JP2002194536A - 低酸素スパッタリングターゲット - Google Patents
低酸素スパッタリングターゲットInfo
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- JP2002194536A JP2002194536A JP2000396942A JP2000396942A JP2002194536A JP 2002194536 A JP2002194536 A JP 2002194536A JP 2000396942 A JP2000396942 A JP 2000396942A JP 2000396942 A JP2000396942 A JP 2000396942A JP 2002194536 A JP2002194536 A JP 2002194536A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 合金材料系に不可避的に混入して存在する含
有酸素に起因する生成膜の特性劣化の防止が図られた低
酸素スパッタリングターゲットを提供すること。 【解決手段】Ｃｒ合金系スパッタリングターゲットの構
成金属成分に対して脱酸素剤として炭素を添加すること
によって酸素含有量の低減化が図られてなることを特徴
とする低酸素スパッタリングターゲット。
有酸素に起因する生成膜の特性劣化の防止が図られた低
酸素スパッタリングターゲットを提供すること。 【解決手段】Ｃｒ合金系スパッタリングターゲットの構
成金属成分に対して脱酸素剤として炭素を添加すること
によって酸素含有量の低減化が図られてなることを特徴
とする低酸素スパッタリングターゲット。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、スパッタリングに
よる薄膜形成に使用されるスパッタリングターゲットに
関し、特に低酸素スパッタリングターゲットに関するも
のである。
よる薄膜形成に使用されるスパッタリングターゲットに
関し、特に低酸素スパッタリングターゲットに関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】液晶ディスプレイパネルの製造に使用さ
れる薄膜をスパッタリング法によって形成するためのス
パッタリングターゲットとして、Ｃｒ−Ｍｏ系またはＣ
ｒ−Ｗ系合金材料の使用が検討されている。
れる薄膜をスパッタリング法によって形成するためのス
パッタリングターゲットとして、Ｃｒ−Ｍｏ系またはＣ
ｒ−Ｗ系合金材料の使用が検討されている。
【０００３】上述したＣｒ−Ｍｏ系またはＣｒ−Ｗ系ス
パッタリングターゲットは、原料粉末を圧粉成形したの
ちこれを焼結することによって製造される。このような
合金系スパッタリングターゲットは、その原料調製段階
ないし製造段階において不可避的に酸素が混入する。従
来、このような不可避的に合金系に混入する酸素の存在
ならびにその含有量の制御については、必ずしも充分着
目されていなかった。
パッタリングターゲットは、原料粉末を圧粉成形したの
ちこれを焼結することによって製造される。このような
合金系スパッタリングターゲットは、その原料調製段階
ないし製造段階において不可避的に酸素が混入する。従
来、このような不可避的に合金系に混入する酸素の存在
ならびにその含有量の制御については、必ずしも充分着
目されていなかった。
【０００４】本発明者の知見によれば、上記のような薄
膜形成用のスパッタリングターゲット材料においては、
所定の薄膜特性が、合金材料系に不可避的に混入して存
在する含有酸素によって劣化することが判明している。
膜形成用のスパッタリングターゲット材料においては、
所定の薄膜特性が、合金材料系に不可避的に混入して存
在する含有酸素によって劣化することが判明している。
【０００５】本発明は、上述した従来技術の問題点に鑑
みてなされたものであり、薄膜特性の劣化の原因となる
混入酸素含有量の著しい低減化が図られたスパッタリン
グターゲットを提供することを目的とするものである。
みてなされたものであり、薄膜特性の劣化の原因となる
混入酸素含有量の著しい低減化が図られたスパッタリン
グターゲットを提供することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本発明による低酸素スパッタリングターゲット
は、Ｃｒ合金系スパッタリングターゲットの構成金属成
分に対して脱酸素剤として炭素を添加することによって
酸素含有量の低減化が図られてなることを特徴とする。
めに、本発明による低酸素スパッタリングターゲット
は、Ｃｒ合金系スパッタリングターゲットの構成金属成
分に対して脱酸素剤として炭素を添加することによって
酸素含有量の低減化が図られてなることを特徴とする。
【０００７】好ましい態様に係る本発明の低酸素スパッ
タリングターゲットは、スパッタリングターゲット中の
酸素含有量が、５００ｐｐｍ以下、さらに好ましくは１
００ｐｐｍ、特に好ましくは１０ｐｐｍ以下である。
タリングターゲットは、スパッタリングターゲット中の
酸素含有量が、５００ｐｐｍ以下、さらに好ましくは１
００ｐｐｍ、特に好ましくは１０ｐｐｍ以下である。
【０００８】さらに、本発明における上記脱酸素剤は、
好ましくは、カーボンブラック、活性炭素およびこれら
の混合物からなる群から選ばれた炭素質材料からなる。
好ましくは、カーボンブラック、活性炭素およびこれら
の混合物からなる群から選ばれた炭素質材料からなる。
【０００９】また、本発明によるスパッタリングターゲ
ットは、Ｃｒ−Ｍｏ系またはＣｒ−Ｗ系その他のＣｒ系
合金に適用可能である。
ットは、Ｃｒ−Ｍｏ系またはＣｒ−Ｗ系その他のＣｒ系
合金に適用可能である。
【００１０】また、本発明によるスパッタリングターゲ
ット中の脱酸素剤の残留濃度は、５００ｐｐｍ以下、好
ましくは２００ｐｐｍ以下、さらに好ましくは１００ｐ
ｐｍ以下であることができる。
ット中の脱酸素剤の残留濃度は、５００ｐｐｍ以下、好
ましくは２００ｐｐｍ以下、さらに好ましくは１００ｐ
ｐｍ以下であることができる。
【００１１】さらにまた、本発明は、上記低酸素スパッ
タリングターゲットの製造方法を包含するものであり、
具体的には、スパッタリングターゲットの原料粉末に脱
酸素剤としての炭素を添加し混合したのち、これをプレ
スして所定形状の圧粉成形体を形成し、得られた前記成
形体を、非酸化性雰囲気中、好ましくは還元雰囲気中に
おいて、７００℃近傍、好ましくは７００〜９００℃の
温度範囲での還元熱処理工程を含む焼結温度プロファイ
ルにて焼結する工程を含むことを特徴とする低酸素スパ
ッタリングターゲットの製造方法を含む。
タリングターゲットの製造方法を包含するものであり、
具体的には、スパッタリングターゲットの原料粉末に脱
酸素剤としての炭素を添加し混合したのち、これをプレ
スして所定形状の圧粉成形体を形成し、得られた前記成
形体を、非酸化性雰囲気中、好ましくは還元雰囲気中に
おいて、７００℃近傍、好ましくは７００〜９００℃の
温度範囲での還元熱処理工程を含む焼結温度プロファイ
ルにて焼結する工程を含むことを特徴とする低酸素スパ
ッタリングターゲットの製造方法を含む。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明による低酸素スパッタリン
グターゲットは、Ｃｒ合金系スパッタリングターゲット
の構成金属成分に対して脱酸素剤として炭素を添加する
ことによって酸素含有量の低減化が図られてなることを
特徴とする。
グターゲットは、Ｃｒ合金系スパッタリングターゲット
の構成金属成分に対して脱酸素剤として炭素を添加する
ことによって酸素含有量の低減化が図られてなることを
特徴とする。
【００１３】好ましい態様に係る本発明の低酸素スパッ
タリングターゲットは、スパッタリングターゲット中の
酸素含有量が、５００ｐｐｍ以下、さらに好ましくは１
００ｐｐｍ、特に好ましくは１０ｐｐｍ以下である。
タリングターゲットは、スパッタリングターゲット中の
酸素含有量が、５００ｐｐｍ以下、さらに好ましくは１
００ｐｐｍ、特に好ましくは１０ｐｐｍ以下である。
【００１４】さらに、本発明における上記脱酸素剤は、
好ましくは、カーボンブラック、活性炭素およびこれら
の混合物からなる群から選ばれた炭素質材料からなる。
好ましくは、カーボンブラック、活性炭素およびこれら
の混合物からなる群から選ばれた炭素質材料からなる。
【００１５】また、本発明によるスパッタリングターゲ
ットは、Ｃｒ−Ｍｏ系またはＣｒ−Ｗ系その他のＣｒ系
合金に適用可能である。
ットは、Ｃｒ−Ｍｏ系またはＣｒ−Ｗ系その他のＣｒ系
合金に適用可能である。
【００１６】また、本発明によるスパッタリングターゲ
ット中の脱酸素剤の残留濃度は、５００ｐｐｍ以下、好
ましくは２００ｐｐｍ以下、さらに好ましくは１００ｐ
ｐｍ以下であることができる。
ット中の脱酸素剤の残留濃度は、５００ｐｐｍ以下、好
ましくは２００ｐｐｍ以下、さらに好ましくは１００ｐ
ｐｍ以下であることができる。
【００１７】以下、本発明を製造工程に即して詳細に説
明する。
明する。
【００１８】本発明によるスパッタリングターゲットの
製造方法においては、スパッタリングターゲットを構成
する原料粉末に脱酸素剤としての炭素を添加し混合した
のち、これをプレスして所定形状の圧粉成形体を形成
し、特定の還元熱処理工程を含む焼結工程によって得る
ことができる。
製造方法においては、スパッタリングターゲットを構成
する原料粉末に脱酸素剤としての炭素を添加し混合した
のち、これをプレスして所定形状の圧粉成形体を形成
し、特定の還元熱処理工程を含む焼結工程によって得る
ことができる。
【００１９】本発明によるスパッタリングターゲットを
Ｃｒ−Ｍｏ系およびＣｒ−Ｗ系などのＣｒ系合金に適用
する場合、まず、所定量の原料金属粉末を用意し、これ
に脱酸素剤としての炭素を添加し混合することによって
原料混合粉末を得る。ここで、原料金属粉末の配合量比
は目的とするスパッタリングターゲットの種類に応じて
適宜選択され得るが、たとえばＣｒ−Ｍｏ系合金の場合
は、好ましくはＣｒについては、１〜５０重量％、さら
に好ましくは１〜１０重量％が適当である。また、この
場合の脱酸素剤としての炭素の好ましい添加量として
は、混合原料粉末の酸素含有量に対して、Ｃ／Ｏ＝０．
１〜２、好ましくは０．５〜１．５の範囲の比となるよ
うに添加することが望ましい。
Ｃｒ−Ｍｏ系およびＣｒ−Ｗ系などのＣｒ系合金に適用
する場合、まず、所定量の原料金属粉末を用意し、これ
に脱酸素剤としての炭素を添加し混合することによって
原料混合粉末を得る。ここで、原料金属粉末の配合量比
は目的とするスパッタリングターゲットの種類に応じて
適宜選択され得るが、たとえばＣｒ−Ｍｏ系合金の場合
は、好ましくはＣｒについては、１〜５０重量％、さら
に好ましくは１〜１０重量％が適当である。また、この
場合の脱酸素剤としての炭素の好ましい添加量として
は、混合原料粉末の酸素含有量に対して、Ｃ／Ｏ＝０．
１〜２、好ましくは０．５〜１．５の範囲の比となるよ
うに添加することが望ましい。
【００２０】Ｃｒ−Ｗ系合金の場合は、Ｃｒについて
は、１〜１０重量％の範囲で添加することが好ましい。
は、１〜１０重量％の範囲で添加することが好ましい。
【００２１】脱酸素剤としての炭素としては、カーボン
ブラック、活性炭素およびこれらの混合物からなる群か
ら選ばれた炭素質材料が好ましく用いられ得る。
ブラック、活性炭素およびこれらの混合物からなる群か
ら選ばれた炭素質材料が好ましく用いられ得る。
【００２２】上記の原料粉末混合物を、常法に従って、
所定圧力条件でプレス加工して所定形状の圧粉成形体を
形成する。通常、プレス圧は、好ましくは１〜１０ｔ／
cm２の範囲、さらに好ましくは１〜２ｔ／cm２の範囲が
適当である。
所定圧力条件でプレス加工して所定形状の圧粉成形体を
形成する。通常、プレス圧は、好ましくは１〜１０ｔ／
cm２の範囲、さらに好ましくは１〜２ｔ／cm２の範囲が
適当である。
【００２３】次いで、得られた前記成形体を、焼成す
る。本願発明においては、この焼成工程が、非酸化性雰
囲気中、好ましくは水素ガス等の還元雰囲気中におい
て、７００℃近傍、好ましくは６００〜１０００℃、さ
らに好ましくは７００〜９００℃の温度範囲での還元熱
処理工程を含む焼結温度プロファイルにて焼結する工程
を含む。この場合の還元熱処理工程における上記温度範
囲の保持は、通常好ましくは１〜１０時間、さらに好ま
しくは１〜３時間である。
る。本願発明においては、この焼成工程が、非酸化性雰
囲気中、好ましくは水素ガス等の還元雰囲気中におい
て、７００℃近傍、好ましくは６００〜１０００℃、さ
らに好ましくは７００〜９００℃の温度範囲での還元熱
処理工程を含む焼結温度プロファイルにて焼結する工程
を含む。この場合の還元熱処理工程における上記温度範
囲の保持は、通常好ましくは１〜１０時間、さらに好ま
しくは１〜３時間である。
【００２４】なお、焼結温度範囲は、原料に応じて適宜
最適範囲が選択され得るが、通常、１３００〜１８００
℃、１〜２４時間の条件で行われ得る。
最適範囲が選択され得るが、通常、１３００〜１８００
℃、１〜２４時間の条件で行われ得る。
【００２５】焼結工程後、得られた焼結体に対して、必
要に応じて反り直しのための熱処理を行うこともでき
る。このような反り直し熱処理は、通常１３００〜１８
００℃、１〜２４時間の条件で行われ得る。その後、所
定の仕上げ加工を施し、得られたスパッタリングターゲ
ットは、通常、所定のバッキングプレートに接合され
る。
要に応じて反り直しのための熱処理を行うこともでき
る。このような反り直し熱処理は、通常１３００〜１８
００℃、１〜２４時間の条件で行われ得る。その後、所
定の仕上げ加工を施し、得られたスパッタリングターゲ
ットは、通常、所定のバッキングプレートに接合され
る。
【００２６】本発明によれば、スパッタリングターゲッ
ト中の酸素含有量が、５００ｐｐｍ以下、好ましくは１
００ｐｐｍ、さらに好ましくは１０ｐｐｍ以下である低
酸素スパッタリングターゲットを得ることができる。
ト中の酸素含有量が、５００ｐｐｍ以下、好ましくは１
００ｐｐｍ、さらに好ましくは１０ｐｐｍ以下である低
酸素スパッタリングターゲットを得ることができる。
【００２７】また、本発明によれば得られるスパッタリ
ングターゲット中の脱酸素剤の残留濃度を、５００ｐｐ
ｍ以下、好ましくは２００ｐｐｍ以下、さらに好ましく
は１００ｐｐｍ以下の低濃度に制御することができ、こ
の点においても有利である。
ングターゲット中の脱酸素剤の残留濃度を、５００ｐｐ
ｍ以下、好ましくは２００ｐｐｍ以下、さらに好ましく
は１００ｐｐｍ以下の低濃度に制御することができ、こ
の点においても有利である。
【００２８】
【実施例】以下に、本発明の実施例ならびに比較例を示
すが、本発明は、下記の実施例の態様に限定されるもの
ではない。
すが、本発明は、下記の実施例の態様に限定されるもの
ではない。
【００２９】実施例１ 品位３Ｎ（９９．９％）、粒度１００メッシュのＣｒ
粉、品位３Ｎ５（９９．９５％）、粒度１４５メッシュ
のＭｏ粉を、Ｃｒ：５重量％、Ｍｏ９５重量％の割合で
混合し、ＣＩＰによって１．５ｔｆ／cm２（１４７ＭＰ
ａ）の圧力にて１５０mm□ｘ１０ｔ程度の成形体を作製
した。混合後の粉末の酸素濃度は１０９０ppmであっ
た。
粉、品位３Ｎ５（９９．９５％）、粒度１４５メッシュ
のＭｏ粉を、Ｃｒ：５重量％、Ｍｏ９５重量％の割合で
混合し、ＣＩＰによって１．５ｔｆ／cm２（１４７ＭＰ
ａ）の圧力にて１５０mm□ｘ１０ｔ程度の成形体を作製
した。混合後の粉末の酸素濃度は１０９０ppmであっ
た。
【００３０】得られた成形体を水素フロー中において１
００℃／時で昇温し、１８００℃で１５時間の保持をし
た後、炉冷し焼成を行った。得られた焼結体の密度は
９．５４ｇ／ｃｍ３であった。
００℃／時で昇温し、１８００℃で１５時間の保持をし
た後、炉冷し焼成を行った。得られた焼結体の密度は
９．５４ｇ／ｃｍ３であった。
【００３１】この焼結体をφ４”ｘ６mmtのスパッタリ
ングターゲットに加工し、スパッタした後、ターゲット
に形成されたエロージョン中央部２箇所より酸素濃度測
定用にサンプルを切り出し、酸素濃度を測定した。
ングターゲットに加工し、スパッタした後、ターゲット
に形成されたエロージョン中央部２箇所より酸素濃度測
定用にサンプルを切り出し、酸素濃度を測定した。
【００３２】スパッタリングにより成膜した膜の比抵抗
およびターゲットの酸素濃度を表１に示す。
およびターゲットの酸素濃度を表１に示す。
【００３３】スパッタリングの条件は、プロセスガスに
アルゴンを導入し、３mTorr（０．４Pa）にし、投入パ
ワーは４００Ｗとした。成膜時の基板の温度は１００℃
に加熱した。
アルゴンを導入し、３mTorr（０．４Pa）にし、投入パ
ワーは４００Ｗとした。成膜時の基板の温度は１００℃
に加熱した。
【００３４】実施例２ 品位３Ｎ（９９．９％）、粒度１００メッシュのＣｒ
粉、品位３Ｎ５（９９．９５％）、粒度１４５メッシュ
のＭｏ粉を、Ｃｒ：５重量％、Ｍｏ９５重量％の割合で
混合した粉末に、さらに１０００ppmのカーボンブラッ
クを混合し、ＣＩＰによって１．５ｔｆ／cm２（１４７
ＭＰａ）の圧力にて１５０mm□ｘ１０ｔ程度の成形体を
作製した。混合後の粉末の酸素濃度は１１２０ppmであ
った。
粉、品位３Ｎ５（９９．９５％）、粒度１４５メッシュ
のＭｏ粉を、Ｃｒ：５重量％、Ｍｏ９５重量％の割合で
混合した粉末に、さらに１０００ppmのカーボンブラッ
クを混合し、ＣＩＰによって１．５ｔｆ／cm２（１４７
ＭＰａ）の圧力にて１５０mm□ｘ１０ｔ程度の成形体を
作製した。混合後の粉末の酸素濃度は１１２０ppmであ
った。
【００３５】得られた成形体を水素フロー中において１
００℃／時で昇温し、１８００℃で１５時間の保持をし
た後、炉冷し焼成を行った。得られた焼結体の密度は
９．４６ｇ／ｃｍ３であった。
００℃／時で昇温し、１８００℃で１５時間の保持をし
た後、炉冷し焼成を行った。得られた焼結体の密度は
９．４６ｇ／ｃｍ３であった。
【００３６】実施例１と同様の方法によって、得られた
焼結体からターゲットを作製し、スパッタした後、ター
ゲットの酸素濃度および残留炭素濃度を測定した。測定
結果を表１に示す。
焼結体からターゲットを作製し、スパッタした後、ター
ゲットの酸素濃度および残留炭素濃度を測定した。測定
結果を表１に示す。
【００３７】実施例３ 実施例２と同様の方法で成形体を作製した。
【００３８】この場合の混合後の粉末の酸素濃度は１１
００ppmであった。
００ppmであった。
【００３９】得られた成形体を水素フロー中において１
００℃／時で昇温し、還元熱処理ゾーンとして８００℃
で５時間保持した後、また１００℃／時で昇温し、１８
００℃で１５時間の保持をした後、炉冷し焼成を行っ
た。得られた焼結体の密度は９．５２ｇ／ｃｍ３であっ
た。
００℃／時で昇温し、還元熱処理ゾーンとして８００℃
で５時間保持した後、また１００℃／時で昇温し、１８
００℃で１５時間の保持をした後、炉冷し焼成を行っ
た。得られた焼結体の密度は９．５２ｇ／ｃｍ３であっ
た。
【００４０】実施例１と同様の方法によって、得られた
焼結体からターゲットを作製し、スパッタした後、ター
ゲットの酸素濃度および残留炭素濃度を測定した。測定
結果を表１に示す。
焼結体からターゲットを作製し、スパッタした後、ター
ゲットの酸素濃度および残留炭素濃度を測定した。測定
結果を表１に示す。
【００４１】実施例４ 品位３Ｎ（９９．９％）、粒度１００メッシュのＣｒ
粉、品位３Ｎ５（９９．９５％）、粒度１４５メッシュ
のＭｏ粉を、Ｃｒ：５重量％、Ｍｏ９５重量％の割合で
混合した粉末に、さらに８００ppmのカーボンブラック
を混合し、ＣＩＰによって１．５ｔｆ／cm２（１４７Ｍ
Ｐａ）の圧力にて１５０mm□ｘ１０ｔ程度の成形体を作
製した。混合後の粉末の酸素濃度は１１５０ppmであっ
た。
粉、品位３Ｎ５（９９．９５％）、粒度１４５メッシュ
のＭｏ粉を、Ｃｒ：５重量％、Ｍｏ９５重量％の割合で
混合した粉末に、さらに８００ppmのカーボンブラック
を混合し、ＣＩＰによって１．５ｔｆ／cm２（１４７Ｍ
Ｐａ）の圧力にて１５０mm□ｘ１０ｔ程度の成形体を作
製した。混合後の粉末の酸素濃度は１１５０ppmであっ
た。
【００４２】得られた成形体を水素フロー中において１
００℃／時で昇温し、還元熱処理ゾーンとして８００℃
で５時間保持した後、また１００℃／時で昇温し、１８
００℃で１５時間の保持をした後、炉冷し焼成を行っ
た。得られた焼結体の密度は９．５３ｇ／ｃｍ３であっ
た。
００℃／時で昇温し、還元熱処理ゾーンとして８００℃
で５時間保持した後、また１００℃／時で昇温し、１８
００℃で１５時間の保持をした後、炉冷し焼成を行っ
た。得られた焼結体の密度は９．５３ｇ／ｃｍ３であっ
た。
【００４３】実施例１と同様の方法によって、得られた
焼結体からターゲットを作製し、スパッタした後、ター
ゲットの酸素濃度および残留炭素濃度を測定した。測定
結果を表１に示す。
焼結体からターゲットを作製し、スパッタした後、ター
ゲットの酸素濃度および残留炭素濃度を測定した。測定
結果を表１に示す。
【００４４】 表１ 実施例 酸素濃度（ppm） 炭素濃度（ppm） 膜の比抵抗（μΩ・cm） １ ７２０ − ２８．８ ２ １１５ ３８０ ２３．６ ３ ３８ １９６ ２３．３ ４ ８ １３ ２１．７
【００４５】
【発明の効果】上記実施例および比較例の結果からも明
らかなように、本発明によるスパッタリングターゲット
は、スパッタリングターゲットの構成金属成分に対して
脱酸素剤として炭素を用いることによって酸素含有量の
著しい低減化が図られているので、合金材料系に不可避
的に混入して存在する含有酸素に起因する生成膜の特性
劣化の防止が図られた低酸素スパッタリングターゲット
を提供することができ、産業上すこぶる有用である。
らかなように、本発明によるスパッタリングターゲット
は、スパッタリングターゲットの構成金属成分に対して
脱酸素剤として炭素を用いることによって酸素含有量の
著しい低減化が図られているので、合金材料系に不可避
的に混入して存在する含有酸素に起因する生成膜の特性
劣化の防止が図られた低酸素スパッタリングターゲット
を提供することができ、産業上すこぶる有用である。
Claims (6)
- 【請求項１】Ｃｒ合金系スパッタリングターゲットの構
成金属成分に対して脱酸素剤として炭素を添加すること
によって酸素含有量の低減化が図られてなることを特徴
とする、低酸素スパッタリングターゲット。 - 【請求項２】スパッタリングターゲット中の酸素含有量
が、５００ｐｐｍ以下、好ましくは１００ｐｐｍ以下、
さらに好ましくは１０ｐｐｍ以下である、請求項１に記
載の低酸素スパッタリングターゲット。 - 【請求項３】脱酸素剤が、カーボンブラック、活性炭素
およびこれらの混合物からなる群から選ばれた炭素質材
料からなる、請求項１に記載の低酸素スパッタリングタ
ーゲット。 - 【請求項４】前記スパッタリングターゲットがＣｒ−Ｍ
ｏ系またはＣｒ−Ｗ系である、請求項１に記載の低酸素
スパッタリングターゲット。 - 【請求項５】スパッタリングターゲット中の脱酸素剤の
残留濃度が、５００ｐｐｍ以下、好ましくは２００ｐｐ
ｍ以下、さらに好ましくは１００ｐｐｍ以下である、請
求項１に記載の低酸素スパッタリングターゲット。 - 【請求項６】スパッタリングターゲットの原料粉末に脱
酸素剤としての炭素を添加し混合したのち、これをプレ
スして所定形状の圧粉成形体を形成し、 得られた前記成形体を、非酸化性雰囲気中、好ましくは
還元雰囲気中において、７００℃近傍、好ましくは７０
０〜９００℃の温度範囲での還元熱処理工程を含む焼結
温度プロファイルにて焼結する工程を含むことを特徴と
する、請求項１に記載の低酸素スパッタリングターゲッ
トの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000396942A JP4608090B2 (ja) | 2000-12-27 | 2000-12-27 | 低酸素スパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000396942A JP4608090B2 (ja) | 2000-12-27 | 2000-12-27 | 低酸素スパッタリングターゲット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002194536A true JP2002194536A (ja) | 2002-07-10 |
| JP4608090B2 JP4608090B2 (ja) | 2011-01-05 |
Family
ID=18862149
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000396942A Expired - Fee Related JP4608090B2 (ja) | 2000-12-27 | 2000-12-27 | 低酸素スパッタリングターゲット |
Country Status (1)
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2000
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