KR20060109817A - 코발트합금 매트릭스 조성물의 개선된 포뮬레이션 - Google Patents

코발트합금 매트릭스 조성물의 개선된 포뮬레이션 Download PDF

Info

Publication number
KR20060109817A
KR20060109817A KR1020060005499A KR20060005499A KR20060109817A KR 20060109817 A KR20060109817 A KR 20060109817A KR 1020060005499 A KR1020060005499 A KR 1020060005499A KR 20060005499 A KR20060005499 A KR 20060005499A KR 20060109817 A KR20060109817 A KR 20060109817A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
equation
represented
formula
powder
base metal
Prior art date
Application number
KR1020060005499A
Other languages
English (en)
Inventor
압델루아햅 지아니
Original Assignee
헤래우스 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 헤래우스 인코포레이티드 filed Critical 헤래우스 인코포레이티드
Publication of KR20060109817A publication Critical patent/KR20060109817A/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C32/00—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ
    • C22C32/001—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ with only oxides
    • C22C32/0015—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ with only oxides with only single oxides as main non-metallic constituents
    • C22C32/0026—Matrix based on Ni, Co, Cr or alloys thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C1/00—Making non-ferrous alloys
    • C22C1/04—Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C19/00—Alloys based on nickel or cobalt
    • C22C19/07—Alloys based on nickel or cobalt based on cobalt
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22F—CHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
    • C22F1/00—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
    • C22F1/10—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working of nickel or cobalt or alloys based thereon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2998/00—Supplementary information concerning processes or compositions relating to powder metallurgy
    • B22F2998/10—Processes characterised by the sequence of their steps
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2999/00—Aspects linked to processes or compositions used in powder metallurgy

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Removal Of Specific Substances (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Acyclic And Carbocyclic Compounds In Medicinal Compositions (AREA)

Abstract

Cof1-(MuOv)f2로 정의되며, M은 마그네슘(Mg), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 크롬(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 인듐(In), 란타늄(La), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta) 및 텅스텐(W)으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 하나의 베이스 금속이고, u와 v는 각각 산화물 공식당 베이스 금속 M과 산소(O)의 원자수를 나타내며, 그리고 f1과 f2는 식 f1+(u+v)f2=1로 표현되는 몰분율을 나타낸다. 상기 방법은 Co-M 마스터 합금 분말과 Cou'Ov' 분말을 대응하는 (CoaM1-a)f1'-(Cou'Ov')f2' 조성식으로 혼합하는 단계 및 상기 혼합된 분말을 치밀화하는 단계를 포함한다.
코발트, 포뮬레이션, 과립, 매체, 박막

Description

코발트합금 매트릭스 조성물의 개선된 포뮬레이션{ENHANCED FORMULATION OF COBALT ALLOY MATRIX COMPOSITIONS}
동일한 도면부호는 전체에 걸쳐 대응하는 부분을 나타내는 도면을 살펴본다.
도 1은 통상적인 박막 "적층체"를 나타낸다.
도 2 및 도 2a는 본 발명의 일실시예에 따른 단독-원소 매트릭스, 2원계 매트릭스, 3원계 매트릭스 또는 4원계 매트릭스 코발트(Co)-계 과립 매체 합금 조성물의 제조방법을 나타낸다.
도 3은 개선된 자기기록매체를 위한 박막 적층체를 예시하며, 자기 데이터저장층은 본 발명의 두번째 실시예에 따라 코발트-계 과립 매체 조성물을 포함하여 이루어진다.
도 4는 통합된 (Co89Ti11)82(CoO)18 복합재료의 대표적인 미세구조를 예시한다.
도 5는 통합된 (Co71.9Nb28.1)58.7(CoO)41.3 복합재료의 대표적인 미세구조를 예시한다.
도 6은 SiO2를 이용한 통합된 (Co74Cr10Pt16)92-(SiO2)8 과립 합금의 대표적인 미세구조를 예시한다.
도 7은 (CoSi2) 및 CoO를 이용한 통합된 (Co74Cr10Pt16)92-(SiO2)8 과립 합금의 대표적인 미세구조를 예시한다.
본 출원은 2005년 4월 18일에 "과립 매체 박막용 코발트합금 매트릭스 조성물 및 그 포뮬레이션 방법"으로 출원된 미국 가출원 번호 60/672,602호에 대한 우선권주장 출원이다.
본 발명은 일반적으로 코발트합금 제조에 관한 것으로, 특히, 스퍼터링 공정을 개선하고 그로 부터 얻어지는 박막으로부터 향상된 성능을 제공하기 위하여, 개선된 스퍼터링 특성과 주 합금원소들의 개선된 분포를 제공하는 코발트합금 매트릭스 조성물의 포뮬레이션에 관한 것이다.
DC 마그네트론 스퍼터링 공정은, 예컨대 반도체를 코팅하거나 및/또는 자기기록매체의 표면에 막을 형성하기 위하여, 기판상에 좁은 원자 분율 허용오차 내에서 정밀하게 제어된 두께의 박막재료 증착을 제공하기 위한 다양한 분야에서 널리 이용된다. 하나의 통상적인 형상으로서, 타겟의 뒷면에 자석들을 배치함으로써 레이스트렉-형태의 자기장이 상기 스퍼터 타겟에 부과된다. 전자들은 상기 스퍼터 타겟 근처에서 잡혀져서, 아르곤 이온 형성을 향상시키고 스퍼터링 속도를 증가시킨다. 이러한 플라즈마 내의 이온들은 상기 스퍼터 타겟의 표면에 충돌함으로써 그 스퍼터 타겟으로 하여금 그 표면으로부터 원자들을 방출하도록 한다. 음극 스퍼터 타겟과 코팅되어질 양극 기판 사이의 전위차는 상기 방출된 원자들이 상기 기판의 표면상에서 소망하는 막을 형성하도록 한다.
통상적인 자기기록매체의 제조중에는, 박막 층들이 다중 스퍼터 타겟에 의해 기판상으로 순차적으로 스퍼터되는데, 여기에서 각각의 스퍼터 타겟은 다른 재료를 포함하여 조성되어 있어, 박막 "적층체(stack)"의 증착을 가져온다. 도 1은 통상적인 자기기록매체를 위한 이러한 전형적인 하나의 박막 적층체를 예시한다. 그 적층체의 바닥에는 비-자성 기판(101)이 있으며, 이는 전형적으로 알루미늄 또는 글래스이다. 그 첫번째 증착층인 씨드층(102)은 상부층들의 형태 및 결정립 배향을 결정하며, 흔히 NiP 또는 NiAl을 포함하여 조성된다. 다음으로, 종종 FeCoB, CoNbZr, CoTaZr 또는 CoTaNb와 같은 합금을 포함하여 조성된, 연자성 하부층(SUL, 104)이 형성되어 읽기(read)/쓰기(write) 자기장을 위한 리턴 경로를 제공한다. SUL(104)은 비정질이며, 잠재적으로 신호-대-노이즈("SNR") 열화를 가져올 수 있는 자구 형성을 방지한다.
씨드층(105)은 상부층들의 배향된 성장을 증진시키기 위하여 SUL(104) 위에 형성된다. 씨드층(105)은 종종 루테늄(Ru)을 포함하여 조성되는데, 이는 루테늄(Ru)이 코발트(Co) HCP와 유사한 헥사고날-클로즈(close)-펙트(packed)["HCP"] 격자 파라미터를 제공하기 때문이다. 고-밀도 데이터 기록 적용을 위해서는, 자기-데이터 저장층(106)이 씨드층(105)상에 증착되며, 여기에서 데이터-저장층(106)은 강자성 합금매트릭스와 금속산화물을 포함하는 금속매트릭스 복합재이다. 전형적으로, 상기 강자성 합금매트릭스는 CoPt와 같은 2원계 매트릭스합금, CoCrPt와 같은 3원계 매트릭스합금, 또는 CoCrPtX와 같은 4원계 매트릭스합금[여기에서, X는 보론(B), 탄탈륨(Ta), 니오븀(Nb), 지르코늄(Zr), 구리(Cu), 은(Ag) 또는 금(Au)합금]이다. 비록 많은 다른 산화물들이 이용될 수 있지만, 가장 일반적인 금속산화물은 베이스 금속 실리콘(Si)과 티타늄(Ti)의 산소에 대한 강한 친화성 때문에 SiO2 또는 TiO2중 어느 하나이며, 이들 산화물들로부터 야기되는 유익한 데이터 저장성능이 관찰된다. 최종적으로, 탄소 윤활층(108)이 자기 데이터-저장층(106) 위에 형성된다.
자기기록매체에서 단위 면적당 저장될 수 있는 데이터의 양은 자기 데이터-저장층(106)의 결정립 크기 및 따라서 상기 데이터-저장층이 스퍼터되는 상기 스퍼터 타겟 재료 조성에 반비례하며, 여기에서, '결정립'은 상기 박막 합금중 대략 10 나노미터의 하나의 결정에 대응한다. 상기 결정립들의 물리적인 분리의 척도로서, 결정립계 편석은 또한 데이터 저장용량을 증가시키는데 기여하며, 여기에서 결정립 크기와 결정립계 편석은 상기 데이터 저장층이 스퍼터된 스퍼터 타겟의 미세구조의 특성과, 그리고 상기 씨드층의 구조적인 미세화의 정도에 의하여 직접적으로 영향을 받는다.
자기 데이터 저장 산업에 의해 요청되는 데이터 저장용량의 계속적인 성장을 뒷받침하기 위해서는, 연질 하부층(soft underlayer)과 함께 결합되어 수직하는 단일-폴 레코딩 헤드를 이용함에 따른 보다 높은 읽기 효율성(write efficiency) 때문에, 통상적인 "길이방향 자기 레코딩(LMR)"에 반대되는 "수직 자기 레코딩(PMR)"으로 알려진 기술이 가장 유망하고 효과적인 기술이다. PMR을 이용하면, 비트(bit) 들이 상기 자기기록매체의 면에 수직하게 기록되어, 보다 작은 비트 크기와 보다 큰 보자력을 가능하게 한다. 장래에는, PMR이 디스크 보자력을 증가시키고 디스크 신호 진폭을 강화할 것으로 기대되어, 우수한 기록 데이터 보유로 이어질 것이다.
산소(O)-함유 복합재 PMR 매체는 산소-부화 결정립계 영역을 발달시킴으로써 유익한 결정립계 편석을 제공할 수 있다. 초기 과립상 매체 개발 작업은 그 디바이스가 동작중 국부적인 과열을 경험할 때마다 열적 불안정성으로 초래되는 이방성 계수(Ku)의 열화를 억제함에 있어서 산소(O)의 중요한 효과를 인식하였다. 산소(O)-함유 매체는 또한 낮은 매체 노이즈와 높은 열적 안정성을 나타내며, 고밀도 PMR에 유용하다. 따라서 자기합금에서 산소(O)-함유 결정립계 영역은 결정립 정련제 및 결정립 성장 억제제로 작용하며, 결정립들의 효과적이고 물리적인 분리를 제공한다. 또한 이러한 물리적인 분리는 결정립-대-결정립 자기 커플링을 감소시키고, SNR 및 그 자화의 열적 안정성을 증가시킨다.
통상적인 자기기록매체에서는, 상기 자기 데이터-저장층(106)이 루테늄(Ru)-계 씨드층(105)의 상부에 증착되며, 여기에서 씨드층(105)의 목적은 상기 매체층에서 텍스쳐화된(textured) 성장을 낳는 것이다. 최대 200Gbits/in2에 달하는 높은 기록밀도가 나노-스케일 결정립들과 효과적인 결정립 분리(isolation)를 통하여 흔히 확보되며, 그 결정립내 자화의 열적 요동에 대한 강력한 저항을 가능하게 한다. 전형적으로, 이러한 모드의 결정입 구조에 있어서, (Co90Cr10)80Pt20-10SiO2(mol%)와 같 은 복합재 합금은 결정립 자기결정질 이방성 Ku 값이 7×106 erg.cm-3 정도로, 이러한 매체를 위한 높은 열적 안정성을 나타낸다.
따라서 상기 과립 매체 스퍼터링 재료에 대한 개선된 스퍼터링 성능을 확보하기 위하여, 보다 낮은 중량 분율의 강자성상과 상기 산화물 성분의 적절한 부피 분율을 갖는 코발트(Co)-계 합금 매트릭스 조성물을 제공함이 바람직하다. 특히, 스퍼터링 타겟에서 강자성상의 양을 최소화하기 위하여, 전체적으로 감소된 강자성상의 양을 갖는 산화물 함유 조성물의 제조방법을 제공함이 바람직하다. 이러한 점에서, 본 발명은 산소의 소스로서 상기 베이스 매트릭스 합금의 산화물에 의해 스퍼터링시 형성될 수도 있는 가장 반응성이 좋은 원소의 산화물 또는 산화물들을 대체하고, 그리고 상기 매트릭스 베이스 금속의 보다 더한 희석화를 확보하기 위하여 상기 매트릭스내에 직접적으로 어떠한 반응성의 원소들을 도입함으로써 이러한 그리고 다른 목적들을 달성한다.
본 발명은 일반적으로 코발트합금 제조에 관한 것으로, 특히, 스퍼터링 공정을 개선하고 그로부터 얻어지는 박막으로부터 향상된 성능을 제공하기 위하여, 개선된 스퍼터링 특성과 주 합금원소들의 개선된 분포를 제공하는 코발트합금 매트릭스 조성물의 포뮬레이션에 관한 것이다. 이러한 점에서, 본 발명은 포뮬레이션 전략과 그에 의해 제조되는 재료 또는 조성물을 포함하는 제조방법을 제시하며, 이는 개선된 스퍼터링 특성, 그리고 주 합금원소들의 유익한 분포를 갖는 스퍼터링 타겟의 생산을 위한 유용한 대안을 제공한다.
과립 매체 합금들은 코발트(Co) 또는 코발트-합금 매트릭스; 및 마그네슘(Mg), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 크롬(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 인듐(In), 란타늄(La), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta) 및/또는 텅스텐(W) 산화물들로 이루어진 그룹중 선택된 산화물 입자들을 포함하는 하나 이상의 산화물 입자들이 결합된 복합재료이다. 따라서 또 다른 포뮬레이션 접근, 그리고 여기에서 제시된 결과적으로 얻어지는 분말 원료재료는 넓은 범위의 코발트-계 과립 매체합금(granular media alloy)을 제조하는데 이용될 수 있다.
첫번째 견지에 따르면, 본 발명은 Cof1-(MuOv)f2로 정의되는 단독-원소 매트릭스 코발트-계 과립 매체 합금 조성물을 제조하는 방법이며, 여기에서 M은 마그네슘(Mg), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 크롬(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 인듐(In), 란타늄(La), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta) 및 텅스텐(W)으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 하나의 베이스 금속을 나타내고, u와 v는 각각 산화물 공식당 베이스 금속 M과 산소(O)의 원자수를 나타내며, 그리고 f1과 f2는 식 f1+(u+v)f2=1로 표현되는 몰분율을 나타낸다. 상기 방법은 Co-M 마스터 합금분말과 Cou'Ov'분말을 대응하는 (CoaM1-a)f1'-(Cou'Ov')f2' 조성식으로 혼합하는 단계와, 상기 혼합된 분말을 치밀화하는 단계를 포함한다. 이러한 견지에 따르면, f2'는 하기 수학식 1로 나타내어지고, f1'는 하기 수학식 2로 나타내어지며, 그리고 a는 하기 수학식 3으로 나타내어진다.
[수학식 1]
Figure 112006003785429-PAT00001
[수학식 2]
Figure 112006003785429-PAT00002
[수학식 3]
Figure 112006003785429-PAT00003
이러한 첫번째 견지에 따르면, 어떠한 Cou'Ov'산화물계 2원계 매트릭스 복합재는 만일 f1'(1-a)/(f2'·v')=u/v이면 MuOv산화물계 단독 원소 매트릭스 복합재와 화학적으로 동등하게 간주된다.
상기 방법은 상기 혼합된 분말을 볼밀링하는 단계를 추가로 포함한다. 또한, 상기 방법은 캔내에 상기 혼합된 분말을 넣고, 상기 캔으로부터 가스를 배출하며, 그리고 높은 온도 및 압력에 상기 캔을 적용하는 단계를 포함한다.
두번째 견지에 따라, 본 발명은 (CoaPt1-a)f1-(MuOv)f2로 정의되는 2원계 매트릭스 코발트-계 과립 매체 합금 조성물을 제조하는 방법이며, 여기에서 M은 마그네슘(Mg), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 크롬(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 인듐(In), 란타늄(La), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta) 및 텅스텐(W)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나의 베이스 금속을 나타내고, u 및 v는 각각 산화물 공식당 베이스 금속 M 및 산소(O)의 원자수를 나타내고, a는 원자분율을 나타내며, f1과 f2는 식 f1+(u+v)f2=1로 표현되는 몰분율을 나타낸다. 상기 방법은 Coa'Mb'Pt1-a'-b' 마스터 합금분말과 Cou'Ov'분말을 대응하는 (Coa'Mb'Pt1-a'-b')f1'-(Cou'Ov')f2' 조성식으로 혼합하는 단계와, 상기 혼합된 분말을 치밀화하는 단계를 포함한다. 이러한 견지에 따르면, f2'는 상기 수학식 1로 나타내어지고, f1'는 상기 수학식 2로 나타내어지며, 그리고 a' 및 b'는 하기 수학식 4 및 수학식 5로 나타내어진다.
[수학식 4]
Figure 112006003785429-PAT00004
[수학식 5]
Figure 112006003785429-PAT00005
이러한 두번째 견지에 따르면, 어떠한 Cou'Ov'산화물계 3원계 매트릭스 복합재는 만일 f1'·b'/(f2'·v')=u/v이면 MuOv산화물계 2원계 매트릭스 복합재와 화학적으로 동등하게 간주된다.
세번째 견지에 따라, 본 발명은 (CoaCrbPt1-a-b)f1-(MuOv)f2로 정의되는 3원계 매트릭스 코발트-계 과립 매체 합금 조성물을 제조하는 방법이며, 여기에서 M은 마그네슘(Mg), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 망간(Mn), 철(Fe), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 인듐(In), 란타늄(La), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta) 및 텅스텐(W)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나의 베이스 금속을 나타내고, u 및 v는 각각 산화물 공식당 베이스 금속 M 및 산소(O)의 원자수를 나타내며, a 및 b는 원자분율을 나타내고, f1과 f2는 식 f1+(u+v)f2=1로 표현되는 몰분율을 나타낸다. 상기 방법은 Coa'Crb'Ptc'Md' 마스터 합금분말과 Cou'Ov'분말을 대응하는 (Coa'Crb'Ptc'Md')f1'-(Cou'Ov')f2' 조성식으로 혼합하는 단계와, 상기 혼합된 분말을 치밀화하는 단계를 포함한다. 이러한 견지에 따르면, f2'는 상기 수학식 1로 나타내어지고, f1'는 상기 수 학식 2로 나타내어지며, a'는 상기 수학식 4로 나타내어지고, 그리고 b', c' 및 d'는 각각 하기 수학식 6 내지 수학식 8로 나타내어진다.
[수학식 6]
Figure 112006003785429-PAT00006
[수학식 7]
Figure 112006003785429-PAT00007
[수학식 8]
Figure 112006003785429-PAT00008
이러한 세번째 견지에 따르면, 어떠한 Cou'Ov'산화물계 4원계 매트릭스 복합재는 만일 f1'·d'/(f2'·v')=u/v이면 MuOv산화물계 3원계 매트릭스 복합재와 화학적으로 동등하게 간주된다.
네번째 견지에 따라, 본 발명은 (CoaCrbPt1-a-b)f1-(MuOv)f2로 정의되는 3원계 매트릭스 코발트-계 과립 매체 합금 조성물을 제조하는 방법이며, 여기에서 M은 마그 네슘(Mg), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 망간(Mn), 철(Fe), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 인듐(In), 란타늄(La), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta) 및 텅스텐(W)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나의 베이스 금속을 나타내고, u 및 v는 각각 산화물 공식당 베이스 금속 M 및 산소(O)의 원자수를 나타내며, a 및 b는 원자분율을 나타내고, f1과 f2는 식 f1+(u+v)f2=1로 표현되는 몰분율을 나타낸다. 상기 방법은 Coa''Crb''Ptc''Md'' 마스터 합금분말과 Cru''Ov''분말을 대응하는 (Coa''Crb''Ptc''Md'')f1''-(Cru''Ov'')f2'' 조성식으로 혼합하는 단계와, 상기 혼합된 분말을 치밀화하는 단계를 포함한다. 이러한 견지에 따르면, 상기 조건들은 하기 수학식 9로 나타내어진다.
[수학식 9]
f1ㆍb-v/v''ㆍu''ㆍf2≥0
또한 본 발명의 네번째 견지에 따라, f2''는 하기 수학식 10으로 나타내어지며, f1''는 하기 수학식 11로 나타내어지고, 그리고 a'', b'', c'' 및 d''는 각각 하기 수학식 12 내지 15로 나타내어진다.
[수학식 10]
Figure 112006003785429-PAT00009
[수학식 11]
Figure 112006003785429-PAT00010
[수학식 12]
Figure 112006003785429-PAT00011
[수학식 13]
Figure 112006003785429-PAT00012
[수학식 14]
Figure 112006003785429-PAT00013
[수학식 15]
Figure 112006003785429-PAT00014
이러한 네번째 견지에 따르면, 어떠한 Cru''Ov''산화물계 4원계 매트릭스 복합재는 만일 f1''·d''/(f2''·v'')=u/v이면 MuOv산화물계 3원계 매트릭스 복합재와 화학적으로 동등하게 간주된다.
다섯번째 견지에 따라, 본 발명은 (CoaCrbPtcM'd)f1-(MuOv)f2로 정의되는 4원계 매트릭스 코발트-계 과립 매체 합금 조성물을 제조하는 방법이며, 여기에서 M'는 보론(B), 탄탈륨(Ta), 니오븀(Nb), 지르코늄(Zr), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au) 및 루테늄(Ru)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나의 원소를 나타내고, M은 마그네슘(Mg), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 망간(Mn), 철(Fe), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 인듐(In), 란타늄(La), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta) 및 텅스텐(W)으로 이루어진 그룹으로부터 선택되며 M'와는 다른 하나의 베이스 금속을 나타내며, u 및 v는 각각 산화물 공식당 베이스 금속 M 및 산소(O)의 원자수를 나타내고, a 및 b는 원자분율을 나타내며, f1과 f2는 식 f1+(u+v)f2=1로 표현되는 몰분율을 나타내고, 그리고 d는 식 d=1-a-b-c로 나타내어진다. 상기 방법은 Coa'Crb'Ptc'M'd'Me' 마 스터 합금분말과 Cou'Ov'분말을 대응하는 (Coa'Crb'Ptc'M'd'Me')f1'-(Cou'Ov')f2' 조성식으로 혼합하는 단계와, 상기 혼합된 분말을 치밀화하는 단계를 포함한다. 이러한 견지에 따르면, f2'는 상기 수학식 1로 나타내어지며, f1'는 상기 수학식 2로 나타내어지고, a', b' 및 c'는 각각 상기 수학식 4, 수학식 6 및 수학식 7로 나타내어지며, d' 및 e'는 각각 하기 수학식 16 및 수학식 17로 나타내어진다.
[수학식 16]
Figure 112006003785429-PAT00015
[수학식 17]
Figure 112006003785429-PAT00016
이러한 다섯번째 견지에 따르면, 어떠한 Cou'Ov'산화물계 5원소 매트릭스 복합재는 만일 f1'·e'/(f2'·v')=u/v이면 MuOv산화물계 4원계 매트릭스 복합재와 화학적으로 동등하게 간주된다.
여섯번째 견지에 따라, 본 발명은 (CoaCrbPtcM'd)f1-(MuOv)f2로 정의되는 4원계 매트릭스 코발트-계 과립 매체 합금 조성물을 제조하는 방법이며, 여기에서 M'는 보론(B), 탄탈륨(Ta), 니오븀(Nb), 지르코늄(Zr), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au) 및 루테늄(Ru)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나의 원소를 나타내고, M은 마그네슘(Mg), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 망간(Mn), 철(Fe), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 인듐(In), 란타늄(La), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta) 및 텅스텐(W)으로 이루어진 그룹으로부터 선택되며 M'와는 다른 하나의 베이스 금속을 나타내며, u 및 v는 각각 산화물 공식당 베이스 금속 M 및 산소(O)의 원자수를 나타내고, a 및 b는 원자분율을 나타내며, f1과 f2는 식 f1+(u+v)f2=1로 표현되는 몰분율을 나타내고, 그리고 d는 식 d=1-a-b-c로 나타내어진다. 상기 방법은 Coa''Crb''Ptc''M'd''Me'' 마스터 합금분말과 Cou''Ov''분말을 대응하는 (Coa''Crb''Ptc''M'd''Me'')f1''-(Cru''Ov'')f2'' 조성식으로 혼합하는 단계를 포함한다. 이러한 견지에 따르면, 상기 수학식 9에 나타낸 조건들이 적용된다.
또한, 본 발명의 상기 여섯번째 견지에 따르면, f2''는 상기 수학식 10으로 나타내어지며, f1''는 상기 수학식 11로 나타내어지고, a'', b'' 및 c''는 각각 상기 수학식 12 내지 14로 나타내어진다. 추가적으로, d'' 및 e''는 하기 수학식 18 및 수학식 19로 나타내어진다.
[수학식 18]
Figure 112006003785429-PAT00017
[수학식 19]
Figure 112006003785429-PAT00018
이러한 여섯번째 견지에서, 어떠한 Cru''Ov''산화물계 4원소 매트릭스 복합재는 만일 f1''·e''/(f2''·v'')=u/v이면 MuOv산화물계 3원계 매트릭스 복합재와 화학적으로 동등하게 간주된다.
게다가, 본 발명의 일곱번째부터 열두번째까지의 견지들이 또한 추가로 고려되며, 여기에서 상기 일곱번째부터 열두번째까지의 견지들 각각은 상기 첫번째부터 여섯번째까지의 견지들에서 제시된 공정을 이용하여 제조된 단독-원소 매트릭스, 2원계 매트릭스, 3원계 매트릭스 또는 4원계 매트릭스 코발트계 과립 매체 합금 조성물이다.
다음의 바람직한 실시예의 상세한 설명에서, 그것의 일부를 형성하며, 본 발명이 실시될 수 있는 특정한 실시예를 예시함에 의하여 보여주는 첨부된 도면들이 참조된다. 다른 실시예들이 이용될 수 있으며, 본 발명의 범위를 벗어나지 않고 변경될 수 있는 것으로 이해될 수 있다.
본 발명은 포뮬레이션 전략 및 그로부터 얻어진 재료 또는 조성물을 포함하는 제조방법을 게시하며, 이는 개선된 스퍼터링 특성 및 주 합금 원소들의 유익한 분포를 갖는 스퍼터링 타겟의 제조를 위한 유용한 대안을 제공한다.
과립 매체 합금은 코발트(Co) 또는 코발트-합금 매트릭스와 하나 이상의 산화물 입자를 결합한 복합재료이며, 여기에서 상기 산화물 입자는 마그네슘(Mg), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 크롬(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 인듐(In), 란타늄(La), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta) 및/또는 텅스텐(W) 산화물중 선택된다. 따라서, 다른 포뮬레이션 접근 및 여기에 게시된 그 결과물인 분말화된 원재료가 넓은 범위의 코발트-계 과립 매체 합금을 제조하기 위하여 이용될 수 있다. 본 발명에 의하여 통합된 특정한 합금 패밀리는 아래에 설명된다:
단독 원소 매트릭스: Co-MuOv, 여기에서 상기 산화물을 위한 베이스 금속 M은 마그네슘(Mg), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 크롬(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 인듐(In), 란타늄(La), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta) 또는 텅스텐(W)이다.
2원계 매트릭스: Co-Pt-MuOv, 여기에서 상기 산화물을 위한 베이스 금속 M은 마그네슘(Mg), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 크롬(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 인듐(In), 란타늄(La), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta) 또는 텅스텐(W)이다.
3원계 매트릭스: Co-Cr-Pt-MuOv, 여기에서 상기 산화물을 위한 베이스 금속 M은 마그네슘(Mg), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 망간(Mn), 철(Fe), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 인듐(In), 란타늄(La), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta) 또는 텅스텐(W)이다.
4원계 매트릭스: Co-Cr-Pt-M'-MuOv, 여기에서 M'는 보론(B), 탄탈륨(Ta), 니오븀(Nb), 지르코늄(Zr), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au) 또는 루테늄(Ru)이고, 상기 베이스 금속 M은 마그네슘(Mg), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 망간(Mn), 철(Fe), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 인듐(In), 란타늄(La), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta) 및/또는 텅스텐(W)이며, 그리고 여기에서 M'≠M이다.
비록 본 발명은 하나에서 네개의 원소 매트릭스들의 실시예를 이용하여 위와 아래에서 설명되나, 본 발명의 다른 견지들은 이렇게 명시적으로 설명된 실시예들 에 제한되는 것은 아니다. 특히, 여기에 설명된 원리는 또한 4개의 원소들보다 많은 코발트(Co) 합금 매트릭스 복합재에 적용된다.
몇몇 가장 바람직한 코발트(Co) 합금 조성물은 Co-Pt-SiO2(또는 -TiO2), Co-Cr-Pt-SiO2(또는 -TiO2) 및 몇몇 예에서 미리 결정된 몰분율내의 2개의 산화물 또는 다른 산화물들의 조합을 포함한다. 비록 순수 원소 분말이 이러한 과립 매체 합금을 위한 하나의 제조기술로 이용되기는 하지만, 실용적 그리고 비용적으로 고려하여 코발트(Co)는 항상 화학적 균일성 및 PTF 조절을 위한 Co-Cr 또는 Co-Cr-B 미리-합금화된 분말로 결합되어 왔다. 미리-합금화된 산화물계 분말 복합재의 제조를 위한 대안이 부족하기 때문에, 상기 산화물 구성성분들은 순수 분말로 결합된다. 또한, 백금(Pt)은 상기 재료가 고가이기 때문에 투입재료의 보다 향상된 조절을 제공하기 위하여, 순수 분말로 백-브랜드(back-blended)된다.
주어진 과립 매체 재료의 경우, 많은 가능한 합금 포뮬레이션이 가능하다. Co-MuOv 과립 합금의 단순한 실시예에서, 2개의 다른 결합 포뮬레이션이 이용될 수 있다. 하나의 예로, 2개의 분말 구성성분, ⅰ) 상기 코발트(Co) 분말 및 ⅱ) 상기 MuOv 산화물 분말이 결합되어 Cof1-(MuOv)f2 타겟조성을 이루며, 여기에서 f1 및 f2(그리고 f1' 및 f2')는 식 f1+(u+v)f2=1로 표현되는 몰분율이다. 다른 경우에 있어서, 동일한 조성이 Co-M 마스터 합금계 매트릭스 및 Cou'Ov' 산화물 분말을 대응하는 (CoaM1-a)f1'-(Cou'Ov')f2' 조성식으로 혼합하여 제조되며, 여기에서 f1' 및 f2'는 수학 식 1 및 수학식 2로 표현된다. 산소(O) 소스로 선택된 어떠한 Cou'Ov' 산화물 원재료의 경우, 상기 Co-M 마스터 합금계 매트릭스의 조성 및 상대적인 몰분율이 아래에 보다 상세하게 설명된 것처럼 계산될 수 있다.
도 2 및 도 2a는 본 발명의 첫번째 실시예에 따라 단독-원소 매트릭스, 2원계 매트릭스, 3원계 매트릭스 또는 4원계 매트릭스 코발트(Co)-계 과립 매체 합금 조성물의 제조방법을 나타낸다. 간단하게, 상기 방법은 코발트-계 과립 매체 합금 조성물의 제조에 관한 것이며, 코발트(Co) 또는 크롬(Cr)-계 산화물과 코발트(Co)-계 마스터 합금 분말을 특정한 조성식으로 혼합하는 단계와 상기 혼합된 분말을 치밀화하는 단계를 포함한다.
보다 상세하게, 상기 공정은 개시되며(단계 S201), 그리고 코발트(Co) 또는 코발트(Co)-계 마스터 합금 분말이 코발트(Co) 또는 크롬(Cr)-계 산화물 분말과 혼합된다(단계 S202).
하나의 특정한 견지는 Cof1-(MuOv)f2로 정의되는 단독-원소 매트릭스 코발트-계 과립 매체 합금 조성물의 제조에 관한 것이며, 여기에서 M은 마그네슘(Mg), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 크롬(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 인듐(In), 란타늄(La), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta) 및 텅스텐(W)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나의 베이스 금속이고, u 및 v는 각각 산화물 공식당 베이스 금속 M 및 산소(O)의 원자수를 나타내며, 그리고 f1 및 f2는 식 f1+(u+v)f2=1로 표현되는 몰분율이다. 이러한 특정한 견지에 있어서, 단계 S202에서 Co-M 마스터 합금 분말과 Cou'Ov' 분말이 대응하는 (CoaM1-a)f1'-(Cou'Ov')f2' 조성식으로 혼합되며, 여기에서 f2'는 하기 수학식 1로 나타내어지고, f1'는 하기 수학식 2로 나타내어지며, 그리고 a는 하기 수학식 3으로 나타내어진다.
[수학식 1]
Figure 112006003785429-PAT00019
[수학식 2]
Figure 112006003785429-PAT00020
[수학식 3]
Figure 112006003785429-PAT00021
여기에 언급된 모든 조성식에서 개선된 합금 포뮬레이션을 위한 원자 및 몰분율의 유도를 도모하기 위하여, 1의 베이스 원자분율이 각각의 합금 조성식에 부과되었다. 예를 들어, 전체 몰분율의 합이 1.48인 (Co0.71Cr0.13Pt0.16)0.92-(Nb2O5)0.08과 같은 합금 조성식이 편의를 위해 전체 몰분율이 1인 (Co0.71Cr0.13Pt0.16)0.622- (Nb2O5)0.0541 조성식으로 동등하게 감소될 수 있다.
또한, 이러한 첫번째 견지에서, 어떠한 Cou'Ov' 산화물계 2원계 매트릭스 복합재는 만약 f1'(1-a)/(f2'ㆍv')=u/v라면 MuOv 산화물계 단독 원소 매트릭스 복합재와 화학적으로 동등한 것으로 간주된다.
추가적인 견지는 (CoaPt1-a)f1-(MuOv)f2로 정의되는 2원계 매트릭스 코발트-계 과립 매체 합금 조성물의 제조에 관한 것이며, 여기에서 M은 마그네슘(Mg), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 크롬(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 인듐(In), 란타늄(La), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta) 및 텅스텐(W)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나의 베이스 금속을 나타내고, u 및 v는 각각 산화물 공식당 베이스 금속 M 및 산소(O)의 원자수를 나타내며, a는 원자분율을 나타내고, f1 및 f2는 식 f1+(u+v)f2=1로 표현되는 몰분율을 나타낸다. 이러한 특정한 견지에 따라, 단계 S202에서 Coa'Mb'Pt1-a'-b' 마스터 합금 분말과 Cou'Ov' 분말이 대응하는 (Coa'Mb'Pt1-a'-b')f1'-(Cou'Ov')f2' 조성식으로 혼합되며, 여기에서 f2'는 상기 수학식 1로 나타내어지고, f1'는 상기 수학식 2로 나타내어지며, 그리고 a' 및 b'는 각각 하기 수학식 4 및 수학식 5로 나타내어진다.
[수학식 4]
Figure 112006003785429-PAT00022
[수학식 5]
Figure 112006003785429-PAT00023
이러한 견지에 따라, 어떠한 Cou'Ov' 산화물계 3원계 매트릭스 복합재는 만약 f1'ㆍb'/(f2'ㆍv')=u/v이면 MuOv 산화물계 2원계 매트릭스 복합재와 화학적으로 동등한 것으로 간주된다.
또 다른 견지는 (CoaCrbPt1-a-b)f1-(MuOv)f2로 정의되는 3원계 매트릭스 코발트-계 과립 매체 합금 조성물의 제조방법에 관한 것이며, 여기에서 M은 마그네슘(Mg), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 망간(Mn), 철(Fe), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 인듐(In), 란타늄(La), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta) 및 텅스텐(W)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나의 베이스 금속이고, u 및 v는 각각 산화물 공식당 베이스 금속 M 및 산소(O)의 원자수를 나타내며, a 및 b는 원자 분율을 나타내고, f1 및 f2는 식 f1+(u+v)f2=1로 표현되는 몰분율을 나타낸다. 이러한 특정한 견지에 따라, 단계 S202에서 Coa'Crb'Ptc'Md' 마스터 합금 분말과 Cou'Ov' 분말이 대응하는 (Coa'Crb'Ptc'Md')f1'-(Cou'Ov')f2' 조성식으로 혼합되며, 여기에서 f2'는 상기 수학식 1로 나타내어지고, f1'는 상기 수학식 2로 나타내어지며, a'는 상기 수학식 4로 나타내어지고, 그리고 b', c' 및 d'는 각각 하기 수학식 6 내지 수학식 8로 나타내어진다.
[수학식 6]
Figure 112006003785429-PAT00024
[수학식 7]
Figure 112006003785429-PAT00025
[수학식 8]
Figure 112006003785429-PAT00026
이러한 견지에 따라, 어떠한 Cou'Ov' 산화물계 4원계 매트릭스 복합재는 만약 f1'ㆍd'/(f2'ㆍv')=u/v이면 MuOv 산화물계 3원계 매트릭스 복합재와 화학적으로 동등한 것으로 간주된다.
또한, 본 발명의 또 다른 견지는 (CoaCrbPt1-a-b)f1-(MuOv)f2로 정의되는 3원계 매트릭스 코발트-계 과립 매체 합금 조성물의 제조방법에 관한 것이며, 여기에서 M은 마그네슘(Mg), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 망간(Mn), 철(Fe), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 인듐(In), 란타늄(La), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta) 및 텅스텐(W)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나의 베이스 금속이고, u 및 v는 각각 산화물 공식당 베이스 금속 M 및 산소(O)의 원자수를 나타내며, a 및 b는 원자 분율을 나타내고, f1 및 f2는 식 f1+(u+v)f2=1로 표현되는 몰분율을 나타낸다. 이러한 특정한 견지에 따라, 단계 S202에서 Coa''Crb''Ptc''Md'' 마스터 합금 분말과 Cru''Ov'' 분말이 대응하는 (Coa''Crb''Ptc''Md'')f1''-(Cru''Ov'')f2'' 조성식으로 혼합되며, 여기에서 하기 수학식 9로 표현되는 조건들이 적용된다.
[수학식 9]
f1ㆍb-v/v''ㆍu''ㆍf2≥0
이러한 특정한 견지에 따라, f2''는 하기 수학식 10으로 나타내어지며, f1''는 하기 수학식 11로 나타내어지고, 그리고 a'', b'', c'' 및 d''는 각각 하기 수학식 12 내지 수학식 15로 나타내어진다.
[수학식 10]
Figure 112006003785429-PAT00027
[수학식 11]
Figure 112006003785429-PAT00028
[수학식 12]
Figure 112006003785429-PAT00029
[수학식 13]
Figure 112006003785429-PAT00030
[수학식 14]
Figure 112006003785429-PAT00031
[수학식 15]
Figure 112006003785429-PAT00032
이러한 견지에 따라, 어떠한 Cru''Ov'' 산화물계 4원계 매트릭스 복합재는 만약 f1''ㆍd''/(f2''ㆍv'')=u/v이면 MuOv 산화물계 3원계 매트릭스 복합재와 화학적으로 동등한 것으로 간주된다.
또 다른 견지는 (CoaCrbPtcM'd)f1-(MuOv)f2로 정의되는 4원계 매트릭스 코발트-계 과립 매체 합금 조성물의 제조방법에 관한 것이며, 여기에서 M'는 보론(B), 탄탈륨(Ta), 니오븀(Nb), 지르코늄(Zr), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au) 및 루테늄(Ru)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나의 원소를 나타내고, M은 마그네슘(Mg), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 망간(Mn), 철(Fe), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 인듐(In), 란타늄(La), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta) 및 텅스텐(W)으로 이루어진 그룹으로부터 선택되며 M'와는 다른 하나의 베이스 금속을 나타내고, u 및 v는 각각 산화물 공식당 베이스 금속 M 및 산소(O)의 원자수를 나타내며, a 및 b는 원자 분율을 나타내고, f1 및 f2는 식 f1+(u+v)f2=1로 표현되는 몰분율을 나타내고, 그리고 d는 식 d=1-a-b-c로 나타내어진다. 이러한 특정한 견지에 따라, 단계 S202에서 Coa'Crb'Ptc'M'd'Me' 마스터 합금 분말과 Cou'Ov' 분말이 대응하는 (Coa'Crb'Ptc'M'd'Me')f1'-(Cou'Ov')f2' 조성식으로 혼합된다. 이러한 견지에서, f2'는 상기 수학식 1로 나타내어지고, f1'는 상기 수학식 2로 나타내어지며, a', b' 및 c'는 각각 상기 수학식 4, 수학식 6 및 수학식 7로 나타내어지고, 그리고 d' 및 e'는 각각 하기 수학식 16 및 수학식 17로 나타내어진다.
[수학식 16]
Figure 112006003785429-PAT00033
[수학식 17]
Figure 112006003785429-PAT00034
이러한 견지에 따라, 어떠한 Cou'Ov' 산화물계 5원소 매트릭스 복합재는 만약 f1'ㆍe'/(f2'ㆍv')=u/v이면 MuOv 산화물계 4원계 매트릭스 복합재와 화학적으로 동등한 것으로 간주된다.
또한, 본 발명의 또 다른 견지는 (CoaCrbPtcM'd)f1-(MuOv)f2로 정의되는 4원계 매트릭스 코발트-계 과립 매체 합금 조성물의 제조방법에 관한 것이며, 여기에서 M'는 보론(B), 탄탈륨(Ta), 니오븀(Nb), 지르코늄(Zr), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au) 및 루테늄(Ru)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나의 원소를 나타내고, M은 마그네슘(Mg), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 망간(Mn), 철(Fe), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 인듐(In), 란타늄(La), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta) 및 텅스텐(W)으로 이루어진 그룹으로부터 선택되며 M'와는 다른 하나의 베이스 금속을 나타내고, u 및 v는 각각 산화물 공식당 베이스 금속 M 및 산소(O)의 원자수를 나타내며, a 및 b는 원자 분율을 나타내고, f1 및 f2는 식 f1+(u+v)f2=1로 표현되는 몰분율을 나타내고, 그리고 d는 식 d=1-a-b-c로 나타내어진다. 이러한 특정한 견지에 따라, 단계 S202에서 Coa''Crb''Ptc''M'd''Me'' 마스터 합금 분말과 Cru''Ov'' 분말이 대응하는 (Coa''Crb''Ptc''M'd''Me'')f1''-(Cru''Ov'')f2'' 조성식으로 혼합된다. 이러한 견지에 따라, 상기 수학식 9로 표현된 조건들이 적용된다.
이러한 견지에 따라, f2''는 상기 수학식 10으로 나타내어지고, f1''는 상기 수학식 11로 나타내어지며, a'', b'' 및 c''는 각각 상기 수학식 12 내지 수학식 14로 나타내어진다. 또한, d'' 및 e''는 하기 수학식 18 및 수학식 19로 나타내어진다.
[수학식 18]
Figure 112006003785429-PAT00035
[수학식 19]
Figure 112006003785429-PAT00036
이러한 여섯번째 견지에 있어서, 어떠한 Cru''Ov'' 산화물계 4원계 매트릭스 복합재는 만약 f1''ㆍe''/(f2''ㆍv'')=u/v이면 MuOv 산화물계 3원계 매트릭스 복합재와 화학적으로 동등한 것으로 간주된다.
상기 혼합된 분말이 볼밀링(ball milled)된다(단계 S204). 다른 관점에 따라, 상기 혼합된 분말은 다른 기술을 이용하여 밀링(milled)되며, 또는 전혀 밀링되지 않는다. 볼밀링 기술은 분말야금 기술분야에서 통상적인 지식을 가진 자에게 잘 알려져 있다.
상기 혼합된 분말은 치밀화되고(단계 S205), 상기 공정이 마무리된다(단계 S206). 도 2a에 보다 상세하게 보여지는 것처럼, 상기 치밀화 단계(단계 S205)는 캔내에 상기 혼합된 분말을 투입하는 단계(단계 S205a), 상기 캔으로부터 가스를 배출하는 단계(단계 S205b) 및 상기 캔을 높은 온도 및 압력에 적용하는 단계(단계 S205c)를 포함한다. 단계 S205a에서 S205c에 설명된 상기 분말 치밀화 공정은 분말야금 기술분야에서 통상적인 지식을 가진 자에게 잘 알려져 있다.
상술한 개선된 제조방법의 실질적인 실시예를 지금부터 살펴보면, Co90-(SiO2)10과 같은 과립 매체 합금은 (Co0.875Si0.125)80(CoO)20 복합재와 같이 포뮬레이트될 수 있다. 이러한 포뮬레이션은 스퍼터링을 위한 바람직한 PTF를 얻기 위하여 CoO 및 Co-Si 마스트 합금으로 코발트(Co)의 도입을 허용한다. 유사하게, (CoaCrbPt1-a-b)f1-(MuOv)f2 (M≠Co, Cr) 과립 합금은 또한 코발트(Co)-산화물 함유 복합재 (Coa'Crb'Mc'Ptd')f1'-(Cou'Ov')f2' 또는 크롬(Cr)-산화물 함유 복합재 (Coa''Crb''Mc''Ptd'')f1''-(Cru''Ov'')f2''로 변환될 수 있다. 2가지 포뮬레이션은 상기 스퍼터링이 바람직한 특성을 갖도록 하는데 유용하며, 상기 타겟 PTF를 개선하고 입자 발생을 감소하는 2가지 목적을 달성한다.
비록 타겟 포뮬레이션에 의하여 상기 과립 매체 합금의 공칭 조성이 다양한 접근의 이용 및 상기 이용가능한 원재료의 이용을 달성할 수 있기는 하지만, 본 발명은 상기 원재료의 적절한 선택을 통하여 상기 타겟 미세구조에서 그 결과로 얻어지는 상의 개선된 분포 및 조성을 위한 적합한 제조방법을 제공한다. 특히, SiO2 또는 TiO2 결정립계 편석을 갖는 과립 매체의 증착을 위한 코발트(Co) 합금계 매트릭스-산화물 복합재 스퍼터링 재료는 상기 강자성 코발트 합금 매트릭스의 최종 중량 분율이 감소되는 것과 같이 포뮬레이트된다.
또한, 타겟 PTF는 주로 사용되며, 이는 주어진 두께의 강자성 재료 타겟을 통과하는 자속선(magnetic flux lines) 양을 측정하는 것이고, 이는 상기 재료의 투자율에 반비례한다. 또한, 다중-부재 재료의 투자율은 상기 강자성 부재의 중량분율에 직접적으로 비례한다. 따라서, 상기 타겟의 PTF 및 상기 스퍼터링 수율은 상기 강자성 상의 중량분율을 최소화함에 의하여 또한 개선된다.
또한, 주어진 과립 매체 공칭 조성 및 산소(O)함량의 경우, 상기 산화물은 그것의 결과물의 부피분율이 상기 타겟 부피에 걸쳐서 상기 산화물 입자의 유익한 분포를 보증할만큼 충분하게 크도록 선택된다. 동시에, 실리콘(Si) 또는 티타늄(Ti) 이외의 다른 합금 원소들의 산화물을 선택하는 것은 뒤이은 원소를 상기 강자성 매트릭스로 직접 도입하는 가능성을 제공하며, 이는 상기 베이스 코발트(Co) 매트릭스의 추가적인 희석을 통하여 상기 PTF를 증가시키는 또 다른 수단이다.
대조적으로, 스퍼터링동안 상기 타겟 재료의 원자 및 분자가 해리되며, 상기 베이스 강자성 재료의 균일한 결정립 막을 얻기 위하여 이후에 상기 디스크상에 재-결합되고 증착되는 플라즈마화된 프리 원자가 제공된다. 상기 강자성 재료내 산소(O)의 고체상태 고용도(solubility)는 매우 제한적이며, 결과적으로, 상기 산소(O)의 대부분은 상기 결정립계로 이동하는 것은 상기 산소(O)가 상기 매체 합금의 가장 반응성이 있는 원소들의 산화물 또는 산화물들을 형성하는 것이었고, 이는 많은 경우에 본질적으로 SiO2 또는 TiO2이다.
(Co71Cr13Pt16)90-(SiO2)10 과립 합금의 경우에 있어서, 이러한 솔루션(solution)은 실질적으로 동일한 공칭 조성을 제공하는 상기 합금의 2개의 다른 포뮬레이션을 통하여 예시된다. 첫번째 포뮬레이션은 각각의 원소들 코발트(Co), 크롬(Cr), 백금(Pt) 및/또는 SiO2 분말이 혼합될 수 있는 이러한 원소들의 마스터 합금의 다중-부재 분말 혼합물의 준비를 제안한다. 또 다른 관점에서, CoO와 같은 코발트 산화물은 산소를 위한 원재료 소스로 선택될 수 있으며, 동시에 실리콘이 직접 첨가되거나 또는 동등한 (Co54.88Cr14.62Si12.50Pt18.00)80-(CoO)20 합금 조성식의 4번째 원소로 마스터 합금을 통하여 첨가될 수 있다.
만약 상기 다른 산화물의 밀도가 SiO2 또는 TiO2의 밀도 미만이라면, 또는 대부분의 경우에서 적어도 유지된다면, 상기 산화물 상의 분산(dispersion)을 측정한 산화물의 부피분율은 증가될 수 있다. 상기 미세구조 구성상에 상기 다른 포뮬레이션의 이론적인 영향이 하기 표 1에 상세하게 주어진다. 코발트(Co)의 0.5488의 원자분율로의 추가적인 희석을 제외하고, 크지 않은 산화물 부피분율 감소에서 상기 다른 표뮬레이션은 상기 매트릭스의 중량분율의 감소를 초래한다.
미세구조상의 상구성 및 이론적 분율
합금 조성식 매트릭스의 중량% 산화물의 부피%
(Co71Cr13Pt16)90-(SiO2)10 92.30 28.85
(Co54.88Cr14.62Si12.50Pt18.00)80-(CoO)20 80.75 27.05
도 3은 개선된 자기기록매체를 위한 박막 적층체를 예시하며, 여기에서 상기 자기 데이터 저장층은 본 발명의 두번째 실시예에 따라 코발트-계 과립 매체 합금 조성물을 포함하여 이루어진다. 상기에서 언급한 바와 같이, 박막층은 다수의 스퍼터 타겟들에 의하여 기판상으로 순차적으로 증착되며, 여기에서 각각의 스퍼터 타겟은 다른 재료 또는 조성을 포함하여 이루어진다.
상기 개선된 박막 적층체의 베이스에는 시드층(102) 아래에 비-자성 기판(101)이 있으며, 이는 보다 상부층의 결정립 구조의 형태 및 오리엔테이션을 결정한다. 이후 SUL(104)이 읽기/쓰기 자기장을 위한 리턴 경로를 제공하기 위하여 증착되며, 여기에서 SUL(104)은 자구 형성 및 SNR 저하를 방지하기 위하여 비정질이다.
시드층(105)은 보다 상부층의 배향된 성장을 증진시키기 위하여 SUL(104)상에 형성된다. 자기 데이터-저장층(306)은 시드층(105)상에 증착되며, 여기에서 데이터-저장층(306)은 강자성 합금 매트릭스 및 금속 산화물로 구성된 금속 매트릭스 복합재이다. 데이터-저장 자기층으로 상기 조성물을 증착하기 위하여, 상기 코발트-계 과립 매체 합금 조성물은 상술한 제조방법중 어느 것에 의하여 제조되며, 통상적인 기술을 이용하여 스퍼터 타겟으로 형성되고, 그리고 기판상으로 스퍼터된다. 최종적으로, 탄소 윤활층(108)이 자기 데이터-저장층(306)상에 형성된다.
일곱번째에서 열두번째의 견지에 따라, 본 발명은 상술한 제조방법중 어느 것을 이용하여 제조된 코발트-계 과립 매체 합금 조성물이다. 또한, 설명된 상기 합금 조성물들 또는 이러한 조성물들을 제조하기 위하여 이용된 제조방법들은 간결함을 위하여 생략된다.
우리는 지금부터 연구실 조건하에서 상술한 제조방법을 이용하여 제조된 실질적인 조성물들의 3가지 에를 살펴본다. Co91(TiO2)9 과립 합금과 같은 합금이 코발트-산화물-함유 복합재 (Co89Ti11)82(CoO)18로 포뮬레이트되었다. 상기 분말 혼합물은 99.9%의 순수 코발트(Co) 분말, 99.5% 순수 CoO 및 Co-50Ti(원자%) 분말로 구성된다. 상부 혼합물 중량% 조성을 하기 표 2에 나타낸다.
Co91(TiO2)9 과립 합금용 혼합 조성물
분말 재료 메쉬 크기 중량%
Co -100 62.0175
CoO -325 22.1705
Co-50Ti -325 15.8120
상기 분말은 혼합물 구성의 가시적인(optical) 혼합 및 상기 산화물 입자의 완전한 분산을 보증하기 위하여, 16시간의 볼밀링 사이클이 적용되었다. 통합되기 이전에, 상기 분말은 캡슐화되었고, HIP 캔으로 로딩되기 전에 450℃에서 10-3torr의 분압으로 배출되었다. 상기 통합은 1236℃, 29.5ksi(kilopounds per square inch)의 캔압력하에서 3시간동안 수행되었다. 상기와 같이 완전하게 통합된 제품의 대표적인 미세구조가 도 4에 예시된다.
Co91(Nb2O5)9 과립 합금의 포뮬레이션 및 준비에 관한 두번째 실시예를 살펴보면, 상기 첫번째 실시예와 유사한 접근방법이 취해졌다. Co91(Nb2O5)9 과립 합금이 99.9% 순수 코발트(Co)와 99.5% 순수 CoO와 Co-43.2원자% 분말을 혼합함에 의하여 마련되었다. 동등한 (Co71 .9Nb28 .1)58.7(CoO)41.3 복합재를 위한 혼합물 조성을 하기 표 3에 나타낸다.
Co91(Nb2O5)9 과립 합금을 위한 혼합물 조성
분말 재료 메쉬 크기 중량%
Co -100 16.97
CoO -325 43.48
Co-43.2Nb -325 39.55
상기 분말 혼합물은 상기 혼합물 구성의 가시적인 혼합 및 상기 산화물 입자의 완전한 분산을 보증하기 위하여, 16시간의 볼밀링 사이클이 적용되었다. 통합되기 이전에, 상기 분말은 캡슐화되었고, HIP 캔으로 로딩되기 전에 450℃에서 10-3torr의 분압으로 배출되었다. 상기 통합은 1236℃, 29.5ksi(kilopounds per square inch)의 캔압력하에서 3시간동안 수행되었다. 상기와 같이 완전하게 통합된 제품의 대표적인 미세구조가 도 5에 예시된다.
도 6은 SiO2를 이용한 통합된 (Co74Cr10Pt16)92-(SiO2)8 과립 합금의 대표적인 미세구조를 예시하며, 도 7은 (CoSi2) 및 CoO를 이용한 통합된 (Co74Cr10Pt16)92-(SiO2)8 과립 합금의 대표적인 미세구조를 예시한다. 보다 상세하게, 도 6에 예시된 첫번째 접근방법에 따라, (Co74Cr10Pt16)92-(SiO2)8 합금이 동등한 공칭 조성인 Co76.08Cr9.20Pt14.72-(SiO2)8 원자%를 첫번째로 계산함에 의하여 제조된다. 상기 혼합물은 29.53중량%의 100-메쉬 코발트(Co) 분말, 27.73중량%의 100-메쉬 Co-24.22Cr 분말, 6.13중량%의 5㎛ 미만의 SiO2 분말 및 36.61중량%의 백금(Pt) 분말을 이용한다.
도 7에 묘사된 두번째 개선된 접근방법에 따라, (Co74Cr10Pt16)92-(SiO2)8 합금이 16.97중량%의 코발트(Co) 분말, 5.49중량%의 CoSi2 분말, 14.52중량%의 CoO 분말, 26.4중량%의 Co-24.22Cr 분말 및 36.62중량%의 백금(Pt) 분말을 혼합함에 의하여 제조된다. 도 7에 나타난 것처럼, 이러한 개선된 접근방법을 이용하면 많은 양의 코발트(Co) 함량을 낮출 수 있음을 알 수 있다.
지금부터 Co91(Nb2O5)9 과립 합금의 포뮬레이션 및 준비와 관련된 두번째 실시예를 살펴보며, 첫번째 실시예에서와 유사한 접근방법이 취해졌다. Co91(Nb2O5)9 과립 합금이 99.9% 순수 코발트(Co) 및 99.5% 순수 CoO 및 Co-43.2원자% 분말을 혼합함에 의하여 마련되었다. 동등한 (Co71.9Nb28.1)58.7(CoO)41.3 복합재를 위한 혼합물 조성을 표 3에 나타낸다.
또한, 산소(O)가 요구되는 합금은 단독 산화물 조성식에 의하여 수행된 이론적인 함량보다 높기 때문에, 본 발명은 하나 이상의 산화물이 요구되는 상황을 고려한다. 예를 들면, 상기 합금 조성이 X(Co-Pt-Cr)-Y(Si)-3Y(O)로 요구된다면, SiO2는 1:2의 비만을 제공하여 1:3의 필요한 Si:O 비를 만족할 수는 없기 때문에, 이러한 합금은 SiO2 단독으로 이용하여 제조될 수는 없다. 그러므로, 추가적인 코발트(Co) 또는 크롬(Cr) 산화물은 이러한 상황에서 상기 산소(O) 함량을 증가시켜서 이용될 것이다.
본 발명은 특정한 예시적인 실시예들을 이용하여 설명되었다. 본 발명은 상술한 실시예들에 제한되는 것은 아니며, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양한 변화 및 변경이 당업계에서 통상적인 지식을 가진 자에 의하여 행해질 수 있는 것으로 이해될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면 개선된 스퍼터링 특성 및 주 합금 원소들의 개선된 분포를 제공하는 코발트 합금 매트릭스 조성물을 제공할 수 있다.

Claims (14)

  1. Co-M 마스터 합금 분말과 Cou'Ov' 분말을 대응하는 (CoaM1-a)f1'-(Cou'Ov')f2' 조성식으로 혼합하는 단계; 및
    상기 혼합된 분말을 치밀화하는 단계;를 포함하여 이루어지며,
    상기 f2'는 다음 수학식 1에 의하여 나타내어지고,
    [수학식 1]
    Figure 112006003785429-PAT00037
    상기 f1'는 다음 수학식 2에 의하여 나타내어지며,
    [수학식 2]
    Figure 112006003785429-PAT00038
    상기 a는 다음 수학식 3에 의하여 나타내어지고,
    [수학식 3]
    Figure 112006003785429-PAT00039
    Cof1-(MuOv)f2로 정의되며, M은 마그네슘(Mg), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 크롬(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 인듐(In), 란타늄(La), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta) 및 텅스텐(W)으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 하나의 베이스 금속을 나타내고, u와 v는 각각 산화물 공식당 베이스 금속 M과 산소(O)의 원자수를 나타내며, 그리고 f1과 f2는 식 f1+(u+v)f2=1로 표현되는 몰분율을 나타내는 단독-원소 매트릭스 코발트-계 과립 매체 합금 조성물의 제조방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 혼합된 분말을 볼밀링하는 단계를 추가로 포함하는 방법.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 치밀화하는 단계는,
    상기 혼합된 분말을 캔내에 투입하는 단계;
    상기 캔으로부터 가스를 배출하는 단계; 및
    상기 캔을 높은 온도 및 압력에 적용하는 단계;를 추가로 포함함을 특징으로 하는 방법.
  4. Coa'Mb'Pt1-a'-b' 마스터 합금 분말과 Cou'Ov' 분말을 대응하는 (Coa'Mb'Pt1-a'-b')f1'- (Cou'Ov')f2' 조성식으로 혼합하는 단계; 및
    상기 혼합된 분말을 치밀화하는 단계를 포함하여 이루어지며,
    상기 f2'는 다음 수학식 1에 의하여 나타내어지고,
    [수학식 1]
    Figure 112006003785429-PAT00040
    상기 f1'는 다음 수학식 수학식 2에 의하여 나타내어지며,
    [수학식 2]
    Figure 112006003785429-PAT00041
    상기 a' 및 b'는 다음 수학식 4 및 수학식 5에 의하여 나타내어지고,
    [수학식 4]
    Figure 112006003785429-PAT00042
    [수학식 5]
    Figure 112006003785429-PAT00043
    (CoaPt1-a)f1-(MuOv)f2로 정의되며, M은 마그네슘(Mg), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 크롬(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 인듐(In), 란타늄(La), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta) 및 텅스텐(W)으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 하나의 베이스 금속을 나타내고, u와 v는 각각 산화물 공식당 베이스 금속 M과 산소(O)의 원자수를 나타내며, a는 원자분율을 나타내고, 그리고 f1과 f2는 식 f1+(u+v)f2=1로 표현되는 몰분율을 나타내는 2원계 매트릭스 코발트-계 과립 매체 합금 조성물의 제조방법.
  5. Coa'Crb'Ptc'Md' 마스터 합금 분말과 Cou'Ov' 분말을 대응하는 (Coa'Crb'Ptc'Md')f1'-(Cou'Ov')f2' 조성식으로 혼합하는 단계; 및
    상기 혼합된 분말을 치밀화하는 단계를 포함하여 이루어지며,
    상기 f2'는 다음 수학식 1에 의하여 나타내어지고,
    [수학식 1]
    Figure 112006003785429-PAT00044
    상기 f1'는 다음 수학식 2에 의하여 나타내어지며,
    [수학식 2]
    Figure 112006003785429-PAT00045
    상기 a', b', c' 및 d'는 다음 수학식 4, 수학식 6, 수학식 7 및 수학식 8에 의하여 나타내어지고,
    [수학식 4]
    Figure 112006003785429-PAT00046
    [수학식 6]
    Figure 112006003785429-PAT00047
    [수학식 7]
    Figure 112006003785429-PAT00048
    [수학식 8]
    Figure 112006003785429-PAT00049
    (CoaCrbPt1-a-b)f1-(MuOv)f2로 정의되며, M은 마그네슘(Mg), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 망간(Mn), 철(Fe), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 인듐(In), 란타늄(La), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta) 및 텅스텐(W)으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 하나의 베이스 금속을 나타내고, u와 v는 각각 산화물 공식당 베이스 금속 M과 산소(O)의 원자수를 나타내며, a 및 b는 원자분율을 나타내고, 그리고 f1과 f2는 식 f1+(u+v)f2=1로 표현되는 몰분율을 나타내는 3원계 매트릭스 코발트-계 과립 매체 합금 조성물의 제조방법.
  6. Coa''Crb''Ptc''Md'' 마스터 합금 분말과 Cru''Ov''분말을 대응하는 (Coa''Crb''Ptc''Md'')f1''-(Cru''Ov'')f2'' 조성식으로 혼합하는 단계; 및
    상기 혼합된 분말을 치밀화하는 단계를 포함하여 이루어지며,
    다음 수학식 9를 만족하고,
    [수학식 9]
    f1ㆍb-v/v''ㆍu''ㆍf2≥0
    상기 f2''는 다음 수학식 10에 의하여 나타내어지며,
    [수학식 10]
    Figure 112006003785429-PAT00050
    상기 f1''는 다음 수학식 11에 의하여 나타내어지고,
    [수학식 11]
    Figure 112006003785429-PAT00051
    상기 a'', b'', c'' 및 d''는 다음 수학식 12, 수학식 13, 수학식 14 및 수학식 15로 나타내어지며,
    [수학식 12]
    Figure 112006003785429-PAT00052
    [수학식 13]
    Figure 112006003785429-PAT00053
    [수학식 14]
    Figure 112006003785429-PAT00054
    [수학식 15]
    Figure 112006003785429-PAT00055
    (CoaCrbPt1-a-b)f1-(MuOv)f2로 정의되며, M은 마그네슘(Mg), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 망간(Mn), 철(Fe), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 인듐(In), 란타늄(La), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta) 및 텅스텐(W)으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 하나의 베이스 금속을 나타내고, u와 v는 각각 산화물 공식당 베이스 금속 M과 산소(O)의 원자수를 나타내며, a 및 b는 원자분율을 나타내고, 그리고 f1 과 f2는 식 f1+(u+v)f2=1로 표현되는 몰분율을 나타내는 3원계 매트릭스 코발트-계 과립 매체 합금 조성물의 제조방법.
  7. Coa'Crb'Ptc'M'd'Me' 마스터 합금 분말과 Cou'Ov' 분말을 대응하는 (Coa'Crb'Ptc'M'd'Me')f1'-(Cou'Ov')f2' 조성식으로 혼합하는 단계; 및
    상기 혼합된 분말을 치밀화하는 단계를 포함하여 이루어지며,
    상기 f2'는 다음 수학식 1에 의하여 나타내어지고,
    [수학식 1]
    Figure 112006003785429-PAT00056
    상기 f1'는 다음 수학식 2에 의하여 나타내어지며,
    [수학식 2]
    Figure 112006003785429-PAT00057
    상기 a', b', c', d' 및 e'는 다음 수학식 4, 수학식 6, 수학식 7, 수학식 16 및 수학식 17로 나타내어지고,
    [수학식 4]
    Figure 112006003785429-PAT00058
    [수학식 6]
    Figure 112006003785429-PAT00059
    [수학식 7]
    Figure 112006003785429-PAT00060
    [수학식 16]
    Figure 112006003785429-PAT00061
    [수학식 17]
    Figure 112006003785429-PAT00062
    (CoaCrbPtcM'd)f1-(MuOv)f2로 정의되며, M'는 보론(B), 탄탈륨(Ta), 니오븀(Nb), 지르코늄(Zr), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au) 및 루테늄(Ru)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나의 원소를 나타내고, M은 마그네슘(Mg), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 망간(Mn), 철(Fe), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 인듐(In), 란타늄(La), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta) 및 텅스텐(W)으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되고 M'와 다른 하나의 베이스 금속을 나타내며, u와 v는 각각 산화물 공식당 베이스 금속 M과 산소(O)의 원자수를 나타내고, a 및 b는 원자분율을 나타내며, 그리고 f1과 f2는 식 f1+(u+v)f2=1로 표현되는 몰분율을 나타내며, 그리고 d는 식 d=1-a-b-c로 나타내어지는 4원계 매트릭스 코발트-계 과립 매체 합금 조성물의 제조방법.
  8. Coa''Crb''Ptc''M'd''Me'' 마스터 합금 분말과 Cru''Ov'' 분말을 대응하는 (Coa''Crb''Ptc''M'd''Me'')f1''-(Cru''Ov'')f2'' 조성식으로 혼합하는 단계; 및
    상기 혼합된 분말을 치밀화하는 단계를 포함하여 이루어지며,
    다음 수학식 9를 만족하고,
    [수학식 9]
    f1ㆍb-v/v''ㆍu''ㆍf2≥0
    상기 f2''는 다음 수학식 10에 의하여 나타내어지며,
    [수학식 10]
    Figure 112006003785429-PAT00063
    상기 f1''는 다음 수학식 11에 의하여 나타내어지고,
    [수학식 11]
    Figure 112006003785429-PAT00064
    상기 a'', b'', c'', d'' 및 e''는 다음 수학식 12, 수학식 13, 수학식 14, 수학식 18 및 수학식 19로 나타내어지고,
    [수학식 12]
    Figure 112006003785429-PAT00065
    [수학식 13]
    Figure 112006003785429-PAT00066
    [수학식 14]
    Figure 112006003785429-PAT00067
    [수학식 18]
    Figure 112006003785429-PAT00068
    [수학식 19]
    Figure 112006003785429-PAT00069
    (CoaCrbPtcM'd)f1-(MuOv)f2로 정의되며, M'는 보론(B), 탄탈륨(Ta), 니오븀 (Nb), 지르코늄(Zr), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au) 및 루테늄(Ru)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나의 원소를 나타내고, M은 마그네슘(Mg), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 망간(Mn), 철(Fe), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 인듐(In), 란타늄(La), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta) 및 텅스텐(W)으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되고 M'와 다른 하나의 베이스 금속을 나타내며, u와 v는 각각 산화물 공식당 베이스 금속 M과 산소(O)의 원자수를 나타내고, a 및 b는 원자분율을 나타내며, 그리고 f1과 f2는 식 f1+(u+v)f2=1로 표현되는 몰분율을 나타내며, 그리고 d는 식 d=1-a-b-c로 나타내어지는 4원계 매트릭스 코발트-계 과립 매체 합금 조성물의 제조방법.
  9. Co-M 마스터 합금 분말과 Cou'Ov' 분말을 대응하는 (CoaM1-a)f1'-(Cou'Ov')f2' 조성식으로 혼합하는 단계; 및
    상기 혼합된 분말을 치밀화하는 단계를 이용하여 제조되며,
    상기 f2'는 다음 수학식 1로 나타내어지고,
    [수학식 1]
    Figure 112006003785429-PAT00070
    상기 f1'는 다음 수학식 2로 나타내어지며,
    [수학식 2]
    Figure 112006003785429-PAT00071
    상기 a는 다음 수학식 3으로 나타내어지고,
    [수학식 3]
    Figure 112006003785429-PAT00072
    Cof1-(MuOv)f2로 정의되며, M은 마그네슘(Mg), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 크롬(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 인듐(In), 란타늄(La), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta) 및 텅스텐(W)으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 하나의 베이스 금속을 나타내고, u와 v는 각각 산화물 공식당 베이스 금속 M과 산소(O)의 원자수를 나타내며, 그리고 f1과 f2는 식 f1+(u+v)f2=1로 표현되는 몰분율을 나타내는 단독-원소 매트릭스 코발트-계 과립 매체 합금 조성물.
  10. Coa'Mb'Pt1-a'-b' 마스터 합금 분말과 Cou'Ov' 분말을 대응하는 (Coa'Mb'Pt1-a'-b')f1'-(Cou'Ov')f2' 조성식으로 혼합하는 단계; 및
    상기 혼합된 분말을 치밀화하는 단계를 이용하여 제조되며,
    상기 f2'는 다음 수학식 1에 의하여 나타내어지고,
    [수학식 1]
    Figure 112006003785429-PAT00073
    상기 f1'는 다음 수학식 수학식 2에 의하여 나타내어지며,
    [수학식 2]
    Figure 112006003785429-PAT00074
    상기 a' 및 b'는 다음 수학식 4 및 수학식 5에 의하여 나타내어지고,
    [수학식 4]
    Figure 112006003785429-PAT00075
    [수학식 5]
    Figure 112006003785429-PAT00076
    (CoaPt1-a)f1-(MuOv)f2로 정의되며, M은 마그네슘(Mg), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 크롬(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 인듐(In), 란타늄(La), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta) 및 텅스텐(W)으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 하나의 베이스 금속을 나타내고, u와 v는 각각 산화물 공식당 베이스 금속 M과 산소(O)의 원자수를 나타내며, a는 원자분율을 나타내고, 그리고 f1과 f2는 식 f1+(u+v)f2=1로 표현되는 몰분율을 나타내는 2원계 매트릭스 코발트-계 과립 매체 합금 조성물.
  11. Coa'Crb'Ptc'Md' 마스터 합금 분말과 Cou'Ov' 분말을 대응하는 (Coa'Crb'Ptc'Md')f1'-(Cou'Ov')f2' 조성식으로 혼합하는 단계; 및
    상기 혼합된 분말을 치밀화하는 단계를 이용하여 제조되며,
    상기 f2'는 다음 수학식 1에 의하여 나타내어지고,
    [수학식 1]
    Figure 112006003785429-PAT00077
    상기 f1'는 다음 수학식 2에 의하여 나타내어지며,
    [수학식 2]
    Figure 112006003785429-PAT00078
    상기 a', b', c' 및 d'는 다음 수학식 4, 수학식 6, 수학식 7 및 수학식 8에 의하여 나타내어지고,
    [수학식 4]
    Figure 112006003785429-PAT00079
    [수학식 6]
    Figure 112006003785429-PAT00080
    [수학식 7]
    Figure 112006003785429-PAT00081
    [수학식 8]
    Figure 112006003785429-PAT00082
    (CoaCrbPt1-a-b)f1-(MuOv)f2로 정의되며, M은 마그네슘(Mg), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 망간(Mn), 철(Fe), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 인듐(In), 란타늄(La), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta) 및 텅스텐(W)으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 하나의 베이스 금속을 나타내고, u와 v는 각각 산화물 공식당 베이스 금속 M과 산소(O)의 원자수를 나타내며, a 및 b는 원자분율을 나타내고, 그리고 f1과 f2는 식 f1+(u+v)f2=1로 표현되는 몰분율을 나타내는 3원계 매트릭스 코발트-계 과립 매체 합금 조성물.
  12. Coa''Crb''Ptc''Md'' 마스터 합금 분말과 Cru''Ov''분말을 대응하는 (Coa''Crb''Ptc''Md'')f1''-(Cru''Ov'')f2'' 조성식으로 혼합하는 단계; 및
    상기 혼합된 분말을 치밀화하는 단계를 이용하여 제조되며,
    다음 수학식 9를 만족하고,
    [수학식 9]
    f1ㆍb-v/v''ㆍu''ㆍf2≥0
    상기 f2''는 다음 수학식 10에 의하여 나타내어지며,
    [수학식 10]
    Figure 112006003785429-PAT00083
    상기 f1''는 다음 수학식 11에 의하여 나타내어지고,
    [수학식 11]
    Figure 112006003785429-PAT00084
    상기 a'', b'', c'' 및 d''는 다음 수학식 12, 수학식 13, 수학식 14 및 수학식 15로 나타내어지며,
    [수학식 12]
    Figure 112006003785429-PAT00085
    [수학식 13]
    Figure 112006003785429-PAT00086
    [수학식 14]
    Figure 112006003785429-PAT00087
    [수학식 15]
    Figure 112006003785429-PAT00088
    (CoaCrbPt1-a-b)f1-(MuOv)f2로 정의되며, M은 마그네슘(Mg), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 망간(Mn), 철(Fe), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 인듐(In), 란타늄(La), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta) 및 텅스텐(W)으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 하나의 베이스 금속을 나타내고, u와 v는 각각 산화물 공식당 베이스 금속 M과 산소(O)의 원자수를 나타내며, a 및 b는 원자분율을 나타내고, 그리고 f1 과 f2는 식 f1+(u+v)f2=1로 표현되는 몰분율을 나타내는 3원계 매트릭스 코발트-계 과립 매체 합금 조성물.
  13. Coa'Crb'Ptc'M'd'Me' 마스터 합금 분말과 Cou'Ov' 분말을 대응하는 (Coa'Crb'Ptc'M'd'Me')f1'-(Cou'Ov')f2' 조성식으로 혼합하는 단계; 및
    상기 혼합된 분말을 치밀화하는 단계를 이용하여 제조되며,
    상기 f2'는 다음 수학식 1에 의하여 나타내어지고,
    [수학식 1]
    Figure 112006003785429-PAT00089
    상기 f1'는 다음 수학식 2에 의하여 나타내어지며,
    [수학식 2]
    Figure 112006003785429-PAT00090
    상기 a', b', c', d' 및 e'는 다음 수학식 4, 수학식 6, 수학식 7, 수학식 16 및 수학식 17로 나타내어지고,
    [수학식 4]
    Figure 112006003785429-PAT00091
    [수학식 6]
    Figure 112006003785429-PAT00092
    [수학식 7]
    Figure 112006003785429-PAT00093
    [수학식 16]
    Figure 112006003785429-PAT00094
    [수학식 17]
    Figure 112006003785429-PAT00095
    (CoaCrbPtcM'd)f1-(MuOv)f2로 정의되며, M'는 보론(B), 탄탈륨(Ta), 니오븀(Nb), 지르코늄(Zr), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au) 및 루테늄(Ru)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나의 원소를 나타내고, M은 마그네슘(Mg), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 망간(Mn), 철(Fe), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 인듐(In), 란타늄(La), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta) 및 텅스텐(W)으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되고 M'와 다른 하나의 베이스 금속을 나타내며, u와 v는 각각 산화물 공식당 베이스 금속 M과 산소(O)의 원자수를 나타내고, a 및 b는 원자분율을 나타내며, 그리고 f1과 f2는 식 f1+(u+v)f2=1로 표현되는 몰분율을 나타내며, 그리고 d는 식 d=1-a-b-c로 나타내어지는 4원계 매트릭스 코발트-계 과립 매체 합금 조성물.
  14. Coa''Crb''Ptc''M'd''Me'' 마스터 합금 분말과 Cru''Ov'' 분말을 대응하는 (Coa''Crb''Ptc''M'd''Me'')f1''-(Cru''Ov'')f2'' 조성식으로 혼합하는 단계; 및
    상기 혼합된 분말을 치밀화하는 단계를 이용하여 제조되며,
    다음 수학식 9를 만족하고,
    [수학식 9]
    f1ㆍb-v/v''ㆍu''ㆍf2≥0
    상기 f2''는 다음 수학식 10에 의하여 나타내어지며,
    [수학식 10]
    Figure 112006003785429-PAT00096
    상기 f1''는 다음 수학식 11에 의하여 나타내어지고,
    [수학식 11]
    Figure 112006003785429-PAT00097
    상기 a'', b'', c'', d'' 및 e''는 다음 수학식 12, 수학식 13, 수학식 14, 수학식 18 및 수학식 19로 나타내어지고,
    [수학식 12]
    Figure 112006003785429-PAT00098
    [수학식 13]
    Figure 112006003785429-PAT00099
    [수학식 14]
    Figure 112006003785429-PAT00100
    [수학식 18]
    Figure 112006003785429-PAT00101
    [수학식 19]
    Figure 112006003785429-PAT00102
    (CoaCrbPtcM'd)f1-(MuOv)f2로 정의되며, M'는 보론(B), 탄탈륨(Ta), 니오븀 (Nb), 지르코늄(Zr), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au) 및 루테늄(Ru)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나의 원소를 나타내고, M은 마그네슘(Mg), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 망간(Mn), 철(Fe), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 인듐(In), 란타늄(La), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta) 및 텅스텐(W)으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되고 M'와 다른 하나의 베이스 금속을 나타내며, u와 v는 각각 산화물 공식당 베이스 금속 M과 산소(O)의 원자수를 나타내고, a 및 b는 원자분율을 나타내며, 그리고 f1과 f2는 식 f1+(u+v)f2=1로 표현되는 몰분율을 나타내며, 그리고 d는 식 d=1-a-b-c로 나타내어지는 4원계 매트릭스 코발트-계 과립 매체 합금 조성물.
KR1020060005499A 2005-04-18 2006-01-18 코발트합금 매트릭스 조성물의 개선된 포뮬레이션 KR20060109817A (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US67260205P 2005-04-18 2005-04-18
US60/672,602 2005-04-18
US11/237,938 US7494617B2 (en) 2005-04-18 2005-09-29 Enhanced formulation of cobalt alloy matrix compositions
US11/237,938 2005-09-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20060109817A true KR20060109817A (ko) 2006-10-23

Family

ID=36648294

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060005499A KR20060109817A (ko) 2005-04-18 2006-01-18 코발트합금 매트릭스 조성물의 개선된 포뮬레이션

Country Status (9)

Country Link
US (2) US7494617B2 (ko)
EP (1) EP1715069B1 (ko)
JP (1) JP2006299401A (ko)
KR (1) KR20060109817A (ko)
AT (1) ATE417942T1 (ko)
DE (1) DE602005011760D1 (ko)
HK (1) HK1091235A1 (ko)
SG (1) SG126813A1 (ko)
TW (1) TW200637922A (ko)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070189916A1 (en) * 2002-07-23 2007-08-16 Heraeus Incorporated Sputtering targets and methods for fabricating sputtering targets having multiple materials
JP4580817B2 (ja) * 2005-05-27 2010-11-17 株式会社東芝 垂直磁気記録媒体及び垂直磁気記録再生装置
JPWO2008053960A1 (ja) 2006-11-02 2010-02-25 メルシャン株式会社 セラミド合成促進剤、化粧料、皮膚外用剤、老化防止方法およびしわ改善方法
CN100441345C (zh) * 2007-01-04 2008-12-10 北京科技大学 一种制备钨和铝掺杂二硅化钼粉末的方法
US7879470B2 (en) * 2007-11-15 2011-02-01 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Apparatus, system, and method for the selection of perpendicular media segregant materials
JP5250838B2 (ja) 2009-01-27 2013-07-31 昭和電工株式会社 磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録媒体、並びに磁気記録再生装置
JP2011021254A (ja) * 2009-07-16 2011-02-03 Solar Applied Materials Technology Corp ホウ素を含むスパッタリングターゲットの製造方法、薄膜及び磁気記録媒体
MY148731A (en) * 2009-08-06 2013-05-31 Jx Nippon Mining & Metals Corp Inorganic-particle-dispersed sputtering target
JP5654121B2 (ja) 2012-02-23 2015-01-14 Jx日鉱日石金属株式会社 クロム酸化物を含有する強磁性材スパッタリングターゲット
CN104278202B (zh) * 2014-05-24 2016-08-24 宁国市南方耐磨材料有限公司 一种涂层耐磨球
US9042053B1 (en) 2014-06-24 2015-05-26 WD Media, LLC Thermally stabilized perpendicular magnetic recording medium
CN104174851B (zh) * 2014-08-12 2016-05-18 贵研铂业股份有限公司 一种Co-Cr-Pt-SiO2靶材的制备方法
TWI671418B (zh) * 2017-09-21 2019-09-11 日商Ｊｘ金屬股份有限公司 濺鍍靶、積層膜之製造方法、積層膜及磁記錄媒體
TWI679291B (zh) * 2017-09-21 2019-12-11 日商Ｊｘ金屬股份有限公司 濺鍍靶、積層膜之製造方法、積層膜及磁記錄媒體
CN112126806B (zh) * 2020-09-15 2021-07-09 承德天大钒业有限责任公司 一种铝钼铬铁硅中间合金的制备方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5765923A (en) * 1992-06-05 1998-06-16 Sunburst Excavation, Inc. Cartridge for generating high-pressure gases in a drill hole
JPH0620250A (ja) 1992-06-30 1994-01-28 Sony Corp 垂直磁気記録媒体及びその製造方法
US5763923A (en) * 1996-08-13 1998-06-09 Micron Technology, Inc. Compound PVD target material for semiconductor metallization
US6268024B1 (en) 1998-03-26 2001-07-31 Toda Kogyo Corporation Process for producing magnetic recording medium
US6797137B2 (en) * 2001-04-11 2004-09-28 Heraeus, Inc. Mechanically alloyed precious metal magnetic sputtering targets fabricated using rapidly solidfied alloy powders and elemental Pt metal
SG115476A1 (en) * 2001-05-23 2005-10-28 Showa Denko Kk Magnetic recording medium, method of manufacturing therefor and magnetic replay apparatus
JP2003228815A (ja) 2002-01-31 2003-08-15 Toshiba Corp 垂直磁気記録媒体、及びそれを用いた磁気記録再生装置
JP2003346317A (ja) 2002-05-23 2003-12-05 Fuji Photo Film Co Ltd 垂直磁気記録媒体
US20030228238A1 (en) * 2002-06-07 2003-12-11 Wenjun Zhang High-PTF sputtering targets and method of manufacturing
US6759005B2 (en) * 2002-07-23 2004-07-06 Heraeus, Inc. Fabrication of B/C/N/O/Si doped sputtering targets
US7354630B2 (en) * 2003-11-06 2008-04-08 Seagate Technology Llc Use of oxygen-containing gases in fabrication of granular perpendicular magnetic recording media
JP2005276367A (ja) * 2004-03-25 2005-10-06 Toshiba Corp 垂直磁気記録媒体及び磁気記録再生装置
US20050277002A1 (en) 2004-06-15 2005-12-15 Heraeus, Inc. Enhanced sputter target alloy compositions

Also Published As

Publication number Publication date
EP1715069B1 (en) 2008-12-17
JP2006299401A (ja) 2006-11-02
US7494617B2 (en) 2009-02-24
EP1715069A1 (en) 2006-10-25
US20090120237A1 (en) 2009-05-14
DE602005011760D1 (de) 2009-01-29
US20060233658A1 (en) 2006-10-19
ATE417942T1 (de) 2009-01-15
HK1091235A1 (en) 2007-01-12
TW200637922A (en) 2006-11-01
SG126813A1 (en) 2006-11-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1715069B1 (en) Enhanced formulation of cobalt alloy matrix compositions
KR20080052134A (ko) 수직 자기 기록용 스퍼터 타겟으로서 산화물을 포함하거나포함하지 않는 Ｎｉ-Ｘ, Ｎｉ-Ｙ, 및 Ｎｉ-Ｘ-Ｙ 합금
EP1783748A1 (en) Deposition of enhanced seed layer using tantalum alloy based sputter target
US10971181B2 (en) Sputtering target for magnetic recording media
US20140360871A1 (en) Fe-Pt-Ag-C-Based Sputtering Target Having C Grains Dispersed Therein, and Method for Producing Same
US20110129692A1 (en) Magnetic alloy materials with hcp stabilized microstructure, magnetic recording media comprising same, and fabrication method therefor
JP2023144067A (ja) スパッタリングターゲット、グラニュラ膜および垂直磁気記録媒体
JP2007164941A (ja) 垂直磁気記録媒体
US20120114975A1 (en) Sputtering Targets And Recording Materials Of Hard Disk Formed From The Sputtering Target
TWI812869B (zh) 磁性記錄媒體用濺鍍靶
US20080166255A1 (en) High density, low oxygen re and re-based consolidated powder materials for use as deposition sources & methods of making same
TWI679291B (zh) 濺鍍靶、積層膜之製造方法、積層膜及磁記錄媒體
US20050249981A1 (en) Grain structure for magnetic recording media
WO2020031460A1 (ja) スパッタリングターゲット、磁性膜および垂直磁気記録媒体
JP4993296B2 (ja) 垂直磁気記録媒体
US20120114976A1 (en) Sputtering targets and recording materials of the magnetic recording medium formed from the same
TWI671418B (zh) 濺鍍靶、積層膜之製造方法、積層膜及磁記錄媒體
WO2024053176A1 (ja) スパッタリングターゲット、積層膜の製造方法、積層膜、及び磁気記録媒体
JP3880000B2 (ja) 高飽和磁束密度軟磁性材料
TW202117042A (zh) 鐵鈷基合金靶材及其製造方法
CZ2005777A3 (cs) Zlepšená formulace kompozic pro matrice kobaltový slitin
KR20070017571A (ko) 스퍼터 타겟 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application