JP2002060934A - スパッタリングターゲット - Google Patents
スパッタリングターゲットInfo
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- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 46
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 42
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 39
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 29
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 10
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 3
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 2
- 238000010273 cold forging Methods 0.000 description 2
- 238000005097 cold rolling Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000001640 fractional crystallisation Methods 0.000 description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 2
- 101150080148 RR10 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000005242 forging Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000002354 inductively-coupled plasma atomic emission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000001502 supplementing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
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- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｃｕ配線膜に対するバリア層として用いられ
るＴａＮ膜などを、例えばバイアススパッタを適用して
形成する場合に、長時間にわたって安定したプラズマ状
態を実現する。 【解決手段】 高純度Ｔａからなるスパッタリングター
ゲットである。このスパッタリングターゲットを構成す
る高純度Ｔａは、自己維持放電特性を有するＡｇ、Ａｕ
およびＣｕから選ばれる少なくとも1種の元素を0.001〜
20ppmの範囲で含有する。これら自己維持放電特性を有
する元素はＴａのイオン化を促進し、これによりプラズ
マ状態が安定する。自己維持放電特性を有する元素の含
有量のバラツキは、ターゲット全体として30%以内とさ
れている。
るＴａＮ膜などを、例えばバイアススパッタを適用して
形成する場合に、長時間にわたって安定したプラズマ状
態を実現する。 【解決手段】 高純度Ｔａからなるスパッタリングター
ゲットである。このスパッタリングターゲットを構成す
る高純度Ｔａは、自己維持放電特性を有するＡｇ、Ａｕ
およびＣｕから選ばれる少なくとも1種の元素を0.001〜
20ppmの範囲で含有する。これら自己維持放電特性を有
する元素はＴａのイオン化を促進し、これによりプラズ
マ状態が安定する。自己維持放電特性を有する元素の含
有量のバラツキは、ターゲット全体として30%以内とさ
れている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子などに
用いられるＣｕ配線のバリア層の形成に好適なスパッタ
リングターゲットに関する。
用いられるＣｕ配線のバリア層の形成に好適なスパッタ
リングターゲットに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＬＳＩに代表される半導体工業は
急速に進捗しつつある。高速ロジックなどの半導体デバ
イスにおいては、高集積化、高信頼性化、高機能化が進
むにつれて、微細加工技術に要求される精度も益々高ま
ってきている。このような集積回路の高密度化や高速化
などに伴って、ＡｌやＣｕを主成分として形成される金
属配線の幅は1/4μm以下になりつつある。
急速に進捗しつつある。高速ロジックなどの半導体デバ
イスにおいては、高集積化、高信頼性化、高機能化が進
むにつれて、微細加工技術に要求される精度も益々高ま
ってきている。このような集積回路の高密度化や高速化
などに伴って、ＡｌやＣｕを主成分として形成される金
属配線の幅は1/4μm以下になりつつある。
【０００３】一方、集積回路を高速で動作させるために
は、Ａｌ配線やＣｕ配線の抵抗を低減することが必須と
なる。従来の配線構造では、配線の厚さを厚くすること
で配線抵抗を低減することが一般的であった。しかし、
さらなる高集積化・高密度化された半導体デバイスで
は、これまでの積層構造を用いた際に、配線上に形成さ
れる絶縁膜のカバレッジ性が悪くなり、当然デバイスの
歩留りも低下するため、配線技術そのものを改良するこ
とが求められている。
は、Ａｌ配線やＣｕ配線の抵抗を低減することが必須と
なる。従来の配線構造では、配線の厚さを厚くすること
で配線抵抗を低減することが一般的であった。しかし、
さらなる高集積化・高密度化された半導体デバイスで
は、これまでの積層構造を用いた際に、配線上に形成さ
れる絶縁膜のカバレッジ性が悪くなり、当然デバイスの
歩留りも低下するため、配線技術そのものを改良するこ
とが求められている。
【０００４】そこで、従来の配線技術とは異なる、デュ
アルダマシン（ＤＤ）配線技術を適用することが検討さ
れている。ＤＤ技術とは、予め下地膜に形成した配線溝
上に、配線材となるＡｌやＣｕを主成分とする金属をス
パッタリング法やＣＶＤ法などを用いて成膜し、熱処理
（リフロー）によって溝へ流し込み、ＣＭＰ（Chemical
Mechanical Polishing）法などにより余剰の配線金属
を除去する技術である。
アルダマシン（ＤＤ）配線技術を適用することが検討さ
れている。ＤＤ技術とは、予め下地膜に形成した配線溝
上に、配線材となるＡｌやＣｕを主成分とする金属をス
パッタリング法やＣＶＤ法などを用いて成膜し、熱処理
（リフロー）によって溝へ流し込み、ＣＭＰ（Chemical
Mechanical Polishing）法などにより余剰の配線金属
を除去する技術である。
【０００５】上述したような配線材料としては、抵抗率
がＡｌより低いＣｕが主流となりつつある。Ｃｕ配線は
Ａｌ配線に比べて耐エレクトロマイグレーション性に優
れていることから、これからの高速デバイスではＣｕ配
線が必須である。このようなＣｕ配線を適用する場合に
は、ＣｕのＳｉ中への拡散防止を目的としたバリアメタ
ル層を設ける必要がある。
がＡｌより低いＣｕが主流となりつつある。Ｃｕ配線は
Ａｌ配線に比べて耐エレクトロマイグレーション性に優
れていることから、これからの高速デバイスではＣｕ配
線が必須である。このようなＣｕ配線を適用する場合に
は、ＣｕのＳｉ中への拡散防止を目的としたバリアメタ
ル層を設ける必要がある。
【０００６】半導体デバイス用のバリアメタルとしては
一般的にＴｉＮが使用されてきたが、最近Ｃｕ配線用の
バリア材料としてＴａＮが提案され、ＣｕのＳｉ中への
拡散防止に対してはＴａＮが有効であることが明らかと
なりつつある。そこで、Ｃｕ配線用のバリア層にはＴａ
Ｎ膜を適用する方向に進んでいる。
一般的にＴｉＮが使用されてきたが、最近Ｃｕ配線用の
バリア材料としてＴａＮが提案され、ＣｕのＳｉ中への
拡散防止に対してはＴａＮが有効であることが明らかと
なりつつある。そこで、Ｃｕ配線用のバリア層にはＴａ
Ｎ膜を適用する方向に進んでいる。
【０００７】上記したようなバリア層としてのＴａＮ膜
は、例えばＴａターゲットを用いてＡｒとＮ2の混合ガ
ス中でスパッタリングを行うリアクティブスパッタ法を
適用することにより形成される。この際、例えばアスペ
クト比が4を超えるような配線溝やホール内にＴａＮ膜
を良好にかつ一様に形成するために、ターゲットに負の
電圧を印加すると共に、基板側にも負のバイアス電圧を
印加し、スパッタ粒子の直進性を向上させたスパッタ
法、すなわちバイアススパッタ法を適用することが検討
されている。
は、例えばＴａターゲットを用いてＡｒとＮ2の混合ガ
ス中でスパッタリングを行うリアクティブスパッタ法を
適用することにより形成される。この際、例えばアスペ
クト比が4を超えるような配線溝やホール内にＴａＮ膜
を良好にかつ一様に形成するために、ターゲットに負の
電圧を印加すると共に、基板側にも負のバイアス電圧を
印加し、スパッタ粒子の直進性を向上させたスパッタ
法、すなわちバイアススパッタ法を適用することが検討
されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述したようなバイア
ススパッタ法においては、まず成膜チャンバ内を最低で
も1×10-5Pa以上の高真空状態に保持しながら、Ｔａタ
ーゲット側にある値以上の負の電圧を印加し、さらにＡ
ｒやＫｒなどの希ガスとＮ2ガスとの混合ガスを導入し
てプラズマを発生させる。同時に基板側にも負の電圧を
印加する。このような状態でＡｒと共にＮ2+イオンでＴ
ａターゲット表面を衝撃し、ＴａとＮとの化合物である
ＴａＮ粒子を飛翔させることによりＴａＮ膜が成膜され
る。
ススパッタ法においては、まず成膜チャンバ内を最低で
も1×10-5Pa以上の高真空状態に保持しながら、Ｔａタ
ーゲット側にある値以上の負の電圧を印加し、さらにＡ
ｒやＫｒなどの希ガスとＮ2ガスとの混合ガスを導入し
てプラズマを発生させる。同時に基板側にも負の電圧を
印加する。このような状態でＡｒと共にＮ2+イオンでＴ
ａターゲット表面を衝撃し、ＴａとＮとの化合物である
ＴａＮ粒子を飛翔させることによりＴａＮ膜が成膜され
る。
【０００９】しかしながら、従来のＴａターゲットを用
いてバイアススパッタを実施した場合、基板側へのバイ
アス電圧を上げた際などに、長時間成膜しているとプラ
ズマが不安定な状態になって、結果的に放電が切れてし
まうという問題が発生する。このような問題が半導体デ
バイスの量産ラインで発生すると、多量の不良品を生じ
させることになり、半導体デバイスの製造歩留りを大幅
に低下させてしまう。
いてバイアススパッタを実施した場合、基板側へのバイ
アス電圧を上げた際などに、長時間成膜しているとプラ
ズマが不安定な状態になって、結果的に放電が切れてし
まうという問題が発生する。このような問題が半導体デ
バイスの量産ラインで発生すると、多量の不良品を生じ
させることになり、半導体デバイスの製造歩留りを大幅
に低下させてしまう。
【００１０】本発明はこのような課題に対処するために
なされたもので、バリア層としてのＴａＮ膜などをバイ
アススパッタ法で形成する際に、長時間にわたって安定
したプラズマ状態を実現することを可能にしたスパッタ
リングターゲットを提供することを目的としている。
なされたもので、バリア層としてのＴａＮ膜などをバイ
アススパッタ法で形成する際に、長時間にわたって安定
したプラズマ状態を実現することを可能にしたスパッタ
リングターゲットを提供することを目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明のスパッタリング
ターゲットは、請求項１に記載したように、高純度Ｔａ
からなるスパッタリングターゲットであって、前記高純
度ＴａはＡｇ、ＡｕおよびＣｕから選ばれる少なくとも
1種の元素を0.001〜20ppmの範囲で含有することを特徴
としている。
ターゲットは、請求項１に記載したように、高純度Ｔａ
からなるスパッタリングターゲットであって、前記高純
度ＴａはＡｇ、ＡｕおよびＣｕから選ばれる少なくとも
1種の元素を0.001〜20ppmの範囲で含有することを特徴
としている。
【００１２】本発明のスパッタリングターゲットは、さ
らに請求項２に記載したように、前記ターゲット全体と
しての前記Ａｇ、ＡｕおよびＣｕから選ばれる少なくと
も1種の元素の含有量のバラツキが30%以内であることを
特徴としている。また、本発明のスパッタリングターゲ
ットを構成する高純度Ｔａは、請求項３に記載したよう
に、不純物元素としてのＦｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ａ
ｌ、ＮａおよびＫの合計含有量が100ppm以下の純度を有
することが好ましい。
らに請求項２に記載したように、前記ターゲット全体と
しての前記Ａｇ、ＡｕおよびＣｕから選ばれる少なくと
も1種の元素の含有量のバラツキが30%以内であることを
特徴としている。また、本発明のスパッタリングターゲ
ットを構成する高純度Ｔａは、請求項３に記載したよう
