JP2002060934A5 - スパッタリングターゲットとそれを用いたバリア層および電子デバイス - Google Patents

Description

【特許請求の範囲】
【請求項１】 高純度Ｔａからなるスパッタリングターゲットであって、
前記高純度Ｔａは、Ａｇ、ＡｕおよびＣｕから選ばれる少なくとも1種の元素を0.001〜20ppmの範囲で含有することを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項２】 請求項１記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲット全体としての前記Ａｇ、ＡｕおよびＣｕから選ばれる少なくとも1種の元素の含有量のバラツキが30％以内であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項３】 請求項１または請求項２記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記高純度Ｔａは、不純物元素としてのＦｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ａｌ、ＮａおよびＫの合計含有量が100ppm以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項４】 請求項１ないし請求項３のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲットはバッキングプレートと接合されていることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項５】 請求項１ないし請求項３のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲットはＴａＮ膜からなるバリア層を形成する際に用いられることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項６】 請求項１ないし請求項３のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲットはＣｕまたはＣｕ合金からなる配線膜に対するバリア層を形成する際に用いられることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項７】 請求項１ないし請求項４のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットを用いて形成されたことを特徴とするバリア層。
【請求項８】 請求項７記載のバリア層において、
ＴａＮ膜からなることを特徴とするバリア層。
【請求項９】 請求項７または請求項８記載のバリア層を具備することを特徴とする電子デバイス。
【請求項１０】 請求項９記載の電子デバイスにおいて、
ＣｕまたはＣｕ合金よりなる配線膜と、前記配線膜に対して形成された前記バリア層とを具備することを特徴とする電子デバイス。
【請求項１１】 請求項９または請求項１０記載の電子デバイスにおいて、
半導体デバイスであることを特徴とする電子デバイス。
【請求項１２】 請求項９または請求項１０記載の電子デバイスにおいて、
ＳＡＷデバイスであることを特徴とする電子デバイス。
【請求項１３】 請求項９または請求項１０記載の電子デバイスにおいて、
ＴＰＨであることを特徴とする電子デバイス。
【請求項１４】 請求項９または請求項１０記載の電子デバイスにおいて、
ＬＣＤデバイスであることを特徴とする電子デバイス。

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子などに用いられるＣｕ配線のバリア層の形成に好適なスパッタリングターゲットとそれを用いたバリア層および電子デバイスに関する。

本発明のスパッタリングターゲットは、例えば請求項４に記載したように、バッキングプレートと接合して用いられる。本発明のスパッタリングターゲットは、請求項５に記載したように、特にＴａＮ膜からなるバリア層を形成する際に好適に用いられものである。また、請求項６に記載したように、ＣｕまたはＣｕ合金からなる配線膜に対するバリア層の形成用として好適である。
また、本発明のバリア層は、本発明のスパッタリングターゲットを用いて形成されたことを特徴としており、例えばＴａＮ膜からなる。本発明の電子デバイスは、本発明のバリア層を具備することを特徴としており、例えばＣｕまたはＣｕ合金よりなる配線膜と、前記配線膜に対して形成された前記バリア層とを具備する。電子デバイスの具体例としては、半導体デバイス、ＳＡＷデバイス、ＴＰＨ、ＬＣＤデバイスなどが挙げられる。