JPH0586456A

JPH0586456A - スパツタリング用ターゲツト

Info

Publication number: JPH0586456A
Application number: JP7657591A
Authority: JP
Inventors: Makoto Kinoshita; 真木下; Toshinori Ishii; 利昇石井; Jun Tamura; 純田村; Kunio Kishida; 邦雄岸田
Original assignee: Mitsubishi Materials Corp
Current assignee: Mitsubishi Materials Corp
Priority date: 1991-04-09
Filing date: 1991-04-09
Publication date: 1993-04-06

Abstract

(57)【要約】【構成】本発明のスパッタリング用タ−ゲットは、Ｃ
ｒ５〜２０重量％、Ｐｔ１０〜５５重量％、残部がＣｏ
からなる組成に、Ｎｉ，Ｔａ，Ｐｄ，Ｎｂの中から選ば
れた１種以上の元素を各々０.１〜２０重量％、及び／
またはＺｒ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，
Ｃｕの中から選ばれた１種以上の元素を各々０.０１〜
７重量％、及び／またはＭｇ，Ｃａ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｎｄ
の中から選ばれた１種以上の元素を各々０.００５〜３
重量％加える。【効果】本発明のタ−ゲットによれば、磁性特性、特
に保磁力（Ｈｃ）を向上させることができる。また、該
タ−ゲットを低硫黄化することができ、したがって、該
ターゲット中の格子欠陥を減少させることができ、成膜
したハ−ドディスクの均質性を向上させ、該ハ−ドディ
スクの品質及び歩留まりを大幅に向上させることができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、スパッタリング用ター
ゲットに係り、特に、磁性材料であるＣｒ−Ｐｔ−Ｃｏ
系合金をハードディスク基板上にスパッタリングする際
に好適に用いられるスパッタリング用ターゲットに関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、情報機器の急激な進歩に伴い、記
憶装置の主要部を構成する磁気ディスクや磁気ヘッドに
対しても高保磁力かつ高密度なものが求められている。

【０００３】薄膜のハードディスクを例にとると、従来
ではアルミ板の表面にスピンコート等により強磁性材料
を塗布する方法が一般的であったが、このような塗布媒
体では記録密度を更に向上させることが難しく、最近で
は強磁性材料を高周波（ｒｆ）スパッタリング等により
直接基板上に形成する方法が採られている。この方法
は、従来の塗布法に比べて高密度記録が可能、電磁変換
特性に優れ、ＳＮ比が高い等の特徴があるために、各ハ
ードディスク製造メーカー等において精力的に開発が進
められている。

【０００４】このハードディスクでは、膜厚が１μｍ以
下と薄いことから従来に増して耐傷性や耐食性に対する
条件が厳しく、また、高密度化に対応するためにより高
品質な膜が求められている。したがって、薄膜形成に用
いられるスパッタリング用ターゲット（以下、単にター
ゲットと略称する）についても、より高純度かつ均一な
組成のものが要望されている。

【０００５】従来より前記ターゲットの材料としては、
磁性材料として優れた特性を備えているＣｒ−Ｐｔ−Ｃ
ｏ系合金が知られており、このターゲットを製造する方
法としては、粉末冶金法、溶解鋳造法等様々な方法があ
るが、一般的には粉末冶金法が最も多く用いられてい
る。

【０００６】この製法では、まず、ターゲットの原料と
なる粉末状のＣr，Ｐt，Ｃo各々を所定量秤量する。通
常、これらの原料の純度は３Ｎ〜４Ｎ程度のものが好適
に用いられる。

【０００７】次に、これらの各原料をボールミル等の混
合機により混合した後、この混合粉体をゴム製の成形金
型に充填し、冷間静水圧プレス（ＣＩＰ）により加圧・
成形する。次に、得られた成形物をステンレススチール
等の金属缶に封入した後熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）に
より焼結する。なお、ホットプレス（ＨＰ）を用いれ
ば、上記の加圧・成形工程と焼結工程を一つの工程で行
うことができる。

【０００８】得られた焼結体を所定の形状に加工した
後、ボンディング等の仕上加工がなされて製品（ターゲ
ット）とされる。

【０００９】上記の方法によるターゲットは、割れ、欠
け、ひび等を生じることなく、しかも粉砕によって結晶
粒径をある程度小さくすることができるために、生成膜
の安定性も向上するという利点がある。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】ところで、前記ターゲ
ットでは、Ｃｒ−Ｐｔ−Ｃｏ系合金の有する固有の物性
により磁性特性が決定されてしまうために、この磁性特
性、特に保磁力（Ｈｃ）をさらに向上させることは極め
て困難であった。

【００１１】これまでにも、上述した粉末冶金法等にみ
られる様にターゲットの製造方法を改良することで磁性
特性、特に保磁力（Ｈｃ）を向上させる試みが多数なさ
れてきており、前記ターゲットの均質性や結晶性も一段
と改良されてきている。

【００１２】したがって、今日では、ターゲットの磁性
特性は、Ｃｒ−Ｐｔ−Ｃｏ系合金本来の特性から期待さ
れる磁気特性を充分達成するまでになってきており、ま
た、ハードディスクの品質や歩留まりも大幅に向上して
きていることから、これ以上ターゲットの磁性特性、特
に保磁力（Ｈｃ）を向上させることは原理的に極めて難
しく、新たな材料開発の必要性が叫ばれていた。

【００１３】また、前記ターゲットはＨＩＰやＨＰを用
いて焼結しているが、この焼結工程時においては材料に
含まれる硫黄（Ｓ）成分が散逸せずに焼結体中に残留し
てしまい、該ターゲット中に多数の格子欠陥等の不具合
を生じさせるという欠点もあった。

【００１４】このターゲットを用いて成膜した場合、ハ
ードディスクの表面に欠陥が発生し易くなり、均質性が
低下することとなる。したがって、該ハードディスクの
磁気特性が悪化し、該ハードディスクの品質や歩留まり
が大幅に低下してしまう等の問題もあった。

【００１５】この発明は、上記の事情に鑑みてなされた
もので、ハードディスクの磁気特性、特に保磁力（Ｈ
ｃ）を向上させることができ、高い記録密度を有するハ
ードディスクを高品質かつ高歩留まりで製造することの
できるＣr−Ｐt−Ｃｏ系のターゲットを提供することに
ある。

【００１６】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は次の様なターゲットを採用した。

【００１７】すなわち、請求項１記載のターゲットとし
ては、Ｃｒ５〜２０重量％、Ｐｔ１０〜５５重量％を含
有すると共に、Ｎｉ，Ｔａ，Ｐｄ，Ｎｂの中から選ばれ
た１種以上の元素を各々０.１〜２０重量％含有し、残
部がＣｏからなることを特徴としている。

【００１８】また、請求項２記載のターゲットとして
は、Ｃｒ５〜２０重量％、Ｐｔ１０〜５５重量％を含有
すると共に、Ｚｒ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｍｏ，
Ｗ，Ｖ，Ｃｕの中から選ばれた１種以上の元素を各々
０.０１〜７重量％含有し、残部がＣｏからなることを
特徴としている。

【００１９】また、請求項３記載のターゲットとして
は、Ｃｒ５〜２０重量％、Ｐｔ１０〜５５重量％を含有
すると共に、Ｍｇ，Ｃａ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｎｄの中から選
ばれた１種以上の元素を各々０.００５〜３重量％含有
し、残部がＣｏからなることを特徴としている。

【００２０】また、請求項４記載のターゲットとして
は、Ｃｒ５〜２０重量％、Ｐｔ１０〜５５重量％を含有
し、Ｎｉ，Ｔａ，Ｐｄ，Ｎｂの中から選ばれた１種以上
の元素を各々０.１〜２０重量％含有すると共に、Ｚ
ｒ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｃｕの中
から選ばれた１種以上の元素を各々０.０１〜７重量％
含有し、残部がＣｏからなることを特徴としている。

