JPS61276798A - 熱間静水圧プレスによるスパッタリング装置用ターゲットの製造方法 - Google Patents
熱間静水圧プレスによるスパッタリング装置用ターゲットの製造方法Info
- Publication number
- JPS61276798A JPS61276798A JP60117547A JP11754785A JPS61276798A JP S61276798 A JPS61276798 A JP S61276798A JP 60117547 A JP60117547 A JP 60117547A JP 11754785 A JP11754785 A JP 11754785A JP S61276798 A JPS61276798 A JP S61276798A
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- JP
- Japan
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- powder
- sealing
- hydrostatic pressure
- target
- pressure press
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- Press Drives And Press Lines (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＭＯＳ−ＩＣに使用される？−）電極材料を形
成するに用いるに好適な、高密度の高融点金属シリサイ
ドからなるスノ々ツタリング装置用ターゲットなどを熱
間静水圧プレスを用いて成形する製造方法に関する。
成するに用いるに好適な、高密度の高融点金属シリサイ
ドからなるスノ々ツタリング装置用ターゲットなどを熱
間静水圧プレスを用いて成形する製造方法に関する。
近年ＭＯＳ型ＬＳＩのダート電極に、比抵抗の小さいモ
リブデンやタングステンなどの高融点金属のシリサイド
（珪化物）が用いられるようになってきた。こうして高
融点金属のシリサイドの膜を形成するには、高融点金属
のシリサイド製のターダ、トを用いたスパッタリング法
が主として採用されている。
リブデンやタングステンなどの高融点金属のシリサイド
（珪化物）が用いられるようになってきた。こうして高
融点金属のシリサイドの膜を形成するには、高融点金属
のシリサイド製のターダ、トを用いたスパッタリング法
が主として採用されている。
高融点金属のシリサイド特にモリブデンシリサイド製の
ターゲットは、一般にモリブデン粉末とシリコン粉末と
の混合粉を原料とするか、あるいはモリブデンシリサイ
ド粉末を原料としてホウトノレス法或いは無加圧真空焼
結法で製造されている。
ターゲットは、一般にモリブデン粉末とシリコン粉末と
の混合粉を原料とするか、あるいはモリブデンシリサイ
ド粉末を原料としてホウトノレス法或いは無加圧真空焼
結法で製造されている。
ホットプレス法で相対密度９０チ以上であるターゲット
を製造する場合には加熱温度１４００℃以上、圧力１０
０ ｋｇ７ｅ−以上が必要となる。しかしながら、加圧
容器にカー？ン材料を用いた場合には加熱温度が高いた
めにターゲツト材へのカーがン（Ｃ）の混入が問題であ
シ、また加圧容器にセラば、り材料を用いた場合にはタ
ーｙｙ）への材料の混入は無いものの容器の破損が問題
となっている。
を製造する場合には加熱温度１４００℃以上、圧力１０
０ ｋｇ７ｅ−以上が必要となる。しかしながら、加圧
容器にカー？ン材料を用いた場合には加熱温度が高いた
めにターゲツト材へのカーがン（Ｃ）の混入が問題であ
シ、また加圧容器にセラば、り材料を用いた場合にはタ
ーｙｙ）への材料の混入は無いものの容器の破損が問題
となっている。
また、例えば直径が１８０１ｍ未満、厚み１０１１ＩＩ
未満のターゲットを一枚成形する場合は、直径中心まで
均一に９０％以上で圧密出来るが、量産用の直径２２０
ｍ、厚み４０■ターｒツトをホットプレス成形する場合
、外周部は９０−以上の密度が得られるが中央部は８０
チ程度となシ、ターグツト自体の圧密不足、圧密むらが
起シ、スパッタ成膜に粒状物が付着し膜特性を損うとい
う問題もあったＯ 一方、無加圧真空焼結法による場合は、焼結温度１７０
０℃においても約６０〜７０チの密度しか得られず密度
不足の九めにほとんど実用に供し得なかった。
未満のターゲットを一枚成形する場合は、直径中心まで
均一に９０％以上で圧密出来るが、量産用の直径２２０
ｍ、厚み４０■ターｒツトをホットプレス成形する場合
、外周部は９０−以上の密度が得られるが中央部は８０
チ程度となシ、ターグツト自体の圧密不足、圧密むらが
起シ、スパッタ成膜に粒状物が付着し膜特性を損うとい
う問題もあったＯ 一方、無加圧真空焼結法による場合は、焼結温度１７０
０℃においても約６０〜７０チの密度しか得られず密度
不足の九めにほとんど実用に供し得なかった。
一方、モリブデンシリサイド粉末を圧密用封入（缶に封
入し熱間静水圧プレスにより圧密焼結することにより、
低温で高密度化でき均一な組成分布であり、かつ不純物
の混入のないターゲットを成形することが出来る。
入し熱間静水圧プレスにより圧密焼結することにより、
低温で高密度化でき均一な組成分布であり、かつ不純物
の混入のないターゲットを成形することが出来る。
