JPS6158865A - 高融点金属珪化物基焼結体の製造法 - Google Patents
高融点金属珪化物基焼結体の製造法Info
- Publication number
- JPS6158865A JPS6158865A JP59181551A JP18155184A JPS6158865A JP S6158865 A JPS6158865 A JP S6158865A JP 59181551 A JP59181551 A JP 59181551A JP 18155184 A JP18155184 A JP 18155184A JP S6158865 A JPS6158865 A JP S6158865A
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- JP
- Japan
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- sintered body
- melting point
- point metal
- silicon
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体用Ｓｉ基板上に配線・ゲート電極用
材料として高融点金属珪化物をスパッタリ゛ングにより
析出させるためのターゲツト材として好適な、酸素含有
量の少ない高融点金属珪化物基焼結体の製造法に関する
。
材料として高融点金属珪化物をスパッタリ゛ングにより
析出させるためのターゲツト材として好適な、酸素含有
量の少ない高融点金属珪化物基焼結体の製造法に関する
。
従来、ＩＣ用Ｓｉ基板上に析出される配線・ゲート電極
材として、多結晶シリコンや！Ｕ −Ｓ ｉ合金が使用
されてきた。
材として、多結晶シリコンや！Ｕ −Ｓ ｉ合金が使用
されてきた。
しかし、半導体の高密度化、高集積比が進むに従い、よ
り比抵抗の小さい電極・配線材料が必要となってきてい
る。この問題を解決すべく、高融点金属珪化物を配線材
料として使用しようとい５動きが盛んであり、既に一部
の製品に対し実用化が始まっている。
り比抵抗の小さい電極・配線材料が必要となってきてい
る。この問題を解決すべく、高融点金属珪化物を配線材
料として使用しようとい５動きが盛んであり、既に一部
の製品に対し実用化が始まっている。
高融点金属珪化物をＳｉ基板上に析出する方法の１つに
スパッタリング法がある。スパッタリング法においては
、スパッタリング装置の陰極（ターゲツト材）に、高融
点金属珪化物焼結体が使用される。
スパッタリング法がある。スパッタリング法においては
、スパッタリング装置の陰極（ターゲツト材）に、高融
点金属珪化物焼結体が使用される。
この高融点金属珪化物焼結体は次のように製造される。
即ち、例えばＭｏ Ｓ ｉ□焼結体の場合は、通常、微
細なＭｏ Ｓ ｉ ２粉末を成形後、あるいは成形を兼
ねて１６００〜１８００ ’Ｃの高温において焼結して
、相対密度９５％以上の高密度焼結体を得ている。この
場合、原料となるＭｏ Ｓ ｉ ２粉末は通常Ｍｏ粉と
Ｓｉ粉を混合し、１０００〜１４００°Ｃで焼成するか
、あるいは反応時の多量の熱発生を利用した自己焼結合
成法により作られる。
細なＭｏ Ｓ ｉ ２粉末を成形後、あるいは成形を兼
ねて１６００〜１８００ ’Ｃの高温において焼結して
、相対密度９５％以上の高密度焼結体を得ている。この
場合、原料となるＭｏ Ｓ ｉ ２粉末は通常Ｍｏ粉と
Ｓｉ粉を混合し、１０００〜１４００°Ｃで焼成するか
、あるいは反応時の多量の熱発生を利用した自己焼結合
成法により作られる。
しかし、合成されたＭｏ Ｓ ｒ ２粉には、原料であ
るＳｉ中に含まれる５ｉＯ３（８ｉは非常に酸化されや
すいため、１μｍ程度の粒径な有するＳｉ粉末中には酸
素が１重量％以上含まれている）に由来する酸素、及び
Ｍｏ Ｓ ｉ ２粒上に吸着された酸素等が含まれるた
め、その酸素含有量が０１重重量％上となるのである。
るＳｉ中に含まれる５ｉＯ３（８ｉは非常に酸化されや
すいため、１μｍ程度の粒径な有するＳｉ粉末中には酸
素が１重量％以上含まれている）に由来する酸素、及び
