JP2005338812A - 表示装置、電子機器 - Google Patents
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- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 82
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 45
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 45
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 41
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 28
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 41
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 40
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 39
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 39
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 25
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 16
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 329
- 239000012788 optical film Substances 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 107
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 42
- 239000000463 material Substances 0.000 description 41
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 37
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 22
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 21
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 21
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 21
- 230000006870 function Effects 0.000 description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 9
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 7
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 6
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 5
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- -1 IZO Chemical compound 0.000 description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- ODNHQUQWHMGWGT-UHFFFAOYSA-N iridium;oxotin Chemical compound [Ir].[Sn]=O ODNHQUQWHMGWGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910021334 nickel silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N nickel silicide Chemical compound [Ni]=[Si]=[Ni] RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N azanylidynemolybdenum Chemical compound [Mo]#N GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
【解決手段】 本発明の表示装置は、基板上に設けられたトランジスタと、トランジスタ上に設けられた第1の絶縁膜と、第1の絶縁膜上に設けられた第2の絶縁膜と、第1の絶縁膜と第2の絶縁膜に設けられた開口部を介して、トランジスタのソース領域又はドレイン領域に接続するソース配線及びドレイン配線と、ソース配線及びドレイン配線に接する第1の導電膜と、第1の導電膜に接する電界発光層と、電界発光層に接する第2の導電膜と、を有する。第2の絶縁膜は遮光性を有する。ソース配線及びドレイン配線は、アルミニウムを主成分とし、ニッケルを含む合金材料からなる。
【選択図】 図1
Description
(実施の形態1)
11 トランジスタ
12 第1の絶縁膜
13 第2の絶縁膜
14 第3の絶縁膜
15〜18 ソースドレイン領域
19、21 導電膜
20 電界発光層
22 発光素子
23 絶縁膜
23 隔壁層
26 活性層
27、28 ソースドレイン配線
29、31導電膜
30 電界発光層
32 発光素子
41 第1の絶縁膜
42 第2の絶縁膜
47、48 ソースドレイン配線
49、51 導電膜
50 電界発光層
52 発光素子
53 第3の絶縁膜
61 第1の絶縁膜
62 第2の絶縁膜
63 第3の絶縁膜
64 接続配線
67、68 ソースドレイン配線
69、71 導電膜
70 電界発光層
72 発光素子
73 第4の絶縁膜
81、83 第1の絶縁膜
82、84 第2の絶縁膜、85、86 ソースドレイン配線
Claims (21)
- 基板上に設けられたトランジスタと、
前記トランジスタ上に設けられた第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上に設けられた第2の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜に設けられた開口部を介して、前記トランジスタのソース領域又はドレイン領域に接続するソース配線及びドレイン配線と、
前記ソース配線及び前記ドレイン配線に接する第1の導電膜と、
前記第1の導電膜に接する電界発光層と、
前記電界発光層に接する第2の導電膜と、を有し、
前記第2の絶縁膜は遮光性を有し、
前記ソース配線及び前記ドレイン配線は、アルミニウムを主成分とし、ニッケルを含む合金材料からなることを特徴とする表示装置。 - 基板上に設けられたトランジスタと、
前記トランジスタ上に設けられた第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上に設けられた第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜上に設けられた第3の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜、前記第2の絶縁膜及び前記第3の絶縁膜に設けられた開口部を介して、前記トランジスタのソース領域又はドレイン領域に接続するソース配線及びドレイン配線と、
前記ソース配線及び前記ドレイン配線に接する第1の導電膜と、
前記第1の導電膜に接する電界発光層と、
前記電界発光層に接する第2の導電膜と、を有し、
前記第2の絶縁膜と前記第3の絶縁膜の一方又は両方は遮光性を有し、
前記ソース配線及び前記ドレイン配線は、アルミニウムを主成分とし、ニッケルを含む合金材料からなることを特徴とする表示装置。 - 請求項1又は請求項2において、前記第1の絶縁膜は、無機材料からなることを特徴とする表示装置。
- 請求項1において、前記第2の絶縁膜は、有機材料からなることを特徴とする表示装置。
- 請求項1において、前記第2の絶縁膜は、炭素を含むことを特徴とする表示装置。
- 請求項2において、前記第2の絶縁膜と前記第3の絶縁膜は、有機材料からなることを特徴とする表示装置。
- 請求項2において、前記第2の絶縁膜と前記第3の絶縁膜の一方又は両方は、炭素を含むことを特徴とする表示装置。
- 請求項1乃至請求項7のいずれか1項において、前記ソース配線及び前記ドレイン配線は、前記第1の導電膜の下方又は前記第1の導電膜と同じ層に設けられることを特徴とする表示装置。
