JPH0849068A - タングステンシリサイドターゲット材およびその製造方法 - Google Patents
タングステンシリサイドターゲット材およびその製造方法Info
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- JPH0849068A JPH0849068A JP6201398A JP20139894A JPH0849068A JP H0849068 A JPH0849068 A JP H0849068A JP 6201398 A JP6201398 A JP 6201398A JP 20139894 A JP20139894 A JP 20139894A JP H0849068 A JPH0849068 A JP H0849068A
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- silicon
- tungsten
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 パーティクルの発生を低減できるターゲット
材およびその製造方法を提供する。 【構成】 本発明は相対密度が１０１％以上であり、シ
リコンとタングステンの原子比Ｓｉ／Ｗが２を超えるこ
とを特徴とするタングステンシリサイドターゲット材で
ある。本発明のターゲット材は、仮焼体を粉砕して得ら
れた粉砕粉を１２００℃〜１４００℃、１１０ＭＰａ以
上で焼結することにより得ることができる。
材およびその製造方法を提供する。 【構成】 本発明は相対密度が１０１％以上であり、シ
リコンとタングステンの原子比Ｓｉ／Ｗが２を超えるこ
とを特徴とするタングステンシリサイドターゲット材で
ある。本発明のターゲット材は、仮焼体を粉砕して得ら
れた粉砕粉を１２００℃〜１４００℃、１１０ＭＰａ以
上で焼結することにより得ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体デバイスに使用
される電極形成あるいは配線形成等に使用されるタング
ステンシリサイドターゲット材およびその製造方法に関
するものである。
される電極形成あるいは配線形成等に使用されるタング
ステンシリサイドターゲット材およびその製造方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年のＬＳＩの高集積化に伴い、ＬＳＩ
の電極および配線としてタングステンシリサイド膜が用
いられている。このタングステンシリサイド膜を形成す
る方法としては、スパッタリング法、化学蒸着法等が使
用されており、特に膜の生産性、再現性および作業の安
全性から、スパッタリング法が主流となっている。この
スパッタリング法は、タングステンとシリコンで構成さ
れるターゲットを用いて、アルゴン等の不活性ガスイオ
ンをターゲット表面に衝突させ、放出される微細な粒子
を薄膜として形成させる方法である。
の電極および配線としてタングステンシリサイド膜が用
いられている。このタングステンシリサイド膜を形成す
る方法としては、スパッタリング法、化学蒸着法等が使
用されており、特に膜の生産性、再現性および作業の安
全性から、スパッタリング法が主流となっている。この
スパッタリング法は、タングステンとシリコンで構成さ
れるターゲットを用いて、アルゴン等の不活性ガスイオ
ンをターゲット表面に衝突させ、放出される微細な粒子
を薄膜として形成させる方法である。
【０００３】上述したターゲットとしては、使用中の割
れの発生を防止するため、薄膜の均一性、低抵抗性など
を確保するため、あるいはスパッタ時の局部放電により
ターゲット表面に突起が生じ、パーティクルが発生する
のを防止するために、高密度で不純物の少ないターゲッ
トを製造する方法が検討されている。例えば、特開昭６
