JP2008218693A - エッチングレートの高いW−Ti拡散防止膜およびそのW−Ti拡散防止膜を形成するためのスパッタリング用W−Tiターゲット - Google Patents
エッチングレートの高いW−Ti拡散防止膜およびそのW−Ti拡散防止膜を形成するためのスパッタリング用W−Tiターゲット Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008218693A JP2008218693A JP2007053862A JP2007053862A JP2008218693A JP 2008218693 A JP2008218693 A JP 2008218693A JP 2007053862 A JP2007053862 A JP 2007053862A JP 2007053862 A JP2007053862 A JP 2007053862A JP 2008218693 A JP2008218693 A JP 2008218693A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diffusion
- etching rate
- target
- film
- sputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/11—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
- H01L2224/1147—Manufacturing methods using a lift-off mask
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01012—Magnesium [Mg]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01022—Titanium [Ti]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01074—Tungsten [W]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01327—Intermediate phases, i.e. intermetallics compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】Ti:5〜20質量%、Fe:25〜100ppmを含有し、残部がWおよび不可避不純物からなる組成を有するエッチングレートの高いW−Ti拡散防止膜、並びに同じ成分組成を有するスパッタリング用Ti−Wターゲット。
【選択図】なし
Description
ここで、この従来のW−Ti拡散防止膜を形成してAuバンプを作製する方法を図面に基づいて一層具体的に説明する。まず、図1に示されるように、シリコン基板1の上のAl電極2の上面のみが露出するようにパッシベーション膜(絶縁膜)3が形成されている半導体装置を用意し、この半導体装置のAl電極2およびパッシベーション3の上に、図2に示されるように、全面にわたってW−Ti拡散防止膜4を形成する。このW−Ti拡散防止膜4の上に図3に示されるようにフォトレジスト膜5を形成し、次いで図4に示されるようにこのフォトレジスト膜5を露光して選択的に除去して窓6を形成する。この窓6にAuメッキを行って図5に示されるように窓6をAuメッキ層で充填したのち、図6に示されるようにフォトレジスト膜を除去し、さらにW−Ti拡散防止膜4をエッチングにより除去して図7に示されるようにAuバンプ7を形成する。
このW−Ti拡散防止膜4は一般にW−Tiターゲットを用いてスパッタリングすることにより形成され、このW−Tiターゲットは熱間静水圧プレス(HIP)または真空ホットプレスなどの方法により製造されることが知られている。そして、前記W−Tiターゲットには不可避不純物としてNa,K,Mg,Al,Fe,Ni,Cu、Oなどが含まれていることが知られており、例えば、特許文献1にはNa:1ppm,K:1ppm,Mg:6ppm,Al:15ppm,Fe:20ppm,Ni:10ppm,Cu:1ppm、O:1000ppmが含まれているW−Ti膜を形成するためのW−Tiターゲットが例示されている。
(1)Ti:5〜20質量%、Fe:25〜100ppmを含有し、残部がWおよび不可避不純物からなる組成を有するエッチングレートの高いW−Ti拡散防止膜、
(2)Ti:5〜20質量%、Fe:25〜100ppmを含有し、残部がWおよび不可避不純物からなる組成を有するエッチングレートの高いW−Ti拡散防止膜を形成するためのスパッタリング用ターゲット、に特徴を有するものである。
基板:縦:18mm、横:18mmを有するガラス板、
基板とターゲットとの距離:60mm、
電力:直流400W、
雰囲気:Ar雰囲気(0.64Pa)、
基板温度:室温、
にてスパッタリングすることにより前記基板であるガラス板上に表2に示される厚さの本発明W−Ti薄膜1〜5、比較W−Ti薄膜1および従来W−Ti薄膜1を形成し、これらW−Ti薄膜を過酸化水素水に120秒浸漬したのち取り出してW−Ti薄膜の膜厚を測定し、得られた測定値からエッチングレートを計算して求め、その結果を表2に示した。
Claims (2)
- Ti:5〜20質量%、Fe:25〜100ppmを含有し、残部がWおよび不可避不純物からなる組成を有することを特徴とするエッチングレートの高いW−Ti拡散防止膜。
- Ti:5〜20質量%、Fe:25〜100ppmを含有し、残部がWおよび不可避不純物からなる組成を有することを特徴とするエッチングレートの高いW−Ti拡散防止膜を形成するためのスパッタリング用ターゲット。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007053862A JP4747368B2 (ja) | 2007-03-05 | 2007-03-05 | W−Ti拡散防止膜を形成するためのスパッタリング用W−Tiターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007053862A JP4747368B2 (ja) | 2007-03-05 | 2007-03-05 | W−Ti拡散防止膜を形成するためのスパッタリング用W−Tiターゲット |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008218693A true JP2008218693A (ja) | 2008-09-18 |
JP4747368B2 JP4747368B2 (ja) | 2011-08-17 |
Family
ID=39838385
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007053862A Active JP4747368B2 (ja) | 2007-03-05 | 2007-03-05 | W−Ti拡散防止膜を形成するためのスパッタリング用W−Tiターゲット |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4747368B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012087335A (ja) * | 2010-10-16 | 2012-05-10 | Mitsubishi Materials Corp | W−Ti系拡散防止膜およびW−Ti系拡散防止膜形成用スパッタリングターゲット |
WO2016056441A1 (ja) * | 2014-10-08 | 2016-04-14 | 三菱マテリアル株式会社 | W-Tiスパッタリングターゲット |
