JPH0620250A - 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 短波長域、長波長域においてともに良好な電
磁変換特性を確保しつつ、耐久性の向上を図る。 【構成】 非磁性支持体上に真空蒸着法によりＣｏ−Ｏ
系垂直磁化膜よりなる磁性層を形成する際に、蒸発源８
６からの蒸気流の非磁性支持体Ｂの法線方向に対する蒸
着開始時入射角θ₁ を７０°以上とし、且つ蒸着終了時
入射角θ₂ を０〜１５°の範囲内とする。上記Ｃｏ−Ｏ
系垂直磁化膜としては、（Ｃｏ_1-x Ｎｉ_x）_1-m Ｏ
_m （ただし、０．０３≦ｘ≦０．１０、０．１≦ｍ≦
０．３）なる組成を有するものが好ましい。また、この
磁性層の膜厚は、２５０ｎｍ以上であることが望まし
い。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えばディジタルＶＴ
Ｒ等として用いて好適な垂直磁気記録媒体及びその製造
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】磁気記録の分野においては、年々高密度
化が要求されており、加えて信号形態もアナログ信号か
らディジタル信号に代わりつつあり、高密度化と共に信
号形態に合わせた媒体設計が必要となっている。これま
で、磁気記録の方式は、面内に磁化容易軸を持った磁気
記録媒体を用いる，いわゆる面内磁気記録方式が主であ
ったが、この方式では記録密度を上げれば上げるほど磁
気記録媒体の磁化方向が互いに反発し合うように並ぶた
め、高密度化には自ずと限度があり、要求されるような
高密度化を図ることは困難である。

【０００３】さらに、面内磁気記録方式では、磁化反転
が２回繰り返すパターンにおいて、それぞれの磁化反転
の間隔が詰まってくるほど（高密度化するほど）互いの
磁化反発及び波形干渉によるピークシフトが生じ、エラ
ーレートが悪化する等の欠点がある。

【０００４】そこで近年、磁気記録の新しい方式とし
て、膜面に対して垂直方向に磁化容易軸を有する磁気記
録媒体を用いる，いわゆる垂直磁気記録方式が開発さ
れ、その実用化に期待が持たれている。この垂直磁気記
録方式では、面内磁気記録方式に比べて減磁作用が極め
て少なく却って磁区が安定するという特徴を有し、かか
る方式を採用することで記録密度を飛躍的に増大するこ
とが可能となる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、この垂直磁
気記録方式に用いられる磁気記録媒体としては、主に真
空蒸着法によって成膜されるＣｏ−Ｏ系合金薄膜等を磁
性層とするＣｏ−Ｏ系垂直磁気記録媒体が用いられてい
る。このＣｏ−Ｏ系垂直磁気記録媒体においては、Ｃｏ
の柱状粒子が酸化膜で覆われたかたちで膜面に対して垂
直方向に配列するとともに、この方向に磁化容易軸であ
るＣ軸が配向するために、良好な垂直記録特性が得られ
る。

【０００６】しかしながら、このような垂直磁気記録媒
体は、短波長域における記録再生特性は優れているもの
の、長波長域では十分な出力を得ることができないとい
う問題を有している。このため、この垂直磁気記録媒体
を例えば垂直磁気記録方式によるディジタル信号の記録
再生を行う際に使用することを考えた場合、このディジ
タル信号の記録再生時には例えばコントロール信号等が
長波長で記録される可能性があるために、十分に対応で
きなくなる虞れがある。

【０００７】一方、この種の垂直磁気記録媒体では、従
来の所謂蒸着テープ等に比べて蒸着直後のカッピング量
が大きく、良好な磁気ヘッドとの当たり特性を確保する
ためには、磁性層形成工程後に熱処理を行うことが必要
とされている。この熱処理を行うに際しては、通常、熱
処理温度を高くすることによって上記磁性層のカッピン
グを大幅に取り除こうとする傾向がある。ところが、熱
処理温度が高すぎると、テープ表面に面荒れが生じる等
の悪影響があり、その温度設定は慎重に行うことが望ま
れる。

【０００８】また、このような熱処理後、ベースフィル
ムが急激に冷却されることが原因で、テープにシワが発
生したり、磁性層の歪みが残存したりするといった現象
も現れている。このような現象は、耐久性の劣化を招
き、良好な記録再生を行う上で問題となる。

【０００９】そこで本発明は、かかる従来の実情に鑑み
て提案されたものであって、短波長域における記録再生
特性を確保しつつ、長波長域においても良好な再生出力
特性を得ることが可能であり、且つ耐久性に優れた垂直
磁気記録媒体及びその製造方法を提供することを目的と
する。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、上述の目
的を達成せんものと鋭意検討を重ねた結果、磁性層とさ
れるＣｏ−Ｏ系合金薄膜の最小の磁気的単位はＣｏの微
結晶であって、各Ｃｏ粒子の磁化容易軸であるＣ軸は、
概ね成膜時における蒸気流の入射方向に配向し、この蒸
気流の蒸着開始時入射角と蒸着終了時入射角とを個々に
制御することにより、優れた特性が得られることを見出
し、本発明を完成するに至った。

【００１１】即ち、本発明の垂直磁気記録媒体は、非磁
性支持体上にＣｏ−Ｏ系垂直磁化膜よりなる磁性層を有
する垂直磁気記録媒体において、前記Ｃｏ−Ｏ系垂直磁
化膜の蒸着時における蒸発源からの蒸気流の入射角が蒸
着開始時に７０°以上とされ、且つ蒸着終了時に０〜１
５°の範囲内とされてなることを特徴とするものであ
る。

【００１２】また、本発明の垂直磁気記録媒体の製造方
法は、非磁性支持体上に真空蒸着法によりＣｏ−Ｏ系垂
直磁化膜よりなる磁性層を形成する垂直磁気記録媒体の
製造方法において、前記Ｃｏ−Ｏ系垂直磁化膜を成膜す
る際に、蒸発源からの蒸気流の入射角を蒸着開始時に７
０°以上とし、且つ蒸着終了時に０〜１５°の範囲内と
することを特徴とするものである。

【００１３】本発明の垂直磁気記録媒体は、磁性層が膜
面に対して垂直方向に磁化容易軸を有するＣｏ−Ｏ系垂
直磁化膜からなる。このＣｏ−Ｏ系垂直磁化膜は、主に
真空蒸着法により成膜されるものである。本発明では、
このＣｏ−Ｏ系垂直磁化膜の成膜時において、蒸発源か
らの蒸気流の非磁性支持体の表面の法線方向に対する蒸
着開始時入射角θ₁ と蒸着終了時入射角θ₂ が所定の範
囲となるように個々に制御される。これにより、得られ
るＣｏ−Ｏ系垂直磁化膜の膜面に対する磁化容易軸の傾
き角が基板側と表面側で大きく異なるようになり、１回
の蒸着工程であたかも磁化容易軸方向の異なる２層膜が
形成されるようになり、短波長域、長波長域ともに良好
な再生出力を得ることができる。

