JPH0666288B2 - スパッタリング装置用ターゲット - Google Patents
スパッタリング装置用ターゲットInfo
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- JPH0666288B2 JPH0666288B2 JP63323064A JP32306488A JPH0666288B2 JP H0666288 B2 JPH0666288 B2 JP H0666288B2 JP 63323064 A JP63323064 A JP 63323064A JP 32306488 A JP32306488 A JP 32306488A JP H0666288 B2 JPH0666288 B2 JP H0666288B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はスパッタリング装置用ターゲットに係り、特に
MOS−ICに使用されるゲート電極材料を形成するに用い
るに好適な、高密度のモリブデンシリサイドからなるス
パッタリング装置用ターゲットに関する。
MOS−ICに使用されるゲート電極材料を形成するに用い
るに好適な、高密度のモリブデンシリサイドからなるス
パッタリング装置用ターゲットに関する。
［従来の技術］ 近年MOS型LSIのゲート電極に、比抵抗の小さいモリブデ
ンやタングステンなどの高融点金属のシリサイド（珪化
物）が用いられるようになってきた。こうした高融点金
属のシリサイドの膜を形成するには、高融点金属のシリ
サイド製のターゲットを用いたスパッタリング法が主と
して採用されている。
ンやタングステンなどの高融点金属のシリサイド（珪化
物）が用いられるようになってきた。こうした高融点金
属のシリサイドの膜を形成するには、高融点金属のシリ
サイド製のターゲットを用いたスパッタリング法が主と
して採用されている。
高融点金属のシリサイド特にモリブデンシリサイド製の
ターゲットは、一般にモリブデン粉末とシリコン粉末と
を原料としてホットプレス法或るいは無加圧真空焼結法
で製造されている。
ターゲットは、一般にモリブデン粉末とシリコン粉末と
を原料としてホットプレス法或るいは無加圧真空焼結法
で製造されている。
［発明が解決しようとする課題］ しかるに、モリブデンとシリコンとの粉末を混合し加熱
すると、大きな反応熱が急激に発生し、ガスが発生する
と共に、寸法の著しい変化が生じるので、プレス成形し
た形状、寸法通りの焼結品を得ることは甚だ困難であ
る。
すると、大きな反応熱が急激に発生し、ガスが発生する
と共に、寸法の著しい変化が生じるので、プレス成形し
た形状、寸法通りの焼結品を得ることは甚だ困難であ
る。
また加圧容器中にモリブデン粉末とシリコン粉末とを入
れ、ホットプレスすることにより所定形状の焼結品を得
ようとしても、この容器が破壊されるほどの圧が内部に
生じ、ホットプレス法によっても所定形状で高密度のタ
ーゲットを得ることは容易でない。
れ、ホットプレスすることにより所定形状の焼結品を得
ようとしても、この容器が破壊されるほどの圧が内部に
生じ、ホットプレス法によっても所定形状で高密度のタ
ーゲットを得ることは容易でない。
特開昭57−145981号には、組成や製法については全く開
示されていないが、モリブデンシリサイドのターゲット
をホットプレス法により製造する旨の記載があるが、こ
のターゲットはやはり強度が十分でないために、裏面に
金属膜を設けるなどの補強処理を必要とする。即ち、特
開昭57−145981には、「ホットプレス法でモリブデンシ
リサイドのターゲット本体を作り」とあるが、その組成
や密度、製造条件等が適当でないために、補強処理を施
さずに使用に供することができる程度の十分な強度を有
するターゲットを得ることができないのである。
示されていないが、モリブデンシリサイドのターゲット
をホットプレス法により製造する旨の記載があるが、こ
のターゲットはやはり強度が十分でないために、裏面に