第１表はモリブデンシリサイド粉末をホットプレス、無
加圧焼結および熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）によシ焼結
成形した条件を示すもので、第１表の条件によシ焼結成
形したターゲットの特性を示したものが表２である。こ
れらの表よシ熱間静水圧プレスによる焼結成形のすぐれ
ていることが判る。
加圧焼結および熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）によシ焼結
成形した条件を示すもので、第１表の条件によシ焼結成
形したターゲットの特性を示したものが表２である。こ
れらの表よシ熱間静水圧プレスによる焼結成形のすぐれ
ていることが判る。
しかし、熱間静水圧プレス成形工程において、圧密用封
入缶として経済的に使用できる鉄を主体とする金属缶材
を用いることができるが、この場合は本合金のＳｉと容
易に１２００℃で共晶反応し、缶が破壊したシあるいは
缶材による汚染を生じる。
入缶として経済的に使用できる鉄を主体とする金属缶材
を用いることができるが、この場合は本合金のＳｉと容
易に１２００℃で共晶反応し、缶が破壊したシあるいは
缶材による汚染を生じる。
又、缶材と成形体の界面が接着しているため、缶材と成
形体の熱膨張差によシ成形体に引張応力が働き成形体に
クラ、りを生じることがある。
形体の熱膨張差によシ成形体に引張応力が働き成形体に
クラ、りを生じることがある。
第１表
第２表
〔問題点を解決するための手段〕
上記問題を解決するために本発明は高融点金属シリサイ
ド粉末を圧密用封入缶に封入し、熱間静水圧プレス（Ｈ
ＩＰ）法により成形焼結するのに用いる圧密用封入缶の
内面にあらかじめＢＮ粉末を塗布した封入缶を用いたこ
とを特徴とするものであり、このようにすることＫよυ
熱間静水圧プレス工程における缶材とター１’ ｙ ）
材の反応あるいはターｃｙトのクラックなどの欠陥を防
止することが出来る。
ド粉末を圧密用封入缶に封入し、熱間静水圧プレス（Ｈ
ＩＰ）法により成形焼結するのに用いる圧密用封入缶の
内面にあらかじめＢＮ粉末を塗布した封入缶を用いたこ
とを特徴とするものであり、このようにすることＫよυ
熱間静水圧プレス工程における缶材とター１’ ｙ ）
材の反応あるいはターｃｙトのクラックなどの欠陥を防
止することが出来る。
さらに望ましくはＢＮ粉末のはくシによる局部的な浸蝕
あるいはＢＮの汚染を防ぐためにＢＮ塗布の内側に成形
体を構成する金属の箔を内張ルすることによシ完全なも
のとなる。
あるいはＢＮの汚染を防ぐためにＢＮ塗布の内側に成形
体を構成する金属の箔を内張ルすることによシ完全なも
のとなる。
以下、本発明を実施例に基づきよシ詳ａＫ説明する。
純度９９．９８１のモリブデンのインプットと、純度９
９．９９９９％のシリコンインゴットとを、Ｍ。
９．９９９９％のシリコンインゴットとを、Ｍ。
Ｓ１２．５ （モリブデン５７．２％、シリコン４２．
８％）となるように配合しプラズマアーク溶解炉にて溶
解した。得られた合金を振動式粉砕機にて粉砕し、得ら
れた粉末１００重量部に対し、て６．４重量部のシリコ
ン粉末（上記シリコンインゴットを同様に粉砕したもの
）を添加して焼結用原料粉とした。
８％）となるように配合しプラズマアーク溶解炉にて溶
解した。得られた合金を振動式粉砕機にて粉砕し、得ら
れた粉末１００重量部に対し、て６．４重量部のシリコ
ン粉末（上記シリコンインゴットを同様に粉砕したもの
）を添加して焼結用原料粉とした。
次にこの粉末を用いて第１表に示したと同じ条件で軟鋼
層の内面に厚み０．２ ｖｍにＢＮ粉末を塗布した缶Ｂ
Ｎ粉末塗布した内側に厚み０．２ＷのＭ。
層の内面に厚み０．２ ｖｍにＢＮ粉末を塗布した缶Ｂ
Ｎ粉末塗布した内側に厚み０．２ＷのＭ。
箔を丙張りした缶およびＢＮ粉末を塗布しない缶とを用
いてＨＩＰ成形した。ＢＮ粉末を塗布しない缶材のＦ・
と原料粉中のＳｌが共晶反応して缶壁が溶融し形をとど
めないほど変形し同時に成形体にクラックが発生したが
ＢＮ粉末を塗布した缶はＢＮ膜によシ缶材のＦ・と原料
粉中のＳｔが隔てられているためにＦ・と８１０ＢＮ粉
のはくりした局部的な反応しか起らず、原料粉は所望形
状に焼結１ されクラックの発生はなかっ
た。ＢＮ粉末を塗布しさらにＭｏ箔を内張りした缶では
全く成形体と缶材の間に反応は起きなかりた。第３表は
各缶材を用いたときのターゲットへの缶材・Ｆ・の侵入
を示したものである。
いてＨＩＰ成形した。ＢＮ粉末を塗布しない缶材のＦ・
と原料粉中のＳｌが共晶反応して缶壁が溶融し形をとど
めないほど変形し同時に成形体にクラックが発生したが
ＢＮ粉末を塗布した缶はＢＮ膜によシ缶材のＦ・と原料
粉中のＳｔが隔てられているためにＦ・と８１０ＢＮ粉
のはくりした局部的な反応しか起らず、原料粉は所望形
状に焼結１ されクラックの発生はなかっ
た。ＢＮ粉末を塗布しさらにＭｏ箔を内張りした缶では
全く成形体と缶材の間に反応は起きなかりた。第３表は
各缶材を用いたときのターゲットへの缶材・Ｆ・の侵入
を示したものである。
第３表
〔発明の効果〕
以上の通シ本発明によれば、ＭＯ８型ＬＳＩのダート電
極膜を形成するに好適なモリブデンシリサイド合金から
なるターゲットが提供される。このりＩ” ｙ ）は高
強度であシ、取扱いが容易である。
極膜を形成するに好適なモリブデンシリサイド合金から
なるターゲットが提供される。このりＩ” ｙ ）は高
強度であシ、取扱いが容易である。
また、本発明によれば、モリブデンシリサイド以外の高
融点金属シリサイドターゲットを容易に製造することが
できる。
融点金属シリサイドターゲットを容易に製造することが
できる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、原料粉末を圧密封入缶内に封入し熱間静水圧プレス
焼結するに際し、圧密用封入缶の内面にＢＮ粉末を塗布
した封入缶を用いることを特徴とする熱間静水圧プレス
製造方法。 ２、上記ＢＮを塗布した圧密用封入缶の内面をさらに金
属箔体で内張りした封入缶を用いることを特徴とする熱
間静水圧プレス製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60117547A JPH0829435B2 (ja) | 1985-05-30 | 1985-05-30 | 熱間静水圧プレスによるスパッタリング装置用ターゲットの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60117547A JPH0829435B2 (ja) | 1985-05-30 | 1985-05-30 | 熱間静水圧プレスによるスパッタリング装置用ターゲットの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61276798A true JPS61276798A (ja) | 1986-12-06 |
| JPH0829435B2 JPH0829435B2 (ja) | 1996-03-27 |
Family
ID=14714505
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60117547A Expired - Fee Related JPH0829435B2 (ja) | 1985-05-30 | 1985-05-30 | 熱間静水圧プレスによるスパッタリング装置用ターゲットの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0829435B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010106351A (ja) * | 2008-10-31 | 2010-05-13 | Kuroki Kogyosho:Kk | Ｈｉｐ法による容器を含む処理物の処理方法 |
| CN104057083A (zh) * | 2013-03-22 | 2014-09-24 | 通用电气公司 | 用于制造以高熔点金属材料为基材的零件的方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52147509A (en) * | 1976-06-01 | 1977-12-08 | Special Metals Corp | Process and apparatus for production of solidifying element |
| JPS56141998A (en) * | 1980-04-03 | 1981-11-05 | Ngk Spark Plug Co Ltd | Mold for hot press |
-
1985
- 1985-05-30 JP JP60117547A patent/JPH0829435B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52147509A (en) * | 1976-06-01 | 1977-12-08 | Special Metals Corp | Process and apparatus for production of solidifying element |
| JPS56141998A (en) * | 1980-04-03 | 1981-11-05 | Ngk Spark Plug Co Ltd | Mold for hot press |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010106351A (ja) * | 2008-10-31 | 2010-05-13 | Kuroki Kogyosho:Kk | Ｈｉｐ法による容器を含む処理物の処理方法 |
| CN104057083A (zh) * | 2013-03-22 | 2014-09-24 | 通用电气公司 | 用于制造以高熔点金属材料为基材的零件的方法 |
| CN104057083B (zh) * | 2013-03-22 | 2016-02-24 | 通用电气公司 | 用于制造以高熔点金属材料为基材的零件的方法 |
| US10322454B2 (en) | 2013-03-22 | 2019-06-18 | General Electric Company | Method for manufacturing high melting point metal based objects |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0829435B2 (ja) | 1996-03-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |