TW201432075A - 鎢燒結體濺鍍靶及使用該靶成膜之鎢膜 - Google Patents

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Abstract

一種鎢燒結體濺鍍靶，以二次離子質譜儀(D-SIMS)檢出之鉬強度在鎢強度的1萬分之1以下。其課題在於：藉由減少鎢燒結體濺鍍靶之鉬，且調整燒結時使用之W粉末的粒度分布，以降低使用該鎢燒結體靶濺鍍而得之鎢膜的比電阻。

Description

鎢燒結體濺鍍靶及使用該靶成膜之鎢膜
本發明係關於一種藉由濺鍍法形成IC、LSI等之閘電極或配線材料等時所使用之鎢燒結體靶及使用該靶成膜之鎢膜。
近年來，隨著超LSI之高積集化，而不斷進行將電阻值更低之材料使用作為電極材或配線材料的研究，其中，係將電阻值低、熱及化學上較穩定之高純度鎢使用作為電極材或配線材料。
該超LSI用之電極材或配線材料，一般係以濺鍍法與CVD法製造，但由於濺鍍法其裝置之構造及操作相對較為簡單、可容易成膜且成本低，故與CVD法相比，得到更廣泛的使用。
對於鎢靶，係要求高純度、高密度，近年來，對於使用鎢靶藉由濺鍍將超LSI用之電極材或配線材加以成膜之膜，要求電阻值更低之材料。
如後述，對於鎢燒結體靶，可提升純度及進行高密度化，並具有用以達成其之揭示，但當降低電阻值之情形時，對於「需要什麼」此一條件，並無明確揭示，且未充分進行對其之研究或開發。
此結果，由濺鍍所形成之鎢薄膜，高達理論比電阻之2倍程度，而具有未充分發揮原本之高導電性的問題。
若觀察鎢燒結體濺鍍靶相關之先前技術文獻，則於下述文獻 1記載有一種鎢濺鍍靶之製造方法與藉此製得之濺鍍靶，該製造方法之特徵在於：於鉬製球磨機中將純度99.999%以上之高純度鎢粉末加以粉碎，藉此調整成鉬含量為5~100ppm、平均粒徑為1~5μm，並於真空中或非活性氣體環境中對所製得之鎢粉末的成形體進行加壓燒結。於此情形時，因使用鉬製之磨球，故必然會混入鉬，而無法忽視雜質鉬的影響。
於下述文獻2記載有一種鎢濺鍍靶，該鎢濺鍍靶之特徵在於：靶的相對密度在99%以上，且維克氏硬度在330Hv以上，及靶整體之維克氏硬度的變動在30%以下。及該靶所含之雜質Fe、Ni、Cr、Cu、Al、Na、K、U和Th的合計含量未達0.01質量%。於此情形時，係注意靶的硬度，而對於靶之比電阻的問題及含有鉬的影響則完全未提及。
於下述文獻3記載一種濺鍍用靶之製造方法，該製造方法之特徵在於：以未達低熔點金屬之熔點的溫度，對熔點在900℃以上之高熔點物質的粉末與熔點在700℃以下之低熔點金屬的粉末之混合物進行加熱及加壓成形，作為高熔點物質之粉末例，係舉出W例。然而，於此情形時，對於靶之比電阻的問題及含有鉬的影響亦完全未提及。
於下述文獻4記載有：課題在於得到一種相對密度99.5%以上(細孔的體積率在0.5%以下)、組織均勻且具有等向性之鎢系燒結體，對鎢系粉末，使壓力在350MPa以上進行CIP處理，並於氫氣環境中以燒結溫度1600℃以上、保持時間5小時以上之條件進行燒結，再於氬氣中150MPa以上、1900℃以上之條件進行HIP處理，藉此得到鎢系燒結體。又，作為該用途，例舉出：放電燈用電極、濺鍍靶、坩鍋、放射線屏蔽構件、放電加工用電極、半導體元素搭載基板、構造用構件。然而，於此情形時，對於 靶之比電阻的問題及含有鉬的影響亦完全未提及。
