JPH07141699A - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
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- JPH07141699A JPH07141699A JP5285107A JP28510793A JPH07141699A JP H07141699 A JPH07141699 A JP H07141699A JP 5285107 A JP5285107 A JP 5285107A JP 28510793 A JP28510793 A JP 28510793A JP H07141699 A JPH07141699 A JP H07141699A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】相変化型光ディスク等の光情報記録媒体におい
て、単一ビームによるオーバーライトであっても、再生
信号に含まれるジッター量を少なくする。 【構成】反射層５をＷまたはＭｏで構成した。
て、単一ビームによるオーバーライトであっても、再生
信号に含まれるジッター量を少なくする。 【構成】反射層５をＷまたはＭｏで構成した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光照射により情報を記
録、再生、消去する光情報記録媒体に関し、特に、単一
ビームでオーバーライトされた場合でも、ジッター量の
少ない良質な再生信号が得られるものに関する。
録、再生、消去する光情報記録媒体に関し、特に、単一
ビームでオーバーライトされた場合でも、ジッター量の
少ない良質な再生信号が得られるものに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、光情報記録媒体は、膨大な情報量
を記録、再生、消去する手段として盛んに研究開発が行
われている。このような光情報記録媒体において、特
に、光学記録層が結晶と非晶質との間で可逆的に相変化
することを利用して情報の記録・消去を行う、いわゆる
相変化型光ディスクは、レーザ光のパワーを変化させる
だけで古い情報を消去すると同時に新たな情報を記録す
ること（以下、「オーバーライト」と称する）ができる
という利点を有している。
を記録、再生、消去する手段として盛んに研究開発が行
われている。このような光情報記録媒体において、特
に、光学記録層が結晶と非晶質との間で可逆的に相変化
することを利用して情報の記録・消去を行う、いわゆる
相変化型光ディスクは、レーザ光のパワーを変化させる
だけで古い情報を消去すると同時に新たな情報を記録す
ること（以下、「オーバーライト」と称する）ができる
という利点を有している。
【０００３】すなわち、オーバーライトにより、記録層
のうち非晶質化レベルのハイパワーのレーザ光が照射さ
れた部分は、融点以上の温度への急熱・急冷により非晶
質化されて記録ピットとなり、結晶化レベルのパワーの
レーザ光が照射された部分は、融点より低い結晶化可能
温度への昇温・徐冷により結晶化されて消去部分とな
る。
のうち非晶質化レベルのハイパワーのレーザ光が照射さ
れた部分は、融点以上の温度への急熱・急冷により非晶
質化されて記録ピットとなり、結晶化レベルのパワーの
レーザ光が照射された部分は、融点より低い結晶化可能
温度への昇温・徐冷により結晶化されて消去部分とな
る。
【０００４】このオーバーライトが可能な相変化型光デ
ィスクの記録材料としては、低融点でレーザ光の吸収効
率の高いＩｎ−Ｓｅ系合金（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅ
ｔｔ．第５０巻、６６７頁、１９８７年）や、Ｉｎ−Ｓ
ｂ−Ｔｅ合金（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．第５０
巻、１６頁、１９８７年）、およびＧｅ−Ｔｅ−Ｓｂ合
金（特開昭６２−５３８８６号公報）等のカルコゲン合
金が主として用いられている。
ィスクの記録材料としては、低融点でレーザ光の吸収効
率の高いＩｎ−Ｓｅ系合金（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅ
ｔｔ．第５０巻、６６７頁、１９８７年）や、Ｉｎ−Ｓ
