JP2001342505A - 低融点ターゲット材およびその製造方法 - Google Patents
低融点ターゲット材およびその製造方法Info
- Publication number
- JP2001342505A JP2001342505A JP2000163078A JP2000163078A JP2001342505A JP 2001342505 A JP2001342505 A JP 2001342505A JP 2000163078 A JP2000163078 A JP 2000163078A JP 2000163078 A JP2000163078 A JP 2000163078A JP 2001342505 A JP2001342505 A JP 2001342505A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- powder
- target material
- melting point
- bonding
- low melting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Powder Metallurgy (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ボンディング特性と膜特性（酸素値）に優れ
た低融点ターゲット材およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 Ｔｅ系合金からなり、スパッタ面の酸素
含有量がボンディング面の酸素含有量より低いことを特
徴とする低融点ターゲット材、およびＴｅ系合金粉末を
ガスアトマイズ法により製造して、該粉末を分級して粒
度の粗い粉末をスパッタ面側にセットし、粒度の細かい
粉末をボンディング面側にセットした後、ホットプレス
などの高密度化手段によってターゲットを得ることを特
徴とする低融点ターゲット材の製造方法。
た低融点ターゲット材およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 Ｔｅ系合金からなり、スパッタ面の酸素
含有量がボンディング面の酸素含有量より低いことを特
徴とする低融点ターゲット材、およびＴｅ系合金粉末を
ガスアトマイズ法により製造して、該粉末を分級して粒
度の粗い粉末をスパッタ面側にセットし、粒度の細かい
粉末をボンディング面側にセットした後、ホットプレス
などの高密度化手段によってターゲットを得ることを特
徴とする低融点ターゲット材の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ボンディング特性
と膜特性（酸素値）に優れた低融点ターゲット材および
その製造方法に関するものである。
と膜特性（酸素値）に優れた低融点ターゲット材および
その製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、Ｔｅ系合金ターゲット材の製造方
法においては、例えばＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系ターゲット材
の場合にはＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅを含む原料から所望の成分
に鋳造後粉砕処理をして粉末にし、その粉末をホットプ
レスなどの手段で高密度化成型するか、粉末を冷間プレ
スで成形後焼結する方法によりボンディングされている
のが実状である。
法においては、例えばＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系ターゲット材
の場合にはＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅを含む原料から所望の成分
に鋳造後粉砕処理をして粉末にし、その粉末をホットプ
レスなどの手段で高密度化成型するか、粉末を冷間プレ
スで成形後焼結する方法によりボンディングされている
のが実状である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような技術では、以下の点で問題があった。すなわ
ち、成形、焼結の際、細かい粒度の粉末を用いると焼結
温度を低くできる高密度化が容易になるが、酸素含有量
が増加して薄膜特性を低下させる。また、粗い粒度の粉
末は酸素を低く抑えることができる反面焼結密度が低
く、ボンディング下地処理の際にメッキ液が浸透するな
どボンディング工程に関する問題が生ずる。
たような技術では、以下の点で問題があった。すなわ
ち、成形、焼結の際、細かい粒度の粉末を用いると焼結
温度を低くできる高密度化が容易になるが、酸素含有量
が増加して薄膜特性を低下させる。また、粗い粒度の粉
末は酸素を低く抑えることができる反面焼結密度が低
く、ボンディング下地処理の際にメッキ液が浸透するな
どボンディング工程に関する問題が生ずる。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上述したような問題を解
消するため、発明者らは鋭意開発を進めた結果、ホット
プレス成形や冷間成形の際、細かい粒度の粉末、または
細かい粒度まで含む粉末をターゲット下面になるように
セットし、その上に比較的粗度の粗い粉末をセットし
て、スパッタされる上面は酸素値が低く下面は焼結密度
が高くボンディング特性が良いターゲット材およびその
製造方法を提供することにある。その発明の要旨とする
ところは、 （１）Ｔｅ系合金からなり、スパッタ面の酸素含有量が
ボンディング面の酸素含有量より低いことを特徴とする
低融点ターゲット材。 （２）Ｔｅ系合金粉末をガスアトマイズ法により製造し
て、該粉末を分級して粒度の粗い粉末をスパッタ面側に
セットし、粒度の細かい粉末をボンディング面側にセッ
トした後、ホットプレスなどの高密度化手段によって請
求項１に記載のターゲットを得ることを特徴とする低融
点ターゲット材の製造方法にある。
消するため、発明者らは鋭意開発を進めた結果、ホット
プレス成形や冷間成形の際、細かい粒度の粉末、または
細かい粒度まで含む粉末をターゲット下面になるように
セットし、その上に比較的粗度の粗い粉末をセットし
て、スパッタされる上面は酸素値が低く下面は焼結密度
が高くボンディング特性が良いターゲット材およびその
製造方法を提供することにある。その発明の要旨とする
ところは、 （１）Ｔｅ系合金からなり、スパッタ面の酸素含有量が
ボンディング面の酸素含有量より低いことを特徴とする
低融点ターゲット材。 （２）Ｔｅ系合金粉末をガスアトマイズ法により製造し
て、該粉末を分級して粒度の粗い粉末をスパッタ面側に
セットし、粒度の細かい粉末をボンディング面側にセッ
トした後、ホットプレスなどの高密度化手段によって請
求項１に記載のターゲットを得ることを特徴とする低融
点ターゲット材の製造方法にある。
【０００５】
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。本発明において、Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅを含む原料に
ついて不活性ガスアトマイズ方法により急冷してＧｅ−
Ｓｂ−Ｔｅ系などの低融点合金粉末を製造後、粒度の細
かい粉末をターゲット下面になる部分にセットし、粗い
粉末をターゲット上面になるようにセットして成形、焼
結する。焼結温度は粉末の粒度に大きく依存し、細粒に
なるほど焼結温度は低下する。同一の焼結温度であれば
細粒の方が焼結密度を大きくすることが可能であるが、
元の粉末表面積が大きく酸素値が高いために得られた成
形体を得ることが難しい。また、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅのよ
うな低融点の材料は容易に液相を発生させるために高い
温度での焼結コントロールが難しく、出来るだけ低い温
度での焼結が望まれている。
する。本発明において、Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅを含む原料に
ついて不活性ガスアトマイズ方法により急冷してＧｅ−
Ｓｂ−Ｔｅ系などの低融点合金粉末を製造後、粒度の細
かい粉末をターゲット下面になる部分にセットし、粗い
粉末をターゲット上面になるようにセットして成形、焼
結する。焼結温度は粉末の粒度に大きく依存し、細粒に
なるほど焼結温度は低下する。同一の焼結温度であれば
細粒の方が焼結密度を大きくすることが可能であるが、
元の粉末表面積が大きく酸素値が高いために得られた成
形体を得ることが難しい。また、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅのよ
うな低融点の材料は容易に液相を発生させるために高い
温度での焼結コントロールが難しく、出来るだけ低い温
度での焼結が望まれている。
【０００６】上述したような状況のもとに、Ｔｅ系合金
の融点は通常６００℃程度であることから、鋳造および
ガスアトマイズにおいては、その融点＋１５０〜２００
℃、すなわち、７５０〜８００℃程度の温度に溶かして
行う。一方、本発明におけるホットプレス温度は約６０
０℃〜６５０℃で行う。さらに、本発明においては、ホ
ットプレスの際にアトマイズ粉末の粗粒をスパッタ側
に、細粒をボンディング側にセットすることにより、ス
パッタ側はさらに酸素が低く、スパッタ後の膜特性が良
好となり、かつボンディング側は密度が高く、ボンディ
ング特性の良好なターゲットを得ることが可能となる。
の融点は通常６００℃程度であることから、鋳造および
ガスアトマイズにおいては、その融点＋１５０〜２００
℃、すなわち、７５０〜８００℃程度の温度に溶かして
行う。一方、本発明におけるホットプレス温度は約６０
０℃〜６５０℃で行う。さらに、本発明においては、ホ
ットプレスの際にアトマイズ粉末の粗粒をスパッタ側
に、細粒をボンディング側にセットすることにより、ス
パッタ側はさらに酸素が低く、スパッタ後の膜特性が良
好となり、かつボンディング側は密度が高く、ボンディ
ング特性の良好なターゲットを得ることが可能となる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明について実施例によって具体的
に説明する。Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅをそれぞれ、１４、２
４、６２重量％になるように各インゴットを秤量し、誘
導溶解炉で溶解した後、Ａｒガスアトマイズによって、
平均粒径２００μｍのアトマイズ粉末を製造した。アト
マイズ粉末は目開き１００μｍの篩で分級し平均粒径３
００μｍの粗粒と平均粒径５０μｍの細粒を得た。細粒
をホットプレス用ダイの下側にセットし、粗粒をその上
にセットした後、６３０℃×２時間の温度条件で面圧１
００ｋｇｆ／ｃｍ2 でホットプレスしてターゲットを製
造した。また、従来工程の比較材として、同成分の鋳造
合金を作製した後、粉砕することによって平均粒径１０
０μｍのＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金粉末を製造して、同じ
ホットプレス条件でターゲットを製造した。さらに分級
前のアトマイズ粉末を用いて同様のホットプレス条件で
ターゲットを製造した。
に説明する。Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅをそれぞれ、１４、２
４、６２重量％になるように各インゴットを秤量し、誘
導溶解炉で溶解した後、Ａｒガスアトマイズによって、
平均粒径２００μｍのアトマイズ粉末を製造した。アト
マイズ粉末は目開き１００μｍの篩で分級し平均粒径３
００μｍの粗粒と平均粒径５０μｍの細粒を得た。細粒
をホットプレス用ダイの下側にセットし、粗粒をその上
にセットした後、６３０℃×２時間の温度条件で面圧１
００ｋｇｆ／ｃｍ2 でホットプレスしてターゲットを製
造した。また、従来工程の比較材として、同成分の鋳造
合金を作製した後、粉砕することによって平均粒径１０
０μｍのＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金粉末を製造して、同じ
ホットプレス条件でターゲットを製造した。さらに分級
前のアトマイズ粉末を用いて同様のホットプレス条件で
ターゲットを製造した。
【０００８】それぞれ得られたターゲットについて、酸
素分析試料を切り出し、ターゲットの酸素量を分析し
た。また、金メッキした後、インジウムロウを用いて銅
製のパッキングプレートにロウ付けしてボンディング特
性を比較した。その結果を表１に示す。この表１に示す
ように、本発明例であるボンディング特性は、比較例に
おけるボンディング特性に比較して極めて優れているこ
とが判る。
素分析試料を切り出し、ターゲットの酸素量を分析し
