JPH0586456A - スパツタリング用ターゲツト - Google Patents
スパツタリング用ターゲツトInfo
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- JPH0586456A JPH0586456A JP7657591A JP7657591A JPH0586456A JP H0586456 A JPH0586456 A JP H0586456A JP 7657591 A JP7657591 A JP 7657591A JP 7657591 A JP7657591 A JP 7657591A JP H0586456 A JPH0586456 A JP H0586456A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 本発明のスパッタリング用タ−ゲットは、C
r5〜20重量%、Pt10〜55重量%、残部がCo
からなる組成に、Ni,Ta,Pd,Nbの中から選ば
れた1種以上の元素を各々0.1〜20重量%、及び/
またはZr,Ti,Hf,Al,Si,Mo,W,V,
Cuの中から選ばれた1種以上の元素を各々0.01〜
7重量%、及び/またはMg,Ca,La,Ce,Nd
の中から選ばれた1種以上の元素を各々0.005〜3
重量%加える。 【効果】 本発明のタ−ゲットによれば、磁性特性、特
に保磁力(Hc)を向上させることができる。また、該
タ−ゲットを低硫黄化することができ、したがって、該
ターゲット中の格子欠陥を減少させることができ、成膜
したハ−ドディスクの均質性を向上させ、該ハ−ドディ
スクの品質及び歩留まりを大幅に向上させることができ
る。
r5〜20重量%、Pt10〜55重量%、残部がCo
からなる組成に、Ni,Ta,Pd,Nbの中から選ば
れた1種以上の元素を各々0.1〜20重量%、及び/
またはZr,Ti,Hf,Al,Si,Mo,W,V,
Cuの中から選ばれた1種以上の元素を各々0.01〜
7重量%、及び/またはMg,Ca,La,Ce,Nd
の中から選ばれた1種以上の元素を各々0.005〜3
重量%加える。 【効果】 本発明のタ−ゲットによれば、磁性特性、特
に保磁力(Hc)を向上させることができる。また、該
タ−ゲットを低硫黄化することができ、したがって、該
ターゲット中の格子欠陥を減少させることができ、成膜
したハ−ドディスクの均質性を向上させ、該ハ−ドディ
スクの品質及び歩留まりを大幅に向上させることができ
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、スパッタリング用ター
ゲットに係り、特に、磁性材料であるCr−Pt−Co
系合金をハードディスク基板上にスパッタリングする際
に好適に用いられるスパッタリング用ターゲットに関す
るものである。
ゲットに係り、特に、磁性材料であるCr−Pt−Co
系合金をハードディスク基板上にスパッタリングする際
に好適に用いられるスパッタリング用ターゲットに関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】近年、情報機器の急激な進歩に伴い、記
憶装置の主要部を構成する磁気ディスクや磁気ヘッドに
対しても高保磁力かつ高密度なものが求められている。
憶装置の主要部を構成する磁気ディスクや磁気ヘッドに
対しても高保磁力かつ高密度なものが求められている。
【0003】薄膜のハードディスクを例にとると、従来
ではアルミ板の表面にスピンコート等により強磁性材料
を塗布する方法が一般的であったが、このような塗布媒
体では記録密度を更に向上させることが難しく、最近で
は強磁性材料を高周波(rf)スパッタリング等により
直接基板上に形成する方法が採られている。この方法
は、従来の塗布法に比べて高密度記録が可能、電磁変換
特性に優れ、SN比が高い等の特徴があるために、各ハ
ードディスク製造メーカー等において精力的に開発が進
められている。
ではアルミ板の表面にスピンコート等により強磁性材料
を塗布する方法が一般的であったが、このような塗布媒
体では記録密度を更に向上させることが難しく、最近で
は強磁性材料を高周波(rf)スパッタリング等により
直接基板上に形成する方法が採られている。この方法
は、従来の塗布法に比べて高密度記録が可能、電磁変換
特性に優れ、SN比が高い等の特徴があるために、各ハ
ードディスク製造メーカー等において精力的に開発が進
められている。
【0004】このハードディスクでは、膜厚が1μm以
下と薄いことから従来に増して耐傷性や耐食性に対する
条件が厳しく、また、高密度化に対応するためにより高
品質な膜が求められている。したがって、薄膜形成に用
いられるスパッタリング用ターゲット(以下、単にター
ゲットと略称する)についても、より高純度かつ均一な
組成のものが要望されている。
下と薄いことから従来に増して耐傷性や耐食性に対する
条件が厳しく、また、高密度化に対応するためにより高
品質な膜が求められている。したがって、薄膜形成に用
いられるスパッタリング用ターゲット(以下、単にター
ゲットと略称する)についても、より高純度かつ均一な
組成のものが要望されている。
【0005】従来より前記ターゲットの材料としては、
磁性材料として優れた特性を備えているCr−Pt−C
o系合金が知られており、このターゲットを製造する方
法としては、粉末冶金法、溶解鋳造法等様々な方法があ
るが、一般的には粉末冶金法が最も多く用いられてい
る。
磁性材料として優れた特性を備えているCr−Pt−C
o系合金が知られており、このターゲットを製造する方
法としては、粉末冶金法、溶解鋳造法等様々な方法があ
るが、一般的には粉末冶金法が最も多く用いられてい
る。
【0006】この製法では、まず、ターゲットの原料と
なる粉末状のCr,Pt,Co各々を所定量秤量する。通
常、これらの原料の純度は3N〜4N程度のものが好適
に用いられる。
なる粉末状のCr,Pt,Co各々を所定量秤量する。通
常、これらの原料の純度は3N〜4N程度のものが好適
に用いられる。
