WO2009104509A1 - 軟磁性膜形成用Fe-Co系合金スパッタリングターゲット材 - Google Patents
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Definitions
- the present invention relates to an Fe—Co alloy sputtering target material for forming a soft magnetic film.
- Perpendicular magnetic recording is a method in which the magnetic film of a perpendicular magnetic recording medium is formed so that the axis of easy magnetization is oriented perpendicularly to the medium surface. This is a method suitable for high recording density with a small decrease in recording and reproduction characteristics.
- a recording medium having a magnetic recording film layer and a soft magnetic film layer with improved recording sensitivity has been developed.
- an amorphous soft magnetic alloy is adopted because excellent soft magnetic properties are required.
- alloy films containing additive elements in Fe, Co or Fe—Co alloys, Co—Zr—Nb alloy films, Co—Zr—Ta alloy films, etc. have already been put to practical use. (For example, refer to Patent Document 1). JP 2004-030740 A
- the soft magnetic film of the magnetic recording medium is required to have a high saturation magnetic flux density, and an Fe—Co alloy mainly composed of Fe having a high saturation magnetic flux density is preferably used. Further, in the case of Fe—Co alloys, when a higher saturation magnetic flux is required, Fe-rich Fe—Co alloys are used. Since the soft magnetic film of the magnetic recording medium is required to be an amorphous film, it is necessary to add an element that promotes amorphization to the above-described Fe—Co alloy. B and Zr are used for the above. However, since these elements alone are not sufficient in corrosion resistance when used as a soft magnetic film of a magnetic recording medium, it is proposed to further add elements such as Al and Cr in order to improve the corrosion resistance.
- the object of the present invention is to solve the above-mentioned problems and realize amorphization and improvement of corrosion resistance with a single additive element as much as possible in the Fe-Co alloy target material for soft magnetic film formation used for perpendicular magnetic recording media and the like. It is an object of the present invention to provide a sputtering target material having an Fe—Co alloy composition.
- the present inventors have conducted a study on Nb as a result of the Fe—Co alloy sputtering target material for forming a soft magnetic film used for a perpendicular magnetic recording medium or the like.
- Ta was selected and a suitable addition range thereof was found and the present invention was reached.
- the Fe—Co alloy represented by the composition formula in terms of atomic ratio (Fe X —Co 100-X ), 10 ⁇ X ⁇ 80 includes one or two selected from Nb and Ta.
- the Fe—Co alloy sputtering target material for soft magnetic film formation contains 10 to 15 atomic% of one or two selected from Nb and Ta.
- the soft magnetic film forming Fe—Co alloy sputtering target material having a maximum magnetic permeability of 250 or less, or the soft magnetic film forming Fe—Co alloy sputtering target material having a PTF of 10% or more is used. is there.
- an Fe—Co alloy sputtering target for forming a soft magnetic film of a perpendicular magnetic recording medium capable of performing stable magnetron sputtering can be provided, which is an extremely effective technique for producing a perpendicular magnetic recording medium.
- a soft magnetic film is formed as an additive element to an Fe—Co alloy whose composition formula in atomic ratio is represented by (Fe X —Co 100-X ), 10 ⁇ X ⁇ 80
- Nb and Ta were selected as the optimum elements for effectively realizing amorphization and corrosion resistance with a single element as much as possible, and the optimum addition amount for realizing the above effect was found. is there.
- the Fe—Co alloy which is the base of the Fe—Co alloy composition of the present invention is a component region in which the composition formula in atomic ratio is represented by (Fe X —Co 100-X ), 10 ⁇ X ⁇ 80.
- the atomic ratio of Fe is preferably 50 to 80%.
- the atomic ratio of Fe is preferable. Is preferably 10 to 50%.
- the Fe—Co alloy sputtering target material of the present invention contains 10 to 20 atomic% of one or two selected from Ta and Nb. This is because the addition of Nb or Ta has the effect of improving the corrosion resistance at the same time as making the Fe—Co alloy amorphous during sputtering. When the effect is less than 10 atomic%, the corrosion resistance and amorphization are not sufficient, and when it exceeds 20 atomic%, the magnetization decreases, so that the effect is controlled to 10 to 20 atomic%. It is important to. In order to maintain amorphization, corrosion resistance, and magnetization, it is more desirable that one or two additive elements selected from Ta and Nb are in the range of 10 to 15 atomic%.
- the balance other than containing Nb and Ta in the above range is Fe and Co and inevitable impurities.
- the impurity content is preferably as low as possible, but oxygen and nitrogen as gas components are 1000 ppm or less, and inevitably contained impurity elements other than gas components such as Ni, Si and Al are preferably 1000 ppm or less in total. .
- the maximum magnetic permeability of the Fe—Co alloy sputtering target material is desirably 250 or less.
- the magnetron sputtering method places a magnet behind the target material, leaks magnetic flux to the surface of the target material, and the leakage magnetic flux region This is a method that enables high-speed film formation by focusing the plasma on the surface of the target material, and is characterized by the leakage of magnetic flux to the surface of the target material. It becomes difficult to obtain the leakage magnetic flux necessary for converging the plasma on the surface. Therefore, it is desired to reduce the magnetic permeability of the target material itself as much as possible.
- the maximum permeability of the Fe—Co-based alloy sputtering target material of the present invention is preferably as low as possible, and is preferably 250 or less, more preferably 150 or less, in order to stably perform the sputtering discharge by the magnetron sputtering method. It is.
- the PTF of the Fe—Co alloy sputtering target material is desirably 10% or more.
- PTF is a leakage flux (Pass-Through-Flux) of the target material.
- This PTF measurement is a method in which a permanent magnet is disposed on the back surface of the target material, and the magnetic flux leaking to the surface of the target material is measured, and the leakage magnetic flux close to the magnetron sputtering apparatus can be measured quantitatively. Actual measurement is performed based on ASTM F1761-00 (Standard Test Method for Pass Through Flux of Circular Magnetic Sputtering Targets), and PTF is obtained from the following equation.
- PTF 100 ⁇ (Magnetic strength with target material placed) ⁇ (Magnetic strength with no target material placed) (%) Note that PTF has a correlation with the thickness of the sputtering target, and in magnetron sputtering, a value of a certain level or more is required to stabilize the discharge during sputtering. According to the study of the present inventor, it was confirmed that a stable discharge can be obtained in magnetron sputtering by setting the PTF to 10% or more.
- the Fe—Co alloy sputtering target material of the present invention is prepared by, for example, adjusting the alloy components so as to be in a desired composition range, and then melt-casting to obtain an Fe—Co alloy material, or Fe powder, Co powder, Ta powder or Nb powder can be weighed so as to have a desired composition, mixed and then sintered to obtain an Fe—Co alloy sintered body, which can then be machined. .
- a pressure of 100 MPa or more and a temperature of 1200 It is desirable to perform pressure sintering at a temperature of at least ° C. That is, by increasing the heating temperature during pressure sintering, the interdiffusion of the mixed powder proceeds, the diffusion of Ta and Nb to Fe and Co proceeds, and the magnetization as the Fe—Co alloy system target is increased. It is because it falls.
- Fe raw material powder having a purity of 99.9% or more, Co raw material powder, Ta raw material powder and Nb raw material powder are prepared, and the above raw material powders are weighed so as to have the composition of each target material shown in Table 1.
- Mixed powder was prepared by mixing. Each of the obtained mixed powders was filled in a mild steel capsule, deaerated and sealed, and then sintered by hot isostatic pressing to obtain a sintered body having a diameter of 180 mm and a thickness of 15 mm. Sintering was performed using Sample No. For Nos. 1 to 7, sample No. 1 was used under conditions of a temperature of 1000 ° C., a pressure of 100 MPa and a holding time of 2 hours.
- the temperature was 1250 ° C.
- the pressure was 100 MPa
- the holding time was 2 hours.
- the obtained sintered body was sliced to obtain two target materials having a diameter of 180 mm and a thickness of 7 mm.
- Sample No. For 1 and 2 one of the obtained target materials was processed to have a diameter of 164 mm ⁇ thickness of 1 mm, and In brazed to a copper cooling plate having a diameter of 180 mm ⁇ thickness of 4 mm to produce a Fe—Co alloy target material. .
- a thin film having a thickness of 100 nm was formed on a glass substrate by magnetron sputtering using each of the target materials obtained above.
- the sputtering conditions were Ar pressure 0.6 Pa and input power 500 W.
- Table 1 shows the results of a corrosion resistance test in which each of the deposited samples was immersed in pure water for 24 hours. In Table 1, those having no corrosion area are indicated by ⁇ , and those having a corrosion area are indicated by ⁇ .
- Sample No. with good corrosion resistance was used.
- the peak obtained from the crystal phase could not be confirmed, confirming that it was amorphous.
- sample no. The saturation magnetization of 3 to 11 was measured using a vibrating sample magnetometer VSM-3 manufactured by Toei Kogyo Co., Ltd.
- a measurement sample a thin film having a thickness of 1 ⁇ m was formed on a Si substrate by a magnetron sputtering method, and then the substrate was cut out to 10 mm ⁇ 10 mm and measured by applying an external magnetic field of 79775 (A / m). Table 2 shows the measurement results.
- the soft magnetic film formed of a sputtering target material containing 10 to 20 atomic% of one or two selected from Ta and Nb in the Fe—Co alloy has high corrosion resistance and magnetic properties. It can be seen that it has saturation magnetization suitable for the soft magnetic film of the recording medium. Table 2 also shows that a saturation magnetization of 1.1 or more can be obtained when the content of one or two selected from Ta and Nb in the Fe—Co alloy is 10 to 15 atomic%. It can be seen that in order to obtain a soft magnetic film with higher saturation magnetization, it is desirable to control the amounts of Ta and Nb in the target material to 10 to 15 atomic%.
- the diameter was 180 mm ⁇ thickness with a composition of (Fe 65 -Co 35 ) 88.5 -Ta 11.5 in the atomic ratio in the same manner as in Example 1.
- a sintered body having a thickness of 15 mm was produced, and the sintered body was sliced to obtain two target materials having a diameter of 180 mm and a thickness of 7 mm.
- a sputtering target material having a diameter of 180 mm ⁇ thickness of 5 mm and a diameter of 180 mm ⁇ thickness of 6 mm was produced from one of the obtained materials.
- test pieces having a length of 30 mm, a width of 10 mm and a thickness of 5 mm were taken from one of the target materials prepared above, and these test pieces were used using a DC magnetic property measuring apparatus TRF5A manufactured by Toei Kogyo Co., Ltd.
- the magnetization curve of was measured.
- the maximum magnetic permeability was determined from the obtained magnetization curve and shown in Table 3.
- the leakage magnetic flux (PTF) of each target material produced above was measured and shown in Table 3.
- Example 1 the sample No. 1 prepared in Example 1 was used.
- the magnetization curves of these test pieces were measured in the same manner as in Example 2.
- the maximum permeability was determined from the obtained magnetization curve and is shown in Table 4.
- Sample No. The leakage magnetic flux (PTF) of each target material of 8 to 10 was measured and shown in Table 4. Actual measurement was performed in the same manner as in Example 2.
- the Fe—Co alloy sputtering target material of the present invention has excellent corrosion resistance, it can be applied to the production of a stable perpendicular magnetic recording medium.
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Abstract
垂直磁気記録媒体等に用いられる軟磁性膜形成用Fe-Co系合金ターゲット材において、アモルファス化と耐食性の向上を極力単一の添加元素で実現するFe-Co系合金組成のスパッタリングターゲット材を提供する。
原子比における組成式が(FeX-Co100-X)、10≦X≦80で表されるFe-Co合金に、TaおよびNbから選ばれる1種または2種を10~20原子%含有する軟磁性膜形成用Fe-Co系合金スパッタリングターゲット材である。
Description
本発明は、軟磁性膜を形成するためのFe-Co系合金スパッタリングターゲット材に関するものである。
近年、磁気記録技術の進歩は著しく、ドライブの大容量化のために、磁気記録媒体の高記録密度化が進められている。しかしながら、現在広く世の中で使用されている面内磁気記録方式の磁気記録媒体では、高記録密度化を実現しようとすると、記録ビットが微細化し、記録ヘッドで記録できないほどの高保磁力が要求される。そこで、これらの問題を解決し、記録密度を向上させる手段として垂直磁気記録方式が検討されている。
垂直磁気記録方式とは、垂直磁気記録媒体の磁性膜を媒体面に対して磁化容易軸が垂直方向に配向するように形成したものであり、記録密度を上げて行ってもビット内の反磁界が小さく、記録再生特性の低下が少ない高記録密度に適した方法である。そして、垂直磁気記録方式においては、記録感度を高めた磁気記録膜層と軟磁性膜層とを有する記録媒体が開発されている。
垂直磁気記録方式とは、垂直磁気記録媒体の磁性膜を媒体面に対して磁化容易軸が垂直方向に配向するように形成したものであり、記録密度を上げて行ってもビット内の反磁界が小さく、記録再生特性の低下が少ない高記録密度に適した方法である。そして、垂直磁気記録方式においては、記録感度を高めた磁気記録膜層と軟磁性膜層とを有する記録媒体が開発されている。
このような磁気記録媒体の軟磁性膜としては、優れた軟磁気特性が要求されることから、アモルファス軟磁性合金が採用されている。代表的な軟磁性膜用アモルファス合金として、Fe、CoあるいはFe-Co合金に添加元素を含む合金膜、Co-Zr-Nb合金膜、Co-Zr-Ta合金膜などが既に実用化されている(例えば、特許文献1参照)。
特開2004-030740号公報
磁気記録媒体の軟磁性膜としては、高い飽和磁束密度を有することが要求されており、飽和磁束密度が大きいFeを主成分とするFe-Co合金が好適に利用されている。さらに、Fe-Co合金においても、より高い飽和磁束が要求される場合にはFeリッチのFe-Co合金が利用されている。
そして、磁気記録媒体の軟磁性膜としては、アモルファス膜となることが要求されていることから、上記のFe-Co合金に対してはアモルファス化を促進する元素の添加が必要とされ、一般的にBやZrが採用されている。しかしながら、これらの元素のみでは、磁気記録媒体の軟磁性膜として使用する場合に、耐食性が十分でないことから、耐食性を向上させるために、さらにAlやCr等の元素を添加することを提案するものもある(例えば、特開2007-172783号、特開2007-284741号参照)が、軟磁性膜の成分組成が、複雑化しスパッタリングターゲット材を作製する上で、組織制御や成分制御が困難になるという問題がある。
そして、磁気記録媒体の軟磁性膜としては、アモルファス膜となることが要求されていることから、上記のFe-Co合金に対してはアモルファス化を促進する元素の添加が必要とされ、一般的にBやZrが採用されている。しかしながら、これらの元素のみでは、磁気記録媒体の軟磁性膜として使用する場合に、耐食性が十分でないことから、耐食性を向上させるために、さらにAlやCr等の元素を添加することを提案するものもある(例えば、特開2007-172783号、特開2007-284741号参照)が、軟磁性膜の成分組成が、複雑化しスパッタリングターゲット材を作製する上で、組織制御や成分制御が困難になるという問題がある。
本発明の目的は、上記の問題を解決し、垂直磁気記録媒体等に用いられる軟磁性膜形成用Fe-Co系合金ターゲット材において、アモルファス化と耐食性の向上を極力単一の添加元素で実現するFe-Co系合金組成のスパッタリングターゲット材を提供することである。
本発明者らは、垂直磁気記録媒体等に用いられる軟磁性膜を形成するためのFe-Co系合金スパッタリングターゲット材について、Fe-Co合金への添加元素について種々の検討を行った結果、NbあるいはTaを選択すること、およびその好適な添加範囲を見出し本発明に到達した。
すなわち、本発明は、原子比における組成式が(FeX-Co100-X)、10≦X≦80で表されるFe-Co合金に、NbおよびTaから選ばれる1種または2種を10~20原子%含有する軟磁性膜形成用Fe-Co系合金スパッタリングターゲット材である。
好ましくは、NbおよびTaから選ばれる1種または2種を10~15原子%含有する軟磁性膜形成用Fe-Co系合金スパッタリングターゲット材である。
また、好ましくは、最大透磁率が250以下である軟磁性膜形成用Fe-Co系合金スパッタリングターゲット材、あるいは、PTFが10%以上である軟磁性膜形成用Fe-Co系合金スパッタリングターゲット材である。
好ましくは、NbおよびTaから選ばれる1種または2種を10~15原子%含有する軟磁性膜形成用Fe-Co系合金スパッタリングターゲット材である。
また、好ましくは、最大透磁率が250以下である軟磁性膜形成用Fe-Co系合金スパッタリングターゲット材、あるいは、PTFが10%以上である軟磁性膜形成用Fe-Co系合金スパッタリングターゲット材である。
本発明により、安定したマグネトロンスパッタリングが行なえる垂直磁気記録媒体の軟磁性膜を形成するためのFe-Co系合金スパッタリングターゲットを提供でき、垂直磁気記録媒体を製造する上で極めて有効な技術となる。
本発明の最も重要な特徴は、原子比における組成式が(FeX-Co100-X)、10≦X≦80で表されるFe-Co合金への添加元素として、軟磁性膜を形成した際にアモルファス化と耐食性の向上を極力単一元素で効果的に実現するための最適な元素としてNbおよびTaを選択し、さらに上記の効果を実現するための最適な添加量を見出した点にある。
本発明のFe-Co系合金組成のベースとなるFe-Co合金は、原子比における組成式が(FeX-Co100-X)、10≦X≦80で表される成分領域である。それは、飽和磁気モーメントが遷移金属合金中最高となることが知られるFe-Coニ元系合金は、原子比でFe:Co=65:35の組成比付近で飽和磁気モーメントが最大になり、Feの原子比率が10~80%の範囲であるFe-Co合金において高い飽和磁気モーメントが得られるためである。
なお、飽和磁気モーメントを最大化する必要がある場合には、Feの原子比率を50~80%とすることが好ましく、また、薄膜としての磁歪を下げようとする場合には、Feの原子比率を10~50%とすることが好ましい。
なお、飽和磁気モーメントを最大化する必要がある場合には、Feの原子比率を50~80%とすることが好ましく、また、薄膜としての磁歪を下げようとする場合には、Feの原子比率を10~50%とすることが好ましい。
本発明のFe-Co系合金スパッタリングターゲット材は、TaおよびNbから選ばれる1種または2種を10~20原子%含有するものである。それは、NbまたはTaの添加により、スパッタリングの際に、Fe-Co系合金がアモルファス化すると同時に、耐食性を向上させる効果を有するためである。なお、上記の効果は、10原子%に満たない場合には、耐食性とアモルファス化が十分ではなく、また、20原子%を超える場合には、磁化が低下するため、10~20原子%に制御することが重要である。
なお、アモルファス化、耐食性の向上および磁化を維持するため、添加元素がTaおよびNbから選ばれる1種または2種を10~15原子%の範囲であることがより望ましい。
なお、本発明のFe-Co系合金スパッタリングターゲット材は、NbおよびTaを上記の範囲で含有する以外の残部はFeおよびCoと不可避的不純物である。不純物含有量はできるだけ少ないことが望ましいが、ガス成分である酸素、窒素は1000ppm以下、不可避的に含まれるNi、Si、Al等のガス成分以外の不純物元素は合計で1000ppm以下であることが望ましい。
なお、アモルファス化、耐食性の向上および磁化を維持するため、添加元素がTaおよびNbから選ばれる1種または2種を10~15原子%の範囲であることがより望ましい。
なお、本発明のFe-Co系合金スパッタリングターゲット材は、NbおよびTaを上記の範囲で含有する以外の残部はFeおよびCoと不可避的不純物である。不純物含有量はできるだけ少ないことが望ましいが、ガス成分である酸素、窒素は1000ppm以下、不可避的に含まれるNi、Si、Al等のガス成分以外の不純物元素は合計で1000ppm以下であることが望ましい。
本発明においては、Fe-Co系合金スパッタリングターゲット材の最大透磁率は250以下であることが望ましい。
それは、軟磁性膜の成膜に一般的に用いられるマグネトロンスパッタリング法においては、マグネトロンスパッタリング法が、ターゲット材の背後に磁石を配置し、ターゲット材の表面に磁束を漏洩させて、その漏洩磁束領域にプラズマが収束されることにより高速成膜を可能とする方法であり、ターゲット材の表面に磁束を漏洩させることに特徴があるため、ターゲット材自身の透磁率が高い場合にはターゲット材のスパッタ表面にプラズマを収束させるのに必要な漏洩磁束を得ることが難しくなる。そこで、ターゲット材自身の透磁率を極力低減することが望まれているためである。
本発明のFe-Co系合金スパッタリングターゲット材の最大透磁率は、可能な限り低いことが好ましく、マグネトロンスパッタリング法で安定してスパッタリング放電するためには、250以下が好ましく、より好ましくは、150以下である。
それは、軟磁性膜の成膜に一般的に用いられるマグネトロンスパッタリング法においては、マグネトロンスパッタリング法が、ターゲット材の背後に磁石を配置し、ターゲット材の表面に磁束を漏洩させて、その漏洩磁束領域にプラズマが収束されることにより高速成膜を可能とする方法であり、ターゲット材の表面に磁束を漏洩させることに特徴があるため、ターゲット材自身の透磁率が高い場合にはターゲット材のスパッタ表面にプラズマを収束させるのに必要な漏洩磁束を得ることが難しくなる。そこで、ターゲット材自身の透磁率を極力低減することが望まれているためである。
本発明のFe-Co系合金スパッタリングターゲット材の最大透磁率は、可能な限り低いことが好ましく、マグネトロンスパッタリング法で安定してスパッタリング放電するためには、250以下が好ましく、より好ましくは、150以下である。
また、本発明においては、Fe-Co系合金スパッタリングターゲット材のPTFは10%以上であることが望ましい。
PTFとは、ターゲット材の漏洩磁束(Pass-Through-Flux)である。このPTFの測定は、ターゲット材の裏面に永久磁石を配置し、ターゲット材表面に漏洩する磁束を測定する方法で、マグネトロンスパッタ装置に近い状態の漏洩磁束を定量的に測定できる方法である。実際の測定はASTM F1761-00(Standard Test Method for Pass Through Flux of Circular Magnetic Sputtering Targets)に基づいて行い、PTFは次式より求められる。
(PTF)=100×(ターゲット材を置いた状態での磁束の強さ)÷(ターゲット材を置かない状態での磁束の強さ)(%)
なお、PTFは、スパッタリングターゲットの厚さとの相関があり、マグネトロンスパッタリングにおいては、スパッタリングの際の放電を安定させるために、一定以上の値が必要とされる。本発明者の検討によれば、PTFが10%以上とすることによりマグネトロンスパッタリングにおいて安定した放電を得ることが可能となることを確認した。
PTFとは、ターゲット材の漏洩磁束(Pass-Through-Flux)である。このPTFの測定は、ターゲット材の裏面に永久磁石を配置し、ターゲット材表面に漏洩する磁束を測定する方法で、マグネトロンスパッタ装置に近い状態の漏洩磁束を定量的に測定できる方法である。実際の測定はASTM F1761-00(Standard Test Method for Pass Through Flux of Circular Magnetic Sputtering Targets)に基づいて行い、PTFは次式より求められる。
(PTF)=100×(ターゲット材を置いた状態での磁束の強さ)÷(ターゲット材を置かない状態での磁束の強さ)(%)
なお、PTFは、スパッタリングターゲットの厚さとの相関があり、マグネトロンスパッタリングにおいては、スパッタリングの際の放電を安定させるために、一定以上の値が必要とされる。本発明者の検討によれば、PTFが10%以上とすることによりマグネトロンスパッタリングにおいて安定した放電を得ることが可能となることを確認した。
本発明のFe-Co系合金スパッタリングターゲット材は、例えば、所望の組成範囲となるように合金成分を調整した上で、溶解鋳造してFe-Co系合金素材を得るか、あるいは、Fe粉、Co粉、Ta粉あるいはNb粉を所望の組成となるように秤量し、混合した後に焼結してFe-Co系合金焼結体を得た後に、機械加工をして得ることが可能である。
なお、上述した低い漏洩磁束や高いPTFを得るためには、例えば、所望の組成に秤量-混合したFe粉、Co粉、Ta粉あるいはNb粉を焼結する際に、圧力100MPa以上、温度1200℃以上で加圧焼結することが望ましい。それは、加圧焼結時の加熱温度を高くすることで、混合粉末の相互拡散が進行することで、TaやNbのFeやCoに対する拡散が進行し、Fe-Co合金系ターゲットとしての磁化が低下するからである。
なお、上述した低い漏洩磁束や高いPTFを得るためには、例えば、所望の組成に秤量-混合したFe粉、Co粉、Ta粉あるいはNb粉を焼結する際に、圧力100MPa以上、温度1200℃以上で加圧焼結することが望ましい。それは、加圧焼結時の加熱温度を高くすることで、混合粉末の相互拡散が進行することで、TaやNbのFeやCoに対する拡散が進行し、Fe-Co合金系ターゲットとしての磁化が低下するからである。
以下の実施例で本発明を更に詳しく説明する。
まず、それぞれ純度99.9%以上のFe原料粉末、Co原料粉末、Ta原料粉末およびNb原料粉末を準備し、表1に示す各ターゲット材の組成となるように、上記の原料粉末を秤量、混合して混合粉末を作製した。得られた各混合粉末を、軟鋼カプセルに充填し脱気封止した後、熱間静水圧プレスによって焼結し直径180mm×厚さ15mmの焼結体を得た。焼結は、試料No.1~7については、温度1000℃、圧力100MPa、保持時間2時間の条件で、試料No.8~11については、温度1250℃、圧力100MPa、保持時間2時間の条件で行った。得られた焼結体をスライス加工して2個の直径180mm×厚さ7mmのターゲット素材を得た。試料No.1および2については、得られたターゲット素材の一方を直径164mm×厚さ1mmに加工し、直径180mm×厚さ4mmの銅製冷却板にInロウ付けしてFe-Co系合金ターゲット材を作製した。また、試料No.3~11については、得られたターゲット素材の一方を直径180mm×厚さ5mmに加工してFe-Co系合金スパッタリングターゲット材を作製した。
まず、それぞれ純度99.9%以上のFe原料粉末、Co原料粉末、Ta原料粉末およびNb原料粉末を準備し、表1に示す各ターゲット材の組成となるように、上記の原料粉末を秤量、混合して混合粉末を作製した。得られた各混合粉末を、軟鋼カプセルに充填し脱気封止した後、熱間静水圧プレスによって焼結し直径180mm×厚さ15mmの焼結体を得た。焼結は、試料No.1~7については、温度1000℃、圧力100MPa、保持時間2時間の条件で、試料No.8~11については、温度1250℃、圧力100MPa、保持時間2時間の条件で行った。得られた焼結体をスライス加工して2個の直径180mm×厚さ7mmのターゲット素材を得た。試料No.1および2については、得られたターゲット素材の一方を直径164mm×厚さ1mmに加工し、直径180mm×厚さ4mmの銅製冷却板にInロウ付けしてFe-Co系合金ターゲット材を作製した。また、試料No.3~11については、得られたターゲット素材の一方を直径180mm×厚さ5mmに加工してFe-Co系合金スパッタリングターゲット材を作製した。
上記で得られた各ターゲット材を用いてマグネトロンスパッタリング法よって、ガラス基板上に膜厚100nmの薄膜を成膜した。なお、スパッタリング条件はAr圧0.6Pa、投入電力は500Wで行った。
成膜した各試料を純水中に24時間浸漬した耐食性試験を行った結果を表1に示す。なお、表1では、腐食領域が無いものを○、腐食領域があるものを×と表示している。
成膜した各試料を純水中に24時間浸漬した耐食性試験を行った結果を表1に示す。なお、表1では、腐食領域が無いものを○、腐食領域があるものを×と表示している。
また、耐食性が良好であった試料No.3~11をX線回折した結果、結晶相から得られるピークは確認出来なかったことより、アモルファスとなっていることを確認した。さらに、試料No.3~11の飽和磁化を東英工業(株)製振動試料型磁力計VSM-3を用いて測定した。なお、測定試料は、膜厚1μmの薄膜をマグネトロンスパッタリング法によってSi基板上に成膜後、基板を10mm×10mmに切り出して、外部磁場795775(A/m)印加して測定をした。測定した結果を表2に示す。
表1および表2から、Fe-Co合金にTaおよびNbから選ばれる1種または2種を10~20原子%含有するスパッタリングターゲット材で形成した軟磁性膜は高い耐食性を有しており、磁気記録媒体の軟磁性膜に適した飽和磁化を有していることが分かる。また、表2から、Fe-Co合金にTaおよびNbから選ばれる1種または2種の含有量を10~15原子%とした場合に、1.1以上の飽和磁化が得られることが分かり、より高い飽和磁化の軟磁性膜を得るためには、ターゲット材中のTa、Nbの量を10~15原子%に制御することが望ましいことがわかる。
表3に示す熱間静水圧プレスの温度条件以外は、実施例1と同様の方法で、原子比で(Fe65-Co35)88.5-Ta11.5の組成となる直径180mm×厚さ15mmの焼結体を作製し、焼結体をスライス加工して直径180mm×厚さ7mmのターゲット素材を2個得た。得られた素材の一方から直径180mm×厚さ5mmおよび直径180mm×厚さ6mmのスパッタリングターゲット材を作製した。
また、上記で作製した各ターゲット素材の一方から長さ30mm×幅10mm×厚さ5mmの試験片を採取し、東英工業(株)製直流磁気特性測定装置TRF5Aを使用してこれらの試験片の磁化曲線を測定した。得られた磁化曲線から最大透磁率を求め、表3に示した。
また、上記で作製した各ターゲット材の漏洩磁束(PTF)を測定し表3に示した。実際の測定はASTM F1761-00(Standard Test Method for Pass Through Flux of Circular Magnetic Sputtering Targets)に基づいて行い、次式より求めた。
(PTF)=100×(ターゲット材を置いた状態での磁束の強さ)÷(ターゲット材を置かない状態での磁束の強さ)(%)
また、上記で作製した各ターゲット素材の一方から長さ30mm×幅10mm×厚さ5mmの試験片を採取し、東英工業(株)製直流磁気特性測定装置TRF5Aを使用してこれらの試験片の磁化曲線を測定した。得られた磁化曲線から最大透磁率を求め、表3に示した。
また、上記で作製した各ターゲット材の漏洩磁束(PTF)を測定し表3に示した。実際の測定はASTM F1761-00(Standard Test Method for Pass Through Flux of Circular Magnetic Sputtering Targets)に基づいて行い、次式より求めた。
(PTF)=100×(ターゲット材を置いた状態での磁束の強さ)÷(ターゲット材を置かない状態での磁束の強さ)(%)
表3から、本発明のFe-Co系合金スパッタリングターゲット材を作製する際の加圧焼結における熱間静水圧プレスの温度条件をより高く設定することで、最大透磁率の低減が可能となり、またPTFは向上することが可能となることが分かる。
次に、実施例1で作製した試料No.8~10のターゲット素材の一方から長さ30mm、幅10mm、厚さ5mmの試験片を採取した。実施例2と同様の方法でこれらの試験片の磁化曲線を測定した。得られた磁化曲線から最大透磁率を求め、表4に示した。
また、試料No.8~10の各ターゲット材の漏洩磁束(PTF)を測定し表4に示した。実際の測定は、実施例2と同様の方法で行なった。
また、試料No.8~10の各ターゲット材の漏洩磁束(PTF)を測定し表4に示した。実際の測定は、実施例2と同様の方法で行なった。
表4から、本発明のFe-Co系合金スパッタリングターゲット材は、放電に対して十分なPTFを有することが確認出来る。
本発明のFe-Co系合金スパッタリングターゲット材は耐食性に優れているため、安定した垂直磁気記録媒体の製造に適用できる。
Claims (4)
- 原子比における組成式が(FeX-Co100-X)、10≦X≦80で表されるFe-Co合金に、TaおよびNbから選ばれる1種または2種を10~20原子%含有する軟磁性膜形成用Fe-Co系合金スパッタリングターゲット材。
- TaおよびNbから選ばれる1種または2種を10~15原子%含有する請求項1に記載の軟磁性膜形成用Fe-Co系合金スパッタリングターゲット材。
- 最大透磁率が250以下である請求項1に記載の軟磁性膜形成用Fe-Co系合金スパッタリングターゲット材。
- PTFが10%以上である請求項1に記載の軟磁性膜形成用Fe-Co系合金スパッタリングターゲット材。
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---|---|---|---|---|
JP2010024548A (ja) * | 2008-06-17 | 2010-02-04 | Hitachi Metals Ltd | 軟磁性膜形成用Fe−Co系合金スパッタリングターゲット材 |
JP2010059540A (ja) * | 2008-08-04 | 2010-03-18 | Hitachi Metals Ltd | Co−Fe系合金スパッタリングターゲット材の製造方法およびCo−Fe系合金スパッタリングターゲット材 |
WO2013183546A1 (ja) * | 2012-06-06 | 2013-12-12 | 日立金属株式会社 | Fe-Co系合金スパッタリングターゲット材およびその製造方法 |
WO2014017381A1 (ja) * | 2012-07-24 | 2014-01-30 | 日立金属株式会社 | ターゲット材およびその製造方法 |
TWI461557B (zh) * | 2013-06-11 | 2014-11-21 | Solar Applied Mat Tech Corp | 鐵鈷鉭合金濺鍍靶材 |
US9064519B2 (en) | 2011-07-06 | 2015-06-23 | Hitachi Metals, Ltd. | Soft magnetic under layer |
WO2016157922A1 (ja) * | 2015-03-27 | 2016-10-06 | 日立金属株式会社 | 軟磁性膜および軟磁性膜形成用スパッタリングターゲット |
Families Citing this family (2)
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---|---|---|---|---|
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TWI646208B (zh) * | 2015-02-26 | 2019-01-01 | 光洋應用材料科技股份有限公司 | 非晶軟磁靶材及非晶軟磁材料 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007297688A (ja) * | 2006-05-02 | 2007-11-15 | Sanyo Special Steel Co Ltd | FeCo系ターゲット材 |
JP2008127588A (ja) * | 2006-11-17 | 2008-06-05 | Sanyo Special Steel Co Ltd | (CoFe)ZrNb/Ta/Hf系ターゲット材およびその製造方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6599377B2 (en) * | 1999-10-01 | 2003-07-29 | Heraeus, Inc. | Wrought processing of brittle target alloy for sputtering applications |
US6797137B2 (en) * | 2001-04-11 | 2004-09-28 | Heraeus, Inc. | Mechanically alloyed precious metal magnetic sputtering targets fabricated using rapidly solidfied alloy powders and elemental Pt metal |
US20030228238A1 (en) * | 2002-06-07 | 2003-12-11 | Wenjun Zhang | High-PTF sputtering targets and method of manufacturing |
JP2006265653A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Hitachi Metals Ltd | Fe−Co基合金ターゲット材およびその製造方法 |
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007297688A (ja) * | 2006-05-02 | 2007-11-15 | Sanyo Special Steel Co Ltd | FeCo系ターゲット材 |
JP2008127588A (ja) * | 2006-11-17 | 2008-06-05 | Sanyo Special Steel Co Ltd | (CoFe)ZrNb/Ta/Hf系ターゲット材およびその製造方法 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010024548A (ja) * | 2008-06-17 | 2010-02-04 | Hitachi Metals Ltd | 軟磁性膜形成用Fe−Co系合金スパッタリングターゲット材 |
JP2010059540A (ja) * | 2008-08-04 | 2010-03-18 | Hitachi Metals Ltd | Co−Fe系合金スパッタリングターゲット材の製造方法およびCo−Fe系合金スパッタリングターゲット材 |
US9064519B2 (en) | 2011-07-06 | 2015-06-23 | Hitachi Metals, Ltd. | Soft magnetic under layer |
WO2013183546A1 (ja) * | 2012-06-06 | 2013-12-12 | 日立金属株式会社 | Fe-Co系合金スパッタリングターゲット材およびその製造方法 |
CN104145043A (zh) * | 2012-06-06 | 2014-11-12 | 日立金属株式会社 | Fe-Co系合金溅射靶材及其制造方法 |
CN104145043B (zh) * | 2012-06-06 | 2015-11-25 | 日立金属株式会社 | Fe-Co系合金溅射靶材及其制造方法 |
US9773654B2 (en) | 2012-06-06 | 2017-09-26 | Hitachi Metals, Ltd. | Fe-Co-based alloy sputtering target material, and method of producing same |
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TWI461557B (zh) * | 2013-06-11 | 2014-11-21 | Solar Applied Mat Tech Corp | 鐵鈷鉭合金濺鍍靶材 |
WO2016157922A1 (ja) * | 2015-03-27 | 2016-10-06 | 日立金属株式会社 | 軟磁性膜および軟磁性膜形成用スパッタリングターゲット |
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