JP3962690B2 - Pt−Co系スパッタリングターゲット - Google Patents
Pt−Co系スパッタリングターゲット Download PDFInfo
- Publication number
- JP3962690B2 JP3962690B2 JP2002581711A JP2002581711A JP3962690B2 JP 3962690 B2 JP3962690 B2 JP 3962690B2 JP 2002581711 A JP2002581711 A JP 2002581711A JP 2002581711 A JP2002581711 A JP 2002581711A JP 3962690 B2 JP3962690 B2 JP 3962690B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alloy
- sputtering target
- target
- composition
- noble metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/18—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates by cathode sputtering
- H01F41/183—Sputtering targets therefor
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Manufacturing Of Micro-Capsules (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Description
ミクロ組織的特徴:急冷凝固したターゲット合金は、主にCoB,CoCrB,CoCr,CoPt,CoCrPt及びPtの多相を有する。また、同一組成の従来の鋳造析出組織に比べて主に10倍細かい高度に精製された析出組織を有する。
図1は、噴霧されたCo−23Cr−2Ta−6B粉末のSEM画像である。この粉末は主に2つの相からなる。明るい相は、Co,Cr,及びTaを含む。析出相は、暗い相であって主にCoとBを含む。噴霧処理は従来からの鋳造技術では得られない急速凝固ミクロ組織を生成する。図2は、HIP処理したCo−21Cr−8Pt−2Ta−5B母合金のSEM画像である。この合金は、純Pt粉末と図1の粉末をボールミルし、この混合材料をHIP処理して製造された。明るい相は、主に純Ptであり、暗い相は、主に残りのコバルト系噴霧粉末である。図3は、図2に示す材料の多相の微細析出相を含むミクロ組織を明らかにする高倍率SEM画像を示す。図4は、図2と図3に示す材料の高倍率SEM画像を示し、この像は少なくとも4つの相を示す。析出相の大きさは5ミクロン未満である。図5は、同じ組成の比較例の鋳造処理合金を示し、図6は、図5に示す比較例の鋳造処理合金の高倍率像である。
[実施例1]
Co−20at%Cr−10at%Pt−5at%B−2at%Taの組成の合金粉末を生成するため、Co−25〜30wt%Cr−15〜20wt%B、Co−25〜30wt%Cr及びCo−10〜15wt%Bの母合金粉末を、十分な量のPt及びTa粉末と混ぜ合わせて混合した。その粉末を、6〜10時間ボールミルした。続いて、圧力103421.4KPa(15000psi)、温度約1038℃(1900°F)で4時間、HIP処理を行い、機械的に合金化した粉末を緻密化した。HIP処理したビレットを、最終的に6OD、厚さ0.250”のRM−Gunターゲットを形成するために機械加工した。得られたターゲット合金は、密度が9.94、PTFが70〜90%を有する。
実施例1と同様に、Co−19at%Cr−11at%Pt−8at%Bの組成のターゲットを、Co−(20〜25wt%)Cr−(5〜10wt%)B、Co−(20〜25wt%)Cr及びCo−(5〜10wt%)Bの母合金粉末と純Ptを混ぜ合わせて製造した。機械的な合金化とHIP処理パラメータは実施例1で述べたのと同様である。更に、同じ組成の従来の鋳造及び圧延ターゲットは、前述した実施例1と同様のプロセスを用いて製造した。母合金と従来の技術を用いてそれぞれ製造した各ターゲットの密度とPTFは、この試験の目的のために同じとした。
Claims (16)
- ミクロ組織的均質性を有する機械的に合金化され化学的に均質な合金組成からなり、前記合金組成が、Ptと、Coと、Crと、少なくとも2at%のZn,Cu,O,Si及びNの中から選択された少なくとも1つの元素と、を含むことを特徴とする貴金属磁気スパッタリングターゲット。
- 前記合金組成が、Ptと、Coと、少なくとも2at%のCr及びBとを含むことを特徴とする請求項1に記載の貴金属磁気スパッタリングターゲット。
- 前記合金組成が、CoB,CoCrB,CoCr,CoPt,CoCrPt及び均一に分散されたPtからなる多相を含むことを特徴とする請求項1に記載の貴金属磁気スパッタリングターゲット
- ミクロ組織的均質性を有する機械的に合金化され化学的に均質な合金組成からなり、前記合金組成が、Ptと、Coと、少なくとも2at%のCr,B,Ta,Nb,C,Mo,W,Zr,Zn,Cu,Hf,O,Si及びNの中から選択された少なくとも1つの元素と、を含むスパッタリングターゲットであって、CoCrPtTaB合金からなることを特徴とする貴金属磁気スパッタリングターゲット。
- 前記合金の組成が、Co−20Cr−10Pt−2Ta−5Bであることを特徴とする請求項4に記載の貴金属磁気スパッタリングターゲット。
- ミクロ組織的均質性を有する機械的に合金化され化学的に均質な合金組成からなり、前記合金組成が、Ptと、Coと、少なくとも2at%のCr,B,Ta,Nb,C,Mo,W,Zr,Zn,Cu,Hf,O,Si及びNの中から選択された少なくとも1つの元素と、を含むスパッタリングターゲットであって、CoCrPtB合金からなることを特徴とする貴金属磁気スパッタリングターゲット。
- 前記合金の組成が、Co−19Cr−11Pt−8Bであることを特徴とする請求項6に記載の貴金属磁気スパッタリングターゲット。
- 前記合金の組成が、Co−15Cr−11Pt−10Bであることを特徴とする請求項6に記載の貴金属磁気スパッタリングターゲット。
- 前記合金の組成が、Co−20Cr−10Pt−6Bであることを特徴とする請求項6に記載の貴金属磁気スパッタリングターゲット。
- 前記合金の組成が、Co−10Cr−10Pt−20Bであることを特徴とする請求項6に記載の貴金属磁気スパッタリングターゲット。
- 前記合金の組成が、Co−12Cr−12Pt−18Bであることを特徴とする請求項6に記載の貴金属磁気スパッタリングターゲット。
- 前記合金の組成が、Co−12Cr−8Pt−22Bであることを特徴とする請求項6に記載の貴金属磁気スパッタリングターゲット。
- 前記元素の原子パーセントが2at%〜30at%の範囲であることを特徴とする請求項1に記載の貴金属磁気スパッタリングターゲット。
- 前記合金組成は、0.004〜0.067の範囲の標準偏差を有する2地点間の組織的均質性を有することを特徴とする請求項1に記載の貴金属磁気スパッタリングターゲット。
- 前記合金組成が、急速凝固されたものであることを特徴とする請求項1に記載の貴金属磁気スパッタリングターゲット。
- 前記合金組成が、更に、Bを含むことを特徴とする請求項1に記載の貴金属磁気スパッタリングターゲット。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/832,181 US6797137B2 (en) | 2001-04-11 | 2001-04-11 | Mechanically alloyed precious metal magnetic sputtering targets fabricated using rapidly solidfied alloy powders and elemental Pt metal |
PCT/US2002/010909 WO2002083974A1 (en) | 2001-04-11 | 2002-04-08 | Pt-co based sputtering targets |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005316988A Division JP2006144124A (ja) | 2001-04-11 | 2005-10-31 | 貴金属磁気スパッタリングターゲットの製造方法及びこの方法で製造された貴金属磁気スパッタリングターゲット |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004532931A JP2004532931A (ja) | 2004-10-28 |
JP3962690B2 true JP3962690B2 (ja) | 2007-08-22 |
Family
ID=25260918
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002581711A Expired - Fee Related JP3962690B2 (ja) | 2001-04-11 | 2002-04-08 | Pt−Co系スパッタリングターゲット |
JP2005316988A Ceased JP2006144124A (ja) | 2001-04-11 | 2005-10-31 | 貴金属磁気スパッタリングターゲットの製造方法及びこの方法で製造された貴金属磁気スパッタリングターゲット |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005316988A Ceased JP2006144124A (ja) | 2001-04-11 | 2005-10-31 | 貴金属磁気スパッタリングターゲットの製造方法及びこの方法で製造された貴金属磁気スパッタリングターゲット |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6797137B2 (ja) |
EP (2) | EP1395689B1 (ja) |
JP (2) | JP3962690B2 (ja) |
KR (2) | KR100668790B1 (ja) |
CN (2) | CN100344789C (ja) |
AT (1) | ATE300628T1 (ja) |
DE (1) | DE60205251T2 (ja) |
HK (1) | HK1064130A1 (ja) |
WO (1) | WO2002083974A1 (ja) |
Families Citing this family (68)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6506289B2 (en) | 2000-08-07 | 2003-01-14 | Symmorphix, Inc. | Planar optical devices and methods for their manufacture |
US6797137B2 (en) * | 2001-04-11 | 2004-09-28 | Heraeus, Inc. | Mechanically alloyed precious metal magnetic sputtering targets fabricated using rapidly solidfied alloy powders and elemental Pt metal |
US6884327B2 (en) | 2002-03-16 | 2005-04-26 | Tao Pan | Mode size converter for a planar waveguide |
US7378356B2 (en) | 2002-03-16 | 2008-05-27 | Springworks, Llc | Biased pulse DC reactive sputtering of oxide films |
AU2003243332A1 (en) * | 2002-06-07 | 2003-12-22 | Heraeus, Inc. | Fabrication of ductile intermetallic sputtering targets |
US6759005B2 (en) * | 2002-07-23 | 2004-07-06 | Heraeus, Inc. | Fabrication of B/C/N/O/Si doped sputtering targets |
US20070189916A1 (en) * | 2002-07-23 | 2007-08-16 | Heraeus Incorporated | Sputtering targets and methods for fabricating sputtering targets having multiple materials |
US20070264564A1 (en) | 2006-03-16 | 2007-11-15 | Infinite Power Solutions, Inc. | Thin film battery on an integrated circuit or circuit board and method thereof |
US8236443B2 (en) | 2002-08-09 | 2012-08-07 | Infinite Power Solutions, Inc. | Metal film encapsulation |
US7993773B2 (en) | 2002-08-09 | 2011-08-09 | Infinite Power Solutions, Inc. | Electrochemical apparatus with barrier layer protected substrate |