【００１４】ここで、上記蒸着開始時入射角θ₁ は、７
０°以上とされる。これにより、得られるＣｏ−Ｏ系垂
直磁化膜の基板側、即ち下層側においては、膜を形成し
てなる微粒子の磁化容易軸が膜面に対して若干立ち上が
ったような緩やかな傾きをなし、長波長域での再生出力
の向上に寄与する。また、このような膜面に対して緩や
かに傾斜した成分が膜中に存在することによって自己陰
影効果（self shadoweffect）を生じて内部歪みが緩和
され、優れた耐久性を期待することができる。この蒸着
開始時入射角θ₁ が７０°よりも小さいと、長波長域で
の再生出力が十分に得られなくなるとともに、スチル耐
久性が著しく低下する。

【００１５】一方、上記蒸着終了時入射角θ₂ は、０°
≦θ₂ ≦１５の範囲とされる。これにより、得られるＣ
ｏ−Ｏ系垂直磁化膜の表面側、即ち上層側においては、
膜を形成してなる微粒子の磁化容易軸が膜面に対して略
垂直方向に配向し、良好な垂直記録特性を確保すること
ができる。この蒸着終了時入射角θ₂ が上記範囲から外
れると、低波長域での再生出力が大きく低下する。

【００１６】このように、蒸着時における蒸気流の蒸着
開始時入射角θ₁ 及び蒸着終了時入射角θ₂ をそれぞれ
所望の範囲内となるように制御する方法としては、成膜
を行う際に、所定の方向に移動走行される非磁性支持体
と蒸発源との間にマスクを配設し、このマスクにより上
記非磁性支持体の表面の法線方向と上記蒸発源からの蒸
気流の入射方向のなす角の範囲を制御する方法がある。

【００１７】このＣｏ−Ｏ系垂直磁化膜にあっては、そ
の金属成分がＣｏ１００％であってもよいが、磁気ヘッ
ドとの当たり特性を改善するためにＮｉが少量添加され
てもよい。Ｎｉの添加は、いわゆるカッピングに影響を
与え、カッピングの改善に役立つ。特に、Ｎｉの添加量
を３〜１０原子％とすると、カッピングの改善効果によ
り媒体ヘッド間のインターフェイスが改善され、回転ド
ラムを用いた磁気記録システムにおいて優れた電磁変換
特性を示す。

【００１８】このようなＣｏ−Ｏ系垂直磁化膜の組成
は、下記の（１）式で表される。 （Ｃｏ_1-x Ｎｉ_x ）_1-m Ｏ_m ・・・（１） 〔ただし、０≦ｘ≦０．１０、０．１≦ｍ≦０．３〕 なる組成とすることが好ましい。

【００１９】また、このＣｏ−Ｏ系垂直磁化膜からなる
磁性層の膜厚は、２５０ｎｍ以上であることが好まし
い。磁性層の膜厚が２５０ｎｍよりも薄い場合には、主
に短波長域での再生出力を十分に確保することができ
ず、良好な垂直磁気記録を行うことができない。なお、
この磁性層の膜厚の上限は特に限定されないが、実用性
を考慮すると、３５０ｎｍ程度とされる。

【００２０】更に、このＣｏ−Ｏ系垂直磁化膜を磁性層
とする垂直磁気記録媒体においては、上記蒸着時に生じ
たカッピングを取り除くために、磁性層形成後に熱処理
が行われる。この熱処理に際しては、上記非磁性支持体
を加熱ロールの表面により支持し走行せしめることによ
って該非磁性支持体を介して上記磁性層を加熱せしめ、
この磁性層の表面に生じたカッピングを除去している。

【００２１】この時、熱処理温度をＴ（℃）とし、上記
非磁性支持体と加熱ロールとの接触時間をｔ₁ （秒）と
すると、 Ｔ＝−２０ｔ₁ ＋２５０ ・・・（２） 且つ Ｔ≦２２０ ・・・（３） なる関係式が成り立つように条件設定を行うことが望ま
しい。これにより、カッピング量が大幅に減少され、磁
気ヘッドとの良好な当たり特性を確保することができ
る。なお、熱処理温度Ｔが２２０℃を越える場合には、
上記接触時間ｔ₁ をいかに調節しても面荒れの発生を防
止することができなくなる。

【００２２】また、この熱処理後、上記非磁性支持体が
上記加熱ロールの表面を離れてから該加熱ロールと一定
の距離を空けて配設されるガイドロールと接触するまで
の間で冷却される時間をｔ₂ （秒）とすると、 ｔ₂ ＞１．０ ・・・（４） とされることが望ましく、１．２５秒以上とされること
がより望ましい。これにより、上記熱処理時の熱処理温
度に関係なく、上記ガイドロールと該ガイドロールに接
触する直前の非磁性支持体との温度差がある値以下にな
り、テープにシワ等の変形が発生することが防止され、
耐久性を著しく向上させることができる。この冷却時間
ｔ₂ が上記範囲よりも短いと、テープが急激に冷却され
ることになり、シワ等が発生し、十分な耐久性を確保す
ることができない。

【００２３】

【作用】磁性層がＣｏ−Ｏ系合金薄膜からなる垂直磁気
記録媒体において、最小の磁気的単位はＣｏの微結晶で
あり、各Ｃｏ微粒子の磁化容易軸であるＣ軸は、概ね成
膜時における蒸気流の入射方向に配向する。従って、磁
性層を形成する際に、非磁性支持体の表面の法線方向と
蒸発源からの蒸気流の入射方向とのなす角θを制御する
ことにより、得られる垂直磁化膜の磁化容易軸の方向が
良好に制御され、良好な磁気特性が得られる。

【００２４】ここで、蒸着開始時入射角θ₁ を７０°以
上とすることにより、得られるＣｏ−Ｏ系垂直磁化膜の
基板側、即ち下層側で上記微粒子の磁化容易軸が膜面に
対して若干立ち上がったような緩やかな傾きをなし、長
波長域での再生出力の向上に寄与する。また、このよう
な膜面に対して緩やかに傾斜した成分が膜中に存在する
ことによって自己陰影効果（self shadow effect）を生
じて内部歪みが緩和され、耐久性が改善される。

【００２５】また、上記蒸着終了時入射角θ₂ を０°≦
θ₂ ≦１５の範囲とすることにより、得られるＣｏ−Ｏ
系垂直磁化膜の表面側、即ち上層側で上記微粒子の磁化
容易軸が膜面に対して略垂直方向に配向し、良好な垂直
記録特性が得られる。

【００２６】更に、この蒸着時に生じたカッピングを取
り除くための熱処理を行う際に、加熱ロールと該加熱ロ
ールの表面により支持され走行せしめられる非磁性支持
体との接触時間をｔ₁ （秒）とし、熱処理温度をＴ
（℃）とする時、 Ｔ＝−２０ｔ₁ ＋２５０ 且つ Ｔ≦２２０ なる関係式が成り立つように条件設定を行う。これによ
り、カッピング量が大幅に減少され、磁気ヘッドとの当
たり特性が向上する。

【００２７】また、この熱処理後、上記非磁性支持体が
上記加熱ロールの表面を離れてから該加熱ロールと一定
の距離を空けて配設されるガイドロールと接触するまで
の間で冷却される時間をｔ₂ （秒）とする時、 ｔ₂ ＞１．０ とする。これにより、テープが急激に冷却されることが
防止され、シワ等の変形が生じることが防止される。

【００２８】

【実施例】以下、本発明を適用した実施例について、図
面や実験結果を参照しながら詳細に説明する。

【００２９】実験１ 本実験では、Ｃｏ−Ｏ系垂直磁化膜を磁性層とする金属
磁性薄膜型の磁気テープにおいて、良好な電磁変換特性
を得るために媒体に要求される条件について検討した。
先ず、上記磁気テープのＣｏ−Ｏ系垂直磁化膜を成膜す
る際に使用した連続巻き取り式真空蒸着装置の構成につ
いて説明する。

【００３０】この真空蒸着装置は、図１に示すように、
排気系８２によって高真空に保たれる真空チャンバ８１
内の略中央部に冷却キャン８３を配置するとともに、こ
の冷却キャン８３よりも上方位置に巻き出しロール８４
及び巻き取りロール８５を配置してなるものである。し
たがって、ベースフィルムＢは、巻き出しロール８４か
ら冷却キャン８３へと送り出され、冷却キャン８３に沿
って走行することによってＣｏ−Ｏ系垂直磁化膜が成膜
された後、巻き取りロール８５に巻き取られる。

【００３１】一方、冷却キャン８３の下方位置には、Ｃ
ｏあるいはＣｏ−Ｎｉ合金等からなる蒸発源８６が対向
配置されるとともに、蒸発源８６の斜め上方には電子銃
８７が設置され、前記蒸発源８６を電子銃８７からの電
子ビームの照射により加熱して蒸発せしめるように構成
されている。

【００３２】また、前記蒸発源８６と冷却キャン８３の
間には、蒸気流中に酸素を混入し膜中に酸素を導入する
ための酸素導入管８８が配置されており、任意に酸素導
入ガス量を制御してベースフィルムＢ上に噴射し、蒸着
されたＣｏ−Ｏ系垂直磁化膜中の酸素濃度を制御できる
ようになされている。

【００３３】冷却キャン８３近傍には、蒸発源８６から
飛来する蒸気流の入射角度を規制するための一対の入射
角制限マスク８９，９０が設置されている。したがっ
て、成膜の際の蒸着開始時入射角θ₁ 及び蒸着終了時入
射角θ₂ は、これら入射角制限マスク８９，９０間の開
口位置によって決まる。

【００３４】そこで、以上のような構成を有する真空蒸
着装置を用い、上記蒸気流の蒸着開始時入射角θ₁ を９
０°とし、上記蒸着終了時入射角θ₂ を１５°として、
上記Ｃｏ−Ｏ系垂直磁化膜の膜厚を下記の表１に示すよ
うに変化させて各種サンプルテープを作製した。なお、
表１中に、得られたＣｏ−Ｏ系垂直磁化膜中の酸素濃度
を併せて記す。

【００３５】

【表１】

【００３６】なお、成膜に際し、電磁銃加熱蒸発源より
ＣｏＮｉ合金を蒸発させ、蒸着中真空チャンバ内に酸素
ガスを導入しながらポリアミドフィルムからなる長尺状
高分子フィルム（膜厚６．０μｍ、ヤング率１２００ｋ
ｇ／mm² ）を連続的に走行させて、成膜速度約２５００
Å／秒でＣｏＮｉ合金薄膜を形成した。このＣｏＮｉ合
金薄膜の全膜厚は、上記長尺状高分子フィルムの走行速
度を変化させることによって適宜制御した。

【００３７】また、蒸着中、長尺状高分子フィルムを支
持する冷却キャンは、冷媒によって冷却しキャン表面温
度が０℃以下となるように制御し、酸素ガス導入量は、
各々の媒体で最適値を求めて適宜設定した。なお、蒸着
中の真空チャンバ内の雰囲気ガス圧は、１．５×１０^-4
〜３．０×１０^-4Torrとした。そして、得られた長尺状
媒体は、磁性層表面にフッ素系潤滑剤を塗布した後、こ
れを８mm幅にスリットし、テープ状のサンプルとした。

【００３８】このようにして作製されたサンプルテープ
について、ソニー社製の改造ＶＴＲデッキ（商品名，Ｈ
ｉ−８ ＥＶ−Ｓ９００）を用い、記録波長０．５μｍ
及び５．０μｍでの再生出力、エラーレート及びスチル
耐久性とをそれぞれ測定した。この結果を下記の表２に
表す。なお、表２に、振動試料型磁力計（ＶＳＭ）によ
り調べた各サンプルテープの磁気特性（ここでは、飽和
磁束密度Ｂ_S 、垂直方向の保磁力Ｈ_C1及び長手方向の保
磁力Ｈ_C2）を併せて記す。

【００３９】

【表２】

【００４０】表２に示すように、膜厚が２５０ｎｍ未満
の場合（比較例１〜３）では、特に短波長域における再
生出力の低下が著しく、良好な垂直記録特性を確保する
ことが困難であることが判った。また、膜厚を２５０ｎ
ｍ以上とした場合では、比較例１〜３よりもエラーレー
トが１桁近く低減された。従って、良好な垂直磁気記録
を行うためには、磁性層の膜厚が２５０ｎｍ以上とされ
る必要があると言える。

【００４１】次に、上記実験１の結果に基づき、磁性層
の膜厚を３００ｎｍとした時の上記蒸気流の蒸着開始時
入射角θ₁ 及び蒸着終了時入射角θ₂ と電磁変換特性と
の関係を検討した。

【００４２】実験２ 本実験では、上記実験１において使用した真空蒸着装置
を用い、上記蒸気流の蒸着開始時入射角θ₁ 及び蒸着終
了時入射角θ₂ を下記の表３のように変化させた他は、
上記実験１と同じ条件にて作製した各種サンプルテープ
の記録波長０．５μｍ及び５．０μｍでの再生出力、エ
ラーレート及びスチル耐久性とをそれぞれ調べた。この
結果を下記の表４に示す。なお、表４中に、上記実験１
と同様にして測定した各サンプルテープの磁気特性を併
せて記す。

【００４３】

【表３】

【００４４】

【表４】

【００４５】表４より、磁性層の成膜時における蒸気流
の蒸着開始時入射角θ₁ が７０°未満の場合（比較例４
〜５）には、スチル耐久性が著しく劣化した。また、上
記蒸気流の蒸着終了時入射角θ₂ が１５°を越える場合
（比較例６）や、０°未満の場合（比較例７）では、特
に記録波長０．５μｍでの再生出力が大きく低下した。
これらのことから、良好な垂直記録特性を確保しつつ、
耐久性の向上を図るためには、蒸気流の蒸着開始時入射
角θ₁ を７０°以上とし、且つ蒸着終了時入射角θ₂ を
０〜１５°の範囲内に設定する必要があることが判っ
た。

【００４６】また、本実施例を適用した垂直磁気記録媒
体において、優れた耐久性を確保しつつ、良好な電磁変
換特性を得るための磁性層の組成条件について検討し
た。

【００４７】実験３ 先ず、上記実験１において使用した真空蒸着装置を用
い、磁性層の成膜時における酸素導入量を変化させ、こ
の他は上記実験１と同じ条件にて各種サンプルテープを
作製した時の記録波長０．５μｍ及び５．０μｍでの再
生出力、エラーレート及びスチル耐久性とをそれぞれ調
べた。この結果を下記の表６に示す。なお、表６中に、
上記実験１と同様にして測定した各サンプルテープの磁
気特性を併せて記す。

【００４８】また、磁性層の成膜に際し、上記蒸気流の
蒸着開始時入射角θ₁ 及び蒸着終了時入射角θ₂ をそれ
ぞれθ₁ ＝９０°、θ₂ ＝１５°に設定し、磁性層の膜
厚を３００ｎｍとした。また、上記酸素導入量は、得ら
れたＣｏＮｉ合金薄膜中の酸素濃度により表し、これを
下記の表５に示した。

【００４９】

【表５】

【００５０】

【表６】

【００５１】表６より、磁性層とされるＣｏＮｉ合金薄
膜中の酸素濃度が３０原子％を越える場合（比較例８）
や、１０原子％未満の場合（比較例９）では、特に短波
長域における再生出力が十分に得られず、またスチル耐
久性に関しても良好な結果が得られなかった。また、こ
の場合、ＣｏＮｉ合金薄膜中の酸素濃度が１０〜３０原
子％の範囲とされるものと比べて、エラーレートが極め
て高い値となった。このことから、得られるＣｏＮｉ合
金薄膜中の酸素濃度は、１０〜３０原子％とされること
が好ましいと言える。

【００５２】続いて、蒸着源として用いられるＣｏＮｉ
合金中のＮｉ添加量を下記の表７に示すように変化さ
せ、この他は上述と同様にして各種サンプルテープを作
製した時の記録波長０．５μｍ及び５．０μｍでの再生
出力、エラーレート及びスチル耐久性とをそれぞれ調べ
た。この結果を下記の表８に示す。なお、表８中に、上
記実験１と同様にして測定した各サンプルテープの磁気
特性を併せて記す。

【００５３】

【表７】

【００５４】

【表８】

【００５５】表８より、蒸着源とされるＣｏＮｉ合金中
のＮｉ添加量が１０原子％を越える場合（比較例１０〜
１１）では、短波長域、長波長域とも再生出力が低下し
た。また、この場合、ＣｏＮｉ合金中のＮｉ添加量が０
〜１０原子％の範囲とされるものと比べて、エラーレー
トが著しく増大した。従って、上記Ｎｉ添加量は、０〜
１０原子％とされることが望ましい。

【００５６】ここで、上述のようにして得られた磁気テ
ープのカッピングを取り除くための熱処理条件について
検討した。実験４ 本実験では、上述のような蒸着に際し、蒸発源としてＮ
ｉ添加量が５原子％のＣｏＮｉ合金を使用し、蒸気流の
蒸着開始時入射角θ₁ 及び蒸着終了時入射角θ ₂ をそれ
ぞれθ₁ ＝４５°、θ₂ ＝１５°とし、また真空度を
１．８×１０^-4Torrに設定して、膜厚が２０００Åとな
るようにテープ速度を１６ｍ／分として磁性層を形成し
た後、得られた磁気テープに生じたカッピングを取り除
くために行われる熱処理時の熱処理温度とカッピング量
の関係を調べた。

【００５７】先ず、上記磁気テープのカッピングを取り
除くために熱処理を行う際に使用した熱処理装置の構成
について説明する。

【００５８】この熱処理装置は、図１４に示すように、
図中反時計廻り方向に回転するようになされた円筒型の
加熱ロール９６を配設するとともに、該加熱ロール９６
より小径の図中反時計廻り方向に回転するようになされ
た巻き出しロール９３及び巻き取りロール９４を配置し
てなるものである。

【００５９】上記加熱ロール９６は、上述のような蒸着
によりＣｏ−Ｏ系垂直磁化膜が被着形成せしめられたベ
ースフィルム９５が上記巻き出しロール９３から上記巻
き取りロール９４に亘って順次移動走行される中途部に
配設され、内部に図示しない加熱装置が配設されて所定
の温度に保持されるようになされている。

【００６０】従って、上記ベースフィルム９５は、上記
巻き出しロール９３より上記加熱ロール９６に送り出さ
れ、該加熱ロール９６の表面で支持され走行せしめられ
て同時に熱処理された後、上記巻き取りロール９４に順
次巻き取られる。

【００６１】また、上記加熱ロール９６の側方には、こ
の加熱ロール９６より小径のニップロール９７が近接配
設され、該ニップロール９７が上記加熱ロール９６の表
面に沿って走行する上記ベースフィルム９５の表面に対
して接触せしめられることによって上述の熱処理が確実
に行われるようになされている。

【００６２】更に、上記巻き出しロール９３と上記加熱
ロール９６の間、及び該加熱ロール９６と上記巻き取り
ロール９４の間には、それぞれガイドロール９８，９９
が配設され、上記巻き出しロール９３、或いは上記加熱
ロール９６より送り出された上記ベースフィルム９５の
走行方向を略９０°変換するとともに、該ベースフィル
ム９５に対して適当なテンションを与え、円滑な走行が
行われるようになされている。

【００６３】そこで、以上のような構成を有する熱処理
装置を用い、上記加熱ロール９６の温度（熱処理温度）
Ｔと、該加熱ロール９６と上記ベースフィルム９５との
接触時間ｔ₁ をそれぞれ変化させた時のカッピング量と
テープ表面の面荒れの有無を調べた。この結果を下記の
表９に表す。

【００６４】なお、上記カッピング量は、図２に示すよ
うに、テープ幅方向に反った状態におけるテープの幅方
向の一端から他端までの距離ａに対するテープ厚み方向
の反り量ｂの比ｂ／ａにより評価し、ベースフィルム９
１上に設けられた磁性層９２の表面が凹状に反った状態
（図１３Ａ参照。）を＋で表し、凸状に反った状態（図
１３Ｂ参照。）を−で表した。

【００６５】

【表９】

【００６６】ここで、上記カッピング量の実用的な範囲
を−０．２０≦ｂ／ａ≦＋０．０５とすれば、表９に示
すように、カッピング量を十分に小さく抑えることが可
能となるための接触時間ｔ₁ は、熱処理温度Ｔと関係が
あり、これら接触時間ｔ₁ と熱処理温度Ｔを組み合わせ
て設定することにより、良好な結果が得られることが判
った。

【００６７】また、これら接触時間ｔ₁ と熱処理温度Ｔ
の条件がテープの表面状態に及ぼす影響を考察するため
に、表９を図１５に示した。この結果、図１５より、上
記接触時間ｔ₁ と熱処理温度Ｔは、下記の（４）式び
（５）式に示す関係を満たす範囲で設定することが必要
であることが判った。 Ｔ＝−２０ｔ₁ ＋２５０ ・・・（４） 且つ Ｔ≦２２０ ・・・（５）

【００６８】実験５ 本実験では、上記実験４において使用した熱処理装置に
より熱処理を行った直後に、上記ベースフィルム９５が
上記加熱ロール９６の表面を離れてから距離ｌだけ移動
して上記ガイドロール９９に接触するまでの間で自然冷
却される時間（冷却時間）ｔ₂ がテープ形状に及ぼす影
響を調べた。この結果を下記の表１０及び図１６に示
す。なお、表１０中に、上述の熱処理が行われた各サン
プルテープとスチル耐久性を併せて記す。

【００６９】

【表１０】

【００７０】表１０及び図１６に示すように、上述の熱
処理時の熱処理温度に関係なく、上記冷却時間ｔ₂ が
１．０秒より長くなるようにすることにより、シワ等の
発生が抑えられることが判った。また、このように冷却
時間ｔ₂ を調節することによってテープが急激に冷却さ
れるのを防止すれば、スチル耐久性を著しく向上させる
ことができた。

【００７１】以上のように、本発明を適用した垂直磁気
記録媒体は、良好な耐久性を有しており、短波長域のみ
ならず、長波長域での再生出力特性も優れていることか
ら、次のような構成を有する記録再生装置に適用して良
好な結果が期待できる。

【００７２】記録再生装置の構成 カラービデオ信号をディジタル化して磁気テープ等の記
録媒体に記録するディジタルＶＴＲとしては、放送局用
のＤ１フォーマットのコンポーネント形ディジタルＶＴ
Ｒ及びＤ２フォーマットのコンポジット形ディジタルＶ
ＴＲが実用化されている。

【００７３】前者のＤ１フォーマットディジタルＶＴＲ
は、輝度信号及び第１，第２の色差信号をそれぞれ１
３．５ＭＨｚ、６．７５ＭＨｚのサンプリング周波数で
Ａ／Ｄ変換した後、所定の信号処理を行って磁気テープ
上に記録するもので、これらコンポーネント成分のサン
プリング周波数が４：２：２であることから、４：２：
２方式とも称されている。

【００７４】一方、後者のＤ２フォーマットディジタル
ＶＴＲは、コンポジットカラービデオ信号をカラー副搬
送波信号の周波数の４倍の周波数の信号でサンプリング
を行ってＡ／Ｄ変換し、所定の信号処理を行った後、磁
気テープに記録するようにしている。

【００７５】いずれにしても、これらのディジタルＶＴ
Ｒは、共に放送局用に使用されることを前提に設計され
ているために、画質最優先とされ、１サンプルが例えば
８ビットにＡ／Ｄ変換されたディジタルカラービデオ信
号を実質的に圧縮することなしに記録するようになされ
ている。したがって、例えばＤ１フォーマットのディジ
タルＶＴＲでは、大型のカセットテープを使用しても高
々１．５時間程度の再生時間しか得られず、一般家庭用
のＶＴＲとして使用するには不適当である。

【００７６】そこで本実施例においては、例えば５μｍ
のトラック幅に対して最短波長０．５μｍの信号を記録
するようにし、記録密度４×１０⁵ ｂｉｔ／mm² 以上、
あるいは８×１０⁵ ｂｉｔ／mm² 以上を実現するととも
に、記録情報を再生歪みが少ないような形で圧縮する方
法を併用することによって、テープ幅が８mmあるいはそ
れ以下の幅狭の磁気テープを使用しても長時間の記録・
再生が可能なディジタルＶＴＲに適用するものとする。

【００７７】以下、このディジタルＶＴＲの構成につい
て説明する。

【００７８】ａ．信号処理部 先ず、本実施例において用いたディジタルＶＴＲの信号
処理部について説明する。図３は記録側の構成全体を示
すものであり、１Ｙ、１Ｕ、１Ｖでそれぞれ示す入力端
子に、例えばカラービデオカメラからの三原色信号Ｒ，
Ｇ，Ｂから形成されたディジタル輝度信号Ｙ、ディジタ
ル色差信号Ｕ、Ｖが供給される。この場合、各信号のク
ロックレートはＤ１フォーマットの各コンポーネント信
号の周波数と同一とされる。すなわち、それぞれのサン
プリング周波数が１３．５ＭＨｚ、６．７５ＭＨｚとさ
れ、且つこれらの１サンプル当たりのビット数が８ビッ
トとされている。したがって、入力端子１Ｙ、１Ｕ、１
Ｖに供給される信号のデータ量としては、約２１６Ｍｂ
ｐｓとなる。この信号のうちブランキング時間のデータ
を除去し、有効領域の情報のみを取り出す有効情報抽出
回路２によってデータ量が約１６７Ｍｂｐｓに圧縮され
る。

【００７９】そして、上記有効情報抽出回路２の出力の
うちの輝度信号Ｙが周波数変換回路３に供給され、サン
プリング周波数が１３．５ＭＨｚからその３／４に変換
される。周波数変換回路３としては、例えば間引きフィ
ルタが使用され、折り返し歪みが生じないようになされ
ている。この周波数変換回路３の出力信号は、ブロック
化回路５に供給され、輝度データの順序がブロックの順
序に変換される。ブロック化回路５は、後段に設けられ
たブロック符号化回路８のために設けられている。

【００８０】図５は、符号化の単位のブロックの構造を
示す。この例は、３次元ブロックであって、例えば２フ
レームに跨がる画面を分割することにより、同図に示す
ように（４ライン×４画素×２フレーム）の単位ブロッ
クが多数形成される。なお、図５において実線は奇数フ
ィールドのラインを示し、破線は偶数フィールドのライ
ンを示す。

【００８１】また、有効情報抽出回路２の出力のうち、
２つの色差信号Ｕ、Ｖがサブサンプリング及びサブライ
ン回路４に供給され、サンプリング周波数がそれぞれ
６．７５ＭＨｚからその半分に変換された後、２つのデ
ィジタル色差信号が互いにライン毎に選択され、１チャ
ンネルのデータに合成される。したがって、このサブサ
ンプリング及びサブライン回路４からは線順次化された
ディジタル色差信号が得られる。このサブサンプリング
及びサブライン回路４によってサブサンプル及びサブラ
イン化された信号の画素構成を図６に示す。図６中、○
は第１の色差信号Ｕのサブサンプリング画素を示し、△
は第２の色素信号Ｖのサンプリング画素を示し、×はサ
ブサンプルによって間引かれた画素の位置を示す。

【００８２】上記サブサンプリング及びサブライン回路
４からの線順次化出力信号は、ブロック化回路６に供給
される。ブロック化回路６では一方のブロック化回路５
と同様に、テレビジョン信号の走査の順序の色差データ
がブロックの順序のデータに変換される。このブロック
化回路６は、一方のブロック化回路５と同様に、色差デ
ータを（４ライン×４画素×２フレーム）のブロック構
造に変換する。そしてこれらブロック化回路５及びブロ
ック化回路６の出力信号が合成回路７に供給される。

【００８３】合成回路７では、ブロックの順序に変換さ
れた輝度信号及び色差信号が１チャンネルのデータに変
換され、この合成回路７の出力信号がブロック符号化回
路８に供給される。ブロック符号化回路８としては、後
述するようにブロック毎のダイナミックレンジに適応し
た符号化回路（ＡＤＲＣと称する。）、ＤＣＴ（Ｄｉｓ
ｃｒｅｔｅ Ｃｏｓｉｎｅ Ｔｒａｎｓｆｏｒｍ）回路
等が適用できる。前記ブロック符号化回路８からの出力
信号は、さらにフレーム化回路９に供給され、フレーム
構造のデータに変換される。このフレーム化回路９で
は、画素系のクロックと記録系のクロックとの乗り換え
が行われる。

【００８４】次いで、フレーム化回路９の出力信号がエ
ラー訂正符号のパリティ発生回路１０に供給され、エラ
ー訂正符号のパリティが生成される。パリティ発生回路
１０の出力信号はチャンネルエンコーダ１１に供給さ
れ、記録データの低域部分を減少させるようなチャンネ
ルコーディングがなされる。チャンネルエンコーダ１１
の出力信号が記録アンプ１２Ａ，１２Ｂと回転トランス
（図示は省略する。）を介して一対の磁気ヘッド１３
Ａ，１３Ｂに供給され、磁気テープに記録される。な
お、オーディオ信号と、ビデオ信号とは別に圧縮符号化
され、チャンネルエンコーダ１１に供給される。

【００８５】上述の信号処理によって、入力のデータ量
２１６Ｍｂｐｓが有効走査期間のみを抽出するによって
約１６７Ｍｂｐｓに低減され、さらに周波数変換とサブ
サンプル、サブラインとによってこれが８４Ｍｂｐｓに
減少される。このデータは、ブロック符号化回路８で圧
縮符号化することにより、約２５Ｍｂｐｓに圧縮され、
その後のパリティ、オーディオ信号等の付加的な情報を
加えて、記録データ量としては３１．５６Ｍｂｐｓとな
る。

【００８６】次に、再生側の構成について図４を参照し
ながら説明する。再生の際には、図４に示すように、先
ず磁気ヘッド１３Ａ，１３Ｂからの再生データが回転ト
ランス及び再生アンプ１４Ａ，１４Ｂを介してチャンネ
ルデコーダ１５に供給される。チャンネルデコーダ１５
において、チャンネルコーディングの復調がされ、チャ
ンネルデコーダ１５の出力信号がＴＢＣ回路（時間軸補
正回路）１６に供給される。このＴＢＣ回路１６におい
て、再生信号の時間軸変動成分が除去される。ＴＢＣ回
路１６からの再生データがＥＣＣ回路１７に供給され、
エラー訂正符号を用いたエラー訂正とエラー修整とが行
われる。ＥＣＣ回路１７の出力信号がフレーム分解回路
１８に供給される。

【００８７】フレーム分解回路１８によって、ブロック
符号化データの各成分がそれぞれ分離されるとともに、
記録系のクロックから画素系のクロックへの乗り換えが
なされる。フレーム分解回路１８で分離された各データ
がブロック複号回路１９に供給され、各ブロック単位に
原データと対応する復元データが複号され、複号データ
が分配回路２０に供給される。この分配回路２０で複号
データが輝度信号と色差信号に分離される。輝度信号及
び色差信号がブロック分解回路２１，２２にそれぞれ供
給される。ブロック分解回路２１，２２は、送信側のブ
ロック化回路５，６とは逆に、ブロックの順序の複号デ
ータをラスター走査の順に変換する。

【００８８】ブロック分解回路２１からの複号輝度信号
が補間フィルタ２３に供給される。補間フィルタ２３で
は、輝度信号のサンプリングレートが３ｆｓから４ｆｓ
（４ｆｓ＝１３．５ＭＨｚ）に変換される。補間フィル
タ２３からのディジタル輝度信号Ｙは出力端子２６Ｙに
取り出される。

【００８９】一方、ブロック分解回路２２からのディジ
タル色差信号が分配回路２４に供給され、線順次化され
たディジタル色差信号Ｕ，Ｖがディジタル色差信号Ｕ及
びＶにそれぞれ分離される。分配回路２４からのディジ
タル色差信号Ｕ，Ｖが補間回路２５に供給され、それぞ
れ補間される。補間回路２５は、復元された画素データ
を用いて間引かれたライン及び画素のデータを補間する
もので、補間回路２５からはサンプリングレートが２ｆ
ｓのディジタル色差信号Ｕ及びＶが得られ、出力端子２
６Ｕ，２６Ｖにそれぞれ取り出される。

【００９０】ｂ．ブロック符号化 図３におけるブロック符号化回路８としては、ＡＤＲＣ
（ＡｄａｐｔｉｖｅＤｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｇｅ Ｃｏ
ｄｉｎｇ）エンコーダが用いられる。このＡＤＲＣエン
コーダは、各ブロックに含まれる複数の画素データの最
大値ＭＡＸと最小値ＭＩＮを検出し、これら最大値ＭＡ
Ｘ及び最小値ＭＩＮからブロックのダイナミックレンジ
ＤＲを検出し、このダイナミックレンジＤＲに適応した
符号化を行い、原画素データのビット数よりも少ないビ
ット数により、再量子化を行うものである。ブロック符
号化回路８の他の例としては、各ブロックの画素データ
をＤＣＴ（Ｄｉｓｃｒｅｔｅ Ｃｏｓｉｎｅ Ｔｒａｎ
ｓｆｏｒｍ）した後、このＤＣＴで得られた係数データ
を量子化し、量子化データをランレングス・ハフマン符
号化して圧縮符号化する構成を用いてもよい。

【００９１】ここでは、ＡＤＲＣエンコーダを用い、さ
らにマルチダビングした時にも画質劣化が生じないエン
コーダの例を図７を参照しながら説明する。図７におい
て、入力端子２７に例えば１サンプルが８ビットに量子
化されたディジタルビデオ信号（或いはディジタル色差
信号）が図２の合成回路７より入力される。入力端子２
７からのブロック化データが最大値，最小値検出回路２
９及び遅延回路３０に供給される。最大値，最小値検出
回路２９は、ブロック毎に最小値ＭＩＮ、最大値ＭＡＸ
を検出する。遅延回路３０からは、最大値及び最小値が
検出されるのに要する時間、入力データを遅延させる。
遅延回路３０からの画素データが比較回路３１及び比較
回路３２に供給される。

【００９２】最大値，最小値検出回路２９からの最大値
ＭＡＸが減算回路３３に供給され、最小値ＭＩＮが加算
回路３４に供給される。これらの減算回路３３及び加算
回路３４には、ビットシフト回路３５から４ビット固定
長でノンエッジマッチング量子化した場合の１量子化ス
テップ幅の値（△＝１／１６ＤＲ）が供給される。ビッ
トシフト回路３５は、（１／１６）の割算を行うよう
に、ダイナミックレンジＤＲを４ビットシフトする構成
とされている。減算回路３３からは（ＭＡＸ−△）のし
きい値が得られ、加算回路３４からは（ＭＩＮ＋△）の
しきい値が得られる。これらの減算回路３３及び加算回
路３４からのしきい値が比較回路３１，３２にそれぞれ
供給される。なお、このしきい値を規定する値△は、量
子化ステップ幅に限らず、ノイズレベルに相当する固定
値としてもよい。

【００９３】比較回路３１の出力信号がＡＮＤゲート３
６に供給され、比較回路３２の出力信号がＡＮＤゲート
３７に供給される。ＡＮＤゲート３６及びＡＮＤゲート
３７には、遅延回路３０からの入力データが供給され
る。比較回路３１の出力信号は、入力データがしきい値
より大きい時にハイレベルとなり、したがってＡＮＤゲ
ート３６の出力端子には、（ＭＡＸ〜ＭＡＸ−△）の最
大レベル範囲に含まれる入力データの画素データが抽出
される。一方、比較回路３２の出力信号は、入力データ
がしきい値より小さい時にハイレベルとなり、したがっ
てＡＮＤゲート３７の出力端子には、（ＭＩＮ〜ＭＩＮ
＋△）の最小レベル範囲に含まれる入力データの画素デ
ータが抽出される。

【００９４】ＡＮＤゲート３６の出力信号が平均化回路
３８に供給され、ＡＮＤゲート３７の出力信号が平均化
回路３９に供給される。これらの平均化回路３８，３９
は、ブロック毎に平均値を算出するもので、端子４０か
らブロック周期のリセット信号が平均化回路３８，３９
に供給されている。平均化回路３８からは、（ＭＡＸ〜
ＭＡＸ−△）の最大レベル範囲に属する画素データの平
均値ＭＡＸ´が得られ、平均化回路３９からは（ＭＩＮ
〜ＭＩＮ＋△）の最小レベル範囲に属する画素データの
平均値ＭＩＮ´が得られる。平均値ＭＡＸ´から平均値
ＭＩＮ´が減算回路４１で減算され、この減算回路４１
からダイナミックレンジＤＲ´が得られる。

【００９５】また、平均値ＭＩＮ´が減算回路４２に供
給され、遅延回路４３を介された入力データから平均値
ＭＩＮ´が減算回路４２において減算され、最小値除去
後のデータＰＤＩが形成される。このデータＰＤＩ及び
修整されたダイナミックレンジＤＲ´が量子化回路４４
に供給される。この実施例では、量子化に割り当てられ
るビット数ｎが０ビット（コード信号を転送しない）、
１ビット、２ビット、３ビット、４ビットの何れかとさ
れる可変長のＡＤＲＣであって、エッジマッチング量子
化がなされる。割り当てビット数ｎは、ブロック毎にビ
ット数決定回路４５において決定され、ビット数ｎのデ
ータが量子化回路４４に供給される。

【００９６】可変長ＡＤＲＣは、ダイナミックレンジＤ
Ｒ´が小さいブロックでは、割り当てビット数ｎを少な
くし、ダイナミックレンジＤＲ´が大きいブロックで
は、割り当てビット数ｎを多くすることで、効率の良い
符号化を行うことができる。すなわち、ビット数ｎを決
定する際のしきい値をＴ１〜Ｔ４（Ｔ１＜Ｔ２＜Ｔ３＜
Ｔ４）とすると、（ＤＲ´＜Ｔ１）のブロックは、コー
ド信号が転送されず、ダイナミックレンジＤＲ´の情報
のみが転送され、（Ｔ１≦ＤＲ´＜Ｔ２）のブロック
は、（ｎ＝１）とされ、（Ｔ２≦ＤＲ´＜Ｔ３）のブロ
ックは、（ｎ＝２）とされ、（Ｔ３≦ＤＲ´＜Ｔ４）の
ブロックは、（ｎ＝３）とされ、（ＤＲ´≧Ｔ４）のブ
ロックは、（ｎ＝４）とされる。

【００９７】かかる可変長ＡＤＲＣではしきい値Ｔ１〜
Ｔ４を変えることで、発生情報量を制御すること（いわ
ゆるバッファリング）ができる。したがって、１フィー
ルド或いは、１フレーム当たりの発生情報量を所定値に
することが要求されるこの発明のディジタルビデオテー
プレコーダのような伝送路に対しても可変長ＡＤＲＣを
適用できる。

【００９８】発生情報量を所定値にするためのしきい値
Ｔ１〜Ｔ４を決定するバッファリング回路４６では、し
きい値の組（Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４）が複数例えば３
２組用意されており、これらのしきい値の組がパラメー
タコードＰｉ（ｉ＝０、１、２・・・・３１）により区
別される。パラメータコードＰｉの番号ｉが大きくなる
に従って、発生情報量が単調に減少するように設定され
ている。ただし、発生情報量が減少するに従って、復元
画像の画質が劣化する。

【００９９】バッファリング回路４６からのしきい値Ｔ
１〜Ｔ４が比較回路４７に供給され、遅延回路４８を介
されたダイナミックレンジＤＲ´が比較回路４７に供給
される。遅延回路４８は、バッファリング回路４６でし
きい値の組が決定されるのに要する時間、ＤＲ´を遅延
させる。比較回路４７では、ブロックのダイナミックレ
ンジＤＲ´と各しきい値とがそれぞれ比較され、比較出
力がビット数決定回路４５に供給され、そのブロックの
割り当てビット数ｎが決定される。量子化回路４４で
は、ダイナミックレンジＤＲ´と割り当てビット数ｎと
を用いて遅延回路４９を介された最小値除去後のデータ
ＰＤＩがエッジマッチングの量子化により、コード信号
ＤＴに変換される。量子化回路４４は、例えばＲＯＭで
構成されている。

【０１００】遅延回路４８、５０をそれぞれ介して修整
されたダイナミックレンジＤＲ´、平均値ＭＩＮ´が出
力され、さらにコード信号ＤＴとしきい値の組を示すパ
ラメータコードＰｉが出力される。この例では、一旦ノ
ンエッジマッチ量子化された信号が新たにダイナミック
レンジ情報に基づいて、エッジマッチ量子化されている
ためにダビングした時の画像劣化は少ないものとされ
る。

【０１０１】ｃ．チャンネルエンコーダ及びチャンネル
デコーダ 次に、図３のチャンネルエンコーダ１１及びチャンネル
デコーダ１５について説明する。チャンネルエンコーダ
１１においては、図８に示すように、パリティ発生回路
１０の出力が供給される適応型スクランブル回路で、複
数のＭ系列のスクランブル回路５１が用意され、その中
で入力信号に対し最も高周波成分及び直流成分の少ない
出力が得られるようなＭ系列が選択されるように構成さ
れている。パーシャルレスポンス・クラス４検出方式の
ためのプリコーダ５２で、１／１−Ｄ² （Ｄは単位遅延
用回路）の演算処理がなされる。このプリコーダ５２の
出力を記録アンプ１２Ａ，１３Ａを介して磁気ヘッド１
３Ａ，１３Ｂにより、記録再生し、再生出力を再生アン
プ１４Ａ，１４Ｂによって増幅するようになされてい
る。

【０１０２】一方、チャンネルデコーダ１５において
は、図９に示すように、パーシャルレスポンス・クラス
４の再生側の演算処理回路５３は、１＋Ｄの演算が再生
アンプ１４Ａ，１４Ｂの出力に対して行われる。また、
いわゆるビタビ複号回路５４においては、演算処理回路
５３の出力に対してデータの相関性や確からしさ等を用
いた演算により、ノイズに強いデータの複号が行われ
る。このビタビ複号回路５４の出力がディスクランブル
回路５５に供給され、記録側のスクランブル処理によっ
て並び変えられたデータが元の系列に戻されて原データ
が復元される。この実施例において用いられるビタビ複
号回路５４によって、ビット毎の複号を行う場合より
も、再生Ｃ／Ｎ換算が３ｄＢで改良が得られる。

【０１０３】ｄ．走行系 磁気ヘッド１３Ａ及び磁気ヘッド１３Ｂは、図１０に示
すように、一体構造とされた形でドラム７６に取付けら
れる。ドラム７６の周面には、１８０°よりやや大きい
か、あるいはやや小さい巻き付け角で磁気テープ（図示
せず。）が斜めに巻き付けられており、磁気ヘッド１３
Ａ及び磁気ヘッド１３Ｂが同時に磁気テープを走査する
ように構成される。

【０１０４】また、前記磁気ヘッド１３Ａ及び磁気ヘッ
ド１３Ｂのギャップの向きは、互いに反対側に傾くよう
に（例えば磁気ヘッド１３Ａはトラック幅方向に対して
＋２０°、磁気ヘッド１３Ｂは−２０°傾斜するよう
に）設定されており、再生時にいわゆるアジマス損失に
よって隣接トラック間のクロストーク量を低減するよう
になされている。

