TWI727460B - Ｗ－Ｔｉ濺鍍靶 - Google Patents

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TWI727460B
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Abstract

本實施型態所涉及之W-Ti濺鍍靶係以具有在5質量%以上20質量%以下之範圍內含有Ti，在25質量ppm以上100質量ppm以下之範圍內含有Fe，在5質量ppm以上35質量ppm以下之範圍內含有Cr，其餘部分由W及不可避免不純物所構成的組成為特徵。

Description

Ｗ－Ｔｉ濺鍍靶
本發明係關於用以成膜W-Ti膜之W-Ti濺鍍靶。 本申請係根據在2018年11月6日於日本所申請之日本特願2018-208952號而主張優先權，並於此援用其內容。
以往，於在基板安裝半導體晶片之時，在例如Al電極或Cu電極上形成Au凸塊或焊料凸塊等。 例如，迫使Al電極和Au凸塊直接接觸之情況，Al和Au互相擴散形成Al和Au之金屬間化合物，有電阻上升或密接性下降之虞。再者，迫使例如Cu電極和焊料凸塊直接接觸之情況，Cu和焊料中之Sn互相擴散而形成Cu和Sn之金屬間化合物，有電阻上升或密接性下降之虞。
於是，使用例如專利文獻1、2所揭示的W-Ti濺鍍靶，在基底電極和凸塊之間形成W-Ti膜以作為防止元素互相擴散的擴散防止層。 被記載於專利文獻1、2之W-Ti濺鍍靶分別藉由粉末燒結法被製造。
於在基底電極及凸塊之間成膜W-Ti膜作為擴散防止層之時，在基底電極之全面成膜W-Ti膜之後，形成凸塊，以蝕刻去除無形成凸塊之區域的W-Ti膜。但是，由於該W-Ti膜之蝕刻率非常慢，故有生產效率差之問題。
於是，在專利文獻3中，揭示有藉由使用添加微量Fe之W-Ti濺鍍靶，使被成膜的W-Ti膜含有Fe，能夠改善蝕刻率。 再者，在專利文獻4中，藉由規定在靶面內之Fe濃度之偏差，能夠成膜蝕刻率均勻的W-Ti膜。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第2606946號公報 [專利文獻2]日本特開平05-295531號公報 [專利文獻3]日本專利第4747368號公報 [專利文獻4]日本專利第5999161號公報
如專利文獻3、4揭示般，藉由使用添加微量Fe之W-Ti濺鍍靶，改善被成膜之W-Ti膜之蝕刻率。 但是，如例如專利文獻2記載般，當在W-Ti濺鍍靶中混入Fe等之雜質時，在濺鍍成膜時容易產生異常放電，有無法長時間穩定地進行成膜之虞。
本發明係鑑於上述情形而創作出者，其目的在於提供W-Ti濺鍍靶，該W-Ti濺鍍靶可以藉由Fe之添加而成膜高蝕刻率的W-Ti膜，並且可以充分地抑制在濺鍍時的異常放電之發生。
為了解決上述課題，本發明者們精心研究之結果，得知在W-Ti濺鍍靶，Fe粒子以氧化物之狀態存在時，於濺鍍時容易產生異常放電。而且，得到當適量添加Fe和Cr時，在W-Ti濺鍍靶內，Fe和Cr共存，能夠抑制在濺鍍時起因於Fe之異常放電的產生。
本發明係鑑於上述見解而創作出者，本發明之一態樣所涉及之W-Ti濺鍍靶具有在5質量%以上20質量%以下之範圍內含有Ti，在25質量ppm以上100質量ppm以下之範圍內含有Fe，在5質量ppm以上35質量ppm以下之範圍內含有Cr，其餘部分由W及不可避免不純物所構成的組成。
在成為如此之構成的W-Ti濺鍍靶中，因在25質量ppm以上100質量ppm以下之範圍內含有Fe，故可以改善被成膜的W-Ti膜之蝕刻率。
而且，成為如此之構成的W-Ti濺鍍靶，因在5質量ppm以上35質量ppm以下之範圍內含有Cr，故可以抑制起 因於Fe之異常放電的發生，能夠穩定地進行濺鍍成膜。
在本發明之其他態樣所涉及的W-Ti濺鍍靶中，即使進一步在1質量ppm以上15質量ppm以下之範圍內含有Ni亦可。
在此情況，W-Ti濺鍍靶藉由在1質量ppm以上15質量ppm以下之範圍內含有Ni，藉由與Cr的相乘效果可以進一步抑制起因於Fe之異常放電的發生。
再者，本發明之其他態樣所涉及之W-Ti濺鍍靶中，即使在靶面內於複數點測定Fe濃度及Cr濃度，用以下的(1)式所算出的Fe濃度之偏差及Cr濃度之偏差各為50%以下亦可。
(1)式：(濃度之偏差)={(Cmax-Cmin)/Cave}×100
Cave：測定對象元素之複數點之平均濃度
Cmax：測定對象元素之複數點之最大濃度
Cmin：測定對象元素之複數點之最小濃度
在此情況，因在靶面內之Fe濃度之偏差被抑制，故可以成膜Fe濃度之偏差小且蝕刻率均勻之W-Ti膜。
再者，因在靶面內之Cr濃度之偏差被抑制，故Fe和Cr成為共存，可以在靶面全體抑制起因於Fe之異常放電的發生。
如上述般，若藉由本發明時，能夠提供一種W-Ti濺鍍靶，該W-Ti濺鍍靶係可以藉由Fe之添加而成膜 高蝕刻率的W-Ti膜，並且可以充分地抑制在濺鍍時的異常放電之發生。
以下，針對作為本發明之實施形態的W-Ti濺鍍靶，參照附件圖面予以說明。
本實施型態所涉及的W-Ti濺鍍靶被使用於為了將例如液晶驅動器IC接合於COF膠帶，在被形成於液晶驅動器IC上之Au凸塊和Al墊部(基底電極)之間，藉由濺鍍成膜W-Ti膜以作為擴散防止層之時。
本實施型態所涉及之W-Ti濺鍍靶具有在5質量%以上20質量%以下之範圍內含有Ti，在25質量ppm以上100質量ppm以下之範圍內含有Fe，在5質量ppm以上35質 量ppm以下之範圍內含有Cr，其餘部分由W及不可避免不純物所構成的組成。
在本實施型態所涉及的W-Ti濺鍍靶中，即使進一步在1質量ppm以上15質量ppm以下之範圍內含有Ni亦可。
再者，本實施型態所涉及之W-Ti濺鍍靶中，即使在靶面內於複數點測定Fe濃度及Cr濃度，由以下的(1)式所算出的Fe濃度之偏差及Cr濃度之偏差分別為50%以下亦可。
(1)式：(濃度之偏差)={(Cmax-Cmin)/Cave}×100
Cave：測定對象元素之複數點之平均濃度
Cmax：測定對象元素之複數點之最大濃度
Cmin：測定對象元素之複數點之最小濃度
以下，針對如上述般規定成分組成之理由予以說明。
[Ti：5質量%以上20質量%以下]
在W-Ti濺鍍靶中之Ti含有量被設為未滿5質量%之情況，有成膜的W-Ti膜和基底電極之密接性下降之虞。
另外，在W-Ti濺鍍靶中之Ti含有量超過20質量%之情況，有成膜的W-Ti膜之電阻上升，並且無法充分地防止藉由成膜的W-Ti膜構成凸塊之元素(在本實施型態中為Au)和構成基底電極之元素(在本實施型態中為Al)之互相擴散之虞。
於是，在本實施型態中，將W-Ti濺鍍靶中之Ti之含有量規定在5質量%以上20質量%以下之範圍內。
Ti之含有量之下限設為7質量%以上為佳，以9質量%以上為更佳。再者，Ti之含有量之上限設為15質量%以下為佳，以13質量%以下為更佳。
[Fe：25質量ppm以上100質量ppm以下] 藉由在W-Ti濺鍍靶中添加Fe，成為在成膜之W-Ti膜中於晶界存在Fe相。由於該Fe相比起W-Ti相，耐蝕性低且容易被蝕刻，故藉由蝕刻時，Fe相及晶界優先溶解，改善W-Ti膜之蝕刻率。在W-Ti濺鍍靶中之Fe之含有量被設為未滿25質量ppm之情況，有無法充分地改善成膜的W-Ti膜之蝕刻率之虞。 另外，在W-Ti濺鍍靶中之Fe含有量超過100質量ppm之情況，有無法充分地防止藉由成膜的W-Ti膜構成凸塊之元素(在本實施型態中為Au)和構成基底電極之元素(在本實施型態中為Al)之互相擴散之虞。再者，存在W-Ti濺鍍靶中之Fe粒子作為氧化物，有在濺鍍時容易產生異常放電之虞。 於是，在本實施型態中，將W-Ti濺鍍靶中之Fe之含有量規定在25質量ppm以上100質量ppm以下之範圍內。 Fe之含有量之下限設為30質量ppm以上為佳，以35質量ppm以上為更佳。再者，Fe之含有量之上限設為75質量ppm以下為佳，以50質量ppm以下為更佳。
[CR：5質量ppm以上35質量ppm以下] 藉由在W-Ti濺鍍靶中添加Fe和Cr，Fe和Cr共存，依此在氧化物之狀態下存在的Fe粒子之數量減少。依此，能夠抑制在濺鍍時之異常放電的發生。W-Ti濺鍍靶中之Cr含有量未滿5質量ppm時，有無法充分抑制在濺鍍時之異常放電的發生之虞。 另外，當在W-Ti濺鍍靶中之Cr含有量超過35質量ppm時，有成膜的W-Ti膜之耐蝕性變高，蝕刻率變低之虞。 於是，在本實施型態中，將W-Ti濺鍍靶中之Cr之含有量規定在5質量ppm以上35質量ppm以下之範圍內。 Cr之含有量之下限設為8質量ppm以上為佳，以12質量ppm以上為更佳。再者，Cr之含有量之上限設為32質量ppm以下為佳，以30質量ppm以下為更佳。
[Ni：1質量ppm以上15質量ppm以下] 藉由在W-Ti濺鍍靶中，添加Cr和Ni，能夠藉由與Cr之相乘效果進一步抑制起因於Fe之異常放電的發生。因此，以因應所需添加Ni為佳。 藉由將W-Ti濺鍍靶中之Ni含有量設為1質量ppm以上，可以更確實地取得異常放電之抑制效果。 另外，藉由將W-Ti濺鍍靶中之Ni含有量設為15質量ppm以下，成膜的W-Ti膜之耐蝕性不會過度上升，可以抑制蝕刻率變低。 於是，在本實施型態中，添加Ni之情況，以將W-Ti濺鍍靶中之Ni含有量設為1質量ppm以上15質量ppm以下之範圍內為佳。 在W-Ti濺鍍靶添加Ni之情況，Ni含有量之下限設為3質量ppm以上為佳，設為5質量ppm以上為更佳。再者，在W-Ti濺鍍靶添加Ni之情況，Ni含有量之上限設為14質量ppm以下為佳，設為13質量ppm以下為更佳。
[Fe濃度之偏差] 使用在本實施型態中之W-Ti濺鍍靶而成膜W-Ti膜之情況，各個原子從W-Ti濺鍍靶之靶面之全體彈飛而被成膜。 在靶面內，在複數處測定Fe濃度，被測定到的Fe濃度之偏差為50%以下之情況，有在靶面內Fe濃度之偏差變小之情形。依此，使用該W-Ti濺鍍靶而成膜的W-Ti膜中，Fe濃度之偏差變小，蝕刻率變成均勻。 Fe濃度之偏差係以設為30%以下為佳，以設為10%以下為更佳。
[Cr濃度之偏差] 在本實施型態中之W-Ti濺鍍靶中，藉由Fe和Cr共存，在濺鍍時，抑制起因於Fe粒子之異常放電的發生。 在靶面內，在複數處測定Cr濃度，被測定到的Cr濃度之偏差為50%以下之情況，有在靶面內Cr濃度之偏差變小之情形。依此，在該W-Ti濺鍍靶全體，Fe和Cr成為共存，能夠進一步抑制在濺鍍時起因於Fe之異常放電的發生。 靶面內之Cr濃度之偏差係以設為30%以下為佳，以設為10%以下為更佳。
在本實施型態中，在W-Ti濺鍍靶之靶面構成圓形之情況，如圖2所示般在圓之中心(1)及通過圓之中心並且正交的兩條直線上之外周部(2)、(3)、(4)、(5)之5點，測定Fe濃度及Cr濃度，求出上述Fe濃度之偏差及Cr濃度之偏差。外周部分(2)、(3)、(4)、(5)設為從外周緣朝向內側直徑的10%以內之範圍內。
再者，在W-Ti濺鍍靶之靶面構成矩形之情況，如圖3所示般，在對角線交叉之交點(1)、各對角線上之角部(2)、(3)、(4)、(5)之5點，測定Fe濃度及Cr濃度，求出上述Fe濃度之偏差及Cr濃度之偏差。角部(2)、(3)、(4)、(5)設為從角部朝向內側對角線全長的10%以內之範圍內。
接著，針對製造本實施型態所涉及之W-Ti濺鍍靶之一實施型態，參照圖1之流程圖予以說明。 本實施型態所涉及之W-Ti濺鍍靶之製造方法係如圖1所示般，具備將以特定之配合量而被配合的原料粉予以混合粉碎之混合粉碎工程S01，和加熱並予以燒結被混合粉碎之原料粉的燒結工程S02，和加工所取得的燒結體之加工工程S03。
首先，作為原料粉，準備Ti粉、W粉及FeCr粉(或FeCrNi粉)。 作為Ti粉，以使用純度為99.999質量%以上，平均粒徑為1μm以上40μm以下者為佳。 再者，作為W粉，以使用純度為99.999質量%以上，平均粒徑為0.5μm以上20μm以下者為佳。
並且，作為FeCr粉(或FeCrNi粉)，以使用Fe及Cr以外(或Fe、Cr及Ni以外)之不純物量為0.001質量%以下，平均粒徑為75μm以上150μm以下者為佳。 在FeCr粉(或FeCrNi粉)之平均粒徑未滿75μm，有難以處理之虞，當平均粒子超過150μm時，有在後述的混合粉碎工程S01中，有無法充分將粉予以碎粉之虞。
FeCr粉(或FeCrNi粉)可以藉由例如霧化法製造。FeCr粉(或FeCrNi粉)之組成以因應W-Ti濺鍍靶之目標組成而調整為佳。 Fe之單體粉有於保管或混合粉碎之時被氧化而成為氧化鐵之虞。濺鍍靶中之氧化鐵成為異常放電或異常放電之原因。對此，在本實施型態中，因非Fe之單體粉，而係以Cr或N合金粉來添加，故可以防止氧化鐵朝濺鍍靶中混入。
[混合粉碎工程S01] 將該些原料粉以成為在5質量%以上20質量%以下之範圍內含有Ti，在25質量ppm以上100質量ppm以下之範圍內含有Fe，在5質量ppm以上35質量ppm以下之範圍內含有Cr，並且因應所需，進一步在1質量ppm以上15質量ppm以下之範圍內含有Ni，其餘部分由不可避不純物構成的組成之方式，進行秤量，並且將該原料粉予以混合粉碎。 在本實施型態中，藉由球膜機混合被秤量的原料粉，並且使用超硬合金製之球體，藉由磨碎裝置而混合粉碎。 藉由該混合粉碎工程S01，FeCr粉(或FeCrNi粉)被粉碎成平均粒徑成為10μm以下。 作為球體之材質，可以利用例如WC等之超硬合金、氧化鋯、氧化鋁、SUS、鎢等。
在該混合粉碎工程S01中，有Fe、Cr(及Ni)從與原料粉接觸之容器壁或球體等混入之情形。此時，考慮該些之混入量，以成為特定組成之方式，調整FeCr粉(或FeCrNi粉)之組成、添加量為佳。
[燒結工程S02] 接著，如上述般交被混合粉碎之原料粉(混合粉)在真空或惰性氣體氛圍中或還原氛圍中進行燒結。在該燒結工程S02中，被粉碎至平均粒徑為10μm以下之FeCr粉(或FeCrNi粉)均勻地被擴散至W中。 在燒結工程中之燒結溫度以製造之W-Ti合金之熔點Tm而設定為佳。
在該燒結工程S02中，作為燒結方法，能夠適用常壓燒結、熱壓、熱靜水加壓。 在本實施型態中，藉由將原料粉(混合粉)填充於石墨製模具，將壓力設為10MPa以上60MPa以下，將溫度設為1000℃以上1500℃之真空熱壓而進行燒結。
[加工工程S03] 藉由對在燒結工程S02中獲得的燒結體，施予切削加工或研削加工，加工成特定形狀的濺鍍靶。
藉由上述般之工程，製造本實施型態之W-Ti濺鍍靶。該W-Ti濺鍍靶係將In作為焊料，接合於由Cu或SUS(不鏽鋼)或其他金屬(例如Mo)構成的背墊板而使用。
若藉由作為設成上述般之構成的本實施型態的W-Ti濺鍍靶，因在25質量ppm以上100質量ppm以下之範圍內含有Fe，故可以改善成膜的W-Ti膜之蝕刻率。 而且，因在5質量ppm以上35質量ppm以下之範圍內含有Cr，故可以在W-Ti濺鍍靶內，Fe和Cr成為共存，抑制起因於Fe粒子之異常放電的發生，能夠穩定地進行濺鍍成膜。
再者，在作為本實施型態之W-Ti濺鍍靶中，進一步在1質量ppm以上15質量ppm以下之範圍內含有Ni之情況，在W-Ti濺鍍靶內，Fe和Cr和Ni成為共存，能夠抑制起因於Fe粒子之異常放電的發生。
並且，因在作為本實施型態之W-Ti濺鍍靶中，在靶面內於複數處測定Fe濃度，在以上述(1)式被算出的Fe濃度之偏差及Cr濃度之偏差分別為50%以下之情況，在靶面內之Fe濃度之偏差被抑制，故Fe濃度之偏差小，可以成膜蝕刻率均勻之W-Ti膜，並且因在靶面內之Cr濃度之偏差被抑制，故可以在靶面全體抑制起因於Fe之異常放電的發生。
在本實施型態中，因藉由混合粉碎Ti粉、W粉及FeCr粉(或FeCrNi粉)，燒結前之FeCr粉(或FeCrNi粉)之粒徑被設為10μm以下，故在燒結時，可以使Fe粒子均勻地擴散至成為母相之W中，能夠使Fe均勻地分布於燒結體全體。再者，可以使Fe和Cr(及Ni)共存。
雖然在直接使用全體之50%以上包含50μm以下之粒子的微細FeCr粉(或是FeCrNi粉)之情況，必須當作危險物處理，但是在本實施型態中，藉由將平均粒徑被設為75μm以上150μm以下之FeCr粉(或FeCrNi粉)與其他原料粉(Ti粉、W粉)一起混合粉碎，將粒徑設為10μm以下，並且由於FeCr粉(或FeCrNi粉)之比率充分低，故變成容易處理。
以上，雖然針對本發明之實施形態予以說明，但是本發明並不限定於此，只要在不脫離其發明之技術性思想的範圍可做適當變更。 例如，在本實施型態中，雖然以使用磨碎機將原料粉予以混合粉碎者來做說明，但是即使藉由其他方法將原料粉予以混合粉碎亦可。作為將原料粉予以混合粉碎之方法，可舉出行星式球磨、振動球磨等。 從原料或製造工程等混入之不純物若為不妨礙發明效果之範圍被容許。例如，雖然可能有Cu之混入，但是若為30質量ppm以下則被容許。 [實施例]
以下，說明針對與本發明所涉及之W-Ti濺鍍靶之作用效果進行評估後之評估試驗之結果予以說明。
[本發明例] 作為原料粉，以準備純度為99.999質量%以上，平均粒徑被設為15μm之Ti粉，純度為99.999質量%以上，平均粒徑被設為1μm之W粉，及Fe及Cr以外(或Fe、Cr及Ni以外)之不純物量為0.001質量%以下，平均粒徑被設為100μm之FeCr粉(或FeCrNi粉)，成為表1所示之組成之方式，秤量Ti粉、W粉及FeCr粉(或FeCrNi粉)。
被秤量的Ti粉、W粉及FeCr粉(或FeCrNi粉)之中，將W粉和FeCr粉(或FeCeNi粉)與直徑約5mm之超硬合金製球一起投入至磨碎裝置(日本焦炭工業股份有限公司MA1D)，以旋轉數300ppm之條件，在Ar氛圍下，實施1小時的混合粉碎。為了防止來自粉碎混合時之容器的不純物混入，在該磨碎裝置之混合容器之內側，施予依據W箔的內貼。超硬合金製球之投入重量設為W粉和FeCr粉(或FeCrNi粉)之投入重量之約10倍。 針對本發明例13，僅實施依據球磨的混合，不實施原料粉之粉碎。
藉由球磨裝置混合被混合粉碎之W粉及FeCr粉(或FeCrNi粉)和Ti粉，取得混合粉。以EPMA裝置觀察燒結前之混合粉，藉由特性X射線之面分析像，特定FeCr粉(或FeCrNi粉)，確認其粒徑。將其粒徑表示於表1中。被檢測到的FrCr粉(或FeCrNi粉)除了本發明例13外，具有未滿10μm之粒徑。
藉由將被取得之混合粉填充於石墨製模具，以壓力：15MPa，溫度：1200℃，3小時保持的條件，進行真空熱壓，製作熱壓燒結體，對所取得的熱壓燒結體進行機械加工，而製作出具有直徑：152.4mm，厚度：6mm之本發明例之W-Ti濺鍍靶。
[比較例] 使用與本發明相同之原料，以成為表1所示之組成之方式，秤量各粉。而且，以與本發明例相同之工程製造，實施評估。
[W-Ti濺鍍靶之組成] 針對所取得之W-Ti濺鍍靶，如圖2所示般，從圓之中心(1)，和離通過中心並且彼此正交之兩條直線上之外周大約10mm之位置(2)、(3)、(4)、(5)之5點，使用超硬合金製之鑽頭而採取組成分析用之試料。
藉由ICP發射光譜分析法分析該些試料之Fe濃度、Cr濃度(及Ni濃度)。在表2表示5個試料之平均值。 而且，針對Fe濃度、Cr濃度，使用以下之(1)式，評估Fe濃度之偏差及Cr濃度之偏差。將評估結果表示於表2中。 (1)式：(濃度之偏差)={(Cmax-Cmin)/Cave}×100 Cave：測定對象元素之複數點之平均濃度 Cmax：測定對象元素之複數點之最大濃度 Cmin：測定對象元素之複數點之最小濃度
[W-Ti膜之成膜] 接著，在無氧銅製之背墊板，焊接上述之本發明例及比較例之W-Ti濺鍍靶，將此安裝於濺鍍裝置(優貝克(ULVAC)股份有限公司製造SIH-450H)，用以下之條件，實施濺鍍成膜。
基板：直徑100mm之Si基板 到達真空度：＜5×10-5 Pa 基板和靶之距離：70mm 電力：直流600W 氣體壓力：Ar 1.0Pa 基板加熱：無 膜厚：300nm
[W-Ti膜之蝕刻率評估] 將如此所取得之直徑100mm之Si基板之中，從圖4所示之(1)之位置切出20mm見方的試料。並且，將該試料切斷成10mm×20mm之兩個部分，藉由水浴將切斷的單方之試料浸漬於被設定成液溫30℃的31vol%過氧化氫水5分鐘。從過氧化氫取出之後，以純水充分洗清，並且噴吹乾燥空氣將附著之純水之液滴噴飛，使試料乾燥。
以場發射方式之掃描電子顯微鏡(FE-SEM：日立先端科技股份有限公司製造SU-70)針對無浸漬於該試料之過氧化氫水之側，和有浸漬之側的雙方觀察剖面，測定W-Ti膜之膜厚。求出非作為浸漬於過氧化氫之側的膜厚差，將該膜厚差除以浸漬時間(5分鐘)，算出在直徑100mm之基板之各位置中之蝕刻率。將其結果表示於表2中。
[濺鍍時之異常放電之評估] 以與上述相同之濺鍍條件，連續60分鐘，實施依據濺鍍法的成膜。在該成膜實施之期間，使用附屬於DC濺鍍裝置之電源(mks公司製造RPG-50)之電弧計數器，計數異常放電之次數。將評估結果表示於表2中。
Figure 02_image001
Figure 02_image003
在比較例1、3、4中，因Fe含有量未滿25質量ppm，故在比較例7中，因Cr含有量超過35質量ppm，故在比較例8中，因Ni含有量超過15質量ppm，故蝕刻率慢。在比較例1~4中，因Cr含有量未滿5質量ppm，故異常放電之發生次數多。比較例5係Fe和Cr之含有量皆超過本發明之上限，Ni含有量超過15質量ppm，故影響Cr及Ni所致的耐腐蝕性之提升很大，蝕刻率變慢。比較例6係因Fe含有量未滿25質量ppm，並且Cr含有量超過35質量ppm，Ni含有量超過15質量ppm，故蝕刻率慢。
對此，在本發明例1~13中，成膜的W-Ti膜之蝕刻率高，成膜時之異常放電之發生次數也少。 由上述確認實驗之結果，若藉由本發明例之W-Ti濺鍍靶時，可以藉由Fe之添加，成膜高蝕刻率之W-Ti膜，並且可以充分地抑制在濺鍍時之異常放電的發生。 [產業上之利用可能性]
若藉由本發明時，能夠提供一種W-Ti濺鍍靶，該W-Ti濺鍍靶係可以藉由Fe之添加而成膜高蝕刻率的W-Ti膜，並且可以充分地抑制在濺鍍時的異常放電之發生。
[圖1]為表示與本發明之一實施形態有關之W-Ti濺鍍靶之製造方法的流程圖。
[圖2]為表示靶面構成圓形之W-Ti濺鍍靶之靶面中之Fe濃度之測定位置的說明圖。
[圖3]為表示靶面構成圓形之W-Ti濺鍍靶之靶面中之Fe濃度之測定位置的說明圖。
[圖4]為在實施例中，說明測定被成膜在Si基板上之W-Ti膜之蝕刻率之處的說明圖。

Claims (3)

  1. 一種W-Ti濺鍍靶，具有在5質量%以上20質量%以下之範圍內含有Ti，在25質量ppm以上100質量ppm以下之範圍內含有Fe，在8質量ppm以上35質量ppm以下之範圍內含有Cr，其餘部分由W及不可避免不純物所構成的組成。
  2. 一種W-Ti濺鍍靶，具有在5質量%以上20質量%以下之範圍內含有Ti，在25質量ppm以上100質量ppm以下之範圍內含有Fe，在5質量ppm以上35質量ppm以下之範圍內含有Cr，在1質量ppm以上15質量ppm以下之範圍內含有Ni，其餘部分由W及不可避免不純物所構成的組成。
  3. 一種W-Ti濺鍍靶，具有在5質量%以上20質量%以下之範圍內含有Ti，在25質量ppm以上100質量ppm以下之範圍內含有Fe，在5質量ppm以上35質量ppm以下之範圍內含有Cr，其餘部分由W及不可避免不純物所構成的組成，在靶面內於複數點測定Fe濃度及Cr濃度，由以下(1)式所算出之Fe濃度之偏差及Cr濃度之偏差各為50%以下，(1)式：(濃度之偏差)={(Cmax-Cmin)/Cave}×100 Cave：測定對象元素之複數點之平均濃度Cmax：測定對象元素之複數點之最大濃度Cmin：測定對象元素之複數點之最小濃度。
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