が、５〜２５ｎｍであることを
特徴とする１）又は２）記載の光記録媒体。 ４） 更に緩衝層を有し、該緩衝層が、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔ
ａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂから選ばれる２種以上の元素を含
む窒化物、および／または、Ｉｎ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔａ、
Ｔｉ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｙから選ばれる
２種以上の元素を含む酸化物からなることを特徴とする
１）〜３）のいずれかに記載の光記録媒体。 ５） 緩衝層の膜厚が、３〜１５ｎｍであることを特徴
とする１）〜４）のいずれかに記載の光記録媒体。 ６） 緩衝層が、記録層と上部保護層との間に設けられ
ていることを特徴とする１）〜５）のいずれかに記載の
光記録媒体。 ７） 緩衝層が、さらに記録層と下部保護層との間にも
設けられていることを特徴とする６）記載の光記録媒
体。 ８） 上部保護層が緩衝層を兼ねることを特徴とする
１）〜３）のいずれかに記載の光記録媒体。 ９） 保護層と緩衝層の膜厚の合計が１０〜２５ｎｍで
あることを特徴とする１）〜８）のいずれかに記載の光
記録媒体。 １０） 記録層が、結晶状態においてＮａＣｌ型結晶構
造を有し、組成式がＡｇαＩｎβＳｂγＴｅδ（ただ
し、α、β、γ、δは原子％であり、０＜α＜１０、０
＜β＜２０、５０＜γ＜７５、１５＜δ＜３５である）
で表される材料からなることを特徴とする１）〜９）の
いずれかに記載の光記録媒体。 １１） 透明基板上に下部保護層、相変化記録層、上部
保護層、反射層がこの順に積層された光記録媒体であっ
て、反射層がＡｇ合金からなることを特徴とする１）〜
１０）のいずれかに記載の光記録媒体。 １２） １）〜１１）のいずれかに記載の光記録媒体に
対して、記録線速度１５ｍ／ｓ以下で記録することを特
徴とする光記録媒体の記録方法。
１２）の発明によって解決される。 １） 少なくとも基板上に非晶質相と結晶相との間で可
逆的相変化をする記録層を有し、該記録層上に上部保護
層を有する光記録媒体であって、該上部保護層が、Ａ
ｌ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂから選ばれた２種以
上の元素を含む窒化物、および／または、Ｉｎ、Ａｌ、
Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｚｎから選ばれた２種
以上の元素を含む酸化物からなることを特徴とする光記
録媒体。 ２） 上部保護層が、必ずＳｉＯ２を含有し、その含有
量が該保護層材料全体の５０モル％未満（ただし、零で
はない）であることを特徴とする１）記載の光記録媒
体。 ３） 上部保護層の膜厚が、５〜２５ｎｍであることを
特徴とする１）又は２）記載の光記録媒体。 ４） 更に緩衝層を有し、該緩衝層が、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔ
ａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂから選ばれる２種以上の元素を含
む窒化物、および／または、Ｉｎ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔａ、
Ｔｉ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｙから選ばれる
２種以上の元素を含む酸化物からなることを特徴とする
１）〜３）のいずれかに記載の光記録媒体。 ５） 緩衝層の膜厚が、３〜１５ｎｍであることを特徴
とする１）〜４）のいずれかに記載の光記録媒体。 ６） 緩衝層が、記録層と上部保護層との間に設けられ
ていることを特徴とする１）〜５）のいずれかに記載の
光記録媒体。 ７） 緩衝層が、さらに記録層と下部保護層との間にも
設けられていることを特徴とする６）記載の光記録媒
体。 ８） 上部保護層が緩衝層を兼ねることを特徴とする
１）〜３）のいずれかに記載の光記録媒体。 ９） 保護層と緩衝層の膜厚の合計が１０〜２５ｎｍで
あることを特徴とする１）〜８）のいずれかに記載の光
記録媒体。 １０） 記録層が、結晶状態においてＮａＣｌ型結晶構
造を有し、組成式がＡｇαＩｎβＳｂγＴｅδ（ただ
し、α、β、γ、δは原子％であり、０＜α＜１０、０
＜β＜２０、５０＜γ＜７５、１５＜δ＜３５である）
で表される材料からなることを特徴とする１）〜９）の
いずれかに記載の光記録媒体。 １１） 透明基板上に下部保護層、相変化記録層、上部
保護層、反射層がこの順に積層された光記録媒体であっ
て、反射層がＡｇ合金からなることを特徴とする１）〜
１０）のいずれかに記載の光記録媒体。 １２） １）〜１１）のいずれかに記載の光記録媒体に
対して、記録線速度１５ｍ／ｓ以下で記録することを特
徴とする光記録媒体の記録方法。
【０００６】以下、本発明を詳しく説明する。本発明
は、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅを主な構成元素とする記録
層材料を用いた相変化型光記録媒体について、高密度か
つ高速記録において繰り返し記録した後も十分な特性を
確保するため、これまで十分検討されていなかった保護