に、不純物元素としてのＦｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ａ
ｌ、ＮａおよびＫの合計含有量が100ppm以下の純度を有
することが好ましい。
【００１３】本発明のスパッタリングターゲットは、例
えば請求項４に記載したように、バッキングプレートと
接合して用いられる。本発明のスパッタリングターゲッ
トは、請求項５に記載したように、特にＴａＮ膜からな
るバリア層を形成する際に好適に用いられものである。
また、請求項６に記載したように、ＣｕまたはＣｕ合金
からなる配線膜に対するバリア層の形成用として好適で
ある。
えば請求項４に記載したように、バッキングプレートと
接合して用いられる。本発明のスパッタリングターゲッ
トは、請求項５に記載したように、特にＴａＮ膜からな
るバリア層を形成する際に好適に用いられものである。
また、請求項６に記載したように、ＣｕまたはＣｕ合金
からなる配線膜に対するバリア層の形成用として好適で
ある。
【００１４】本発明のスパッタリングターゲットにおい
ては、高純度ＴａにＡｇ、ＡｕおよびＣｕから選ばれる
少なくとも1種の元素を0.001〜20ppmの範囲で含有させ
ている。ここで、Ａｇ、ＡｕおよびＣｕはスパッタリン
グ率が高く、かつイオン化効率が高い元素であり、これ
らの元素自体がイオン化してターゲットに戻り、自己維
持スパッタする特性を有している。このような特性を有
する金属元素をＴａターゲット中に適量添加することに
よって、Ｔａのイオン化が促進されるため、Ｔａターゲ
ットをスパッタリングする際のプラズマ状態を長時間に
わたって安定に維持することが可能となる。
ては、高純度ＴａにＡｇ、ＡｕおよびＣｕから選ばれる
少なくとも1種の元素を0.001〜20ppmの範囲で含有させ
ている。ここで、Ａｇ、ＡｕおよびＣｕはスパッタリン
グ率が高く、かつイオン化効率が高い元素であり、これ
らの元素自体がイオン化してターゲットに戻り、自己維
持スパッタする特性を有している。このような特性を有
する金属元素をＴａターゲット中に適量添加することに
よって、Ｔａのイオン化が促進されるため、Ｔａターゲ
ットをスパッタリングする際のプラズマ状態を長時間に
わたって安定に維持することが可能となる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明を実施するための形
態について説明する。
態について説明する。
【００１６】本発明のスパッタリングターゲットは、Ａ
ｇ、ＡｕおよびＣｕから選ばれる少なくとも1種の元素
を0.001〜20ppm（質量比）の範囲で含有する高純度Ｔａ
からなるものである。上記したような元素を所定量含む
高純度Ｔａによれば、Ｔａのバイアススパッタ時におけ
るプラズマ状態を安定化させることが可能となる。
ｇ、ＡｕおよびＣｕから選ばれる少なくとも1種の元素
を0.001〜20ppm（質量比）の範囲で含有する高純度Ｔａ
からなるものである。上記したような元素を所定量含む
高純度Ｔａによれば、Ｔａのバイアススパッタ時におけ
るプラズマ状態を安定化させることが可能となる。
【００１７】すなわち、Ｓｉ基板上などにＴａターゲッ
トを用いたリアクティブスパッタ法によりＴａＮ膜を成
膜する場合、配線溝やホール内への成膜状態を向上させ
るために、基板側にも負のバイアス電圧を印加するバイ
アススパッタ法を適用することが有効である。バイアス
スパッタによれば、スパッタ粒子（ＴａＮ粒子）の直進
性が向上するため、配線溝やホール内にＴａＮ膜を良好
にかつ一様に形成することができる。
トを用いたリアクティブスパッタ法によりＴａＮ膜を成
膜する場合、配線溝やホール内への成膜状態を向上させ
るために、基板側にも負のバイアス電圧を印加するバイ
アススパッタ法を適用することが有効である。バイアス
スパッタによれば、スパッタ粒子（ＴａＮ粒子）の直進
性が向上するため、配線溝やホール内にＴａＮ膜を良好
にかつ一様に形成することができる。
【００１８】ただし、従来の高純度Ｔａターゲットを用
いてバイアススパッタを実施した場合には、長時間成膜
を継続するとプラズマが非常に不安定な状態に陥り、最
終的には放電が切れてしまう。このようなプラズマ状態
の不安定化を回避するためには、Ｔａターゲットからも
Ｔａイオンを放出させ、さらにこのＴａイオンの放出量
を増加させることが有効である。この点について種々検
討した結果、イオン化効率が高いＡｇ、ＡｕおよびＣｕ
から選ばれる少なくとも1種の元素が、Ｔａイオンの発
生数の増加に対して有効に作用することを見出した。
いてバイアススパッタを実施した場合には、長時間成膜
を継続するとプラズマが非常に不安定な状態に陥り、最
終的には放電が切れてしまう。このようなプラズマ状態
の不安定化を回避するためには、Ｔａターゲットからも
Ｔａイオンを放出させ、さらにこのＴａイオンの放出量
を増加させることが有効である。この点について種々検
討した結果、イオン化効率が高いＡｇ、ＡｕおよびＣｕ
から選ばれる少なくとも1種の元素が、Ｔａイオンの発
生数の増加に対して有効に作用することを見出した。
【００１９】すなわち、Ａｇ、ＡｕおよびＣｕはスパッ
タリング率が高く、かつイオン化効率が高い元素であ
る。このような金属元素はその原子自体がイオン化し、
この生成した金属イオンがターゲットに戻って自己維持
スパッタする、言い換えると自己維持放電によりスパッ
タが継続される特性を有している。
タリング率が高く、かつイオン化効率が高い元素であ
る。このような金属元素はその原子自体がイオン化し、
この生成した金属イオンがターゲットに戻って自己維持
スパッタする、言い換えると自己維持放電によりスパッ
タが継続される特性を有している。
【００２０】上記したような自己維持放電特性を有する
金属元素、すなわちＡｇ、ＡｕおよびＣｕから選ばれる
少なくとも1種をＴａターゲット中に適量含有させるこ
とによって、Ｔａのイオン化を促進させることができ
る。言い換えると、Ａｇ、ＡｕおよびＣｕはＴａのイオ
ン化を補う役割を果たす。このように、Ｔａのイオン化
を促進することによって、Ｔａターゲットをスパッタリ
ングする際のプラズマ状態を長時間にわたって安定に維
持することが可能となる。
金属元素、すなわちＡｇ、ＡｕおよびＣｕから選ばれる
少なくとも1種をＴａターゲット中に適量含有させるこ
とによって、Ｔａのイオン化を促進させることができ
る。言い換えると、Ａｇ、ＡｕおよびＣｕはＴａのイオ
ン化を補う役割を果たす。このように、Ｔａのイオン化
を促進することによって、Ｔａターゲットをスパッタリ
ングする際のプラズマ状態を長時間にわたって安定に維
持することが可能となる。
【００２１】特に、基板側にマイナスの電荷（バイアス
電圧）を印加した場合においても、自己維持放電特性を
有する金属元素（Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ）でＴａのイオン化
を促進することによって、Ｔａターゲットをスパッタリ
ングする際のプラズマ状態を長時間にわたって安定に維
持することができる。
電圧）を印加した場合においても、自己維持放電特性を
有する金属元素（Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ）でＴａのイオン化
を促進することによって、Ｔａターゲットをスパッタリ
ングする際のプラズマ状態を長時間にわたって安定に維
持することができる。
【００２２】上述したようなＡｇ、ＡｕおよびＣｕから
選ばれる少なくとも1種の元素（以下、自己維持放電性
元素と記す）の含有量は、これらの元素の合計含有量と
して質量比で0.001〜20ppmの範囲とする。自己維持放電
性元素の合計含有量が0.001ppm未満であると、上記した
Ｔａのイオン化を促進させる効果が得られない。一方、
自己維持放電性元素の合計含有量が20ppmを超えると、
スパッタ膜の膜厚の面内均一性が低下する。通常のスパ
ッタ膜の膜厚面内均一性は5%以下が標準であるが、自己
維持放電性元素の合計含有量が20ppmを超えると5%以
上、さらには10%近くまで膜厚の面内均一性が低下して
しまう。このようなことから、自己維持放電性元素の合
計含有量は20ppm以下とする。
選ばれる少なくとも1種の元素（以下、自己維持放電性
元素と記す）の含有量は、これらの元素の合計含有量と
して質量比で0.001〜20ppmの範囲とする。自己維持放電
性元素の合計含有量が0.001ppm未満であると、上記した
Ｔａのイオン化を促進させる効果が得られない。一方、
自己維持放電性元素の合計含有量が20ppmを超えると、
スパッタ膜の膜厚の面内均一性が低下する。通常のスパ
ッタ膜の膜厚面内均一性は5%以下が標準であるが、自己
維持放電性元素の合計含有量が20ppmを超えると5%以
上、さらには10%近くまで膜厚の面内均一性が低下して
しまう。このようなことから、自己維持放電性元素の合
計含有量は20ppm以下とする。
【００２３】本発明のスパッタリングターゲットを構成
する高純度Ｔａ中のＡｇ、ＡｕおよびＣｕの合計含有量
は0.001〜10ppmの範囲とすることがより好ましく、さら
には0.001〜3ppmの範囲とすることが望ましい。このよ
うな量範囲で自己維持放電性元素を含有させることによ
って、スパッタ膜の膜厚面内均一性とプラズマ状態の安
定化効果とをより良好に両立させることが可能となる。
する高純度Ｔａ中のＡｇ、ＡｕおよびＣｕの合計含有量
は0.001〜10ppmの範囲とすることがより好ましく、さら
には0.001〜3ppmの範囲とすることが望ましい。このよ
うな量範囲で自己維持放電性元素を含有させることによ
って、スパッタ膜の膜厚面内均一性とプラズマ状態の安
定化効果とをより良好に両立させることが可能となる。
【００２４】さらに、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕの各元素は、例
えばＴａＮ膜の比抵抗に対しても影響を及ぼす。ＴａＮ
膜の比抵抗はＮ量が増加するにつれて増大するが、Ａ
ｇ、ＡｕおよびＣｕの合計含有量を適宜に設定すること
によって、ＴａＮ膜の比抵抗を所望の範囲（例えば250
μΩ・cm前後）に制御することができる。このように、
Ａｇ、ＡｕおよびＣｕの元素は、本発明のターゲットを
スパッタリングすることにより形成される、例えばＴａ
Ｎ膜の比抵抗の制御に対しても有効に機能するものであ
る。ただし、ＴａＮ膜中のＡｇ、ＡｕおよびＣｕの含有
量があまり多くなりすぎると膜の比抵抗が上昇するた
め、Ａｇ、ＡｕおよびＣｕの含有量は適宜に調整するも
のとする。
えばＴａＮ膜の比抵抗に対しても影響を及ぼす。ＴａＮ
膜の比抵抗はＮ量が増加するにつれて増大するが、Ａ
ｇ、ＡｕおよびＣｕの合計含有量を適宜に設定すること
によって、ＴａＮ膜の比抵抗を所望の範囲（例えば250
μΩ・cm前後）に制御することができる。このように、
Ａｇ、ＡｕおよびＣｕの元素は、本発明のターゲットを
スパッタリングすることにより形成される、例えばＴａ
Ｎ膜の比抵抗の制御に対しても有効に機能するものであ
る。ただし、ＴａＮ膜中のＡｇ、ＡｕおよびＣｕの含有
量があまり多くなりすぎると膜の比抵抗が上昇するた
め、Ａｇ、ＡｕおよびＣｕの含有量は適宜に調整するも
のとする。
【００２５】また、本発明のスパッタリングターゲット
において、上記した自己維持放電性元素（Ａｇ、Ａｕ、
Ｃｕ）の含有量のバラツキは、ターゲット全体として30
%以内とすることが好ましい。なお、ここでいう自己維
持放電性元素の含有量のバラツキとは、ターゲット各部
におけるＡｇ、ＡｕおよびＣｕの合計含有量（各元素の
微視的な含有量の合計）を比較した場合のバラツキを示
すものである。
において、上記した自己維持放電性元素（Ａｇ、Ａｕ、
Ｃｕ）の含有量のバラツキは、ターゲット全体として30
%以内とすることが好ましい。なお、ここでいう自己維
持放電性元素の含有量のバラツキとは、ターゲット各部
におけるＡｇ、ＡｕおよびＣｕの合計含有量（各元素の
微視的な含有量の合計）を比較した場合のバラツキを示
すものである。
【００２６】このように、ターゲット全体に対するＡ
ｇ、ＡｕおよびＣｕの合計含有量のバラツキを低く抑え
ることによって、ターゲット全体としてＴａのイオン化
を促進させることができ、プラズマ状態をより一層安定
化させることが可能となる。
ｇ、ＡｕおよびＣｕの合計含有量のバラツキを低く抑え
ることによって、ターゲット全体としてＴａのイオン化
を促進させることができ、プラズマ状態をより一層安定
化させることが可能となる。
【００２７】さらに、ターゲット全体に対するＡｇ、Ａ
ｕおよびＣｕの合計含有量のバラツキが大きくなると、
スパッタ膜の膜厚の面内均一性が低下すると共に、スパ
ッタ膜中のＡｇ、ＡｕおよびＣｕの量が局所的に増大
し、膜の比抵抗を上昇させるおそれがある。このような
点からもＡｇ、ＡｕおよびＣｕの合計含有量のバラツキ
は30%以内とすることが好ましい。これら金属元素の合
計含有量のバラツキは15%以内とすることがさらに好ま
しく、より望ましくは10%以内である。
ｕおよびＣｕの合計含有量のバラツキが大きくなると、
スパッタ膜の膜厚の面内均一性が低下すると共に、スパ
ッタ膜中のＡｇ、ＡｕおよびＣｕの量が局所的に増大
し、膜の比抵抗を上昇させるおそれがある。このような
点からもＡｇ、ＡｕおよびＣｕの合計含有量のバラツキ
は30%以内とすることが好ましい。これら金属元素の合
