CN112055758A - W-Ti溅射靶 - Google Patents

Abstract

本发明所涉及的W‑Ti溅射靶的特征在于，具有如下组成：含有5质量％以上且20质量％以下的范围内的Ti、25质量ppm以上且100质量ppm以下的范围内的Fe及5质量ppm以上且35质量ppm以下的范围内的Cr，并且其余部分由W及不可避免的杂质组成。

Description

W-Ti溅射靶

技术领域

本发明涉及一种用于形成W-Ti膜的W-Ti溅射靶。

本申请主张基于2018年11月6日于日本申请的专利申请2018-208952号的优先权，并将其内容援用于此。

背景技术

以往，在将半导体芯片安装到基板上时，例如在Al电极或Cu电极上形成Au凸点或焊锡凸点等。

例如，在使Al电极与Au凸点直接接触的情况下，Al和Au相互扩散而导致形成Al和Au的金属间化合物，有可能使电阻上升或者密合性下降。并且，例如在使Cu电极与焊锡凸点直接接触的情况下，Cu和焊锡中的Sn相互扩散而导致形成Cu和Sn的金属间化合物，有可能使电阻上升或者密合性下降。

因此，例如使用专利文献1、专利文献2中所公开的W-Ti溅射靶在接地电极与凸点之间形成W-Ti膜来作为防止元素相互扩散的防扩散层。

在专利文献1、专利文献2中所记载的W-Ti溅射靶分别通过粉末烧结法来制造。

在接地电极与凸点之间形成W-Ti膜来作为防扩散层时，在接地电极的整个面上形成W-Ti膜之后形成凸点，并且通过蚀刻去除没有形成凸点的区域的W-Ti膜。但是，该W-Ti膜的蚀刻速率非常慢，因此存在生产效率差的问题。

因此，在专利文献3中，公开有如下内容，即，通过使用添加了微量Fe的W-Ti溅射靶来使所形成的W-Ti膜中含有Fe，从而能够改善蚀刻速率。

并且，在专利文献4中，公开有如下内容，即，通过规定靶面内的Fe浓度的偏差，能够形成蚀刻速率均匀的W-Ti膜。

专利文献1：日本专利第2606946号公报

专利文献2：日本特开平05-295531号公报

专利文献3：日本专利第4747368号公报

专利文献4：日本专利第5999161号公报

如专利文献3、专利文献4所公开，通过使用添加了微量Fe的W-Ti溅射靶来使所形成的W-Ti膜的蚀刻速率得到改善。

但是，例如如专利文献2中所记载，若在W-Ti溅射靶中混入Fe等杂质，则在溅射成膜时容易发生异常放电，而有可能无法长时间稳定地进行溅射成膜。

发明内容

本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种如下W-Ti溅射靶，即，能够通过添加Fe来形成蚀刻速率高的W-Ti膜，并且能够充分地抑制溅射时的异常放电的发生。

本发明人等为了解决上述课题而进行深入研究的结果，发现若Fe粒子在W-Ti溅射靶中以氧化物的状态存在，则在溅射时容易发生异常放电。然后，获得了如下见解，即，若添加Fe并适量添加Cr，则在W-Ti溅射靶内同时存在Fe和Cr，在溅射时，能够抑制由Fe引起的异常放电的发生。

本发明是根据上述见解而完成的，本发明的一方式所涉及的W-Ti溅射靶的特征在于，具有如下组成：含有5质量％以上且20质量％以下的范围内的Ti、25质量ppm以上且100质量ppm以下的范围内的Fe及5质量ppm以上且35质量ppm以下的范围内的Cr，并且其余部分由W及不可避免的杂质组成。

在被设为这种结构的W-Ti溅射靶中，含有25质量ppm以上且100质量ppm以下的范围内的Fe，因此能够改善所形成的W-Ti膜的蚀刻速率。

然后，被设为这种结构的W-Ti溅射靶含有5质量ppm以上且35质量ppm以下的范围内的Cr，因此能够抑制由Fe引起的异常放电的发生，从而能够稳定地进行溅射成膜。

在本发明的另一方式所涉及的W-Ti溅射靶中，还可以含有1质量ppm以上且15质量ppm以下的范围内的Ni。

在该情况下，W-Ti溅射靶含有1质量ppm以上且15质量ppm以下的范围内的Ni，从而能够通过与Cr的协同效应来进一步抑制由Fe引起的异常放电的发生。

并且，在本发明的另一方式所涉及的W-Ti溅射靶中，在靶面内的多个部位测定Fe浓度及Cr浓度，并由以下的式(1)计算出的Fe浓度的偏差及Cr浓度的偏差分别可以为50％以下。

式(1)：(浓度的偏差)＝{(Cmax-Cmin)/Cave}×100

Cave：测定对象元素的多个点的平均浓度

Cmax：测定对象元素的多个点的最大浓度

Cmin：测定对象元素的多个点的最小浓度

在该情况下，靶面内的Fe浓度的偏差得到抑制，因此能够形成Fe浓度的偏差小且蚀刻速率均匀的W-Ti膜。

并且，靶面内的Cr浓度的偏差得到抑制，因此通过同时存在Fe和Cr，能够在整个靶面上抑制由Fe引起的异常放电的发生。

如上述，根据本发明，能够提供一种如下W-Ti溅射靶，即，能够通过添加Fe来形成蚀刻速率高的W-Ti膜，并且能够充分地抑制溅射时的异常放电的发生。

附图说明

图1是表示本发明的一实施方式所涉及的W-Ti溅射靶的制造方法的流程图。

图2是表示靶面呈圆形的W-Ti溅射靶的靶面上的Fe浓度的测定位置的说明图。

图3是表示靶面呈矩形的W-Ti溅射靶的靶面上的Fe浓度的测定位置的说明图。

图4是说明在实施例中测定了形成于Si基板上的W-Ti膜的蚀刻速率的部位的说明图。

具体实施方式

以下，参考附图对本发明的实施方式的W-Ti溅射靶进行说明。

本实施方式所涉及的W-Ti溅射靶例如在为了将液晶驱动IC接合到COF带而在形成于液晶驱动IC上的Au凸点与Al焊盘部(接地电极)之间，通过溅射形成W-Ti膜来作为防扩散层时使用。

本实施方式所涉及的W-Ti溅射靶具有如下组成：含有5质量％以上且20质量％以下的范围内的Ti、25质量ppm以上且100质量ppm以下的范围内的Fe及5质量ppm以上且35质量ppm以下的范围内的Cr，并且其余部分由W及不可避免的杂质组成。

在本实施方式所涉及的W-Ti溅射靶中，还可以含有1质量ppm以上且15质量ppm以下的范围内的Ni。

并且，在本实施方式所涉及的W-Ti溅射靶中，在靶面内的多个部位测定Fe浓度及Cr浓度，并由以下的式(1)计算出的Fe浓度的偏差及Cr浓度的偏差分别可以被设为50％以下。

式(1)：(浓度的偏差)＝{(Cmax-Cmin)/Cave}×100

Cave：测定对象元素的多个点的平均浓度

Cmax：测定对象元素的多个点的最大浓度

Cmin：测定对象元素的多个点的最小浓度

以下，对如上规定了成分组成的理由进行说明。

＜Ti：5质量％以上且20质量％以下＞

在W-Ti溅射靶中的Ti的含量小于5质量％的情况下，有可能使所形成的W-Ti膜与接地电极的密合性下降。

另一方面，在W-Ti溅射靶中的Ti的含量超过20质量％的情况下，有可能所形成的W-Ti膜的电阻上升，并且无法通过所形成的W-Ti膜来充分地防止构成凸点的元素(本实施方式中为Au)与构成接地电极的元素(本实施方式中为Al)的相互扩散。