層、緩衝層および記録層の材料組成などを検討したもの
である。通常の相変化型光記録媒体は、ポリカーボネー
ト製でスパイラル状のトラックがトラックピッチ０．８
μｍ以下で形成された基板を用い、その上に、下部保護
層、記録層、上部保護層、反射層を順に積層して作製す
る。反射層にはＡｌ、Ａｇ、Ａｕ、またはそれらの合金
が好ましく用いられる。中でも保護層よりも熱伝導率が
高い上に、他のものよりも熱伝導率の高いＡｕ、Ａｇが
好ましいが、Ａｕは高価であり生産コストが高くなって
しまうので、Ａｌ、Ａｇまたはそれらの合金を用いるこ
とが多い。
は、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅを主な構成元素とする記録
層材料を用いた相変化型光記録媒体について、高密度か
つ高速記録において繰り返し記録した後も十分な特性を
確保するため、これまで十分検討されていなかった保護
層、緩衝層および記録層の材料組成などを検討したもの
である。通常の相変化型光記録媒体は、ポリカーボネー
ト製でスパイラル状のトラックがトラックピッチ０．８
μｍ以下で形成された基板を用い、その上に、下部保護
層、記録層、上部保護層、反射層を順に積層して作製す
る。反射層にはＡｌ、Ａｇ、Ａｕ、またはそれらの合金
が好ましく用いられる。中でも保護層よりも熱伝導率が
高い上に、他のものよりも熱伝導率の高いＡｕ、Ａｇが
好ましいが、Ａｕは高価であり生産コストが高くなって
しまうので、Ａｌ、Ａｇまたはそれらの合金を用いるこ
とが多い。
【０００７】記録層には、組成式がＡｇαＩｎβＳｂγ
Ｔｅδ（ただし、α、β、γ、δは原子％であり、０＜
α＜１０、０＜β＜２０、５０＜γ＜７５、１５＜δ＜
３５である）で表される相変化記録材料を用いる。この
材料は、結晶状態においてＮａＣｌ型の面心立方格子を
形成する。しかし、ＴｅとＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂとは異なる
サイトを占有しており、Ｔｅサイトには空孔が存在して
いるため、格子に存在するＮａとＣｌの位置に相当する
サイトの原子比がＮａＣｌ型のように５０：５０ではな
く、７０：３０に近い割合になっている。共晶組成付近
のものが、繰り返し記録特性に優れ、更に、これら元素
の濃度比により結晶化速度をコントロールできるので好
ましい。特にＡｇ、Ｉｎ元素を含有するものは、記録時
の結晶相から非晶質相への相変化、消去時の非晶質相か
ら結晶相への相変化がいずれも高速に制御できる。従っ
て、記録時には微小マークの形成が容易であるため高密
度化が可能となり、オーバーライト時の消去において
は、消し残りがなく消去特性に優れる。また、Ａｇ、Ｉ
ｎの組成比は記録線速に応じて定めることができる。こ
のように、上記Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅ系合金からなる
相変化記録材料は、高密度かつ高速記録に適し、しかも
繰り返しオーバーライト特性が優れている。高い線速に
対応するために、Ｉｎ、Ｓｂ組成量を増やす。特にＳｂ
は、線速３．５ｍ／ｓ以上で記録する場合、５０〜７５
ａｔ％にするのが好ましい。これよりも多いと高温環境
下において記録データが消えてしまう。少なすぎると速
い線速に対応できなくなる。また、Ｓｂ組成量を増やし
すぎず、速い線速に対応するためにＩｎを添加する。し
かし、多すぎると再生時の信号劣化、繰り返し記録特性
の劣化になる。従って、０〜１０ａｔ％程度の添加が良
いが、好ましくは３〜７ａｔ％が良い。Ｔｅは、多く添
加すると速い線速に対応できなくなるが少なすぎると非
晶質相が形成されにくくなる。１５〜３５ａｔ％が良い
が、好ましくは１８〜２５ａｔ％がよい。Ａｇ量は、多
すぎると速い線速に対応できなくなるため、１０ａｔ％
未満、好ましくは５ａｔ％が良い。
Ｔｅδ（ただし、α、β、γ、δは原子％であり、０＜
α＜１０、０＜β＜２０、５０＜γ＜７５、１５＜δ＜
３５である）で表される相変化記録材料を用いる。この
材料は、結晶状態においてＮａＣｌ型の面心立方格子を
形成する。しかし、ＴｅとＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂとは異なる
サイトを占有しており、Ｔｅサイトには空孔が存在して
いるため、格子に存在するＮａとＣｌの位置に相当する
サイトの原子比がＮａＣｌ型のように５０：５０ではな
く、７０：３０に近い割合になっている。共晶組成付近
のものが、繰り返し記録特性に優れ、更に、これら元素
の濃度比により結晶化速度をコントロールできるので好
ましい。特にＡｇ、Ｉｎ元素を含有するものは、記録時
の結晶相から非晶質相への相変化、消去時の非晶質相か
ら結晶相への相変化がいずれも高速に制御できる。従っ
て、記録時には微小マークの形成が容易であるため高密
度化が可能となり、オーバーライト時の消去において
は、消し残りがなく消去特性に優れる。また、Ａｇ、Ｉ
ｎの組成比は記録線速に応じて定めることができる。こ
のように、上記Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅ系合金からなる
相変化記録材料は、高密度かつ高速記録に適し、しかも
繰り返しオーバーライト特性が優れている。高い線速に
対応するために、Ｉｎ、Ｓｂ組成量を増やす。特にＳｂ
は、線速３．５ｍ／ｓ以上で記録する場合、５０〜７５
ａｔ％にするのが好ましい。これよりも多いと高温環境