【００２１】また、請求項５記載のターゲットとして
は、Ｃｒ５〜２０重量％、Ｐｔ１０〜５５重量％を含有
し、Ｎｉ，Ｔａ，Ｐｄ，Ｎｂの中から選ばれた１種以上
の元素を各々０.１〜２０重量％含有すると共に、Ｍ
ｇ，Ｃａ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｎｄの中から選ばれた１種以上
の元素を各々０.００５〜３重量％含有し、残部がＣｏ
からなることを特徴としている。

【００２２】また、請求項６記載のターゲットとして
は、Ｃｒ５〜２０重量％、Ｐｔ１０〜５５重量％を含有
し、Ｚｒ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｃ
ｕの中から選ばれた１種以上の元素を各々０.０１〜７
重量％含有すると共に、Ｍｇ，Ｃａ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｎｄ
の中から選ばれた１種以上の元素を各々０.００５〜３
重量％含有し、残部がＣｏからなることを特徴としてい
る。

【００２３】また、請求項７記載のターゲットとして
は、Ｃｒ５〜２０重量％、Ｐｔ１０〜５５重量％を含有
し、Ｎｉ，Ｔａ，Ｐｄ，Ｎｂの中から選ばれた１種以上
の元素を各々０.１〜２０重量％含有し、Ｚｒ，Ｔｉ，
Ｈｆ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｃｕの中から選ばれ
た１種以上の元素を各々０.０１〜７重量％含有すると
共に、Ｍｇ，Ｃａ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｎｄの中から選ばれた
１種以上の元素を各々０.００５〜３重量％含有し、残
部がＣｏからなることを特徴としている。

【００２４】ここで、Ｃｒ，Ｐｔ，Ｃｏの各成分の組成
が上記範囲を外れている場合には、スパッタリングによ
る生成膜の磁気特性が所望の値とならないために実用上
不適当であり、また、Ｐｔが５５重量％を越えている場
合には、脆さが増大して圧延が困難になる。

【００２５】また、Ｎｉ，Ｔａ，Ｐｄ，Ｎｂの中から選
ばれた１種以上の元素の各成分の添加量が上記範囲の下
限を下回る場合には前記元素の効果が極めて小さなもの
となり、また、上記範囲の上限を上回る場合には前記元
素の効果が飽和しターゲットの特性を低下させるため
に、実用上不適当である。

【００２６】また、Ｚｒ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｍ
ｏ，Ｗ，Ｖ，Ｃｕの中から選ばれた１種以上の元素の各
成分の添加量が上記範囲の下限を下回る場合には前記元
素の効果が極めて小さなものとなり、また、上記範囲の
上限を上回る場合には前記元素の効果が飽和しターゲッ
トの特性を低下させるために、実用上不適当である。

【００２７】また、Ｍｇ，Ｃａ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｎｄの中
から選ばれた１種以上の元素の各成分の添加量が上記範
囲の下限を下回る場合には前記元素の効果が極めて小さ
なものとなり、ターゲット製造時にターゲット自体の低
硫黄化を行うことができないために実用上不適当であ
る。また、上記範囲の上限を上回る場合には前記元素の
効果が飽和しターゲットの特性を低下させるために、実
用上不適当である。

【００２８】

【作用】本発明の請求項１記載のターゲットでは、Ｃｒ
５〜２０重量％、Ｐｔ１０〜５５重量％を含有すると共
に、Ｎｉ，Ｔａ，Ｐｄ，Ｎｂの中から選ばれた１種以上
の元素を各々０.１〜２０重量％含有し、残部をＣｏと
することにより、従来のＣｒ−Ｐｔ−Ｃｏ系合金のター
ゲットと比べて磁性特性、特に保磁力（Ｈｃ）が向上す
る。

【００２９】また、請求項２記載のターゲットでは、Ｃ
ｒ５〜２０重量％、Ｐｔ１０〜５５重量％を含有すると
共に、Ｚｒ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，
Ｃｕの中から選ばれた１種以上の元素を各々０.０１〜
７重量％含有し、残部をＣｏとすることにより、従来の
Ｃｒ−Ｐｔ−Ｃｏ系合金のターゲットと比べて磁性特
性、特に保磁力（Ｈｃ）が向上する。

【００３０】また、請求項３記載のターゲットでは、Ｃ
ｒ５〜２０重量％、Ｐｔ１０〜５５重量％を含有すると
共に、Ｍｇ，Ｃａ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｎｄの中から選ばれた
１種以上の元素を各々０.００５〜３重量％含有し、残
部をＣｏとすることにより、ターゲット製造時において
ＨＩＰ処理する際に、前記ターゲットに含まれるＭｇ，
Ｃａ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｎｄ等の元素が該ターゲットに含ま
れる硫黄（Ｓ）と反応して硫化物となり該ターゲットか
ら散逸し、該ターゲットを低硫黄化する。

【００３１】また、請求項４記載のターゲットでは、Ｃ
ｒ５〜２０重量％、Ｐｔ１０〜５５重量％を含有し、Ｎ
ｉ，Ｔａ，Ｐｄ，Ｎｂの中から選ばれた１種以上の元素
を各々０.１〜２０重量％含有すると共に、Ｚｒ，Ｔ
ｉ，Ｈｆ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｃｕの中から選
ばれた１種以上の元素を各々０.０１〜７重量％含有
し、残部をＣｏとすることにより、従来のＣｒ−Ｐｔ−
Ｃｏ系合金のターゲットと比べて磁性特性、特に保磁力
（Ｈｃ）が向上する。

【００３２】また、請求項５記載のターゲットでは、Ｃ
ｒ５〜２０重量％、Ｐｔ１０〜５５重量％を含有し、Ｎ
ｉ，Ｔａ，Ｐｄ，Ｎｂの中から選ばれた１種以上の元素
を各々０.１〜２０重量％含有し、残部をＣｏとするこ
とにより、従来のＣｒ−Ｐｔ−Ｃｏ系合金のターゲット
と比べて磁性特性、特に保磁力（Ｈｃ）が向上する。

【００３３】また、Ｍｇ，Ｃａ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｎｄの中
から選ばれた１種以上の元素を各々０.００５〜３重量
％含有することにより、ターゲット製造時においてＨＩ
Ｐ処理する際に、前記ターゲットに含まれるＭｇ，Ｃ
ａ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｎｄ等の元素が該ターゲットに含まれ
る硫黄（Ｓ）と反応して硫化物となり該ターゲットから
散逸し、該ターゲットを低硫黄化する。

【００３４】また、請求項６記載のターゲットでは、Ｃ
ｒ５〜２０重量％、Ｐｔ１０〜５５重量％を含有し、Ｚ
ｒ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｃｕの中
から選ばれた１種以上の元素を各々０.０１〜７重量％
含有し、残部をＣｏとすることにより、従来のＣｒ−Ｐ
ｔ−Ｃｏ系合金のターゲットと比べて磁性特性、特に保
磁力（Ｈｃ）が向上する。

【００３５】また、Ｍｇ，Ｃａ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｎｄの中
から選ばれた１種以上の元素を各々０.００５〜３重量
％含有することにより、ターゲット製造時においてＨＩ
Ｐ処理する際に、前記ターゲットに含まれるＭｇ，Ｃ
ａ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｎｄ等の元素が該ターゲットに含まれ
る硫黄（Ｓ）と反応して硫化物となり該ターゲットから
散逸し、該ターゲットを低硫黄化する。

【００３６】また、請求項７記載のターゲットでは、Ｃ
ｒ５〜２０重量％、Ｐｔ１０〜５５重量％を含有し、Ｎ
ｉ，Ｔａ，Ｐｄ，Ｎｂの中から選ばれた１種以上の元素
を各々０.１〜２０重量％含有し、Ｚｒ，Ｔｉ，Ｈｆ，
Ａｌ，Ｓｉ，Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｃｕの中から選ばれた１種
以上の元素を各々０.０１〜７重量％含有し、残部をＣ
ｏとすることにより、従来のＣｒ−Ｐｔ−Ｃｏ系合金の
ターゲットと比べて磁性特性、特に保磁力（Ｈｃ）が更
に向上する。

【００３７】また、Ｍｇ，Ｃａ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｎｄの中
から選ばれた１種以上の元素を各々０.００５〜３重量
％含有することにより、ターゲット製造時においてＨＩ
Ｐ処理する際に、前記ターゲットに含まれるＭｇ，Ｃ
ａ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｎｄ等の元素が該ターゲットに含まれ
る硫黄（Ｓ）と反応して硫化物となり該ターゲットから
散逸し、該ターゲットを低硫黄化する。

【００３８】

【実施例】以下、本発明のターゲットのー実施例につい
て説明する。

【００３９】本発明に係るターゲットは、図１に示す様
な製造方法により作成した。まず、表１ないし表３に示
す組成となる様にターゲットの原料をそれぞれ所定量秤
量した。

【００４０】

【表１】

【００４１】

【表２】

【００４２】

【表３】これらの原料としては４Ｎ〜５Ｎの金属塊もしくは４Ｎ
〜５Ｎの金属粉を用いた。

【００４３】次に、これらの原料を真空溶解炉のアルミ
ナルツボ内に投入し、この混合物を加熱し溶融した。

【００４４】次に、上記の溶融物を、真空中、あるいは
不活性もしくは還元性のいずれかの雰囲気中において、
耐熱製の金型に充填し鋳造した。この金型に充填された
溶融物は、冷却されるにしたがって除々に凝固し、Ｃｒ
−Ｐｔ−Ｃｏ系合金のインゴットとなった。

【００４５】次に、このインゴットを金型から取り出
し、ワイヤーカット放電加工等の機械加工により該イン
ゴットを所定の形状に切断し、直方体状の素板とした。

【００４６】次に、この素板をステンレススチ−ル等か
らなる金属缶に挿入した後に真空下において密封し、該
素板にＨＩＰ処理を施し焼結体とした。なお、ＨＩＰ処
理の条件は下記の通りである。静水圧：１ｔｏｎ／ｃｍ²（等方圧）保持温度：１２５０℃ 保持時間：２時間冷却：炉冷

【００４７】得られた焼結体に対し、６００℃で３０分
間焼鈍を行った。

【００４８】次に、圧縮率Ｔを５％として圧延を行っ
た。この時の圧縮率Ｔは、Ｔ＝ΔＴ／Ｔ0 ×１００により求められる。ここで、ΔＴは素板の厚みの減少
量、Ｔ0 は圧延前における素板の厚みである。

【００４９】以上の焼鈍・圧延を再度繰り返し行い、所
定の厚みの焼結体を得た。

【００５０】また、この焼結体の厚みが所定の厚みにな
らない場合は、該焼結体の厚みが所定の厚みになるまで
更に焼鈍・圧延を繰り返し行い、所定の厚みとした。

【００５１】次に、１００℃で１時間熱処理を行い焼結
体内部の歪を取り除き、加圧成形等により該焼結体の形
状を矯正し、切削加工、ワイヤーカット加工、鏡面研磨
等の仕上加工を行い、プレート上に該焼結体を固定し
（ボンディング）、製品（ターゲット）とした。

【００５２】また、上記実施例のターゲットと比較する
ために、表４及び表５の様に上記実施例の構成成分のう
ちいづれか１種以上の成分含有量が本発明の範囲から外
れたターゲットを上記実施例とまったく同一の製造工程
により製造し、比較例とした。

【００５３】

【表４】

【００５４】

【表５】

【００５５】表６ないし表８は、本発明の組成のターゲ
ット（実施例）と本発明の組成の範囲から外れた組成の
ターゲット（比較例）各々について、硫黄濃度、保磁力
（Ｈｃ）の各特性を比較したものである。

【００５６】

【表６】

【００５７】

【表７】

【００５８】

【表８】

【００５９】表６ないし表８から明らかなように、本発
明のターゲット（実施例）は、本発明から外れた組成の
ターゲット（比較例）と比べて、硫黄濃度が減少して低
硫黄化しており、また、保磁力（Ｈｃ）も大きく、磁性
膜安定性にも優れていることがわかる。

【００６０】以上説明した様に、上記実施例のターゲッ
トによれば、Ｃｒ５〜２０重量％、Ｐｔ１０〜５５重量
％を含有すると共に、Ｎｉ，Ｔａ，Ｐｄ，Ｎｂの中から
選ばれた１種以上の元素を各々０.１〜２０重量％含有
し、残部をＣｏとしたので、従来のＣｒ−Ｐｔ−Ｃｏ系
合金のターゲットと比べて磁性特性、特に保磁力（Ｈ
ｃ）を向上させることができる。

【００６１】また、Ｚｒ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｍ
ｏ，Ｗ，Ｖ，Ｃｕの中から選ばれた１種以上の元素を各
々０.０１〜７重量％含有することとしたので、従来の
Ｃｒ−Ｐｔ−Ｃｏ系合金のターゲットと比べて磁性特
性、特に保磁力（Ｈｃ）を向上させることができる。

【００６２】また、Ｍｇ，Ｃａ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｎｄの中
から選ばれた１種以上の元素を各々０.００５〜３重量
％含有することとしたので、ターゲット製造時において
ＨＩＰ処理する際に、前記ターゲットに含まれるＭｇ，
Ｃａ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｎｄ等の元素が該ターゲットに含ま
れる硫黄（Ｓ）と反応して硫化物となり該ターゲットか
ら容易に散逸することとなり、該ターゲットを低硫黄化
することができる。したがって、該ターゲット中の格子
欠陥を減少させることができ、成膜したハードディスク
の均質性を向上させ、該ハードディスクの品質及び歩留
まりを大幅に向上させることができる。

【００６３】以上により、ハードディスクの磁気特性、
特に保磁力（Ｈｃ）を格段に向上させることができ、タ
ーゲットの低硫黄化により高い記録密度を有するハード
ディスクを高品質かつ高歩留まりで製造することのでき
るＣr−Ｐt−Ｃｏ系のターゲットを提供することが可能
になる。

【００６４】なお、本発明のターゲットは、必要とされ
るターゲットの組成や大きさ等により、上述した製造方
法に限定されることなく様々な製造方法を適用すること
が可能である。例えば、小さな形状の場合やＨＩＰ処理
を行わなくとも均質性を高めることのできるある種の合
金の場合では、溶解、鋳造した合金に仕上加工を施しボ
ンディングしてもよい。また、ＨＩＰ処理により充分均
質性を有する合金の場合には、ＨＩＰ処理した焼結体を
焼鈍せずに仕上加工を施しボンディングしてもよい。ま
た、ＨＩＰ処理の替わりにホットプレス（ＨＰ）を適用
しても同様の効果を得ることができる。また、従来のタ
ーゲットと同様に粉末冶金法を適用しても同様の効果を
得ることができるのは勿論である。

【００６５】

【発明の効果】以上説明した様に、本発明の請求項１記
載のターゲットによれば、Ｃｒ５〜２０重量％、Ｐｔ１
０〜５５重量％を含有すると共に、Ｎｉ，Ｔａ，Ｐｄ，
Ｎｂの中から選ばれた１種以上の元素を各々０.１〜２
０重量％含有し、残部をＣｏとしたので、磁性特性、特
に保磁力（Ｈｃ）を向上させることができる。

【００６６】また、請求項２記載のターゲットによれ
ば、Ｃｒ５〜２０重量％、Ｐｔ１０〜５５重量％を含有
すると共に、Ｚｒ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｍｏ，
Ｗ，Ｖ，Ｃｕの中から選ばれた１種以上の元素を各々
０.０１〜７重量％含有し、残部をＣｏとしたので、磁
性特性、特に保磁力（Ｈｃ）を向上させることができ
る。

【００６７】また、請求項３記載のターゲットによれ
ば、Ｃｒ５〜２０重量％、Ｐｔ１０〜５５重量％を含有
すると共に、Ｍｇ，Ｃａ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｎｄの中から選
ばれた１種以上の元素を各々０.００５〜３重量％含有
し、残部をＣｏとしたので、該ターゲットを低硫黄化す
ることができる。したがって、該ターゲット中の格子欠
陥を減少させることができ、成膜したハードディスクの
均質性を向上させ、該ハードディスクの品質及び歩留ま
りを大幅に向上させることができる。

【００６８】また、請求項４記載のターゲットでは、Ｃ
ｒ５〜２０重量％、Ｐｔ１０〜５５重量％を含有し、Ｎ
ｉ，Ｔａ，Ｐｄ，Ｎｂの中から選ばれた１種以上の元素
を各々０.１〜２０重量％含有すると共に、Ｚｒ，Ｔ
ｉ，Ｈｆ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｃｕの中から選
ばれた１種以上の元素を各々０.０１〜７重量％含有
し、残部をＣｏとしたので、磁性特性、特に保磁力（Ｈ
ｃ）を更に向上させることができる。

【００６９】また、請求項５記載のターゲットでは、Ｃ
ｒ５〜２０重量％、Ｐｔ１０〜５５重量％を含有し、Ｎ
ｉ，Ｔａ，Ｐｄ，Ｎｂの中から選ばれた１種以上の元素
を各々０.１〜２０重量％含有し、残部をＣｏとしたの
で、従来のＣｒ−Ｐｔ−Ｃｏ系合金のターゲットと比べ
て磁性特性、特に保磁力（Ｈｃ）を向上させることがで
きる。

【００７０】また、Ｍｇ，Ｃａ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｎｄの中
から選ばれた１種以上の元素を各々０.００５〜３重量
％含有することとしたので、該ターゲットを低硫黄化す
ることができる。したがって、該ターゲット中の格子欠
陥を減少させることができ、成膜したハードディスクの
均質性を向上させ、該ハードディスクの品質及び歩留ま
りを大幅に向上させることができる。

【００７１】また、請求項６記載のターゲットでは、Ｃ
ｒ５〜２０重量％、Ｐｔ１０〜５５重量％を含有し、Ｚ
ｒ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｃｕの中
から選ばれた１種以上の元素を各々０.０１〜７重量％
含有し、残部をＣｏとしたので、磁性特性、特に保磁力
（Ｈｃ）を更に向上させることができる。

【００７２】また、Ｍｇ，Ｃａ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｎｄの中
から選ばれた１種以上の元素を各々０.００５〜３重量
％含有することとしたので、該ターゲットを低硫黄化す
ることができる。したがって、該ターゲット中の格子欠
陥を減少させることができ、成膜したハードディスクの
均質性を向上させ、該ハードディスクの品質及び歩留ま
りを大幅に向上させることができる。

【００７３】また、請求項７記載のターゲットでは、Ｃ
ｒ５〜２０重量％、Ｐｔ１０〜５５重量％を含有し、Ｎ
ｉ，Ｔａ，Ｐｄ，Ｎｂの中から選ばれた１種以上の元素
を各々０.１〜２０重量％含有し、Ｚｒ，Ｔｉ，Ｈｆ，
Ａｌ，Ｓｉ，Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｃｕの中から選ばれた１種
以上の元素を各々０.０１〜７重量％含有し、残部をＣ
ｏとしたので、磁性特性、特に保磁力（Ｈｃ）を更に向
上させることができる。

【００７４】また、Ｍｇ，Ｃａ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｎｄの中
から選ばれた１種以上の元素を各々０.００５〜３重量
％含有することとしたので、該ターゲットを低硫黄化す
ることができる。したがって、該ターゲット中の格子欠
陥を減少させることができ、成膜したハードディスクの
均質性を向上させ、該ハードディスクの品質及び歩留ま
りを大幅に向上させることができる。

【００７５】以上により、ハードディスクの磁気特性、
特に保磁力（Ｈｃ）を格段に向上させることができ、タ
ーゲットの低硫黄化により高い記録密度を有するハード
ディスクを高品質かつ高歩留まりで製造することのでき
るＣr−Ｐt−Ｃｏ系のターゲットを提供することが可能
になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のターゲットの製造方法を示す工程図で
ある。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者岸田邦雄東京都千代田区岩本町３−８−16 三菱マテリアル株式会社岩本町オフイス内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】Ｃｒ５〜２０重量％、Ｐｔ１０〜５５重
量％を含有すると共に、Ｎｉ，Ｔａ，Ｐｄ，Ｎｂの中か
ら選ばれた１種以上の元素を各々０.１〜２０重量％含
有し、残部がＣｏからなることを特徴とするスパッタリ
ング用ターゲット。
【請求項２】Ｃｒ５〜２０重量％、Ｐｔ１０〜５５重
量％を含有すると共に、Ｚｒ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ａｌ，Ｓ
ｉ，Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｃｕの中から選ばれた１種以上の元
素を各々０.０１〜７重量％含有し、残部がＣｏからな
ることを特徴とするスパッタリング用ターゲット。
【請求項３】Ｃｒ５〜２０重量％、Ｐｔ１０〜５５重
量％を含有すると共に、Ｍｇ，Ｃａ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｎｄ
の中から選ばれた１種以上の元素を各々０.００５〜３
重量％含有し、残部がＣｏからなることを特徴とするス
パッタリング用ターゲット。
【請求項４】Ｃｒ５〜２０重量％、Ｐｔ１０〜５５重
量％を含有し、Ｎｉ，Ｔａ，Ｐｄ，Ｎｂの中から選ばれ
た１種以上の元素を各々０.１〜２０重量％含有すると
共に、Ｚｒ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，
Ｃｕの中から選ばれた１種以上の元素を各々０.０１〜
７重量％含有し、残部がＣｏからなることを特徴とする
スパッタリング用ターゲット。
【請求項５】Ｃｒ５〜２０重量％、Ｐｔ１０〜５５重
量％を含有し、Ｎｉ，Ｔａ，Ｐｄ，Ｎｂの中から選ばれ
た１種以上の元素を各々０.１〜２０重量％含有すると
共に、Ｍｇ，Ｃａ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｎｄの中から選ばれた
１種以上の元素を各々０.００５〜３重量％含有し、残
部がＣｏからなることを特徴とするスパッタリング用タ
ーゲット。
【請求項６】Ｃｒ５〜２０重量％、Ｐｔ１０〜５５重
量％を含有し、Ｚｒ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｍｏ，
Ｗ，Ｖ，Ｃｕの中から選ばれた１種以上の元素を各々
０.０１〜７重量％含有すると共に、Ｍｇ，Ｃａ，Ｌ
ａ，Ｃｅ，Ｎｄの中から選ばれた１種以上の元素を各々
０.００５〜３重量％含有し、残部がＣｏからなること
を特徴とするスパッタリング用ターゲット。
【請求項７】Ｃｒ５〜２０重量％、Ｐｔ１０〜５５重
量％を含有し、Ｎｉ，Ｔａ，Ｐｄ，Ｎｂの中から選ばれ
た１種以上の元素を各々０.１〜２０重量％含有し、Ｚ
ｒ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｃｕの中
から選ばれた１種以上の元素を各々０.０１〜７重量％
含有すると共に、Ｍｇ，Ｃａ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｎｄの中か
ら選ばれた１種以上の元素を各々０.００５〜３重量％
含有し、残部がＣｏからなることを特徴とするスパッタ
リング用ターゲット。