ｂ−Ｔｅ合金（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．第５０
巻、１６頁、１９８７年）、およびＧｅ−Ｔｅ−Ｓｂ合
金（特開昭６２−５３８８６号公報）等のカルコゲン合
金が主として用いられている。
【０００５】このようなカルコゲン合金を記録層として
実際に記録・消去を行う場合には、記録・消去の際に生
じる熱により基板が変形することを防止したり、記録層
の酸化や変形を防止したり、記録層をなす物質が基板に
設けられた案内溝に沿って移動することを防止したりす
るために、通常この記録層の直下と直上とのいずれか一
方または双方に、金属あるいは半金属の、酸化物、炭化
物、窒化物、フッ化物、および硫化物から選ばれた少な
くとも一種類からなる保護層を設けている。
実際に記録・消去を行う場合には、記録・消去の際に生
じる熱により基板が変形することを防止したり、記録層
の酸化や変形を防止したり、記録層をなす物質が基板に
設けられた案内溝に沿って移動することを防止したりす
るために、通常この記録層の直下と直上とのいずれか一
方または双方に、金属あるいは半金属の、酸化物、炭化
物、窒化物、フッ化物、および硫化物から選ばれた少な
くとも一種類からなる保護層を設けている。
【０００６】また、記録層の基板とは反対側の面にＡｌ
合金等からなる反射層を設けて、再生光の反射率を大き
くするとともに、記録時に記録層の溶融部分に生じた熱
を急速に拡散させて、記録層の非晶質化（すなわち記録
ピットの形成）を容易にするための熱拡散層を兼用させ
ている。そして、カルコゲン合金からなる記録層と、記
録層の直下および／または直上に設けた保護層（以下、
それぞれ第一の保護層，第二の保護層と称する。）と、
冷却層を兼ねた反射層とからなる三層または四層構造を
透明基板上に備えたものが、記録・消去特性の点で好適
であるために相変化型光ディスクの主流となっている。
合金等からなる反射層を設けて、再生光の反射率を大き
くするとともに、記録時に記録層の溶融部分に生じた熱
を急速に拡散させて、記録層の非晶質化（すなわち記録
ピットの形成）を容易にするための熱拡散層を兼用させ
ている。そして、カルコゲン合金からなる記録層と、記
録層の直下および／または直上に設けた保護層（以下、
それぞれ第一の保護層，第二の保護層と称する。）と、
冷却層を兼ねた反射層とからなる三層または四層構造を
透明基板上に備えたものが、記録・消去特性の点で好適
であるために相変化型光ディスクの主流となっている。
【０００７】このような相変化型光ディスクに対して単
一ビームでオーバーライトを行う場合には、複数ビーム
による場合と違い、書換え前に記録ピットが消去されな
いため、光吸収率が異なる非晶質化部分（記録ピット）
と結晶化部分（消去された部分）とに次のオーバーライ
トが直接行われる。そのため、新たに形成される記録ピ
ットの下地が前回の非晶質化部分か結晶化部分かで記録
層の昇温プロファイルが異なることから、新たな記録ピ
ットが設定位置とは微妙にずれた位置に形成され、再生
信号に多くのジッター（時間軸方向のずれ）が含まれて
ビットエラーが生じやすくなるという問題があった。
一ビームでオーバーライトを行う場合には、複数ビーム
による場合と違い、書換え前に記録ピットが消去されな
いため、光吸収率が異なる非晶質化部分（記録ピット）
と結晶化部分（消去された部分）とに次のオーバーライ
トが直接行われる。そのため、新たに形成される記録ピ
ットの下地が前回の非晶質化部分か結晶化部分かで記録
層の昇温プロファイルが異なることから、新たな記録ピ
ットが設定位置とは微妙にずれた位置に形成され、再生
信号に多くのジッター（時間軸方向のずれ）が含まれて
ビットエラーが生じやすくなるという問題があった。
【０００８】これらの問題を解決するために、書換え前
の状態にかかわらず記録層に一様な昇温プロファイルを
与えるための提案がなされており、特開平１−１４９２
３８号公報には、記録層の光吸収率を非晶質部分（記録
ピット）と結晶質部分（消去部分）とで等しくすること
が、特開平３−１１３８４４号公報には、記録層におけ
る非晶質部分と結晶質部分とにおける光吸収率の差を１
０％以下とすることが開示されている。
の状態にかかわらず記録層に一様な昇温プロファイルを
与えるための提案がなされており、特開平１−１４９２
３８号公報には、記録層の光吸収率を非晶質部分（記録
ピット）と結晶質部分（消去部分）とで等しくすること