金属膜を設けるなどの補強処理を必要とする。即ち、特
開昭57−145981には、「ホットプレス法でモリブデンシ
リサイドのターゲット本体を作り」とあるが、その組成
や密度、製造条件等が適当でないために、補強処理を施
さずに使用に供することができる程度の十分な強度を有
するターゲットを得ることができないのである。
このようなことから、モリブデンシリサイド合金系のタ
ーゲットの使用ではなく、特開昭開57−145982の如く、
金属モリブデンと金属シリコンとを単体で組み合わせる
ものも提案されているが、スパッタ蒸発領域におけるモ
リブデンとシリコンとの面積比を設定値通りの比率とす
るのは容易ではなく、従って、予定した組成のモリブデ
ンシリサイド組成からなる蒸着膜を形成することが難し
く、実用性に乏しい。
ーゲットの使用ではなく、特開昭開57−145982の如く、
金属モリブデンと金属シリコンとを単体で組み合わせる
ものも提案されているが、スパッタ蒸発領域におけるモ
リブデンとシリコンとの面積比を設定値通りの比率とす
るのは容易ではなく、従って、予定した組成のモリブデ
ンシリサイド組成からなる蒸着膜を形成することが難し
く、実用性に乏しい。
［課題を解決するための手段］ 上記問題点を解決するために、本発明は、MoSix（2.18
≦ｘ≦2.57）なる組成のモリブデンシリサイドからなる
相対密度90％以上のターゲットであって、シリコンが含
浸されていないモリブデンシリサイドの粉末焼結一体品
よりなることを特徴とするスパッタリング装置用ターゲ
ットを提供するものである。
≦ｘ≦2.57）なる組成のモリブデンシリサイドからなる
相対密度90％以上のターゲットであって、シリコンが含
浸されていないモリブデンシリサイドの粉末焼結一体品
よりなることを特徴とするスパッタリング装置用ターゲ
ットを提供するものである。
以下に本発明について詳細に説明する。
本発明のターゲットは、MoSix（2.18≦ｘ≦2.57）なる
組成のモリブデンシリサイドからなる。
組成のモリブデンシリサイドからなる。
一般に、MOS型LSIのゲート電極膜中のシリコン含有率は
30〜40重量％（以下組成を示す％は全て重量％を示す）
であることが必要である。第１図は、モリブデンシリサ
イド中におけるシリコン含有率と比抵抗／膜厚（Ω／
□）の関係を示す図であるが、図示の如く、モリブデン
シリサイド中におけるシリコン含有率が40％を超えると
抵抗が急激に増加し、ゲート電極膜として不適当とな
る。またシリコン含有率が30％よりも少なくなると、比
抵抗／膜厚は小さくなるもの、基板との密着性が悪くな
り、また、化学的な安定性が乏しくなり、やはりゲート
電極膜として不適当となる。このようなことから、ゲー
ト電極膜中におけるシリコン含有率は30〜40％の間とす
る必要がある。好ましくは35〜40％、特に好ましいのは
35〜37％である。（因みにMoSi2.0はシリコン36.8％に
相当する。） しかして、本発明者らが鋭意研究を重ねたところ、ゲー
ト電極膜中におけるシリコン含有率と、モリブデンシリ
サイドターゲット中におけるシリコン含有率とは、第２
図に示す如き関係があることが認められた。即ちゲート
電極膜中のシリコン含有率とターゲット中のシリコン含
有量とはほぼ直線的な関係があり、かつゲート電極膜中
シリコン含有率よりも数％前後程度少なくなる。
30〜40重量％（以下組成を示す％は全て重量％を示す）
であることが必要である。第１図は、モリブデンシリサ
イド中におけるシリコン含有率と比抵抗／膜厚（Ω／
□）の関係を示す図であるが、図示の如く、モリブデン
シリサイド中におけるシリコン含有率が40％を超えると
抵抗が急激に増加し、ゲート電極膜として不適当とな
る。またシリコン含有率が30％よりも少なくなると、比
抵抗／膜厚は小さくなるもの、基板との密着性が悪くな
り、また、化学的な安定性が乏しくなり、やはりゲート
電極膜として不適当となる。このようなことから、ゲー
ト電極膜中におけるシリコン含有率は30〜40％の間とす