【０１０５】図１１及び図１２は、磁気ヘッド１３Ａ，
１３Ｂを一体構造（いわゆるダブルアジマスヘッド）と
した場合のより具体的な構成を示すもので、例えば高速
で回転される上ドラム７６に一体構造の磁気ヘッド１３
Ａ，１３Ｂが取り付けられ、下ドラム７７が固定とされ
ている。ここで、磁気テープ７８の巻き付け角θは１６
６°、ドラム径φは１６．５mmである。

【０１０６】したがって、磁気テープ７８には、１フィ
ールドのデータが５本のトラックに分割して記録され
る。このセグメント方式により、トラックの長さを短く
することができ、トラックの直線性に起因するエラーを
小さくすることができる。

【０１０７】上述のように、ダブルアジマスヘッドで同
時記録を行うようにすることで、１８０°の対向角度で
一対の磁気ヘッドが配置されたものと比較して直線性に
起因するエラー量を小さくすることができ、またヘッド
間距離が小さいのでペアリング調整をより正確に行うこ
とができる。したがって、このような走行系により、幅
狭のトラックで記録・再生を行うことができる。

【０１０８】以上、本発明の具体的な実施例について説
明したが、本発明がこの実施例に限定されるものではな
く、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能
であることは言うまでもない。

【０１０９】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明では、磁性層を形成するための蒸着を行う際に、蒸気
流の蒸着開始時入射角と蒸着終了時入射角をそれぞれ制
御しているので、１回の蒸着工程であたかも２層膜から
なる磁性層が形成された如くされ、磁性層の基板側にお
いて長波長域での再生出力を確保するとともに、磁性層
の表面側において短波長域での再生出力を確保すること
ができる。従って、短波長域、長波長域とも優れた電磁
変換特性を有する垂直磁気記録媒体を提供することがで
きる。

【０１１０】また、上述のように蒸気流の蒸着終了時入
射角を制御することによって磁性層中に磁化容易軸の傾
きの大きい成分を含有させているので、自己陰影効果に
よる内部歪みの緩和が図られ、耐久性を著しく向上させ
ることができる。

【０１１１】更に、本発明では、上述のような磁性層形
成後に行われる熱処理条件及びその直後の冷却速度の最
適化が図られているので、カッピングやシワ等のテープ
の形状変化が大幅に改善され、良好な耐久性を確保する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用して製造される垂直磁気記録媒体
の磁性層を形成する際に使用した真空蒸着装置の構成の
一例を示す断面図である。

【図２】カッピング量の定義を説明するための模式図で
ある。

【図３】ディジタル画像信号を再生歪みが少ないような
形で圧縮して記録するディジタルＶＴＲの信号処理部の
記録側の構成を示すブロック図である。

【図４】信号処理部の再生側の構成を示すブロック図で
ある。

【図５】ブロック符号化のためのブロックの一例を示す
略線図である。

【図６】サブサンプリング及びサブラインの説明のため
の略線図である。

【図７】ブロック符号化回路の一例を示すブロック図で
ある。

【図８】チャンネルエンコーダの一例の概略を示すブロ
ック図である。

【図９】チャンネルデコーダの一例の概略を示すブロッ
ク図である。

【図１０】磁気ヘッドの配置の一例を模式的に示す平面
図である。

【図１１】回転ドラムの構成例及び磁気テープの巻き付
け状態を示す平面図である。

【図１２】回転ドラムの構成例及び磁気テープの巻き付
け状態を示す正面図である。

【図１３】カッピング量の符号の定義を説明するための
模式図である。

【図１４】本発明を適用して製造される垂直磁気記録媒
体のカッピングを取り除くための熱処理を行う際に使用
した熱処理装置の構成の一例を示す断面図である。

【図１５】熱処理温度及び接触時間とテープ表面の面荒
れの有無との関係を示す特性図である。

【図１６】熱処理温度及び冷却時間とテープの形状変化
の有無との関係を示す特性図である。

【符号の説明】

１Ｙ，１Ｕ，１Ｖ・・・コンポーネント信号の入力端子 ５，６・・・・ブロック化回路 ８・・・・・ブロック符号化回路 １１・・・・チャンネルエンコーダ １３Ａ，１３Ｂ・・・・磁気ヘッド ２２・・・・チャンネルデコーダ ２６・・・・ブロック復号回路 ２８，２９・・・・ブロック分解回路

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 非磁性支持体上にＣｏ−Ｏ系垂直磁化膜
   よりなる磁性層を有する垂直磁気記録媒体において、 前記Ｃｏ−Ｏ系垂直磁化膜の蒸着時における蒸発源から
   の蒸気流の入射角が蒸着開始時に７０°以上とされ、且
   つ蒸着終了時に０〜１５°の範囲内とされてなることを
   特徴とする垂直磁気記録媒体。
2. 【請求項２】 上記Ｃｏ−Ｏ系垂直磁化膜が（Ｃｏ_1-x
   Ｎｉ_x ）_1-m Ｏ_m （ただし、０．０３≦ｘ≦０．１０、
   ０．１≦ｍ≦０．３）なる組成を有することを特徴とす
   る請求項１記載の垂直磁気記録媒体。
3. 【請求項３】 上記磁性層の膜厚が２５０ｎｍ以上であ
   ることを特徴とする請求項１又は２記載の垂直磁気記録
   媒体。
4. 【請求項４】 非磁性支持体上に真空蒸着法によりＣｏ
   −Ｏ系垂直磁化膜よりなる磁性層を形成する垂直磁気記
   録媒体の製造方法において、 前記Ｃｏ−Ｏ系垂直磁化膜を成膜する際に、蒸発源から
   の蒸気流の入射角を蒸着開始時に７０°以上とし、且つ
   蒸着終了時に０〜１５°の範囲内とすることを特徴とす
   る垂直磁気記録媒体の製造方法。
5. 【請求項５】 上記Ｃｏ−Ｏ系垂直磁化膜が（Ｃｏ_1-x
   Ｎｉ_x ）_1-m Ｏ_m （ただし、０．０３≦ｘ≦０．１０、
   ０．１≦ｍ≦０．３）なる組成を有することを特徴とす
   る請求項４記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
6. 【請求項６】 上記磁性層の膜厚が２５０ｎｍ以上であ
   ることを特徴とする請求項４又は５記載の垂直磁気記録
   媒体の製造方法。
7. 【請求項７】 非磁性支持体上に真空蒸着法によりＣｏ
   −Ｏ系垂直磁化膜よりなる磁性層を形成する垂直磁気記
   録媒体の製造方法において、 前記Ｃｏ−Ｏ系垂直磁化膜を成膜した後、 前記非磁性支持体を加熱ロールの表面により支持し走行
   せしめながら下記の関係を満足する条件にて熱処理を行
   い、 続いて、前記非磁性支持体が前記加熱ロールの表面を離
   れてから該加熱ロールと一定の距離を空けて配設される
   ガイドロールと接触するまでの間で冷却される時間ｔ₂
   （秒）がｔ₂ ＞１．０とされることを特徴とする垂直磁
   気記録媒体の製造方法。 Ｔ＝−２０ｔ₁ ＋２５０ 且つ Ｔ≦２２０ 〔但し、上式中、Ｔは熱処理温度（℃）を表し、ｔ₁ は
   非磁性支持体と加熱ロールとの接触時間（秒）を表
   す。〕