【0007】次に、これらの各原料をボールミル等の混
合機により混合した後、この混合粉体をゴム製の成形金
型に充填し、冷間静水圧プレス(CIP)により加圧・
成形する。次に、得られた成形物をステンレススチール
等の金属缶に封入した後熱間静水圧プレス(HIP)に
より焼結する。なお、ホットプレス(HP)を用いれ
ば、上記の加圧・成形工程と焼結工程を一つの工程で行
うことができる。
合機により混合した後、この混合粉体をゴム製の成形金
型に充填し、冷間静水圧プレス(CIP)により加圧・
成形する。次に、得られた成形物をステンレススチール
等の金属缶に封入した後熱間静水圧プレス(HIP)に
より焼結する。なお、ホットプレス(HP)を用いれ
ば、上記の加圧・成形工程と焼結工程を一つの工程で行
うことができる。
【0008】得られた焼結体を所定の形状に加工した
後、ボンディング等の仕上加工がなされて製品(ターゲ
ット)とされる。
後、ボンディング等の仕上加工がなされて製品(ターゲ
ット)とされる。
【0009】上記の方法によるターゲットは、割れ、欠
け、ひび等を生じることなく、しかも粉砕によって結晶
粒径をある程度小さくすることができるために、生成膜
の安定性も向上するという利点がある。
け、ひび等を生じることなく、しかも粉砕によって結晶
粒径をある程度小さくすることができるために、生成膜
の安定性も向上するという利点がある。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記ターゲ
ットでは、Cr−Pt−Co系合金の有する固有の物性
により磁性特性が決定されてしまうために、この磁性特
性、特に保磁力(Hc)をさらに向上させることは極め
て困難であった。
ットでは、Cr−Pt−Co系合金の有する固有の物性
により磁性特性が決定されてしまうために、この磁性特
性、特に保磁力(Hc)をさらに向上させることは極め
て困難であった。
【0011】これまでにも、上述した粉末冶金法等にみ
られる様にターゲットの製造方法を改良することで磁性
特性、特に保磁力(Hc)を向上させる試みが多数なさ
れてきており、前記ターゲットの均質性や結晶性も一段
と改良されてきている。
られる様にターゲットの製造方法を改良することで磁性
特性、特に保磁力(Hc)を向上させる試みが多数なさ
れてきており、前記ターゲットの均質性や結晶性も一段
と改良されてきている。
【0012】したがって、今日では、ターゲットの磁性
特性は、Cr−Pt−Co系合金本来の特性から期待さ
れる磁気特性を充分達成するまでになってきており、ま
た、ハードディスクの品質や歩留まりも大幅に向上して
きていることから、これ以上ターゲットの磁性特性、特
に保磁力(Hc)を向上させることは原理的に極めて難
しく、新たな材料開発の必要性が叫ばれていた。
特性は、Cr−Pt−Co系合金本来の特性から期待さ
れる磁気特性を充分達成するまでになってきており、ま
た、ハードディスクの品質や歩留まりも大幅に向上して
きていることから、これ以上ターゲットの磁性特性、特
に保磁力(Hc)を向上させることは原理的に極めて難
しく、新たな材料開発の必要性が叫ばれていた。
【0013】また、前記ターゲットはHIPやHPを用
いて焼結しているが、この焼結工程時においては材料に
含まれる硫黄(S)成分が散逸せずに焼結体中に残留し
てしまい、該ターゲット中に多数の格子欠陥等の不具合
を生じさせるという欠点もあった。
いて焼結しているが、この焼結工程時においては材料に
含まれる硫黄(S)成分が散逸せずに焼結体中に残留し
てしまい、該ターゲット中に多数の格子欠陥等の不具合
を生じさせるという欠点もあった。
【0014】このターゲットを用いて成膜した場合、ハ
ードディスクの表面に欠陥が発生し易くなり、均質性が
低下することとなる。したがって、該ハードディスクの
磁気特性が悪化し、該ハードディスクの品質や歩留まり
が大幅に低下してしまう等の問題もあった。
ードディスクの表面に欠陥が発生し易くなり、均質性が
低下することとなる。したがって、該ハードディスクの
磁気特性が悪化し、該ハードディスクの品質や歩留まり
が大幅に低下してしまう等の問題もあった。
【0015】この発明は、上記の事情に鑑みてなされた
もので、ハードディスクの磁気特性、特に保磁力(H
c)を向上させることができ、高い記録密度を有するハ
ードディスクを高品質かつ高歩留まりで製造することの
できるCr−Pt−Co系のターゲットを提供することに
ある。
もので、ハードディスクの磁気特性、特に保磁力(H
c)を向上させることができ、高い記録密度を有するハ
ードディスクを高品質かつ高歩留まりで製造することの
できるCr−Pt−Co系のターゲットを提供することに
ある。
【0016】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は次の様なターゲットを採用した。
に、本発明は次の様なターゲットを採用した。
【0017】すなわち、請求項1記載のターゲットとし
ては、Cr5〜20重量%、Pt10〜55重量%を含
有すると共に、Ni,Ta,Pd,Nbの中から選ばれ
た1種以上の元素を各々0.1〜20重量%含有し、残
部がCoからなることを特徴としている。
ては、Cr5〜20重量%、Pt10〜55重量%を含
有すると共に、Ni,Ta,Pd,Nbの中から選ばれ
た1種以上の元素を各々0.1〜20重量%含有し、残
部がCoからなることを特徴としている。
【0018】また、請求項2記載のターゲットとして
は、Cr5〜20重量%、Pt10〜55重量%を含有
すると共に、Zr,Ti,Hf,Al,Si,Mo,
W,V,Cuの中から選ばれた1種以上の元素を各々
0.01〜7重量%含有し、残部がCoからなることを
特徴としている。
は、Cr5〜20重量%、Pt10〜55重量%を含有
すると共に、Zr,Ti,Hf,Al,Si,Mo,
W,V,Cuの中から選ばれた1種以上の元素を各々
0.01〜7重量%含有し、残部がCoからなることを
特徴としている。
【0019】また、請求項3記載のターゲットとして
は、Cr5〜20重量%、Pt10〜55重量%を含有