下において記録データが消えてしまう。少なすぎると速
い線速に対応できなくなる。また、Ｓｂ組成量を増やし
すぎず、速い線速に対応するためにＩｎを添加する。し
かし、多すぎると再生時の信号劣化、繰り返し記録特性
の劣化になる。従って、０〜１０ａｔ％程度の添加が良
いが、好ましくは３〜７ａｔ％が良い。Ｔｅは、多く添
加すると速い線速に対応できなくなるが少なすぎると非
晶質相が形成されにくくなる。１５〜３５ａｔ％が良い
が、好ましくは１８〜２５ａｔ％がよい。Ａｇ量は、多
すぎると速い線速に対応できなくなるため、１０ａｔ％
未満、好ましくは５ａｔ％が良い。
【０００８】高線速記録の場合、線速度が半径位置に依
存しないＣＬＶ方式と、内周から外周へ向け連続的に変
わるＣＡＶ方式があるが、本発明は両方の方式に対応で
きる。さらにデータ保存の耐環境性を向上させるために
他の元素を添加しても良い。記録層の膜厚は、１０〜２
５ｎｍが好ましい。繰り返し記録特性については、記録
層組成を最適化することにより一層高い線速、例えば１
０ｍ／ｓを越える線速に対しても優れた特性を示すよう
にすることができるが、繰り返し記録回数が高くなるに
つれて記録膜の劣化が顕著になる。特に、高線速かつ高
密度になると非晶質相、結晶相間の相変化を高速に行う
ため、記録膜、保護膜への熱衝撃が大きい。また、高速
な液相、固相変化に伴う密度変化により保護層と記録層
の界面において膜の剥離が発生し易く、記録領域におい
ては温度勾配による局所的な組成変化が起こり易い。そ
のため繰り返し記録回数が増加するにつれ、ジッターの
増加等がより顕著となる。
存しないＣＬＶ方式と、内周から外周へ向け連続的に変
わるＣＡＶ方式があるが、本発明は両方の方式に対応で
きる。さらにデータ保存の耐環境性を向上させるために
他の元素を添加しても良い。記録層の膜厚は、１０〜２
５ｎｍが好ましい。繰り返し記録特性については、記録
層組成を最適化することにより一層高い線速、例えば１
０ｍ／ｓを越える線速に対しても優れた特性を示すよう
にすることができるが、繰り返し記録回数が高くなるに
つれて記録膜の劣化が顕著になる。特に、高線速かつ高
密度になると非晶質相、結晶相間の相変化を高速に行う
ため、記録膜、保護膜への熱衝撃が大きい。また、高速
な液相、固相変化に伴う密度変化により保護層と記録層
の界面において膜の剥離が発生し易く、記録領域におい
ては温度勾配による局所的な組成変化が起こり易い。そ
のため繰り返し記録回数が増加するにつれ、ジッターの
増加等がより顕著となる。
【０００９】このような問題に対処するため、記録材料
や組成比の選択だけでなく、保護層および／または緩衝
層による特性の改善についても検討した。従来ＡｌＮ、
ＳｉＮなどの単元素の窒化物を上部保護層、下部保護層
に用いることは考えられていたが、これらの材料はＺｎ
Ｓ・ＳｉＯ２よりも熱伝導率が高くて放熱性が良いなど
の利点があるものの、熱伝導率が高すぎることによる感
度低下あるいは密着性が良くないこと、熱応力が大きい
こと等の理由で、保護層をこれらの材料に置き換えるま
でには至っていなかった。保護層および／または緩衝層
に要求される条件としては、熱伝導率がＺｎＳ・ＳｉＯ
２に比べて高いこと、熱履歴による構造変化が少ないこ
と、記録層との密着性が良いこと、記録層材料と反応し
にくい材料であること、熱応力による変形が少ないこと
などが挙げられる。また消去時に記録層の結晶化が容易
に起こることも必要である。
や組成比の選択だけでなく、保護層および／または緩衝
層による特性の改善についても検討した。従来ＡｌＮ、
ＳｉＮなどの単元素の窒化物を上部保護層、下部保護層
に用いることは考えられていたが、これらの材料はＺｎ
Ｓ・ＳｉＯ２よりも熱伝導率が高くて放熱性が良いなど
の利点があるものの、熱伝導率が高すぎることによる感
度低下あるいは密着性が良くないこと、熱応力が大きい
こと等の理由で、保護層をこれらの材料に置き換えるま
でには至っていなかった。保護層および／または緩衝層
に要求される条件としては、熱伝導率がＺｎＳ・ＳｉＯ
２に比べて高いこと、熱履歴による構造変化が少ないこ
と、記録層との密着性が良いこと、記録層材料と反応し
にくい材料であること、熱応力による変形が少ないこと
などが挙げられる。また消去時に記録層の結晶化が容易
に起こることも必要である。
【００１０】そこで、このような条件を満足する保護層
および／または緩衝層材料を探索した結果、保護層材料
としては、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂから選
ばれる２種以上の元素を含む窒化物、あるいは、Ｉｎ、
Ａｌ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｚｎから選ばれ
る２種以上の元素を含む酸化物が好ましく、緩衝層材料
としては、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｈｆ
から選ばれる２種以上の元素を含む窒化物、あるいは、
Ｉｎ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｎ
ｉ、Ｚｒ、Ｙから選ばれる２種以上の元素を含む酸化物
が好ましいことが分かった。
および／または緩衝層材料を探索した結果、保護層材料
としては、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂから選