１−１４５８２８号公報では、高純度高融点金属粉末と
高純度シリコン粉末を混合、加圧成形、加熱焼結して焼
結体を得た後、電子ビーム溶解してシリサイド溶製品を
得る方法が開示されている。また、特開昭６１−１４１
６７３号公報あるいは特開昭６１−１４１６７４号公報
では、モリブデン粉末あるいはタングステン粉末とシリ
コン粉末を混合後、成形、シリサイド化の後にペレット
を粉砕し、ホットプレスによる焼結体を得る方法によっ
て高密度ターゲットを得ている。
れの発生を防止するため、薄膜の均一性、低抵抗性など
を確保するため、あるいはスパッタ時の局部放電により
ターゲット表面に突起が生じ、パーティクルが発生する
のを防止するために、高密度で不純物の少ないターゲッ
トを製造する方法が検討されている。例えば、特開昭６
１−１４５８２８号公報では、高純度高融点金属粉末と
高純度シリコン粉末を混合、加圧成形、加熱焼結して焼
結体を得た後、電子ビーム溶解してシリサイド溶製品を
得る方法が開示されている。また、特開昭６１−１４１
６７３号公報あるいは特開昭６１−１４１６７４号公報
では、モリブデン粉末あるいはタングステン粉末とシリ
コン粉末を混合後、成形、シリサイド化の後にペレット
を粉砕し、ホットプレスによる焼結体を得る方法によっ
て高密度ターゲットを得ている。
【０００４】また、特開昭６３−２１９５８０号公報に
記載されるように、組織の微細化のために、高融点金属
（Ｍ）粉末とシリコン粉末とを真空中でシリサイド反応
させ、得られた仮焼体を熱間静水圧プレスする方法も提
案されている。さらに、最近では、特公平６−４１６２
９号公報に記載されるように、パーティクルの低減に炭
素量が関係することに着目して、金属粉末とシリコン粉
末の混合粉末を作製した後、炭素および酸素を低減する
ために高真空中で加熱して炭素および酸素を低減する工
程を付加する方法も開示されている。
記載されるように、組織の微細化のために、高融点金属
（Ｍ）粉末とシリコン粉末とを真空中でシリサイド反応
させ、得られた仮焼体を熱間静水圧プレスする方法も提
案されている。さらに、最近では、特公平６−４１６２
９号公報に記載されるように、パーティクルの低減に炭
素量が関係することに着目して、金属粉末とシリコン粉
末の混合粉末を作製した後、炭素および酸素を低減する
ために高真空中で加熱して炭素および酸素を低減する工
程を付加する方法も開示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した高密度化、不
純物の低減および組織の微細化は、タングステンシリサ
イドターゲットとしてそれぞれ有効な手法である。しか
し、近年のＬＳＩの高集積化は著しく、配線などに要求
される薄膜の幅がサブミクロンになってきており、上述
した従来の手法だけでは、微細なデバイスのパーティク
ルの発生をさらに低減するのには不十分である。本発明
は、上述した要求に答えるべく、パーティクルの発生を
さらに低減できる新規なターゲット材およびその製造方
法を提供することである。
純物の低減および組織の微細化は、タングステンシリサ
イドターゲットとしてそれぞれ有効な手法である。しか
し、近年のＬＳＩの高集積化は著しく、配線などに要求
される薄膜の幅がサブミクロンになってきており、上述
した従来の手法だけでは、微細なデバイスのパーティク
ルの発生をさらに低減するのには不十分である。本発明
は、上述した要求に答えるべく、パーティクルの発生を
さらに低減できる新規なターゲット材およびその製造方
法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者は、様々な手法
を用いて、タングステンシリサイドターゲット材を製造
し、化学量論的なタングステンシリサイドＷＳｉ2およ
び純シリコンＳｉで構成されると仮定して計算された時
の理論密度に対するターゲット材の真密度の比である相