因此，在本实施方式中，将W-Ti溅射靶中的Ti的含量规定在5质量％以上且20质量％以下的范围内。

Ti的含量的下限优选设为7质量％以上，进一步优选设为9质量％以上。Ti的含量的上限优选设为15质量％以下，进一步优选设为13质量％以下。

＜Fe：25质量ppm以上且100质量ppm以下＞

通过在W-Ti溅射靶中添加Fe，从而在所形成的W-Ti膜的晶界中存在Fe相。与W-Ti相相比，该Fe相的耐腐蚀性低且容易被蚀刻，因此通过在蚀刻时Fe相及晶界优先溶解来使W-Ti膜的蚀刻速率得到改善。在W-Ti溅射靶中的Fe的含量小于25质量ppm的情况下，有可能无法充分地改善所形成的W-Ti膜的蚀刻速率。

另一方面，在W-Ti溅射靶中的Fe的含量超过100质量ppm的情况下，有可能无法通过所形成的W-Ti膜来充分地防止构成凸点的元素(本实施方式中为Au)与构成接地电极的元素(本实施方式中为Al)的相互扩散。并且，W-Ti溅射靶中的Fe粒子以氧化物的方式存在，在溅射时，有可能容易发生异常放电。

因此，在本实施方式中，将W-Ti溅射靶中的Fe的含量规定在25质量ppm以上且100质量ppm以下的范围内。

Fe的含量的下限优选设为30质量ppm以上，进一步优选设为35质量ppm以上。并且，Fe的含量的上限优选设为75质量ppm以下，进一步优选设为50质量ppm以下。

＜Cr：5质量ppm以上且35质量ppm以下＞

通过在W-Ti溅射靶中添加Fe并添加Cr而同时存在Fe和Cr，从而以氧化物的状态存在的Fe粒子的数量减少。由此，能够抑制溅射时的异常放电的发生。若W-Ti溅射靶中的Cr的含量小于5质量ppm，则有可能无法充分地抑制溅射时的异常放电的发生。

另一方面，若W-Ti溅射靶中的Cr的含量超过35质量ppm，则所形成的W-Ti膜的耐腐蚀性提高，蚀刻速率有可能变低。

因此，在本实施方式中，将W-Ti溅射靶中的Cr的含量规定在5质量ppm以上且35质量ppm以下的范围内。

Cr的含量的下限优选设为8质量ppm以上，进一步优选设为12质量ppm以上。并且，Cr的含量的上限优选设为32质量ppm以下，进一步优选设为30质量ppm以下。

＜Ni：1质量ppm以上且15质量ppm以下＞

在W-Ti溅射靶中添加Cr并添加Ni，从而能够通过与Cr的协同效应来进一步抑制由Fe引起的异常放电的发生。因此，根据需要优选添加Ni。

通过将W-Ti溅射靶中的Ni的含量设为1质量ppm以上，能够进一步可靠地获得异常放电的抑制效果。

另一方面，通过将W-Ti溅射靶中的Ni的含量设为15质量ppm以下，能够使所形成的W-Ti膜的耐腐蚀性不会提高到所需以上而抑制蚀刻速率变低。

因此，在本实施方式中，在添加Ni的情况下，优选将W-Ti溅射靶中的Ni的含量设在1质量ppm以上且15质量ppm以下的范围内。

在W-Ti溅射靶中添加Ni的情况下，Ni的含量的下限优选设为3质量ppm以上，进一步优选设为5质量ppm以上。并且，在W-Ti溅射靶中添加Ni的情况下，Ni的含量的上限优选设为14质量ppm以下，进一步优选设为13质量ppm以下。

＜Fe浓度的偏差＞

在使用本实施方式中的W-Ti溅射靶来形成W-Ti膜的情况下，分别从W-Ti溅射靶的靶面整体飞溅出原子而成膜。

在靶面内的多个部位测定Fe浓度，且所测定的Fe浓度的偏差为50％以下的情况下，在靶面内的Fe浓度的偏差减小。因此，即使是在使用该W-Ti溅射靶而形成的W-Ti膜中，Fe浓度的偏差也减小，从而蚀刻速率变得均匀。

Fe浓度的偏差优选设为30％以下，进一步优选设为10％以下。

＜Cr浓度的偏差＞

通过在本实施方式中的W-Ti溅射靶中同时存在Fe和Cr，在溅射时，抑制由Fe粒子引起的异常放电的发生。

在靶面内的多个部位测定Cr浓度且所测定的Cr浓度的偏差为50％以下的情况下，在靶面内的Cr浓度的偏差减小。因此，通过在该整个W-Ti溅射靶中同时存在Fe和Cr，在溅射时，能够进一步抑制由Fe引起的异常放电的发生。

靶面内的Cr浓度的偏差优选设为30％以下，进一步优选设为10％以下。

在本实施方式中，在W-Ti溅射靶的靶面呈圆形的情况下，如图2所示，在圆的中心(1)及穿过圆的中心且相互正交的两条直线上的外周部分(2)、(3)、(4)、(5)这5个点测定Fe浓度及Cr浓度，并求出上述Fe浓度的偏差及Cr浓度的偏差。外周部分(2)、(3)、(4)、(5)设在从外周缘朝向内侧直径的10％以内的范围内。

并且，在W-Ti溅射靶的靶面呈矩形的情况下，如图3所示，在对角线交叉的交点(1)及各对角线上的角部(2)、(3)、(4)、(5)这5个点测定Fe浓度及Cr浓度，并求出上述Fe浓度的偏差及Cr浓度的偏差。角部(2)、(3)、(4)、(5)设在从角部朝向内侧对角线总长度的10％以内的范围内。

接着，参考图1的流程图对制造本实施方式所涉及的W-Ti溅射靶的一实施方式进行说明。

如图1所示，本实施方式所涉及的W-Ti溅射靶的制造方法具备：混合粉碎工序S01，将以规定的配料量进行配料的原料粉末进行混合粉碎；烧结工序S02，对混合粉碎后的原料粉末进行加热并烧结；及加工工序S03，对所获得的烧结体进行加工。

首先，作为原料粉末，准备Ti粉末、W粉末及FeCr粉末(或FeCrNi粉末)。

作为Ti粉末，优选使用纯度为99.999质量％以上且平均粒径为1μm以上且40μm以下的Ti粉末。

并且，作为W粉末，优选使用纯度为99.999质量％以上且平均粒径为0.5μm以上且20μm以下的W粉末。

而且，作为FeCr粉末(或FeCrNi粉末)，优选使用除了Fe及Cr以外(或除了Fe、Cr及Ni以外)的杂质量为0.001质量％以下且平均粒径为75μm以上且150μm以下的FeCr粉末。

若FeCr粉末(或FeCrNi粉末)的平均粒径小于75μm，则有可能难以处理，若平均粒径超过150μm，则在后述混合粉碎工序S01中，有可能无法充分地粉碎粉末。

关于FeCr粉末(或FeCrNi粉末)，例如能够通过雾化来制造。关于FeCr粉末(或FeCrNi粉末)的组成，优选根据W-Ti溅射靶的目标组成来进行调整。

Fe的单质粉末在保管或混合粉碎时有可能被氧化而成为氧化铁。溅射靶中的氧化铁成为异常放电的原因。相对于此，本实施方式中，添加Cr和Ni的合金粉末而不是添加Fe的单质粉末，因此能够防止氧化铁混入溅射靶中。

＜混合粉碎工序S01＞

将这些原料粉末称重成如下组成：含有5质量％以上且20质量％以下的范围内的Ti、25质量ppm以上且100质量ppm以下的范围内的Fe、5质量ppm以上且35质量ppm以下的范围内的Cr及根据需要还含有1质量ppm以上且15质量ppm以下的范围内的Ni，并且其余部分由W及不可避免的杂质组成，并且将该原料粉末进行混合粉碎。