が、特開平３−１１３８４４号公報には、記録層におけ
る非晶質部分と結晶質部分とにおける光吸収率の差を１
０％以下とすることが開示されている。
【０００９】そして、これらの公報に記載の方法では、
記録層の両側に形成されている第一および第二の保護層
の膜厚を変化させることにより、記録層における非晶質
部分および結晶質部分の光吸収率を変化させている。
記録層の両側に形成されている第一および第二の保護層
の膜厚を変化させることにより、記録層における非晶質
部分および結晶質部分の光吸収率を変化させている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
３−１１３８４４号公報では、反射層を備えた構造の相
変化型光ディスクについての考察がなされていなかっ
た。また、反射層を備えた構造の相変化型光ディスクで
は、特開平１−１４９２３８号公報に記載の方法によ
り、記録層の光吸収率を非晶質部分と結晶質部分とで等
しくすることは好ましくなかった。
３−１１３８４４号公報では、反射層を備えた構造の相
変化型光ディスクについての考察がなされていなかっ
た。また、反射層を備えた構造の相変化型光ディスクで
は、特開平１−１４９２３８号公報に記載の方法によ
り、記録層の光吸収率を非晶質部分と結晶質部分とで等
しくすることは好ましくなかった。
【００１１】すなわち、反射層を備えた構造の相変化型
光ディスクは透過率がほぼ０に等しいため、非晶質状態
での光吸収率Ａamo.と結晶質状態での光吸収率Ａcry.と
の差Ａamo.−Ａcry.は、非晶質状態での反射率を
Ｒamo.、結晶質状態での反射率をＲ cry.とすると、 Ａamo.−Ａcry.＝（１−Ｒamo.）−（１−Ｒcry.）＝Ｒcry.−Ｒamo.…（１） となる。そして、相変化型光ディスクは、結晶質状態と
非晶質状態とにおける反射率の差Ｒcry.−Ｒamo.を信号
として検出するため、この反射率差が大きくなるように
各層の膜厚が設計されている。ここで、（１）式よりＲ
cry.−Ｒamo.＝Ａ amo.−Ａcry.であるため、非晶質状態
と結晶質状態とにおける光吸収率の差Ａam o.−Ａcry.は
再生信号の大きさに応じた値となる。したがって、十分
な再生信号を得るためには光吸収率を非晶質部分と結晶
質部分とで等しくすることができない。そして、反射層
における光吸収率が数％と少ない従来の相変化型光ディ
スクでは、光吸収のほとんどは記録層で行われるため、
記録層の光吸収率を非晶質部分と結晶質部分とで等しく
することは、十分な再生信号を得るためには好ましくな
かった。
光ディスクは透過率がほぼ０に等しいため、非晶質状態
での光吸収率Ａamo.と結晶質状態での光吸収率Ａcry.と
の差Ａamo.−Ａcry.は、非晶質状態での反射率を
Ｒamo.、結晶質状態での反射率をＲ cry.とすると、 Ａamo.−Ａcry.＝（１−Ｒamo.）−（１−Ｒcry.）＝Ｒcry.−Ｒamo.…（１） となる。そして、相変化型光ディスクは、結晶質状態と
非晶質状態とにおける反射率の差Ｒcry.−Ｒamo.を信号
として検出するため、この反射率差が大きくなるように
各層の膜厚が設計されている。ここで、（１）式よりＲ
cry.−Ｒamo.＝Ａ amo.−Ａcry.であるため、非晶質状態
と結晶質状態とにおける光吸収率の差Ａam o.−Ａcry.は
再生信号の大きさに応じた値となる。したがって、十分
な再生信号を得るためには光吸収率を非晶質部分と結晶
質部分とで等しくすることができない。そして、反射層
における光吸収率が数％と少ない従来の相変化型光ディ
スクでは、光吸収のほとんどは記録層で行われるため、
記録層の光吸収率を非晶質部分と結晶質部分とで等しく
することは、十分な再生信号を得るためには好ましくな
かった。
【００１２】本発明は、このような問題点に着目してな
されたものであり、反射層を備えた光情報記録媒体にお
いて、単一ビームによりオーバーライトされた場合でも
ジッター量の少ない良好な再生信号が得られるものを提
供することを目的とする。
されたものであり、反射層を備えた光情報記録媒体にお
いて、単一ビームによりオーバーライトされた場合でも
ジッター量の少ない良好な再生信号が得られるものを提
供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の光情報記録媒体は、透明な基板と、この基
