JP5359890B2 - 軟磁性膜形成用Fe−Co系合金スパッタリングターゲット材 - Google Patents
軟磁性膜形成用Fe−Co系合金スパッタリングターゲット材 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5359890B2 JP5359890B2 JP2009554282A JP2009554282A JP5359890B2 JP 5359890 B2 JP5359890 B2 JP 5359890B2 JP 2009554282 A JP2009554282 A JP 2009554282A JP 2009554282 A JP2009554282 A JP 2009554282A JP 5359890 B2 JP5359890 B2 JP 5359890B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target material
- alloy
- soft magnetic
- sputtering target
- magnetic film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/8404—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers manufacturing base layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C1/00—Making non-ferrous alloys
- C22C1/04—Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
- C22C1/0433—Nickel- or cobalt-based alloys
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C19/00—Alloys based on nickel or cobalt
- C22C19/07—Alloys based on nickel or cobalt based on cobalt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C33/00—Making ferrous alloys
- C22C33/02—Making ferrous alloys by powder metallurgy
- C22C33/0257—Making ferrous alloys by powder metallurgy characterised by the range of the alloying elements
- C22C33/0278—Making ferrous alloys by powder metallurgy characterised by the range of the alloying elements with at least one alloying element having a minimum content above 5%
- C22C33/0285—Making ferrous alloys by powder metallurgy characterised by the range of the alloying elements with at least one alloying element having a minimum content above 5% with Cr, Co, or Ni having a minimum content higher than 5%
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C38/00—Ferrous alloys, e.g. steel alloys
- C22C38/10—Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing cobalt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C38/00—Ferrous alloys, e.g. steel alloys
- C22C38/12—Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing tungsten, tantalum, molybdenum, vanadium, or niobium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C45/00—Amorphous alloys
- C22C45/02—Amorphous alloys with iron as the major constituent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C45/00—Amorphous alloys
- C22C45/04—Amorphous alloys with nickel or cobalt as the major constituent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
- H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
- H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
- H01F1/12—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
- H01F1/14—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials metals or alloys
- H01F1/147—Alloys characterised by their composition
- H01F1/153—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals
- H01F1/15308—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals based on Fe/Ni
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
- H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
- H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
- H01F1/12—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
- H01F1/14—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials metals or alloys
