JP2000064033A - スパッタリングターゲット - Google Patents
スパッタリングターゲットInfo
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- JP2000064033A JP2000064033A JP10233160A JP23316098A JP2000064033A JP 2000064033 A JP2000064033 A JP 2000064033A JP 10233160 A JP10233160 A JP 10233160A JP 23316098 A JP23316098 A JP 23316098A JP 2000064033 A JP2000064033 A JP 2000064033A
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- JP
- Japan
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- alloy
- sputtering target
- moal
- target
- wal
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ヒロックやボイドの対策として高融点金属に
着目し、問題発生の少ないＭｏ−ＡｌおよびＷ−Ａｌ合
金スパッタリングターゲットの新しい素材を開発し提供
することにある。 【解決手段】 アルミニウム（Ａｌ）に３〜１０質量％
のＭｏ又はＷを添加したＭｏ−Ａｌ合金又はＷ−Ａｌ合
金からなるスパッタリングターゲットにおいて、酸素含
有量１００ｐｐｍ以下であり、前記Ｍｏ−Ａｌ合金は、
ＭｏとＡｌとの金属間化合物であるＭｏＡｌ12，ＭｏＡ
ｌ5 ，ＭｏＡｌ4 ，Ｍｏ3 Ａｌ8 ，ＭｏＡｌ，及びＭｏ
3 Ａｌの内から少なくとも一種の化合物を有し、前記Ｗ
−Ａｌ合金は、ＷとＡｌとの金属間化合物であるＷＡｌ
12，ＷＡｌ5 ，及びＷＡｌ4 の内から少なくとも一種の
化合物を有し、質量密度比９８％以上で金属間化合物が
均一に分散している。
着目し、問題発生の少ないＭｏ−ＡｌおよびＷ−Ａｌ合
金スパッタリングターゲットの新しい素材を開発し提供
することにある。 【解決手段】 アルミニウム（Ａｌ）に３〜１０質量％
のＭｏ又はＷを添加したＭｏ−Ａｌ合金又はＷ−Ａｌ合
金からなるスパッタリングターゲットにおいて、酸素含
有量１００ｐｐｍ以下であり、前記Ｍｏ−Ａｌ合金は、
ＭｏとＡｌとの金属間化合物であるＭｏＡｌ12，ＭｏＡ
ｌ5 ，ＭｏＡｌ4 ，Ｍｏ3 Ａｌ8 ，ＭｏＡｌ，及びＭｏ
3 Ａｌの内から少なくとも一種の化合物を有し、前記Ｗ
−Ａｌ合金は、ＷとＡｌとの金属間化合物であるＷＡｌ
12，ＷＡｌ5 ，及びＷＡｌ4 の内から少なくとも一種の
化合物を有し、質量密度比９８％以上で金属間化合物が
均一に分散している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイス及
び液晶表示デバイスの配線材料として、ＡｌにＭｏある
いＷを３〜１０質量％添加したＭｏ−Ａｌ合金およびＷ
−Ａｌ合金のスパッタリングターゲットに関するもので
ある。
び液晶表示デバイスの配線材料として、ＡｌにＭｏある
いＷを３〜１０質量％添加したＭｏ−Ａｌ合金およびＷ
−Ａｌ合金のスパッタリングターゲットに関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体デバイス及び液晶表示デバ
イスの配線材料には、主にＡｌ合金が用いられている。