板の一方の面に形成された光照射による発熱で情報が記
録される記録層と、この記録層の前記基板とは反対側の
面に形成された反射層とを少なくとも備えた光情報記録
媒体において、前記反射層をＷまたはＭｏで構成したこ
とを特徴とするものである。
に、本発明の光情報記録媒体は、透明な基板と、この基
板の一方の面に形成された光照射による発熱で情報が記
録される記録層と、この記録層の前記基板とは反対側の
面に形成された反射層とを少なくとも備えた光情報記録
媒体において、前記反射層をＷまたはＭｏで構成したこ
とを特徴とするものである。
【００１４】前記反射層の膜厚は３０ｎｍ以上が好まし
い。前記基板と記録層との間および／または前記記録層
と反射層との間に、耐熱性が高く融点が１０００℃以上
の材料、例えば、ＺｎＳとＳｉＯ2 の混合物，Ｓｉ
Ｏ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＡｌＮ，Ｓｉ3 Ｎ4 等で構成された
第一および／または第二の保護層が形成されていると好
適である。
い。前記基板と記録層との間および／または前記記録層
と反射層との間に、耐熱性が高く融点が１０００℃以上
の材料、例えば、ＺｎＳとＳｉＯ2 の混合物，Ｓｉ
Ｏ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＡｌＮ，Ｓｉ3 Ｎ4 等で構成された
第一および／または第二の保護層が形成されていると好
適である。
【００１５】また、前記基板、記録層、および反射層に
ついては、従来より公知の材料が使用される。すなわ
ち、基板としては、ポリカーボネート樹脂、ＰＭＭＡや
ガラス等が、記録層としては、相変化型光ディスクの場
合に、Ｉｎ−Ｓｅ系合金，Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金，Ｇ
ｅ−Ｔｅ−Ｓｂ系合金，Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金
等が、反射層としては、Ａｌ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｕ，Ａ
ｇ，ＮｉＣｒ，Ｍｎ，Ｗ，Ｍｏ等が用いられる。
ついては、従来より公知の材料が使用される。すなわ
ち、基板としては、ポリカーボネート樹脂、ＰＭＭＡや
ガラス等が、記録層としては、相変化型光ディスクの場
合に、Ｉｎ−Ｓｅ系合金，Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金，Ｇ
ｅ−Ｔｅ−Ｓｂ系合金，Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金
等が、反射層としては、Ａｌ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｕ，Ａ
ｇ，ＮｉＣｒ，Ｍｎ，Ｗ，Ｍｏ等が用いられる。
【００１６】各層の膜厚としては、記録層については記
録感度と分解能の点から５〜１００ｎｍが好ましく、第
二の保護層については記録感度と繰り返し特性の点から
５〜５０ｎｍが好ましい。さらに、各層の形成方法とし
ては、蒸着法，スパッタリング法，イオンプレーティン
グ法等が挙げられる。
録感度と分解能の点から５〜１００ｎｍが好ましく、第
二の保護層については記録感度と繰り返し特性の点から
５〜５０ｎｍが好ましい。さらに、各層の形成方法とし
ては、蒸着法，スパッタリング法，イオンプレーティン
グ法等が挙げられる。
【００１７】
【作用】光情報記録媒体のうち相変化型光ディスクの典
型的な例は、図１に示すように、透明な基板１の一方の
面に、第一の保護層２、記録層３、第二の保護層４、反
射層５が順次形成されたものであり、この例では、反射
層５の表面に保護用のＵＶ硬化樹脂層６が設けてある。
型的な例は、図１に示すように、透明な基板１の一方の
面に、第一の保護層２、記録層３、第二の保護層４、反
射層５が順次形成されたものであり、この例では、反射
層５の表面に保護用のＵＶ硬化樹脂層６が設けてある。
【００１８】図１の相変化型光ディスクにおいて、第一
の保護層２および第二の保護層４をなす材料は誘電体で
あり、消衰係数ｋが０であって光を吸収しないため、光
吸収は記録層３と反射層５とで行われる。すなわち、光
ディスク全体としての光吸収率ＡT は記録層での光吸収
率ＡK と両反射層での光吸収率ＡH との和ＡT ＝ＡK＋
ＡH となる。そのため、非晶質状態と結晶質状態での光
吸収率差Ａamo.−Ａcr y.は Ａamo.−Ａcry.＝（記録層のＡamo.＋反射層のＡamo.） −（記録層のＡcry.＋反射層のＡcry.） ＝（記録層のＡamo.−記録層のＡcry.） ＋（反射層のＡamo.−反射層のＡcry.）…（２） となり、記録層における光吸収率差（ΔＡK ＝記録層の
Ａamo.−記録層のＡcry.）と反射層における光吸収率差
（ΔＡH ＝反射層のＡamo.−反射層のＡcry.）とに分け
て考えることができる。
の保護層２および第二の保護層４をなす材料は誘電体で
あり、消衰係数ｋが０であって光を吸収しないため、光
吸収は記録層３と反射層５とで行われる。すなわち、光
ディスク全体としての光吸収率ＡT は記録層での光吸収
率ＡK と両反射層での光吸収率ＡH との和ＡT ＝ＡK＋
ＡH となる。そのため、非晶質状態と結晶質状態での光
吸収率差Ａamo.−Ａcr y.は Ａamo.−Ａcry.＝（記録層のＡamo.＋反射層のＡamo.） −（記録層のＡcry.＋反射層のＡcry.） ＝（記録層のＡamo.−記録層のＡcry.） ＋（反射層のＡamo.−反射層のＡcry.）…（２） となり、記録層における光吸収率差（ΔＡK ＝記録層の
Ａamo.−記録層のＡcry.）と反射層における光吸収率差
（ΔＡH ＝反射層のＡamo.−反射層のＡcry.）とに分け
て考えることができる。
【００１９】従来より反射層の材料として使用されてい
るＡｌ合金は比較的大きい消衰係数を有するため、従来
の相変化型光ディスクでは反射層における光吸収率が数
％と少なく、光吸収のほとんどは記録層で行われる。そ
のため、下記の（３）式に示すように、反射層における
光吸収率差（ΔＡH ）より記録層における光吸収率差
（ΔＡK ）の方が大きい。
るＡｌ合金は比較的大きい消衰係数を有するため、従来
の相変化型光ディスクでは反射層における光吸収率が数
％と少なく、光吸収のほとんどは記録層で行われる。そ
のため、下記の（３）式に示すように、反射層における
光吸収率差（ΔＡH ）より記録層における光吸収率差
（ΔＡK ）の方が大きい。
【００２０】 ΔＡH ＜ΔＡK ……（３） そのため、記録層における非晶質化部分と結晶質化部分
との光吸収率差が大きいと、前述のように、オーバーラ
イトに際して記録層における非晶質化部分と結晶質化部
分との昇温プロファイルが異なり、再生信号に多くのジ
ッターが含まれる原因となっていた。
との光吸収率差が大きいと、前述のように、オーバーラ
イトに際して記録層における非晶質化部分と結晶質化部
分との昇温プロファイルが異なり、再生信号に多くのジ
ッターが含まれる原因となっていた。
【００２１】また、オーバーライトされる記録層のうち
前回の非晶質部分と結晶質部分とでは、前回の結晶質部
分の方が潜熱（結晶→非晶質の転移に伴い吸収する熱
量）分だけ多くのエネルギーがオーバーライトに必要と
なるため、下記の（４）式のように、記録層における非
晶質部分の光吸収率が結晶質部分の光吸収率より大きい
と、 記録層のＡamo.−記録層のＡcry. ＞０ ……（４） 前回の結晶質部分に対して十分なエネルギーを供給でき
ないため、前回の記録ピットとの重なり具合により新た
な記録ピットの形状に歪みが生じてジッター発生の原因
になる。
前回の非晶質部分と結晶質部分とでは、前回の結晶質部
分の方が潜熱（結晶→非晶質の転移に伴い吸収する熱
量）分だけ多くのエネルギーがオーバーライトに必要と
なるため、下記の（４）式のように、記録層における非
晶質部分の光吸収率が結晶質部分の光吸収率より大きい
と、 記録層のＡamo.−記録層のＡcry. ＞０ ……（４） 前回の結晶質部分に対して十分なエネルギーを供給でき
ないため、前回の記録ピットとの重なり具合により新た
な記録ピットの形状に歪みが生じてジッター発生の原因
になる。
【００２２】これに対して、本発明によれば、前記反射
層をＷまたはＭｏで構成することにより、下記の（５）
式のように、記録層における非晶質部分の光吸収率を結
晶質部分の光吸収率以下にできるとともに、 記録層のＡamo.−記録層のＡcry.≦０ ……（５） 下記の（６）のように、反射層における光吸収率差（Δ
ＡH ）を記録層における光吸収率差（ΔＡK ）より大き
くできることが判明した。
層をＷまたはＭｏで構成することにより、下記の（５）
式のように、記録層における非晶質部分の光吸収率を結
晶質部分の光吸収率以下にできるとともに、 記録層のＡamo.−記録層のＡcry.≦０ ……（５） 下記の（６）のように、反射層における光吸収率差（Δ
ＡH ）を記録層における光吸収率差（ΔＡK ）より大き
くできることが判明した。
【００２３】 ΔＡH ＞ΔＡK ……（６） なお、反射層における光吸収率差（ΔＡH ）を記録層に
おける光吸収率差（ΔＡK ）より大きくすることによ
り、光吸収の多くが反射層により行われるため、記録層
における光吸収率差を低下させても十分な再生信号を得
ることができる。
おける光吸収率差（ΔＡK ）より大きくすることによ
り、光吸収の多くが反射層により行われるため、記録層
における光吸収率差を低下させても十分な再生信号を得
ることができる。
【００２４】
【実施例】以下、本発明を実施例により詳細に説明す
る。以下の実施例では記録層として相変化型記録材料を
用いた場合について説明するが、本発明はこれに限定さ
れるものではない。 ＜実施例１＞次のような手順により、図１に示す層構造
の相変化型光ディスクを作製した。まず、中心穴を有
し、直径９０ｍｍ厚さが０．６ｍｍで、片面に１．６μ
ｍピッチのレーザ光案内溝が形成されたポリカーボネー
ト樹脂からなる円板状の基板１の溝面側に、ＺｎＳとＳ
ｉＯ2 の混合物（ＳｉＯ2 の存在比２０ｍｏｌ％）のタ
ーゲットからＲＦスパッタリング法により１３０ｎｍの
第一の保護層２を形成した。次に、この第一の保護層２
の上に、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ系合金からなる記録層３を１
０ｎｍ、第一の保護層２と同様の第二の保護層４を１０
ｎｍ、Ｗからなる反射層５を８０ｎｍを順次ＲＦスパッ
タリング法により形成し、その上にＵＶ硬化樹脂６をス
ピンコートにより積層した。
る。以下の実施例では記録層として相変化型記録材料を
用いた場合について説明するが、本発明はこれに限定さ
れるものではない。 ＜実施例１＞次のような手順により、図１に示す層構造
の相変化型光ディスクを作製した。まず、中心穴を有
し、直径９０ｍｍ厚さが０．６ｍｍで、片面に１．６μ
ｍピッチのレーザ光案内溝が形成されたポリカーボネー
ト樹脂からなる円板状の基板１の溝面側に、ＺｎＳとＳ
ｉＯ2 の混合物（ＳｉＯ2 の存在比２０ｍｏｌ％）のタ
ーゲットからＲＦスパッタリング法により１３０ｎｍの
第一の保護層２を形成した。次に、この第一の保護層２
の上に、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ系合金からなる記録層３を１
０ｎｍ、第一の保護層２と同様の第二の保護層４を１０
ｎｍ、Ｗからなる反射層５を８０ｎｍを順次ＲＦスパッ
タリング法により形成し、その上にＵＶ硬化樹脂６をス
ピンコートにより積層した。
【００２５】この構成の光ディスクについて多層膜の光
学計算を波長６８０ｎｍで行い、光ディスク全体として
の反射率差ΔＲ（＝Ｒcry.−Ｒamo.）、記録層における
光吸収率差ΔＡK （＝記録層のＡamo.−記録層の
Ａcry.）、および反射層における光吸収率差ΔＡH （＝
反射層のＡamo.−反射層のＡcry.）を算出した結果を表
１に示す。
学計算を波長６８０ｎｍで行い、光ディスク全体として
の反射率差ΔＲ（＝Ｒcry.−Ｒamo.）、記録層における
光吸収率差ΔＡK （＝記録層のＡamo.−記録層の
Ａcry.）、および反射層における光吸収率差ΔＡH （＝
反射層のＡamo.−反射層のＡcry.）を算出した結果を表
１に示す。
【００２６】また、このようにして得られた相変化型光
ディスクの各サンプルを駆動装置にかけて１８００ｒｐ
ｍで回転させ、波長が６８０ｎｍのレーザ光をピークパ
ワー１３ｍＷとバイアスパワー４ｍＷとの間で変調さ
せ、周波数最大値ｆmax ＝３．７９ＭＨｚ、最小値ｆ
min ＝１．０８ＭＨｚの信号を一回記録した後に同じ信
号をオーバーライトしてから再生し、その再生信号中の
ジッター量を測定した。その結果を表２に示す。 ＜実施例２＞実施例１と同じ基板１の溝面側に、ＺｎＳ
とＳｉＯ2 の混合物（ＳｉＯ2 の存在比２０ｍｏｌ％）
のターゲットからＲＦスパッタリング法により１３０ｎ
ｍの第一の保護層２を形成した。次に、この第一の保護
層２の上に、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ系合金からなる記録層３
