JPS62235454A - 半導体配線材料用Ｎ含有Ａｌ合金 - Google Patents
半導体配線材料用Ｎ含有Ａｌ合金Info
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- JPS62235454A JPS62235454A JP7553586A JP7553586A JPS62235454A JP S62235454 A JPS62235454 A JP S62235454A JP 7553586 A JP7553586 A JP 7553586A JP 7553586 A JP7553586 A JP 7553586A JP S62235454 A JPS62235454 A JP S62235454A
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明はＭＯ８型半導体の各電極の接続配線などに用い
る半導体配線材料用アルミニウム合金に関する。
る半導体配線材料用アルミニウム合金に関する。
［従来の技術］
半導体集積回路は近年急速に発展し、その機能の拡大と
ともに、各構成素子間を電気的に相互接続する薄膜金属
配線はさらに微細化、高密度化の傾向にある。
ともに、各構成素子間を電気的に相互接続する薄膜金属
配線はさらに微細化、高密度化の傾向にある。
薄膜金属配線として現在Ａｌ蒸着膜が多く用いられてい
る。これはＡｌが （ａ）シリコンとのオーミック接触が容易に得られる。
る。これはＡｌが （ａ）シリコンとのオーミック接触が容易に得られる。
（ｂ）真空蒸着で導電性の良い膜となる。
（ｃ）シリコンの酸化膜（Ｓ ｉ Ｏ−）との密着性が
良い。
良い。
（ｄ）化学的に安定でＳｉＯ□と反応しない。
（ｅ）フォトレジストによる加工が容易である。
（ｆ）リードボンディング性が良い。
など総合的にみて有利であると考えられているからであ
る。蒸着用Ａｌ合金としては通常Ａｌ−１ｗｔ％Ｓｉ合
金が用いられている。
る。蒸着用Ａｌ合金としては通常Ａｌ−１ｗｔ％Ｓｉ合
金が用いられている。
［発明が解決しようとする問題点］
一方、Ａｌ配線膜の欠点としては、
（ａ）エレクトロマイグレーションを起こし電流密度が
１０’Ａ／ｃｍ２以上になると断線する。スパッタリン
グや真空蒸着の際に特に段差のあるところでは均一な厚
さに成膜させることは難しく、第１図に示すように部分
的に薄い所３ができるとその部分の電流密度が高くなる
ために上記のエレクトロマイグレーションが発生し、そ
の部分から断線することがある。
１０’Ａ／ｃｍ２以上になると断線する。スパッタリン
グや真空蒸着の際に特に段差のあるところでは均一な厚
さに成膜させることは難しく、第１図に示すように部分
的に薄い所３ができるとその部分の電流密度が高くなる
ために上記のエレクトロマイグレーションが発生し、そ
の部分から断線することがある。
（ｂ）ヒロックと呼ばれる突起が発生し、近接配線間（
多層配線間の場合は層間）での短絡を起こす。
多層配線間の場合は層間）での短絡を起こす。
などがある。
［問題点を解決するための手段］
エレン１−ロマイグレーシヨンとは、高電流密度下でＡ
ｌ原子が電子と衝突することにより運動エネルギーを得
て電子の動く方向に移動するために、Ａｌ原子の移動し
た跡に原子空孔（ボイド）が発生し、この結果配線の断
面積が減少し電流密度がさらに大きくなり、ジュール熱
などによる温度上昇が生じて、ボイドの成長がますます
加速され、ついには断線に至る現象である。このＡｌ！
子の移動は通常Ａｌの結晶粒界を伝わる粒界拡散によっ
て起こり粒界を何らかの析出物でふさいでし゛まえば粒
界拡散が起こり難くなりエレクトロマイグレーションに
よるボイドの発生及び成長を防止することができる。
ｌ原子が電子と衝突することにより運動エネルギーを得
て電子の動く方向に移動するために、Ａｌ原子の移動し
た跡に原子空孔（ボイド）が発生し、この結果配線の断
面積が減少し電流密度がさらに大きくなり、ジュール熱
などによる温度上昇が生じて、ボイドの成長がますます
加速され、ついには断線に至る現象である。このＡｌ！
子の移動は通常Ａｌの結晶粒界を伝わる粒界拡散によっ
て起こり粒界を何らかの析出物でふさいでし゛まえば粒
界拡散が起こり難くなりエレクトロマイグレーションに
よるボイドの発生及び成長を防止することができる。
次にヒロックは上記エレクトロマイグレーションにより
移動したＡｌ原子が表面へ突起するものである。これを
防ぐにはボイドと同様、粒界を何らかの析出物でふさい
で粒界拡散が起こり難くすることが有効である。
移動したＡｌ原子が表面へ突起するものである。これを
防ぐにはボイドと同様、粒界を何らかの析出物でふさい
で粒界拡散が起こり難くすることが有効である。
以上のようにエレクトロマイグレーションによるボイド
やヒロックを防ぐには粒界に何らかの元素を析出させて
粒界拡散を抑制することが有効と考えられる。粒界への
析出を起こす合金元素はいくつかあるが、母相への溶解
度が大きい元素はＡｌ合金の電気抵抗を上げてしまうた
め使用できない。従って、本発明者らは合金元素につい
て鋭意研究を重ねた結果、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ
、Ｔａ及びＣｒからなる群より選ばれた１種類又は２種
類以上の合金元素ＭｅをＮと一緒に添加すると粒界拡散
抑止効果が大きいことを見いだし、この知見に基づいて
本発明をなすに至った。このことはＭｅとＮとの化合物
であるＭ ｅ Ｎ ｘ粒子が粒界拡散抑止に寄与してい
るためであると考えられる。
やヒロックを防ぐには粒界に何らかの元素を析出させて
粒界拡散を抑制することが有効と考えられる。粒界への
析出を起こす合金元素はいくつかあるが、母相への溶解
度が大きい元素はＡｌ合金の電気抵抗を上げてしまうた
め使用できない。従って、本発明者らは合金元素につい
て鋭意研究を重ねた結果、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ
、Ｔａ及びＣｒからなる群より選ばれた１種類又は２種
類以上の合金元素ＭｅをＮと一緒に添加すると粒界拡散
抑止効果が大きいことを見いだし、この知見に基づいて
本発明をなすに至った。このことはＭｅとＮとの化合物
であるＭ ｅ Ｎ ｘ粒子が粒界拡散抑止に寄与してい
るためであると考えられる。
［発明の構、成］
すなわち、本発明は、
（１）Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ及びＣｒから
なる群より選ばれた１種類又は２種類以上の合金元素を
０．００２〜０．７ｗｔ％、Ｎ０．００２〜０．５ｗｔ
％ 、残部Ａｌ及び不可避的不純物からなる半導体配線
材料用Ｎ含有Ａｌ合金及び （２）Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ及びＣｒから
なる群より選ばれた１種類又は２種類以上の合金元素を
０．００２〜０．７ｗｔ％、Ｎ０．００２〜０．５ｗｔ
％ 、Ｓｉ ０．５〜１．５ｗｔ％ 、残部Ａｌ及び
不可避的不純物からなる半導体配線材料用Ｎ含有Ａｌ合
金を提供する。
なる群より選ばれた１種類又は２種類以上の合金元素を
０．００２〜０．７ｗｔ％、Ｎ０．００２〜０．５ｗｔ
％ 、残部Ａｌ及び不可避的不純物からなる半導体配線
材料用Ｎ含有Ａｌ合金及び （２）Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ及びＣｒから
なる群より選ばれた１種類又は２種類以上の合金元素を
０．００２〜０．７ｗｔ％、Ｎ０．００２〜０．５ｗｔ
％ 、Ｓｉ ０．５〜１．５ｗｔ％ 、残部Ａｌ及び
不可避的不純物からなる半導体配線材料用Ｎ含有Ａｌ合
金を提供する。
［発明の効果コ
本発明のＮ含有Ａｌ合金はエレクトロマイグレーション
の防止、ヒロックの形成の防止に有効であり、半導体集
積回路の配線材料として極めて優れた材料である。
の防止、ヒロックの形成の防止に有効であり、半導体集
積回路の配線材料として極めて優れた材料である。
［発明の詳細な説明］
本発明の合金はスパッタリング又は真空蒸着により半導
体装置の配線材料として用いられる。
体装置の配線材料として用いられる。
本発明の合金組成のＮの添加量が０．００２ｗｔ％未滴
の場合は前記配線材料であるＡｌ又はＡｌ−Ｓｉ合金に
完全に固溶してしまいＭ ｅ Ｎ ｘが析出せず、また
０、５ｗｔ％を超えると配線の電気抵抗が大きくなり好
ましくないので添加量を０．００２〜０．５ｗｔ％とす
る。Ｔｉ、Ｚｒ。
の場合は前記配線材料であるＡｌ又はＡｌ−Ｓｉ合金に
完全に固溶してしまいＭ ｅ Ｎ ｘが析出せず、また
０、５ｗｔ％を超えると配線の電気抵抗が大きくなり好
ましくないので添加量を０．００２〜０．５ｗｔ％とす
る。Ｔｉ、Ｚｒ。
Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ及びＣｒからなる群より選ばれた
１種類又は２種類以上の合金元素Ｍｅの添加量が０．０
０２ｗｔ％未滴の場合は前記配線材料であるＡｌ又はＡ
ｌ−Ｓｉ合金に完全に固溶してしまいＭ ｅ Ｎ ｘが
析出せず、また０、７ｗｔ％を超えると配線の電気抵抗
が大きくなり好ましくないので添加量を０．００２〜０
．７ｗｔ％とする。さらに好ましくは本発明のＡ ｌ
−Ｍ ｅ −Ｎ合金にＳｉを添加して半導体ＳｉとＡｌ
の相互拡散を抑制することができる。、Ｓｉの添加量が
０．５％未満の場合はＡｌ−３ｉコンタクト部でのＳｉ
とＡｌの相互拡散の防止効果が小さく、又、１゜５ｗｔ
％を超えると配線の電気抵抗が大きくなり好ましくない
ので添加量を０．５〜１．５ｗｔ％とする。
１種類又は２種類以上の合金元素Ｍｅの添加量が０．０
０２ｗｔ％未滴の場合は前記配線材料であるＡｌ又はＡ
ｌ−Ｓｉ合金に完全に固溶してしまいＭ ｅ Ｎ ｘが
析出せず、また０、７ｗｔ％を超えると配線の電気抵抗
が大きくなり好ましくないので添加量を０．００２〜０
．７ｗｔ％とする。さらに好ましくは本発明のＡ ｌ
−Ｍ ｅ −Ｎ合金にＳｉを添加して半導体ＳｉとＡｌ
の相互拡散を抑制することができる。、Ｓｉの添加量が
０．５％未満の場合はＡｌ−３ｉコンタクト部でのＳｉ
とＡｌの相互拡散の防止効果が小さく、又、１゜５ｗｔ
％を超えると配線の電気抵抗が大きくなり好ましくない
ので添加量を０．５〜１．５ｗｔ％とする。
以上の半導体配線材料用アルミニウム合金は通常高純度
（９９，９９９ｗｔ％）Ａｌ或いは高純度（９９，９９
９ｗｔ％）Ｓｉを溶解したＡｌ−８ｉ合金に、Ｔｉ、Ｚ
ｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ及びＣｒからなる群より選ば
れた１種類又は２種類以上の合金元素Ｍｅと、ＮをＡｌ
Ｎ、ＳｉＮ及びＭ ｅ Ｎ ｘなどとして、大気中で溶
解鋳造し。
（９９，９９９ｗｔ％）Ａｌ或いは高純度（９９，９９
９ｗｔ％）Ｓｉを溶解したＡｌ−８ｉ合金に、Ｔｉ、Ｚ
ｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ及びＣｒからなる群より選ば
れた１種類又は２種類以上の合金元素Ｍｅと、ＮをＡｌ
Ｎ、ＳｉＮ及びＭ ｅ Ｎ ｘなどとして、大気中で溶
解鋳造し。
次にこの鋳造材をそのまま機械加工して真空蒸着材又は
スパッタリング用ターゲツト板とすることができる。こ
のようにして作成されたターゲツト板は上記の鋳造の際
にＭｅ、Ｎの一部がＭ ｅ Ｎ ｘとなって、このＭ
ｅ Ｎ ｘが核効果を起こし、鋳造組織を微細化すると
ともに鋳造材に残存するＭ ｅ 。
スパッタリング用ターゲツト板とすることができる。こ
のようにして作成されたターゲツト板は上記の鋳造の際
にＭｅ、Ｎの一部がＭ ｅ Ｎ ｘとなって、このＭ
ｅ Ｎ ｘが核効果を起こし、鋳造組織を微細化すると
ともに鋳造材に残存するＭ ｅ 。
Ｎが多いためにスパッタリング又は真空蒸着による′簿
膜の均一性に非常に優れており、さらにまた、この薄膜
において前記のＭｅ、ＮがＭ ｅ Ｎ ｘとなって結晶
粒界に析出しエレクトロマイグレーションによるボイド
やヒロック形成の防止に極めて有効に作用する。なお、
鋳造材のかわりに鋳造後所定の形状に加工しそれをさら
に熱処理してスパッタリング又は真空蒸着材とすること
もできる。この場合熱処理によって再結晶化するとＭ
ｅ Ｎ ｘが析出して核効果により結晶が微細化し、ス
パッタリング又は真空蒸着材の組織の均一性が向上する
。
膜の均一性に非常に優れており、さらにまた、この薄膜
において前記のＭｅ、ＮがＭ ｅ Ｎ ｘとなって結晶
粒界に析出しエレクトロマイグレーションによるボイド
やヒロック形成の防止に極めて有効に作用する。なお、
鋳造材のかわりに鋳造後所定の形状に加工しそれをさら
に熱処理してスパッタリング又は真空蒸着材とすること
もできる。この場合熱処理によって再結晶化するとＭ
ｅ Ｎ ｘが析出して核効果により結晶が微細化し、ス
パッタリング又は真空蒸着材の組織の均一性が向上する
。
これによって薄膜の均一性を向上させることもできる０
次に実施例について説明する。
次に実施例について説明する。
［実施例］
高純度（９９，９９９ｗｔ％）Ａｌ又は高純度Ａｌ−８
ｉ合金、高純度（９９，９５ｗｔ％）のＡｌＮ及びＴｉ
、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ。
ｉ合金、高純度（９９，９５ｗｔ％）のＡｌＮ及びＴｉ
、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ。
Ｃｒからなる群より選ばれた１種類又は２種類以上の高
純度金属Ｍｅを第１表に示す組成に調整した後、高純度
アルミするつぼ内へ装入し抵抗加熱炉で大気中で溶解し
た。溶解後、所定の鋳型へ鋳造した。鋳造材はそのまま
機械加工により切削、研磨して所定の形状にしスパッタ
リング用ターゲツト板とした。
純度金属Ｍｅを第１表に示す組成に調整した後、高純度
アルミするつぼ内へ装入し抵抗加熱炉で大気中で溶解し
た。溶解後、所定の鋳型へ鋳造した。鋳造材はそのまま
機械加工により切削、研磨して所定の形状にしスパッタ
リング用ターゲツト板とした。
上記ターゲツト板を用いてシリコン基板上に幅６ミクロ
ン、長さ３８０ミクロンのスパッタリング蒸着膜を形成
した。この薄膜の特性を調べるために温度１７５℃で連
続して電流密度ｌＸ１０”Ａ／ｃｍ”の電流を流した。
ン、長さ３８０ミクロンのスパッタリング蒸着膜を形成
した。この薄膜の特性を調べるために温度１７５℃で連
続して電流密度ｌＸ１０”Ａ／ｃｍ”の電流を流した。
その時の平均の故障発生に至る時間（平均故障時間）を
第１表に示す。
第１表に示す。
同じく第１表には比較例として純Ａｌ、Ａｌ−ＣＵ金合
金びＡ ｌ −Ｃｕ −Ｓ ｉ合金についての試験結果
も示す。
金びＡ ｌ −Ｃｕ −Ｓ ｉ合金についての試験結果
も示す。
以上の第１表から明らかなように従来の純Ａｌ、Ａｌ−
Ｃｕ合金及びＡｌ−Ｃｕ−８ｉ比較して、本発明のＡ
ｌ − Ｍ ｅ − Ｎ合金及びＡｌ−８Ａｌ−８ｉ−
合金による蒸着配線膜の高温。
Ｃｕ合金及びＡｌ−Ｃｕ−８ｉ比較して、本発明のＡ