Ｍｏ Ｓ ｉ ２粒上に吸着された酸素等が含まれるた
め、その酸素含有量が０１重重量％上となるのである。
Ｍｏ Ｓ ｉ ２焼結時に、この高濃度の酸素を大巾に
減少させることは困難である。例えば、酸素含有量０．
５重位％のＭｏ Ｓ １２粉を１７００”Ｃ２真空中で
焼結しても、焼結体中の酸素含有量は０．２重量％と半
分程度に減少するにすぎない。
減少させることは困難である。例えば、酸素含有量０．
５重位％のＭｏ Ｓ １２粉を１７００”Ｃ２真空中で
焼結しても、焼結体中の酸素含有量は０．２重量％と半
分程度に減少するにすぎない。
このような焼結体からなり、したがって高濃度の酸素を
含むターゲツト材をスパッタリングに用いると、Ｓｉ基
板上に形成された珪化物膜の比抵抗が上昇するという欠
点がある。
含むターゲツト材をスパッタリングに用いると、Ｓｉ基
板上に形成された珪化物膜の比抵抗が上昇するという欠
点がある。
したがって、この発明の目的は、酸素含有量が少なく、
スパッタリングターゲツト材に好適な高融点金属珪化物
基焼結体の製造法を提供することである。
スパッタリングターゲツト材に好適な高融点金属珪化物
基焼結体の製造法を提供することである。
本発明者らは種々研究を重ねた結果、式Ｍ Ｓ ＋ ２
（但し、Ｍ＝Ｍｏ、 Ｗ、 Ｔａ、 Ｔｉ ）で表わさ
れる高融点金属の珪化物とＳｉ単体の２相よりなる仮焼
結体を、無酸素雰囲気中においてＳｉの溶融温度以上の
温度に加熱することにより、仮焼結体中に溶融Ｓ１が生
成して、仮焼結体中の主としてＳ＋０２の形で残存する
酸素と反応し、揮発性物質であるＳｉＯが生成・蒸発す
るので、酸素含有量を大巾に減少させることができるこ
とを見い出した。
（但し、Ｍ＝Ｍｏ、 Ｗ、 Ｔａ、 Ｔｉ ）で表わさ
れる高融点金属の珪化物とＳｉ単体の２相よりなる仮焼
結体を、無酸素雰囲気中においてＳｉの溶融温度以上の
温度に加熱することにより、仮焼結体中に溶融Ｓ１が生
成して、仮焼結体中の主としてＳ＋０２の形で残存する
酸素と反応し、揮発性物質であるＳｉＯが生成・蒸発す
るので、酸素含有量を大巾に減少させることができるこ
とを見い出した。
この発明は、上記知見に基いて発明されたものであり、
（１） 弐Ｍ Ｓ ｉ ２ （但１．、Ｍ−Ｍｏ、
Ｗ、 Ｔａ、 Ｔｉ ） テ表わされる高融点金属
の珪化物と珪素単体の２相よりなる仮焼結体を、無酸素
雰囲気中において珪素の溶融温度以上の温度に加熱して
、前記仮焼結体に含まれる珪素の一部あるいは全部を珪
素そのまま及び一酸化珪素として蒸発させることを特徴
とする酸素含有量の少ない高融点金属珪化物基焼“給体
の製造法。
Ｗ、 Ｔａ、 Ｔｉ ） テ表わされる高融点金属
の珪化物と珪素単体の２相よりなる仮焼結体を、無酸素
雰囲気中において珪素の溶融温度以上の温度に加熱して
、前記仮焼結体に含まれる珪素の一部あるいは全部を珪
素そのまま及び一酸化珪素として蒸発させることを特徴
とする酸素含有量の少ない高融点金属珪化物基焼“給体
の製造法。
（２） 式ＭＳｔ２ （但し、Ｍ＝Ｍｏ、 Ｗ、 Ｔ
ａ、 Ｔｉ ）で表わされる高融点金属の珪化物と珪素
単体の２相よりなる仮焼結体を、無酸素雰囲気中におい
て珪素の溶融温度以上の温度に加熱して、前記仮焼結体
に含まれる珪素の一部あるいは全部を珪素そのまま及び
一酸化珪素として蒸発させ、次いで焼きしまりが生ずる
高温で焼結することを特徴とする酸素含有量の少ない高
融点金属珪化物基焼結体の製造法 である。
ａ、 Ｔｉ ）で表わされる高融点金属の珪化物と珪素
単体の２相よりなる仮焼結体を、無酸素雰囲気中におい
て珪素の溶融温度以上の温度に加熱して、前記仮焼結体
に含まれる珪素の一部あるいは全部を珪素そのまま及び
一酸化珪素として蒸発させ、次いで焼きしまりが生ずる
高温で焼結することを特徴とする酸素含有量の少ない高
融点金属珪化物基焼結体の製造法 である。
以下、この発明の詳細な説明する。
（１） 仮焼結体
この仮焼結体は１式ＭＳｉ２（但し、Ｍ ＝ Ｍｏ 、
Ｗ。
Ｗ。
Ｔａ、Ｔｉ） で表わされる高融点金属の珪化物と珪
素単体の２相よりなる複合組織を有するものである。
素単体の２相よりなる複合組織を有するものである。
