JPH08321041A - 光情報記録方法及び光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録方法及び光情報記録媒体Info
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- JPH08321041A JPH08321041A JP7123437A JP12343795A JPH08321041A JP H08321041 A JPH08321041 A JP H08321041A JP 7123437 A JP7123437 A JP 7123437A JP 12343795 A JP12343795 A JP 12343795A JP H08321041 A JPH08321041 A JP H08321041A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 少なくとも基板及びＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅ及びＢ
ｉの四元素の特定組成を有する記録層からなる相変化型
光情報記録媒体に、記録マークの前端部と後端部の位置
に対応させて、符号化規則により記録情報から変換した
符号列を記録することを特徴とする光情報記録方法及び
その方法により得られた光情報記録媒体。 【効果】 本発明の方法によれば、従来の方法に比べ、
記録線密度を格段に向上でき、さらに単一ビームによる
オーバーライト特性として実用上十分なジッター特性を
示すピットエッジ記録が可能となり、ビットエラーレー
トが実用上問題がない程度に低くできる。
ｉの四元素の特定組成を有する記録層からなる相変化型
光情報記録媒体に、記録マークの前端部と後端部の位置
に対応させて、符号化規則により記録情報から変換した
符号列を記録することを特徴とする光情報記録方法及び
その方法により得られた光情報記録媒体。 【効果】 本発明の方法によれば、従来の方法に比べ、
記録線密度を格段に向上でき、さらに単一ビームによる
オーバーライト特性として実用上十分なジッター特性を
示すピットエッジ記録が可能となり、ビットエラーレー
トが実用上問題がない程度に低くできる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高密度記録を達成する
新規な光情報記録方法及びそれによって得られた光情報
記録媒体に関する。
新規な光情報記録方法及びそれによって得られた光情報
記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、膨大な情報量を記録・再生・消去
する手段として、光情報記録媒体の研究開発が盛んに行
われている。特に、結晶質と非晶質との二状態間で可逆
的に相変化する光学記録層を利用して情報の記録・消去
を行う、いわゆる相変化型光ディスクは、レーザー光の
パワーを変化させるだけで古い情報を消去しながら、同
時に新たな情報を記録する（以下、オーバーライト記録
と称する）ことができるという利点を有していることか
ら、有望視されている。
する手段として、光情報記録媒体の研究開発が盛んに行
われている。特に、結晶質と非晶質との二状態間で可逆
的に相変化する光学記録層を利用して情報の記録・消去
を行う、いわゆる相変化型光ディスクは、レーザー光の
パワーを変化させるだけで古い情報を消去しながら、同
時に新たな情報を記録する（以下、オーバーライト記録
と称する）ことができるという利点を有していることか
ら、有望視されている。
【０００３】例えば、相変化記録材料として、特開昭６
２−５３８８６号公報にＧｅ−Ｔｅ−Ｓｂ合金が、また
特開昭６１−２５８７８７号公報ではＧｅ−Ｔｅ−Ｓｂ
−Ｍ（Ｍは、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、
Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｌａ、Ｃ
ｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｆ、Ｔ
ａ、Ｗ、Ａｕ、Ｔｌ、Ｐｄ、Ｂｉから選ばれる金属）が
開示されている。
２−５３８８６号公報にＧｅ−Ｔｅ−Ｓｂ合金が、また
特開昭６１−２５８７８７号公報ではＧｅ−Ｔｅ−Ｓｂ
−Ｍ（Ｍは、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、
Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｌａ、Ｃ
ｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｆ、Ｔ
ａ、Ｗ、Ａｕ、Ｔｌ、Ｐｄ、Ｂｉから選ばれる金属）が
開示されている。
【０００４】一方、デジタル情報の記録方法としては、
符号化規則により記録情報から変換した符号列を、記録
マークの長さを一定とし該記録マークの中心に該符号列
の１を対応させて記録する方法（以下、ピットポジショ
ン記録方法と称する）と、記録マークの長さを可変と
し、該記録マークの前端部及び後端部の位置に該符号列
の１を対応させて記録する方法（以下、ピットエッジ記
録方法と称する）とが提案されている。一つの記録マー
クに対応させられる情報量がピットポジション記録方法
よりもピットエッジ記録方法の方が多いことから、原理
的に、情報の記録密度としてはピットポジション記録方
法よりもピットエッジ記録方法の方が高くなる。