ｌ − Ｍ ｅ − Ｎ合金及びＡｌ−８Ａｌ−８ｉ−
合金による蒸着配線膜の高温。
連続通電下における平均故障時間は大幅に改善され，Ａ
ｌ−Ｃｕ−５ｉ合金の２倍以上となっている。このよう
に本発明のＡｌ−Ｍｅ−Ｎ合金及びＡ ｌ − Ｓ ｉ
− Ｍ ｅ − Ｎ合金はエレクトロマイグレーショ
ンによるボイドやヒロックの形成の防止に有効であり、
半導体集積回路用配線材料として極めて優れた材料であ
ることがわかる。
ｌ−Ｃｕ−５ｉ合金の２倍以上となっている。このよう
に本発明のＡｌ−Ｍｅ−Ｎ合金及びＡ ｌ − Ｓ ｉ
− Ｍ ｅ − Ｎ合金はエレクトロマイグレーショ
ンによるボイドやヒロックの形成の防止に有効であり、
半導体集積回路用配線材料として極めて優れた材料であ
ることがわかる。
以下余白
第１図はシリコン基板上にＡｌ配線膜を蒸着した部分の
断面図である。 １：シリコン基板 ２：Ａｌ配線膜
断面図である。 １：シリコン基板 ２：Ａｌ配線膜
Claims (2)
- （１）Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ及びＣｒから
なる群より選ばれた１種類又は２種類以上の合金元素を
０．００２〜０．７ｗｔ％、Ｎ０．００２〜０．５ｗｔ
％、残部Ａｌ及び不可避的不純物からなる半導体配線材
料用Ｎ含有Ａｌ合金。 - （２）Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ及びＣｒから
なる群より選ばれた１種類又は２種類以上の合金元素を
０．００２〜０．７ｗｔ％、Ｎ０．００２〜０．５ｗｔ
％、Ｓｉ０．５〜１．５ｗｔ％、残部Ａｌ及び不可避的
不純物からなる半導体配線材料用Ｎ含有Ａｌ合金。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7553586A JPS62235454A (ja) | 1986-04-03 | 1986-04-03 | 半導体配線材料用Ｎ含有Ａｌ合金 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7553586A JPS62235454A (ja) | 1986-04-03 | 1986-04-03 | 半導体配線材料用Ｎ含有Ａｌ合金 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62235454A true JPS62235454A (ja) | 1987-10-15 |
Family
ID=13579003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7553586A Pending JPS62235454A (ja) | 1986-04-03 | 1986-04-03 | 半導体配線材料用Ｎ含有Ａｌ合金 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62235454A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0542271A2 (en) * | 1991-11-15 | 1993-05-19 | Casio Computer Company Limited | Thin-film device with a compound conductive layer |
| WO1997013885A1 (en) * | 1995-10-12 | 1997-04-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Wiring film, sputter target for forming the wiring film and electronic component using the same |
| US6264813B1 (en) | 1996-12-04 | 2001-07-24 | Aluminum Pechiney | Cathodic sputtering targets made of aluminum alloy |
| WO2012043490A1 (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-05 | 株式会社神戸製鋼所 | Ａｌ合金膜、Ａｌ合金膜を有する配線構造、およびＡｌ合金膜の製造に用いられるスパッタリングターゲット |
| USRE45481E1 (en) | 1995-10-12 | 2015-04-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Interconnector line of thin film, sputter target for forming the wiring film and electronic component using the same |