イスの配線材料には、主にＡｌ合金が用いられている。
【０００３】しかし、配線内の電流密度の増加（配線温
度の上昇）により配線寿命の劣化が生じる問題やＡｌ配
線内には、常に応力が存在し、電流が流れなくても４０
０Ｋ程度の温度で長時間保持するだけでＡｌ結晶粒界を
通じた拡散によりボイドまたはヒロックが生じる問題が
指摘されている。この不良対策としてはＣｕを始めＴ
ｉ，Ｍｇ，Ｓｎ，及びＰｄ等の金属添加が提案されてい
る。
度の上昇）により配線寿命の劣化が生じる問題やＡｌ配
線内には、常に応力が存在し、電流が流れなくても４０
０Ｋ程度の温度で長時間保持するだけでＡｌ結晶粒界を
通じた拡散によりボイドまたはヒロックが生じる問題が
指摘されている。この不良対策としてはＣｕを始めＴ
ｉ，Ｍｇ，Ｓｎ，及びＰｄ等の金属添加が提案されてい
る。
【０００４】この中で、Ｃｕ配線の実用化にはエッチン
グ困難でＣｕが酸化しやすく、さらに酸化膜への拡散係
数が大きいためバリアメタルが必要となる等課題が多
く、その他の添加金属についても上述した不良対策とし
て問題解決までには達していないことが現状である。
グ困難でＣｕが酸化しやすく、さらに酸化膜への拡散係
数が大きいためバリアメタルが必要となる等課題が多
く、その他の添加金属についても上述した不良対策とし
て問題解決までには達していないことが現状である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】したがって、高集積化
や液晶表示デバイスの大型化に伴う配線幅は細線化にな
る傾向にあり、スパッタリングにおいて薄膜形成の際に
生じるヒロック発生が少なく、かつバリアメタルを必要
としない配線材料が要求されている。
や液晶表示デバイスの大型化に伴う配線幅は細線化にな
る傾向にあり、スパッタリングにおいて薄膜形成の際に
生じるヒロック発生が少なく、かつバリアメタルを必要
としない配線材料が要求されている。
【０００６】そこで、本発明の一般の技術的課題は、上
記した現象の要因で起こるヒロックやボイドの対策とし
て高融点金属に着目し、問題発生の少ないＭｏ−Ａｌお
よびＷ−Ａｌ合金スパッタリングターゲットの新しい素
材を開発し提供することにある。
記した現象の要因で起こるヒロックやボイドの対策とし
て高融点金属に着目し、問題発生の少ないＭｏ−Ａｌお
よびＷ−Ａｌ合金スパッタリングターゲットの新しい素
材を開発し提供することにある。
【０００７】また、本発明の特別の技術的課題は、バリ
アメタルを必要としない配線材料として、熱処理で粒界
に均一に凝集しやすく、一旦粒界に凝集したらそこに固
定されてエレクトロマイグレーションによる電子流によ
っても容易に拡散しない特性を持ち、エッチングによる
パターンの加工性に優れ、ボイドまたはヒロックといっ
た配線不良が発生しない配線材料が得られるスパッタリ
ングターゲットとその製造方法とを提供することにあ
る。
アメタルを必要としない配線材料として、熱処理で粒界
に均一に凝集しやすく、一旦粒界に凝集したらそこに固
定されてエレクトロマイグレーションによる電子流によ
っても容易に拡散しない特性を持ち、エッチングによる
パターンの加工性に優れ、ボイドまたはヒロックといっ
た配線不良が発生しない配線材料が得られるスパッタリ
ングターゲットとその製造方法とを提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者は、バリアメタ
ルを必要としない配線材料として、熱処理で粒界に均一
に凝集しやすく、一旦粒界に凝集したらそこに固定され
てエレクトロマイグレーションによる電子流によっても