対密度が１０１％を超える従来にはないターゲット材を
製造することが可能であることを見い出し、この相対密
度が１０１％を超えたターゲット材が、パーティクルの
低減に極めて有効であることを見いだし本発明に到達し
た。
を用いて、タングステンシリサイドターゲット材を製造
し、化学量論的なタングステンシリサイドＷＳｉ2およ
び純シリコンＳｉで構成されると仮定して計算された時
の理論密度に対するターゲット材の真密度の比である相
対密度が１０１％を超える従来にはないターゲット材を
製造することが可能であることを見い出し、この相対密
度が１０１％を超えたターゲット材が、パーティクルの
低減に極めて有効であることを見いだし本発明に到達し
た。
【０００７】すなわち本発明は、ターゲット材が化学量
論的なタングステンシリサイドＷＳｉ2および純シリコ
ンＳｉで構成されると仮定して計算された理論密度に対
するターゲット材の真密度の比である相対密度が１０１
％以上であり、シリコンとタングステンの原子比Ｓｉ／
Ｗが２を超えることを特徴とするタングステンシリサイ
ドターゲット材である。
論的なタングステンシリサイドＷＳｉ2および純シリコ
ンＳｉで構成されると仮定して計算された理論密度に対
するターゲット材の真密度の比である相対密度が１０１
％以上であり、シリコンとタングステンの原子比Ｓｉ／
Ｗが２を超えることを特徴とするタングステンシリサイ
ドターゲット材である。
【０００８】また、上記本発明のターゲット材を得るた
めの製造方法は、シリコンとタングステンの原子比Ｓｉ
／Ｗが２を超えるように混合したタングステン粉末とシ
リコン粉末とを還元性雰囲気でシリサイド反応させて仮
焼体とし、ついで該仮焼体を粉砕して得られた粉砕粉を
１２００℃〜１４００℃、１１０ＭＰａ以上で焼結し
て、化学量論的なタングステンシリサイドＷＳｉ2およ
び純シリコンＳｉで構成されると仮定して計算された理
論密度に対する真密度の比である相対密度が１０１％以
上であるターゲット材を得ることを特徴とするタングス
テンシリサイドターゲット材の製造方法である。
めの製造方法は、シリコンとタングステンの原子比Ｓｉ
／Ｗが２を超えるように混合したタングステン粉末とシ
リコン粉末とを還元性雰囲気でシリサイド反応させて仮
焼体とし、ついで該仮焼体を粉砕して得られた粉砕粉を
１２００℃〜１４００℃、１１０ＭＰａ以上で焼結し
て、化学量論的なタングステンシリサイドＷＳｉ2およ
び純シリコンＳｉで構成されると仮定して計算された理
論密度に対する真密度の比である相対密度が１０１％以
上であるターゲット材を得ることを特徴とするタングス
テンシリサイドターゲット材の製造方法である。
【０００９】
【作用】上述したように、本発明の最大の特徴の一つ
は、タングステンシリサイドターゲット材の相対密度を
１０１％以上にしたことである。従来のタングステンシ
リサイドターゲット材は、その組織として化学量論的な
タングステンシリサイドＷＳｉ2と遊離シリコンで構成
されるものと考えられ、相対密度を１００％に近づける
ことによって、スパッタリング時の異常放電の原因とな
る空隙を減らすことを目的として高密度化が検討されて
きた。これに対して、本発明者は、上述した従来の手法
をさらに検討したところ、１２００℃〜１４００℃、１
１０ＭＰａ以上という、シリコンの融点である１４１４
℃直下でかつ極めて高い圧力条件を選択することによ
り、化学量論的なタングステンシリサイドと遊離シリコ
ンのみで構成されるとは考えられない相対密度１０１％
以上の新規なターゲット材を実際に製造できることを見
いだしたのである。
は、タングステンシリサイドターゲット材の相対密度を
１０１％以上にしたことである。従来のタングステンシ
リサイドターゲット材は、その組織として化学量論的な
タングステンシリサイドＷＳｉ2と遊離シリコンで構成
されるものと考えられ、相対密度を１００％に近づける
ことによって、スパッタリング時の異常放電の原因とな
る空隙を減らすことを目的として高密度化が検討されて
きた。これに対して、本発明者は、上述した従来の手法
をさらに検討したところ、１２００℃〜１４００℃、１
１０ＭＰａ以上という、シリコンの融点である１４１４
℃直下でかつ極めて高い圧力条件を選択することによ
り、化学量論的なタングステンシリサイドと遊離シリコ
ンのみで構成されるとは考えられない相対密度１０１％
以上の新規なターゲット材を実際に製造できることを見
いだしたのである。
【００１０】相対密度が１０１％以上のターゲット材
が、パーティクルを低減できる理由は不詳であるが、高
温・高圧の条件により組織中のタングステンシリサイド
相とシリコン相の界面で一部拡散が起こり、化合物であ
るタングステンシリサイド相とシリコン相とのスパッタ
速度の違いを緩和していることが考えられる。本発明に
おける相対密度は好ましくは１０２％以上である。ある
いは、タングステンシリサイド相とシリコン相との機械
的な結合力が強くなっており、パーティクルの発生を抑
制したものと考えられる。
が、パーティクルを低減できる理由は不詳であるが、高
温・高圧の条件により組織中のタングステンシリサイド
相とシリコン相の界面で一部拡散が起こり、化合物であ
るタングステンシリサイド相とシリコン相とのスパッタ
速度の違いを緩和していることが考えられる。本発明に
おける相対密度は好ましくは１０２％以上である。ある
いは、タングステンシリサイド相とシリコン相との機械
的な結合力が強くなっており、パーティクルの発生を抑
制したものと考えられる。
【００１１】また、本発明においてシリコンとタングス
テンの原子比Ｓｉ／Ｗが２を超えると規定したのは、Ｓ
ｉ／Ｗが２以下であると、生成する薄膜に大きな引張り
応力が発生し、薄膜の密着性を阻害する危険があるため
である。またＬＳＩの電極または配線として使用する場
合には、Ｓｉ／Ｗが４を超えるとシート抵抗が高くなっ
てしまうという問題があるため、好ましくはＳｉ／Ｗを
４以下とする。
テンの原子比Ｓｉ／Ｗが２を超えると規定したのは、Ｓ
ｉ／Ｗが２以下であると、生成する薄膜に大きな引張り
応力が発生し、薄膜の密着性を阻害する危険があるため
である。またＬＳＩの電極または配線として使用する場
合には、Ｓｉ／Ｗが４を超えるとシート抵抗が高くなっ
てしまうという問題があるため、好ましくはＳｉ／Ｗを
４以下とする。
【００１２】本発明のターゲット材を得るための製造方
法の最も特徴とするところは、１２００℃〜１４００
℃、１１０ＭＰａ以上という、純シリコンの融点１４１
４℃直下で極めて高い圧力を適用したことである。これ
により上述した本発明のターゲット材を得ることが可能
となる。このような高温・高圧条件で焼結するには、例
えば熱間静水圧プレス法が適用できる。従来タングステ
ンシリサイドターゲット材を製造するために熱間静水圧
プレス法を適用する場合は、通常では１２００℃以上と
することはなく、またこのような高温で１１０ＭＰａ以
上の高圧条件を適用していなかった。これはこのような
高温・高圧の条件を適用しなくても相対密度がほぼ１０
０％となり、これ以上密度を高めようとしなかったため
である。なお、本発明において焼結温度の上限を１４０
０℃としたのは、１４００℃を超えるとシリコンが溶融
して、焼結体組織が不均一になるためである。好ましい
焼結温度範囲は１２５０〜１３５０℃であり、好ましい
焼結圧力は１２０ＭＰａ以上である。
法の最も特徴とするところは、１２００℃〜１４００
℃、１１０ＭＰａ以上という、純シリコンの融点１４１
４℃直下で極めて高い圧力を適用したことである。これ
により上述した本発明のターゲット材を得ることが可能
となる。このような高温・高圧条件で焼結するには、例
えば熱間静水圧プレス法が適用できる。従来タングステ
ンシリサイドターゲット材を製造するために熱間静水圧