| CN109112335A (zh) * | 2018-09-17 | 2019-01-01 | 南昌大学 | 一种纳米氮化铝增强7075铝合金的热压方法 |
-
1986
- 1986-04-03 JP JP7553586A patent/JPS62235454A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0542271A3 (ja) * | 1991-11-15 | 1994-01-19 | Casio Computer Co Ltd | |
| EP0542271A2 (en) * | 1991-11-15 | 1993-05-19 | Casio Computer Company Limited | Thin-film device with a compound conductive layer |
| USRE45481E1 (en) | 1995-10-12 | 2015-04-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Interconnector line of thin film, sputter target for forming the wiring film and electronic component using the same |
| WO1997013885A1 (en) * | 1995-10-12 | 1997-04-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Wiring film, sputter target for forming the wiring film and electronic component using the same |
| US6329275B1 (en) | 1995-10-12 | 2001-12-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Interconnector line of thin film, sputter target for forming the wiring film and electronic component using the same |
| KR100312548B1 (ko) * | 1995-10-12 | 2001-12-28 | 니시무로 타이죠 | 배선막,배선막형성용스퍼터타겟및이를이용한전자부품 |
| EP1553205A1 (en) | 1995-10-12 | 2005-07-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Sputter target for forming thin film interconnector and thin film interconnector line |
| JP2006100822A (ja) * | 1995-10-12 | 2006-04-13 | Toshiba Corp | 液晶表示装置の製造方法 |
| USRE41975E1 (en) * | 1995-10-12 | 2010-11-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Interconnector line of thin film, sputter target for forming the wiring film and electronic component using the same |
| US6264813B1 (en) | 1996-12-04 | 2001-07-24 | Aluminum Pechiney | Cathodic sputtering targets made of aluminum alloy |
| JP2012094485A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-05-17 | Kobe Steel Ltd | Ａｌ合金膜、Ａｌ合金膜を有する配線構造、およびＡｌ合金膜の製造に用いられるスパッタリングターゲット |
| CN103069042A (zh) * | 2010-09-30 | 2013-04-24 | 株式会社神户制钢所 | Al合金膜、具有Al合金膜的配线结构以及Al合金膜的制造中使用的溅射靶 |
| WO2012043490A1 (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-05 | 株式会社神戸製鋼所 | Ａｌ合金膜、Ａｌ合金膜を有する配線構造、およびＡｌ合金膜の製造に用いられるスパッタリングターゲット |
| CN109112335A (zh) * | 2018-09-17 | 2019-01-01 | 南昌大学 | 一种纳米氮化铝增强7075铝合金的热压方法 |
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