容易に拡散しない特性を持つＭｏやＷをＡｌに添加する
ことが有効であるとの知見を得た。そこで、バリアメタ
ルを必要としない配線材料として、Ｍｏ又はＷをどの程
度範囲に添加すれば良いか検討した結果、まず配線の電
気抵抗値は１０μΩｃｍ程度であれば良いという知見を
得た。
ルを必要としない配線材料として、熱処理で粒界に均一
に凝集しやすく、一旦粒界に凝集したらそこに固定され
てエレクトロマイグレーションによる電子流によっても
容易に拡散しない特性を持つＭｏやＷをＡｌに添加する
ことが有効であるとの知見を得た。そこで、バリアメタ
ルを必要としない配線材料として、Ｍｏ又はＷをどの程
度範囲に添加すれば良いか検討した結果、まず配線の電
気抵抗値は１０μΩｃｍ程度であれば良いという知見を
得た。
【０００９】また、電気抵抗値１０μΩｃｍ程度にする
にはＭｏまたはＷを３〜１０質量％以下添加すればよい
ことがわかった。
にはＭｏまたはＷを３〜１０質量％以下添加すればよい
ことがわかった。
【００１０】高融点金属であるＭｏあるいはＷは、Ａｌ
との金属間化合物を生成しやすく、硬くて脆い性質があ
るが熱に対して安定である。微細なＡｌ配線内にＭｏま
たはＷとＡｌとの金属間化合物が生成、分散することに
よってＡｌのエレクトロマイグレーションに対するバリ
ア役割を果たすことができれば、ボイドまたはヒロック
といった配線の不良対策として期待がよせられる。
との金属間化合物を生成しやすく、硬くて脆い性質があ
るが熱に対して安定である。微細なＡｌ配線内にＭｏま
たはＷとＡｌとの金属間化合物が生成、分散することに
よってＡｌのエレクトロマイグレーションに対するバリ
ア役割を果たすことができれば、ボイドまたはヒロック
といった配線の不良対策として期待がよせられる。
【００１１】また、エッチングによるパターンの加工性
に優れていることの知見を得た。
に優れていることの知見を得た。
【００１２】これらの知見に基づいて、本発明者は、Ｍ
ｏまたはＷを添加金属としたＭｏ−Ａｌあるいは、Ｗ−
Ａｌ合金スパッタリングターゲットを用い、薄膜形成の
際のボイドやヒロックの発生が少なく、エッチングによ
るパターンの加工性に優れ、さらにターゲット中の酸素
含有量が１００ｐｐｍ以下であるＭｏ−ＡｌおよびＷ−
Ａｌ合金パッタリングターゲットを見出だし、本発明を
為すに至ったものである。
ｏまたはＷを添加金属としたＭｏ−Ａｌあるいは、Ｗ−
Ａｌ合金スパッタリングターゲットを用い、薄膜形成の
際のボイドやヒロックの発生が少なく、エッチングによ
るパターンの加工性に優れ、さらにターゲット中の酸素
含有量が１００ｐｐｍ以下であるＭｏ−ＡｌおよびＷ−
Ａｌ合金パッタリングターゲットを見出だし、本発明を
為すに至ったものである。
【００１３】即ち、本発明によれば、アルミニウム（Ａ
ｌ）に３〜１０質量％のＭｏ又はＷを添加したＭｏ−Ａ
ｌ合金又はＷ−Ａｌ合金からなるスパッタリングターゲ
ットにおいて、酸素含有量１００ｐｐｍ以下であり、前
記Ｍｏ−Ａｌ合金は、ＭｏとＡｌとの金属間化合物であ
るＭｏＡｌ12，ＭｏＡｌ5 ，ＭｏＡｌ4 ，Ｍｏ3 Ａ
ｌ8 ，ＭｏＡｌ，及びＭｏ3 Ａｌの内から少なくとも一
種の化合物を有し、前記Ｗ−Ａｌ合金は、ＷとＡｌとの
金属間化合物であるＷＡｌ12，ＷＡｌ5 ，及びＷＡｌ4
の内から少なくとも一種の化合物を有し、質量密度比９
８％以上で金属間化合物が均一に分散していることを特
徴とするスパッタリングターゲットが得られる。
ｌ）に３〜１０質量％のＭｏ又はＷを添加したＭｏ−Ａ
ｌ合金又はＷ−Ａｌ合金からなるスパッタリングターゲ
ットにおいて、酸素含有量１００ｐｐｍ以下であり、前
記Ｍｏ−Ａｌ合金は、ＭｏとＡｌとの金属間化合物であ
るＭｏＡｌ12，ＭｏＡｌ5 ，ＭｏＡｌ4 ，Ｍｏ3 Ａ
ｌ8 ，ＭｏＡｌ，及びＭｏ3 Ａｌの内から少なくとも一
種の化合物を有し、前記Ｗ−Ａｌ合金は、ＷとＡｌとの
金属間化合物であるＷＡｌ12，ＷＡｌ5 ，及びＷＡｌ4
の内から少なくとも一種の化合物を有し、質量密度比９
８％以上で金属間化合物が均一に分散していることを特
徴とするスパッタリングターゲットが得られる。
【００１４】また、本発明によれば、前記ターゲットに
おいて、半導体デバイス及び液晶表示デバイス用の配線
材料に用いられることを特徴とするスパッタリングター
ゲットが得られる。
おいて、半導体デバイス及び液晶表示デバイス用の配線
材料に用いられることを特徴とするスパッタリングター
ゲットが得られる。
【００１５】さらに、本発明によれば、前記ターゲット
を製造する方法において、Ｍｏ粉末又はＷ粉末とアルミ
ニウムとを用いて、減圧プラズマ溶射法により、Ｍｏ−
Ａｌ合金ターゲット又はＷ−Ａｌ合金ターゲットを得る
スパッタリングターゲットの製造方法が得られる。
を製造する方法において、Ｍｏ粉末又はＷ粉末とアルミ
ニウムとを用いて、減圧プラズマ溶射法により、Ｍｏ−
Ａｌ合金ターゲット又はＷ−Ａｌ合金ターゲットを得る
スパッタリングターゲットの製造方法が得られる。
【００１６】
【発明の実施の形態】まず、本発明の内容を更に具体的
に説明する。
に説明する。
【００１７】本発明の製造方法の減圧プラズマ溶射法
は、高純度アルゴンガスで雰囲気置換後２０〜５０Ｔｏ
ｒｒ圧力下で、原料粉末キャリアガスとしては主にアル
ゴン、補助ガスとして、水素、室素等を用いて溶射を行
う。その特徴は、低圧下で溶射を行うため気孔率が少な
く非常に緻密な被膜が得られること、大気の影響を極め
て小さくするこによって無酸化、清浄な被膜が得られる
こと、また被膜の圧着力が大きいため１０ｍｍ以上の被
膜形成が可能であることの等が挙げられる。
は、高純度アルゴンガスで雰囲気置換後２０〜５０Ｔｏ
ｒｒ圧力下で、原料粉末キャリアガスとしては主にアル
ゴン、補助ガスとして、水素、室素等を用いて溶射を行
う。その特徴は、低圧下で溶射を行うため気孔率が少な
く非常に緻密な被膜が得られること、大気の影響を極め
て小さくするこによって無酸化、清浄な被膜が得られる
こと、また被膜の圧着力が大きいため１０ｍｍ以上の被
膜形成が可能であることの等が挙げられる。
【００１８】これらの利点を持つ減圧プラズマ溶射法を
利用して、Ｍｏ−Ａｌ合金及びＷ−Ａｌ合金スパッタタ
ーゲットを製造することにおいて、原料粉末の粒径、粒
度分布、形状、清浄度、及び供給速度の各条件を見極め
ることができれば、Ｍｏ−ＡｌおよびＷ−Ａｌ合金スパ
ッタリングターゲットの製造が可能となる。
利用して、Ｍｏ−Ａｌ合金及びＷ−Ａｌ合金スパッタタ
ーゲットを製造することにおいて、原料粉末の粒径、粒
度分布、形状、清浄度、及び供給速度の各条件を見極め
ることができれば、Ｍｏ−ＡｌおよびＷ−Ａｌ合金スパ
ッタリングターゲットの製造が可能となる。
【００１９】特に、原料粉末には酸素吸着を常に防ぐ必
要があり、取扱いの際にはその対策が必要となる。その
他に電子デバイス等に悪影響を及ぼす放射性元素、アル
カリ金属等の不純物含有量を極力低減にしたものが好ま
しい。
要があり、取扱いの際にはその対策が必要となる。その
他に電子デバイス等に悪影響を及ぼす放射性元素、アル
カリ金属等の不純物含有量を極力低減にしたものが好ま
しい。
【００２０】本発明のＡｌ合金スパッタリングターゲッ
トの製造に用いるＡｌは、９９．９９％以上、またＭｏ
あるいはＷは、水素雰囲気で還元した９９．９％以上の
ものを用いて、上記に述べた減圧プラズマ溶射法でＭｏ
−Ａｌ合金およびＷ−Ａｌ合金スパッタリングターゲッ
トを製造すると、酸素含有量は１００ｐｐｍ以下に抑え
ることが可能である。
トの製造に用いるＡｌは、９９．９９％以上、またＭｏ
あるいはＷは、水素雰囲気で還元した９９．９％以上の
ものを用いて、上記に述べた減圧プラズマ溶射法でＭｏ
−Ａｌ合金およびＷ−Ａｌ合金スパッタリングターゲッ
トを製造すると、酸素含有量は１００ｐｐｍ以下に抑え
ることが可能である。
【００２１】従って、ＭｏとＡｌとの金属間化合物のＭ
ｏＡｌ12，ＭｏＡｌ5 ，ＭｏＡｌ4，Ｍｏ3 Ａｌ8 ，Ｍ
ｏＡｌ，Ｍｏ3 Ａｌ等のなかから一種類以上の化合物、
またＷとＡｌとの金属間化合物のＷＡｌ12，ＷＡｌ5 ，
ＷＡｌ4 等のなかから、一種類以上の化合物を形成し、
質量密度比９８％以上で化合物が均一に分散したＭｏ−
Ａｌ合金又はＷ−Ａｌ合金スパッタリングターゲットを
製造することでき、今後のＡｌ合金ターゲットへの要求
に対応することができる。
ｏＡｌ12，ＭｏＡｌ5 ，ＭｏＡｌ4，Ｍｏ3 Ａｌ8 ，Ｍ
ｏＡｌ，Ｍｏ3 Ａｌ等のなかから一種類以上の化合物、
またＷとＡｌとの金属間化合物のＷＡｌ12，ＷＡｌ5 ，
ＷＡｌ4 等のなかから、一種類以上の化合物を形成し、
質量密度比９８％以上で化合物が均一に分散したＭｏ−
Ａｌ合金又はＷ−Ａｌ合金スパッタリングターゲットを
製造することでき、今後のＡｌ合金ターゲットへの要求
に対応することができる。
【００２２】いか、本発明の実施の形態によるスパッタ
リングターゲットの具体的製法について説明する。
リングターゲットの具体的製法について説明する。
【００２３】（第１の実施の形態）室素アトマイズ法で
作製したＡｌ粉末（純度９９．９９％）、粒径１９μｍ
（Ｆｓｓｓ）、４６０ｇと水素囲気で還元したＭｏ粉末
（純度９９．９％）、粒径３．９μｍ（Ｆｓｓｓ）、４
０ｇとした。
作製したＡｌ粉末（純度９９．９９％）、粒径１９μｍ
（Ｆｓｓｓ）、４６０ｇと水素囲気で還元したＭｏ粉末
（純度９９．９％）、粒径３．９μｍ（Ｆｓｓｓ）、４
０ｇとした。
【００２４】原料粉末キャリアガスとしてはアルゴン、
補助ガスとして水素を用いて、３０Ｔｏｒｒ減圧下でＭ
ｏ基板上に直経φ１３０ｍｍ×厚みＴ１２ｍｍ円板状に
プラズマ溶射をった。同減圧プラズマ溶射法で作製した
Ｍｏ−Ａｌ合金円板は、ＭｏとＡｌとの金属間化合物が
微細かつ均一に分散しており、質量密度比は９８．８％
で、酸素含有量は８．３ｐｐｍであった。同円板はφ
４''（１０２ｍｍ）×厚み１０ｍｍに仕上げた後、Ｍｏ
−Ａｌ合金スパッタリングターゲットとした。同ターゲ
ットはマグネトロンスパッタでガラス基板に蒸着し、タ
ーゲット組成とスパッタ膜との組成比を調べたところ差
異はなく、電気抵抗値も、９μΩｃｍになった。
補助ガスとして水素を用いて、３０Ｔｏｒｒ減圧下でＭ
ｏ基板上に直経φ１３０ｍｍ×厚みＴ１２ｍｍ円板状に
プラズマ溶射をった。同減圧プラズマ溶射法で作製した
Ｍｏ−Ａｌ合金円板は、ＭｏとＡｌとの金属間化合物が
微細かつ均一に分散しており、質量密度比は９８．８％
で、酸素含有量は８．３ｐｐｍであった。同円板はφ
４''（１０２ｍｍ）×厚み１０ｍｍに仕上げた後、Ｍｏ
−Ａｌ合金スパッタリングターゲットとした。同ターゲ
ットはマグネトロンスパッタでガラス基板に蒸着し、タ
ーゲット組成とスパッタ膜との組成比を調べたところ差
異はなく、電気抵抗値も、９μΩｃｍになった。
【００２５】（第２の実施の形態）第１の実施の形態で
使用した同Ａｌ粉末、４７０ｇと水素雰囲気で還元した
Ｗ粉末（純度９９．９％）、粒径４．５μｍ（Ｆｓｓ
ｓ）、３０ｇとした。
使用した同Ａｌ粉末、４７０ｇと水素雰囲気で還元した
Ｗ粉末（純度９９．９％）、粒径４．５μｍ（Ｆｓｓ
ｓ）、３０ｇとした。
【００２６】原料粉末キャリアガスとしてはアルゴン、
補助ガスとして水素を用いて２５Ｔｏｒｒ減圧下で、Ｗ
基板上に直経φ１２０ｍｍ×Ｔ１２ｍｍ円板状にプラズ
マ溶射を行った。同プラズマ溶射法で作製したＷ−Ａｌ
合金円板は、ＷとＡｌとの金属間化合物が微細かつ均一
に分散しており、質量密度比は９８．５％で、酸素含有
量は８６ｐｐｍであった。同円板は直経４″（１０２ｍ
ｍ）×厚みＴ１０ｍｍに仕上げ後、Ｗ−Ａｌ合金スパッ
タリングターゲットとした。同ターゲットはマグネトロ
ンスパッタで基板に蒸着し、ターゲット組成とスパッタ
膜との組成比を調べたところ差異はなく、電気抵抗値も
１０ｐΩｃｍになった。
補助ガスとして水素を用いて２５Ｔｏｒｒ減圧下で、Ｗ
基板上に直経φ１２０ｍｍ×Ｔ１２ｍｍ円板状にプラズ
マ溶射を行った。同プラズマ溶射法で作製したＷ−Ａｌ
合金円板は、ＷとＡｌとの金属間化合物が微細かつ均一
に分散しており、質量密度比は９８．５％で、酸素含有
量は８６ｐｐｍであった。同円板は直経４″（１０２ｍ
ｍ）×厚みＴ１０ｍｍに仕上げ後、Ｗ−Ａｌ合金スパッ
タリングターゲットとした。同ターゲットはマグネトロ
ンスパッタで基板に蒸着し、ターゲット組成とスパッタ
膜との組成比を調べたところ差異はなく、電気抵抗値も
１０ｐΩｃｍになった。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明において
は、半導体デバイス及び液晶表示デバイスのＡｌ配線内
にＭｏまたはＷを３〜１０質量％以下添加することによ
って、主要製造工程であるエッチングによるパターンの
加工性に優れ、配線内に生じるボイドまたはヒロック発
生を少なくすることができるスパッタリングターゲット
とその製造方法とを提供することができる。
は、半導体デバイス及び液晶表示デバイスのＡｌ配線内
にＭｏまたはＷを３〜１０質量％以下添加することによ
って、主要製造工程であるエッチングによるパターンの
加工性に優れ、配線内に生じるボイドまたはヒロック発
生を少なくすることができるスパッタリングターゲット
とその製造方法とを提供することができる。
【００２８】また、本発明においては、減圧プラズマ溶
射法を利用することによって酸素含有量１００ｐｐｍ以
下を有し、ＭｏまたはＷとＡｌとの金属間化合物が微細
かつ均一に分散し、質量密度比９８％以上のＭｏ−Ａｌ
あるいはＷ−Ａｌ合金スパッタリングターゲットを製造
することができ、今後のＡｌ合金ターゲットへの要求に
対応することができるスパッタリングターゲットとその
製造方法とを提供することができる。
射法を利用することによって酸素含有量１００ｐｐｍ以
下を有し、ＭｏまたはＷとＡｌとの金属間化合物が微細
かつ均一に分散し、質量密度比９８％以上のＭｏ−Ａｌ
あるいはＷ−Ａｌ合金スパッタリングターゲットを製造
することができ、今後のＡｌ合金ターゲットへの要求に
対応することができるスパッタリングターゲットとその
製造方法とを提供することができる。
Claims (3)
- 【請求項１】 アルミニウム（Ａｌ）に３〜１０質量％
のＭｏ又はＷを添加したＭｏ−Ａｌ合金又はＷ−Ａｌ合
金からなるスパッタリングターゲットにおいて、酸素含
有量１００ｐｐｍ以下であり、前記Ｍｏ−Ａｌ合金は、
ＭｏとＡｌとの金属間化合物であるＭｏＡｌ12，ＭｏＡ
ｌ5 ，ＭｏＡｌ4 ，Ｍｏ3 Ａｌ8 ，ＭｏＡｌ，及びＭｏ
3 Ａｌの内から少なくとも一種の化合物を有し、前記Ｗ
−Ａｌ合金は、ＷとＡｌとの金属間化合物であるＷＡｌ
12，ＷＡｌ5 ，及びＷＡｌ4 の内から少なくとも一種の
化合物を有し、質量密度比９８％以上で金属間化合物が
均一に分散していることを特徴とするスパッタリングタ
ーゲット。 - 【請求項２】 請求項１記載のスパッタリングターゲッ
トにおいて、半導体デバイス及び液晶表示デバイス用の
配線材料に用いられることを特徴とするスパッタリング
ターゲット。 - 【請求項３】 請求項１記載のスパッタリングターゲッ
トを製造する方法において、Ｍｏ粉末又はＷ粉末とアル
ミニウムとを用いて、減圧プラズマ溶射法により、Ｍｏ
−Ａｌ合金ターゲット又はＷ−Ａｌ合金ターゲットを製
造することを特徴とするスパッタリングターゲットの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10233160A JP2000064033A (ja) | 1998-08-19 | 1998-08-19 | スパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10233160A JP2000064033A (ja) | 1998-08-19 | 1998-08-19 | スパッタリングターゲット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000064033A true JP2000064033A (ja) | 2000-02-29 |
Family
ID=16950670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10233160A Pending JP2000064033A (ja) | 1998-08-19 | 1998-08-19 | スパッタリングターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000064033A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012523497A (ja) * | 2009-04-10 | 2012-10-04 | サン−ゴバン コーティング ソルスィヨン | モリブデン系ターゲット及び溶射によってターゲットを製造するための方法 |
| WO2016025968A1 (de) | 2014-08-20 | 2016-02-25 | Plansee Se | Metallisierung für ein dünnschichtbauelement, verfahren zu deren herstellung und sputtering target |
| CN106756668A (zh) * | 2016-12-23 | 2017-05-31 | 北京有色金属研究总院 | 一种钨铝复合材料的表面改性方法 |
-
1998
- 1998-08-19 JP JP10233160A patent/JP2000064033A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| KR101754430B1 (ko) * | 2009-04-10 | 2017-07-05 | 생-고뱅 코팅 솔루션스 | 몰리브덴을 기재로 한 타겟 및 열 투사에 의한 타겟의 제조 방법 |
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