る必要がある。好ましくは35〜40％、特に好ましいのは
35〜37％である。（因みにMoSi2.0はシリコン36.8％に
相当する。） しかして、本発明者らが鋭意研究を重ねたところ、ゲー
ト電極膜中におけるシリコン含有率と、モリブデンシリ
サイドターゲット中におけるシリコン含有率とは、第２
図に示す如き関係があることが認められた。即ちゲート
電極膜中のシリコン含有率とターゲット中のシリコン含
有量とはほぼ直線的な関係があり、かつゲート電極膜中
シリコン含有率よりも数％前後程度少なくなる。
第２図より、ゲート電極膜中におけるシリコン含有率の
必要な範囲30〜40％に対応するターゲット中のシリコン
含有率は、35〜43％であり、これはMoSi1.84〜MoSi2.57
に相当し、好適範囲35〜40％に対応するターゲット中の
シリコン含有率は39〜43％であり、これはMoSi2.18〜Mo
Si2.57に対応する。またゲート電極膜中における時に好
適なシリコン含有範囲である35〜37％に対応するターゲ
ット中のシリコン含有範囲は39〜40.6％であり、これは
MoSi2.18〜MoSi2.33に相当する。
必要な範囲30〜40％に対応するターゲット中のシリコン
含有率は、35〜43％であり、これはMoSi1.84〜MoSi2.57
に相当し、好適範囲35〜40％に対応するターゲット中の
シリコン含有率は39〜43％であり、これはMoSi2.18〜Mo
Si2.57に対応する。またゲート電極膜中における時に好
適なシリコン含有範囲である35〜37％に対応するターゲ
ット中のシリコン含有範囲は39〜40.6％であり、これは
MoSi2.18〜MoSi2.33に相当する。
本発明の如く、MoSi2.18〜MoSi2.57と、シリコン含有率
の若干多い組成とすることにより、相対密度が高く、高
強度のターゲットを得ることができ、また、本発明組成
範囲のターゲットを用いてスパッタリングして得られる
膜の抵抗値は、ゲート電極膜として好適な値となり、か
つ基板との密着性にも優れるといった効果が奏され極め
て有利である。
の若干多い組成とすることにより、相対密度が高く、高
強度のターゲットを得ることができ、また、本発明組成
範囲のターゲットを用いてスパッタリングして得られる
膜の抵抗値は、ゲート電極膜として好適な値となり、か
つ基板との密着性にも優れるといった効果が奏され極め
て有利である。
また、本発明のターゲットは、相対密度が90％以上の、
モリブデンシリサイドの粉末焼結一体品である。相対密
度が90％よりも小さい場合には、ターゲットの強度が不
足し、とりわけ脆くなって、取扱いが不便になると共
に、スパッタ中におけるターゲットの割れなどの恐れも
ある。
モリブデンシリサイドの粉末焼結一体品である。相対密
度が90％よりも小さい場合には、ターゲットの強度が不
足し、とりわけ脆くなって、取扱いが不便になると共
に、スパッタ中におけるターゲットの割れなどの恐れも
ある。
また、本発明のターゲットにおいては、気孔は独立した
気孔、即ち気孔同志が連通していないものが好ましい。
これは、スパッタ装置の真空度の早期上昇、バッキング
プレートのボンディング時の汚染、ターゲットを機械加
工するときに機会加工油がターゲット中に染み込んでタ
ーゲットを汚染することを防止するためである。
気孔、即ち気孔同志が連通していないものが好ましい。
これは、スパッタ装置の真空度の早期上昇、バッキング
プレートのボンディング時の汚染、ターゲットを機械加
工するときに機会加工油がターゲット中に染み込んでタ
ーゲットを汚染することを防止するためである。
このような本発明のスパッタリング装置用ターゲットを
製造するには、次のような方法が好適である。
製造するには、次のような方法が好適である。
即ち、まず、モリブデンシリサイドの粉末を用意し、こ
れを成形する。
れを成形する。
モリブデンシリサイドの粉末は、モリブデンとシリコン
とを溶解して合金となし、これを粉砕したものでもよ
い。この溶解には、プラズマ溶解炉、アーク溶解炉など
