JP2005307226A - Mo系ターゲット材 - Google Patents
Mo系ターゲット材 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005307226A JP2005307226A JP2004121955A JP2004121955A JP2005307226A JP 2005307226 A JP2005307226 A JP 2005307226A JP 2004121955 A JP2004121955 A JP 2004121955A JP 2004121955 A JP2004121955 A JP 2004121955A JP 2005307226 A JP2005307226 A JP 2005307226A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target material
- transition metal
- metal element
- total length
- alloy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000013077 target material Substances 0.000 title claims abstract description 63
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 20
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 abstract description 6
- 238000007088 Archimedes method Methods 0.000 abstract description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 41
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 21
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 10
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 8
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 238000001739 density measurement Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 4
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 4
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 3
- 229910001209 Low-carbon steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000001513 hot isostatic pressing Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000005098 hot rolling Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009849 vacuum degassing Methods 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Powder Metallurgy (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】 遷移金属元素を0.1〜50原子%含むMo合金の全長が1m以上の焼結ターゲット材であって、スパッタ面に引くことができる最長の線の全長として、該全長を50mm間隔で、アルキメデス法によって測定した相対密度が全域で98%以上となるMo系ターゲット材である。また、さらに、遷移金属元素を0.1〜50%原子含むMo合金の全長が1m以上の焼結ターゲット材であって、スパッタ面に引くことができる最長の線の全長として、該全長を50mm間隔で測定した遷移金属元素の含有量のバラツキが20%以下であるMo系ターゲット材である。
【選択図】 図1
Description
例えば、Crを1〜5wt%含有したMo−Cr合金スパッタリングターゲットが開示されている(例えば、特許文献1参照)。また、Wを20〜70原子%含有したMo−Wターゲットが開示されている(例えば、特許文献2参照)。さらに、Nbおよび/またはVを2〜50原子%含有したMo合金が開示されている(例えば、特許文献3参照)。
好ましくは、遷移金属元素を0.1〜50原子%含むMo合金の全長が1m以上の焼結ターゲット材であって、スパッタ面に引くことができる最長の直線を全長として、該全長を50mm間隔で測定した遷移金属元素の含有量比率のバラツキが20%以下であるMo系ターゲット材である。
また、好ましくは、スパッタ面の面積が1m2以上であるMo系ターゲット材である。
以下に本発明を詳細に説明する。
また、本発明のMo合金が遷移金属元素を含むものとしたのは、スパッタリングにより成膜された膜の特性として、純Moに対して耐食性を向上させるためである。遷移金属元素を0.1〜50原子%含むものと限定したのは、0.1原子%を下回る場合は純Moに対する耐食性の効果が十分に実現されないためであり、50原子%より高くなるとMo本来の性質を失うためである。なお、本発明における遷移金属元素としては、元素周期律表におけるIVa族、Va族およびVIa族の元素が、特にMoの耐食性を向上させる効果を有するため望ましい。
本発明のMo系ターゲット材の特徴は、前述の通り、焼結ターゲット材全域に亘って相対密度を98%以上として相対密度のバラツキを低減した点にある。本発明のターゲット材に含まれる遷移金属元素の原料粉末は、粒径、形状および比重といった粉末性状がMo原料粉末と異なるため、単純にMo原料粉末と遷移金属元素の原料粉末を混合しても均一な分散状態を得ることは困難である。
平均粒径d50=6μmなるMo原料粉末、添加する遷移金属元素として平均粒径100μmのCr、Nbおよび平均粒径6.5μmのWの原料粉末を準備した。表1に示すMo合金を作製するため、Mo原料粉末と所定の遷移金属元素の原料粉末をV型混合機で10分間混合した。得られた混合粉末を冷間静水圧プレス(CIP)を用い265MPaで圧縮成形した圧粉体を作製した。この圧粉体をジョークラッシャーおよびディスクミルを使用して粉砕して造粒粉末を作製した。造粒粉末の粒径はディスクミルの歯間隔および分級機で制御し1mm以下とした。その造粒粉末を再度V型混合機で10分間混合した後、内径寸法で厚さ100mm×幅1250mm×高さ1450mmなる軟鋼製加圧容器に充填した。充填方法はこの加圧容器を厚さ100mm×幅1250mmが供給口になるよう振動装置上に設置し造粒粉末を直接充填した。充填密度はいずれも各Mo合金比重に対する相対密度で58〜59%であった。
Claims (3)
- 遷移金属元素を0.1〜50原子%含むMo合金の全長が1m以上の焼結ターゲット材であって、スパッタ面に引くことができる最長の直線を全長として、該全長を50mm間隔で、アルキメデス法によって測定した相対密度が全域で98%以上となることを特徴とするMo系ターゲット材。
- 遷移金属元素を0.1〜50原子%含むMo合金の全長が1m以上の焼結ターゲット材であって、スパッタ面に引くことができる最長の直線を全長として、該全長を50mm間隔で測定した遷移金属元素の含有量比率のバラツキが20%以下であることを特徴とする請求項1に記載のMo系ターゲット材。
- スパッタ面の面積が1m2以上であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のMo系ターゲット材。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004121955A JP4721090B2 (ja) | 2004-04-16 | 2004-04-16 | Mo系ターゲット材の製造方法 |
US11/070,339 US20050230244A1 (en) | 2004-03-31 | 2005-03-03 | Sputter target material and method of producing the same |
CNB2005100594763A CN100447290C (zh) | 2004-03-31 | 2005-03-25 | 溅射靶材料及其生产方法 |
TW094109924A TWI310407B (en) | 2004-03-31 | 2005-03-30 | Sputter target material and method of producing the same |
KR1020050026676A KR100665243B1 (ko) | 2004-03-31 | 2005-03-30 | 스퍼터링 표적재 및 그의 제조 방법 |
KR1020060086790A KR20060102322A (ko) | 2004-03-31 | 2006-09-08 | 스퍼터링 표적재 및 그의 제조 방법 |
US12/479,121 US8409498B2 (en) | 2004-03-31 | 2009-06-05 | Method of producing a sputter target material |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004121955A JP4721090B2 (ja) | 2004-04-16 | 2004-04-16 | Mo系ターゲット材の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005307226A true JP2005307226A (ja) | 2005-11-04 |
JP4721090B2 JP4721090B2 (ja) | 2011-07-13 |
Family
ID=35436328
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004121955A Expired - Lifetime JP4721090B2 (ja) | 2004-03-31 | 2004-04-16 | Mo系ターゲット材の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4721090B2 (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009119804A1 (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-01 | 日立金属株式会社 | 電子部品用薄膜配線および薄膜配線形成用スパッタリングターゲット材 |
JP2010248615A (ja) * | 2009-03-25 | 2010-11-04 | Sanyo Special Steel Co Ltd | モリブデン合金およびその製造方法 |
WO2011125663A1 (ja) * | 2010-04-01 | 2011-10-13 | 山陽特殊製鋼株式会社 | モリブデン合金およびその製造方法 |
JP2011225985A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-11-10 | Hitachi Metals Ltd | 円筒型Mo合金ターゲットの製造方法 |
JP2013535571A (ja) * | 2010-06-30 | 2013-09-12 | エイチ.シー.スターク インク. | モリブデンを含有した標的 |
WO2015061816A1 (de) | 2013-10-29 | 2015-05-07 | Plansee Se | Sputtering target und verfahren zur herstellung |
US9150955B2 (en) | 2010-06-30 | 2015-10-06 | H.C. Starck Inc. | Method of making molybdenum containing targets comprising molybdenum, titanium, and tantalum or chromium |
US9334562B2 (en) | 2011-05-10 | 2016-05-10 | H.C. Starck Inc. | Multi-block sputtering target and associated methods and articles |
US9334565B2 (en) | 2012-05-09 | 2016-05-10 | H.C. Starck Inc. | Multi-block sputtering target with interface portions and associated methods and articles |
WO2018058158A1 (de) | 2016-09-29 | 2018-04-05 | Plansee Se | Sputtering target |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61141674A (ja) * | 1984-12-13 | 1986-06-28 | 東京タングステン株式会社 | タングステンシリサイド合金焼結体及びその製造方法 |
JP2003129232A (ja) * | 2001-10-23 | 2003-05-08 | Hitachi Metals Ltd | Mo系スパッタリング用ターゲットおよびその製造方法 |
-
2004
- 2004-04-16 JP JP2004121955A patent/JP4721090B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61141674A (ja) * | 1984-12-13 | 1986-06-28 | 東京タングステン株式会社 | タングステンシリサイド合金焼結体及びその製造方法 |
JP2003129232A (ja) * | 2001-10-23 | 2003-05-08 | Hitachi Metals Ltd | Mo系スパッタリング用ターゲットおよびその製造方法 |
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009119804A1 (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-01 | 日立金属株式会社 | 電子部品用薄膜配線および薄膜配線形成用スパッタリングターゲット材 |
JP5327651B2 (ja) * | 2008-03-28 | 2013-10-30 | 日立金属株式会社 | 電子部品用薄膜配線および薄膜配線形成用スパッタリングターゲット材 |
JP2010248615A (ja) * | 2009-03-25 | 2010-11-04 | Sanyo Special Steel Co Ltd | モリブデン合金およびその製造方法 |
JP2011225985A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-11-10 | Hitachi Metals Ltd | 円筒型Mo合金ターゲットの製造方法 |
JP2011214112A (ja) * | 2010-04-01 | 2011-10-27 | Sanyo Special Steel Co Ltd | モリブデン合金およびその製造方法 |
TWI491738B (zh) * | 2010-04-01 | 2015-07-11 | Sanyo Special Steel Co Ltd | Molybdenum alloy and method for producing the same |
WO2011125663A1 (ja) * | 2010-04-01 | 2011-10-13 | 山陽特殊製鋼株式会社 | モリブデン合金およびその製造方法 |
JP2013535571A (ja) * | 2010-06-30 | 2013-09-12 | エイチ.シー.スターク インク. | モリブデンを含有した標的 |
US9017762B2 (en) | 2010-06-30 | 2015-04-28 | H.C. Starck, Inc. | Method of making molybdenum-containing targets comprising three metal elements |
US9945023B2 (en) | 2010-06-30 | 2018-04-17 | H.C. Starck, Inc. | Touch screen device comprising Mo-based film layer and methods thereof |
US9150955B2 (en) | 2010-06-30 | 2015-10-06 | H.C. Starck Inc. | Method of making molybdenum containing targets comprising molybdenum, titanium, and tantalum or chromium |
US9837253B2 (en) | 2010-06-30 | 2017-12-05 | H.C. Starck Inc. | Molybdenum containing targets for touch screen device |
US9922808B2 (en) | 2011-05-10 | 2018-03-20 | H.C. Starck Inc. | Multi-block sputtering target and associated methods and articles |
US9334562B2 (en) | 2011-05-10 | 2016-05-10 | H.C. Starck Inc. | Multi-block sputtering target and associated methods and articles |
US9334565B2 (en) | 2012-05-09 | 2016-05-10 | H.C. Starck Inc. | Multi-block sputtering target with interface portions and associated methods and articles |
US10643827B2 (en) | 2012-05-09 | 2020-05-05 | H.C. Starck Inc. | Multi-block sputtering target with interface portions and associated methods and articles |
WO2015061816A1 (de) | 2013-10-29 | 2015-05-07 | Plansee Se | Sputtering target und verfahren zur herstellung |
WO2018058158A1 (de) | 2016-09-29 | 2018-04-05 | Plansee Se | Sputtering target |
US11569075B2 (en) | 2016-09-29 | 2023-01-31 | Plansee Se | Sputtering target |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4721090B2 (ja) | 2011-07-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Fu et al. | Influence of Ti addition and sintering method on microstructure and mechanical behavior of a medium-entropy Al0. 6CoNiFe alloy | |
JP4110533B2 (ja) | Mo系ターゲット材の製造方法 | |
KR100665243B1 (ko) | 스퍼터링 표적재 및 그의 제조 방법 | |
JP5850372B2 (ja) | 鋳造用結晶粒微細化剤およびその製造方法 | |
JP2008280570A (ja) | MoNb系焼結スパッタリングターゲット材の製造方法 | |
JP2008169464A (ja) | スパッタターゲット及びその製造方法 | |
JP2013083000A (ja) | 焼結Mo合金スパッタリングターゲット材の製造方法 | |
JP2012237056A (ja) | MoCrターゲット材の製造方法およびMoCrターゲット材 | |
JP4721090B2 (ja) | Mo系ターゲット材の製造方法 | |
JP5861839B2 (ja) | モリブデンターゲットの製造方法 | |
KR20190095414A (ko) | 텅스텐 실리사이드 타깃 및 그 제조 방법 | |
JP4356071B2 (ja) | スパッタリングターゲット材およびその製造方法 | |
CN107208259A (zh) | 铬‑钛合金溅射靶材及其制造方法 | |
JP5988140B2 (ja) | MoTiターゲット材の製造方法およびMoTiターゲット材 | |
JP2006169547A (ja) | 加圧焼結用のMo合金粉末の製造方法およびスパッタリング用ターゲット材の製造方法 | |
TWI675116B (zh) | Ti-Al合金濺鍍靶 | |
JP6686699B2 (ja) | スパッタリングターゲット | |
JP4591749B2 (ja) | Moターゲット材の製造方法 | |
JP4953168B2 (ja) | パーティクル発生の少ない光記録媒体膜形成用Te系スパッタリングターゲット | |
JP4706980B2 (ja) | Moターゲット材の製造方法 | |
JPH02259029A (ja) | アルミナイドの製造法 | |
JP7557648B2 (ja) | 酸化物焼結体及びその製造方法並びにスパッタリングターゲット材 | |
JP2002212607A (ja) | 高融点合金の製造方法 | |
JPH0688153A (ja) | 焼結チタン合金の製造方法 | |
JP2002194536A (ja) | 低酸素スパッタリングターゲット |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070313 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090310 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100416 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100615 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100819 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101004 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101210 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101224 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110311 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110324 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140415 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4721090 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |