JP2001295036A - タングステンスパッタリングターゲットおよびその製造方法 - Google Patents
タングステンスパッタリングターゲットおよびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】スパッタリング時におけるパーティクルの発生
を低減でき、しかも比抵抗が低いスパッタ膜を形成する
ことが可能であり、かつ高密度で低コストのタングステ
ンスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供
する。 【解決手段】モリブデン（Ｍｏ）含有量が５ｐｐｍ以上
１００ｐｐｍ以下であることを特徴とするタングステン
スパッタリングターゲットである。上記モリブデン（Ｍ
ｏ）含有量は１０〜５０ｐｐｍであることがより好まし
い。さらに、炭素（Ｃ）および酸素（Ｏ）の含有量がそ
れぞれ１００ｐｐｍ以下であることがより好ましい。
を低減でき、しかも比抵抗が低いスパッタ膜を形成する
ことが可能であり、かつ高密度で低コストのタングステ
ンスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供
する。 【解決手段】モリブデン（Ｍｏ）含有量が５ｐｐｍ以上
１００ｐｐｍ以下であることを特徴とするタングステン
スパッタリングターゲットである。上記モリブデン（Ｍ
ｏ）含有量は１０〜５０ｐｐｍであることがより好まし
い。さらに、炭素（Ｃ）および酸素（Ｏ）の含有量がそ
れぞれ１００ｐｐｍ以下であることがより好ましい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体デバイス等に
使用される電極や配線を形成するために用いられるタン
グステンスパッタリングターゲットおよびその製造方法
に係り、特にスパッタリング時におけるパーティクルの
発生を低減でき、しかも比抵抗が低いスパッタ膜を形成
することが可能であり、かつ高密度で低コストのタング
ステンスパッタリングターゲットおよびその製造方法に
関する。
使用される電極や配線を形成するために用いられるタン
グステンスパッタリングターゲットおよびその製造方法
に係り、特にスパッタリング時におけるパーティクルの
発生を低減でき、しかも比抵抗が低いスパッタ膜を形成
することが可能であり、かつ高密度で低コストのタング
ステンスパッタリングターゲットおよびその製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】近年の電子技術の進展によりＬＳＩ（大
規模集積回路）の高集積化、高出力化，高速化が急速に
進行している。このようなＬＳＩの高集積化により、電
極幅および配線幅の減少と配線長の増大とが必至とな
り、配線材料の電気抵抗による信号遅延が顕著になり高
速化が阻害されてデバイス機能が低下する弊害が起こる
ため、より電気抵抗が小さい配線材料が希求されてい
る。
規模集積回路）の高集積化、高出力化，高速化が急速に
進行している。このようなＬＳＩの高集積化により、電
極幅および配線幅の減少と配線長の増大とが必至とな
り、配線材料の電気抵抗による信号遅延が顕著になり高
速化が阻害されてデバイス機能が低下する弊害が起こる
ため、より電気抵抗が小さい配線材料が希求されてい
る。
【０００３】上記配線材料としては、特に現用の高温プ
ロセスにおいて優れた耐久性を有し、電気抵抗値が低い
タングステンやモリブデンなどの高融点金属材料が有望
である。タングステン膜やモリブデン膜は、スパッタリ
ング法およびＣＶＤ（化学的蒸着）法などで形成される
が、成膜の量産性および安定性の観点で有利なスパッタ
リング法が一般的に採用されている。このスパッタリン
グ法は、高速のアルゴンイオンを高純度タングステンタ
ーゲットに衝突させて微細なタングステン粒子をたたき
出し、この放出されたタングステン粒子等を対向電極上
に配置したＳｉウエハー基板表面に堆積させて所定厚さ
の薄膜を形成する方法である。この薄膜をドライエッチ
ングなどの配線加工方法により処理することにより、所
定の電極や配線パターンが形成される。
ロセスにおいて優れた耐久性を有し、電気抵抗値が低い
タングステンやモリブデンなどの高融点金属材料が有望
である。タングステン膜やモリブデン膜は、スパッタリ
ング法およびＣＶＤ（化学的蒸着）法などで形成される
が、成膜の量産性および安定性の観点で有利なスパッタ
リング法が一般的に採用されている。このスパッタリン
グ法は、高速のアルゴンイオンを高純度タングステンタ
ーゲットに衝突させて微細なタングステン粒子をたたき
出し、この放出されたタングステン粒子等を対向電極上
に配置したＳｉウエハー基板表面に堆積させて所定厚さ
の薄膜を形成する方法である。この薄膜をドライエッチ
ングなどの配線加工方法により処理することにより、所
定の電極や配線パターンが形成される。
【０００４】近年、ＬＳＩなどの半導体デバイスの製造
効率を高めるためにＳｉウエハーが大口径化される傾向
にあり、これに伴って成膜時に使用されるタングステン
スパッタリングターゲットも大型化が進められている。
また、製品歩留りおよび信頼性を向上させる観点から、
スパッタリングターゲットには下記のような技術的要求
がなされる。すなわち、スパッタ時においてパーティク
ルの発生が少ないこと、高密度であること、そして半導
体メーカー相互の競争が激化している背景から低コスト
であること、などの技術的要求が従来からなされてい
る。
効率を高めるためにＳｉウエハーが大口径化される傾向
にあり、これに伴って成膜時に使用されるタングステン
スパッタリングターゲットも大型化が進められている。
また、製品歩留りおよび信頼性を向上させる観点から、
スパッタリングターゲットには下記のような技術的要求
がなされる。すなわち、スパッタ時においてパーティク
ルの発生が少ないこと、高密度であること、そして半導
体メーカー相互の競争が激化している背景から低コスト
であること、などの技術的要求が従来からなされてい
る。
【０００５】上記技術的要求に対応する手段として、こ
れまでに下記のような対応策が提示されている。例え
ば、特許第２７５７２８７号公報は、平均粒径が１０μ
ｍ以下の微細組織を有し、かつ相対密度が９９％以上で
あるタングステンターゲットが開示されている。
れまでに下記のような対応策が提示されている。例え
ば、特許第２７５７２８７号公報は、平均粒径が１０μ
ｍ以下の微細組織を有し、かつ相対密度が９９％以上で
あるタングステンターゲットが開示されている。
【０００６】一方、特開平５−９３２６７号公報には、
炭素量が５０ｐｐｍ以下で酸素量が３０μｍ以下で相対
密度が９７％以上であり、結晶粒がほぼ一定方向に圧潰
された形状を有することを特徴とする半導体用タングス
テンターゲットが開示されている。
炭素量が５０ｐｐｍ以下で酸素量が３０μｍ以下で相対
密度が９７％以上であり、結晶粒がほぼ一定方向に圧潰
された形状を有することを特徴とする半導体用タングス
テンターゲットが開示されている。
【０００７】また、特許第２６４６０５８号公報には、
タングステン焼結体の圧延材であって、結晶粒径が３０
〜３００μｍのタングステン粒子を有するとともに、Ｈ
ｖ硬度で３６０〜４００の範囲内の硬度と、９９．０％
以上の相対密度とを有し、上記タングステン粒子が細長
い結晶粒子から成り、かつその並び方が結晶の長さ方向
が板面に沿っている横並び配列であることを特徴とする
タングステンターゲット材が開示されている。
タングステン焼結体の圧延材であって、結晶粒径が３０
〜３００μｍのタングステン粒子を有するとともに、Ｈ
ｖ硬度で３６０〜４００の範囲内の硬度と、９９．０％
以上の相対密度とを有し、上記タングステン粒子が細長
い結晶粒子から成り、かつその並び方が結晶の長さ方向
が板面に沿っている横並び配列であることを特徴とする
タングステンターゲット材が開示されている。
【０００８】一方、特開平７−７６７７１号公報には、
タングステン粉末焼結体を水素雰囲気で２０００℃以上
に加熱し、その後圧延することにより、相対密度が９
９．５％以上であり、また平均粒径が１０μｍを超え２
００μｍ以下であり、酸素含有量が２０ｐｐｍ以下であ
り、炭素含有量が３０ｐｐｍ以下であり、他の不純物の
合計含有量が１０ｐｐｍ以下であり、ウラン（Ｕ）およ
びトリウム（Ｔｈ）の各含有量が０．１ｐｐｂ以下であ
るタングステンターゲットが記載されている。
タングステン粉末焼結体を水素雰囲気で２０００℃以上
に加熱し、その後圧延することにより、相対密度が９
９．５％以上であり、また平均粒径が１０μｍを超え２
００μｍ以下であり、酸素含有量が２０ｐｐｍ以下であ
り、炭素含有量が３０ｐｐｍ以下であり、他の不純物の
合計含有量が１０ｐｐｍ以下であり、ウラン（Ｕ）およ
びトリウム（Ｔｈ）の各含有量が０．１ｐｐｂ以下であ
るタングステンターゲットが記載されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記公
報に記載されているような粗大な結晶粒径や細長い結晶
形状を有するタングステンターゲットをスパッタリング
した場合には、結晶粒の異方性のため均一な組成の膜が
形成できないという問題点があった。またスパッタ時に
おいてパーティクルが発生し易く、このパーティクルが
成膜中に混入して配線膜の断線や短絡を生じ、製品の製
造歩留りを低下させ、半導体デバイスの動作信頼性を大
きく損う原因となっていた。
報に記載されているような粗大な結晶粒径や細長い結晶
形状を有するタングステンターゲットをスパッタリング
した場合には、結晶粒の異方性のため均一な組成の膜が
形成できないという問題点があった。またスパッタ時に
おいてパーティクルが発生し易く、このパーティクルが
成膜中に混入して配線膜の断線や短絡を生じ、製品の製
造歩留りを低下させ、半導体デバイスの動作信頼性を大
きく損う原因となっていた。
【００１０】近年、半導体デバイスの高集積化および高
速化がさらに進展し、タングステン電極，配線等を形成
するタングステン膜に関して、さらにパーティクルを低
減するとともに成膜の比抵抗の低減化による信頼性向上
と、さらに低コストなターゲットを安定して供給するこ
とが技術的な課題となっている。しかしながら、前記の
ような従来のタングステンターゲットでは上記の技術的
な課題を全て解消するまでには至っていない。
速化がさらに進展し、タングステン電極，配線等を形成
するタングステン膜に関して、さらにパーティクルを低
減するとともに成膜の比抵抗の低減化による信頼性向上
と、さらに低コストなターゲットを安定して供給するこ
とが技術的な課題となっている。しかしながら、前記の
ような従来のタングステンターゲットでは上記の技術的
な課題を全て解消するまでには至っていない。
【００１１】本発明は上記課題を解決するためになされ
たものであり、スパッタリング時におけるパーティクル
の発生を低減でき、しかも比抵抗が低いスパッタ膜を形
成することが可能であり、かつ高密度で低コストのタン
グステンスパッタリングターゲットおよびその製造方法
を提供することを目的とする。
たものであり、スパッタリング時におけるパーティクル
の発生を低減でき、しかも比抵抗が低いスパッタ膜を形
成することが可能であり、かつ高密度で低コストのタン
グステンスパッタリングターゲットおよびその製造方法
を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本願発明者らは上記目的
を達成するために、各種添加物を配合したタングステン
粉末を用いて種々のターゲットを調製し、添加物の種類
および含有量がターゲットの特性に及ぼす影響を比較検
討した。その結果、特にタングステン原料粉末に微量の
モリブデン（Ｍｏ）を添加することにより、タングステ
ン粉末成形体の焼結性が著しく向上し高密度のタングス
テンターゲットが得られ、しかもターゲットを構成する
タングステン粒子の結晶成長が効果的に抑止できるとと
もに、スパッタリング時におけるパーティクルの発生量
を大幅に低減できるという知見を得た。本発明は上記知
見に基づいて完成されたものである。
を達成するために、各種添加物を配合したタングステン
粉末を用いて種々のターゲットを調製し、添加物の種類
および含有量がターゲットの特性に及ぼす影響を比較検
討した。その結果、特にタングステン原料粉末に微量の
モリブデン（Ｍｏ）を添加することにより、タングステ
ン粉末成形体の焼結性が著しく向上し高密度のタングス
テンターゲットが得られ、しかもターゲットを構成する
タングステン粒子の結晶成長が効果的に抑止できるとと
もに、スパッタリング時におけるパーティクルの発生量
を大幅に低減できるという知見を得た。本発明は上記知
見に基づいて完成されたものである。
【００１３】すなわち、本発明に係るタングステンスパ
ッタリングターゲットは、モリブデン（Ｍｏ）含有量が
５ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下であることを特徴とす
る。また、モリブデン（Ｍｏ）含有量が１０〜５０ｐｐ
ｍであることがより好ましい。
ッタリングターゲットは、モリブデン（Ｍｏ）含有量が
５ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下であることを特徴とす
る。また、モリブデン（Ｍｏ）含有量が１０〜５０ｐｐ
ｍであることがより好ましい。
【００１４】さらに、炭素（Ｃ）および酸素（Ｏ）の含
有量がそれぞれ１００ｐｐｍ以下であることが好まし
く、また、ウラン（Ｕ）およびトリウム（Ｔｈ）の含有
量がそれぞれ１ｐｐｂ以下であることが望ましい。さら
にターゲットの相対密度が９５％以上であり、タングス
テン結晶の平均粒径が１０μｍを超え、３００μｍ以下
であることが望ましい。
有量がそれぞれ１００ｐｐｍ以下であることが好まし
く、また、ウラン（Ｕ）およびトリウム（Ｔｈ）の含有
量がそれぞれ１ｐｐｂ以下であることが望ましい。さら
にターゲットの相対密度が９５％以上であり、タングス
テン結晶の平均粒径が１０μｍを超え、３００μｍ以下
であることが望ましい。
【００１５】また、本発明に係るタングステンスパッタ
リングターゲットの製造方法は、純度９９．９９９％以
上の高純度タングステン粉末を、モリブデン製ボールミ
ル中で粉砕することによりモリブデン含有量が５〜１０
０ｐｐｍであり、平均粒径が３〜５μｍとなるように調
整し、得られたタングステン粉末の成形体を真空中また
は不活性ガス雰囲気中で加圧焼結することを特徴とす
る。
リングターゲットの製造方法は、純度９９．９９９％以
上の高純度タングステン粉末を、モリブデン製ボールミ
ル中で粉砕することによりモリブデン含有量が５〜１０
０ｐｐｍであり、平均粒径が３〜５μｍとなるように調
整し、得られたタングステン粉末の成形体を真空中また
は不活性ガス雰囲気中で加圧焼結することを特徴とす
る。
【００１６】上記製造方法において、上記成形体は冷間
静水圧プレス法（ＣＩＰ法）によって調製することが好
ましく、さらに、上記加圧焼結は熱間静水圧プレス法
（ＨＩＰ法）によって実施するが好ましい。
静水圧プレス法（ＣＩＰ法）によって調製することが好
ましく、さらに、上記加圧焼結は熱間静水圧プレス法
（ＨＩＰ法）によって実施するが好ましい。
【００１７】ここで、ターゲット中に添加されるモリブ
デン（Ｍｏ）は、タングステン成形体の焼結性を向上し
高密度化を達成し、さらにタングステンの結晶成長を抑
止してパーティクルの発生を低減する効果をもたらすも
のであり、本願発明においてモリブデンの添加量は５〜
１００ｐｐｍの範囲に規定される。モリブデン含有量が
５ｐｐｍ未満の場合には上記のような添加効果が不十分
となる一方、含有量が１００ｐｐｍを超えると、このタ
ーゲットを使用して形成される膜の比抵抗が高くなる。
したがって、モリブデン含有量は上記範囲に規定される
が、１０〜５０ｐｐｍの範囲がより好ましい。
デン（Ｍｏ）は、タングステン成形体の焼結性を向上し
高密度化を達成し、さらにタングステンの結晶成長を抑
止してパーティクルの発生を低減する効果をもたらすも
のであり、本願発明においてモリブデンの添加量は５〜
１００ｐｐｍの範囲に規定される。モリブデン含有量が
５ｐｐｍ未満の場合には上記のような添加効果が不十分
となる一方、含有量が１００ｐｐｍを超えると、このタ
ーゲットを使用して形成される膜の比抵抗が高くなる。
したがって、モリブデン含有量は上記範囲に規定される
が、１０〜５０ｐｐｍの範囲がより好ましい。
【００１８】ターゲット中に含有される炭素（Ｃ）およ
び酸素（Ｏ）は、モリブデン元素と結合してモリブデン
の添加効果を阻害し易いため、これらの混入を防止する
ことが必要である。本発明において、炭素および酸素の
含有量はそれぞれ１００ｐｐｍ以下に規定することがよ
り好ましい。
び酸素（Ｏ）は、モリブデン元素と結合してモリブデン
の添加効果を阻害し易いため、これらの混入を防止する
ことが必要である。本発明において、炭素および酸素の
含有量はそれぞれ１００ｐｐｍ以下に規定することがよ
り好ましい。
【００１９】同様にタングステン粉末中にウラン（Ｕ）
やトリウム（Ｔｈ）が存在すると、成形体を焼結する際
にモリブデンが取り込まれ易く、モリブデンの添加効果
が阻害されるため、これらの元素成分を低減する必要が
ある。本願発明では上記ウランおよびトリウムの含有量
はそれぞれ１ｐｐｂ以下であることが好ましい。
やトリウム（Ｔｈ）が存在すると、成形体を焼結する際
にモリブデンが取り込まれ易く、モリブデンの添加効果
が阻害されるため、これらの元素成分を低減する必要が
ある。本願発明では上記ウランおよびトリウムの含有量
はそれぞれ１ｐｐｂ以下であることが好ましい。
【００２０】また、ターゲットの相対密度は９５％以上
であり、タングステン結晶の平均粒径が１０μｍを超え
３００μｍ以下であることが好ましい。上記相対密度が
９５％未満に低下するとモリブデンを添加してもスパッ
タ放電が非常に不安定になり、異常放電を起こし易くパ
ーティクルの発生量が増大し製品の歩留りが低下する。
またターゲットの相対密度を高めるためには、ターゲッ
トを構成するタングステン結晶を、ある程度まで粒成長
させて焼結孔を潰す必要ある。そのため、タングステン
結晶の平均粒径は１０μｍを超えるように調整するとと
もに、モリブデンの添加効果により３００μｍ以下にす
ることが、より好ましい。
であり、タングステン結晶の平均粒径が１０μｍを超え
３００μｍ以下であることが好ましい。上記相対密度が
９５％未満に低下するとモリブデンを添加してもスパッ
タ放電が非常に不安定になり、異常放電を起こし易くパ
ーティクルの発生量が増大し製品の歩留りが低下する。
またターゲットの相対密度を高めるためには、ターゲッ
トを構成するタングステン結晶を、ある程度まで粒成長
させて焼結孔を潰す必要ある。そのため、タングステン
結晶の平均粒径は１０μｍを超えるように調整するとと
もに、モリブデンの添加効果により３００μｍ以下にす
ることが、より好ましい。
【００２１】次に本発明に係るタングステンスパッタリ
ングターゲットの製造方法について以下に詳細に説明す
る。タングステン原料粉末としては、ターゲット自体お
よびそのターゲットを使用して形成される成膜に高純度
性が要求されるため、可及的に高純度であることが望ま
しく、具体的には９９．９９９％（５Ｎ）以上の純度を
有することが望ましい。また、タングステン原料粉末の
粒度は、フィッシャー粒度による平均粒径で１〜５μｍ
の粉末を用いることが好ましい。タングステン原料粉末
の平均粒径が１μｍ未満と微細になると、粉砕工程や混
合撹拌工程等の段階で酸化し易くなり、また粉末表面に
吸着した酸素，炭素やその他の不純物ガスを焼結時に除
去することが困難になる。一方、タングステン原料粉末
の平均粒径が５μｍを超えるように粗大になると、長時
間の焼結操作を行っても高密度のターゲットを得ること
が困難になる。したがって、タングステン原料粉末の平
均粒径は、上記のように１〜５μｍに規定されるが、１
〜２μｍの範囲がより好ましい。
ングターゲットの製造方法について以下に詳細に説明す
る。タングステン原料粉末としては、ターゲット自体お
よびそのターゲットを使用して形成される成膜に高純度
性が要求されるため、可及的に高純度であることが望ま
しく、具体的には９９．９９９％（５Ｎ）以上の純度を
有することが望ましい。また、タングステン原料粉末の
粒度は、フィッシャー粒度による平均粒径で１〜５μｍ
の粉末を用いることが好ましい。タングステン原料粉末
の平均粒径が１μｍ未満と微細になると、粉砕工程や混
合撹拌工程等の段階で酸化し易くなり、また粉末表面に
吸着した酸素，炭素やその他の不純物ガスを焼結時に除
去することが困難になる。一方、タングステン原料粉末
の平均粒径が５μｍを超えるように粗大になると、長時
間の焼結操作を行っても高密度のターゲットを得ること
が困難になる。したがって、タングステン原料粉末の平
均粒径は、上記のように１〜５μｍに規定されるが、１
〜２μｍの範囲がより好ましい。
【００２２】タングステン原料粉末に所定量のモリブデ
ンを添加する目的で、モリブデン製の粉砕ボールおよび
ポットを有するボールミルによりタングステン原料粉末
の混合粉砕を行うことが好ましい。この混合粉砕工程に
おいて、粉砕ボールの形状や重量、粉砕時間を適正に制
御することにより、粉砕ボールおよびポットからモリブ
デン成分がタングステン原料粉末に移行し均一に添加さ
れる。上記ボールミルによる粉砕時間は３０分間〜１２
時間程度でよい。この混合粉砕工程により、タングステ
ン原料粉末中のモリブデン含有量は５〜１００ｐｐｍに
調整される。
ンを添加する目的で、モリブデン製の粉砕ボールおよび
ポットを有するボールミルによりタングステン原料粉末
の混合粉砕を行うことが好ましい。この混合粉砕工程に
おいて、粉砕ボールの形状や重量、粉砕時間を適正に制
御することにより、粉砕ボールおよびポットからモリブ
デン成分がタングステン原料粉末に移行し均一に添加さ
れる。上記ボールミルによる粉砕時間は３０分間〜１２
時間程度でよい。この混合粉砕工程により、タングステ
ン原料粉末中のモリブデン含有量は５〜１００ｐｐｍに
調整される。
【００２３】なお、タングステン原料粉末へのモリブデ
ンの添加量を調整する方法として、予め適量のモリブデ
ンを含有するタングステン鉱石または中間生成物（ＡＰ
Ｔ）などを精製することにより上記のモリブデン含有量
となるように調整する方法も利用できる。
ンの添加量を調整する方法として、予め適量のモリブデ
ンを含有するタングステン鉱石または中間生成物（ＡＰ
Ｔ）などを精製することにより上記のモリブデン含有量
となるように調整する方法も利用できる。
【００２４】次に、上記のように所定量のモリブデンを
添加したタングステン原料粉末を成形・焼結してスパッ
タリングターゲットを調製する。例えば、ホットプレス
法を用いる場合には、真空中または不活性ガス雰囲気中
でタングステン原料粉末を１０〜４０ＭＰａの加圧力で
押圧しながら温度１７００〜２３００℃に加熱し焼結す
る。この高温度での焼結処理により、ターゲット焼結体
に含有される酸素，炭素，ウラン，トリウムの各含有量
を前記の範囲内に調整することができ、かつターゲット
の相対密度を９５％以上に高めることができる。
添加したタングステン原料粉末を成形・焼結してスパッ
タリングターゲットを調製する。例えば、ホットプレス
法を用いる場合には、真空中または不活性ガス雰囲気中
でタングステン原料粉末を１０〜４０ＭＰａの加圧力で
押圧しながら温度１７００〜２３００℃に加熱し焼結す
る。この高温度での焼結処理により、ターゲット焼結体
に含有される酸素，炭素，ウラン，トリウムの各含有量
を前記の範囲内に調整することができ、かつターゲット
の相対密度を９５％以上に高めることができる。
【００２５】さらに高密度のターゲットを得るために、
上記のようにホットプレス処理したターゲットについ
て、さらに熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）処理を実施して
もよい。このＨＩＰ処理に際しては、ターゲットの仮焼
体をＴａなどから成る所定形状の缶内に挿入し、挿入口
を封止した後に、缶体に静水圧を作用させる、いわゆる
キャニング処理を行ってもよいし、このキャニング処理
を実施しない、いわゆるオープンＨＩＰ処理でターゲッ
トを形成してもよい。しかしながら、上記キャニング処
理を行うとターゲットコストが高くなり、またガス成分
を除去することが困難になり易いため、オープンＨＩＰ
処理が好ましい。上記ＨＩＰ処理条件として加熱温度は
１７００〜２０００℃の範囲が好ましく、加圧力は１５
０〜２００ＭＰａの範囲が好ましい。
上記のようにホットプレス処理したターゲットについ
て、さらに熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）処理を実施して
もよい。このＨＩＰ処理に際しては、ターゲットの仮焼
体をＴａなどから成る所定形状の缶内に挿入し、挿入口
を封止した後に、缶体に静水圧を作用させる、いわゆる
キャニング処理を行ってもよいし、このキャニング処理
を実施しない、いわゆるオープンＨＩＰ処理でターゲッ
トを形成してもよい。しかしながら、上記キャニング処
理を行うとターゲットコストが高くなり、またガス成分
を除去することが困難になり易いため、オープンＨＩＰ
処理が好ましい。上記ＨＩＰ処理条件として加熱温度は
１７００〜２０００℃の範囲が好ましく、加圧力は１５
０〜２００ＭＰａの範囲が好ましい。
【００２６】上記のようなターゲットの製造方法とは別
に、予め金型成形法や冷間静水圧（ＣＩＰ）法によりタ
ングステン粉末の成形体を調製し、続いて、この成形体
を水素雰囲気や真空雰囲気、不活性ガス雰囲気で焼結
し、焼結体中に含有される酸素等の不純物を低減させた
後に、さらに相対密度を向上させるために、上記ＨＩＰ
処理や圧延，鍛造などによる塑性・加工を行ってターゲ
ットを調製してもよい。
に、予め金型成形法や冷間静水圧（ＣＩＰ）法によりタ
ングステン粉末の成形体を調製し、続いて、この成形体
を水素雰囲気や真空雰囲気、不活性ガス雰囲気で焼結
し、焼結体中に含有される酸素等の不純物を低減させた
後に、さらに相対密度を向上させるために、上記ＨＩＰ
処理や圧延，鍛造などによる塑性・加工を行ってターゲ
ットを調製してもよい。
【００２７】上記のような製造工程を経て、モリブデン
含有量が５ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下であり、また炭
素含有量および酸素含有量が各々１００ｐｐｍ以下であ
り、ＵおよびＴｈの含有量がそれぞれ１ｐｐｂ以下，相
対密度が９５％以上であり、タングステン結晶の平均粒
径が１０μｍを超え、３００μｍ以下である本願発明に
係るタングステンスパッタリングターゲットが得られ
る。
含有量が５ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下であり、また炭
素含有量および酸素含有量が各々１００ｐｐｍ以下であ
り、ＵおよびＴｈの含有量がそれぞれ１ｐｐｂ以下，相
対密度が９５％以上であり、タングステン結晶の平均粒
径が１０μｍを超え、３００μｍ以下である本願発明に
係るタングステンスパッタリングターゲットが得られ
る。
【００２８】上記の本発明に係るタングステンスパッタ
リングターゲットによれば、所定量のモリブデンを含有
させているため、タングステン成形体の焼結性が大幅に
改善され高密度のターゲットが得られ、しかもタングス
テン粒子の結晶成長が効果的に抑止されるため、スパッ
タリング時におけるパーティクルの発生量を大幅に低減
することが可能になる。
リングターゲットによれば、所定量のモリブデンを含有
させているため、タングステン成形体の焼結性が大幅に
改善され高密度のターゲットが得られ、しかもタングス
テン粒子の結晶成長が効果的に抑止されるため、スパッ
タリング時におけるパーティクルの発生量を大幅に低減
することが可能になる。
【００２９】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施形態について以
下の実施例および比較例に基づいて具体的に説明する。
下の実施例および比較例に基づいて具体的に説明する。
【００３０】実施例１〜９および比較例１〜６ 純度が９９．９９９％以上であり平均粒径が４μｍの高
純度タングステン原料粉末を、モリブデン製のポットお
よび粉砕ボールを備えたボールミル中に投入し、粉砕時
間を３０分〜１２時間の範囲で変えることにより、モリ
ブデン含有量がそれぞれ異なるタングステン粉末を調製
した。次に得られた各タングステン粉末を内径が３３０
ｍｍの成形型に充填し、真空中においてホットプレス処
理した。ホットプレス処理の圧力は２５ＭＰａとする一
方、焼結温度は表１に示す値に設定することによりタン
グステン焼結体を作製した。
純度タングステン原料粉末を、モリブデン製のポットお
よび粉砕ボールを備えたボールミル中に投入し、粉砕時
間を３０分〜１２時間の範囲で変えることにより、モリ
ブデン含有量がそれぞれ異なるタングステン粉末を調製
した。次に得られた各タングステン粉末を内径が３３０
ｍｍの成形型に充填し、真空中においてホットプレス処
理した。ホットプレス処理の圧力は２５ＭＰａとする一
方、焼結温度は表１に示す値に設定することによりタン
グステン焼結体を作製した。
【００３１】上記タングステン焼結体のうち、実施例４
〜６および比較例３〜４については、相対密度への影響
を調査するために、さらに温度１８００℃で加圧力１８
０ＭＰａのＨＩＰ処理を行った。
〜６および比較例３〜４については、相対密度への影響
を調査するために、さらに温度１８００℃で加圧力１８
０ＭＰａのＨＩＰ処理を行った。
【００３２】そして得られた各タングステン焼結体を機
械加工し、直径が３００ｍｍで厚さが１０ｍｍである各
実施例および比較例に係るタングステンスパッタリング
ターゲットとした。各ターゲットについて、ＵおよびＴ
ｈ含有量を測定したところ、いずれも１ｐｐｂ以下であ
った。
械加工し、直径が３００ｍｍで厚さが１０ｍｍである各
実施例および比較例に係るタングステンスパッタリング
ターゲットとした。各ターゲットについて、ＵおよびＴ
ｈ含有量を測定したところ、いずれも１ｐｐｂ以下であ
った。
【００３３】また各実施例および比較例に係るタングス
テンスパッタリングターゲットについて、相対密度，Ｃ
およびＯ２含有量，平均結晶粒径を測定し、表１に示す
結果を得た。
テンスパッタリングターゲットについて、相対密度，Ｃ
およびＯ２含有量，平均結晶粒径を測定し、表１に示す
結果を得た。
【００３４】なお、上記平均結晶粒径は下記の求積法に
より測定した。すなわち、ターゲットのスパッタ面を研
摩し腐食させた後に、倍率２００倍の金属顕微鏡により
観察し、直径８０ｍｍ（視野内での直径は０．４ｍｍ）
に相当する円をターゲット組織上に描き、その面積内に
完全に含まれる結晶粒の数と円の周辺で切断される結晶
粒数の半分との和を全結晶粒数とし、各結晶粒を正方形
と考えて、次の結晶粒度ｄとして算出した。
より測定した。すなわち、ターゲットのスパッタ面を研
摩し腐食させた後に、倍率２００倍の金属顕微鏡により
観察し、直径８０ｍｍ（視野内での直径は０．４ｍｍ）
に相当する円をターゲット組織上に描き、その面積内に
完全に含まれる結晶粒の数と円の周辺で切断される結晶
粒数の半分との和を全結晶粒数とし、各結晶粒を正方形
と考えて、次の結晶粒度ｄとして算出した。
【００３５】
【数１】
【００３６】また、各実施例および比較例に係る各ター
ゲットをマグネトロンスパッタリング装置にセットした
後、アルゴン圧２．３×１０−３Ｔｏｒｒの条件下でス
パッタリングを行い、８インチＳｉウエハー上にタング
ステン膜を約３０００オングストローム堆積した。同一
操作を１０回行い、各タングステン膜の比抵抗を測定す
るとともに、粒径０．２μｍ以上のパーティクル混入数
を測定し、その結果を下記表１に併記した。
ゲットをマグネトロンスパッタリング装置にセットした
後、アルゴン圧２．３×１０−３Ｔｏｒｒの条件下でス
パッタリングを行い、８インチＳｉウエハー上にタング
ステン膜を約３０００オングストローム堆積した。同一
操作を１０回行い、各タングステン膜の比抵抗を測定す
るとともに、粒径０．２μｍ以上のパーティクル混入数
を測定し、その結果を下記表１に併記した。
【００３７】
【表１】
【００３８】上記表１に示す結果から明らかなように、
所定量のモリブデンを含有させて作製した実施例１〜９
に係るターゲットによれば、いずれも相対密度が９５％
以上と高く、微細な結晶粒径を有しており、比抵抗値が
小さいタングステン膜が得られている。特に８インチウ
エハー上に混入するパーティクルは４〜８個と極めて少
なく、タングステン膜を使用した半導体製品を高い製造
歩留りで製造できることが判明した。
所定量のモリブデンを含有させて作製した実施例１〜９
に係るターゲットによれば、いずれも相対密度が９５％
以上と高く、微細な結晶粒径を有しており、比抵抗値が
小さいタングステン膜が得られている。特に８インチウ
エハー上に混入するパーティクルは４〜８個と極めて少
なく、タングステン膜を使用した半導体製品を高い製造
歩留りで製造できることが判明した。
【００３９】一方、モリブデン含有量が過少または過量
である比較例１〜６に係るターゲットにおいては、パー
ティクルの発生量が１５〜３０となり、各実施例のター
ゲットと比較して２〜７倍程度の多量のパーティクルが
発生することが判明した。
である比較例１〜６に係るターゲットにおいては、パー
ティクルの発生量が１５〜３０となり、各実施例のター
ゲットと比較して２〜７倍程度の多量のパーティクルが
発生することが判明した。
【００４０】実施例１０〜１８および比較例７〜１２ 純度が９９．９９９％以上であり平均粒径が４μｍの高
純度タングステン原料粉末を、モリブデン製のポットお
よび粉砕ボールを備えたボールミル中に投入し、粉砕時
間を３０分〜１２時間の範囲で変えることにより、モリ
ブデン含有量がそれぞれ異なるタングステン粉末を調製
した。次に焼結体の厚さを変える目的で充填する粉末重
量を変えて得られた各タングステン粉末をＣＩＰ成形用
弾性容器内に充填し、１５０ＭＰａの等方静水圧を弾性
容器に作用させるＣＩＰ成形処理を行いそれぞれ成形体
とした。得られた各成形体を水素雰囲気中で温度１８０
０℃で３０時間焼結することにより直径が２００ｍｍで
厚さが異なるタングステン焼結体を作成した。
純度タングステン原料粉末を、モリブデン製のポットお
よび粉砕ボールを備えたボールミル中に投入し、粉砕時
間を３０分〜１２時間の範囲で変えることにより、モリ
ブデン含有量がそれぞれ異なるタングステン粉末を調製
した。次に焼結体の厚さを変える目的で充填する粉末重
量を変えて得られた各タングステン粉末をＣＩＰ成形用
弾性容器内に充填し、１５０ＭＰａの等方静水圧を弾性
容器に作用させるＣＩＰ成形処理を行いそれぞれ成形体
とした。得られた各成形体を水素雰囲気中で温度１８０
０℃で３０時間焼結することにより直径が２００ｍｍで
厚さが異なるタングステン焼結体を作成した。
【００４１】次に得られた各タングステン焼結体につい
て、表２に示す加工率で鍛造加工を施し、さらに表２に
示すアニール温度にて熱処理することにより、相対密度
および結晶粒径が異なり、直径が３００ｍｍであり、厚
さが１０ｍｍのタングステンスパッタリングターゲット
をそれぞれ調製した。各ターゲットについて、Ｕおよび
Ｔｈの含有量を測定したところ、いずれも１ｐｐｂ以下
であった。
て、表２に示す加工率で鍛造加工を施し、さらに表２に
示すアニール温度にて熱処理することにより、相対密度
および結晶粒径が異なり、直径が３００ｍｍであり、厚
さが１０ｍｍのタングステンスパッタリングターゲット
をそれぞれ調製した。各ターゲットについて、Ｕおよび
Ｔｈの含有量を測定したところ、いずれも１ｐｐｂ以下
であった。
【００４２】また各実施例および比較例に係るタングス
テンスパッタリングターゲットについて、相対密度，Ｃ
およびＯ２含有量，平均結晶粒径を測定するとともに、
各ターゲットを使用して実施例１〜９と同様な操作条件
でスパッタリングを行い、８インチウエハー上にタング
ステン膜を形成して、その比抵抗を測定し、さらにタン
グステン膜中に混入したパーティクル数を測定して、下
記表２に示す結果を得た。
テンスパッタリングターゲットについて、相対密度，Ｃ
およびＯ２含有量，平均結晶粒径を測定するとともに、
各ターゲットを使用して実施例１〜９と同様な操作条件
でスパッタリングを行い、８インチウエハー上にタング
ステン膜を形成して、その比抵抗を測定し、さらにタン
グステン膜中に混入したパーティクル数を測定して、下
記表２に示す結果を得た。
【００４３】
【表２】
【００４４】上記表２に示す結果から明らかなように、
所定量のモリブデンを含有させて作製した実施例１０〜
１８に係るターゲットによれば、いずれも相対密度が９
５％以上と高く、微細な結晶粒径を有しており、比抵抗
値が小さいタングステン膜が得られている。特に８イン
チウエハー上に混入するパーティクルは４〜１２個と極
めて少なく、タングステン膜を使用した半導体製品を高
い製造歩留りで製造できることが判明した。
所定量のモリブデンを含有させて作製した実施例１０〜
１８に係るターゲットによれば、いずれも相対密度が９
５％以上と高く、微細な結晶粒径を有しており、比抵抗
値が小さいタングステン膜が得られている。特に８イン
チウエハー上に混入するパーティクルは４〜１２個と極
めて少なく、タングステン膜を使用した半導体製品を高
い製造歩留りで製造できることが判明した。
【００４５】一方、モリブデン含有量が過少または過量
である比較例７〜１２に係るターゲットにおいては、パ
ーティクルの発生量が９〜２５となり、各実施例のター
ゲットと比較して多量のパーティクルが発生することが
判明した。
である比較例７〜１２に係るターゲットにおいては、パ
ーティクルの発生量が９〜２５となり、各実施例のター
ゲットと比較して多量のパーティクルが発生することが
判明した。
【００４６】
【発明の効果】以上説明の通り本発明に係るタングステ
ンスパッタリングターゲットおよびその製造方法によれ
ば、所定量のマンガンを含有させているため、タングス
テン成形体の焼結性が大幅に改善され高密度のターゲッ
トが得られ、しかもタングステン粒子の結晶成長が効果
的に抑止されるため、スパッタリング時におけるパーテ
ィクルの発生量を大幅に低減することが可能になる。
ンスパッタリングターゲットおよびその製造方法によれ
ば、所定量のマンガンを含有させているため、タングス
テン成形体の焼結性が大幅に改善され高密度のターゲッ
トが得られ、しかもタングステン粒子の結晶成長が効果
的に抑止されるため、スパッタリング時におけるパーテ
ィクルの発生量を大幅に低減することが可能になる。
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ２２Ｃ 27/04 １０１ Ｃ２２Ｃ 27/04 １０１ ５Ｆ１０３ Ｈ０１Ｌ 21/203 Ｈ０１Ｌ 21/203 Ｓ 21/285 21/285 Ｓ ３０１ ３０１Ｒ 21/3205 21/88 Ｍ (72)発明者 高阪 泰郎 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜事業所内 (72)発明者 石上 隆 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜事業所内 (72)発明者 鈴木 幸伸 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜事業所内 Ｆターム(参考） 4K017 AA03 BA04 BB04 BB13 BB18 CA07 EA04 4K018 AA19 BA09 BB04 BC08 BD10 CA24 CA26 DA11 DA31 DA32 EA02 KA29 4K029 BA02 BD02 CA05 DC03 DC09 4M104 BB18 DD40 HH16 HH20 5F033 HH19 PP15 XX00 XX10 XX31 XX34 5F103 AA08 BB22 DD28 RR10
Claims (8)
- 【請求項１】 モリブデン（Ｍｏ）含有量が５ｐｐｍ以
上１００ｐｐｍ以下であることを特徴とするタングステ
ンスパッタリングターゲット。 - 【請求項２】 モリブデン（Ｍｏ）含有量が１０〜５０
ｐｐｍであることを特徴とする請求項１記載のタングス
テンスパッタリングターゲット。 - 【請求項３】 炭素（Ｃ）および酸素（Ｏ）の含有量が
それぞれ１００ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求
項１および２のいずれかに記載のタングステンスパッタ
リングターゲット。 - 【請求項４】 ウラン（Ｕ）およびトリウム（Ｔｈ）の
含有量がそれぞれ１ｐｐｂ以下であることを特徴とする
請求項１，２および３のいずれかに記載のタングステン
スパッタリングターゲット。 - 【請求項５】 ターゲットの相対密度が９５％以上であ
り、タングステン結晶の平均粒径が１０μｍを超え、３
００μｍ以下であることを特徴とする請求項１ないし４
のいずれかに記載のタングステンスパッタリングターゲ
ット。 - 【請求項６】 純度９９．９９９％以上の高純度タング
ステン粉末を、モリブデン製ボールミル中で粉砕するこ
とによりモリブデン含有量が５〜１００ｐｐｍであり、
平均粒径が１〜５μｍとなるように調整し、得られたタ
ングステン粉末の成形体を真空中または不活性ガス雰囲
気中で加圧焼結することを特徴とするタングステンスパ
ッタリングターゲットの製造方法。 - 【請求項７】 成形体は冷間静水圧プレス法（ＣＩＰ
法）によって調製することを特徴とする請求項６記載の
タングステンスパッタリングターゲットの製造方法。 - 【請求項８】 加圧焼結は熱間静水圧プレス法（ＨＩＰ
法）によって実施することを特徴とする請求項６記載の
タングステンスパッタリングターゲットの製造方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000115395A JP4634567B2 (ja) | 2000-04-17 | 2000-04-17 | タングステンスパッタリングターゲットの製造方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000115395A JP4634567B2 (ja) | 2000-04-17 | 2000-04-17 | タングステンスパッタリングターゲットの製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001295036A true JP2001295036A (ja) | 2001-10-26 |
| JP2001295036A5 JP2001295036A5 (ja) | 2007-05-24 |
| JP4634567B2 JP4634567B2 (ja) | 2011-02-16 |
Family
ID=18627045
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000115395A Expired - Lifetime JP4634567B2 (ja) | 2000-04-17 | 2000-04-17 | タングステンスパッタリングターゲットの製造方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP4634567B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004085312A1 (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-07 | Nikko Materials Co., Ltd. | シリコン焼結体及びその製造方法 |
| WO2005073418A1 (ja) * | 2004-01-30 | 2005-08-11 | Nippon Tungsten Co., Ltd. | タングステン系焼結体およびその製造方法 |
| JP2007314883A (ja) * | 2007-06-11 | 2007-12-06 | Nikko Kinzoku Kk | スッパタリング用タングステン焼結体ターゲットの製造方法 |
| WO2012042791A1 (ja) * | 2010-09-29 | 2012-04-05 | 株式会社アルバック | タングステンターゲットおよびその製造方法 |
| WO2013129434A1 (ja) * | 2012-03-02 | 2013-09-06 | Jx日鉱日石金属株式会社 | タングステン焼結体スパッタリングターゲット及び該ターゲットを用いて成膜したタングステン膜 |
| WO2014069328A1 (ja) * | 2012-11-02 | 2014-05-08 | Jx日鉱日石金属株式会社 | タングステン焼結体スパッタリングターゲット及び該ターゲットを用いて成膜したタングステン膜 |
| JP2018510265A (ja) * | 2015-03-06 | 2018-04-12 | インテグリス・インコーポレーテッド | 固体ソース送出用の高純度タングステンヘキサカルボニル |
| JP2019090071A (ja) * | 2017-11-10 | 2019-06-13 | Ｊｘ金属株式会社 | タングステンスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| CN114457222A (zh) * | 2021-09-30 | 2022-05-10 | 中国船舶重工集团公司第七一八研究所 | 一种改善高纯钨加工性能的方法 |
| JP7278463B1 (ja) | 2022-06-27 | 2023-05-19 | 株式会社アルバック | タングステンターゲットおよびその製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103567443B (zh) * | 2012-07-25 | 2015-10-07 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 钨靶材的制作方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62182202A (ja) * | 1986-02-05 | 1987-08-10 | Hitachi Metals Ltd | タ−ゲツトの製造方法 |
| JP2757287B2 (ja) * | 1989-11-02 | 1998-05-25 | 日立金属株式会社 | タングステンターゲットの製造方法 |
| JP3280054B2 (ja) * | 1992-02-10 | 2002-04-30 | 日立金属株式会社 | 半導体用タングステンターゲットの製造方法 |
| JPH0776771A (ja) * | 1993-09-08 | 1995-03-20 | Japan Energy Corp | タングステンスパッタリングターゲット |
-
2000
- 2000-04-17 JP JP2000115395A patent/JP4634567B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004085312A1 (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-07 | Nikko Materials Co., Ltd. | シリコン焼結体及びその製造方法 |
| WO2005073418A1 (ja) * | 2004-01-30 | 2005-08-11 | Nippon Tungsten Co., Ltd. | タングステン系焼結体およびその製造方法 |
| JP2007314883A (ja) * | 2007-06-11 | 2007-12-06 | Nikko Kinzoku Kk | スッパタリング用タングステン焼結体ターゲットの製造方法 |
| US9388489B2 (en) | 2010-09-29 | 2016-07-12 | Ulvac, Inc. | Tungsten target and method for producing same |
| WO2012042791A1 (ja) * | 2010-09-29 | 2012-04-05 | 株式会社アルバック | タングステンターゲットおよびその製造方法 |
| JPWO2012042791A1 (ja) * | 2010-09-29 | 2014-02-03 | 株式会社アルバック | タングステンターゲットおよびその製造方法 |
| JP5684821B2 (ja) * | 2010-09-29 | 2015-03-18 | 株式会社アルバック | タングステンターゲットの製造方法 |
| CN103124804A (zh) * | 2010-09-29 | 2013-05-29 | 株式会社爱发科 | 钨靶及其制造方法 |
| WO2013129434A1 (ja) * | 2012-03-02 | 2013-09-06 | Jx日鉱日石金属株式会社 | タングステン焼結体スパッタリングターゲット及び該ターゲットを用いて成膜したタングステン膜 |
| US10047433B2 (en) | 2012-03-02 | 2018-08-14 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Tungsten sintered compact sputtering target and tungsten film formed using same target |
| JPWO2013129434A1 (ja) * | 2012-03-02 | 2015-07-30 | Jx日鉱日石金属株式会社 | タングステン焼結体スパッタリングターゲット及び該ターゲットを用いて成膜したタングステン膜 |
| JP2016135922A (ja) * | 2012-03-02 | 2016-07-28 | Ｊｘ金属株式会社 | タングステン焼結体スパッタリングターゲット及び該ターゲットを用いて成膜したタングステン膜 |
| JPWO2014069328A1 (ja) * | 2012-11-02 | 2016-09-08 | Ｊｘ金属株式会社 | タングステン焼結体スパッタリングターゲット及び該ターゲットを用いて成膜したタングステン膜 |
| JP5851612B2 (ja) * | 2012-11-02 | 2016-02-03 | Jx日鉱日石金属株式会社 | タングステン焼結体スパッタリングターゲット及び該ターゲットを用いて成膜したタングステン膜 |
| CN104508176A (zh) * | 2012-11-02 | 2015-04-08 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 钨烧结体溅射靶和使用该靶形成的钨膜 |
| KR20170015559A (ko) | 2012-11-02 | 2017-02-08 | 제이엑스금속주식회사 | 텅스텐 소결체 스퍼터링 타깃 및 그 타깃을 사용하여 성막한 텅스텐막 |
| TWI588282B (zh) * | 2012-11-02 | 2017-06-21 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | A tungsten sintered sputtering target and a tungsten film formed using the target |
| WO2014069328A1 (ja) * | 2012-11-02 | 2014-05-08 | Jx日鉱日石金属株式会社 | タングステン焼結体スパッタリングターゲット及び該ターゲットを用いて成膜したタングステン膜 |
| JP2018510265A (ja) * | 2015-03-06 | 2018-04-12 | インテグリス・インコーポレーテッド | 固体ソース送出用の高純度タングステンヘキサカルボニル |
| JP2019090071A (ja) * | 2017-11-10 | 2019-06-13 | Ｊｘ金属株式会社 | タングステンスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| JP7308013B2 (ja) | 2017-11-10 | 2023-07-13 | Ｊｘ金属株式会社 | タングステンスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| US11939661B2 (en) | 2017-11-10 | 2024-03-26 | Jx Metals Corporation | Tungsten sputtering target and method for manufacturing the same |
| CN114457222A (zh) * | 2021-09-30 | 2022-05-10 | 中国船舶重工集团公司第七一八研究所 | 一种改善高纯钨加工性能的方法 |
| CN114457222B (zh) * | 2021-09-30 | 2023-07-14 | 中国船舶重工集团公司第七一八研究所 | 一种改善高纯钨加工性能的方法 |
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