が使用できる。
とを溶解して合金となし、これを粉砕したものでもよ
い。この溶解には、プラズマ溶解炉、アーク溶解炉など
が使用できる。
またモリブデンシリサイドの粉末を、次のようにして仮
焼法によって作ることもできる。即ちまずモリブデン粉
末とシリコン粉末とを混合した後、真空又は不活性ガス
雰囲気中で1100℃以上の温度で焼成するものである。な
おモリブデン粉末とシリコン粉末とを混合する際して
は、仮焼後の混合物中におけるシリコン含有率の目標値
よりもシリコン含有率が多くなるように混合する。これ
は、仮焼中にシリコンがモリブデンよりもはるかに蒸発
しやすいからである。
焼法によって作ることもできる。即ちまずモリブデン粉
末とシリコン粉末とを混合した後、真空又は不活性ガス
雰囲気中で1100℃以上の温度で焼成するものである。な
おモリブデン粉末とシリコン粉末とを混合する際して
は、仮焼後の混合物中におけるシリコン含有率の目標値
よりもシリコン含有率が多くなるように混合する。これ
は、仮焼中にシリコンがモリブデンよりもはるかに蒸発
しやすいからである。
この仮焼法に用いる原料粉末の粒度は数μ以下が好まし
い。また仮焼温度は特に上限はないのであるが、経済性
の面から1500℃以下程度とするのが好ましく、とりわけ
1200〜1400℃程度が好ましい。モリブデンシリサイドの
仮焼物は、次いでこれを粉砕して次の成形工程に供す
る。
い。また仮焼温度は特に上限はないのであるが、経済性
の面から1500℃以下程度とするのが好ましく、とりわけ
1200〜1400℃程度が好ましい。モリブデンシリサイドの
仮焼物は、次いでこれを粉砕して次の成形工程に供す
る。
モリブデンシリサイドの粉末を成形するには、通常の方
法例えばプレス成形法などに従って行う。
法例えばプレス成形法などに従って行う。
なお、この場合、モリブデンシリサイドの粉末にシリコ
ン粉末を添加してもよい。
ン粉末を添加してもよい。
即ち本発明のターゲットを製造するには、モリブデンシ
リサイド中におけるシリコン含有率を精密にコントロー
ルする必要があるのであるが、所定のシリコン含有率の
モリブデンシリサイドを、上記の仮焼法或るいは溶解法
によって一回の工程で製造することは困難である。
リサイド中におけるシリコン含有率を精密にコントロー
ルする必要があるのであるが、所定のシリコン含有率の
モリブデンシリサイドを、上記の仮焼法或るいは溶解法
によって一回の工程で製造することは困難である。
そこで上記仮焼法又は溶解法を行うに際して、シリコン
含有率が目標値よりも少し少なくなるようにし、これか
ら得られるモリブデンシリサイド粉末にシリコン粉末を
添加して混合成形するのが好ましいのでいる。このよう
にすれば目標値通りのシリコン含有率である成形体が得
られる。更に成形体中にシリコン粉末が含まれている
と、焼結工程においてこのシリコンが溶融し少なくとも
部分的に液相焼結が行われるようになり、低い焼結温度
で高い密度の焼結体を得ることができるようになる。
含有率が目標値よりも少し少なくなるようにし、これか
ら得られるモリブデンシリサイド粉末にシリコン粉末を
添加して混合成形するのが好ましいのでいる。このよう
にすれば目標値通りのシリコン含有率である成形体が得
られる。更に成形体中にシリコン粉末が含まれている
と、焼結工程においてこのシリコンが溶融し少なくとも
部分的に液相焼結が行われるようになり、低い焼結温度
で高い密度の焼結体を得ることができるようになる。
即ち上述の如くして成形された成形体は、これを焼結す
るのであるがモリブデンシリサイドの粉末だけからなる
成形体においては主として固相焼結となり、シリコン粉
末を添加した成形体においては液相焼結も行われる。
るのであるがモリブデンシリサイドの粉末だけからなる
成形体においては主として固相焼結となり、シリコン粉
末を添加した成形体においては液相焼結も行われる。
この焼結は、真空中又は不活性ガス雰囲気中において行
われる。また焼結は、ホットプレス法によってもよく、
常圧で行ってもよい。焼結温度は、ホットプレス法の場
合には1400〜1600℃で十分であるが、常圧焼結の場合
は、上述の如く主として固相焼結が行われる場合には18
00℃以上とりわけ1900℃前後程度の温度とする。（特に
成形体が大きい場合には、焼結温度を高くするのが好ま
しい。） また、シリコンの添加により液相焼結も進行する場合に
は、同じ焼結温度で密度は高くなる傾向が見られる。
われる。また焼結は、ホットプレス法によってもよく、
常圧で行ってもよい。焼結温度は、ホットプレス法の場
合には1400〜1600℃で十分であるが、常圧焼結の場合
は、上述の如く主として固相焼結が行われる場合には18
00℃以上とりわけ1900℃前後程度の温度とする。（特に
成形体が大きい場合には、焼結温度を高くするのが好ま
しい。） また、シリコンの添加により液相焼結も進行する場合に
は、同じ焼結温度で密度は高くなる傾向が見られる。
本発明のスパッタリング装置用ターゲットはHIP（熱間
静水圧プレス）法によって製造することもできる。この
場合、製造条件としては、温度1100〜1300℃、圧力1000
kg／cm2以上とするが好ましい。温度が低すぎると密度
向上の効果が得にくくなり、一方、高すぎるとHIP容器
（通常Fe系材質のものが多い。）と被焼結体が反応し不
純物の混入等が生ずる恐れが出てくる。
静水圧プレス）法によって製造することもできる。この
場合、製造条件としては、温度1100〜1300℃、圧力1000
kg／cm2以上とするが好ましい。温度が低すぎると密度
向上の効果が得にくくなり、一方、高すぎるとHIP容器
（通常Fe系材質のものが多い。）と被焼結体が反応し不
純物の混入等が生ずる恐れが出てくる。
［実施例］ 以下、製造例を挙げて、本発明により具体的に説明す
る。
る。
製造例１ 平均粒径３μのモリブデン粉末（純度99.98％）と平均
粒径１μのシリコン粉末（純度99.96％）の粉末を、モ
リブデン61重量部、シリコン39重量部の割合で混合し、
直径80mm、厚さ10mmの成形体を、成形圧0.5トン／cm2で
成形した。
粒径１μのシリコン粉末（純度99.96％）の粉末を、モ
リブデン61重量部、シリコン39重量部の割合で混合し、
直径80mm、厚さ10mmの成形体を、成形圧0.5トン／cm2で
成形した。
この成形体を10-1Torrの真空雰囲気中にて1300℃、１時
間仮焼した。
間仮焼した。
仮焼物を振動式粉砕機にて粉砕し、粉砕した粉末100重
量部に対して6.4重量部のシリコン粉末（上記原料シリ
コン粉末と同じもの）を添加し、直径180mm、厚さ12mm
の成形体を、成形圧0.5トン／cm2で成形した。
量部に対して6.4重量部のシリコン粉末（上記原料シリ
コン粉末と同じもの）を添加し、直径180mm、厚さ12mm
の成形体を、成形圧0.5トン／cm2で成形した。
この成形体を、次の条件でホットプレスし焼結体とし
た。
た。
温度 1550℃ 時間 ２時間 圧力 120kg／cm2 雰囲気 真空中（10-4Torr） その結得られた焼結体（ターゲット）は、相対密度が98
％、シリコン含有率は42.5％で、極めて高強度であっ
た。また断面の顕微鏡観察を行ったところ、少量存在す
る気孔も全て独立気孔であることが認められた。
％、シリコン含有率は42.5％で、極めて高強度であっ
た。また断面の顕微鏡観察を行ったところ、少量存在す
る気孔も全て独立気孔であることが認められた。
製造例２ 純度99.98％のモリブデンのインゴットと、純度99.9999
％のシリコンインゴットとを、MoSi2.5（モリブデン57.
2％、シリコン42.8％）となるように配合し、プラズマ
アーク溶解炉にて溶解した。得られた合金を製造例１と
同様にして粉砕し、この得られた粉末100重量部に対し
て0.6重量部のシリコン粉末（製造例１で用いたものと
同じ）を添加し、成形、ホットプレスを行った、成形及
びホットプレスの条件は製造例１と同様である。
％のシリコンインゴットとを、MoSi2.5（モリブデン57.