符号化規則により記録情報から変換した符号列を、記録
マークの長さを一定とし該記録マークの中心に該符号列
の１を対応させて記録する方法（以下、ピットポジショ
ン記録方法と称する）と、記録マークの長さを可変と
し、該記録マークの前端部及び後端部の位置に該符号列
の１を対応させて記録する方法（以下、ピットエッジ記
録方法と称する）とが提案されている。一つの記録マー
クに対応させられる情報量がピットポジション記録方法
よりもピットエッジ記録方法の方が多いことから、原理
的に、情報の記録密度としてはピットポジション記録方
法よりもピットエッジ記録方法の方が高くなる。
【０００５】上記ピットエッジ記録方法が用いられてい
る光情報記録媒体としては、既に、コンパクトディスク
（以下、ＣＤと称す）と呼ばれる読み出し専用の媒体が
実用化されている。また、特開平４−２２６３９０号公
報にフタロシアニン色素を用いた追記型光記録媒体が開
示されている。
る光情報記録媒体としては、既に、コンパクトディスク
（以下、ＣＤと称す）と呼ばれる読み出し専用の媒体が
実用化されている。また、特開平４−２２６３９０号公
報にフタロシアニン色素を用いた追記型光記録媒体が開
示されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、相変化
型光ディスクについては、先行技術として、前記の特開
昭６２−５３８８６号公報及び、特開昭６１−２５８７
８７号公報の他に、特開平３−１０８８６号公報及び特
開平３−４２２７６号公報等が知られているが、これら
の公報の中には、ピットエッジ記録についての記載、示
唆は全くない。
型光ディスクについては、先行技術として、前記の特開
昭６２−５３８８６号公報及び、特開昭６１−２５８７
８７号公報の他に、特開平３−１０８８６号公報及び特
開平３−４２２７６号公報等が知られているが、これら
の公報の中には、ピットエッジ記録についての記載、示
唆は全くない。
【０００７】なお、特開平３−１０８８６号公報及び特
開平３−４２２７６号公報には、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｂｉ−Ｔ
ｅからなる記録膜の高速消去特性に関する技術開示があ
るものの、ピットエッジ記録についての言及は全くな
い。当時、該高速消去特性とピットエッジ記録媒体にお
けるオーバーライトジッタ特性とは相関が見られない
（第６回相変化記録研究会シンポジウム’９４、６４−
６９頁参照）、即ち、ディスクを高回転で回転させた時
に低回転時と同じ高消去率が得られる高速消去特性を有
する記録媒体であっても、ピットエッジ記録方法におけ
るオーバーライトジッタは増大してしまうので、このよ
うな材料を用いてピットエッジ記録方法を行うという考
えはなかったと考える。
開平３−４２２７６号公報には、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｂｉ−Ｔ
ｅからなる記録膜の高速消去特性に関する技術開示があ
るものの、ピットエッジ記録についての言及は全くな
い。当時、該高速消去特性とピットエッジ記録媒体にお
けるオーバーライトジッタ特性とは相関が見られない
（第６回相変化記録研究会シンポジウム’９４、６４−
６９頁参照）、即ち、ディスクを高回転で回転させた時
に低回転時と同じ高消去率が得られる高速消去特性を有
する記録媒体であっても、ピットエッジ記録方法におけ
るオーバーライトジッタは増大してしまうので、このよ
うな材料を用いてピットエッジ記録方法を行うという考
えはなかったと考える。
【０００８】このようなことから、従来、実用に供しう
るピットエッジ記録可能な相変化型光ディスクについて
は知見がなかった。従って、当業界において、相変化型
光ディスクを用いたピットエッジ記録について有効な技
術が切望されていた。
るピットエッジ記録可能な相変化型光ディスクについて
は知見がなかった。従って、当業界において、相変化型
光ディスクを用いたピットエッジ記録について有効な技
術が切望されていた。
【０００９】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは、
ピットエッジ記録媒体に関して鋭意研究を重ねた結果、
意外なことに、記録層材料として特定の組成のＧｅ−Ｔ
ｅ−Ｓｂ−Ｂｉを用いることにより、予想外にオーバー
ライトジッタが低減できることを見いだし本発明を完成
するに至った。
ピットエッジ記録媒体に関して鋭意研究を重ねた結果、
意外なことに、記録層材料として特定の組成のＧｅ−Ｔ
ｅ−Ｓｂ−Ｂｉを用いることにより、予想外にオーバー
ライトジッタが低減できることを見いだし本発明を完成
するに至った。
【００１０】即ち、本発明は、少なくとも基板及び記録
層からなり、該記録層が少なくともゲルマニウム（Ｇ
ｅ）、アンチモン（Ｓｂ）、テルル（Ｔｅ）及びビスマ
ス（Ｂｉ）の四元素から構成され、かつ前記四元素の組
成が下記一般式（１）で表される相変化型光情報記録媒
体に、記録マークの前端部と後端部の位置に対応させ
て、符号化規則により記録情報から変換した符号列を記
録することを特徴とする光情報記録方法を提供する。
層からなり、該記録層が少なくともゲルマニウム（Ｇ
ｅ）、アンチモン（Ｓｂ）、テルル（Ｔｅ）及びビスマ
ス（Ｂｉ）の四元素から構成され、かつ前記四元素の組
成が下記一般式（１）で表される相変化型光情報記録媒
体に、記録マークの前端部と後端部の位置に対応させ
て、符号化規則により記録情報から変換した符号列を記
録することを特徴とする光情報記録方法を提供する。
