TWI461557B - 鐵鈷鉭合金濺鍍靶材 - Google Patents

鐵鈷鉭合金濺鍍靶材 Download PDF

Info

Publication number
TWI461557B
TWI461557B TW102120655A TW102120655A TWI461557B TW I461557 B TWI461557 B TW I461557B TW 102120655 A TW102120655 A TW 102120655A TW 102120655 A TW102120655 A TW 102120655A TW I461557 B TWI461557 B TW I461557B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
cobalt
iron
sputtering target
alloy sputtering
atomic percent
Prior art date
Application number
TW102120655A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201446994A (zh
Inventor
I Lung Liu
Chien Chiang Chang
Wei Chih Huang
shu yuan Liu
Original Assignee
Solar Applied Mat Tech Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Solar Applied Mat Tech Corp filed Critical Solar Applied Mat Tech Corp
Priority to TW102120655A priority Critical patent/TWI461557B/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI461557B publication Critical patent/TWI461557B/zh
Publication of TW201446994A publication Critical patent/TW201446994A/zh

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)

Description

鐵鈷鉭合金濺鍍靶材
本發明關於一種鐵鈷鉭合金濺鍍靶材,尤指一種具備高磁通量與高抗折強度之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材。
隨著大量儲存資訊的世代來臨,多數資料皆儲存於硬碟類的磁性記錄媒體中,致使現今對於磁性記錄媒體之儲存容量的需求越來越高;且考量大硬碟體積於使用上所造成之不便利性,如何提升磁性記錄媒體的記錄位元已成為各界爭相關注的研究課題。
由於高密度記錄位元之磁性記錄媒體需縮小其記錄區域才能達成,然而,如此將伴隨該記錄區域之磁力降低,致使水平式磁性記錄媒體在提升記錄位元上已到達極限,需轉而仰賴垂直式磁性記錄媒體以解決此問題。
垂直式磁性記錄媒體之層狀結構包含:基板、附著層、軟磁層(soft magnetic layer)、晶種層、中間層、記錄層、覆蓋層以及潤滑層。其中,軟磁層的作用是提升記錄層的熱穩定性、降低去磁場的強度、提升記錄寫入的效率以及不再有如水平式磁性記錄媒體的磁性層膜厚限制。
軟磁層一般可經由如直流濺鍍製程、射頻濺鍍製程、三極濺鍍製程或磁控濺鍍製程所形成,其中又以磁 控濺鍍製程最為常見。磁控濺鍍製程是在濺鍍設備加裝了磁控裝置,濺鍍設備在濺鍍過程中透過電場及外加磁場的交互作用,讓電子以螺旋狀方式前進,以增加電子與氣體分子衝撞的機率,衝撞後的氣體分子離子化後會促使更多的離子去碰撞濺鍍靶材,而有利於在被鍍物上沉積更多粒子。
然而,濺鍍靶材於外加磁場下,常因本身的磁遮罩效應(magnetic shielding effect)影響而使得濺鍍效率降低,要解決此問題,可提高靶材的磁通量(pass through flux,PTF),解決濺鍍過程磁性靶材對抗磁力線聚焦造成靶材不均勻濺鍍的缺點。
如台灣專利公開案第200932934號所述,其係提供一種鐵鈷鋯合金濺鍍靶材,另添加有鉿、鈮、鉭、硼、鋁、鉻或其組合。於此專利文獻中,係揭示有各實施例之濺鍍靶材的組成及其等之磁通量差值,該差值係由混合粉末之濺鍍靶材的磁通量(%)減去單一粉末之濺鍍靶材的磁通量(%)所得。然而,依據此專利文獻所教示之整體內容,並未明確揭示各實施例之濺鍍靶材的實際磁通量,亦未提供單一粉末之濺鍍靶材的具體磁通量,故仍然無從得知此專利文獻所製得之濺鍍靶材的具體磁通量大小。
又如台灣專利公告案第I387658號所述,為了得到優良的軟磁特性及較高的磁通量,其係採用熔煉鑄造法製作鐵鈷合金濺鍍靶材,另添加如鉭、鋯、鈮、鉿或鉻等成份提升鐵鈷合金濺鍍靶材之磁通量,然而,此專利文獻提升濺鍍靶材之磁通量的能力有限,即便經過額外的熱 處理,其至多亦僅能將鐵鈷合金濺鍍靶材的磁通量提升至20%。
再如台灣專利公告案第I369406號所述,其雖揭示一種以粉末冶金法所製得之鈷鐵鋯合金濺鍍靶材。然而,此專利文獻所製得之鈷鐵鋯合金濺鍍靶材至多僅能將磁通量提升至約20%。
更如PCT專利公開案第2009104509號所述,其雖揭示有一種鐵鈷鉭合金濺鍍靶材,然而即便將濺鍍靶材的厚度縮小至5毫米,該鐵鈷鉭合金濺鍍靶材之磁通量仍僅有26%。
因此,上述專利文獻雖教示有各種提升磁通量之技術手段,但仍難以大幅提升磁通量至30%以上,因而無法有效地克服濺鍍靶材之利用率與濺鍍效率不高等問題;且目前尚缺乏提升濺鍍靶材之抗折強度(bending strength)的技術手段,致使現有技術之濺鍍靶材具有難以抵抗濺鍍過程中電漿的轟擊(sputter)與無法避免濺鍍設備升降溫度後造成的溫度衝擊效應(thermal shock)等問題。
有鑑於現有技術所面臨之缺陷與不足,本發明之第一目的在於大幅提升鐵鈷鉭合金濺鍍靶材的磁通量,進而提升其利用率與濺鍍效率;第二目的在於大幅提升磁通量的同時,一併提高鐵鈷鉭合金濺鍍靶材的抗折強度,以避免濺鍍過程中發生電漿的轟擊或溫度衝擊效應等問題。
為達成前述目的,本發明提供一種鐵鈷鉭合金 濺鍍靶材,其係由鐵、鈷及鉭所組成,且該鐵鈷鉭合金濺鍍靶材之金相係由一連續相及一不連續相所組成,其中:該鐵鈷鉭合金濺鍍靶材之組成為(Fea Cob )100-c Tac ,a介於20原子百分比至80原子百分比,a與b之總和為100原子百分比,c介於12原子百分比至20原子百分比;該連續相之組成為(Fex1 Coy1 )100-z1 Taz1 ,x1介於20原子百分比至80原子百分比,x1與y1之總和為100原子百分比,z1介於25原子百分比至32原子百分比;該不連續相之組成為(Fex2 Coy2 )100-z2 Taz2 ,x2介於20原子百分比至80原子百分比,x2與y2之總和為100原子百分比,z2係大於0原子百分比且小於或等於3原子百分比;以及該鐵鈷鉭合金濺鍍靶材之磁通量係介於30%至70%之間。
據此,本發明之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材因具有前述鐵鈷鉭合金濺鍍靶材、連續相與不連續相之組成,故能有利於大幅將鐵鈷鉭合金濺鍍靶材的磁通量提高至30%至70%之間,進而提升鐵鈷鉭合金濺鍍靶材的利用率與濺鍍效率。
較佳的,本發明具有前述組成之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材的抗折強度係介於400 MPa至1200 MPa。
較佳的,該鐵鈷鉭合金濺鍍靶材之組成為(Fea Cob )100-c Tac ,a介於20原子百分比至80原子百分比,a與b之總和為100原子百分比,c介於14原子百分比至20原子百分比。據此,具有前述組成之鐵鈷鉭合金濺鍍靶 材能具有介於35%至70%之間的高磁通量。
較佳的,該鐵鈷鉭合金濺鍍靶材之組成為(Fea Cob )100-c Tac ,a介於20原子百分比至40原子百分比,a與b之總和為100原子百分比,c介於12原子百分比至20原子百分比。據此,具有前述組成之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材能具有介於700 MPa至1200 MPa之間的高抗折強度。
較佳的,該鐵鈷鉭合金濺鍍靶材係以粉末冶金法所製得。
較佳的,該鐵鈷鉭合金濺鍍靶材係使用平均粒徑小於400微米之鐵鈷鉭合金粉末為原料所製得;更佳的,該鐵鈷鉭合金粉末之平均粒徑係小於或等於125微米;再更佳的,該鐵鈷鉭合金粉末之平均粒徑係小於或等於100微米。
由於所選用之鐵鈷鉭合金粉末係經過細緻化研磨程序,使其平均粒徑微小化至小於400微米、甚至是小於或等於125微米,故能有利於提升本發明之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材的分佈均勻性,使不連續相能夠均勻地分佈於連續相之中。
依據本發明,該鐵鈷鉭合金濺鍍靶材之金相中任一預定區域皆具有該連續相及該不連續相,所述之任一預定區域之最小面積為6微米×6微米。
較佳的,該鐵鈷鉭合金濺鍍靶材之金相中任一預定區域皆具有該連續相及該不連續相,所述之任一預定區域之最小面積為5微米×5微米。
依據本發明,所述之細緻化研磨程序包括:擺 動式球磨機(shaker mill)、高能臥式轉子研磨機(simoloyer)、行星式輪球磨機(planetary ball mill)、立式轉子球磨機(attritor)、轉筒式球磨機(drum ball mill),但並非僅限於此。
前述「鐵鈷鉭合金濺鍍靶材之組成為(Fea Cob )100-c Tac ,a介於20原子百分比至80原子百分比,a與b之總和為100原子百分比,c介於12原子百分比至20原子百分比」係指鐵與鈷之含量和佔整體濺鍍靶材之總量的80至88原子百分比,鉭含量佔整體鐵鈷鉭合金濺鍍靶材之總量的12至20原子百分比,且鐵佔鐵與鈷之含量和的20至80原子百分比,鈷佔鐵與鈷之含量和的20至80原子百分比。
於本說明書中,所述之「磁通量」係以ASTM Standard F 1761-00圓形磁性濺射靶材磁通量的標準試驗方法所測得。依據該標準試驗方法,磁通量之定義為一直流電場從一濺鍍靶材的一側穿越至另一側的磁通量大小,其計算方程式為:PTF(%)=(濺鍍靶材之磁通量強度)/(未設置濺鍍靶材之磁通量強度)×100%。
於本說明書中,所述之「抗折強度」係指單位面積下受到彎曲負荷時的極限折斷應力,一濺鍍靶材的抗折強度大小與金相結構、連續相與不連續相之分佈均勻性、材料顆粒比例、孔洞數量和大小、顆粒間結合牢固強度等相關。
於本說明書中,所述之「任一預定區域皆具有該連續相及該不連續相」係指將一濺鍍靶材之金相任意劃 分為複數具有相同面積大小的預定區域,觀察任意其中一個預定區域皆能同時發現連續相與不連續相。
於本說明書中,所述之「分佈均勻性」係指一濺鍍靶材中連續相與不連續相的分佈情形。當一濺鍍靶材的分佈均勻性越佳,能同時觀察到該濺鍍靶材之連續相與不連續相之任一預定區域的最小面積越小。反之,當一濺鍍靶材的分佈均勻性越差時,能同時觀察到該濺鍍靶材之連續相與不連續相之任一預定區域的最小面積越大,顯示該濺鍍靶材的不連續相有互相聚集的情形,致使需擴大預定區域的面積才能同時觀察到該濺鍍靶材的連續相與不連續相。
於本說明書中,成分含量、磁通量、抗折強度等數值可以一範圍形式表述。例如,「介於20至80之間」的數值範圍應被解釋為等於20、等於80及包含此指定範圍內的所有獨立數值;「大於0且小於或等於3」的數值範圍應被解釋為等於3及包含此指定範圍內的所有獨立數值,但應被解釋為不等於0。
綜上所述,本發明提供一種鐵鈷鉭合金濺鍍靶材,其因具有特定之整體組成、連續相組成及不連續相組成,故能同時大幅提升鐵鈷鉭合金濺鍍靶材的磁通量及抗折強度,進而提升鐵鈷鉭合金濺鍍靶材的利用率與濺鍍效率,同時避免濺鍍過程中受到電漿的轟擊與溫度衝擊效應等問題。
圖1為本發明實施例1之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材之掃描式電子顯微鏡影像圖。
圖2為本發明實施例3之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材之掃描式電子顯微鏡影像圖。
圖3為本發明實施例13之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材之掃描式電子顯微鏡影像圖。
圖4為本發明實施例14之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材之掃描式電子顯微鏡影像圖。
圖5為本發明比較例1之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材之掃描式電子顯微鏡影像圖。
圖6為本發明比較例2之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材之掃描式電子顯微鏡影像圖。
圖7為本發明比較例3之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材之掃描式電子顯微鏡影像圖。
圖8為本發明比較例4之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材之掃描式電子顯微鏡影像圖。
以下,將藉由具體實施例說明本發明鐵鈷鉭合金濺鍍靶材之實施方式,熟習此技藝者可經由本說明書之內容輕易地了解本發明所能達成之優點與功效,並且於不悖離本發明之精神下進行各種修飾與變更,以施行或應用本發明之內容。
《實施例1至12:以粉末冶金法製作鐵鈷鉭合金濺鍍靶材》
實施例1至12之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材係使用氣體霧化法所製得之鐵鈷鉭合金粉末(FeCoTa alloy powder)作為原料,並大致上經由下列相同方法所製得:首先,實施例1至12係先使用氣霧化噴粉機,以1800℃至1900℃之霧化溫度下進行霧化噴粉程序,再採用行星式輪球磨機研磨具有不同組成之鐵鈷鉭合金粉末120至180分鐘,另使用140至400目之篩網進行過篩,以得到平均粒徑小於100微米的細緻化之鐵鈷鉭合金粉末。各實施例經過細緻化研磨程序所製得的細緻化之鐵鈷鉭合金粉末的原料組成與平均粒徑係如下表1所示。
接著,將前述細緻化之鐵鈷鉭合金粉末均勻充填於直徑為180毫米、厚度為8毫米之石墨模具中,並將填充有細緻化之鐵鈷鉭合金粉末之石墨模具置入熱壓爐中,於1000℃至1200℃之溫度、700 MPa至1000 MPa之壓力下,持續熱壓(hot pressing,HP)長達90至120分鐘,以進行燒結程序。
最後,再於800℃至1250℃之溫度下、100 MPa至1000 MPa之壓力下,持續進行熱等均壓(hot isostatic pressing,HIP)程序長達120至180分鐘,藉以令鐵鈷鉭合金粉末更為緊密紮實,即可製得鐵鈷鉭合金濺鍍靶材。
《實施例13及14:以粉末冶金法製作鐵鈷鉭合金濺鍍靶材》
實施例13及14之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材係大致 上經由如同前述製作實施例1至12之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材的方法所製得,其不同之處在於,實施例13及14係採用行星式輪球磨機研磨具有不同組成之鐵鈷鉭合金粉末30至60分鐘,另使用120至140目之篩網進行過篩,以得到平均粒徑介於100至125微米之間的細緻化鐵鈷鉭合金粉末。
實施例13及14經過細緻化研磨程序所獲得之細緻化鐵鈷鉭合金粉末的原料組成與平均粒徑亦如下表1所示。
《比較例1及2:以熔煉鑄造法製作鐵鈷鉭合金濺鍍靶材》
比較例1及2之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材係以熔煉鑄造法製作鐵鈷鉭合金濺鍍靶材,其製作方法係如下所述:首先,將鐵金屬塊、鈷金屬塊及鉭金屬塊進行熔煉鑄造,以形成鈷鐵鉭合金鑄錠。各比較例所用之鐵鈷鉭預合金的原料組成係如下表1所示。
接著,將前述鐵鈷鉭合金鑄錠於800℃至1250℃之溫度下、100 MPa至1000 MPa之壓力下,持續進行熱等均壓程序長達120至180分鐘,完成鐵鈷鉭合金濺鍍靶材之製作。
《比較例3及4:以粉末冶金法製作鐵鈷鉭合金濺鍍靶材》
比較例3及4之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材係使用氣體霧化法所製得之鐵鈷鉭合金粉末作為原料,並且經由粉末冶金法製作鐵鈷鉭合金濺鍍靶材。其製作方法係如下所 述:首先,使用氣霧化噴粉機,以1800至1900℃之霧化溫度下進行霧化噴粉程序,獲得粉末粒徑大於400微米之鐵鈷鉭合金粉末。各比較例之鐵鈷鉭合金粉末的原料組成與平均粒徑係如下表1所示。
接著,將前述鐵鈷鉭合金粉末均勻充填於直徑為180毫米、厚度為8毫米之石墨模具中,並將填充有鐵鈷鉭合金粉末之石墨模具置入熱壓爐中,於1000℃至1200℃之溫度、700 MPa至1000 MPa之壓力下,持續熱壓(hot pressing,HP)長達90至120分鐘,以進行燒結程序。
最後,再於800℃至1250℃之溫度下、100 MPa至1000 MPa之壓力下,持續進行熱等均壓(hot isostatic pressing,HIP)程序長達120至180分鐘,即製得鐵鈷鉭合金濺鍍靶材。
《試驗例1:觀察鐵鈷鉭合金濺鍍靶材之連續相與不連續相之分佈情形》
本試驗例係使用掃描式電子顯微鏡觀察各實施例及比較例之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材的金相,以了解其連續相與不連續相之分佈情形。
請參閱圖1、2、3及4所示,其係分別為實施例1、3、13及14之掃描式電子顯微鏡影像圖,於圖中所示之灰色部分為鐵鈷鉭合金濺鍍靶材之連續相,黑色部分則為鐵鈷鉭合金濺鍍靶材之不連續相,其中該不連續相係均勻地分佈在灰色的連續相之中。
反觀圖5、6、7及8所示,其係分別為比較例 1、2、3及4之掃描式電子顯微鏡影像圖。如圖5及圖6所示,由於比較例1及2之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材係經由熔煉鑄造法所製得,故於圖中所示之黑色部分為鐵鈷鉭合金濺鍍靶材之連續相,灰色部分則為鐵鈷鉭合金濺鍍靶材之不連續相;又如圖7及圖8所示,由於比較例3及4之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材係經由如同本案各實施例所使用之粉末冶金法所製得,故於圖中所示之灰色部分為鐵鈷鉭合金濺鍍靶材之連續相,黑色部分則為鐵鈷鉭合金濺鍍靶材之不連續相。
由此可知,以熔煉鑄造法所製得之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材則具有與粉末冶金法所製得之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材截然不同的連續相與不連續相之分佈情形;且以粉末冶金法所製得之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材的金相皆具有類似之連續相與不連續相的分佈情形,故於本說明書中僅示範性列出實施例1、3、13及14之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材的掃描式電子顯微鏡影像圖。
請合併參閱表1及圖1與圖2所示,該等鐵鈷鉭合金濺鍍靶材之金相中任一預定區域能同時觀察到連續相與不連續相之最小面積為5微米×5微米。
實驗結果證實,由於製作實施例1及3之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材時係分別選用平均粒徑為35微米及34微米的細緻化之鐵鈷鉭合金粉末作為原料,故實施例1之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材即使於2微米×2微米之預定區域中亦能被同時觀察到連續相與不連續相之分佈,且實施例1之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材的金相中能被同時觀察到連續相與不連 續相之任一預定區域的最小面積為4微米×4微米;而實施例3之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材可於3微米×3微米之預定區域中被同時觀察到連續相與不連續相之分佈,且實施例3之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材的金相中能被同時觀察到連續相與不連續相之任一預定區域的最小面積為5微米×5微米,顯示實施例1及3所製得之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材能具有極佳的分佈均勻性。
請合併參閱表1及圖3與圖4所示,實施例13之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材的金相中能被同時觀察到連續相與不連續相之任一預定區域的最小面積為5微米×5微米;而實施例14之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材可於4微米×4微米之預定區域中被同時觀察到連續相與不連續相之分佈,且實施例14之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材的金相中能被同時觀察到連續相與不連續相之任一預定區域的最小面積為5微米×5微米。
實驗結果顯示,由於製作實施例13及14之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材時係分別選用平均粒徑為113微米及110微米的細緻化之鐵鈷鉭合金粉末作為原料,故該等實施例之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材能被同時觀察到連續相與不連續相之任一預定區域的最小面積為5微米×5微米,顯示所製得之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材依舊具有良好的分佈均勻性。
此外,將圖1或2與圖3或4相比較發現:當選用之鐵鈷鉭合金粉末之平均粒徑越小,所製得之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材的不連續相之面積越小,且不連續相能十分均勻地分佈在灰色的連續相之中。
反觀圖7及8所示,比較例3及4之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材的金相中能被同時觀察到連續相與不連續相之任一預定區域的最小面積已顯著擴大至7微米×7微米,甚至是10微米×10微米,證實比較例3及4之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材確實無法具有如實施例1、3、13及14之分佈均勻性。
實驗結果顯示,當選用平均粒徑大於400微米以上的鐵鈷鉭合金粉末作為原料時,所製得之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材之金相中能被同時觀察到連續相與不連續相之任一預定區域的最小面積將顯著提高,致使不連續相分佈於灰色的連續相之中的分佈均勻性較差。相反地,若選用平均粒徑較小的細緻化之鐵鈷鉭合金粉末作為原料,於鐵鈷鉭合金濺鍍靶材之金相中能被同時觀察到連續相與不連續相的任一預定區域的最小面積能大幅縮小,代表所製得之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材中連續相與不連續相能具有優異的分佈均勻性,使不連續相十分均勻地分佈於灰色的連續相之中。
《試驗例2:分析鐵鈷鉭合金濺鍍靶材的連續相與不連續相之組成》
本試驗例係以能量散射光譜儀(energy dispersive spectrometer,EDS)分析各實施例及比較例之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材的連續相與不連續相之組成。
其中,於分析各實施例與比較例3及4之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材的連續相與不連續相之組成時,係任意於各鐵鈷鉭合金濺鍍靶材金相結構中選取二處能同時觀察到 連續相與不連續相之預定區域,再於此預定區域中各採三點分析連續相與不連續相的組成,各鐵鈷鉭合金濺鍍靶材所選取之預定區域的待分析面積(長×寬)及其以EDS分析之結果係如下表1所示。此外,於分析比較例1及2之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材的連續相與不連續相之組成時,則於拍攝其掃描式電子顯微鏡影像圖時,一併各自任意取二點分析其連續相與不連續相之組成,比較例1及2之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材所選取之預定區域的待分析面積(長×寬)及其以EDS分析之結果亦如下表1所示。
如下表1所示,實施例1至14之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材之連續相的組成皆符合(Fex1 Coy1 )100-z1 Taz1 ,其中x1介於20原子百分比至80原子百分比,x1與y1之總和為100原子百分比,z1介於25原子百分比至32原子百分比;且其不連續相的組成皆符合(Fex2 Coy2 )100-z2 Taz2 ,x2介於20原子百分比至80原子百分比,x2與y2之總和為100原子百分比,z2係大於0原子百分比且小於或等於3原子百分比。
反觀比較例1及2,其鐵鈷鉭合金濺鍍靶材之連續相與不連續相之組成則與前述各實施例之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材的連續相與不連續相之組成截然不同。由此可知,經由粉末冶金法與熔煉鑄造法所製得之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材之連續相與不連續相不論就其分佈情形或組成而言皆大不相同。
《試驗例3:量測鐵鈷鉭合金濺鍍靶材的磁通量》
本試驗例係以ASTM Standard F 1761-00圓形 磁性濺射靶材磁通量的標準試驗方法量測各實施例及比較例之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材的磁通量,各實施例及比較例之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材的厚度皆為8毫米,其量測結果係如下表1所示,單位為百分比(%)。
如表1所示,本發明各實施例之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材因選用粒徑小於125微米之鐵鈷鉭合金粉末作為原料,並經由粉末冶金法製作鐵鈷鉭合金濺鍍靶材,故能有利於提升所製得之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材的磁通量,使各實施例之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材皆具有大於30%之磁通量,尤其實施例1、2、4、5、6、8、11及12更具有大於或等於45%之磁通量。
尤其,將實施例1至12與實施例13、14相比較發現:當鐵鈷鉭合金粉末之平均粒徑的越小,所製得之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材的磁通量越高。
此外,經由實施例1與2、實施例3與4、實施例5與6、實施例7與8、實施例9與10、實施例11與12及實施例13與14等各組比較結果發現:隨著整體鐵鈷鉭合金濺鍍靶材中鉭含量之增加,鐵鈷鉭合金濺鍍靶材的磁通量亦隨之提高。
《試驗例3:量測鐵鈷鉭合金濺鍍靶材的抗折強度》
本試驗例係以四點抗折分析儀量測各實施例及比較例之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材的抗折強度,其量測結果係如下表1所示,單位為百萬帕斯卡(MPa)。
如表1所示,本發明各實施例之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材因選用粒徑小於125微米之鐵鈷鉭合金粉末作為原 料,並經由粉末冶金法製作鐵鈷鉭合金濺鍍靶材,故能有利於提升所製得之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材的抗折強度,使各實施例之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材皆具有大於或等於400 MPa之抗折強度,尤其實施例1、3、4、7、8、11及12更具有大於或等於700 MPa之抗折強度。
尤其,將實施例1至12與實施例13、14相比較發現:當鐵鈷鉭合金粉末之平均粒徑的越小,所製得之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材的抗折強度越高。
此外,經由實施例1與2、實施例3與4、實施例5與6、實施例7與8、實施例9與10、實施例11與12及實施例13與14等各組比較結果發現:隨著整體鐵鈷鉭合金濺鍍靶材中鉭含量之下降,鐵鈷鉭合金濺鍍靶材的抗折強度有逐漸增加之趨勢。
另外,比較各實施例之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材之結果發現:除了實施例14之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材因選用粒徑為110微米的鐵鈷鉭合金粉末作為原料而造成抗折強度略為下降之外,以鈷為基底成分之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材,即,實施例3、4、7、8、11及12之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材大致上皆具有較高的抗折強度。
上述實施例僅係為了方便說明而舉例而已,本發明所主張之權利範圍自應以申請專利範圍所述為準,而非僅限於上述實施例。

Claims (7)

  1. 一種鐵鈷鉭合金濺鍍靶材,其係由鐵、鈷及鉭所組成,且該鐵鈷鉭合金濺鍍靶材之金相係由一連續相及一不連續相所組成,其中:該鐵鈷鉭合金濺鍍靶材之組成為(Fea Cob )100-c Tac ,a介於20原子百分比至80原子百分比,a與b之總和為100原子百分比,c介於12原子百分比至20原子百分比;該連續相之組成為(Fex1 Coy1 )100-z1 Taz1 ,x1介於20原子百分比至80原子百分比,x1與y1之總和為100原子百分比,z1介於25原子百分比至32原子百分比;該不連續相之組成為(Fex2 Coy2 )100-z2 Taz2 ,x2介於20原子百分比至80原子百分比,x2與y2之總和為100原子百分比,z2係大於0原子百分比且小於或等於3原子百分比;以及該鐵鈷鉭合金濺鍍靶材之磁通量係介於30%至70%之間。
  2. 如請求項1所述之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材,其中該鐵鈷鉭合金濺鍍靶材之抗折強度係介於400 MPa至1200 MPa。
  3. 如請求項1或2所述之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材,其中該鐵鈷鉭合金濺鍍靶材之金相中任一預定區域皆具有該連續相及該不連續相,該任一預定區域之最小面積為5微米×5微米。
  4. 如請求項1所述之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材,其中該鐵鈷鉭合金濺鍍靶材之組成為(Fea Cob )100-c Tac ,a介於20原 子百分比至80原子百分比,a與b之總和為100原子百分比,c介於14原子百分比至20原子百分比。
  5. 如請求項4所述之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材,其中該鐵鈷鉭合金濺鍍靶材之磁通量係介於35%至70%之間。
  6. 如請求項1所述之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材,其中該鐵鈷鉭合金濺鍍靶材之組成為(Fea Cob )100-c Tac ,a介於20原子百分比至40原子百分比,a與b之總和為100原子百分比,c介於12原子百分比至20原子百分比。
  7. 如請求項6所述之鐵鈷鉭合金濺鍍靶材,其中該鐵鈷鉭合金濺鍍靶材之抗折強度係介於700 MPa至1200 MPa。
TW102120655A 2013-06-11 2013-06-11 鐵鈷鉭合金濺鍍靶材 TWI461557B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW102120655A TWI461557B (zh) 2013-06-11 2013-06-11 鐵鈷鉭合金濺鍍靶材

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW102120655A TWI461557B (zh) 2013-06-11 2013-06-11 鐵鈷鉭合金濺鍍靶材

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TWI461557B true TWI461557B (zh) 2014-11-21
TW201446994A TW201446994A (zh) 2014-12-16

Family

ID=52388394

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102120655A TWI461557B (zh) 2013-06-11 2013-06-11 鐵鈷鉭合金濺鍍靶材

Country Status (1)

Country Link
TW (1) TWI461557B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111957982A (zh) * 2020-08-31 2020-11-20 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种铁钴钽合金粉的制备方法、铁钴钽合金粉及用途

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009104509A1 (ja) * 2008-02-18 2009-08-27 日立金属株式会社 軟磁性膜形成用Fe-Co系合金スパッタリングターゲット材
TW201014922A (en) * 2008-10-10 2010-04-16 Hitachi Metals Ltd Manufacturing method of sputtering target material
TW201037094A (en) * 2009-04-09 2010-10-16 Solar Applied Mat Tech Corp Magnetic sputtering target for ferro-cobalt alloy with high magnetic flux and producing method thereof
US8057650B2 (en) * 2006-11-13 2011-11-15 Sanyo Special Steel Co., Ltd. Soft magnetic FeCo based target material

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8057650B2 (en) * 2006-11-13 2011-11-15 Sanyo Special Steel Co., Ltd. Soft magnetic FeCo based target material
WO2009104509A1 (ja) * 2008-02-18 2009-08-27 日立金属株式会社 軟磁性膜形成用Fe-Co系合金スパッタリングターゲット材
TW201014922A (en) * 2008-10-10 2010-04-16 Hitachi Metals Ltd Manufacturing method of sputtering target material
TW201037094A (en) * 2009-04-09 2010-10-16 Solar Applied Mat Tech Corp Magnetic sputtering target for ferro-cobalt alloy with high magnetic flux and producing method thereof

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111957982A (zh) * 2020-08-31 2020-11-20 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种铁钴钽合金粉的制备方法、铁钴钽合金粉及用途

Also Published As

Publication number Publication date
TW201446994A (zh) 2014-12-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Chen et al. Novel cermet material of WC/multi-element alloy
US10325762B2 (en) Sputtering target for forming magnetic recording film and process for producing same
TWI636149B (zh) 強磁性材濺鍍靶
CN103038388B (zh) 强磁性材料溅射靶
JP5913620B2 (ja) Fe−Pt系焼結体スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP5705993B2 (ja) C粒子が分散したFe−Pt−Ag−C系スパッタリングターゲット及びその製造方法
TW201425627A (zh) Fe-Pt系磁性材燒結體
JP2012102387A (ja) 磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法
CN104105812A (zh) 粉粒产生少的强磁性材料溅射靶
WO2016072441A1 (ja) Itoスパッタリングターゲット及びその製造方法並びにito透明導電膜及びito透明導電膜の製造方法
TWI583813B (zh) Sintered body sputtering target
TWI461557B (zh) 鐵鈷鉭合金濺鍍靶材
JP6545898B2 (ja) 強磁性材スパッタリングターゲット
TWI692536B (zh) 鐵鉑基靶材及其製造方法
TWI753073B (zh) 磁性材濺鍍靶及其製造方法
JP6213342B2 (ja) 磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法
TW201446975A (zh) 濺鍍靶
WO2012073879A1 (ja) スパッタリングターゲット
WO2021014760A1 (ja) 非磁性層形成用スパッタリングターゲット部材
TWI555042B (zh) 鈷鐵基軟磁靶材及鈷鐵基軟磁材料
Chen et al. Fabrication of Ti–N and Ti–Al–N Coatings on Mg–Li Alloy by Surface Mechanical Nanoalloying Treatment under Nitrogen Atmosphere at Room Temperature
CN114951634A (zh) 高熵合金耐磨耐腐蚀涂层及其制备方法
Shin et al. Binding and dispersion behavior of amorphous powders in diamond particles
TW201738401A (zh) 鉻鈦合金濺鍍靶材之製法及鉻鈦合金濺鍍靶材