2％、シリコン42.8％）となるように配合し、プラズマ
アーク溶解炉にて溶解した。得られた合金を製造例１と
同様にして粉砕し、この得られた粉末100重量部に対し
て0.6重量部のシリコン粉末（製造例１で用いたものと
同じ）を添加し、成形、ホットプレスを行った、成形及
びホットプレスの条件は製造例１と同様である。
その結果相対密度95％、シリコン含有率42.3％のターゲ
ットが得られた。このターゲットは、同様に、高強度で
あり、含まれる気孔も独立気孔であることが認められ
た。なお、本例において、シリコンの初期配合率に対し
て、得られたターゲットのシリコン含有率が少なくなっ
ているが、これは溶解時にシリコンが蒸発したためであ
る。
ットが得られた。このターゲットは、同様に、高強度で
あり、含まれる気孔も独立気孔であることが認められ
た。なお、本例において、シリコンの初期配合率に対し
て、得られたターゲットのシリコン含有率が少なくなっ
ているが、これは溶解時にシリコンが蒸発したためであ
る。
製造例３ 製造例１において、仮焼物の粉砕物にシリコン粉末を添
加した後の成形工程で、直径80mmの成形体としたこと、
及びホットプレスの代りに常圧焼結を行ったこと以外は
製造例１と同様にしてターゲットを製造した。焼結温度
は1700、1800及び1900℃の３点とした。得られた焼結体
の相対密度を表１に示す。
加した後の成形工程で、直径80mmの成形体としたこと、
及びホットプレスの代りに常圧焼結を行ったこと以外は
製造例１と同様にしてターゲットを製造した。焼結温度
は1700、1800及び1900℃の３点とした。得られた焼結体
の相対密度を表１に示す。
表１より常圧焼結を行う場合には、最終的な焼結温度を
1900℃程度にまで高める必要があることが認められる。
なお、得られた焼結体の組成はいずれも製造例１で得ら
れたものよりも、シリコン含有量が0.2〜0.5％程度低か
った。
1900℃程度にまで高める必要があることが認められる。
なお、得られた焼結体の組成はいずれも製造例１で得ら
れたものよりも、シリコン含有量が0.2〜0.5％程度低か
った。
製造例４（参考例） 製造例１に用いたのと同じ原料粉を用い、モリブデン5
7.5％、シリコン42.5％の割合で混合したこと、仮焼物
の粉砕物にシリコン粉末を添加せず、かつその後の成形
体の大きさを80mmとしたこと、及びホットプレスの代り
に常圧焼結を行ったこと以外は製造例１と同様にしてタ
ーゲットを得た。最終的な焼結温度は1700、1800及び19
00℃の３点とした。得られた焼結体のシリコン含有率は
42.3％であり、その相対密度は表１に示す通りであっ
た。
7.5％、シリコン42.5％の割合で混合したこと、仮焼物
の粉砕物にシリコン粉末を添加せず、かつその後の成形
体の大きさを80mmとしたこと、及びホットプレスの代り
に常圧焼結を行ったこと以外は製造例１と同様にしてタ
ーゲットを得た。最終的な焼結温度は1700、1800及び19
00℃の３点とした。得られた焼結体のシリコン含有率は
42.3％であり、その相対密度は表１に示す通りであっ
た。
表１より、1900℃以上の焼結温度とすれば、相対密度90
％以上のターゲットを得ることができるが、製造例３と
比べると、シリコンを添加しない本製造例４の場合には
相対密度が若干低下することが認められる。これはシリ
コンを添加すると、液相焼結が行われ、焼結速度が増大
するためであると推察される。
％以上のターゲットを得ることができるが、製造例３と
比べると、シリコンを添加しない本製造例４の場合には
相対密度が若干低下することが認められる。これはシリ
コンを添加すると、液相焼結が行われ、焼結速度が増大
するためであると推察される。
製造例５ 製造例１において、仮焼物の粉砕物に添加するシリコン
粉末の量を変えるとともに、常圧焼結又はHP（ホットプ
レス）と焼結条件を適宜変えたこと以外は同様にして表
２に示すシリコン含有量及び固体密度のターゲットを製
造した。各々のターゲットについて、気孔の有無及びス
パッタリングにより得られる膜の抵抗及び密着性を調
べ、結果を表２に示した。表２より、シリコン含有率39
％以上、即ちMoSi2.18以上のSiの若干多い組成とし、ま
た相対密度を90％以上とすることにより、極めて高特性
のターゲットが得られることが明らかである。
粉末の量を変えるとともに、常圧焼結又はHP（ホットプ
レス）と焼結条件を適宜変えたこと以外は同様にして表
２に示すシリコン含有量及び固体密度のターゲットを製
造した。各々のターゲットについて、気孔の有無及びス
パッタリングにより得られる膜の抵抗及び密着性を調
べ、結果を表２に示した。表２より、シリコン含有率39
％以上、即ちMoSi2.18以上のSiの若干多い組成とし、ま
た相対密度を90％以上とすることにより、極めて高特性
のターゲットが得られることが明らかである。
製造例６（比較例） 製造例１に用いたのと同じモリブデン粉末とシリコン粉
末を、MoSi2.2となるように配合し、この混合粉末を直
径180mm、厚さ12mmとなるように成形した。成形圧は0.5
トン／cm2である。そして製造例１と同様にしてホット
プレスを行ったところ、急激な発熱反応が生じ、モール
ドが破壊した。
末を、MoSi2.2となるように配合し、この混合粉末を直
径180mm、厚さ12mmとなるように成形した。成形圧は0.5
トン／cm2である。そして製造例１と同様にしてホット
プレスを行ったところ、急激な発熱反応が生じ、モール
ドが破壊した。
またホットプレスの代わりに常圧焼結を行ったところ、
焼結工程において成形体が細かく烈断し所定形状のター
ゲットを得ることはできなかった。
焼結工程において成形体が細かく烈断し所定形状のター
ゲットを得ることはできなかった。
［効果］ 以上の通り本発明によれば、MOS型LSIのゲート電極膜を
形成するに好適なモリブデンシリサイド合金からなるタ
ーゲットが提供される。このターゲットは高強度であ
り、取扱いが容易である。
形成するに好適なモリブデンシリサイド合金からなるタ
ーゲットが提供される。このターゲットは高強度であ
り、取扱いが容易である。
第１図はゲート電極膜の比抵抗／膜厚とシリコン含有率
との関係を示すグラフ、第２図はゲート電極膜中のシリ
コン含有率とターゲット中におけるシリコン含有率との
関係を示すグラフである。
との関係を示すグラフ、第２図はゲート電極膜中のシリ
コン含有率とターゲット中におけるシリコン含有率との
関係を示すグラフである。
Claims (3)
- 【請求項１】MoSix（2.18≦ｘ≦2.57）なる組成のモリ
ブデンシリサイドからなる相対密度90％以上のターゲッ
トであって、シリコンが含浸されていないモリブデンシ
リサイドの粉末焼結一体品よりなることを特徴とするス
パッタリング装置用ターゲット。 - 【請求項２】モリブデンシリサイド粉末の焼結一体品で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のス
パッタリング装置用ターゲット。 - 【請求項３】モリブデンシリサイド粉末とシリコン粉末
との焼結一体品であることを特徴とする特許請求の範囲
第１項に記載のスパッタリング装置用ターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63323064A JPH0666288B2 (ja) | 1988-12-21 | 1988-12-21 | スパッタリング装置用ターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63323064A JPH0666288B2 (ja) | 1988-12-21 | 1988-12-21 | スパッタリング装置用ターゲット |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59186072A Division JPS6176664A (ja) | 1984-09-05 | 1984-09-05 | スパツタリング装置用タ−ゲツト及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0234919A JPH0234919A (ja) | 1990-02-05 |
| JPH0666288B2 true JPH0666288B2 (ja) | 1994-08-24 |
Family
ID=18150690
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63323064A Expired - Lifetime JPH0666288B2 (ja) | 1988-12-21 | 1988-12-21 | スパッタリング装置用ターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0666288B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6562207B1 (en) | 1997-07-15 | 2003-05-13 | Tosoh Smd, Inc. | Refractory metal silicide alloy sputter targets, use and manufacture thereof |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS596577A (ja) * | 1982-07-05 | 1984-01-13 | Toshiba Corp | 半導体装置とその製造方法 |
| JPS6158865A (ja) * | 1984-08-30 | 1986-03-26 | 三菱マテリアル株式会社 | 高融点金属珪化物基焼結体の製造法 |
| JPS6158866A (ja) * | 1984-08-30 | 1986-03-26 | 三菱マテリアル株式会社 | 高融点金属珪化物基複合材料の製造法 |
-
1988
- 1988-12-21 JP JP63323064A patent/JPH0666288B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0234919A (ja) | 1990-02-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |