JPS63206466A - 蒸着用Fe−Si基合金 - Google Patents
蒸着用Fe−Si基合金Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は蒸着用Fe−St基合金に係り、特に磁気記録
材料として用いられる薄膜の製造に好適な蒸着用Fe−
5i基合金に関する。
材料として用いられる薄膜の製造に好適な蒸着用Fe−
5i基合金に関する。
[従来の技術〕
非磁性基板上に磁性合金薄膜を形成した磁気記録材料は
周知である。
周知である。
このl1f1気記録材料の薄膜を製造する方法としては
、スパッタリングや真空蒸着、イオンブレーティング等
の蒸着法が広く用いられている。
、スパッタリングや真空蒸着、イオンブレーティング等
の蒸着法が広く用いられている。
特にスパッタリング法は、均一な内部組成で一定の合金
元素を含んだターゲツト材が得られさえすれば、スパッ
タリング装置内の圧力をコントロールしながら組成的に
均一な薄膜を得ることができる点で有利である。
元素を含んだターゲツト材が得られさえすれば、スパッ
タリング装置内の圧力をコントロールしながら組成的に
均一な薄膜を得ることができる点で有利である。
磁性合金薄膜を形成する強磁性合金としては、ニッケル
合金、コバルト合金のほか、鉄基合金などが従来より用
いられている。
合金、コバルト合金のほか、鉄基合金などが従来より用
いられている。
しかして、近年、Feに数パーセントのStを加えると
、容易に磁気特性が改善され、しかも経時変化による特
性の劣化が少なくなることが発見され、それ以来、Fe
−St合金は電気機器の磁心材料等として広く用いられ
てきた。Fa−St合金板(帯)は飽和磁束密度が高く
、不断の研究により特性も非常に向上している上、多量
かつ安価に製造できるので、回転機や変圧器などのいわ
ゆる電力用機器の磁心材料として欠くことのできない材
料であり、磁性材料としては最も多量に使°われている
。
、容易に磁気特性が改善され、しかも経時変化による特
性の劣化が少なくなることが発見され、それ以来、Fe
−St合金は電気機器の磁心材料等として広く用いられ
てきた。Fa−St合金板(帯)は飽和磁束密度が高く
、不断の研究により特性も非常に向上している上、多量
かつ安価に製造できるので、回転機や変圧器などのいわ
ゆる電力用機器の磁心材料として欠くことのできない材
料であり、磁性材料としては最も多量に使°われている
。
現在、市販されているFe−SL合金板(帯)のSi含
有量は0.25〜5%である。Fe−Si合金は、Si
含有量が多いほど抵抗率が増し、同一の製法で作ったも
のなら透磁率も高く鉄損も低くなる。しかしながら、飽
和磁束密度が低くなり、圧延がむずかしくなる上、製品
も脆く、剪断や打抜きなどの加工も困難になる。
有量は0.25〜5%である。Fe−Si合金は、Si
含有量が多いほど抵抗率が増し、同一の製法で作ったも
のなら透磁率も高く鉄損も低くなる。しかしながら、飽
和磁束密度が低くなり、圧延がむずかしくなる上、製品
も脆く、剪断や打抜きなどの加工も困難になる。
Fe−Si合金のうち、特にFe−6,5Si合金は、
高周波用トランスヘッド材等として高い特性を有し、今
後その活用が注目されている。現在において、Fe−6
,5Si合金の圧延は困難であるため、蒸看法による薄
帯の作製が有望視されている。
高周波用トランスヘッド材等として高い特性を有し、今
後その活用が注目されている。現在において、Fe−6
,5Si合金の圧延は困難であるため、蒸看法による薄
帯の作製が有望視されている。
[発明が解決しようとする問題点]
従来より用いられている磁性合金について種々検討を重
ねたところ、酸素、窒素、硫黄、炭素、その他金属酸化
物等の介在物が比較的多量に含まれており、得られる薄
膜の磁気特性に多大な悪影響をもたらすことが認められ
た。
ねたところ、酸素、窒素、硫黄、炭素、その他金属酸化
物等の介在物が比較的多量に含まれており、得られる薄
膜の磁気特性に多大な悪影響をもたらすことが認められ
た。
[問題点を解決するための手段]
本発明は上記従来の実情に鑑み、不純物含有量の少ない
高特性磁性薄膜を安定かつ効率的に得ることができる蒸
着用Fe−Si基合金を提供するべくなされたものであ
って、 Si2.5〜10重量%、AfLt、5重量%以下及び
/又はTi0.5重量%以下、Ca1O〜1100pp
以下、050ppm以下、320ppm以下、NN30
pp以下を含有し、残部が実質的にFeであることを特
徴とする蒸着用Fe−Si基合金、 を要旨とするものである。
高特性磁性薄膜を安定かつ効率的に得ることができる蒸
着用Fe−Si基合金を提供するべくなされたものであ
って、 Si2.5〜10重量%、AfLt、5重量%以下及び
/又はTi0.5重量%以下、Ca1O〜1100pp
以下、050ppm以下、320ppm以下、NN30
pp以下を含有し、残部が実質的にFeであることを特
徴とする蒸着用Fe−Si基合金、 を要旨とするものである。
即ち、本発明者は、蒸着用合金の不純物に起因する問題
を解決し、高特性磁性薄膜を得るべく、鋭意検討を重ね
た結果、蒸着用Fe−Si基合金中に、特定量のCaと
A1及び/又はTiとを含有させることにより、不純物
含有量の少ない合金が得られ、しかもCaとA1及び/
又はTiとによるゲッタ作用により、蒸着雰囲気中のガ
ス成分をも低減し、極め、て高純度で高特性の磁性ff
膜を得ることができることを見出し、本発明を完成させ
た。
を解決し、高特性磁性薄膜を得るべく、鋭意検討を重ね
た結果、蒸着用Fe−Si基合金中に、特定量のCaと
A1及び/又はTiとを含有させることにより、不純物
含有量の少ない合金が得られ、しかもCaとA1及び/
又はTiとによるゲッタ作用により、蒸着雰囲気中のガ
ス成分をも低減し、極め、て高純度で高特性の磁性ff
膜を得ることができることを見出し、本発明を完成させ
た。
以下、本発明につぎ詳細に説明する。
なお、本明細書において、1%」は「重量%」を表すも
のである。
のである。
本発明の蒸着用Fe−3t基合金は、真空蒸着あるいは
スパッタリング、イオンブレーティング等の蒸着用材料
として用いられ、磁性薄膜の製造等に利用されるもので
あって、その組成は、下記の通りである。
スパッタリング、イオンブレーティング等の蒸着用材料
として用いられ、磁性薄膜の製造等に利用されるもので
あって、その組成は、下記の通りである。
Si:2.5〜10
Fe:残部
Aj!:0.5%以下及び/又はTi:0.5%以下
Ca:10〜1ooppm以下
0 :50ppm以下
S :20ppm以下
N :30ppm以下
以下に本発明の合金組成の限定理由について説明する。
本発明の蒸着用Fe−3t基介今においてSLは2.5
〜10%とする。これは、前述の如く、Fe−Si基合
金においてSi含有量が多い程抵抗率が増し、透磁率も
高くなるものの、あまりにSi含有量が多いと飽和磁束
密度が低くなり加工性が低下するためであって、Si含
有量は2.5〜10%とすることにより、最も優れた特
性が得られる。
〜10%とする。これは、前述の如く、Fe−Si基合
金においてSi含有量が多い程抵抗率が増し、透磁率も
高くなるものの、あまりにSi含有量が多いと飽和磁束
密度が低くなり加工性が低下するためであって、Si含
有量は2.5〜10%とすることにより、最も優れた特
性が得られる。
AJ2及び/又はTiは、合金の溶製を行なう際に、C
aと共に合金の清浄化に作用し、また蒸着雰囲気中にて
ガス成分を捕捉するゲッタ作用を有する。ただし、Af
L及び/又はTiはその量があまりに多過ぎ、合金特性
に影響を及ぼす量であっては好ましくなく、このため本
発明においては、Aft、5%以下、Ti0.5%以下
とする。
aと共に合金の清浄化に作用し、また蒸着雰囲気中にて
ガス成分を捕捉するゲッタ作用を有する。ただし、Af
L及び/又はTiはその量があまりに多過ぎ、合金特性
に影響を及ぼす量であっては好ましくなく、このため本
発明においては、Aft、5%以下、Ti0.5%以下
とする。
当然のことながら、An及び/又はTiは、その量があ
まりに少な過ぎると上記清浄化作用及びゲッタ作用によ
る十分な効果が得られない。
まりに少な過ぎると上記清浄化作用及びゲッタ作用によ
る十分な効果が得られない。
本発明においては、A1及び/又はTiは、A420.
005〜O,,5%及び/又はTi0.5%以下、より
好ましくはAJ20.05〜0.2%及び/又はTi0
.2%以下含有させるのが望ましい。なお、Au2又は
Tiは、固−5AA又は固溶Tiの形態で合金中に存在
することにより、本発明の効果を奏するものであるので
、AJL又はTiの存在形態は固溶状態であることが重
要である。
005〜O,,5%及び/又はTi0.5%以下、より
好ましくはAJ20.05〜0.2%及び/又はTi0
.2%以下含有させるのが望ましい。なお、Au2又は
Tiは、固−5AA又は固溶Tiの形態で合金中に存在
することにより、本発明の効果を奏するものであるので
、AJL又はTiの存在形態は固溶状態であることが重
要である。
なお、本発明のFe−5i基合金において、八β、Ti
の添加は磁性の向上にも有効である。
の添加は磁性の向上にも有効である。
Caは前述の如<An及び/又はTiと共に合金の清浄
化に作用し、またゲッタ作用を奏する。
化に作用し、またゲッタ作用を奏する。
Caは、その含有量があまりに多過ぎると合金特性に影
響を及ぼし、また、金属間化合物の析出により合金を脆
くすることがある。このため、本発明においてはCa含
有量は1100pp以下とする。一方、Ca含有量は少
な過ぎてもCaによる十分な清浄化作用及びゲッタ作用
が現れない。
響を及ぼし、また、金属間化合物の析出により合金を脆
くすることがある。このため、本発明においてはCa含
有量は1100pp以下とする。一方、Ca含有量は少
な過ぎてもCaによる十分な清浄化作用及びゲッタ作用
が現れない。
このようなことから、Ca含有量は10〜1100pp
の範囲とする。なお、CaはCaOないしCa0−Al
2O2の形態では本発明の効果は臭し得ないことから、
合金中のCaの存在形態は金属Caであることが重要で
ある。
の範囲とする。なお、CaはCaOないしCa0−Al
2O2の形態では本発明の効果は臭し得ないことから、
合金中のCaの存在形態は金属Caであることが重要で
ある。
合金中のO,S%Nの量が多いと、蒸着に使用した際に
、蒸着雰囲気の真空度を悪化させたり、また良好な蒸着
が行なえず、高特性の磁性薄膜が得られない。このため
、合金中00含有量は50ppm以下、好ましくは20
ppm以下、S含有量は20ppm以下、好ましくは1
0ppm以下、N含有量は30ppm以下、好ましくは
10ppm以下とする。
、蒸着雰囲気の真空度を悪化させたり、また良好な蒸着
が行なえず、高特性の磁性薄膜が得られない。このため
、合金中00含有量は50ppm以下、好ましくは20
ppm以下、S含有量は20ppm以下、好ましくは1
0ppm以下、N含有量は30ppm以下、好ましくは
10ppm以下とする。
なお、本発明において、Mn、P等の不純物が合金中に
不可避的に含有されるのは、特に問題とはならないが、
上述したことと同様の理由から、本発明において、合金
中の他の不純物はできるだけ少なくするのが良く、例え
ば、Mn含有量は0.005%以下、P含有量は50p
pm以下とするのが好ましい。
不可避的に含有されるのは、特に問題とはならないが、
上述したことと同様の理由から、本発明において、合金
中の他の不純物はできるだけ少なくするのが良く、例え
ば、Mn含有量は0.005%以下、P含有量は50p
pm以下とするのが好ましい。
このような本発明の蒸着用Fa−5t基合金は、例えば
、以下に説明する方法に従って製造することができる。
、以下に説明する方法に従って製造することができる。
即ち、まず、合、量化のためのFe% St、AfL及
び/又はTi等の金属又は合金材料を、内面がCaO質
耐火材で構成された容器中で、真空又はアルゴン等の不
活性ガス雰囲気等の非酸化性雰囲気にて、常法例えば高
周波あるいは低周波誘導加熱法等で加熱して溶解するこ
とにより、所望の組成の合金溶湯を得る。
び/又はTi等の金属又は合金材料を、内面がCaO質
耐火材で構成された容器中で、真空又はアルゴン等の不
活性ガス雰囲気等の非酸化性雰囲気にて、常法例えば高
周波あるいは低周波誘導加熱法等で加熱して溶解するこ
とにより、所望の組成の合金溶湯を得る。
本発明において、用いられる容器の内面を構成するCa
O質耐火材としては、カルシア(Cab)、ラルナイト
(安定化2CaO−S 102 ) 、メルウィナイト
(3CaO・Mg0・2 S 102 ) s アノル
サイト(CaO−AJ120g ・2SiO2)ならび
にcaoを富化したドロマイト等が挙げられるが、特に
、電融カルシアが好適である。
O質耐火材としては、カルシア(Cab)、ラルナイト
(安定化2CaO−S 102 ) 、メルウィナイト
(3CaO・Mg0・2 S 102 ) s アノル
サイト(CaO−AJ120g ・2SiO2)ならび
にcaoを富化したドロマイト等が挙げられるが、特に
、電融カルシアが好適である。
このようなカルシア質炉材は、そのCaO含有率が40
%以上、特に60%以上のものが好ましい。
%以上、特に60%以上のものが好ましい。
CaOは高融点であると共に、高温で極めて安定であり
、溶製にあたり、金属酸化物を生成して溶湯を不純物に
より汚染することがなく、高清浄な溶湯を得ることが可
能とされる。
、溶製にあたり、金属酸化物を生成して溶湯を不純物に
より汚染することがなく、高清浄な溶湯を得ることが可
能とされる。
特に、CaO含有量の高いCaO質耐火材で内面が構成
された容器を用いた場合には、脱0、脱S1脱介在物等
の精錬作用も奏され、極めて有利である。
された容器を用いた場合には、脱0、脱S1脱介在物等
の精錬作用も奏され、極めて有利である。
しかも、溶湯中にAi及び/又はTiが存在するため、
溶湯中の脱o1脱Sが行なわれ、これに伴って脱Nも起
こる。また、炉壁材のCaOとA1との反応により溶湯
中へのCaの溶出もおこる。即ち、Aiは溶湯中の0及
び炉壁のCaOと溶湯中のSと反応して Ca O+5−4Ca S + 0 となりて生じた0と反応して、 2Aj2+3O−Af20z となり、Af120sを生じる。また溶湯中のA℃は炉
壁のCaOと反応して 2Aj2+3CaO=A11.2off +3 Ca
(g)となり、これによってもAu2 Q、が生じる。
溶湯中の脱o1脱Sが行なわれ、これに伴って脱Nも起
こる。また、炉壁材のCaOとA1との反応により溶湯
中へのCaの溶出もおこる。即ち、Aiは溶湯中の0及
び炉壁のCaOと溶湯中のSと反応して Ca O+5−4Ca S + 0 となりて生じた0と反応して、 2Aj2+3O−Af20z となり、Af120sを生じる。また溶湯中のA℃は炉
壁のCaOと反応して 2Aj2+3CaO=A11.2off +3 Ca
(g)となり、これによってもAu2 Q、が生じる。
(この場合、生じたCaは殆ど溶解せずに、ガスとなっ
て系外に抜、けるが、一部が合金中に歿留して、本発明
の合金のCa含有量を満足させる。)Al2O3は次式
の如く炉壁のCaOと反応して、3CaO−Ai20a
又は12CaO・7AI1203の活性な層が炉壁表面
に形成される。
て系外に抜、けるが、一部が合金中に歿留して、本発明
の合金のCa含有量を満足させる。)Al2O3は次式
の如く炉壁のCaOと反応して、3CaO−Ai20a
又は12CaO・7AI1203の活性な層が炉壁表面
に形成される。
A12o3+3CaO→3Cao−AJ:L2o37A
i203+12CaO− 12CaO・フAλ203 この12Ca0 ・7Aj220s及び3CaO・Al
2203、’特に3Cao−A1203は溶湯の脱S能
が高く、脱Sが良好に進行する。
i203+12CaO− 12CaO・フAλ203 この12Ca0 ・7Aj220s及び3CaO・Al
2203、’特に3Cao−A1203は溶湯の脱S能
が高く、脱Sが良好に進行する。
このように、AJlにより脱Oが、またA℃の還元作用
により生じた活性な3CaO・Al1203.12Ca
O+ 7Aj220sやCaOにより脱Sが行なわれる
。
により生じた活性な3CaO・Al1203.12Ca
O+ 7Aj220sやCaOにより脱Sが行なわれる
。
また溶湯中のNは前述のAfLとCaOとの反応により
生じたCa等の蒸発(沸騰)等に伴って溶湯中から離脱
し、溶湯中のN量も低減される。
生じたCa等の蒸発(沸騰)等に伴って溶湯中から離脱
し、溶湯中のN量も低減される。
TiもAJ2と同様の作用により脱o1脱S。
脱Nを行なう。
従って、内面がCaO質耐火材で構成された容器中で溶
製を行なうことにより、本発明の低0、低S1低N含有
量のFe−5i基合金を容易に得ることができる。
製を行なうことにより、本発明の低0、低S1低N含有
量のFe−5i基合金を容易に得ることができる。
ところで、本発明においては、内面がCaO質耐火材で
構成された容器中にて溶製する際に、A℃及び/又はT
iを冷却固化後のAfl及び/又はTi残留量が本発明
の範囲、即ち1.l!0. 5%以下及び/又はTi0
.5%以下となるように添加するのであるが、溶製に用
いる容器の内面を、特に電融カルシアよりなるものとす
ることにより、Aρ及び/又はTiの添加により溶湯中
へのCaのコンタミを低減し、得られる合金中のCa含
有量を容易に本発明の範囲即ち10〜100pPrn以
下とすることができる。
構成された容器中にて溶製する際に、A℃及び/又はT
iを冷却固化後のAfl及び/又はTi残留量が本発明
の範囲、即ち1.l!0. 5%以下及び/又はTi0
.5%以下となるように添加するのであるが、溶製に用
いる容器の内面を、特に電融カルシアよりなるものとす
ることにより、Aρ及び/又はTiの添加により溶湯中
へのCaのコンタミを低減し、得られる合金中のCa含
有量を容易に本発明の範囲即ち10〜100pPrn以
下とすることができる。
このようにして得られた合金溶湯を、常法に従って非酸
化性雰囲気下で鋳造する。
化性雰囲気下で鋳造する。
このような方法によれば、Si2.5〜10%、AJ!
0.5%以下及び/又はTi0.5%以下、Ca1O〜
1100pp’、050ppm以下、S2Oppm以下
、NN30pp以下を含有し、残部が実質的にFeであ
る本発明の蒸着用Fe−3i基合金を極めて容易に製造
することができる。
0.5%以下及び/又はTi0.5%以下、Ca1O〜
1100pp’、050ppm以下、S2Oppm以下
、NN30pp以下を含有し、残部が実質的にFeであ
る本発明の蒸着用Fe−3i基合金を極めて容易に製造
することができる。
[作用]
本発明の蒸着用Fe−3i基合金は、0、S、N含有量
が少ないため、高特性の磁性薄膜を得ることができる。
が少ないため、高特性の磁性薄膜を得ることができる。
また、本発明の蒸着用Fe−3i基合金に含有されるA
1及び/又はTi、Caは、真空蒸着又はスパッタリン
グ等の蒸着7囲気中にて、4AjZ+302−*2AJ
22 os2AIl+N2→2AffiN 2 Ca + 02−+ 2 Ca 03Ca+N2−
*Cas N2 (Tiについても同様) のように反応して、7囲気中のガス成分を低下させる、
いわゆるゲッタ作用を奏する。
1及び/又はTi、Caは、真空蒸着又はスパッタリン
グ等の蒸着7囲気中にて、4AjZ+302−*2AJ
22 os2AIl+N2→2AffiN 2 Ca + 02−+ 2 Ca 03Ca+N2−
*Cas N2 (Tiについても同様) のように反応して、7囲気中のガス成分を低下させる、
いわゆるゲッタ作用を奏する。
このため、蒸着時の薄膜形成安定性及び形成速度を向上
させると共に、得られる薄膜は高純度で磁気特性が大幅
に改善され、高特性薄膜を高生産効率で製造することを
可能とする。
させると共に、得られる薄膜は高純度で磁気特性が大幅
に改善され、高特性薄膜を高生産効率で製造することを
可能とする。
[実施例コ
以下、実施例について説明する。
実施例1.2、比較例l
CaO買炉にて溶解、鋳造を行なって、第1表に示す組
成の’F e −S i基合金を得た。
成の’F e −S i基合金を得た。
第1表に示す組成の各Fe−5i基合金を蒸着用材料と
して用い、下記仕様のスパッタリング装置にて、直径1
0cmのガラス基盤上に薄膜を形成した。なお、基盤加
熱温度は150℃とした。
して用い、下記仕様のスパッタリング装置にて、直径1
0cmのガラス基盤上に薄膜を形成した。なお、基盤加
熱温度は150℃とした。
スパッタリング装置仕様
マグネトロンタイプ高周波スパッタリング装置最大比カ
ニ1kw 到達真空度: 10−7torr タ一ゲツト寸法: 100mm(φ)x3mm(t)ア
ルゴンガス圧、スパッタ時間を変えて、各蒸着用材料に
より形成された薄膜の膜厚を調べた結果を、それぞれ第
2表、第3表に示す。
ニ1kw 到達真空度: 10−7torr タ一ゲツト寸法: 100mm(φ)x3mm(t)ア
ルゴンガス圧、スパッタ時間を変えて、各蒸着用材料に
より形成された薄膜の膜厚を調べた結果を、それぞれ第
2表、第3表に示す。
第 3 表
第2表、第3表より、本発明の蒸着用Fe−5i基合金
は、剥離もなく、また膜成形効率が高いことのみならず
、形成時の安定性が向上し、ばらつきが少ないことが判
明した。
は、剥離もなく、また膜成形効率が高いことのみならず
、形成時の安定性が向上し、ばらつきが少ないことが判
明した。
また、前述のスパッタリング装置及び基盤を用い、第1
表の各蒸着用合金にて、Ar圧又は基盤加熱温度を変え
て、それぞれ3μm厚さの薄膜を形成して高透磁率薄膜
を作製した。なお、スバ・ツタ電圧は300Wで行なっ
た。
表の各蒸着用合金にて、Ar圧又は基盤加熱温度を変え
て、それぞれ3μm厚さの薄膜を形成して高透磁率薄膜
を作製した。なお、スバ・ツタ電圧は300Wで行なっ
た。
得られた高透磁率材料薄膜の保磁力Hc(Oe)を調べ
、基盤加熱温度との関係を第4表に示す。
、基盤加熱温度との関係を第4表に示す。
第 4 表
第4表より、本発明の蒸着用Fe−5t基合金によれば
、極めて保磁率の低い高透磁率な磁性材料が得られるこ
とが認められる。また、基盤加熱等の工程も省略するこ
とができ、工業上極めて有利となる。
、極めて保磁率の低い高透磁率な磁性材料が得られるこ
とが認められる。また、基盤加熱等の工程も省略するこ
とができ、工業上極めて有利となる。
次に、第1表の各合金材料より基盤加熱温度200℃、
Ar圧1xlO−2torrにて得られた磁気記録材料
について、その磁気特性を調べた結果を第5表に示す。
Ar圧1xlO−2torrにて得られた磁気記録材料
について、その磁気特性を調べた結果を第5表に示す。
第 5 表
第5表より、本発明の蒸着用Fe−3t基合金により得
られる磁気ヘッド材料はヒステリシス特性に優れ、極め
て高特性のものであることが認められる。
られる磁気ヘッド材料はヒステリシス特性に優れ、極め
て高特性のものであることが認められる。
[発明の効果]
以上詳述した通り、本発明の蒸着用Fe−3t基合金は
、0、S、N含有量が少ない上に、Aj2及び/又はT
iとCaによるゲッタ作用により、蒸着雰囲気中のガス
成分が大幅に低減される。
、0、S、N含有量が少ない上に、Aj2及び/又はT
iとCaによるゲッタ作用により、蒸着雰囲気中のガス
成分が大幅に低減される。
このため、蒸着による膜形成安定性及び膜形成速度が向
上されるとともに、得られる薄膜は高純度で極めて磁気
特性に優れたものとなる。
上されるとともに、得られる薄膜は高純度で極めて磁気
特性に優れたものとなる。
従って、本発明の蒸着用Fe−5i基合金によれば、高
特性薄膜を高効率で得ることかでき、木発明の蒸着用F
e−5t基合金は、光磁気記録材料の薄膜製造用蒸着材
料として極めて有用である。
特性薄膜を高効率で得ることかでき、木発明の蒸着用F
e−5t基合金は、光磁気記録材料の薄膜製造用蒸着材
料として極めて有用である。
Claims (1)
- (1)Si2.5〜10重量%、Al0.5重量%以下
及び/又はTi0.5重量%以下、Ca10〜100p
pm以下、O50ppm以下、S20ppm以下、N3
0ppm以下を含有し、残部が実質的にFeであること
を特徴とする蒸着用Fe−Si基合金。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62039530A JPS63206466A (ja) | 1987-02-23 | 1987-02-23 | 蒸着用Fe−Si基合金 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62039530A JPS63206466A (ja) | 1987-02-23 | 1987-02-23 | 蒸着用Fe−Si基合金 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63206466A true JPS63206466A (ja) | 1988-08-25 |
JPH0475308B2 JPH0475308B2 (ja) | 1992-11-30 |
Family
ID=12555599
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62039530A Granted JPS63206466A (ja) | 1987-02-23 | 1987-02-23 | 蒸着用Fe−Si基合金 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63206466A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02301531A (ja) * | 1989-05-15 | 1990-12-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 水素吸蔵合金の製造方法 |
WO2002079093A1 (fr) * | 2001-03-30 | 2002-10-10 | Hatsuichi Matsumoto | Minerai artificiel et materiau de revetement ou bloc refractaire contenant le minerai artificiel |
CN108172358A (zh) * | 2017-12-19 | 2018-06-15 | 浙江大学 | 一种低功耗金属软磁复合材料及其制备方法 |
-
1987
- 1987-02-23 JP JP62039530A patent/JPS63206466A/ja active Granted
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02301531A (ja) * | 1989-05-15 | 1990-12-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 水素吸蔵合金の製造方法 |
WO2002079093A1 (fr) * | 2001-03-30 | 2002-10-10 | Hatsuichi Matsumoto | Minerai artificiel et materiau de revetement ou bloc refractaire contenant le minerai artificiel |
US7112548B2 (en) | 2001-03-30 | 2006-09-26 | Hatsuichi Matsumoto | Artificial ore and coating material or refractory block containing the artificial ore |
CN108172358A (zh) * | 2017-12-19 | 2018-06-15 | 浙江大学 | 一种低功耗金属软磁复合材料及其制备方法 |
CN108172358B (zh) * | 2017-12-19 | 2019-06-04 | 浙江大学 | 一种低功耗金属软磁复合材料及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0475308B2 (ja) | 1992-11-30 |
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