JP3073764B2 - Ｔｉ―Ｗターゲット材およびその製造方法 - Google Patents
Ｔｉ―Ｗターゲット材およびその製造方法Info
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- JP3073764B2 JP3073764B2 JP02324910A JP32491090A JP3073764B2 JP 3073764 B2 JP3073764 B2 JP 3073764B2 JP 02324910 A JP02324910 A JP 02324910A JP 32491090 A JP32491090 A JP 32491090A JP 3073764 B2 JP3073764 B2 JP 3073764B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は半導体デバイスに使用されるバリアメタル層
の形成等に用いられるTi−Ｗターゲット材およびその製
造方法に関するものである。
の形成等に用いられるTi−Ｗターゲット材およびその製
造方法に関するものである。
［従来の技術］ 近年のLSIの高集積化に伴い、Al配線のマイグレーシ
ョン対策としてバリアメタル層が必要になってきた。
ョン対策としてバリアメタル層が必要になってきた。
バリアメタル層としては、Ti−Ｗ薄膜（代表的にはT
i:10wt％、残部Ｗの組成を有する。）が多く使用され、
その形成法としてはターゲットをスパッタリングする方
法が採用されている。
i:10wt％、残部Ｗの組成を有する。）が多く使用され、
その形成法としてはターゲットをスパッタリングする方
法が採用されている。
この薄膜用Ti−Ｗターゲット材は、一般にＷ粉末とTi
粉末とを混合し、ホットプレスすることにより製造され
ている。
粉末とを混合し、ホットプレスすることにより製造され
ている。
しかしながら、従来のTi−Ｗターゲットの原料となる
Ti粉末はもともと酸素含有量が高く、また、Ti粉末をよ
り細かく粉砕する時の酸素ピックアップにも起因して、
酸素含有量の多いターゲットしか得られていなかった。
Ti粉末はもともと酸素含有量が高く、また、Ti粉末をよ
り細かく粉砕する時の酸素ピックアップにも起因して、
酸素含有量の多いターゲットしか得られていなかった。
このような酸素含有量の多いターゲットでは、スパッ
タリング中の酸素の放離により、ターゲットの割れ、生
成薄膜の酸化、薄膜品質のばらつき等が生じ好ましくな
い。
タリング中の酸素の放離により、ターゲットの割れ、生
成薄膜の酸化、薄膜品質のばらつき等が生じ好ましくな
い。
最近、このようなTi−Ｗターゲットの酸素含有量を減
らす方法として、米国特許4,838,935号公報および特開
昭63−303017号公報等にTi粉末の代わりに水素化したTi
粉末を用いる方法が開示された。
らす方法として、米国特許4,838,935号公報および特開
昭63−303017号公報等にTi粉末の代わりに水素化したTi
粉末を用いる方法が開示された。
この水素化したTi粉末の使用は、それ自体酸化防止に
有効であるとともに、Ti粉末に比べ破砕性が良好である
ため、粉砕時の酸素ピックアップ量を減ずることができ
るものである。
有効であるとともに、Ti粉末に比べ破砕性が良好である
ため、粉砕時の酸素ピックアップ量を減ずることができ
るものである。
このようにして、Ti粉末として水素化したTi粉末を使
用することにより、900ppm以下という低酸素濃度のTi−
Ｗターゲットが得られるようになった。
用することにより、900ppm以下という低酸素濃度のTi−
Ｗターゲットが得られるようになった。
［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、最近の半導体製品の電極パターンの高
密度・細線化に伴い、前述の低酸素濃度のTi−Ｗターゲ
ットを用いてスパッタリングしても、スパッタリングに