於下述文獻5記載有一種濺鍍用鎢燒結體靶之製造方法，其特徵在於：使用粉體比表面積在0.4m2/g(BET法)以上之鎢粉末，於真空或還原環境中，以加壓開始溫度1200℃以下進行熱壓燒結後，進一步進行熱均壓燒結(HIP)。並記載有：藉由改善使用之鎢粉末的燒結特性及製造條件，可製成具有僅用先前之加壓燒結法的話無法達成之高密度及微細結晶組織，且抗彎強度大幅提高之濺鍍用鎢靶，藉此可抑制因濺鍍所導致之成膜上顆粒(particle)缺陷的產生，可得到能夠以低成本且穩定地製造該鎢靶之方法。雖然作為經提高抗彎強度之濺鍍用鎢靶是有用的，但於此情形時，對於靶之比電阻的問題及含有鉬的影響亦完全未提及。
於下述文獻6記載有一種濺鍍用鎢靶(氧含量0.1~10ppm，相對密度99%以上，且結晶粒徑在80μm以下)之製造方法及藉由此製造方法製得之鎢濺鍍靶，該製造方法之特徵在於：於真空下施加高頻電流，在鎢粉末表面間產生電漿，而對鎢粉末進行電漿處理後，於真空中進行加壓燒結。此技術雖然在高密度化、低氧化之方面上是有用的，但於此情形時，對於靶之比電阻的問題及含有鉬的影響亦完全未提及。
於下述文獻7提出有：由於使用以往之碳製壓鑄模來製作鎢燒結體濺鍍靶，故在燒結體靶的內部含有大量為雜質的碳，隨著碳量變多，雖然濺鍍成膜後之鎢膜的比電阻有増加之傾向，但為了克服此問題，而採用儘可能降低與C接觸之面積的方法，藉由使碳量在5ppm以下，而可使得成膜後之鎢膜的比電阻在12.3μΩ．cm以下。然而，作為謀求此比電阻值之降低化的條件，並不足夠，不能說是具有充分之效果。
於下述文獻8揭示有一種元件，該元件含有以選自由下述金屬構成之群中的一種以上之材料形成的金屬組成物：金屬鉬、金屬鉿、金屬鋯、金屬錸、金屬釕、金屬鉑、金屬鉭、金屬鎢及金屬銥，前述金屬組成物含有複數個粒子，大多數的前述粒子實質上為等軸，而前述粒子，當前述組成物含有金屬鉬之情形時具有約30微米以下的平均粒度，當前述組成物含有金屬釕之情形時具有約150微米以下的平均粒度，當前述組成物含有金屬鎢之情形時具有約15微米以下的平均粒度，以及當前述組成物含有金屬鉿、金屬錸、金屬鉭、金屬鋯、金屬鉑、或金屬銥之情形時具有約50微米以下的平均粒度。又，記載有此代表之元件為濺鍍靶。
此技術係想要提升由濺鍍形成之薄膜的均勻性，因此採取使組成物之粒子微細化的手段。然而，當尤其是鎢靶之情形時，關於薄膜電阻值之降低化是哪種因素的作用，以及對其之解決手段，完全沒有揭示。
專利文獻1：日本特開2001-295036號公報
專利文獻2：日本特開2003-171760號公報
專利文獻3：WO1996/036746號公報
專利文獻4：WO2005/073418號公報
專利文獻5：日本特開2007-314883號公報
專利文獻6：日本專利第3086447號公報
專利文獻7：日本特開平7-76771號公報
專利文獻8：日本特表2008-533299號公報
鑑於上述之點，課題在於提供一種鎢燒結體靶，對於使用鎢燒結體靶成膜之情形時的鎢膜，可穩定地使電阻值降低化。
為了解決上述課題，本發明人等提供下述發明。
