JPH0565629A - スパツタリング用ターゲツトの製造方法 - Google Patents
スパツタリング用ターゲツトの製造方法Info
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- JPH0565629A JPH0565629A JP5515591A JP5515591A JPH0565629A JP H0565629 A JPH0565629 A JP H0565629A JP 5515591 A JP5515591 A JP 5515591A JP 5515591 A JP5515591 A JP 5515591A JP H0565629 A JPH0565629 A JP H0565629A
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 均一な合金相を含むＴｉーＷ系のスパッタリ
ング用ターゲットの製造方法の提供を目的とする。 【構成】 この製法では、Ｔｉ１０〜６０重量％、残部
がＷの混合物を加熱溶融し鋳造してタングステン母合金
とし、該母合金を不活性もしくは還元性のいずれかの雰
囲気中において粉砕し、その後所定量のＷ粉末を加えて
混合し成形・焼結する。また、Ｔｉ６０〜８０重量％、
残部がＷの混合物の場合には、得られたタングステン母
合金を時効処理する工程を上記の粉砕工程の前に加え
る。 【効果】 タングステン母合金の相を均一な合金相と
し、粉砕工程中の酸化を防止し、ターゲットの微視的な
均一性を大幅に向上させることができる。したがって、
半導体の歩留まりを大幅に向上させることができる。ま
た、タングステン母合金の塊を時効処理した場合では該
母合金の粉砕がきわめて容易になる。
ング用ターゲットの製造方法の提供を目的とする。 【構成】 この製法では、Ｔｉ１０〜６０重量％、残部
がＷの混合物を加熱溶融し鋳造してタングステン母合金
とし、該母合金を不活性もしくは還元性のいずれかの雰
囲気中において粉砕し、その後所定量のＷ粉末を加えて
混合し成形・焼結する。また、Ｔｉ６０〜８０重量％、
残部がＷの混合物の場合には、得られたタングステン母
合金を時効処理する工程を上記の粉砕工程の前に加え
る。 【効果】 タングステン母合金の相を均一な合金相と
し、粉砕工程中の酸化を防止し、ターゲットの微視的な
均一性を大幅に向上させることができる。したがって、
半導体の歩留まりを大幅に向上させることができる。ま
た、タングステン母合金の塊を時効処理した場合では該
母合金の粉砕がきわめて容易になる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、スパッタリング用タ
ーゲットの製造方法に係り、特に均一な合金相を含むＴ
ｉーＷ系のスパッタリング用ターゲットの製造方法に関
するものである。
ーゲットの製造方法に係り、特に均一な合金相を含むＴ
ｉーＷ系のスパッタリング用ターゲットの製造方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体産業、情報産業、光産業
等、及びこれらの周辺産業の進歩は、エレクトロニク
ス、とりわけ半導体工業の進歩により支えられていると
いっても過言ではない。半導体工業は微細加工技術及び
周辺技術により支えられており、これらの一つに半導体
プロセス技術において多用されるスパッタリング用ター
ゲット(以下、単にターゲットと略称する)がある。
等、及びこれらの周辺産業の進歩は、エレクトロニク
ス、とりわけ半導体工業の進歩により支えられていると
いっても過言ではない。半導体工業は微細加工技術及び
周辺技術により支えられており、これらの一つに半導体
プロセス技術において多用されるスパッタリング用ター
ゲット(以下、単にターゲットと略称する)がある。
【０００３】特に、半導体の集積化が進むにつれて微細
加工技術に要求される大きさもミクロンからサブミクロ
ン更にはナノメーターオーダーになりつつあり、前記タ
ーゲットの一つであるＴｉーＷ系のターゲットについて
もより高純度かつ均一な組成のものが要望されている。
加工技術に要求される大きさもミクロンからサブミクロ
ン更にはナノメーターオーダーになりつつあり、前記タ
ーゲットの一つであるＴｉーＷ系のターゲットについて
もより高純度かつ均一な組成のものが要望されている。
【０００４】このＴｉーＷ系ターゲットは、図２に示す
様な粉末冶金法により製造されるのが通例である。ま
ず、ターゲットの原料となるＴｉ、Ｗ各々を所定量秤量
する。通常、Ｔiは３Ｎ〜４Ｎの粉体、Ｗは５Ｎ程度の
粉体が好適に用いられる。次に、これらの各原料をボー
ルミル等の混合機により混合した後に、この混合粉体を
ゴム製の成形金型に充填し、冷間静水圧プレス（ＣＩ
Ｐ）により加圧・成形する。その後、得られた成形体を
ステンレススチール等の金属缶に封入し熱間静水圧プレ
ス（ＨＩＰ）を用いて焼結する。なお、上記の工程は、
ホットプレス（ＨＰ）を用いて上記の加圧・成形工程と
焼結工程を一つの工程で行ってもよい。上記の焼結体を
所定の形状に加工した後、ボンディング等の仕上加工が
なされて製品（ターゲット）とされる。
様な粉末冶金法により製造されるのが通例である。ま
ず、ターゲットの原料となるＴｉ、Ｗ各々を所定量秤量
する。通常、Ｔiは３Ｎ〜４Ｎの粉体、Ｗは５Ｎ程度の
粉体が好適に用いられる。次に、これらの各原料をボー
ルミル等の混合機により混合した後に、この混合粉体を
ゴム製の成形金型に充填し、冷間静水圧プレス（ＣＩ
Ｐ）により加圧・成形する。その後、得られた成形体を
ステンレススチール等の金属缶に封入し熱間静水圧プレ
ス（ＨＩＰ）を用いて焼結する。なお、上記の工程は、
ホットプレス（ＨＰ）を用いて上記の加圧・成形工程と
焼結工程を一つの工程で行ってもよい。上記の焼結体を
所定の形状に加工した後、ボンディング等の仕上加工が
なされて製品（ターゲット）とされる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のター
ゲットを用いてスパッタリングを行った場合に、スパッ
タリング時に異常放電が発生したり、また、できた半導
体製品にパーティクル（島状の異物）が多数発生し該半
導体の品質や歩留まりが大幅に低下する等の問題があっ
た。
ゲットを用いてスパッタリングを行った場合に、スパッ
タリング時に異常放電が発生したり、また、できた半導
体製品にパーティクル（島状の異物）が多数発生し該半
導体の品質や歩留まりが大幅に低下する等の問題があっ
た。
【０００６】従来の製造方法により製造されたターゲッ
トでは、粗大なＴｉ粒子の周囲を微細なＷ粒子が多数取
り囲んだ金属組織構造になっている。したがって、スパ
ッタリング時にターゲットの不均一性による異常放電が
発生したり、スパッタリングの際に粗大なＴｉ粒子が基
になってパーティクルが発生したり等様々な不具合が生
じることとなる。この発明は、上記の事情に鑑みてなさ
れたものであり、以上の問題点を有効に解決することが
できるＴｉーＷ系のスパッタリング用ターゲットの製造
方法を提供することにある。
トでは、粗大なＴｉ粒子の周囲を微細なＷ粒子が多数取
り囲んだ金属組織構造になっている。したがって、スパ
ッタリング時にターゲットの不均一性による異常放電が
発生したり、スパッタリングの際に粗大なＴｉ粒子が基
になってパーティクルが発生したり等様々な不具合が生
じることとなる。この発明は、上記の事情に鑑みてなさ
れたものであり、以上の問題点を有効に解決することが
できるＴｉーＷ系のスパッタリング用ターゲットの製造
方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明は次の様なスパッタリング用ターゲットの
製造方法を採用した。すなわち、請求項１記載のスパッ
タリング用ターゲットの製造方法としては、Ｔｉ１０〜
６０重量％、残部がＷよりなる混合物を加熱溶融し、得
られた溶融物を鋳造してタングステン母合金とし、該母
合金を不活性もしくは還元性のいずれかの雰囲気中にお
いて粉砕し、この粉砕した母合金に所定量のＷ粉末を加
えて混合し、その後成形・焼結することを特徴としてい
る。
に、この発明は次の様なスパッタリング用ターゲットの
製造方法を採用した。すなわち、請求項１記載のスパッ
タリング用ターゲットの製造方法としては、Ｔｉ１０〜
６０重量％、残部がＷよりなる混合物を加熱溶融し、得
られた溶融物を鋳造してタングステン母合金とし、該母
合金を不活性もしくは還元性のいずれかの雰囲気中にお
いて粉砕し、この粉砕した母合金に所定量のＷ粉末を加
えて混合し、その後成形・焼結することを特徴としてい
る。
【０００８】ここで、前記混合物を加熱溶融の後に鋳造
してタングステン母合金としたのは、前記溶融物をより
均一な母合金相とするためである。また、該母合金を不
活性もしくは還元性のいずれかの雰囲気中において粉砕
したのは、Ｗ自体の融点が極めて高い（常圧下で約３４
００℃）にもかかわらず粉体の状態では非常に酸化され
易いためである。
してタングステン母合金としたのは、前記溶融物をより
均一な母合金相とするためである。また、該母合金を不
活性もしくは還元性のいずれかの雰囲気中において粉砕
したのは、Ｗ自体の融点が極めて高い（常圧下で約３４
００℃）にもかかわらず粉体の状態では非常に酸化され
易いためである。
【０００９】また、請求項２記載のスパッタリング用タ
ーゲットの製造方法としては、Ｔｉ６０〜８０重量％、
残部がＷよりなる混合物を加熱溶融し、得られた溶融物
を鋳造してタングステン母合金とし、該母合金を時効処
理した後に不活性もしくは還元性のいずれかの雰囲気中
において粉砕し、この粉砕した母合金に所定量のＷ粉末
を加えて混合し、その後成形・焼結することを特徴とし
ている。
ーゲットの製造方法としては、Ｔｉ６０〜８０重量％、
残部がＷよりなる混合物を加熱溶融し、得られた溶融物
を鋳造してタングステン母合金とし、該母合金を時効処
理した後に不活性もしくは還元性のいずれかの雰囲気中
において粉砕し、この粉砕した母合金に所定量のＷ粉末
を加えて混合し、その後成形・焼結することを特徴とし
ている。
【００１０】ここで、前記母合金を時効処理したのは、
該母合金中に偏析相であるω相が析出し、粘りのある該
母合金に脆性を付与し粉砕を容易にするためである。
該母合金中に偏析相であるω相が析出し、粘りのある該
母合金に脆性を付与し粉砕を容易にするためである。
【００１１】
【作用】この発明の請求項１記載のスパッタリング用タ
ーゲットの製造方法では、Ｔｉが１０〜６０重量％、残
部がＷよりなる溶融物を鋳造してタングステン母合金と
することにより、ＴｉとＷからなる相は均一な合金相と
なる。また、該母合金を不活性もしくは還元性のいずれ
かの雰囲気中において粉砕することにより、該母合金が
粉砕工程中に酸化するのを防止する。また、この粉砕し
た母合金に所定量のＷ粉末を加えて混合することによ
り、Ｔｉをターゲット中に極めて均一に分散させる。
ーゲットの製造方法では、Ｔｉが１０〜６０重量％、残
部がＷよりなる溶融物を鋳造してタングステン母合金と
することにより、ＴｉとＷからなる相は均一な合金相と
なる。また、該母合金を不活性もしくは還元性のいずれ
かの雰囲気中において粉砕することにより、該母合金が
粉砕工程中に酸化するのを防止する。また、この粉砕し
た母合金に所定量のＷ粉末を加えて混合することによ
り、Ｔｉをターゲット中に極めて均一に分散させる。
【００１２】また、請求項２記載のスパッタリング用タ
ーゲットの製造方法では、Ｔｉが６０〜８０重量％、残
部がＷよりなる溶融物を鋳造してタングステン母合金と
することにより、ＴｉとＷからなる相は均一な合金相と
なる。また、該母合金を時効処理することにより該母合
金中に偏析相であるω相を析出させ、粘りのある該母合
金に脆性を付与し粉砕を容易にする。また、該母合金を
不活性もしくは還元性のいずれかの雰囲気中において粉
砕することにより、該母合金が粉砕工程中に酸化するの
を防止する。また、この粉砕した母合金に所定量のＷ粉
末を加えて混合することにより、Ｔｉをターゲット中に
極めて均一に分散させる。
ーゲットの製造方法では、Ｔｉが６０〜８０重量％、残
部がＷよりなる溶融物を鋳造してタングステン母合金と
することにより、ＴｉとＷからなる相は均一な合金相と
なる。また、該母合金を時効処理することにより該母合
金中に偏析相であるω相を析出させ、粘りのある該母合
金に脆性を付与し粉砕を容易にする。また、該母合金を
不活性もしくは還元性のいずれかの雰囲気中において粉
砕することにより、該母合金が粉砕工程中に酸化するの
を防止する。また、この粉砕した母合金に所定量のＷ粉
末を加えて混合することにより、Ｔｉをターゲット中に
極めて均一に分散させる。
【００１３】
【実施例】以下、この発明の一実施例について説明す
る。まず、図１に基づいて請求項１記載のスパッタリン
グ用ターゲット（以下、ターゲットと略称する）の製造
方法について説明する。
る。まず、図１に基づいて請求項１記載のスパッタリン
グ用ターゲット（以下、ターゲットと略称する）の製造
方法について説明する。
【００１４】（実施例１）表１に示す母合金の組成とな
る様にターゲットの原料Ｔｉ、Ｗをそれぞれ所定量秤量
した。原料としては、Ｔｉは５Ｎの金属塊、Ｗは５Ｎ〜
６Ｎの金属塊を用いた。次に、これらの原料を水冷銅ハ
ース（銅容器）中に充填し、このＴｉーＷの混合物に高
エネルギーの電子ビームを照射し加熱溶融した。電子ビ
ームは電子線加熱型を用い、加速電圧を２０ｋＶ、電子
流を１．０Ａとした。また、このときの混合物の溶融温
度は３０００℃であった。この加熱溶融の際にＴｉ−Ｗ
混合物中の不純物、例えばＷＯ3等が揮発除去されるた
めに、前記混合物は純化され５Ｎ以上の高純度の溶融物
となる。
る様にターゲットの原料Ｔｉ、Ｗをそれぞれ所定量秤量
した。原料としては、Ｔｉは５Ｎの金属塊、Ｗは５Ｎ〜
６Ｎの金属塊を用いた。次に、これらの原料を水冷銅ハ
ース（銅容器）中に充填し、このＴｉーＷの混合物に高
エネルギーの電子ビームを照射し加熱溶融した。電子ビ
ームは電子線加熱型を用い、加速電圧を２０ｋＶ、電子
流を１．０Ａとした。また、このときの混合物の溶融温
度は３０００℃であった。この加熱溶融の際にＴｉ−Ｗ
混合物中の不純物、例えばＷＯ3等が揮発除去されるた
めに、前記混合物は純化され５Ｎ以上の高純度の溶融物
となる。
【００１５】なお、上記電子ビームの替わりにプラズマ
ジェットを用いても全く同様に前記混合物を加熱溶融す
ることができた。また、ＴｉーＷの混合物をＣＩＰによ
り成形した後に加熱溶融しても勿論良い。得られた溶融
物を冷却し鋳造してタングステン母合金とした。次に、
Ａｒ雰囲気中において該母合金塊を微粉砕した。
ジェットを用いても全く同様に前記混合物を加熱溶融す
ることができた。また、ＴｉーＷの混合物をＣＩＰによ
り成形した後に加熱溶融しても勿論良い。得られた溶融
物を冷却し鋳造してタングステン母合金とした。次に、
Ａｒ雰囲気中において該母合金塊を微粉砕した。
【００１６】次に、上記により得られたタングステン母
合金の塊を不活性もしくは還元性のいずれかの雰囲気中
において微粉砕した。粉砕機としては粉砕工程中の不純
物の混入が極めて少ないことからジェットミルを用い
た。次に、表１に示すターゲットの組成になる様に該タ
ングステン母合金に所定量のＷ粉末を加えて混合し、得
られた混合粉体をゴム製の成形金型に充填し、ＣＩＰに
より２ｔｏｎ／ｃｍ2で加圧し、３００φ×１００ｍｍ
の成形体とした。次に、該成形体をステンレススチール
缶に封入し熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）により１ｔｏｎ
／ｃｍ2，１２００℃の条件の元で１時間焼結した。な
お、ホットプレス（ＨＰ）を用いて加圧・成形・焼結工
程を行っても全く同様に焼結することができた。上記の
焼結体を所定の形状に加工した後、ボンディング等の仕
上加工を行い、製品（ターゲット）とした。
合金の塊を不活性もしくは還元性のいずれかの雰囲気中
において微粉砕した。粉砕機としては粉砕工程中の不純
物の混入が極めて少ないことからジェットミルを用い
た。次に、表１に示すターゲットの組成になる様に該タ
ングステン母合金に所定量のＷ粉末を加えて混合し、得
られた混合粉体をゴム製の成形金型に充填し、ＣＩＰに
より２ｔｏｎ／ｃｍ2で加圧し、３００φ×１００ｍｍ
の成形体とした。次に、該成形体をステンレススチール
缶に封入し熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）により１ｔｏｎ
／ｃｍ2，１２００℃の条件の元で１時間焼結した。な
お、ホットプレス（ＨＰ）を用いて加圧・成形・焼結工
程を行っても全く同様に焼結することができた。上記の
焼結体を所定の形状に加工した後、ボンディング等の仕
上加工を行い、製品（ターゲット）とした。
【００１７】表１は、上記の製造方法によるターゲット
と従来の製造方法によるターゲット（比較例）各々の特
性を比較したものである。
と従来の製造方法によるターゲット（比較例）各々の特
性を比較したものである。
【表１】 表１から明らかな様に、この発明のターゲットでは、純
度、パーティクルの密度共に比較例と比べて大幅に向上
していることがわかる。
度、パーティクルの密度共に比較例と比べて大幅に向上
していることがわかる。
【００１８】この発明の製造方法によるターゲットで
は、ＴｉとＷからなる合金相は全体に均一に分散してお
り、従来の製造方法によるＴｉーＷ系のターゲットと比
較して微視的な均一性が大幅に向上している。
は、ＴｉとＷからなる合金相は全体に均一に分散してお
り、従来の製造方法によるＴｉーＷ系のターゲットと比
較して微視的な均一性が大幅に向上している。
【００１９】以上説明した様に、実施例１のターゲット
の製造方法では、ＴｉーＷの混合物に高エネルギーの電
子ビームもしくはプラズマジェットを照射して加熱溶融
し鋳造してタングステン母合金としたので、該タングス
テン母合金の相を均一な合金相とすることができる。ま
た、このタングステン母合金を不活性もしくは還元性の
いずれかの雰囲気中において微粉砕することとしたの
で、タングステン母合金が粉砕工程中に酸化するのを防
止することができ、したがって高純度のタングステン母
合金を製造することができる。
の製造方法では、ＴｉーＷの混合物に高エネルギーの電
子ビームもしくはプラズマジェットを照射して加熱溶融
し鋳造してタングステン母合金としたので、該タングス
テン母合金の相を均一な合金相とすることができる。ま
た、このタングステン母合金を不活性もしくは還元性の
いずれかの雰囲気中において微粉砕することとしたの
で、タングステン母合金が粉砕工程中に酸化するのを防
止することができ、したがって高純度のタングステン母
合金を製造することができる。
【００２０】また、この粉砕したタングステン母合金に
所定量のＷ粉末を加えて混合し、その後成形・焼結する
こととしたので、Ｔｉをターゲット中に極めて均一に分
散させることができ、ターゲットの微視的な均一性を大
幅に向上させることができ、スパッタリングする際のパ
ーティクルの発生を防止することができる。したがっ
て、半導体の品質や歩留まりを大幅に向上させることが
できる。
所定量のＷ粉末を加えて混合し、その後成形・焼結する
こととしたので、Ｔｉをターゲット中に極めて均一に分
散させることができ、ターゲットの微視的な均一性を大
幅に向上させることができ、スパッタリングする際のパ
ーティクルの発生を防止することができる。したがっ
て、半導体の品質や歩留まりを大幅に向上させることが
できる。
【００２１】次に、図１に基づいて請求項２記載のター
ゲットの製造方法について説明する。 （実施例２）このターゲットの製造方法が、実施例１の
ターゲットの製造方法と異なる点は、表２に示す様にＴ
ｉ、Ｗをそれぞれ所定量秤量する際に、Ｔｉが６０〜８
０重量％となるようにＴｉとＷの量をそれぞれ調製する
点と、得られたタングステン母合金の塊を時効処理した
後に、不活性もしくは還元性のいずれかの雰囲気中にお
いて微粉砕する点である。
ゲットの製造方法について説明する。 （実施例２）このターゲットの製造方法が、実施例１の
ターゲットの製造方法と異なる点は、表２に示す様にＴ
ｉ、Ｗをそれぞれ所定量秤量する際に、Ｔｉが６０〜８
０重量％となるようにＴｉとＷの量をそれぞれ調製する
点と、得られたタングステン母合金の塊を時効処理した
後に、不活性もしくは還元性のいずれかの雰囲気中にお
いて微粉砕する点である。
【００２２】ここでは、下記の条件の下に時効処理を行
った。 時効条件 温 度： ６００℃ 時 間： １５ｈｒ． 雰囲気： 真空中（１×１０-4Ｔｏｒｒ）
った。 時効条件 温 度： ６００℃ 時 間： １５ｈｒ． 雰囲気： 真空中（１×１０-4Ｔｏｒｒ）
【００２３】上記の母合金はＴｉに富んでいるために、
時効処理することにより該母合金中に偏析相であるω相
が析出することとなる。前記母合金は非常に粘りがあり
粉砕が極めて困難なものであるが、前記母合金を時効処
理することにより、該母合金中にω相が網の目の様に生
じ、このω相が粘りのある該母合金に脆性を付与し粉砕
を容易にする。したがって、時効処理されたタングステ
ン母合金は極めて容易に微粉砕することができる。
時効処理することにより該母合金中に偏析相であるω相
が析出することとなる。前記母合金は非常に粘りがあり
粉砕が極めて困難なものであるが、前記母合金を時効処
理することにより、該母合金中にω相が網の目の様に生
じ、このω相が粘りのある該母合金に脆性を付与し粉砕
を容易にする。したがって、時効処理されたタングステ
ン母合金は極めて容易に微粉砕することができる。
【００２４】表２は、上記の製造方法によるターゲット
と従来の製造方法によるターゲット（比較例）各々の特
性を比較したものである。
と従来の製造方法によるターゲット（比較例）各々の特
性を比較したものである。
【表２】 表２から明らかな様に、この発明のターゲットでは、純
度、パーティクルの密度共に比較例と比べて大幅に向上
していることがわかる。
度、パーティクルの密度共に比較例と比べて大幅に向上
していることがわかる。
【００２５】この発明の製造方法によるターゲットで
は、ＴｉとＷからなる合金相は焼結体全体に均一に分散
しており、従来の製造方法により製造されたＴｉーＷ系
のターゲットと比較して微視的な均一性が大幅に向上し
ている。
は、ＴｉとＷからなる合金相は焼結体全体に均一に分散
しており、従来の製造方法により製造されたＴｉーＷ系
のターゲットと比較して微視的な均一性が大幅に向上し
ている。
【００２６】以上説明した様に、実施例２のターゲット
の製造方法では、Ｔｉを多量に含むＴｉーＷの混合物に
高エネルギーの電子ビームもしくはプラズマジェットを
照射して加熱溶融し鋳造してタングステン母合金とした
ので、該母合金の相を均一な合金相とすることができ
る。また、得られたタングステン母合金の塊を時効処理
した後に、不活性もしくは還元性のいずれかの雰囲気中
において微粉砕することとしたので、該母合金中に脆い
ω相を生じさせてこの母合金の粉砕を容易にすることが
できる。また、微粉砕の工程中にタングステン母合金が
酸化されるのを防止することができ、したがって高純度
のターゲットを製造することができる。
の製造方法では、Ｔｉを多量に含むＴｉーＷの混合物に
高エネルギーの電子ビームもしくはプラズマジェットを
照射して加熱溶融し鋳造してタングステン母合金とした
ので、該母合金の相を均一な合金相とすることができ
る。また、得られたタングステン母合金の塊を時効処理
した後に、不活性もしくは還元性のいずれかの雰囲気中
において微粉砕することとしたので、該母合金中に脆い
ω相を生じさせてこの母合金の粉砕を容易にすることが
できる。また、微粉砕の工程中にタングステン母合金が
酸化されるのを防止することができ、したがって高純度
のターゲットを製造することができる。
【００２７】また、この粉砕したタングステン母合金に
所定量のＷ粉末を加えて混合し、その後成形・焼結する
こととしたので、Ｔiをターゲット中に極めて均一に分
散させることができ、ターゲットの微視的な均一性を大
幅に向上させることができ、スパッタリングする際のパ
ーティクルの発生を防止することができる。したがっ
て、半導体の品質や歩留まりを大幅に向上させることが
できる。
所定量のＷ粉末を加えて混合し、その後成形・焼結する
こととしたので、Ｔiをターゲット中に極めて均一に分
散させることができ、ターゲットの微視的な均一性を大
幅に向上させることができ、スパッタリングする際のパ
ーティクルの発生を防止することができる。したがっ
て、半導体の品質や歩留まりを大幅に向上させることが
できる。
【００２８】
【発明の効果】以上説明した様に、この発明の請求項１
記載のスパッタリング用ターゲットの製造方法では、Ｔ
ｉ１０〜６０重量％、残部がＷよりなる混合物を加熱溶
融し鋳造してタングステン母合金としたので、該タング
ステン母合金の相を均一な合金相とすることができる。
また、このタングステン母合金を不活性もしくは還元性
のいずれかの雰囲気中において微粉砕することとしたの
で、該タングステン母合金が粉砕工程中に酸化するのを
防止することができ、したがって高純度のターゲットを
製造することができる。
記載のスパッタリング用ターゲットの製造方法では、Ｔ
ｉ１０〜６０重量％、残部がＷよりなる混合物を加熱溶
融し鋳造してタングステン母合金としたので、該タング
ステン母合金の相を均一な合金相とすることができる。
また、このタングステン母合金を不活性もしくは還元性
のいずれかの雰囲気中において微粉砕することとしたの
で、該タングステン母合金が粉砕工程中に酸化するのを
防止することができ、したがって高純度のターゲットを
製造することができる。
【００２９】また、この粉砕したタングステン母合金に
所定量のＷ粉末を加えて混合し、その後成形・焼結する
こととしたので、Ｔｉをターゲット中に極めて均一に分
散させることができ、ターゲットの微視的な均一性を大
幅に向上させることができ、スパッタリングする際のパ
ーティクルの発生を防止することができる。したがっ
て、半導体の品質や歩留まりを大幅に向上させることが
できる。
所定量のＷ粉末を加えて混合し、その後成形・焼結する
こととしたので、Ｔｉをターゲット中に極めて均一に分
散させることができ、ターゲットの微視的な均一性を大
幅に向上させることができ、スパッタリングする際のパ
ーティクルの発生を防止することができる。したがっ
て、半導体の品質や歩留まりを大幅に向上させることが
できる。
【００３０】また、請求項２記載のスパッタリング用タ
ーゲットの製造方法では、Ｔｉ６０〜８０重量％、残部
がＷよりなる混合物を加熱溶融し、得られた溶融物を鋳
造してタングステン母合金としたので、該タングステン
母合金の相をＴｉを多量に含む均一な合金相とすること
ができる。また、得られたタングステン母合金の塊を時
効処理した後に、不活性もしくは還元性のいずれかの雰
囲気中において微粉砕することとしたので、該タングス
テン母合金中に脆いω相を生じさせてこのタングステン
母合金の粉砕を容易にすることができる。また、微粉砕
の工程中にタングステン母合金が酸化されるのを防止す
ることができ、したがって高純度のターゲットを製造す
ることができる。
ーゲットの製造方法では、Ｔｉ６０〜８０重量％、残部
がＷよりなる混合物を加熱溶融し、得られた溶融物を鋳
造してタングステン母合金としたので、該タングステン
母合金の相をＴｉを多量に含む均一な合金相とすること
ができる。また、得られたタングステン母合金の塊を時
効処理した後に、不活性もしくは還元性のいずれかの雰
囲気中において微粉砕することとしたので、該タングス
テン母合金中に脆いω相を生じさせてこのタングステン
母合金の粉砕を容易にすることができる。また、微粉砕
の工程中にタングステン母合金が酸化されるのを防止す
ることができ、したがって高純度のターゲットを製造す
ることができる。
【００３１】また、この粉砕したタングステン母合金に
所定量のＷ粉末を加えて混合し、その後成形・焼結する
こととしたので、Ｔｉをターゲット中に極めて均一に分
散させることができ、ターゲットの微視的な均一性を大
幅に向上させることができ、スパッタリングする際のパ
ーティクルの発生を防止することができる。したがっ
て、半導体の品質や歩留まりを大幅に向上させることが
できる。
所定量のＷ粉末を加えて混合し、その後成形・焼結する
こととしたので、Ｔｉをターゲット中に極めて均一に分
散させることができ、ターゲットの微視的な均一性を大
幅に向上させることができ、スパッタリングする際のパ
ーティクルの発生を防止することができる。したがっ
て、半導体の品質や歩留まりを大幅に向上させることが
できる。
【図１】本発明のスパッタリング用ターゲットの製造方
法を示す工程図である。
法を示す工程図である。
【図２】従来のスパッタリング用ターゲットの製造方法
を示す工程図である。
を示す工程図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 杉内 幸也 兵庫県三田市テクノパーク12−６ 三菱マ テリアル株式会社三田工場内
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｔｉ１０〜６０重量％、残部がＷよりな
る混合物を加熱溶融し、得られた溶融物を鋳造してタン
グステン母合金とし、該母合金を不活性もしくは還元性
のいずれかの雰囲気中において粉砕し、この粉砕した母
合金に所定量のＷ粉末を加えて混合し、その後成形・焼
結することを特徴とするスパッタリング用ターゲットの
製造方法。 - 【請求項２】 Ｔｉ６０〜８０重量％、残部がＷよりな
る混合物を加熱溶融し、得られた溶融物を鋳造してタン
グステン母合金とし、該母合金を時効処理した後に不活
性もしくは還元性のいずれかの雰囲気中において粉砕
し、この粉砕した母合金に所定量のＷ粉末を加えて混合
し、その後成形・焼結することを特徴とするスパッタリ
ング用ターゲットの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5515591A JPH0565629A (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | スパツタリング用ターゲツトの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5515591A JPH0565629A (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | スパツタリング用ターゲツトの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0565629A true JPH0565629A (ja) | 1993-03-19 |
Family
ID=12990860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5515591A Withdrawn JPH0565629A (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | スパツタリング用ターゲツトの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0565629A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999005332A1 (en) * | 1997-07-25 | 1999-02-04 | Dynamet Technology, Inc. | Titanium materials containing tungsten |
| WO2016052371A1 (ja) * | 2014-09-30 | 2016-04-07 | Ｊｘ金属株式会社 | スパッタリングターゲット用母合金及びスパッタリングターゲットの製造方法 |
| TWI684660B (zh) * | 2018-03-27 | 2020-02-11 | 日商日立金屬股份有限公司 | TiW合金靶材及其製造方法 |
| CN111230129A (zh) * | 2020-03-18 | 2020-06-05 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种钨钛混粉方法 |
-
1991
- 1991-03-19 JP JP5515591A patent/JPH0565629A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999005332A1 (en) * | 1997-07-25 | 1999-02-04 | Dynamet Technology, Inc. | Titanium materials containing tungsten |
| WO2016052371A1 (ja) * | 2014-09-30 | 2016-04-07 | Ｊｘ金属株式会社 | スパッタリングターゲット用母合金及びスパッタリングターゲットの製造方法 |
| JPWO2016052371A1 (ja) * | 2014-09-30 | 2017-06-08 | Ｊｘ金属株式会社 | スパッタリングターゲット用母合金及びスパッタリングターゲットの製造方法 |
| CN107075666A (zh) * | 2014-09-30 | 2017-08-18 | 捷客斯金属株式会社 | 溅射靶用母合金和溅射靶的制造方法 |
| TWI661064B (zh) * | 2014-09-30 | 2019-06-01 | 日商Ｊｘ日鑛日石金屬股份有限公司 | Master alloy for sputtering target, sputtering target and manufacturing method thereof |
| US10704137B2 (en) | 2014-09-30 | 2020-07-07 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Master alloy for sputtering target and method for producing sputtering target |
| TWI684660B (zh) * | 2018-03-27 | 2020-02-11 | 日商日立金屬股份有限公司 | TiW合金靶材及其製造方法 |
| CN111230129A (zh) * | 2020-03-18 | 2020-06-05 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种钨钛混粉方法 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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