この仮焼結体は、出発原料として、Ｓ ｉ ／ Ｍの原
子比〉２の配合組成を有するＭ粉とＳｉ粉の混合物、あ
るいはＭ Ｓ ｉ ２粉と８１粉の混合物、あるいはＭ
とＳｉの他の化合物の粉末とＳｉ粉の混合物等？用いて
、成形と熱処理の二段工程によって、あるいは真空ホッ
トプレス法によって一段で製造される。但し、熱処理温
度あるいはホットプレス温度は、これらの焼結体の従来
の製造法におけろ温度よりも低温であり、約１１００〜
１３００ ’Ｃの範囲内の温度が好ましい。これは、Ｍ
Ｓｉ２ 生成反応が起こり、しかもプレス成形により
得られる圧粉体よりも強度が大きい焼結体でなければな
らないからである。
子比〉２の配合組成を有するＭ粉とＳｉ粉の混合物、あ
るいはＭ Ｓ ｉ ２粉と８１粉の混合物、あるいはＭ
とＳｉの他の化合物の粉末とＳｉ粉の混合物等？用いて
、成形と熱処理の二段工程によって、あるいは真空ホッ
トプレス法によって一段で製造される。但し、熱処理温
度あるいはホットプレス温度は、これらの焼結体の従来
の製造法におけろ温度よりも低温であり、約１１００〜
１３００ ’Ｃの範囲内の温度が好ましい。これは、Ｍ
Ｓｉ２ 生成反応が起こり、しかもプレス成形により
得られる圧粉体よりも強度が大きい焼結体でなければな
らないからである。
（１１）加熱・蒸発工程
加熱するときの雰囲気は無酸素雰囲気であることが必要
である。これは、雰囲気中に酸素が存在すると、せっか
く生成した揮発性のＳｉＯが酸化されて不揮発性の５ｉ
０２が生成ｆるし、又、Ｓｌの酸化も起こるために、仮
焼結体中の酸素を有効に除去することができないためで
ある。無酸素雰囲気としては、真空や不活性ガス雰囲気
等があるが、低温で８１の蒸発を起こすことができる点
で、真空が好ましい。真空度としては０．１ｔｏｒｒ以
下であることが更に好ましい。
である。これは、雰囲気中に酸素が存在すると、せっか
く生成した揮発性のＳｉＯが酸化されて不揮発性の５ｉ
０２が生成ｆるし、又、Ｓｌの酸化も起こるために、仮
焼結体中の酸素を有効に除去することができないためで
ある。無酸素雰囲気としては、真空や不活性ガス雰囲気
等があるが、低温で８１の蒸発を起こすことができる点
で、真空が好ましい。真空度としては０．１ｔｏｒｒ以
下であることが更に好ましい。
次に、加熱温度は、Ｓｉの溶融＠度（１４１０℃）以上
の温度であることが、仮焼結体中に主としてＳｉＯ□の
形で残存する酸素とＳｉとの反応を起こすために必要で
ある。なかでも、１４３０〜１５００°Ｃが好ましい。
の温度であることが、仮焼結体中に主としてＳｉＯ□の
形で残存する酸素とＳｉとの反応を起こすために必要で
ある。なかでも、１４３０〜１５００°Ｃが好ましい。
この加熱により、６’＋１記したように、仮焼結体中に
主として５ｉ０２の形で残存する酸素と溶融Ｓｉとの反
応が起こり、揮発性のＳｉＯを生成し、前記仮焼結体に
含まれるＳｌの一部あるいは全部がＳｉそのまま及び８
ｉ０として蒸発し、酸素含有量の少ない高融点金属珪化
物基焼結体が得られるのである。
主として５ｉ０２の形で残存する酸素と溶融Ｓｉとの反
応が起こり、揮発性のＳｉＯを生成し、前記仮焼結体に
含まれるＳｌの一部あるいは全部がＳｉそのまま及び８
ｉ０として蒸発し、酸素含有量の少ない高融点金属珪化
物基焼結体が得られるのである。
（ｉｉｉｌ 高温焼結工程
以上の加熱・蒸発工程では、焼結も一部進行するのでは
あるが、４’４られた焼結体は、Ｓｉ分の蒸発により多
孔質となっており、強度が小さい。したがって、必要に
応じて、焼きしまりが生ずる高温で（例えば、仮焼結体
を製造したときの熱処理温度あるいはホットプレス温度
や加熱・蒸発温度よりも高温で）焼結して、緻密にする
とともに強度を向上させてもよい。この工程の焼結温度
は１６００〜１８００°Ｃの範囲内の温度が好ましい。
あるが、４’４られた焼結体は、Ｓｉ分の蒸発により多
孔質となっており、強度が小さい。したがって、必要に
応じて、焼きしまりが生ずる高温で（例えば、仮焼結体
を製造したときの熱処理温度あるいはホットプレス温度
や加熱・蒸発温度よりも高温で）焼結して、緻密にする