を１４ｎｍ、第一の保護層２と同様の第二の保護層４を
１２ｎｍ、Ｍｏからなる反射層５を１５０ｎｍを順次Ｒ
Ｆスパッタリング法により形成し、その上にＵＶ硬化樹
脂６をスピンコートにより積層した。
ディスクの各サンプルを駆動装置にかけて１８００ｒｐ
ｍで回転させ、波長が６８０ｎｍのレーザ光をピークパ
ワー１３ｍＷとバイアスパワー４ｍＷとの間で変調さ
せ、周波数最大値ｆmax ＝３．７９ＭＨｚ、最小値ｆ
min ＝１．０８ＭＨｚの信号を一回記録した後に同じ信
号をオーバーライトしてから再生し、その再生信号中の
ジッター量を測定した。その結果を表２に示す。 ＜実施例２＞実施例１と同じ基板１の溝面側に、ＺｎＳ
とＳｉＯ2 の混合物（ＳｉＯ2 の存在比２０ｍｏｌ％）
のターゲットからＲＦスパッタリング法により１３０ｎ
ｍの第一の保護層２を形成した。次に、この第一の保護
層２の上に、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ系合金からなる記録層３
を１４ｎｍ、第一の保護層２と同様の第二の保護層４を
１２ｎｍ、Ｍｏからなる反射層５を１５０ｎｍを順次Ｒ
Ｆスパッタリング法により形成し、その上にＵＶ硬化樹
脂６をスピンコートにより積層した。
【００２７】この構成の光ディスクについて実施例１と
同様に多層膜の光学計算を波長６８０ｎｍで行い、前記
と同様に、光ディスク全体としての反射率差ΔＲ、記録
層における光吸収率差ΔＡK 、および反射層における光
吸収率差ΔＡH を算出した結果を表１に示す。また、こ
のようにして得られた相変化型光ディスクの各サンプル
を駆動装置にかけ、実施例１と同様にしてオーバーライ
トしてから再生し、その再生信号中のジッター量を測定
した。その結果を表２に示す。 ＜比較例１＞実施例１と同じ基板１の溝面側に、ＺｎＳ
とＳｉＯ2 の混合物（ＳｉＯ2 の存在比２０ｍｏｌ％）
のターゲットから、ＲＦスパッタリング法により１４０
ｎｍの第一の保護層２を形成した。次に、この第一の保
護層２の上に、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ系合金からなる記録層
３を２５ｎｍ、第一の保護層２と同様の第二の保護層４
を２０ｎｍ、Ａｌからなる反射層５を１５０ｎｍを順次
ＲＦスパッタリング法により形成し、その上にＵＶ硬化
樹脂６をスピンコートにより積層した。
同様に多層膜の光学計算を波長６８０ｎｍで行い、前記
と同様に、光ディスク全体としての反射率差ΔＲ、記録
層における光吸収率差ΔＡK 、および反射層における光
吸収率差ΔＡH を算出した結果を表１に示す。また、こ
のようにして得られた相変化型光ディスクの各サンプル
を駆動装置にかけ、実施例１と同様にしてオーバーライ
トしてから再生し、その再生信号中のジッター量を測定
した。その結果を表２に示す。 ＜比較例１＞実施例１と同じ基板１の溝面側に、ＺｎＳ
とＳｉＯ2 の混合物（ＳｉＯ2 の存在比２０ｍｏｌ％）
のターゲットから、ＲＦスパッタリング法により１４０
ｎｍの第一の保護層２を形成した。次に、この第一の保
護層２の上に、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ系合金からなる記録層
３を２５ｎｍ、第一の保護層２と同様の第二の保護層４
を２０ｎｍ、Ａｌからなる反射層５を１５０ｎｍを順次
ＲＦスパッタリング法により形成し、その上にＵＶ硬化
樹脂６をスピンコートにより積層した。
【００２８】この構成の光ディスクについて実施例１と
同様に多層膜の光学計算を波長６８０ｎｍで行い、前記
と同様に、光ディスク全体としての反射率差ΔＲ、記録
層における光吸収率差ΔＡK 、および反射層における光
吸収率差ΔＡH を算出した結果を表１に示す。また、こ
のようにして得られた相変化型光ディスクの各サンプル
を駆動装置にかけ、実施例１と同様にしてオーバーライ
トしてから再生し、その再生信号中のジッター量を測定
した。その結果を表２に示す。
同様に多層膜の光学計算を波長６８０ｎｍで行い、前記
と同様に、光ディスク全体としての反射率差ΔＲ、記録
層における光吸収率差ΔＡK 、および反射層における光
吸収率差ΔＡH を算出した結果を表１に示す。また、こ
のようにして得られた相変化型光ディスクの各サンプル
を駆動装置にかけ、実施例１と同様にしてオーバーライ
トしてから再生し、その再生信号中のジッター量を測定