- H01F1/147—Alloys characterised by their composition
- H01F1/153—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals
- H01F1/15316—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals based on Co
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/18—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates by cathode sputtering
- H01F41/183—Sputtering targets therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C2200/00—Crystalline structure
- C22C2200/02—Amorphous
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C2202/00—Physical properties
- C22C2202/02—Magnetic
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/851—Coating a support with a magnetic layer by sputtering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
垂直磁気記録方式とは、垂直磁気記録媒体の磁性膜を媒体面に対して磁化容易軸が垂直方向に配向するように形成したものであり、記録密度を上げて行ってもビット内の反磁界が小さく、記録再生特性の低下が少ない高記録密度に適した方法である。そして、垂直磁気記録方式においては、記録感度を高めた磁気記録膜層と軟磁性膜層とを有する記録媒体が開発されている。
そして、磁気記録媒体の軟磁性膜としては、アモルファス膜となることが要求されていることから、上記のFe−Co合金に対してはアモルファス化を促進する元素の添加が必要とされ、一般的にBやZrが採用されている。しかしながら、これらの元素のみでは、磁気記録媒体の軟磁性膜として使用する場合に、耐食性が十分でないことから、耐食性を向上させるために、さらにAlやCr等の元素を添加することを提案するものもある(例えば、特開2007−172783号、特開2007−284741号参照)が、軟磁性膜の成分組成が、複雑化しスパッタリングターゲット材を作製する上で、組織制御や成分制御が困難になるという問題がある。
好ましくは、NbおよびTaから選ばれる1種または2種を10〜15原子%含有する軟磁性膜形成用Fe−Co系合金スパッタリングターゲット材である。
また、好ましくは、最大透磁率が250以下である軟磁性膜形成用Fe−Co系合金スパッタリングターゲット材、あるいは、PTFが10%以上である軟磁性膜形成用Fe−Co系合金スパッタリングターゲット材である。
なお、飽和磁気モーメントを最大化する必要がある場合には、Feの原子比率を50〜80%とすることが好ましく、また、薄膜としての磁歪を下げようとする場合には、Feの原子比率を10〜50%とすることが好ましい。
なお、アモルファス化、耐食性の向上および磁化を維持するため、添加元素がTaおよびNbから選ばれる1種または2種を10〜15原子%の範囲であることがより望ましい。
なお、本発明のFe−Co系合金スパッタリングターゲット材は、NbおよびTaを上記の範囲で含有する以外の残部はFeおよびCoと不可避的不純物である。不純物含有量はできるだけ少ないことが望ましいが、ガス成分である酸素、窒素は1000ppm以下、不可避的に含まれるNi、Si、Al等のガス成分以外の不純物元素は合計で1000ppm以下であることが望ましい。
それは、軟磁性膜の成膜に一般的に用いられるマグネトロンスパッタリング法においては、マグネトロンスパッタリング法が、ターゲット材の背後に磁石を配置し、ターゲット材の表面に磁束を漏洩させて、その漏洩磁束領域にプラズマが収束されることにより高速成膜を可能とする方法であり、ターゲット材の表面に磁束を漏洩させることに特徴があるため、ターゲット材自身の透磁率が高い場合にはターゲット材のスパッタ表面にプラズマを収束させるのに必要な漏洩磁束を得ることが難しくなる。そこで、ターゲット材自身の透磁率を極力低減することが望まれているためである。
本発明のFe−Co系合金スパッタリングターゲット材の最大透磁率は、可能な限り低いことが好ましく、マグネトロンスパッタリング法で安定してスパッタリング放電するためには、250以下が好ましく、より好ましくは、150以下である。
PTFとは、ターゲット材の漏洩磁束(Pass−Through−Flux)である。このPTFの測定は、ターゲット材の裏面に永久磁石を配置し、ターゲット材表面に漏洩する磁束を測定する方法で、マグネトロンスパッタ装置に近い状態の漏洩磁束を定量的に測定できる方法である。実際の測定はASTM F1761−00(Standard Test Method for Pass Through Flux of Circular Magnetic Sputtering Targets)に基づいて行い、PTFは次式より求められる。
(PTF)=100×(ターゲット材を置いた状態での磁束の強さ)÷(ターゲット材を置かない状態での磁束の強さ)(%)
なお、PTFは、スパッタリングターゲットの厚さとの相関があり、マグネトロンスパッタリングにおいては、スパッタリングの際の放電を安定させるために、一定以上の値が必要とされる。本発明者の検討によれば、PTFが10%以上とすることによりマグネトロンスパッタリングにおいて安定した放電を得ることが可能となることを確認した。
なお、上述した低い漏洩磁束や高いPTFを得るためには、例えば、所望の組成に秤量−混合したFe粉、Co粉、Ta粉あるいはNb粉を焼結する際に、圧力100MPa以上、温度1200℃以上で加圧焼結することが望ましい。それは、加圧焼結時の加熱温度を高くすることで、混合粉末の相互拡散が進行することで、TaやNbのFeやCoに対する拡散が進行し、Fe−Co合金系ターゲットとしての磁化が低下するからである。
まず、それぞれ純度99.9%以上のFe原料粉末、Co原料粉末、Ta原料粉末およびNb原料粉末を準備し、表1に示す各ターゲット材の組成となるように、上記の原料粉末を秤量、混合して混合粉末を作製した。得られた各混合粉末を、軟鋼カプセルに充填し脱気封止した後、熱間静水圧プレスによって焼結し直径180mm×厚さ15mmの焼結体を得た。焼結は、試料No.1〜7については、温度1000℃、圧力100MPa、保持時間2時間の条件で、試料No.8〜11については、温度1250℃、圧力100MPa、保持時間2時間の条件で行った。得られた焼結体をスライス加工して2個の直径180mm×厚さ7mmのターゲット素材を得た。試料No.1および2については、得られたターゲット素材の一方を直径164mm×厚さ1mmに加工し、直径180mm×厚さ4mmの銅製冷却板にInロウ付けしてFe−Co系合金ターゲット材を作製した。また、試料No.3〜11については、得られたターゲット素材の一方を直径180mm×厚さ5mmに加工してFe−Co系合金スパッタリングターゲット材を作製した。