WO2020095595A1 (ja) * | 2018-11-06 | 2020-05-14 | 三菱マテリアル株式会社 | W-Tiスパッタリングターゲット |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111155061A (zh) * | 2018-11-07 | 2020-05-15 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | WTi合金靶材的制备方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0551732A (ja) * | 1991-03-19 | 1993-03-02 | Mitsubishi Materials Corp | スパツタリング用ターゲツト及びその製造方法 |
JPH05295531A (ja) * | 1992-04-21 | 1993-11-09 | Toshiba Corp | Ti−W系スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
JP2006294761A (ja) * | 2005-04-07 | 2006-10-26 | Sharp Corp | 半導体装置,電子機器および半導体装置の製造方法 |
-
2007
- 2007-03-05 JP JP2007053862A patent/JP4747368B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0551732A (ja) * | 1991-03-19 | 1993-03-02 | Mitsubishi Materials Corp | スパツタリング用ターゲツト及びその製造方法 |
JPH05295531A (ja) * | 1992-04-21 | 1993-11-09 | Toshiba Corp | Ti−W系スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
JP2006294761A (ja) * | 2005-04-07 | 2006-10-26 | Sharp Corp | 半導体装置,電子機器および半導体装置の製造方法 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012087335A (ja) * | 2010-10-16 | 2012-05-10 | Mitsubishi Materials Corp | W−Ti系拡散防止膜およびW−Ti系拡散防止膜形成用スパッタリングターゲット |
WO2016056441A1 (ja) * | 2014-10-08 | 2016-04-14 | 三菱マテリアル株式会社 | W-Tiスパッタリングターゲット |
JP2016074962A (ja) * | 2014-10-08 | 2016-05-12 | 三菱マテリアル株式会社 | W−Tiスパッタリングターゲット |
CN106460160A (zh) * | 2014-10-08 | 2017-02-22 | 三菱综合材料株式会社 | W‑Ti溅射靶 |
TWI572722B (zh) * | 2014-10-08 | 2017-03-01 | 三菱綜合材料股份有限公司 | W-Ti濺鍍靶 |
WO2020095595A1 (ja) * | 2018-11-06 | 2020-05-14 | 三菱マテリアル株式会社 | W-Tiスパッタリングターゲット |
KR20200119348A (ko) * | 2018-11-06 | 2020-10-19 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | W-Ti 스퍼터링 타깃 |
CN112055758A (zh) * | 2018-11-06 | 2020-12-08 | 三菱综合材料株式会社 | W-Ti溅射靶 |
KR102264644B1 (ko) | 2018-11-06 | 2021-06-11 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | W-Ti 스퍼터링 타깃 |
CN112055758B (zh) * | 2018-11-06 | 2022-03-01 | 三菱综合材料株式会社 | W-Ti溅射靶 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4747368B2 (ja) | 2011-08-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6129738B2 (ja) | セラミックス回路基板 | |
JP4747368B2 (ja) | W−Ti拡散防止膜を形成するためのスパッタリング用W−Tiターゲット | |
KR102661275B1 (ko) | 극박 구리박 및 캐리어 구비 극박 구리박, 그리고 프린트 배선판의 제조 방법 | |
JP6005842B2 (ja) | スパッタリング用シリサイドターゲット及びその製造方法 | |
JP2016157925A (ja) | 電子部品用積層配線膜および被覆層形成用スパッタリングターゲット材 | |
JP2013082998A (ja) | MoTiターゲット材およびその製造方法 | |
JPWO2013111689A1 (ja) | 高純度銅クロム合金スパッタリングターゲット | |
JP2008038249A (ja) | ニッケル合金スパッタリングターゲット | |
JP2017157599A (ja) | 半導体装置 | |
JP5988140B2 (ja) | MoTiターゲット材の製造方法およびMoTiターゲット材 | |
JP6565527B2 (ja) | Ag下地層付パワーモジュール用基板及びパワーモジュール | |
TWI572722B (zh) | W-Ti濺鍍靶 | |
JP2004193553A (ja) | 半導体装置配線シード層形成用銅合金スパッタリングターゲットおよびこのターゲットを用いて形成したシード層 | |
JP2004193552A (ja) | 半導体装置配線シード層形成用銅合金スパッタリングターゲット | |
JP5533544B2 (ja) | W−Ti系拡散防止膜およびW−Ti系拡散防止膜形成用スパッタリングターゲット | |
TWI665317B (zh) | Cu-Ga合金濺鍍靶及Cu-Ga合金濺鍍靶之製造方法 | |
US20120177945A1 (en) | Whisker-Free Coating Structure and Method for Fabricating the Same | |
TWI674325B (zh) | MoNb靶材 | |
JP2004193546A (ja) | 半導体装置配線シード層形成用銅合金スパッタリングターゲット | |
JP6743867B2 (ja) | W−Tiスパッタリングターゲット | |
JP2004331993A (ja) | 銅合金 | |
JP2011084754A (ja) | スパッタリングターゲットの製造方法 | |
TWI615482B (zh) | 鉑合金靶 | |
JPH11323464A (ja) | 耐打抜き金型摩耗性に優れた銅合金および銅合金薄板 | |
JP5731770B2 (ja) | スパッタリングターゲットの製造方法及びスパッタリングターゲット |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090331 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110203 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110207 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110329 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110415 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110428 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4747368 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140527 Year of fee payment: 3 |