より成膜した薄膜に巨大粒子、いわゆるパーティクルが
付着し、電極配線を断線させるという新たな問題が生じ
てきた。
密度・細線化に伴い、前述の低酸素濃度のTi−Ｗターゲ
ットを用いてスパッタリングしても、スパッタリングに
より成膜した薄膜に巨大粒子、いわゆるパーティクルが
付着し、電極配線を断線させるという新たな問題が生じ
てきた。
このパーティクルの発生はTi−Ｗターゲットの酸素含
有量を減ずるだけでは解決できず、Ti−Ｗターゲット組
織に存在する粗大Ti粒子、およびTi偏析に関係するもの
と推測された。
有量を減ずるだけでは解決できず、Ti−Ｗターゲット組
織に存在する粗大Ti粒子、およびTi偏析に関係するもの
と推測された。
本発明者は、ターゲット組織とパーティクル発生との
関係を詳細に検討したところ、特に粗大Ti粒子がパーテ
ィクル発生に関係することを見出した。すなわち、Tiと
Ｗでは原子量の軽いTiが選択的にスパッタリングされる
ので、Tiが存在していた場所は穿孔状になる。すると粗
大Ti粒子または粒子群に囲まれていたＷ粒子あるいは粗
大Ti粒子近傍のＷ粒子が巨大粒子のままターゲット材か
ら飛散することがパーティクル発生の原因であることを
見出した。
関係を詳細に検討したところ、特に粗大Ti粒子がパーテ
ィクル発生に関係することを見出した。すなわち、Tiと
Ｗでは原子量の軽いTiが選択的にスパッタリングされる
ので、Tiが存在していた場所は穿孔状になる。すると粗
大Ti粒子または粒子群に囲まれていたＷ粒子あるいは粗
大Ti粒子近傍のＷ粒子が巨大粒子のままターゲット材か
ら飛散することがパーティクル発生の原因であることを
見出した。
本発明は、パーティクル発生の極めて少ない組織に制
御したTi−Ｗターゲット材およびその製造方法を提供す
ることを目的とする。
御したTi−Ｗターゲット材およびその製造方法を提供す
ることを目的とする。
［課題を解決するための手段］ 本発明者は、TiとＷのスパッタリング速度の差による
Ｗ粒子の飛散のないターゲット材として、Ti相を拡散さ
せるのに有効であり、かつ結晶粒径が粗大化しないよう
な特定の温度で加熱処理して、Ti−Ｗ合金相を設け、Ti
相を実質的に無くすことが有効であることを見出した。
Ｗ粒子の飛散のないターゲット材として、Ti相を拡散さ
せるのに有効であり、かつ結晶粒径が粗大化しないよう
な特定の温度で加熱処理して、Ti−Ｗ合金相を設け、Ti
相を実質的に無くすことが有効であることを見出した。
すなわち本発明は実質的にＷ粒子とそれを取り巻くTi
−Ｗ合金相よりなることを特徴とするTi−Ｗターゲット
材である。
−Ｗ合金相よりなることを特徴とするTi−Ｗターゲット
材である。
本発明のターゲット材はTi粉末とＷ粉末を焼結した材
料を特定の温度範囲で加熱処理することによりTi−Ｗ合
金相を形成し、Ti相を実質的に消失させたものである。
料を特定の温度範囲で加熱処理することによりTi−Ｗ合
金相を形成し、Ti相を実質的に消失させたものである。
このようにTi相を消失させることにより、原子量の軽
いTiが選択的にスパッタされることがなくなり、パーテ
ィクルの発生を著しく減少できる。
いTiが選択的にスパッタされることがなくなり、パーテ
ィクルの発生を著しく減少できる。
また本発明は上記加熱処理によりＷ粒子もTiとの合金
化により減少するがＷ粒子がTi−Ｗターゲット材断面に
占める面積率が15％以下であることが好ましい。
化により減少するがＷ粒子がTi−Ｗターゲット材断面に
占める面積率が15％以下であることが好ましい。
Ｗ粒子は均質なスパッタを行うためには少ないほど良
いが、ターゲット材断面に占める割合が10％以下であれ
ば特に均質な薄膜を得ることができる。
いが、ターゲット材断面に占める割合が10％以下であれ
ば特に均質な薄膜を得ることができる。
また、本発明において、平均結晶粒径を特に15μｍ以
下とすると個々の結晶粒がそれぞれ有する結晶方位の影
響が小さくなり、スパッタにより均質な薄膜が得られる
ので都合がよい。本発明では、焼結体の加熱処理は温度
が高いほど、Tiの拡散のためには有利であるが、前記の
結晶粒径を15μｍ以下にするためには、1550℃以下の加
熱処理温度が適している。さらに小さい平均結晶粒径、
たとえば10μｍ以下が必要な場合には、加熱処理温度は
1500℃以下が望ましい。
下とすると個々の結晶粒がそれぞれ有する結晶方位の影
響が小さくなり、スパッタにより均質な薄膜が得られる
ので都合がよい。本発明では、焼結体の加熱処理は温度
が高いほど、Tiの拡散のためには有利であるが、前記の
結晶粒径を15μｍ以下にするためには、1550℃以下の加
熱処理温度が適している。さらに小さい平均結晶粒径、
たとえば10μｍ以下が必要な場合には、加熱処理温度は
1500℃以下が望ましい。
そこで、本発明のTi−Ｗターゲットは、Ｗ粉末と粒径
25μｍ以下の水素化したTi粉末とを混合粉砕処理し、平
均粒径５μｍ未満、最大粒径10μｍ未満まで微粉末化
し、次いで脱水素処理した後、あるいは脱水素化処理し
ながら加圧焼結を行い焼結体とし、得られた焼結体を13
00から1550℃に加熱処理して実質的にＷ粒子とそれを取
り巻くTi−Ｗ合金相の組織とすることにより得ることが
できる。
25μｍ以下の水素化したTi粉末とを混合粉砕処理し、平
均粒径５μｍ未満、最大粒径10μｍ未満まで微粉末化
し、次いで脱水素処理した後、あるいは脱水素化処理し
ながら加圧焼結を行い焼結体とし、得られた焼結体を13
00から1550℃に加熱処理して実質的にＷ粒子とそれを取
り巻くTi−Ｗ合金相の組織とすることにより得ることが
できる。
水素化したTi粉末の粒径を25μｍ以下としたのは、混
合粉砕処理において、微粉末化を容易にし、Ti−Ｗ合金
へのTiの反応を促進するためである。
合粉砕処理において、微粉末化を容易にし、Ti−Ｗ合金
へのTiの反応を促進するためである。
水素化したTiの粒径はTi粒子が酸化しない条件であれ
ば小さいほどよい。
ば小さいほどよい。
上記混合粉砕処理には、ボールミル、アトライタ等の
粉砕混合を行なう装置が使用できる。本発明でいう粉砕
混合とは粉砕と混合を別々に行なっても粉砕と混合を同
時に行なってもよく、Ti粉末とＷ粉末が微細粉末の状態
でよく混合されておればよい。
粉砕混合を行なう装置が使用できる。本発明でいう粉砕
混合とは粉砕と混合を別々に行なっても粉砕と混合を同
時に行なってもよく、Ti粉末とＷ粉末が微細粉末の状態
でよく混合されておればよい。
この粉砕混合処理により、水素化したTi粉末およびＷ
粉末は平均粒径５μｍ未満、最大粒径10μｍ未満まで微
粉末化する。このように微粉末化するのは、反応界面積
を増やし加熱処理した場合に結晶粒を成長させずに、Ti
相を実質的に消失させるために重要である。
粉末は平均粒径５μｍ未満、最大粒径10μｍ未満まで微
粉末化する。このように微粉末化するのは、反応界面積
を増やし加熱処理した場合に結晶粒を成長させずに、Ti
相を実質的に消失させるために重要である。
特に最大粒径が10μｍを超えると、加熱処理を長時間
行なってもTi相が残留するこことなり実用上好ましくな
い。
行なってもTi相が残留するこことなり実用上好ましくな
い。
また、得られた焼結体を1300から1550℃に加熱処理す
るのは加熱による拡散反応により、結晶粒の成長を抑え
つつTi−Ｗ合金相を生成するためである。1550℃を越え
て加熱すると原料がTiとＷのほぼ純物質であるため、焼
結体の結晶粒が大きくなり過ぎ、結晶方位の影響が大き
く均質な薄膜が得られなくなるためであり、また、1300
℃未満では50時間以上でもほとんど合金化しないため実
用上好ましくない。
るのは加熱による拡散反応により、結晶粒の成長を抑え
つつTi−Ｗ合金相を生成するためである。1550℃を越え
て加熱すると原料がTiとＷのほぼ純物質であるため、焼
結体の結晶粒が大きくなり過ぎ、結晶方位の影響が大き
く均質な薄膜が得られなくなるためであり、また、1300
℃未満では50時間以上でもほとんど合金化しないため実
用上好ましくない。
上述した加圧焼結には熱間静水圧プレス（以下HIPと
称する）あるいはホットプレス等が使用できる。
称する）あるいはホットプレス等が使用できる。
また、原料となるTi、水素化したTiおよびＷの粉末は
できるだけ酸素、放射性元素等の不純物濃度は低い方が
良い。酸素の混入は薄膜の電気的性質を劣化させ、また
放射性元素の混入は半導体装置の誤動作、破損につなが
る危険がある。
できるだけ酸素、放射性元素等の不純物濃度は低い方が
良い。酸素の混入は薄膜の電気的性質を劣化させ、また
放射性元素の混入は半導体装置の誤動作、破損につなが
る危険がある。
［実施例］ （実施例１） 水素化した高純度Ti（純度99.99％以上、平均粒径75
μｍ以下：以下水素化Tiと称する）を500メッシュ（25
μｍ）のふるいで分級したものと、高純度Ｗ粉末（純度
99.999％以上、平均粒径５μｍ以下）とを水素化Ti10.3
6wt％になるように配合し、タングステン張りのポット
とタングステン製ボールを使用した専用ボールミル内に
投入した後、ポット内を真空排気し、その後アルゴンガ
スで置換し非酸化性雰囲気とし、90分間粉砕しつつ混合
した。
μｍ以下：以下水素化Tiと称する）を500メッシュ（25
μｍ）のふるいで分級したものと、高純度Ｗ粉末（純度
99.999％以上、平均粒径５μｍ以下）とを水素化Ti10.3
6wt％になるように配合し、タングステン張りのポット
とタングステン製ボールを使用した専用ボールミル内に
投入した後、ポット内を真空排気し、その後アルゴンガ
スで置換し非酸化性雰囲気とし、90分間粉砕しつつ混合
した。
得られた混合粉は平均粒径3.1μｍで最大粒径８μｍ
であった。
であった。
また、混合粉の酸素含有量は820ppmであった。
得られた混合粉を内径400φのHIP缶内に充填し、５×
10-5torrに真空排気しながら、700℃×24時間の加熱を
行ない、脱水素処理を行った。脱水素後HIP缶を封止
し、1250℃×２時間、1000atmの条件でHIP処理を行っ
た。
10-5torrに真空排気しながら、700℃×24時間の加熱を
行ない、脱水素処理を行った。脱水素後HIP缶を封止
し、1250℃×２時間、1000atmの条件でHIP処理を行っ
た。
得られた焼結体の600倍の組織写真を第２図に示す。
第２図において白色粒子はＷ粒子であり、Ｗ粒子間に存
在する灰色部はTi粒子である。第２図が示すように、こ
の段階ではTi−Ｗ合金相は全く確認されない。この時の
焼結体の平均結晶粒径は、４μｍであった。
第２図において白色粒子はＷ粒子であり、Ｗ粒子間に存
在する灰色部はTi粒子である。第２図が示すように、こ
の段階ではTi−Ｗ合金相は全く確認されない。この時の
焼結体の平均結晶粒径は、４μｍであった。
この焼結体を真空度10-5torrで1380℃×24時間の条件
で合金化のための加熱処理を行いターゲット材を得た。
で合金化のための加熱処理を行いターゲット材を得た。
得られたターゲット材の酸素含有量はほぼ850ppmであ
り、平均結晶粒径は６μｍであった。
り、平均結晶粒径は６μｍであった。
得られたターゲット材の600倍の組織写真を第１図に
示す。
示す。
第１図中、白色部はＷ粒子であり、実質的にＷ粒子を
取り巻いている灰色部はTi−Ｗ合金相である。
取り巻いている灰色部はTi−Ｗ合金相である。
第１図に示すように、Ti相の確認されないターゲット
材を得ることができた。
材を得ることができた。
このターゲット材をφ300に加工し、ターゲットとし
た。このターゲットを用い、６インチウエハーにスパッ
タリングした。
た。このターゲットを用い、６インチウエハーにスパッ
タリングした。
スパッタ膜中のパーティクル数を検査したところ、0.
