JPH05247642A - ターゲット部材およびその製造方法 - Google Patents
ターゲット部材およびその製造方法Info
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- JPH05247642A JPH05247642A JP8141892A JP8141892A JPH05247642A JP H05247642 A JPH05247642 A JP H05247642A JP 8141892 A JP8141892 A JP 8141892A JP 8141892 A JP8141892 A JP 8141892A JP H05247642 A JPH05247642 A JP H05247642A
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 スパッタ法により磁気記録用磁性膜を作製す
るのに供するターゲット部材において、均一な磁気特性
の磁性膜を作製できるようにした。 【構成】 原子％でＮｉを５〜３０％、Ｃｒ、Ｍｏおよ
びＷのうち一種以上を４〜１８％、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔ
ｉ、Ｚｒ、ＨｆおよびＲｕのうち少なくとも一種以上を
０．１〜８％、残部Ｃｏからなる合金で、組成が均一で
かつ相対密度が９８％以上ある焼結体に形成したターゲ
ット部材である。ターゲット部材を製造する場合、急冷
凝固法により作製した粒径３２メッシュ以下の合金粉末
を金属製容器に充填封入した後、加圧焼結する。
るのに供するターゲット部材において、均一な磁気特性
の磁性膜を作製できるようにした。 【構成】 原子％でＮｉを５〜３０％、Ｃｒ、Ｍｏおよ
びＷのうち一種以上を４〜１８％、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔ
ｉ、Ｚｒ、ＨｆおよびＲｕのうち少なくとも一種以上を
０．１〜８％、残部Ｃｏからなる合金で、組成が均一で
かつ相対密度が９８％以上ある焼結体に形成したターゲ
ット部材である。ターゲット部材を製造する場合、急冷
凝固法により作製した粒径３２メッシュ以下の合金粉末
を金属製容器に充填封入した後、加圧焼結する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録用のＣｏ系磁
性膜をスパッタ法により作成するためのターゲット部
材、およびその製造方法に関するものである。
性膜をスパッタ法により作成するためのターゲット部
材、およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】スパッタ法による磁性膜にＣｏ−Ｎｉ、
Ｃｏ−ＣｒあるいはＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒが従来から工業的
に使用されてきた。そして近年、磁性膜に起因するノイ
ズの低減、スパッタ膜（磁性膜）の高保磁力化の要求に
より、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−ＣｒあるいはＣｏ−Ｎｉ−Ｃ
ｒにＴａやＰｔを添加した合金が磁性膜に使用されるよ
うになり、現在では記録媒体の主流となっている（特開
平１−１３３２１７号参照）。一方、含有されるＴａ量
は初期には１原子％であったが、最近では２原子％以上
と、高保磁力化のため増加しつつある。またＰｔ量は、
５〜１２原子％含有されている。このスパッタ膜形成に
使用するターゲット部材は、従来、溶解、鋳造後そのま
ま、あるいは熱間や冷間加工して薄板に形成し、それか
ら加工採取されていた。
Ｃｏ−ＣｒあるいはＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒが従来から工業的
に使用されてきた。そして近年、磁性膜に起因するノイ
ズの低減、スパッタ膜（磁性膜）の高保磁力化の要求に
より、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−ＣｒあるいはＣｏ−Ｎｉ−Ｃ
ｒにＴａやＰｔを添加した合金が磁性膜に使用されるよ
うになり、現在では記録媒体の主流となっている（特開
平１−１３３２１７号参照）。一方、含有されるＴａ量