在本实施方式中，通过球磨机将所称重的原料粉末进行混合，进一步使用硬质合金制滚珠，并通过磨碎机装置进行混合粉碎。

通过该混合粉碎工序S01，FeCr粉末(或FeCrNi粉末)被粉碎成平均粒径成为10μm以下。

作为滚珠的材料，可以利用例如WC等硬质合金、氧化锆、氧化铝、SUS及钨等。

在该混合粉碎工序S01中，有时从与原料粉末接触的容器壁或滚珠等混入Fe、Cr(及Ni)。在该情况下，优选考虑它们的混入量来调整FeCr粉末(或FeCrNi粉末)的组成及添加量，以使其成为规定的组成。

＜烧结工序S02＞

接着，在真空或惰性气体气氛下或还原气氛下对以如上的方式混合粉碎的原料粉末(混合粉末)进行烧结。在该烧结工序S02中，粉碎至平均粒径成为10μm以下的FeCr粉末(或FeCrNi粉末)均匀地扩散到W中。

烧结工序中的烧结温度优选根据制造的W-Ti合金的熔点Tm来设定。

在该烧结工序S02中，作为烧结方法，能够应用常压烧结、热压及热等静压成型。

本实施方式中，向石墨制模具填充原料粉末(混合粉末)，通过压力为10MPa以上且60MPa以下、温度为1000℃以上且1500℃的真空热压进行了烧结。

＜加工工序S03＞

通过对在烧结工序S02中所获得的烧结体施加切削加工或磨削加工来加工成规定形状的溅射靶。

通过如上工序，制造出本实施方式的W-Ti溅射靶。该W-Ti溅射靶中，将In作为焊锡，接合到由Cu或SUS(不锈钢)或其他金属(例如Mo)组成的垫板上来使用。

根据被设为如上结构的本实施方式的W-Ti溅射靶，由于含有25质量ppm以上且100质量ppm以下的范围内的Fe，因此能够改善所形成的W-Ti膜的蚀刻速率。

然后，由于含有5质量ppm以上且35质量ppm以下的范围内的Cr，因此通过在W-Ti溅射靶内同时存在Fe和Cr，能够抑制由Fe粒子引起的异常放电的发生，从而能够稳定地进行溅射成膜。

并且，在本实施方式的W-Ti溅射靶中，在还含有1质量ppm以上且15质量ppm以下的范围内的Ni的情况下，在W-Ti溅射靶内同时存在Fe、Cr及Ni，从而能够进一步抑制由Fe粒子引起的异常放电的发生。

而且，在本实施方式的W-Ti溅射靶中，在靶面内的多个部位测定Fe浓度，并由上述的式(1)计算出的Fe浓度的偏差及Cr浓度的偏差分别为50％以下的情况下，靶面内的Fe浓度的偏差得到抑制，因此能够形成Fe浓度的偏差小且蚀刻速率均匀的W-Ti膜，并且靶面内的Cr浓度的偏差得到抑制，从而能够在整个靶面抑制由Fe引起的异常放电的发生。

本实施方式中，通过将Ti粉末、W粉末及FeCr粉末(或FeCrNi粉末)进行混合粉碎，烧结前的FeCr粉末(或FeCrNi粉末)的粒径被设为10μm以下，因此能够使Fe粒子在烧结时均匀地扩散至成为母相的W中，从而能够使Fe均匀地分布在整个烧结体中。并且，能够使Fe和Cr(及Ni)同时存在。

在直接使用了50μm以下的粒子占整体的50％以上的微细的FeCr粉末(或FeCrNi粉末)的情况下，需要将其视为危险物进行处理，但是本实施方式中，通过将平均粒径被设为75μm以上且150μm以下的FeCr粉末(或FeCrNi粉末)与其他原料粉末(Ti粉末、W粉末)一同进行混合粉碎，使粒径成为10μm以下，而且FeCr粉末(或FeCrNi粉末)的比率充分低，因此容易处理。