成膜した各試料を純水中に24時間浸漬した耐食性試験を行った結果を表1に示す。なお、表1では、腐食領域が無いものを○、腐食領域があるものを×と表示している。
また、上記で作製した各ターゲット素材の一方から長さ30mm×幅10mm×厚さ5mmの試験片を採取し、東英工業(株)製直流磁気特性測定装置TRF5Aを使用してこれらの試験片の磁化曲線を測定した。得られた磁化曲線から最大透磁率を求め、表3に示した。
また、上記で作製した各ターゲット材の漏洩磁束(PTF)を測定し表3に示した。実際の測定はASTM F1761−00(Standard Test Method for Pass Through Flux of Circular Magnetic Sputtering Targets)に基づいて行い、次式より求めた。
(PTF)=100×(ターゲット材を置いた状態での磁束の強さ)÷(ターゲット材を置かない状態での磁束の強さ)(%)
また、試料No.8〜10の各ターゲット材の漏洩磁束(PTF)を測定し表4に示した。実際の測定は、実施例2と同様の方法で行なった。
Claims (3)
- 原子比における組成式が(FeX−Co100−X)、10≦X≦80で表されるFe−Co合金に、TaおよびNbから選ばれる1種または2種を11.5〜14.5原子%含有し、飽和磁化が1.15〜1.78Tである軟磁性膜形成用Fe−Co系合金スパッタリングターゲット材。
- 最大透磁率が250以下である請求項1に記載の軟磁性膜形成用Fe−Co系合金スパッタリングターゲット材。
- PTFが10%以上である請求項1に記載の軟磁性膜形成用Fe−Co系合金スパッタリングターゲット材。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009554282A JP5359890B2 (ja) | 2008-02-18 | 2009-02-12 | 軟磁性膜形成用Fe−Co系合金スパッタリングターゲット材 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008035615 | 2008-02-18 | ||
JP2008035615 | 2008-02-18 | ||
PCT/JP2009/052317 WO2009104509A1 (ja) | 2008-02-18 | 2009-02-12 | 軟磁性膜形成用Fe-Co系合金スパッタリングターゲット材 |
JP2009554282A JP5359890B2 (ja) | 2008-02-18 | 2009-02-12 | 軟磁性膜形成用Fe−Co系合金スパッタリングターゲット材 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013178120A Division JP2013242962A (ja) | 2008-02-18 | 2013-08-29 | 軟磁性膜形成用Fe−Co系合金スパッタリングターゲット材 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2009104509A1 JPWO2009104509A1 (ja) | 2011-06-23 |
JP5359890B2 true JP5359890B2 (ja) | 2013-12-04 |
Family
ID=40985391
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009554282A Active JP5359890B2 (ja) | 2008-02-18 | 2009-02-12 | 軟磁性膜形成用Fe−Co系合金スパッタリングターゲット材 |
JP2013178120A Pending JP2013242962A (ja) | 2008-02-18 | 2013-08-29 | 軟磁性膜形成用Fe−Co系合金スパッタリングターゲット材 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013178120A Pending JP2013242962A (ja) | 2008-02-18 | 2013-08-29 | 軟磁性膜形成用Fe−Co系合金スパッタリングターゲット材 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP5359890B2 (ja) |
WO (1) | WO2009104509A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5397755B2 (ja) * | 2008-06-17 | 2014-01-22 | 日立金属株式会社 | 軟磁性膜形成用Fe−Co系合金スパッタリングターゲット材 |
JP5418897B2 (ja) * | 2008-08-04 | 2014-02-19 | 日立金属株式会社 | Co−Fe系合金スパッタリングターゲット材の製造方法 |
US9064519B2 (en) | 2011-07-06 | 2015-06-23 | Hitachi Metals, Ltd. | Soft magnetic under layer |
US20150034483A1 (en) * | 2012-06-06 | 2015-02-05 | Hitachi Metals, Ltd. | Fe-Co-BASED ALLOY SPUTTERING TARGET MATERIAL, AND METHOD OF PRODUCING SAME |
SG11201500459UA (en) * | 2012-07-24 | 2015-03-30 | Hitachi Metals Ltd | Target material and method of producing the same |
TWI461557B (zh) * | 2013-06-11 | 2014-11-21 | Solar Applied Mat Tech Corp | 鐵鈷鉭合金濺鍍靶材 |
TWI602940B (zh) * | 2014-06-11 | 2017-10-21 | 光洋應用材料科技股份有限公司 | 軟磁性合金濺鍍靶材及軟磁性合金材料 |
TWI646208B (zh) * | 2015-02-26 | 2019-01-01 | 光洋應用材料科技股份有限公司 | 非晶軟磁靶材及非晶軟磁材料 |
WO2016157922A1 (ja) * | 2015-03-27 | 2016-10-06 | 日立金属株式会社 | 軟磁性膜および軟磁性膜形成用スパッタリングターゲット |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007297688A (ja) * | 2006-05-02 | 2007-11-15 | Sanyo Special Steel Co Ltd | FeCo系ターゲット材 |
JP2008127588A (ja) * | 2006-11-17 | 2008-06-05 | Sanyo Special Steel Co Ltd | (CoFe)ZrNb/Ta/Hf系ターゲット材およびその製造方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6599377B2 (en) * | 1999-10-01 | 2003-07-29 | Heraeus, Inc. | Wrought processing of brittle target alloy for sputtering applications |
US6797137B2 (en) * | 2001-04-11 | 2004-09-28 | Heraeus, Inc. | Mechanically alloyed precious metal magnetic sputtering targets fabricated using rapidly solidfied alloy powders and elemental Pt metal |
US20030228238A1 (en) * | 2002-06-07 | 2003-12-11 | Wenjun Zhang | High-PTF sputtering targets and method of manufacturing |
JP2006265653A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Hitachi Metals Ltd | Fe−Co基合金ターゲット材およびその製造方法 |
-
2009
- 2009-02-12 JP JP2009554282A patent/JP5359890B2/ja active Active
- 2009-02-12 WO PCT/JP2009/052317 patent/WO2009104509A1/ja active Application Filing
-
2013
- 2013-08-29 JP JP2013178120A patent/JP2013242962A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007297688A (ja) * | 2006-05-02 | 2007-11-15 | Sanyo Special Steel Co Ltd | FeCo系ターゲット材 |
JP2008127588A (ja) * | 2006-11-17 | 2008-06-05 | Sanyo Special Steel Co Ltd | (CoFe)ZrNb/Ta/Hf系ターゲット材およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013242962A (ja) | 2013-12-05 |
JPWO2009104509A1 (ja) | 2011-06-23 |
WO2009104509A1 (ja) | 2009-08-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5359890B2 (ja) | 軟磁性膜形成用Fe−Co系合金スパッタリングターゲット材 | |
JP4016399B2 (ja) | Fe−Co−B合金ターゲット材の製造方法 | |
JP5472688B2 (ja) | Fe−Co系合金スパッタリングターゲット材およびその製造方法 | |
JP2006265653A (ja) | Fe−Co基合金ターゲット材およびその製造方法 | |
JP2008189996A (ja) | Co−Fe系合金スパッタリングターゲット材およびその製造方法 | |
JP5370917B2 (ja) | Fe−Co−Ni系合金スパッタリングターゲット材の製造方法 | |
JP4953082B2 (ja) | Co−Fe−Zr系合金スパッタリングターゲット材およびその製造方法 | |
JP2010111943A (ja) | スパッタリングターゲット材の製造方法 | |
JP5397755B2 (ja) | 軟磁性膜形成用Fe−Co系合金スパッタリングターゲット材 | |
JP5477724B2 (ja) | 軟磁性膜用Co−Fe系合金、軟磁性膜および垂直磁気記録媒体 | |
JPH06184740A (ja) | 光磁気記録媒体用ターゲットおよびその製造方法 | |
JP5631659B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体用軟磁性合金およびスパッタリングターゲット材並びに磁気記録媒体 | |
JP6094848B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体用Fe−Co系合金軟磁性膜の製造方法 | |
JP5403418B2 (ja) | Co−Fe−Ni系合金スパッタリングターゲット材の製造方法 | |
JP2008260970A (ja) | Co−Zr系合金焼結スパッタリングターゲット材およびその製造方法 | |
JP2009203537A (ja) | Co−Fe系合金スパッタリングターゲット材およびその製造方法 | |
JP5656104B2 (ja) | Fe−Co−Ni系合金スパッタリングターゲット材 | |
JP2011068985A (ja) | 軟磁性膜用Co−Fe系合金および軟磁性膜形成用Co−Fe系合金スパッタリングターゲット材 | |
JP2010150591A (ja) | 軟磁性膜用Co−Fe系合金 | |
JP2016149170A (ja) | Fe−Co−Nb系合金スパッタリングターゲット材および軟磁性膜 | |
JP6575775B2 (ja) | 軟磁性膜 | |
JP5418897B2 (ja) | Co−Fe系合金スパッタリングターゲット材の製造方法 | |
JP2011181140A (ja) | 磁気記録媒体用Fe−Co系合金軟磁性膜 | |
JP2013143156A (ja) | Co−Fe系合金軟磁性下地層 | |
JP2006265654A (ja) | Fe−Co−B系合金ターゲット材およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111114 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130607 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130710 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130806 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130819 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5359890 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |