TWI646208B - 非晶軟磁靶材及非晶軟磁材料 - Google Patents

非晶軟磁靶材及非晶軟磁材料 Download PDF

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Abstract

本創作提供一種非晶軟磁靶材及由其所形成之非晶軟磁材料。該非晶軟磁材料包含鐵、鈷、矽、硼及M，M可為鉬、鉭、鉻、鋯、鈮、鎢或其組合，以該非晶軟磁靶材之原子總數為基準，鐵的含量係介於35至65原子百分比，鈷的含量係大於或等於15且小於40原子百分比，矽的含量係介於4至13原子百分比，硼的含量係介於10至14原子百分比，M的總含量係介於1至6原子百分比。本創作藉由控制非晶軟磁材料之組成，能有利改善現有技術之軟磁層的飽和磁化量受熱後會被弱化之程度，並且提升非晶軟磁材料的居禮溫度，使其適用於作為磁記錄媒體之軟磁層材料。

Description

非晶軟磁靶材及非晶軟磁材料
本創作關於一種非晶軟磁材料，尤指一種適用於作為磁記錄媒體之軟磁層的非晶軟磁材料；此外，本創作亦關於一種用於形成該非晶軟磁材料的非晶軟磁靶材。
近年來，隨著人們對於磁記錄媒體之資訊儲存容量的需求越來越高，如何提升磁記錄媒體的記錄品質一直是業者積極開發的研究課題。
根據磁頭磁化的方向，現有技術之磁記錄媒體可區分為水平式磁記錄媒體及垂直式磁記錄媒體。以垂直式磁記錄媒體為例，其層狀結構由下至上包含有基板、附著層、軟磁層、晶種層、中間層、磁記錄層、覆蓋層以及潤滑層。
所述之軟磁層可採用如直流濺鍍法、射頻濺鍍法或磁控濺鍍法等濺鍍一軟磁性合金靶材所形成；於現有技術之磁記錄媒體中，軟磁層的作用主要在於提升磁記錄層的熱穩定性、降低去磁場以及提升磁記錄媒體的寫入效率等。
為確保軟磁層應用於磁記錄媒體中能發揮其預期的作用，現有技術多半係採用兼具軟磁性與非晶質性 的鐵鈷鉭合金作為軟磁層之材料，並控制鉭成分佔整體鐵鈷鉭合金之含量至少係大於15原子百分比。
然而，由於鉭金屬原料的成本較高、鐵鈷鉭合金的居禮溫度(Curie temperature)不高於200℃以及鐵鈷鉭合金的飽和磁化量(saturation magnetization，Bs)受熱後會被弱化等缺點，致使由鐵鈷鉭合金所構成之軟磁層不僅具有高成本的缺點外，更無法獲得期望的居禮溫度和熱穩定性。
有鑒於現有技術所面臨之技術缺陷，本創作之一目的在於發展一種新穎的非晶軟磁材料，其能具備非晶質性，使其適用於作為磁記錄媒體之軟磁層。
本創作之另一目的在於發展一種新穎的非晶軟磁材料，其能有利於改善現有技術之軟磁層的飽和磁化量受熱後會被弱化之程度，並且具體提升現有技術之軟磁層的居禮溫度，從而提升磁記錄媒體的在較高溫度下的記錄品質，並使磁記錄媒體可適用於較高的操作溫度範圍。
為達成上述目的，本創作提供一種非晶軟磁靶材，其包含鐵、鈷、矽、硼及M，M為選自於由鉬、鉭、鉻、鋯、鈮、鎢及其組合所組成之群組，以該非晶軟磁靶材之原子總數為基準，鐵的含量係大於或等於35原子百分比且小於或等於65原子百分比，鈷的含量係大於或等於15原子百分比且小於40原子百分比，矽的含量係大於或等於4原子百分比且小於或等於13原子百分比，硼的含量係大於或等於10原子百分比且小於或等於14原子百分 比，M的總含量係大於或等於1原子百分比且小於或等於6原子百分比。
此外，本創作另提供一種非晶軟磁材料，其包含鐵、鈷、矽、硼及M，M為選自於由鉬、鉭、鉻、鋯、鈮、鎢及其組合所組成之群組，以該非晶軟磁靶材之原子總數為基準，鐵的含量係大於或等於35原子百分比且小於或等於65原子百分比，鈷的含量係大於或等於15原子百分比且小於40原子百分比，矽的含量係大於或等於4原子百分比且小於或等於13原子百分比，硼的含量係大於或等於10原子百分比且小於或等於14原子百分比，M的總含量係大於或等於1原子百分比且小於或等於6原子百分比。
依據本創作，藉由在鐵鈷系統中添加M、矽及硼等成分，將非晶軟磁材料設計為多元合金系統，同時藉由控制硼、矽及鈷三者的含量範圍，能確保非晶軟磁材料獲得應用至磁記錄媒體之軟磁層時所需之非晶質性，藉此解決現有技術之鐵鈷鉭材料成本過高之問題；此外，藉由控制M的總含量，更能有助於提升非晶軟磁材料的居禮溫度，並使非晶軟磁材料獲得較佳的非晶熱穩定性。
更具體而言，所述之M可為鉬、鉭、鉻、鋯、鈮、鎢、含有鉬及鉻之組合、含有鈮及鉭之組合等，但並非僅限於此。
較佳的，於前述非晶軟磁靶材及非晶軟磁材料中，鐵相對於鈷的含量係介於1：1至4：1之間；更佳的，於前述非晶軟磁靶材及非晶軟磁材料中，鐵相對於鈷的含量係介於1：1至2.5：1之間，藉此令非晶軟磁材料之飽 飽和磁化量可控制在600emu/cc至1300emu/cc之間，且其自室溫受熱至80℃後飽和磁化量的降低率可控制在小於10%以下。
較佳的，以該非晶軟磁靶材之原子總數為基準，M的總含量係大於或等於2原子百分比且小於或等於5原子百分比。更佳的，以該非晶軟磁靶材之原子總數為基準，M的總含量係大於或等於2原子百分比且小於或等於4原子百分比。
較佳的，該非晶軟磁靶材可更包含有鎳，以該非晶軟磁靶材之原子總數為基準，鎳的含量係大於或等於1原子百分比且小於或等於8原子百分比。更佳的，以該非晶軟磁靶材之原子總數為基準，鎳的含量係大於或等於4原子百分比且小於或等於8原子百分比。
較佳的，以該非晶軟磁材料之原子總數為基準，M的總含量係大於或等於2原子百分比且小於或等於5原子百分比。更佳的，以該非晶軟磁材料之原子總數為基準，M的總含量係大於或等於2原子百分比且小於或等於4原子百分比。
較佳的，該非晶軟磁材料可更包含有鎳，以該非晶軟磁材料之原子總數為基準，鎳的含量係大於或等於1原子百分比且小於或等於8原子百分比。更佳的，以該非晶軟磁材料之原子總數為基準，鎳的含量係大於或等於4原子百分比且小於或等於8原子百分比。
依據本創作，該非晶軟磁材料可由前述非晶軟磁靶材採用所屬技術領域中具有通常知識者所熟知的濺鍍 方法所濺鍍而成，例如：直流濺鍍法、射頻濺鍍法或磁控濺鍍法等，但並非僅限於此。
較佳的，所述之非晶軟磁材料可為一非晶軟磁層或一非晶軟磁薄膜，其可應用於一磁記錄媒體中，並且作為一軟磁層。
為驗證非晶軟磁材料之組成對其非晶質性、居禮溫度、磁特性之影響，以下列舉數種具有不同組成之非晶軟磁靶材及利用非晶軟磁靶材所製成的數種具有不同組成之非晶軟磁材料作為例示，說明本創作之實施方式；熟習此技藝者可經由本說明書之內容輕易地了解本創作所能達成之優點與功效，並且於不悖離本創作之精神下進行各種修飾與變更，以施行或應用本創作之內容。
實施例1至6：Fe-Co-Mo-Si-B靶材
如下表1-1所示，實施例1至6之非晶軟磁靶材的組成係由如aFe-bCo-cMo-dSi-eB之通式所示；其中，a、b、c、d、e依序代表以該非晶軟磁靶材之原子總數為基準時鐵(Fe)、鈷(Co)、鉬(Mo)、矽(Si)及硼(B)的含量，其單位為原子百分比(at%)。
依據如下表1-1所示之組成，秤取並混合適量的鐵、鈷、鉬、矽及硼等原料，利用真空感應熔煉法，於4×10-2托耳之真空環境、1700℃之澆溫以及持溫高於澆溫100℃之反應條件下，形成合金初胚，並進行後續的線切割 與電腦數值控制(computer numerical control,CNC)車床加工，即完成實施例1至6之非晶軟磁靶材的製備。
實施例7至11：Fe-Co-Ta-Si-B靶材
如下表1-2所示，實施例7至11之非晶軟磁靶材的組成係由如aFe-bCo-cTa-dSi-eB之通式所示；其中，a、b、c、d、e依序代表以該非晶軟磁靶材之原子總數為基準時鐵、鈷、鉭(Ta)、矽及硼的含量，其單位為原子百分比。
依據如下表1-2所示之組成，秤取並混合適量的鐵、鈷、鉭、矽及硼，利用真空感應熔煉法，於4×10-2托耳之真空環境、1700℃之澆溫以及持溫高於澆溫100℃之反應條件下，形成合金初胚，並進行後續的線切割與CNC車床加工，即完成實施例7至11之非晶軟磁靶材的製備。
實施例12：Fe-Co-Zr-Si-B靶材
實施例12之非晶軟磁靶材的組成係表示為64Fe-16Co-2Zr-6Si-12B；即，以該非晶軟磁靶材之原子總數為基準，鐵的含量為64at%，鈷的含量為16at%，鋯(Zr)的含量為2at%，矽的含量為6at%，硼的含量為12at%。
根據上述組成，秤取並混合適量的鐵、鈷、鋯、矽及硼，利用真空感應熔煉法，於4×10-2托耳之真空環境、1700℃之澆溫以及持溫高於澆溫100℃之反應條件下，形成合金初胚，並進行後續的線切割與CNC車床加工，即完成實施例12之非晶軟磁靶材的製備。
實施例13：Fe-Co-W-Si-B靶材
實施例13之非晶軟磁靶材的組成係表示為64Fe-16Co-2W-6Si-12B；即，以該非晶軟磁靶材之原子總數為基準，鐵的含量為64at%，鈷的含量為16at%，鎢(W)的含量為2at%，矽的含量為6at%，硼的含量為12at%。
根據上述組成，秤取並混合適量的鐵、鈷、鎢、矽及硼，利用真空感應熔煉法，於4×10-2托耳之真空環境、1700℃之澆溫以及持溫高於澆溫100℃之反應條件下，形成合金初胚，並進行後續的線切割與CNC車床加工，即完成實施例13之非晶軟磁靶材的製備。
實施例14：Fe-Co-Nb-Si-B靶材
實施例14之非晶軟磁靶材的組成係表示為64Fe-16Co-2Nb-6Si-12B；即，以該非晶軟磁靶材之原子總數為基準，鐵的含量為64at%，鈷的含量為16at%，鈮(Nb)的含量為2at%，矽的含量為6at%，硼的含量為12at%。
根據上述組成，秤取並混合適量的鐵、鈷、鈮、 矽及硼，利用真空感應熔煉法，於4×10-2托耳之真空環境、1700℃之澆溫以及持溫高於澆溫100℃之反應條件下，形成合金初胚，並進行後續的線切割與CNC車床加工，即完成實施例14之非晶軟磁靶材的製備。
實施例15：Fe-Co-Cr-Si-B靶材
實施例15之非晶軟磁靶材的組成係表示為64Fe-16Co-2Cr-6Si-12B；即，以該非晶軟磁靶材之原子總數為基準，鐵的含量為64at%，鈷的含量為16at%，鉻(Cr)的含量為2at%，矽的含量為6at%，硼的含量為12at%。
根據上述組成，秤取並混合適量的鐵、鈷、鉻、矽及硼，利用真空感應熔煉法，於4×10-2托耳之真空環境、1700℃之澆溫以及持溫高於澆溫100℃之反應條件下，形成合金初胚，並進行後續的線切割與CNC車床加工，即完成實施例15之非晶軟磁靶材的製備。
實施例16：Fe-Co-Mo-Cr-Si-B靶材
實施例16之非晶軟磁靶材的組成係表示為38Fe-36Co-4Mo-2Cr-6Si-14B；即，以該非晶軟磁靶材之原子總數為基準，鐵的含量為38at%，鈷的含量為36at%，鉬的含量為4at%，鉻的含量為2at%，矽的含量為6at%，硼的含量為14at%。
根據上述組成，秤取並混合適量的鐵、鈷、鉬、鉻、矽及硼，利用真空感應熔煉法，於4×10-2托耳之真空環境、1700℃之澆溫以及持溫高於澆溫100℃之反應條件下，形成合金初胚，並進行後續的線切割與CNC車床加工，即完成實施例16之非晶軟磁靶材的製備。
實施例17及18：Fe-Co-Nb-Ta-Si-B靶材
如下表1-3所示，實施例17及18之非晶軟磁靶材的組成係由如aFe-bCo-cNb-c'Ta-dSi-eB之通式所示；其中，a、b、c、c'、d、e依序代表以該非晶軟磁靶材之原子總數為基準時鐵、鈷、鈮、鉭、矽及硼的含量，其單位為原子百分比。
依據如下表1-3所示之組成，秤取並混合適量的鐵、鈷、鈮、鉭、矽及硼，利用真空感應熔煉法，於4×10-2托耳之真空環境、1700℃之澆溫以及持溫高於澆溫100℃之反應條件下，形成合金初胚，並進行後續的線切割與CNC車床加工，即完成實施例17及18之非晶軟磁靶材的製備。
實施例19及20：Fe-Co-Mo-Ni-Si-B靶材
如下表1-4所示，實施例19及20之非晶軟磁靶材的組成係由aFe-bCo-cMo-fNi-dSi-eB之通式所示；其中，a、b、c、d、e、f依序代表以該非晶軟磁靶材之原子總數為基準時鐵、鈷、鉬、矽、硼及鎳(Ni)的含量，其單位為原子百分比。
依據如下表1-4所示之組成，秤取並混合適量的鐵、鈷、鉬、鎳、矽及硼，利用真空感應熔煉法，於4×10-2托耳之真空環境、1700℃之澆溫以及持溫高於澆溫100 ℃之反應條件下，形成合金初胚，並進行後續的線切割與CNC車床加工，即完成實施例19及20之非晶軟磁靶材的製備。
比較例1至8：軟磁性靶材
依據如下表1-5所示之組成，秤取並混合適量的鐵、鈷、鉬、鉭、矽及硼，利用真空感應熔煉法，於4×10-2托耳之真空環境、1700℃之澆溫以及持溫高於澆溫100℃之反應條件下，形成合金初胚，並進行後續的線切割與CNC車床加工，即完成比較例1至8之軟磁性靶材的製備。
如上表1-5所示，以比較例1之軟磁性靶材的組成(53Fe-29Co-18Ta)表示方式作說明，其代表以比較例1之軟磁性靶材的原子總數為基準，鐵的含量為53at%，鈷 的含量為29at%，鉭的含量為18at%；其餘各比較例之軟磁性靶材的組成亦以如同上述表示方法示之。
實施例21至40：非晶軟磁材料
分別取用上述實施例1至20之非晶軟磁靶材，以200瓦(W)之功率、20毫托(mtorr)之壓力及通有50標準狀態毫升/分鐘(sccm)之氬氣的濺鍍環境中，設定1.67奈米/秒之濺鍍速率，使用磁控濺鍍法持續濺鍍50秒，以分別於各玻璃基板上濺鍍形成等厚度之實施例21至40的非晶軟磁材料。
實施例1至20的非晶軟磁靶材與實施例21至40的非晶軟磁材料之樣品對應說明係如下表2所示。
如下表2所示，實施例21至26之非晶軟磁材料的組成係由如aFe-bCo-cMo-dSi-eB之通式所示；其中，a、b、c、d、e依序代表以該非晶軟磁材料之原子總數為基準時鐵、鈷、鉬、矽及硼的含量，單位為原子百分比。
如下表2所示，實施例27至31之非晶軟磁材料的組成係由如aFe-bCo-cTa-dSi-eB之通式所示；其中，a、b、c、d、e依序代表以該非晶軟磁材料之原子總數為基準時鐵、鈷、鉭、矽及硼的含量，其單位為原子百分比。
如下表2所示，實施例32之非晶軟磁材料的組成係表示為64Fe-16Co-2Zr-6Si-12B；即，以該非晶軟磁材料之原子總數為基準，鐵的含量為64at%，鈷的含量為16at%，鋯的含量為2at%，矽的含量為6at%，硼的含量為12at%。
如下表2所示，實施例33之非晶軟磁材料的 組成係表示為64Fe-16Co-2W-6Si-12B；即，以該非晶軟磁材料之原子總數為基準，鐵的含量為64at%，鈷的含量為16at%，鎢的含量為2at%，矽的含量為6at%，硼的含量為12at%。
如下表2所示，實施例34之非晶軟磁材料的組成表示為64Fe-16Co-2Nb-6Si-12B；即，以該非晶軟磁材料之原子總數為基準，鐵的含量為64at%，鈷的含量為16at%，鈮的含量為2at%，矽的含量為6at%，硼的含量為12at%。
如下表2所示，實施例35之非晶軟磁材料的組成表示為64Fe-16Co-2Cr-6Si-12B；即，以該非晶軟磁材料之原子總數為基準，鐵的含量為64at%，鈷的含量為16at%，鉻的含量為2at%，矽的含量為6at%，硼的含量為12at%。
如下表2所示，實施例36之非晶軟磁材料的組成係表示為38Fe-36Co-4Mo-2Cr-6Si-14B；即，以該非晶軟磁材料之原子總數為基準，鐵的含量為38at%，鈷的含量為36at%，鉬的含量為4at%，鉻的含量為2at%，矽的含量為6at%，硼的含量為14at%。
如下表2所示，實施例37及38之非晶軟磁材料的組成係由如aFe-bCo-cNb-c'Ta-dSi-eB之通式所示；其中，a、b、c、c'、d、e依序代表以該非晶軟磁材料之原子總數為基準時鐵、鈷、鈮、鉭、矽及硼的含量，其單位為原子百分比。
如下表2所示，實施例39及40之非晶軟磁材 料的組成係由aFe-bCo-cMo-fNi-dSi-eB之通式所示；其中，a、b、c、d、e、f依序代表以該非晶軟磁材料之原子總數為基準時鐵、鈷、鉬、矽、硼及鎳的含量，其單位為原子百分比。
比較例9至16：軟磁性材料
分別取用上述比較例1至8之軟磁性靶材，採用如前述實施例21至40之磁控濺鍍法，令各比較例之軟磁性靶材沉積於基板上成為薄膜，獲得比較例9至16的軟磁性材料。
比較例1至8的軟磁性靶材與比較例9至16的軟磁性材料之樣品對應說明如下表3所示。
試驗例1：結晶型態
於本試驗例中，使用X光繞射儀於常溫下，以每分鐘4度之掃瞄速度掃描20度至80度，分析實施例21至40之非晶軟磁材料與比較例9至16之軟磁性材料(即薄膜)的結晶型態，其結果如下表2及表3所示。
試驗例2：居禮溫度
於本試驗例中，使用磁熱重分析儀(thermal magnetometry analyzer，TMA)，於110Oe之外加磁場下，以1℃/3秒之升溫速率將實施例21至40之非晶軟磁材料與比較例9至16之軟磁性材料分別自室溫加熱至900℃，量測實施例21至40之非晶軟磁材料與比較例9至16之軟磁性材料隨溫度上升的重量變化，以測得不同組成之實施例21至40及比較例9至16之樣品的居禮溫度，測試結果如下表2及表3所示。
試驗例3：飽和磁化量
於本試驗例中，使用振動樣品磁力計(vibrating sample magnetometer，VSM)，於室溫、-12000至+12000Oe之外加磁場下，量測實施例21至40之非晶軟磁材料及比較例9至16之軟磁性材料的飽和磁化量，其結果如下表2及表3所示。
試驗例4：飽和磁化量受熱後被弱化之程度
於本試驗例中，使用振動樣品磁力計(vibrating sample magnetometer，VSM)，於室溫及80℃下、-12000至+12000Oe之外加磁場下，量測實施例21至40之非晶軟磁材料及比較例9至16之軟磁性材料的飽和磁化量，並計算80℃相對於常溫下的飽和磁化量降低率[即，飽和磁化量降低率=(常溫下之飽和磁化量-於80℃下之飽和磁化量)/常溫下飽和磁化量×100%]，其結果如下表2及表3所示。
試驗例1至4之結果討論
根據上表2所示，實施例1至20之非晶軟磁靶材皆包含鐵、鈷、矽、硼及M，M可為鉬、鉭、鉻、鋯、鈮、鎢或其組合，且實施例19至20之非晶軟磁靶材中更包含有鎳之添加成分；藉由控制非晶軟磁靶材之組成，利用實施例1至20之非晶軟磁靶材所製得的實施例21至40之非晶軟磁材料亦具有相應之組成，故實施例21至40之非晶軟磁材料皆同時滿足非晶質性、居理溫度高於400℃及飽和磁化量介於600至1300emu/cc等特性，且其自室溫受熱至80℃後飽和磁化量的降低率可控制在小於10%以下。
合併參看上表2及表3所示，反觀比較例9至12之軟磁性材料，由於比較例9之軟磁性材料的組成中因缺少鉬、鉭、鉻、鋯、鈮、鎢等任何一種成分，比較例10之軟磁性材料因鈷含量高於40at%且硼含量低於10at%，比較例11之軟磁性材料因鈷含量已達40at%且矽含量低於4at%，比較例12之軟磁性材料的鈷含量已達40at%，致使比較例9至12之軟磁性材料之結晶型態皆為結晶性，而不適用於作為磁記錄媒體之軟磁層。
此外，比較例13及14之軟磁性材料因M含量之總和過高，比較例15之軟磁性材料則因鐵含量已超出35at%至65at%之間、鈷含量已低於15at%等因素，導致比較例13至15之軟磁性材料的居禮溫度皆低於400℃，且該等軟磁性材料自室溫受熱至80℃後飽和磁化量的降低率皆高於10%以上。
再者，比較例16之軟磁性材料即為現有技術之軟磁層之一，其不但具有高成本之問題，且該軟磁性材料自室溫受熱至80℃後飽和磁化量的降低率高達24%。
綜合上述結果顯示，本創作藉由添加M、矽及硼在鐵-鈷系統中，不僅能順利製得兼具非晶質性及所需磁特性的非晶軟磁材料，降低現有技術製作軟磁層的成本；且藉由控制實施例1至20之非晶軟磁靶材以及實施例21至40之非晶軟磁材料中更成分之含量比例，更能具體令非晶軟磁材料的居理溫度控制在400℃以上、飽和磁化量介於600至1300emu/cc以及自室溫受熱至80℃後飽和磁化量的降低率低於10%以下，故本創作之非晶軟磁靶材及非晶軟磁材料確實能有利於應用至磁記錄媒體之軟磁層，進而提升磁記錄媒體在較高溫度下的記錄品質，增加操作溫度。
上述實施例僅係為說明本創作之例示，並非於任何方面限制本創作所主張之權利範圍。本創作所主張之權利範圍自應以申請專利範圍所述為準，而非僅限於上述具體實施例。

Claims (11)

  1. 一種非晶軟磁靶材，其包含鐵、鈷、矽、硼及M，M為選自於由鉬、鉭、鉻、鋯、鈮、鎢及其組合所組成之群組，以該非晶軟磁靶材之原子總數為基準，鐵的含量係大於或等於35原子百分比且小於或等於65原子百分比，鈷的含量係大於或等於15原子百分比且小於40原子百分比，矽的含量係大於或等於4原子百分比且小於或等於13原子百分比，硼的含量係大於或等於10原子百分比且小於或等於14原子百分比，M的總含量係大於或等於1原子百分比且小於或等於6原子百分比。
  2. 如請求項1所述之非晶軟磁靶材，其中鐵相對於鈷的含量係介於1：1至2.5：1之間。
  3. 如請求項1所述之非晶軟磁靶材，其中M為含有鉬及鉻之組合。
  4. 如請求項1所述之非晶軟磁靶材，其中M含有鈮及鉭之組合。
  5. 如請求項1至4中任一項所述之非晶軟磁靶材，其更包含鎳，以該非晶軟磁靶材之原子總數為基準，鎳的含量係大於或等於1原子百分比且小於或等於8原子百分比。
  6. 一種非晶軟磁材料，其包含鐵、鈷、矽、硼及M，M為選自於由鉬、鉭、鉻、鋯、鈮、鎢及其組合所組成之群組，以該非晶軟磁靶材之原子總數為基準，鐵的含量係大於或等於35原子百分比且小於或等於65原子百分比，鈷的含量係大於或等於15原子百分比且小於40原子百分比，矽的含量係大於或等於4原子百分比且小於或等於13 原子百分比，硼的含量係大於或等於10原子百分比且小於或等於14原子百分比，M的總含量係大於或等於1原子百分比且小於或等於6原子百分比。
  7. 如請求項6所述之非晶軟磁材料，其中鐵相對於鈷的含量係介於1：1至2.5：1之間。
  8. 如請求項6所述之非晶軟磁材料，其中M為含有鉬及鉻之組合。
  9. 如請求項6所述之非晶軟磁材料，其中M為含有鈮及鉭之組合。
  10. 如請求項6至9中任一項所述之非晶軟磁材料，其中以該非晶軟磁材料之原子總數為基準，M的總含量係大於或等於2原子百分比且小於或等於5原子百分比。
  11. 如請求項10所述之非晶軟磁材料，其更包含鎳，以該非晶軟磁材料之原子總數為基準，鎳的含量係大於或等於1原子百分比且小於或等於8原子百分比。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103380458A (zh) * 2011-02-16 2013-10-30 山阳特殊制钢株式会社 磁记录用软磁性合金、溅射靶材及磁记录介质
JP2013242962A (ja) * 2008-02-18 2013-12-05 Hitachi Metals Ltd 軟磁性膜形成用Ｆｅ−Ｃｏ系合金スパッタリングターゲット材
TW201402835A (zh) * 2012-02-03 2014-01-16 Sanyo Special Steel Co Ltd 用於磁性記錄媒體之具有低飽和磁通密度的軟磁性膜層用合金及濺鍍靶材
CN103781933A (zh) * 2011-08-17 2014-05-07 山阳特殊制钢株式会社 垂直磁记录介质中的软磁性薄膜层用合金和溅射靶材

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013242962A (ja) * 2008-02-18 2013-12-05 Hitachi Metals Ltd 軟磁性膜形成用Ｆｅ−Ｃｏ系合金スパッタリングターゲット材
CN103380458A (zh) * 2011-02-16 2013-10-30 山阳特殊制钢株式会社 磁记录用软磁性合金、溅射靶材及磁记录介质
CN103781933A (zh) * 2011-08-17 2014-05-07 山阳特殊制钢株式会社 垂直磁记录介质中的软磁性薄膜层用合金和溅射靶材
TW201402835A (zh) * 2012-02-03 2014-01-16 Sanyo Special Steel Co Ltd 用於磁性記錄媒體之具有低飽和磁通密度的軟磁性膜層用合金及濺鍍靶材

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