1)一種鎢燒結體濺鍍靶，以二次離子質譜儀(D-SIMS)檢出之鉬強度在鎢強度的1萬分之1以下。
2)一種鎢燒結體濺鍍靶，以二次離子質譜儀(D-SIMS)檢出之鉬強度在鎢強度的10萬分之1以下。
3)一種鎢燒結體濺鍍靶，以二次離子質譜儀(D-SIMS)檢出之鉬強度在鎢強度的100萬分之1以下。
4)如上述1)~3)中任一項記載之鎢燒結體濺鍍靶，其中，以850℃對濺鍍膜進行60分鐘加熱處理(熱處理)後的膜電阻，為沒有經熱處理之濺鍍膜(只經濺鍍而成之膜)的95%以下。
於鎢燒結體濺鍍靶中，以850℃對前述濺鍍膜進行60分鐘加熱處理(熱處理)後的膜電阻，與沒有經熱處理之濺鍍膜(只經濺鍍而成之膜)比較，較佳在92%以下，更佳在90%以下。
5)如上述1)~4)中任一項記載之鎢燒結體濺鍍靶，其中，使用於濺鍍之鎢靶中的鉬含量在3ppm以下。
前述使用於濺鍍之鎢靶中的鉬含量，較佳在1ppm以下、更佳在0.1ppm以下。
6)如上述1)~9)中任一項記載之鎢燒結體濺鍍靶，其中，使用下述W粉末來燒結：於使用於燒結時之W粉末的粒度分布測量，10μm以下之鎢粒子粒徑的比例在30%以上、未達70%。
7)一種鎢薄膜，係使用上述1)~6)中任一項記載之鎢燒結體濺鍍靶成膜。
提供一種鎢燒結體濺鍍靶，該濺鍍靶主要以二次離子質譜儀(D-SIMS)檢出之鉬強度在鎢強度的1萬分之1以下，藉由對此鎢燒結體濺鍍靶進行濺鍍成膜，而具有可穩定地使鎢膜電阻值降低之優異效果。
圖1，係顯示實施例1之W原料粉末的粒度分布數據(樣品A)之圖。
圖2，係顯示比較例1之W原料粉末的粒度分布數據(樣品C)之圖。
本發明之鎢燒結體濺鍍靶，以二次離子質譜儀(D-SIMS)檢出之鉬強度在鎢強度的1萬分之1以下，較佳為以二次離子質譜儀(D-SIMS)檢出之鉬強度在鎢強度的10萬分之1以下，更佳為以二次離子質譜儀(D-SIMS)檢出之鉬強度在鎢強度的100萬分之1以下。
此係本發明之基本發明。另，薄膜中之鉬強度與鎢強度亦具有與靶同樣之值。
鎢薄膜較理論比電阻高2倍程度，而具有未充分發揮原本之高導電性的問題。因此，有時會藉由熱處理去除薄膜中的差排等，藉此降低電阻來使用。
若根據該專利文獻1(日本特開2001-295036)，則雖然揭示作為靶而言，鉬濃度容許至100ppm程度，但是當如此使靶進而是薄膜中之鉬大量存在時，可知會阻礙藉由熱處理降低膜比電阻的效果。
因此，本發明人等查明此原因，且得知作為其解決手段，對於鎢燒結體濺鍍靶，當以二次離子質譜儀(D-SIMS)檢出之薄膜中的鉬強度在鎢強度的1萬分之1以下時，可有效率地降低膜電阻。本發明發現了實現其之必要條件。
又，本發明提供一種上述鎢燒結體濺鍍靶，以850℃對濺鍍膜進行60分鐘加熱處理(熱處理)後的膜電阻，為沒有經熱處理之濺鍍膜(只經濺鍍而成之膜)的95%以下，較佳為92%以下，更佳為90%以下。此係進一步顯示本發明之鎢燒結體濺鍍靶所具有的特性與特徴。
又，以850℃進行60分鐘的加熱處理(熱處理)，係顯示對於鎢燒結體濺鍍靶視需要所進行之一般的加熱處理條件者，雖然也有時會以其他溫度與時間之條件進行加熱處理，但是於上述之溫度與時間中，會顯示得到本發明之靶之特性的指標。因此，若於在此加熱處理(熱處理)下之膜電阻的範圍，則為本發明所包含者。
