JP2002060934A5 - スパッタリングターゲットとそれを用いたバリア層および電子デバイス - Google Patents
スパッタリングターゲットとそれを用いたバリア層および電子デバイス Download PDFInfo
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【特許請求の範囲】
【請求項1】 高純度Taからなるスパッタリングターゲットであって、
前記高純度Taは、Ag、AuおよびCuから選ばれる少なくとも1種の元素を0.001〜20ppmの範囲で含有することを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項2】 請求項1記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲット全体としての前記Ag、AuおよびCuから選ばれる少なくとも1種の元素の含有量のバラツキが30%以内であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項3】 請求項1または請求項2記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記高純度Taは、不純物元素としてのFe、Ni、Cr、Si、Al、NaおよびKの合計含有量が100ppm以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項4】 請求項1ないし請求項3のいずれか1項記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲットはバッキングプレートと接合されていることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項5】 請求項1ないし請求項3のいずれか1項記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲットはTaN膜からなるバリア層を形成する際に用いられることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項6】 請求項1ないし請求項3のいずれか1項記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲットはCuまたはCu合金からなる配線膜に対するバリア層を形成する際に用いられることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項7】 請求項1ないし請求項4のいずれか1項記載のスパッタリングターゲットを用いて形成されたことを特徴とするバリア層。
【請求項8】 請求項7記載のバリア層において、
TaN膜からなることを特徴とするバリア層。
【請求項9】 請求項7または請求項8記載のバリア層を具備することを特徴とする電子デバイス。
【請求項10】 請求項9記載の電子デバイスにおいて、
CuまたはCu合金よりなる配線膜と、前記配線膜に対して形成された前記バリア層とを具備することを特徴とする電子デバイス。
【請求項11】 請求項9または請求項10記載の電子デバイスにおいて、
半導体デバイスであることを特徴とする電子デバイス。
【請求項12】 請求項9または請求項10記載の電子デバイスにおいて、
SAWデバイスであることを特徴とする電子デバイス。
【請求項13】 請求項9または請求項10記載の電子デバイスにおいて、
TPHであることを特徴とする電子デバイス。
【請求項14】 請求項9または請求項10記載の電子デバイスにおいて、
LCDデバイスであることを特徴とする電子デバイス。
【請求項1】 高純度Taからなるスパッタリングターゲットであって、
前記高純度Taは、Ag、AuおよびCuから選ばれる少なくとも1種の元素を0.001〜20ppmの範囲で含有することを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項2】 請求項1記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲット全体としての前記Ag、AuおよびCuから選ばれる少なくとも1種の元素の含有量のバラツキが30%以内であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項3】 請求項1または請求項2記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記高純度Taは、不純物元素としてのFe、Ni、Cr、Si、Al、NaおよびKの合計含有量が100ppm以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項4】 請求項1ないし請求項3のいずれか1項記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲットはバッキングプレートと接合されていることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項5】 請求項1ないし請求項3のいずれか1項記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲットはTaN膜からなるバリア層を形成する際に用いられることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項6】 請求項1ないし請求項3のいずれか1項記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲットはCuまたはCu合金からなる配線膜に対するバリア層を形成する際に用いられることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項7】 請求項1ないし請求項4のいずれか1項記載のスパッタリングターゲットを用いて形成されたことを特徴とするバリア層。
【請求項8】 請求項7記載のバリア層において、
TaN膜からなることを特徴とするバリア層。
【請求項9】 請求項7または請求項8記載のバリア層を具備することを特徴とする電子デバイス。
【請求項10】 請求項9記載の電子デバイスにおいて、
CuまたはCu合金よりなる配線膜と、前記配線膜に対して形成された前記バリア層とを具備することを特徴とする電子デバイス。
【請求項11】 請求項9または請求項10記載の電子デバイスにおいて、
半導体デバイスであることを特徴とする電子デバイス。
【請求項12】 請求項9または請求項10記載の電子デバイスにおいて、
SAWデバイスであることを特徴とする電子デバイス。
【請求項13】 請求項9または請求項10記載の電子デバイスにおいて、
TPHであることを特徴とする電子デバイス。
【請求項14】 請求項9または請求項10記載の電子デバイスにおいて、
LCDデバイスであることを特徴とする電子デバイス。
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子などに用いられるCu配線のバリア層の形成に好適なスパッタリングターゲットとそれを用いたバリア層および電子デバイスに関する。
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子などに用いられるCu配線のバリア層の形成に好適なスパッタリングターゲットとそれを用いたバリア層および電子デバイスに関する。
本発明のスパッタリングターゲットは、例えば請求項4に記載したように、バッキングプレートと接合して用いられる。本発明のスパッタリングターゲットは、請求項5に記載したように、特にTaN膜からなるバリア層を形成する際に好適に用いられものである。また、請求項6に記載したように、CuまたはCu合金からなる配線膜に対するバリア層の形成用として好適である。
また、本発明のバリア層は、本発明のスパッタリングターゲットを用いて形成されたことを特徴としており、例えばTaN膜からなる。本発明の電子デバイスは、本発明のバリア層を具備することを特徴としており、例えばCuまたはCu合金よりなる配線膜と、前記配線膜に対して形成された前記バリア層とを具備する。電子デバイスの具体例としては、半導体デバイス、SAWデバイス、TPH、LCDデバイスなどが挙げられる。
また、本発明のバリア層は、本発明のスパッタリングターゲットを用いて形成されたことを特徴としており、例えばTaN膜からなる。本発明の電子デバイスは、本発明のバリア層を具備することを特徴としており、例えばCuまたはCu合金よりなる配線膜と、前記配線膜に対して形成された前記バリア層とを具備する。電子デバイスの具体例としては、半導体デバイス、SAWデバイス、TPH、LCDデバイスなどが挙げられる。
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