は初期には１原子％であったが、最近では２原子％以上
と、高保磁力化のため増加しつつある。またＰｔ量は、
５〜１２原子％含有されている。このスパッタ膜形成に
使用するターゲット部材は、従来、溶解、鋳造後そのま
ま、あるいは熱間や冷間加工して薄板に形成し、それか
ら加工採取されていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】合金の工業的な溶解、
鋳造においては、鋳型に接して冷却され、凝固する鋼塊
の外周部と、中央部では、組成に差が生じる。ＣｏＮｉ
ＣｒにＴａを加えたＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｔａ４元合金で
は、鋼塊の中央部はＴａが合金全体の平均値より富化
し、Ｃｏ2 Ｔａがミクロ的に偏析する。また、Ｃｒ濃度
が増加するとＣｒの偏析が進み、鋼塊の外周部にＣｒ富
化ＣｏＣｒ層が生じる。Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ５
元合金では、ＣｏＰｔ、ＣｏＢ等の異相が生じてしま
う。Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ−Ｂ６元合金ではさ
らにＴａＢ、ＣｒＢ等の異相が生じる。このように、多
元合金では種々の異相が生じるため、これらの合金鋼塊
を、圧延等の熱間加工する際に、均一な圧延が困難であ
ったり、圧延した薄板にそりが生じることがあった。ま
た、作製したターゲット部材も組成が不均一となるた
め、これらのターゲット部材を用いて得られたスパッタ
膜の磁気特性が均一なものとならないという問題点があ
った。本発明の目的は、均一な磁気特性を有するスパッ
タ膜を生成するターゲット部材およびその製造方法を提
供するものである。
鋳造においては、鋳型に接して冷却され、凝固する鋼塊
の外周部と、中央部では、組成に差が生じる。ＣｏＮｉ
ＣｒにＴａを加えたＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｔａ４元合金で
は、鋼塊の中央部はＴａが合金全体の平均値より富化
し、Ｃｏ2 Ｔａがミクロ的に偏析する。また、Ｃｒ濃度
が増加するとＣｒの偏析が進み、鋼塊の外周部にＣｒ富
化ＣｏＣｒ層が生じる。Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ５
元合金では、ＣｏＰｔ、ＣｏＢ等の異相が生じてしま
う。Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ−Ｂ６元合金ではさ
らにＴａＢ、ＣｒＢ等の異相が生じる。このように、多
元合金では種々の異相が生じるため、これらの合金鋼塊
を、圧延等の熱間加工する際に、均一な圧延が困難であ
ったり、圧延した薄板にそりが生じることがあった。ま
た、作製したターゲット部材も組成が不均一となるた
め、これらのターゲット部材を用いて得られたスパッタ
膜の磁気特性が均一なものとならないという問題点があ
った。本発明の目的は、均一な磁気特性を有するスパッ
タ膜を生成するターゲット部材およびその製造方法を提
供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明のターゲット部材
は、Ｃｏを主体としてＮｉを５〜３０％、Ｃｒ、Ｍｏお
よびＷのうち一種以上を４〜１８％、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、
Ｔｉ、Ｚｒ、ＨｆおよびＲｕのうち少なくとも一種以上
を０．１〜８％、残部実質的にＣｏと不可避的不純物か
らなる合金で、組成が均一でかつ相対密度が９８％以上
ある焼結体で構成される。また、Ｃｏを主体としてＮｉ
を５〜３０％、Ｐｔ０．５〜１６％、Ｃｒ、Ｍｏおよび
Ｗのうち一種以上を４〜１８％、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔ
ｉ、Ｚｒ、ＨｆおよびＲｕのうち少なくとも一種以上を
０．１〜８％、残部実質的にＣｏと不可避的不純物から
なる合金で、あるいは、Ｃｏを主体としてＮｉを５〜３
０％、Ｐｔ０．５〜１６％、Ｃｒ、ＭｏおよびＷのうち
一種以上を４〜１８％、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、
ＨｆおよびＲｕのうち少なくとも一種以上を０．１〜８
％、Ｂ、Ｃ、ＳｉおよびＡｌのうち一種以上を０．１〜
１０％、残部実質的にＣｏと不可避的不純物からなる合
金で、組成が均一でかつ相対密度が９８％以上ある焼結
体で構成される。本発明のターゲット部材の製造方法
は、上記記載の合金組成よりなる粒径３２メッシュ以下
の急冷凝固法により製造された合金粉末を金属容器に充
填した後、加圧焼結して組成が均一で、かつ相対密度が
９８％以上あるターゲット部材に作製する。
は、Ｃｏを主体としてＮｉを５〜３０％、Ｃｒ、Ｍｏお
よびＷのうち一種以上を４〜１８％、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、
Ｔｉ、Ｚｒ、ＨｆおよびＲｕのうち少なくとも一種以上
を０．１〜８％、残部実質的にＣｏと不可避的不純物か
らなる合金で、組成が均一でかつ相対密度が９８％以上
ある焼結体で構成される。また、Ｃｏを主体としてＮｉ
を５〜３０％、Ｐｔ０．５〜１６％、Ｃｒ、Ｍｏおよび
Ｗのうち一種以上を４〜１８％、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔ
ｉ、Ｚｒ、ＨｆおよびＲｕのうち少なくとも一種以上を
０．１〜８％、残部実質的にＣｏと不可避的不純物から
なる合金で、あるいは、Ｃｏを主体としてＮｉを５〜３
０％、Ｐｔ０．５〜１６％、Ｃｒ、ＭｏおよびＷのうち
一種以上を４〜１８％、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、
ＨｆおよびＲｕのうち少なくとも一種以上を０．１〜８
％、Ｂ、Ｃ、ＳｉおよびＡｌのうち一種以上を０．１〜
１０％、残部実質的にＣｏと不可避的不純物からなる合
金で、組成が均一でかつ相対密度が９８％以上ある焼結
体で構成される。本発明のターゲット部材の製造方法
は、上記記載の合金組成よりなる粒径３２メッシュ以下
の急冷凝固法により製造された合金粉末を金属容器に充
填した後、加圧焼結して組成が均一で、かつ相対密度が
９８％以上あるターゲット部材に作製する。
【０００５】本発明のターゲット部材はＣｏを主体と
し、原子％でＮｉを５〜３０％、Ｃｒ、Ｍｏ、およびＷ
のうち一種以上を４〜１８％、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、
Ｚｒ、ＨｆおよびＲｕのうち少なくとも一種以上を０．
１〜８％、Ｐｔを０．５〜１６％、Ｂ、Ｃ、Ｓｉおよび
Ａｌのうち一種以上を０．１〜１０％と限定したのは、
Ｎｉが３０％以上では得られたスパッタ膜が十分な磁気
特性を有していないためである。また、５％以下ではＮ
ｉを加えても磁気特性改善の効果を得られないためであ
る。Ｃｒ、ＭｏおよびＷの総量が１８％を越えると合金
鋼塊を熱間加工する際に割れ易くなり、ターゲット部材
の製造に適さなくなるからである。また、Ｃｒ、Ｍｏお
よびＷの総量が４％以下では、作製したスパッタ膜が十
分な磁気特性を有さないためである。Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、
Ｔｉ、Ｚｒ、ＨｆおよびＲｕの総量が８％を越えると鋼
塊を圧延する際に異相が析出してしまうからである。Ｐ
ｔの量が１６％を越えるとターゲット部材として表面の
仕上げのための研削加工において、ターゲット部材にそ
りが発生するためである。Ｐｔの量が０．５％以下では
磁気特性に及ぼす添加効果が認められないからである。
Ｂ、Ｃ、ＳｉおよびＡｌの総量が１０％を越えると鋼塊
を加工する際に割れ易くなるためである。
し、原子％でＮｉを５〜３０％、Ｃｒ、Ｍｏ、およびＷ
のうち一種以上を４〜１８％、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、
Ｚｒ、ＨｆおよびＲｕのうち少なくとも一種以上を０．
１〜８％、Ｐｔを０．５〜１６％、Ｂ、Ｃ、Ｓｉおよび
Ａｌのうち一種以上を０．１〜１０％と限定したのは、
Ｎｉが３０％以上では得られたスパッタ膜が十分な磁気
特性を有していないためである。また、５％以下ではＮ
ｉを加えても磁気特性改善の効果を得られないためであ
る。Ｃｒ、ＭｏおよびＷの総量が１８％を越えると合金
鋼塊を熱間加工する際に割れ易くなり、ターゲット部材
の製造に適さなくなるからである。また、Ｃｒ、Ｍｏお
よびＷの総量が４％以下では、作製したスパッタ膜が十
分な磁気特性を有さないためである。Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、
Ｔｉ、Ｚｒ、ＨｆおよびＲｕの総量が８％を越えると鋼
塊を圧延する際に異相が析出してしまうからである。Ｐ
ｔの量が１６％を越えるとターゲット部材として表面の
仕上げのための研削加工において、ターゲット部材にそ
りが発生するためである。Ｐｔの量が０．５％以下では
磁気特性に及ぼす添加効果が認められないからである。
Ｂ、Ｃ、ＳｉおよびＡｌの総量が１０％を越えると鋼塊
を加工する際に割れ易くなるためである。
【０００６】上記製造方法の特徴は、ガスアトマイズ法
等の急冷凝固法により製造した所定組成の合金粉末を用
いることである。すなわち、この粉末は凝固に対する冷
却速度が大きいため、偏析を抑えて組成の均一な組織を
有する。この為、これを用いて得られるターゲット部材
は、ターゲット部材の表面、板厚中央部とも従来の溶
解、鋳造法によるものと異なり、Ｐｔ、Ｃｒ等が均一に
分布した組成を有する。急冷凝固法としては、前述のガ
スアトマイズ法の他に真空アトマイズ法、回転ロール
法、回転電極法等の公知の粉末製造法が適用できる。回
転ロール法、回転電極法等においても合金の酸化防止の
ために、雰囲気は真空、不活性ガス雰囲気とするのが望
ましい。なお、急冷凝固法のなかでは高いタップ密度が
得られる球状粉を形成しやすく、かつ生産コストの有利
なガスアトマイズ法が望ましい。以上の急冷凝固法によ
り得られた合金粉末のうち、粒径が３２メッシュ以下の
ものを用いる。このように粉末の粒径を３２メッシュ以
下としたのは、焼結時過飽和固溶体の組成の均質性が劣
ってくるためである。次いで、この合金粉末を加圧焼結
し、相対密度が９８％以上の焼結体を得る。相対密度を
９８％以上とするのは、これ未満の密度で気泡が存在す
るとスパッタ作業中異常放電を起こすためである。
等の急冷凝固法により製造した所定組成の合金粉末を用
いることである。すなわち、この粉末は凝固に対する冷
却速度が大きいため、偏析を抑えて組成の均一な組織を
有する。この為、これを用いて得られるターゲット部材
は、ターゲット部材の表面、板厚中央部とも従来の溶
解、鋳造法によるものと異なり、Ｐｔ、Ｃｒ等が均一に
分布した組成を有する。急冷凝固法としては、前述のガ
スアトマイズ法の他に真空アトマイズ法、回転ロール
法、回転電極法等の公知の粉末製造法が適用できる。回
転ロール法、回転電極法等においても合金の酸化防止の
ために、雰囲気は真空、不活性ガス雰囲気とするのが望
ましい。なお、急冷凝固法のなかでは高いタップ密度が
得られる球状粉を形成しやすく、かつ生産コストの有利
なガスアトマイズ法が望ましい。以上の急冷凝固法によ
り得られた合金粉末のうち、粒径が３２メッシュ以下の
ものを用いる。このように粉末の粒径を３２メッシュ以
下としたのは、焼結時過飽和固溶体の組成の均質性が劣
ってくるためである。次いで、この合金粉末を加圧焼結
し、相対密度が９８％以上の焼結体を得る。相対密度を
９８％以上とするのは、これ未満の密度で気泡が存在す
るとスパッタ作業中異常放電を起こすためである。
【０００７】加圧焼結の方法としては、熱間静水圧プレ
ス（ＨＩＰ）、ホットプレス、熱間パック圧延、鍛造等
が適用できるが、９８％以上の高密度を得るためにはＨ
ＩＰが最も望ましい。このＨＩＰは、温度１０００〜１
２５０℃、圧力５００ａｔｍ以上の条件で実施される必
要がある。ここで温度の上限を１２５０℃としたのは、
Ｃｏ−Ｎｉの共晶温度が１２７６℃であり、粉末内でミ
クロ的にＮｉ豊化の部分に融液が生じる為である。一
方、温度の下限を１０００℃としたのは、これ未満では
焼結密度が９８％以上に上がらないためである。また、
圧力を５００ａｔｍ以上とするのは、やはりこれ未満で
は、焼結体の相対密度を９８％以上にすることが困難だ
からである。さらに、熱間静水圧プレス等による加圧焼
結に続いて熱間加工を行なうと、相対密度が向上し、よ
りスパッタ特性の安定したターゲット部材が得られる。
ス（ＨＩＰ）、ホットプレス、熱間パック圧延、鍛造等
が適用できるが、９８％以上の高密度を得るためにはＨ
ＩＰが最も望ましい。このＨＩＰは、温度１０００〜１
２５０℃、圧力５００ａｔｍ以上の条件で実施される必
要がある。ここで温度の上限を１２５０℃としたのは、
Ｃｏ−Ｎｉの共晶温度が１２７６℃であり、粉末内でミ
クロ的にＮｉ豊化の部分に融液が生じる為である。一
方、温度の下限を１０００℃としたのは、これ未満では
焼結密度が９８％以上に上がらないためである。また、
圧力を５００ａｔｍ以上とするのは、やはりこれ未満で
は、焼結体の相対密度を９８％以上にすることが困難だ
からである。さらに、熱間静水圧プレス等による加圧焼
結に続いて熱間加工を行なうと、相対密度が向上し、よ
りスパッタ特性の安定したターゲット部材が得られる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づき説明する。原
子％で２０Ｎｉ−１０Ｃｒ−２Ｖ−３Ｂ、残部Ｃｏ組成
の合成粉末をガスアトマイズで製作した。続いて、この
粉末を分級し３２メッシュ以下の粉末を７ｋｇ秤量し
た。この粉末を軟鋼製の缶に充填し、脱気、封止した
後、熱間静水圧プレスで１２００℃、５００ａｔｍで焼
結を行なった。次ぎに、この箱体を熱間圧延により厚さ
８ｍｍに仕上げ、両側の鉄皮をはいで６ｍｍの板材を採
取した。一方、原子％で２０Ｎｉ−１０Ｃｒ−２Ｖ−３
Ｂ、残部Ｃｏ組成の合金を真空溶解した後、３０ｋｇ鋼
塊を製造し、ハンマー分塊と熱間圧延により６ｍｍの板
材を作製したところ割れてしまい、２００×２００ｍｍ
以上の大きさの板材を得ることができなかった。次ぎに
粉末法および従来の溶解法でそれぞれ製造した板材よ
り、厚さ５ｍｍ、直径１０２ｍｍのターゲット部材を採
取した。このターゲット部材を使用して、軟質ガラス基
板上に純Ｃｒ下地膜を０．１μｍ成膜した上に、高周波
出力３００ｗ、Ａｒ操作圧力３×１０- 3 ｔｏｒｒの条
件下で５０ｎｍ成膜し、振動磁力計で膜の保磁力を測定
した。
子％で２０Ｎｉ−１０Ｃｒ−２Ｖ−３Ｂ、残部Ｃｏ組成
の合成粉末をガスアトマイズで製作した。続いて、この
粉末を分級し３２メッシュ以下の粉末を７ｋｇ秤量し
た。この粉末を軟鋼製の缶に充填し、脱気、封止した
後、熱間静水圧プレスで１２００℃、５００ａｔｍで焼
結を行なった。次ぎに、この箱体を熱間圧延により厚さ
８ｍｍに仕上げ、両側の鉄皮をはいで６ｍｍの板材を採
取した。一方、原子％で２０Ｎｉ−１０Ｃｒ−２Ｖ−３
Ｂ、残部Ｃｏ組成の合金を真空溶解した後、３０ｋｇ鋼
塊を製造し、ハンマー分塊と熱間圧延により６ｍｍの板
材を作製したところ割れてしまい、２００×２００ｍｍ
以上の大きさの板材を得ることができなかった。次ぎに
粉末法および従来の溶解法でそれぞれ製造した板材よ
り、厚さ５ｍｍ、直径１０２ｍｍのターゲット部材を採
取した。このターゲット部材を使用して、軟質ガラス基
板上に純Ｃｒ下地膜を０．１μｍ成膜した上に、高周波
出力３００ｗ、Ａｒ操作圧力３×１０- 3 ｔｏｒｒの条
件下で５０ｎｍ成膜し、振動磁力計で膜の保磁力を測定
した。
【０００９】表１にターゲット部材表面層と中心部のＥ
ＰＭＡによる組成の分析値（ａｔ％）とターゲット部材
のその位置に対応するスパッタ膜の磁性値を示す。表１
からわかるように粉末法で作製したターゲット部材は表
面および板厚中心で組成に変動がなく、スパッタリング
により成膜した膜の磁性値もほとんど変動が認められな
い。一方、従来の溶解法で製造したターゲット部材は表
面層は平均値より若干Ｃｒは少なく、板厚中心部は共晶
により生じたＣｏ2 Ｎｉが熱間加工により圧延方向に線
状に伸びた部分が存在し、Ｎｉ量が高くなっている。ま
た、スパッタ膜の保磁力もターゲット部材表面と板厚中
心部で値が異なることが知られた。
ＰＭＡによる組成の分析値（ａｔ％）とターゲット部材
のその位置に対応するスパッタ膜の磁性値を示す。表１
からわかるように粉末法で作製したターゲット部材は表
面および板厚中心で組成に変動がなく、スパッタリング
により成膜した膜の磁性値もほとんど変動が認められな
い。一方、従来の溶解法で製造したターゲット部材は表
面層は平均値より若干Ｃｒは少なく、板厚中心部は共晶
により生じたＣｏ2 Ｎｉが熱間加工により圧延方向に線
状に伸びた部分が存在し、Ｎｉ量が高くなっている。ま
た、スパッタ膜の保磁力もターゲット部材表面と板厚中
心部で値が異なることが知られた。
【００１０】
【表１】
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように、Ｃｏを主体として
Ｎｉを５〜３０％、Ｃｒ、ＭｏおよびＷのうち一種以上
を４〜１８％、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆおよ
びＲｕのうち少なくとも一種以上を０．１〜８％、残部
をＣｏのターゲット部材、さらにＰｔを０．５〜１６％
含むターゲット部材、および、さらにＢ、Ｃ、Ｓｉおよ
びＡｌのうち一種以上を０．１〜１０％含むターゲット
部材を粉末法で作製した場合、従来の溶解法で作製した
ターゲット部材に比較してターゲット部材内部での組成
変動が少なく、スパッタ時の経過に伴う生成膜の磁性値
変動も小さい結果が得られた。磁気特性が一定なスパッ
タ膜が得られることは磁気記録媒体として極めて有利で
あり、粉末法による本発明のターゲット部材およびその
製造方法は、工業上顕著な効果を有する。
Ｎｉを５〜３０％、Ｃｒ、ＭｏおよびＷのうち一種以上
を４〜１８％、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆおよ
びＲｕのうち少なくとも一種以上を０．１〜８％、残部
をＣｏのターゲット部材、さらにＰｔを０．５〜１６％
含むターゲット部材、および、さらにＢ、Ｃ、Ｓｉおよ
びＡｌのうち一種以上を０．１〜１０％含むターゲット
部材を粉末法で作製した場合、従来の溶解法で作製した
ターゲット部材に比較してターゲット部材内部での組成
変動が少なく、スパッタ時の経過に伴う生成膜の磁性値
変動も小さい結果が得られた。磁気特性が一定なスパッ
タ膜が得られることは磁気記録媒体として極めて有利で
あり、粉末法による本発明のターゲット部材およびその
製造方法は、工業上顕著な効果を有する。
Claims (4)
- 【請求項１】 スパッタリング用のターゲット部材にお
いて、その組成が原子％で、Ｃｏを主体としてＮｉを５
〜３０％、Ｃｒ、ＭｏおよびＷのうち一種以上を４〜１
８％、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、ＨｆおよびＲｕの
うち少なくとも一種以上を０．１〜８％、残部実質的に
Ｃｏと不可避的不純物からなる合金で、組成が均一でか
つ相対密度が９８％以上ある焼結体であることを特徴と
するターゲット部材。 - 【請求項２】 スパッタリング用のターゲット部材にお
いて、その組成が原子％で、Ｃｏを主体としてＮｉを５
〜３０％、Ｐｔ０．５〜１６％、Ｃｒ、ＭｏおよびＷの
うち一種以上を４〜１８％、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚ
ｒ、ＨｆおよびＲｕのうち少なくとも一種以上を０．１
〜８％、残部実質的にＣｏと不可避的不純物からなる合
金で、組成が均一でかつ相対密度が９８％以上ある焼結
体であることを特徴とするターゲット部材。 - 【請求項３】 スパッタリング用のターゲット部材にお
いて、その組成が原子％で、Ｃｏを主体としてＮｉを５
〜３０％、Ｐｔ０．５〜１６％、Ｃｒ、ＭｏおよびＷの
うち一種以上を４〜１８％、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚ
ｒ、ＨｆおよびＲｕのうち少なくとも一種以上を０．１
〜８％、Ｂ、Ｃ、ＳｉおよびＡｌのうち一種以上を０．
１〜１０％、残部実質的にＣｏと不可避的不純物からな
る合金で、組成が均一でかつ相対密度が９８％以上ある
焼結体であることを特徴とするターゲット部材。 - 【請求項４】 請求項１、請求項２および請求項３に記
載のターゲット部材を製造する方法であって、請求項
１、請求項２および請求項３に記載の合金として急冷凝
固法により粒径３２メッシュ以下に製造した合金粉末を
使用し、その合金粉末を金属製容器に充填封入した後、
加圧焼結することを特徴とするターゲット部材の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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1992
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