又，本發明提供一種鎢燒結體濺鍍靶：使用於濺鍍之鎢靶中的鉬含量在3ppm以下，較佳為鉬含量在1ppm以下，更佳為鉬含量在0.1ppm以下。此係進一步顯示本發明之鎢燒結體濺鍍靶所具有的特性與特徴。
如上述，鉬含量之降低化，可穩定地使鎢濺鍍膜電阻值降低化。
又，本發明提供一種使用下述W粉末燒結而成之鎢濺鍍靶：於使用於燒結時之W粉末的粒度分布測量，10μm以下之鎢粒子粒徑的比例在30%以上、未達70%，進一步於粒度分布測量，10μm以下之鎢粒子粒徑的比例在50%以上、未達70%。
此係在實現上述本發明之鎢燒結體濺鍍靶上，表示有效之條件者。藉 此，進一步顯示上述本發明之鎢燒結體濺鍍靶所具有的特性與特徴。
當於粒度分布測量進行測量之情形時，可測量1次粒子或2次粒子。使用之W粉末可為1次粒子或2次粒子中的任一者。作為上限之70%，係因為若過細，則於HP之填充時體密度會變得過低，而使得生產性變差(無法得到填充片數)的緣故。對於變化燒結時所使用之W粉末的粒度分布值之情形的特性值，會於後述之實施例及比較例中，作詳細說明。
並且本發明包含使用上述之鎢燒結體濺鍍靶成膜的鎢薄膜。使用鉬含量經降低化之鎢燒結體濺鍍靶濺鍍而得之鎢濺鍍膜，會反映出該鉬之降低化，可穩定使鎢膜之電阻降低化。
另，為了觀察Mo分布，可使用SIMS。SIMS由於即使是很薄之膜亦可在微小區域進行測量，故可是合適的測量手段。
當燒結時，以超過1500℃之溫度進行熱壓(HP)是有效的。又，熱壓後，以超過1600℃之溫度進行HIP處理，可進一步提升密度。
又，可提供一種靶之相對密度在99%以上之鎢燒結體濺鍍靶，以及靶之相對密度在99.5%以上之鎢燒結體濺鍍靶。提升密度，由於會增加靶的強度，故更佳。
提升密度，由於可減少空孔使結晶粒微細化，使靶之濺鍍面均一且平滑，故具有可降低濺鍍時之顆粒或突起物(nodule)，並且可增長靶壽命的效果，且具有品質之變動少，可提升量產性的效果。
以此方式可降低藉由鎢靶成膜之鎢膜的比電阻，且同時使靶組織於靶直徑方向及厚度方向均勻化，靶強度亦足夠，於操作或使用過程中亦無如發生破裂之問題。因此，可提升靶製造之產率。
實施例
以下，根據實施例及比較例來說明。另，本實施例僅為一例示，並不受到此例示的任何限制。亦即，本發明僅受到申請專利範圍的限制，包含本發明所含之實施例以外的各種變形。
(實施例1)
對Na2WO4中之Mo濃度(1wt%)的原料進行1次硫化處理，然後對所得到之鎢酸銨進行「預燒」，製成氧化鎢，對其進行氫還原使高純度鎢粉末中之鉬濃度為3wtppm。Mo量係以濕式法進行測量。氫還原係以下述1)、2)之方法進行，製成鎢原料粉末。
1)以氫流量10L/min進行氫還原，鎢粉末之粒徑(2次粒子尺寸)10μm以下成為20%之原料。作為具體之例，當還原爐之大小為2L時，使用以1分鐘5次更換還原爐內之氫的流量所製造之原料。
2)以氫流量30L/min進行氫還原，鎢粉末之粒徑(2次粒子尺寸)10μm以下成為80%之原料。作為具體之例，當還原爐之大小為2L時，使用以1分鐘15次更換還原爐內之氫的流量所製造之原料。
另，上述硫化處理係以下述方法進行。
使起始原料為鎢酸鈉水溶液。於此水溶液加入硫氫化鈉及硫酸，將Mo的硫化物沈澱分離。然後，加入氫氧化鈉、鈣鹽將鎢酸鈣回收，並且，對此鎢酸鈣加入鹽酸進行分解，而得到鎢酸(WO3)。然後，對得到之鎢酸加入氨而製成鎢酸銨水溶液。
該預燒可在600~900℃×30分鐘~3小時之範圍加以適當選擇。
對於上述硫化處理，僅是顯示其中一例，並不限定於此處理，只要可 得到鎢酸銨水溶液，亦可採用其他方式。
於碳壓鑄模之中，填充48%之純度99.999%、粒徑(2次粒子尺寸)10μm以下為20%的鎢粉末、及52%之粒徑(2次粒子尺寸)10μm以下為80%的鎢粉末。
接著，用上衝床與下衝床密閉後，對壓鑄模施加210kgf/cm2之壓力，藉由外部加熱以1200℃加熱後，保持6小時，並進行熱壓。最高溫度為1600℃×2小時。熱壓之形狀為(直徑)456mm×10mmt(厚)。
在此HP後，以1750℃實施5小時之HIP處理。所製得之鎢燒結體的相對密度為99.0%，Mo/W強度比為1：34,000，靶中之Mo濃度：3ppm，燒結原料W粉末之粒度分布(10μm以下之比例)：51%，以850℃進行60分鐘熱處理後的比電阻：94%。將此結果示於表1。此等之結果皆滿足本發明之條件。
另，實施例1之W原料粉末的粒度分布數據(樣品A)示於圖1。
(實施例2)
對Na2WO4中之Mo濃度(1wt%)的原料進行2次硫化處理，然後對所得到之鎢酸銨進行「預燒」，製成氧化鎢，對其進行氫還原使高純度鎢粉末中之鉬濃度為0.9wtppm。Mo量係以濕式法進行測量。氫還原係以下述1)、2)之方法進行，製成鎢原料粉末。
1)以氫流量10L/min進行氫還原，鎢粉末之粒徑(2次粒子尺寸)10μm以下成為20%之原料。作為具體之例，當還原爐之大小為2L時，使用以1分鐘5次更換還原爐內之氫的流量所製造之原料。
2)以氫流量30L/min進行氫還原，鎢粉末之粒徑(2次粒子尺寸)10μm以下成為80%之原料。作為具體之例，當還原爐之大小為2L時，使用以1分鐘15次更換還原爐內之氫的流量所製造之原料。
於碳壓鑄模之中，填充58%之純度99.999%、粒徑(2次粒子尺寸)10μm以下為20%的鎢粉末、及42%之粒徑(2次粒子尺寸)10μm以下為80%的鎢粉末。
接著，用上衝床與下衝床密閉後，對壓鑄模施加210kgf/cm2之壓力，藉由外部加熱以1200℃加熱後，保持4小時，並進行熱壓。最高溫度為1570℃×2小時。熱壓之形狀為(直徑)456mm×10mmt(厚)。
在此HP後，以1850℃實施5小時之HIP處理。所製得之鎢燒結體的相對密度為99.0%，平均粒徑為32.1μm，Mo/W強度比為1：210,000，靶中之Mo濃度：0.9ppm，燒結原料W粉末之粒度分布(10μm以下之比例)：45%，以850℃進行60分鐘熱處理後的比電阻：91%。將此結果示於表1。此等之結果皆滿足本發明之條件。
(實施例3)
對Na2WO4中之Mo濃度(0.1wt%)的原料進行2次硫化處理，然後對所得到之鎢酸銨進行「預燒」，製成氧化鎢，對其進行氫還原使高純度鎢粉末中之鉬濃度為0.07wtppm。Mo量係以濕式法進行測量。氫還原係以下述1)、2)之方法進行，製成鎢原料粉末。
1)以氫流量10L/min進行氫還原，鎢粉末之粒徑(2次粒子尺寸)10μm以下成為20%之原料。作為具體之例，當還原爐之大小為2L時，使用以1分鐘5次更換還原爐內之氫的流量所製造之原料。
2)以氫流量30L/min進行氫還原，鎢粉末之粒徑(2次粒子尺寸)10μm以下成為80%之原料。作為具體之例，當還原爐之大小為2L時，使用以1分鐘15次更換還原爐內之氫的流量所製造之原料。
於碳壓鑄模之中，填充70%之純度99.999%、粒徑(2次粒子尺寸)10μm以下為20%的鎢粉末、及30%之粒徑(2次粒子尺寸)10μm以下為80%的鎢粉末。
接著，用上衝床與下衝床密閉後，對壓鑄模施加210kgf/cm2之壓力，藉由外部加熱以1200℃加熱後，保持4小時，並進行熱壓。最高溫度為1570℃×2小時。熱壓之形狀為(直徑)456mm×10mmt(厚)。
在此HP後，以1570℃實施5小時之HIP處理。所製得之鎢燒結體的相對密度為99.0%，平均粒徑為39.7μm，Mo/W強度比為1：1,700,000，靶中之Mo濃度：0.07ppm，燒結原料W粉末之粒度分布(10μm以下之比例)：38%，以850℃進行60分鐘熱處理後的比電阻：89%。將此結果示於表1。此等之結果皆滿足本發明之條件。
(比較例1)
對Na2WO4中之Mo濃度(10wt%)的原料進行1次硫化處理，然後對所得到之鎢酸銨進行「預燒」，製成氧化鎢，對其進行氫還原使高純度鎢粉末中之鉬濃度為15wtppm。Mo量係以濕式法進行測量。氫還原係以下述1)、2)之方法進行，製成鎢原料粉末。
1)以氫流量10L/min進行氫還原，鎢粉末之粒徑(2次粒子尺寸)10μm以下成為20%之原料。作為具體之例，當還原爐之大小為2L時，使用以1分鐘5次更換還原爐內之氫的流量所製造之原料。
2)以氫流量30L/min進行氫還原，鎢粉末之粒徑(2次粒子尺寸)10μm以下成為80%之原料。作為具體之例，當還原爐之大小為2L時，使用以1分鐘15次更換還原爐內之氫的流量所製造之原料。
於碳壓鑄模之中，填充88%之純度99.999%、粒徑(2次粒子尺寸)10μm以下為20%的鎢粉末、及12%之粒徑(2次粒子尺寸)10μm以下為80%的鎢粉末，接著，用上衝床與下衝床密閉後，對壓鑄模施加210kgf/cm2之壓力，藉由外部加熱以1200℃加熱後，保持2小時，並進行熱壓。最高溫度為1800℃×2小時。熱壓之形狀為(直徑)456mm×10mmt(厚)。
在此HP後，以1850℃實施5小時之HIP處理。所製得之鎢燒結體的相對密度為99.2%，平均粒徑為22.5μm，Mo/W強度比為1：8,000，靶中之Mo濃度：15ppm，燒結原料W粉末之粒度分布(10μm以下之比例)：27%，以850℃進行60分鐘熱處理後的比電阻：97%。將此結果示於表1。比較例1之W原料粉末的粒度分布數據(樣品C)示於圖1。
此等之結果，Mo/W強度比、靶中之Mo濃度、W粉末之粒度分布 (10μm以下之比例)、以850℃進行60分鐘熱處理後的比電阻，皆未滿足本發明之條件。
(比較例2)
對Na2WO4中之Mo濃度(1wt%)的原料進行1次硫化處理，然後對所得到之鎢酸銨進行「預燒」，製成氧化鎢，對其進行氫還原使高純度鎢粉末中之鉬濃度為3wtppm。
Mo量係以濕式法進行測量。氫還原係以下述1)之方法進行，製成鎢原料粉末，並進一步添加Mo，使Mo為規定之濃度(75wtppm)，製成鎢原料粉末。
1)以氫流量10L/min進行氫還原，鎢粉末之粒徑(2次粒子尺寸)10μm以下成為20%之原料。作為具體之例，當還原爐之大小為2L時，使用以1分鐘5次更換還原爐內之氫的流量所製造之原料。
於碳壓鑄模之中，填充100%之純度99.999%、粒徑(2次粒子尺寸)10μm以下為20%的鎢粉末。
接著，用上衝床與下衝床密閉後，對壓鑄模施加210kgf/cm2之壓力，藉由外部加熱以1200℃加熱後，保持2小時，並進行熱壓。最高溫度為1400℃×2小時。熱壓之形狀為(直徑)456mm×10mmt(厚)。
在此HP後，以1570℃實施5小時之HIP處理。所製得之鎢燒結體的相對密度為99.0%，平均粒徑為69.7μm，Mo/W強度比為1：1,100，靶中之Mo濃度：75ppm，燒結原料W粉末之粒度分布(10μm以下之比例)：22%，以850℃進行60分鐘熱處理後的比電阻：97%。將此結果示於表1。此等之結果，Mo/W強度比、靶中之Mo濃度、W粉末之粒度 分布(10μm以下之比例)、以850℃進行60分鐘熱處理後的比電阻，皆未滿足本發明之條件。
使用實施例1及比較例1所製作之鎢燒結體靶，藉由濺鍍將鎢膜形成於矽基板上，並測量膜之比電阻。以FIB裝置，測量成膜為膜厚約1000Å之膜的膜厚，計算沉積速率。又，另外測量了片電阻。藉由此等之值，求出膜之比電阻。其結果，實施例1之比電阻為11.47μΩ．cm，相較於比較例1之11.83μΩ．cm，確認了減少3%。另，要降低鎢膜之比電阻是非常困難的，其意義為，減少了3%可稱得上是具有很大的效果。
產業上之可利用性
藉由使用下述之鎢燒結體濺鍍靶來成膜，而具有可使鎢膜穩定地降低電阻值之優異效果：以二次離子質譜儀(D-SIMS)檢出之鉬強度在鎢強度之1萬分之1以下的鎢濺鍍靶。因此，本發明之鎢燒結體濺鍍靶，適用於超LSI用之電極材或配線材等之用途。

Claims (7)

  1. 一種鎢燒結體濺鍍靶，以二次離子質譜儀(D-SIMS)檢出之鉬強度在鎢強度的1萬分之1以下。
  2. 一種鎢燒結體濺鍍靶，以二次離子質譜儀(D-SIMS)檢出之鉬強度在鎢強度的10萬分之1以下。
  3. 一種鎢燒結體濺鍍靶，以二次離子質譜儀(D-SIMS)檢出之鉬強度在鎢強度的100萬分之1以下。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之鎢燒結體濺鍍靶，其中，以850℃對濺鍍膜進行60分鐘加熱處理(熱處理)後的膜電阻，為沒有經熱處理之濺鍍膜(只經濺鍍而成之膜)的95%以下。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之鎢燒結體濺鍍靶，其中，使用於濺鍍之鎢靶中的鉬含量在3ppm以下。
  6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之鎢燒結體濺鍍靶，其中，使用下述W粉末來燒結：於使用於燒結時之W粉末的粒度分布測量，10μm以下之鎢粒子粒徑的比例在30%以上、未達70%。
  7. 一種鎢薄膜，係使用申請專利範圍第1至6項中任一項之鎢燒結體濺鍍靶成膜。
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