JP2001342559A - Ｔｅ系合金ターゲット材の製造方法 - Google Patents
Ｔｅ系合金ターゲット材の製造方法Info
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- JP2001342559A JP2001342559A JP2000163079A JP2000163079A JP2001342559A JP 2001342559 A JP2001342559 A JP 2001342559A JP 2000163079 A JP2000163079 A JP 2000163079A JP 2000163079 A JP2000163079 A JP 2000163079A JP 2001342559 A JP2001342559 A JP 2001342559A
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- Powder Metallurgy (AREA)
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高密度で酸素値の低い低融点ターゲット材を
歩留り良く得るＴｅ系合金ターゲット材の製造方法を提
供する。 【解決手段】 Ｔｅ系合金粉末をガスアトマイズ方法に
より製造した後、該粉末を冷間成形用のダイセット中に
挿入して冷間成形した後、粉末成形体がダイセット中に
残された状態で焼結することを特徴とするＴｅ系合金タ
ーゲット材の製造方法。
歩留り良く得るＴｅ系合金ターゲット材の製造方法を提
供する。 【解決手段】 Ｔｅ系合金粉末をガスアトマイズ方法に
より製造した後、該粉末を冷間成形用のダイセット中に
挿入して冷間成形した後、粉末成形体がダイセット中に
残された状態で焼結することを特徴とするＴｅ系合金タ
ーゲット材の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高密度で酸素値の
低い低融点ターゲット材を歩留り良く得るＴｅ系合金タ
ーゲット材の製造方法に関するものである。
低い低融点ターゲット材を歩留り良く得るＴｅ系合金タ
ーゲット材の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、Ｔｅ系合金ターゲット材の製造方
法においては、例えばＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系ターゲット材
の場合にはＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅを含む原料から所望の成分
に鋳造後粉砕処理をして異形状粉末を作製し、その粉末
をホットプレスなどの手段で高密度化成型するか、粉末
を冷間プレスで成形後焼結する方法、すなわち、従来工
程では鋳塊をジョークラッシャーなどの粗粉砕機で粗粉
砕後、微粉砕機で粒径５００μｍ以下位になるまで粉砕
した後、ホットプレスで高密度化焼結する方法によりボ
ンディングされているのが実状である。
法においては、例えばＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系ターゲット材
の場合にはＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅを含む原料から所望の成分
に鋳造後粉砕処理をして異形状粉末を作製し、その粉末
をホットプレスなどの手段で高密度化成型するか、粉末
を冷間プレスで成形後焼結する方法、すなわち、従来工
程では鋳塊をジョークラッシャーなどの粗粉砕機で粗粉
砕後、微粉砕機で粒径５００μｍ以下位になるまで粉砕
した後、ホットプレスで高密度化焼結する方法によりボ
ンディングされているのが実状である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような技術では、以下の点で問題があった。すなわ
ち、粉砕処理を施した粉末は、粉砕の際の酸素コントロ
ールが難しく、粉末の酸素値が高くなり結果的に得られ
たターゲット材の酸素も高くなる。酸素を低く抑えるた
めにはガスアトマイズで粉末を作製するのが適している
が、得られた粉末は球状でダイセットによる冷間成形で
は取り出しの際に割れやすく歩留りが悪い。またホット
プレス工程はサイクル時間が長く、工程能力に劣るとい
う欠点がある。
たような技術では、以下の点で問題があった。すなわ
ち、粉砕処理を施した粉末は、粉砕の際の酸素コントロ
ールが難しく、粉末の酸素値が高くなり結果的に得られ
たターゲット材の酸素も高くなる。酸素を低く抑えるた
めにはガスアトマイズで粉末を作製するのが適している
が、得られた粉末は球状でダイセットによる冷間成形で
は取り出しの際に割れやすく歩留りが悪い。またホット
プレス工程はサイクル時間が長く、工程能力に劣るとい
う欠点がある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上述したような問題を解
消するため、発明者らは鋭意開発を進めた結果、低融タ
ーゲット材成分の粉末をガスアトマイズで作製後、その
粉末を冷間プレスで成形して、材料がダイセット中にあ
る状態でダイごと焼結処理した後、ダイからターゲット
材を取り出すことによって高密度で酸素値の低い低融点
ターゲット材を歩留り良く得るＴｅ系合金ターゲット材
の製造方法を提供することにある。その発明の要旨とす
るところは、Ｔｅ系合金粉末をガスアトマイズ方法によ
り製造した後、該粉末を冷間成形用のダイセット中に挿
入して冷間成形した後、粉末成形体がダイセット中に残
された状態で焼結することを特徴とするＴｅ系合金ター
ゲット材の製造方法にある。
消するため、発明者らは鋭意開発を進めた結果、低融タ
ーゲット材成分の粉末をガスアトマイズで作製後、その
粉末を冷間プレスで成形して、材料がダイセット中にあ
る状態でダイごと焼結処理した後、ダイからターゲット
材を取り出すことによって高密度で酸素値の低い低融点
ターゲット材を歩留り良く得るＴｅ系合金ターゲット材
の製造方法を提供することにある。その発明の要旨とす
るところは、Ｔｅ系合金粉末をガスアトマイズ方法によ
り製造した後、該粉末を冷間成形用のダイセット中に挿
入して冷間成形した後、粉末成形体がダイセット中に残
された状態で焼結することを特徴とするＴｅ系合金ター
ゲット材の製造方法にある。
【０００５】
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。本発明において、Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅを含む原料に
ついて不活性ガスアトマイズ方法により急冷してＧｅ−
Ｓｂ−Ｔｅ系などの低融点合金粉末を製造後、ダイセッ
ト中に挿入して冷間成形した後、粉末成形体がダイセッ
ト中に残された状態で焼結するもので、ガスアトマイズ
された球状粉末を冷間成形後、取り出して焼結するとい
った従来の工程では成形材中の残留応力によって取り出
し途中、特にダイから成形材が出る瞬間に材料にクラッ
クが入るため、成形歩留りが非常に悪かった。また、ホ
ットプレスによる方法ではコストがかかり、工程能力も
限定されていた。本発明によると、ダイの中で残留応力
を除去しながら焼結させるため、通常の方法に比べて高
密度になると共にダイの取り出しの際にもクラックが入
らず、粉破砕を利用したものに比べて酸素値も低い良好
なターゲット材の製造が可能となる。
する。本発明において、Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅを含む原料に
ついて不活性ガスアトマイズ方法により急冷してＧｅ−
Ｓｂ−Ｔｅ系などの低融点合金粉末を製造後、ダイセッ
ト中に挿入して冷間成形した後、粉末成形体がダイセッ
ト中に残された状態で焼結するもので、ガスアトマイズ
された球状粉末を冷間成形後、取り出して焼結するとい
った従来の工程では成形材中の残留応力によって取り出
し途中、特にダイから成形材が出る瞬間に材料にクラッ
クが入るため、成形歩留りが非常に悪かった。また、ホ
ットプレスによる方法ではコストがかかり、工程能力も
限定されていた。本発明によると、ダイの中で残留応力
を除去しながら焼結させるため、通常の方法に比べて高
密度になると共にダイの取り出しの際にもクラックが入
らず、粉破砕を利用したものに比べて酸素値も低い良好
なターゲット材の製造が可能となる。
【０００６】Ｔｅ系合金の融点は通常６００℃程度であ
ることから、鋳造およびガスアトマイズにおいては、そ
の融点＋１５０〜２００℃、すなわち、７５０〜８００
℃程度の温度に溶かして行う。一方、本発明におけるホ
ットプレス温度および焼結温度は共に約６００℃〜６５
０℃で行う。しかし、ホットプレス工程においてはサイ
クル時間が長くかかるため、この工程能力の改善が望ま
れていることから、本発明においては、冷間成形後粉末
成形体がダイセット中に残された状態で焼結によりサイ
クル時間が短く、しかも工程能力に優れると共にコスト
ダウンが図られるものである。
ることから、鋳造およびガスアトマイズにおいては、そ
の融点＋１５０〜２００℃、すなわち、７５０〜８００
℃程度の温度に溶かして行う。一方、本発明におけるホ
ットプレス温度および焼結温度は共に約６００℃〜６５
０℃で行う。しかし、ホットプレス工程においてはサイ
クル時間が長くかかるため、この工程能力の改善が望ま
れていることから、本発明においては、冷間成形後粉末
成形体がダイセット中に残された状態で焼結によりサイ
クル時間が短く、しかも工程能力に優れると共にコスト
ダウンが図られるものである。
【０００７】さらに、ガスアトマイズにより直接粉末を
製造した場合は、粉砕工程の手間が省け粉砕によって生
ずる表面酸化などの影響が抑えられるため、従来方に比
べて酸素量の低い粉末が得られる。また、ガスアトマイ
ズ粉末は球状のため冷間成形後の形状保持が難しく、冷
間成形後にダイセットから取り出す工程で割れやかけが
発生し、工業的なハンドリングが不可能であった。しか
し、本発明では冷間成形後、ダイセットに成形材を残し
た状態で焼結した後、焼結体を取り出すことにより、こ
の問題はなくターゲット材の製造が可能となる。
製造した場合は、粉砕工程の手間が省け粉砕によって生
ずる表面酸化などの影響が抑えられるため、従来方に比
べて酸素量の低い粉末が得られる。また、ガスアトマイ
ズ粉末は球状のため冷間成形後の形状保持が難しく、冷
間成形後にダイセットから取り出す工程で割れやかけが
発生し、工業的なハンドリングが不可能であった。しか
し、本発明では冷間成形後、ダイセットに成形材を残し
た状態で焼結した後、焼結体を取り出すことにより、こ
の問題はなくターゲット材の製造が可能となる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明について実施例によって具体的
に説明する。Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅをそれぞれ、１４、２
４、６２重量％になるように各インゴットを秤量し、誘
導溶解炉で溶解した後、Ａｒガスアトマイズによって、
平均粒径２００μｍのアトマイズ粉末を製造した。該粉
末を冷間ダイセット中に充填し、面圧５ｔ／ｃｍ2 で冷
間成形した後、上下パンチを外した状態のダイを焼結炉
に入れて６３０℃×２時間焼結して成形体を得た。ま
た、従来工程の比較材として、アトマイズ粉末を冷間成
形後ダイセットから取り出し、割れやかけの状態を比較
した結果、本発明によるものは歩留り１００％であった
のに対し、従来工程で製造したものは約８０％に割れや
かけが存在した。
に説明する。Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅをそれぞれ、１４、２
４、６２重量％になるように各インゴットを秤量し、誘
導溶解炉で溶解した後、Ａｒガスアトマイズによって、
平均粒径２００μｍのアトマイズ粉末を製造した。該粉
末を冷間ダイセット中に充填し、面圧５ｔ／ｃｍ2 で冷
間成形した後、上下パンチを外した状態のダイを焼結炉
に入れて６３０℃×２時間焼結して成形体を得た。ま
た、従来工程の比較材として、アトマイズ粉末を冷間成
形後ダイセットから取り出し、割れやかけの状態を比較
した結果、本発明によるものは歩留り１００％であった
のに対し、従来工程で製造したものは約８０％に割れや
かけが存在した。
【０００９】
【発明の効果】以上述べたように、本発明による低融点
合金粉末をガスアトマイズで製造後、一軸プレスを用い
てダイセット内で円盤状に冷間成形し、その後ダイセッ
トごと焼結炉に入れて焼結することにより、割れやかけ
の問題はなく、ホットプレス工程に比べて生産性が向上
し、しかもアトマイズ粉末を用いることによって高密度
で酸素値の低い低融点ターゲットが非常に歩留り良く得
ることが出来る極めて優れた効果を奏するものである。
合金粉末をガスアトマイズで製造後、一軸プレスを用い
てダイセット内で円盤状に冷間成形し、その後ダイセッ
トごと焼結炉に入れて焼結することにより、割れやかけ
の問題はなく、ホットプレス工程に比べて生産性が向上
し、しかもアトマイズ粉末を用いることによって高密度
で酸素値の低い低融点ターゲットが非常に歩留り良く得
ることが出来る極めて優れた効果を奏するものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K017 AA04 BA10 BB18 CA01 DA09 EB00 4K018 AA40 DA37 KA29 4K029 DC04 DC09 4M104 BB36 DD40 HH20
Claims (1)
- 【請求項１】 Ｔｅ系合金粉末をガスアトマイズ方法に
より製造した後、該粉末を冷間成形用のダイセット中に
挿入して冷間成形した後、粉末成形体がダイセット中に
残された状態で焼結することを特徴とするＴｅ系合金タ
ーゲット材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000163079A JP2001342559A (ja) | 2000-05-31 | 2000-05-31 | Ｔｅ系合金ターゲット材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000163079A JP2001342559A (ja) | 2000-05-31 | 2000-05-31 | Ｔｅ系合金ターゲット材の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001342559A true JP2001342559A (ja) | 2001-12-14 |
Family
ID=18666892
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000163079A Withdrawn JP2001342559A (ja) | 2000-05-31 | 2000-05-31 | Ｔｅ系合金ターゲット材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001342559A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006077692A1 (ja) * | 2005-01-18 | 2006-07-27 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | 焼結用Ｓｂ－Ｔｅ系合金粉末及びこの粉末を焼結して得た焼結体スパッタリングターゲット並びに焼結用Ｓｂ－Ｔｅ系合金粉末の製造方法 |
| JP2007131941A (ja) * | 2006-05-26 | 2007-05-31 | Mitsubishi Materials Corp | パーティクル発生の少ない相変化膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法。 |
| US7803209B2 (en) | 2004-11-30 | 2010-09-28 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd | Sb-Te alloy sintered compact sputtering target |
| US7943021B2 (en) | 2004-12-24 | 2011-05-17 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sb-Te alloy sintered compact target and manufacturing method thereof |
| US8882975B2 (en) | 2006-10-13 | 2014-11-11 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sb-Te base alloy sinter sputtering target |
| US9299543B2 (en) | 2009-05-27 | 2016-03-29 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Target of sintered compact, and method of producing the sintered compact |
-
2000
- 2000-05-31 JP JP2000163079A patent/JP2001342559A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7803209B2 (en) | 2004-11-30 | 2010-09-28 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd | Sb-Te alloy sintered compact sputtering target |
| US7943021B2 (en) | 2004-12-24 | 2011-05-17 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sb-Te alloy sintered compact target and manufacturing method thereof |
| WO2006077692A1 (ja) * | 2005-01-18 | 2006-07-27 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | 焼結用Ｓｂ－Ｔｅ系合金粉末及びこの粉末を焼結して得た焼結体スパッタリングターゲット並びに焼結用Ｓｂ－Ｔｅ系合金粉末の製造方法 |
| US7947106B2 (en) | 2005-01-18 | 2011-05-24 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sb-Te alloy powder for sintering, sintered compact sputtering target obtained by sintering said powder, and manufacturing method of Sb-Te alloy powder for sintering |
| JP2007131941A (ja) * | 2006-05-26 | 2007-05-31 | Mitsubishi Materials Corp | パーティクル発生の少ない相変化膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法。 |
| US8882975B2 (en) | 2006-10-13 | 2014-11-11 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sb-Te base alloy sinter sputtering target |
| US9299543B2 (en) | 2009-05-27 | 2016-03-29 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Target of sintered compact, and method of producing the sintered compact |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070807 |