とともに強度を向上させてもよい。この工程の焼結温度
は１６００〜１８００°Ｃの範囲内の温度が好ましい。
以下、実施例により、この発明の構成及び効果を詳細に
説明する。
説明する。
実施例１
高融点金属の珪化物と珪素単体の２相よりなる仮焼結体
として以下のよう（：製造されたものを用いた。
として以下のよう（：製造されたものを用いた。
平均粒径３μｍのＭＯ粉（酸素含有−ｉ：１４００Ｐｐ
ｍ）６０重量部と平均粒径１．５ ｐ ｍのＳｉ粉（酸
素含有量：１３０００ｐｐｍ）４０重量部（Ｓｉ／Ｍｏ
の原子比＝２．２８）を配合し、ヘキサンを混合溶媒と
して２時間ボールミル（二より混合する。十分Ｌ：乾燥
ビた後、プレス圧２．５ｔ／ｃｒＩでプレス成形し、密
度２．３０ ｔ／ ｃｍ３の圧粉体を得た。この圧粉体
を真空度１０−’ｔｏｒｒ 、温度１２００℃の条件で
１時間熱処理をして、Ｍｏ５ｉｚとＳｉの２相よりなる
仮焼結体（密度； ２．３６ ｒ／ｃｍ３）を得た。
ｍ）６０重量部と平均粒径１．５ ｐ ｍのＳｉ粉（酸
素含有量：１３０００ｐｐｍ）４０重量部（Ｓｉ／Ｍｏ
の原子比＝２．２８）を配合し、ヘキサンを混合溶媒と
して２時間ボールミル（二より混合する。十分Ｌ：乾燥
ビた後、プレス圧２．５ｔ／ｃｒＩでプレス成形し、密
度２．３０ ｔ／ ｃｍ３の圧粉体を得た。この圧粉体
を真空度１０−’ｔｏｒｒ 、温度１２００℃の条件で
１時間熱処理をして、Ｍｏ５ｉｚとＳｉの２相よりなる
仮焼結体（密度； ２．３６ ｒ／ｃｍ３）を得た。
このようにシて得られ、定量分析の結果酸素含有曾が２
５００ ｐｐｍである仮焼結体を真空度１０°−３ｔｏ
ｒｒ 、 温度１５００℃の条件圧で１０時間加熱し
たところ、仮焼結体中のＳｉは丁べて蒸散してしまい、
ＭｏＳｉ２が３６．５容量％を占め残りが気孔である密
度２．２８ ｆ ／ ｃ７ｒＬ３の脱Ｓｉ焼結体が得ら
れた。
５００ ｐｐｍである仮焼結体を真空度１０°−３ｔｏ
ｒｒ 、 温度１５００℃の条件圧で１０時間加熱し
たところ、仮焼結体中のＳｉは丁べて蒸散してしまい、
ＭｏＳｉ２が３６．５容量％を占め残りが気孔である密
度２．２８ ｆ ／ ｃ７ｒＬ３の脱Ｓｉ焼結体が得ら
れた。
この脱Ｓｉ焼結体中の酸素含有量は２０ ｐｐｍであっ
た。
た。
更に、この脱Ｓｉ焼結体を１７００℃、真空度１０−”
ｔｏｒｒの条件で１時間焼結したところ、密度が３．
２４９７ｃＩＩＬであり、相対密度５２循のＭ０８＋２
焼結体が得られた。この焼結体の酸素含有量は１８ ｐ
ｐｍだった。
ｔｏｒｒの条件で１時間焼結したところ、密度が３．
２４９７ｃＩＩＬであり、相対密度５２循のＭ０８＋２
焼結体が得られた。この焼結体の酸素含有量は１８ ｐ
ｐｍだった。
実施例２
高融点金属の珪化物と珪素単体の２相よりなる仮焼結体
として、以下のように製造されたものを用いた。
として、以下のように製造されたものを用いた。
実施例１で調製した乾燥混合粉に、真空度１Ｏ−３ｔｏ
ｒｒ 、温度１３００℃、プレス圧１５０ Ｋ＃／、Ｌ
の条件でホットプレスを行ない、密度５．５０１／ｃｒ
ｒｔ３とＳｉの２相よりなる仮焼結体を得た。
ｒｒ 、温度１３００℃、プレス圧１５０ Ｋ＃／、Ｌ
の条件でホットプレスを行ない、密度５．５０１／ｃｒ
ｒｔ３とＳｉの２相よりなる仮焼結体を得た。
このようにして得られ、定量分析の結果酸素含有全が６
０００ ｐｐｍである仮焼結体を、実施例１と同じ条件
で加熱したところ、仮焼結体中のＳｉはすべて蒸散して
しまい、ＭｏＳｉ２が８８容量係を占め残りが気孔であ
水密度５．４９．９／ＣｒｒＬの脱Ｓｉ焼結体が得られ
た。この脱Ｓｉ焼結体中の酸素含有量は３０ ｐｐｍで
あった。
０００ ｐｐｍである仮焼結体を、実施例１と同じ条件
で加熱したところ、仮焼結体中のＳｉはすべて蒸散して
しまい、ＭｏＳｉ２が８８容量係を占め残りが気孔であ
水密度５．４９．９／ＣｒｒＬの脱Ｓｉ焼結体が得られ
た。この脱Ｓｉ焼結体中の酸素含有量は３０ ｐｐｍで
あった。
明細魯の浄書（内容に変更なし）
更に、この脱臼焼結体を実施例１と同じ条件で焼結した
ところ、密度が５．９３！！／ｃｍであり％相対密度が
９５％のＭｏ８ ｉ ２焼結体が得られた。この焼結体
の酸素含有量は３０ ｐｐｍであった。
ところ、密度が５．９３！！／ｃｍであり％相対密度が
９５％のＭｏ８ ｉ ２焼結体が得られた。この焼結体
の酸素含有量は３０ ｐｐｍであった。
実施例３
ぶ科のＭｏ粉と８１粉の配合比を変えて、実施例２と同
様な方法でｒＲ素含有量の少ないＭｏ Ｓ ｉユ焼給体
を製造した。その結果を下記表に示す。
様な方法でｒＲ素含有量の少ないＭｏ Ｓ ｉユ焼給体
を製造した。その結果を下記表に示す。
実施例４
実施例２において、 ８３分蒸発のための加熱条件を真
空度１０−” ｔｏｒｒ 、 温度１４３０℃２時間
０．１時間に変えること以外は同様な方法を繰り返して
、Ｍｏ Ｓ １２が８８容量係、Ｓｌが６容量係を占め
残りが気孔である密度５．６３ｇ／ＣＴＬの脱Ｓ１焼結
体を製造した。この脱Ｓ１焼結体中の酸素含有量は５０
ｐｐｍであった。
空度１０−” ｔｏｒｒ 、 温度１４３０℃２時間
０．１時間に変えること以外は同様な方法を繰り返して
、Ｍｏ Ｓ １２が８８容量係、Ｓｌが６容量係を占め
残りが気孔である密度５．６３ｇ／ＣＴＬの脱Ｓ１焼結
体を製造した。この脱Ｓ１焼結体中の酸素含有量は５０
ｐｐｍであった。
更に、この脱Ｓｉ焼結体を真空度１０ ｔｏｒｒ、温
度１４００’Ｃ，時間１時間の条件で焼結したところ、
密度が５．９０１７ｃｍであり、相対密度が９８，５係
のＭｏＳｉ２−８ｉ焼結体が得られた。この焼結体の酸
素含有量は５０ ｐｐｍであった。
度１４００’Ｃ，時間１時間の条件で焼結したところ、
密度が５．９０１７ｃｍであり、相対密度が９８，５係
のＭｏＳｉ２−８ｉ焼結体が得られた。この焼結体の酸
素含有量は５０ ｐｐｍであった。
実施例５
Ｍｏ粉の代りＫ、平均粒径４μ扉のＴａ粉（酸素含有量
： １５００ ｐｐｍ）、平均粒径５μｍのＷ粉（＆素
含有量：１２００Ｉ）ｌ）ｍ）及び平均粒径３０μ肌の
Ｔｉ粉（酸素含有量：４０００ｐｐｍ）をそれぞれ用い
て実施例２を繰り返した結果を下記表に示す。但し、Ｔ
ｉＳを用いる場合は、ホットプレス温度を１１００℃、
脱Ｓｉ温度を１４３０℃とした。
： １５００ ｐｐｍ）、平均粒径５μｍのＷ粉（＆素
含有量：１２００Ｉ）ｌ）ｍ）及び平均粒径３０μ肌の
Ｔｉ粉（酸素含有量：４０００ｐｐｍ）をそれぞれ用い
て実施例２を繰り返した結果を下記表に示す。但し、Ｔ
ｉＳを用いる場合は、ホットプレス温度を１１００℃、
脱Ｓｉ温度を１４３０℃とした。
明細書の浄書（内容に変更なし）
〔発明の総括的効果〕
この発明の製造法によれば、俄素含有量が５０ｐｐｍ以
下と極めて少ない高融点金属珪化物基焼結体を製造する
ことができる。したがって、この発明で製造された高融
点金属珪化物基焼結体をスパッタリングターゲツト材と
して用いれば、酸素含有量がターゲツト材と同程度で、
シート抵抗が従来のものと比較して半分以下であって、
したが゛つて、配線やゲート電極に適した高融点金属珪
化物膜が得られるのである。
下と極めて少ない高融点金属珪化物基焼結体を製造する
ことができる。したがって、この発明で製造された高融
点金属珪化物基焼結体をスパッタリングターゲツト材と
して用いれば、酸素含有量がターゲツト材と同程度で、
シート抵抗が従来のものと比較して半分以下であって、
したが゛つて、配線やゲート電極に適した高融点金属珪
化物膜が得られるのである。
Claims (2)
- （１）式ＭＳｉ＿２（但し、Ｍ＝Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ｔｉ
）で表わされる高融点金属の珪化物と珪素単体の２相よ
りなる仮焼結体を、無酸素雰囲気中において珪素の溶融
温度以上の温度に加熱して、前記仮焼結体に含まれる珪
素の一部あるいは全部を珪素そのまま及び一酸化珪素と
して蒸発させることを特徴とする酸素含有量の少ない高
融点金属珪化物基焼結体の製造法。 - （２）式ＭＳｉ＿２（但し、Ｍ＝Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ｔｉ
）で表わされる高融点金属の珪化物と珪素単体の２相よ
りなる仮焼結体を、無酸素雰囲気中において珪素の溶融
温度以上の温度に加熱して、前記仮焼結体に含まれる珪
素の一部あるいは全部を珪素そのまま及び一酸化珪素と
して蒸発させ、次いで焼きしまりが生ずる高温で焼結す
ることを特徴とする酸素含有量の少ない高融点金属珪化
物基焼結体の製造法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59181551A JPS6158865A (ja) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | 高融点金属珪化物基焼結体の製造法 |
| US06/769,935 US4619697A (en) | 1984-08-30 | 1985-08-27 | Sputtering target material and process for producing the same |
| GB08521604A GB2166160B (en) | 1984-08-30 | 1985-08-30 | Sputtering target material and process for producing the same |
| DE19853531085 DE3531085A1 (de) | 1984-08-30 | 1985-08-30 | Sputter-quellenmaterial und verfahren zu seiner herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59181551A JPS6158865A (ja) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | 高融点金属珪化物基焼結体の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6158865A true JPS6158865A (ja) | 1986-03-26 |
| JPS6337071B2 JPS6337071B2 (ja) | 1988-07-22 |
Family
ID=16102760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59181551A Granted JPS6158865A (ja) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | 高融点金属珪化物基焼結体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6158865A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61136964A (ja) * | 1984-12-05 | 1986-06-24 | 三菱マテリアル株式会社 | 金属珪化物基焼結体の製造法 |
| JPH0234919A (ja) * | 1988-12-21 | 1990-02-05 | Hitachi Metals Ltd | スパッタリング装置用ターゲット |
-
1984
- 1984-08-30 JP JP59181551A patent/JPS6158865A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61136964A (ja) * | 1984-12-05 | 1986-06-24 | 三菱マテリアル株式会社 | 金属珪化物基焼結体の製造法 |
| JPS6359994B2 (ja) * | 1984-12-05 | 1988-11-22 | ||
| JPH0234919A (ja) * | 1988-12-21 | 1990-02-05 | Hitachi Metals Ltd | スパッタリング装置用ターゲット |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6337071B2 (ja) | 1988-07-22 |
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