JPH0586461A - スパツタリング用ターゲツト及びその製造方法 - Google Patents
スパツタリング用ターゲツト及びその製造方法Info
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- JPH0586461A JPH0586461A JP11889091A JP11889091A JPH0586461A JP H0586461 A JPH0586461 A JP H0586461A JP 11889091 A JP11889091 A JP 11889091A JP 11889091 A JP11889091 A JP 11889091A JP H0586461 A JPH0586461 A JP H0586461A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 本願のターゲット1は、金属粉体またはその
混合物を粉末冶金法により成形、焼結し、得られた焼結
体3を仕上加工してなるターゲットにおいて、少なくと
も前記焼結体3の上部のスパッタされる領域4を、電子
衝撃法、またはプラズマ衝撃法、もしくはレーザー衝撃
法により、所定の深さまで加熱溶融し、その後凝固させ
てなることを特徴とする。また、前記領域をマグネトロ
ン放電を起こす領域としてもよい。 【効果】 良好な機械加工性を保持したまま前記ターゲ
ットの少なくともスパッタされる領域もしくはマグネト
ロン放電を起こす領域を高純度、高密度とすることがで
きる。したがって、成膜される半導体薄膜の微視的均質
性を向上させることができ、該薄膜の品質及び歩留まり
を格段に向上させることができる。
混合物を粉末冶金法により成形、焼結し、得られた焼結
体3を仕上加工してなるターゲットにおいて、少なくと
も前記焼結体3の上部のスパッタされる領域4を、電子
衝撃法、またはプラズマ衝撃法、もしくはレーザー衝撃
法により、所定の深さまで加熱溶融し、その後凝固させ
てなることを特徴とする。また、前記領域をマグネトロ
ン放電を起こす領域としてもよい。 【効果】 良好な機械加工性を保持したまま前記ターゲ
ットの少なくともスパッタされる領域もしくはマグネト
ロン放電を起こす領域を高純度、高密度とすることがで
きる。したがって、成膜される半導体薄膜の微視的均質
性を向上させることができ、該薄膜の品質及び歩留まり
を格段に向上させることができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、スパッタリング用タ
ーゲット及びその製造方法に係り、特に高純度で均質な
成膜が可能なスパッタリング用ターゲット及びその製造
方法に関するものである。
ーゲット及びその製造方法に係り、特に高純度で均質な
成膜が可能なスパッタリング用ターゲット及びその製造
方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体の集積化が進むにつれて加
工技術に要求される精度も益々高まる一方であり、例え
ば、前記加工技術において多用されるTi−W系合金や
W,Mo,Ti等の高融点金属等からなるスパッタリン
グ用ターゲット(以下、ターゲットと略称する)につい
ても、より高純度かつ均一な組成のものが求められてい
る。
工技術に要求される精度も益々高まる一方であり、例え
ば、前記加工技術において多用されるTi−W系合金や
W,Mo,Ti等の高融点金属等からなるスパッタリン
グ用ターゲット(以下、ターゲットと略称する)につい
ても、より高純度かつ均一な組成のものが求められてい
る。
【0003】前記のTi−W系合金やW,Mo,Ti等
の高融点金属等からなるターゲットは、通常、図6に示
す粉末冶金法により製造される。
の高融点金属等からなるターゲットは、通常、図6に示
す粉末冶金法により製造される。
【0004】まず、ターゲットの原料を所定量秤量す
る。原料は、通常、例えばTi−W系合金の場合では、
Tiは3N〜4Nの粉体、Wは5N程度の粉体が、ま
た、W,Mo,Ti等の高融点金属の場合では、5N程
度の金属粉もしくは金属塊が好適に用いられる。
る。原料は、通常、例えばTi−W系合金の場合では、
Tiは3N〜4Nの粉体、Wは5N程度の粉体が、ま
た、W,Mo,Ti等の高融点金属の場合では、5N程
度の金属粉もしくは金属塊が好適に用いられる。
【0005】次に、これらの原料をボールミル等により
混合・粉砕した後、この粉体をゴム製の成形金型に充填
し、冷間静水圧プレス(CIP)により加圧・成形す
る。次に、得られた成形物をステンレススチール等の金
属缶に封入し熱間静水圧プレス(HIP)により焼結す
る。なお、ホットプレス(HP)を用いれば、上記の加
圧・成形工程と焼結工程を一つの工程で行うことができ
る。上記により得られた焼結体を所定の形状に加工した