ばれる２種以上の元素を含む窒化物、あるいは、Ｉｎ、
Ａｌ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｚｎから選ばれ
る２種以上の元素を含む酸化物が好ましく、緩衝層材料
としては、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｈｆ
から選ばれる２種以上の元素を含む窒化物、あるいは、
Ｉｎ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｎ
ｉ、Ｚｒ、Ｙから選ばれる２種以上の元素を含む酸化物
が好ましいことが分かった。
【００１１】このような窒化物の具体例としては、Ａｌ
−Ｓｉ−Ｎ、Ａｌ−Ｔｉ−Ｎ、Ａｌ−Ｔａ−Ｎ、Ａｌ−
Ｓｉ−Ｔａ−Ｎ、Ｚｒ−Ａｌ−Ｎ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｔｉ−
Ｎ、Ｓｉ−Ｔａ−Ｎなどが挙げられ、酸化物の具体例と
しては、Ａｌ−Ｓｉ−Ｏ、Ａｌ−Ｉｎ−Ｏ、Ａｌ−Ｚｎ
−Ｏ、Ｓｉ−Ｔａ−Ｏ、Ｓｉ−Ｔｉ−Ｏ、Ｉｎ−Ｍｇ−
Ｏ、Ｉｎ−Ａｌ−Ｓｎ−Ｏ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｔａ−Ｏなど
が挙げられる。これら多元の窒化物、酸化物を保護層
（特に上部保護層）および／または緩衝層の材料として
用いると、熱伝導率が比較的高い材料である上に、密着
性の向上効果、熱応力の減少効果を奏するため、繰り返
し記録回数の増加に伴い起ってくる記録層の体積変化、
上部保護層と記録層の剥離、元素の相互拡散などによる
特性の劣化を抑制することができる。
−Ｓｉ−Ｎ、Ａｌ−Ｔｉ−Ｎ、Ａｌ−Ｔａ−Ｎ、Ａｌ−
Ｓｉ−Ｔａ−Ｎ、Ｚｒ−Ａｌ−Ｎ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｔｉ−
Ｎ、Ｓｉ−Ｔａ−Ｎなどが挙げられ、酸化物の具体例と
しては、Ａｌ−Ｓｉ−Ｏ、Ａｌ−Ｉｎ−Ｏ、Ａｌ−Ｚｎ
−Ｏ、Ｓｉ−Ｔａ−Ｏ、Ｓｉ−Ｔｉ−Ｏ、Ｉｎ−Ｍｇ−
Ｏ、Ｉｎ−Ａｌ−Ｓｎ−Ｏ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｔａ−Ｏなど
が挙げられる。これら多元の窒化物、酸化物を保護層
（特に上部保護層）および／または緩衝層の材料として
用いると、熱伝導率が比較的高い材料である上に、密着
性の向上効果、熱応力の減少効果を奏するため、繰り返
し記録回数の増加に伴い起ってくる記録層の体積変化、
上部保護層と記録層の剥離、元素の相互拡散などによる
特性の劣化を抑制することができる。
【００１２】また、上記のうちの酸化物を用いる場合に
は、量産に際して次のような成膜上の利点がある。即
ち、Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ膜を作製する場合、通常はＳｉ−Ａ
ｌターゲットを用い、高周波（ＲＦ）スパッタにより酸
素ガスを導入しながら該酸化物薄膜を作製するが、Ａｌ
を添加していることにより直流スパッタが可能となり成
膜速度を速くすることができる。さらに、上記窒化物と
酸化物は混合物として用いても良く、その例としては、
ＡｌＮ・ＳｉＯ２、ＴａＮ・ＳｉＯ２、ＴａＮ・Ａｌ２
Ｏ３、ＴａＮ・Ａｌ２Ｏ ３・ＳｉＯ２等が挙げられる。
は、量産に際して次のような成膜上の利点がある。即
ち、Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ膜を作製する場合、通常はＳｉ−Ａ
ｌターゲットを用い、高周波（ＲＦ）スパッタにより酸
素ガスを導入しながら該酸化物薄膜を作製するが、Ａｌ
を添加していることにより直流スパッタが可能となり成
膜速度を速くすることができる。さらに、上記窒化物と
酸化物は混合物として用いても良く、その例としては、
ＡｌＮ・ＳｉＯ２、ＴａＮ・ＳｉＯ２、ＴａＮ・Ａｌ２
Ｏ３、ＴａＮ・Ａｌ２Ｏ ３・ＳｉＯ２等が挙げられる。
【００１３】上記窒化物および／または酸化物からなる
材料は、屈折率１．５〜２．２で、吸収係数が小さく透
明であるものが好ましい。また、これらの材料は上部保
護層にも下部保護層にも用いることができるが、上部保
護層に用いるときの膜厚は５〜２５ｎｍが好ましい。上
部保護層の膜厚が厚すぎると、即ち２５ｎｍを越える
と、記録膜の温度は上がるが放熱が悪くなるため非晶質
相が形成され難くなり、繰り返し記録特性などが悪くな
るので好ましくない。また、５ｎｍよりも薄くなると記
録膜の温度が上がり難くなるため、非晶質相、結晶相ど
ちらも形成され難くなるので好ましくない。さらに上部
保護層のうち、特にＳｉＯ２を含むものは、ＳｉＯ２が
その物性として比較的熱伝導率が低く内部応力及び熱応
力が小さいという性質を有するので上部保護層として好
適である。ＴａＮ、ＡｌＮなどの単体では応力が大きい
ためＳｉＯ２を添加するが、多すぎると、これら単体の
性質が損なわれるし、少な過ぎても添加の効果がない。
従って、ＳｉＯ２の含有量は、保護層材料全体の５０モ
ル％未満（ただし、零ではない）とし、好ましくは１０
〜３０モル％である。
材料は、屈折率１．５〜２．２で、吸収係数が小さく透
明であるものが好ましい。また、これらの材料は上部保
護層にも下部保護層にも用いることができるが、上部保
護層に用いるときの膜厚は５〜２５ｎｍが好ましい。上
部保護層の膜厚が厚すぎると、即ち２５ｎｍを越える
と、記録膜の温度は上がるが放熱が悪くなるため非晶質
相が形成され難くなり、繰り返し記録特性などが悪くな
るので好ましくない。また、５ｎｍよりも薄くなると記
録膜の温度が上がり難くなるため、非晶質相、結晶相ど
ちらも形成され難くなるので好ましくない。さらに上部
保護層のうち、特にＳｉＯ２を含むものは、ＳｉＯ２が
その物性として比較的熱伝導率が低く内部応力及び熱応
力が小さいという性質を有するので上部保護層として好
適である。ＴａＮ、ＡｌＮなどの単体では応力が大きい
ためＳｉＯ２を添加するが、多すぎると、これら単体の
性質が損なわれるし、少な過ぎても添加の効果がない。
従って、ＳｉＯ２の含有量は、保護層材料全体の５０モ
ル％未満（ただし、零ではない）とし、好ましくは１０
〜３０モル％である。
【００１４】上部保護層材料として上記のものを用いる
ことにより、ＺｎＳ・ＳｉＯ２からなる保護層に対して
は用いることができないＡｇ合金を反射層として使用で
きるようになるので、実用上極めて有用である。ただ
し、Ａｇ合金はＡｇ以外の添加元素の量があまり多い
と、Ａｇの高熱伝導率が低くなってしまうし、少なすぎ
ると耐環境性が悪くなるので、添加元素の量としては５
ｗｔ％程度とする。また、添加元素としてはＰｄ、Ｃ
ｕ、Ｎｉ、Ｔｉ等が挙げられる。
ことにより、ＺｎＳ・ＳｉＯ２からなる保護層に対して
は用いることができないＡｇ合金を反射層として使用で
きるようになるので、実用上極めて有用である。ただ
し、Ａｇ合金はＡｇ以外の添加元素の量があまり多い
と、Ａｇの高熱伝導率が低くなってしまうし、少なすぎ
ると耐環境性が悪くなるので、添加元素の量としては５
ｗｔ％程度とする。また、添加元素としてはＰｄ、Ｃ
ｕ、Ｎｉ、Ｔｉ等が挙げられる。
【００１５】緩衝層は、保護層と記録層の間の熱衝撃を
緩和し、記録層の体積変化を抑制しさらに元素の相互拡
散を防ぐために記録層（特に膜厚の薄い記録層）と上部
保護層との間に設けるとよい。さらに必要に応じて記録
層と下部保護層との間にも設けることができる。また、
上部保護層あるいは下部保護層を緩衝層兼用とすること
もできる。緩衝層の膜厚は、上記の機能からみて保護層
よりも厚くする必要はないが、あまり薄いと膜が均一に
形成されず島状になってしまって効果がなくなるので３
〜１５ｎｍ程度にすることが好ましい。また、上部保護
層と緩衝層を両方設ける場合の総膜厚は１０〜２５ｎｍ
とする。周辺環境に対する保護効果と蓄熱効果を考慮す
るとこの範囲が好ましい。
緩和し、記録層の体積変化を抑制しさらに元素の相互拡
散を防ぐために記録層（特に膜厚の薄い記録層）と上部
保護層との間に設けるとよい。さらに必要に応じて記録
層と下部保護層との間にも設けることができる。また、
上部保護層あるいは下部保護層を緩衝層兼用とすること
もできる。緩衝層の膜厚は、上記の機能からみて保護層
よりも厚くする必要はないが、あまり薄いと膜が均一に
形成されず島状になってしまって効果がなくなるので３
〜１５ｎｍ程度にすることが好ましい。また、上部保護
層と緩衝層を両方設ける場合の総膜厚は１０〜２５ｎｍ
とする。周辺環境に対する保護効果と蓄熱効果を考慮す
るとこの範囲が好ましい。
【００１６】以上説明した本発明の相変化型書き換え可
能光記録媒体は、波長が４００〜８００ｎｍの範囲で記
録再生が可能であり、大容量光ファイルあるいはデジタ
ルビデオディスクなどとして用いることができる。記録
の仕方は、基板の溝部のみに記録する場合と、溝部及び
溝間のトラックの双方に記録する場合とがある。更に記
録密度を上げるためには対物レンズの開口数を０．６以
上にすればよく、密度および容量を上げるために基板の
トラックピッチを狭くする方法もある。ピッチは０．８
μｍ以下とすることが好ましく、溝の深さは１５〜６０
ｎｍが好ましい。１５ｎｍ未満になると安定なトラッキ
ングができなくなるので好ましくない。記録は、複数の
レーザーパルスを発生させ、幅を変調させて照射し、急
冷、除冷を制御して行う。記録マークは非晶質相、マー
ク間は結晶相とする。レーザーパワーは、記録、消去、
再生及びマーク形成に必要な再生パワー以下あるいは再
生パワーと同じ程度のパワーに設定し、記録周波数は１
５ＭＨｚ以上とする。記録再生線速度は、ＣＬＶあるい
はＣＡＶで最大１５ｍ／ｓとする。
能光記録媒体は、波長が４００〜８００ｎｍの範囲で記
録再生が可能であり、大容量光ファイルあるいはデジタ
ルビデオディスクなどとして用いることができる。記録
の仕方は、基板の溝部のみに記録する場合と、溝部及び
溝間のトラックの双方に記録する場合とがある。更に記
録密度を上げるためには対物レンズの開口数を０．６以
上にすればよく、密度および容量を上げるために基板の
トラックピッチを狭くする方法もある。ピッチは０．８
μｍ以下とすることが好ましく、溝の深さは１５〜６０
ｎｍが好ましい。１５ｎｍ未満になると安定なトラッキ
ングができなくなるので好ましくない。記録は、複数の
レーザーパルスを発生させ、幅を変調させて照射し、急
冷、除冷を制御して行う。記録マークは非晶質相、マー
ク間は結晶相とする。レーザーパワーは、記録、消去、
再生及びマーク形成に必要な再生パワー以下あるいは再
生パワーと同じ程度のパワーに設定し、記録周波数は１
５ＭＨｚ以上とする。記録再生線速度は、ＣＬＶあるい
はＣＡＶで最大１５ｍ／ｓとする。
【００１７】
【実施例】以下、実施例を示して本発明を具体的に説明
するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるも
のではない。
するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるも
のではない。
【００１８】実施例１〜３３、比較例１〜２ 溝ピッチ０．７５μｍ、溝幅０．３μｍ、溝深さ３５ｎ
ｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート製基板を用い、
この上にスパッタリング方式により各層を積層した。下
部保護層には、ＺｎＳ：ＳｉＯ２＝８０：２０（モル
％）を使用し、膜厚を７５ｎｍとした。記録層には、Ａ
ｇ：Ｉｎ：Ｓｂ：Ｔｅ＝１：５：６８：２６（原子％）
および１：７：６６：２６（原子％）を使用し、いずれ
も膜厚２０ｎｍとした。上部保護層には、表１〜３の実
施例および比較例に示した材料を使用し、反射層にはＡ
ｌ合金を用いて厚さ１２０ｎｍとした。表３の各実施例
の上部保護層は、ＳｉＯ２を含む３種類の材料の組成比
を変化させた場合であり、成分比を表わす数値は重量％
である。金属と酸化物の混合物ターゲットを用いて窒素
ガスを導入し、酸化物と窒化物の混合物としたり、金属
と窒化物の混合ターゲットを用い、酸素導入しながら酸
化物と窒化物の混合物とした。膜厚は５ｎｍとした。反
射層上に紫外線硬化樹脂を塗布し、膜のない基板を貼合
わせて厚さ１．２ｍｍの光記録媒体とした。ＬＤ（レー
ザーダイオード）を用い所定の条件で初期化した。記録
再生は波長６５５ｎｍ、対物レンズの開口数が０．６の
ピックアップヘッドを用いて、ＣＬＶ方式により線速度
７ｍ／ｓ、記録周波数５２．５ＭＨｚ、ＰＷＭにより記
録を行った。記録データの変調方式は（８，１６）変調
により最適パワーで記録し、反射率およびジッターを測
定した。表１〜３に、１回記録に対する繰り返し記録１
万回後の反射率変化率（初期比Ａ）およびジッター変化
率（初期比Ｂ）を示した。比較例１、２は従来の構成の
場合である。表１〜３から、実施例の光記録媒体が比較
例のものに比べて、反射率変化率およびジッター変化率
共に優れていることが分かる。また、７０℃、８５％Ｒ
Ｈ、５００時間の環境試験後の反射率変化率およびジッ
ター変化率を調べたところ、本実施例はこれら全てにお
いて変化が見られず良好であった。表４には、反射層と
してＡｌ合金ではなくＡｇ合金を用いた実施例を示す。
表４中の各実施例の上部保護層は、３種類の材料を混合
したものであり、成分比を表わす数値は重量％である。
反射層の膜厚はＡｌ合金の場合と同じ１２０ｎｍであ
る。記録線速度８．５ｍ／ｓ、記録周波数６３．５ＭＨ
ｚで記録し、７０℃、８５％ＲＨ、５００時間の環境試
験後の反射率変化率およびジッター変化率を調べたとこ
ろ、これら全てにおいて変化が見られず良好であった。
ｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート製基板を用い、
この上にスパッタリング方式により各層を積層した。下
部保護層には、ＺｎＳ：ＳｉＯ２＝８０：２０（モル
％）を使用し、膜厚を７５ｎｍとした。記録層には、Ａ
ｇ：Ｉｎ：Ｓｂ：Ｔｅ＝１：５：６８：２６（原子％）
および１：７：６６：２６（原子％）を使用し、いずれ
も膜厚２０ｎｍとした。上部保護層には、表１〜３の実
施例および比較例に示した材料を使用し、反射層にはＡ
ｌ合金を用いて厚さ１２０ｎｍとした。表３の各実施例
の上部保護層は、ＳｉＯ２を含む３種類の材料の組成比
を変化させた場合であり、成分比を表わす数値は重量％
である。金属と酸化物の混合物ターゲットを用いて窒素
ガスを導入し、酸化物と窒化物の混合物としたり、金属
と窒化物の混合ターゲットを用い、酸素導入しながら酸
化物と窒化物の混合物とした。膜厚は５ｎｍとした。反
射層上に紫外線硬化樹脂を塗布し、膜のない基板を貼合
わせて厚さ１．２ｍｍの光記録媒体とした。ＬＤ（レー
ザーダイオード）を用い所定の条件で初期化した。記録
再生は波長６５５ｎｍ、対物レンズの開口数が０．６の
ピックアップヘッドを用いて、ＣＬＶ方式により線速度
７ｍ／ｓ、記録周波数５２．５ＭＨｚ、ＰＷＭにより記
録を行った。記録データの変調方式は（８，１６）変調
により最適パワーで記録し、反射率およびジッターを測
定した。表１〜３に、１回記録に対する繰り返し記録１
万回後の反射率変化率（初期比Ａ）およびジッター変化
率（初期比Ｂ）を示した。比較例１、２は従来の構成の
場合である。表１〜３から、実施例の光記録媒体が比較
例のものに比べて、反射率変化率およびジッター変化率
共に優れていることが分かる。また、７０℃、８５％Ｒ
Ｈ、５００時間の環境試験後の反射率変化率およびジッ
ター変化率を調べたところ、本実施例はこれら全てにお
いて変化が見られず良好であった。表４には、反射層と
してＡｌ合金ではなくＡｇ合金を用いた実施例を示す。
表４中の各実施例の上部保護層は、３種類の材料を混合
したものであり、成分比を表わす数値は重量％である。
反射層の膜厚はＡｌ合金の場合と同じ１２０ｎｍであ
る。記録線速度８．５ｍ／ｓ、記録周波数６３．５ＭＨ
ｚで記録し、７０℃、８５％ＲＨ、５００時間の環境試
験後の反射率変化率およびジッター変化率を調べたとこ
ろ、これら全てにおいて変化が見られず良好であった。
【００１９】実施例３４〜６０、比較例３〜４ 緩衝層を、表５、６に示した材料を用いて記録層の上に
設け、その上に、ＺｎＳ：ＳｉＯ２＝８０：２０（モル
％）からなる膜厚１５ｎｍの上部保護層を設けた点を除
き、実施例１と同様にして光記録媒体を作製し、反射率
変化率（初期比Ａ）およびジッター変化率（初期比Ｂ）
を測定した。結果を表５、６に示す。比較例３、４は、
ＺｎＳ：ＳｉＯ２のみを用いた従来の構成の場合であ
る。表５、６から、実施例の光記録媒体が比較例のもの
に比べて、反射率変化率およびジッター変化率共に優れ
ていることが分かる。また、実施例１と同様に、７０
℃、８５％ＲＨ、５００時間の環境試験後の反射率変化
およびジッターを調べたところ、これら全てにおいて変
化が見られず良好であった。
設け、その上に、ＺｎＳ：ＳｉＯ２＝８０：２０（モル
％）からなる膜厚１５ｎｍの上部保護層を設けた点を除
き、実施例１と同様にして光記録媒体を作製し、反射率
変化率（初期比Ａ）およびジッター変化率（初期比Ｂ）
を測定した。結果を表５、６に示す。比較例３、４は、
ＺｎＳ：ＳｉＯ２のみを用いた従来の構成の場合であ
る。表５、６から、実施例の光記録媒体が比較例のもの
に比べて、反射率変化率およびジッター変化率共に優れ
ていることが分かる。また、実施例１と同様に、７０
℃、８５％ＲＨ、５００時間の環境試験後の反射率変化
およびジッターを調べたところ、これら全てにおいて変
化が見られず良好であった。
【００２０】
【表１】
【００２１】
【表２】
【００２２】
【表３】
【００２３】
【表４】
【００２４】
【表５】
【００２５】
【表６】
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば、高密度かつ高線速度で
記録が可能であり、しかも繰り返し記録しても特性が劣
化せず、耐環境性にも優れた信頼性の高い相変化型光記
録媒体を提供できる。
記録が可能であり、しかも繰り返し記録しても特性が劣
化せず、耐環境性にも優れた信頼性の高い相変化型光記
録媒体を提供できる。
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３８ Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３８Ｅ 7/0045 7/0045 Ｚ (72)発明者 伊藤 和典 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 小名木 伸晃 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 芝口 孝 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 鈴木 栄子 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 田代 浩子 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 Ｆターム(参考） 5D029 JA01 LA14 LA16 LB07 MA13 5D090 AA01 BB05 CC01 HH03
Claims (12)
- 【請求項１】 少なくとも基板上に非晶質相と結晶相と
の間で可逆的相変化をする記録層を有し、該記録層上に
上部保護層を有する光記録媒体であって、該上部保護層
が、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂから選ばれた
２種以上の元素を含む窒化物、および／または、Ｉｎ、
Ａｌ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｚｎから選ばれ
た２種以上の元素を含む酸化物からなることを特徴とす
る光記録媒体。 - 【請求項２】 上部保護層が、必ずＳｉＯ２を含有し、
その含有量が該保護層材料全体の５０モル％未満（ただ
し、零ではない）であることを特徴とする請求項１記載
の光記録媒体。 - 【請求項３】 上部保護層の膜厚が、５〜２５ｎｍであ
ることを特徴とする請求項１又は２記載の光記録媒体。 - 【請求項４】 さらに緩衝層を有し、該緩衝層が、Ａ
ｌ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂから選ばれる２種以
上の元素を含む窒化物、および／または、Ｉｎ、Ａｌ、
Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｙ
から選ばれる２種以上の元素を含む酸化物からなること
を特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の光記録媒
体。 - 【請求項５】 緩衝層の膜厚が、３〜１５ｎｍであるこ
とを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の光記録
媒体。 - 【請求項６】 緩衝層が、記録層と上部保護層との間に
設けられていることを特徴とする請求項１〜５のいずれ
かに記載の光記録媒体。 - 【請求項７】 緩衝層が、さらに記録層と下部保護層と
の間にも設けられていることを特徴とする請求項６記載
の光記録媒体。 - 【請求項８】 上部保護層が緩衝層を兼ねることを特徴
とする請求項１〜３のいずれかに記載の光記録媒体。 - 【請求項９】 保護層と緩衝層の膜厚の合計が１０〜２
５ｎｍであることを特徴とする請求項１〜８のいずれか
に記載の光記録媒体。 - 【請求項１０】 記録層が、結晶状態においてＮａＣｌ
型結晶構造を有し、組成式が、ＡｇαＩｎβＳｂγＴｅ
δ（ただし、α、β、γ、δは原子％であり、０＜α＜
１０、０＜β＜２０、５０＜γ＜７５、１５＜δ＜３５
である）で表される材料からなることを特徴とする請求