US8431264B2 (en) | 2002-08-09 | 2013-04-30 | Infinite Power Solutions, Inc. | Hybrid thin-film battery |
US8394522B2 (en) | 2002-08-09 | 2013-03-12 | Infinite Power Solutions, Inc. | Robust metal film encapsulation |
US8404376B2 (en) | 2002-08-09 | 2013-03-26 | Infinite Power Solutions, Inc. | Metal film encapsulation |
US8021778B2 (en) | 2002-08-09 | 2011-09-20 | Infinite Power Solutions, Inc. | Electrochemical apparatus with barrier layer protected substrate |
US8445130B2 (en) | 2002-08-09 | 2013-05-21 | Infinite Power Solutions, Inc. | Hybrid thin-film battery |
US7826702B2 (en) | 2002-08-27 | 2010-11-02 | Springworks, Llc | Optically coupling into highly uniform waveguides |
US8728285B2 (en) | 2003-05-23 | 2014-05-20 | Demaray, Llc | Transparent conductive oxides |
FR2859618B1 (fr) * | 2003-09-11 | 2006-01-20 | Seb Sa | Surface de cuisson facile a nettoyer et article electromenager comportant une telle surface |
JP4110533B2 (ja) * | 2004-02-27 | 2008-07-02 | 日立金属株式会社 | Mo系ターゲット材の製造方法 |
SG119249A1 (en) * | 2004-08-05 | 2006-02-28 | Agency Science Tech & Res | An alloying system |
JP5095412B2 (ja) | 2004-12-08 | 2012-12-12 | シモーフィックス,インコーポレーテッド | LiCoO2の堆積 |
US7959769B2 (en) | 2004-12-08 | 2011-06-14 | Infinite Power Solutions, Inc. | Deposition of LiCoO2 |
US7494617B2 (en) * | 2005-04-18 | 2009-02-24 | Heraeus Inc. | Enhanced formulation of cobalt alloy matrix compositions |
US20060289294A1 (en) * | 2005-06-24 | 2006-12-28 | Heraeus, Inc. | Enhanced oxygen non-stoichiometry compensation for thin films |
US20070017803A1 (en) * | 2005-07-22 | 2007-01-25 | Heraeus, Inc. | Enhanced sputter target manufacturing method |
US7838133B2 (en) | 2005-09-02 | 2010-11-23 | Springworks, Llc | Deposition of perovskite and other compound ceramic films for dielectric applications |
WO2007062089A1 (en) * | 2005-11-22 | 2007-05-31 | Bodycote Imt, Inc. | Fabrication of ruthenium and ruthenium alloy sputtering targets with low oxygen content |
US20070169853A1 (en) * | 2006-01-23 | 2007-07-26 | Heraeus, Inc. | Magnetic sputter targets manufactured using directional solidification |
KR20090069323A (ko) | 2006-09-29 | 2009-06-30 | 인피니트 파워 솔루션스, 인크. | 가요성 기판의 마스킹 및 가요성 기판에 배터리 층을 증착하기 위한 재료의 구속 |
US8197781B2 (en) | 2006-11-07 | 2012-06-12 | Infinite Power Solutions, Inc. | Sputtering target of Li3PO4 and method for producing same |
JP4970003B2 (ja) * | 2006-11-17 | 2012-07-04 | 山陽特殊製鋼株式会社 | Co−B系ターゲット材およびその製造方法 |
US20080145688A1 (en) | 2006-12-13 | 2008-06-19 | H.C. Starck Inc. | Method of joining tantalum clade steel structures |
JP5155565B2 (ja) * | 2007-01-04 | 2013-03-06 | 三井金属鉱業株式会社 | CoCrPt系スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
US8197894B2 (en) | 2007-05-04 | 2012-06-12 | H.C. Starck Gmbh | Methods of forming sputtering targets |
JP2009001861A (ja) * | 2007-06-21 | 2009-01-08 | Mitsubishi Materials Corp | 比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット |
US8268488B2 (en) | 2007-12-21 | 2012-09-18 | Infinite Power Solutions, Inc. | Thin film electrolyte for thin film batteries |
KR20100102180A (ko) | 2007-12-21 | 2010-09-20 | 인피니트 파워 솔루션스, 인크. | 전해질 막을 위한 표적을 스퍼터링하는 방법 |
CN100549199C (zh) * | 2007-12-26 | 2009-10-14 | 安泰科技股份有限公司 | 一种磁控溅射Co-Cr-Ta合金靶的制造方法 |
KR101606183B1 (ko) | 2008-01-11 | 2016-03-25 | 사푸라스트 리써치 엘엘씨 | 박막 배터리 및 기타 소자를 위한 박막 캡슐화 |
JP5359890B2 (ja) * | 2008-02-18 | 2013-12-04 | 日立金属株式会社 | 軟磁性膜形成用Fe−Co系合金スパッタリングターゲット材 |
US8350519B2 (en) | 2008-04-02 | 2013-01-08 | Infinite Power Solutions, Inc | Passive over/under voltage control and protection for energy storage devices associated with energy harvesting |
US8968528B2 (en) * | 2008-04-14 | 2015-03-03 | United Technologies Corporation | Platinum-modified cathodic arc coating |
US8394243B1 (en) | 2008-07-24 | 2013-03-12 | Wd Media, Inc. | Sputtered cobalt oxide for perpendicular magnetic recording medium with low media noise |
US8906523B2 (en) | 2008-08-11 | 2014-12-09 | Infinite Power Solutions, Inc. | Energy device with integral collector surface for electromagnetic energy harvesting and method thereof |
US8246903B2 (en) | 2008-09-09 | 2012-08-21 | H.C. Starck Inc. | Dynamic dehydriding of refractory metal powders |
JP5650646B2 (ja) | 2008-09-12 | 2015-01-07 | インフィニット パワー ソリューションズ, インコーポレイテッド | 電磁エネルギーを介したデータ通信のための一体型伝導性表面を有するエネルギーデバイスおよび電磁エネルギーを介したデータ通信のための方法 |
US8488276B1 (en) | 2008-09-30 | 2013-07-16 | WD Media, LLC | Perpendicular magnetic recording medium with grain isolation magnetic anistropy layer |
WO2010042594A1 (en) | 2008-10-08 | 2010-04-15 | Infinite Power Solutions, Inc. | Environmentally-powered wireless sensor module |
US20110003177A1 (en) * | 2009-07-06 | 2011-01-06 | Solar Applied Materials Technology Corp. | Method for producing sputtering target containing boron, thin film and magnetic recording media |
CN102576828B (zh) | 2009-09-01 | 2016-04-20 | 萨普拉斯特研究有限责任公司 | 具有集成薄膜电池的印刷电路板 |
FI20105340A0 (fi) * | 2010-03-31 | 2010-03-31 | Metso Minerals Inc | Menetelmä ja järjestelmä kappaleen valmistamiseksi kuumaisostaattisella puristuksella, keerna, pinnoitteen esivalmiste, sekä keernan käyttö |
JP2013528912A (ja) | 2010-06-07 | 2013-07-11 | インフィニット パワー ソリューションズ, インコーポレイテッド | 再充電可能高密度電気化学素子 |
JP4871406B1 (ja) * | 2010-08-06 | 2012-02-08 | 田中貴金属工業株式会社 | マグネトロンスパッタリング用ターゲットおよびその製造方法 |
SG188601A1 (en) * | 2010-12-09 | 2013-04-30 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Ferromagnetic material sputtering target |
US8993133B1 (en) | 2010-12-23 | 2015-03-31 | WD Media, LLC | Intermediate layer for perpendicular magnetic recording medium with high permeability grain boundaries |
TWI421353B (zh) * | 2011-03-18 | 2014-01-01 | Univ Nat Taiwan | 具奈米級釘紮效應的磁性材料 |
US8734896B2 (en) | 2011-09-29 | 2014-05-27 | H.C. Starck Inc. | Methods of manufacturing high-strength large-area sputtering targets |
CN102343437B (zh) * | 2011-11-11 | 2014-03-26 | 宁波江丰电子材料有限公司 | 钨靶材的制作方法 |
JP5748639B2 (ja) * | 2011-11-17 | 2015-07-15 | 田中貴金属工業株式会社 | マグネトロンスパッタリング用ターゲットおよびその製造方法 |
JP5863411B2 (ja) * | 2011-11-17 | 2016-02-16 | 田中貴金属工業株式会社 | マグネトロンスパッタリング用ターゲットおよびその製造方法 |
WO2015064761A1 (ja) * | 2013-10-29 | 2015-05-07 | 田中貴金属工業株式会社 | マグネトロンスパッタリング用ターゲット |
CN106133185B (zh) * | 2014-03-27 | 2018-09-28 | 捷客斯金属株式会社 | 包含Ni-P合金或Ni-Pt-P合金的溅射靶及其制造方法 |
CN104032274B (zh) * | 2014-06-12 | 2016-07-20 | 贵研铂业股份有限公司 | 一种CoCrPt系合金溅射靶材和薄膜及其制备方法 |
US9685184B1 (en) | 2014-09-25 | 2017-06-20 | WD Media, LLC | NiFeX-based seed layer for magnetic recording media |
JP7086514B2 (ja) * | 2015-12-28 | 2022-06-20 | Jx金属株式会社 | コバルト製又はコバルト基合金製スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
TWI636149B (zh) * | 2016-09-12 | 2018-09-21 | 日商Jx金屬股份有限公司 | 強磁性材濺鍍靶 |
CN113039298B (zh) * | 2018-11-22 | 2022-07-08 | 田中贵金属工业株式会社 | 医疗用Pt-Co系合金 |
US11881238B1 (en) | 2022-08-03 | 2024-01-23 | Western Digital Technologies, Inc. | Sector mapout of low coercivity media for enhancing aerial density |
Family Cites Families (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4135286A (en) | 1977-12-22 | 1979-01-23 | United Technologies Corporation | Sputtering target fabrication method |
US4331476A (en) | 1980-01-31 | 1982-05-25 | Tektronix, Inc. | Sputtering targets with low mobile ion contamination |
JPS6066425A (ja) | 1983-09-22 | 1985-04-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Lsi電極用の高純度モリブデンタ−ゲツトならびに高純度モリブデンシリサイドタ−ゲツトおよびその製造方法 |
AT383758B (de) | 1985-12-23 | 1987-08-25 | Plansee Metallwerk | Verfahren zur herstellung eines sputter-targets |
JPH0791636B2 (ja) | 1987-03-09 | 1995-10-04 | 日立金属株式会社 | スパツタリングタ−ゲツトおよびその製造方法 |
US4820393A (en) | 1987-05-11 | 1989-04-11 | Tosoh Smd, Inc. | Titanium nitride sputter targets |
DE3716852C1 (de) | 1987-05-20 | 1988-07-14 | Demetron | Sputtertarget zur Erzeugung optisch transparenter Schichten und Verfahren zur Herstellung dieser Targets |
JPH0254760A (ja) | 1988-08-19 | 1990-02-23 | Hitachi Metals Ltd | ターゲットの製造方法 |
US5306569A (en) | 1990-06-15 | 1994-04-26 | Hitachi Metals, Ltd. | Titanium-tungsten target material and manufacturing method thereof |
US5160534A (en) | 1990-06-15 | 1992-11-03 | Hitachi Metals Ltd. | Titanium-tungsten target material for sputtering and manufacturing method therefor |
JPH0539566A (ja) | 1991-02-19 | 1993-02-19 | Mitsubishi Materials Corp | スパツタリング用ターゲツト及びその製造方法 |
JP3494302B2 (ja) | 1991-03-26 | 2004-02-09 | 日立金属株式会社 | Co−Cr−Pt系磁気記録媒体用ターゲット |
US5234487A (en) | 1991-04-15 | 1993-08-10 | Tosoh Smd, Inc. | Method of producing tungsten-titanium sputter targets and targets produced thereby |
JPH0598433A (ja) | 1991-08-30 | 1993-04-20 | Mitsubishi Materials Corp | スパツタリング用ターゲツトの製造方法 |
JPH05148631A (ja) | 1991-10-31 | 1993-06-15 | Mitsubishi Materials Corp | スパツタリング用ターゲツト |
US5342571A (en) | 1992-02-19 | 1994-08-30 | Tosoh Smd, Inc. | Method for producing sputtering target for deposition of titanium, aluminum and nitrogen coatings, sputtering target made thereby, and method of sputtering with said targets |
JPH05295531A (ja) | 1992-04-21 | 1993-11-09 | Toshiba Corp | Ti−W系スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
US5415829A (en) | 1992-12-28 | 1995-05-16 | Nikko Kyodo Co., Ltd. | Sputtering target |
US5561833A (en) | 1993-03-11 | 1996-10-01 | Japan Metals & Chemicals Co., Ltd. | Method of making high oxygen chromium target |
US5464520A (en) | 1993-03-19 | 1995-11-07 | Japan Energy Corporation | Silicide targets for sputtering and method of manufacturing the same |
JP2794382B2 (ja) | 1993-05-07 | 1998-09-03 | 株式会社ジャパンエナジー | スパッタリング用シリサイドターゲット及びその製造方法 |
JP2806228B2 (ja) * | 1993-10-25 | 1998-09-30 | 株式会社神戸製鋼所 | 難加工性Co合金の低透磁率化方法 |
DE4438202A1 (de) * | 1994-10-26 | 1996-05-02 | Leybold Materials Gmbh | Target für eine Magnetron-Kathodenzerstäubungsvorrichtung |
DE19508535A1 (de) * | 1995-03-10 | 1996-09-12 | Leybold Materials Gmbh | Sputtertarget aus einer Kobalt-Basislegierung mit hohem Magnetfelddurchgriff |
JP3458871B2 (ja) | 1995-03-31 | 2003-10-20 | 日立金属株式会社 | クロムタ−ゲットおよびその製造方法 |
US5778302A (en) | 1995-09-14 | 1998-07-07 | Tosoh Smd, Inc. | Methods of making Cr-Me sputter targets and targets produced thereby |
JP3816595B2 (ja) * | 1996-09-18 | 2006-08-30 | 三井金属鉱業株式会社 | スパッタリングターゲットの製造方法 |
JP2989169B2 (ja) | 1997-08-08 | 1999-12-13 | 日立金属株式会社 | Ni−Al系金属間化合物ターゲットおよびその製造方法ならびに磁気記録媒体 |
US20020014406A1 (en) | 1998-05-21 | 2002-02-07 | Hiroshi Takashima | Aluminum target material for sputtering and method for producing same |
JP2000038660A (ja) | 1998-07-21 | 2000-02-08 | Hitachi Metals Ltd | CoPt系スパッタリングターゲットおよびその製造方法ならびにCoPt系磁気記録媒体 |
JP2000038661A (ja) | 1998-07-21 | 2000-02-08 | Hitachi Metals Ltd | Co合金系ターゲット、その製造方法、スパッタリング装置、磁気記録膜および磁気記録装置 |
JP2000282229A (ja) | 1999-03-29 | 2000-10-10 | Hitachi Metals Ltd | CoPt系スパッタリングターゲットおよびその製造方法ならびにこれを用いた磁気記録膜およびCoPt系磁気記録媒体 |
US6042777A (en) | 1999-08-03 | 2000-03-28 | Sony Corporation | Manufacturing of high density intermetallic sputter targets |
JP3527939B2 (ja) | 2000-03-16 | 2004-05-17 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | スパッタリングターゲット組立体 |
US6514358B1 (en) * | 2000-04-05 | 2003-02-04 | Heraeus, Inc. | Stretching of magnetic materials to increase pass-through-flux (PTF) |
US6797137B2 (en) | 2001-04-11 | 2004-09-28 | Heraeus, Inc. | Mechanically alloyed precious metal magnetic sputtering targets fabricated using rapidly solidfied alloy powders and elemental Pt metal |
-
2001
- 2001-04-11 US US09/832,181 patent/US6797137B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-04-08 AT AT02762011T patent/ATE300628T1/de not_active IP Right Cessation
- 2002-04-08 WO PCT/US2002/010909 patent/WO2002083974A1/en active Application Filing
- 2002-04-08 CN CNB028082052A patent/CN100344789C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-04-08 EP EP02762011A patent/EP1395689B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-04-08 KR KR1020037013298A patent/KR100668790B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-04-08 KR KR1020057021065A patent/KR100682617B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-04-08 EP EP05011333A patent/EP1595971A1/en not_active Withdrawn
- 2002-04-08 DE DE60205251T patent/DE60205251T2/de not_active Expired - Fee Related
- 2002-04-08 CN CNA2005101204543A patent/CN1827843A/zh active Pending
- 2002-04-08 JP JP2002581711A patent/JP3962690B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-01-13 US US10/755,229 patent/US7229588B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-09-10 HK HK04106859A patent/HK1064130A1/xx not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-10-31 JP JP2005316988A patent/JP2006144124A/ja not_active Ceased
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20040188249A1 (en) | 2004-09-30 |
KR20040007493A (ko) | 2004-01-24 |
JP2004532931A (ja) | 2004-10-28 |
HK1064130A1 (en) | 2005-01-21 |
WO2002083974A1 (en) | 2002-10-24 |
JP2006144124A (ja) | 2006-06-08 |
US6797137B2 (en) | 2004-09-28 |
EP1395689B1 (en) | 2005-07-27 |
ATE300628T1 (de) | 2005-08-15 |
CN1827843A (zh) | 2006-09-06 |
EP1595971A1 (en) | 2005-11-16 |
KR100682617B1 (ko) | 2007-02-15 |
EP1395689A1 (en) | 2004-03-10 |
KR20050110046A (ko) | 2005-11-22 |
US7229588B2 (en) | 2007-06-12 |
CN1503854A (zh) | 2004-06-09 |
US20020170821A1 (en) | 2002-11-21 |
DE60205251D1 (en) | 2005-09-01 |
DE60205251T2 (de) | 2006-05-24 |
KR100668790B1 (ko) | 2007-01-16 |
CN100344789C (zh) | 2007-10-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3962690B2 (ja) | Pt−Co系スパッタリングターゲット | |
US20080014109A1 (en) | Enhanced sputter target manufacturing method | |
JP5122514B2 (ja) | スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
TWI299364B (en) | Fabrication of b/c/n/o doped sputtering targets | |
TWI291996B (ja) | ||
US20130206591A1 (en) | Sputtering Target for Magnetic Recording Film and Method for Producing Same | |
JP3973857B2 (ja) | マンガン合金スパッタリングターゲットの製造方法 | |
KR20230173737A (ko) | 높은 균일성 및 원소 함량을 갖는 알루미늄 합금 및 제품 | |
EP1235946B1 (en) | Method for producing cobalt-based alloy sputter target | |
JP2005529239A (ja) | 処理従順な金属間化合物スパッタリングターゲットの製造方法 | |
JP2000096220A (ja) | CoCr系スパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
JP4750924B2 (ja) | スパッタリングターゲットの製造方法 | |
JP2000104160A (ja) | CoCr系下地膜用ターゲット及びその製造方法 | |
JP2000355761A (ja) | バリア材成膜用Ta系ターゲットおよびその製造方法 | |
EP1923480A2 (en) | Enhanced sputter target manufacturing method | |
JPH1096077A (ja) | 傾斜機能薄膜およびその製造方法 | |
JPH05214524A (ja) | 磁性スパッタターゲットおよびそれを用いて形成した 磁性薄膜 | |
JP2000265251A (ja) | 高強度アルミニウム合金固化材 | |
JP2007291522A (ja) | マンガン合金スパッタリングターゲット |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041104 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20060525 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20060608 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060704 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061002 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070116 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070402 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070501 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070521 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110525 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110525 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120525 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120525 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130525 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |