JPH05140703A - 磁束密度の大きなトランス鉄心用非晶質合金薄帯 - Google Patents
磁束密度の大きなトランス鉄心用非晶質合金薄帯Info
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Abstract
合金において、非晶質形成能、軟磁気特性を改善したF
e−Si−B−C合金を提供する。 【構成】 組成が(Fea Sib Bc Cd)100-x Sn
x である片面冷却法で作製される高磁束密度、低損失の
非晶質合金。ただしa:0.80〜0.86、b:0.
01〜0.12、c:0.06〜0.16(以上原子比
でa+b+c+d=1)であり、xは0.05〜1.0
原子%とする。 【効果】 本発明のSnを含有するFe−Si−B−C
非晶質合金は、飽和磁束密度が高く、鉄損が低い。また
非晶質形成能が高いので厚肉化が可能である。よって電
力トランスなどの鉄心に用いるとき鉄心の小型化、低損
失が実現できる。
Description
主たる用途とし、可飽和リアクトル、高周波トランス、
平滑チョークなどの鉄心や磁気センサなど、高飽和磁束
密度でかつ低損失特性を要求される用途に適した非晶質
磁性合金薄帯に関するものである。
金は、鉄損がきわめて小さいという特徴により、電力ト
ランスや高周波トランスの鉄心材料として有望視されて
きた。しかし、本格的な実用化にはまだ至っていない。
その要因として、飽和磁束密度がけい素鋼板に比べてか
なり低いこと、合金元素として高価なB(ボロン)を必
須とすることがあげられる。今日、電力トランス用とし
て開発され、実用化されている非晶質合金は、Feを約
78原子%、Bを10原子%以上含有するFe−Si−
B合金である。この合金は、飽和磁束密度よりも非晶質
形成能、熱的安定性を重視しているため飽和磁束密度が
やや低い(室温のBs <1.6T)という欠点がある。
を低く設計しなければならないため鉄心の体積あるいは
重量が大きくなるからである。Fe−Si−B非晶質合
金において室温の飽和磁束密度は、Fe82〜83原子
%のとき最大となり、その値は約1.68Tであること
が知られている。したがって、飽和磁束密度を高めるた
めには合金のFe含有量を現状より増加する方策が考え
られる。
形成能が急激に低下するため、冷却速度のおそい幅広材
料や厚肉材料の場合、結晶相を含まない非晶質単相の薄
帯を安定に形成することが困難になった。このため鋳造
条件のわずかな変動によって結晶相が形成しやすくな
り、結果として鉄損や透磁率などの軟磁気特性の劣化お
よびバラツキが大きくなった。すなわち、実用サイズの
Fe−Si−B非晶質合金においては、軟磁気特性を劣
化させずに飽和磁束密度を大幅に向上させることはでき
なかった。
現状にかんがみ、本発明は、薄帯形成時に冷却速度がお
そい幅広材料および厚肉材料において、鉄損および励磁
特性の劣化がない高飽和磁束密度を有するFe基非晶質
合金を安定して提供することを目的とする。
とするところは下記のとおりである。すなわち、 (1)組成が(Fea Sib Bc Cd )100-x Snx で
あることを特徴とする、片面冷却法で作製された、高飽
和磁束密度、かつ低損失のトランス鉄心用非晶質磁性合
金薄帯。
り、それぞれ原子%として、 a=0.80〜0.86 b=0.01〜0.12 c=0.06〜0.16 d=0.001〜0.04 かつa+b+c+d=1で、 x=0.05〜1.0である。 また好ましくは、 (2) a=0.82〜0.85 b=0.01〜0.09 c=0.07〜0.10未満 d=0.001〜0.04 かつa+b+c+d=1で、 x=0.05〜1.0(原子%)である上記(1)の片
面冷却法で作製された、非晶質磁性合金薄帯である。
−Si−B−C合金に、微量のSnを含有させることに
より、非晶質形成能および鉄損特性、励磁特性をすぐれ
た値に安定的に保持したまま高い飽和磁束密度を実現し
たトランス鉄心用非晶質合金薄帯を得るものである。
5mm、板厚35μmのFe−Si−B−C非晶質合金薄
帯において、アニール後の磁気特性に対するSn添加の
効果を示している。図から明らかなように、Snを添加
したものは同一アニール温度において磁気特性がすぐれ
ているだけではなく、特性のバラツキが小さい。また、
よい磁気特性を示すアニール温度の範囲が広い。Snの
この効果は、以下にのべるようにSnの表面結晶化抑制
作用によるものであると考えられる。図2は、図1のF
e−Si−B−C非晶質合金について測定したX線回折
パターンを示している。Snを含まない磁気特性の劣る
薄帯は(b)のように自由面(ロールに接触しない面)
に鋭く高い結晶化ピークを示すのに対し、磁気特性のす
ぐれたSn含有の薄帯は(a)のようにほとんどハロー
パターンのままである。一方、薄帯のロール面はSnの
有無による差が明確ではなかった。この結果からSnの
磁気特性改善は、Snが薄帯自由面の結晶化を抑制する
効果に起因すると考えられる。Snの添加はFe−Si
−B−C合金に対してとくに効果的である。
理由は、溶湯の湯ながれの改善、およびCuなどの冷却
基板とのぬれ性の改善のためであった。ぬれ性の向上は
実質的に冷却能を高め、高いFe含有量合金の非晶質化
を容易にする。一方、Cは非晶質薄帯の表面層の結晶化
を促進することがすでに明らかにされている。Cによる
表面層の結晶化は周知のAlほどの有害さはないが、F
eの含有量が82原子%以上に増加すると無視できなく
なる。本発明者らは、みずから見出したSnの表面結晶
化抑制作用をFe−Si−B−C合金に適用することに
より、高飽和磁束密度でかつ低鉄損、高透磁率を保持す
る非晶質合金の発明に到達したものである。
する理由を述べる。Snは、すでに述べたとおり薄帯表
面の結晶化を抑制するための必須成分である。この結晶
化抑制作用は、0.05原子%未満では発現せず、ま
た、I原子%を超えると飽和磁束密度の低下をもたら
し、薄帯の形成性(非晶質形成ではない)を損なうの
で、Snの範囲は0.05〜1.0原子%に限定した。
おけるa,b,c,dを限定する理由を述べる。aは、
1.63T(テスラ)以上の高い飽和磁束密度が得られ
ることを条件に0.80〜0.86、好ましくは0.8
2〜0.85とした。aが前記の範囲の下限をはずれる
とき、1.63T以上の飽和磁束密度を達成することが
困難となり、一方、上限を超えると非晶質の形成が困難
になり磁気特性のバラツキが大きくなるからである。
を向上させるため加える。本発明においては、bは0.
01〜0.12、好ましくは0.01〜0.09、cは
0.06〜0.16、好ましくは0.07〜0.10未
満である。bが1未満、あるいはcが6未満では、非晶
質相が安定に形成されず、一方、bが0.12、cが
0.16を超えても原料コストが高くなるだけで非晶質
形成能、熱的安定性の向上が認められない。よってbは
0.01〜0.12、cは0.06〜0.16の範囲に
限定した。
上に必要な元素である。Cを含有させることにより冷却
基板材質としてよく用いられるCuなどとのぬれ性が向
上して性状のよい薄帯を形成することができる。このC
の効果はFe含有量の高い組成でより顕著である。しか
しdが0.001未満であると冷却基板とぬれ性の改善
効果がなく、一方0.04を超えると熱的安定性が低下
するとともに薄帯表面層が結晶化しやすくなる。よって
dの範囲は、0.001〜0.04に規定した。
束密度、低損失性を損なわない範囲であれば次にあげる
元素を加えてもよい。それは、V,Mn,Mo,Nb,
Ta,W,Cr,Hfの1種ないし2種以上を合計で2
原子%以下である。これらの元素の添加は、非晶質形成
能、耐食性、熱的安定性、軟磁気特性の向上に有効であ
る。さらに、Feの20原子%、をCoで、あるいは/
およびFeの10原子%以下をNiで置換することもで
きる。Coは飽和磁束密度を高めるために有効であり、
Niは軟磁気特性の改善に効果を示す。
晶質薄帯自由面の結晶化を抑制するメスニズムは、現時
点では明らかではない。しかし、グロー放電発光分光法
を用いてSnを含む本発明の合金薄帯の表面を分析する
と、図3(b)に示すように、自由面にSnの著しい濃
度偏析とともにFe,Si,Bなど非晶質形成に不可欠
な元素も分布状態を変えている様子が認められる。これ
をSnを含まない図3(a)と比較するとその差は顕著
である。要するにSnが不安定な薄帯の表面層を保護し
て結晶化から守り、安定化しているものと考えられる。
Snのこの効果は、本発明のCを含むFe−Si−B合
金においてとくに顕著である。Cは先に述べたように、
基板材料とのぬれ性の改善を通して得られる非晶質薄帯
の形状、非晶質性、機械的性質を向上させる効果を示
す。一方、Cが過量に含有すると熱的安定性を損ない、
アニールによって薄帯表面層が結晶化しやすくなる欠点
をもつ。欠点と利点を合わせもつC含有Fe−Si−B
合金において、とくにその欠点を抑制するSnの効果は
一層顕著になるのである。
帯表面層の結晶化抑制作用という発明者自らが見出した
知見をもとに、これを従来不安定とされていたCを含む
高Fe非晶質合金に応用することにより、これを安定化
することに成功し、発明を完成させたものである。
まず、Fe,Si,B,C,Snが上述した所定の組成
範囲となるように配合した原料あるいは母合金を溶解
し、通常の単ロール急冷法など片面冷却法を用いて非晶
質の急冷薄帯とする。このとき使用するノズルは単一の
スリットノズル、あるいは多重スリットノズルを用いる
ことができる。ここで単一ノズルは、基板の移動方向に
測った幅が0.2〜1.0mmの細長いスリット状開口部
を一つもつノズルで、薄帯の板厚が主に40μm以下の
とき用いる。また、多重スリットノズルは複数のスリッ
ト状開口部を基板の移動方向に所定の間隔に配列したノ
ズルで、45μm以上の厚肉材料の製造に用いられる。
なお、鋳造する雰囲気は大気中、不活性ガス中、真空中
のいずれかでもよい。
は、飽和磁束密度が高く(少なくとも、室温で1.63
T以上)、また板幅20mm以上かつ板厚40μm以上の
厚肉材料においても、自由面には結晶相の生成が認めら
れず、その結果、鉄損値およびそのバラツキがともに小
さいことが特徴である。もちろん、板厚40μm以下の
通常板厚においても、鉄損のバラツキは大幅に減少して
いる。
母合金500gを高周波溶解した。溶解した母合金はス
リット状の開口部をもつノズルを通して、周速24mで
回転するCu製ロールの外周面で急冷され薄帯に形成さ
れた。ここで、用いたノズルは単一スリットである。得
られた薄帯の幅はいずれも25mm、板厚は表1の通りで
あった。
X線回折法により解析した。磁気特性は3箇所から採取
した試料について単板測定器により測定した。項目は5
0Hz、1.3T(テスラ)、1.5Tにおける鉄損W
13/50、W15/50と1Oe(エルステッド)における磁束
密度B1 である。なお測定試料は、サイズが25×12
0mmで、磁界中アニールしている。アニール条件は、保
持温度が260〜380℃、保持時間が10〜60分の
範囲で行った結果に基づき、合金組成に応じて最もよい
特性を表に示している。飽和磁束密度の測定にはVSM
(振動型磁力計)を用いた。
まとめて示した。ただし、鉄損以外は平均値のみを記し
ている。
i−B−Cの非晶質合金は、飽和磁束密度が高いだけで
なく、組成および板厚が同じ場合には比較材に比べて鉄
損が低く、透磁率が高いこと、さらに鉄損、透磁率のバ
ラツキの小さいことが明らかである。
薄帯に形成した。製造に多重スリット法(ダブルスリッ
ト法およびトリプルスリット法、ただしスリット幅0.
4mm、スリット間隔1mm)を用い、ロール周速を18m
/sとした以外は実施例1と同様である。
よび4にまとめて示した。試料の測定条件も実施例1に
準じている。諸特性の測定結果を比較例とともに表2に
まとめて示した。
i−B−C非晶質合金は、板厚は40μm以上に厚くて
も非晶質薄帯に形成できた。一方、Snを添加しない比
較例の合金はFe≧83原子%のとき板厚40μm以上
の薄帯を形成できなかった。また、Fe≦82原子%に
おいても、Snを含む本発明の合金は、同じFe含有量
の比較例に比べて透磁率が高く、鉄損は低い値を示し
た。鉄損に対する本発明合金の優位性は測定磁束密度の
高いW15/50においてより顕著に現れた。
−C非晶質合金薄帯は、高い飽和磁束密度を有するとと
もに幅広材料、厚肉材料においても低鉄損、高透磁率の
すぐれた軟磁気特性を保持する。また、これら軟磁気特
性のロット間、ロット内のバラツキが小さく、アニール
条件の自由度が広い。したがって本発明の非晶質合金
は、電力トランスや可飽和リアクトルの鉄心に用いると
き、鉄心の小型化、低損失化、さらに性能の安定化に寄
与するところが大である。
おけるSn添加の効果を示す図。
Sn添加有無による320℃アニール後のX線回折パタ
ーンを示す図。
た、主要元素の薄帯自由面の深さ方向プロファイルを示
す図であって(a)はSn非含有、(b)はSn含有し
た非晶質薄帯である。
Claims (2)
- 【請求項1】 組成が(Fea Sib Bc Cd )100-x
Snx であることを特徴とする片面冷却法で作製され
た、磁束密度の大きなトランス鉄心用非晶質合金薄帯。
ただしa,b,c,dは原子数の比であり、それぞれ原
子%で、 a=0.80〜0.86 b=0.01〜0.12 c=0.06〜0.16 d=0.001〜0.04 かつa+b+c+d=1であり、 x=0.05〜1.0である。 - 【請求項2】 請求項1において組成が原子%で、 a=0.82〜0.85 b=0.01〜0.09 c=0.07〜0.10未満 d=0.001〜0.04 かつa+b+c+d=1で x=0.05〜1.0 であることを特徴とする片面冷却法で作製された、請求
項1記載の磁束密度の大きなトランス鉄心用非晶質磁性
合金薄帯。
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