計含有量のバラツキは15%以内とすることがさらに好ま
しく、より望ましくは10%以内である。
【００２８】ここで、本発明のスパッタリングターゲッ
トにおける自己維持放電性元素の含有量（Ａｇ、Ａｕお
よびＣｕの合計含有量）は、以下に示す方法により測定
された値を示すものとする。
トにおける自己維持放電性元素の含有量（Ａｇ、Ａｕお
よびＣｕの合計含有量）は、以下に示す方法により測定
された値を示すものとする。
【００２９】すなわち、図１に示すように、例えば円板
状ターゲットの中心部（位置１）と、中心部を通り円周
を均等に分割した4本の直線上の外周近傍位置（位置２
〜９）およびその1/2の距離の位置（位置１０〜１７）
とから、それぞれ長さ10mm、幅10mmの試験片を採取す
る。これら17点の試験片のＡｇ含有量、Ａｕ含有量、Ｃ
ｕ含有量をそれぞれ測定し、これらの測定値を平均した
値を、ＴａターゲットのＡｇ含有量、Ａｕ含有量、Ｃｕ
含有量とする。自己維持放電性元素の合計含有量は、こ
れら各元素の含有量の平均値を合計した値を示すもので
ある。Ａｇ量、Ａｕ量、Ｃｕ量はＩＣＰ−ＡＥＳ法に基
づいて測定する。
状ターゲットの中心部（位置１）と、中心部を通り円周
を均等に分割した4本の直線上の外周近傍位置（位置２
〜９）およびその1/2の距離の位置（位置１０〜１７）
とから、それぞれ長さ10mm、幅10mmの試験片を採取す
る。これら17点の試験片のＡｇ含有量、Ａｕ含有量、Ｃ
ｕ含有量をそれぞれ測定し、これらの測定値を平均した
値を、ＴａターゲットのＡｇ含有量、Ａｕ含有量、Ｃｕ
含有量とする。自己維持放電性元素の合計含有量は、こ
れら各元素の含有量の平均値を合計した値を示すもので
ある。Ａｇ量、Ａｕ量、Ｃｕ量はＩＣＰ−ＡＥＳ法に基
づいて測定する。
【００３０】さらに、ターゲット全体の自己維持放電性
元素の合計含有量のバラツキは、上記した17点の試験片
から求めたＡｇ、ＡｕおよびＣｕの合計含有量の最大値
および最小値から、｛（最大値−最小値）／（最大値＋
最小値）｝×100の式に基づいて求めた値を示すものと
する。
元素の合計含有量のバラツキは、上記した17点の試験片
から求めたＡｇ、ＡｕおよびＣｕの合計含有量の最大値
および最小値から、｛（最大値−最小値）／（最大値＋
最小値）｝×100の式に基づいて求めた値を示すものと
する。
【００３１】本発明のスパッタリングターゲットは、上
述したように高純度Ｔａ中にＡｇ、ＡｕおよびＣｕから
選ばれる少なくとも1種の自己維持放電性元素を所定量
含有させたことに特徴を有するものであるが、ターゲッ
トを構成する高純度Ｔａの純度レベル（Ａｇ、Ａｕおよ
びＣｕ量を除く純度）をあまり上げすぎると、プラズマ
状態が不安定になるおそれがある。
述したように高純度Ｔａ中にＡｇ、ＡｕおよびＣｕから
選ばれる少なくとも1種の自己維持放電性元素を所定量
含有させたことに特徴を有するものであるが、ターゲッ
トを構成する高純度Ｔａの純度レベル（Ａｇ、Ａｕおよ
びＣｕ量を除く純度）をあまり上げすぎると、プラズマ
状態が不安定になるおそれがある。
【００３２】このようなことから、本発明のスパッタリ
ングターゲットは、不純物元素としてのＦｅ、Ｎｉ、Ｃ
ｒ、Ｓｉ、Ａｌ、ＮａおよびＫの合計含有量が100ppm以
下の高純度Ｔａで構成することが好ましい。言い換える
と、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ａｌ、ＮａおよびＫの各
含有量（質量%）の合計量を100%から引いた値［100−(F
e%+Ni%+Cr%+Si%+Al%+Na%+K%)］が99.99〜99.999%の範囲
の高純度Ｔａを用いることが好ましい。
ングターゲットは、不純物元素としてのＦｅ、Ｎｉ、Ｃ
ｒ、Ｓｉ、Ａｌ、ＮａおよびＫの合計含有量が100ppm以
下の高純度Ｔａで構成することが好ましい。言い換える
と、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ａｌ、ＮａおよびＫの各
含有量（質量%）の合計量を100%から引いた値［100−(F
e%+Ni%+Cr%+Si%+Al%+Na%+K%)］が99.99〜99.999%の範囲
の高純度Ｔａを用いることが好ましい。
【００３３】上記した不純物元素の合計含有量が100ppm
を超えると、得られる膜の比抵抗が高くなりすぎて、例
えば配線膜としての特性が低下してしまう。このような
ことから、Ｔａターゲット中の不純物元素としてのＦ
ｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ａｌ、ＮａおよびＫの合計含有
量は100ppm以下とすることが好ましい。
を超えると、得られる膜の比抵抗が高くなりすぎて、例
えば配線膜としての特性が低下してしまう。このような
ことから、Ｔａターゲット中の不純物元素としてのＦ
ｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ａｌ、ＮａおよびＫの合計含有
量は100ppm以下とすることが好ましい。
【００３４】本発明のスパッタリングターゲットは、例
えば以下のようにして作製することができる。すなわ
ち、まずＴａターゲットの形成原料となる高純度Ｔａを
作製する。例えば、Ｔａ2Ｏ5鉱石に対してアルカリ融解
法、分別結晶法、電子ビーム溶解法などを適用してＴａ
インゴットを作製する。
えば以下のようにして作製することができる。すなわ
ち、まずＴａターゲットの形成原料となる高純度Ｔａを
作製する。例えば、Ｔａ2Ｏ5鉱石に対してアルカリ融解
法、分別結晶法、電子ビーム溶解法などを適用してＴａ
インゴットを作製する。
【００３５】この際、Ｔａインゴットの純度が上記した
範囲となるように、Ｔａ原料の精製条件を設定すること
が好ましい。Ｔａ原料の純度が低い場合には、例えばＴ
ａ2Ｏ5に対してアルカリ融解法を実施した後、分別結晶
法やハロゲン金属による還元法を適用したり、またさら
に必要に応じて電子ビーム溶解などを適用する。さら
に、最終的に得られるスパッタリングターゲットが0.00
1〜20ppmの範囲の自己維持放電性元素（Ａｇ、Ａｕ、Ｃ
ｕ）を含有するように、Ｔａ原料中のＡｇ、Ａｕおよび
Ｃｕの含有量を考慮した上で、例えば溶解時にＡｇ、Ａ
ｕ、Ｃｕを適当量添加する。
範囲となるように、Ｔａ原料の精製条件を設定すること
が好ましい。Ｔａ原料の純度が低い場合には、例えばＴ
ａ2Ｏ5に対してアルカリ融解法を実施した後、分別結晶
法やハロゲン金属による還元法を適用したり、またさら
に必要に応じて電子ビーム溶解などを適用する。さら
に、最終的に得られるスパッタリングターゲットが0.00
1〜20ppmの範囲の自己維持放電性元素（Ａｇ、Ａｕ、Ｃ
ｕ）を含有するように、Ｔａ原料中のＡｇ、Ａｕおよび
Ｃｕの含有量を考慮した上で、例えば溶解時にＡｇ、Ａ
ｕ、Ｃｕを適当量添加する。
【００３６】次に、得られたＴａインゴットに対して鍛
造、圧延による塑性加工を施す。この塑性加工時の加工
率は例えば50〜98%とする。このような加工率の塑性加
工によれば、インゴットに適当な熱エネルギーを与える
ことができ、この熱エネルギーによって自己維持放電性
元素（Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ）の均質化（バラツキの減少）
を図ることができる。加工時の熱エネルギーは結晶格子
の配列を整合させる役割を果たすことから、微小内部欠
陥の除去などに対しても有効に作用する。塑性加工工程
においては、必要に応じて中間熱処理を実施してもよ
い。この後、1000〜1500℃の範囲の温度で1時間以上の
熱処理を施す。この熱処理によって、ターゲット材中の
Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕの各元素のバラツキをさらに減少させ
る。
造、圧延による塑性加工を施す。この塑性加工時の加工
率は例えば50〜98%とする。このような加工率の塑性加
工によれば、インゴットに適当な熱エネルギーを与える
ことができ、この熱エネルギーによって自己維持放電性
元素（Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ）の均質化（バラツキの減少）
を図ることができる。加工時の熱エネルギーは結晶格子
の配列を整合させる役割を果たすことから、微小内部欠
陥の除去などに対しても有効に作用する。塑性加工工程
においては、必要に応じて中間熱処理を実施してもよ
い。この後、1000〜1500℃の範囲の温度で1時間以上の
熱処理を施す。この熱処理によって、ターゲット材中の
Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕの各元素のバラツキをさらに減少させ
る。
【００３７】このようにして得られるＴａ素材を所望の
円板状などに機械加工し、これを例えばＡｌやＣｕから
なるバッキングプレートと接合する。バッキングプレー
トとの接合には、拡散接合やろう付け接合などが適用さ
れる。拡散接合時の温度は600℃以下とすることが好ま
しい。また、ろう付け接合は公知のＩｎ系やＳｎ系の接
合材を使用して実施する。ここで得られたターゲット素
材を所定サイズに機械加工することによって、本発明の
スパッタリングターゲットが得られる。
円板状などに機械加工し、これを例えばＡｌやＣｕから
なるバッキングプレートと接合する。バッキングプレー
トとの接合には、拡散接合やろう付け接合などが適用さ
れる。拡散接合時の温度は600℃以下とすることが好ま
しい。また、ろう付け接合は公知のＩｎ系やＳｎ系の接
合材を使用して実施する。ここで得られたターゲット素
材を所定サイズに機械加工することによって、本発明の
スパッタリングターゲットが得られる。
【００３８】本発明のスパッタリングターゲットは、各
種電子デバイスの配線膜形成用として用いることができ
るが、特にＣｕ膜やＣｕ合金膜からなる配線膜に対する
バリア層としてのＴａＮ膜の形成に好ましく用いられ
る。特に、リアクティブスパッタ法によるＴａＮ膜の成
膜時に、スパッタ粒子（ＴａＮ粒子）の直進性を高める
ために、基板側にも負のバイアス電圧を印加するバイア
ススパッタを適用する場合に、本発明のスパッタリング
ターゲットは好適である。
種電子デバイスの配線膜形成用として用いることができ
るが、特にＣｕ膜やＣｕ合金膜からなる配線膜に対する
バリア層としてのＴａＮ膜の形成に好ましく用いられ
る。特に、リアクティブスパッタ法によるＴａＮ膜の成
膜時に、スパッタ粒子（ＴａＮ粒子）の直進性を高める
ために、基板側にも負のバイアス電圧を印加するバイア
ススパッタを適用する場合に、本発明のスパッタリング
ターゲットは好適である。
【００３９】本発明のスパッタリングターゲットが使用
される具体的な配線構造としては、例えばＳｉＯ2系の
絶縁膜上にＴａＮ膜を成膜し、さらにその上にＣｕ配線
膜（Ｃｕ膜またはＣｕ合金膜）を形成したＣｕ配線構造
が挙げられる。このようなＣｕ配線構造によれば、例え
ばＤＤ配線技術を適用する際に好適な配線膜構造を提供
することができ、高密度配線を高信頼性の下で再現性よ
く得ることができる。これは超高集積タイプの半導体デ
バイスの製造歩留りの向上などに大きく貢献する。さら
に、このようなＣｕ配線構造は、ＶＬＳＩなどの半導体
デバイスに限らず、ＳＡＷデバイス、ＴＰＨ、ＬＣＤデ
バイスなどの各種の電子部品に適用することができる。
される具体的な配線構造としては、例えばＳｉＯ2系の
絶縁膜上にＴａＮ膜を成膜し、さらにその上にＣｕ配線
膜（Ｃｕ膜またはＣｕ合金膜）を形成したＣｕ配線構造
が挙げられる。このようなＣｕ配線構造によれば、例え
ばＤＤ配線技術を適用する際に好適な配線膜構造を提供
することができ、高密度配線を高信頼性の下で再現性よ
く得ることができる。これは超高集積タイプの半導体デ
バイスの製造歩留りの向上などに大きく貢献する。さら
に、このようなＣｕ配線構造は、ＶＬＳＩなどの半導体
デバイスに限らず、ＳＡＷデバイス、ＴＰＨ、ＬＣＤデ
バイスなどの各種の電子部品に適用することができる。
【００４０】
【実施例】次に、本発明の具体的な実施例およびその評
価結果について述べる。
価結果について述べる。
【００４１】実施例１、比較例１ まず、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕの各元素の含有量、さらに不純
物元素としてのＦｅ、Ｎｉ、Ｃｒなどの含有量を変化さ
せた18種類のＴａインゴットを、電子ビーム溶解により
作製した。Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕをはじめとする各元素の含
有量は、電子ビーム溶解時に添加したり、また電子ビー
ム溶解の回数により調整した。
物元素としてのＦｅ、Ｎｉ、Ｃｒなどの含有量を変化さ
せた18種類のＴａインゴットを、電子ビーム溶解により
作製した。Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕをはじめとする各元素の含
有量は、電子ビーム溶解時に添加したり、また電子ビー
ム溶解の回数により調整した。
【００４２】上記した各Ｔａインゴットに冷間鍛造およ
び冷間圧延を施し、さらに1200℃×120minの条件で熱処
理した。この後、それぞれ拡散接合法を適用してＡｌバ
ッキングプレートと接合し、さらに機械加工を施して直
