JP3185314B2 - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、高密度記録が可能で、
垂直磁気記録方式に適した磁気記録媒体、特にディジタ
ル画像信号の記録再生に好適な磁気記録媒体及びその製
造方法に係わる。

【０００２】

【従来の技術】磁気記録の分野においては、年々高密度
化が要求されており、加えて信号形態もアナログ信号か
らディジタル信号に代わりつつあり、高密度化と共に信
号形態に合わせた媒体設計が必要とされている。

【０００３】これまで、磁気記録の方式は、面内に磁化
の容易軸を持った磁気記録媒体を用いる、いわゆる面内
磁気記録方式が主であったが、この方式では記録密度を
上げれば上げるほど磁気記録媒体の磁化方向が互いに反
発し合うように並ぶため、高密度化には自ずと限度があ
り、要求されるような高密度化を図ることは困難であ
る。

【０００４】更に、面内磁気記録方式では、磁化反転が
２回繰り返すパターンにおいて、それぞれの磁化反転の
間隔が詰まってくるほど（高密度化するほど）互いの磁
化反発及び波形干渉によるピークシフトが生じ、エラー
レートが悪化する等の欠点がある。

【０００５】そこで近年、磁気記録の新しい方式とし
て、膜面に対して垂直方向に磁化容易軸を有する磁気記
録媒体を用いる垂直磁気記録方式が開発され、その実用
化が期待されている。この垂直磁気記録方式によれば、
面内磁気記録方式に比べて減磁作用が極めて少なく、記
録密度を飛躍的に増大することが可能となる。

【０００６】そしてこのような垂直磁気記録方式により
ディジタル信号を記録再生する際の垂直磁気記録媒体と
しては、優れた磁気特性を有するＣｏＣｒ系合金の磁性
層を用いた垂直磁気記録媒体が注目されている。

【０００７】ところで、高密度化を進める中でトラック
ピッチは益々狭くなる傾向にあり、この場合媒体のノイ
ズはシステムのノイズに比べて相対的に小さくなること
から、媒体として求められる特性としては、Ｃ／Ｎ（キ
ャリア／ノイズ比）を大とするよりは、むしろＣ／Ｎが
同じでも高出力であることが求められている。記録媒体
内の磁気特性が製造方法によって急激に変化しない限り
においては、出力は残留磁化Ｍｒにほぼ比例することが
知られている。

【０００８】通常、垂直方向に配向されたＣｏＣｒ系磁
性層を有する磁気記録媒体においては、反磁界を補正し
た垂直方向の残留磁化Ｍｒは飽和磁化Ｍｓ及び垂直磁気
異方性Ｈｋに密接な関係があり、下記の式で表される。 Ｍｒ＝ｆ（Ｈｋ）＊Ｍｓ

【０００９】ここでｆ（Ｈｋ）は、図１９に示すよう
に、実効的な垂直磁気異方性Ｈｋ_effが３００ｋＡ／ｍ
未満で徐々に増大し、Ｈｋ_eff が３００ｋＡ／ｍ以上の
ときにほぼ１となる関係にあり、飽和磁化Ｍｓと垂直磁
気異方性Ｈｋとを共に大とすることによって、残留磁化
Ｍｒを大とすることができる。

【００１０】このようにＣｏＣｒ系磁気記録媒体におい
てより大なる出力を得るには、飽和磁化Ｍｓと垂直磁気
異方性Ｈｋとを共に増大させることが求められる。しか
しながら、実際的には、飽和磁化をあまり大きくする
と、磁性層自体の磁束に起因する反磁界の影響で、垂直
方向への結晶配向が乱れ、垂直磁気異方性Ｈｋは小さく
なってしまう場合がある。

【００１１】このような磁性層の磁気特性は、その成膜
方法に左右されることが知られている。例えば スパッ
タリング法により非磁性支持体上にＣｏＣｒ磁性層を被
着して磁気記録媒体を構成する場合、下記表１に示すよ
うに、ＣｏＣｒ磁性層のＣｒ含有量をより小とすると、
飽和磁化Ｍｓを大とすると実効的な垂直磁気異方性Ｈｋ
_eff もまた大とすることができる。

【００１２】またこれらの磁気記録媒体において、ディ
ジタルＶＴＲ（ビデオテープレコーダー）により再生出
力及びエラーレートを測定した。この場合、ギャップ長
０．１５〜０．１７μｍ、トラック幅７μｍ、飽和磁束
密度１４．５ｋＧのリング型磁気ヘッドを用いて相対速
度を７．５ｍ／ｓとして波長０．４５μｍのディジタル
信号の記録再生を行った。

【００１３】

【表１】

【００１４】この結果からわかるように、Ｃｒ含有量を
小としてＨｋ_eff 及びＭｓを４００ｋＡ／ｍ程度以上と
する場合は再生出力が＋３ｄＢ以上増加しており、更に
ディジタル信号のエラーレートが１×１０^-4以下とな
る。このように、エラー訂正符号の訂正処理の前の段階
のエラーレートが１０^-4以下となる場合は、２０％程度
の冗長度のエラー訂正符号を使用したときに、訂正可能
な程度の量にエラーを抑えることができる。従って、こ
のような磁気記録媒体は高密度の垂直磁気記録を行うデ
ィジタル画像信号の記録再生に好適となる。

【００１５】しかしながら、このスパッタリング法によ
り磁性層を被着する場合はその成膜速度が非常に遅く、
量産性に劣り、低コスト化をはかり難いという問題があ
る。このため、スパッタリング法に比して成膜速度が１
０倍程度大きく、大量生産に適した真空蒸着法による製
造が検討されている。

【００１６】ところが、この蒸着により非磁性支持体上
にＣｏＣｒ磁性層を被着して磁気記録媒体を構成する場
合は、被着した原子がスパッタリング原子に比べエネル
ギーが小さいため被着後の移動がほとんどなく、従って
結晶成長しにくいという傾向がある。従って、下記表２
に示すように、よりＣｒ含有量が大きい場合においては
垂直磁気異方性Ｈｋが大きく保たれているが、Ｃｒ含有
量を比較的小としてＭｓを３００ｋＡ／ｍ以上とする
と、垂直磁気異方性Ｈｋ_eff が１５０ｋＡ／ｍ以下と極
端に低下してしまい、再生出力もほとんど増加が見られ
なくなってしまう。また、エラーレートも７×１０^-4〜
２×１０^-3と格段に大となってしまう。

【００１７】

【表２】

【００１８】このため、従来は、大量生産に適した蒸着
法によってこのようなＣｏＣｒ磁性層を有する磁気記録
媒体を得ることはできなかった。

【００１９】この蒸着により成膜したＣｏＣｒ磁性層を
垂直磁気記録に適した媒体とするために、例えば特開昭
５８−７７０２５号公開公報において、ＣｏＣｒ磁性層
の下に、Ｔｉ下地層を設ける構成が提案されている。