- 請求項1乃至請求項7のいずれか1項において、前記ソース配線及び前記ドレイン配線は、前記第1の導電膜の上方又は前記第1の導電膜と同じ層に設けられることを特徴とする表示装置。
- 請求項1乃至請求項9のいずれか1項において、前記合金材料は、炭素と珪素の一方又は両方を含むことを特徴とする表示装置。
- 基板上に設けられたトランジスタと、
前記トランジスタ上に設けられた第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜に設けられた開口部を介して、前記トランジスタのソース領域又はドレイン領域に接続するソース配線及びドレイン配線と、
前記ソース配線及び前記ドレイン配線上に設けられた第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜に設けられた開口部を介して、前記ソース配線及び前記ドレイン配線に接続する第1の導電膜と、
前記第1の導電膜に接する電界発光層と、
前記電界発光層に接する第2の導電膜とを有し、
前記ソース配線及び前記ドレイン配線と前記第1の導電膜の一方又は両方は、アルミニウムを主成分とし、ニッケルを含む合金材料からなり、
前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜の一方又は両方は、遮光性を有することを特徴とする表示装置。 - 基板上に設けられたトランジスタと、
前記トランジスタ上に設けられた第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜に設けられた開口部を介して、前記トランジスタのソース領域又はドレイン領域に接続するソース配線及びドレイン配線と、
前記ソース配線及び前記ドレイン配線上に設けられた第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜に設けられた開口部を介して、前記ソース配線及び前記ドレイン配線に接続する接続配線と、
前記接続配線に接する第1の導電膜と、
前記第1の導電膜に接する電界発光層と、
前記電界発光層に接する第2の導電膜とを有し、
前記ソース配線及び前記ドレイン配線と前記接続配線の一方又は両方は、アルミニウムを主成分とし、ニッケルを含む合金材料からなり、
前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜の一方又は両方は、遮光性を有することを特徴とする表示装置。 - 請求項11又は請求項12において、前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜は、有機材料からなることを特徴とする表示装置。
- 請求項11又は請求項12において、前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜の一方又は両方は、炭素を含むことを特徴とする表示装置。
- 請求項11乃至請求項14のいずれか一項において、前記接続配線は、前記第1の導電膜の下方又は前記第1の導電膜と同じ層に設けられることを特徴とする表示装置。
- 請求項11乃至請求項14のいずれか一項において、前記接続配線は、前記第1の導電膜の上方又は前記第1の導電膜と同じ層に設けられることを特徴とする表示装置。
- 請求項11乃至請求項16のいずれか一項において、前記合金材料は、炭素と珪素の一方又は両方を含むことを特徴とする表示装置。
- 請求項1乃至請求項17のいずれか一項において、前記第1の導電膜の端部を囲む隔壁層を有し、
前記隔壁層は第4の絶縁膜と第5の絶縁膜の積層膜からなり、
前記第4の絶縁膜と前記第5の絶縁膜の一方又は両方は、遮光性を有することを特徴とする表示装置。 - 請求項18において、前記第4の絶縁膜と前記第5の絶縁膜は、有機材料からなることを特徴とする表示装置。
- 請求項18において、前記第4の絶縁膜と前記第5の絶縁膜の一方又は両方は、炭素を含むことを特徴とする表示装置。
- 請求項1乃至請求項20のいずれか一項に記載の表示装置を有することを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005128989A JP4849821B2 (ja) | 2004-04-28 | 2005-04-27 | 表示装置、電子機器 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004134905 | 2004-04-28 | ||
JP2004134905 | 2004-04-28 | ||
JP2005128989A JP4849821B2 (ja) | 2004-04-28 | 2005-04-27 | 表示装置、電子機器 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005338812A true JP2005338812A (ja) | 2005-12-08 |
JP2005338812A5 JP2005338812A5 (ja) | 2008-03-21 |
JP4849821B2 JP4849821B2 (ja) | 2012-01-11 |
Family
ID=35492404
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005128989A Expired - Fee Related JP4849821B2 (ja) | 2004-04-28 | 2005-04-27 | 表示装置、電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4849821B2 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007165214A (ja) * | 2005-12-16 | 2007-06-28 | Seiko Epson Corp | エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器 |
JP2007173827A (ja) * | 2005-12-21 | 2007-07-05 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 有機発光デバイス |
JP2009076536A (ja) * | 2007-09-19 | 2009-04-09 | Mitsubishi Electric Corp | Al合金膜、電子デバイス及び電気光学表示装置用アクティブマトリックス基板 |
WO2010053184A1 (ja) * | 2008-11-10 | 2010-05-14 | 株式会社神戸製鋼所 | 有機elディスプレイ用の反射アノード電極およびその製造方法 |
JP2010186589A (ja) * | 2009-02-10 | 2010-08-26 | Mitsubishi Materials Corp | 上部発光型有機EL素子および前記上部発光型有機EL素子の陽極層を構成する反射膜の形成に用いられるAl合金スパッタリングターゲット |
US7948177B2 (en) | 2006-01-27 | 2011-05-24 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Flat panel display device with protective layer structure and method of making the same |
US8035300B2 (en) | 2006-01-27 | 2011-10-11 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Flat panel display device and method of making the same |
JP2016145991A (ja) * | 2007-12-21 | 2016-08-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2016213200A (ja) * | 2004-10-01 | 2016-12-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102620013B1 (ko) | 2016-07-01 | 2024-01-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조방법 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62240738A (ja) * | 1986-04-11 | 1987-10-21 | Nippon Mining Co Ltd | 半導体配線材料用n、c含有アルミニウム合金 |
WO1997013885A1 (en) * | 1995-10-12 | 1997-04-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Wiring film, sputter target for forming the wiring film and electronic component using the same |
JP2000172198A (ja) * | 1998-12-01 | 2000-06-23 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2002164181A (ja) * | 2000-09-18 | 2002-06-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及びその作製方法 |
JP2002299056A (ja) * | 2001-01-29 | 2002-10-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
JP2003089864A (ja) * | 2001-09-18 | 2003-03-28 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | アルミニウム合金薄膜及びその薄膜を有する配線回路並びにその薄膜を形成するターゲット材 |
JP2003177714A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-06-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及び電子機器 |
JP2004071432A (ja) * | 2002-08-08 | 2004-03-04 | Dainippon Printing Co Ltd | パターン形成体およびその製造方法 |
-
2005
- 2005-04-27 JP JP2005128989A patent/JP4849821B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62240738A (ja) * | 1986-04-11 | 1987-10-21 | Nippon Mining Co Ltd | 半導体配線材料用n、c含有アルミニウム合金 |
WO1997013885A1 (en) * | 1995-10-12 | 1997-04-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Wiring film, sputter target for forming the wiring film and electronic component using the same |
JP2000172198A (ja) * | 1998-12-01 | 2000-06-23 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2002164181A (ja) * | 2000-09-18 | 2002-06-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及びその作製方法 |
JP2002299056A (ja) * | 2001-01-29 | 2002-10-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
JP2003089864A (ja) * | 2001-09-18 | 2003-03-28 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | アルミニウム合金薄膜及びその薄膜を有する配線回路並びにその薄膜を形成するターゲット材 |
JP2003177714A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-06-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及び電子機器 |
JP2004071432A (ja) * | 2002-08-08 | 2004-03-04 | Dainippon Printing Co Ltd | パターン形成体およびその製造方法 |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10333003B2 (en) | 2004-10-01 | 2019-06-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method of the same |
US9887294B2 (en) | 2004-10-01 | 2018-02-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method of the same |
JP2016213200A (ja) * | 2004-10-01 | 2016-12-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
JP2007165214A (ja) * | 2005-12-16 | 2007-06-28 | Seiko Epson Corp | エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器 |
JP2007173827A (ja) * | 2005-12-21 | 2007-07-05 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 有機発光デバイス |
US7948177B2 (en) | 2006-01-27 | 2011-05-24 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Flat panel display device with protective layer structure and method of making the same |
US8035300B2 (en) | 2006-01-27 | 2011-10-11 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Flat panel display device and method of making the same |
JP2009076536A (ja) * | 2007-09-19 | 2009-04-09 | Mitsubishi Electric Corp | Al合金膜、電子デバイス及び電気光学表示装置用アクティブマトリックス基板 |
US8558248B2 (en) | 2007-09-19 | 2013-10-15 | Mitsubishi Electric Corporation | A1 alloy film, electronic device, and active matrix substrate for use in electrooptic display device |
JP2016145991A (ja) * | 2007-12-21 | 2016-08-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2010135300A (ja) * | 2008-11-10 | 2010-06-17 | Kobe Steel Ltd | 有機elディスプレイ用の反射アノード電極およびその製造方法 |
WO2010053184A1 (ja) * | 2008-11-10 | 2010-05-14 | 株式会社神戸製鋼所 | 有機elディスプレイ用の反射アノード電極およびその製造方法 |
JP2010186589A (ja) * | 2009-02-10 | 2010-08-26 | Mitsubishi Materials Corp | 上部発光型有機EL素子および前記上部発光型有機EL素子の陽極層を構成する反射膜の形成に用いられるAl合金スパッタリングターゲット |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4849821B2 (ja) | 2012-01-11 |
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Legal Events
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141028 Year of fee payment: 3 |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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