以上，对本发明的实施方式进行了说明，但是本发明并不限定于此，在不脱离该发明的技术思想的范围内能够适当变更。

例如，本实施方式中，作为使用磨碎机装置将原料粉末进行混合粉碎的方法进行了说明，但是并不限定于此，也可以通过其他方法将原料粉末进行混合粉碎。作为将原料粉末进行混合粉碎的方法，可以举出行行星式球磨机、振动球磨机等。

从原料或制造工序等混入的杂质，只要在不妨碍发明效果的范围内，则可以允许。例如，可以考虑Cu的混入，只要为30质量ppm以下，则可以允许。

实施例

以下，对评价了本发明所涉及的W-Ti溅射靶的作用效果的评价测试的结果进行说明。

＜本发明例＞

作为原料粉末，准备纯度为99.999质量％以上且平均粒径为15μm的Ti粉末、纯度为99.999质量％以上且平均粒径为1μm的W粉末及除了Fe和Cr以外(或除了Fe、Cr及Ni以外)的杂质量为0.001质量％以下且平均粒径为100μm的FeCr粉末(或FeCrNi粉末)，并称重Ti粉末、W粉末及FeCr粉末(或FeCrNi粉末)，以使其成为表1所示的组成。

将所称重的Ti粉末、W粉末及FeCr粉末(或FeCrNi粉末)中的W粉末和FeCr粉末(或FeCrNi粉末)与直径约为5mm的硬质合金制滚珠一同投入到磨碎机装置(NIPPON COKE&ENGINEERING CO.,LTD.MA1D)中，并以转速300ppm的条件在Ar气氛下实施了1小时的混合粉碎。为了防止粉碎混合时来自容器的杂质混入，对该磨碎机的混合容器的内侧施加了由W箔制成的内贴。将硬质合金制滚珠的投入重量设为W粉末和FeCr粉末(或FeCrNi粉末)的投入重量的约10倍。

对本发明例13仅实施使用球磨机的混合而未实施原料粉末的粉碎。

通过球磨机装置将混合粉碎后的W粉末及FeCr粉末(或FeCrNi粉末)和Ti粉末进行混合，从而获得了混合粉末。使用EPMA装置观察烧结前的混合粉末，并通过特征X射线的面分析图像来确定FeCr粉末(或FeCrNi粉末)，从而确认了其粒径。将该粒径示于表1中。除了本发明例13以外，所检测的FeCr粉末(或FeCrNi粉末)具有小于10μm的粒径。

将所获得的混合粉末填充到石墨制模具中，在压力：15MPa、温度：1200℃、保持3小时的条件下进行真空热压来制作热压烧结体，并对所获得的热压烧结体进行机械加工，从而制作出具有直径：152.4mm、厚度：6mm的本发明例的W-Ti溅射靶。

＜比较例＞

使用与本发明例相同的原料来称重各粉末，以使其成为表1所示的组成。然后，通过与本发明例相同的工序来制造，并实施了评价。

＜W-Ti溅射靶的组成＞

关于所获得的W-Ti溅射靶，如图2所示，使用硬质合金制钻头，从圆的中心(1)及距穿过中心且相互正交的两条直线上的外周约为10mm的位置(2)、(3)、(4)、(5)这5个点采集组成分析用试样。

通过ICP发射光谱分析法对这些试样的Fe浓度、Cr浓度(及Ni浓度)进行了分析。将5个试样的平均值示于表2中。

然后，关于Fe浓度、Cr浓度，使用以下的式(1)对Fe浓度的偏差及Cr浓度的偏差进行了评价。将评价结果示于表2中。

式(1)：(浓度的偏差)＝{(Cmax-Cmin)/Cave}×100

Cave：测定对象元素的多个点的平均浓度

Cmax：测定对象元素的多个点的最大浓度

Cmin：测定对象元素的多个点的最小浓度

＜W-Ti膜的形成＞

接着，将上述本发明例及比较例的W-Ti溅射靶焊接到无氧铜制垫板上，且将此安装到溅射装置(ALBAX CO.LTD制SIH-450H)，并且在以下条件下实施了溅射成膜。