プレス法を適用する場合は、通常では１２００℃以上と
することはなく、またこのような高温で１１０ＭＰａ以
上の高圧条件を適用していなかった。これはこのような
高温・高圧の条件を適用しなくても相対密度がほぼ１０
０％となり、これ以上密度を高めようとしなかったため
である。なお、本発明において焼結温度の上限を１４０
０℃としたのは、１４００℃を超えるとシリコンが溶融
して、焼結体組織が不均一になるためである。好ましい
焼結温度範囲は１２５０〜１３５０℃であり、好ましい
焼結圧力は１２０ＭＰａ以上である。
【００１３】また本発明の製造方法において、まずシリ
コンとタングステンの原子比Ｓｉ／Ｗが２を超えるよう
に混合したタングステン粉末とシリコン粉末とを還元性
雰囲気下でシリサイド反応させてタングステンシリサイ
ドと遊離シリコンからなる仮焼体とし、ついで該仮焼体
を粉砕して焼結原料としている。仮焼体をあらかじめ製
造するのは、タングステンはシリサイド化反応させタン
グステンシリサイドとし、反応にあずからなかったシリ
コンは微細な遊離シリコンとするためである。また還元
性雰囲気下で行うのは、シリサイド反応に伴ない、Ｗ，
Ｓｉに吸着していた酸素が解離され、不純物酸素を効果
的に低減できるためである。還元性雰囲気としては、水
素含有雰囲気や減圧雰囲気が使用できる。また、仮焼体
をさらに粉砕するのは、均一で高密度な焼結体を得るた
めである。
コンとタングステンの原子比Ｓｉ／Ｗが２を超えるよう
に混合したタングステン粉末とシリコン粉末とを還元性
雰囲気下でシリサイド反応させてタングステンシリサイ
ドと遊離シリコンからなる仮焼体とし、ついで該仮焼体
を粉砕して焼結原料としている。仮焼体をあらかじめ製
造するのは、タングステンはシリサイド化反応させタン
グステンシリサイドとし、反応にあずからなかったシリ
コンは微細な遊離シリコンとするためである。また還元
性雰囲気下で行うのは、シリサイド反応に伴ない、Ｗ，
Ｓｉに吸着していた酸素が解離され、不純物酸素を効果
的に低減できるためである。還元性雰囲気としては、水
素含有雰囲気や減圧雰囲気が使用できる。また、仮焼体
をさらに粉砕するのは、均一で高密度な焼結体を得るた
めである。
【００１４】本発明において、理論密度は例えば次のよ
うに計算できる。シリコンとタングステンの原子比Ｓｉ
／Ｗ＝２．７５のターゲット材の場合。化学量論的タン
グステンシリサイドＷＳｉ2の密度と分子量は以下の通
りである。 密度 9.83 [g/cm3] 分子量 240.022[g/g-mol] 純シリコンの密度と分子量は以下の通りである。 密度 2.33 [g/cm3] 原子量 28.086[g/g-mol] ターゲット材が実質的にWSi2 1[g-mol]とSi 0.75[g-mo
l]のみで構成されると仮定すると、ターゲット材重量
は、 (1[g-mol]×240.022[g/g-mol])+(0.75[g-mol]×28.086
[g/g-mol])=261.085[g] ターゲット材容積は、 (1[g-mol]×240.022[g/g-mol]／9.83[g/cm3])+(0.75[g-
mol]×28.086[g/g-mol]／2.33[g/cm3])＝33.458[cm3] この時の密度は、ターゲット材重量/ターゲット材容積
＝7.803〔g/cm3〕となる。これが理論密度である。一方
真密度は、ターゲット材をアルキメデス法によって容積
を求め、また秤量することにより重量を求めることによ
って得ることができる。これによって得られた真密度が
たとえば、7.90/〔g/cm3〕であれば、相対密度は、(真
密度×100)／理論密度＝(7.90[g/cm3]×100)／7.803[g/
cm3]＝101.2%である。
うに計算できる。シリコンとタングステンの原子比Ｓｉ
／Ｗ＝２．７５のターゲット材の場合。化学量論的タン
グステンシリサイドＷＳｉ2の密度と分子量は以下の通
りである。 密度 9.83 [g/cm3] 分子量 240.022[g/g-mol] 純シリコンの密度と分子量は以下の通りである。 密度 2.33 [g/cm3] 原子量 28.086[g/g-mol] ターゲット材が実質的にWSi2 1[g-mol]とSi 0.75[g-mo
l]のみで構成されると仮定すると、ターゲット材重量
は、 (1[g-mol]×240.022[g/g-mol])+(0.75[g-mol]×28.086
[g/g-mol])=261.085[g] ターゲット材容積は、 (1[g-mol]×240.022[g/g-mol]／9.83[g/cm3])+(0.75[g-
mol]×28.086[g/g-mol]／2.33[g/cm3])＝33.458[cm3] この時の密度は、ターゲット材重量/ターゲット材容積
＝7.803〔g/cm3〕となる。これが理論密度である。一方
真密度は、ターゲット材をアルキメデス法によって容積
を求め、また秤量することにより重量を求めることによ
って得ることができる。これによって得られた真密度が
たとえば、7.90/〔g/cm3〕であれば、相対密度は、(真
密度×100)／理論密度＝(7.90[g/cm3]×100)／7.803[g/
cm3]＝101.2%である。
【００１５】
【実施例】高純度タングステン粉末(純度99.999%以上、
平均粒径4.2μｍ)と高純度シリコン粉末(純度99.999%以
上、平均粒径16μｍ)をSi/W=2.75の配合比に秤量し、ブ
レンダーにて混合した。混合して得られた混合粉末を13
50℃×2hrの条件で5×10マイナス4乗Torr以下の高真空
下でシリサイド化反応を行い仮焼体を得た。この仮焼体
をアルゴン雰囲気中で100メッシュ(150μｍ)以下にまで
粉砕し、粉砕粉を表1に示す条件により加圧焼結し、機
械加工により300mmφのターゲット材を得た。表１に示
すＨＩＰは熱間静水圧プレス、ＨＰはホットプレスを意
味するものである。得られたターゲット材の密度を測定
した結果を表１に示す。また、得られたターゲット材を
表２の条件でスパッタリングを行い6インチウエハーに
発生する0.3μｍ以上のパーティクル数を測定した。結
果を表１に示す。
平均粒径4.2μｍ)と高純度シリコン粉末(純度99.999%以
上、平均粒径16μｍ)をSi/W=2.75の配合比に秤量し、ブ
レンダーにて混合した。混合して得られた混合粉末を13
50℃×2hrの条件で5×10マイナス4乗Torr以下の高真空
下でシリサイド化反応を行い仮焼体を得た。この仮焼体
をアルゴン雰囲気中で100メッシュ(150μｍ)以下にまで
粉砕し、粉砕粉を表1に示す条件により加圧焼結し、機
械加工により300mmφのターゲット材を得た。表１に示
すＨＩＰは熱間静水圧プレス、ＨＰはホットプレスを意
味するものである。得られたターゲット材の密度を測定
した結果を表１に示す。また、得られたターゲット材を
表２の条件でスパッタリングを行い6インチウエハーに
発生する0.3μｍ以上のパーティクル数を測定した。結
果を表１に示す。
【００１６】
【表１】
【００１７】
【表２】
【００１８】また、本発明のターゲット材の基本的な組
織を示すために試料Ｎｏ．２の６００倍の組織写真を図
１に示す。図１に示すように本発明のターゲット材は、
白色で表されるタングステンシリサイド相と黒色に見え
る遊離シリコン相が均一に分散した組織となっているこ
とがわかる。表１に示す試料のうち、試料１〜３が本発
明のターゲット材であり、試料４〜６は比較例の試料で
ある。試料４および試料５に示すように、圧力および温
度のいずれか一方が本発明よりも低い場合には、１０１
％以上の密度とすることはできなかった。また、試料６
は通常のホットプレスの限界の条件を適用してみたもの
であるが、相対密度１０１％以上のターゲット材を得る