【００２０】しかしながら、この場合は六方最密構造い
わゆるｈｃｐを有するＴｉ下地層のｃ軸方向の配向性を
良くする必要があり、高い垂直磁気異方性をもって磁性
層を構成することが難しい場合があった。例えば３００
ｋＡ／ｍ程度以上の高い飽和磁化Ｍｓを得るためにＣｒ
含有量を小とすると、垂直磁気異方性Ｈｋ_eff が低減化
してしまう場合があった。

【００２１】またポリエチレンテレフタレート（ＰＥ
Ｔ）基板上に、この基板に熱歪みを生じることなくＣｏ
Ｃｒ磁性層を蒸着するために、Ｔｉ、Ｓｉ、或いはＧｅ
下地層をスパッタリング法により成膜した後、ＣｏＣｒ
磁性層を蒸着して磁気記録媒体を得る製造方法が例えば
特開昭６１−２６９２２６号公開公報において提案され
ている。

【００２２】しかしながら、このようにＧｅ下地層をス
パッタリングにより設けた場合においても、充分大なる
垂直磁気異方性が得られない場合があり、また実際上、
成膜速度に劣るスパッタリング法により下地層を設ける
場合は、生産性の劣化を招く恐れがある。

【００２３】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述したよ
うなＣｏＣｒ系磁性層を用いた垂直磁気記録方式におい
て、高い飽和磁化及び高い垂直磁気異方性を得て高再生
出力が得られ、且つ生産性に優れた磁気記録媒体とその
製造方法を提供する。

【００２４】本発明は、非磁性支持体上に、この非磁性
支持体の温度を１５０℃以下としてＧｅより成る下地層
を、膜厚２０ｎｍ以下として蒸着する工程と、非磁性支
持体上の温度を１５０℃以上として、ＣｏＣｒより成る
磁性層を、膜厚１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下として蒸
着する工程とを有し、下地層を蒸着する際の非磁性支持
体の温度を、磁性層を蒸着する際の非磁性支持体の温度
より低い温度とする。

【００２５】

【００２６】

【００２７】

【００２８】

【００２９】

【００３０】

【作用】上述したように、本発明磁気記録媒体の製造方
法により製造した磁気記録媒体は、非磁性支持体上に、
蒸着によりＧｅ層より成る下地層が設けられ、この上に
蒸着によりＣｏＣｒ層より成る磁性層が、被着形成され
て成る構成を採るものである。

【００３１】

【００３２】一般に、ＣｏＣｒ磁性層の結晶配向〈００
１〉を進めることによって、即ち（００２）結晶面にお
けるＸ線回折強度Ｉ₀₀₂ を大とする場合に、垂直磁気異
方性が大きくなることが知られている。ＣｏＣｒ磁性層
の場合、表面エネルギーがより低い結晶方位、即ち〈０
０１〉配向し易い。しかしながら、一般にスパッタリン
グにより成膜する場合には結晶成長され易いが、蒸着に
より成膜する場合には結晶成長されにくいという傾向が
ある。このため、従来はスパッタリングにより磁性層を
被着した磁気記録媒体については飽和磁化Ｍｓを高めて
も垂直磁気異方性Ｈｋをも大とすることができたが、蒸
着により成膜した記録媒体では、飽和磁化Ｍｓを大とす
ると垂直磁気異方性Ｈｋが低下することとなっていたも
のと思われる。

【００３３】本発明製法により製造した磁気記録媒体に
おいては、Ｇｅ下地層及びＣｏＣｒ磁性層を蒸着により
成膜するものであるが、特にＧｅより成る下地層を蒸着
によって設ける構成とすることにより、垂直磁気異方性
を高め、〈００１〉配向し易くすることができた。この
ときの表面のＸ線回折像は、図２にをの一例を示すよう
に、実線ｐ₂ で示す（００２）結晶面の回折ピークのみ
がみられ、他の結晶面における回折はみられない。

【００３４】一方、Ｇｅ下地層を設けずにＣｏＣｒ磁性
層を被着した従来の磁気記録媒体においては、その表面
のＸ線回折像は、図３に示すように、実線Ｐ₁ で示す
（１００）結晶面における回折が、実線Ｐ₂ で示す（０
０２）結晶面における回折と共に比較的大きくみられる
こととなる。

【００３５】このように本発明製法により製造した磁気
記録媒体において〈００１〉配向しやすくすることがで
きたのは、次の理由によるものと思われる。一般に非晶
質の不均一な膜面上に成膜された層は、その表面エネル
ギーが低い結晶方位が成長し易いことが知られている。
本発明においては、蒸着Ｇｅ層より成る下地層を設ける
構成とするために、この下地層が確実に非晶質として成
膜されて、表面の原子配列の不均一さが緻密となる。即
ちこの場合スパッタリング成膜による場合や非磁性支持
体の表面等と比べてその不均一さにばらつきがなく、一
様で細かい不均一さを有する表面が形成されることとな
り、これの上に成膜される蒸着ＣｏＣｒ層より成る磁性
層が、その表面エネルギーの低い結晶方位である〈００
１〉配向となり易くなるものと思われる。これにより、
Ｉ₀₀₂ を大とできてＸ線回折強度比Ｉ₀₀₂ ／Ｉ₁₀₀ を１
００以上として垂直磁気異方性を大とすることができ
る。

【００３６】

【００３７】

【００３８】

【００３９】そして、本発明磁気記録媒体の製造方法に
よれば、非磁性支持体を１５０℃以下として、Ｇｅより
成る下地層を、膜厚２０ｎｍ以下として蒸着した後、こ
の上に、非磁性支持体の温度を１５０℃以上として蒸着
し、下地層を蒸着する際の非磁性支持体の温度を、磁性
層を蒸着する際の非磁性支持体の温度より低くすること
によって、高い垂直磁気異方性を得ると共に垂直方向の
保磁力Ｈｃを充分大として、再生出力を高めることがで
きる。

【００４０】

【実施例】以下本発明磁気記録媒体及び磁気記録装置の
各例について詳細に説明する。各例共に、カラービデオ
信号をディジタル化して磁気テープ等の垂直磁気記録媒
体に記録するディジタルＶＴＲに適用した場合で、下記
の順序に従って説明する。

【００４１】Ａ．記録再生装置の構成 ａ．信号処理部 ｂ．ブロック符号化 ｃ．チャンネルエンコーダ及びチャンネルデコーダ ｄ．走行系 Ｂ．記録再生特性の検討

【００４２】Ａ．記録再生装置の構成 ディジタルＶＴＲとしては、放送局用のＤ１フォーマッ
トのコンポーネント形ディジタルＶＴＲ及びＤ２フォー
マットのコンポジット形ディジタルＶＴＲが実用化され
ている。

【００４３】前者のＤ１フォーマットディジタルＶＴＲ
は、輝度信号及び第１、第２の色差信号をそれぞれ１
３．５ＭＨｚ、６．７５ＭＨｚのサンプリング周波数で
Ａ／Ｄ変換した後、所定の信号処理を行って磁気テープ
上に記録するもので、これらコンポーネント成分のサン
プリング周波数が４：２：２であることから、４：２：
２方式と称されている。

【００４４】一方、後者のＤ２フォーマットディジタル
ＶＴＲは、コンポジットカラービデオ信号をカラー副搬
送波信号の周波数の４倍の周波数の信号でサンプリング
を行ってＡ／Ｄ変換し、所定の信号処理を行った後、磁
気テープに記録するようにしている。

【００４５】いずれにしても、これらのディジタルＶＴ
Ｒは、共に放送局用に使用されることを前提に設計され
ているために、画質優先とされ、１サンプルが例えば８
ビットにＡ／Ｄ変換されたディジタルカラービデオ信号
を実質的に圧縮することなしに記録するようになされて
いる。

【００４６】従って、例えばＤ１フォーマットのディジ
タルＶＴＲでは、大型のカセットテープを使用しても高
々１．５時間程度の再生時間しか得られず、一般家庭用
のＶＴＲとして使用するには不適当である。

【００４７】そこで本実施例においては、例えば５μｍ
のトラック幅に対して最短波長０．５μｍの信号を記録
するようにし、記録密度４×１０⁵ ｂｉｔ／ｍｍ² 以
上、或いは８×１０⁵ ｂｉｔ／ｍｍ² 以上を実現すると
ともに、記録情報を再生歪みが少ないような形で圧縮す
る方法を併用することによって、テープ幅が８ｍｍ或い
はそれ以下の幅狭の磁気テープを使用しても長時間の記
録・再生が可能なディジタルＶＴＲに適用するものとす
る。

【００４８】ａ．信号処理部 図４は記録側の構成全体を示すものであり、１Ｙ、１
Ｕ、１Ｖでそれぞれ示す入力端子に、例えばカラービデ
オカメラからの三原色信号Ｒ、Ｇ、Ｂから形成されたデ
ィジタル輝度信号Ｙ、ディジタル色差信号Ｕ、Ｖが供給
される。この場合、各信号のクロックレートはＤ１フォ
ーマットの各コンポーネント信号の周波数と同一とされ
る。即ち、それぞれのサンプリング周波数が１３．５Ｍ
Ｈｚ、６．７５ＭＨｚとされ、且つこれらの１サンプル
当たりのビット数が８ビットとされている。従って、入
力端子１Ｙ、１Ｕ、１Ｖに供給される信号のデータ量と
しては、約２１６Ｍｂｐｓ（メガビット／秒）となる。
この信号のうちブランキング時間のデータを除去し、有
効領域の情報のみを取り出す有効情報抽出回路１０２に
よってデータ量が約１６７Ｍｂｐｓに圧縮される。

【００４９】そして、上記有効情報抽出回路１０２の出
力のうちの輝度信号Ｙが周波数変換回路１０３に供給さ
れ、サンプリング周波数が１３．５ＭＨｚからその３／
４に変換される。周波数変換回路１０３としては、例え
ば間引きフィルターが使用され、折り返し歪みが生じな
いようになされている。この周波数変換回路１０３の出
力信号は、ブロック化回路１０５に供給され、輝度デー
タの順序がブロックの順序に変換される。ブロック化回
路１０５は、後段に設けられたブロック符号化回路１０
８のために設けられている。

【００５０】図５は、符号化の単位のブロックの構造を
示す。この例は、３次元ブロックであって、例えば２フ
レームに跨がる画面を分割することにより、同図に示す
ように（４ライン×４画素×２フレーム）の単位ブロッ
クが多数形成される。尚、図５において実線は奇数フィ
ールドのラインを示し、破線は偶数フィールドのライン
を示す。

【００５１】また、有効情報抽出回路１０２の出力のう
ち、２つの色差信号Ｕ、Ｖがサブサンプリング及びサブ
ラインの回路１０４に供給され、サンプリング周波数が
それぞれ６．７５ＭＨｚからその半分に変換された後、
２つのディジタル色差信号が互いにライン毎に選択さ
れ、１チャンネルのデータに合成される。従って、この
サブサンプリング及びサブライン回路１０４からは線順
次化されたディジタル色差信号が得られる。

【００５２】このサブサンプリング及びサブライン回路
１０４によってサブサンプル及びサブライン化された信
号の画素構成を図６に示す。図６において、○は第１の
色差信号Ｕのサブサンプリング画素を示し、△は第２の
色差信号Ｖのサンプリング画素を示し、×はサブサンプ
ルによって間引かれた画素の位置を示す。

【００５３】上記サンプリング及びサブライン回路１０
４からの線順次化出力信号は、ブロック化回路１０６に
供給される。ブロック化回路１０６では一方のブロック
化回路１０５と同様に、テレビジョン信号の操作の順序
の色差データがブロックの順序のデータに変換される。
このブロック化回路１０６は、一方のブロック化回路１
０５と同様に、色差データを（４ライン×４画素×２フ
レーム）のブロック構造に変換する。そしてこれらブロ
ック化回路１０５及び１０６の出力信号が合成回路１０
７に供給される。

【００５４】合成回路１０７では、ブロックの順序に変
換された輝度信号及び色差信号が１チャンネルのデータ
に変換され、この合成回路１０７の出力信号がブロック
符号化回路１０８に供給される。ブロック符号化回路１
０８としては、後述するようにブロック毎のダイナミッ
クレンジに適応した符号化回路（ＡＤＲＣ(AdaptiveDyn
amic Range Coding) と称する）、ＤＣＴ(Discrete Cos
ine Transform) 回路等が適用できる。前記ブロック符
号化回路１０８からの出力信号は、更にフレーム化回路
１０９に供給され、フレーム構造のデータに変換され
る。このフレーム化回路１０９では、画素系のクロック
と記録系のクロックとの乗り換えが行われる。

【００５５】次に、フレーム化回路１０９の出力信号が
エラー訂正符号のパリティ発生回路１１０に供給され、
エラー訂正符号のパリティが生成される。パリティ発生
回路１１０の出力信号は、チャンネルエンコーダ１１１
に供給され、記録データの低域部分を減少させるような
チャンネルコーディングがなされる。チャンネルエンコ
ーダ１１１の出力信号が記録アンプ１１２Ａ、１１２Ｂ
と回転トランスを介して一対の磁気ヘッド１１３Ａ及び
１１３Ｂに供給され、磁気テープに記録される。尚、オ
ーディオ信号と、ビデオ信号とは別に圧縮符号化され、
チャンネルエンコーダ１１１に供給される。

【００５６】上述の信号処理によって、入力のデータ量
２１６Ｍｂｐｓが、有効走査期間のみを抽出することに
よって約１６７Ｍｂｐｓに低減され、更に周波数変換と
サブサンプル、サブラインとによってこれが８４Ｍｂｐ
ｓに減少される。このデータは、ブロック符号化回路１
０８で圧縮符号化することにより、約２５Ｍｂｐｓに圧
縮され、その後のパリティ、オーディオ信号等の付加的
な情報を加えて、記録データ量としては３１．５６Ｍｂ
ｐｓとなる。

【００５７】次に、再生側の構成について図７を参照し
て説明する。再生の際には、図７に示すように、先ず磁
気ヘッド１１３Ａ及び１１３Ｂからの再生データが回転
トランス及び再生アンプ１１４Ａ及び１１４Ｂを介して
チャンネルデコーダ１１５に供給される。チャンネルデ
コーダ１１５においてチャンネルコーディングの復調が
なされ、チャンネルデコーダ１１５の出力信号がＴＢＣ
回路（時間軸補正回路）１１６に供給される。このＴＢ
Ｃ回路１１６において、再生信号の時間軸変動成分が除
去される。ＴＢＣ回路１１６からの再生データがＥＣＣ
回路１１７に供給され、エラー訂正符号を用いたエラー
訂正とエラー修整とが行われる。ＥＣＣ回路１１７の出
力信号がフレーム分解回路１１８に供給される。

【００５８】フレーム分解回路１１８によって、ブロッ
ク符号化データの各成分がそれぞれ分離されると共に、
記録系のクロックから画素系のクロックへの乗り換えが
なされる。フレーム分解回路１１８で分離された各デー
タがブロック復号回路１１９に供給され、各ブロック単
位に原データと対応する復元データが復号され、復号デ
ータが分配回路１２０に供給される。この分配回路１２
０で復号データが輝度信号と色差信号に分離される。輝
度信号及び色差信号がブロック分解回路１２１、１２２
にそれぞれ供給される。ブロック分解回路１２１、１２
２は、記録側のブロック化回路１０５、１０６とは逆
に、ブロックの順序の復号データをラスター走査の順に
変換する。

【００５９】ブロック分解回路１２１からの復号輝度信
号が補間フィルタ１２３に供給される。補間フィルタ１
２３では、輝度信号のサンプリングレートが３ｆｓから
４ｆｓ（４ｆｓ＝１３．５ＭＨｚ）に変換される。補間
フィルター１２３からのディジタル輝度信号Ｙは出力端
子１２６Ｙに取り出される。

【００６０】一方、ブロック分解回路１２２からのディ
ジタル色差信号が分配回路１２４に供給され、線順次化
されたディジタル色差信号Ｕ、Ｖがディジタル色差信号
Ｕ及びＶにそれぞれ分離される。分配回路１２４からの
ディジタル色差信号Ｕ、Ｖが補間回路１２５に供給さ
れ、それぞれ補間される。補間回路１２５は、復元され
た画素データを用いて間引かれたライン及び画素のデー
タを補間するもので、補間回路１２５からはサンプリン
グレートが２ｆｓのディジタル色差信号Ｕ及びＶが得ら
れ、出力端子１２６Ｕ及び１２６Ｖにそれぞれ取り出さ
れる。

【００６１】ｂ．ブロック符号化 図４におけるブロック符号化回路１０８としては、ＡＤ
ＲＣエンコーダが用いられる。このＡＤＲＣエンコーダ
は、各ブロックに含まれる複数の画素データの最大値Ｍ
ＡＸと最小値ＭＩＮとを検出し、これら最大値ＭＡＸ及
び最小値ＭＩＮからブロックのダイナミックレンジＤＲ
を検出し、このダイナミックレンジＤＲに適応した符号
化を行い、原画素データのビット数よりも少ないビット
数により、再量子化を行うものである。ブロック符号化
回路１０８の他の例としては、各ブロックの画素データ
をＤＣＴ処理した後、このＤＣＴで得られた係数データ
を量子化し、量子化データをランレングス・ハフマン符
号化して圧縮符号化する構成を用いてもよい。

【００６２】ここでは、ＡＤＲＣエンコーダを用い、更
にマルチダビングしたときにも画質劣化が生じないエン
コーダの例を図８を参照して説明する。図８において、
入力端子２７に例えば１サンプルが８ビットに量子化さ
れたディジタルビデオ信号（或いはディジタル色差信
号）が図４の合成回路１０７より入力される。入力端子
２７からのブロック化データが最大値、最小値検出回路
２９及び遅延回路３０に供給される。最大値、最小値検
出回路２９は、ブロック毎に最小値ＭＩＮ、最大値ＭＡ
Ｘを検出する。遅延回路３０からは、最大値及び最小値
が検出されるのに要する時間、入力データを遅延させ
る。遅延回路３０からの画素データが比較回路３１及び
３２に供給される。

【００６３】最大値、最小値検出回路２９からの最大値
ＭＡＸが減算回路３３に供給され、最小値ＭＩＮが加算
回路３４に供給される。これらの減算回路３３及び加算
回路３４には、ビットシフト回路３５から４ビット固定
長でノンエッジマッチング量子化した場合の１量子化ス
テップ幅の値（Δ＝１／１６ＤＲ）が供給される。ビッ
トシフト回路３５は、（１／１６）の割算を行うよう
に、ダイナミックレンジＤＲを４ビットシフトする構成
とされている。減算回路３３からは（ＭＡＸ−Δ）のし
きい値が得られ、加算回路３４からは（ＭＩＮ＋Δ）の
しきい値が得られる。これらの減算回路３３及び加算回
路３４からのしきい値が比較回路３１、３２にそれぞれ
供給される。尚、このしきい値を規定する値Δは、量子
化ステップ幅に限らず、ノイズレベルに相当する固定値
としてもよい。

【００６４】比較回路３１の出力信号がＡＮＤゲート３
６に供給され、比較回路３２の出力信号がＡＮＤゲート
３７に供給される。ＡＮＤゲート３６及び３７には、遅
延回路３０からの入力データが供給される。比較回路３
１の出力信号は、入力データがしきい値より大きいとき
にハイレベルとなり、従ってＡＮＤゲート３６の出力端
子には、（ＭＡＸ〜ＭＡＸ−Δ）の最大レベル範囲に含
まれる入力データの画素データが抽出される。一方、比
較回路３２の出力信号は、入力データがしきい値より小
さいときにハイレベルとなり、従ってＡＮＤゲート３７
の出力端子には、（ＭＩＮ〜ＭＩＮ＋Δ）の最小レベル
範囲に含まれる入力データの画素データが抽出される。

【００６５】ＡＮＤゲート３６の出力信号が平均化回路
３８に供給され、ＡＮＤゲート３７の出力信号が平均化
回路３９に供給される。これらの平均化回路３８、３９
は、ブロック毎に平均値を算出するもので、端子４０か
らブロック周期のリセット信号が平均化回路３８、３９
に供給されている。平均化回路３８からは、（ＭＡＸ〜
ＭＡＸ−Δ）の最大レベル範囲に属する画素データの平
均値ＭＡＸ′が得られ、平均化回路３９からは（ＭＩＮ
〜ＭＩＮ＋Δ）の最小レベル範囲に属する画素データの
平均値ＭＩＮ′が得られる。平均値ＭＡＸ′から平均値
ＭＩＮ′が減算回路４１で減算され、この減算回路４１
からダイナミックレンジＤＲ′が得られる。

【００６６】また、平均値ＭＩＮ′が減算回路４２に供
給され、遅延回路４３を介された入力データから平均値
ＭＩＮ′が減算回路４２において減算され、最小値除去
後のデータＰＤＩが形成される。このデータＰＤＩ及び
修整されたダイナミックレンジＤＲ′が量子化回路４４
に供給される。この実施例では、量子化に割り当てられ
るビット数ｎが０ビット（コード信号を転送しない）、
１ビット、２ビット、３ビット、４ビットの何れかとさ
れる可変長のＡＤＲＣであって、エッジマッチング量子
化がなされる。割り当てビット数ｎは、ブロック毎にビ
ット数決定回路４５において決定され、ビット数ｎのデ
ータが量子化回路４４に供給される。

【００６７】可変長ＡＤＲＣは、ダイナミックレンジＤ
Ｒ′が小さいブロックでは、割り当てビット数ｎを少な
くし、ダイナミックレンジＤＲ′が大きいブロックで
は、割り当てビット数ｎを多くすることで、効率の良い
符号化を行うことができる。即ち、ビット数ｎを決定す
る際のしきい値をＴ１〜Ｔ４（Ｔ１＜Ｔ２＜Ｔ３＜Ｔ
４）とすると、（ＤＲ′＜Ｔ１）のブロックは、コード
信号が転送されず、ダイナミックレンジＤＲ′の情報の
みが転送され、（Ｔ１≦ＤＲ′＜Ｔ２）のブロックは、
（ｎ＝１）とされ、（Ｔ２≦ＤＲ′＜Ｔ３）のブロック
は、（ｎ＝２）とされ、（Ｔ３≦ＤＲ′＜Ｔ４）のブロ
ックは、（ｎ＝３）とされ、（ＤＲ′≧Ｔ４）のブロッ
クは、（ｎ＝４）とされる。

【００６８】かかる可変長ＡＤＲＣでは、しきい値Ｔ１
〜Ｔ４を変えることで、発生情報量を制御すること（い
わゆるバッファリング）ができる。従って、１フィール
ド或いは１フレーム当たりの発生情報量を所定値にする
ことが要求される本実施例のディジタルオーディオビデ
オテープレコーダのような伝送路に対しても可変長ＡＤ
ＲＣを適用できる。

【００６９】発生情報量を所定値にするためのしきい値
Ｔ１〜Ｔ４を決定するバッファリング回路４６では、し
きい値の組（Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４）が複数例えば３
２組用意されており、これらのしきい値の組がパラメー
タコードＰ_i （ｉ＝０、１、２、‥‥、３１）により区
別される。パラメータコードＰ_i の番号ｉが大きくなる
に従って、発生情報量が単調に減少するように設定され
ている。但し、発生情報量が減少するに従って、復元画
像の画質が劣化する。

【００７０】バッファリング回路４６からのしきい値Ｔ
１〜Ｔ４が比較回路４７に供給され、遅延回路４８を介
されたダイナミックレンジＤＲ′が比較回路４７に供給
される。遅延回路４８は、バッファリング回路４６でし
きい値の組が決定されるのに要する時間、ＤＲ′を遅延
させる。比較回路４７では、ブロックのダイナミックレ
ンジＤＲ′と各しきい値とがそれぞれ比較され、比較出
力がビット数決定回路４５に供給され、そのブロックの
割り当てビット数ｎが決定される。量子化回路４４では
ダイナミックレンジＤＲ′と割り当てビット数ｎとを用
いて遅延回路４９を介された最小値除去後のデータＰＤ
Ｉがエッジマッチングの量子化により、コード信号ＤＴ
に変換される。量子化回路４４は、例えばＲＯＭで構成
されている。

【００７１】遅延回路４８、５０をそれぞれ介して修整
されたダイナミックレンジＤＲ′、平均値ＭＩＮ′が出
力され、更にコード信号ＤＴとしきい値の組を示すパラ
メータコードＰ_i が出力される。この例では、一旦ノン
エッジマッチ量子化された信号が新たにダイナミックレ
ンジ情報に基づいて、エッジマッチ量子化されているた
めに、ダビングしたときの画像劣化は少ないものとされ
る。

【００７２】ｃ．チャンネルエンコーダ及びチャンネル
デコーダ次に、図４のチャネルエンコーダ１１１及びチ
ャンネルデコーダ１１５について説明する。チャンネル
エンコーダ１１１においては、図９に示すように、図４
におけるパリティ発生回路１１０の出力が供給される適
応型スクランブル回路で、複数のＭ系列のスクランブル
回路５１が用意され、その中で入力信号に対し最も高周
波成分及び直流成分の少ない出力が得られるようなＭ系
列が選択されるように構成されている。５２はパーシャ
ルレスポンス・クラス４検出方式のためのプリコーダ
で、１／１−Ｄ² （Ｄは単位遅延用回路）の演算処理が
なされる。このプリコーダ５２の出力を記録アンプ１１
２Ａ、１１２Ｂを介して磁気ヘッド１１３Ａ及び１１３
Ｂにより記録再生し、再生出力を再生アンプ１１４Ａ、
１１４Ｂによって増幅するようになされている。

【００７３】一方、チャンネルデコーダ１１５において
は、図１０に示すように、パーシャルレスポンス・クラ
ス４の再生側の演算処理回路５３は、１＋Ｄの演算が再
生アンプ１１４Ａ、１１４Ｂの出力に対して行われる。
また、いわゆるビタビ復号回路５４においては、演算処
理回路５３の出力に対してデータの相関性や確からしさ
等を用いた演算により、ノイズに強いデータの復号が行
われる。このビタビ復号回路５４の出力がディスクラン
ブル回路５５に供給され、記録側のスクランブル処理に
よって並び換えられたデータが元の系列に戻されて原デ
ータが復元される。この実施例において用いられるビタ
ビ復号回路５４によって、ビット毎の復号を行う場合よ
りも、再生Ｃ／Ｎ換算が３ｄＢで改良が得られる。