5μｍ以上のパーティクルで５個、0.3μｍ以上のパーテ
ィクルでも12個と非常に少ないことが確認された。
5μｍ以上のパーティクルで５個、0.3μｍ以上のパーテ
ィクルでも12個と非常に少ないことが確認された。
（比較例１） 実施例１と同一の条件でHIP処理し、第２図で示す組
織と同様の焼結体を得た。この焼結体を実施例１で行っ
た合金化のための加熱処理を行わず、そのままφ300に
加工し、ターゲットとした。
織と同様の焼結体を得た。この焼結体を実施例１で行っ
た合金化のための加熱処理を行わず、そのままφ300に
加工し、ターゲットとした。
このターゲットを用い、実施例１と同一の条件で６イ
ンチウエハーにスパッタリングした。
ンチウエハーにスパッタリングした。
スパッタ膜中のパーティクル数を検査したところ、0.
5μｍ以上のパーティクルで30個、0.3μｍ以上で140個
と実施例１と比較して非常に多いものとなり、好ましく
ないものであった。
5μｍ以上のパーティクルで30個、0.3μｍ以上で140個
と実施例１と比較して非常に多いものとなり、好ましく
ないものであった。
（比較例２） この比較例は、原料となる水素化Ti粉末に粒径の大き
いものを使用し、パーティクル発生の程度を調べたもの
である。
いものを使用し、パーティクル発生の程度を調べたもの
である。
水素化した高純度Ti（純度99.99％以上、平均粒径75
μｍ以下：以下水素化Tiと称する）を分級せず、高純度
Ｗ粉末（純度99.999％以上、平均粒径５μｍ以下）とを
水素化Ti10.36wt％になるように配合し、タングステン
張りのポットとタングステン製ボールを使用した専用ボ
ールミル内に投入した後、ポット内を真空排気し、その
後アルゴンガスで置換し非酸化性雰囲気とし、90分間粉
砕しつつ混合した。
μｍ以下：以下水素化Tiと称する）を分級せず、高純度
Ｗ粉末（純度99.999％以上、平均粒径５μｍ以下）とを
水素化Ti10.36wt％になるように配合し、タングステン
張りのポットとタングステン製ボールを使用した専用ボ
ールミル内に投入した後、ポット内を真空排気し、その
後アルゴンガスで置換し非酸化性雰囲気とし、90分間粉
砕しつつ混合した。
得られた混合粉は平均粒径4.0μｍで最大粒径19μｍ
であった。
であった。
得られた混合粉を実施例１と同様に内径400φのHIP缶
内に充填し、５×10-5torrに真空排気しながら、700℃
×24時間加熱し、脱水素処理を行った。脱水素後HIP缶
を封止し、1250℃×２時間、1000atmの条件でHIP処理を
行った。
内に充填し、５×10-5torrに真空排気しながら、700℃
×24時間加熱し、脱水素処理を行った。脱水素後HIP缶
を封止し、1250℃×２時間、1000atmの条件でHIP処理を
行った。
得られた焼結体を実施例１と同様に合金化処理を行い
ターゲット材を得た。
ターゲット材を得た。
得られたターゲット材の酸素含有量は550ppmであり、
平均結晶粒径は６μｍであった。
平均結晶粒径は６μｍであった。
第３図に得られたターゲット材の組織写真を示す。第
３図中、白色部はＷ粒子、実質的にＷ粒子を取り巻いて
いる灰色部はTi−Ｗ合金相であり、Ti−Ｗ相中に存在す
る黒色部はTi相である。このように水素化Tiの原料粉が
粒径25μｍを越えると焼結体の加熱処理を行なってもTi
相として残存することになる。
３図中、白色部はＷ粒子、実質的にＷ粒子を取り巻いて
いる灰色部はTi−Ｗ合金相であり、Ti−Ｗ相中に存在す
る黒色部はTi相である。このように水素化Tiの原料粉が
粒径25μｍを越えると焼結体の加熱処理を行なってもTi
相として残存することになる。
このターゲット材をφ300に加工し、ターゲットとし
た。このターゲットを用い、６インチウエハーにスパッ
タリングした。
た。このターゲットを用い、６インチウエハーにスパッ
タリングした。
スパッタ膜中のパーティクル数を検査したところ、0.
5μｍ以上のパーティクルで８個であり実施例１と同等
であったが、0.3μｍ以上のパーティクルが40個と実施
例１よりかなり多いものとなり、パーティクルの発生に
おいて、本発明のように実質的にTi相ない方が優れるこ
とが確認された。
5μｍ以上のパーティクルで８個であり実施例１と同等
であったが、0.3μｍ以上のパーティクルが40個と実施
例１よりかなり多いものとなり、パーティクルの発生に
おいて、本発明のように実質的にTi相ない方が優れるこ
とが確認された。
（実施例２） 実施例１と同様にして得られた合金化のための加熱処
理を行う前の焼結体に対して、真空度10-5、24時間の合
金化のための熱処理を熱処理温度を変えて行ないターゲ
ット材を得た。
理を行う前の焼結体に対して、真空度10-5、24時間の合
金化のための熱処理を熱処理温度を変えて行ないターゲ
ット材を得た。
得られたターゲットをφ300に加工し。ターゲットと
した。
した。
このターゲットを用いて、６インチウエハーにスパッ
タリングを行い、0.3μｍ以上のパーティクルの発生状
況を観測した。
タリングを行い、0.3μｍ以上のパーティクルの発生状
況を観測した。
このターゲットのＷ面積率およびパーティクルの発生
数と合金化のための加熱熱処理温度の関係を第４図に示
す。
数と合金化のための加熱熱処理温度の関係を第４図に示
す。
なお、1300℃以上の熱処理を行った本実施例において
は、ターゲット組織の観察により、すべて実質的にTi相
の無い組織であることが確認された。
は、ターゲット組織の観察により、すべて実質的にTi相
の無い組織であることが確認された。
第４図から熱処理温度を上げていくとＷの面積率が減
少していき、それに伴ってパーティクルの発生数も減少
することがわかる。また、Ｗの面積率はパーティクル数
を減少させるのに小さいほどよいが、Ｗ面積率が15％以
下の場合は、パーティクルの数がほとんどＷ面積率に依
存しないため、Ｗの面積は15％以下であることが好まし
いことがわかる。
少していき、それに伴ってパーティクルの発生数も減少
することがわかる。また、Ｗの面積率はパーティクル数
を減少させるのに小さいほどよいが、Ｗ面積率が15％以
下の場合は、パーティクルの数がほとんどＷ面積率に依
存しないため、Ｗの面積は15％以下であることが好まし
いことがわかる。
また、ターゲット材破断面の観測により測定された平
均結晶粒径と合金化熱処理温度との関係を第５図に示
す。
均結晶粒径と合金化熱処理温度との関係を第５図に示
す。
また、第５図から合金化の加熱熱処理の温度が1550℃
を超えると平均結晶粒径が急激に増加し、好ましくない
ことがわかる。
を超えると平均結晶粒径が急激に増加し、好ましくない
ことがわかる。
［発明の効果］ 本発明の非常にパーティクルの発生しにくいTi−Ｗタ
ーゲット材により、極めて品質の高いスパッタリングを
実施できるため、半導体デバイスの品質向上に極めて有
効である。また、本発明のターゲット材は酸素含有量も
少ないので、ターゲットの割れや生成薄膜の酸化による
電気的特性の劣化を防止でき、薄膜の品質のバラツキを
抑えるという効果も有するものである。
ーゲット材により、極めて品質の高いスパッタリングを
実施できるため、半導体デバイスの品質向上に極めて有
効である。また、本発明のターゲット材は酸素含有量も
少ないので、ターゲットの割れや生成薄膜の酸化による