径300mm×厚さ10mmの18種類のＴａスパッタリングター
ゲットを作製した。なお、各元素の含有量については、
ＩＣＰ装置（発光分光分析装置：セイコーインスツルメ
ンツ社製・SPS 1200A）によって分析した。
び冷間圧延を施し、さらに1200℃×120minの条件で熱処
理した。この後、それぞれ拡散接合法を適用してＡｌバ
ッキングプレートと接合し、さらに機械加工を施して直
径300mm×厚さ10mmの18種類のＴａスパッタリングター
ゲットを作製した。なお、各元素の含有量については、
ＩＣＰ装置（発光分光分析装置：セイコーインスツルメ
ンツ社製・SPS 1200A）によって分析した。
【００４３】このようにして得た18種類のＴａターゲッ
トをそれぞれ用いて、基板−ターゲット間距離：300m
m、スパッタガス：Ａｒ(5sccm)＋Ｎ2(20sccm)、背圧：1
×10-5Pa、出力ＤＣ：18kW、スパッタ時間：5min、基板
バイアス：-100V、の条件下で、放電の持続性を調査し
た。この結果について、放電持続時間を表１に示す。
トをそれぞれ用いて、基板−ターゲット間距離：300m
m、スパッタガス：Ａｒ(5sccm)＋Ｎ2(20sccm)、背圧：1
×10-5Pa、出力ＤＣ：18kW、スパッタ時間：5min、基板
バイアス：-100V、の条件下で、放電の持続性を調査し
た。この結果について、放電持続時間を表１に示す。
【００４４】
【表１】 表１から明らかなように、適量のＡｇ、Ａｕ、Ｃｕを含
有させた、試料No.1〜No.3の本発明のＴａスパッタリン
グターゲットは、他の元素量を増やした試料No.4〜No.1
8のＴａスパッタリングターゲットに比べて、2倍ちかく
の放電持続特性を有していることが分かる。
有させた、試料No.1〜No.3の本発明のＴａスパッタリン
グターゲットは、他の元素量を増やした試料No.4〜No.1
8のＴａスパッタリングターゲットに比べて、2倍ちかく
の放電持続特性を有していることが分かる。
【００４５】実施例２、比較例２ まず、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕの各元素含有量を変化させた6
種類のＴａインゴットを、電子ビーム溶解により作製し
た。Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕの各元素の含有量は、電子ビーム
溶解の回数や電子ビーム溶解時に添加することで調整し
た。なお、ＴａインゴットのＡｇ、Ａｕ、Ｃｕの各元素
を除く純度は約99.95%である。
種類のＴａインゴットを、電子ビーム溶解により作製し
た。Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕの各元素の含有量は、電子ビーム
溶解の回数や電子ビーム溶解時に添加することで調整し
た。なお、ＴａインゴットのＡｇ、Ａｕ、Ｃｕの各元素
を除く純度は約99.95%である。
【００４６】上記した各Ｔａインゴットに冷間鍛造およ
び冷間圧延を施し、さらに1200℃×120minの条件で熱処
理した。この後、それぞれ拡散接合法を適用してＡｌバ
ッキングプレートと接合し、さらに機械加工を施して直
径300mm×厚さ10mmの6種類のＴａスパッタリングターゲ
ットを作製した。このようにして得た6種類のＴａスパ
ッタリングターゲットのＡｇ、ＡｕおよびＣｕの合計含
有量、およびそのバラツキを前述した方法に基づいて測
定、評価した。
び冷間圧延を施し、さらに1200℃×120minの条件で熱処
理した。この後、それぞれ拡散接合法を適用してＡｌバ
ッキングプレートと接合し、さらに機械加工を施して直
径300mm×厚さ10mmの6種類のＴａスパッタリングターゲ
ットを作製した。このようにして得た6種類のＴａスパ
ッタリングターゲットのＡｇ、ＡｕおよびＣｕの合計含
有量、およびそのバラツキを前述した方法に基づいて測
定、評価した。
【００４７】さらに、各Ｔａスパッタリングターゲット
を用いて、基板−ターゲット間距離：300mm、スパッタ
ガス：Ａｒ(5sccm)＋Ｎ2(20sccm)、背圧：1×10-5Pa、
出力ＤＣ：18kW、スパッタ時間：5min、基板バイアス：
-100V、の条件下でスパッタリングを実施し、厚さ5μm
のＴａＮ膜をそれぞれ作製した。
を用いて、基板−ターゲット間距離：300mm、スパッタ
ガス：Ａｒ(5sccm)＋Ｎ2(20sccm)、背圧：1×10-5Pa、
出力ＤＣ：18kW、スパッタ時間：5min、基板バイアス：
-100V、の条件下でスパッタリングを実施し、厚さ5μm
のＴａＮ膜をそれぞれ作製した。
【００４８】上記したスパッタリング試験において、放
電持続時間を測定した。また、得られたＴａＮ膜の膜厚
の面内均一性と比抵抗を測定した。それらの結果を併せ
て表２に示す。なお、膜厚の面内均一性は、前述したバ
ラツキの測定方法と同様に、円板状ターゲットの17点の
位置においてＴａＮ膜の膜厚を測定し、その最大値およ
び最小値から｛（最大値−最小値）／（最大値＋最小
値）｝×100の式に基づいて求めた値を示す。
電持続時間を測定した。また、得られたＴａＮ膜の膜厚
の面内均一性と比抵抗を測定した。それらの結果を併せ
て表２に示す。なお、膜厚の面内均一性は、前述したバ
ラツキの測定方法と同様に、円板状ターゲットの17点の
位置においてＴａＮ膜の膜厚を測定し、その最大値およ
び最小値から｛（最大値−最小値）／（最大値＋最小
値）｝×100の式に基づいて求めた値を示す。
【００４９】
【表２】 表２から明らかなように、適量のＡｇ、Ａｕ、Ｃｕを含
有させると共に、そのバラツキを抑えた本発明のＴａス
パッタリングターゲット（試料No.1〜No.3）は、良好な
放電持続特性を有しており、さらに得られるＴａＮ膜の
膜厚面内均一性と比抵抗も優れることが分かる。
有させると共に、そのバラツキを抑えた本発明のＴａス
パッタリングターゲット（試料No.1〜No.3）は、良好な
放電持続特性を有しており、さらに得られるＴａＮ膜の
膜厚面内均一性と比抵抗も優れることが分かる。
【００５０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のスパッタ
リングターゲットによれば、バイアススパッタを適用し
た場合においてもプラズマ状態を安定して持続させるこ
とができる。従って、このようなＴａスパッタリングタ
ーゲットを用いることによって、例えばＣｕ配線膜のバ
リア層として有効なＴａＮ膜などを安定して歩留りよく
形成することが可能となる。
リングターゲットによれば、バイアススパッタを適用し
た場合においてもプラズマ状態を安定して持続させるこ
とができる。従って、このようなＴａスパッタリングタ
ーゲットを用いることによって、例えばＣｕ配線膜のバ
リア層として有効なＴａＮ膜などを安定して歩留りよく
形成することが可能となる。
【図１】 本発明のスパッタリングターゲットにおける
Ａｇ、ＡｕおよびＣｕの含有量の測定方法を説明するた
めの図である。
Ａｇ、ＡｕおよびＣｕの含有量の測定方法を説明するた
めの図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高阪 泰郎 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜事業所内 (72)発明者 石上 隆 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜事業所内 Ｆターム(参考） 4K029 BA58 BD01 CA05 DC03 DC04 DC21 4M104 BB32 DD38 DD40 DD42 FF18 FF22 HH20 5F103 AA08 BB22 DD30 RR10
Claims (6)
- 【請求項１】 高純度Ｔａからなるスパッタリングター
ゲットであって、 前記高純度Ｔａは、Ａｇ、ＡｕおよびＣｕから選ばれる
少なくとも1種の元素を0.001〜20ppmの範囲で含有する
ことを特徴とするスパッタリングターゲット。 - 【請求項２】 請求項１記載のスパッタリングターゲッ
トにおいて、 前記ターゲット全体としての前記Ａｇ、ＡｕおよびＣｕ
から選ばれる少なくとも1種の元素の含有量のバラツキ
が30%以内であることを特徴とするスパッタリングター
ゲット。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２記載のスパッタ
リングターゲットにおいて、 前記高純度Ｔａは、不純物元素としてのＦｅ、Ｎｉ、Ｃ
ｒ、Ｓｉ、Ａｌ、ＮａおよびＫの合計含有量が100ppm以
下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。 - 【請求項４】 請求項１ないし請求項３のいずれか１項
記載のスパッタリングターゲットにおいて、 前記ターゲットはバッキングプレートと接合されている
ことを特徴とするスパッタリングターゲット。 - 【請求項５】 請求項１ないし請求項３のいずれか１項
記載のスパッタリングターゲットにおいて、 前記ターゲットはＴａＮ膜からなるバリア層を形成する
際に用いられることを特徴とするスパッタリングターゲ
ット。 - 【請求項６】 請求項１ないし請求項３のいずれか１項
記載のスパッタリングターゲットにおいて、 前記ターゲットはＣｕまたはＣｕ合金からなる配線膜に
対するバリア層を形成する際に用いられることを特徴と
するスパッタリングターゲット。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000254477A JP4825345B2 (ja) | 2000-08-24 | 2000-08-24 | スパッタリングターゲットとそれを用いたバリア層および電子デバイスの形成方法 |
| TW090120651A TW593707B (en) | 2000-08-24 | 2001-08-22 | Sputtering target |
| KR10-2001-0050828A KR100432284B1 (ko) | 2000-08-24 | 2001-08-23 | 스퍼터링 타겟 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000254477A JP4825345B2 (ja) | 2000-08-24 | 2000-08-24 | スパッタリングターゲットとそれを用いたバリア層および電子デバイスの形成方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002060934A true JP2002060934A (ja) | 2002-02-28 |
| JP2002060934A5 JP2002060934A5 (ja) | 2007-10-25 |
| JP4825345B2 JP4825345B2 (ja) | 2011-11-30 |
Family
ID=18743418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000254477A Expired - Lifetime JP4825345B2 (ja) | 2000-08-24 | 2000-08-24 | スパッタリングターゲットとそれを用いたバリア層および電子デバイスの形成方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4825345B2 (ja) |
| KR (1) | KR100432284B1 (ja) |
| TW (1) | TW593707B (ja) |
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- 2000-08-24 JP JP2000254477A patent/JP4825345B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-08-22 TW TW090120651A patent/TW593707B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-08-23 KR KR10-2001-0050828A patent/KR100432284B1/ko active IP Right Grant
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Also Published As
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|---|---|
| KR100432284B1 (ko) | 2004-05-22 |
| KR20020016534A (ko) | 2002-03-04 |
| TW593707B (en) | 2004-06-21 |
| JP4825345B2 (ja) | 2011-11-30 |
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Legal Events
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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