項１〜９のいずれかに記載の光記録媒体。 - 【請求項１１】 透明基板上に下部保護層、相変化記録
層、上部保護層、反射層がこの順に積層された光記録媒
体であって、反射層がＡｇ合金からなることを特徴とす
る請求項１〜１０のいずれかに記載の光記録媒体。 - 【請求項１２】 請求項１〜１１のいずれかに記載の光
記録媒体に対して、記録線速度１５ｍ／ｓ（秒）以下で
記録することを特徴とする光記録媒体の記録方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000331568A JP2002133718A (ja) | 2000-10-30 | 2000-10-30 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000331568A JP2002133718A (ja) | 2000-10-30 | 2000-10-30 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002133718A true JP2002133718A (ja) | 2002-05-10 |
Family
ID=18807895
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000331568A Pending JP2002133718A (ja) | 2000-10-30 | 2000-10-30 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002133718A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004022812A1 (ja) * | 2002-09-09 | 2004-03-18 | Nikko Materials Co., Ltd. | スパッタリングターゲット及び光記録媒体 |
| WO2004022813A1 (ja) * | 2002-09-09 | 2004-03-18 | Nikko Materials Co., Ltd. | スパッタリングターゲット及び光記録媒体 |
| US7169533B2 (en) | 2001-03-19 | 2007-01-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, method for manufacturing the same and recording/reproduction method |
| US7439007B2 (en) * | 2002-12-20 | 2008-10-21 | Ricoh Company, Ltd. | Phase change information recording medium having multiple layers and recording and playback method for the medium |
| JP2013144821A (ja) * | 2012-01-13 | 2013-07-25 | Mitsubishi Materials Corp | 酸化物スパッタリングターゲット及び光記録媒体用保護膜 |
-
2000
- 2000-10-30 JP JP2000331568A patent/JP2002133718A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7169533B2 (en) | 2001-03-19 | 2007-01-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, method for manufacturing the same and recording/reproduction method |
| WO2004022812A1 (ja) * | 2002-09-09 | 2004-03-18 | Nikko Materials Co., Ltd. | スパッタリングターゲット及び光記録媒体 |
| WO2004022813A1 (ja) * | 2002-09-09 | 2004-03-18 | Nikko Materials Co., Ltd. | スパッタリングターゲット及び光記録媒体 |
| CN100439557C (zh) * | 2002-09-09 | 2008-12-03 | 日矿金属株式会社 | 溅射靶及光记录介质 |
| CN100445418C (zh) * | 2002-09-09 | 2008-12-24 | 日矿金属株式会社 | 溅射靶及光记录介质 |
| US7439007B2 (en) * | 2002-12-20 | 2008-10-21 | Ricoh Company, Ltd. | Phase change information recording medium having multiple layers and recording and playback method for the medium |
| JP2013144821A (ja) * | 2012-01-13 | 2013-07-25 | Mitsubishi Materials Corp | 酸化物スパッタリングターゲット及び光記録媒体用保護膜 |
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