【００１１】 ［（Ｓｂ1-Z ＢｉZ ）X Ｔｅ1-X ］Y Ｇｅ1-Y ・・・・（１） ただし ０．１≦Ｘ≦０．６ ０．５≦Ｙ≦０．９ ０＜Ｚ≦０．５ ここでＸ、Ｙ、Ｚはそれぞれ原子数比を表す。
【００１２】また、本発明は、上記で特定された相変化
型光情報記録媒体に、記録マークの前端部と後端部の位
置に対応させて、符号化規則により記録情報から変換し
た符号列が記録されていることを特徴とする光情報記録
媒体を提供する。さらに、本発明によれば、上記の記録
情報がデジタル化した動画もしくは静止画を含む情報で
あることを特徴とする光情報記録媒体も提供する。
型光情報記録媒体に、記録マークの前端部と後端部の位
置に対応させて、符号化規則により記録情報から変換し
た符号列が記録されていることを特徴とする光情報記録
媒体を提供する。さらに、本発明によれば、上記の記録
情報がデジタル化した動画もしくは静止画を含む情報で
あることを特徴とする光情報記録媒体も提供する。
【００１３】本発明のピットエッジ記録に用いられる光
情報記録媒体の記録層は、少なくともＧｅ、Ｔｅ、Ｓ
ｂ、及びＢｉの四元素から構成され、かつ前記四元素の
組成関係が下記一般式（１）で表される。 ［（Ｓｂ1-Z ＢｉZ ）X Ｔｅ1-X ］Y Ｇｅ1-Y ・・・・（１） ここでＸ、Ｙ、Ｚはそれぞれ原子数比を表す。
情報記録媒体の記録層は、少なくともＧｅ、Ｔｅ、Ｓ
ｂ、及びＢｉの四元素から構成され、かつ前記四元素の
組成関係が下記一般式（１）で表される。 ［（Ｓｂ1-Z ＢｉZ ）X Ｔｅ1-X ］Y Ｇｅ1-Y ・・・・（１） ここでＸ、Ｙ、Ｚはそれぞれ原子数比を表す。
【００１４】上記（１）式の内、Ｘが０．１未満の場
合、光照射による光学特性変化が小さく十分な光学的な
コントラストがとれず従ってＣ／Ｎ比も低く、またＸが
０．６を越えると、ジッタ値が極端に大きくなり、元信
号に忠実な再生信号が得られなくなる。従ってＸの範囲
としては０．１以上０．６以下が好ましい。さらに好ま
しくは０．３５以上０．５以下とすることにより、優れ
た繰り返し耐久性を付与することができる。
合、光照射による光学特性変化が小さく十分な光学的な
コントラストがとれず従ってＣ／Ｎ比も低く、またＸが
０．６を越えると、ジッタ値が極端に大きくなり、元信
号に忠実な再生信号が得られなくなる。従ってＸの範囲
としては０．１以上０．６以下が好ましい。さらに好ま
しくは０．３５以上０．５以下とすることにより、優れ
た繰り返し耐久性を付与することができる。
【００１５】一方上記（１）式の内、Ｙが０．５未満の
場合、記録する為に高いレーザーパワーが必要となり、
実用的な半導体レーザーを用いた記録が困難になる。ま
たＹが０．９を越えると低パワーの光照射によっても、
光学特性の変化が生じてしまい、再生光によるデータ安
定性、また高温環境下でのデータ安定性が低下する。従
ってＹの範囲としては、０．５以上０．９以下が好まし
く、さらに好ましくは０．５以上０．８以下である。
場合、記録する為に高いレーザーパワーが必要となり、
実用的な半導体レーザーを用いた記録が困難になる。ま
たＹが０．９を越えると低パワーの光照射によっても、
光学特性の変化が生じてしまい、再生光によるデータ安
定性、また高温環境下でのデータ安定性が低下する。従
ってＹの範囲としては、０．５以上０．９以下が好まし
く、さらに好ましくは０．５以上０．８以下である。
【００１６】また上記（１）式の内、Ｚが０．５を越え
ると記録パワーと消去パワーとの差が小さくなり、オー
バーライト記録における記録パワーあるいは消去パワー
に対する許容範囲が狭くなるため、実質的なオーバーラ
イト記録が困難になる。従って、Ｚの範囲としては、
０．５以下が好ましい。さらにＸとＺは、記録層の結晶
化に対して相反する効果が有る。従って、Ｘが０．３５
以下の場合は、Ｚを０．１以下とすることで前記記録及
び消去のパワーの許容範囲が広くなることから好まし
く、またＸが０．３５より大きい場合は、Ｚを０．１よ
り大きく０．５以下とすることで該パワーの許容範囲が
広くなることから好ましい。
ると記録パワーと消去パワーとの差が小さくなり、オー
バーライト記録における記録パワーあるいは消去パワー
に対する許容範囲が狭くなるため、実質的なオーバーラ
イト記録が困難になる。従って、Ｚの範囲としては、
０．５以下が好ましい。さらにＸとＺは、記録層の結晶
化に対して相反する効果が有る。従って、Ｘが０．３５
以下の場合は、Ｚを０．１以下とすることで前記記録及
び消去のパワーの許容範囲が広くなることから好まし
く、またＸが０．３５より大きい場合は、Ｚを０．１よ
り大きく０．５以下とすることで該パワーの許容範囲が
広くなることから好ましい。
【００１７】記録層の作製方法としては、蒸着法やスパ
ッタ法やイオンプレーティング法を用いる事が可能であ
るが、組成を制御しやすいことからスパッタ法を用いる
ことが好ましい。また、この際、種々の成分のターゲッ
トを用いた共スパッタ法により記録層を作製することも
可能である。本発明における光情報記録媒体は、記録
層、誘電体、反射層を透明基板上に順次形成することが
でき、好ましくは記録層と基板との間に誘電体が形成さ
れた４層構造とすることができる。
ッタ法やイオンプレーティング法を用いる事が可能であ
るが、組成を制御しやすいことからスパッタ法を用いる
ことが好ましい。また、この際、種々の成分のターゲッ
トを用いた共スパッタ法により記録層を作製することも
可能である。本発明における光情報記録媒体は、記録
層、誘電体、反射層を透明基板上に順次形成することが
でき、好ましくは記録層と基板との間に誘電体が形成さ