電気的特性の劣化を防止でき、薄膜の品質のバラツキを
抑えるという効果も有するものである。
第１図は本発明の一実施例であるターゲット材の金属組
織写真を示した図、第２図および第３図は比較例のター
ゲット材の金属組織写真を示した図、第４図は本発明の
ターゲットのＷ面積率およびパーティクルの発生数と合
金化熱処理温度の関係を示した図、第５図は本発明のタ
ーゲットの平均結晶粒径と合金化熱処理温度との関係を
示した図である。
織写真を示した図、第２図および第３図は比較例のター
ゲット材の金属組織写真を示した図、第４図は本発明の
ターゲットのＷ面積率およびパーティクルの発生数と合
金化熱処理温度の関係を示した図、第５図は本発明のタ
ーゲットの平均結晶粒径と合金化熱処理温度との関係を
示した図である。
Claims (4)
- 【請求項１】実質的にＷ粒子とそれを取り巻くTi−Ｗ合
金相よりなることを特徴とするTi−Ｗターゲット材。 - 【請求項２】実質的にＷ粒子とそれを取り巻くTi−Ｗ合
金相よりなり、平均結晶粒径15μｍ以下であることを特
徴とするTi−Ｗターゲット材。 - 【請求項３】Ｗ粒子がTi−Ｗターゲット材断面に占める
面積率が15％以下であることを特徴とする請求項１また
は２に記載のTi−Ｗターゲット材。 - 【請求項４】Ｗ粉末と粒径25μｍ以下の水素化したTi粉
末とを混合粉砕処理し、平均粒径５μｍ未満、最大粒径
10μｍ未満まで微粉末化し、次いで脱水素処理した後に
加圧焼結を行なうか、あるいは脱水素化処理しながら加
圧焼結を行い焼結体とし、得られた焼結体を1300から15
50℃に加熱処理して実質的にＷ粒子とそれを取り巻くTi
−Ｗ合金相よりなるターゲットを得ることを特徴とする
Ti−Ｗターゲットの製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02324910A JP3073764B2 (ja) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | Ｔｉ―Ｗターゲット材およびその製造方法 |
| US07/708,340 US5160534A (en) | 1990-06-15 | 1991-05-31 | Titanium-tungsten target material for sputtering and manufacturing method therefor |
| EP92110738A EP0575654A1 (en) | 1990-06-15 | 1992-06-25 | Titanium-tungsten target material for sputtering and manufacturing method therefor |
| US07/914,545 US5298338A (en) | 1990-06-15 | 1992-07-16 | Titanium-tungsten target material and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02324910A JP3073764B2 (ja) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | Ｔｉ―Ｗターゲット材およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04193947A JPH04193947A (ja) | 1992-07-14 |
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