ことはできなかった。
織を示すために試料Ｎｏ．２の６００倍の組織写真を図
１に示す。図１に示すように本発明のターゲット材は、
白色で表されるタングステンシリサイド相と黒色に見え
る遊離シリコン相が均一に分散した組織となっているこ
とがわかる。表１に示す試料のうち、試料１〜３が本発
明のターゲット材であり、試料４〜６は比較例の試料で
ある。試料４および試料５に示すように、圧力および温
度のいずれか一方が本発明よりも低い場合には、１０１
％以上の密度とすることはできなかった。また、試料６
は通常のホットプレスの限界の条件を適用してみたもの
であるが、相対密度１０１％以上のターゲット材を得る
ことはできなかった。
【００１９】このような比較例のターゲット材に対し
て、表１に示すように１２００℃以上、１１０ＭＰａ以
上の本発明の焼結条件を適用した場合、ターゲット材の
相対密度は、理論密度をはるかに超えた１０１％以上の
相対密度のターゲット材を得ることができたことがわか
る。そして相対密度が１０１%未満の比較例のターゲッ
ト材のパーティクル発生数は、本発明のターゲット材に
比べて２倍近く多くなっており、相対密度を１０１％以
上にしたターゲット材がパーティクルの発生を抑制する
のに有効であることをがわかる。
て、表１に示すように１２００℃以上、１１０ＭＰａ以
上の本発明の焼結条件を適用した場合、ターゲット材の
相対密度は、理論密度をはるかに超えた１０１％以上の
相対密度のターゲット材を得ることができたことがわか
る。そして相対密度が１０１%未満の比較例のターゲッ
ト材のパーティクル発生数は、本発明のターゲット材に
比べて２倍近く多くなっており、相対密度を１０１％以
上にしたターゲット材がパーティクルの発生を抑制する
のに有効であることをがわかる。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、従来では考えられなか
った相対密度１０１％以上のターゲット材を得ることが
でき、このターゲット材によって、パーティクル発生の
発生を効果的に抑制することでできるようになった。し
たがって、本発明のターゲット材を使用することによ
り、半導体デバイスの製造歩留まり向上あるいは半導体
デバイスの信頼性向上となり、工業上極めて有効であ
る。
った相対密度１０１％以上のターゲット材を得ることが
でき、このターゲット材によって、パーティクル発生の
発生を効果的に抑制することでできるようになった。し
たがって、本発明のターゲット材を使用することによ
り、半導体デバイスの製造歩留まり向上あるいは半導体
デバイスの信頼性向上となり、工業上極めて有効であ
る。
【図１】本発明のターゲット材の組織の一例を示す金属
ミクロ組織写真である。
ミクロ組織写真である。
Claims (2)
- 【請求項１】 ターゲット材が化学量論的なタングステ
ンシリサイドＷＳｉ2および純シリコンＳｉで構成され
ると仮定して計算された理論密度に対するターゲット材
の真密度の比である相対密度が１０１％以上であり、シ
リコンとタングステンの原子比Ｓｉ／Ｗが２を超えるこ
とを特徴とするタングステンシリサイドターゲット材。 - 【請求項２】 シリコンとタングステンの原子比Ｓｉ／
Ｗが２を超えるように混合したタングステン粉末とシリ
コン粉末とを還元性雰囲気でシリサイド反応させて仮焼
体とし、ついで該仮焼体を粉砕して得られた粉砕粉を１
２００℃〜１４００℃、１１０ＭＰａ以上で焼結して、
化学量論的なタングステンシリサイドＷＳｉ2および純
シリコンＳｉで構成されると仮定して計算された理論密
度に対する真密度の比である相対密度が１０１％以上で
あるターゲット材を得ることを特徴とするタングステン
シリサイドターゲット材の製造方法。
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