基板：直径100mm的Si基板

极限真空度：＜5×10^-5Pa

基板与靶的距离：70mm

电力：直流600W

气体压力：Ar 1.0Pa

基板加热：无

膜厚：300nm

＜W-Ti膜的蚀刻速率评价＞

从如此获得的直径100mm的Si基板中的图4所示的(1)的位置切出20mm见方的试样。而且，将该试样切断成10mm×20mm的两个部分，并将所切断的一个试样在通过恒温水槽设定为液温30℃的31vol％双氧水中浸渍5分钟。从过氧化氢取出之后，用纯净水充分清洗，再利用干燥空气吹干所附着的纯净水液滴，从而干燥了试样。

利用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM：Hitachi High-Technologies Corporation制SU-70)观察该试样的未浸渍于双氧水中的一侧与浸渍的一侧这两侧截面，并测定了W-Ti膜的膜厚。求出在过氧化氢中浸渍的一侧与未浸渍的一侧的膜厚差，并将该膜厚差除以浸渍时间(5分钟)，从而计算出直径100mm的基板的各位置上的蚀刻速率。将该结果示于表2中。

＜溅射时的异常放电的评价＞

在与上述相同的溅射条件下，连续实施了60分钟的基于溅射法的成膜。在该成膜实施期间，使用DC溅射装置的电源(MKS Instruments,Inc.制RPG-50)所附带的电弧计数器来计算了异常放电的次数。将评价结果示于表2中。

[表1]

[表2]

在比较例1、比较例3、比较例4中，Fe含量小于25质量ppm，因此蚀刻速率慢，且在比较例7中，Cr含量超过35质量ppm，因此蚀刻速率慢，并且在比较例8中，Ni含量超过15质量ppm，因此蚀刻速率慢。在比较例1～比较例4中，Cr含量小于5质量ppm，因此异常放电的发生次数多。在比较例5中，Fe和Cr的含量均超过本发明的上限，且Ni含量超过15质量ppm，因此基于Cr及Ni的耐腐食性的提高受到很大影响，从而蚀刻速率变慢。在比较例6中，Fe含量小于25质量ppm，并且Cr含量超过35质量ppm，Ni含量超过15质量ppm，因此蚀刻速率慢。

相对于此，在本发明例1～本发明例13中，所形成的W-Ti膜的蚀刻速率高，并且成膜时的异常放电的发生次数也少。

根据上述确认实验的结果，确认到根据本发明例的W-Ti溅射靶，能够通过添加Fe来形成蚀刻速率高的W-Ti膜，并且能够充分地抑制溅射时的异常放电的发生。

产业上的可利用性

根据本发明，能够提供一种如下W-Ti溅射靶，即，能够通过添加Fe来形成蚀刻速率高的W-Ti膜，并且能够充分地抑制溅射时的异常放电的发生。

Claims (3)

1.一种W-Ti溅射靶，其特征在于，具有如下组成：含有5质量％以上且20质量％以下的范围内的Ti、25质量ppm以上且100质量ppm以下的范围内的Fe及5质量ppm以上且35质量ppm以下的范围内的Cr，并且其余部分由W及不可避免的杂质组成。

2.根据权利要求1所述的W-Ti溅射靶，其特征在于，还含有1质量ppm以上且15质量ppm以下的范围内的Ni。

3.根据权利要求1或2所述的W-Ti溅射靶，其特征在于，

在靶面内的多个部位测定Fe浓度及Cr浓度，并由以下的式(1)计算出的Fe浓度的偏差及Cr浓度的偏差分别为50％以下，

式(1)：浓度的偏差＝{(Cmax-Cmin)/Cave}×100

Cave：测定对象元素的多个点的平均浓度；

Cmax：测定对象元素的多个点的最大浓度；

Cmin：测定对象元素的多个点的最小浓度。

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