した。その結果を表２に示す。
【００２９】
【表１】
【００３０】
【表２】
【００３１】実施例１および２については、反射層をＷ
またはＭｏで形成したため、表１から分かるように、Δ
ＡK ≦０およびΔＡH ＞ΔＡK となり、前述の（５）式
および（６）式が成立する。すなわち、記録層における
非晶質部分の光吸収率を結晶質部分の光吸収率以下にで
きるとともに、反射層における光吸収率差を記録層にお
ける光吸収率差より大きくできるため、表２から分かる
ように、比較例１と比べて再生信号に含まれるジッター
量が少なくなる。
またはＭｏで形成したため、表１から分かるように、Δ
ＡK ≦０およびΔＡH ＞ΔＡK となり、前述の（５）式
および（６）式が成立する。すなわち、記録層における
非晶質部分の光吸収率を結晶質部分の光吸収率以下にで
きるとともに、反射層における光吸収率差を記録層にお
ける光吸収率差より大きくできるため、表２から分かる
ように、比較例１と比べて再生信号に含まれるジッター
量が少なくなる。
【００３２】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明の光情
報記録媒体によれば、反射層をＷまたはＭｏで構成した
ことにより、単一ビームによりオーバーライトされた記
録ピットの再生信号に含まれるジッター量を少なくする
ことができる。
報記録媒体によれば、反射層をＷまたはＭｏで構成した
ことにより、単一ビームによりオーバーライトされた記
録ピットの再生信号に含まれるジッター量を少なくする
ことができる。
【図１】本発明の光情報記録媒体の一実施例が有する層
構造を示す断面図である。
構造を示す断面図である。
１ 基板 ３ 記録層 ５ 反射層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 森本 勲 静岡県富士市鮫島２番地の１ 旭化成工業 株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 透明な基板と、この基板の一方の面に形
成された光照射による発熱で情報が記録される記録層
と、この記録層の前記基板とは反対側の面に形成された
反射層とを少なくとも備えた光情報記録媒体において、 前記反射層をＷまたはＭｏで構成したことを特徴とする
光情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5285107A JPH07141699A (ja) | 1993-11-15 | 1993-11-15 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5285107A JPH07141699A (ja) | 1993-11-15 | 1993-11-15 | 光情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07141699A true JPH07141699A (ja) | 1995-06-02 |
Family
ID=17687214
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5285107A Withdrawn JPH07141699A (ja) | 1993-11-15 | 1993-11-15 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07141699A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6740382B2 (en) | 1997-09-09 | 2004-05-25 | Hitachi, Ltd. | Information recording medium |
-
1993
- 1993-11-15 JP JP5285107A patent/JPH07141699A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6740382B2 (en) | 1997-09-09 | 2004-05-25 | Hitachi, Ltd. | Information recording medium |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010130 |