JPS6176664A - スパツタリング装置用タ−ゲツト及びその製造方法 - Google Patents
スパツタリング装置用タ−ゲツト及びその製造方法Info
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- JPS6176664A JPS6176664A JP59186072A JP18607284A JPS6176664A JP S6176664 A JPS6176664 A JP S6176664A JP 59186072 A JP59186072 A JP 59186072A JP 18607284 A JP18607284 A JP 18607284A JP S6176664 A JPS6176664 A JP S6176664A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はスパッタリング装置用ターゲット及びその製造
方法に係り、特にＭＯＳ−ＩＣに使用されるゲート電極
材料を形成するに用いるに好適な、高密度のモリブデン
シリサイドからなるスパッタリング装ご用ターゲット及
びその製造方法に関する。
方法に係り、特にＭＯＳ−ＩＣに使用されるゲート電極
材料を形成するに用いるに好適な、高密度のモリブデン
シリサイドからなるスパッタリング装ご用ターゲット及
びその製造方法に関する。
［従来の技術］
近年ＭＯＳ型ＬＳＩのゲート電極に、比抵抗の小さいモ
リブデンやタングステンなどの高融点金属のシリサイド
（珪化物）が用いられるようになってきた。こうした高
融点金属のシリサイドの膜を形成するには、高融点金属
のシリサイド製のターゲットを用いたスパッタリング法
が主として採用されている。
リブデンやタングステンなどの高融点金属のシリサイド
（珪化物）が用いられるようになってきた。こうした高
融点金属のシリサイドの膜を形成するには、高融点金属
のシリサイド製のターゲットを用いたスパッタリング法
が主として採用されている。
高融点金属のシリサイド特にモリブデンシリサイド製の
ターゲットは、一般にモリブデン粉末と／リコ７粉末と
を原料としてホットプレス性成るいは無加圧真空焼結法
で製造されている。
ターゲットは、一般にモリブデン粉末と／リコ７粉末と
を原料としてホットプレス性成るいは無加圧真空焼結法
で製造されている。
［発明が解決しようとする問題点コ
しかるに、モリブデンとシリコンとの粉末を混合し加熱
すると、大きな反応熱が急激に発生し。
すると、大きな反応熱が急激に発生し。
ガスが発生すると共に１寸法の著しい変化が生じるので
、プレス成形した形状、寸法通りの焼結品をキ１にるこ
とは甚だ困難である。
、プレス成形した形状、寸法通りの焼結品をキ１にるこ
とは甚だ困難である。
また加圧容器中にモリブデン粉末とシリコン粉末とを入
れ、ホットプレスすることにより所定形状の焼結品を得
ようとしても、この容器が破壊されるほどの圧が内部に
生じ、ホットプレス法によっても所定形状で高密度のタ
ーゲットを得ることは容易でない。
れ、ホットプレスすることにより所定形状の焼結品を得
ようとしても、この容器が破壊されるほどの圧が内部に
生じ、ホットプレス法によっても所定形状で高密度のタ
ーゲットを得ることは容易でない。
このようなことから、モリブデンシリサイド合金系のタ
ーゲットの使用ではなく、特開昭５７−１４５９８２の
如く、金属モリブデンと金属シリコンとを単体で組み合
わせるものも提案されているが、スパッタ蒸発領域にお
けるモリブデンとシリコンとの面積比を設定値通りの比
率とするのは容易ではなく、従って、予定した組成のモ
リブデンシリサイド組成からなる蒸着膜を形成すること
が難しく、実用性に乏しい。
ーゲットの使用ではなく、特開昭５７−１４５９８２の
如く、金属モリブデンと金属シリコンとを単体で組み合
わせるものも提案されているが、スパッタ蒸発領域にお
けるモリブデンとシリコンとの面積比を設定値通りの比
率とするのは容易ではなく、従って、予定した組成のモ
リブデンシリサイド組成からなる蒸着膜を形成すること
が難しく、実用性に乏しい。
［問題点を解決するための手段〕
上記問題点を解決するために、本発明は、ＭｏＳｉｘ（
１，８４≦ｘ≦２．５７）なる組成のモリブデンシリサ
イドからなり、相対密度が９０％以上であることを特徴
とするスパッタリング装置用ターゲット （以下第１の
発明ということがある。）。
１，８４≦ｘ≦２．５７）なる組成のモリブデンシリサ
イドからなり、相対密度が９０％以上であることを特徴
とするスパッタリング装置用ターゲット （以下第１の
発明ということがある。）。
を提供するものである。
また本発明は、かかる第１の発明のターゲットの製造方
法として、モリブデンシリサイドの粉末を成形し結する
ことにより、ＭｏＳｉｘ（１，８４≦ｘ≦２５７）なる
組成のモリブデンシリサイドからなり、相対密度が９０
％以上であるターゲットを製造することを特徴とするス
パッタリング装置用ターゲットの製造方法（以下第２の
発明ということがある） を提供するものである。
法として、モリブデンシリサイドの粉末を成形し結する
ことにより、ＭｏＳｉｘ（１，８４≦ｘ≦２５７）なる
組成のモリブデンシリサイドからなり、相対密度が９０
％以上であるターゲットを製造することを特徴とするス
パッタリング装置用ターゲットの製造方法（以下第２の
発明ということがある） を提供するものである。
以下まず第１の発明について詳細に説明する。
本発明のターゲットは、 Ｍ ａ Ｓ ｉ ｘ（１，８
４≦ｘ≦２．５７）なる組成のモリブデンシリサイドか
らなる。
４≦ｘ≦２．５７）なる組成のモリブデンシリサイドか
らなる。
一般に、ＭＯ５型ＬＳＩのゲート電極膜中のシリコン含
有率は３０〜４０重量％（以下ｍ成を示す％は全て重量
％を示す）であることが必要である。第１図は、モリブ
デンシリサイド中におけるシリコン含有率と比抵抗／Ｉ
ＩＩ厚（Ω１０）の関係を示す図であるが、図示の如く
、モリブデンシリサイド中におけるシリコン含有率が４
０％を超えると抵抗が急激に増加し、ゲート電極膜とし
て不適当となる。またシリコン含有率が３０％よりも少
なくなると、比抵抗／膜厚は小さくなるものの、基板と
の密着性が悪くなり、また、化学的な安定性が乏しくな
り、やはりゲート電極膜として不適当となる。このよう
なことから、ゲート電極膜中におけるシリコン含有率は
３０〜４０％の間とする必要がある。特に好ましいのは
３５〜３７％である。（因みにＭｏＳｉ、、、。は シ
リ コ ン３６．８％に相当する。） しかして、本発明者らが鋭意研究を重ねたところ、ゲー
ト電極膜中におけるシリコン含有率と、モリブデンシリ
サイドターゲット中におけるシリコン含有率とは、第２
図に示す如き関係があることが認められた。即ちゲート
電極膜中のシリコン含有率とターゲット中のシリコン含
有量とはほぼ直線的な関係があり、かつゲート電極膜中
シリコン含有率よりも数％前後程度少なくなる。
有率は３０〜４０重量％（以下ｍ成を示す％は全て重量
％を示す）であることが必要である。第１図は、モリブ
デンシリサイド中におけるシリコン含有率と比抵抗／Ｉ
ＩＩ厚（Ω１０）の関係を示す図であるが、図示の如く
、モリブデンシリサイド中におけるシリコン含有率が４
０％を超えると抵抗が急激に増加し、ゲート電極膜とし
て不適当となる。またシリコン含有率が３０％よりも少
なくなると、比抵抗／膜厚は小さくなるものの、基板と
の密着性が悪くなり、また、化学的な安定性が乏しくな
り、やはりゲート電極膜として不適当となる。このよう
なことから、ゲート電極膜中におけるシリコン含有率は
３０〜４０％の間とする必要がある。特に好ましいのは
３５〜３７％である。（因みにＭｏＳｉ、、、。は シ
リ コ ン３６．８％に相当する。） しかして、本発明者らが鋭意研究を重ねたところ、ゲー
ト電極膜中におけるシリコン含有率と、モリブデンシリ
サイドターゲット中におけるシリコン含有率とは、第２
図に示す如き関係があることが認められた。即ちゲート
電極膜中のシリコン含有率とターゲット中のシリコン含
有量とはほぼ直線的な関係があり、かつゲート電極膜中
シリコン含有率よりも数％前後程度少なくなる。
第２図より、ゲート電極膜中におけるシリコン含有率の
必要な範囲３０〜４０％に対応するターゲット中のシリ
コン含有率は、３５〜４３％であり、これはＭ ｏ Ｓ
ｉ ”Ｍｏ Ｓ ｉ、、、５□に相当す１．８４ る。
必要な範囲３０〜４０％に対応するターゲット中のシリ
コン含有率は、３５〜４３％であり、これはＭ ｏ Ｓ
ｉ ”Ｍｏ Ｓ ｉ、、、５□に相当す１．８４ る。
またゲート電極膜中における好適なシリコン含有範囲で
ある３５〜３７％に対応するターゲット中のシリコン含
有範囲は３９〜４０，６％であり、これはＭ ｏ Ｓ
ｔ −Ｍ ｏ Ｓ １２ 、３３に相当す２．１８ る。
ある３５〜３７％に対応するターゲット中のシリコン含
有範囲は３９〜４０，６％であり、これはＭ ｏ Ｓ
ｔ −Ｍ ｏ Ｓ １２ 、３３に相当す２．１８ る。
また１本発明のターゲットは、相対密度が９０％以上の
ものである。相対密度が９０％よりも小さい場合には、
ターゲットの強度が不足し。
ものである。相対密度が９０％よりも小さい場合には、
ターゲットの強度が不足し。
とりわけ脆くなって、取扱いが不便になると共に、スパ
ッタ中におけるターゲットの割れなどの恐れもある。
ッタ中におけるターゲットの割れなどの恐れもある。
また、本発明のターゲットにおいては、気孔は独立した
気孔、即ち気孔同志が連通していないものが好ましい、
これは、スパフタ′Ｊ装置の真空度の早期上昇、パフキ
ングプレートのポンディング時の汚染、ターゲットを機
械加工するときに機械加工油がターゲット中に染み込ん
でターゲットを汚染することを防止するためである。
気孔、即ち気孔同志が連通していないものが好ましい、
これは、スパフタ′Ｊ装置の真空度の早期上昇、パフキ
ングプレートのポンディング時の汚染、ターゲットを機
械加工するときに機械加工油がターゲット中に染み込ん
でターゲットを汚染することを防止するためである。
次に第２の発明について説明する。
第２の発明に従ってスパッタリング装置用ターゲットを
製造するには、まずモリブデンシリサイドの粉末を用意
し、これを成形する。
製造するには、まずモリブデンシリサイドの粉末を用意
し、これを成形する。
モリブデンシリサイドの粉末は、モリブデンとシリコン
とを溶解して合金となし、これを粉砕したものでもよい
、この溶解には、プラズマ溶解炉、アーク溶解炉などが
使用できる。
とを溶解して合金となし、これを粉砕したものでもよい
、この溶解には、プラズマ溶解炉、アーク溶解炉などが
使用できる。
またモリブデンシリサイドの粉末を、次のようにして仮
焼法によって作ることもできる。即ちまずモリブデン粉
末とシリコン粉末とを混合した後、真空又は不活性ガス
雰囲気中で１１０．０℃以上の温度で焼成するものであ
る。なおモリブデン粉末とシリコン粉末とを混合するに
際しては、仮焼後の混合物中におけるシリコン含有率の
目標値よりもシリコン含有率が多くなるように混合する
。これは、仮焼中にシリコンがモリブデンよりもはるか
に蒸発しやすいからである。
焼法によって作ることもできる。即ちまずモリブデン粉
末とシリコン粉末とを混合した後、真空又は不活性ガス
雰囲気中で１１０．０℃以上の温度で焼成するものであ
る。なおモリブデン粉末とシリコン粉末とを混合するに
際しては、仮焼後の混合物中におけるシリコン含有率の
目標値よりもシリコン含有率が多くなるように混合する
。これは、仮焼中にシリコンがモリブデンよりもはるか
に蒸発しやすいからである。
この仮焼法に用いる原料粉末の粒度は数牌以下が好まし
い、また仮焼温度は特に上限はないのであるが、経済性
の面から１５００℃以下程度とするのが好ましく、とり
わけ１２００−１４００℃程度が好ましい、モリブデン
シリサイドの仮焼物は１次いでこれを粉砕して次の成形
工程に供する。
い、また仮焼温度は特に上限はないのであるが、経済性
の面から１５００℃以下程度とするのが好ましく、とり
わけ１２００−１４００℃程度が好ましい、モリブデン
シリサイドの仮焼物は１次いでこれを粉砕して次の成形
工程に供する。
モリブデンシリサイドの粉末を成形するには、通常の方
法例えばプレス成形法などに従って行う。
法例えばプレス成形法などに従って行う。
なお第２の発明においては、モリブデンシリサイドの粉
末にシリコン粉末を添加してもよい。
末にシリコン粉末を添加してもよい。
即ち本発明のターゲットを製造するには、モリブデンシ
サイド中におけるシリコン含有率を精密にコントロール