すると共に、Mg,Ca,La,Ce,Ndの中から選
ばれた1種以上の元素を各々0.005〜3重量%含有
し、残部がCoからなることを特徴としている。
は、Cr5〜20重量%、Pt10〜55重量%を含有
すると共に、Mg,Ca,La,Ce,Ndの中から選
ばれた1種以上の元素を各々0.005〜3重量%含有
し、残部がCoからなることを特徴としている。
【0020】また、請求項4記載のターゲットとして
は、Cr5〜20重量%、Pt10〜55重量%を含有
し、Ni,Ta,Pd,Nbの中から選ばれた1種以上
の元素を各々0.1〜20重量%含有すると共に、Z
r,Ti,Hf,Al,Si,Mo,W,V,Cuの中
から選ばれた1種以上の元素を各々0.01〜7重量%
含有し、残部がCoからなることを特徴としている。
は、Cr5〜20重量%、Pt10〜55重量%を含有
し、Ni,Ta,Pd,Nbの中から選ばれた1種以上
の元素を各々0.1〜20重量%含有すると共に、Z
r,Ti,Hf,Al,Si,Mo,W,V,Cuの中
から選ばれた1種以上の元素を各々0.01〜7重量%
含有し、残部がCoからなることを特徴としている。
【0021】また、請求項5記載のターゲットとして
は、Cr5〜20重量%、Pt10〜55重量%を含有
し、Ni,Ta,Pd,Nbの中から選ばれた1種以上
の元素を各々0.1〜20重量%含有すると共に、M
g,Ca,La,Ce,Ndの中から選ばれた1種以上
の元素を各々0.005〜3重量%含有し、残部がCo
からなることを特徴としている。
は、Cr5〜20重量%、Pt10〜55重量%を含有
し、Ni,Ta,Pd,Nbの中から選ばれた1種以上
の元素を各々0.1〜20重量%含有すると共に、M
g,Ca,La,Ce,Ndの中から選ばれた1種以上
の元素を各々0.005〜3重量%含有し、残部がCo
からなることを特徴としている。
【0022】また、請求項6記載のターゲットとして
は、Cr5〜20重量%、Pt10〜55重量%を含有
し、Zr,Ti,Hf,Al,Si,Mo,W,V,C
uの中から選ばれた1種以上の元素を各々0.01〜7
重量%含有すると共に、Mg,Ca,La,Ce,Nd
の中から選ばれた1種以上の元素を各々0.005〜3
重量%含有し、残部がCoからなることを特徴としてい
る。
は、Cr5〜20重量%、Pt10〜55重量%を含有
し、Zr,Ti,Hf,Al,Si,Mo,W,V,C
uの中から選ばれた1種以上の元素を各々0.01〜7
重量%含有すると共に、Mg,Ca,La,Ce,Nd
の中から選ばれた1種以上の元素を各々0.005〜3
重量%含有し、残部がCoからなることを特徴としてい
る。
【0023】また、請求項7記載のターゲットとして
は、Cr5〜20重量%、Pt10〜55重量%を含有
し、Ni,Ta,Pd,Nbの中から選ばれた1種以上
の元素を各々0.1〜20重量%含有し、Zr,Ti,
Hf,Al,Si,Mo,W,V,Cuの中から選ばれ
た1種以上の元素を各々0.01〜7重量%含有すると
共に、Mg,Ca,La,Ce,Ndの中から選ばれた
1種以上の元素を各々0.005〜3重量%含有し、残
部がCoからなることを特徴としている。
は、Cr5〜20重量%、Pt10〜55重量%を含有
し、Ni,Ta,Pd,Nbの中から選ばれた1種以上
の元素を各々0.1〜20重量%含有し、Zr,Ti,
Hf,Al,Si,Mo,W,V,Cuの中から選ばれ
た1種以上の元素を各々0.01〜7重量%含有すると
共に、Mg,Ca,La,Ce,Ndの中から選ばれた
1種以上の元素を各々0.005〜3重量%含有し、残
部がCoからなることを特徴としている。
【0024】ここで、Cr,Pt,Coの各成分の組成
が上記範囲を外れている場合には、スパッタリングによ
る生成膜の磁気特性が所望の値とならないために実用上
不適当であり、また、Ptが55重量%を越えている場
合には、脆さが増大して圧延が困難になる。
が上記範囲を外れている場合には、スパッタリングによ
る生成膜の磁気特性が所望の値とならないために実用上
不適当であり、また、Ptが55重量%を越えている場
合には、脆さが増大して圧延が困難になる。
【0025】また、Ni,Ta,Pd,Nbの中から選
ばれた1種以上の元素の各成分の添加量が上記範囲の下
限を下回る場合には前記元素の効果が極めて小さなもの
となり、また、上記範囲の上限を上回る場合には前記元
素の効果が飽和しターゲットの特性を低下させるため
に、実用上不適当である。
ばれた1種以上の元素の各成分の添加量が上記範囲の下
限を下回る場合には前記元素の効果が極めて小さなもの
となり、また、上記範囲の上限を上回る場合には前記元
素の効果が飽和しターゲットの特性を低下させるため
に、実用上不適当である。
【0026】また、Zr,Ti,Hf,Al,Si,M
o,W,V,Cuの中から選ばれた1種以上の元素の各
成分の添加量が上記範囲の下限を下回る場合には前記元
素の効果が極めて小さなものとなり、また、上記範囲の
上限を上回る場合には前記元素の効果が飽和しターゲッ
トの特性を低下させるために、実用上不適当である。
o,W,V,Cuの中から選ばれた1種以上の元素の各
成分の添加量が上記範囲の下限を下回る場合には前記元
素の効果が極めて小さなものとなり、また、上記範囲の
上限を上回る場合には前記元素の効果が飽和しターゲッ
トの特性を低下させるために、実用上不適当である。
【0027】また、Mg,Ca,La,Ce,Ndの中
から選ばれた1種以上の元素の各成分の添加量が上記範
囲の下限を下回る場合には前記元素の効果が極めて小さ
なものとなり、ターゲット製造時にターゲット自体の低
硫黄化を行うことができないために実用上不適当であ
る。また、上記範囲の上限を上回る場合には前記元素の
効果が飽和しターゲットの特性を低下させるために、実
用上不適当である。
から選ばれた1種以上の元素の各成分の添加量が上記範
囲の下限を下回る場合には前記元素の効果が極めて小さ
なものとなり、ターゲット製造時にターゲット自体の低
硫黄化を行うことができないために実用上不適当であ
る。また、上記範囲の上限を上回る場合には前記元素の
効果が飽和しターゲットの特性を低下させるために、実
用上不適当である。
【0028】
【作用】本発明の請求項1記載のターゲットでは、Cr
5〜20重量%、Pt10〜55重量%を含有すると共
に、Ni,Ta,Pd,Nbの中から選ばれた1種以上
の元素を各々0.1〜20重量%含有し、残部をCoと
することにより、従来のCr−Pt−Co系合金のター
ゲットと比べて磁性特性、特に保磁力(Hc)が向上す
る。
5〜20重量%、Pt10〜55重量%を含有すると共
に、Ni,Ta,Pd,Nbの中から選ばれた1種以上
の元素を各々0.1〜20重量%含有し、残部をCoと
することにより、従来のCr−Pt−Co系合金のター
ゲットと比べて磁性特性、特に保磁力(Hc)が向上す
る。
【0029】また、請求項2記載のターゲットでは、C
r5〜20重量%、Pt10〜55重量%を含有すると
共に、Zr,Ti,Hf,Al,Si,Mo,W,V,
Cuの中から選ばれた1種以上の元素を各々0.01〜
7重量%含有し、残部をCoとすることにより、従来の
Cr−Pt−Co系合金のターゲットと比べて磁性特
性、特に保磁力(Hc)が向上する。
r5〜20重量%、Pt10〜55重量%を含有すると
共に、Zr,Ti,Hf,Al,Si,Mo,W,V,
Cuの中から選ばれた1種以上の元素を各々0.01〜
7重量%含有し、残部をCoとすることにより、従来の
Cr−Pt−Co系合金のターゲットと比べて磁性特
性、特に保磁力(Hc)が向上する。
【0030】また、請求項3記載のターゲットでは、C
r5〜20重量%、Pt10〜55重量%を含有すると
共に、Mg,Ca,La,Ce,Ndの中から選ばれた
1種以上の元素を各々0.005〜3重量%含有し、残
部をCoとすることにより、ターゲット製造時において
HIP処理する際に、前記ターゲットに含まれるMg,
Ca,La,Ce,Nd等の元素が該ターゲットに含ま
れる硫黄(S)と反応して硫化物となり該ターゲットか
ら散逸し、該ターゲットを低硫黄化する。
r5〜20重量%、Pt10〜55重量%を含有すると
共に、Mg,Ca,La,Ce,Ndの中から選ばれた
1種以上の元素を各々0.005〜3重量%含有し、残
部をCoとすることにより、ターゲット製造時において
HIP処理する際に、前記ターゲットに含まれるMg,
Ca,La,Ce,Nd等の元素が該ターゲットに含ま
れる硫黄(S)と反応して硫化物となり該ターゲットか
ら散逸し、該ターゲットを低硫黄化する。
【0031】また、請求項4記載のターゲットでは、C
r5〜20重量%、Pt10〜55重量%を含有し、N
i,Ta,Pd,Nbの中から選ばれた1種以上の元素
を各々0.1〜20重量%含有すると共に、Zr,T
i,Hf,Al,Si,Mo,W,V,Cuの中から選
ばれた1種以上の元素を各々0.01〜7重量%含有
し、残部をCoとすることにより、従来のCr−Pt−
Co系合金のターゲットと比べて磁性特性、特に保磁力
(Hc)が向上する。
r5〜20重量%、Pt10〜55重量%を含有し、N
i,Ta,Pd,Nbの中から選ばれた1種以上の元素
を各々0.1〜20重量%含有すると共に、Zr,T
i,Hf,Al,Si,Mo,W,V,Cuの中から選
ばれた1種以上の元素を各々0.01〜7重量%含有
し、残部をCoとすることにより、従来のCr−Pt−
Co系合金のターゲットと比べて磁性特性、特に保磁力
(Hc)が向上する。
【0032】また、請求項5記載のターゲットでは、C
r5〜20重量%、Pt10〜55重量%を含有し、N
i,Ta,Pd,Nbの中から選ばれた1種以上の元素
を各々0.1〜20重量%含有し、残部をCoとするこ
とにより、従来のCr−Pt−Co系合金のターゲット
と比べて磁性特性、特に保磁力(Hc)が向上する。
r5〜20重量%、Pt10〜55重量%を含有し、N
i,Ta,Pd,Nbの中から選ばれた1種以上の元素
を各々0.1〜20重量%含有し、残部をCoとするこ
とにより、従来のCr−Pt−Co系合金のターゲット
と比べて磁性特性、特に保磁力(Hc)が向上する。
【0033】また、Mg,Ca,La,Ce,Ndの中
から選ばれた1種以上の元素を各々0.005〜3重量
%含有することにより、ターゲット製造時においてHI
P処理する際に、前記ターゲットに含まれるMg,C
a,La,Ce,Nd等の元素が該ターゲットに含まれ
る硫黄(S)と反応して硫化物となり該ターゲットから
散逸し、該ターゲットを低硫黄化する。
から選ばれた1種以上の元素を各々0.005〜3重量
%含有することにより、ターゲット製造時においてHI
P処理する際に、前記ターゲットに含まれるMg,C
a,La,Ce,Nd等の元素が該ターゲットに含まれ
る硫黄(S)と反応して硫化物となり該ターゲットから
散逸し、該ターゲットを低硫黄化する。
【0034】また、請求項6記載のターゲットでは、C
r5〜20重量%、Pt10〜55重量%を含有し、Z
r,Ti,Hf,Al,Si,Mo,W,V,Cuの中
から選ばれた1種以上の元素を各々0.01〜7重量%
含有し、残部をCoとすることにより、従来のCr−P
t−Co系合金のターゲットと比べて磁性特性、特に保
磁力(Hc)が向上する。
r5〜20重量%、Pt10〜55重量%を含有し、Z
r,Ti,Hf,Al,Si,Mo,W,V,Cuの中
から選ばれた1種以上の元素を各々0.01〜7重量%
含有し、残部をCoとすることにより、従来のCr−P
t−Co系合金のターゲットと比べて磁性特性、特に保
磁力(Hc)が向上する。
【0035】また、Mg,Ca,La,Ce,Ndの中
から選ばれた1種以上の元素を各々0.005〜3重量
%含有することにより、ターゲット製造時においてHI
P処理する際に、前記ターゲットに含まれるMg,C
a,La,Ce,Nd等の元素が該ターゲットに含まれ
る硫黄(S)と反応して硫化物となり該ターゲットから
散逸し、該ターゲットを低硫黄化する。
から選ばれた1種以上の元素を各々0.005〜3重量
%含有することにより、ターゲット製造時においてHI
P処理する際に、前記ターゲットに含まれるMg,C
a,La,Ce,Nd等の元素が該ターゲットに含まれ
る硫黄(S)と反応して硫化物となり該ターゲットから
散逸し、該ターゲットを低硫黄化する。
【0036】また、請求項7記載のターゲットでは、C
r5〜20重量%、Pt10〜55重量%を含有し、N
i,Ta,Pd,Nbの中から選ばれた1種以上の元素
を各々0.1〜20重量%含有し、Zr,Ti,Hf,
Al,Si,Mo,W,V,Cuの中から選ばれた1種
以上の元素を各々0.01〜7重量%含有し、残部をC
oとすることにより、従来のCr−Pt−Co系合金の
ターゲットと比べて磁性特性、特に保磁力(Hc)が更
に向上する。
r5〜20重量%、Pt10〜55重量%を含有し、N
i,Ta,Pd,Nbの中から選ばれた1種以上の元素
を各々0.1〜20重量%含有し、Zr,Ti,Hf,
Al,Si,Mo,W,V,Cuの中から選ばれた1種
以上の元素を各々0.01〜7重量%含有し、残部をC
oとすることにより、従来のCr−Pt−Co系合金の
ターゲットと比べて磁性特性、特に保磁力(Hc)が更
に向上する。
【0037】また、Mg,Ca,La,Ce,Ndの中
から選ばれた1種以上の元素を各々0.005〜3重量
%含有することにより、ターゲット製造時においてHI
P処理する際に、前記ターゲットに含まれるMg,C
a,La,Ce,Nd等の元素が該ターゲットに含まれ
る硫黄(S)と反応して硫化物となり該ターゲットから
散逸し、該ターゲットを低硫黄化する。
から選ばれた1種以上の元素を各々0.005〜3重量
%含有することにより、ターゲット製造時においてHI
P処理する際に、前記ターゲットに含まれるMg,C
a,La,Ce,Nd等の元素が該ターゲットに含まれ
る硫黄(S)と反応して硫化物となり該ターゲットから
散逸し、該ターゲットを低硫黄化する。
【0038】
【実施例】以下、本発明のターゲットのー実施例につい
て説明する。
て説明する。
【0039】本発明に係るターゲットは、図1に示す様
な製造方法により作成した。まず、表1ないし表3に示
す組成となる様にターゲットの原料をそれぞれ所定量秤
量した。
な製造方法により作成した。まず、表1ないし表3に示
す組成となる様にターゲットの原料をそれぞれ所定量秤
量した。
【0040】
【表1】
【0041】
【表2】
【0042】
【表3】 これらの原料としては4N〜5Nの金属塊もしくは4N
〜5Nの金属粉を用いた。
〜5Nの金属粉を用いた。
【0043】次に、これらの原料を真空溶解炉のアルミ
ナルツボ内に投入し、この混合物を加熱し溶融した。
ナルツボ内に投入し、この混合物を加熱し溶融した。
【0044】次に、上記の溶融物を、真空中、あるいは
不活性もしくは還元性のいずれかの雰囲気中において、
耐熱製の金型に充填し鋳造した。この金型に充填された
溶融物は、冷却されるにしたがって除々に凝固し、Cr
−Pt−Co系合金のインゴットとなった。
不活性もしくは還元性のいずれかの雰囲気中において、
耐熱製の金型に充填し鋳造した。この金型に充填された
溶融物は、冷却されるにしたがって除々に凝固し、Cr
−Pt−Co系合金のインゴットとなった。
【0045】次に、このインゴットを金型から取り出
し、ワイヤーカット放電加工等の機械加工により該イン
ゴットを所定の形状に切断し、直方体状の素板とした。
し、ワイヤーカット放電加工等の機械加工により該イン
ゴットを所定の形状に切断し、直方体状の素板とした。
【0046】次に、この素板をステンレススチ−ル等か
らなる金属缶に挿入した後に真空下において密封し、該
素板にHIP処理を施し焼結体とした。なお、HIP処
理の条件は下記の通りである。 静水圧 :1ton/cm2(等方圧) 保持温度:1250℃ 保持時間:2時間 冷 却:炉冷
らなる金属缶に挿入した後に真空下において密封し、該
素板にHIP処理を施し焼結体とした。なお、HIP処
理の条件は下記の通りである。 静水圧 :1ton/cm2(等方圧) 保持温度:1250℃ 保持時間:2時間 冷 却:炉冷
【0047】得られた焼結体に対し、600℃で30分
間焼鈍を行った。
間焼鈍を行った。
【0048】次に、圧縮率Tを5%として圧延を行っ
た。この時の圧縮率Tは、 T=ΔT/T0 ×100 により求められる。ここで、ΔTは素板の厚みの減少
量、T0 は圧延前における素板の厚みである。
た。この時の圧縮率Tは、 T=ΔT/T0 ×100 により求められる。ここで、ΔTは素板の厚みの減少
量、T0 は圧延前における素板の厚みである。
【0049】以上の焼鈍・圧延を再度繰り返し行い、所
定の厚みの焼結体を得た。
定の厚みの焼結体を得た。
【0050】また、この焼結体の厚みが所定の厚みにな
らない場合は、該焼結体の厚みが所定の厚みになるまで
更に焼鈍・圧延を繰り返し行い、所定の厚みとした。
らない場合は、該焼結体の厚みが所定の厚みになるまで
更に焼鈍・圧延を繰り返し行い、所定の厚みとした。
【0051】次に、100℃で1時間熱処理を行い焼結
体内部の歪を取り除き、加圧成形等により該焼結体の形
状を矯正し、切削加工、ワイヤーカット加工、鏡面研磨
等の仕上加工を行い、プレート上に該焼結体を固定し
(ボンディング)、製品(ターゲット)とした。
体内部の歪を取り除き、加圧成形等により該焼結体の形
状を矯正し、切削加工、ワイヤーカット加工、鏡面研磨
等の仕上加工を行い、プレート上に該焼結体を固定し
(ボンディング)、製品(ターゲット)とした。
【0052】また、上記実施例のターゲットと比較する
ために、表4及び表5の様に上記実施例の構成成分のう
ちいづれか1種以上の成分含有量が本発明の範囲から外
れたターゲットを上記実施例とまったく同一の製造工程
により製造し、比較例とした。
ために、表4及び表5の様に上記実施例の構成成分のう
ちいづれか1種以上の成分含有量が本発明の範囲から外
れたターゲットを上記実施例とまったく同一の製造工程
により製造し、比較例とした。
【0053】
【表4】
【0054】
【表5】
【0055】表6ないし表8は、本発明の組成のターゲ
ット(実施例)と本発明の組成の範囲から外れた組成の
ターゲット(比較例)各々について、硫黄濃度、保磁力
(Hc)の各特性を比較したものである。
ット(実施例)と本発明の組成の範囲から外れた組成の
ターゲット(比較例)各々について、硫黄濃度、保磁力
(Hc)の各特性を比較したものである。
【0056】
【表6】
【0057】
【表7】
【0058】
【表8】
【0059】表6ないし表8から明らかなように、本発
明のターゲット(実施例)は、本発明から外れた組成の
ターゲット(比較例)と比べて、硫黄濃度が減少して低
硫黄化しており、また、保磁力(Hc)も大きく、磁性
膜安定性にも優れていることがわかる。
明のターゲット(実施例)は、本発明から外れた組成の
ターゲット(比較例)と比べて、硫黄濃度が減少して低
硫黄化しており、また、保磁力(Hc)も大きく、磁性
膜安定性にも優れていることがわかる。
【0060】以上説明した様に、上記実施例のターゲッ
トによれば、Cr5〜20重量%、Pt10〜55重量
%を含有すると共に、Ni,Ta,Pd,Nbの中から
選ばれた1種以上の元素を各々0.1〜20重量%含有
し、残部をCoとしたので、従来のCr−Pt−Co系
合金のターゲットと比べて磁性特性、特に保磁力(H
c)を向上させることができる。
トによれば、Cr5〜20重量%、Pt10〜55重量
%を含有すると共に、Ni,Ta,Pd,Nbの中から
選ばれた1種以上の元素を各々0.1〜20重量%含有
し、残部をCoとしたので、従来のCr−Pt−Co系
合金のターゲットと比べて磁性特性、特に保磁力(H
c)を向上させることができる。
【0061】また、Zr,Ti,Hf,Al,Si,M
o,W,V,Cuの中から選ばれた1種以上の元素を各
々0.01〜7重量%含有することとしたので、従来の
Cr−Pt−Co系合金のターゲットと比べて磁性特
性、特に保磁力(Hc)を向上させることができる。
o,W,V,Cuの中から選ばれた1種以上の元素を各
々0.01〜7重量%含有することとしたので、従来の
Cr−Pt−Co系合金のターゲットと比べて磁性特
性、特に保磁力(Hc)を向上させることができる。
【0062】また、Mg,Ca,La,Ce,Ndの中
から選ばれた1種以上の元素を各々0.005〜3重量
%含有することとしたので、ターゲット製造時において
HIP処理する際に、前記ターゲットに含まれるMg,
Ca,La,Ce,Nd等の元素が該ターゲットに含ま
れる硫黄(S)と反応して硫化物となり該ターゲットか
ら容易に散逸することとなり、該ターゲットを低硫黄化
することができる。したがって、該ターゲット中の格子
欠陥を減少させることができ、成膜したハードディスク
の均質性を向上させ、該ハードディスクの品質及び歩留
まりを大幅に向上させることができる。
から選ばれた1種以上の元素を各々0.005〜3重量
%含有することとしたので、ターゲット製造時において
HIP処理する際に、前記ターゲットに含まれるMg,
Ca,La,Ce,Nd等の元素が該ターゲットに含ま
れる硫黄(S)と反応して硫化物となり該ターゲットか
ら容易に散逸することとなり、該ターゲットを低硫黄化
することができる。したがって、該ターゲット中の格子
欠陥を減少させることができ、成膜したハードディスク
の均質性を向上させ、該ハードディスクの品質及び歩留
まりを大幅に向上させることができる。
【0063】以上により、ハードディスクの磁気特性、
特に保磁力(Hc)を格段に向上させることができ、タ
ーゲットの低硫黄化により高い記録密度を有するハード
ディスクを高品質かつ高歩留まりで製造することのでき
るCr−Pt−Co系のターゲットを提供することが可能
になる。
特に保磁力(Hc)を格段に向上させることができ、タ
ーゲットの低硫黄化により高い記録密度を有するハード
ディスクを高品質かつ高歩留まりで製造することのでき
るCr−Pt−Co系のターゲットを提供することが可能
になる。
【0064】なお、本発明のターゲットは、必要とされ
るターゲットの組成や大きさ等により、上述した製造方
法に限定されることなく様々な製造方法を適用すること
が可能である。例えば、小さな形状の場合やHIP処理
を行わなくとも均質性を高めることのできるある種の合
金の場合では、溶解、鋳造した合金に仕上加工を施しボ
ンディングしてもよい。また、HIP処理により充分均
質性を有する合金の場合には、HIP処理した焼結体を
焼鈍せずに仕上加工を施しボンディングしてもよい。ま
た、HIP処理の替わりにホットプレス(HP)を適用
しても同様の効果を得ることができる。また、従来のタ
ーゲットと同様に粉末冶金法を適用しても同様の効果を
得ることができるのは勿論である。
るターゲットの組成や大きさ等により、上述した製造方
法に限定されることなく様々な製造方法を適用すること
が可能である。例えば、小さな形状の場合やHIP処理
を行わなくとも均質性を高めることのできるある種の合
金の場合では、溶解、鋳造した合金に仕上加工を施しボ
ンディングしてもよい。また、HIP処理により充分均
質性を有する合金の場合には、HIP処理した焼結体を
焼鈍せずに仕上加工を施しボンディングしてもよい。ま
た、HIP処理の替わりにホットプレス(HP)を適用
しても同様の効果を得ることができる。また、従来のタ
ーゲットと同様に粉末冶金法を適用しても同様の効果を
得ることができるのは勿論である。
【0065】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明の請求項1記
載のターゲットによれば、Cr5〜20重量%、Pt1
0〜55重量%を含有すると共に、Ni,Ta,Pd,
Nbの中から選ばれた1種以上の元素を各々0.1〜2
0重量%含有し、残部をCoとしたので、磁性特性、特
に保磁力(Hc)を向上させることができる。
載のターゲットによれば、Cr5〜20重量%、Pt1
0〜55重量%を含有すると共に、Ni,Ta,Pd,
Nbの中から選ばれた1種以上の元素を各々0.1〜2
0重量%含有し、残部をCoとしたので、磁性特性、特
に保磁力(Hc)を向上させることができる。
【0066】また、請求項2記載のターゲットによれ
ば、Cr5〜20重量%、Pt10〜55重量%を含有
すると共に、Zr,Ti,Hf,Al,Si,Mo,
W,V,Cuの中から選ばれた1種以上の元素を各々
0.01〜7重量%含有し、残部をCoとしたので、磁
性特性、特に保磁力(Hc)を向上させることができ
る。
ば、Cr5〜20重量%、Pt10〜55重量%を含有
すると共に、Zr,Ti,Hf,Al,Si,Mo,
W,V,Cuの中から選ばれた1種以上の元素を各々
0.01〜7重量%含有し、残部をCoとしたので、磁
性特性、特に保磁力(Hc)を向上させることができ
る。
【0067】また、請求項3記載のターゲットによれ
ば、Cr5〜20重量%、Pt10〜55重量%を含有
すると共に、Mg,Ca,La,Ce,Ndの中から選
ばれた1種以上の元素を各々0.005〜3重量%含有
し、残部をCoとしたので、該ターゲットを低硫黄化す
ることができる。したがって、該ターゲット中の格子欠
陥を減少させることができ、成膜したハードディスクの
均質性を向上させ、該ハードディスクの品質及び歩留ま
りを大幅に向上させることができる。
ば、Cr5〜20重量%、Pt10〜55重量%を含有
すると共に、Mg,Ca,La,Ce,Ndの中から選
ばれた1種以上の元素を各々0.005〜3重量%含有
し、残部をCoとしたので、該ターゲットを低硫黄化す
ることができる。したがって、該ターゲット中の格子欠
陥を減少させることができ、成膜したハードディスクの
均質性を向上させ、該ハードディスクの品質及び歩留ま
りを大幅に向上させることができる。
【0068】また、請求項4記載のターゲットでは、C
r5〜20重量%、Pt10〜55重量%を含有し、N
i,Ta,Pd,Nbの中から選ばれた1種以上の元素
を各々0.1〜20重量%含有すると共に、Zr,T
i,Hf,Al,Si,Mo,W,V,Cuの中から選
ばれた1種以上の元素を各々0.01〜7重量%含有
し、残部をCoとしたので、磁性特性、特に保磁力(H
c)を更に向上させることができる。
r5〜20重量%、Pt10〜55重量%を含有し、N
i,Ta,Pd,Nbの中から選ばれた1種以上の元素
を各々0.1〜20重量%含有すると共に、Zr,T
i,Hf,Al,Si,Mo,W,V,Cuの中から選
ばれた1種以上の元素を各々0.01〜7重量%含有
し、残部をCoとしたので、磁性特性、特に保磁力(H
c)を更に向上させることができる。
【0069】また、請求項5記載のターゲットでは、C
r5〜20重量%、Pt10〜55重量%を含有し、N
i,Ta,Pd,Nbの中から選ばれた1種以上の元素
を各々0.1〜20重量%含有し、残部をCoとしたの
で、従来のCr−Pt−Co系合金のターゲットと比べ
て磁性特性、特に保磁力(Hc)を向上させることがで
きる。
r5〜20重量%、Pt10〜55重量%を含有し、N
i,Ta,Pd,Nbの中から選ばれた1種以上の元素
を各々0.1〜20重量%含有し、残部をCoとしたの
で、従来のCr−Pt−Co系合金のターゲットと比べ
て磁性特性、特に保磁力(Hc)を向上させることがで
きる。
【0070】また、Mg,Ca,La,Ce,Ndの中
から選ばれた1種以上の元素を各々0.005〜3重量
%含有することとしたので、該ターゲットを低硫黄化す
ることができる。したがって、該ターゲット中の格子欠
陥を減少させることができ、成膜したハードディスクの
均質性を向上させ、該ハードディスクの品質及び歩留ま
りを大幅に向上させることができる。
から選ばれた1種以上の元素を各々0.005〜3重量
%含有することとしたので、該ターゲットを低硫黄化す
ることができる。したがって、該ターゲット中の格子欠
陥を減少させることができ、成膜したハードディスクの
均質性を向上させ、該ハードディスクの品質及び歩留ま
りを大幅に向上させることができる。
【0071】また、請求項6記載のターゲットでは、C
r5〜20重量%、Pt10〜55重量%を含有し、Z
r,Ti,Hf,Al,Si,Mo,W,V,Cuの中
から選ばれた1種以上の元素を各々0.01〜7重量%
含有し、残部をCoとしたので、磁性特性、特に保磁力
(Hc)を更に向上させることができる。
r5〜20重量%、Pt10〜55重量%を含有し、Z
r,Ti,Hf,Al,Si,Mo,W,V,Cuの中
から選ばれた1種以上の元素を各々0.01〜7重量%
含有し、残部をCoとしたので、磁性特性、特に保磁力
(Hc)を更に向上させることができる。
【0072】また、Mg,Ca,La,Ce,Ndの中
から選ばれた1種以上の元素を各々0.005〜3重量
%含有することとしたので、該ターゲットを低硫黄化す
ることができる。したがって、該ターゲット中の格子欠
陥を減少させることができ、成膜したハードディスクの
均質性を向上させ、該ハードディスクの品質及び歩留ま
りを大幅に向上させることができる。
から選ばれた1種以上の元素を各々0.005〜3重量
%含有することとしたので、該ターゲットを低硫黄化す
ることができる。したがって、該ターゲット中の格子欠
陥を減少させることができ、成膜したハードディスクの
均質性を向上させ、該ハードディスクの品質及び歩留ま
りを大幅に向上させることができる。
【0073】また、請求項7記載のターゲットでは、C
r5〜20重量%、Pt10〜55重量%を含有し、N
i,Ta,Pd,Nbの中から選ばれた1種以上の元素
を各々0.1〜20重量%含有し、Zr,Ti,Hf,
Al,Si,Mo,W,V,Cuの中から選ばれた1種
以上の元素を各々0.01〜7重量%含有し、残部をC
oとしたので、磁性特性、特に保磁力(Hc)を更に向
上させることができる。
r5〜20重量%、Pt10〜55重量%を含有し、N
i,Ta,Pd,Nbの中から選ばれた1種以上の元素
を各々0.1〜20重量%含有し、Zr,Ti,Hf,
Al,Si,Mo,W,V,Cuの中から選ばれた1種
以上の元素を各々0.01〜7重量%含有し、残部をC
oとしたので、磁性特性、特に保磁力(Hc)を更に向
上させることができる。
【0074】また、Mg,Ca,La,Ce,Ndの中
から選ばれた1種以上の元素を各々0.005〜3重量
%含有することとしたので、該ターゲットを低硫黄化す
ることができる。したがって、該ターゲット中の格子欠
陥を減少させることができ、成膜したハードディスクの
均質性を向上させ、該ハードディスクの品質及び歩留ま
りを大幅に向上させることができる。
から選ばれた1種以上の元素を各々0.005〜3重量
%含有することとしたので、該ターゲットを低硫黄化す
ることができる。したがって、該ターゲット中の格子欠
陥を減少させることができ、成膜したハードディスクの
均質性を向上させ、該ハードディスクの品質及び歩留ま
りを大幅に向上させることができる。
【0075】以上により、ハードディスクの磁気特性、
特に保磁力(Hc)を格段に向上させることができ、タ
ーゲットの低硫黄化により高い記録密度を有するハード
ディスクを高品質かつ高歩留まりで製造することのでき
るCr−Pt−Co系のターゲットを提供することが可能
になる。
特に保磁力(Hc)を格段に向上させることができ、タ
ーゲットの低硫黄化により高い記録密度を有するハード
ディスクを高品質かつ高歩留まりで製造することのでき
るCr−Pt−Co系のターゲットを提供することが可能
になる。
【図1】本発明のターゲットの製造方法を示す工程図で
ある。
ある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岸田 邦雄 東京都千代田区岩本町3−8−16 三菱マ テリアル株式会社岩本町オフイス内
Claims (7)
- 【請求項1】 Cr5〜20重量%、Pt10〜55重
量%を含有すると共に、Ni,Ta,Pd,Nbの中か
ら選ばれた1種以上の元素を各々0.1〜20重量%含
有し、残部がCoからなることを特徴とするスパッタリ
ング用ターゲット。 - 【請求項2】 Cr5〜20重量%、Pt10〜55重
量%を含有すると共に、Zr,Ti,Hf,Al,S
i,Mo,W,V,Cuの中から選ばれた1種以上の元
素を各々0.01〜7重量%含有し、残部がCoからな
ることを特徴とするスパッタリング用ターゲット。 - 【請求項3】 Cr5〜20重量%、Pt10〜55重
量%を含有すると共に、Mg,Ca,La,Ce,Nd
の中から選ばれた1種以上の元素を各々0.005〜3
重量%含有し、残部がCoからなることを特徴とするス
パッタリング用ターゲット。 - 【請求項4】 Cr5〜20重量%、Pt10〜55重
量%を含有し、Ni,Ta,Pd,Nbの中から選ばれ
た1種以上の元素を各々0.1〜20重量%含有すると
共に、Zr,Ti,Hf,Al,Si,Mo,W,V,
Cuの中から選ばれた1種以上の元素を各々0.01〜
7重量%含有し、残部がCoからなることを特徴とする
スパッタリング用ターゲット。 - 【請求項5】 Cr5〜20重量%、Pt10〜55重
量%を含有し、Ni,Ta,Pd,Nbの中から選ばれ
た1種以上の元素を各々0.1〜20重量%含有すると
共に、Mg,Ca,La,Ce,Ndの中から選ばれた
1種以上の元素を各々0.005〜3重量%含有し、残
部がCoからなることを特徴とするスパッタリング用タ
ーゲット。 - 【請求項6】 Cr5〜20重量%、Pt10〜55重
量%を含有し、Zr,Ti,Hf,Al,Si,Mo,
W,V,Cuの中から選ばれた1種以上の元素を各々
0.01〜7重量%含有すると共に、Mg,Ca,L
a,Ce,Ndの中から選ばれた1種以上の元素を各々
0.005〜3重量%含有し、残部がCoからなること
を特徴とするスパッタリング用ターゲット。 - 【請求項7】 Cr5〜20重量%、Pt10〜55重
量%を含有し、Ni,Ta,Pd,Nbの中から選ばれ
た1種以上の元素を各々0.1〜20重量%含有し、Z
r,Ti,Hf,Al,Si,Mo,W,V,Cuの中
から選ばれた1種以上の元素を各々0.01〜7重量%
含有すると共に、Mg,Ca,La,Ce,Ndの中か
ら選ばれた1種以上の元素を各々0.005〜3重量%
含有し、残部がCoからなることを特徴とするスパッタ
リング用ターゲット。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7657591A JPH0586456A (ja) | 1991-04-09 | 1991-04-09 | スパツタリング用ターゲツト |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7657591A JPH0586456A (ja) | 1991-04-09 | 1991-04-09 | スパツタリング用ターゲツト |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0586456A true JPH0586456A (ja) | 1993-04-06 |
Family
ID=13609055
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7657591A Pending JPH0586456A (ja) | 1991-04-09 | 1991-04-09 | スパツタリング用ターゲツト |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0586456A (ja) |
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-
1991
- 1991-04-09 JP JP7657591A patent/JPH0586456A/ja active Pending
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CN107502786A (zh) * | 2016-09-30 | 2017-12-22 | 河南亚龙金刚石制品股份有限公司 | 一种锥形或弧形金刚石复合片用金属杯及其制备方法 |
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