【００７４】ｄ．走行系 上述の磁気ヘッド１１３Ａ及び１１３Ｂは、例えば図１
１Ａに示すように、ドラム７６に対して１８０°の対向
間隔で取り付けられるか、或いは図１１Ｂに示すよう
に、例えば一体構造とされた形でドラム７６に取り付け
られる。ドラム７６の周面には、１８０°よりやや大き
いか、或いはやや小さい巻き付け角で磁気テープ（図示
せず）が斜めに巻き付けられている。図１１Ａに示すヘ
ッド配置では、磁気テープに対して磁気ヘッド１１３Ａ
及び１１３Ｂがほぼ交互に接し、図１１Ｂに示すヘッド
配置では、磁気ヘッド１１３Ａ及び１１３Ｂが同時に磁
気テープを走査する。

【００７５】また磁気ヘッド１１３Ａ及び１１３Ｂのそ
れぞれのギャップの延長方向（アジマス角と称する）は
互いに異ならしめて構成されており、例えば図１２に示
すように、磁気ヘッド１１３Ａと１１３Ｂとの間に、±
２０°のアジマス角が設定されて、このアジマス角の相
違により、磁気テープには、図１３に記録パターンの一
例を示すように、隣り合う記録トラックＴＡ及びＴＢに
おいて、アジマス角に相当する角度をもって互いに逆向
きに傾いて記録されるようになされる。従って、再生時
には、アジマス損失により、隣り合うトラック間のクロ
ストーク量を低減することができる。

【００７６】図１４及び図１５は、磁気ヘッド１１３Ａ
及び１１３Ｂを一体構造（いわゆるダブルアジマスヘッ
ド）とした場合のより具体的な構成を示す。例えば１５
０ｒｐｓ（ＮＴＳＣ方式）の高速で回転される上ドラム
７６に対して、一体構造の磁気ヘッド１１３Ａ及び１１
３Ｂが取り付けられ、下ドラム７７が固定とされてい
る。従って、磁気テープ７８には、１フィールドのデー
タが５本のトラックに分割して記録される。このセグメ
ント方式により、トラックの長さを短くすることができ
る。磁気テープ７８の巻き付け角θが、例えば１６６°
とされ、ドラム径φが１６．５ｍｍとされている。

【００７７】また、ダブルアジマスヘッドを使用し、同
時記録を行うこともできる。通常、上ドラム７６の回転
部の偏心等により、磁気テープ７８の振動が生じ、トラ
ックの直線性のエラーが発生する。図１６Ａにおいて矢
印ｄで示すように、磁気テープ７８が下側に押さえつけ
られ、また、図１６Ｂにおいて矢印ｕで示すように、磁
気テープ７８が上側に引っ張られ、これにより磁気テー
プ７８が振動し、トラックの直線性が劣化する。しかし
ながら、１８０°で一対の磁気ヘッドが対向配置された
ものと比較して、ダブルアジマスヘッドで同時記録を行
うことで、かかる直線性のエラー量を小さくできる。更
に、ダブルアジマスヘッドは、ヘッド間の距離が小さい
ので、ペアリング調整をより正確に行うことができる利
点がある。このようなテープ・ヘッド系により、幅狭の
トラックの記録再生を行うことができる。

【００７８】Ｂ．記録再生特性の検討 次に、本発明製造方法により製造した磁気記録媒体の各
例の磁気特性及び記録再生特性を測定した結果を示す。

【００７９】先ず、連続真空蒸着装置を用いて、図１に
示すように、厚さ例えば９μｍのポリイミドフィルム等
より成る非磁性支持体１上に、蒸着Ｇｅ層より成る下地
層２及び蒸着ＣｏＣｒ層より成る磁性層３を、作製条件
を変えて順次被着形成した。各層２及び３の各作製条件
を下記表３に示す。

【００８０】

【表３】

【００８１】この結果から得られた各磁気記録媒体のＣ
ｏＣｒ磁性層３の膜厚は２４０〜３００ｎｍであり、組
成はＣｒ含有量として１０〜２６ｗｔ％程度であった。
またＧｅ下地層２の厚さは５〜１００ｎｍ程度であっ
た。

【００８２】これら各磁気記録媒体の磁気特性の特に垂
直磁気異方性Ｈｋを振動試料型測定器において測定し、
更に結晶性をＸ線回折装置により測定した。Ｘ線解析の
測定条件を下記表４に示す。

【００８３】

【表４】

【００８４】各磁気記録媒体における磁気異方性Ｈｋと
Ｘ線回折強度比Ｉ₀₀₂ ／Ｉ₁₀₀ との関係を図１７に示
す。図１７からわかるように、本発明磁気記録媒体にお
いては、Ｘ線回折強度比Ｉ₀₀₂ ／Ｉ₁₀₀ を１００以上と
することから、４００ｋＡ／ｍ程度以上の充分大なる垂
直磁気異方性Ｈｋを得ることができる。このようにＸ線
回折強度比Ｉ₀₀₂ ／Ｉ₁₀₀ を高く、即ち〈００１〉配向
を大とすることができたのは、前述したように、蒸着Ｇ
ｅ層より成る下地層２の表面が、より一様で緻密な不均
一さをもって非晶質として形成されるため、確実にこれ
の上のＣｏＣｒ磁性層３をその表面エネルギーの小さい
配向である〈００１〉配向として成膜することができる
ものと思われる。

【００８５】また、このとき前述の記録再生装置におい
てそのエラーレートを測定した。この場合、トラック幅
７μｍに対して最短波長０．４５μｍのディジタルビデ
オ信号を記録し、ビデオギャップ長０．１５〜０．１７
μｍ、飽和磁束密度Ｂｓが１４．５ｋＧのリング型磁気
ヘッドを用い、相対速度を７．５ｍ／ｓとして測定し
た。この結果、本発明磁気記録媒体においては、そのエ
ラーレートは全て１×１０^-4以下となり、Ｘ線回折強度
比Ｉ₀₀₂ ／Ｉ₁₀₀ が１００未満の磁気記録媒体において
は、１×１０^-2〜５×１０^-3であった。このように、エ
ラー訂正符号の訂正処理前の段階のエラーレートが１×
１０^-4以下となる本発明磁気記録媒体においては、２０
％程度の冗長度のエラー訂正符号を使用したときに、訂
正可能な程度の量にエラーを抑えることができることと
なり、ディジタル画像信号の記録再生に適し、高密度垂
直磁気記録に好適な磁気記録媒体を得ることができる。

【００８６】次に、ＣｏＣｒ磁性層のＣｒ含有量を変化
させた場合の、磁気記録媒体の各例を説明する。この場
合においても、上述の磁気記録媒体と同様に、連続真空
蒸着装置によって図１に示すように、ポリイミドフィル
ム等の非磁性支持体１上にその温度を４０℃としてＧｅ
層を例えば膜厚７ｎｍとして蒸着して下地層２を形成し
た後、ＣｏＣｒ層より成る磁性層３を、その膜厚を２０
０〜２５０ｎｍ程度とし、非磁性支持体１の温度を２３
０℃としてＣｒ含有量を変化させて蒸着し、磁気記録媒
体を作製した。これら各例のＣｒ含有量と、飽和磁化Ｍ
ｓ及び垂直磁気異方性Ｈｋ、更に上述の例と同一の条件
をもって測定したエラーレートとを表５に示す。

【００８７】

【表５】

【００８８】この結果からわかるように、ＣｏＣｒ磁性
層３のＣｒ含有量を２０ａｔ％（原子％）以下とする実
施例１〜３においては、ほぼ４００ｋＡ／ｍ程度以上の
高い飽和磁化Ｍｓを保ちつつ、４００ｋＡ／ｍ以上の高
い垂直磁気異方性Ｈｋを得ることができ、これにより残
留磁化Ｍｒを大とすることができて、再生出力の増大化
をはかることができる。更にこの場合においても前述の
リング型磁気ヘッドによりディジタルビデオ信号のエラ
ーレートを測定した結果、１×１０^-4以下とすることが
できて、高密度の垂直磁気記録に適した磁気記録媒体を
得ることができる。

【００８９】次に、Ｇｅより成る下地層の膜厚を変化さ
せた場合の、磁気記録媒体の各例について説明する。こ
の場合においても、上述の蒸着装置において、厚さ例え
ば９μｍのポリイミドフィルム等の非磁性支持体１上
に、蒸着Ｇｅ層より成る下地層２と、蒸着ＣｏＣｒ層よ
り成る磁性層３とを、下記の表６に示す作製条件をもっ
てそれぞれ作製した。

【００９０】

【表６】

【００９１】この場合、非磁性支持体１の温度を４０℃
とし、蒸着Ｇｅ層より成る下地層２の膜厚を変化させて
磁気記録媒体を形成した。また比較のために、このＧｅ
下地層を設けずに非磁性支持体１上に直接的にＣｏＣｒ
磁性層３を、膜厚２００〜２５０ｎｍ程度、非磁性支持
体１の温度を２３０℃として蒸着した従来構成の磁気記
録媒体を用意し、この従来構成の磁気記録媒体に対する
各磁気記録媒体の飽和磁化Ｍｓの比と、垂直磁気異方性
Ｈｋの比とを測定した。この結果を下記の表７に示す。

【００９２】

【表７】

【００９３】この結果からわかるように、Ｇｅ下地層２
の膜厚ｄを大とすると、飽和磁化Ｍｓは、Ｇｅ下地層を
設けない場合に比して徐々に減少するが、２０ｎｍ以下
程度とする本発明実施例４〜６においては、Ｇｅ下地層
を設けない場合に比し７５％程度とできて実質的にＭｓ
を４００ｋＡ／ｍ程度以上に保持できるが、膜厚ｄを２
０ｎｍを越える例えば３３ｎｍ以上とする比較例４〜６
においては、５０％程度以下に落ち込んでしまい、充分
大なるＭｓが得られない。また、垂直磁気異方性Ｈｋ
_eff については、膜厚ｄを２０ｎｍ以下とするときにＧ
ｅ下地層を設けない場合に比し大となり、特にＧｅ下地
層の膜厚を小とする程、２〜３倍程度の高い垂直磁気異
方性Ｈｋ_eff を得ている。しかしながら、膜厚ｄを３３
ｎｍ程度以上とする場合は、垂直磁気異方性Ｈｋ_eff の
低下が顕著となっている。このように、膜厚を３３ｎｍ
程度以上とする比較例４〜６において、著しく飽和磁化
Ｍｓ及び垂直磁気異方性Ｈｋ_eff が低減化し、Ｇｅ下地
層を設けることによって磁気特性が悪化するのは、Ｇｅ
とＣｏが拡散しているためと思われる。従って、本発明
においてはＧｅ下地層２の膜厚を２０ｎｍ以下と選定す
るものである。またこの場合、Ｇｅ下地層２の蒸着によ
り垂直磁気異方性を大とする効果を得るために、その膜
厚は３ｎｍ以上程度とすることが望ましい。

【００９４】更にこの場合、前述の例と同様の条件をも
ってエラーレートを測定したところ、本発明実施例４〜
６においてはいずれも１×１０^-4以下とすることがで
き、従って高密度の垂直磁気記録に適した磁気記録媒体
を得ることができた。

【００９５】次に、Ｇｅ下地層を、その膜厚を７ｎｍ、
非磁性支持体の温度を４０℃として蒸着した後、ＣｏＣ
ｒ磁性層を５０ｎｍ〜５００ｎｍ程度に膜厚δを変化さ
せて蒸着し、得られた各磁気記録媒体について、飽和磁
束密度Ｂｓが１２ｋＧのリング型磁気ヘッドを用いて、
各磁気記録媒体の再生出力の波長依存性を調べた。この
結果を図１８に示す。図１８からわかるように、実線ｄ
で示す膜厚δを５０ｎｍとする例では、実線ｃで示す膜
厚δを１００ｎｍとする例に比して、測定した全領域に
おいて５ｄＢ程度出力が低くなる。これに対し、膜厚δ
を大とすると出力は徐々に増大するが、実線ｂで示す膜
厚δを２００ｎｍとする場合と、実線ａで示す膜厚δを
５００ｎｍとする場合とは殆ど出力差がないことがわか
る。

【００９６】即ち、ＣｏＣｒ磁性層は、膜厚を大とする
ことによって徐々に出力が大となり、１００ｎｍ程度で
充分高い出力が得られるが、２００ｎｍ以上５００ｎｍ
程度とすると出力の増加が見られなくなり、３００ｎｍ
を越える膜厚とする場合はその成膜時間が長くなるため
に、生産性の低下を招く恐れがある。このため、本発明
においては、ＣｏＣｒ磁性層の膜厚は１００ｎｍ以上３
００ｎｍ以下とするものである。

【００９７】次に、各層の蒸着時の非磁性支持体の温度
を変化させた場合の、磁気記録媒体の各例について説明
する。この場合においても、表６に示す作製条件によ
り、Ｇｅ下地層蒸着時の非磁性支持体の温度即ち蒸着温
度と、ＣｏＣｒ磁性層の蒸着温度とをそれぞれ変化させ
て磁気記録媒体を作製し、それぞれ磁気特性の測定を行
った。

【００９８】先ず、Ｇｅ下地層の蒸着温度を変えたとき
の垂直磁気異方性Ｈｋ_eff を、この場合においてもＧｅ
下地層を設けない場合との比として求めた。各例共に、
Ｇｅ下地層の膜厚を７ｎｍ、ＣｏＣｒ磁性層の膜厚を２
００〜２５０ｎｍ、ＣｏＣｒ磁性層の蒸着温度を２３０
℃として作製した。各例の磁気特性を表８に示す。

【００９９】

【表８】

【０１００】この結果からわかるように、蒸着温度を大
とするにつれ垂直磁気異方性Ｈｋ_{ef f} は増大するが、１
５０℃を越えると低下してしまう。従って、本発明磁気
記録媒体の製造方法においては、Ｇｅ下地層の蒸着温度
を１５０℃以下とするものである。また、前述の記録再
生装置により、同様の測定条件をもってディジタル信号
のエラーレートを測定したところ、この場合においても
エラーレートを１×１０^-4以下とすることができた。

【０１０１】次に、Ｇｅ下地層の膜厚を７ｎｍ、蒸着温
度を４０℃、ＣｏＣｒ磁性層の膜厚を２００〜２５０ｎ
ｍ程度として、ＣｏＣｒ磁性層の蒸着温度を変化させて
磁気記録媒体を作製し、各例において膜面に垂直な方向
の保磁力を測定した。またこのときのディジタル信号の
エラーレートを、上述の例と同様に測定した。この結果
を表９に示す。

【０１０２】

【表９】

【０１０３】この結果から、ＣｏＣｒ磁性層の蒸着温度
を大とすると保磁力が大となる傾向があり、特に１５０
℃以上とする本発明実施例１２及び１３においては、４
０ｋＡ／ｍ程度以上の充分高い保磁力を得ている。この
ように４０ｋＡ／ｍ程度以上の保磁力を有することによ
って、記録再生減磁が抑制されることとなる。前述の記
録再生装置によりディジタル信号の記録を行った後、１
分間再生を行ったときの出力減少は、垂直方向の保磁力
が４０ｋＡ／ｍの場合は１ｄＢ以下であるが、保磁力が
２４ｋＡ／ｍ程度のときは３ｄＢと比較的大となること
から、この垂直方向の保磁力を４０ｋＡ／ｍ程度以上と
なる場合に、記録再生減磁の少ない磁気記録媒体を得る
ことができる。また、特に実施例１３において、即ちＣ
ｏＣｒ磁性層の蒸着温度を１５０℃とした場合には、飽
和磁化Ｍｓは４５０ｋＡ／ｍ程度と充分大とすることが
できた。

【０１０４】そしてこの場合においても、ＣｏＣｒ磁性
層３の蒸着温度を１５０℃以上とすることによって、エ
ラーレートをほぼ１×１０^-4以下とすることができて、
高密度の垂直磁気記録に適した磁気記録媒体を得ること
ができる。

【０１０５】そして前述の表８及び表９の結果からもわ
かるように、本発明磁気記録媒体の製造方法によれば、
Ｇｅ下地層の蒸着温度を１５０℃以下とし、ＣｏＣｒ磁
性層の蒸着温度を１５０℃として、Ｇｅ下地層の蒸着温
度をＣｏＣｒ磁性層の蒸着温度より低くすることによっ
て、確実に、垂直磁気異方性、飽和磁化及び垂直方向の
保磁力を大とすることができて、残留磁化Ｍｒを大とし
て記録再生出力の増大化をはかり、且つ記録再生減磁を
抑制することができる。更に、エラーレートを抑制でき
て、ディジタル画像信号の記録再生に適し、高密度垂直
磁気記録に好適な磁気記録媒体を得ることができる。

【０１０６】尚、本発明磁気記録媒体及びその製造方法
は、上述の各実施例に限ることなく、本発明の要旨を逸
脱しない範囲でその他種々の変更が可能である。。

【０１０７】

【発明の効果】上述したように、本発明磁気記録媒体の
製造方法によれば、非磁性支持体上に、非磁性支持体の
温度を１５０℃以下としてＧｅより成る下地層を、膜厚
２０ｎｍ以下として蒸着した後、非磁性支持体上の温度
を１５０℃以上として、ＣｏＣｒより成る磁性層を、膜
厚１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下として蒸着し、下地層
の蒸着温度を磁性層の蒸着温度より低い温度として磁気
記録媒体を製造することによって、４００ｋＡ／ｍ程度
以上の飽和磁化Ｍｓ及び垂直磁気異方性Ｈｋ_effを得る
ことができ、高い残留磁化を得ることができることとな
って、広い波長帯域において記録再生出力の増大化をは
かることができて、且つ生産性の低下を回避することが
できる。

【０１０８】

【０１０９】

【０１１０】

【０１１１】また本発明磁気記録媒体の製造方法によれ
ば、Ｇｅ下地層の蒸着温度を１５０℃以下とし、ＣｏＣ
ｒ磁性層の蒸着温度を１５０℃以上とすることによっ
て、高い垂直磁気異方性を得、且つ垂直方向の保磁力を
大とすることでき、記録再生出力の増大化をはかること
ができる。

【０１１２】更に、本発明製造方法による磁気記録媒体
においては、ディジタルビデオ信号の記録再生における
エラーレートを１×１０^-4以下程度と低く抑えることが
できて、ディジタル画像信号の記録再生に適用して好適
な垂直磁気記録媒体を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明磁気記録媒体の一例の略線的拡大断面図
である。

【図２】本発明磁気記録媒体の一例のＸ線回折強度を示
す図である。

【図３】従来の磁気記録媒体の一例のＸ線回折強度を示
す図である。

【図４】磁気記録装置の記録側信号処理部の一例の構成
図である。

【図５】符号化の単位のブロックを示す図である。

【図６】信号の画素構成を示す図である。

【図７】磁気記録装置の再生側信号処理部の一例の構成
図である。

【図８】磁気記録装置のブロック符号化回路の一例の構
成図である。

【図９】チャンネルエンコーダの一例の構成図である。

【図１０】チャンネルデコーダの一例の構成図である。

【図１１】ヘッド配置の説明図である。

【図１２】回転パターンの説明図である。

【図１３】記録パターンの説明図である。

【図１４】ヘッド配置の説明図である。

【図１５】ヘッド配置の説明図である。

【図１６】磁気テープの振動の説明図である。

【図１７】垂直磁気異方性とＸ線回折強度比との関係を
示す図である。

【図１８】再生出力の波長依存性を示す図である。

【図１９】垂直磁気異方性の説明図である。

【符号の説明】

１ 非磁性支持体 ２ 下地層 ３ 磁性層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G11B 5/62 - 5/858

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 非磁性支持体上に、 該非磁性支持体の温度を１５０℃以下としてＧｅより成
   る下地層を、膜厚２０ｎｍ以下として蒸着する工程と、 該非磁性支持体上の温度を１５０℃以上として、ＣｏＣ
   ｒより成る磁性層を、膜厚１００ｎｍ以上３００ｎｍ以
   下として蒸着する工程とを有し、 上記下地層を蒸着する際の上記非磁性支持体の温度は、
   上記磁性層を蒸着する際の上記非磁性支持体の温度より
   低い温度とする ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方
   法。