する必要があるのであるが、所定のシリコン含有率のモ
リブデンシリサイドを。
サイド中におけるシリコン含有率を精密にコントロール
する必要があるのであるが、所定のシリコン含有率のモ
リブデンシリサイドを。
上記の仮焼性成るいは溶解法によって一回の工程で製造
することは困難である。
することは困難である。
そこで上記仮焼法又は溶解法を行うに際して、シリコン
含有率が目標値よりも少し少なくなるようにし、これか
ら得られるモリブデンシリサイド粉末にシリコン粉末を
添加して混合成形するのが好ましいのである。このよう
にすれば目標値通りのシリコン含有率である成形体が得
られる。更に成形体中にシリコン粉末が含まれていると
、焼結工程においてこのシリコンが溶融し少なくとも部
分的に液相焼結が行われるようになり、低い焼結温度で
高い密度の焼結体を得ることができるようになる。
含有率が目標値よりも少し少なくなるようにし、これか
ら得られるモリブデンシリサイド粉末にシリコン粉末を
添加して混合成形するのが好ましいのである。このよう
にすれば目標値通りのシリコン含有率である成形体が得
られる。更に成形体中にシリコン粉末が含まれていると
、焼結工程においてこのシリコンが溶融し少なくとも部
分的に液相焼結が行われるようになり、低い焼結温度で
高い密度の焼結体を得ることができるようになる。
即ち上述の如くして成形された成形体は、これを焼結す
るのであるがモリブデンシリサイドの粉末だけからなる
成形体においては主として固相焼結となり、シリコン粉
末を添加した成形体においては液相焼結も行われる。
るのであるがモリブデンシリサイドの粉末だけからなる
成形体においては主として固相焼結となり、シリコン粉
末を添加した成形体においては液相焼結も行われる。
この焼結は、真空中又は不活性ガス雰囲気中において行
われる。また焼結は、ホットプレス法によってもよく、
常圧で行ってもよい、焼結温度は、ホットプレス法の場
合には１４００〜１６００℃で十分であるが、常圧焼結
の場合は。
われる。また焼結は、ホットプレス法によってもよく、
常圧で行ってもよい、焼結温度は、ホットプレス法の場
合には１４００〜１６００℃で十分であるが、常圧焼結
の場合は。
上述の如く主として固相焼結が行われる場合には１７０
０℃以−ヒとりわけ１９００℃前後程度の温度とする。
０℃以−ヒとりわけ１９００℃前後程度の温度とする。
（特に成形体が大きい場合には、焼結温度を高くするの
が好ましい、） また、シリコ／の添加により液相焼結も進行する場合に
は、同じ焼結温度で密度は高くなる傾向が見られる。
が好ましい、） また、シリコ／の添加により液相焼結も進行する場合に
は、同じ焼結温度で密度は高くなる傾向が見られる。
［実施例］
以下実施例について説明する。
実施例１
平均粒径３牌のモリブデン粉末（純度
９９．９８％）と平均粒径１終のシリコン粉末（純度９
９．９６％）の粉末を、モリブデン６１！Ｉ！量部、７
９３７３９重量部の割合で混合し、直径８０ｍｍ、厚さ
１０ｍｍの成形体を、成形圧０．５トン／ｃｔｒｒ’で
成形した。
９．９６％）の粉末を、モリブデン６１！Ｉ！量部、７
９３７３９重量部の割合で混合し、直径８０ｍｍ、厚さ
１０ｍｍの成形体を、成形圧０．５トン／ｃｔｒｒ’で
成形した。
この成形体を１０−’Ｔｏｒｒの真空雰囲気中にて１３
００℃、１時間仮焼した。
００℃、１時間仮焼した。
仮焼物を振動式粉砕機にて粉砕し、粉砕した粉末１００
重景部に対して６．４重量部のシリコン粉末（上記原料
シリコン粉末と同じもの）を添加し、直径１８０ｍｍ、
厚さ１２ｍｍの成形体を、成形圧０．５トン／ａｍ’で
成形した。
重景部に対して６．４重量部のシリコン粉末（上記原料
シリコン粉末と同じもの）を添加し、直径１８０ｍｍ、
厚さ１２ｍｍの成形体を、成形圧０．５トン／ａｍ’で
成形した。
この成形体を、次の条件でホットプレスし焼結体とした
。
。
温度 １５５０℃
時間 ２時間
圧力 １２０Ｋｇ／ｃｎｔ’
雰囲気 真空中（ｌｏ’Ｔｏｒｒ）
その結果得られた焼結体（ターゲット）は、相対密度が
９８％、シリコン含有率は４２．５％で、極めて高強度
であった。また断面の顕微鏡観察を行ったところ、少量