れた４層構造とすることができる。
【００１８】さらに詳しく述べると、透明基板上に、前
述の蒸着法やスパッタ法やイオンプレーティング法によ
って第一の保護層、光学的記録層、第二の保護層、反射
層を順次積層する。第一、二の誘電体層には耐熱性が高
く融点が１０００℃以上の材料、例えば、ZnS-SiO2混合
物、SiO2、Al2O3 、AlN 、Si3N4 等を用いることができ
る。反射層としては、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃ
ｒ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｓｉ、Ｇｅ等、またそ
れらからなる合金を用いることができる。
述の蒸着法やスパッタ法やイオンプレーティング法によ
って第一の保護層、光学的記録層、第二の保護層、反射
層を順次積層する。第一、二の誘電体層には耐熱性が高
く融点が１０００℃以上の材料、例えば、ZnS-SiO2混合
物、SiO2、Al2O3 、AlN 、Si3N4 等を用いることができ
る。反射層としては、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃ
ｒ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｓｉ、Ｇｅ等、またそ
れらからなる合金を用いることができる。
【００１９】記録層の膜厚としては、５ｎｍ以下では十
分な記録感度を得ることができず、１００ｎｍ以上は光
学的コントラストおよび分解能の点で問題が生じ好まし
くない。従って記録層の膜厚としては５ｎｍから１００
ｎｍが望ましい。第一の保護層の膜厚については特に規
定はないが、第二の保護層の膜厚については５ｎｍから
５０ｎｍが望ましい。第二の保護層の膜厚が、５ｎｍ以
下では記録感度が低下し、５０ｎｍ以上では繰り返し特
性が低下する。さらに反射層の膜厚については、３０ｎ
ｍ以上が好ましい。
分な記録感度を得ることができず、１００ｎｍ以上は光
学的コントラストおよび分解能の点で問題が生じ好まし
くない。従って記録層の膜厚としては５ｎｍから１００
ｎｍが望ましい。第一の保護層の膜厚については特に規
定はないが、第二の保護層の膜厚については５ｎｍから
５０ｎｍが望ましい。第二の保護層の膜厚が、５ｎｍ以
下では記録感度が低下し、５０ｎｍ以上では繰り返し特
性が低下する。さらに反射層の膜厚については、３０ｎ
ｍ以上が好ましい。
【００２０】また、上記第二の誘電体としては使用する
レーザーの波長に対して完全に透明である必要はなく、
複素屈折率ｎ’＝ｎ＋ｋｉ（ｎは屈折率、ｋは消衰係
数、ｉは虚数単位）で表されるｋが１以下の材料であれ
ば用いることが可能である。さらに、その様な層を記録
層と第二の誘電体層との間に挿入させた五層構造とする
ことも可能である。
レーザーの波長に対して完全に透明である必要はなく、
複素屈折率ｎ’＝ｎ＋ｋｉ（ｎは屈折率、ｋは消衰係
数、ｉは虚数単位）で表されるｋが１以下の材料であれ
ば用いることが可能である。さらに、その様な層を記録
層と第二の誘電体層との間に挿入させた五層構造とする
ことも可能である。
【００２１】また、前記四層構造における反射層の上部
に熱的な物性を調整するための第五の層を形成すること
も可能で、この場合、第五の層としてＡｕ、Ａｌまたは
それらを含む合金など高反射性の材料を用いることが好
ましい。本発明に用いる光情報記録媒体は、優れたピッ
トエッジ記録特性を示す。この媒体を用いた記録方法と
しては、符号化規則により記録情報を符号列に変換し、
該符号の１に対応して記録レーザーパワーをオンし、次
の符号１に対応してオフすることにより記録レーザーパ
ルスを作製し、そのパルスを媒体に照射し記録マークを
作製する。従って記録マークの前端部と後端部の位置に
情報が記録されることになる。さらにピットエッジ記録
によると、符号１と次の符号１との間にある符号０の個
数の違いにより記録マークの長さが異なることになる。
この際、長いマークを記録する場合、該マークの後方部
にいくに従って、前方部からの熱流入により温度上昇が
大きくなり、その結果、記録マークは所定の長さより長
くなりやすい。逆に短いマークを記録する場合は、予熱
不足により該記録マークは所定の長さより短くなりやす
い。従って、双方の記録マークの両端の相対位置が、記
録すべき位置から相対的にずれる場合が起こり得る。こ
のような場合には、前記にて作製したレーザーパルス
を、複数に分割しオンオフを繰り返して照射（以下マル
チパルスと記す）することにより、記録マークの大きさ
・形状をより正確に制御でき得ることから、この方式を
用いることが望ましい。
に熱的な物性を調整するための第五の層を形成すること
も可能で、この場合、第五の層としてＡｕ、Ａｌまたは
それらを含む合金など高反射性の材料を用いることが好
ましい。本発明に用いる光情報記録媒体は、優れたピッ
トエッジ記録特性を示す。この媒体を用いた記録方法と
しては、符号化規則により記録情報を符号列に変換し、
該符号の１に対応して記録レーザーパワーをオンし、次
の符号１に対応してオフすることにより記録レーザーパ
ルスを作製し、そのパルスを媒体に照射し記録マークを
作製する。従って記録マークの前端部と後端部の位置に
情報が記録されることになる。さらにピットエッジ記録
によると、符号１と次の符号１との間にある符号０の個
数の違いにより記録マークの長さが異なることになる。
この際、長いマークを記録する場合、該マークの後方部
にいくに従って、前方部からの熱流入により温度上昇が