後、鏡面研磨、バッキングプレートへの固定(ボンディ
ング)等の仕上加工がなされて製品(ターゲット)とさ
れる。
混合・粉砕した後、この粉体をゴム製の成形金型に充填
し、冷間静水圧プレス(CIP)により加圧・成形す
る。次に、得られた成形物をステンレススチール等の金
属缶に封入し熱間静水圧プレス(HIP)により焼結す
る。なお、ホットプレス(HP)を用いれば、上記の加
圧・成形工程と焼結工程を一つの工程で行うことができ
る。上記により得られた焼結体を所定の形状に加工した
後、鏡面研磨、バッキングプレートへの固定(ボンディ
ング)等の仕上加工がなされて製品(ターゲット)とさ
れる。
【0006】前記ターゲットは、機械加工性が良く、バ
ッキングプレートとの組合せ自由度がある等の利点を有
する。
ッキングプレートとの組合せ自由度がある等の利点を有
する。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のター
ゲットを用いてスパッタリングを行った場合、製品(半
導体)の歩留まりが悪いという問題があった。その原因
は、ターゲットの純度が悪いためと、該ターゲットの製
造に粉末冶金法を用いていることによる。
ゲットを用いてスパッタリングを行った場合、製品(半
導体)の歩留まりが悪いという問題があった。その原因
は、ターゲットの純度が悪いためと、該ターゲットの製
造に粉末冶金法を用いていることによる。
【0008】例えば、従来の製造方法によるTi−W系
合金ターゲットでは、粗大なTi粒子の周囲を微細なW
粒子が多数取り囲んだ金属組織構造になっているため
に、スパッタリングする際に粗大なTi粒子が基になっ
てパーティクル(島状の異物)が発生するという問題が
あった。
合金ターゲットでは、粗大なTi粒子の周囲を微細なW
粒子が多数取り囲んだ金属組織構造になっているため
に、スパッタリングする際に粗大なTi粒子が基になっ
てパーティクル(島状の異物)が発生するという問題が
あった。
【0009】また、Ti−W系合金ターゲットでは、該
ターゲット中に空孔が残留しているためにターゲットの
微視的な均質性が損なわれ、したがって、スパッタリン
グ時においてターゲットの不均質性による異常放電が発
生したり、成膜された半導体薄膜の均質性が悪く、歩留
まりが低下する等の不具合が生ずるという問題があっ
た。
ターゲット中に空孔が残留しているためにターゲットの
微視的な均質性が損なわれ、したがって、スパッタリン
グ時においてターゲットの不均質性による異常放電が発
生したり、成膜された半導体薄膜の均質性が悪く、歩留
まりが低下する等の不具合が生ずるという問題があっ
た。
【0010】また、前記Ti−W系合金は融点が極めて
高く(常圧下で約3400℃以上)かつTiは非常に酸
化され易いものであるから、Ti粉が製造工程中に酸化
してTiO2等を生成することとなり、ターゲットの純
度を低下させる原因になっていた。
高く(常圧下で約3400℃以上)かつTiは非常に酸
化され易いものであるから、Ti粉が製造工程中に酸化
してTiO2等を生成することとなり、ターゲットの純
度を低下させる原因になっていた。
【0011】この発明は、上記の事情に鑑みてなされた
もので、以上の問題点を有効に解決することができるタ
ーゲット及びその製造方法を提供することにある。
もので、以上の問題点を有効に解決することができるタ
ーゲット及びその製造方法を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明は次の様なターゲット及びその製造方法を
採用した。
に、この発明は次の様なターゲット及びその製造方法を
採用した。
【0013】すなわち、請求項1記載のターゲットとし
ては、金属粉体またはその混合物を粉末冶金法により成
形、焼結し、得られた焼結体を仕上加工してなるターゲ
ットにおいて、少なくとも前記焼結体の上部のスパッタ
される領域を、電子衝撃法、またはプラズマ衝撃法、も
しくはレーザー衝撃法により、所定の深さまで加熱溶融
し、その後凝固させてなることを特徴としている。
ては、金属粉体またはその混合物を粉末冶金法により成
形、焼結し、得られた焼結体を仕上加工してなるターゲ
ットにおいて、少なくとも前記焼結体の上部のスパッタ
される領域を、電子衝撃法、またはプラズマ衝撃法、も
しくはレーザー衝撃法により、所定の深さまで加熱溶融
し、その後凝固させてなることを特徴としている。
【0014】また、請求項2記載のターゲットとして
は、金属粉体またはその混合物を粉末冶金法により成
形、焼結し、得られた焼結体を仕上加工してなるマグネ
トロン用ターゲットにおいて、前記焼結体の上部のマグ
ネトロン放電を起こす領域を、電子衝撃法、またはプラ
ズマ衝撃法、もしくはレーザー衝撃法により、所定の深
さまで加熱溶融し、その後凝固させてなることを特徴と
している。
は、金属粉体またはその混合物を粉末冶金法により成
形、焼結し、得られた焼結体を仕上加工してなるマグネ
トロン用ターゲットにおいて、前記焼結体の上部のマグ
ネトロン放電を起こす領域を、電子衝撃法、またはプラ
ズマ衝撃法、もしくはレーザー衝撃法により、所定の深
さまで加熱溶融し、その後凝固させてなることを特徴と
している。
【0015】また、請求項3記載のターゲットの製造方
法としては、金属粉体またはその混合物を粉末冶金法に
より成形、焼結し、得られた焼結体に仕上加工を施すタ
ーゲットの製造方法において、少なくとも前記焼結体の
上部のスパッタされる領域を、電子衝撃法、またはプラ
ズマ衝撃法、もしくはレーザー衝撃法により、所定の深
さまで加熱溶融し、その後凝固する溶融処理工程を有す
ることを特徴としている。
法としては、金属粉体またはその混合物を粉末冶金法に
より成形、焼結し、得られた焼結体に仕上加工を施すタ
ーゲットの製造方法において、少なくとも前記焼結体の
上部のスパッタされる領域を、電子衝撃法、またはプラ
ズマ衝撃法、もしくはレーザー衝撃法により、所定の深
さまで加熱溶融し、その後凝固する溶融処理工程を有す
ることを特徴としている。
【0016】また、請求項4記載のターゲットの製造方
法としては、請求項3記載のターゲットの製造方法にお
いて、前記粉末冶金法は、熱間静水圧プレス(HIP)
による焼結工程を含むことを特徴としている。
法としては、請求項3記載のターゲットの製造方法にお
いて、前記粉末冶金法は、熱間静水圧プレス(HIP)
による焼結工程を含むことを特徴としている。
【0017】また、請求項5記載のターゲットの製造方
法としては、請求項3記載のターゲットの製造方法にお
いて、前記粉末冶金法は、ホットプレス(HP)による
成形・焼結工程を含むことを特徴としている。
法としては、請求項3記載のターゲットの製造方法にお
いて、前記粉末冶金法は、ホットプレス(HP)による
成形・焼結工程を含むことを特徴としている。
【0018】ここで、前記焼結体の上部のスパッタされ
る領域を、電子衝撃法、またはプラズマ衝撃法、もしく
はレーザー衝撃法により、所定の深さまで加熱溶融する
こととしたのは、前記焼結体を非接触により高温に加熱
することで前記焼結体の上部に含まれる不純物を除去す
るためである。
る領域を、電子衝撃法、またはプラズマ衝撃法、もしく
はレーザー衝撃法により、所定の深さまで加熱溶融する
こととしたのは、前記焼結体を非接触により高温に加熱
することで前記焼結体の上部に含まれる不純物を除去す
るためである。
【0019】また、熱間静水圧プレス(HIP)または
ホットプレス(HP)を採用したのは、前記焼結体に生
じる空孔を取り除き消失させるためである。
ホットプレス(HP)を採用したのは、前記焼結体に生
じる空孔を取り除き消失させるためである。
【0020】
【作用】この発明の請求項1記載のターゲットでは、少
なくとも前記焼結体の上部のスパッタされる領域を、電
子衝撃法、またはプラズマ衝撃法、もしくはレーザー衝
撃法を用いて所定の深さまで加熱溶融し、その後凝固さ
せることにより、前記ターゲットのスパッタされる領域
が高純度、高密度となり、成膜される薄膜の微視的均質
性が向上する。
なくとも前記焼結体の上部のスパッタされる領域を、電
子衝撃法、またはプラズマ衝撃法、もしくはレーザー衝
撃法を用いて所定の深さまで加熱溶融し、その後凝固さ
せることにより、前記ターゲットのスパッタされる領域
が高純度、高密度となり、成膜される薄膜の微視的均質
性が向上する。
【0021】また、請求項2記載のターゲットでは、前
記焼結体の上部のマグネトロン放電を起こす領域を、電
子衝撃法、またはプラズマ衝撃法、もしくはレーザー衝
撃法を用いて所定の深さまで加熱溶融し、その後凝固さ
せることにより、前記ターゲットのマグネトロン放電を
起こす領域が高純度、高密度となり、成膜される薄膜の
微視的均質性が向上する。
記焼結体の上部のマグネトロン放電を起こす領域を、電
子衝撃法、またはプラズマ衝撃法、もしくはレーザー衝
撃法を用いて所定の深さまで加熱溶融し、その後凝固さ
せることにより、前記ターゲットのマグネトロン放電を
起こす領域が高純度、高密度となり、成膜される薄膜の
微視的均質性が向上する。
【0022】また、請求項3記載のターゲットの製造方
法では、少なくとも前記焼結体の上部のスパッタされる
領域を、電子衝撃法、またはプラズマ衝撃法、もしくは
レーザー衝撃法を用いて所定の深さまで加熱溶融するこ
とにより、この加熱溶融の際に前記焼結体中に含まれる
不純物を揮発させて除去する。また、一旦溶融した後に
凝固することにより焼結体の上部を高密度化する。
法では、少なくとも前記焼結体の上部のスパッタされる
領域を、電子衝撃法、またはプラズマ衝撃法、もしくは
レーザー衝撃法を用いて所定の深さまで加熱溶融するこ
とにより、この加熱溶融の際に前記焼結体中に含まれる
不純物を揮発させて除去する。また、一旦溶融した後に
凝固することにより焼結体の上部を高密度化する。
【0023】また、請求項4記載のターゲットの製造方
法では、熱間静水圧プレス(HIP)による焼結工程に
より、焼結体中の空孔を効果的に取り除き消失させる。
法では、熱間静水圧プレス(HIP)による焼結工程に
より、焼結体中の空孔を効果的に取り除き消失させる。
【0024】また、請求項5記載のターゲットの製造方
法では、ホットプレス(HP)による成形・焼結工程に
より、焼結体中の空孔を効果的に取り除き消失させる。
法では、ホットプレス(HP)による成形・焼結工程に
より、焼結体中の空孔を効果的に取り除き消失させる。
【0025】
【実施例】以下、この発明の一実施例について説明す
る。図1はこの発明に係るターゲット1の全体斜視図、
図2は図1のA−A線に沿う断面図である。
る。図1はこの発明に係るターゲット1の全体斜視図、
図2は図1のA−A線に沿う断面図である。
【0026】このターゲット1は、略矩形状の銅板から
なるバッキングプレート2と、該バッキングプレート2
上に固定される同形状のターゲット板3とから構成され
ている。
なるバッキングプレート2と、該バッキングプレート2
上に固定される同形状のターゲット板3とから構成され
ている。
【0027】ターゲット板3は、材質がTi−W系合金
あるいはW,Mo,Ti等の高融点金属の焼結体からな
るもので、厚み方向の上部約2/3の部分(スパッタさ
れる領域4)を電子衝撃法、またはプラズマ衝撃法、も
しくはレーザー衝撃法により溶融凝固して溶融凝固部5
としたものである。
あるいはW,Mo,Ti等の高融点金属の焼結体からな
るもので、厚み方向の上部約2/3の部分(スパッタさ
れる領域4)を電子衝撃法、またはプラズマ衝撃法、も
しくはレーザー衝撃法により溶融凝固して溶融凝固部5
としたものである。
【0028】次に、ターゲットの製造方法について、T
i−W系合金ターゲットを例にとり図3に基づいて説明
する。
i−W系合金ターゲットを例にとり図3に基づいて説明
する。
【0029】なお、この実施例のターゲットの製造方法
は、従来例で説明した製造方法に後述する溶融処理工程
を加えたものであり、従来例の製造方法と同一の工程に
ついては説明を省略する。
は、従来例で説明した製造方法に後述する溶融処理工程
を加えたものであり、従来例の製造方法と同一の工程に
ついては説明を省略する。
【0030】この製造方法においては、熱間静水圧プレ
ス(HIP)またはホットプレス(HP)により焼結さ
れた略矩形板状のTi−W焼結体の厚み方向の上部約2
/3の部分に高エネルギーの電子ビーム(電子衝撃法)
を照射し加熱溶融する。
ス(HIP)またはホットプレス(HP)により焼結さ
れた略矩形板状のTi−W焼結体の厚み方向の上部約2
/3の部分に高エネルギーの電子ビーム(電子衝撃法)
を照射し加熱溶融する。
【0031】前記電子ビームで加速電圧を20kV、電
子流を1.0Aとした場合、前記焼結体上部の溶融温度
は3000℃である。前記電子ビームは電子線加熱型が
好適に用いられる。
子流を1.0Aとした場合、前記焼結体上部の溶融温度
は3000℃である。前記電子ビームは電子線加熱型が
好適に用いられる。
【0032】前記加熱溶融の際に、Ti−W焼結体中の
不純物、例えばNa,K,Mg,Al,Fe,Ni,C
u,TiO2等の不純物が揮発し除去されるために、前
記焼結体の上部は高純度化され5N以上の高純度溶融物
となる。また、一旦溶融した後に凝固させるために焼結
体の上部の空孔が消滅し該焼結体の上部が高密度化す
る。
不純物、例えばNa,K,Mg,Al,Fe,Ni,C
u,TiO2等の不純物が揮発し除去されるために、前
記焼結体の上部は高純度化され5N以上の高純度溶融物
となる。また、一旦溶融した後に凝固させるために焼結
体の上部の空孔が消滅し該焼結体の上部が高密度化す
る。
【0033】なお、前記電子ビームの替わりにプラズマ
ビームやレーザービームを用いても全く同様の作用・効
果を得ることができる。
ビームやレーザービームを用いても全く同様の作用・効
果を得ることができる。
【0034】表1は、種々の材質のターゲットに対し
て、上記の製造方法によるもの(実施例)と、従来の製
造方法によるもの(比較例)のそれぞれの特性を比較し
たものである。
て、上記の製造方法によるもの(実施例)と、従来の製
造方法によるもの(比較例)のそれぞれの特性を比較し
たものである。
【0035】
【表1】
【0036】表1から明らかな様に、上記の製造方法に
よるターゲットは、純度、密度共に従来のもの(比較
例)と比べて大幅に向上していることがわかる。
よるターゲットは、純度、密度共に従来のもの(比較
例)と比べて大幅に向上していることがわかる。
【0037】表2は、上記実施例のターゲット(No.
3)と従来のターゲット(No.6)の上部の不純物の
分析結果である。ここでは、Na,K,Mg,Al,F
e,Ni,Cuの各元素については原子吸光分析によ
り、また、O2については非分散赤外線吸収法により分
析した。
3)と従来のターゲット(No.6)の上部の不純物の
分析結果である。ここでは、Na,K,Mg,Al,F
e,Ni,Cuの各元素については原子吸光分析によ
り、また、O2については非分散赤外線吸収法により分
析した。
【0038】
【表2】
【0039】表2から明らかな様に、この実施例のター
ゲット(No.3)上部の不純物は従来のもの(No.
6)と比べて大幅に減少しており、高純度化しているこ
とがわかる。
ゲット(No.3)上部の不純物は従来のもの(No.
6)と比べて大幅に減少しており、高純度化しているこ
とがわかる。
【0040】また、表3は、ターゲット(No.1)と
ターゲット(No.4)を用いてSi基板上にスパッタ
リングを行った場合のパーティクル発生数の計測結果で
ある。ここでは、直流マグネトロンスパッタ装置を用い
てAr圧力3×10-3Torrの下で4in.Siウエ
ハ上に膜厚3000オングストロームの薄膜を成膜し
た。計測に用いたSiウエハの枚数は、No.1、N
o.4共に15枚とした。
ターゲット(No.4)を用いてSi基板上にスパッタ
リングを行った場合のパーティクル発生数の計測結果で
ある。ここでは、直流マグネトロンスパッタ装置を用い
てAr圧力3×10-3Torrの下で4in.Siウエ
ハ上に膜厚3000オングストロームの薄膜を成膜し
た。計測に用いたSiウエハの枚数は、No.1、N
o.4共に15枚とした。
【0041】
【表3】
【0042】表3から明らかな様に、ターゲット(N
o.1)を用いた場合のパーティクルの発生数は、従来
のもの(No.4)と比べて大幅に減少していることが
わかる。
o.1)を用いた場合のパーティクルの発生数は、従来
のもの(No.4)と比べて大幅に減少していることが
わかる。
【0043】以上説明した様に、この実施例のターゲッ
ト1によれば、焼結体の上部のスパッタされる領域4
(溶融凝固部5)が、電子衝撃法、またはプラズマ衝撃
法、もしくはレーザー衝撃法により加熱溶融されその後
凝固させてなることとしたので、良好な機械加工性を保
持したままターゲット1の上部のスパッタされる領域4
の純度及び密度を向上させることができ、成膜される半
導体薄膜の微視的な均質性を大幅に向上させることがで
きる。したがって、半導体の歩留まりを大幅に向上させ
ることが可能になる。
ト1によれば、焼結体の上部のスパッタされる領域4
(溶融凝固部5)が、電子衝撃法、またはプラズマ衝撃
法、もしくはレーザー衝撃法により加熱溶融されその後
凝固させてなることとしたので、良好な機械加工性を保
持したままターゲット1の上部のスパッタされる領域4
の純度及び密度を向上させることができ、成膜される半
導体薄膜の微視的な均質性を大幅に向上させることがで
きる。したがって、半導体の歩留まりを大幅に向上させ
ることが可能になる。
【0044】また、この実施例のターゲットの製造方法
によれば、焼結体の上部のスパッタされる領域4(溶融
凝固部5)を、電子衝撃法、またはプラズマ衝撃法、も
しくはレーザー衝撃法により加熱溶融するので、この加
熱溶融の際に不純物を揮発させて除去することができ、
ターゲットを高純度化することができる。また、一旦溶
融した後に凝固するので、焼結体の上部の空孔を消滅さ
せることができ該焼結体の上部を高密度化することがで
きる。
によれば、焼結体の上部のスパッタされる領域4(溶融
凝固部5)を、電子衝撃法、またはプラズマ衝撃法、も
しくはレーザー衝撃法により加熱溶融するので、この加
熱溶融の際に不純物を揮発させて除去することができ、
ターゲットを高純度化することができる。また、一旦溶
融した後に凝固するので、焼結体の上部の空孔を消滅さ
せることができ該焼結体の上部を高密度化することがで
きる。
【0045】また、熱間静水圧プレス(HIP)または
ホットプレス(HP)を採用しているので、前記焼結体
中に生じる空孔を取り除き消失させることができる。
ホットプレス(HP)を採用しているので、前記焼結体
中に生じる空孔を取り除き消失させることができる。
【0046】図4はこの発明の他の一実施例であるター
ゲット11の全体斜視図、図5は図4のB−B線に沿う
断面図である。
ゲット11の全体斜視図、図5は図4のB−B線に沿う
断面図である。
【0047】このターゲット11が上述したターゲット
1と異なる点は、ターゲット板3の上部のマグネトロン
放電を起こす領域12を、電子衝撃法、またはプラズマ
衝撃法、もしくはレーザー衝撃法により、所定の深さま
で加熱溶融し、その後凝固させて、略環状の溶融凝固部
13とした点である。
1と異なる点は、ターゲット板3の上部のマグネトロン
放電を起こす領域12を、電子衝撃法、またはプラズマ
衝撃法、もしくはレーザー衝撃法により、所定の深さま
で加熱溶融し、その後凝固させて、略環状の溶融凝固部
13とした点である。
【0048】また、この実施例のターゲットの製造方法
は、上記実施例で説明した製造方法とほぼ同一であり、
Ti−W焼結体の上部のマグネトロン放電を起こす領域
12に高エネルギーの電子ビーム(電子衝撃法)を照射
し加熱溶融する点が異なる。
は、上記実施例で説明した製造方法とほぼ同一であり、
Ti−W焼結体の上部のマグネトロン放電を起こす領域
12に高エネルギーの電子ビーム(電子衝撃法)を照射
し加熱溶融する点が異なる。
【0049】この実施例のターゲット11においても、
焼結体の上部のマグネトロン放電を起こす領域12(溶
融凝固部13)が、電子衝撃法、またはプラズマ衝撃
法、もしくはレーザー衝撃法により加熱溶融されその後
凝固させてなることとしたので、良好な機械加工性を保
持したままターゲット11の上部のマグネトロン放電を
起こす領域12の純度及び密度を向上させることがで
き、成膜される半導体薄膜の微視的な均質性を大幅に向
上させることができる。したがって、半導体の歩留まり
を大幅に向上させることが可能になる。
焼結体の上部のマグネトロン放電を起こす領域12(溶
融凝固部13)が、電子衝撃法、またはプラズマ衝撃
法、もしくはレーザー衝撃法により加熱溶融されその後
凝固させてなることとしたので、良好な機械加工性を保
持したままターゲット11の上部のマグネトロン放電を
起こす領域12の純度及び密度を向上させることがで
き、成膜される半導体薄膜の微視的な均質性を大幅に向
上させることができる。したがって、半導体の歩留まり
を大幅に向上させることが可能になる。
【0050】また、この実施例のターゲットの製造方法
によれば、焼結体の上部のマグネトロン放電を起こす領
域12(溶融凝固部13)を、電子衝撃法、またはプラ
ズマ衝撃法、もしくはレーザー衝撃法により加熱溶融す
るので、この加熱溶融の際に不純物を揮発させて除去す
ることができ、ターゲット11を高純度化することがで
きる。また、一旦溶融した後に凝固するので、焼結体の
上部のマグネトロン放電を起こす領域12の空孔を消滅
させることができ、該焼結体の上部を高密度化すること
ができる。
によれば、焼結体の上部のマグネトロン放電を起こす領
域12(溶融凝固部13)を、電子衝撃法、またはプラ
ズマ衝撃法、もしくはレーザー衝撃法により加熱溶融す
るので、この加熱溶融の際に不純物を揮発させて除去す
ることができ、ターゲット11を高純度化することがで
きる。また、一旦溶融した後に凝固するので、焼結体の
上部のマグネトロン放電を起こす領域12の空孔を消滅
させることができ、該焼結体の上部を高密度化すること
ができる。
【0051】
【発明の効果】以上説明した様に、この発明の請求項1
記載のスパッタリング用ターゲットによれば、金属粉体
またはその混合物を粉末冶金法により成形、焼結し、得
られた焼結体を仕上加工してなるターゲットにおいて、
少なくとも前記焼結体の上部のスパッタされる領域を、
電子衝撃法、またはプラズマ衝撃法、もしくはレーザー
衝撃法により、所定の深さまで加熱溶融し、その後凝固
させてなることとしたので、良好な機械加工性を保持し
たまま前記ターゲットの少なくともスパッタされる領域
を高純度、高密度とすることができる。したがって、成
膜される半導体薄膜の微視的均質性を向上させることが
でき、該薄膜の品質及び歩留まりを格段に向上させるこ
とができる。
記載のスパッタリング用ターゲットによれば、金属粉体
またはその混合物を粉末冶金法により成形、焼結し、得
られた焼結体を仕上加工してなるターゲットにおいて、
少なくとも前記焼結体の上部のスパッタされる領域を、
電子衝撃法、またはプラズマ衝撃法、もしくはレーザー
衝撃法により、所定の深さまで加熱溶融し、その後凝固
させてなることとしたので、良好な機械加工性を保持し
たまま前記ターゲットの少なくともスパッタされる領域
を高純度、高密度とすることができる。したがって、成
膜される半導体薄膜の微視的均質性を向上させることが
でき、該薄膜の品質及び歩留まりを格段に向上させるこ
とができる。
【0052】また、請求項2記載のターゲットによれ
ば、金属粉体またはその混合物を粉末冶金法により成
形、焼結し、得られた焼結体を仕上加工してなるマグネ
トロン用ターゲットにおいて、前記焼結体の上部のマグ
ネトロン放電を起こす領域を、電子衝撃法、またはプラ
ズマ衝撃法、もしくはレーザー衝撃法により、所定の深
さまで加熱溶融し、その後凝固させてなることとしたの
で、良好な機械加工性を保持したまま前記ターゲットの
マグネトロン放電を起こす領域を高純度、高密度とする
ことができる。したがって、成膜される半導体薄膜の微
視的均質性を向上させることができ、該薄膜の品質及び
歩留まりを格段に向上させることができる。
ば、金属粉体またはその混合物を粉末冶金法により成
形、焼結し、得られた焼結体を仕上加工してなるマグネ
トロン用ターゲットにおいて、前記焼結体の上部のマグ
ネトロン放電を起こす領域を、電子衝撃法、またはプラ
ズマ衝撃法、もしくはレーザー衝撃法により、所定の深
さまで加熱溶融し、その後凝固させてなることとしたの
で、良好な機械加工性を保持したまま前記ターゲットの
マグネトロン放電を起こす領域を高純度、高密度とする
ことができる。したがって、成膜される半導体薄膜の微
視的均質性を向上させることができ、該薄膜の品質及び
歩留まりを格段に向上させることができる。
【0053】また、請求項3記載のターゲットの製造方
法によれば、金属粉体またはその混合物を粉末冶金法に
より成形、焼結し、得られた焼結体に仕上加工を施すタ
ーゲットの製造方法において、少なくとも前記焼結体の
上部のスパッタされる領域を、電子衝撃法、またはプラ
ズマ衝撃法、もしくはレーザー衝撃法により、所定の深
さまで加熱溶融し、その後凝固する溶融処理工程を有す
ることとしたので、この加熱溶融工程の際に前記焼結体
の上部のスパッタされる領域に含まれる不純物を揮発さ
せて除去することができ、前記領域を高純度化すること
ができる。また、一旦溶融した後に凝固することにより
前記領域の空孔を消滅させることができ前記領域を高密
度化することができる。
法によれば、金属粉体またはその混合物を粉末冶金法に
より成形、焼結し、得られた焼結体に仕上加工を施すタ
ーゲットの製造方法において、少なくとも前記焼結体の
上部のスパッタされる領域を、電子衝撃法、またはプラ
ズマ衝撃法、もしくはレーザー衝撃法により、所定の深
さまで加熱溶融し、その後凝固する溶融処理工程を有す
ることとしたので、この加熱溶融工程の際に前記焼結体
の上部のスパッタされる領域に含まれる不純物を揮発さ
せて除去することができ、前記領域を高純度化すること
ができる。また、一旦溶融した後に凝固することにより
前記領域の空孔を消滅させることができ前記領域を高密
度化することができる。
【0054】また、請求項4記載のターゲットの製造方
法によれば、請求項3記載のターゲットの製造方法にお
いて、前記粉末冶金法は、熱間静水圧プレス(HIP)
による焼結工程を含むこととしたので、焼結体中の空孔
を効果的に取り除き消失させることができる。
法によれば、請求項3記載のターゲットの製造方法にお
いて、前記粉末冶金法は、熱間静水圧プレス(HIP)
による焼結工程を含むこととしたので、焼結体中の空孔
を効果的に取り除き消失させることができる。
【0055】また、請求項5記載のターゲットの製造方
法によれば、請求項3記載のターゲットの製造方法にお
いて、前記粉末冶金法は、ホットプレス(HP)による
成形・焼結工程を含むこととしたので、焼結体中の空孔
を効果的に取り除き消失させることができる。
法によれば、請求項3記載のターゲットの製造方法にお
いて、前記粉末冶金法は、ホットプレス(HP)による
成形・焼結工程を含むこととしたので、焼結体中の空孔
を効果的に取り除き消失させることができる。
【0056】以上により、少なくともスパッタされる領
域を高純度かつ高密度としたターゲットを提供すること
ができ、したがって、成膜される半導体薄膜の品質及び
歩留まりを格段に向上させることができる。
域を高純度かつ高密度としたターゲットを提供すること
ができ、したがって、成膜される半導体薄膜の品質及び
歩留まりを格段に向上させることができる。
【図1】本発明の一実施例のターゲットの全体斜視図で
ある。
ある。
【図2】図1のA−A線に添う断面図である。
【図3】本発明のターゲットの製造方法を示す工程図で
ある。
ある。
【図4】本発明の他の実施例のターゲットの全体斜視図
である。
である。
【図5】図4のB−B線に添う断面図である。
【図6】従来のターゲットの製造方法を示す工程図であ
る。
る。
1 ターゲット 2 バッキングプレート 3 ターゲット板(焼結体) 4 スパッタされる領域 5 溶融凝固部 11 ターゲット 12 マグネトロン放電を起こす領域 13 溶融凝固部
Claims (5)
- 【請求項1】 金属粉体またはその混合物を粉末冶金法
により成形、焼結し、得られた焼結体を仕上加工してな
るスパッタリング用ターゲットにおいて、 少なくとも前記焼結体の上部のスパッタされる領域を、
電子衝撃法、またはプラズマ衝撃法、もしくはレーザー
衝撃法により、所定の深さまで加熱溶融し、その後凝固
させてなることを特徴とするスパッタリング用ターゲッ
ト。 - 【請求項2】 金属粉体またはその混合物を粉末冶金法
により成形、焼結し、得られた焼結体を仕上加工してな
るマグネトロンスパッタリング用ターゲットにおいて、 前記焼結体の上部のマグネトロン放電を起こす領域を、
電子衝撃法、またはプラズマ衝撃法、もしくはレーザー
衝撃法により、所定の深さまで加熱溶融し、その後凝固
させてなることを特徴とするスパッタリング用ターゲッ
ト。 - 【請求項3】 金属粉体またはその混合物を粉末冶金法
により成形、焼結し、得られた焼結体に仕上加工を施す
スパッタリング用ターゲットの製造方法において、 少なくとも前記焼結体の上部のスパッタされる領域を、
電子衝撃法、またはプラズマ衝撃法、もしくはレーザー
衝撃法により、所定の深さまで加熱溶融し、その後凝固
する溶融処理工程を有することを特徴とするスパッタリ
ング用ターゲットの製造方法。 - 【請求項4】 前記粉末冶金法は、熱間静水圧プレス
(HIP)による焼結工程を含むことを特徴とする請求
項3記載のスパッタリング用ターゲットの製造方法。 - 【請求項5】 前記粉末冶金法は、ホットプレス(H
P)による成形・焼結工程を含むことを特徴とする請求
項3記載のスパッタリング用ターゲットの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11889091A JPH0586461A (ja) | 1991-05-23 | 1991-05-23 | スパツタリング用ターゲツト及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11889091A JPH0586461A (ja) | 1991-05-23 | 1991-05-23 | スパツタリング用ターゲツト及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0586461A true JPH0586461A (ja) | 1993-04-06 |
Family
ID=14747684
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11889091A Pending JPH0586461A (ja) | 1991-05-23 | 1991-05-23 | スパツタリング用ターゲツト及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0586461A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102005055255A1 (de) * | 2005-11-19 | 2007-05-31 | Applied Materials Gmbh & Co. Kg | Verfahren zum Herstellen eines Targets |
-
1991
- 1991-05-23 JP JP11889091A patent/JPH0586461A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102005055255A1 (de) * | 2005-11-19 | 2007-05-31 | Applied Materials Gmbh & Co. Kg | Verfahren zum Herstellen eines Targets |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000411 |