存在する気孔も全て独立気孔であることが認められた。
９８％、シリコン含有率は４２．５％で、極めて高強度
であった。また断面の顕微鏡観察を行ったところ、少量
存在する気孔も全て独立気孔であることが認められた。
実施例２
実施例１において、仮焼物を粉砕して得た粉末にシリコ
ンを添加しなかったこと以外は実施例１と同様にしてタ
ーゲットの焼結体を得た。この相体密度は９２，５％、
シリコン含有率は３５．７％であり、同様に高い強度を
有し、かつ独立気孔を有するものであることが認められ
た。
ンを添加しなかったこと以外は実施例１と同様にしてタ
ーゲットの焼結体を得た。この相体密度は９２，５％、
シリコン含有率は３５．７％であり、同様に高い強度を
有し、かつ独立気孔を有するものであることが認められ
た。
実施例３
純度９９．９８％のモリブデンのインゴットと、純度９
９．９９９９％のシリコンインゴットとを、Ｍ ｏ Ｓ
ｌ ２ 、 ｓ（モリブデン５７．２％、シリコン４
２．８％）となるように配合し、プラズマアーク溶解炉
にて溶解した。得られた合金を実施例１と同様にして粉
砕し、この得られた粉末１ＱＱｌｉ部に対して６．４重
量部のシリコン粉末（実施例１で用いたものと同じ）を
添加し、成形、ホットプレスを行った。成形及びホット
プレスの条件は実施例１と同様である。
９．９９９９％のシリコンインゴットとを、Ｍ ｏ Ｓ
ｌ ２ 、 ｓ（モリブデン５７．２％、シリコン４
２．８％）となるように配合し、プラズマアーク溶解炉
にて溶解した。得られた合金を実施例１と同様にして粉
砕し、この得られた粉末１ＱＱｌｉ部に対して６．４重
量部のシリコン粉末（実施例１で用いたものと同じ）を
添加し、成形、ホットプレスを行った。成形及びホット
プレスの条件は実施例１と同様である。
その結果相対密度９５％、シリコン含有率３５．３％の
ターゲットがｐトられた。このターゲットは、同様に、
高強度であり、含まれる気孔も独立気孔であることが認
められた。
ターゲットがｐトられた。このターゲットは、同様に、
高強度であり、含まれる気孔も独立気孔であることが認
められた。
実施例４
実施例１において、仮焼物の粉砕物にシリコン粉末を添
加した後の成形工程で、直径８０ｍｍの成形体としたこ
と、及びホットプレスの代りに常圧焼結を行ったこと以
外は実施例１と同様にしてターゲットを製造した。焼結
温度は１７００゜１８００及び１９００℃の３点とした
。得られた焼結体の相対密度を表１に示す０表１より常
圧焼結を行う場合には、最終的な焼結温度を１９００℃
程度にまで高める必要があることが認められる。
加した後の成形工程で、直径８０ｍｍの成形体としたこ
と、及びホットプレスの代りに常圧焼結を行ったこと以
外は実施例１と同様にしてターゲットを製造した。焼結
温度は１７００゜１８００及び１９００℃の３点とした
。得られた焼結体の相対密度を表１に示す０表１より常
圧焼結を行う場合には、最終的な焼結温度を１９００℃
程度にまで高める必要があることが認められる。
実施例５
実施例１において、仮焼物の粉砕物にシリコン粉末を添
加せず、かつその後の成形体の大きさを８０ ｍ ｍと
したこと、及びホットプレスの代りに常圧焼結を行った
こと以外は実施例１と同様にしてターゲットを得た。な
お最終的な焼結温度は１７００．１８００及び１９００
℃の３点とした、その結果１＋Ｐられたターゲット中相
対密度を表１に示す０表１より、相対密度９０％以上の
ターゲットを得るには焼結温度を１９００℃程度にまで
高める必要があることが認められる。
加せず、かつその後の成形体の大きさを８０ ｍ ｍと
したこと、及びホットプレスの代りに常圧焼結を行った
こと以外は実施例１と同様にしてターゲットを得た。な
お最終的な焼結温度は１７００．１８００及び１９００
℃の３点とした、その結果１＋Ｐられたターゲット中相
対密度を表１に示す０表１より、相対密度９０％以上の
ターゲットを得るには焼結温度を１９００℃程度にまで
高める必要があることが認められる。
また実施例４と比へると、シリコンを添加しない本実施
例５の場合には相対密度が若干低下することが認められ
る。これはシリコンを添加すると、液相焼結が行われ、
焼結速度が増大するためであると推察される。
例５の場合には相対密度が若干低下することが認められ
る。これはシリコンを添加すると、液相焼結が行われ、
焼結速度が増大するためであると推察される。
比較例１
実施例１で用いたものと同じモリブデン粉末とシリコン
粉末を、Ｍｏ５ｔ、、、となるように配合し、この混合
粉末を直径１８０ｍｍ、厚さ１２ｍｍとなるように成形
した。成形圧は０．５トン／Ｃｍ’である。そして実施
例Ｉと同様にしてホットプレスを行ったところ、急激な
発熱反応が生じ、モールドが破壊した。
粉末を、Ｍｏ５ｔ、、、となるように配合し、この混合
粉末を直径１８０ｍｍ、厚さ１２ｍｍとなるように成形
した。成形圧は０．５トン／Ｃｍ’である。そして実施
例Ｉと同様にしてホットプレスを行ったところ、急激な
発熱反応が生じ、モールドが破壊した。
またホットプレスの代わりに常圧焼結を行ったところ、
焼結工程において成形体が細かく烈断し所定形状のター
ゲットを得ることはできなかった。
焼結工程において成形体が細かく烈断し所定形状のター
ゲットを得ることはできなかった。
［効果］
以上の通り本発明によれば、ＭＯ５型ＬＳＩのゲート電
極膜を形成するに好適なモリブデンシリサイド合金から
なるターゲットが提供される。このターゲットは高強度
であり、取扱いが容易である。
極膜を形成するに好適なモリブデンシリサイド合金から
なるターゲットが提供される。このターゲットは高強度
であり、取扱いが容易である。
また第２の発明によれば、このようなターゲットを容易
に製造することかでざる。
に製造することかでざる。
第１図はゲート電極膜の比抵抗／膜厚とシリコン含有率
との関係を示すグラフ、第２図はゲート電極膜中のシリ
コン含有率とターゲット中におけるシリコン含有率との
関係を示すグラフである。
との関係を示すグラフ、第２図はゲート電極膜中のシリ
コン含有率とターゲット中におけるシリコン含有率との
関係を示すグラフである。
Claims (7)
- （１）ＭｏＳｉｘ（１．８４≦ｘ≦２．５７）なる組成
のモリブデンシリサイドからなり、相対密度が９０％以
上であることを特徴とするスパッタリング装置用ターゲ
ット。 - （２）２．１８≦ｘ≦２．３３であることを特徴とする
特許請求の範囲第１項に記載のスパッタリング装置用タ
ーゲット。 - （３）気孔が実質的に独立気孔であることを特徴とする
特許請求の範囲第１項又は第２項に記載のスパッタリン
グ装置用ターゲット。 - （４）モリブデンシリサイドの粉末を形成し、焼結する
ことにより、ＭｏＳｉｘ（１．８４≦ｘ≦２．５７）な
る組成のモリブデンシリサイドからなり、相対密度が９
０％以上であるターゲットを製造することを特徴とする
スパッタリング装置用ターゲットの製造方法。 - （５）モリブデンシリサイドの粉末にシリコン粉末を添
加、混合した後、成形することを特徴とする特許請求の
範囲第４項に記載の製造方法。 - （６）モリブデンシリサイド粉末を、 （イ）仮焼後のシリコン含有率の目標値よりも大なるシ
リコン含有率となるように シリコン粉末とモリブデン粉末とを混 合し、 （ロ）真空又は不活性ガス雰囲気中にて、 （ハ）１１００℃以上の温度で、 仮焼し、次いでこれを粉砕して製造することを特徴とす
る特許請求の範囲第４項又は第５項に記載の製造方法。 - （７）モリブデンとシリコンを溶解することによりモリ
ブデンシリサイドの合金とし、次いでこれを粉砕してモ
リブデンシリサイドの粉末を製造することを特徴とする
特許請求の範囲第４項又は第５項に記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59186072A JPS6176664A (ja) | 1984-09-05 | 1984-09-05 | スパツタリング装置用タ−ゲツト及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59186072A JPS6176664A (ja) | 1984-09-05 | 1984-09-05 | スパツタリング装置用タ−ゲツト及びその製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63323064A Division JPH0666288B2 (ja) | 1988-12-21 | 1988-12-21 | スパッタリング装置用ターゲット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6176664A true JPS6176664A (ja) | 1986-04-19 |
| JPH0360914B2 JPH0360914B2 (ja) | 1991-09-18 |
Family
ID=16181892
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59186072A Granted JPS6176664A (ja) | 1984-09-05 | 1984-09-05 | スパツタリング装置用タ−ゲツト及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6176664A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61179534A (ja) * | 1985-01-16 | 1986-08-12 | Mitsubishi Metal Corp | スパツタリング装置用複合タ−ゲツト |
| JPS6270270A (ja) * | 1985-09-25 | 1987-03-31 | 日本鉱業株式会社 | 高融点金属シリサイド製ターゲットの製造方法 |
| JPS62171911A (ja) * | 1986-01-27 | 1987-07-28 | Nippon Mining Co Ltd | モリプデン或いはタングステンシリサイドの製造方法 |
| JPH051370A (ja) * | 1991-02-05 | 1993-01-08 | Nikko Kyodo Co Ltd | スパツタリング用シリサイドターゲツト及びその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5880835A (ja) * | 1981-11-09 | 1983-05-16 | Toshiba Corp | 高融点金属シリサイドの形成方法 |
-
1984
- 1984-09-05 JP JP59186072A patent/JPS6176664A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5880835A (ja) * | 1981-11-09 | 1983-05-16 | Toshiba Corp | 高融点金属シリサイドの形成方法 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61179534A (ja) * | 1985-01-16 | 1986-08-12 | Mitsubishi Metal Corp | スパツタリング装置用複合タ−ゲツト |
| JPS6270270A (ja) * | 1985-09-25 | 1987-03-31 | 日本鉱業株式会社 | 高融点金属シリサイド製ターゲットの製造方法 |
| JPH0313192B2 (ja) * | 1985-09-25 | 1991-02-21 | Nippon Mining Co | |
| JPS62171911A (ja) * | 1986-01-27 | 1987-07-28 | Nippon Mining Co Ltd | モリプデン或いはタングステンシリサイドの製造方法 |
| JPH0413292B2 (ja) * | 1986-01-27 | 1992-03-09 | Nippon Mining Co | |
| JPH051370A (ja) * | 1991-02-05 | 1993-01-08 | Nikko Kyodo Co Ltd | スパツタリング用シリサイドターゲツト及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0360914B2 (ja) | 1991-09-18 |
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