大きくなり、その結果、記録マークは所定の長さより長
くなりやすい。逆に短いマークを記録する場合は、予熱
不足により該記録マークは所定の長さより短くなりやす
い。従って、双方の記録マークの両端の相対位置が、記
録すべき位置から相対的にずれる場合が起こり得る。こ
のような場合には、前記にて作製したレーザーパルス
を、複数に分割しオンオフを繰り返して照射（以下マル
チパルスと記す）することにより、記録マークの大きさ
・形状をより正確に制御でき得ることから、この方式を
用いることが望ましい。
【００２２】また該記録マークの長さは、用いる符号化
規則により異なるが、本発明はこれにより限定されるも
のではない。
規則により異なるが、本発明はこれにより限定されるも
のではない。
【００２３】
【実施例】以下本発明を実施例により具体的に説明する
が、本発明の実施の態様はこれにより限定されるもので
はない。 ［特性評価条件］ ピットエッジ記録条件 ディスク状の光情報記録媒体を３６００ｒｐｍで回転さ
せ半径３９ｍｍの位置において特性評価を行なった。光
学系としてはレーザー波長６８０ｎｍを用いた。符号化
規則については、１−７ＲＬＬ変調方式を用いた。記録
方法としては図２に示す様に、符号”１”でレーザーパ
ワーを１３ｍＷ（記録パワー）にし、次に符号が”１”
になった時、レーザーパワーを５ｍＷ（消去パワー）に
変化させ、これをオーバーライト記録時のレーザーパル
ス照射条件として用いた。初期特性評価としては、２Ｔ
ｗ信号（記録周波数：ｆ１（ＭＨｚ））を用いて記録を
行なった時のＣ／Ｎ値と、さらに７Ｔｗ信号（記録周波
数：ｆ２（ＭＨｚ））でオーバーライトした時の２Ｔｗ
信号のオーバーライト消去率（ΔＣ）、さらにこの時の
７Ｔｗ信号のオーバーライトジッタ値の測定を行なっ
た。この際のジッタ値の測定には、ジッタアナライザー
を用い、σ／Ｔｗ値（σ：標準偏差値、Ｔｗ：ウインド
ウ幅）により評価した。 ピットポジション記録条件 上記と同じ回転数、半径位置及び光学系を用い、符号
化規則としては２−７ＲＬＬ変調方式を用いた。記録方
法としては図３に示す様に、符号”１”でレーザーパワ
ーを１３ｍＷ（記録パワー）にし、符号”０”でレーザ
ーパワーを５ｍＷ（消去パワー）に変化させ、これをオ
ーバーライト記録時のレーザーパルス照射条件として用
いた。初期特性評価としては、３Ｔｗ信号（記録周波
数：ｆ１（ＭＨｚ））を用い記録を行なった時のＣ／Ｎ
値と、さらに８Ｔｗ信号（記録周波数：ｆ２（ＭＨ
ｚ））でオーバーライトした時の３Ｔｗ信号のオーバー
ライト消去率（ΔＣ）、さらにこの時の８Ｔｗ信号のオ
ーバーライトジッタ値の測定を行なった。なお、この際
のジッタ値の測定は、前記の場合と同じである。 安定性評価方法 前記の条件により一回オーバーライト記録を行なっ
た後、特性評価を行ない、さらに該光情報記録媒体につ
いて、９０℃、相対湿度８０％の条件で３００時間の環
境試験を行なった。その後、ピットエッジ記録媒体の場
合は７Ｔｗ信号のジッタ値を、ピットポジション記録媒
体の場合は８Ｔｗ信号のジッタ値を測定し、安定性評価
とした。 繰り返し耐久性の評価方法 前記の記録条件で一万回繰り返しオーバーライト記
録を行い、その後ピットエッジ記録媒体の場合は７Ｔｗ
信号のジッタ値を、ピットポジション記録媒体の場合は
８Ｔｗ信号のジッタ値を測定し、繰り返し耐久性の評価
を行なった。 オーバーライトジッタ値（σ／Ｔｗ）とビットエラー
レート（ＢＥＲ）の関係について。
が、本発明の実施の態様はこれにより限定されるもので
はない。 ［特性評価条件］ ピットエッジ記録条件 ディスク状の光情報記録媒体を３６００ｒｐｍで回転さ
せ半径３９ｍｍの位置において特性評価を行なった。光
学系としてはレーザー波長６８０ｎｍを用いた。符号化
規則については、１−７ＲＬＬ変調方式を用いた。記録
方法としては図２に示す様に、符号”１”でレーザーパ
ワーを１３ｍＷ（記録パワー）にし、次に符号が”１”
になった時、レーザーパワーを５ｍＷ（消去パワー）に
変化させ、これをオーバーライト記録時のレーザーパル
ス照射条件として用いた。初期特性評価としては、２Ｔ
ｗ信号（記録周波数：ｆ１（ＭＨｚ））を用いて記録を
行なった時のＣ／Ｎ値と、さらに７Ｔｗ信号（記録周波
数：ｆ２（ＭＨｚ））でオーバーライトした時の２Ｔｗ
信号のオーバーライト消去率（ΔＣ）、さらにこの時の
７Ｔｗ信号のオーバーライトジッタ値の測定を行なっ
た。この際のジッタ値の測定には、ジッタアナライザー
を用い、σ／Ｔｗ値（σ：標準偏差値、Ｔｗ：ウインド
ウ幅）により評価した。 ピットポジション記録条件 上記と同じ回転数、半径位置及び光学系を用い、符号
化規則としては２−７ＲＬＬ変調方式を用いた。記録方
法としては図３に示す様に、符号”１”でレーザーパワ
ーを１３ｍＷ（記録パワー）にし、符号”０”でレーザ
ーパワーを５ｍＷ（消去パワー）に変化させ、これをオ
ーバーライト記録時のレーザーパルス照射条件として用
いた。初期特性評価としては、３Ｔｗ信号（記録周波
数：ｆ１（ＭＨｚ））を用い記録を行なった時のＣ／Ｎ
値と、さらに８Ｔｗ信号（記録周波数：ｆ２（ＭＨ
ｚ））でオーバーライトした時の３Ｔｗ信号のオーバー
ライト消去率（ΔＣ）、さらにこの時の８Ｔｗ信号のオ
ーバーライトジッタ値の測定を行なった。なお、この際
のジッタ値の測定は、前記の場合と同じである。 安定性評価方法 前記の条件により一回オーバーライト記録を行なっ
た後、特性評価を行ない、さらに該光情報記録媒体につ
いて、９０℃、相対湿度８０％の条件で３００時間の環
境試験を行なった。その後、ピットエッジ記録媒体の場
合は７Ｔｗ信号のジッタ値を、ピットポジション記録媒
体の場合は８Ｔｗ信号のジッタ値を測定し、安定性評価
とした。 繰り返し耐久性の評価方法 前記の記録条件で一万回繰り返しオーバーライト記
録を行い、その後ピットエッジ記録媒体の場合は７Ｔｗ
信号のジッタ値を、ピットポジション記録媒体の場合は
８Ｔｗ信号のジッタ値を測定し、繰り返し耐久性の評価
を行なった。 オーバーライトジッタ値（σ／Ｔｗ）とビットエラー
レート（ＢＥＲ）の関係について。
【００２４】再生信号におけるジッタ値の分布を正規分
布であると仮定して計算した、ビットエラーレートとオ
ーバーライトジッタ値との関係を図１に示す。このビッ
トエラーレートが５×１０-4を越えるとエラー訂正が不
可能になり、データの正しい再生ができなくなる。従っ
て実用的にデータを正確に再生する為には、オーバーラ
イトジッタ値として１４．３％以下が必要となることが
わかる。
布であると仮定して計算した、ビットエラーレートとオ
ーバーライトジッタ値との関係を図１に示す。このビッ
トエラーレートが５×１０-4を越えるとエラー訂正が不
可能になり、データの正しい再生ができなくなる。従っ
て実用的にデータを正確に再生する為には、オーバーラ
イトジッタ値として１４．３％以下が必要となることが
わかる。
【００２５】
【実施例１】レーザー光案内溝を設けた直径３．５イン
チ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板上に、Ｚｎ
Ｓ−ＳｉＯ2 （ＳｉＯ2 ：２０ｍｏｌ％）からなるター
ゲットからＲＦスパッタ法により膜厚７０ｎｍの第一の
保護層を形成した。次にＧｅＴｅＳｂＢｉ合金からなる
ターゲットからＤＣスパッタ法により膜厚２０ｎｍの記
録層を形成した。この際の記録層組成は、下記（１）に
おいて、Ｘ＝０．３５９、Ｙ＝０．７８、Ｚ＝０．２で
あった。
チ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板上に、Ｚｎ
Ｓ−ＳｉＯ2 （ＳｉＯ2 ：２０ｍｏｌ％）からなるター
ゲットからＲＦスパッタ法により膜厚７０ｎｍの第一の
保護層を形成した。次にＧｅＴｅＳｂＢｉ合金からなる
ターゲットからＤＣスパッタ法により膜厚２０ｎｍの記
録層を形成した。この際の記録層組成は、下記（１）に
おいて、Ｘ＝０．３５９、Ｙ＝０．７８、Ｚ＝０．２で
あった。
【００２６】 ［（Ｓｂ1-ZＢｉZ）XＴｅ1-X］YＧｅ1-Y ・・・・（１） さらにＺｎＳ−ＳｉＯ2 （ＳｉＯ2 ：２０ｍｏｌ％）か
らなる膜厚１５ｎｍの第二の保護層を、さらにＡｌＣｒ
からなる反射層を１５０ｎｍ順次スパッタ法により形成
した。その後反射層の上にＵＶ硬化樹脂層をスピンコー
ト法により形成し光情報記録媒体（表１においてサンプ
ルＡと記す）を作製した。
らなる膜厚１５ｎｍの第二の保護層を、さらにＡｌＣｒ
からなる反射層を１５０ｎｍ順次スパッタ法により形成
した。その後反射層の上にＵＶ硬化樹脂層をスピンコー
ト法により形成し光情報記録媒体（表１においてサンプ
ルＡと記す）を作製した。
【００２７】また記録層にそれぞれ表１記載の組成を用
いた以外はサンプルＡと同じ方法で、かつ同じ膜厚構造
で光情報記録媒体（サンプルＢ〜Ｈ）を作製した。本記
録媒体に前記ピットエッジ記録条件に記載の方法を用
い、２Ｔｗ信号としてｆ１＝１３．８ＭＨｚ、７Ｔｗ信
号としてｆ２＝３．９５ＭＨｚを用いたオーバーライト
記録を行なった。なお、ウインドウ幅Ｔｗは１８．１ｎ
ｓであり、この最大記録周波数における記録密度は０．
４μｍ／ｂｉｔである。表１に、２Ｔｗ信号のＣ／Ｎ
値、２Ｔｗ信号のオーバーライト消去率ΔＣ、７Ｔｗ信
号のオーバーライトジッタ値、安定性試験後のジッタ
値、さらに１万回繰り返し後の７Ｔｗ信号のオーバーラ
イトジッタ値を示す。
いた以外はサンプルＡと同じ方法で、かつ同じ膜厚構造
で光情報記録媒体（サンプルＢ〜Ｈ）を作製した。本記
録媒体に前記ピットエッジ記録条件に記載の方法を用
い、２Ｔｗ信号としてｆ１＝１３．８ＭＨｚ、７Ｔｗ信
号としてｆ２＝３．９５ＭＨｚを用いたオーバーライト
記録を行なった。なお、ウインドウ幅Ｔｗは１８．１ｎ
ｓであり、この最大記録周波数における記録密度は０．
４μｍ／ｂｉｔである。表１に、２Ｔｗ信号のＣ／Ｎ
値、２Ｔｗ信号のオーバーライト消去率ΔＣ、７Ｔｗ信
号のオーバーライトジッタ値、安定性試験後のジッタ
値、さらに１万回繰り返し後の７Ｔｗ信号のオーバーラ
イトジッタ値を示す。
【００２８】表１からわかるように、サンプルＡ〜Ｈ
は、ピットエッジ記録を行なった際、オーバーライトジ
ッタ値に関して良好な初期特性、安定性ならびに繰り返
し耐久性を有することがわかる。例えば、サンプルＡに
ついては、安定性試験後のジッタ値が１２．０と初期特
性から若干増加しているが、図１からビットエラーレー
トとしては３×１０-5と計算され、実用上問題の無いレ
ベルである。さらに他のサンプル（Ｂ〜Ｈ））について
もビットエラーレートとしては、１０-4未満と計算さ
れ、実用上問題のない範囲であることがわかる。
は、ピットエッジ記録を行なった際、オーバーライトジ
ッタ値に関して良好な初期特性、安定性ならびに繰り返
し耐久性を有することがわかる。例えば、サンプルＡに
ついては、安定性試験後のジッタ値が１２．０と初期特
性から若干増加しているが、図１からビットエラーレー
トとしては３×１０-5と計算され、実用上問題の無いレ
ベルである。さらに他のサンプル（Ｂ〜Ｈ））について
もビットエラーレートとしては、１０-4未満と計算さ