た。また、金メッキした後、インジウムロウを用いて銅
製のパッキングプレートにロウ付けしてボンディング特
性を比較した。その結果を表１に示す。この表１に示す
ように、本発明例であるボンディング特性は、比較例に
おけるボンディング特性に比較して極めて優れているこ
とが判る。
【０００９】
【表１】
【００１０】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によりスパッ
タ膜の特性はスパッタリングターゲットの酸素含有量に
よって左右され、酸素含有量の低いターゲットを使用し
た場合は膜特性のバラツキがなく、安定した特性が得ら
れる。また、ボンディング特性はスパッタリングターゲ
ットの密度に左右され、密度の低いターゲットはメッキ
液が浸透したりするなどボンディングの際の下地膜処理
の安定化が難しく、ハイレートスパッタの際に割れが生
じるまどの問題を解消することが出来る極めて優れた効
果を奏するものである。
タ膜の特性はスパッタリングターゲットの酸素含有量に
よって左右され、酸素含有量の低いターゲットを使用し
た場合は膜特性のバラツキがなく、安定した特性が得ら
れる。また、ボンディング特性はスパッタリングターゲ
ットの密度に左右され、密度の低いターゲットはメッキ
液が浸透したりするなどボンディングの際の下地膜処理
の安定化が難しく、ハイレートスパッタの際に割れが生
じるまどの問題を解消することが出来る極めて優れた効
果を奏するものである。
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｔｅ系合金からなり、スパッタ面の酸素
含有量がボンディング面の酸素含有量より低いことを特
徴とする低融点ターゲット材。 - 【請求項２】 Ｔｅ系合金粉末をガスアトマイズ法によ
り製造して、該粉末を分級して粒度の粗い粉末をスパッ
タ面側にセットし、粒度の細かい粉末をボンディング面
側にセットした後、ホットプレスなどの高密度化手段に
よって請求項１に記載のターゲットを得ることを特徴と
する低融点ターゲット材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000163078A JP2001342505A (ja) | 2000-05-31 | 2000-05-31 | 低融点ターゲット材およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000163078A JP2001342505A (ja) | 2000-05-31 | 2000-05-31 | 低融点ターゲット材およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001342505A true JP2001342505A (ja) | 2001-12-14 |
Family
ID=18666891
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000163078A Withdrawn JP2001342505A (ja) | 2000-05-31 | 2000-05-31 | 低融点ターゲット材およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001342505A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006077692A1 (ja) * | 2005-01-18 | 2006-07-27 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | 焼結用Ｓｂ－Ｔｅ系合金粉末及びこの粉末を焼結して得た焼結体スパッタリングターゲット並びに焼結用Ｓｂ－Ｔｅ系合金粉末の製造方法 |
| US7803209B2 (en) | 2004-11-30 | 2010-09-28 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd | Sb-Te alloy sintered compact sputtering target |
| US7943021B2 (en) | 2004-12-24 | 2011-05-17 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sb-Te alloy sintered compact target and manufacturing method thereof |
| US8882975B2 (en) | 2006-10-13 | 2014-11-11 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sb-Te base alloy sinter sputtering target |
| US9299543B2 (en) | 2009-05-27 | 2016-03-29 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Target of sintered compact, and method of producing the sintered compact |
| US10889887B2 (en) | 2016-08-22 | 2021-01-12 | Honeywell International Inc. | Chalcogenide sputtering target and method of making the same |
-
2000
- 2000-05-31 JP JP2000163078A patent/JP2001342505A/ja not_active Withdrawn
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7803209B2 (en) | 2004-11-30 | 2010-09-28 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd | Sb-Te alloy sintered compact sputtering target |
| US7943021B2 (en) | 2004-12-24 | 2011-05-17 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sb-Te alloy sintered compact target and manufacturing method thereof |
| EP2264216A3 (en) * | 2004-12-24 | 2012-03-21 | JX Nippon Mining & Metals Corporation | Process for manufacturing an Sb-Te alloy sintered compact target |
| WO2006077692A1 (ja) * | 2005-01-18 | 2006-07-27 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | 焼結用Ｓｂ－Ｔｅ系合金粉末及びこの粉末を焼結して得た焼結体スパッタリングターゲット並びに焼結用Ｓｂ－Ｔｅ系合金粉末の製造方法 |
| US7947106B2 (en) | 2005-01-18 | 2011-05-24 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sb-Te alloy powder for sintering, sintered compact sputtering target obtained by sintering said powder, and manufacturing method of Sb-Te alloy powder for sintering |
| US8882975B2 (en) | 2006-10-13 | 2014-11-11 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sb-Te base alloy sinter sputtering target |
| US9299543B2 (en) | 2009-05-27 | 2016-03-29 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Target of sintered compact, and method of producing the sintered compact |
| US10889887B2 (en) | 2016-08-22 | 2021-01-12 | Honeywell International Inc. | Chalcogenide sputtering target and method of making the same |
| US11946132B2 (en) | 2016-08-22 | 2024-04-02 | Honeywell International Inc. | Chalcogenide sputtering target and method of making the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI431140B (zh) | Method for manufacturing sputtering standard materials for aluminum - based alloys | |
| JP2010095770A (ja) | Ｔｉ−Ａｌ系合金ターゲット及びその製造方法 | |
| JP2970813B2 (ja) | スパッタリングターゲットおよびその製造方法，およびそのターゲットを用いて形成された記録薄膜，光ディスク | |
| KR100775140B1 (ko) | 증발 소스를 제조하는 방법 | |
| JPWO2004001092A1 (ja) | ＡｌＲｕスパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
| JP2001342505A (ja) | 低融点ターゲット材およびその製造方法 | |
| JPS61139637A (ja) | スパツタ用タ−ゲツトとその製造方法 | |
| JP2004520481A (ja) | 物理蒸着用ターゲット及び形成法 | |
| CN106164329A (zh) | 包含Al‑Te‑Cu‑Zr合金的溅射靶及其制造方法 | |
| US4343650A (en) | Metal binder in compaction of metal powders | |
| JP3703648B2 (ja) | Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系スパッタリング用ターゲット材の製造方法 | |
| JP2001123266A (ja) | Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系スパッタリングターゲット材の製造方法 | |
| JP3984849B2 (ja) | スパッタリング用Ｇｅ−Ｂｉ合金ターゲット及びその製造方法 | |
| JPH1081962A (ja) | Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ系スパッタリング用ターゲット材の製造方法 | |
| JP2009511741A (ja) | 材料混合物、スパッタターゲット、その製造方法並びに材料混合物の使用 | |
| JPH0586456A (ja) | スパツタリング用ターゲツト | |
| JP3525439B2 (ja) | ターゲット部材およびその製造方法 | |
| JPS62274033A (ja) | 希土類−遷移金属合金タ−ゲツトの製造方法 | |
| JP2542566B2 (ja) | スパツタリング装置用タ−ゲツトの製造方法 | |
| JP2001342559A (ja) | Ｔｅ系合金ターゲット材の製造方法 | |
| JP6793730B2 (ja) | 金属性粉末を圧縮し高密度化して得られる材料 | |
| JP3997527B2 (ja) | Ｒｕ−Ａｌ金属間化合物ターゲットの製造方法、Ｒｕ−Ａｌ金属間化合物ターゲットおよび磁気記録媒体 | |
| JPH0247261A (ja) | シリサイドターゲットおよびその製造方法 | |
| JPS6176664A (ja) | スパツタリング装置用タ−ゲツト及びその製造方法 | |
| JPH0254760A (ja) | ターゲットの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070807 |