CN104508176A - 钨烧结体溅射靶和使用该靶形成的钨膜 - Google Patents

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Abstract

一种钨烧结体溅射靶，其特征在于，用二次离子质谱装置(D-SIMS)检测出的钼强度为钨强度的万分之一以下。本发明的课题在于，通过减少钨烧结体溅射靶的钼，并且调节烧结时所使用的W粉末的粒度分布，从而降低使用该钨烧结体靶进行溅射而得到的钨膜的电阻率。

Description

钨烧结体溅射靶和使用该靶形成的钨膜
技术领域
本发明涉及在通过溅射法形成IC、LSI等的栅电极或布线材料等时所使用的钨烧结体靶和使用该靶形成的钨膜。
背景技术
近年来，随着超LSI的高集成化，对于使用电阻值更低的材料作为电极材料或布线材料进行了研究，而在这些之中使用电阻值低、热稳定且化学稳定的高纯度钨作为电极材料或布线材料。
该超LSI用的电极材料或布线材料通常通过溅射法和CVD法制造，但是溅射法的装置结构和操作比较简单，可以容易地进行成膜，并且成本低，因此与CVD法相比更广泛地使用。
对于钨靶要求高纯度、高密度，但近年来，对于超LSI用的电极材料或布线材料而言，还要求使用钨靶通过溅射进行成膜而得到的膜是电阻值低的材料。
如后所述，钨烧结体靶能够提高纯度并且高密度化，虽然有用于实现该目标的公开内容，但是关于在降低电阻值的情况下需要什么条件并不明确，尚未充分进行出于该目的的研究、开发。
结果，存在如下问题：通过溅射形成的钨薄膜高达理论电阻率的约2倍，未充分发挥其原有的高导电性。
经查阅涉及钨烧结体溅射靶的现有技术文献，下述文献1中记载了钨溅射靶的制造方法和通过该方法得到的溅射靶，该钨溅射靶的制造方法的特征在于，将纯度99.999％以上的高纯度钨粉末在钼制球磨机中进行粉碎，从而调节至钼含量为5～100ppm、平均粒径为1～5μm，并将所得到的钨粉末的成形体在真空中或惰性气体气氛中进行加压烧结。这种情况下，由于使用了钼制球，必然会混入钼，不能忽略钼作为杂质的影响。
下述文献2中记载了一种钨溅射靶，其特征在于，靶的相对密度为99％以上，并且维氏硬度为330Hv以上，而且靶整体的维氏硬度的偏差在30％以下。还记载了一种钨溅射靶，其特征在于，作为上述靶中含有的杂质的Fe、Ni、Cr、Cu、Al、Na、K、U和Th的合计含量小于0.01质量％。这种情况下，关注靶的硬度，完全没有触及靶的电阻率的问题和含钼的影响。
下述文献3中记载了溅射用靶的制造方法，其特征在于，将熔点为900℃以上的高熔点物质的粉末与熔点为700℃以下的低熔点金属的粉末的混合物在小于低熔点金属的熔点的温度下进行加热和加压来进行成形，作为高熔点物质的粉末的示例，举出了W的示例。然而，在这种情况下，也完全未触及靶的电阻率的问题和含钼的影响。
下述文献4中记载了课题在于得到相对密度99.5％以上(孔的体积比为0.5％以下)、组织均匀且具有各向同性的钨基烧结体，对于钨基粉末，在350MPa以上的压力下进行CIP处理，在氢气气氛中在烧结温度1600℃以上、保持时间5小时以上的条件下进行烧结，在氩气中在150MPa以上、1900℃以上的条件下进行HIP处理，由此得到钨基烧结体。另外，作为其用途，举出了放电灯用电极、溅射靶、坩埚、辐射屏蔽构件、放电加工用电极、半导体元件搭载基板、结构用构件。然而，在这种情况下，也完全未触及靶的电阻率的问题和含钼的影响。
下述文献5中记载了一种溅射用钨烧结体靶的制造方法，其特征在于，使用粉体比表面积为0.4m2/g(BET法)以上的钨粉末，在真空或还原气氛中在加压起始温度1200℃以下的条件下进行热压烧结，然后进一步进行热等静压烧结(HIP)。通过改善所使用的钨粉末的烧结特性和制造条件，制成溅射用钨靶，该溅射用钨靶具有仅靠以往的加压烧结法无法达到的高密度和微细晶体组织，并且抗弯强度得到飞跃性提高，由此抑制在通过溅射的成膜上的粉粒缺陷的产生，得到可以低成本且稳定地制造该钨靶的方法。虽然作为提高了抗弯强度的溅射用钨靶是有用的，但这种情况下，也完全未触及靶的电阻率的问题和含钼的影响。
下述文献6中记载了氧含量0.1～10ppm、相对密度99％以上且晶粒尺寸80μm以下的溅射用钨靶的制造方法和通过该方法得到的钨溅射靶，该溅射用钨靶的制造方法的特征在于，进行在真空下对钨粉末通入高频电流从而在钨粉末表面间产生等离子体的等离子体处理，然后在真空中进行加压烧结。该技术从高密度化、降低氧含量的意义上来讲是有用的，但这种情况下，也完全未触及靶的电阻率的问题和含钼的影响。
下述文献7中提出，由于使用以往的碳制模具制作钨烧结体溅射靶，烧结体靶的内部含有大量作为杂质的碳，随着碳量增多，溅射成膜后的钨膜的电阻率趋于增加，为了克服该问题，采用尽可能减小与C接触的面积的方法，使碳量为5ppm以下，由此使成膜后的钨膜的电阻率为12.3μΩ·cm以下。然而，实现降低该电阻率值的条件是不充分的，难以说有充分的效果。
下述文献8中公开了一种组件，其包含含有选自由金属钼、金属铪、金属锆、金属铼、金属钌、金属铂、金属钽、金属钨和金属铱组成的组中的一种以上材料的金属组合物，所述金属组合物含有多个粒子，大多数的所述粒子实质上是等轴的，所述粒子在所述组合物含有金属钼的情况下具有约30微米以下的平均粒度，在所述组合物含有金属钌的情况下具有约150微米以下的平均粒度，在所述组合物含有金属钨的情况下具有约15微米以下的平均粒度，以及在所述组合物含有金属铪、金属铼、金属钽、金属锆、金属铂或金属铱的情况下具有约50微米以下的平均粒度。而且，还记载有其典型的组件为溅射靶。
该技术的目的在于提高通过溅射形成的薄膜的均匀性，为此而采用了使组合物的粒子细化的手段。然而，特别是在钨靶的情况下，关于何种因素对降低薄膜的电阻值起作用以及出于该目的的解决手段完全没有公开。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2001-295036号公报
专利文献2：日本特开2003-171760号公报
专利文献3：WO1996/036746号公报
专利文献4：WO2005/073418号公报
专利文献5：日本特开2007-314883号公报
专利文献6：日本专利第3086447号公报
专利文献7：日本特开平7-76771号公报
专利文献8：日本特表2008-533299号公报
发明内容
发明所要解决的问题
鉴于以上方面，本发明的课题在于提供一种对于使用钨烧结体靶进行成膜时的钨膜而言能够稳定地降低电阻值的钨烧结体靶。
用于解决问题的手段
为了解决上述课题，本发明人提供如下发明。
1)一种钨烧结体溅射靶，其特征在于，用二次离子质谱装置(D-SIMS)检测出的钼强度为钨强度的万分之一以下。
2)一种钨烧结体溅射靶，其特征在于，用二次离子质谱装置(D-SIMS)检测出的钼强度为钨强度的十万分之一以下。
3)一种钨烧结体溅射靶，其特征在于，用二次离子质谱装置(D-SIMS)检测出的钼强度为钨强度的百万分之一以下。
4)如上述1)～3)中任一项所述的钨烧结体溅射靶，其特征在于，对溅射膜在850℃进行60分钟加热处理(热处理)后的膜电阻与未进行热处理的溅射膜(溅射后保持原样的膜)的膜电阻相比为95％以下。
对于钨烧结体溅射靶而言，对上述溅射膜在850℃进行60分钟加热处理(热处理)后的膜电阻与未进行热处理的溅射膜(溅射后保持原样的膜)的膜电阻相比更优选为92％以下、进一步优选为90％以下。
5)如上述1)～4)中任一项所述的钨烧结体溅射靶，其特征在于，用于溅射的钨靶中的钼含量为3ppm以下。
上述用于溅射的钨靶中的钼含量更优选为1ppm以下、进一步优选为0.1ppm以下。
6)如上述1)～9)中任一项所述的钨烧结体溅射靶，其特征在于，使用W粉末进行烧结而得到，所述W粉末为根据烧结时使用的W粉末的粒度分布测定，10μm以下的钨粒子的粒径的比例为30％以上且小于70％的W粉末。
7)一种钨薄膜，其通过使用上述1)～6)中任一项所述的钨烧结体溅射靶进行成膜而得到。
发明效果
本发明主要提供一种钨烧结体溅射靶，该钨烧结体溅射靶用二次离子质谱装置(D-SIMS)检测出的钼强度为钨强度的万分之一以下，具有如下优良的效果：通过使用该钨烧结体溅射靶进行溅射成膜，能够稳定地降低钨膜的电阻值。
附图说明
图1为表示实施例1的W原料粉末的粒度分布的数据(样品A)的图。
图2为表示比较例1的W原料粉末的粒度分布的数据(样品C)的图。
具体实施方式
对于本申请发明钨烧结体溅射靶而言，用二次离子质谱装置(D-SIMS)检测出的钼强度为钨强度的万分之一以下，优选用二次离子质谱装置(D-SIMS)的检测出的钼强度为钨强度的十万分之一以下，进一步优选用二次离子质谱装置(D-SIMS)检测出的钼强度为钨强度的百万分之一以下。这是本申请发明的基本发明。另外，薄膜中的钼强度和钨强度也取与靶同样的值。
钨薄膜存在比理论电阻率高约2倍、无法充分发挥原有的高导电性这样的问题。因此，有时通过利用热处理除去薄膜中的位错等来降低电阻后使用。
根据上述专利文献1(日本特开2001-295036)，披露了靶中允许的钼浓度达到约100ppm，可见，在靶以及薄膜中存在大量钼时，会阻碍通过热处理降低膜的电阻率的效果。
因此，本发明人对其原因进行探究，并且发现，作为其解决手段，在钨烧结体溅射靶中，用二次离子质谱装置(D-SIMS)检测出的薄膜中的钼强度为钨强度的万分之一以下时，可以有效地降低膜电阻。本申请发明发现了实现其的要件。
另外，本申请发明提供上述钨烧结体溅射靶，其中，对溅射膜在850℃进行60分钟加热处理(热处理)后的膜电阻与未进行热处理的溅射膜(溅射后保持原样的膜)的膜电阻相比为95％以下、优选为92％以下、更优选为90％以下。这进一步表示本发明的钨烧结体溅射靶所具有的特性和特征。
另外，在850℃进行60分钟加热处理(热处理)表示根据需要对钨烧结体溅射靶进行的通常加热处理的条件，虽然有时也在其它温度和时间的条件下进行加热处理，但是表示在上述温度和时间下可以得到本申请发明的靶特性的指标。因此，只要在通过该加热处理(热处理)的膜电阻的范围内，就包括在本申请发明中。
另外，本申请发明提供一种钨烧结体溅射靶，其中，用于溅射的钨靶中的钼含量为3ppm以下、优选钼含量为1ppm以下、更优选钼含量为0.1ppm以下。这进一步表示了本发明的钨烧结体溅射靶所具有的特性和特征。
可见，降低钼含量能够稳定地降低钨溅射膜的电阻值。
另外，本申请发明提供一种钨溅射靶，其使用W粉末进行烧结而得到，所述W粉末为根据烧结时使用的W粉末的粒度分布测定，10μm以下的钨粒子的粒径的比例为30％以上且小于70％的W粉末，所述W粉末进一步为根据粒度分布测定，10μm以下的钨粒子的粒径的比例为50％以上且小于70％的W粉末。
这表示在实现上述本申请发明的钨烧结体溅射靶方面有效的条件。由此可以进一步表示上述本申请发明的钨烧结体溅射靶所具有的特性和特征。
通过粒度分布测定进行测定时，能够测定一次粒子或二次粒子。所使用的W粉末可以为一次粒子或二次粒子中的任一种。作为上限的70％是因为，过于细小时，在HP的填充时堆积密度过低，因而生产率变差(填充个数不合算)。关于使在烧结时使用的W粉末的粒度分布的值改变时的特性值，在后述的实施例和比较例中详细说明。
另外，本发明包括使用上述钨烧结体溅射靶进行成膜而得到的钨薄膜。使用降低了钼含量的钨烧结体溅射靶进行溅射而得到的钨溅射膜反映出上述钼的降低，能够稳定地降低钨膜的电阻。
另外，为了观察Mo分布，可以使用SIMS。SIMS即便是对薄的膜也能够在微小区域中进行测定，可以说是适当的测定手段。
在烧结时，在超过1500℃的温度下进行热压(HP)是有效的。另外，热压后，在超过1600℃的温度下进行HIP处理，可以进一步提高密度。
另外，本发明可以提供靶的相对密度为99％以上的钨烧结体溅射靶、进而靶的相对密度为99.5％以上的钨烧结体溅射靶。密度的提高使靶的强度增加，因而是更优选的。
密度的提高可以减少孔隙并使晶粒细化，使靶的溅射面变得均匀且光滑，因而具有可以减少溅射时的粉粒、结瘤以及延长靶寿命这样的效果，具有品质的偏差少、能够提高量产性的效果。
如此，可以降低利用钨靶进行成膜而得到的钨膜的电阻率，同时靶的组织在靶的径向和厚度方向均匀化，靶的强度也是足够的，在操作或使用中也不存在破裂等问题。因此，可以提高靶制造的成品率。
实施例
下面，基于实施例和比较例进行说明。需要说明的是，本实施例只是一例，本发明不受该例的任何限制。即，本发明仅受权利要求书限制，包括本发明中含有的实施例以外的各种变形。
(实施例1)
对Na2WO4中的Mo浓度(1重量％)的原料进行一次硫化处理，对所得到的钨酸铵进行“煅烧”，从而得到氧化钨，对其进行氢还原，从而使高纯度钨粉末中的钼浓度为3重量ppm。Mo量通过湿式法进行测定。氢还原通过以下1)、2)的方法进行，从而得到钨原料粉末。
1)以氢流量10L/分钟进行氢还原，从而得到钨粉末的粒径(二次粒子尺寸)10μm以下的比例为20％的原料。作为具体示例，还原炉大小为2L时，使用以在1分钟内将还原炉内的氢替换5次的流量所制造的原料。
2)以氢流量30L/分钟进行氢还原，从而得到钨粉末的粒径(二次粒子尺寸)10μm以下的比例为80％的原料。作为具体示例，还原炉大小为2L时，使用以在1分钟内将还原炉内的氢替换15次的流量所制造的原料。
需要说明的是，上述硫化处理按照如下方法进行。
起始原料为钨酸钠水溶液。在该水溶液中加入硫氢化钠和硫酸，沉淀并分离出Mo的硫化物。然后，加入氢氧化钠、钙盐来回收钨酸钙，进一步向该钨酸钙加入盐酸进行分解，从而得到钨酸(WO3)。然后，向其中加入氨水，从而得到钨酸铵水溶液。
上述煅烧可以在600～900℃×30分钟～3小时的范围内适当选择。
上述硫化处理表示一个示例，不限于该处理，只要能够得到钨酸铵水溶液，采用其它手段也没有问题。
在碳模具中填充48％的纯度99.999％、粒径(二次粒子尺寸)10μm以下的比例为20％的钨粉末和52％的粒径(二次粒子尺寸)10μm以下的比例为80％的钨粉末。
接着，用上冲头和下冲头将模具密封，然后对模具施加210kgf/cm2的压力，通过外部加热在1200℃加热后保持6小时，并进行热压。最高温度为1600℃×2小时。热压的形状为(直径)456mm×10mmt(厚)。
该HP后，在1750℃实施5小时HIP处理。所得到的钨烧结体的相对密度为99.0％，Mo/W强度比为1：34,000，靶中的Mo浓度：3ppm，作为烧结原料的W粉末的粒度分布(10μm以下的比例)：51％，在850℃进行60分钟热处理后的电阻率：94％。该结果示于表1。这些结果均满足本申请发明的条件。
需要说明的是，实施例1的W原料粉末的粒度分布的数据(样品A)示于图1中。
[表1]
(实施例2)
对Na2WO4中的Mo浓度(1重量％)的原料进行两次硫化处理，对所得到的钨酸铵进行“煅烧”，从而得到氧化钨，对其进行氢还原，从而使高纯度钨粉末中的钼浓度为0.9重量ppm。Mo量通过湿式法进行测定。氢还原通过以下1)、2)的方法进行，从而得到钨原料粉末。
1)以氢流量10L/分钟进行氢还原，从而得到钨粉末的粒径(二次粒子尺寸)10μm以下的比例为20％的原料。作为具体示例，还原炉大小为2L时，使用以在1分钟内将还原炉内的氢替换5次的流量所制造的原料。
2)以氢流量30L/分钟进行氢还原，从而得到钨粉末的粒径(二次粒子尺寸)10μm以下的比例为80％的原料。作为具体示例，还原炉大小为2L时，使用以在1分钟内将还原炉内的氢替换15次的流量所制造的原料。
在碳模具中填充58％的纯度99.999％、粒径(二次粒子尺寸)10μm以下的比例为20％的钨粉末和42％的粒径(二次粒子尺寸)10μm以下的比例为80％的钨粉末。
接着，用上冲头和下冲头将模具密封，然后对模具施加210kgf/cm2的压力，通过外部加热在1200℃加热后保持4小时，进行热压。最高温度为1570℃×2小时。热压的形状为(直径)456mm×10mmt(厚)。
该HP后，在1850℃实施5小时HIP处理。所得到的钨烧结体的相对密度为99.0％，平均粒径为32.1μm，Mo/W强度比为1：210,000，靶中的Mo浓度：0.9ppm，作为烧结原料的W粉末的粒度分布(10μm以下的比例)：45％，在850℃进行60分钟热处理后的电阻率：91％。该结果示于表1。这些结果均满足本申请发明的条件。
(实施例3)
对Na2WO4中的Mo浓度(0.1重量％)的原料进行两次硫化处理，对所得到的钨酸铵进行“煅烧”，从而得到氧化钨，对其进行氢还原，从而使高纯度钨粉末中的钼浓度为0.07重量ppm。Mo量通过湿式法进行测定。氢还原通过以下1)、2)的方法进行，从而得到钨原料粉末。
1)以氢流量10L/分钟进行氢还原，从而得到钨粉末的粒径(二次粒子尺寸)10μm以下的比例为20％的原料。作为具体示例，还原炉大小为2L时，使用以在1分钟内将还原炉内的氢替换5次的流量所制造的原料。
2)以氢流量30L/分钟进行氢还原，从而得到钨粉末的粒径(二次粒子尺寸)10μm以下的比例为80％的原料。作为具体示例，还原炉大小为2L时，使用以在1分钟内将还原炉内的氢替换15次的流量所制造的原料。
在碳模具中填充70％的纯度99.999％、粒径(二次粒子尺寸)10μm以下的比例为20％的钨粉末和30％的粒径(二次粒子尺寸)10μm以下的比例为80％的钨粉末。
接着，用上冲头和下冲头将模具密封，然后对模具施加210kgf/cm2的压力，通过外部加热在1200℃加热后保持4小时，进行热压。最高温度为1570℃×2小时。热压的形状为(直径)456mm×10mmt(厚)。
该HP后，在1570℃实施5小时HIP处理。所得到的钨烧结体的相对密度为99.0％，平均粒径为39.7μm，Mo/W强度比为1：1,700,000，靶中的Mo浓度：0.07ppm，作为烧结原料的W粉末的粒度分布(10μm以下的比例)：38％，在850℃进行60分钟热处理后的电阻率：89％。该结果示于表1。这些结果均满足本申请发明的条件。
(比较例1)
对Na2WO4中的Mo浓度(10重量％)的原料进行一次硫化处理，对所得到的钨酸铵进行“煅烧”，从而得到氧化钨，对其进行氢还原，从而使高纯度钨粉末中的钼浓度为15重量ppm。
Mo量通过湿式法进行测定。氢还原通过以下1)、2)的方法进行，从而得到钨原料粉末。
1)以氢流量10L/分钟进行氢还原，从而得到钨粉末的粒径(二次粒子尺寸)10μm以下的比例为20％的原料。作为具体示例，还原炉大小为2L时，使用以在1分钟内将还原炉内的氢替换5次的流量所制造的原料。
2)以氢流量30L/分钟进行氢还原，从而得到钨粉末的粒径(二次粒子尺寸)10μm以下的比例为80％的原料。作为具体示例，还原炉大小为2L时，使用以在1分钟内将还原炉内的氢替换15次的流量所制造的原料。
在碳模具中填充88％的纯度99.999％、粒径(二次粒子尺寸)10μm以下的比例为20％的钨粉末和12％的粒径(二次粒子尺寸)10μm以下的比例为80％的钨粉末，将其用上述碳片包裹。
接着，用上冲头和下冲头将模具密封，然后对模具施加210kgf/cm2的压力，通过外部加热在1200℃加热后保持2小时，进行热压。最高温度为1800℃×2小时。热压的形状为(直径)456mm×10mmt(厚)。
该HP后，在1850℃实施5小时HIP处理。所得到的钨烧结体的相对密度为99.2％，平均粒径为22.5μm，Mo/W强度比为1：8,000，靶中的Mo浓度：15ppm，作为烧结原料的W粉末的粒度分布(10μm以下的比例)：27％，在850℃进行60分钟热处理后的电阻率：97％。该结果示于表1。比较例1的W原料粉末的粒度分布的数据(样品C)示于图1中。
这些结果(Mo/W强度比、靶中的Mo浓度、W粉末的粒度分布(10μm以下的比例)、在850℃进行60分钟热处理后的电阻率)均不满足本申请发明的条件。
(比较例2)
对Na2WO4中的Mo浓度(1重量％)的原料进行一次硫化处理，对所得到的钨酸铵进行“煅烧”，从而得到氧化钨，对其进行氢还原，从而使高纯度钨粉末中的钼浓度为3重量ppm。
Mo量通过湿式法进行测定。氢还原通过以下1)的方法进行而得到钨粉末，进一步添加Mo使Mo达到规定浓度(75重量ppm)，从而得到钨原料粉末。
1)以氢流量10L/分钟进行氢还原，从而得到钨粉末的粒径(二次粒子尺寸)10μm以下的比例为20％的原料。作为具体示例，还原炉大小为2L时，使用以在1分钟内将还原炉内的氢替换5次的流量所制造的原料。
在碳模具中填充100％的纯度99.999％、粒径(二次粒子尺寸)10μm以下的比例为20％的钨粉末。
接着，用上冲头和下冲头将模具密封，然后对模具施加210kgf/cm2的压力，通过外部加热在1200℃加热后保持2小时，进行热压。最高温度为1400℃×2小时。热压的形状为(直径)456mm×10mmt(厚)。
该HP后，在1570℃实施5小时HIP处理。所得到的钨烧结体的相对密度为99.0％，平均粒径为69.7μm，Mo/W强度比为1：1,100，靶中的Mo浓度：75ppm，作为烧结原料的W粉末的粒度分布(10μm以下的比例)：22％，在850℃进行60分钟热处理后的电阻率：97％。该结果示于表1。这些结果(Mo/W强度比、靶中的Mo浓度、W粉末的粒度分布(10μm以下的比例)、在850℃进行60分钟热处理后的电阻率)均不满足本申请发明的条件。
使用实施例1和比较例1中制作的钨烧结体靶，在硅基板上通过溅射形成钨膜，并测定了膜的电阻率。利用FIB装置测定所形成的膜的膜厚，并计算沉积速率，使得膜厚为约另外，另行测定薄层电阻。
根据这些值求出膜的电阻率。结果确认到，实施例1的电阻率为11.47μΩ·cm，与比较例1的11.83μΩ·cm相比降低了3％。需要说明的是，降低钨膜的电阻率是非常难的，从该意义上讲，降低3％可以说是有显著的效果。
产业实用性
一种钨烧结体溅射靶，其具有如下优良效果：通过使用用二次离子质谱装置(D-SIMS)检测出的钼强度为钨强度的万分之一以下的钨溅射靶进行成膜，能够稳定地降低钨膜的电阻值。因此，本发明的钨烧结体溅射靶在超LSI用的电极材料、布线材料等用途中有用。

Claims (7)

1.一种钨烧结体溅射靶，其特征在于，用二次离子质谱装置(D-SIMS)检测出的钼强度为钨强度的万分之一以下。
2.一种钨烧结体溅射靶，其特征在于，用二次离子质谱装置(D-SIMS)检测出的钼强度为钨强度的十万分之一以下。
3.一种钨烧结体溅射靶，其特征在于，用二次离子质谱装置(D-SIMS)检测出的钼强度为钨强度的百万分之一以下。
4.如权利要求1～3中任一项所述的钨烧结体溅射靶，其特征在于，对溅射膜在850℃进行60分钟加热处理(热处理)后的膜电阻与未进行热处理的溅射膜(溅射后保持原样的膜)的膜电阻相比为95％以下。
5.如权利要求1～权利要求4中任一项所述的钨烧结体溅射靶，其特征在于，用于溅射的钨靶中的钼含量为3ppm以下。
6.如权利要求1～权利要求5中任一项所述的钨烧结体溅射靶，其特征在于，使用W粉末进行烧结而得到，所述W粉末为根据烧结时使用的W粉末的粒度分布测定，10μm以下的钨粒子的粒径的比例为30％以上且小于70％的W粉末。
7.一种钨薄膜，其通过使用权利要求1～6中任一项所述的钨烧结体溅射靶进行成膜而得到。
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