れ、実用上問題のない範囲であることがわかる。
【００２９】
【比較例１】記録層にそれぞれ表２記載の組成を用いた
以外は、実施例１と同じ方法でかつ同じ膜厚構造で光情
報記録媒体（サンプルａ〜ｈ）を作製した。その特性評
価結果を表２に示す。表２からわかるように、サンプル
ａ〜ｈは、ピットエッジ記録を行なった際、オーバーラ
イトジッタ値に関して初期特性、安定性ならびに繰り返
し耐久性のすべてを満足する特性を得られないことがわ
かる。例えば、サンプルａについては、繰り返し耐久性
試験後のジッタは１４．６％に増加し、図１から計算さ
れるビットエラーレートとしては５×１０-4を越えるこ
とになり、データを正しく再生することが困難である。
さらに、他のサンプル（ｂ〜ｈ）についても、安定性試
験後もしくは繰り返し耐久性試験後のビットエラーレー
トが５×１０-4を越え、データの正確な再生ができなく
なる。
以外は、実施例１と同じ方法でかつ同じ膜厚構造で光情
報記録媒体（サンプルａ〜ｈ）を作製した。その特性評
価結果を表２に示す。表２からわかるように、サンプル
ａ〜ｈは、ピットエッジ記録を行なった際、オーバーラ
イトジッタ値に関して初期特性、安定性ならびに繰り返
し耐久性のすべてを満足する特性を得られないことがわ
かる。例えば、サンプルａについては、繰り返し耐久性
試験後のジッタは１４．６％に増加し、図１から計算さ
れるビットエラーレートとしては５×１０-4を越えるこ
とになり、データを正しく再生することが困難である。
さらに、他のサンプル（ｂ〜ｈ）についても、安定性試
験後もしくは繰り返し耐久性試験後のビットエラーレー
トが５×１０-4を越え、データの正確な再生ができなく
なる。
【００３０】
【比較例２】実施例１記載のサンプルＡ及び比較例１記
載のサンプルａを用いて、前記ピットポジション記録
条件に記載の方法を用い、３Ｔｗ信号としてｆ１＝２
４．５ＭＨｚ、８Ｔｗ信号としてｆ２＝９．１９ＭＨｚ
を用いたオーバーライト記録を行なった。尚ウインドウ
幅Ｔｗ＝１３．６ｎｓであり、この最大記録周波数にお
ける記録密度は実施例１と同じ０．４μｍ／ｂｉｔであ
る。表３に、３Ｔｗ信号のＣ／Ｎ値、３Ｔｗ信号のオー
バーライト消去率ΔＣ、８Ｔｗ信号のオーバーライトジ
ッタ値を示す。
載のサンプルａを用いて、前記ピットポジション記録
条件に記載の方法を用い、３Ｔｗ信号としてｆ１＝２
４．５ＭＨｚ、８Ｔｗ信号としてｆ２＝９．１９ＭＨｚ
を用いたオーバーライト記録を行なった。尚ウインドウ
幅Ｔｗ＝１３．６ｎｓであり、この最大記録周波数にお
ける記録密度は実施例１と同じ０．４μｍ／ｂｉｔであ
る。表３に、３Ｔｗ信号のＣ／Ｎ値、３Ｔｗ信号のオー
バーライト消去率ΔＣ、８Ｔｗ信号のオーバーライトジ
ッタ値を示す。
【００３１】表３から、０．４μｍ／ｂｉｔの高密度記
録を行った場合、ピットポジション記録方法を用いた従
来技術ではオーバーライト記録後のデータ再生ができな
くなる。従って、表１、２の結果と合わせると、本発明
における記録層を用いることにより、優れたピットエッ
ジ記録特性が得られ、０．４μｍ／ｂｉｔの高密度記録
が実施できた。
録を行った場合、ピットポジション記録方法を用いた従
来技術ではオーバーライト記録後のデータ再生ができな
くなる。従って、表１、２の結果と合わせると、本発明
における記録層を用いることにより、優れたピットエッ
ジ記録特性が得られ、０．４μｍ／ｂｉｔの高密度記録
が実施できた。
【００３２】
【実施例２】実施例１記載のサンプルＡを用い、以下に
示す方法により動画像のピットエッジ記録を行なった。
まず動画像情報をデジタル化し、ＭＰＥＧ２規格による
ビットレート圧縮を行なった。その後、誤り訂正符号を
付加し、１−７ＲＬＬ変調方式により変換した符号列
を、ピットエッジ記録方法で記録を行なった。その再生
信号を復号化し誤り訂正を行い、さらにビットレート伸
長を行い、アナログ変換を行った。この様にして得られ
た画像は、非常に良好な画質であった。
示す方法により動画像のピットエッジ記録を行なった。
まず動画像情報をデジタル化し、ＭＰＥＧ２規格による
ビットレート圧縮を行なった。その後、誤り訂正符号を
付加し、１−７ＲＬＬ変調方式により変換した符号列
を、ピットエッジ記録方法で記録を行なった。その再生
信号を復号化し誤り訂正を行い、さらにビットレート伸
長を行い、アナログ変換を行った。この様にして得られ
た画像は、非常に良好な画質であった。
【００３３】
【表１】
【００３４】
【表２】
【００３５】
【表３】
【００３６】
【発明の効果】以上のように、本発明の方法によれば、
従来の記録方法に比べ、記録線密度を格段に向上でき、
さらに単一ビームによるオーバーライト特性として実用
上十分なジッタ特性を示すピットエッジ記録が可能とな
り、また、本発明の方法によって得られた光情報記録媒
体を再生すると、ビットエラーレートが実用上問題がな
い程度に低く、特に、画像情報の場合は非常に良好な画
質が得られる。
従来の記録方法に比べ、記録線密度を格段に向上でき、
さらに単一ビームによるオーバーライト特性として実用
上十分なジッタ特性を示すピットエッジ記録が可能とな
り、また、本発明の方法によって得られた光情報記録媒
体を再生すると、ビットエラーレートが実用上問題がな
い程度に低く、特に、画像情報の場合は非常に良好な画
質が得られる。
【図１】本発明におけるオーバーライトジッタ値（σ／
Ｔｗ）とビットエラーレート（ＢＥＲ）の関係を示す図
である。
Ｔｗ）とビットエラーレート（ＢＥＲ）の関係を示す図
である。
【図２】ピットエッジ記録条件における符号列とパルス
条件と記録マークの関係を示す図である。
条件と記録マークの関係を示す図である。
【図３】ピットポジション記録条件における符号列とパ
ルス条件と記録マークの関係を示す図である。
ルス条件と記録マークの関係を示す図である。
Claims (2)
- 【請求項１】 少なくとも基板及び記録層からなり、該
記録層が少なくともＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅ及びＢｉの四元素
から構成され、かつ前記四元素の組成が下記一般式
（１）で表される相変化型光情報記録媒体に、記録マー
クの前端部と後端部の位置に対応させて、符号化規則に
より記録情報から変換した符号列を記録することを特徴
とする光情報記録方法。 ［（Ｓｂ1-ZＢｉZ）XＴｅ1-X］YＧｅ1-Y ・・・・（１） ただし ０．１≦Ｘ≦０．６ ０．５≦Ｙ≦０．９ ０＜Ｚ≦０．５ ここでＸ、Ｙ、Ｚはそれぞれ原子数比を表す。 - 【請求項２】 請求項１記載の相変化型光情報記録媒体
に、記録マークの前端部と後端部の位置に対応させて、
符号化規則により記録情報から変換した符号列が記録さ
れていることを特徴とする光情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7123437A JPH08321041A (ja) | 1995-05-23 | 1995-05-23 | 光情報記録方法及び光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7123437A JPH08321041A (ja) | 1995-05-23 | 1995-05-23 | 光情報記録方法及び光情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08321041A true JPH08321041A (ja) | 1996-12-03 |
Family
ID=14860568
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7123437A Withdrawn JPH08321041A (ja) | 1995-05-23 | 1995-05-23 | 光情報記録方法及び光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08321041A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6410117B1 (en) | 2000-08-10 | 2002-06-25 | National Science Council | Rewritable phase-change optical recording composition and rewritable phase-change optical disk |
| EP1220214A1 (en) * | 2000-12-19 | 2002-07-03 | National Science Council | Rewritable phase-change optical recording composition and rewritable phase-change optical disc |
| EP1463043A1 (en) * | 2003-03-25 | 2004-09-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information recording medium and method for manufacturing the same |
-
1995
- 1995-05-23 JP JP7123437A patent/JPH08321041A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6410117B1 (en) | 2000-08-10 | 2002-06-25 | National Science Council | Rewritable phase-change optical recording composition and rewritable phase-change optical disk |
| EP1220214A1 (en) * | 2000-12-19 | 2002-07-03 | National Science Council | Rewritable phase-change optical recording composition and rewritable phase-change optical disc |
| EP1463043A1 (en) * | 2003-03-25 | 2004-09-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information recording medium and method for manufacturing the same |
| US7063876B2 (en) | 2003-03-25 | 2006-06-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information recording medium and method for manufacturing the same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020806 |